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REDES SNUBBER
ndice
INTRODUCCIN.....................................................................................................1
CAPTULO 1...........................................................................................................2
PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA......................................................................2
1.1.
Problema a resolver.................................................................................2
1.2.
Objetivos..................................................................................................2
1.3.
Alcance....................................................................................................2
CAPTULO 2...........................................................................................................3
ESTADO DEL ARTE..............................................................................................3
2.1. Estado del arte............................................................................................3
2.2. Redes Snubber............................................................................................6
2.2.1 Ventajas de las Redes Snubber..............................................................6
2.3. Tipos de redes Snubber..............................................................................6
2.3.1. Redes Snubber disipadas.........................................................................6
2.3.1.1. Redes Snubber RC.............................................................................6
2.3.1.2 Snubber LR polarizada........................................................................7
2.4 Snubber aplicado a transistores..................................................................8
2.4.1 Potencias de disipacin en el transistor................................................9
2.4.2 Aplicacin de redes snubber a transistores de potencia.......................9
2.4.2.1 Snubber de encendido o de disparo.................................................10
2.4.2.1.1 Anlisis matemtico de Snubber de encendido............................11
2.4.2.2 Snubber de apagado o de bloqueo...................................................12
2.4.2.2.1. Anlisis matemtico de Snubber de apagado..............................12
2.4.3. Redes Snubber aplicado a Mosfets........................................................15
2.4.4. Diodo en redes Snubber........................................................................15
CONCLUSIONES...................................................................................................17
REFERENCIAS......................................................................................................18
INTRODUCCIN
Las redes snubber han sido muy ocupadas en los circuitos de potencia
donde interviene la conmutacin debido a que con ellas se puede eliminar
factores como en la sobrecarga, sobre tensin y potencia de disipacin las
cuales afectan la funcionabilidad de los circuitos de potencia, daan
dispositivos e incluso pueden llegar a destruir totalmente al dispositivo,
ocasionando prdidas de los equipos conectados a los circuitos de potencia
y por ende se genera prdidas econmicas.
En la actualidad existe gran variedad de tipos de redes snubber debido a
que depende del tipo de dispositivo al cual tengan que proteger como es el
caso de IGBTs, Diodos, Transistores de potencia, Mosfets, y al circuito en el
que se generan las perturbaciones que afectan los circuitos de potencia.
El objetivo de este documento es dar a conocer proyectos en los que se ha
visto la necesidad de la aplicacin de algn tipo de red snubber para la
proteccin de los circuitos o semiconductores de potencia, tambin se
presenta el anlisis terico y matemtico para el diseo de redes snubber y
como objetivo final mediante la recopilacin de informacin terica y
matemtica se presentaran simulaciones donde se aplique las redes
snubber de apagado, encendido y conmutacin para semiconductores de
IGBTs, Diodos, Transistores de potencia y
CAPTULO 1
PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA
En este captulo se presentara los objetivos y el alcance del problema a
resolver.
1.1.
Problema a resolver
que
trabajan
con
conmutacin
existen
problemas
de
Objetivos
Realizar el estudio sobre redes snubber en convertidores de potencia.
Diseo y simulacin de convertidores con redes snubber para diodos,
mosfets, igbts transistores.
1.3.
Alcance
transistores.
Se analizara el comportamiento de los convertidores con y sin redes
snubber.
No se realizara la implementacin de las redes Snubber.
CAPTULO 2
ESTADO DEL ARTE
En este captulo se presenta el estado del arte de trabajos anteriores
referentes a las redes snubber y sus aplicaciones y tambin se presenta la
parte terica de redes snubber.
2.1. Estado del arte
Para la realizacin de este documento se ha recopilado informacin de artculos,
tesis, y documentos referente a redes snubber, de los cuales se ha obtenido
informacin acerca de conceptos, tipos, aplicaciones e investigaciones a redes
snubber los cuales han aportado a la realizacin del presente documento.
A continuacin se presentan algunos trabajos de investigacin realizados donde
se han implementado las redes snubber de los cuales se ha obtenido
informacin importante para la realizacin del presente trabajo.
PROTECCION ELECTRICA DE
SEMICONDUCTORES: REDES
DE
DISEO
MONTAJE
DE
UNA
FUENTE
CONMUTADA
PARA
encendido
apagado
de
IGBTs,
protecciones
de
temperatura,
dv
dt
o corriente
di
dt .
dv
dt
que se
dv
dt
de recuperacin inversa
dv
dt
proteger sobre el
di
dt
dv
dt
de la etapa de
apagado [3,5]
t
1
PON = . Vi . Io . ON
2
T
Ecuacin 2. Potencia en el encendido del transistor
t
1
POFF = . Vi . Io . OFF
2
T
De las ecuaciones presentadas anteriormente se generan las formas de
onda que se muestran en la figura 5.
10
11
V CE =
LsI o
t ri
Donde:
tri= tiempo de subida de la corriente.
Para encontrar los valores de RLs se procede a:
V SW ,max =R Ls I o
Ls
R Ls
L s ( I o )2
PRLs =
fs
2
Donde fs = Frecuencia de conmutacin.
P Q=
( V d V SW ) I o t ri f s
2
13
di
dt
Ecuacin 8. Corriente
i Cs=
i Cs por el condensador
I ot
0<t <t fi
t fi
14
Ecuacin 9. Voltaje
V cs =V CE =
i Cs por el condensador
t
t
I o t2
1
1 Io t
i
dt
=
dt=
C s 0 CS
C s 0 t fi
2C s t fi
V cs
<
Vd .
C s=C s 1=
I o t fi
2V d
15
sea
menor
la
corriente
de
recuperacin
inversa
Vd
<I
R s rr
16
PRs=
C s (V d )
fs
2
Io 2 t 2fi fs
P Q=
24 C s 1
Del anlisis matemtico mediante la red snubber se obtiene la figura 10,
donde se observa los efectos de las aplicaciones de la redes snubber en el
apagado.
17
C s=
I o t fi
Vs
Rs =
1
5fsCs
Donde:
Fs= Frecuencia de conmutacin
Tfi= Tiempo de cada del transistor MOSFET
18
por un
di Vd
=
dt
Lc
19
CONCLUSIONES
20
REFERENCIAS
[1] Mohan, N., & Undeland T., & Robbins W. Power Electronics: Converters,
Applications and Desings, John Wiley & Sons, INC, Second Edition, Toronto,
Canada, 1995.
[2] Unviresity of Saskatchewan, Power Electronics
Disponible en :
http://www.engr.usask.ca/classes/EE/443/
[3] Bacaicoa, L., lvarez C., Martnez J. & lvarez J. Electrnica de potencia:
Dispositivos, Universidad de Oviedo, Oviedo, Espaa, 1999.
[4] Peafiel, D., & Paul, R. Diseo y montaje de fuente conmutada para
alimentacin de convertidor multinivel. Universidad Politcnica Salesiana,
Cuenca-Ecuador, 2013.
[5] Valdivia, R. Excitacin de un plasma por altas frecuencias para
propsitos de iluminacin. Instituto Tecnolgica de Toluca, Toluca-Mxico,
2003.
[6] Perna, A. Proteccin elctrica de semiconductores: Redes de ayuda a la
conmutacin disipativas y no disipativas. Universidad de Oviedo, OviedoEspaa, 1999.
[7] Dvalos, D., & Romero, M.
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