Dissertação

EDUARDO ADRIANO COTTA
ESTUDOS DE EFEITOS ELETRODINAMICOS

NUMA MICROCAVIDADE SEMICONDUTORA
COM UM POC
O QUANTICO
DE GaAs
DE MESTRADO
DISSERTAC
AO
Belo Horizonte, MG, BRASIL

2004
Estudo de Efeitos eletrodin

amicos
numa Microcavidade Semicondutora
com um poco qu
antico de GaAs
Eduardo Adriano Cotta

COM UM POC
O QUANTICO
DE GaAs
Orientador:
Franklin Massami Matinaga
Dissertacao apresentada ao Curso de

Mestrado em Fsica da Universidade
Federal de Minas Gerais em preenchimento
parcial dos requisitos para a obtencao do
grau de Mestre em Fsica.
Belo Horizonte, MG, Brasil

2004
UNIVERSIDADE FEDERAL DE MINAS GERAIS

CURSO DE MESTRADO EM FISICA
EXAMINADORA, ABAIXO ASSINADA, APROVA A DISSERTAC
A COMISSAO
AO

COM UM POC
O QUANTICO
DE GaAs
ELABORADA POR
DO GRAU DE
COMO REQUISITO PARCIAL PARA A OBTENC
AO
MESTRE EM FISICA
EXAMINADORA:
COMISSAO
Prof. Dr. Franklin Massami Matinaga - Orientador

Prof. Dr. Luiz Alberto Cury
Prof. Dr. Jose Sebastiao Nascimento de Padua
Prof. Dr. Marcus Vincius Baeta Moreira
Belo Horizonte, Setembro de 2004.
Aos meus pais Jose Inocencio Cotta e Maria Helena Cotta.
Agradecimentos
Ao meu orientador, Prof. Franklin Matinaga, pois gracas à sua orientacao e amizade
foi possvel realizar esta dissertacao;
Ao aluno de iniciacao cientfica Leandro que me concedeu seu apoio para a realizacao
das simulacoes do ndice de refracao efetivo ;
` minha namorada Tathiana que me apoiou e me incentivou em todos os momentos
A
para a realizacao dessa dissertacao;
Agradeco, de forma geral, a todas as pessoas que de algum modo colaboraram para
a realizacao deste trabalho e contriburam para minha formacao.
Este trabalho foi parcialmente financiado pelo CNPq.
RESUMO
Neste trabalho estudamos os efeitos de eletrodinamica quantica numa microcavidade
semicondutora planar formada por dois espelhos DBR (Distributed Bragg Reflector ) de AlAs e
Al0.2 Ga0.8 As (26.5 pares no espelho inferior e 22 pares no espelho superior). Entre os espelhos
encontra-se a camada espacadora de Al0.3 Ga0.7 As (espessura ) que contem ao seu centro um
poco quantico (SQW) de GaAs (100
A). A amostra foi crescida por MBE (Molecular Beam
Epitaxy) pela empresa Quantum Epitaxial Designs, Inc. (USA).
A heteroestrutura foi analisada tanto do ponto de vista experimental quanto teorico. O
tratamento teorico consistiu em estudar o comportamento da curva de reflectancia atraves do
modelo de matrizes de transferencia e a largura de linha da janela ressonante em func
ao do
n
umero de camadas que formam o DBR. Foram abordados tambem o comportamento do limiar
de bombeio Pth no processo de emissao laser atraves de equac
oes de taxa. Neste caso, tambem
analisamos o comportamento da largura de linha da emissao e verificamos a existencia de uma
largura de linha mnima para o processo de emissao laser. Por u
ltimo, analisamos dois regimes
de acoplamento entre o exciton gerado no meio de ganho e o foton confinado na cavidade. Estes
regimes sao conhecidos como regime de acoplamento forte e fraco sendo caracterizados pelo
efeito de Rabi-Splitting na curva de reflectancia. Este efeito foi analisado e, conseq
uentemente,
foram obtidas as curvas de dispersao do exciton-polariton que se forma na cavidade.
Para se verificar a consistencia destas abordagens, varios experimentos foram realizados
usando dois angulos de incidencia distintos (3, 2o e 6, 8o ) em que analisamos os processos de
emissao laser tanto com bombeio ressonante, com a cavidade (e com o exciton), quanto fora de
ressonancia. Para uma analise inicial verificamos que a medida de fotoreflectancia da microcavidade apresenta uma janela ressonante de 0.47
A, centrada em 8049
A, o que nos permite estimar
um fator de qualidade Q 3300. Ou seja, um aumento no acoplamento do campo com o meio
ativo maior que 103 . O estudo optico a 10K para uma excitac
ao nao-ressonante, apresenta uma
performance superior aos resultados ja obtidos na literatura.
Os experimentos de fotoluminescencia para o exciton-polariton (e-p) identificaram uma
queda contnua da largura de linha da emissao para bombeios cada vez mais intensos, sem a
usual descontinuidade no limiar. Este comportamento anomalo, somado ao deslocamento para
o azul dos picos de emissao para bombeios cada vez mais intensos, pode ser atribudo a um forte
acoplamento do e-p. Este fato encontra-se de acordo com a curva de reflectancia pela presenca
da separacao do modo normal da cavidade no stop-band apresentando uma diferenca de energia
de 3meV , o chamado Rabi-Splitting. Foi verificado tambem que este acoplamento e quebrado
para temperaturas acima de 40K.

Dissertacao de Mestrado em Fsica
ii
ABSTRACT
In this work we study quantum electrodynamics effects in a plane semiconductor microcavity
formed by two DBR mirrors (Distributed Bragg Reflector) of AlAs/Al0.2 Ga0.8 As (22 pairs in
the upper mirror and 26.5 pairs in the lower mirror). The spacer layer between the mirrors
is layer of Al0.3 Ga0.7 As (thickness ) with a single quantum well (SQW) of GaAs (100
A) at
the middle. The sample was grown by MBE (Molecular Beam Epitaxy) by Quantum Epitaxial
Designs Inc. (USA).
The heterostructure was analyzed by experimental and theoretical view point. In this last
case was verify the behavior of the reflectance curve through the transference matrices model and
the linewidth of the resonant window as function of pairs number of the layers that constitute
the DBR. We analyzed also the behavior of the threshold power Pth in the laser emission process
though rate equations. In this case, we analyze also the behavior of linewidth of the emission and
we verify the existence of the a minimum linewidth to the laser emission process. Ultimately,
we analyzed two coupling regimes between the exciton created in the active material and the
photon confined in the cavity. This regimes are known as strong and weak coupling regimes
being featured by Rabi-Splitting effect in the reflectance curve. This effect it was analyzed, and
though this analysis we obtain the dispersion curve for the exciton-polariton that shape it in
the cavity.
From experimental view point, we analyzed two different incidence angles (3, 2o and 6, 8o )
in that we analise the laser emission processes off-resonant and resonantly. Firstly, we verify
that the fotoreflectance measurement of the microcavity exhibit a resonant window of 0.47
A,
positioned at 8049
A, what enable us to evaluate a quality factor Q 3300. In other words,
an increase in the field coupling with the active material larger than 103 . The optical study at
10K for off-resonant excitation exhibit a better performance than the results already obtained
in literature.
The fotoluminescence experiments for the exciton-polariton (e-p) had identified a continuously reduction of the linewidth emission when the pump was increased, without the usual
kink in the threshold. This anomalous behavior added at the blue-shift of the emission peaks
for higher pump intensity, can be attributed a strong coupling of the e-p. This fact is verified
in the reflectance curve by the presence of the cavity normal mode splitting in the stop-band,
presenting a difference of energy of 3.4meV , the so called Rabi-Splitting. We verify also that
this coupling is broken to temperatures above 40K.

Dissertacao de Mestrado em Fsica
iii
Indice
Introduc
ao:
O espelho DBR:
2.1
Propagacao de ondas eletromagneticas em meios periodicos: . . . . . . . .
2.2
Espelhos de alta reflectancia: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
A Cavidade Fabry-Perot:
3.1
15
Cavidade formada por espelhos DBR: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
An
alise de uma Microcavidade Semicondutora Laser usando equac
oes
de taxa:
19
4.1
Equacoes de taxa: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
4.2
Comportamento do Limiar: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
4.3
Caractersticas do Estado Estacionario: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

4.3.1
Potencia da Emissao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
4.3.2
Largura de Linha: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
4.3.3
Largura de Linha Mnima: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
4.3.4
Restricoes da Cavidade: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
Rabi-Splitting:
43
5.1
Microcavidade Semicondutora em regime de Acoplamento Forte: . . . . . . 47
5.2
Acoplamento Forte e Fraco em Sistemas Confinados: . . . . . . . . . . . . 51
Experimentos em Microcavidades:
62
6.1
Sistema Experimental: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
6.2
O efeito Rabi-Splitting: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
6.3
Excitacao nao-ressonante: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
6.4
Excitacao Quase-Ressonante:
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
iv
6.5
6.4.1
Angulo
incidente de 3.2o : . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
6.4.2
Angulo
incidente de 6.8o : . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
Espectros da Emissao e-p: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
Conclus
ao:
77
Estudos da Visibilidade da Emiss

ao:
80
Ap
endice
83
A Espelhos DBR Quarter-Wave e Half-Quarter-Wave:
84
B Microcavidades e Espectroscopia Optica:
88
C Algoritmo para o C
alculo da Reflect
ancia:
92
Lista de Figuras
1.1
Figura esquematica de uma microcavidade tpica contendo um poco quantico

como meio ativo, posicionado entre dois espelhos DBR . . . . . . . . . . . . . .
2.1
Uma estrutura periodica tpica consistindo em camadas alternadas de AlAs e

Alx Ga1x As com espessuras da ordem de 1/4 do comprimento de onda da luz,
crescida num substrato de GaAs por epitaxia de feixe molecular. . . . . . . . .
2.2
Orientacao dos campos para o caso de incidencia obliqua em uma u

nica camada
dieletrica para uma radiac
ao com polarizac
ao TE. . . . . . . . . . . . . . . . .
2.3
Curvas de dispersao para o AlAs, o Al0.2 Ga0.8 As, o Al0.3 Ga0.7 As e o GaAs.
o substrato de GaAs e
Para comprimentos de onda abaixo de = 7000 A
altamente absorvedor. Portanto, o espectro e analisado apenas acima deste valor.
A regiao hachurada indica a faixa de comprimentos de onda onde os processos
mais relevantes serao analisados. Os simbolos representam dados experimentais
?? eo as linhas cheias mostram um ajuste destes pontos utilizando a quac
ao de
2.4
3.1
3.2
Hartmann 2 apresentada na Tabela I. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
12
Curvas de reflectancia para o caso de incidencia normal de um espelho DBR

.
planar tipo QWM, construdo como mostra a fig. 2.1, centrado em o = 8000A
14
Curvas de reflectancia para o caso de incidencia normal de uma cavidade formada

por espelhos DBR planares tipo QWM, com ressonancia em o = 8000
A. . . .
17
Curva teoricamente prevista para o comportamento da largura de linha em

funcao do n
umero de pares que constituem uma microcavidade formada por
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
espelhos DBR, centrado em o = 8000A
3.3
17
Curva de reflectancia experimental para uma microcavidade interpolada. A

simulacao possui as mesmas caractersticas que a estrutura crescida por MBE.
Parametros: o = 8045
A o espelho inferior possui 26 pares e o superior 22 pares. 18
4.1
Dinamica de emissao laser para um sistema de tres nveis. . . . . . . . . . . . .
vi
19
4.2
Apresentacao esquematica da amplitude do campo eletromagnetico |E|2 confinado

numa cavidade tipo Fabry-Perot formado por dois espelhos DBR contendo um
poco quantico de GaAs (100
A), Eg = 1.5eV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.3
21
Potencia do limiar versus fator de acoplamento da emissao espont

anea. A curva
pontilhada e com pontos corresponde à definic
ao em que o ganho da emissao
estimulada total e igual às perdas, a linha pontilhada corresponde a pth = nsp,th
e a linha cheia corresponde à definic
ao pth 1. As curvas em preto correspondem
a nr < sp e as curvas em cinza indicam que nr > sp . . . . . . . . . . . . . .
4.4
26
O fator de inversao de populac

ao no limiar versus o fator de acoplamento da
emissao espontanea, para dois volumes diferentes para o meio ativo. A recombinac
ao
nao-radiativa foi considerada desprezvel quando comparada à taxa de recombinac
ao
radioativa. As linhas pontilhadas corresponde à definic
ao descrita pela eq. 4.7 e
a linha solida para a definic
ao pth = nsp,th . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.5
Esquema para a determinac

ao do diametro do feixe incidente focado pela lente
na amostra. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.6
26
31
O n
umero medio de fotons no modo laser (eixo à esquerda) e a correspondente
versus a potencia
potencia de emissao (Pout = phc/o sp ) para o = 8000A
de bombeio. Nas condic
oes indicadas e sempre maior que a unidade e a
recombinacao nao-radioativa e desprezada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.7
32
As mudancas instantaneas da fase e da intensidade I do campo optico causadas

~ = I 1/2 ei
pelo j-esimo evento de emissao espont
anea. A amplitude do campo |E|
~ j com uma amplitude unitaria e fase +j , onde j corresponde
aumenta de |E|
a um angulo arbitrrio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.8
34
A largura de linha versus a potencia de bombeio. O parametro de aumento da

largura de linha foi assumido como zero. As linhas pontilhadas representam o
limite ideal para a largura de linha. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
40
5.1
Efeito de Rabi-Splitting presenciado na microcavidade em estudo. . . . . . . . .
45
5.2
Curva de dispersao para um sistema confinado sob ac

ao de um forte acoplamento entre o meio de ganho e o campo confinado[69]. As linhas tracejadas
correspondem ao limite de acoplamento fraco. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.3
46
Forma dos potenciais para um poco quantico. A linha tracejada mostra o nvel
excitonico levemente menor que primeiro estado excitado, n = 1. . . . . . . . .
vii
48
5.4
Representacao esquematica da separac

ao das bandas de conduc
ao do excitonpolariton (e-p) (linhas cheias), devido ao acoplamento forte entre o exciton e
o campo confinado na cavidade. O ramo tracejado corresponde ao modo da
cavidade (C ) e a linha horizontal tracejada com pontos corresponde à energia
do exciton confinado (E ). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.5
50
Modelo de um sistema consistindo de N portadores confinados numa cavidade

formada por espelhos planos. O acoplamento coerente entre um exciton individual
e o campo na cavidade e descrito pela taxa g. A dissipac
ao da luz emitida pela
emissao espontanea em todos os modos exceto o modo da cavidade que possui
uma taxa de decaimento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.6
Comportamento da parte real e imaginaria das func

oes . Os parametros para
a realizacao da simulacao foram: (, )/2 = (2.16, 0.36)THz, o = 8000
A E
= 7995
A. A curva em cinza corresponde a . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.7
57
Curva experimental para a fotoreflectancia da luz branca e para a fotoluminescencia

da microcavidade. O aparato experimental pode ser visualizado na figura 6.2.
5.8
51
. 58
Funcao transmissao segundo a equac

ao 5.20 para (go , , ) = 2(1, 2.16, 0.36)THz,
no caso ressonante (e = o ). Re[T ()] corresponde à contribuic
ao devido
à absorcao inelastica do sistema, Im[T ()] à contribuic
ao devido à dispersao
elastica e [ImT ()2 + ReT ()2 ]1/2 ao modulo da func
ao transmissao. . . . . . .
5.9
58
Curvas de transmitancia para varias defasagens entre o exciton e a cavidade

obtidas pela equacao 5.20. Nesta seq
uencia a ressonancia da cavidade permanece
constante em o = 8000
A e o fator de acoplamento em g = 2 103 GHz. . . .
60
5.10 Dependencia da posicao dos picos de transmissao para uma microcavidade em

regime de acoplamento forte (g = 2THz). Os dados foram obtidos fixando-se a
na equac
energia do exciton em 8000A
ao 5.20. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.1
Figura esquematica da amostra crescida pela tecnica de MBE pela empresa

Quantum Epitaxial Designs, Inc.
para a realizac
ao dos experimentos.
No
detalhe, podemos identificar as caractersticas da camada espacadora. . . . . . .
6.2
61
64
Figura esquematica da montagem experimental utilizada para a realizac

ao dos
experimentos de fotoreflectancia e fotoluminescencia. No primeiro caso a fonte
laser e substituda por uma fonte de luz branca. A regiao assinalada com um
crculo pontilhado mostra em detalhe a excitac
ao, o angulo de incidencia e a
emissao e-p (normal à superfcie da amostra). . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.3
65
Comportamento da reflectancia da luz branca em func

ao da posic
ao de excitac
ao
(a) e em funcao da temperatura da amostra(b) para a posic
ao de 290m. . . . .
viii
67
6.4
Ajuste das curvas de reflectancia atraves do modelo apresentado no captulo 5.

Os parametros para a realizac
ao da simulac
ao numerica estao apresentadas nas
figuras correspondentes. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
68
6.5
Espectro (à esquerda) e o comportamento do pico de emissao da microcavidade (à direita) em funcao da potencia incidente para a excitacao naoressonante a 3.2o . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
6.6
Os crculos cheios correspondem aos dados experimentais e a linha cheia foi

obtida atraves da interpolac
ao da equac
ao 4.24. Os valores utilizados foram:
= 1012 s1 , No = 1018 cm3 , L = 7400
A (arquivo: Las140-160.opj). . . . . . . .
6.7
70
Os crculos cheios e vazios correspondem aos dados experimentais, para a largura

de linha e para a correcao de Schawlow-Townes ( = 3.2)[33], respectivamente.
A linha cheia foi obtida atraves da interpolac
ao da equac
ao 4.57. Os parametros
utilizados foram os mesmos que aqueles da curva de I/O (arquivo: Las140-160.opj). 70
6.8
Em (a) temos uma superposicao dos espectros da emissao e-p e em (b) o

comportamento do pico de emissao em funcao da potencia incidente para
a excitacao ressonante a 3.2o . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
6.9
Curva de I/O para um angulo incidente de 3.2o com excitac

ao ressonante. O
(Arquivo: Las270-293.opj). . . . . . .
laser esta posicionado em L = 7960, 6A
72
6.10 Curva da largura de linha para um angulo incidente de 3.2o com excitacao
ressonante. Os crculos vazios correspondem à correc
ao de Schawlow-Townes
(Arquivo: Las270-293.opj). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
73
6.11 Em (a) temos uma superposicao dos espectros da emissao e-p e em (b) o
comportamento do pico de emissao em funcao da potencia incidente para
a excitacao ressonante a 6.8o . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
6.12 Curva de I/O para um angulo incidente de 6.8o com excitacao ressonante com o
exciton. O laser esta posicionado em L = 7980, 4
A. . . . . . . . . . . . . . . . 74
6.13 Curva da largura de linha para um angulo incidente de 6.8o com excitacao ressonante. Nesta figura nao foi realizada a correc
ao de Schawlow-Townes pois nao
e possvel identificar o ponto onde ocorre o limiar. . . . . . . . . . . . . . . . .
8.1
75
Curvas da visibilidade da luz emitida pela microcavidade para 6.8o em relac

ao
ao laser incidente para o caso ressonante. Para (a) Abaixo do limiar e (b) Acima
do limiar. Arquivos: Las537-567, Las600-630 e Las631-661. . . . . . . . . . . .
ix
82
A.1 Curvas de reflectancia para o caso de incidencia normal de um espelho DBR

planar em (a) para o tipo QWM e em (b) para o tipo HQWM, ambos produzidos
com o = 8000
A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
85
A.2 Curvas de reflectancia para o caso de incidencia normal de uma cavidade formada
por espelhos DBR planares, ambos produzidos com o = 8000
A e com 20 pares
cada espelho. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
87
B.1 Amplitude do campo eletromagnetico transmitido ao passar por uma pelcula

de espessura l em termos do coeficiente de reflecc
ao e transmissao, a menos do
fator de fase ei . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
89
Lista de Abreveaturas:
Re - Parte real de um n
umero.
Im - Parte imaginaria de um n
umero.
TM - Trasnversal Magnetic. A direcao do campo magnetico e perpendicular ao plano de
incidencia.
TE - Trasnversal Eletric. A direcao do campo eletrico e perpendicular ao plano de
incidencia.
QW - Quantum Well. Poco Quantico.
SQW - Single Quantum Well. Poco Quantico Unico.

MBE - Molecuar Beam Epitaxy. Tecnica de crescimento epitaxial de amostras, desenvolvida
nos anos 70, de camadas com precisao de monocamadas atomicas. Esta tecnica
permite a producao de amostras com alto controle da pureza e interfaces abruptas.
MOCVD - Metal Organic Chemical Vapor Deposition. Tecnica de crescimento de amostras
utilizada desde os anos 60 que usa compostos metal-organicos decompostos termicamente
a temperaturas menores que dos materiais que formarao a amostra. Freq
uentemente
utilizado em crescimento epitaxial de filmes finos de semicondutores III-V.
CQED - Cavity Quantum Electrodynamics. Ramo da fsica que trata do estudo de efeitos
de eletrodinamica quantica em cavidades.
DBR - Distributed Bragg Reflector. Espelhos de alta reflectividade produzidos por
camadas alternadas de materiais semicondutores distintos.
QWM - Quarter-Wave Mirror. Espelho DBR formado por camadas de 1/4 de comprimento
de onda.
HQWM - Half-Quarter-Wave Mirror. Espelho DBR formado por camadas de 1/4 (para
a camada de menor ndice de refracao) e de 1/2 (para a camada de maior ndice de
refracao) de comprimento de onda.
todo dispositivo laser de emissao
VCSEL - Vertical Cavity Surface Emitting Lasers. E
superficial vertical.
xi
FWHM - Full-Width Half-Maximum. Terminologia usada para descrever a largura de

linha espectral de absor cao (ou emissao), correspondente à largura total à meia
altura do pico.
GaAs - Arseneto de Galio.
AlAs - Arseneto de Alumnio.
Alx Ga1x As - Arseneto de Galio com concentracao de x% de Alumnio.
Captulo 1
Introduc
ao:
A decada compreendida entre 1992 a 2003 pode ser chamada de a decada das
microcavidades para as pesquisas em optica de semicondutores. Desde entao, surgiram
centenas de publicacoes dedicadas ao estudo da interacao da luz com a materia em sistemas
periodicos. E ainda assim, as microcavidades lasers permanecem um dos mais intrigantes
sistemas semicondutores, ricos em novos efeitos fundamentais e com indicacoes de novos
fenomenos, como por exemplo a condensacao bosonica de excitons e o acoplamento forte
entre fotons e excitons[1, 2, 3].
Uma estrutura tpica de uma microcavidade consiste numa cavidade Fabry-Perot,
geralmente planar, formada por dois espelhos de Bragg (DBR - Distributed Bragg
Reflector ) e contendo um meio ativo entre estes espelhos. Este meio pode ser constitudo
de varias estruturas como poco(s) quantico(s) (QWs) ou possivelmente uma fina camada
do bulk semicondutor, fios quanticos ou ainda pontos quanticos. Um espelho de Bragg
e uma estrutura periodica feita de dois materiais semicondutores distintos com ndices
de refracao diferentes (vide fig. 1.1). A espessura das camadas do DBR sao escolhidas
tal que a luz refletida por todas as interfaces interfiram construtivamente, resultando
num espelho com altssima reflectividade numa faixa espectral chamada de stop-band .
Em estruturas com um alto fator de qualidade, a reflectividade dos espelhos no stopband excede a 99% e sua largura espectral e de 100meV . As espessuras das camadas
espacadoras da cavidade, que definirao a janela de ressonancia, sao escolhidas de forma
que haja um acoplamento entre o modo da cavidade e as energias do exciton na estrutura
do meio ativo.
Devemos lembrar que os excitons provem da correlacao Coulombiana entre o par
eletron-buraco (e-h), caracterizado por transicoes discretas numa faixa de energia. Os
efeitos originados do acoplamento do exciton com o modo da cavidade (com o foton
confinado na cavidade), sao conhecidos como exciton-polariton (e-p) possuindo caractersticas tanto do exciton quanto do foton, uma quasi-partcula.
Figura 1.1: Figura esquem

atica de uma microcavidade tpica contendo um poco quantico como
meio ativo, posicionado entre dois espelhos DBR .
Hoje, muitos laboratorios do mundo trabalham com o crescimento de amostras de

microcavidades e com as mais diversas tecnicas de espectroscopia para caracterizacao
optica, com o intuito de estudar as propriedades dos exciton-polaritons em microcavidades.
Os exciton-polaritons foram previstos teoricamente por Hopfield[4] e Agranovich[5,
6] no comeco da decada de 60, sendo muito estudados em bulk semicondutores, filmes
finos[7, 8], pocos[9, 10] e fios quanticos[11]. Eles podem ser interpretados como um par
virtual de exciton-foton que propaga pelo cristal devido a sucessivas absorcoes e emissoes
essencial notar que os estados polariton sao verdadeiros autode fotons pelos excitons. E
estados do sistema, pois uma vez que os polaritons estejam presentes nao ha mais excitons
ou fotons puros. A teoria original de exciton-polaritons foi escrita com o formalismo da
segunda quantizacao, entretanto, rapidamente foi entendido que a aproximacao semiclassica e formalmente equivalente à descricao quantica para qualquer problema de optica
linear[12, 13]. Nesta aproximacao, as equacoes de Maxwell sao resolvidas para uma luz
propagando em um meio dieletrico caracterizado pela dispersao dos exciton-polaritons
e mostrou-se muito u
til para se determinar o espectro optico (reflexao, transmissao e
espalhamento elastico).
Exciton-polaritons em microcavidades possuem propriedades muito particulares,
resultado da pequena dimensionalidade do sistema, quando comparadas com estruturas
semicondutoras sem confinamento. Em particular, o acoplamento do par exciton-foton e
largamente intensificado em microcavidades, o que pode resultar no chamado regime de
acoplamento fraco ou forte. Este fenomeno e observado no anticrossing dos modos do
exciton-polariton e foi estudado pela primeira vez por Claude Weisbuch[14] et al em 1992.
Este acoplamento forte pode ser caracterizado basicamente pelo espectro de reflexao da
luz branca de uma microcavidade tpica. Como em qualquer outra cavidade tipo FabryPerot, espera-se uma u
nica janela de ressonancia tao estreita quanto maior a reflectividade
3
dos espelhos que a compoem. Entretanto, os estados do exciton-polariton confinados na

cavidade se dividem no ponto de anticrossing da curva de dispersao do exciton-polariton
que define este regime. A separacao entre os modos neste ponto e largamente conhecida
como Rabi-Splitting do modo normal ou simplesmente Rabi-Splitting. Este efeito
proporciona a presenca de duas ou mais janelas de ressonancia no espectro de reflectancia
(ou transmitancia) da cavidade. Originariamente o termo Rabi-Splitting foi amplamente
utilizado em fsica atomica e molecular para diferentes efeitos[15].
Devemos notar que o regime de acoplamento fraco nao possui a separacao dos
estados do polariton no ponto de intersecao das curvas de dispercao do exciton e do foton
na cavidade. O acoplamento fraco e observado, em particular, em VCSELs (Vertical
Cavity Surface Emitting Lasers)[14](pg. 448).
A teoria que descreve os efeitos de alto grau de confinamento de polaritons numa
cavidade, pode ser brevemente formulada atraves de uma simples interpretacao de efeitos
opticos (todos os efeitos envolvendo polaritons sao considerados opticos). A interacao da
luz com os excitons sera discutida em termos das equacoes de Maxwell escritas para um
sistema possuindo uma funcao dieletrica periodica. Dessa forma, a luz podera ser tratada
como uma onda de Bloch.
Nossos estudos se basearam em tecnicas de fotoluminescencia e fotoreflectancia em
que e possvel caracterizar, de forma bastante versatil, as propriedades opticas de uma
heterostrutura laser. Estas tecnicas nos permitem determinar inicialmente a regiao de
ressonancia dos espelhos DBR e, posteriormente, a energia de ressonancia da emissao do
exciton-polariton devido ao acoplamento do campo eletrico com o meio ativo.
Seguindo um contexto historico, nossos estudos em microcavidades serao iniciados
no captulo 2 atraves de um calculo cuidadoso da curva de reflectancia, usando o formalismo
da matriz de transferencia para um espelho dieletrico tipo DBR. Serao, entao, tratados
aspectos da janela optica da microcavidade (que corresponde à queda de reflectividade
no stop-band no ponto de ressonancia), a sua posicao no espectro e a relacao entre
os harmonicos para espelhos do tipo quarter-wave e half-quarter-wave (Apendice A).
Estes calculos foram elaborados levando em conta os efeitos de dispersao dos materiais
utilizados.
No captulo 3, serao tratados os aspectos praticos de uma microcavidade a partir de
suas caractersticas opticas, onde serao discutidas a formacao de uma cavidade tipo FabryPerot e suas caractersticas peculiares de refectividade. As aplicacoes em espectroscopia
desta estrutura serao discutidas no apendice A, onde serao analisados o Poder de Resolucao (RP ), a Finesse (F), o Fator de Qualidade (Q) e suas caractersticas como fonte laser.
No apendice B trataremos dos espectros de reflectancia de uma microcavidade analisando
a relacao entre o primeiro e o segundo harmonicos para espelhos tipo quarter-wave e
half-quarter-wave.
4
No captulo 4, realizaremos um tratamento teorico do comportamento do limiar

entre a emissao espontanea e a emissao laser, tratando esta transicao de fase do ponto de
vista de equacoes de taxa. Neste captulo descreveremos o comportamento da curva de
I/O (Input Output) e da largura de linha no estado estacionario a partir da definicao
do limiar e alguns efeitos de eletrodinamica quantica como a largura de linha mnima,
alem de uma breve discussao sobre as limitacoes de uma microcavidade.
No captulo 5, sera tratado outro efeito de eletrodinamica quantica muito importante
num dispositivo laser, o efeito de Rabi-Splitting. Neste contexto, trataremos as equacoes
que descrevem o fenomeno utilizando um tratamento semi-classico e apresentaremos uma
equacao que mostra a dupla ressonancia na curva de reflectancia (ou transmitancia). Este
tratamento nao so evidencia o comportamento da reflectancia, mas tambem apresenta
importantes resultados para a dispersao e absorcao na regiao de ressonancia.
No captulo 6, serao apresentados os resultados experimentais tomados durante os
u
ltimos anos no laboratorio de optica de Semicondutores, do Departamento de Fsica
da UFMG, para as curvas de Input Output (I/O), largura de linha da emissao laser
e o espectro de reflectancia, onde foi evidenciado o alto grau de acoplamento entre o
campo eletromagnetico confinado na microcavidade e o exciton, atraves do efeito de RabiSplitting. Atraves destas medidas, e do ajuste pelas curvas teoricas, iremos discutir as
evidencias de um estado condensado de excitons do tipo Bose. Para isto, iremos apresentar
um modelo de dispersao para o exciton confinado e sua dinamica para a emissao radioativa.
Estes resultados, ainda que prematuros, ja indicam a presenca de um estado condensado
devido à presenca de um blue-shift em todos os espectros de fotoluminescencia analisados
e ao alto fator de qualidade dos espelhos (> 103 ), permitindo um fator de acoplamento
da emissao espontanea 1%.
Dessa forma, torna-se importante a realizacao de experimentos mais sofisticados,
como por exemplo magneto-optica e estudos da polarizacao da luz emitida para a confirmacao da emissao laser de um estado condensado do e-p. Mas este comportamento dos
excitons em microcavidades permanece em grande discussao pela comunidade cientfica,
pois ainda nao existe um modelo consistente para descrever completamente os fenomenos
de eletrodinamica quantica que ocorrem numa microcavidade.
Finalmente, no u
ltimo captulo, a conclusao, mostraremos de forma sucinta os resultados descritos por esta dissertacao tanto do ponto de vista teorico quanto experimental,
assim como os resultados obtidos a partir do ajuste dos dados experimentais.
Captulo 2
O espelho DBR:
Os espelhos DBR sao formados por camadas alternadas de dois materiais semicondutores distintos, portanto, com ndice de refracao diferentes, sobrepostos uns sobre os
outros formando pares de camadas. Este tipo de construcao nos permite produzir espelhos
dieletricos de altssima reflectividade, sendo esta caracterstica diretamente proporcional
ao n
umero de pares e à diferenca no ndice de refracao das camadas que compoem o par.
Em geral os espelhos DBR sao do tipo planar e crescidos pela tecnica de MBE
(Molecular Beam Epitaxy), o que nos permite obter uma estrutura com reflectividade
superior a 99%. Isto proporciona um alto fator de qualidade para uma cavidade formada
por estes espelhos, apresentando um aumento no tempo de vida do foton confinado, e
conseq
uentemente, na eficiencia do processo de emissao laser.
Os estudos abordados por esta dissertacao foram baseados numa microcavidade
formada por espelhos planares, assim, iremos realizar uma breve discussao sobre este tipo
de espelho. Esta analise consiste em simular o espectro da reflectancia para um sistema
de multicamadas atraves do metodo das Matrizes de Transferencia[16, 17] obtendo assim,
a regiao de maxima reflectancia.
Uma breve analise dos espectros obtidos atraves da simulacao (o algoritmo utilizado
pode ser encontrado no Apendice C) serao abordados no Apendice A com o objetivo de
se caracterizar duas configuracoes distintas destes espelhos que se diferem apenas na
espessura das camadas que formam o par.
2.1
Propagac
ao de ondas eletromagn
eticas em meios
peri
odicos:
Nesta secao discutiremos algumas propriedades gerais da propagacao de ondas

eletromagneticas em um meio periodico e, entao, desenvolver uma teoria geral para a
propagacao em uma heteroestrutura periodica.
Um meio periodico simples consiste de dois materiais com ndice de refracao diferentes descritos por
n
n(z) =
n2
n1
0<z<b
b < z < ,
(2.1)
onde z e o eixo normal às interfaces das camadas dieletricas, cada qual de espessura l1 e
l2 e ndice de refracao n1 e n2 , respectivamente.
Esta geometria pode ser visualizada na fig. 2.1 onde podemos identificar apenas
4 pares de camadas. Entretanto, em amostras de DBRs geralmente sao constitudas de
muitos pares (entre 20 e 30 pares).
Figura 2.1: Uma estrutura peri

odica tpica consistindo em camadas alternadas de AlAs e
Alx Ga1x As com espessuras da ordem de 1/4 do comprimento de onda da luz, crescida num
substrato de GaAs por epitaxia de feixe molecular.
Escrevendo o comportamento da periodicidade em termos dos tensores permissividade

eletrica e permeabilidade magnetica,
(z) = (z + a)
(2.2)
(z) = (z + a)
(2.3)
onde a e um parametro arbitrario com a periodicidade da rede.
A propagacao de uma radiacao laser monocromatica (frequencia ) em um meio

periodico e descrita pelas equacoes de Maxwell,
~ = iE
~
H
~ = iH
~
E
(2.4)
(2.5)
Estas equacoes permanecem inalteradas mesmo depois de substituirmos z por z + a

em , e no operador . A simetria translacional do meio nos permite tomar os modos
normais do meio como:
~ =E
~ k (z)ei~k.~zt
E
(2.6a)
~ =H
~ k (z)ei~k.~zt
H
(2.6b)
~ k (z) = E
~ k (z + a)
E
(2.7a)
~ k (z) = H
~ k (z + a)
H
(2.7b)
onde:
Estas relacoes sao conhecidas como teorema de Floquet (ou Bloch) e o ndice k, em
~
~
Ek e Hk , e o conhecido vetor de onda de Bloch e mostra a dependencia dos campos em
relacao a esta variavel.
Para descrevermos este sistema trataremos, inicialmente, o caso de uma u
nica
camada dieletrica de ndice de refracao n1 e espessura l entre dois meios de ndices de
refracao no e nT , como mostra a fig. 2.2. Posteriormente devemos escrever os campos
eletrico e magnetico apenas para as duas primeiras interfaces, que devem satisfazer as
condicoes de contorno:
~a D
~ b) n
(D
=
(2.8a)
~a B
~ b) n
(B
=0
(2.8b)
~a E
~ b) = 0
n
(E
(2.8c)
~a H
~ b) =
n
(H
(2.8d)
Sendo n
o vetor normal à superfcie e a densidade de corrente superficial. Os ndices
a e b fazem referencia aos meios de propagacao da onda e podem variar dependendo da
interface a ser analisada.
Figura 2.2: Orientac

ao dos campos para o caso de incidencia obliqua em uma u
nica camada
dieletrica para uma radiacao com polarizac

ao TE.
Considerando a continuidade dos campos nas interfaces e escrevendo as equacoes

de onda como funcoes de onda de Bloch (eq. 2.6) podemos obter as relacoes descritas
nas Tabelas 2.1 e 2.2. Nelas o campo magn
qetico foi escrito em termos do campo eletrico
~
n|
E|
~ =
atraves da relacao |H|
, onde Z0 = oo e a chamada impedancia do vacuo ([16]Zo
Cap. 2).
Tabela 2.1: Equa

c
oes de continuidade dos Campos Eletrico e magnetico para uma radiac
ao com
polarizac
ao TE.
Primeira Interface
Campo Eletrico:
Campo Magnetico:
ou
~o + E
~ 0o = E
~1 + E
~ 01
E
~o + H
~ 0 o ) cos o = (H
~1 + H
~ 0 1 ) cos 1
(H
~o + E
~ 0 o )no cos o = (E
~1 + E
~ 0 1 )n1 cos 1
(E
Segunda Interface
Campo Eletrico:
Campo Magnetico:
ou
~ 1 eikd + E
~ 0 1 eikd = E
~T
E
~ 1 eikd + H
~ 0 1 eikd ) cos 1 = H
~ T cos T
(H
~ 1 eikd + E
~ 0 1 eikd )n1 cos 1 = nT E
~ T cos T
(E
Tabela 2.2: Equa

c
oes de continuidade dos Campos Eletrico e magnetico para uma radiac
ao com
polarizac
ao TM.
Primeira Interface
Campo Eletrico:
Campo Magnetico:
ou
~1 + E
~ 0 1 ) cos 1
~o + E
~ 0 o ) cos o = (E
(E
~o H
~ 0o = H
~1 H
~ 01
H
~o + E
~ 0 o )no = (E
~1 + E
~ 0 1 )n1
(E
Segunda Interface
Campo Eletrico:
Campo Magnetico:
ou
~ 1 eikd + E
~ 0 1 eikd ) cos 1 = E
~ T T
(E
~ 1 eikd + H
~ 0 1 eikd = H
~T
H
~ 1 eikd + E
~ 0 1 eikd )n1 = nT E
~T
(E
~1 e E
~ 0 1 destas relacoes e utilizando a lei de Snell obtemos:
Eliminando as amplitudes E
Eo0
ET
1+
=
Eo
Eo
i
cos nT cos T sin
p
Eo0 ET
no cos o 1
=
Eo
Eo
)
(2.9a)
nT cos T cos ip sin
(2.9b)
onde = kl cos o representa a fase efetiva do feixe que penetra no meio, p = n1 cos 1
para a polarizacao TE e p = cosn11 para a polarizacao TM.
Escrevendo estas relacoes na forma matricial obtemos:
h
iE
h
i h
i E0
cos
pi sin
1
1
1
T
o
=
+
nT cos 3 Eo
no cos o
no cos o Eo
ip sin
cos
|
{z
}
(2.10)
M
A matriz indicada por M e a chamada Matriz de Transfer
encia. Podemos
ent
ao
Eo0
reescrever a equacao matricial acima em termos dos coeficientes de reflexao r = Eo e
de transmissao t = EETo .
h
M
1
nT cos 3
h
t=
1
no cos o
10
h
+
1
no cos o
i
r
(2.11)
Para o caso de N camadas alternadas formadas de dois materiais distintos como

mostrado na fig. 2.1 devemos calcular a Matriz de Transferencia para cada interface
M1 , M2 , M3 , ...MN . Assim, a matriz que representa o sistema como um todo sera dado pelo
produto de todas estas matrizes individuais MT = M1 M2 M3 ...MN sendo cada uma com a
forma da matriz M indicada na eq. 2.10. Este produto representa a matriz transferencia
de todas as camadas, independentemente das suas espessuras e sua constituicao. Entretanto, para um sistema periodico, e na matriz transferencia total que verificamos todo o
comportamento periodico da estrutura. Os efeitos proporcionados pelo substrato e pelo
meio onde o sistema encontra-se imerso podem ser encontrados nos outros vetores (coluna)
que formam a equacao 2.11. Levando em conta estes fatores a equacao 2.11 podera ser
escrita para um sistema de multicamadas como:
h
i h
i
h
i
1
1
1
+
r
=
M
M
M
...M
(2.12)
1 2 3
N
n cos
n cos
n cos t
o
O produto das matrizes Mi (i = 1, 2, ..., N ) ira resultar em uma matriz 2 2 que

pode ser escrita de uma forma mais geral, como mostra a equacao que se segue.
h
1
no cos o
h
+
1
no cos o
h
r=
A B
C D
ih
1
nT cos 3
i
t
(2.13)
Dessa forma, a solucao desta equacao para r e t a partir da relacao 2.13, resulta em:
r=
Ano + BnT no C DnT

Ano + BnT no + C + DnT
(2.14a)
t=
2no
Ano + BnT no + C + DnT
(2.14b)
Conseq
uentemente, a reflectancia e a transmitancia sao dados por R =| r |2 e
T =| t |2 , respectivamente.
2.2
Espelhos de alta reflect

ancia:
A princpio, para se obter um alto valor na reflectancia em um sistema de multicamadas, utilizamos basicamente dois materiais distintos dispostos alternadamente. Assim,
para que haja interferencia construtiva da luz refletida e necessario que a diferenca de
fase entre os m
ultiplos feixes refletidos satisfacam 2kl = (2j + 1) (incidencia normal),
e o termo adicional foi includo devido à reflexao especular
sendo j = 0, 1, 2, ... , k = 2n
o
na primeira interface que promove uma inversao de fase de para a luz que percorre uma
distancia de 2l. Tomando o termo de ordem zero (j = 0) temos que cada camada deve
o
sendo o o comprimento de onda no vacuo em que se deseja uma
possuir espessura de 4n
alta reflectividade .
11
Atraves desta analise, foi possvel reproduzir computacionalmente o comportamento

da reflectancia para uma heteroestrutura cujo par dieletrico e formado por AlAs e
Al0.2 GaAs0.8 . Esta estrutura foi reproduzida considerando pares alternados crescidos
num substrato de GaAs e levando em conta os efeitos de dispersao para cada material.
Para incluirmos o efeito de dispersao foram obtidas na literatura[18] pontos experimentais da parte real do ndice de refracao de cada material em funcao do comprimento
de onda. Das varias equacoes disponveis para a interpolacao destes pontos, como as
listadas na tabela 2.3, a equacao que apresentou o melhor ajuste da curva foi a relacao
de Hartmann 2. O resultado deste ajuste pode ser visualizado na fig.2.3 juntamente com
os pontos experimentais citados.
4,0
Interpolao
AlAs
n (Parte Real)
3,8
GaAs
Al
Ga
As
Al
Ga
As
0.2
3,6
0.3
0.8
0.7
3,4
3,2
3,0
2,8
6000
8000
10000
12000
14000
()
Figura 2.3: Curvas de dispers

ao para o AlAs, o Al0.2 Ga0.8 As, o Al0.3 Ga0.7 As e o GaAs. Para
o substrato de GaAs e altamente absorvedor.

comprimentos de onda abaixo de = 7000 A
Portanto, o espectro e analisado apenas acima deste valor. A regiao hachurada indica a faixa
de comprimentos de onda onde os processos mais relevantes serao analisados. Os simbolos
representam dados experimentais ?? eo as linhas cheias mostram um ajuste destes pontos
utilizando a quacao de Hartmann 2 apresentada na Tabela I.
Apesar de haver uma forte absorcao por parte do Alx Ga1x As para comprimentos
de onda abaixo de 7000
A, a figura acima foi produzida na faixa espectral indicada para
se ter uma ideia clara do comportamento da parte real do ndice de refracao para todos
os materiais que constituem nossa microcavidade. Isto nos limita a analisar os efeitos
opticos apenas para comprimentos de onda acima deste valor.
12
Tabela 2.3: F
ormulas de dispers
ao para a parte real do ndice de refrac
ao[19].
Nome
Selmeier 1
Selmeier 2
Selmeier 3
Selmeier 4
Cauchy
Hartmann 1
Hartmann 2
Schott Glass
Drude
Equac
ao de Dispers
ao
B2
2 C
n2 () = A +
n2 () = A +
B2
2 C
n2 () = A +
n2 () = 1 +
B2
2 C
A2
2 B
n() = A +
n() = A +
n2 () = A + B2 +
+ D2
C2
2 D
B
2
n() = A +
D2
2 E
E2
2 F
C
4
B
C
B
(C)2
C
2
D
4
n2 () 2 () = A
E
6
+ ...
B2
(2 +C)
Onde corresponde ao coeficiente de absorc

ao do ndice de refraca
o (parte imagin
aria).
Como fora discutido anteriormente, cada camada pode possuir uma espessura de
e =
onde n e o ndice de refracao de cada meio e o e o comprimento de onda
no vacuo, este tipo de espelho recebe o nome de quarter-wave (QWM - QuarterWave-Mirror ). Podemos ainda, obter um espelho cuja camada constituda do material de
o
menor ndice de refracao nL com espessura de eL = 4n
e a de maior ndice de refracao nH
L
o
com espessura eH = 2nH , este tipo de espelho recebe o nome de half-quarter-wave
(HQWM - Half-Quarter-Wave-Mirror )[20].
o
,
4n
Realizando um algoritmo (vide Apendice C) para descrever estes dois tipos de

espelhos DBR para o caso da polarizacao TE e para a incidencia normal, ou pelo menos
para baixos angulos, onde sin tan . Obtemos como resultado uma curva de alta
reflectividade em torno do comprimento de onda ressonante o como mostra a fig.2.4 com
n
umeros de pares variados.
13
100
Reflectncia (%)
90
5 pares
80
10 pares
70
20 pares
60
50
Stop-Band
40
30
20
10
0
6500
7000
7500
8000
8500
9000
9500
()
Figura 2.4: Curvas de reflect

ancia para o caso de incidencia normal de um espelho DBR planar
tipo QWM, construdo como mostra a fig. 2.1, centrado em o = 8000

A.
Detalhes a respeito do comportamento do segundo harmonico para cavidades formadas por espelhos quarter-wave e half-quarter-wave podem ser encontradas no Apendice
A desta dissertacao. Neste apendice poderao ser encontradas simulacoes computacionais
que identificam e descrevem estes espelhos.
14
Captulo 3
A Cavidade Fabry-Perot:
Este captulo tem por objetivo tratar teoricamente uma cavidade tipo Fabry-Perot
que e constitituda basicamente por dois espelhos em paralelo separados entre si por uma
distancia o /n, onde o e o comprimento de onda ressonante e n e o ndice de refracao
do material que constitui a camada espacadora. Esta distancia deve ser ressonante com
a regiao de comprimento de onda de maxima reflectividade dos espelhos que formam a
cavidade, pois isto faz aumentar o confinamento de fotons dentro da mesma. Isto promove
um aumento do fator de Qualidade Q proporcionando um aumento relativamente grande
do tempo em que a luz permanece dentro da cavidade. Assim, a cavidade (camada
espacadora) pode ser constituda de um material qualquer ou simplesmente conter vacuo
entre os espelhos[16].
Uma caracterstica importante de uma cavidade Fabry-Perot esta no fato dela
selecionar de forma eficiente um u
nico modo de oscilacao, o chamado modo da cavidade.
Isto nos permite utiliza-la em espectroscopia separando as franjas de interferencia de
m
ultiplos feixes e medir comprimentos de onda com muita precisao diferindo o espectro
de linhas muito proximas. Isto nos permite estabelecer um criterio para diferir duas linhas
no espectro, que sem perda de generalidade adotaremos o criterio de Taylor. Este criterio
assume que duas linhas iguais do espectro sao consideradas distinguveis se na situacao
em que duas curvas individuais se cruzam à meia altura, a intensidade maxima desta
superposicao possui a mesma intensidade de uma das linhas individuais.
Uma cavidade, sera caracterizada basicamente pelos espelhos que a constituem,
sendo definida entao, um fator de qualidade Q que ira determinar o quanto eficiente e o
processo de confinamento da luz (vide Apendice B).
Este tipo de interferometro foi descoberto por C. Fabry e A. Perot em 1899 e para
caracteriza-lo dentro deste contexto devemos determinar o seu coeficiente de Finesse F,
seu poder de resolucao RP e o intervalo espectral livre SF (free spectral range). A descricao
destes parametros espectroscopicos poderao ser encontrados no Apendice B.
15
Devido a estes fatores, entre outros, discutiremos a eficiencia na utilizacao dos

espelhos DBR como importantes constituintes de uma cavidade. E verificaremos que
utilizando este tipo de espelho estaremos construindo uma cavidade de dimensoes micrometricas, ou seja, uma microcavidade.
3.1
Cavidade formada por espelhos DBR:
Os espelhos DBR sao considerados o tipo de espelho mais adequado para a producao
de uma microcavidade Fabry-Perot por diversos motivos. Para que haja um bom acoplamento da luz com a cavidade (vazia), a camada espacadora deve possuir uma espessura
de um m
ultiplo de 2 , onde e comprimento de onda de ressonancia na cavidade, ou seja,
o
sendo j = 1, 2, ... e n o ndice de refracao da camada espacadora.
d = j 2n
Para que a cavidade possua uma alta eficiencia, os espelhos devem possuir uma
altssima reflectividade na regiao em torno do comprimento de onda de ressonancia da
cavidade. Isto pode ser obtido facilmente atraves dos espelhos DBR utilizando poucos
pares de camadas (cerca de 20), como foi discutido no captulo anterior. Dessa forma,
as espessuras das camadas que formam o dispositivo devem possuir dimensoes da ordem
do comprimento de onda da luz, portanto, as melhores tecnicas para o crescimento das
amostras sao o MOCVD e o MBE. Devemos salientar ainda que os materiais que constituem o dispositivo (meio de ganho) devem possuir uma grande eficiencia optica de
absorcao e emissao, isto nos permite classificar os materiais semicondutores como um
bom candidato para a sua producao.
Utilizando o mesmo tratamento teorico que foi descrito no captulo anterior foi
possvel simular computacionalmente o espectro de reflectancia de luz branca de uma
microcavidade Fabry-Perot e comparar o resultado obtido com um espectro experimental.
A simulacao para a reflectancia de um espelho do tipo QWM pode ser visualizado na fig.
3.1, para polarizacao TE com diferentes n
umeros de pares de camadas.
Esta figura (3.1) aponta apenas a regiao do modo fundamental para um espelho
DBR tipo quarter-wave. Nesta figura podemos verificar o comportamento da largura de
linha da janela de ressonancia da cavidade estreitando-se cada vez mais à medida que a
reflectividade dos espelhos e aumentada com o acrescimo de pares de camadas. O comportamento da largura de linha em funcao do n
umero de pares pode ser analizado segundo a
figura 3.2. Nesta figura encontramos uma tendencia exponencial para a queda da largura
de linha. Estes resultados foram obtidos atraves da simulacao de uma microcavidade
como a descrita anteriormente formada por espelhos DBR planos tipo QWM descritos
como ilustrado pela figura 6.1.
16
Reflectncia (%)
100
90
20 pares
80
10 pares
5 pares
70
60
50
40
30
20
10
0
6500
7000
7500
8000
8500
9000
9500
()
Figura 3.1: Curvas de reflect

ancia para o caso de incidencia normal de uma cavidade formada
por espelhos DBR planares tipo QWM, com ressonancia em o = 8000

A.
Largura de Linha ()
140
120
100
80
60
40
20
4
10
12
14
16
18
20
22
Nmero de Pares
Figura 3.2: Curva teoricamente prevista para o comportamento da largura de linha em func
ao
do n
umero de pares que constituem uma microcavidade formada por espelhos DBR, centrado
em o = 8000
A.
Os materiais utilizados para a simulacao da microcavidade foram baseados no

Arseneto de Galio (GaAs), de forma a reproduzir de maneira mais realista a amostra
que foi crescida e que baseamos nossas medidas experimentais. Assim, o substrato e de
GaAs, o par de camadas que formam os espelhos sao de AlAs e Al0.2 Ga0.8 As e a camada
espacadora de Al0.3 Ga0.7 As.
17
Foi obtido um espectro experimental a qual foi interpolada uma curva de reflectancia.
O resultado obtido pode ser analisado na fig. 3.3 que se segue. Nesta figura e importante
salientar a discrepancia entre a largura de linha obtida entre os espectros experimental e
teorico. O tratamento teorico nao inclui as perdas na cavidade que sao preponderantes
ao se avaliar a estrutura como um todo, pois elas proporcionam um aumento da largura
de linha e, portanto, uma queda do fator de qualidade da estrutura.
Reflectncia (%)
100
80
60
1,0
40
0,8
20
0,6
8025
8040
8055
8070
0
7200
7600
8000
8400
8800
()
Figura 3.3: Curva de reflect

ancia experimental para uma microcavidade interpolada.
A
simulacao possui as mesmas caractersticas que a estrutura crescida por MBE. Par
ametros:
o = 8045
A o espelho inferior possui 26 pares e o superior 22 pares.
A amostra analisada foi obtida atraves de recursos da FAPEMIG no ano de 2000

e crescida pela empresa Quantum Epitaxial Designs, Inc.. Esta amostra foi crescida
pela tecnica de MBE e sua estrutura pode ser observada na fig. 6.1, onde podemos
identificar os detalhes estruturais da mesma. Entretanto, e importante ressaltarmos uma
informacao importante, pois durante o processo de crescimento foi solicitado que ao se
crescer a camada espacadora o substrato, onde as camadas eram depositadas, ficasse
parado. Isto possibilitou crescer uma amostra cuja camada espacadora tomasse uma forma
irregular, havendo regioes onde ela fosse mais grossa e regioes mais finas. Isto aumentaria
a probabilidade de se encontrar uma regiao onde houvesse exatamente o comprimento de
onda de ressonancia desejado R = 8000
A. Esta amostra ainda possui um poco quantico
de GaAs (100
A) bem no meio da camada espacadora que funcionara como um meio ativo
para a emissao laser (vide figura 6.1).
18
Captulo 4
An
alise de uma Microcavidade
Semicondutora Laser usando equac
oes de
taxa:
Um sistema laser tpico pode ser tratado basicamente por um sistema de tres nveis,
como e mostrado na figura 4.1 que se segue. A dinamica de emissao laser se baseia
em excitar os portadores livres (eletrons) do nvel fundamental, indicado por |1i, para
o nvel excitado, indicado por |2i atraves de um campo incidente com energia igual a
E2 E1 = hp .
Figura 4.1: Din

amica de emissao laser para um sistema de tres nveis.
19
Entretanto, o estado excitado |2i corresponde a um estado extremamente instavel e

rapidamente os portadores decaem para um nvel de energia menor e metaestavel, indicado
por |3i. Ou seja, uma vez excitados, os portadores possuem um tempo de vida no estado
|2i muito curto, decaindo quase que instantaneamente para o estado |3i permanecendo
por la um tempo significativamente grande, ate decairem para o estado fundamental |1i
emitindo uma radiacao de energia E3 E1 = hL . Esta radiacao emitida corresponde à
energia do modo normal do laser. Devido ao tempo em que os portadores permanecem
no estado |3i, havera apos um certo intervalo de tempo a invers
ao de populac
ao, uma
pre-condicao para o processo de emissao laser. O decaimento radioativo entre os estados
|3i e |1i nem sempre e predominante, pois os portadores que ocupam o estado |3i podem
ser espalhados por fonons para o estado |1i sem que haja a emissao de um foton, este
fenomeno e conhecido como recombinacao nao radioativa.
Devido ao curto tempo de vida dos portadores no estado |2i, habitualmente tratamos
o problema como sendo um sistema de dois nveis (|1i e |3i). Dessa forma, trataremos
neste captulo, atraves de um sistema de dois nveis, a dinamica de emissao laser para o
caso de uma microcavidade semicondutora usando as equacoes de taxa.
Uma analise das equacoes de taxa de uma microcavidade laser com uma perfeita
inversao de populacao (microcavidade laser ideal) preve que o limiar de bombeio pode
chegar a varias ordens de grandeza menor que em um laser convencional[21]. A razao
esta no fato de que neste caso, a potencia de dissipacao do meio ativo e dominada pela
emissao de fotons em apenas um u
nico modo da cavidade. Entretanto, o acoplamento e
dificultado se o meio de ganho e composto por um material semicondutor, pois, neste caso
as perdas tornam-se consideravelmente grandes. Alem disso, para satisfazer a condicao de
Bernard-Duraffourg[22] (a separacao dos nveis de Fermi devem ser maiores que a energia
do gap), e necessario certa densidade de eletrons e buracos nas bandas de conducao e
valencia, respectivamente. Isto nos leva a reduzir as dimensoes do dispositivo laser, e
conseq
uentemente o volume do meio ativo, proporcionando uma queda da potencia de
bombeio do limiar Pth . Este efeito e puramente de tamanho e nada altera a taxa de
emissao espontanea.
Atingindo um valor limite mnimo para o volume do meio ativo, podemos alterar
a taxa de emissao espontanea melhorando a qualidade dos espelhos da cavidade, por
exemplo. Isto permitiria um maior acoplamento do campo eletromagnetico confinado e o
meio de ganho, aumentado a eficiencia quantica do processo de emissao laser. Assim, a
reducao do limiar pode ser explicada apenas por CQED (Cavity Quantum Electrodynamics),
uma vez que o campo incidente ao penetrar na cavidade e m
ultiplas vezes refletido
e proporciona um aumento significativo da sua amplitude dentro da mesma, como e
mostrado na figura 4.2 que se segue. Se o meio ativo encontra-se numa regiao de antino do campo confinado temos um sistema fortemente acoplado e cuja dinamica pode ser
explicada por efeitos de CQED. Dessa forma, mostraremos neste captulo que a densidade
20
de portadores livres, ja excitados no meio ativo (transparentes), irao definir o limite

inferior para Pth , mas apenas se o meio ativo e sufucientemente grande. Entretanto,
se o volume do meio ativo e pequeno, a potencia do limiar Pth pode decair por outros
metodos, mas sem diminuir as dimensoes da cavidade.
Figura 4.2: Apresentac

ao esquematica da amplitude do campo eletromagnetico |E|2 confinado
numa cavidade tipo Fabry-Perot formado por dois espelhos DBR contendo um poco quantico
de GaAs (100
A), Eg = 1.5eV .
Abordaremos tambem uma solucao para as equacoes de taxa para uma microcavidade semicondutora e para o comportamento do estado estacionario do laser com
algumas das suas caractersticas dinamicas. Este tratamento sera realizado manipulandose as taxas de emissao espontanea dos modos da cavidade. Entretanto, para se explorar
totalmente as alteracoes da emissao espontanea, o volume do meio ativo na cavidade deve
ser menor que um certo valor. Neste captulo trataremos do comportamento do limiar
usando diferentes definicoes e relacionando o limiar com o fator de inversao de populacao.
A proposta final deste captulo e tratar curvas de I/O (Input Output) para uma
microcavidade semicondutora, analisando o comportamento do limiar para diversas estruturas e compara-las com resultados experimentais. Alem disso, curvas da largura de linha
dos espectros de fotoluminescencia da microcavidade em estudo serao analizados para
se determinar como a estrutura passa do comportamento de simples luminescencia para
uma emissao laser caracterstica. Nesta u
ltima analise, estudaremos a tendencia do limiar
para bombeios ressonante e fora da ressonancia verificando as diferencas de cada caso.
Entretanto, nosso tratamento experimental para os presentes dispositivos operam longe
dos limites ideais, principalmente devido a processos de recombinacao nao-radioativas.
21
4.1
Equac
oes de taxa:
Nesta seccao descreveremos as equacoes de taxa para a densidade de portadores

livres N no meio ativo e a populacao de fotons na cavidade p. Se o tempo de vida
dos fotons na cavidade p e o tempo de vida da emissao espontanea sp sao maiores
que o tempo de coerencia do momento de dipolo do meio ativo, o acoplamento entre
o meio invertido (meio ativo excitado) e os fotons pode ser eliminado adiabaticamente.
Isto significa que as perdas da cavidade devido a espalhamento por impurezas ou pelas
interfaces e pelos proprios espelhos, sao muito menores quando comparadas com as perdas
do meio de ganho, ou seja p sp . Isto permite que a emissao possua um tempo de
coerencia relativamente grande. Dessa forma, assumindo que o momento de dipolo pode
ser eliminado adiabaticamente, as equacoes de taxa podem ser escritas como:
d
Pin
N
N
gp
N=
dt
ho V
sp nr
V
(4.1a)
d
N V
p = (g )p +
dt
sp
(4.1b)
Aqui Pin e a potencia de bombeio, h e a constante de Plank, o e a freq

uencia de
emissao do modo laser, V e o volume do meio ativo (que pode ser substancialmente menor
que o volume da cavidade), nr e o tempo de vida da recombinacao nao radioativa, g e
o ganho do meio ativo (com unidades de s1 ), e o fator de acoplamento da emissao
espontanea e 1p e a taxa de decaimento da cavidade, em s1 .
O primeiro termo de (4.1a) representa a taxa de portadores excitados pela radiacao
externa, o segundo e o terceiro termos indicam a taxa de portadores livres que decaem
devido à emissao espontanea e à emissao nao-radioativa, respectivamente. O u
ltimo termo
define o aumento na densidade de portadores livres devido a presenca do meio de ganho
e corresponde ao termo de conexao entre as duas equacoes de taxa. A equacao (4.1b)
possui como primeiro termo a taxa da populacao de fotons devido aos efeitos de ganho e
perda na cavidade. O segundo termo aponta a taxa de emissao espontanea de fotons na
cavidade.
O tempo de vida da emissao espontanea e definida como
1
sp P
i Ai
(4.2)
onde Ai e a taxa de emissao espontanea do meio ativo no modo i. Nesta relacao podemos
notar que os diferentes valores para Ai podem diferir devido a presenca da cavidade.
22
Se a largura a meia altura da janela de ressonancia de um dos modos da cavidade

e menor que a largura a meia altura do pico de emissao do meio de ganho, este meio
pode experimentar uma intensidade do campo de vacuo modificado neste modo (ou seja,
um quasi-modo). Assim, a taxa de decaimento neste modo sera modificada. Mas se o
intervalo espectral livre da cavidade e menor que a largura de linha do meio de ganho,
tal que existam muitos modos competindo, a taxa de decaimento sera igual para todos
os modos. No primeiro caso, quando comparamos Ai com a taxa de emissao espontanea
sem a presenca da cavidade, podemos suprimi-la por um fator de 1 R, ou acresce-la
de um fator de 1/(1 R)[23, 24], dependendo se a freq
uencia da transicao do meio ativo
coincide com a ressonancia da cavidade ou nao. Sendo R a refletividade dos espelhos da
cavidade.
O fator de acoplamento da emissao espontanea e definido como
Ao
P
i Ai
(4.3)
o ndice 0 indica o modo optico em que o sistema eventualmente emite laser.

Para descrever a relacao entre o ganho optico e a densidade de portadores livres no
semicondutor, assumiremos um modelo de ganho linear, tal que
g = g 0 (N No )
(4.4)
onde No e a concentracao de portadores transparentes do meio de ganho (eletrons ja

excitados e que, portanto, nao absorvem a radiacao incidente). Este modelo escolhido por
simplicidade, deveria exibir, pelo menos, o comportamento qualitativo da concentracao
de portadores livres no meio de ganho, e em torno de N = No deveriamos encontrar uma
boa aproximacao quantitativa.
Das relacoes de Einstein entre os coeficientes A e B, fica claro que, para cada modo,
a emissao espontanea e igual a emissao estimulada quando o n
umero medio de fotons no
modo e unitario. Manipulando a eq.4.1b no estado estacionario e utilizando a definicao
4.4 obtemos:
V
g0 =
(4.5)
sp
Dos valores obtidos em (4.1a), (4.1b), (4.4) e (4.5) podemos calcular algumas das propriedades estaticas e dinamicas de uma microcavidade laser semicondutora. Mas antes vamos
realizar uma breve discussao da intensificacao da taxa de emissao espontanea. Como
pode ser visto na eq. 4.3, existem varias maneiras de se aumentar o fator de acoplamento
da emissao espontanea. A primeira e simplesmente reduzir o n
umero de modos que se
acoplam ao meio de ganho.
23
A densidade de modos por unidade de freq

uencia pode ser escrito por:
Qc3
4Vc o3
(4.6)
onde Vc e o volume da cavidade, Q e o fator de qualidade da cavidade, c e a velocidade da

luz, o e a freq
uencia optica, no vacuo destes modos. Se todos os modos possuem a mesma
taxa de decaimento, o fator de acoplamento da emissao espontanea sera, rigorosamente,
inversamente proporcional ao volume da cavidade. Para um n
umero fixo de modos
interagentes, aumentara se as taxas de emissao espontanea para os outros modos
sao suprimidas, ou a taxa de emissao espontanea do modo laser e intensificada. A
intensificacao ou supressao e um efeito de eletrodinamica quantica em cavidades (CQED)
e requer que a largura de linha do pico de emissao do meio de ganho seja no mnimo
menor que o intervalo espectral livre da cavidade. Dependendo do balanco entre os tres
processos descritos sp pode tanto aumentar ou diminuir. Em uma cavidade planar (bidimensional), sp aumenta sensivelmente com o aumento de [25], mas apenas se o meio
de ganho encontra-se numa regiao de no do campo confinado. Por outro lado, em uma
microcavidade tridimensional sp pode ser reduzido substancialmente com o aumento de
[24] posicionando o meio de ganho num ponto de anti-no do campo eletromagnetico
confinado.
4.2
Comportamento do Limiar:
Uma das mais proeminentes, e eventualmente mais promissora caracterstica de uma

microcavidade laser, e o fato dela possuir um limiar de operacao muito baixo. Numa
das primeiras publicacoes que apontavam este peculiar comportamento, os autores a
designavam como lasers de limiar virtualmente zero[26]. Estes dispositivos certamente
podem apresentar um limiar de potencia baixo, podendo chegar na ordem de sub W ,
isto e certamente finito e, em geral, muito bem definido. Em microcavidades lasers semicondutoras, entretanto, a descricao e algumas vezes mais complicada devido ao fato de
que no meio ativo a densidade de portadores livres deve exceder um certo valor limite. A
questao a ser levantada e se isto limitara a existencia de dispositivos lasers semicondutores
com limiares muito baixos. A resposta a esta questao e parcialmente relacionada por quao
grande e o volume do meio ativo, e parcialmente em como a potencia do limiar e definida.
A primeira e a mais largamente utilizada definicao para a potencia do limiar e que
o ganho deveria ser igual às perdas. Para um bombeio mais intenso, a emissao estimulada
rapidamente se tornara dominante e a emissao laser ira ocorrer. Atraves da definicao
(4.1b), isto corresponde a
V
=
(Nth1 No )
(4.7)
sp
Da relacao 4.1b podemos notar que o ganho da emissao estimulada no estado estacionario
podera apenas ser igual às perdas se o n
umero de fotons e infinito. Assim, rigorosamente
24
falando, (4.7) nao possui realidade fsica, tal que a emissao estimulada nunca podera
compensar as perdas opticas. Se a emissao estimulada pode ser considerada desprezvel,
podemos partir das equacoes (4.4), (4.5) e (4.7), obtendo:
N
P
in
1
sp
ho V
(4.8)
nr
tal que, h e o correpondem à constante de Plank e a freq

uencia de emissao do modo
laser, respectivamente. Sendo,
1
sp
(4.9)
Nth1 = No +
= No 1 +
V
onde e um parametro adimensional definido por:

=
No V
sp
(4.10)
Este parametro pode ser interpretado como o n

umero de fotons no modo de emissao
laser quando N = No , o que corresponde ao meio ativo transparente. Neste ponto nao
ha emissao estimulada total, e e a razao entre a emissao espontanea de fotons no
modo laser No V /sp e a taxa de perda da cavidade . Se e maior que a unidade
necessitaremos apenas aumentar sensivelmente a densidade de portadores livres acima
do valor transparente para obtermos uma substancial emissao estimulada. Neste caso o
limiar e basicamente determinado pelas propriedades do material. Se por outro lado,
e muito menor que a unidade, necessitaremos aumentar substancialmente a densidade de
portadores livres para compensar as perdas da cavidade. Assim, o limiar sera principalmente determinado pelas propriedades da cavidade.
Mas antes de determinarmos a potencia do limiar, devemos determinar o fator de
N
inversao de populacao. Utilizando a definicao nsp N N
e a eq. 4.9, o fator de inversao
o
de populacao, quando (4.7) e satisfeito, pode ser expresso por
nsp,th1 = 1 +
(4.11)
Como o n
umero de fotons foi implicitamente assumido infinito quando a relacao 4.7
e satisfeita, este resultado tambem corresponde ao fator de inversao de populacao de uma
microcavidade laser bem acima do limiar.
Utilizando as equacoes (4.9) e (4.8) encontramos a potencia do limiar:
sp
Pth1 = ho (1 + ) 1 +
nr
(4.12)
O comportamento da equacao acima pode ser visto na simulacao apresentada na

fig. 4.3 em linhas pontilhadas com pontos (g = ). Ela mostra como o limiar se comporta
com o aumento do fator de acoplamento da emissao espontanea , e encontra-se em
25
concordancia com os resultados apresentados por G. Bjork e Y. Yamamoto na referencia

[27], onde foram obtidos os valores atribudos aos parametros No , e sp para uma microcavidade semicondutora tpica. Esta figura indica tambem a influencia do volume do
meio ativo e o comportamento das curvas para o caso de nr > sp e nr < sp . A fig.
4.4 mostra o comportamento de nsp em funcao de e aponta, de forma mais clara, que
o volume do meio ativo deveria ser menor que sp /No para garantir um pequeno valor
no parametro de inversao de populacao nsp acima e abaixo do limiar.
g =
10
-11
= 10
nr
th
10
th
-12
V = 10
1
( W )
10
>
nr
sp
10
sp,th
= 1
-3
cm
-1
5
10
th
= n
cm
-3
-1
10
-3
-12
12
= 10
-2
10
-9
sp
= 10
-3
10
18
= 10
V = 10
-1
10
cm
-1
5
cm
-3
-3
cm
-4
10
-5
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
10
10
Figura 4.3: Pot

encia do limiar versus fator de acoplamento da emissao espont
anea. A curva
pontilhada e com pontos corresponde à definic

ao em que o ganho da emissao estimulada total
e igual às perdas, a linha pontilhada corresponde a pth = nsp,th e a linha cheia corresponde à
definicao pth 1. As curvas em preto correspondem a nr < sp e as curvas em cinza indicam
que nr > sp .
4
g =
10
-12
= 10
-9
10
sp
= 10
18
= 10
-1
th
= n
sp,th
s
cm
-3
-3
-1
sp,th
10
10
0
1
-15
V = 10
10
cm
-3
-1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
10
Figura 4.4: O fator de invers

ao de populac
ao no limiar versus o fator de acoplamento da emissao
espont
anea, para dois volumes diferentes para o meio ativo. A recombinac
ao nao-radiativa
foi considerada desprezvel quando comparada à taxa de recombinac
ao radioativa. As linhas
pontilhadas corresponde à definic
ao descrita pela eq. 4.7 e a linha solida para a definic
ao
pth = nsp,th .
26
Analisando a equacao 4.12 podemos concluir que independente do valor de , havera

sempre uma potencia de limiar tao maior quanto nr fica menor que sp . Este resultado e
esperado, e ele e atualmente o maior obstaculo a ser superado no processo de fabricacao
de dispositivos semicondutores. Publicacoes indicam valores de nr para microcavidades
lasers semicondutoras tridimensionais[28] com muitas ordens de grandeza menor que o
correspondente sp . Se assumirmos que o meio ativo e ideal, tal que podemos deprezar a
recombinacao nao-radioativa, a expressao para a potencia do limiar consistira apenas de
dois termos. O termo à esquerda da eq. 4.12, depende principalmente das propriedades
da cavidade ( e ), e o termo à direita (usando a definicao de e colocando em evidencia
e ) depende principalmente das propriedades do meio de ganho (No , V e sp ).
Dessa forma, se tornar-se suficientemente pequeno (4.12) se reduz a
sp
Pth1 ho
1+
nr
Por outro lado se 1, a potencia do limiar pode ser aproximada por
No V
sp
Pth1 ho
1+
sp
nr
(4.13)
(4.14)
Se reduzirmos , diminuindo o volume do meio ativo, a potencia do limiar diminuira

ate que o termo da esquerda de (4.12) ira dominar. Esta reducao do limiar e principalemnte
um efeito classico. A eq. 4.13 e proporcional a 1/ e representa um limite importante para
o ganho do limiar para uma dada cavidade. Entretanto, se a recombinacao nao-radioativa
e desprezvel, a u
ltima definicao da potencia do limiar se torna independente tanto de sp ,
No quanto de V .
Isto estaria relacionado com um laser semicondutor convencional, cujo meio ativo
preenche uma parte substancial do volume da cavidade. Numa estrutura como esta,
pode ficar em torno de 105 a 104 , tal que a potencia do limiar e quatro a cinco ordens
de grandeza menor se mantermos pequeno e aumentarmos . A reducao do limiar pelo
aumento de pode ser considerada uma mistura de um efeito classico e de CQED. Se
e reduzido inversamente com o volume da cavidade, a reducao ainda pode ser vista
como um efeito classico. Mas se aumenta mais rapidamente que o inverso do volume
da cavidade, ele e um efeito de CQED[27].
A presenca da cavidade aumenta/diminui o acoplamento do meio ativo e os modos
da cavidade. O grafico da fig. 4.3 aponta o comportamento do limiar Pth1 com o fator
de acoplamento da emissao espontanea por linhas cheias para parametros tpicos de
uma microcavidade laser semicondutora[27]. Nesta figura podemos perceber que para
< 103 tal que < 1 a potencia do limiar e aproximadamente dada por (4.13), para um
laser com maior volume ativo. Quando > 103 , a potencia do limiar e rigorosamente
dada por (4.14). Alem disso, o laser com menor volume ativo segue a relacao (4.13) para
< 0.1.
27
(nr
Se considerarmos uma microcavidade laser ideal, sem recombinacao nao-radioativa

sp ), 0 e = 1, entao a relacao (4.13) simplifica-se a
Pth1 = ho .
(4.15)
A interpretacao dada a esta relacao indica que num laser ideal o u

nico mecanismo
de perda e por fotons emitidos no modo lasing. A taxa de emissao de fotons e exatamente
a taxa que devemos injetar novos portadores para compensar as perdas. Desde que a taxa
de perda de fotons e dada por p, a relacao (4.15) indica que o n
umero medio de fotons
no limiar e unitario para um laser ideal.
Como a emissao estimulada nunca podera compensar as perdas opticas, uma melhor
definicao para o limiar seria tal que a emissao estimulada total (que corresponde a emissao
estimulada menos a absorcao estimulada) fosse igual a emissao espontanea. A razao seria
que esta definicao envolve o n
umero de fotons e nao simplesmente o ganho. Tomando as
equacoes (4.1b), (4.4) e (4.5), no estado estacionario, a nova definicao para o n
umero de
fotons no limiar e dada por
pth2
Nth
= nsp,th2
Nth No
(4.16)
Aqui, Nth2 e a concentracao de portadores livres no limiar e nsp,th2 e o parametro de

populacao invertida neste limiar.
Substituindo esta nova definicao para o limiar na eq. 4.1a, poderemos expressar o
n
umero de fotons do limiar como
pth2 = 1 +
2No V
= 1 + 2.
sp
(4.17)
Isto sera sempre um n

umero finito e por definicao ele corresponde tambem ao
parametro de inversao de populacao para o novo limiar. Resolvendo a eq. 4.1b para
a concentracao de portadores livres no limiar, chegamos à relacao:
Nth2
No
=
2
1
2+
(4.18)
Desta relacao podemos perceber que para a definicao do limiar (4.16) a densidade de
portadores livres no limiar sera sempre maior que a densidade de portadores transparentes
No . Substituindo os resultados obtidos em (4.17) e (4.18) na relacao (4.1a), encontramos
para a potencia do limiar
nsp,th2
sp
Pth2 = ho
= 1+
2
nr
(4.19)
h
sp i
= ho
(1 + 2) 1 + +
2
nr
28
O comportamento desta funcao pode ser visto na fig. 4.3 atraves de linhas pontilhadas. A equacao obtem o mesmo resultado daquele obtido na eq. 4.12 quando 1,
e dela obtemos um resultado duas vezes menor que (4.12) quando 1.
Uma terceira definicao a ser utilizada seria uma taxa da emissao estimulada simplesmente igual a taxa de emissao espontanea no limiar. A razao por tras desta definicao
e que no limiar cerca de metade dos fotons que emitem no modo da cavidade emitem
coerentemente e a outra metade adiciona incoerencia. Para altas potencias, tanto as propriedades de coerencia quanto de eficiencia quantica melhoram rapidamente devido ao
aumento da emissao estimulada. Das relacoes de Einstein ja mencionadas, esta definicao
do limiar implica que o n
umero medio de fotons no modo laser no limiar e unitario:
pth3 1
(4.20)
Utilizando esta definicao em (4.1b) no estado estacionario, imediatamente obtemos

a densidade de portadores livres no limiar.
Nth3 =
No +
sp
V
No
=
2
1
1+
(4.21)
Assim, usando a definicao (4.20), quando e V sao suficientemente grandes (tal

que e muito maior que a unidade), a concentracao de portadores livres no limiar sera
Nth3 = No /2. isto significa que o meio ativo possui maior absorcao estimulada que emissao.
Mas devido a emissao espontanea, o n
umero medio de fotons no modo laser sera unitario.
Assim, o laser ira emitir fotons a uma taxa .
O fator de inversao de populacao pode ser obtido a partir da eq. 4.21 e da definicao
N = No nsp /(nsp 1), o resultado obtido e:
nsp,th3
1 + n 1 + 2
=
1
1
se 1
se 1
(4.22)
O fato de que o fator de inversao de populacao ser -1 quando e grande, mostra que
a definicao do limiar nao deve ser adequado quando > 1. Levando isto em consideracao
e utilizando as eqs. 4.1a e 4.20, podemos encontrar para a potencia do limiar
Pth3
No V
sp
sp
+
1+
= ho
1++
2
nr
2sp
nr
sp
sp
= ho
+ 1+
.
1++
2
nr
nr
29
(4.23)
Na fig. 4.3 podemos verificar o comportamento do limiar descrito pela relacao acima
em funcao do fator de acoplamento da emissao espontanea usando linhas cheias. Podemos
verificar ainda, que a eq. 4.20 adquire o mesmo resultado que a relacao (4.12) quando
1 e sera duas vezes menor quando 1. A u
nica faixa onde existe uma substancial
discrepancia entre as duas definicoes para o limiar e quando tanto o volume do meio ativo
quanto o fator de acoplamento da emissao espontanea sao consideravelmente grandes e
a recombinacao nao-radioativa e desprezada. A diferenca pode ser facilmente explicada
observando o n
umero de fotons no modo laser no limiar definido pela eq. 4.16. Neste
regime a eficiencia quantica total e aproximadamente unitario, como pode ser visto na
fig.4.4. Assim, para aumentar o n
umero de fotons em uma ordem de grandeza, devemos
aumentar a potencia do bombeio tambem em uma ordem de grandeza. Mas quando = 1
o n
umero de fotons no limiar para as duas primeiras definicoes do limiar diferem de um
fator de 2000, tal que a potencia do limiar tambem difere do mesmo fator.
Resultados quantitativos destas definicoes mostram que a potencia do limiar para
os dois primeiros casos sera tao maior quanto menor for , a menos de um fator 2 de
diferenca. Alem disso, quando 1 os resultados possuem boa aceitacao, exceto quando
1. Neste regime se torna difcil fazer uma clara distincao quando se inicia a transicao
de simples luminescencia para a emissao laser.
4.3
4.3.1
Caractersticas do Estado Estacion

ario:
Pot
encia da Emiss
ao
As caractersticas da potencia da luz emitida por uma microcavidade laser sao

radicalmente diferentes quando comparadas a um laser tradicional. Se a microcavidade
suporta apenas um modo na sua cavidade e se a recombinacao nao-radioativa e desprezada,
a emissao de fotons e o u
nico meio de dissipacao de energia e a eficiencia quantica do
dispositivo deve ser unitaria, tanto acima quanto abaixo do limiar. Isto tem sido observado
atraves dos anos[24, 29] e verificamos, atraves de nossa estrutura em estudo, uma suave
transicao da luminescencia para a emissao laser.
Usando as equacoes (4.1a), (4.1b), (4.4) e (4.5) podemos expressar o n
umero de
fotons em funcao da potencia de bombeio. Mas, por simplicidade matematica se torna
mais conveniente expressar a potencia de bombeio em termos do n
umero de fotons:
sp
p
Pin = ho
(1 + ) 1 + p +
p .
1+p
nr
30
(4.24)
Na fig. 4.6 apresentamos uma simulacao da equacao 4.24 onde podemos identificar
o comportamento da funcao 4.24, para varios valores atribudos ao parametro . Nela,
podemos verificar um aumento abrupto na potencia de emissao para certos valores de
potencia para o bombeio Pth , exceto para 1, e conseq
uentemente um aumento
significativo no n
umero de fotons (excedendo à unidade). Quando 1 a transicao
tanto acima quanto abaixo do limiar e suave, desde que a recombinacao nao-radioativa
seja desprezvel.
Em nossas amostras, o volume da cavidade estimulada pelo laser incidente e determinado basicamente pelo diametro do ponto de excitacao. O diametro d deste ponto,
para um feixe gaussiano, e dado por d = 4f /(w)[30], onde e a freq
uencia do laser
incidente, f e a distancia focal da lente e w e o diametro do feixe incidente, como esta
indicado na figura 4.5 que se segue. Isto nos fornece um valor de aproximadamente
d = 4(5cm)(800nm)/(3mm) ' 17m.
Figura 4.5: Esquema para a determinac

ao do diametro do feixe incidente focado pela lente na
amostra.
Dessa forma, podemos estimar o volume do meio ativo sendo da ordem de 2

10 cm3 , a densidade de portadores transparentes No em um poco de GaAs (100
A) e da
18
3
ordem de 10 cm , o tempo de vida da emissao espontanea obtido a partir da largura
de linha da fotoluminescencia a baixas potencias de bombeio ( 50W ) e da ordem de
3ns, o ndice de refracao varia conforme mostrado na fig. 2.3 do cap. 2 e largura de
linha a meia altura (FWHM) do ganho optico e da ordem de 1
A para uma emissao
em 8000
A. A taxa de perda para um laser formado por uma cavidade Fabry-Perot e de
aproximadamente 4 1011 s1 [27], considerando que as perdas opticas sao proporcionada
apenas pelos espelhos que compoem a cavidade. Se desejarmos incluir as perdas opticas
podemos simplesmente multiplicar a potencia de emissao por ( o )/, onde e a taxa
de decaimento dos portadores livres e o e a taxa de decaimento em todos os outros modos
exceto o modo laser.
12
31
10
10
12
Nmero de Ftons (p)
10
10
10
10
-9
sp
nr
= 10
>
10
10
sp
18
= 10
-12
V =10
o
-1
cm
cm
-3
10
-1
10
= 8000
-2
10
= 1
0.1
-2
10
-3
10
-4
10
10
10
-5
-3
10
-1
= 1
th3
10
-2
10
10
-4
10
Potncia da Emisso (mW)
10
= 10
-5
-3
10
-2
10
-1
10
10
10
10
10
Potncia de Bombeio (mW)
Figura 4.6: O n
umero medio de fotons no modo laser (eixo à esquerda) e a correspondente
potencia de emissao (Pout = phc/o sp ) para o = 8000

A versus a potencia de bombeio.
Nas condicoes indicadas e sempre maior que a unidade e a recombinac
ao nao-radioativa e
desprezada.
4.3.2
Largura de Linha:
Um dos mais interessantes aspectos de um laser de modo u

nico e a sua pureza
espectral no modo laser. A largura de linha e sua forma foram de grande interesse no
incio dos estudos que precederam o laser[31, 32]. Em sua primeira publicacao, onde
era proposto o laser, Schawlow e Townes previram que a linha laser deveria ser uma
Lorentziana e sua largura de linha deveria estreitar inversamente com a potencia, onde
propuseram uma relacao para a largura de linha[33]. Os resultados experimentais na
decada de 60 estimularam um grande avanco em trabalhos teoricos para se entender o
laser e sua largura de linha.
Foi mostrado por Lax[34] que o tratamento dado por Schawlow e Townes era apropriado para a descricao de um laser abaixo do limiar. Acima do limiar, flutuacoes da
amplitude do campo laser sao estabilizadas e isto levava a um fator de 2 na reducao da
largura de linha[35]. As flutuacoes restantes do campo podem ser proporcionadas por
flutuacoes da fase, proporcionando o alargamento da linha de emissao. Uma detalhada
mudanca na largura de linha passando pelo limiar foi calculada por Hempstead e Lax[36].
Mais tarde, em 1972, Gerhardt et al. [37] obtiveram sucesso utilizando um laser de HeNe
na faixa de microwatts de potencia, onde verificaram quantitativamente a concordancia
da relacao de Schawlow-Townes abaixo do limiar e o adicional alargamento previsto por
Hempstead e Lax.
32
O desenvolvimento de lasers semicondutores de modo u

nico operando a temperataura
ambiente no incio dos anos 80 reestabeleceram as atividades no estudo da largura de linha
e do rudo de fase[21, 22, 38]. Ao contrario dos lasers de gas e de estado solido, a largura de
linha de lasers semicondutores e larga e mensuravel. Para os dispositivos convencionais
o produto entre a largura de linha e a potencia de excitacao fica da ordem de 50-100
MHz.mW.
As primeiras medidas cuidadosas da largura de linha de lasers semicondutores foram
realizadas por Fleming e Mooradian[39] onde encontraram uma forma Lorentziana para a
forma da linha de emissao e uma largura de linha decaindo inversamente com a potencia
de excitacao. Entretanto, eles encontraram tambem que a largura de linha era cerca de
50 vezes mais larga que aquela prevista pela relacao modificada de Schawlow-Townes.
Este surpreendente resultado foi explicado pelo autor devido, principalmente, à mudanca
no ganho, na freq
uencia do modo laser. Quando o laser encontra-se acima do limiar,
ele responde às flutuacoes da emissao espontanea que muda a intensidade do laser com
mudancas no ganho. Estas mudancas formam um mecanismo de realimentacao que
amortece as flutuacoes da intensidade da emissao. Isto corresponde a exatamente o efeito
que reduz a relacao de Schawlow-Townes para a largura de linha de um fator 2 quando o
laser encontra-se acima do limiar. Este comportamento da largura de linha sera analisado
cuidadosamente nesta seccao, onde descreveremos esta relacao.
Associado às mudancas no ganho esta o ndice de refracao, que altera a freq
uencia
do modo da cavidade e induz a uma flutuacao adicional da fase. Para incluirmos este
efeito, a relacao de Schawlow-Townes deve ser corrigida por um fator de 1 + 2 , onde
= n/, e a razao na mudanca na parte real (n) e imaginaria () do ndice de
refracao. Este parametro e chamado de fator de aumento na largura de linha[40].
Para um laser semicondutor convencional este fator varia numa faixa que varia de 4 a
7, levando a aumentos relativamente grandes na largura de linha. Este mesmo tipo de
correcao foi obtido por Lax[40] para lasers de gas ou de estado-solido, quando a ressonancia
da cavidade e ajustada com a emissao do meio ativo.
A modificacao da relacao para a largura de linha de 1 + 2 nao foi a u
nica mudanca
necessaria para a descricao do alargamento das linha de um laser semicondutor. Diano et
al.[41] mostraram que a forma de linha Lorentziana e apenas uma aproximacao. A forma
de linha possua, entao, picos adicionais na cauda da Lorentziana separadas da linha
central pela freq
uencia de realaxacao. Tipicamente, estes picos estao presentes apenas à
intensidades da ordem de 1% da intensidade da linha central. A origem desta estrutura
na forma de linha possui o mesmo mecanismo que o aumento da largura de linha: a
realimentacao do meio ativo que amortece as flutuacoes de intensidade. As flutuacoes de
intensidade sao removidas pelas mudancas no ganho ocorridas durante a relaxacao que
provoca o retorno do laser para a intensidade do estado estacionario. Estas relaxacoes
proporcionam mudancas na fase que resultam no pico adicional observado no espectro de
33
potencia.
A figura 4.7 mostra como podemos relacionar a mudanca na largura da linha laser
devido a flutuacoes na fase do campo optico[34, 35]. Estas flutuacoes sao causadas por
eventos de emissao espontanea, que aleatoriamente altera a fase e a intensidade do campo
laser, como e ilustrado na figura 4.7.
Parte Imaginria do Campo - Im (
Alem da mudanca de fase causada pela emissao espontanea, ha tambem um atraso

na mudanca de fase resultante da mudanca instantanea na intensidade do campo. Para
que o estado estacionario seja novamente alcancado, o laser submete-se a oscilacoes de
relaxacao. Durante este processo havera uma mudanca no ganho total de g(t) =
(t), onde (t) e a variacao da parte imaginaria do ndice de refracao do seu
2
c
valor no estado estacionario. A mudanca em e causada pela variacao na densidade de
portadores, que tambem altera a parte real do ndice de refracao n. Uma mudanca em
n durante um certo intervalo de tempo resulta em um deslocamento adicional na fase do
campo do laser e tambem um alargamento adicional na linha de emissao[42, 43].
( I +
I )
1/2
1/2
I
j
Parte Real do Campo - Re( |
Figura 4.7: As mudancas instant

aneas da fase e da intensidade I do campo optico causadas
~ = I 1/2 ei aumenta de
pelo j-esimo evento de emissao espont
anea. A amplitude do campo |E|
~ j com uma amplitude unitaria e fase + j , onde j corresponde a um angulo arbitrrio.
|E|
~ i | e normalizada, tal que a

Representando o campo por uma amplitude complexa |E
~ i | |E
~ i | seja igual ao n
intensidade media I = |E
umero medio de fotons na cavidade
~ i | = I 1/2 ei
|E
onde I(t) e (t) representam a intensidade e a fase do campo do laser.
34
(4.25)
Omitindo a nomenclatura vetorial do campo eletrico, nossa suposicao basica sera

que a j-esima emissao espontanea altera E i de Eji , onde Eji possui magnitude unitaria
e fase aleatoria
Eji = ei+ij
(4.26)
onde j e aleatoria.
Quando I e alterado, o laser submete-se a oscilacoes de relaxacao permitindo que I
retorne ao estado estacionario. As equacoes que descrevem pequenas oscilacoes do laser em
torno do estado estacionario sao lineares; conseq
uentemente, o princpio da superposicao e
satisfeito e a mudanca de fase total para muitos eventos de emissao espontanea simultaneos
corresponde à soma das mudancas de fase individuais j .
Existem duas contribuicoes para a mudanca de fase que serao denotadas por 0 e
00 . A mudanca 0 e devido à componente fora de fase de Eji . Pela figura 4.7 fica
claro que esta mudanca e de
0j = I 1/2 sin j .
(4.27)
A segunda contribuicao 00 e devido a mudanca de intensidade e ao fato de que as

mudancas de intensidade e de fase estao acopladas. Da fig. 4.7, usando a lei dos co-senos,
podemos verificar que a mudanca na amplitude de I 1/2 para (I + Ij )1/2 assume o valor
de
Ij = 1 + 2I 1/2 cos j .
(4.28)
O segundo termo da equacao 4.28 tem media zero, assim na media, a emissao
espontanea causa uma mudanca na intensidade do campo equivalente a adicao de um
foton por modo. Entretanto, I e da ordem de 104 , tal que o segundo termo da eq. 4.28,
que proporciona as flutuacoes na intensidade da luz devido a interferencia, e equivalente
a varias centenas de fotons.
O tratamento classico das equacoes de taxa para I e sao obtidas a partir da
~ propagando na direcao do eixo z:
equacao de onda para o campo eletrico E
~
1 2
2E
=
(E).
z 2
c2 t2
(4.29)
E tomando o campo eletrico escrito na forma:

E E i ei(tkz) + E i ei(tkz)
(4.30)
E escrevendo a mudanca na constante dieletrica , devido a dispersao, causada pela

dependencia com E i como uma expansao em serie de Taylor:
i i(tkz)
i
+ ...
(4.31)
E ()E + i E e
35
i
onde E i = E
. Substituindo (4.30) e (4.31) em (4.29) obtemos duas equacoes, uma para
t
E i e outra para E i , que sao o complexo conjugado uma da outra. Se tomarmos apenas
as derivadas de primeira ordem para E i , obtemos:
i2
i
2
+
(4.32)
E = 2 k E i.
c2
2
c
Onde k e o vetor de onda, e a constante dieletrica, que e complexa, pode ser escrita como
o quadrado do ndice de refracao = 2 = n i, onde determina o ganho total de
acordo com
2
gl =
(4.33)
c
Aqui, gl e o ganho por unidade de comprimento e corresponde às perdas, incluindo as
perdas devido as interfaces dos materiais que constituem os espelhos. No limiar gl = ,
e real e e tal que k = c n.
Mudancas na densidade de portadores causam desvios em n e dos valores no
limiar. Para incluir este efeito devera ser escrito como:
= n2 + 2n(n i)
= n2 2in(1 + i)
onde
(4.34)
n
.
O termo em parenteses no lado esquerdo de 4.32 esta relacionado com a velocidade

de grupo vg :

n
c
+
=n n+
= n
(4.35)
2
vg
Assim, substituindo (4.34) e (4.35) em (4.32) e considerando que k = c n, encontramos:
E i = vg (1 + i)E i
c
(g )vg
(1 + i)E i .
=
2
(4.36)
Em um meio dispersivo, a razao entre o fluxo de energia e a densidade de energia e

a velocidade de grupo vg [44]. Conseq
uentemente, a taxa de emissao estimulada G menos
a taxa de perda da cavidade e dada por:
G = vg (g ).
(4.37)
Dessa forma, a equacao final para E i e

G
E i =
(1 + i)E i .
2
36
(4.38)
Analogamente;
G
E i =
(1 i)E i .
2
(4.39)
~ na representacao de I e usando I = E i E i e
Transformando o campo eletrico E
i
= 2i1 ln( EEi ), encontramos;
I = I(G )
= (G )
2
(4.40a)
(4.40b)
Este resultado representa as equacoes de taxa para I e . Combinando estes resultados obtemos:

= I.
2I
(4.41)
Aproximando I em (4.41) por uma constante igual ao valor no estado-estacionario,

temos que inicialmente I(0) = I + Ii e, finalmente, apos as oscilacoes de relaxacao se
extinguirem, I() = I; dessa forma, integrando a eq. 4.41, encontramos
Ii
2I
= (1 + 2I 1/2 cos i )
2I
00i =
(4.42)
A mudanca de fase total e dada por (4.27) e (4.42):

j = 0j + 00j =
1
+ 1/2 [sin j cos j ].
2I I
(4.43)
O primeiro termo e pequeno, mas constante. Assim, se consideramos que a taxa

media de emissao espontanea e sp , entao o primeiro termo resultara na mudanca de fase
media
sp
hi =
t
(4.44)
2I
ou um deslocamento na freq
uencia angular de
= sp .
= hi
2I
(4.45)
Este deslocamento na freq

uencia pode ser atribudo à emissao espontanea que altera
a taxa de emissao estimulada do estado estacionario de G = para G = Isp .
A flutuacao de fase total para S = sp t eventos de emissao espontanea sera:
=
S
X
I 1/2 [sin j cos j ]
j=1
37
(4.46)
O valor de h2 i pode ser obtido pelo resultado acima, pois, para angulos aleatorios,
a media de todos os termos cruzados anulam-se, desse resultado obtem-se:
h2 i =
sp (1 + 2 )
t
2I
(4.47)
Pelo fato de que os eventos de emissao espontanea sejam aleatorios, a fase executa
um movimento tipo Browniano e possui uma distribuicao de probabilidade gaussiana[35].
Dessa forma, foi mostrado por Lax[35] que
|t|
hE i (t)E i (0)i = |E i (0)|2 e c
(4.48)
onde o tempo de coerencia c e dado por:

c1
h2 i
=
.
2t
(4.49)
O espectro de potencia pode ser obtido atraves da Transformada de Fourier de

hE i (t)E i (0)i[35]. O resultado e uma Lorentziana com largura de linha a meia altura de
=
sp
=
(1 + 2 )
c
4I
(4.50)
Para relacionarmos com os resultados experimentais, I deve ser relacionado à

potencia de emissao Pout = nc ho p, onde nc e o ndice de refracao do material que
constitui a cavidade. Se descrevermos o n
umero de fotons por unidade de comprimento
p
u = L propagando na direcao positiva do eixo z (saindo da cavidade de comprimento L);
a populacao u deve aumentar juntamente com a intensidade do laser tal que:
u(z) = u(0)e(g)z
Z
udz =
I=2
0
2u(0)e(g)L 1
.
(g )
(4.51)
(4.52)
Em um meio dispersivo, a razao entre o fluxo de fotons e a densidade de fotons

resulta na velocidade de grupo vg [44]. Dessa forma,
Pout = (1
r1 r2 )vg u(L)ho
(4.53)
onde h corresponde a energia da linha laser e r1 e r2 a reflectividade de cada espelho que

constitui a cavidade.
Usando as relacoes u(0) = r1 r2 u(L), r1 r2 e(g)L = 1, (4.51) e definindo as perdas

devido aos espelhos como m = ln(r2L1 r2 ) , podemos encontrar:
I=
2Pout
ho vg m
A taxa de emissao espontanea sp e o ganho g estao relacionados por[35]:

38
(4.54)
sp = vg gnsp
(4.55a)
G = vg g
(4.55b)
Combinando o resultados obtidos em (4.50), (4.54) e (4.55), encontramos:

=
vg2 gnsp m ho
(1 + 2 )
8Pout
(4.56)
Este corresponde ao resultado final para a largura de linha e para relacionarmos a

potencia de emissao com a potencia de bombeio, podemos utilizar a eq. 4.24 e a definicao
de que Pout = nc ho p/sp . Entretanto, podemos relacionar este resultado com a densidade
de portadores a partir de (4.4) e considerando que para uma laser ideal as perdas devido
aos espelhos sao desprezadas e assim, m = .
1
=
2
(N No ) (1 + 2 ).
sp
(4.57)
Abaixo do limiar onde N 0, a equacao acima se reduz a

1
=
2
V No
sp
(1 + 2 ).
(4.58)
Este resultado representa a largura de linha de uma cavidade contendo um material

absorvedor dentro e e superior à largura de linha de uma cavidade vazia /2. Muito
acima do limiar podemos redefinir nsp utilizando a eq. 4.11 de forma a obtermos:
(1 + )
2p
(4.59)
Na fig.4.8, podemos visualisar a simulacao computacional realizada para a largura

de linha com diferentes valores do fator de acoplamento das emissao espontanea em funcao
da potencia de bombeio usando (4.57). Neste resultado, devemos lembrar que as perdas
opticas devido às perdas dos espelhos sao desprezveis. Nesta figura podemos perceber que
a maioria das curvas tendem para o limite ideal da eficiencia quantica unitaria tanto nos
limites da potencia de excitacao muito baixa quanto para altos valores de Pin . A u
nica
excessao e quando o volume do meio ativo do laser e superior a sp /No ou quando
nr > sp , previstos na seccao anterior. Tambem podemos verificar que em geral a largura
de linha estreita-se abruptamente assim que a potencia do limiar e atingida. Quando
e unitario e a recombinacao nao radioativa e desprezada, entretanto, a transicao e suave
e uma distincao clara do limiar se torna difcil de ser identificada. Isto esta em completa
concordancia com a seccao anterior.
39
10
= 1
Largura de Linha (MHz)
10
0.1
-2
10
10
-3
10
-4
10
12
= 10
sp
nr
10
= 10
>
sp
18
10
= 10
s
= 10
-5
-9
10
10
-1
-12
V = 10
cm
cm
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
10
10
10
Potncia (mW)
Figura 4.8: A largura de linha versus a pot

encia de bombeio. O parametro de aumento da
largura de linha foi assumido como zero. As linhas pontilhadas representam o limite ideal
para a largura de linha.
4.3.3
Largura de Linha Mnima:
Podemos verificar que o resultado para a largura de linha encontrada na eq. 4.56
estreita-se inversamente com a potencia. Entretanto, dados experimentais, que serao
mostrados mais adiante, revelam mecanismos de alargamento adicionais que resultam em
uma largura de linha mnima para altas potencias.
Esta primeira observacao de uma largura de linha mnima foram realizadas por
Mooradian e co-autores[45] utilizando um laser de AlGaAs. Seus dados experimentais
mostram que a largura de linha estreita-se da forma como descrita pela eq. 4.56. Entretanto, a extrapolacao para potencias muito altas a largura de linha nao vai a zero, mas
aproxima-se de um valor finito e que aumenta quando a temperatura diminui. Este valor
para a largura de linha mnima se limitava a poucos MHz, sendo que a 1.6K a largura de
linha mnima chegava a aproximadamente 30MHz.
Mooradian sugeriu que a largura de linha mnima encontrada era devido a flutuacoes
na densidade de portadores livres, que alterariam o ndice de refracao e conseq
uentemente
a freq
uencia de emissao laser. Entretanto, eles tambem alteram o ganho e isto proporciona
mecanismos de realimentacao no modo laser acima do limiar que amortecem as flutuacoes.
Estas flutuacoes dos portadores na cavidade sao importantes devido à sua contribuicao
para a mudanca no ndice de refracao e das flutuacoes na freq
uencia sem afetar o ganho.
Este comportamento da largura de linha tem sido observado em varios experimentos
realizados com QW lasers[46].
40
Yasaka et al.[47] apontou uma outra forma de associar a largura de linha mnima.
Dessa vez com a uniformidade da distribuicao espacial de intensidade. Esta nao uniformidade resulta em variacoes na emissao estimulada que por sua vez causa variacoes na
densidade de portadores, no ganho e no comprimento de onda de Bragg. Este mecanismo
pode ser compensado pelo ajuste da distribuicao da potencia de bombeio tal que o excesso
se concentre em regioes de maior emissao estimulada.
Neste trabalho apresentaremos alguns resultados experimentais que mostram a
existencia deste tipo de comportamento para a largura de linha assim como a sua tendencia
em todo o espectro como descrito pela teoria apresentada anteriormente.
4.3.4
Restric
oes da Cavidade:
As equacoes de taxa (4.1a) e (4.1b) sao validas apenas se o tempo de decaimento

dos dipolos d e muito menor que sp e p . Este caso foi assumido como verdadeiro no
nosso tratamento e veremos que em uma microcavidade laser isto corresponde a uma
dificuldade para quebrar esta condicao em p .
O ganho total em qualquer laser deve ser rigorosamente igual às perdas totais; assim,
em um laser simetrico com espelhos iguais, de reflectividade R, temos que
R2 e2l L 1.
(4.60)
onde l corresponde às perdas opticas por unidade de comprimento na cavidade.

Expressando l L em termos da transmissividade dos espelhos
l L ln(R) T.
(4.61)
Em termos de , l = /vg , usando a relacao vg

L
Assumindo que L/ e rigorosamente unitario, obtemos

l L
(4.62)
(4.63)
Tomando quantidades tpicas para materiais semicondutores; ' 300T Hz, d = 1014 s,
encontramos que T deve ser maior que 0.3 para quebrar a condicao descrita acima.
Para expressar esta condicao em termos de uma cavidade vazia com fator de qualidade
Qc , usamos a relacao Qc = 2/ e obtemos
Qc < 2sp
41
(4.64)
Para os mesmos valores que analisamos anteriormente, o fator de qualidade Q,

obtido a partir da relacao (4.58), deve ser menor que vinte para que as equacoes de taxa
percam a validade.
42
Captulo 5
Rabi-Splitting:
Hoje em dia, a fsica de microcavidades semicondutoras tem se tornado um campo

de pesquisa bastante difundido. De fato, quando um poco quantico encontra-se localizado
numa microcavidade, realizando o papel do meio de ganho, grandes mudancas na intensidade da emissao, nas transicoes opticas, no tempo de vida radioativo e no padrao da
emissao sao observados. Cada uma destas mudancas surgem como conseq
uencia da sua
forte dependencia com a amplitude e a energia do campo eletromagnetico confinado e
tambem com a anisotropia da densidade optica dentro da microcavidade.
Uma vez que a densidade optica esta relacionada com a forma e a disposicao dos
espelhos, um controle da resposta optica e alcancada controlando-se a geometria da microcavidade. Isto permite uma investigacao das propriedades opticas modificadas tanto
no domnio da freq
uencia quanto do tempo, possibilitando o entendimento da dinamica
de excitons em sistemas confinados.
Varios experimentos tem sido realizados com o intuito de caracterizar estas estruturas. Weisbuch e Yokoyama, em seus trabalhos recentes[14, 48], apresentam evidencias
experimentais da resposta optica modificada pela cavidade contendo QWs como meio
ativo. Tambem, Houdre et al.[49] estudaram a luminescencia de excitons confinados em
QWs dentro de microcavidades como funcao do angulo de emissao e da ressonancia entre
as energias do exciton e do modo da cavidade. A possibilidade de mudar a condicao de
ressonancia por meio de um campo eletrico ou magnetico, ou ainda, variando a temperatura foram tratados por Fisher et al.[50] e Tignon et al.[51]. Eles mostraram que o
efeito de quantizacao dos nveis de Landau dos portadores livres pode ser visualizado pelo
espectro de reflectancia sob a acao de um forte campo magnetico externo apontado na
direcao de crescimento.
43
Recentemente, alguns trabalhos[52, 53] vem propondo a utilizacao da regra de ouro

de Fermi para calcular as taxas de recombinacao radioativas em microcavidades. A regra
de ouro descreve o acoplamento entre os nveis discretos atraves da teoria de perturbacao
em primeira ordem, no caso contnuo[54]. Para as microcavidades, os nveis discretos
correspondem aos estados excitados dos excitons confinados em QWs e o contnuo e
constitudo pelos auto-modos do campo eletrico na cavidade, uma vez que a cavidade
pode ser construda de forma a possuir a janela ressonante do modo normal em qualquer
posicao em torno de uma pequena faixa espectral. Entretanto, sua validade e limitada
aos casos onde o elemento de matriz da interacao entre o nvel discreto e o contnuo e
pequeno quando comparado com o alargamento em energia da densidade de estados. Ou
seja, quando a largura de linha da emisso do meio de ganho muito maior que a largura
de linha da janela ressonante, permitindo um baixo acoplamento entre os estados.
Uma vez que a densidade de estados do campo eletromagnetico no vacuo e alta
(pois todos os modos sao permitidos), dentro da cavidade a densidade de estados e baixa
(pois apenas um u
nico modo e selecionado pela cavidade). Assim, a regra de ouro de
Fermi funcionara bem quando o QW estiver posicionado no ponto onde o campo possui
amplitude maxima (ponto de anti-no do modo confinado). Em microcavidades, esta
densidade de estados apresenta um pico em torno da ressonancia da cavidade e o elemento
de matriz do dipolo e proporcional à densidade de estados local (definida como o produto
entre a densidade de estados e a amplitude normalizada do campo eletromagnetico na
posicao do QW). A regra de ouro de Fermi ainda e aplicavel se a largura do modo da
cavidade e maior que o elemento de matriz da interacao. Esta situacao e conhecida como
regime de acoplamento fraco. No caso oposto, a interacao nao e descrita puramente por
um processo dissipativo e a regra de ouro de Fermi nao se aplica. Ou seja, o acoplamento
forte e caracterizado quando o ganho optico do meio ativo torna-se superior às perdas e
o acoplamento fraco quando os processos dissipativos da cavidade tornam-se superiores
ao ganho optico. Assim, no regime de acoplamento forte, o decaimento dos excitons nao
e de natureza exponencial e a energia e trocada entre o exciton e o modo da cavidade
varias vezes antes de ser dissipada para fora da cavidade. A freq
uencia com que esta troca
ocorre e o que define a freq
u
encia de Rabi.
Em ambos os casos, a descricao mais apropriada para a interacao entre o exciton
e o foton confinados na microcavidade e descrita pelo formalismo dos polaritons[55]-[57].
Polaritons sao uma mistura de estados da radiacao e do exciton, obtida pela diagonalizacao
do Hamiltoniano total que inclui a interacao entre eles. Os polaritons foram primeiramente tratados em bulk semicondutores[4], onde a total simetria translacional implica em
conservacao do vetor de onda devido à interacao entre o exciton e o foton. Assim, apenas
um modo da cavidade fica acoplado a cada nvel do exciton. Em um QW, devido à quebra
de simetria translacional ao longo da direcao de crescimento z, um certo nvel de energia do
exciton, com um dado vetor de onda paralelo ao plano do meio ativo ~kk , acopla-se a todos
os modos que possuem o mesmo ~kk e todos os valores possveis da componente ortogonal
44
~kz [58]. Dessa forma, os polaritons exibem um espectro discreto que apresenta ressonancias
nas energias correspondentes às transicoes entre picos de densidades de estado. Num
QW, para cada nvel excitonico apenas uma ressonancia aparece, cuja energia e deslocada
da energia do exciton por um valor muito pequeno[59] (alguns eV em GaAs). Esta
e uma situacao tpica, onde o processo de decaimento dos excitons pode ser tratado
perturbativamente, como descrito anteriormente.
Reflectncia (u.a.)
Quando o QW encontra-se confinado em uma microcavidade, a densidade de estados

radioativos final apresenta um forte pico em torno da energia correspondente ao modo
principal da cavidade. Quando este modo encontra-se ressonante com a energia do exciton,
e se o sistema encontra-se sob regime de acoplamento forte, duas ressonancias do polariton
aparecem, com um desdobramento em energia que pode ser superior a poucos meV, como
e mostrado na figura 5.1. Este forte acoplamento entre o modo normal da cavidade e o
campo eletromagnetico confinado, que e marcado pela divisao do modo normal, caracteriza
o efeito de Rabi-Splitting.
3,4meV
1,544
1,548
1,552
1,556
1,560
1,564
1,568
Energia (eV)
Figura 5.1: Efeito de Rabi-Splitting presenciado na microcavidade em estudo.
A figura 5.1, apresentada acima, mostra o resultado experimental para a curva de

reflectancia da luz branca da amostra em estudo (vide figura 6.1) para duas situacoes
de acoplamento entre o exciton e a cavidade. As medidas foram realizadas varrendo a
superfcie da amostra excitando-a em posicoes distintas, ou seja, diferentes valores para
a energia da cavidade em relacao ao exciton (fixo). A curva superior apresenta uma
defasagem muito acentuada entre o exciton e a cavidade, apresentando apenas um u
nico
modo. A curva inferior corresponde ao caso em que o modo normal da cavidade e o
exciton confinado possuem energias muito proximas, apresentando uma separacao do
modo normal de 3, 4meV .
45
Em uma microcavidade planar contendo um poco quantico, o campo eletromagnetico

encontra-se confinado em duas dimensoes, assim, o alargamento dos modos da cavidade
e devido ao fato dos espelhos que formam a cavidade nao serem totalmente refletores. Se
este alargamento e considerado pequeno quando comparado à constante de interacao, os
excitons que interagem com o quasi-discreto modo bidimensional se comportam aproximadamente como em um bulk semicondutor 2D[60] e a divisao dos modos do polariton e
entao analoga ao visto em um bulk. Esta separacao e usualmente chamada de Separacao
de Rabi ou Rabi Splitting, em analogia com a fsica atomica[61, 62].
Figura 5.2: Curva de dispers

ao para um sistema confinado sob ac
ao de um forte acoplamento
entre o meio de ganho e o campo confinado[69]. As linhas tracejadas correspondem ao limite de

acoplamento fraco.
Os trabalhos mais recentes sobre microcavidades fazem o uso do formalismo de

polaritons principalmente em dois tratamentos diferentes. No primeiro deles, o sistema e
tratado semiclassicamente[63, 64]: as equacoes de Maxwell sao resolvidas com uma funcao
de resposta nao local para o exciton confinado no QW. O segundo tratamento consiste em
quantizar o campo eletromagnetico e diagonalizar o Hamiltoniano total do acoplamento
entre o exciton e o campo da radiacao[60][65]-[68]. Desde que o Hamiltoniano do polariton
seja quadratico nos dois campos (do exciton e da cavidade), os dois tratamentos resultam
na mesma relacao de dispersao para a ressonancia do polariton[63]. Estas curvas de
dispersao possuem a forma esquematizada na fig. 5.2 e sao validas para qualquer sistema
confinado sob regime de acoplamento forte. Entretanto, a primeira abordagem e mais
adequada para o calculo dos espectros de reflectancia, transmitancia e absorcao de uma
microcavidade e a segunda nos da uma clara compreensao do processo de luminescencia
que esta relacionada com a natureza quantica dos estados polariton. Os resultados
apresentados na figura 5.2 correspondem ao tratamento usado por G. Messin et al.[69]
46
em sua tese de doutorado para uma microcavidade com as mesmas caractersticas que a
apresentada na introducao desta dissertacao, a menos do fato de que em sua estrutura
existem dois pocos quanticos (camada espacadora de espessura 3/2o ) e seus espelhos
DBR possuem 28 (superior) e 33 pares (inferior). Atraves do registro da posicao espectral
de cada modo do Rabi-Splitting, e possvel determinar a curva de dispersao do excitonpolariton para o upper e o lower polariton.
Dessa forma, abordaremos neste captulo a teoria que descreve o efeito de Rabi
Splitting e sua relacao com o fator de ganho atraves do calculo do espectro de reflectancia
da microcavidade para o caso de acoplamentos forte e fraco. Para finalizarmos nossos
estudos, mostraremos o comportamento da funcao resposta que descreve a transmitancia
da luz incidente, informacoes a respeito da dispersao do exciton-polariton confinado em
regime de acoplamento forte, alem de propriedades de absorcao e dispersao do excitonpolariton.
5.1
Microcavidade Semicondutora em regime de Acoplamento Forte:
Um material semicondutor pode ser excitado opticamente assim que a luz incidente
com energia hc/ se torna superior à energia do gap Eg do material. De fato, os eletrons
da banda de valencia adquirem, por absorcao da luz, energia suficiente para passar para
a banda de conducao e a energia total dos estados que podem ser excitados formam um
contnuo, para materiais bulk.
Entretanto, um poco quantico (QW) consiste de uma camada bem fina (alguns
angstrons) de um material semicondutor localizado entre duas camadas de outro material,
formando uma barreira de potencial, como mostrado na figura 5.3. Em nossa microcavidade ela e tipicamente uma camada de 100
A de GaAs intercalada por duas camadas
de Alx Ga1x As (x = 30%) formando no total (inclusive o poco, mas este possui dimensoes
que sao consideradas desprezveis quando comparadas às dimensoes da camada espacadora)
uma camada de espessura o /n, onde o e o comprimento de onda de ressonancia da
cavidade e n e o ndice de refracao do Al0.3 Ga0.7 As para o . O material do poco deve
ser escolhido de tal forma que a energia da banda proibida Eg seja menor que a do
material em que ele se encontra imerso. Uma descontinuidade das bandas de valencia e
de conducao e obtida devido ao alinhamento dos nveis de Fermi dos dois constituintes.
Esta descontinuidade causa modificacoes nos estados eletronicos do poco quando comparado ao material bulk na forma de nveis discretos de energia.
47
Figura 5.3: Forma dos potenciais para um poco qu

antico. A linha tracejada mostra o nvel
excitonico levemente menor que primeiro estado excitado, n = 1.
Entretanto, existe um estado eletronico particular localizado na regiao do poco

que nada mais sao que eletrons da banda de conducao e buracos da banda de valencia
confinados ao longo do eixo de crescimento z, mas livres para se movimentarem no plano
da camada. Suas respectivas energias sao menores no poco que no material bulk. Para
explicar porque isto ocorre, Wannier introduziu em 1937 o conceito de exciton.
Em seu modelo explicativo[70], no qual apresenta o conceito de buraco (representando a ausencia de um eletron na banda de valencia) a absorcao da luz promove um
eletron da banda de valencia (para um semicondutor no estado de equilbrio à temperatura
de 0K, este estado fica totalmente preenchido) para a banda de conducao (que no estado
de equilbrio à temperatura de 0K, este estado fica vazio). Na transicao o eletron deixa na
banda de valencia um buraco, partcula virtual de carga oposta, que pode se agrupar
via interacao Coulombiana para formar um dipolo similar a um sistema hidrogenoide,
delocalizado nas varias celulas unitarias do cristal[71]. Este sistema, chamado de exciton,
pode recombinar radioativamente e encontra-se confinado na regiao limitada pelo poco
quantico. Para estes estados, o movimento dos portadores livres no eixo z e quantizado e
podemos associa-los a um n
umero quantico, mas na direcao do plano da camada (x y),
o vetor de onda associado ~kk e descrito pela estrutura de bandas do material.
Os primeiros estudos em QWs confinados numa cavidade tipo Fabry-Perot foram
motivados pelos resultados obtidos na espectroscopia de atomos confinados[72]. Os dois
principais objetivos foram, por um lado descrever a modificacao da taxa de emissao
estimulada, e por outro observar o regime de acoplamento forte do modo da cavidade
cuja caracterstica principal se mostra no desdobramento do modo normal (Rabi Splitting).
Estes dois objetivos foram apresentados no comeco dos anos 90 respectivamente por H.
Yokoyama et al.[21] e C. Weisbuch et al.[14, 49], a partir da os estudos de microcavidades
semicondutoras se multiplicaram.
48
O interesse em se utilizar QWs como meio ativo se baseiam em duas possibilidades:

a primeira consiste no fato de uma cavidade Fabry-Perot ao mesmo tempo que seleciona
um u
nico modo do campo, ressonante com a cavidade, confina-o no plano paralelo aos
espelhos que constituem a cavidade. Este comportamento do campo confinado se deve
ao fato do exciton possuir um raio de Bohr da ordem de 100
A[73] e quando confinado
num poco de espessura da mesma ordem, as oscilacoes devido ao campo externo ocorrem
prefencialmente no plano paralelo aos espelhos. Assim, somado às fortes absorcoes do
meio ativo, a emissao apresenta-se de forma mais eficiente na direccao perpendicular ao
plano dos espelhos.
Para acoplar o poco quantico com o campo eletromagnetico confinado na cavidade e
conseq
uentemente aumentar consideravelmente o ganho do meio ativo, o poco deve estar
localizado numa regiao de anti-no do modo da cavidade. Para uma cavidade , o poco
deve estar localizado bem no meio da camada espacadora, como pode ser visto na fig. 4.2.
O forte acoplamento entre os excitons em um QW com o modo ressonante, permite a
formacao de um modo acoplado (exciton-polariton). A baixas temperaturas, as flutuacoes
do potencial, devido a variacoes na largura do poco, podem localizar os excitons em
uma regiao onde a energia e mnima, permitindo um alargamento nao homogeneo do
espectro de absorcao do exciton. Grande parte dos estudos experimentais que tratam de
microcavidades semicondutoras a temperaturas muito baixas, abordam sistemas onde os
espectros de luminescencia foram alargados inomogeneamente.
No regime de acoplamento forte o ramo do modo da cavidade se desdobra em dois
(fig. 5.4), isto proporciona tambem um desdobramento da curva de dispersao do excitonpolariton na cavidade, estas duas curvas sao conhecidas como ramo superior (UP) e ramo
inferior (LP) do polariton. Mas neste regime elas nao se cruzam (vide fig. 5.2), pelo
contrario, elas assumem uma aproximacao mnima (anti-crossing) que vai depender da
eficiencia do acoplamento e se afastam tanto para kk grande quanto pequeno. O modelo
para se descrever este comportamento ja e bem estudado e possui varios tratamentos.
Entretanto, ainda na fig. 5.4 podemos observar atraves das setas tracejadas o modelo
para dinamica de excitacao e recombinacao da emissao espontanea radioativa do excitonpolariton confinado na microcavidade para o caso de um bombeio quase-ressonante.
Nesta figura (5.4), podemos identificar duas possveis formas de excitacao do eletron
para a banda de conducao sob regime de acoplamento forte. Este modelo foi idealizado
pelos resultados experimentais que serao apresentados no captulo 6 em que verificamos
um pequeno fator de acoplamento para baixos angulos de incidencia, mostrando que os
estados de exciton-polariton (ramo superior e inferior) nao foram gerados. Dessa forma,
para baixos angulos de incidencia (~kk = ~k1 ) temos que o eletron e excitado diretamente
para o ramo da cavidade e e espalhado via fonons ate o fundo deste. Para angulo maiores
(~kk = ~k2 ) verificamos um aumento significativo do fator de acoplamento da cavidade,
mostrando que a emissao foi gerada pelo estado do exciton-polariton (e-p). Entretanto,
49
Energia
UP
Ccav
E
LP
Excitao
k1
k2
k||
Figura 5.4: Representac

ao esquematica da separac
ao das bandas de conduc
ao do exciton-
polariton (e-p) (linhas cheias), devido ao acoplamento forte entre o exciton e o campo confinado
na cavidade. O ramo tracejado corresponde ao modo da cavidade (C ) e a linha horizontal
tracejada com pontos corresponde à energia do exciton confinado (E ).
a emissao do e-p ocorre preferencialmente pelo ramo inferior (LP)[74, 75].
50
Segundo este contexto, o acoplamento forte manifesta-se no anti-crossing dos modos

acoplados e, na ressonancia, aparecendo duas transicoes de mesma intensidade separadas
pela energia de separacao de Rabi. Estes novos modos do polariton podem ser considerados
uma mistura de transicoes opticas do material e dos modos da cavidade e possui um
tempo de vida radioativo determinado pelo tempo de vida do foton na cavidade. Sob
estas condicoes, uma troca de energia periodica (Oscilacoes de Rabi) pode ocorrer entre
os modos acoplados antes do decaimento da excitacao. No regime perturbativo de acoplamento fraco, a intensidade da interacao e menor que as perdas e o anti-crossing, entao,
nao e mais observado.
5.2
Acoplamento Forte e Fraco em Sistemas Confinados:
Nosso modelo para descrever o meio de ganho constitudo por excitons confinados
numa cavidade pode ser ilustrado na figura 5.5 que se segue. Nela assumimos um ensemble
de N excitons localizados entre dois espelhos planos. O Hamiltoniano Hs para este sistema
deve incluir termos devido aos portadores livres (excitons confinados no plano do poco
quantico) He , ao campo HF e devido à interacao HI [76]-[78].
Hs = He + HF + HI
(5.1)
onde
HI = i
h
N
h
e X z
He =
2 j=1 j
(5.2a)
HF = h
o (a a)
(5.2b)
N
X
[g(~rj )a j g (~rj )aj+ ]
(5.2c)
j=1
Figura 5.5: Modelo de um sistema consistindo de N portadores confinados numa cavidade
formada por espelhos planos. O acoplamento coerente entre um exciton individual e o campo
na cavidade e descrito pela taxa g. A dissipac
ao da luz emitida pela emissao espont
anea em
todos os modos exceto o modo da cavidade que possui uma taxa de decaimento .
51
Os operadores a e a correspondem aos operadores criacao e aniquilacao respectivamente, os operadores jz e j sao os operadores de Pauli para a inversao, levantamento
e abaixamento que descrevem o processo de absorcao, emissao estimulada e emissao
espontanea do j-esimo portador localizado na posicao ~rj . As freq
uencias e e o correspondem ao exciton e ao modo da cavidade, respectivamente. O acoplamento coerente
entre o j-esimo exciton e o modo da cavidade e g(~rj ), tal que
2
1/2
o
g(~rj ) =
(~rj ) go (~rj )
(5.3)
2
ho Vm
onde e o momento de dipolo do exciton, a funcao de dependencia espacial do modo
da cavidade e escolhida tal que o volume do modo da cavidade seja dado por Vm =
R 3
d r|(~r)|2 . O termo (~r) da eq. (5.3) comporta toda a dependencia espacial de g(~r).
A relacao que descreve o acoplamento entre o dipolo excitonico e o campo de um foton
~ pode ser escrito como go = E/
~ h, tal que |E|
~ 2=h
confinado na cavidade E,
o /2o Vm ,
onde o e a freq
uencia do foton confinado no modo da cavidade. O espectro de autovalores
para Hs apresenta um aumento da separacao em energia de cada um dos seus nveis
degenerados proporcional a N sendo este efeito proporcionado pelo termo de interacao

HI .
Para descrever a natureza dos processos dinamicos iremos introduzir duas variaveis
adimensionais descritas em termos das tres taxas (go , , ), sendo = k /2 ([79]
pg.208). Esta aproximacao para pode ser considerada razoavel uma vez que as perdas
no plano do poco quantico devem ser superiores às perdas na direcao perpendicular ao
plano, favorecendo a emissao vertical do modo laser. Assim;
no
k
4 2
b
=
4go2
3go2
(5.4a)
No
2
2
=
go2
go2
(5.4b)
onde b depende da geometria da cavidade (b = 8/3 para uma cavidade contendo um modo
Gaussiano[80]).
Podemos notar que no nos fornece o n
umero de fotons de saturacao para a
interacao entre o campo da cavidade e os excitons, enquanto No nos da ideia da densidade
excitonica crtica, que define o limiar da emissao laser[77]. Em termos qualitativos (no ,
No ) especificam o comportamento de um u
nico foton e de um u
nico exciton, respectivamente.
Entretanto, no regime de acoplamento forte go (,) e (no ,No ) < 1, o tempo
de coerencia dentro da cavidade go1 e menor que o tempo de dissipacao da cavidade
( 1 ,1 ) permitindo que a emissao laser do sistema exciton-cavidade (polariton) tenha
tempo para acoplarem-se coerentemente, de forma que a emissao possua um tempo de
52
coerencia determinado basicamente pelo tempo de vida do foton na cavidade, ou seja,

limitado pela qualidade da cavidade.
Para acentuar os aspectos dinamicos do sistema exciton-cavidade (polaritons) descritos por Hs , nos restringimos a tres estados. O primeiro estado corresponde ao estado
onde nao existem excitons excitados ou campo, ou seja, a radiacao incidente nao e
absorvida pelo meio de ganho e portanto nao gera excitons; o segundo estado relaciona a
excitacao ressonante com o modo da cavidade, de forma que a cavidade e excitada mas
sua intensidade e tao baixa que os excitons nao sao gerados; o terceiro estado igualmente
contem a excitacao, mas ela esta distribuda entre os N excitons e o campo confinado
na cavidade, ou seja, a radiacao incidente e totalmente absorvida pelo meio de ganho e
utilizada para gerar os excitons. Dessa forma, encontramos a partir da eq. 5.1 juntamente
com um Hamiltoniano que descreva o decaimento da emissao espontanea de excitons no
modo da cavidade e as perdas do campo da cavidade, as equacoes que descrevem o comportamento linear para a amplitude do j-esimo dipolo excitonico j (t) hj (t)ieio t e
do campo dentro da cavidade E(t) ha(t)ieio t . Devido a decorrelacao semi-classica no
acoplamento entre os campos da radiacao ha(t)i, da polarizacao excitonica hj (t)i e da
inversao excitonica hjz (t)i com a cavidade, temos que gj ha(t)jk (t)i = gj ha(t)ihjk (t)i.
Assim, as equacoes de Maxwell-Bloch para os campos podem ser escritas como[81]:
N
X
ha(t)i
= (1 + i)ha(t)i +
gj hj (t)i
t
j=1
hj (t)i
= (1 + i)hj (t)i + gj ha(t)ihjz (t)i
t
hjz (t)i
= (1 + hjz (t)i) 2gj (ha(t)ihj+ (t)i + ha (t)ihj i)

t
2
(5.5a)
(5.5b)
(5.5c)
onde a cavidade possui emissao na freq

uencia o e o exciton esta defasado de (e
)/ e a cavidade de (C )/. Neste contexto, representa a freq
uencia do
espectro que varre a faixa de maxima reflectividade dos espelhos e onde encontra-se a
faixa de interesse. Nesta base restrita, temos que hajz i = 1.
Realizando as devidas substituicoes e utilizando as definicoes de (t) e de E(t) nas
equacoes de Maxwell-Bloch, obtemos:
j (t) = (1 + )j (t) g (~rj )E(t)
= (1 + i)E(t) +
E(t)
N
X
g(~rj )j (t)
(5.6a)
(5.6b)
j=1
Na solucao geral do problema de autovalor para N estados acoplados ao modo da

cavidade especificados pelas equacoes 5.6, encontramos N + 1 autovalores, tais que N 1
sao autovalores excitonicos e valem e = (1 + i) e os seus respectivos autovetores
53
P
satisfazem j gj j e E = 0[79]. Os dois autovalores restantes estao associados com os
graus de liberdade dos polaritons e sao determinados a partir dos dipolos excitonicos
individuais que no ensemble constituem uma polarizacao excitonica coletiva (t),
N
1 X
(t)
g(~rj )j (t).
2C j=1
(5.7)
O parametro C corresponde ao parametro de cooperatividade excitonica, e e dado por,

C
=
N
1 X
|g(~rj )|2
2 j=1
(5.8)
go2 Nef f
2
P
umero efetivo de excitons que interagem com o campo
Aqui, Nef f j |(~rj )|2 e o n
confinado na cavidade. Podemos descreve-lo em termos do parametro de cooperatividade
por exciton Ce (Ce go2 /(2)), tal que C = Nef f Ce = Nef f /No ou No = 1/Ce .
Substituindo a relacao 5.7 nas equacoes em 5.6 juntamente com a definicao 5.8,
obtemos:
(t)
= (1 + i)(t) E(t)
(5.9a)
= (1 + i)E(t) + 2C(t)
E(t)
(5.9b)
As equacoes descritas em (5.9) podem ser escritas na forma matricial:
(t)
E(t)
(1 + i)
2C
(1 + i)
(t)
E(t)
(5.10)
A solucao estacionaria das equacoes de Maxwell-Bloch podem ser obtidas a partir

da equacao caracterstica de autovalores, o que resulta numa equacao de segundo grau:
f () = [ + (1 + i)][ + (1 + i)] + go2 Nef f .
(5.11)
O resultado para os autovalores sao:

1
= [ + + i( + )]
s2
2
2
+
+
+
[1 + i( + )] g 2
2
2
(5.12)
onde escrevemos g 2 = go2 Nef f . Substituindo os respectivos valores das defasagens de e

de , obtemos:
54
1
= [ + + i(e + o 2)]
2
i
1 hp
( + )2 + (e )[1 + 4(o i)] + (o )(1 i4) 4g 2
(5.13)
Se a radiacao encontra-se ressonante com o modo da cavidade e com a energia do

exciton e = o = , obtemos:
#1/2
"
2
+
g2
(5.14)
2
2
O resultado acima e totalmente coerente com o apresentado por Grangier et al.[82].
A partir das equacoes em (5.9) e dos autovalores podemos perceber que a
polarizacao coletiva devido aos excitons (t) e que o campo dentro da cavidade E(t)
comportam-se como osciladores lineares acoplados no limite de campo fraco. Como caso
geral deste osciladores, a resposta do estado estacionario do sistema conduzido pelas forcas
devido a (t) e E(t) e dado pela superposicao dos modos normais, com os coeficientes da
superposicao determinados pelas particularidades dos termos forcados[83]. Mas devemos
notar tambem que a resposta dos dipolos individuais j pode ser escrita simplesmente em
termos dos modos normais das variareis coletivas apenas para certas escolhas especiais da
excitacao.
Uma destas escolhas, bastante conveniente, para a excitacao dos modos normais
coletivos e permitir que o proprio campo dentro da cavidade os estimule. Isto faz com
que a equacao 5.9-b tome a forma:
= (1 + i)E(t) + 2C(t) + (t)
E(t)
(5.15)
onde (t) e devido ao campo coerente externo da forma (t) = (t)eio t . Para o caso de
(t) = = constante, a solucao do estado estacionario das eqs. (5.9) e (5.15) e:
Ein =
1+
2C
1+2
Eout
+i
2C
1+2
(5.16)
sendo que E e foram normalizados tal que Ein = E/ no e Eout = / no .

Este resultado e precisamente a equacao de estado da bi-estabilidade optica no
limite de campo fraco[77], onde Ein corresponde ao campo eletromagnetico incidente e
Eout o campo da emissao. Esta relacao mostra que os campos incidente e emitido pela
cavidade, nao possuem necessariamente a mesma fase. Mas a interferencia construtiva
ocorre quando a fase relativa e zero.
No limite de baixas intensidades do campo incidente (limite de campo fraco), o
tratamento quantico e semi-classico adquirem o mesmo resultado, isto se deve ao fato de
que as equacoes (5.9) e (5.15) representam as equacoes de Maxwell-Bloch com o parametro
55
de inversao igual a -1 devido ao pressuposto da analise de uma excitacao fraca. Assim, a

relacao entre as intensidades dos campos incidente Iin = |Ein |2 e o emitido pela cavidade
Iout = |Eout |2 se resume a Iin = Iout (1 + 2C). No limite de altas intensidade Iin =
Iout + 4C[79]. Para o caso de intensidades interrmediarias, pode ocorrer a saturacao, de
forma que existe a possibilidade de uma transicao de fase. Ela acontece neste modelo
simplificado se C > 4.
No regime de acoplamento fraco go (, ), ou mais precisamente go N ||,

ou seja, as perdas sao superiores ao ganho. Neste limite, podemos perceber dois regimes,
que expressam, por um lado, a mudanca perturbativa da emissao excitonica devido à
presenca de uma cavidade com baixo Q ( ) e por outro lado uma alteracao da
emissao espontanea devido a um meio de ganho bastante dispersivo ( ). No primeiro
caso, fazendo go2 N/ na ressonancia, temos que:
go2 N
go2 N
+ = +
=
(5.17)
Podemos identificar deste resultado, que + corresponde ao autovalor excitonico e

como um autovalor da cavidade. Tomando N = 1, estas relacoes expressam o processo
de intensificacao (+ ) e de inibicao ( ) da emissao espontanea devido ao acoplamento
do campo eletromagnetico e os excitons confinados na cavidade[84].
Se tomarmos o segundo caso, fazendo g 2 N/ , obtemos na ressonancia:
go2 N
go2 N
+ = +
=
(5.18)
assim, encontramos uma troca de das regras descritas pelas equacoes 5.17.
No regime de acoplamento forte g > (, ) ou melhor go N > | |, temos que

na ressonancia, os autovalores para sao dados por:
=
( + )
io
2
(5.19)
2 i1/2
onde o go2 N
uencia do modo
= go N expressa a separacao em freq
2
normal da cavidade devido ao forte acoplamento entre o campo na cavidade E e a
polarizacao excitonica , o chamado Rabi Splitting.
Na figura (5.6) podemos verificar o comportamento das funcoes + e em funcao
do fator de acoplamento coerente g. Nesta figura podemos verificar que enquanto a parte
real dos autovalores varia, a parte imaginaria e identicamente nula. Entretanto, a
partir de um certo valor de g a parte real permanece constante e a parte imaginaria
comeca a variar, este limiar e que define os regimes de acoplamento forte e fraco. Dessa
forma, logo que a parte imaginaria adquire um valor diferente de zero comecamos a entrar
num regime de acoplamento forte, tal que podemos identificar atraves da equacao (5.19)
56
que o = Im( ), entao o desdobramento do modo normal corresponde em parte à

cavidade e em parte ao meio de ganho.
Figura 5.6: Comportamento da parte real e imagin

aria das func
oes . Os parametros para a
realizacao da simulacao foram: (, )/2 = (2.16, 0.36)THz, o = 8000

A E = 7995
A. A curva
em cinza corresponde a .
O valor de e obtido a partir da largura de linha da ressonancia da cavidade

c = /2 (vide fig. 5.7) onde obtivemos 13, 6THz. Para encontrarmos devemos
determinar a largura de linha da luminescencia e = /2 do poco quantico. Entretanto,
a emissao excitonica encontra-se limitada pelos espelhos, pois a parte que seria detectada
estaria sendo filtrada pela janela optica da cavidade. Dessa forma, para encontrarmos
um valor adequado para as perdas do meio ativo devemos realizar um ajuste da curva de
reflectancia (ou transmitancia) em regime de acoplamento forte, como iremos descrever a
seguir.
A funcao resposta para a transmitancia no estado estacionario T ($) pode ser obtida
a partir das equacoes (5.9) e (5.15) ou da equacao de estado de bi-estabilidade (no limite
de campo fraco)[85, 86].
T ($) =
[(1 + i) i$]
(+ + i$)( + i$)
(5.20)
Sendo $ = o e a defasagem em freq

uencia entre a luz incidente e a ressonancia da
cavidade.
57
Reflectncia (%)
100
95
/2
90
85
80
2300
2305
2310
2315
2320
(THz)
Figura 5.7: Curva experimental para a fotoreflect

ancia da luz branca e para a fotoluminescencia
da microcavidade. O aparato experimental pode ser visualizado na figura 6.2.
Para termos uma ideia a respeito da forma desta funcao transmissao, apresentamos
na figura 5.8 tres curvas que representam as contribuicoes devido à absorcao (Re[T ()]),
à dispersao (Im[T ()]) e à transmissao total (|T ()|) para o caso de acoplamento forte.
Esta figura, e tambem a figura seguinte (5.9), que mostra uma sequencia de curvas de
transmitancia (|T ()|2 ) para varios valores da defasagem entre a energia do exciton,
determinada a partir de e e da ressonancia da cavidade o , as curvas de transmitancia
foram reproduzidas apenas na regiao de interesse, ou seja, proximo à ressonancia e na
regiao de maxima reflectividade dos espelhos DBR.
25
Im[T()]
|T()|
Re[T( )]
20
15
12
g = 2 x10
-1
T( )
10
5
0
-5
-10
-15
7980
7990
8000
8010
8020
Comprimento de onda ( ) -
Figura 5.8: Func

ao transmissao segundo a equacao 5.20 para (go , , ) = 2(1, 2.16, 0.36)THz,
no caso ressonante (e = o ). Re[T ()] corresponde à contribuic
ao devido à absorc
ao inelastica
do sistema, Im[T ()] à contribuic
ao devido à dispersao elastica e [ImT ()2 + ReT ()2 ]1/2 ao
modulo da funcao transmissao.
58
A energia do exciton pode ser alterada de varias formas. Duas delas sao experimentalmente bastante convenientes: a primeira se trata da mudanca da sua energia
variando-se a temperatura da amostra, uma vez que os excitons possuem caractersticas
bosonicas (spin inteiro). A outra pode ser obtida aplicando-se um campo magnetico
externo, dessa forma o exciton muda de energia linearmente com o campo aplicado. Isto
permite um estudo do comportamento da curva de reflectancia no limite de acoplamento
forte para varios valores de temperatura e/ou de campo aplicado.
Entretanto, podemos tambem abordar o caso em que foi construdo uma microcavidade nao-planar, possuindo a forma de uma cunha, permitindo, assim, variar a freq
uencia
de ressonancia da cavidade. Isto corresponde a tomar, na eq. 5.20, um valor fixo para
= L , sendo L a freq
uencia do laser incidente, e permitir variar o parametro o , ou seja,
para cada posicao na superfcie da amostra havera um comprimento de onda ressonante
que ira casar ou nao com a energia de emissao do exciton.
Dessa forma, realizando uma sequencia de simulacoes do espectro de transmitancia
da luz branca de uma microcavidade, poderemos tracar o comportamento da posicao dos
picos para cada defasagem. Isto nos permite construir uma curva como a mostrada na
figura 5.2. Nela podemos identificar o comportamento da separacao dos modos normais
devido ao regime de acoplamento forte e estudar a dispersao do exciton-polariton. Na
figura 5.10 que se segue podemos identificar claramente o anticrossing e a curva de
dispersao do exciton-polariton nos ramos superior e inferior do polariton, acompanhando
o comportamento da posicao espectral dos picos de transmitancia.
59
0,08
|T( )|
0,06
0,04
0,02
0,00
7970
7980
7990
8000
8010
8020
8030
Comprimento de Onda ( ) -
(a) o = e = 8000
A
0,12
0,10
|T( )|
0,08
0,06
0,04
0,02
0,00
7960
7980
8000
8020
8040
(b) o = 8000
A e e = 7990
A
0,8
0,7
|T( )|
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
7800
7820
7840
7860
7880
7900
7920
7940
(c) o = 8000
A e e = 7800
A
Figura 5.9: Curvas de transmit
ancia para varias defasagens entre o exciton e a cavidade obtidas
pela equacao 5.20. Nesta seq

uencia a ressonancia da cavidade permanece constante em o =
8000
A e o fator de acoplamento em g = 2 103 GHz.
60
Posio dos Picos ()
8400
8200
8000
7800
7600
7400
-1000 -750 -500 -250
250
500
750
1000
()
Figura 5.10: Depend

encia da posic
ao dos picos de transmissao para uma microcavidade em
regime de acoplamento forte (g = 2THz). Os dados foram obtidos fixando-se a energia do

exciton em 8000
Ana equacao 5.20.
61
Captulo 6
Experimentos em Microcavidades:
Este captulo e dedicado ao tratamento experimental que foi abordado no decorrer

desta dissertacao. Aqui iremos descrever os experimentos realizados no laboratorio de
optica de Semicondutores da UFMG, dentre eles a fotoreflectancia e a fotoluminescencia.
Atraves da fotoluminescencia realizamos medidas da potencia da luz emitida pela microcavidade em funcao da excitacao (I/O) e da largura de linha espectral, com o intuito de
se investigar o processo de transicao de simples luminescencia para a emissao laser. Pela
fotoreflectancia verificamos a presenca do acoplamento forte entre o exciton gerado e o
campo eletromagnetico pela separacao do modo normal da cavidade, o Rabi-Splitting.
Neste captulo utilizaremos os conceitos abordados pela teoria que fora descrita nos
captulos anteriores para a realizacao do ajuste dos dados experimentais, permitindo que
tenhamos informacoes a respeito do fator de acoplamento (), das perdas devido aos
espelhos () e devido a outros processos de dissipacao na cavidade () alem do n
umero
medio de fotons confinados na cavidade (p).
Os resultados das curvas de I/O e largura de linha serao apresentados tanto para
uma excitacao nao-ressonante como tambem ressonante. No primeiro metodo verificaremos
o comportamento da emissao acima e abaixo do limiar, possibilitando a caracterizacao da
estrutura laser e a analise dos efeitos de CQED na nossa microcavidade. Com a excitacao
ressonante verificaremos o comportamento da emissao exciton-polariton para diferentes
angulos de incidencia (3.2o e 6.8o ).
A excitacao nao-ressonante corresponde a excitar o eletron da banda de valencia para
um nvel de energia bastante alto da banda de conducao. Dessa forma, qualquer mudanca
angular (vetor de onda ~kk ) nao ira influenciar de forma significativa esta condicao. Isto
faz com que o exciton gerado nao mantenha suas caractersticas originais como coerencia,
polarizacao, etc... Entretanto, a dinamica de emissao laser permanece como de um laser
tradicional. Isto e equivalente dizer que no caso nao-ressonante a apresentacao das curvas
de I/O e, conseq
uentemente, de largura de linha, para um u
nico angulo representaria o
comportamento geral da estrutura.
62
No bombeio ressonante a energia do laser e levemente superior à energia do modo

da cavidade, pois somente assim poderemos gerar excitons mais eficientemente, uma vez
que na excitacao ressonante o exciton e gerado e imediatamente aniquilado emitindo um
foton identico ao incidente. Nesse sentido, o sistema deve ser descrito como um caso
quase-ressonante.
Outra informacao importante que sera analisada faz referencia ao efeito de RabiSplitting que foi observado na amostra em estudo. Isto significa que a amostra apresenta
regioes de alto acoplamento entre o exciton gerado no poco quantico e o campo eletromagnetico confinado. Assim, sera realizado um ajuste da curva experimental de reflectividade da luz branca permitindo-nos estimar o grau de acoplamento g entre campo
eletromagnetico e os excitons alem dos valores das perdas e .
Finalmente, para finalizarmos nosso tratamento, iremos realizar uma analise das
curvas de emissao da microcavidade. Para isto, basearemos nos dados das curvas de
I/O, para a excitacao quase-ressnante, e no modelo de dispersao de excitons, em regime
de acoplamento forte (figura 5.4), relacionando-os ao comportamento de um laser de
exciton-polariton.
6.1
Sistema Experimental:
Os experimentos realizados basearam-se nas tecnicas de fotoluminescencia e fotoreflectancia, sendo analisados por um espectrometro (Jobin Yvon T64000 ) no modo
simples. Neste modo, encontramos duas redes de difracao, uma contendo 300 linhas/mm
e outra com 1800 linhas/mm, que podem ser trocadas via software, permitindo tomar um
espectro com resolucao de ate 0, 1
A.
A amostra analisada foi adquirida atraves de recursos da FAPEMIG e crescida pela
empresa Quantum Epitaxial Designs, Inc. . Ela e formada por camadas alternadas de
AlAs e Al0.2 Ga0.8 As com espessuras de 688
Ae 590
A, respectivamente. A estrutura foi
crescida sobre um substrato de GaAs(100) sob rotacao. O primeiro espelho DBR possui
26 pares e o segundo espelho (o mais externo) possui 22 pares. Devido à grande facilidade
de oxidacao do alumnio, a camada em contato com o ar corresponde a uma fina camada
de GaAs (50
A). Entre os espelhos fica a camada espacadora de Al0.3 Ga0.7 As que contem
ao centro um poco quantico (SQW) de GaAs de 100
A, esta camada foi crescida sem a
rotacao do substrato. Dessa forma, o SQW encontra-se intercalado entre duas camadas
de Al0.3 Ga0.7 As com a cavidade na forma de uma cunha (vide figura 6.1).
Quantum Epitaxial Designs, Inc. localizada em Bethlehem, USA, tel.: (610)861-6930 e fax: (610)8615273.
63
GaAs
Al
0.2
Ga
0.8
50
As
AlAs
540
688
21x
AlAs
Al
Ga
As
1154
Al
Ga
As
1154
0.3
SQW
0.7
SQW GaAs (100)
0.3
0.7
AlAs
26x
Al
0.2
Ga
0.8
As
AlAs
590
688
Substrato GaAs (100)

atica da amostra crescida pela tecnica de MBE pela empresa Quantum
Epitaxial Designs, Inc. para a realizac

ao dos experimentos. No detalhe, podemos identificar as
caractersticas da camada espacadora.
Para a realizacao dos experimentos a amostra foi excitada com um laser de Titanio
Safira sintonizavel (7200
A a 9500
A) que por sua vez e bombeado por um laser de Argonio
+
(Ar ) atraves da linha 5140
A, ambos da empresa SpectraPhysics. Isto nos permite realizar
o bombeio tanto com energia ressonante com o exciton (ou com a cavidade) quanto analisar
o comportamento da emissao laser fora de ressonancia. Apos a realizacao do vacuo (cerca
de 105 Torr) a amostra foi resfriada num criostato (Jannis) tipo dedo frio a temperaturas
em torno de 10K atraves de um fluxo constante de Helio lquido, de forma a garantir que
o estado de exciton nao fosse quebrado por espalhamento de fonons. Nossa verificacao
experimental para este efeito mostrou que o Rabi-Splitting nao foi observado para temperaturas superiores a 40K. Os espectros sao registrados e gravados num computador acoplado
atraves do software prism, produzido pelo proprio fabricante do espectrometro.
O aparato experimental pode ser visualizado de forma esquematica na figura 6.2.
Nela, podemos visualizar o feixe incidente passando proximo a um espelho, sendo focado
por uma lente (5cm de foco) e atravessando a janela optica do criostato. A luz emitida
pelos dois modos mais intensos da microcavidade (modo fundamental na forma de um
lobulo e o modo conico) sao colimados pela propria lente. A luz e entao refletida por um
espelho diretamente para o espectrometro que possui uma fenda de 20m de diametro,
sendo parte da luz, que e refletida pela janela optica, barrada por um anteparo opaco.
Esta configuracao nos permite realizar bombeios a baixo angulo (em relacao à normal)
ate cerca de 12o , pois para angulos maiores ficamos limitados a efeitos de astigmatismo
da propria lente. Podemos identificar tambem a presenca de um prisma polarizer no
arranjo, isto foi necessario pois foi verificada uma perda da polarizabilidade do laser
incidente. Este efeito foi proporcionado pelos espelhos utilizados, que apresentaram uma
maior reflectividade para diferentes polarizacoes do campo incidente, resultando numa luz
elipticamente polarizada.
64

atica da montagem experimental utilizada para a realizac
ao dos
experimentos de fotoreflectancia e fotoluminescencia. No primeiro caso a fonte laser e substituda

por uma fonte de luz branca. A regiao assinalada com um crculo pontilhado mostra em detalhe
a excitacao, o angulo de incidencia e a emissao e-p (normal à superfcie da amostra).
65
6.2
O efeito Rabi-Splitting:
Assim como fora amplamente discutido no captulo 5, a deteccao do efeito RabiSplitting em microcavidades semicondutoras indica o forte acoplamento entre o exciton e
o foton confinado na cavidade, evidenciando seu alto fator de qualidade (Q). Importantes
caractersticas da dinamica de excitons em sistemas confinados e do efeito de Rabi-Splitting
tem sido analisadas na literatura. Seja pela deteccao das curvas de dispersao da cavidadeexciton via espectro de fotoluminescencia com dependencia angular[49], ou aplicando-se
campos magneticos[87, 88], ou ainda variando-se a temperatura da amostra [50, 51]. Em
todos eles existe uma forma apropriada de ajustar as energias do modo excitonico com
o modo da cavidade para leva-los à ressonancia. Outros metodos podem ser adotados,
como a alteracao da energia da luz incidente ou variando-se o tamanho da cavidade. Entretanto, devido às inomogeneidades no plano do poco quantico, podem ocorrer flutuacoes
no comportamento do exciton-polariton em diferentes pontos da amostra.
Para a abordagem discutida nesta dissertacao, foram realizados experimentos cuja
a energia do campo incidente (medidas ressonante e fora de ressonancia) e a temperatura
da amostra foram escolhidas como as variaveis para a caracterizacao do acoplamento entre
o exciton e o foton confinado. O espectro de reflectancia da luz branca em certas regioes
da amostra apresentou uma dupla ressonancia, evidenciando a existencia do efeito de
Rabi-Splitting. Isto indica que a microcavidade em estudo possui todas as caractersticas
necessarias para o desenvolvimento de experimentos para a deteccao da emissao laser
exciton-polariton.
Dessa forma, nas figuras 6.3(a) e 6.3(b) apresentamos as curvas de reflectancia para
diferentes posicoes e temperaturas, respectivamente. As curvas de defasagem entre a
energia do exciton e da cavidade (fig. 6.3(a)), foram obtidas movendo-se a amostra, pois
a cavidade possui a forma de uma cunha podendo existir varios pontos para a defasagem
em relacao ao exciton . Nesta mesma figura, podemos verificar o comportamento da
posicao dos picos de reflectividade, apontando o comportamento indicado na figura 5.10.
As curvas obtidas pela variacao da temperatura foram analisadas com o objetivo de se
verificar o desacoplamento exciton-foton fixando-se a cavidade e variando a energia do
exciton. Segundo esta figura (6.3(b)) verificamos um total desacoplamento entre o exciton
e a cavidade para temperaturas superiores a 40K, pois nao observamos a existencia do
desdobramento do modo normal da cavidade.
Na figura a seguir (6.4) apresentamos um ajuste da curva teorica sobre os resultados
experimentais apresentados na figura 6.3(a) para a posicao de 290m. Assim, atraves dos
parametros utilizados para a realizacao do ajuste podemos ter ideia do valor atribudo
às perdas da cavidade e dos espelhos , dos valores encontrados para as freq
uencias de
ressonancia da cavidade naquele ponto C e do exciton E alem do fator g que corresponde
ao ganho da cavidade.
66
Reflectncia
495
480
385
335
290
181 m
97 m
0
1,545
1,550
1,555
1,560
1,565
Energia (eV)
(a) Efeito Rabi-Splitting em funcao do tamanho da cavidade a 10K.
Reflectncia
40K
35K
30K
25K
20K
15K
10K
7K
1,545
1,550
1,555
1,560
1,565
Energia (eV)
(b) Efeito Rabi-Splitting em funcao da temperatura.

Figura 6.3: Comportamento da reflect
ancia da luz branca em func
ao da posic
ao de excitac
ao
(a) e em funcao da temperatura da amostra(b) para a posic

ao de 290m.
67
1,00
Simulao
Reflectncia
0,95
0,90
(g,
, )
Experimental
= 7989
= 7987.5
= (6.6, 5.0, 5.0) THz
0,85
7940
7960
7980
8000
8020
8040
Comprimento de Onda ()
Figura 6.4: Ajuste das curvas de reflect

ancia atraves do modelo apresentado no captulo
5. Os parametros para a realizac

ao da simulac
ao numerica estao apresentadas nas figuras
correspondentes.
No ajuste da figura acima verificamos que as perdas devido aos espelhos esta
relacionado com a largura de linha dos picos e as perdas devido ao meio ativo relacionase com a intensidade com que as quedas de reflectancia ocorrem. Assim, quanto maiores
as perdas maiores serao a largura de linha e a queda de reflectividade da janela optica
da microcavidade. O fator de ganho g esta relacionado com a distancia entre os picos de
h
2 i 12
reflectancia, tal que g 2
, onde 2 corresponde à separacao em freq
uencia
2
do modo normal.
Nesta figura, podemos estimar atraves do ajuste, os valores atribudos ao ganho g e
às perdas do poco quantico . Neste caso podemos perceber que o regime de acoplamento
forte encontra-se em seu limite pois g , apesar da condicao g > (, ) ainda permanecer
satisfeita.
Segundo os resultados experimentais apresentados na figura 5.7, para as perdas
dos espelhos, temos que 13.6THz e o ajuste acima mostra um valor bem menor,
5.0THz. Entretanto, devemos lembrar que cada ponto de excitacao na superfcie da
amostra apresenta uma caracterstica u
nica, devido principalmente às irregularidades das
interfaces, sendo possvel encontrar regioes apresentando caractersticas bem distintas.
Outro fator interessante a ser analisado corresponde ao valor atribudo a freq
uencia
de Rabi (). Os resultados do ajuste apresentados acima indicam que (6.6 0.1)THz
que encontra-se com razoavel concordancia com a medida experimental apresentada na
figura 5.1, onde obtemos (5.0 0.1)THz.
68
6.3
Excitac
ao n
ao-ressonante:
A excitacao nao-ressonante corresponde a manter a energia do laser de bombeio

superior à energia de emissao do exciton(E 125meV ), pois isto garante a excitacao
do meio de ganho mas nao um bom acoplamento com a cavidade. Esta energia e
estrategicamente escolhida numa regiao do espectro de reflectancia da amostra em que
verifica-se uma queda da reflectividade do espelho DBR fora do stop-band. O laser incidente e linearmente polarizado e a amostra mantida a 10K. As curvas de I/O sao
obtidas medindo-se a potencia do laser de bombeio e a intensidade de pico da emissao
registrados pela CCD, como indicado na seq
uencia de curvas 6.5(a). Do lado direito desta
mesma figura (6.5(b)), podemos encontrar uma serie de pontos que identificam o comportamento pico da emissao em relacao à potencia de bombeio, onde podemos verificar um
claro deslocamento para o azul.
= 0.44meV
1,5503
= 3.2
Energia do Pico de Emisso (eV)
Intensidade da Emisso e-p (u.a.)
No - Ressonante
10
= 740nm
10
10
10
10
10
-1
10
1,5491
1,5498
1,5505
1,5502
1,55
1,5499
1,5498
1
1,5512
= 740nm
1,5501
10
100
Energia (eV)
(a)
(b)
Figura 6.5: Espectro (à esquerda) e o comportamento do pico de emissao da microcavidade (à direita)
em funcao da potencia incidente para a excitacao nao-ressonante a 3.2o .
Um ajuste da curva teorica para medidas de I/O e de largura de linha realizadas

com angulo incidente de 3, 2o , a partir dos espectros apresentados acima, podem ser vistos
nas figuras 6.6 e 6.7. O volume do meio ativo V foi estimado na seccao 4.3 como sendo
da ordem de 2 1012 cm3 , para um poco quantico de 100
A de espessura.
Na figura 6.6, podemos observar claramente uma descontinuidade que separa o
limiar entre a luminescencia do poco quantico e a emissao laser do exciton. A interpolacao
da curva experimental mostra um fator de emissao espontanea de 0,35%, evidenciando
um baixo acoplamento entre o campo eletromagnetico confinado e o exciton. A figura
6.7 mostra o comportamento da largura de linha, sendo possvel verificar que os dados
experimentais podem ser bem ajustados pela curva teorica. Entretanto, os dados experimentais indicam que a largura de linha para altas potencias de bombeio se estaciona em
um valor diferente daquele previsto teoricamente. Este fato pode ser explicado pelo efeito
69
de largura de linha mnima (linewidth floor ) discutido no captulo 4, uma vez que
a teoria preve que a largura de linha continuaria tendendo a zero. Nesta mesma figura
podemos identificar atraves dos crculos vazios o valor atribudo à largura de linha mnima
apos a correcao de Schawlow-Townes ( = 3.2) para o GaAs[33]. Os valores atribudos
aos parametros sp , nr e No foram utilizados considerando os resultados apresentados na
referencia[27].
3
Populao de Ftons - p (u.a.)
10
= 3.2
= 0.0035
10
-12
V = 10
1
sp
10
cm
= 0.3 ns
nr
= 5 ns
10
-1
10
-2
10
10
100
Potncia de Bombeio - P
in
1000
(mW)
Figura 6.6: Os crculos cheios correspondem aos dados experimentais e a linha cheia foi obtida
atraves da interpolacao da equac

ao 4.24. Os valores utilizados foram: = 1012 s1 , No =
18
3
10 cm , L = 7400
A (arquivo: Las140-160.opj).
Largura de Linha -
(GHz)
200
150
100
50
44 GHz
(1 +
-1
4 GHz
10
100
in
1000
(mW)
Figura 6.7: Os crculos cheios e vazios correspondem aos dados experimentais, para a largura
de linha e para a correcao de Schawlow-Townes ( = 3.2)[33], respectivamente. A linha cheia

foi obtida atraves da interpolacao da equac
ao 4.57. Os parametros utilizados foram os mesmos
que aqueles da curva de I/O (arquivo: Las140-160.opj).
70
6.4
Excitac
ao Quase-Ressonante:
Na excitacao quase-ressonante, o laser de bombeio deve possuir uma energia muito

proxima da transicao excitonica (E 6meV ). Para identificarmos a energia que o laser
de bombeio deve possuir para chegarmos a esta situacao, variamos o comprimento de
onda do bombeio ate que a emissao passasse por um maximo de intensidade. Neste ponto
de maximo, a energia do bombeio encontra-se em ressonancia com a transicao excitonica,
com uma pequena diferenca de energia em relacao ao modo da cavidade, que por sua vez
e selecionada pela janela existente na curva de reflectancia.
Para a realizacao dos ajustes nas curvas de I/O e de largura de linha no bombeio
quase-ressonante, utilizamos os mesmos parametros (, No , V , nr ) do ajuste dos dados
experimentais para o caso nao-ressonante. Entretanto, para o caso quase-ressonante,
verifica-se uma mudanca no tempo de vida da emissao espontanea da microcavidade,
passando de sp = 0.3ns para sp = 0.1ns([89], pag. 450). Isto se deve ao fato de que
nesta situacao, e sob a acao do regime de acoplamento forte, os efeitos de mudanca
no ganho optico permitem uma significativa mudanca tambem no tempo de vida da
emissao espontanea. Apesar de pequena, a alteracao nos tempos de vida das emissoes
nao-radioativa e espontanea alteram muito pouco a forma geral das curvas de I/O. Esta
mudanca se concentra numa pequena alteracao na inclinacao da parte linear destas curvas,
desde que a relacao nr > sp ainda permaneca satisfeita.
Uma mudanca na relacao entre os tempos de vida da emissao espontanea e naoradioativa, tal que nr < sp , proporciona um comportamento diferenciado nestas curvas
de forma que para 1 a curva de I/O nao apresentara mais seu comportamento linear,
mas tera a mesma forma que as demais, alem de deslocar o limiar para valores bem
superiores (da ordem de 103 vezes maior).
6.4.1
Angulo
incidente de 3.2o :
Os resultados experimentais dos espectros para as medidas com este angulo podem
ser observadas na figura 6.5(a) que se segue, juntamente com um grafico que identifica o
comportamento do pico da emissao e-p (6.5(b)). Nelas podemos identificar mais uma vez
um deslocamento para o azul destas curvas de emissao.
Atraves dos espectros realizamos as medidas de I/O e largura de linha para este caso
juntamente com um ajuste destes dados. Utilizando estes procedimentos, identificamos
uma melhora no fator de emissao espontanea , passando de 0,35% na excitacao naoressonante para 1,6% quando bombeada ressonantemente. Os valores utilizados para a
simulacao sao os mesmos que os usados para o caso nao-ressonante, a menos do valor
atribudo ao tempo de vida da emissao espontanea, que dessa vez utilizamos sp = 0.1ns,
como ja fora discutido anteriormente.
71
Posio do Pico de Emisso e-p (eV)
0.625 meV
o
= 3.2
10
Ressonante
Intensidade (u.a.)
10
10
10
10
10
1.5555
1.5554
1.5553
1.5552
1.5551
1.555
1.5549
1.5548
1.5547
0
1,5540
1,5545
1,5550
1,5555
10
1,5560
10
10
10
Energia (eV)
(a)
(b)
Figura 6.8: Em (a) temos uma superposicao dos espectros da emissao e-p e em (b) o comportamento
do pico de emissao em funcao da potencia incidente para a excitacao ressonante a 3.2o .
10
= 3.2
10
= 0.016
-12
V = 10
10
sp
= 0.1 ns
10
cm
nr
= 5 ns
-1
10
-2
10
-3
10
10
100
1000
in
10000
(mW)
Figura 6.9: Curva de I/O para um

angulo incidente de 3.2o com excitac
ao ressonante. O laser
esta posicionado em L = 7960, 6

A (Arquivo: Las270-293.opj).
72
Largura de Linha -
(GHz)
150
120
90
60
33 GHz
30
0
10
100
1000
in
10000
(mW)
Figura 6.10: Curva da largura de linha para um

ao res-
sonante. Os crculos vazios correspondem à correc

ao de Schawlow-Townes (Arquivo: Las270293.opj).
Este valor encontrado para o fator de acoplamento da emissao espontanea ja e

superior ao valor limite esperado teoricamente para microcavidades deste tipo (cerca de
1%)[24]. Um aumento no angulo de incidencia corresponde a aumentar o vetor de onda
~kk . Assim, analisando as transicoes eletronicas do exciton confinado na microcavidade,
atraves das curvas de dispersao apresentadas na figura 5.4, percebemos que a transicao
direta para o fundo da banda de conducao do ramo LP, promovido por fonons opticos,
ira ocorrer apenas se a diferenca de energia entre ~k2 e o fundo do ramo LP corresponder
à energia mnima de um destes fonons opticos (vide figura 5.4). Ou seja, para valores
menores que ~k2 (~k1 por exemplo) a transicao eletronica ocorre primeiramente para o ramo
da cavidade, onde sera espalhado via fonons ac
usticos da rede cristalina ate o fundo da
banda, podendo, entao, decair para a banda de valencia emitindo a radiacao laser. Este
resultado pode ser confirmado comparando-se o valor encontrado para a largura de linha
mnima em ambos os casos, o que indica um aumento no grau de condensacao dos excitons
no estado excitado ressonantemente.
Foi devido a este comportamento diferenciado da emissao excitonica para os diferentes tipos de bombeio que foi necessario alterar o tempo de vida da emissao espontanea
sp . Entretanto, podemos ainda notar um claro kink na curva de largura de linha (fig.
6.10) indicando a baixa eficiencia do processo de geracao de excitons.
No eixo das ordenadas da figura 6.9 podemos identificar a populacao media de
fotons na cavidade p, segundo a definicao 4.20. Esta analise pode ser obtida uma vez
que os dados experimentais foram obtidos a partir da intensidade da emissao e-p, que
encontra-se em unidades arbitrarias.
73
6.4.2
Angulo
incidente de 6.8o :
A partir dos espectros apresentados na figura 6.11(a) foi possvel determinar o comportamento da emissao analisando as curvas da posicao dos picos da emissao e-p (6.11(b)),
a transicao entre a luminescencia e a emissao laser pela curva de I/O (6.12) e pela largura
de linha (6.13).
= 0.32meV
Posio do Pico de Emisso e-p (eV)
Intensidade de Emisso do e-p (u.a.)
10
= 6.8
Ressonante
5
10
10
10
1,5546
1,5548
1,555
1,5552
1,5554
1,55515
1,5551
1,55505
1,555
1,55495
100
1,5556
200
300
400
500 600
Energia (eV)
(a)
(b)
Figura 6.11: Em (a) temos uma superposicao dos espectros da emissao e-p e em (b) o comportamento
do pico de emissao em funcao da potencia incidente para a excitacao ressonante a 6.8o .
Na figura acima, podemos verificar mais uma vez que os picos da emissao e-p
possuem o mesmo comportamento que aquele encontrado para o angulo de 3.2o . Ou
seja, um deslocamento para o azul, mas com menor amplitude e de forma mais contnua,
sem a presenca de uma variacao tao abrupta.
3
10
= 6.8
= 0.018
10
-12
V = 10
sp
= 0.1 ns
10
cm
nr
= 5 ns
10
-1
10
10
50
100
500
in
1000
(mW)
Figura 6.12: Curva de I/O para um

ao ressonante com o
exciton. O laser esta posicionado em L = 7980, 4

A.
74
Largura de LInha -
GHz
150
100
50
27 GHz
0
10
50
100
500
in
1000
(mW)
Figura 6.13: Curva da largura de linha para um

ao ressonante. Nesta figura nao foi realizada a correc
ao de Schawlow-Townes pois nao e possvel
identificar o ponto onde ocorre o limiar.
Na figura 6.12 podemos perceber que o fator de emissao espontanea ainda permanece
superior ao valor limite previsto, chegando a 1.8% com o angulo de incidencia de 6.8o .
Alem disso, podemos verificar o comportamento suave desta curva na regiao onde ocorre
a transicao de simples luminescencia para a emissao laser. Outra observacao importante
encontra-se nas medidas realizadas para a largura de linha. Na figura 6.13 podemos
perceber que o comportamento da largura de linha apresenta uma queda suave e contnua
sem a presenca da tpica queda abrupta que caracteriza o limiar. Mas ainda observamos a
tendencia da largura de linha em atingir um valor mnimo em aproximadamente 27GHz,
o menor valor nos casos abordados. Alem disso, podemos perceber a grande discrepancia
entre os resultados previstos para a largura de linha pela teoria e daquelas identificadas
pelos experimentos.
Este fato marcante para o angulo de 6.8o mostra que a teoria existente para tratar
a largura de linha nao e a mais adequada, pois existe um contraste bastante visvel entre
os resultados encontrados. Dessa forma, a teoria existente apresenta-se satisfatoria para
lasers tradicionais, mas ainda em aberto para lasers sem inversao de populacao e/ou de
alta eficiencia quantica como os lasers de microcavidade.
75
6.5
Espectros da Emiss
ao e-p:
Em todas as medidas espectrais da emissao e-p, tanto para o caso ressonante (nos
dois angulos analisados) quanto o nao-ressonante, sempre verificamos um deslocamento
das curvas de emissao para o azul. Sendo as medidas de bombeio quase-ressonante para
6.8o apresentando um comportamento diferenciado dos demais.
Para tentarmos entender o que ocorre, podemos verificar nas curvas de dispersao,
apresentadas na figura 5.4, a existencia um nvel de energia (nvel de energia excitonico)
sabido que o tempo
posicionado no fundo da banda de conducao do ramo da cavidade. E
de espalhamento de um eletron para o fundo da banda de conducao via fonons e muito
menor que o tempo de vida da emissao espontanea. Devido a esta diferenca no tempo de
recombinacao, e possvel que exista um estado condensado do tipo Bose no nvel de mais
baixa energia proporcionado pelos excitons, pois para um bombeio mais intenso, havera
um um fluxo maior de eletrons sendo excitados que recombinando radioativamente. Por
algum motivo este estado deve se saturar (cavidades de alto Q) e um novo estado deve ser
populado. O estado de menor energia a ser ocupado pelos excitons corresponde ao fundo
da banda de conducao do ramo da cavidade, que possui energia levemente superior ao
nvel excitonico. Isto poderia explicar o deslocamento para o azul no espectro que pode
ser observado nas figuras apresentadas.
Para que um novo estado seja populado pelos excitons deve haver, para certa
potencia de bombeio, uma descontinuidade na posicao espectral das curvas de emissao
para o azul. Nas figuras que identificam o comportamento da emissao e-p (6.5, 6.8 e 6.11)
podemos verificar ao lado de cada espectro correspondente a posicao dos picos de emissao
para bombeio ressonante a 6.8o e a 3.2o e para um bombeio nao-ressonante a 3.2o . Nela
podemos perceber um deslocamento mais abrupto das curvas correspondentes ao angulo
de 3.2o a uma potencia em torno de 100mW. Sendo este deslocamento mais suave para o
caso ressonante a 6.8o . Este fato encontra-se em concordancia com o comportamento da
largura de linha e do I/O para este caso (analisados na proxima seccao), mostrando uma
ocupacao gradual e contnua deste novo estado excitonico.
Mas apenas a luminescencia nao e por si so suficiente para evidenciar a presenca de
um estado condensado, apesar de existirem varias referencias na literatura que apontam
neste sentido[90]-[99]. Dessa forma, e imprescindvel a realizacao de experimentos de
magneto-optica para se confirmar esta proposicao que vem sido amplamente discutida
na literatura [95, 96], pois sob a acao de um campo externo os nveis excitonicos se
desdobram e a separacao em energia entre estes nveis variam de forma quase linear com
o mesmo[98]. Assim, poderemos sintonizar a energia do nvel excitonico populado com o
modo da cavidade aumentando o acoplamento entre eles e obtendo uma largura de linha
tao fina que sua deteccao ficaria limitada à resolucao do espectrometro utilizado.
76
Captulo 7
Conclus
ao:
Para concluir este trabalho podemos salientar alguns aspectos importantes que
apresentamos no decorrer desta dissertacao:
A amostra utilizada para a realizacao dos experimentos apresentou-se bastante
satisfatoria, pois apresenta um fator de qualidade de 3300 e uma amplitude em
energia do Rabi-Splitting de 3, 4meV , evidenciando a presenca de um regime de
acoplamento forte.
O tratamento teorico apresentou-se bastante satisfatorio, quando comparados aos
resultados experimentais, para o comportamento da reflectancia, das curvas de I/O
e do efeito de Rabi-Splitting. Entretanto, os resultados para a largura de linha da
emissao mostraram-se relativamente satisfatorios apenas para o caso nao-ressonante.
Dessa forma, verificamos que o modelo hoje proposto para se descrever o comportamento da largura de linha da emissao para o caso ressonante ainda permanece
como um problema em aberto, pois apresenta uma queda contnua sem a usual
descontinuidade no limiar.
A interpolacao dos dados experimentais para as curvas de I/O indicam uma melhora
de 0.35% para 1.6% no fator de acoplamento quando bombeada ressonantemente
a 3.2o . Aumentando-se o angulo de bombeio para 6.8o verificamos uma melhora do
fator de 1.8%.
Para o angulo de incidencia de 6.8o verificamos que ao aumentarmos a potencia
de bombeio nao encontramos uma descontinuidade da curva de I/O indicando o
alto grau de acoplamento entre o exciton e o foton confinados na cavidade. Este
resultado pode ser confirmado na curva de largura de linha.
77
Os experimentos de fotoluminescencia indicam tambem a presenca de um deslocamento das curvas de emissao para o azul em todas as situacoes analisadas. Este
deslocamento apresenta-se minimizado ( 0.32meV ) para o caso ressonante a
6.8o com um deslocamento contnuo com o aumento da potencia de bombeio. Para
os outros casos o deslocamento da curva apresenta uma certa descontinuidade.
O modelo de dispersao apresentado pode interpretar bem o comportamento detectado
nos experimentos e permanece, em parte, em concordancia com os resultados previstos
teoricamente.
O estudo do efeito de Rabi-Splitting pela variacao da temperatura da amostra
apresenta um total desacoplamento entre o exciton e o foton confinado para temperaturas superiores a 40K. Podemos verificar tambem uma diferenca de energia entre
os modos da cavidade de 3meV e um fator de ganho g 7, 6 THz. A interpolacao
da curva experimental indica uma perda de 6.8 THz e 3.1 THz para o meio
ativo e para os espelhos, respectivamente.
Os resultados encontrados para o ajuste da curva experimental de reflectancia da
luz branca em regime de acoplamento forte, mostram que tal regime encontra-se no
seu limite, devido à pequena diferenca encontrada entre as perdas do meio ativo
e do ganho da cavidade g. Atraves destes mesmos parametros foi possvel estimar
o valor correspondente à freq
uencia de Rabi 7.4THZ, que se encontra em boa
concordancia com aquela medida experimentalmente 5THZ. Esta diferenca
pode ser considerada satisfatoria uma vez que existem efeitos que mudam as propriedades da emissao e do meio de ganho que nao foram abordadas na teoria.
Estes resultados em conjunto mostram que a amostra possui caractersticas marcantes que possibilitam o estudo completo dos fenomenos que podem ser analisados por
uma microcavidade deste tipo. Outra informacao importante encontra-se no fato destes
resultados apresentarem fortes indcios de um estado condensado de exciton-polariton.
Entretanto, para que esta afirmacao nao permaneca como uma simples especulacao e de
suma importancia que sejam realizados experimentos de magneto-optica (ja iniciados)
com o intuito de se verificar o comportamento da largura de linha da emissao laser.
Neste caso, a presenca de um estado condensado pode ser identificado pelo estreitamento
da curva de emissao, sendo esta limitada apenas pelo equipamento utilizado. O campo
magnetico neste caso, proporciona a sintonia entre a energia da cavidade (fixo) e do
exciton confinado.
Outros efeitos de grande discussao tambem apresentam-se bastante promissores na
sua discussao. Efeitos como a super-radiancia do e-p e a correlacao de fotons gemeos
serao estudados nesta estrutura. Neste u
ltimo caso, podemos tratar o problema devido ao
comportamento existente entre os harmonicos do espelho DBR analisados no apendice B.
Podemos neste caso, construir uma microcavidade com ressonancia do segundo harmonico
78
em o = 8000
A e analisar as caracterstica do foton emitido em 2o . Dessa forma, se torna
importante o estudo do segundo harmonico para uma estrutura como esta.
Uma outra fonte de analise importante, tambem ja iniciada, corresponde ao chaveamento opto-eletronico de uma microcavidade. Este estudo pode ser realizado desfrutandonos do efeito Stark, aplicando-se um campo eletrico na estrutura e deformando os gaps
de energia entre a cavidade e o poco quantico.
As analises da polarizacao da emissao laser tambem apresenta um novo caminho
ser seguido. Medidas realizadas para luz circularmente polarizada, mostram que a microcavidade emite linearmente polarizada apenas acima do limiar e no caso ressonante,
confirmando a hipotese de que a luz emitida pela mesma apresenta caractersticas particulares sem a influencia do bombeio. Temos a expectativa de poder continuar esta analise
da polarizacao da luz laser sob a acao do campo magnetico, com o intuito de saber se e
possvel excitar eletros do meio de ganho com uma determinada polrizac ao de spin.
Entretanto, devido à grande diversidade de fenomenos que podem ser explorados
por esta estrutura, apenas com o tempo previsto para o mestrado se torna impossvel que
os problemas sejam totalmente tratados e concludos. Tendo em vista este fato, esperamos
que seja possvel a abordagem destes fenomenos mencionados anteriormente numa tese
de doutorado.
79
Captulo 8
Estudos da Visibilidade da Emiss
ao:
A dinamica da emissao laser quase-ressonante (baixos angulos) do exciton-polariton

confinado no poco quantico tem sido modelada e discutida segundo o esquema apresentado
na figura 5.4. Neste esquema verificamos que antes de ocorrer a emissao radioativa, para
angulos cada vez maiores, o exciton e espalhado por diferentes mecanismos. Alem disso,
para que a luz possa sair do poco e chegar à superfcie da amostra para ser detectada,
ela sofre um grande espalhamento devido às irregularidades das interfaces que compoem
o DBR alem do grande n
umero destas interfaces. Isto somado às absorcoes opticas dos
materiais que constituem o espelho e o meio ativo, acarretam numa grande perda da
coerencia e da polarizabilidade da luz emitida, se e que existe tal propriedade. Dessa
forma, e esperado que no bombeio nao-ressonante a luz emitida perca todas as suas
caractersticas originais, uma vez que o exciton deve ser espalhado sucessivamente via
fonons ate o fundo da banda de conducao.
No bombeio quase-ressonante, verificamos uma maior eficiencia da emissao para o
angulo que corresponde ao menor vetor de onda fononico da rede, pois, assim, o exciton
e diretamente espalhado para o fundo da banda de conducao. Este angulo e conhecido
como
angulo m
agico, pois acima ou abaixo deste a eficiencia da emissao laser sao
menores. Assim, as perdas das caractersticas originais da emissao sao minimizadas. Para
maximizar a eficiencia da emissao deveramos realizar o bombeio em ~kk = 0, ou seja, um
bombeio ressonante com incidencia normal. Entretanto, neste tipo de experimento, irao
chegar à camera CCD a luz proveniente da microcavidade e do laser de bombeio e nao e
possvel realizar uma distincao espectral destas duas curvas, pois elas estarao sobrepostas.
Assim, so e possvel realizar experimentos com bombeio quase-ressonante.
Para verificarmos o grau de polarizacao da emissao laser utilizamos como fonte de
comparacao a luz laser do bombeio. Para a realizacao deste experimento foi utilizada uma
80
placa /4 em frente ao prisma polarizer que era girada quando posta numa haste contendo
marcas angulares. A deteccao da intensidade da emissao para as varias polarizacoes
era registrada no sistema de aquisicao de dados e a visibilidade foi obtida pela relacao
IImin
V = Imax
, onde I e a intensidade detectada, Imin e Imax correspondem ao mnimo
+Imin
e ao maximo de intensidade, respectivamente. Na figura 8.1 apresentamos os resultados
obtidos para as curvas de visibilidade da emissao laser do exciton-polariton e para o laser
incidente. As curvas apresentam os resultados encontrados para a visibilidade acima e
abaixo do limiar tanto para o bombeio ressonante quanto para o bombeio nao-ressonante.
81
1,0
1,0
Ti:Safira
0,8
0,6
0,6
0,4
0,4
0,2
0,2
0,0
Visibilidade (%)
Visibilidade (%)
Emisso
0,8
0,0
100
120
140
160
180
ngulo (Graus)
(a) Visibilidade abaixo do limiar para bombeio ressonante a 6.8o .
1,0
1,0
Ti:Safira
0,8
0,8
0,6
0,6
0,4
0,4
0,2
0,2
0,0
Visibilidade (%)
Visibilidade (%)
Emisso
0,0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
ngulo (Graus)
(b) Visibilidade acima do limiar para bombeio ressonante a 6.8o .
1.0
Laser Ti:Safira
Emisso e-p
Visibilidade (%)
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
ngulo (Graus)
(c) Visibilidade para bombeio nao-ressonante.

Figura 8.1: Curvas da visibilidade da luz emitida pela microcavidade para 6.8o em relac
ao
ao laser incidente para o caso ressonante. Para (a) Abaixo do limiar e (b) Acima do limiar.
82
Arquivos: Las537-567, Las600-630 e Las631-661.
Nas figuras apresentadas (8.1) podemos verificar claramente que a emissao a 6.8o
apresenta certa polarizabilidade acima do limiar (modo laser), cerca de 30%. Alem disso,
a polarizacao da emissao acompanha a polarizacao do laser incidente. Entretanto, e
importante notar tambem que abaixo do limiar (luminescencia) a emissao nao apresenta
polarizabilidade alguma, da mesma forma que a emissao nao-ressonante.
83
Ap
endice A
Espelhos DBR Quarter-Wave e
Half-Quarter-Wave:
Considerando os efeitos de dispersao dos materiais que formam os espelhos DBR,

foi possvel realizar simulacoes computacionais com a finalidade de se obter o espectro de
reflectancia para um espelho DBR com caractersticas bem proximas às reais. A motivacao
desta analise esta no intuito de se prever caractersticas estruturais de uma cavidade laser
que possua o pico de reflectancia do segundo harmonico num valor desejado, no nosso caso
8000
A. Este tratamento tambem se torna importante no estudo da producao parametrica
de fotons gemeos, o chamado down conversion, onde dois fotons poderiam ser utilizados
para excitar o meio ativo dentro da microcavidade, ambos com energia correspondente à
janela do segundo harmonico, sendo possvel medir um outro foton, com energia igual a
soma destes dois, na janela optica do primeiro harmonico[93, 94].
As diferencas entre os dois tipos de espelho podem ser mais facilmente visualizadas
se abrirmos um pouco mais o espectro de reflectancia, de forma a compararmos as posicoes
relativas entre o modo fundamental e o segundo harmonico. Esta analise pode ser
observada na figura A.1. Apesar de nao haver sentido fsico para nossa estrutura em
questao, os resultados apresentados nesta figura (A.1) mostram uma importante e curiosa
propriedade dos espelhos DBR.
84
1,0
Reflectncia (%)
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
()
(a) Quarter-Wave
1,0
0,9
Reflectncia (%)
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
6000
8000
10000
12000
14000
()
(b) Half-Quarter-Wave
Figura A.1: Curvas de reflect
ancia para o caso de incidencia normal de um espelho DBR planar
em (a) para o tipo QWM e em (b) para o tipo HQWM, ambos produzidos com o = 8000
A.
Observando as caractersticas mais importantes apresentadas na fig.A.1 podemos

verificar que os espelhos HQWM e QWM possuem um fator de apraximadamente 2 e
3, respectivamente, entre os modos indicados. Alem disso, podemos perceber que para o
espelho do tipo QWM o centro da banda esta exatamente na regiao de maxima reflectancia
(em torno de o ), ja para o espelho do tipo HQWM o comprimento de onda ressonante
localiza-se aproximadamete no meio dos dois primeiros harmonicos numa regiao de baixa
reflectancia. Na fig. 2.4 podemos verificar que a regiao central do pico de reflectancia
nao ocorre exatamente sobre o comprimento de onda ressonante, estes efeitos ocorrem
devido ao efeito nao-linear do ndice de refracao que provocam pequenos deslocamentos
nos espectros.
85
Nesta mesma fig. 2.4 podemos confirmar o comportamento do espectro de reflectancia ao verificarmos que a banda de maxima reflectividade se torna cada vez
mais estreita ao passo que aumentamos o n
umero de pares que constituem o espelho. Um
processo de saturacao da reflectividade pode ser observado para um espelho formado
por mais de vinte pares de forma que se continuarmos a aumentar o n
umero de pares
verificaremos apenas um estreitamento na largura da banda.
A fig. A.2 mostra os modos fundamental e o segundo harmonico, indicando o mesmo
comportamento que anteriormente descrito nos espelhos DBR isoladamente, diferindo
apenas no aparecimento de uma janela de ressonancia tpica de uma cavidade FabryPerot. O comprimento de onda de ressonancia foi de o = 8000
A.
86
1,0
0,9
Reflectncia (%)
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
2000
4000
6000
8000
10000
()
(a) Quarter-Wave
1,0
Reflectncia (%)
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
6000
8000
10000
12000
14000
()
(b) Half-Quarter-Wave
Figura A.2: Curvas de reflect
ancia para o caso de incidencia normal de uma cavidade formada
por espelhos DBR planares, ambos produzidos com o = 8000

A e com 20 pares cada espelho.
87
Ap
endice B
Microcavidades e Espectroscopia Optica:
Para fins praticos podemos desfrutar de microcavidades ocas (sem meio ativo) para
uso em espectroscopia. Para esta finalidade e necessario medidas do comprimento de onda
com altssima precisao e boa definicao das linhas do espectro.
Assim, tomando uma cavidade Fabry-Perot constituda de placas de vidro ou quartzo
com suas superfcies refletoras bem polidas e postas em paralelo, podemos construir um
interferometro variando mecanicamente a distancia entre os espelhos utilizados, ou o ndice
de refracao da camada espacadora. Isto pode ser realizado, por exemplo, colocando um
gas entre os espelhos e variar a pressao do mesmo. Caso a distancia entre os espelhos e
mantida fixa o interferometro e chamado de etalon. O polimento e o paralelismo entre
os espelhos e essencial para obter uma maxima precisao nas franjas de interferencia, ou
seja, para que a largura de linha seja a menor possvel. Variacoes de 14 de comprimento de
onda da rugosidade nas superfcies refletoras ja sao consideradas comprometedoras para
aplicacoes precisas. Assim, rugosidades da ordem de 1/20 a 1/100 do comprimento de
onda sao necessarios.
A interferencia de m
ultiplos feixes providos de m
ultiplas reflexoes internas (devido às
varias interfaces) de um feixe incidente uma cavidade tipo Fabry-Perot permite descrever
um padrao de interferencia circular de aneis concentricos. Ao analisarmos a diferenca
de caminho optico entre dois raios transmitidos sucessivamente podemos identificar uma
nd cos , onde n e o ndice de refracao do meio
diferenca de fase de = 2kd cos = 4
o
entre as superfcies refletoras separadas por uma distancia d e e o angulo de incidencia
em relacao à normal.
88
Tomando a amplitude do campo transmitido e incluindo a diferenca de fase com

um fator ei , obtemos uma soma para cada reflexao interna da cavidade, assim como e
indicado no esquema abaixo:
Eot2r2
Eot2
Eo
Figura B.1: Amplitude do campo eletromagn

etico transmitido ao passar por uma pelcula de
espessura l em termos do coeficiente de reflecc

ao e transmissao, a menos do fator de fase ei .
ET = Eo t2 + Eo t2 r2 ei + Eo t2 r4 e2i + ...
X
2
= Eo t
(r2 ei )j1
(B.1)
j=1
Esta e uma serie geometrica com razao r2 ei , que por sua vez tende a:
ET =
Eo t2
1 r2 ei
(B.2)
Assim, a intensidade da luz transmitida e dada pelo modulo quadrado do campo.

IT = Io
T2
|1 Rei |2
(B.3)
Este resultado e obtido assumindo r = |r|ei 2 , isto apenas inclui um fator de fase
no coeficiente de reflexao r. Sendo T = |t|2 , R = |r|2 e = + r .
h
i
4Rsen2
O denominador de B.3 pode ser escrito como: |1 Rei |2 = (1 R)2 1 + (1R)22
E a equacao para a intensidade pode ser expressa como:
!
T2
1
IT = Io
(1 R)2 1 + Fsen2 2
89
(B.4)
O termo em parenteses e conhecido como func

ao de Airy e a quantidade
4R
F = (1R)2 e chamada de coeficiente de finesse. Ela e uma medida do quanto sao
estreitas as linhas de interferencia.
O comportamento geral da funcao de Airy em funcao de se caracteriza por possuir
picos de intensidade unitaria e igualmente distanciados de uma vez que o termo 2 e
multiplo deste valor. Se a reflectividade e pequena, as franjas de interferencia sao largas e
indistinguveis; entretanto, se R tende a unidade, isto proporciona picos muito estreitos.
Da condicao 2 = j, sendo j um inteiro positivo, definido como ordem de
interfer
encia, ira definir o intervalo espectral livre (free spectral range) SF :
SF = j+1 j = 2
(B.5)
j+1 = 2kj+1 d cos + r
(B.6a)
j = 2kj d cos + r
(B.6b)
Mas;
Onde k e o vetor de onda.

Portanto, o intervalo espectral livre, em freq
uencia, e dado por:
c
j+1 j =
2nd cos
(B.7)
Tomando um espectro consistindo de duas componentes muito proximas em freq

uencia
0
e centradas em e , que serao analizadas por um interferometro Fabry-Perot. A
distribuicao de intensidade sera uma superposicao das duas franjas que assumiremos
possuir a mesma intensidade. O padrao de franjas e dado pela soma das duas funcoes de
Airy:
!
!
1
1
IT = Io
+ Io
(B.8)
0
1 + Fsen2 2
1 + Fsen2 2
Dessa forma, utilizado do criterio de Taylor para a distincao das duas linhas espectrais,
a intensidade total no ponto da superposicao das duas linhas e dado por:
!
1
I = 2Io
= Io
(B.9a)
0
1 + Fsen2
4
Fsen2
0
=1
4
(B.9b)
Assumindo que as duas linhas espectrais estao muito proximas a ponto de assumirmos
que a quantidade 0 e pequena, obetemos:
1R
0
12
(B.10)
| | = 4F = 2
R
90
E conseq
uentemente, em termos da freq
uencia:
2c 1
c 1R
0
| | = F 2 =
d
d
R
(B.11)
O poder de resolucao RP , de qualquer instrumento espectroscopico e definido como
RP = |
ancia dos espelhos que
0 | = |0 | que pode ser expresso em termos da reflect
constituem a cavidade como:
!
R
(B.12)
RP = j
1R
Da o fator de qualidade pode ser expresso como Q =
1
.
RP
Destes resultados, podemos perceber que um aumento da ordem de interferencia

proporciona um poder de resolucao tao grande quanto se queira. Da relacao j = 2nd
,
pois 2 = j, podemos perceber que quanto maior a separacao entre os espelhos d maior
sera a ordem de interferencia e por sua vez maior sera o intervalo espectral livre, o que
acompanha a tendencia no incremento de RP .
Um bom interferometro deve possuir um alto poder de resolucao, mas uma cavidade
laser deve possuir um alto fator de qualidade, e os dois sao propriedades bem distintas
que caracterizam cada estrutura, segundo sua finalidade. Entretanto, as microcavidades
por possurem dimensoes tao pequenas e espelhos de tao boa qualidade quanto os DBR,
elas podem ser fortes candidatas para a utilizacao em espectroscopia, podendo facilmente
adquirir um poder de resolucao da ordem de 106 , o que e de 10 a 100 vezes superior a
um prisma ou uma pequena rede de difracao. Do ponto de vista da sua utilizacao como
uma cavidade, a grande reflectividade dos espelhos proporciona uma largura de linha da
janela de ressonancia muito estreita, proporcionando um alto fator de qualidade, segundo
0|
a definicao Q = |
.
91
Ap
endice C
Algoritmo para o C
alculo da Reflect
ancia:
As principais equaces utilizadas na simulacao para a reflectancia encontram-se no

captulo 1 desta dissertacao. Abaixo apresentamos o algoritmo utilizado numa linguagem
simples para o software MATLAB v. 6.0.
function Y = DBR(X);
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
%Introducao.
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
disp ( << ESTE PROGRAMA SIMULA ESPELHOS DO TIPO "DBR" PARA PARES
DE GaAs & AlGaAs DEPOSITADOS NUM WAFFER DE GaAs >>);
disp (Produzido por "Eduardo Adriano Cotta" );
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
%Entrada de Parametros
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
X = input(Entre com as espessuras das camadas dieletricas em
nanometros:);
lambR = input(Entre com o comprimento de onda de ressonancia em
angstrons:);
n0 = input(Entre com o indice de refracao do meio em que a amostra
se encontra imersa:);
lam(1) = input(Entre com o comprimento de onda inicial em
angstrons:);
delta = input(Entre com a precisao em angstrons:);
Np = input(Entre com o numero de pontos a serem calculados:);
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
%Calculo da faixa de comprimentos de onda.
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
for b=2 : Np
lam(b) = (lam(b-1) + delta); % Calcula de 3000 at\e 10000
end
% acrescentando pontos cujo intervalo
% determinado por "delta".
lamb = lam*1E-10;
%Transforma os comprimentos de onda em metros.
92
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
%Indice de Refracao
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
for b = 1 : Np
nAlGaAs3(b) = 3.05788 + 20996842.96664/((lam(b))^2 - 3970700.41998) +
6.3991E-10*(lam(b))^2;
nAlAs(b) = 2.8612 + 8221952.80139/((lam(b))^2 - 7029576.03654) (1.5824E-11)*(lam(b))\^2;
nAlGaAs2(b) = 2.99001 + 36363415.91617/((lam(b))^2 + 11083814.87268) +
9.4594E-10*(lam(b))^2;
end
nGaAs(b) = 2.86349 + 79536313.82466/((lam(b))^2 + 42696915.29302) +

1.0148E-9*(lam(b))^2;
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
%Definicoes
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
N = length(X); %Numero de camadas dieletricas.
X = X*1E-9; %Transforma as unidades das espessuras em metros.
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
%Reflectividade
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
for b=1 : Np
% #1
m = [1 0; 0 1];
n = nAlGaAs2;
% Loop que calcula a refletividade do sistema para o
% comprimento de onda lamb(b).
for a=1 : N
% #2
K = (2*pi*n(b))/(lamb(b)); %Calcula o vetor de onda K.
p = [(cos(K*X(a))) -(i*sin(K*X(a))/n(b)); -(i*n(b)*sin(K*X(a)))
(cos(K*X(a)))];
m = m*p;
if n == nAlGaAs2 % Indice de refracao da primeira camada
% dieletrica.
n = nAlAs;
% Indice de refracao da segunda camada
% dieletrica.
else
n = nAlGaAs2; % Indice de refracao da primeira camada
% dieletrica.
end
% Fim "if".
end
% Fim "for" #2.
A = m(1,1); B = m(1,2); C = m(2,1); D = m(2,2);
r=((A*n0)+(B*n0*nGaAs(b))-(C)-(D*nGaAs(b)))/((A*n0)+(B*n0*nGaAs(b))+(C)+(D*nGaAs(b)));
R(b) = r*(r);
end
%Fim "for" \#1.
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
% Producao das imagens graficas.
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
plot(lamb,R,r)
xlabel(Comprimento de Onda (metros))
ylabel(Reflectividade)
title(Reflectividade versus Comprimento de onda incidente num
espelho DBR)
93
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
%Gravacao de dados
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
data = [lamb R];
save a:\reflectance.dat data -ASCII;
94
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encias
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EDUARDO ADRIANO COTTA

ESTUDOS DE EFEITOS ELETRODINAMICOS

Belo Horizonte, MG, BRASIL

Estudo de Efeitos eletrodin

Eduardo Adriano Cotta

Franklin Massami Matinaga

Dissertacao apresentada ao Curso de

Belo Horizonte, MG, Brasil

UNIVERSIDADE FEDERAL DE MINAS GERAIS

EXAMINADORA, ABAIXO ASSINADA, APROVA A DISSERTAC

ESTUDOS DE EFEITOS ELETRODINAMICOS

Prof. Dr. Franklin Massami Matinaga - Orientador

Belo Horizonte, Setembro de 2004.

Aos meus pais Jose Inocencio Cotta e Maria Helena Cotta.

UNIVERSIDADE FEDERAL DE MINAS GERAIS

UNIVERSIDADE FEDERAL DE MINAS GERAIS

Propagacao de ondas eletromagneticas em meios periodicos: . . . . . . . .

Espelhos de alta reflectancia: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

Cavidade formada por espelhos DBR: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Caractersticas do Estado Estacionario: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Largura de Linha Mnima: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Microcavidade Semicondutora em regime de Acoplamento Forte: . . . . . . 47

Acoplamento Forte e Fraco em Sistemas Confinados: . . . . . . . . . . . . 51

Espectros da Emissao e-p: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76

Estudos da Visibilidade da Emiss

A Espelhos DBR Quarter-Wave e Half-Quarter-Wave:

B Microcavidades e Espectroscopia Optica:

Figura esquematica de uma microcavidade tpica contendo um poco quantico

Uma estrutura periodica tpica consistindo em camadas alternadas de AlAs e

Orientacao dos campos para o caso de incidencia obliqua em uma u

Hartmann 2 apresentada na Tabela I. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Curvas de reflectancia para o caso de incidencia normal de um espelho DBR

Curvas de reflectancia para o caso de incidencia normal de uma cavidade formada

Curva teoricamente prevista para o comportamento da largura de linha em

Curva de reflectancia experimental para uma microcavidade interpolada. A

Dinamica de emissao laser para um sistema de tres nveis. . . . . . . . . . . . .

Apresentacao esquematica da amplitude do campo eletromagnetico |E|2 confinado

Potencia do limiar versus fator de acoplamento da emissao espont

O fator de inversao de populac

Esquema para a determinac

As mudancas instantaneas da fase e da intensidade I do campo optico causadas

A largura de linha versus a potencia de bombeio. O parametro de aumento da

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Curva de dispersao para um sistema confinado sob ac

Representacao esquematica da separac

Modelo de um sistema consistindo de N portadores confinados numa cavidade

Comportamento da parte real e imaginaria das func

Curva experimental para a fotoreflectancia da luz branca e para a fotoluminescencia

Funcao transmissao segundo a equac

Curvas de transmitancia para varias defasagens entre o exciton e a cavidade

5.10 Dependencia da posicao dos picos de transmissao para uma microcavidade em

Figura esquematica da amostra crescida pela tecnica de MBE pela empresa

detalhe, podemos identificar as caractersticas da camada espacadora. . . . . . .

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Comportamento da reflectancia da luz branca em func

Ajuste das curvas de reflectancia atraves do modelo apresentado no captulo 5.

Os crculos cheios correspondem aos dados experimentais e a linha cheia foi

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Em (a) temos uma superposicao dos espectros da emissao e-p e em (b) o

Curva de I/O para um angulo incidente de 3.2o com excitac

Curvas da visibilidade da luz emitida pela microcavidade para 6.8o em relac

A.1 Curvas de reflectancia para o caso de incidencia normal de um espelho DBR

B.1 Amplitude do campo eletromagnetico transmitido ao passar por uma pelcula

SQW - Single Quantum Well. Poco Quantico Unico.