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UNIVERSIDADE TECNOLGICA FEDERAL DO PARAN

CAMPUS PATO BRANCO


CURSO DE ENGENHARIA ELTRICA

ERIC BERNARD DILGER


'

RELATRIO REFERENTE AS PRATCAS DE ELETRNICA


TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

PATO BRANCO
2014

CAPTULO 1 JFET POLARIZADO POR DIVISOR DE TENSO NA PORTA


1. Introduo
Este relatrio trata-se de uma atividade prtica de Eletrnica A, realizada no perodo letivo
2014/1. Aqui ser estudado o funcionamento do transistor de efeito de campo de juno (JFET),
quando o circuito polarizado por divisor de tenso na porta.
2. Objetivos
2.1. Geral Polarizar e verificar o funcionamento do JFET.
2.2. Especficos Determinar os valores das resistncias para o ponto de operao localizado no
meio da curva de transferncia.
3. Materiais Utilizados

Fonte CC;
Multmetro Digital;
JFET BF245B;
Protoboard;
Fios condutores;
Resistores;

4. Fundamentao Terica
A Figura 1 mostra um circuito com polarizao por divisor de tenso. Este processo
consiste em usar a autopolarizao com VGS constante.

Figura 1 Polarizao por divisor de tenso

A tenso VG em RG2 e a tenso em RS, impem VGS na porta do JFET, sendo que VG deve
ser menor que VRS para garantir a polarizao reversa entre porta e fonte (MARQUES).

Quando a tenso na porta for maior ela pode encobrir as variaes de VGS de um JFET para
o prximo. Idealmente, a corrente no dreno igual a tenso na porta dividida pela resistncia da
fonte. Como resultado, a corrente no dreno quase constante para qualquer JFET (MALVINO,
2007).
Quanto maior VG, mais horizontal a linha de polarizao, porm a um limite para o valor
mximo de VG a ser atingido. Portanto, embora seja uma grande melhora, a polarizao por divisor
de tenso menos eficiente com os JFETs do que com os bipolares (MALVINO, 1986).
Como a corrente no dreno praticamente zero, so vlidas as seguintes equaes:
V G=

RG2
V
(RG1+RG2 ) DD

RS =

R D=

(V G V GSQ )
I DQ

(V DDV DSQ )
RS
I DQ

5. Procedimentos
Adotando o RG2 = 10K, VG = 0,5V, VDD = 25V, VDDSQ = 15V, VGSQ = -1V o resistor
RG1 pode ser calculado como:
RG1=RG2

(V DDV G )
VG

Por seguir calculam-se as resistncias RS e RD. Sabendo o valor de todas as resistncias


necessrias, foram adotadas as dentre as disponveis comercialmente que apresentavam valores
mais prximos. Aps simular o circuito, utilizando o multmetro realizam-se os testes de
funcionamento nos componentes e regulagem da fonte. Aps isso o circuito montado e so feitas
as medidas de tenso e corrente.
6. Resultados e discusso
A Tabela 1 mostra os valores calculados para cara resistncia, bem como os valores adotados
comercialmente:
Resistncias

RG1()

RG2()*

RS ()

RD ()

Calculado

490K

10K

1K5

8K5

Adotado

470K

10K

1K5

8K2

Tabela 2 Valores das resistncias


*Valor determinado inicialmente

A Figura 2 ilustra o circuito fsico pronto, no qual foram efetuadas as medidas de corrente e
tenso. Estes valores tambm foram simulados no Multisim. A Tabela 2 apresenta ambos os valores
encontrados:

Figura 2 Circuito fsico

Valores

VSG (mV)

VDS (mV)

VDG (mV)

ID (mA)

IS (mA)

IG (mA)

Medido

5,4

784,5

780,0

2,571

2,221

0,294

Simulado

852,186

157,812

693,375

1,251

1,252

0,0

Tabela 2 Valores obtidos

Os valores simulados e medidos apresentam uma divergncia grande. Nota-se que ao incio
da prtica, foram calculados os valores para o JFET BF245A, porm ao implementar o circuito, no
estava disponvel nenhum deste modelo, sendo substituido pelo JFET BF245B. A Figura 3 mostra
as curvas de transferncia de ambos os dispositivos:

Figura 3 Curvas de transferncia BF245B e BF245A

Comparado aos processos de polarizao anteriores (autopolarizao e VGS constante), a


variao do ponto quiescente devido as tolerncias do JFET corresponde a uma variao ainda
menor de IDQ (MARQUES).
Pode-se notar que as correntes obtidas so praticamente o dobro, como sugere a Figura 3.
Alm disso, ocorreram diversas variaes devido as situaes precrias dos dispositivos disponveis
para a prtica.

7. Concluso
Ao fim deste relatrio, foi possvel verificar o funcionamento de um circuito polarizador por
divisor de tenso para um JFET da famlia BF245, bem como a importncia de dimensionar
corretamente os resistores, uma vez que neste tipo de circuito uma pequena variao na corrente de
dreno, provoca grandes variaes no ponto quiescente.
8. Referncias
MARQUES, Angelo B.; CRUZ, Eduardo A.; CHOUERI JNIOR, Salomo.
Dispositivos Semicondutores: Diodos e Transistores - Estude e Use. 12 ed. So
Paulo: rica. 408 p.
MALVINO, Albert Paul. Eletrnica, Volume 1- McGrall-Hill. So Paulo, 1986.
MALVINO, Albert.; BATES, David J. Eletrnica: Volume 1 7. ed. - Porto
Alegre: AMGH, 2007.
NXP Semiconductors. Product specification.

CAPTULO 2 MOSFET COMO CHAVE DC


1. Introduo
Este relatrio aborda o funcionamento do MOSFET como chave, no qual se desenvolve uma
atividade prtica realizada no perodo 2014/1, referente a matria de Eletrnica A. Um circuito ser
implementado para acionar um rel utilizando um MOSFET.
2. Objetivos
2.1. Geral Verificar o funcionamento do MOSFET IRF510;
2.2. Especficos Polarizar o circuito de forma que o MOSFET de acumulao atue como chave;

3. Material Utilizado

MOSFET IRF 510;


Protoboard;
Fonte CC;
Resistor;
Rel;
Diodo 1N4007;
Multmetro
Fios para conexo;

4. Fundamentao Terica
Embora o MOSFET-E possa ser polarizado na regio ativa, isso quase no feito, pois ele
preliminarmente um dispositivo de chaveamento. A tenso tpica de entrada baixa ou alta. Uma
tenso baixa de 0 V e uma tenso alta de V GS(lig), um valor especificado pelas folhas de dados
(MALVINO, 2007).
Se VE=VGS=0 V, o transistor corta, pois VGS<VT e, portanto VS=VDS=VDD. Se
V=VGS=VDD, para um valor adequado de RD, o transistor satura e, portanto, VS=VD(sat)=0 V
(MARQUES).
5. Procedimentos
A resistncia do rel pode ser medida utilizando um multmetro. Sabe-se que sero
necessrios 6 Volts para alimentar o circuito, desta forma possvel determinar a corrente de dreno.
Alm disso pode-se adotar uma resistncia qualquer, desde que seja suficientemente grande para
que a corrente sobre ela seja praticamente nula. O diodo serve como proteo de corrente reversa,
uma vez que no existem valores significativos de corrente e tenso, pode se optar pelo 1N4007.
Aps determinar o materiais a serem utilizados, devem ser realizados os testes de
funcionamento de cada item. Por seguir o circuito pode ser simulado, e ento ter sua montagem
fsica realizada. J com o circuito em funcionamento, verifica-se a corrente de dreno, como ilustra a
Figura 1.

Figura 1 Medinda de corrente de dreno

6. Resultado e discusses
Aps os testes em simulao e realizada a montagem do circuito fsico, foi verificado o
funcionamento de ambos os circuitos. O MOSFET IRF 510 operou como esperado, acionando o
rel quando a chave est aberta. Alm disso a corrente de dreno medida I Dmed =71,40 mA est
prxima da simulada I Dsim =75,01 mA .
7. Concluses
Ao fim deste relatrio foi possvel compreender como funciona um IRF 510 operando como
chave. Alm disso, tambm foi possvel verificar como funciona um rel, bem como compreender a
importncia destes dispositivos para as mais diversas aplicaes.
8. Referncias
MARQUES, Angelo B.; CRUZ, Eduardo A.; CHOUERI JNIOR, Salomo.
Dispositivos Semicondutores: Diodos e Transistores - Estude e Use. 12 ed. So
Paulo: rica. 408 p.
MALVINO, Albert.; BATES, David J. Eletrnica: Volume 1 7. ed. - Porto
Alegre: AMGH, 2007.
Small-Signal Field Transistor. Philips: Book SC07, 1994.
Power Products Data Book. USA: Texas Instruments, 1990.