UNIVERSIDAD AUTONOMA DE SINALOA

FACULTAD DE INGENIERIA
INGENIERIA EN PROCESOS INDUSTRIALES

Laboratorio de electrnica 1
Practica: transistores

Alumno: Hernndez Arangure Jess Ricardo

Profesor: Mario Irigoyen

Grupo: 2-1

Culiacn Sinaloa, a 10 de marzo de 2014

TRANSISTOR BJT
OBJETIVOS
Identificar al transistor como un dispositivo semiconductor, cuyo funcionamiento depende del tipo
de configuracin de polarizacin en que se conecte.
OBJETIVOS PARTICULARES
Identificar las terminales del transistor bipolar (Emisor, Colector y Base)
Analizar el funcionamiento del transistor en configuracin base comn.
Trabajar el transistor bipolar NPN y PNP como conmutador con niveles lgicos.
INTRODUCCIN
El transistor est compuesto por tres zonas de dopado, como se ve en la figura 1:

Figura 1 Zonas que conforman al transistor

La zona superior es el "Colector", la zona central es la "Base" y la zona inferior es el "Emisor". El
Emisor est muy impurificado, la Base tiene una impurificacin muy baja, mientras que el Colector
posee una impurificacin intermedia.
En este ejemplo concreto el transistor es un dispositivo NPN, aunque tambin podra ser un
PNP.
Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones; una entre el emisor y la
base y la otra entre la base y el colector. El emisor y la base forman uno de los diodos, mientras
que el colector y la base forman el otro. Estos diodos son denominados: "Diodo de emisor" y
"Diodo de colector". El transistor NPN, primeramente cuando est sin polarizar se produce una
"Difusin", donde los electrones cruzan de la zona N a la zona P, se difunden, encuentran un
hueco y se recombinan.
Esto hace que en las uniones entre las zonas N y P generen iones positivos y negativos.
Esta difusin y recombinacin se da hasta llegar al equilibrio, hasta conseguir una barrera de
potencial de a 0.7 V (para el Si). Se crean dos uniones una unin E-B y otra unin CB.
Si se conectan fuentes de tensin externas para polarizar al transistor, se obtienen resultados
nuevos e inesperados. Hay 3 configuraciones:
Base comn (BC).
Emisor comn (EC).
Colector comn (CC).

Cada una de estas configuraciones a su vez puede trabajar en 4 zonas diferentes:

Zona ACTIVA: UE en Directa y Uc en Inversa. AMPL FICADORES

Zona de SATURACIN: UE en Directa y Uc en Directa. CONMUTACIN
Zona de CORTE: UE en Inversa y Uc en Inversa. CONMUTACIN
Zona ACTIVA INVERTIDA: UE en Inversa y Uc en Directa. SIN UTILIDAD

Con esto vemos que el transistor puede trabajar de cuatro formas diferentes.
El negativo de la pila VEE repele los electrones de la zona del emisor que cruzan la UE.
Algunos electrones cruzan la UE y pasan por la zona p de la base sin recombinarse.

Figura 2 Polarizacin del transistor.

Debido a la pila puede que un electrn cruce la barrera de potencial de la UE, despus ese
electrn baja la barrera de potencial de la Uc para salir por el colector.

Figura 3 Barrera de potencial en el transistor.

Este es el efecto transistor de N a P tiene que subir la barrera de potencial pero luego es ms de
los electrones emitidos por el emisor, aproximadamente un 1 % se recombinan en la base y un
99 % no se recombina y llega al colector, esto es el efecto transistor figura 3.
La palabra colector viene de ah, el colector "Colecta" los electrones, los recoge, eso es el
"Efecto transistor", la base es muy estrecha y adems est muy poco impurificada, esa es la
razn de que la probabilidad de que un electrn se recombine sea muy pequea (por ejemplo el
1%), el emisor emite electrones, el colector los recoge, y la base es un dispositivo de control.
MATERIAL Y EQUIPO
Fuente de alimentacin de CD. variable.
Osciloscopio con puntas de medicin.
Generador de funciones.
Fuente regulada de 0 a 30 V, y Multmetro digital.
Resistencias de varios valores a 1/2 W.
Un transistor 2N3905.
Un transistor 2N3902.
Un transistor 2N2222.
Un potencimetro de 2500 W a 2W.
Cuatro bateras de 1.5V.
Porta bateras para AA.
Tablilla de experimentacin (protoboard).
DESARROLLO EXPERIMENTAL
EXPERIMENTO 1 IDENTIFICACIN FSICA DEL TRANSISTOR.
a)

Con el multmetro identifique las terminales y el tipo de transistor de los solicitados en

la prctica, posteriormente dibuje cada terminal como lo muestra la figura 1.

Figura 1.

EXPERIMENTO 2 POLARIZACIN DEL TRANSISTOR NPN.

b) Construya el circuito que se muestra en la figura 2.

c) Con los valores de voltaje VEE y VCC constante, ajuste el potencimetro R1 con la perilla
a su valor mnimo, posteriormente haga incrementos en el orden de 500 ; para cada
incremento de R1 mida las corrientes I E e IC, hasta llegar al valor mximo del
potencimetro.
d) Construya una tabla y grafique los resultados con ejes R1 vs IE y R1 vs IC.

Ohms
500
1000
1500
2000
2500

Ie
1.87
0.97
0.65
0.49
0.40

Ic
1.08
0.56
0.37
0.28
0.23

EXPERIMENTO 3 POLARIZACIN DEL TRANSISTOR PNP.

a) Construya el circuito que se muestra en la figura 3.

b) Con los valores de voltaje VEE y VCC constante, ajuste el potencimetro R1 con la perilla a su valor
mnimo, posteriormente haga incrementos en el orden de 500 , a cada incremento mida las
corrientes IE e IC, hasta llegar al valor mximo del potencimetro.

c) Ajuste el potencimetro R1 con la perilla a su valor mnimo, obtenga los parmetros de

polarizacin de emisor mxima, mida VEB, VCB y VCE, anote sus resultados.
d) Retire la fuente V2 y obtenga el valor de ICBO.

Ohms
2500
2000
1500
1000
500
0

Ic
0.26
0.32
0.43
0.63
1.12
5m

Ie
0.39
0.48
0.64
0.94
1.8
95.4m

EXPERIMENTO 4 TRANSISTOR REGIN CORTE Y SATURACIN

a) Construya el circuito de la figura 4.
b) Calcule el valor de las resistencias de polarizacin RC y RB.

= 150
Suponiendo que la Ic = 10 mA proporcionada por el fabricante

EXPERIMENTO 5
a) Construye el circuito que se muestra en la figura 5.
b) Calcule el valor de las resistencias de polarizacin RC y RB.
c) Alimente el circuito con el generador de seales ajustndolo a una onda tipo cuadrada de 3 Hz
de frecuencia y un valor de amplitud de 7 volts pico a pico.
d) Partiendo de la frecuencia de 3 Hz realice incrementos en el orden de 10 Hz hasta un valor de
100 Hz.
e) Con el osciloscopio, para cada incremento de la frecuencia, observe y mida el voltaje de
salida colector emisor, observe el comportamiento del LED y explique lo que sucede.
f) Con el Multmetro mida los voltajes V BE, Vc y las corrientes IB e IC para cada incremento de
frecuencia.

Una beta de 250 y una Ic= 4mA proporcionada por el fabricante.

PRACTICA No 5 POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

OBJETIVO GENERAL
Comprobar experimentalmente el funcionamiento de las distintas configuraciones de
polarizacin para transistores BJT.
OBJETIVO PARTICULAR
Para el circuito de Polarizacin Fija, determinar las respuestas de las variables en la
polarizacin del transistor.
Para los circuitos de Polarizacin Estabilizada por Divisor y Polarizacin con
retroalimentacin determinar las respuestas de las variables para determinar la polarizacin del
transistor.
INTRODUCCIN.
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo
N y una capa tipo P, o bien, de dos capas de material tipo P y una tipo N. al primero se le llama
transistor NPN, en tanto que al segundo transistor PNP figura 1.

Figura 1 Tipos de transistores

Para la polarizacin las terminales que se muestran en la figura anterior se indican mediante las
literales E para el emisor, C para el colector y B para la base.
La abreviatura BJT, del transistor bipolar de unin (del Ingls, Bipolar Junction Transistor),
suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. El trmino bipolar refleja el hecho de que
los huecos y los electrones participan en el proceso de inyeccin hacia el material polarizado de
forma opuesta. Si slo se utiliza un portador (electrn o hueco), entonces se considera un
dispositivo unipolar.
Configuracin de Base Comn
Para la configuracin de base comn con transistores PNP y NPN. La terminologa de la base
comn se deriva del hecho de que la base es comn tanto a la entrada como a la salida de la
configuracin. A su vez, por lo regular la base es la terminal ms cercana a, o que se encuentra en, el
potencial de tierra.
En la regin activa la unin base - colector se polariza inversamente, mientras que la unin
emisor - base se polariza directamente, la regin activa se define mediante los arreglos de
polarizacin, en el extremo ms bajo de la regin activa, la corriente del emisor (IE) es cero; esa
es la verdadera corriente del colector y se debe a la corriente de saturacin inversa IC0.

Configuracin de Emisor Comn

Se le denomina configuracin de emisor comn debido a que el emisor es comn o hace
referencia a las terminales tanto de entrada como de salida (en este caso, es comn tanto a la
terminal de base como a la de colector). Una vez ms, se necesitan dos conjuntos de
caractersticas para describir por completo el comportamiento de la configuracin de emisor
comn: uno para el circuito de entrada o base-emisor y otro para el circuito de salida o colectoremisor.
En la regin activa de un amplificador de base comn la unin del colector-base se encuentra
polarizada inversamente, mientras que la unin base-emisor se encuentra polarizada
directamente.
Configuracin de Colector Comn
La configuracin de colector comn se utiliza sobre todo para propsitos de acoplamiento de
impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida,
contrariamente a las de las configuraciones de base comn y de un emisor comn.
MATERIAL Y EQUIPO EMPLEADO
Fuente de alimentacin variable de CD.
Osciloscopio con puntas de medicin.
Resistencias de distintos valores.
7 Transistores 2N222.
Potencimetros de 5 K, 10 K , y 50 K.
Protoboard.
Alambres para conexin
2 Multmetros.
DESARROLLO
EXPERIMENTAL
EXPERIMENTO 1
a) Construya el circuito de polarizacin fija que se muestra en la figura 2.

b) Calcule los valores de las resistencias de polarizacin RB y RC, de tal manera que el transistor se
encuentre operando en la regin activa.
c) Calcule tericamente y mida experimentalmente las corrientes Ib e Ic, y el voltaje V CE,
compare sus resultados tericos con los experimentales y calcule el porcentaje de error.
d) Realice la grfica del punto de trabajo para este experimento.

Una beta de 250 y una IcQ= 4mA proporcionada por el fabricante.

La polarizacin de colector-base asegura que el transistor nunca entra en saturacin al mantener

su
tensin
colector-base
positiva.
Circuito de polarizacin fija: este circuito es el ms sencillo de todos los circuitos de
polarizacin. La resistencia Rc limita la corriente mxima que circula por el transistor cuando
este se encuentra en saturacin, mientras que la resistencia de base RB regula la cantidad de
corriente que ingresa a la base del transistor (IB), la cual determina en que zona se polarizar el
transistor (saturacin, activa o corte).

Este circuito es el ms utilizado de los tres, el punto de reposo apenas depende

de ( ganancia del transistor), por eso es ms estable si debemos cambiarlo.
Para que el punto de reposo no vare debe hacerse R1 unas 10 veces mayor a R2 y se
coloca una resistencia de emisor (RE).

Por tres conexiones -la base, el emisor y el colector. Para un NPN, el transistor se
encuentra encendido cuando la base est en alto en relacin con el emisor. El PNP est
se encuentra encendido cuando la base es baja en relacin con el emisor .
Se ve que los circuitos equivalentes de los transistores bipolares NPN y PNP estn
compuestos por diodos y se sigue la misma tcnica que probar diodos comunes.
La prueba se realiza entre el terminal de la base (B) y el terminal E y C. Los mtodos
a seguir en
el transistor NPN
y
PNP
son
opuestos.
Al igual que con el diodo, si uno de estos "diodos del equivalente del transistor" no
funcionan como se espera hay que cambiar el transistor.

Examina el transistor de cerca. Puedes ver "E", "B" y "C" en las marcas en el paquete, la
designacin de los pines son la base, colector y emisor. Si esto no est claro, bscalo en
un catlogo de transistores. El catlogo tendr diagramas de estilos de cubiertas de
transistores y sus diseos de pines. Por lo general, los transistores que tienen el mismo
estilo de cubierta tienen las mismas denominaciones de PIN.
2
Enciende el multmetro. Configralo para medir la beta del transistor, girando la perilla
selectora para que apunte a HFE o beta.
3
Inserta las clavijas del transistor, la base, el emisor y el colector en la toma de transistor
NPN en el multmetro digital. La toma tendr marcas para los diferentes pines.
4
Lee el beta del transistor en la pantalla del multmetro. Un transistor de pequea seal
tendr una beta en el intervalo de aproximadamente 70 a 450, un dispositivo de potencia
media debe tener una de 50 a 200 y un transistor de potencia de alta tendr una lectura
beta de alrededor de 10 a 110. La hoja de datos del transistor dar el rango de esa parte
en particular. Si la beta se lee muy bajo, el transistor puede estar daado.

1. Un voltaje emisor-base
de alrededor 0,6 V "encender" el diodo baseemisor, y ese voltaje cambia muy poco, < +/- 0,1 V en toda la gama activa del
transistor, que puede cambiar la corriente de base por un factor de 10 o ms.
2. Un aumento del voltaje base-emisor
de alrededor de 60 mV, aumentar la
corriente del colector por un factor alrededor de 10.
3. La resistencia serie efectiva de AC del emisor es alrededor de 25/ ohmios.
4. El voltaje base-emisor
alrededor de 2,1 mV/C.

es dependiente de la temperatura, disminuyendo

5. El voltaje base-emisor
vara ligeramente con el voltaje colector-emisor
a corriente de colector constante :
.
6.

La estabilidad de un sistema es una medida de la sensibilidad de un circuito hacia las variaciones de

sus parmetros. En cualquier amplificador que utiliza un transistor, la corriente del colector IC es
sensible a cada uno de los siguientes parmetros:
B: se incrementa con el aumento de temperatura.
VBE: decrece aproximadamente 7.5mV por incremento en grados Celsius en la temperatura.
ICO (corriente de saturacin inversa): duplica su valor por cada 10C de incremento en la
temperatura.
Cualquiera de estos factores puede causar que el punto de polarizacin cambie de punto de
operacin diseada.
En cada caso el smbolo delta significa un cambio de dicha cantidad. El numerador de cada ecuacin
es el cambio en la corriente de colector, segn se estableci mediante el cambio de la cantidad en el
denominador. Para una configuracin en particular, si un cambio en ICO no puede producir un
cambio significativo en IC, el factor de estabilidad definido por S(ICO) = IC / ICO ser muy
pequeo. En otras palabras:
Los circuitos que son muy estables y relativamente insensibles a las variaciones en la
temperatura tienen bajos factores de estabilidad.

El factor Beta. La ganancia de corriente b se define como el cociente entre la corriente

de colector y la de base.
= IC / IB
Para transistores de baja potencia b tiene valores entre 100 y 300.

La corriente de saturacin inversa de un transistor es la corriente que este deja pasar cuando su diodo de
juntura C/E se encuentra polarizado en inversa, normalmente es muy chico.