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Electrnica Bsica

TRABALHO

Fsica dos Semi-condutores

NOME DO ALUNO: Denilson Mrio de Oliveira gomes


TURMA: EINF-M1
N DE MATRICULA: 20130962
DOCENTE: Danilson da Conceio
DATA: 26/03/2015
ANO LECTIVO: 2015

I INTRODUO
A fsica
dos
semicondutores
o
ramo
da fsica que
estuda
os
1
materiais semicondutores. fundamenta-se na quantidade de electres na camada de
valncia dos tomos do dispositivo a circular em uma corrente eltrica, e no manuseio de
outros tipos de substncias chamadas de "impurezas" que podem ser do tipo N ou P e que

ao serem misturadas com


de electres livres no composto.

esses tomos alteram

estado

O electro , geralmente representado como e, uma partcula


subatmica que circunda o ncleo atmico, identificada em 1897 pelo
ingls John Joseph Thomson. Subatmica e de carga negativa, o
responsvel pela criao de campos magnticos e elctricos.
No modelo padro ele um lpton, junto com o muon, o tau e os
respectivos neutrinos.
O eltron foi proposto
Thomson em 1897. A

como

partcula

subatmica

por J.

J.

carga do electro de -1,60217733 10-19 C, e a sua massa de


9,1093897 10-31 kg, ou 511,0 keV/c. Normalmente, em fsica
nuclear, a carga do electro definida como sendo uma unidade. No
ponto de vista da fsica Quntica, o electro pode ser concebido como
uma onda estacionria.
o nmero de electres de um tomo que define a sua carga, sendo
que um nmero de electres igual ao nmero de protes origina uma
partcula electricamente neutra. Nas escalas de distncias dos
tomos o comportamento da partcula regido pela mecnica
quntica, segundo a qual os electres ficam "espalhados" pela maior
parte do tomo, numa rea denominada "nuvem electrnica". Por
outro lado, o ncleo que comporta a carga positiva do tomo est
localizado no centro deste.
O electro, alm de interagir com outras partculas pela fora
electromagntica, tambm interage pela fora nuclear fraca, onde
normalmente vem acompanhado do seu neutrino associado.
Sua antipartcula o postron, com a mesma massa, mas carga
positiva.

II NOO DE MECNICA QUNTICA

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A mecnica quntica a teoria fsica que obtm sucesso no estudo


dos sistemas fsicos cujas dimenses so prximas ou abaixo da
escala atmica, tais como molculas, tomos, eletres, prtons e de
outras partculas subatmicas, muito embora tambm possa
descrever fenmenos macroscpicos em diversos casos.
A Mecnica Quntica um ramo fundamental da fsica com vasta
aplicao. A teoria quntica fornece descries precisas para muitos
fenmenos previamente inexplicados tais como a radiao de corpo
negro e as rbitas estveis do eletro. Apesar de na maioria dos
casos a Mecnica Quntica ser relevante para descrever sistemas
microscpicos, os seus efeitos especficos no so somente
perceptveis em tal escala.
Por exemplo, a explicao de fenmenos macroscpicos como a super
fluidez e a supercondutividade s possvel se considerarmos que o
comportamento microscpico da matria quntico. A quantidade
caracterstica da teoria, que determina quando ela necessria para
a descrio de um fenmeno, a chamada constante de Planck, que
tem dimenso de momento angular ou, equivalentemente, de ao.
A mecnica quntica recebe esse nome por prever um fenmeno
bastante conhecido dos fsicos: a quantizao. No caso dos estados
ligados (por exemplo, um eletro orbitando em torno de um ncleo
positivo) a Mecnica Quntica prev que a energia (do eletro) deve
ser quantizada. Este fenmeno completamente alheio ao que prev
a teoria clssica.

III- EVOLUO DOS COMPONETES E


CIRCUITOS
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Os equipamentos eletrnicos so construdos de componentes os


quais so interligados formando os circuitos. Para efeitos descritivos
os

componentes

podem

ser

subdivididos

em:

Passivos,

eletrodinmicos e activos.

Componentes Passivos
Neste grupo incluem-se os chamados componentes bsicos como
resistores e, os capacitores, os quais so definidos somente por
alguns parmetros eltricos como resistncia, capacitncia, tenso
mxima e corrente.

Capacitor
O capacitor um armazenador de energia de um circuito eltrico.
Desde a sua gnese pode ser classificado em dois grupos ou seja o
capacitor do tipo fsico-qumico e o eletromecnico. No primeiro grupo
tem-se o capacitor de folha, de placa, eletroltico e o de tntalo. No
segundo tm-se capacitores variveis.

Resistor
A evoluo tecnolgica do componente de carter resistivo pode ser
analisada considerando-se o resistor de valor fixo e o varivel. Os
primeiros resistores usados em eletrnica eram conhecidos como
resistores de fio os quais consistiam de um enrolamento geralmente
feito de materiais como o constantnio, ligas de cobre o qual era
alojado sobre uma base de cermica. Por sua vez o resistor varivel,
tambm denominado de potencimetro, uma vez que sua funo era
a diviso de tenso como por exemplo, o controle de volume de um
rdio receptor.

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Em 1827 o Dr. George Simon Ohm demonstrou matematicamente a


relao existente entre a resistncia, a tenso e a corrente em
circuitos eltricos. A lei de Ohm fundamental em todos os clculos
de resistncia. As pesquisas de Ohm foram publicadas na Alemanha
em 1827. Em 1860 o seu livro foi vertido para o francs por J.M.
Gaugain

com

ttulo: Thorie

Mathmatique

des

Courants

lectriques. A reproduo das pginas frontais e o prefcio do autor


da edio francesa deste marco da histria da cincia.

IV- PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO DA


VLVULA
A vlvula, tubo de eletres, vlvula terminica, tubo de vcuo,
vacuum tube, e outras denominaes o primeiro dispositivo ativo da
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eletrnica. Sua descoberta e primeiro desenvolvimento se deu


atravs dos testes de Thomas Edison, o famoso inventor da lmpada
no final do sculo XIX.
Ele redescobriu que quando um metal aquecido, libera eletres.
Este efeito j era conhecido, mas com a inveno da lmpada, ficou
mais fcil estudar e encontrar uma aplicao prtica.
O fenmeno, batizado de Efeito Edison consiste no seguinte:
quando um material condutor aquecido, acelera seus eletres,
facilitando o desprendimento dos mesmos e criando uma nuvem
eletrnica em volta do metal. Se este material estiver prximo de
outro menos aquecido e entre eles for aplicada uma diferena de
potencial adequada, pode ocorrer uma corrente eltrica.
A lmpada de efeito Edison, ou vlvula, consiste em duas placas
condutoras, uma prxima ao filamento, sofrendo aquecimento e outra
a uma certa distncia.
Quando o condutor prximo ao filamento polarizado com tenso
negativa, os eletres so desprendidos pelo calor e atrados pela
placa positiva.
O contrrio, a placa fria negativa no fornece energia trmica
suficiente e os eletres no se desprendem.
Dessa forma, foi criado o diodo terminico, vlvula diodo ou
simplesmente diodo.

Triodo
Aps a descoberta de Edison, no demorou para este novo
componente despertar o interesse da comunidade cientfica.

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Contemporneos descobriram que ao adicionar mais um eletrodo,


chamado de grade, com polaridade negativa, possvel controlar a
corrente de placa. Estava inventado o amplificador.
Seu funcionamento baseado na repulso das cargas de mesma
polaridade. Quanto maior for a tenso negativa da grade, menos
eltrons conseguem passar do catodo para a placa, criando assim um
efeito de vlvula de restrio. Foi da que surgiu o nome vlvula
para a Lmpada de efeito Edison.

Caractersticas:

Uma pequena variao na tenso negativa de grade provoca


grande variao de corrente de placa;

Como

no

existe

corrente

circulando

pela

grade, sua

impedncia praticamente infinita, impossvel de se conseguir


com transstores;

Na realidade, a grade apenas um fio enrolado em espiral em


volta do catodo, sem contato fsico com este;

O ganho sensivelmente mais linear que qualquer eletrnica


moderna inventada at agora.

Ttrodo
Aps o furor que o amplificador a triodo produziu, novas pesquisas
mostraram que ele no eficiente em altas frequncias.

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O motivo para isso so as capacitncias parasitas existentes entre


catodo e grade e grade e placa. Esta ltima principalmente provoca
realimentao entre a sada (placa) e a entrada (grade), criando uma
forte tendncia instabilidade, principalmente em altas frequncias.
Por esse motivo foi desenvolvida uma nova vlvula com mais uma
grade entre a grade de controle e a placa, denominada de grade de
blindagem.
Este eletrodo adicional recebe uma tenso ligeiramente inferior
placa. Por exemplo, com uma tenso de placa de 250V, a grade de
blindagem pode receber por exemplo 190V aproximadamente (isto
apenas um exemplo!! Verifique as caractersticas da sua vlvula em
particular!).
Dessa forma, a capacitncia parasita dividida entre grade de
controle e grade

de

blindagem e grade

de

blindagem e placa,

reduzindo o efeito da realimentao.

Pntodo
Se a inteno da criao do ttrodo foi boa, os efeitos colaterais no
agradaram.
Aquela vlvula em particular tem uma regio altamente no-linear,
que precisa ser evitada a todo custo no projeto. O motivo para isso
o fato de ter dois eletrodos positivos agrade de blindagem e a
prpria placa que acabam por provocar a acelerao dos eletres e
a consequente emisso secundria (eletres desprendidos pela fora
de atrao da tenso positiva).

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Para evitar esse efeito, a vlvula pntodo foi dotada de mais um


eletrodo,

a grade

supressora,

geralmente

ligada

internamente

ao catodo.
Tendo a mesma polaridade (negativa) do catodo, esta grade acaba
por desacelerar os eletres, evitando o efeito indesejvel da emisso
secundria e tornando esse dispositivo praticamente linear.
As vlvulas de sada dos amplificadores de udio e as grandes etapas
de sada de transmissores geralmente so dotadas de um ou vrios
pntodos.

V- ESTRUTURA CRISTALINA DOS SLIDOS


No processo de solidificao dos slidos cristalinos, os tomos ou
molculas fundamentais que os compem se dispem espacialmente
numa forma geomtrica ordenada. Os microcristais bsicos, clulas
componentes das redes cristalinas do slido, assumem formas
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cbicas, rmbicas, tetragonais, hexagonais ou prismticas irregulares.


O retculo espacial, ou rede, unidade do sistema de cristalizao do
slido, repete-se indefinidamente nas trs direes do espao at
alcanar suas bordas exteriores.
Dessa forma, ao fraturar-se um slido de cristalizao perfeita, deve
reproduzir-se em cada um de seus fragmentos a geometria do corpo
no
mesmo
sistema
cristalino.
Os tomos ou molculas do cristal situam-se ou no vrtice de cada
retculo, ou no centro do retculo, ou ainda no centro de cada uma de
suas faces. Essa disposio interna foi determinada mediante
observao a partir da difrao dos raios X, ou seja, do desvio sofrido
pelos feixes dessa natureza que se fazem incidir sobre os slidos.
A partir de uma perspectiva geral, distinguem-se quatro tipos de
slidos cristalinos: (1) metais e ligas metlicas; (2) cristais inicos; (3)
cristais covalentes; e (4) cristais moleculares. Os metais e ligas
metlicas se caracterizam principalmente por apresentarem elevada
condutividade da eletricidade e do calor. Essas caractersticas se
explicam pela relativa liberdade de movimentos dos eletres
(partculas elementares de carga negativa) que ficam livres na rede
ao se configurarem as ligaes entre os tomos do metal.
Os cristais inicos so agregados de ies, tomos ou molculas que,
durante transformaes qumicas, perderam ou capturaram eletres e
ficaram eletricamente carregados. Os ies positivos e negativos se
distribuem de forma intercalada, razo pela qual as ligaes
resultantes se fundamentam nas foras compensadas de atrao
eletrosttica existente entre eles.
A rede dos cristais inicos constitui um sal cuja condutividade eltrica
e calorfica normalmente aumenta em relao direta com a
temperatura.
Os cristais covalentes, como o diamante, o silcio e o germnio,
apresentam alta dureza e, frequentemente, brilho. Ao contrrio dos
cristais inicos ou salinos, comportam-se em geral como isolantes
eltricos devido ausncia parcial ou
total de cargas eltricas em
sua
estrutura.
Os cristais moleculares so substncias que procedem de fases
gasosas de acentuada estabilidade (como o dixido de carbono, por
exemplo). Exemplos so o hlio seco e o dixido de carbono
solidificado, as formas slidas dos gases nobres (argnio, criptnio e
xennio) e numerosos compostos orgnicos constitudos basicamente
de
tomos
de
carbono
e
hidrognio.
Alguns cristais moleculares e covalentes, assim como certas ligas
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metlicas e sais inicos, so substncias isolantes, no-condutoras de


corrente eltrica a baixas temperaturas. Ao aumentar-se a
temperatura acima de certo valor, contudo, sua condutividade
aumenta
sensivelmente.
Esses
materiais,
que
constituem
intrinsecamente conectores e interruptores eltricos, em funo da
temperatura a que so submetidos, recebem o nome de
semicondutores. Desde a segunda metade do sculo XX, esses
materiais alcanaram importncia transcendental na tecnologia
eletrnica e ciberntica.

VI- BANDAS DE ENERGIA

So factores da maior importncia para explicao do fenomeno da


semicondutncia, o comportamento energtico dos portadores de

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cargas e as situaes que o levam a interagir energeticamente com


as outras partculas do meio.
A teoria das bandas de energia em slidos pode ser explicada da
forma em que eltrons num tomo s poderem ocupar determinados
nveis de energia discretos, seguindo os princpios do tomo de Bohr,
principio

de

Pauli

os

princpios

da

teoria

quntica.

Simplificadamente podemos dizer que quando dois tomos se


aproximam numa ligao qumica os nveis de energia dos eltrons
exteriores se alteram devido a interao entre os campos eltricos de
outros tomos.
Para explicarmos estas idias, faremos uma exposio dos princpios
bsicos da mecnica quntica, que se propem a explicar estes
fenmenos. fato que a energia no infinitamente indivisvel, e
segundo a teoria quntica, a menor unidade de energia que pode ser
transferida em um processo fsico chamado de quantum, ou em
outra nomenclatura bem mais comum, trabalharmos com um
quantum de luz, o fton.
Este conceito pode ser estendido aos eltrons, o qual pode ser
interpretado como sendo uma entidade na qual se associam tanto a
massa de repouso quanto o comprimento de onda, estando estes
relacionados pelos mesmos princpios atribudos aos ftons.
Para compreendermos o comportamento dos eltrons em cristais,
necessitamos de uma estrutura que simplifique e ao mesmo tempo
nos d a idia do que ocorre na interao entre os tomos de um
cristal. Consideramos ento dois tomos separados por uma distncia
R, cujos eltrons esto nas rbitas de menor energia possvel.
A interao de um grande nmero de tomos em um cristal faz com
que os nveis de energia dos eltrons externos se transformem num
contnuo de nveis de energia, muito prximos s chamadas bandas
de energia. a configurao destas bandas de energia que vai
determinar as propriedades eletrnicas do material, comportando-se
como um isolante, semicondutor ou um condutor. Neste ponto
importante considerar uma propriedade importante dos eltrons
presentes em um tomo, o spin, propriedade a qual se verificou que
possui apenas duas orientaes possveis, os geralmente tachados
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como spin para cima e o spin para baixo.


Com isto a configurao destas bandas de energia que vai
determinar as propriedades eletrnicas do material, ou seja, so elas
que determinam se um material um isolante, semicondutor ou
condutor. Para conduo de eletricidade os eltrons devem absorver
energia do campo eltrico aplicado, e para que isso se torne-se
possvel devero haver nveis de energia livres para onde ele possa
ser promovido, pois segundo princpio de excluso de Pauli, duas

partculas ferminicas (cujo spin semi-inteiro) no podem ocupar


simultaneamente o mesmo estado quntico.
Em um semicondutor a regio proibida estreita, aproximadamente
1eV, de modo que temperatura ambiente alguns eltrons so
promovidos da banda de valncia para a de conduo e deixam nveis
livres, de modo que, tambm os eltrons da banda de valncia
podem ser promovidos. Ao passo que em um condutor as bandas de
Valncia e conduo se superpem, fazendo com que no haja
nenhuma regio proibida. Para o caso de um isolante temos uma
regio proibida muito grande a depender do material em questo.

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