Você está na página 1de 36

Transdutores de Deslocamento

Potencimetros so formados por um material condutor


resistivo depositado em superfcie isolante, com contatos fixos
nas duas extremidades e um contato mvel (cursor) que se
desloca ao longo do condutor formando um divisor resistivo
Rotativo:

Linear:

R= R1 + R2

R1 R2
1

Potencimetro - Materiais

Carbono: simplicidade e baixo custo


filmes metlicos: linearidade e durabilidade
fios metlicos em espiral: estabilidade e robustez
plticos condutores: alta resoluo
V = Vr . R1 / (R1+R2)
Vr

L1

R1

L2

R2

R1/R2 = L1/L2
L1+L2 = L
V

V = L1 . Vr/L

Potencimetro - Caractersticas
Simplicidade, baixo custo, alta linearidade
variaes na resistncia total devido
temperatura no afetam o valor medido.
A tenso Vr deve ser estvel
O medidor da tenso deve ter uma impedncia
muito superior ao valor do potencimetro
Desvantagens:
desgaste do material condutor,
atrito do cursor
3

Indutivos
Formado por bobinas de indutncia L. O deslocamento mecnico causa variao
na Indutncia (L) devido variao em algum parmetro da equao:

L=n G eff
onde:
n=numero de espiras,G=fator geomtrico, eff=permeabilidade efetiva
sada:
Simples: baixo custo, maior simplicidade, sensibilidade moderada
Diferencial: maior sensibilidade, menor influencia de campos magnticos externos e
temperatura

ncleo:
ar: frequncia mais alta, menor tempo de resposta
Ferro: menor frequncia (<20kHz), campo magnetico mais concetrado, indutancia no linear
com a corrente

Indutivos - LVDT
Transformador Diferencial Varivel Linear
Posio do ncleo mvel determina o acoplamento de fluxo
entre a excitao do primrio e cada um dos enrolamentos do
secundrio.
Caractersticas: alta resoluo, baixa histerese, excelente
repetibilidade, sem desgaste de contato eltrico.
Aplicaes: Aviao, automveis, medidores de nvel, etc.

LVDT - funcionamento

60 Hz a 20 kHz

LVDT Sinal de sada


1
centro
2cm
5cm
10cm

0.8

0.6

tensao de saida

0.4

0.2

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1

50

100

150

200
tempo

250

300

350

400

LVDT Circuitos
1)

2)

(AD598)

V AV B
D=
V AV B

Capacitivos
Variao da capacitncia (C) atravs da modificao de
um dos parametros (, A ou d)
C=kA/d
onde: k=constante multiplicativa, =constante do
dieltrico, A=rea efetiva das placas, d=distancia entre
as placas

d
9

Capacitor diferencial
Placas paralelas
placas fixa
E1

d
placa mvel
d

E2

placas fixa
C1=A/(d+x) , C2=A/(d-x)
DE = E1 - E2 = E.x/d

10

Capacitor Rotativo

duas placas

diferencial

11
fonte: Lion, pg.70

Transdutores Piezoeltricos
Geram uma d.d.p. quando submetidos a uma
presso. (tambem se expandem/contraem
quando excitados eletricamente).
So usados materiais como quartzo, titanato de
brio e PZT (titanato zirconato de chumbo),
tambm so usados polmeros flexveis como o
PVDF (Polivinilo de Flor).
Aplicaoes: deformao, fora, presso,
acelerao, ultrasom.
12

Cristais piezoeltricos

13

Transdutores de Presso
Geralmente medida
indiretamente atravs de
pequeno deslocamento
de membrana ou
superfcie similar
Presso absoluta,
presso relativa, presso
diferencial.
resistivos (strain-gage),
capacitivos, indutivos ou
piezoeltricos.
14

Transdutores de Presso

diafragma

15

Transdutores de Acelerao
acelermetro medida indireta da acelerao atravs da fora
num sistema massa-mola (capacitivo, indutivo, piezoeltrico,
strain-gage) , ou pela variao da velocidade em alguns casos
(eixos girantes).
aplicaes: medida de vibraes, colises (air-bags), inclinao,
velocidade, deslocamento.

16

Transdutores de Vazo
Diversos princpios so utilizados para medir
vazo em lquidos e gases.
Deslocamento Positivo

Turbina

Eletromagnticos
17

Transdutores de Vazo
presso diferencial

Ultra-som

Trmico
18

Transdutores de Umidade
Umidade a quantidade de vapor de gua presente em um
gs ou a gua absorvida em um lquido ou slido
Os transdutores de umidade so baseados na variao da
resistncia ou constante dieltrica (capacitivos) com a
presena de gua
So usados sinais alternados para medida da capacitncia ou
resistncia, de modo eliminar os potenciais eletroqumicos
devido presena de ons na gua
Dieltrico
ou material
resistivo

Eletrodos

Fotoresistores
LDR (Light Dependent Resistor)
So resistores sensveis luz baseados na variao
do nmero de portadores de carga em um
semicondutor, ao ser submetido a uma radiao
tica. Possuem coeficiente de variao negativo
com modelo matemtico aproximado:

Rf = A.E-
onde: Eenergia luminosa incidente, A,aconstantes
que dependem do material

LDR
Materiais mais utilizados
(semicondutores compostos):
Sulfeto de Cadmio (CdS),
Seleneto de Cadmio (CdSe),
Sulfeto de Chumbo (PbS),
Seleneto de Chumbo (PbSe),
alm do Si e Ge dopados.
Cada material proporciona uma
maior sensibilidade em
determinado comprimento de
onda incidente, desde o infravermelho at o ultra-violeta.

Material

Faixa Espectral (m)

Sulfeto de cdmio (CdS)

0.47 - 0.71

Seleneto de Cdmio (CdSe)

0.6 - 0.77

Sulfeto de chumbo (PbS)

1.0 - 3.0

Seleneto de Chumbo (PbSe)

1.5 - 4.0

Fotodiodos/Fototransistores
So junes semicondutoras com uma janela ptica que capta a radiao
luminosa
Os ftons incidentes na juno geram pares eletron-lacuna que alteram a
corrente de polarizao reversa da juno
Os foto-transistores possuem a juno Base-Coletor exposta radiao
luminosa. A corrente de base amplificada pelo ganho do transistor.
Representam uma alternativa mais rpida, mais precisa e econmica em
relao ao LDR.

Pirosensores
Medida indireta da
temperatura atravs da
radiao infravermelho.
Tambm so utilizados
como detetores de
movimento em sistemas
de segurana (com lente
de fresnel e amplificador
diferenciador).

Transdutores de Campo Magntico


Bobinas: medem campo magntico
alternado (lei da induo de Faraday:
V=dB/dt)
So usadas na medio indireta de
corrente (AC) em ampermetros do tipo
alicate.

Transdutores de Umidade
a maioria dos isolantes apresenta uma reduo
de sua resistividade e aumento de sua
constante dieltrica com o aumento da umidade
relao aprox. exponencial: Ru=A.Ur- (A e
constantes do material, Urumidade
relativa)
a medida deve ser em corrente alternada para
evitar potencial DC eletroqumico gerado pelos
os presentes na gua.

Sensor de Efeito Hall


Folha de material condutor ou semicondutor submetido a uma
corrente longitudinal I
Campo magntico B aplicado transversalmente folha
Surge uma fora eltrica (Lorentz) que desloca as cargas
para as laterais da folha
Este deslocamento de cargas gera uma diferena de
potencial VH que pode ser medida externamente

e.I.B
F m=
n.e.A
e
F m =F e =V H
W
I.B
V H=
n.e.d

n: densidade de cargas
e: carga do eltron

Sensor de Efeito Hall


Alta linearidade
Altos campos de saturao
Grande diversidade de materiais:
Condutores: alta linearidade, estabilidade em T
Semicondutores: alta sensibilidade,
Bipolaridade:
B+ VH+
B- VH-

Sensor GMR
Giant Magneto-Resistance Efeito magneto-resistivo gigante
Corrente eltrica inicial com spins up e down
No material Ferro-Magntico eltrons com spin oposto atravessam com
maior facilidade
A variao da resistencia eltrica ocorre quando uma das camadas FM est
magnetizada no sentido oposto outra
FM1: material duro; FM2: material doce

Sensor GMR
Alta sensibilidade
Pequenas dimenses (nm)
Baixos campos de saturao (mT)

Uipolaridade:
B+ R+
B- R+

Sensores Magnticos - Aplicaes


Efeito Hall:
Ampermetro alicate
Medidores de campo magntico
Motores DC sem escova (brushless)

GMR:
Cabeas de leitura de HD
Medidores de baixos campos magnticos
Bssolas eletrnicas

Telas sensveis ao toque


So sensores que permitem a determinao de uma posio
em uma superfcie plana a partir do toque
O toque pode ser diretamente com os dedos ou outro objeto
Normalmente so transparentes e acopladas a um display de
cristal lquido (LCD)
Tipos mais comuns:
Resistivo
Capacitivo
SAW

Telas sensveis ao toque - Resistivos


So baseados em duas placas condutoras X e Y
transparentes (ITO) separadas por uma pequena distncia
Uma tenso DC aplicada alternadamente entre X+/X- e
Y+/Y O toque ativa o contato eltrico
entre as placas
A posio XY determinada
pela leitura da tenso nos
terminais das placas por
conversores A/D
Caractersticas:
Baixos custo e complexidade
Necessidade de aplicar presso
Necessita calibrao

Telas sensveis ao toque Capacitivos 1


So baseados numa matriz de capacitores entre duas placas
S funcionam com toque de objetos condutores (dedo, caneta
metlica)

Sinal AC aplicado sequencialmente na matriz superior


O toque na tela altera as linhas de campo
eltrico
Estas alteraes so sentidas pela matriz
inferior
Conversores A/D lm o sinal e processam a
informao da posio XY
Caractersticas
Mdia complexidade do processamento
Robustez e durabilidade
Detecta toques simultneos em posies
distintas

Telas sensveis ao toque Capacitivos 2


So baseados num filme condutor (ITO) contnuo depositado numa
placa de vidro
S funcionam com toque de objetos condutores (dedo, caneta
metlica)
Sinal AC aplicado sequencialmente em cada
canto da tela e lida nos outros 3 cantos
O toque na tela altera as linhas de campo
eltrico
Conversores A/D lm o sinal e processam a
informao da posio XY
Caractersticas
Alta complexidade do processamento
Robustez e durabilidade
Detecta toques simultneos

Telas sensveis ao toque SAW


Surface acoustic wave: ondas acsticas de superfcie
Transdutores de ultra-som aplicam ondas acsticas superficiais
alternadamente nas direes X e Y da tela e medem o tempo de reflexo
O toque provoca uma alterao na distribuio das ondas superficiais,
modificando o tempo e/ou a forma do sinal refletido que ser funo da
posio

Contadores de tempo e/ou conversores A/D


lm o sinal refletido e enviam ao processador,
que determina a posio XY
Caractersticas
Alto custo e complexidade
Robustez e durabilidade
Detecta objetos condutores ou isolantes

Exerccio 2
Dado um transdutor de presso capacitivo, que possui curva de variao de
capacitncia com a presso mostrada abaixo, pede-se:
a) determine a equao de capacitncia em funo da presso, sabendo que
possui uma variao quadrtica
b) monte um circuito conversor presso-frequncia usando um astvel com
555, que possibilite uma resoluo de pelo menos 1 parte em 104 na faixa de
presso de 104 a 105 Pa, sabendo-se que esta frequncia ser convertida
para um valor digital por um contador de pulsos cuja janela de contagem
temporal 1 segundo.