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1 INTRODUCCIN
En el presente informe se mostrar el desarrollo
terico para el convertidor cuk. A partir de ste se
adentrar en la seleccin de los componentes necesarios
para la construccin del pcb, tambin se indagar por las
caractersticas de cada integrado que se selecciona con
el propsito de cumplir a cabalidad con las
especificaciones que van saliendo a partir del anlisis
terico.
1.1 OBJETIVOS:
-
+ 0
(1)
Computador personal.
Altium software
.
0= 2 0
(2)
=
1=
=(
1 (1 )
(4)
1
1
+
=
=
1
=
(1 )
1
(1 )
2
(5)
( 6)
(1 ) =
1
1
1
1
=(
(1 )
(1 )
)(1 )
1(1 )
.
en el presente informe; suponiendo que el diodo esta
encendido y el mosfet se encuentra inactivo (abierto) y
viceversa, y a partir de estos casos se analiza que ocurre
con el voltaje en las inductancias y en el condensador
(c1), aquel que acompaa a la inductancia L1.
Se tienen en cuenta las siguientes especificaciones
preliminares:
= 80
: 29 18
= 24
= 100
A partir del rizado en la inductancia L1, se procede a
calcular el valor de la misma:
1=
1=
1=
1
1
1 0.2
1=
80
= 2.75
29
1
100
1=
1
100
29 0.45
2.75 0.2
1 = 237
Es necesario resaltar que para este clculo se cumple a
cabalidad con la condicin de usar el voltaje de entrada
mximo (vin max) y el ciclo til mnimo y viceversa, ya que
son magnitudes inversamente proporcionales. Esta
relacin se extrae a partir de la funcin de transferencia
.
= 0.57
1 )
2
24
29 + 28
=
= 0.45
1=
Esta razn sale a partir del anlisis para la inductancia L2,
a continuacin se realiza el despeje para encontrar el
valor de la inductancia:
(1 ) / 2
2=
80
24
= 3.33
1=
/ 1
1 = 0.05
Se sabe que:
24
29 + 24
24(1 0,45)
100 0.66
2 = 198
1=
1=
3.33 0.57
1/
0.05 (
+ )
1 = 9.04
+
24
18 + 24
.
= 2
2=
1
2
2
2
2
=
(3.33) 0.2
8 100
(0.01
= 346
1+
= 6.6738
1=
+ (
As:
2=
=
2
= 1+ 2
= 2.75 0.2 + 3.33 0.2 = 1.2
80
18
1 = 4.44
Se sabe que:
= 3.33
= 7.77
Por tanto Para la eleccin del diodo resulta necesario
buscar uno que soporte una corriente mayor a 7.77 A, en
la parte de eleccin de componentes se profundizar ms
en esto.
.
en el periodo de conduccin y conmutacin por mnimas
que sean.
= 28.0503 = 29 (
As para t-on :
=
As para t-off:
=
ELECCIN DE COMPONENTES
Capacitor de entrada (C1):
= 29 7 144 100 + 29 7 60
100 + 7 0.0049
= 4.3813
Para el anterior clculo se tuvieron en cuenta los
siguientes parmetros:
= 60
= 0.0049
= 144
= 60
Se profundizar en los anteriores en la parte de eleccin
de componentes, pero por lo pronto se puede decir que
se busc un mosfet con un tiempo de conmutacin corto
(conmutacin rpida) y un slew rate alto, teniendo en
cuenta que el periodo de muestreo de nuestro sistema es
de 10 s.
.
Se puede evidenciar que para un valor de 10 F
aproximadamente, el voltaje de operacin es de
50 voltios y la referencia a utilizar es la que
aparece en negrilla.
Anexo 1 (se ver ms claramente).
Dimensiones:
VDS = 60 VOLTIOS
VGS = Tpicamente de 20 o -20 voltios.
Dimensiones:
Anexo 8 tiempos de swicheo
.
Graficas importantes asociadas al mosfet
seleccionado
Anexo 15
.
100 W, ya que la potencia de entrada de nuestro circuito
es de 80 w.
El tipo de ncleo es: EC34
Donde:
=
=
=
Anexo 17 temperatura del case
=
Se pretende manejar el ncleo en la regin de no
saturacin, por tanto el flujo deseado se escoge entre
300 y 100
De esta manera:
= 300 100 = 200
Extrayendo el flujo de la grfica de especificacin del
material.
80
18
= 4.44
Tomando de esta manera la corriente de entrada mxima
para el clculo del nmero de vueltas necesario para L1:
248 4.44
200
84.3
= 66
= 3.33
198 3.33
200
84.3
= 39.14 = 40
24
3.33
= 7.2
10
.
Corriente de la inductancia L1 :
Corriente en la inductancia 1
Corriente en la inductancia 2
Anlisis: Se puede evidenciar que la corriente en la
inductancia L2 tiene un valor muy similar al de la corriente
que viaja por la inductancia L1, y el rizado en esta
inductancia efectivamente resulta ser muy pequeo, pues
oscila desde un valor de -4.77A hasta -4.8 A.
Voltave en la inductancia 2
Anlisis: El voltaje en la inductancia L2 se mantiene entre
24 y -24 voltios aproximadamente. Esto tiene mucha
coherencia pues durante el periodo de tiempo DT es
positivo y corresponde al voltaje de entrada (vin), durante
el periodo de tiempo (1-D) T es negativo y corresponde al
voltaje de entrada (vin) en el semi-ciclo negativo. Cabe
resaltar que se est trabajando con un ciclo til del 50 por
ciento, por tanto se escogi el voltaje de entrada de 24
voltios que correspondera al promedio entre los dos
valores posibles de entrada (29 voltios y 18 voltios).
11
Divisor resistivo:
30 10
40
=6
12
.
Circuito Inversor:
13
.
Con
1
=
1
-
+
=
Anexo 33
Anlisis: se puede observar que existe una
pequea diferencia entre el tiempo referido a la
entrada del driver y el referido a la salida del
mismo, este constituye el tiempo de delay en la
respuesta.
SIMULACIN PARA EL LAZO CERRADO:
Anexo 32: comparador de la onda triangulo con la
salida del PI
El circuito comparador (onda triangulo) se encarga de
comparar la salida del bloque PI con la seal triangular
que va de 0 a 1 y a partir de esta comparacin se logra
tener el ciclo til deseado para la posterior fabricacin del
driver.
Driver para el mosfet:
14
15
caractersticas
de
los
integrados
AD8031 :
-
Alta velocidad
Slew rate de 30 v/s
Rate to rate en entrada y salida
Baja distorsin
Corriente de salida de 15 mA
Diodo zener 1N5233B
16
.
PCB:
Anexo 44 PCB
4. CONCLUSIONES
-
5. REFERENCIAS
-
17
.
ANEXOS
ANEXO 1
18
ANEXO 6
19
20
ANEXO 11 (tiempos de subida, de bajada y ancho de pulso garantizando un tiempo de conmutacin rpido)
21
ANEXO 14
ANEXO 15
22
23
24
25
26
ANEXO 31 Ccontrolador PI
27
ANEXO 33
28
.
ANEXO 35 voltaje en el condensador 1
29
30
ANEXO 44 PCB
31
32