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Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica
a travs de l en un solo sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el
ms comn en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos.
El diodo de vaco (que actualmente ya no se usa, excepto
para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con
dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo.
De forma simplicada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta
diferencia de potencial, se comporta como un circuito
abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea.
Debido a este comportamiento, se les suele denominar
recticadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est basado en los
experimentos de Lee De Forest.
Los primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tambin llamados vlvulas termoinicas constituidos por dos
electrodos rodeados de vaco en un tubo de cristal, con
un aspecto similar al de las lmparas incandescentes. El
invento fue desarrollado en 1904 por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa Marconi, basndose en
observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.
Al igual que las lmparas incandescentes, los tubos de vaco tienen un lamento (el ctodo) a travs del cual circula
la corriente, calentndolo por efecto Joule. El lamento
est tratado con xido de bario, de modo que al calentarse
emite electrones al vaco circundante los cuales son conducidos electrostticamente hacia una placa, curvada por
un muelle doble, cargada positivamente (el nodo), producindose as la conduccin. Evidentemente, si el ctodo
no se calienta, no podr ceder electrones. Por esa razn,
los circuitos que utilizaban vlvulas de vaco requeran un
tiempo para que las vlvulas se calentaran antes de poder
funcionar y las vlvulas se quemaban con mucha facilidad.
Diodo de vaco, usado comnmente hasta la invencin del diodo semiconductor, este ltimo tambin llamado diodo de estado
slido.
3 DIODO SEMICONDUCTOR
En la mayor parte del siglo xx, los diodos de vlvula termoinica se usaron en aplicaciones de seales anlogas,
recticadores y potencia. Hasta el da de hoy, los diodos
de vlvula solamente se usan en aplicaciones exclusivas
En la poca de su invencin, estos dispositivos fueron como recticadores en guitarras elctricas, amplicadoconocidos como recticadores. En 1919, William Henry res de audio, as como equipo especializado de alta tenEccles acu el trmino diodo del griego dia, que signi- sin.
ca separado, y ode (de ), que signica camino.
Los diodos termoinicos son dispositivos de vlvula termoinica (tambin conocida como tubo de vaco), que
consisten en un arreglo de electrodos empacados en un
vidrio al vaco. Los primeros modelos eran muy parecidos a la lmpara incandescente.
En los diodos de vlvula termoinica, una corriente a
travs del lamento que se va a calentar calienta indi-
3 Diodo semiconductor
Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal
semiconductor como el silicio con impurezas en l para
crear una regin que contenga portadores de carga negativa (electrones), llamada semiconductor de tipo n, y una
regin en el otro lado que contenga portadores de carga
positiva (huecos), llamada semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada regin. El lmite dentro
del cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN,
es donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal
conduce una corriente de electrones del lado n (llamado
3.2
3.1
3 DIODO SEMICONDUCTOR
silicio no estn rodeados de sucientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener
estabilidad. Esto hace que los tomos de la supercie del
diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en
su orbital de valencia con lo que los electrones circulan
sin dicultad a travs de ellos. No obstante, al igual que
la corriente inversa de saturacin, la corriente supercial
de fuga es despreciable.
5
Corriente supercial de fugas.
Donde:
Es la pequea corriente que circula por la supercie
I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodel diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es
do
funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al
aumentar la tensin, aumenta la corriente supercial
VD es la diferencia de tensin entre sus extremos.
de fugas.
IS es la corriente de saturacin (aproximadamente
Tensin de ruptura (V ).
1012 A )
Es la tensin inversa mxima que el diodo puede so n es el coeciente de emisin, dependiente del proportar antes de darse el efecto avalancha.
ceso de fabricacin del diodo y que suele adoptar
valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2
Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este
(para el silicio).
conducir la corriente inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en El Voltaje trmico VT es aproximadamente 25.85mV en
el diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe al 300K, una temperatura cercana a la temperatura ambienefecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, co- te, muy usada en los programas de simulacin de circuimo los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos tos. Para cada temperatura existe una constante conocida
efectos:
denida por:
Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares electrn-hueco
que provocan la corriente inversa de saturacin; si
la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que
al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la
tensin, chocando con ms electrones de valencia y
liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha
de electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin
superiores a 6 V.
VT =
kT
q
Los diodos normales, los cuales operan como se describa ms arriba, se hacen generalmente de silicio dopado o
germanio. Antes del desarrollo de estos diodos recticadores de silicio, se usaba el xido cuproso y el selenio: su
baja eciencia le dio una cada de tensin muy alta (desde
1,4 a 1,7V) y requeran de una gran disipacin de calor
mucho ms grande que un diodo de silicio. La gran mayo-
Diodo tnel o Esaki: Tienen una regin de operacin que produce una resistencia negativa debido al
efecto tnel, permitiendo amplicar seales y circuitos muy simples que poseen dos estados. Debido a
la alta concentracin de carga, los diodos tnel son
muy rpidos, pueden usarse en temperaturas muy
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bajas, campos magnticos de gran magnitud y en
entornos con radiacin alta. Por estas propiedades,
suelen usarse en viajes espaciales.
Diodo Gunn: Similar al diodo tnel son construidos de materiales como GaAs o InP que produce
una resistencia negativa. Bajo condiciones apropiadas, las formas de dominio del dipolo y propagacin
a travs del diodo, permitiendo osciladores de ondas
microondas de alta frecuencia.
7
usar como recticadores con bajas prdidas aunque
su corriente de fuga es mucho ms alta que la de
otros diodos. Los diodos Schottky son portadores de
carga mayoritarios por lo que no sufren de problemas de almacenamiento de los portadores de carga
minoritarios que ralentizan la mayora de los dems
diodos (por lo que este tipo de diodos tiene una recuperacin inversa ms rpida que los diodos de unin
pn. Tienden a tener una capacitancia de unin mucho ms baja que los diodos pn que funcionan como
interruptores veloces y se usan para circuitos de alta
velocidad como fuentes conmutadas, mezclador de
frecuencias y detectores.
Stabistor: El stabistor (tambin llamado Diodo de
Referencia en Directa) es un tipo especial de diodo
de silicio cuyas caractersticas de tensin en directa son extremadamente estables. Estos dispositivos
estn diseados especialmente para aplicaciones de
estabilizacin en bajas tensiones donde se requiera
mantener la tensin muy estable dentro de un amplio
rango de corriente y temperatura.
Referencias
El contenido de este artculo incorpora material de
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8.1
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8.2
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8.3
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