2.

CURVAS CARACTERISTICAS y MONTAJES FUNDAMENTALES

DEL TRANSISTOR
GENERALIDADES
Los parmetros que afectan al funcionamiento del transistor son cuatro: lB,
VBE, le Y VCE, de los cuales dos estn ligados entre s, concretamente los que
forman el circuito de entrada: la y VB. Dichos parmetros se han representado
grficamente en la figura 2-1, correspondiente al circuito bsico del transistor.

(
+

Ventrada

Vi

V~
d

Para representar en un plano, en un sistema de dos coordenadas, los valores de las tres magnitudes del transistor, es necesario
mantener una de ellas constante, pues si variasen las tres. nicamente podran representarse en el espacio con un sistema de tres
coordenadas.

Para lograr varios puntos de las curvas que

continuacin se analizan es
preciso conectar el transistor de forma que se puedan alterar las polarizaciones
de base y de colector, al mismo tiempo que se miden las corrientes que pasan
por dichos electrodos. Aunque los fabricantes de semiconductores y los manuales de caractersticas proporcionan las curvas de funcionamiento
de cada
modelo, en la figura 2-2 se presenta un circuito elemental con el que se podrn
obtener puntos de dichas curvas, que, al carecer el transistor de resistencia de
carga, sern del tipo esttico.

Las curvas obtenidas con estos criterios no son las dinmicas de trabajo real
del transistor, pues estn sacadas sin colocar ninguna carga, pero servirn para
determinarlas posteriormente.
.
.

[11]~

CURVA

IB/VBE PARA VCE CONSTANTE

Relaciona la intensidad lB, que circula por la entrada del transistor, con la
tensin que se aplica en el mismo circuito, VBE, para una tensin constante
entre colector y emisor. En realidad estas dos magnitudes que relacionan la
curva son proporcionales, pues forman el circuito de una unin N-P polarizada
directamente. Por este motivo, tanto los valores de VBE como los de le son muy
bajos (figura 2-3) .

CURVA

Ic/VBE

PARA VCE CONSTANTE

Sirve para relacionar la intensidad de salida del transistor con 19tensin que
se aplica a su entrada, manteniendo constante la polarizacin de colector. Esta
curva se ha utilizado en la leccin precedente para calcular el valor de la amplificacin, lo cual es una incorreccin puesto que, en la realidad, al existir una
resistencia de carga VCEvara al hacerlo Ic.
En la figura 2-4 se muestra la forma tpica de esta curva, en la que se
observa que con variaciones pequeas de la tensin de entrada VeE se consiguen incrementos importantes- en la intensidad de salida le.
'"
le (mAl
20
15

1O

CURVAS

Ic/VCE

-Son, sin duda, las ms utilizadas para la-determinacin de los puntos de trabajo del transistor y sirven para relacionar la intensidad y la tensin del circuito
de salida, manteniendo constante lB en un caso o VBE en el otro, dando lugar a
las dos variantes de este tipo de curvas que se presentan en la figura 2-5, para
un transistor de Ge, puesto que en los de Si la VSEoscila sobre los 0,6 V.
Como la construccin de estas curvas es totalmente terica, y en la prctica
se precisan datos de comportamiento real, existen cuatro parmetros universales que lo definen:

IC(mA}

'cImA)

's ==

VBE == O'3V

100tA

15
V

lB == 50"A

:: 0'2 V

BE

lB == 20"A

BE

:: 0'1 V

O
2

10 VCE

10

VCE

Resistencia dinmica de entrada con salida en corto, VCE = cte.

..:l VSE
r=H11=--..:lIBE

Relacin entre la tensin de salida

Conductancia

y la de entrada,

con lB = cte.

de salida, con VSE = cte,

Relacin entre la corriente de salida y la de entrada, con, V CE = cte.

En muchas ocasiones el -coniunto de las curvas caractersticas

mencionado suele venir en un solo grfico, como el indicado en la
figura 2-6, en el que se ha colocado un punto A que se refleja en
los cuatro cuadrantes. De esta forma se determinan los cuatro
parmetros que definen el comportamiento del transistor en ese
punto.
El punto A queda definido al interpretar su posicin en los cuatro cuadrantes, con los siguientes parmetros que marcan el funcionamiento del transistor
en dicho puntos:
PUNTO A:

lB

= 50

.A;

le = 5 mA;

VCE = 5 V;

VBE

= 0,21

V.

'CImA)

10
I

"" lOO"A

'B "" 50ltA

'B "" Op.A

VCE

'B
10V

:5V

100jlA

I
I
I

,,
I,
,
,I

'B =OjlA

lB = 25jlA

'B =50}<A

'A

's

= 100jlA

VBJ

MONTAJES FUNDAMENTALES CON TRANSISTORES

El transistor, igual que la vlvula, tiene tres formas de trabajo diferentes,
segn el conexionado de sus electrodos. Generalmente, uno de los electrodos
ser el de entrada; otro, el de salida y, el tercero, el comn para los dos anterio>
res. El circuito ms utilizado es el que se ha estado analizando hasta ahora, en
el que la base era el electrodo de entrada, el colector el de salida y el emisor el
comn, que suele mandarse a tierra, por lo que este circuito recibe el nombre
de emisor comn. Hay otro circuito en el que la base es el electrodo comn y un
tercero en que lo es el colector, existiendo bastantes diferencias entre las caractersticas de los tres.

MONTAJE DE EMISOR COMUN

Como ya se ha dicho, este montaje es el ms utilizado y se caracteriza por
ser el emisor el electrodo comn y la base y el colector, respectivamente, los
electrodos de entrada y salida.
El montaje de emisor comn con transistor PNP, en Iuqar del NPN, mostrado en la figura 2-7 es similar, con la 'nica variante de que las polarizaciones
directa e inversa, Vd y Vi, son contrarias a las-que se muestran en dicha figura.

;4'

V CE = Vsalida

Ventrada

POLARIZACION
FIJA

MONTAJE

DE BASE COMUN

En este caso el electrodo comn del transistor respecto al de entrada y al de

salida es la base. La seal de entrada se aplica al emisor y la de salida al colector. La figura 2-8 presenta el circuito de un transistor PNP con base a masa.
En este montaje la tensin y la intensidad de entrada son VSEe lE, mientras
que las de salida son Vsc e le. Como se explic anteriormente, en el caso de ser
un transistor NPN, lo nico que cambian son las polaridades de las pilas de '"
alimentacin. En este montaje las seales de entrada y salida estn en fase.

E
Vsalida
Ventrada

l,

('

BASE COMUN

(/5J

----~--------------------~-~-----------~-~-----~~----

MONTAJE DE COLECTOR COMUN

En este tipo de montaje el electrodo comn, con el de entrada y el de salida,
es el colector, siendo la base el de entrada y el emisor el de salida. La seal de
salida est en fase con la de entrada. La figura 2-9 presenta el circuito clsico
de colector comn con un transistor NPN.

Vsalda

vEC

Ventrada

Vd

-1
+

+
COLECTOR

CARACTERISTICAS
FUNDAMENTALES

Vi

COMUN

DE LOS TRES MONTAJES.

A) Impedancia de entrada: Es la resistencia interna que presenta el transistor a la seal de entrada y viene determinada por la frmula siguiente, que se
aplica al caso particular del circuito de emisor comn.
..

D.

v.;

ZE=---

D.

'ent

Como quiera que la polarizacin entre base y emisor es directa, el valor de la

impedancia de entrada de este montaje es bajo y comprendido entre los 10 Y los
10.000 . Se recomienda estudiar el cuadro de los valores tpicos de las magnitudes fundamentales que se ofrece al final del captulo.
.
B) Impedancia de salida: Es la resistencia interna del transistor entre sus
terminales de salida. Para el caso del circuito de emisor comn, la frmula que
sirve para hallar su valor es la siguiente:
.6.V
sal
Z =--s

D.

'sal

e) Amplificacin de corriente: Es el cociente entre la intensidad de salida y

la de entrada, Que en el caso del circuito de emisor comn se obtiene de la
siguiente forma:
~Ic

---

(3=

~IB

D) Amplificacin de tensin: Es el cociente entre el incremento de la tensin

de salida y el correspondiente a la entrada.

~ Vsal

~v.:
E) Amplificacin de potencia: Es el cociente entre la potencia de la seal de
salida y la de entrada.
~Wsal

~ Went

En la siguiente tabla aparecen los valores tpicos de estas magnitudes caractersticas para los tres tipos de montajes.
Del. anlisis de las diferencias entre las caractersticas
se deducen sus posibilidades v aplicaciones.

de los tres montajes

.t).

II VSE

--

= 10-10.000
lila

l> VCE

--=

10K-looK

l>le
A le

fJ = --

= 100-1.000

a Vec
--=
ale

'

aWe
--=1.000-10.000

aws

-II VES

l>WE

50-500

""

= 10-100
ala

.~

= 500-5.000

>?

lIWe

--

eNCE

--=
AIE),j
AlE

II Ve.

=100-1.000

ec

7'=--

A lE

AVeE

-l> VeE

SOOK-1M

Ale
",=--<1

Al.

--=lOOK-1M
Ale

=10-100

=100-1.000

,
aWE
--=

10-100

:'Wa

Dado que el montaje de emisor comn rene las caractersticas

medias ms aceptables, tanto en amplificacin de corriente como
de tensin. la potencia que se logra es mxima. as como tambin
es muy interesante el mnimo desnivel entre las impedancias de
entrada y salida que facilita los acopios entre etapas. Por todo ello
ste es el circuito ms usado. El montaje de base comn tiene una
aplicacin especial en circuitos que amplifican frecuencias elevadas; el de coiector comn se emplea frecuentemente como adaptador de impedancias. puesto que su impedancia de entrada es
muy elevada comparada con la de salida.

[I-t]