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02 de Setembro de 2014
Sumrio
Objetivos;
Introduo: Efeito Hall;
Procedimento Experimental;
Materiais Utilizados;
Descrio Experimental;
Resultados e Discusses;
Germnio p e Germnio n;
Concluso;
Bibliografia.
Franklin, Humberto, Karen UFG-IF
Objetivos
Neste experimento, tivemos por objetivos, analisar o Efeito Hall em
uma placa de semicondutor de Germnio do tipo p e outra do tipo n.
A partir da anlise dos dados foi possvel determinar o tipo, que est
relacionado ao tipo de portador de carga, se so buracos ou
eltrons, como tambm a concentrao destes portadores, a
mobilidade, a condutividade e o coeficiente Hall.
Os valores que obtivemos, aferidos em uma sala temperatura
ambiente, foram comparados com os valores informados pelo
fabricante do aparato experimental utilizado.
e para os buracos:
em que:
Dessa igualdade:
tiramos que
de notar que:
.
e
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Procedimento Experimental:
Materiais Utilizados
Para o desenvolvimento da dinmica experimental
usamos o seguinte esquema:
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Procedimento Experimental:
Descrio do Experimento
Fonte de corrente
semicondutor:
d.c.
para
conectar
ao
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Resultados e Discusses
Germnio p e Germnio n
Ge-p
Ge-n
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Resultados e Discusses
Germnio p e Germnio n
Ge-p
Ge-n
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Resultados e Discusses
Germnio p e Germnio n
Ge-p
Ge-n
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Resultados e Discusses
Germnio p e Germnio n
Ge-p
Ge-n
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Concluso
Germnio tipo p:
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Concluso
Germnio tipo n:
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Bibliografia
CARVALHO Jesiel Freitas, SANTANA Ricardo Costa, Apostila de Laboratrio
de Fsica Moderna - Roteiro dos experimentos, 2014.
R. Eisberg, R. Resnick, Fsica Quntica, Ed. Campus, Rio de Janeiro, 1979.
Laurence Hall Van Vlack, Princpios da cincia e tecnologia de materiais
Elsevier, 29 Reimpresso, Rio de Janeiro, 1984.
D. Halliday, R. Resnick, J. Walker, Fundamentos da Fsica, Volume 4, LTC, 8
ED., Rio de Janeiro, 2008.
Callister, Jr., William D., Fundamentos da Cincia e Engenharia de Materiais:
Uma Abordagem Integrada, LTC, 2 ED., Rio de Janeiro, 2006.
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