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ELETRNICA I

Prof. Edison Puig Maldonado

Referncias
Bsica:
1.

Sedra, Adel S.; Smith, Kenneth C.; Microeletrnica ; 5 Edio; Editora:


Prentice Hall Brasil (2007)

2.

Adel S. Sedra, Laboratory Explorations for Microelectronic Circuits, 5 Ed.,


Oxford University Press (2007)

3.

Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky, Dispositivos Eletrnicos e Teoria


de Circuitos , 8 Ed., Prentice Hall Brasil (2004)

Eletrnica I

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Referncias
Complementar:
4. Sergio Rezende, Materiais e Dispositivos Eletrnicos, Livraria da
Fsica (2004)
5. Olival Freira Jr., Rodolfo Alves de Carvalho Neto, Universo dos
Quanta: uma Breve Histria da Fsica Moderna, FTD (1997)
6. Albert Paul Malvino, Eletrnica, v.1 e v.2, 4 Ed., Makron (1997)

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Referncias

Outras publicaes, vdeos e sites:


# MIT OpenCourseWare - Microelectronic Devices and Circuits (2005)
http://ocw.mit.edu/OcwWeb/Electrical-Engineering-and-Computer-Science/6-012Fall-2005/CourseHome/index.htm

Paul Horowitz, Winfield Hill, The Art of Electronics, 2 Ed., Cambridge Univ.
Press (1989)
Microelectronic Circuits - Today's Technology. Tomorrow's Engineers.
(http://www.sedrasmith.org)
SPICE 3 User's Manual
(http://newton.ex.ac.uk/teaching/CDHW/Electronics2/userguide/)
Play-Hookey (http://www.play-hookey.com/)

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Semicondutores

Estrutura e Propriedades de
Materiais Tecnolgicos (estado slido)

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Estrutura da Matria & Natureza da Luz

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Estrutura da Matria & Natureza da Luz

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Funes de Onda
As partculas so descritas como ondas Probabilidades
As funes de onda de um eltron
em um tomo de hidrognio
possuindo
energias
fixas
(crescendo para baixo, na figura,
n=1,2,3,...) e momento angular
definido (crescendo para: s, p,
d,...).
Regies mais claras representam
regies com maior probabilidade
para uma medida da posio do
eltron. O momento angular e a
energia so quantizados, ou seja,
podem apenar apresentar valores
definidos, como os mostrados.

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Estrutura da Matria & Natureza da Luz

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A Mecnica Quntica
DEF.: a parte da fsica que estuda o comportamento
dos sistemas pequenos (efeitos qunticos so relevantes
em escalas de at 1000 tomos).

Dualidade onda-partcula.
As partculas so tambm ondas,
e vice-versa"

=h/p

Quantizao da energia

E = nh

Princpio da incerteza

x p

/2

Princpio da excluso
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Slidos
Estado da matria onde tomos/molculas esto relativamente prximos.
Uma parte de seus eltrons se sobrepem !

Ligao

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Tipos de slidos

materiais cristalinos

materiais amorfos

metais

vidros

semicondutores

polmeros

cristais

cermicas

sais
diamante

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etc.

etc.
carvo

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Exemplo: Carbono

Formas alotrpicas do
carbono:
a) Diamante
b) Grafite
c) Lonsdaleta (meteoritos)
d) Fulereno (C60)
e) C540
f) C70
g) Amorfo (carvo)
h) Nanotubo

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Deslocamento dos nveis


Bandas de Energia
Quando tomos formam ligaes, os eltrons se movem mais prximos.
Para evitar violao do Princpio da Excluso de Pauli, que ocorreria quando
eltrons com a mesma energia, etc., ocupam a mesma regio do espao,
os nveis de energia se deslocam levemente.
Dois tomos

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Seis tomos

Slido de N tomos

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Bandas e intervalos
Bandas de Energia

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Bandas e nveis

Molecular-orbital energies corresponding to delocalization of valence electrons over increasing numbers of Li


atoms. A 1-mg sample of Li would contain nearly 1020 atoms. The corresponding orbital energies are so closely
spaced that they constitute essentially continuous bands.
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Bandas e nveis
Bandas de Energia
Banda de conduo : banda de energia na qual
os eltrons devem ser promovidos para contribuir
com a conduo eltrica.

band
gap

Banda de valncia : banda de energia contendo


aqueles eltrons no localizados
que so
compartilhados e contribuem para as ligaes.
Eltron localizado : est em um estado associado
com um tomo especfico (camadas internas
blindadas).

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Condutividade eltrica
As bandas de energia e os gaps entre elas determinam a condutividade e outras propriedades dos slidos.
E

conduo
valncia

valncia

valncia

metais

conduo

conduo valncia

conduo

ou

> 4 eV

metais e semimetais

condutores

semicondutores

isolantes

Nos metais a banda de valncia geralmente apenas parcialmente preenchida com eltrons.
Nos semimetais, h uma pequena sobreposio entre a banda de conduo e a de valncia (mas tm menos portadores que os metais).
Nos isolantes a banda de valncia est cheia (no h estados disponveis) e a energia do gap muito maior que as energias trmicas tpicas.
Nos semicondutores o gap pequeno e alguns eltrons da banda de valncia saltam para a banda de conduo com a energia trmica.
Em semicondutores naturais (ou intrnsecos), a condutividade no causada apenas pelos eltrons que pularam para a banda de conduo, mas
tambm pelos buracos (tambm chamados lacunas) que eles deixaram na banda de valncia. Um eltron vizinho a um buraco pode passar para
ench-lo, deixando um buraco no local que acaba de vir. Os buracos so como partculas positivamente carregadas que se movem.
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Condutividade eltrica
[ 1/ m]
poliestireno
tecidos biolgicos
polietileno

concreto (seco)
mica

SiO2

NaCl

grafite
Si dopado

porcelana
quartzo

10 -20

madeira
seca

borracha

vidro

10 -16

10 -14

10 -12

10 -10

isolantes

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10 -8

Fe

10 -6

Ag
Cu

Ge
GaAs

10 -18

Mn

Si

10 -4

10 -2

10 0

semicondutores
"intrnsecos"

102

10 4

semicondutores
"extrnsecos"

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10 6

10 8

condutores

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Dopagem

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Dopagem
Efeitos de adio de impurezas

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Tipo N

Semicondutor tipo N

A adio de impurezas pentavalentes tais como o antimnio, arsnico ou


fsforo contribui com eltrons livres, aumentando a condutividade do
semicondutor intrnseco.

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Tipo P

Semicondutor tipo P

A adio de impurezas trivalentes tais como o boro, o alumnio ou o glio a


um semicondutor intrnseco cria deficincias de eltrons de valncia,
chamadas buracos".

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Juno P-N

Essa distribuio de cargas cria uma barreira a qual se


opor difuso de mais portadores

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O diodo de juno
anodo

catodo

Polarizao Direta
A largura da regio de depleo
diminuir.
Corrente flui !

Polarizao reversa
A largura da regio de
depleo aumentar.
O potencial do campo
eltrico interno bloqueia o
fluxo de corrente!

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O diodo de juno

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Diodo caractersticas eltricas

Caractersticas eltricas dos diodos de juno

operao reversa

v nV T

IS = corrente de saturao
(10-15A @ ambiente)
VT = tenso trmica 25mV
n =1
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ruptura

escala i
expandida

escala v
comprimida

Regio direta:
i =I S e

operao
direta

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Diodo caractersticas eltricas

Caractersticas eltricas dos diodos de juno

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Diodo caractersticas eltricas

Regio direta:

Current-Voltage
characteristics of a
silicon diode under
forward bias

http://ece-www.colorado.edu/~bart/book/book/chapter4/ch4_4.htm
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Diodo caractersticas eltricas

Regio reversa:
Microdiodo (CI)

Incio da regio reversa:


i =I S e

v / nV T

IS = corrente de saturao
(10-15A @ ambiente)
VT = tenso trmica 25mV
n =1
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Diodo caractersticas eltricas


Anlise de circuitos. Exemplo:

I D I S . e
I D=

V D / nV T

V DD V D
R

Incgnitas: ID , VD
Mtodos numricos???
Anlise grfica?
Silcio: ~ 0,7 V

diodo

Q (ponto quiescente)
reta de carga

Germnio: ~ 0,2 V

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Diodo - modelos
Anlise de circuitos.
Modelo simplificado do diodo (segmentos lineares):

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Diodo - modelos
Anlise de circuitos.
Se v >> 0,7V :

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Diodo - modelo de pequenos sinais

Modelo de circuito com diodo,


para pequenos sinais.

vD(t) = VD + vd(t)
iD(t) = IS exp[(VD + vd)/(nVT)]
= IS exp[(VD )/(nVT)] . exp[(vd)/(nVT)]
= ID exp[(vd)/(nVT)]
ID [1 + (vd)/(nVT)] = ID + id
Corrente dinmica: id = ID vd / (nVT)
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Resistncia dinmica: rd = nVT / ID


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Diodo - modelo de pequenos sinais

Uso como regulador de tenso


no modo direto (exemplo)
Assumindo cada diodo com 0,7 V:
I = (10 2,1) / 1000 = 7,9 mA

Resistncia dinmica de cada diodo:


rd = nVT / I = 2. 25mV / 7,9 mA = 6,3

Para variaes na tenso (supondo 10%):


v0 = (2 volts) [3rd / (3rd + R)] = 37,1 mV

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Diodo Zener
Diodo Zener
Diodo Zener um tipo de diodo especialmente projetado para trabalhar na regio de
ruptura de tenso reversa da juno PN. (ver tambm: diodo avalanche)
Aplicaes comuns: estabilizao de tensao; proteo contra picos
O diodo Zener difere do diodo convencional pelo fato de receber uma dopagem (tipo N ou P) maior, o que
provoca a aproximao da curva na regio de avalanche ao eixo vertical. Isto reduz consideravelmente a
tenso de ruptura e evidencia o efeito Zener que mais notvel tenses relativamente baixas (~ 5,5V).
Cada diodo Zener possui uma tenso de Zener especfica como, por exemplo, 5,1 V, 6,3 V, 9,1V, 12V e 24V.
A tenso de ruptura pode ser controlada de forma muito precisa pelo processo de dopagem. Tolerncias na
faixa de 0.05% so disponveis, mais a maioria das tolerncias entre 5% e 10%.

Corrente mxima admissvel: o valor indicado o da potncia.


Por exemplo, existem diodos Zener de 400 mW, 1W etc.
O diodo Zener se encontra normalmente associado com uma resistncia
em srie, destinada a limitar a corrente a um valor admissvel.

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Diodo Zener
Operao na regio reversa, na zona de ruptura.
In silicon diodes up to about
5.6 volts, the Zener effect is
the predominant effect and
shows a marked negative
temperature coefficient.
Above 5.6 volts, the
avalanche effect becomes
predominant and exhibits a
positive temperature
coefficient.
The breakdown voltage can
be controlled quite
accurately in the doping
process. Tolerances to
within 0.05% are available
though the most widely used
tolerances are 5% and 10%.

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Outros diodos
Varicap
Varicap, diodo varicap ou capacitor varivel, um tipo de
diodo que apresenta uma capacitncia bastante varivel, a
qual funo da tenso qual ele submetido.
A espessura da regio de depleo aumenta com o aumento da polarizao inversa e ela quase no conduz
(como um dieltrico), funcionando como um capacitor cuja capacitncia varia de acordo com a tenso.
Sintonia de circuitos a principal aplicao. So tambm usados em amplificadores paramtricos,
osciladores paramtricos e osciladores controlados por tenso (como parte de malhas de captura de fase e
sintetizadores de freqncias).

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Outros diodos
Diodo PIN
Um diodo PIN (Positive Intrinsic Negative diode) um diodo com uma regio
no-dopada (intrnsica) de semicondutor entre as regies do tipo P e N.
A regio larga intrnseca faz o diodo PIN um retificador inferior, mas o torna mais
adequado para uso como atenuador, chave rpida (de RF) e fotodetetor.
Quando diretamente polarizado, buracos e eltrons so injetados na camada intrnseca i e suas
cargas no se anulam de imediato, possibilitando a conduo. Na polarizao nula ou inversa, no
h carga armazenada e o diodo se comporta como um capacitor em paralelo com uma resistncia.

Com tenso contnua ou de baixa freqncia, o diodo PIN tem comportamento


prximo do diodo de juno PN.
Em altas freqncias, age como um resistor varivel (de 0,1 a 10 k).

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Outros diodos
Diodo Schottky
Diodo Schottky um tipo de diodo que utiliza o efeito Schottky
(juno metal-semicondutor especial).
Nesse caso, no h regio de depleo no metal.
Apresenta baixa resistncia, baixa queda de tenso direta ( ~0,2V) e ao de chaveamento rpida ( ~1ns).
Aplicaes tpicas incluem proteo contra descarga em clulas solares conectadas a baterias e em
fontes de alimentao chaveadas.

Since 2001 another important invention was presented by Siemens Semiconductor (now Infineon): a silicon carbide Schottky
diode. SiC Schottky diodes have about 40 times lower reverse leakage current compared to silicon schottky diodes and are
available in 300V and 600V variants. As of 2007 a new 1200 volt 7.5A variant is sold as 2x2mm chip for power inverter
manufacturers.
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EDA

Electronic design automation

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EDA
Electronic design automation (EDA) a categoria de ferramentas para projeto e produo de
sistemas eletrnicos, desde circuitos impressos (printed circuit boards - PCBs) a circuitos
integrados (ICs). s vezes tambm denominada como ECAD (electronic computer-aided
design) ou apenas CAD.

Seu uso teve origem no IEEE Design Automation Technical Committee.


1975 - SPICE - Simulated Program with Integrated Circuits Emphasis - Faculdade de Engenharia Eltrica e
Computao da Universidade da Califrnia (Berkeley). Software pblico, com verses comerciais.
1986 - Verilog - high-level design language (hardware description language) by Gateway (hoje Cadence)
1987 - VHDL - specification language (U.S. Department of Defense).

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SPICE
SPICE (Simulation Program with Integrated Circuits Emphasis) um software de simulao de
circuitos analgicos. uma poderosa ferramenta usada para testar e prever o comportamento
de circuitos contendo componentes discretos ou integrados.
O software foi desenvolvido no ano de 1975 pelos pesquisadores Larry Nagle e Donald Petterson nos
laboratrios de pesquisas sobre eletrnica da Faculdade de Engenharia Eltrica e Cincias da Computao da
Universidade da Califrnia, campus de Berkeley. um software de domnio pblico.
Algumas verses comerciais mantm compatibilidade com a verso de Berkeley, mas outras adicionaram
extenses. As verses mais recentes incluram interfaces grficas.

NI Multisim National Instruments

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PSpice MicroSim / Cadence

LTspice Linear Technology

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SPICE
Para que o SPICE possa realizar a simulao, o usurio deve entrar os seguintes dados:
1. Entrada da decrio do circuito: feita na forma de uma srie de declaraes em
arquivo texto (arquivo fonte) ou graficamente, via construo do circuito atravs de um
programa de captura de esquemas.
2. Especificao das anlises: os tipos de anlises, por exemplo, cc, pequenos sinais,
transiente, etc.
3. Especificao dos resultados: o tipo de resultado que se deseja, por exemplo,
tabelas, grficos, de quais valores e de quais componentes.

Arquivo de descrio: SPICE input file (*.cir)

Exemplo.
Spice As A Curve Tracer:
Diode I -V Characteristics

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** Circuit Description **
VD 1 0 DC 700mV
Dtest 1 0 1mA_diode
* diode model statement
.model 1mA_diode D (Is=100pA n=1.679)
** Analysis Requests **
* vary diode voltage and measure diode anode current
.DC VD 0V 800mV 10mV
** Output Requests **
.plot DC I(VD)
.probe
.end
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SPICE

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SPICE
SPICE Source Files
The SPICE-3 source is a text file comprising various types of lines each terminated by a new line character:
1. Title line: the first line of the file will be printed, but otherwise ignored.
2. Element lines: describe the components and how they are connected into a network.
3. Comment lines: start with a and are ignored by SPICE.
4. Continuation lines: lines starting with a '+' are continuations of the statement on the preceding line.
5. Control lines: tell SPICE what type(s) of analysis; to perform on the circuit and how results are to be displayed.
6. Final line: must be .end

Title Line
The title line must be the first in the input file. Its contents are printed verbatim as the heading for each section of output.

.END Line
The "End" line must always be the last in the input file. Note that the period is an integral part of the name.

Comments
The asterisk in the first column indicates that this line is a comment line. Comment lines may be placed anywhere in the
circuit description. Note that SPICE3 also considers any line with leading white space to be a comment.

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SPICE

EXEMPLOS

Linear :
Voltage-Controlled Current Sources
Voltage-Controlled Voltage Sources
Current-Controlled Current Sources
Current-Controlled Voltage Sources

Nome deve comear com a letra especfica, e deve conter de 1 a 8 caracteres.


N+ e N- so os ns (o terra deve estar presente e deve ser o n 0)
VALOR em unidades do SI.
Number fields may be integers or floating-point numbers.
A floating-point number can be followed by an integer exponent or one of the following scale factors:
T = 1012, G = 109, Meg = 106, K = 103, mil = 25.4x10-6, m = 10-3, u = 10-6, n = 10-9, p = 10-12, f = 10-15
Spice is not case-sensitive, so both scale-factors 'M' and 'm' mean 'milli'; use 'MEG' to represent 'mega'.
Letters following a number that are not scale factors are ignored, and letters following a scale factor are ignored .

NC+ e NC- so os ns aos quais a tenso de controle est ligada.


VNOM a fonte de tenso atravs da qual a corrente de controle flui.
QUAL um conjunto de atributos da fonte (cc, transientes, amplitudes, fase, etc.).
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SPICE
Descrever um dispositivo semicondutor para o SPICE
exige uma declarao de elemento e uma de modelo.

EXEMPLOS

A declarao inicia com o nome do dispositivo (1 letra indica o tipo)


Para um diodo, N+ o n do anodo e N- o n do catodo.
Para um transistor bipolar de juno, NC, NB, NE e <NS> so os ns de circuito aos quais se ligam o
coletor, a base, o emissor e o substrato.
Para um MOSFET, ND, NG, NS e NB so os ns aos quais se ligam o dreno, a porta, a fonte e o substrato.
MNOME indica o nome do modelo a ser usado.
<AREA> um fator de escala de rea (dipositivos em paralelo).
L e W indicam o comprimento e a largura do canal MOSFET, em metros.

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SPICE

EXEMPLOS

Especificando as anlises.

EXEMPLOS

Especificando os resultados.

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O modelo de diodo do SPICE


O modelo de diodo do SPICE.
O SPICE inclui um modelo interno para o diodo (modelo de grandes sinais).
RS = resistncia parasita.
iD

= comportamento esttico

CD = capacitor no-linear (comportamento dinmico) :


capacitncia de difuso + capacitncia de juno.

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ma
s
no :
do desc
r
dio
do eve b
e
na
reg m a o
i o
p
de era
r up
o
tur
a.

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SPICE
SUBCIRCUITS
A subcircuit consists of SPICE elements that can be defined and referenced in a fashion
similar to device models. The subcircuit is defined in the input file by a grouping of element
lines; the program then automatically inserts the group of elements wherever the subcircuit
is referenced. There is no limit on the size or complexity of subcircuits, and subcircuits may
contain other subcircuits.
.SUBCKT line, general form:
.SUBCKT subnam N1 <N2 N3 ...>
ENDS line, general form:
.ENDS <SUBNAM>
Subcircuit calls, general form:
XYYYYYYY N1 <N2 N3 ...> SUBNAM
Subcircuits are used in SPICE by specifying pseudo-elements beginning with the letter X,
followed by the circuit nodes to be used in expanding the subcircuit.

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Modelando diodo zener no SPICE

Equivalent-circuit model used to simulate the zener diode in SPICE. Diode D1 is ideal
and can be approximated in SPICE by using a very small value for n (say n = 0.01).

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Circuitos com diodos

Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky, Dispositivos Eletronicos e Teoria de Circuitos, (2004)


CAPTULO 2: Aplicaes de Diodos
Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith, Microeletrnica, (2000)
CAPTULO 3, tpicos 3.4 em diante
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Retificao de meia-onda

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54

Retificao de meia-onda

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55

Retificao de onda completa

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Retificao de onda completa

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Detector de pico

Figure 3.28 (a) A simple circuit used to illustrate the effect of a filter capacitor. (b) Input and output
waveforms assuming an ideal diode. Note that the circuit provides a dc voltage equal to the peak of
the input sine wave. The circuit is therefore known as a peak rectifier or a peak detector.

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Detector de pico

Figure 3.29 Voltage and current waveforms in the peak rectifier circuit with CR @ T. The diode is
assumed ideal.
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59

Fonte
Adaptador de energia, domstico (comum)

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Fonte regulada

Block diagram of a dc power supply

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Fonte regulada
Projeto de uma fonte regulada

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62

Fonte

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(sem transformador)

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Circuitos limitadores

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Restaurador DC

Figure 3.36 The clamped capacitor or dc restorer with a square-wave input and no load.

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Dobrador de tenso

Figure 3.38 Voltage doubler: (a) circuit; (b) waveform of the voltage across D1.

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Dobrador de tenso

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Multiplicador de tenso

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68

Lgica a diodo

Figure 3.5 Diode logic gates: (a) OR gate; (b) AND gate (in a positive-logic system).

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Transistor bipolar de juno

1947:Bell Labs
John Bardeen, Walter
Houser Brattain, e William
Bradford Shockley
receberam o prmio Nobel
de fsica em 1956.

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Transistor bipolar de juno


http://www.porticus.org/bell/belllabs_transistor.html

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Transistor bipolar de juno

Variando-se a corrente entre a base e o emissor, com um sinal, pode-se variar


o fluxo de corrente entre o emissor e um terceiro terminal, o coletor, causando
por exemplo a amplificao do sinal nesse terminal.
Transistores de juno bipolar podem ser pensados como fontes controladas.

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Transistor bipolar de juno

iE iC

iC

iB << iC

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Transistor bipolar de juno

NPN :

Modos de operao :

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Modo

EBJ

CBJ

Corte

Reversa

Reversa

Ativo

Direta

Reversa

Ativo reverso

Reversa

Direta

Saturao

Direta

Direta

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Transistor NPN
Modo ativo
Modelo de
primeira ordem.

levemente dopado
fortemente dopado

Corrente no coletor:

iC = iB

iC = iE = IS exp(vBE /VT) iE
onde: = [ /( +1)],

(n 1)

= 100 a 200, tipicamente.

A corrente do coletor , em princpio, independente do valor da tenso


do coletor, VCB , enquanto a juno coletor-base permanecer
polarizada reversamente.
No modo ativo: coletor fonte de corrente dependente.
Profiles of minority-carrier concentrations in the base and in the emitter of an npn transistor operating in the active mode: vBE > 0 and vCB 0.
Eletrnica I

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Transistor NPN
Modelo de circuito equivalente (modo ativo)

Large-signal equivalent-circuit models of the npn BJT operating in the forward active mode. OBS: F

Eletrnica I

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76

Transistor bipolar de juno


Bipolar transistors have five distinct regions of operation, defined mostly by applied bias:
1. Forward-active (or simply, active): The emitter-base junction is forward biased and the base-collector
junction is reverse biased. The collector-emitter current is approximately proportional to the base
current, but many times larger, for small base current variations.
2. Reverse-active (or inverse-active or inverted): By reversing the biasing conditions of the forward-active
region, a bipolar transistor goes into reverse-active mode. In this mode, the emitter and collector regions
switch roles. Since most BJTs are designed to maximize current gain in forward-active mode, the f in
inverted mode is several (2 - 3 for the ordinary germanium transistor) times smaller. This transistor
mode is seldom used, usually being considered only for failsafe conditions and some types of bipolar
logic. The reverse bias breakdown voltage to the base may be an order of magnitude lower in this
region.
3. Saturation: With both junctions forward-biased, a BJT is in saturation mode and facilitates high current
conduction from the emitter to the collector. This mode corresponds to a logical "on", or a closed switch.
4. Cutoff: In cutoff, biasing conditions opposite of saturation (both junctions reverse biased) are present.
There is very little current flow, which corresponds to a logical "off", or an open switch.
5. Avalanche breakdown region
While these regions are well defined for sufficiently large applied voltage, they overlap somewhat for small
(less than a few hundred millivolts) biases.
Eletrnica I

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Transistor NPN
Modelo de circuito equivalente (modo ativo reverso)

Model for the npn transistor when operated in the reverse active
mode (i.e., with the CBJ forward biased and the EBJ reverse biased).
Eletrnica I

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78

Transistor bipolar de juno


Estrutura de transistores reais

Eletrnica I

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79

Transistor PNP

Current flow in a pnp transistor biased to operate in the active mode.

Eletrnica I

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80

Transistor PNP

Large-signal model for the pnp transistor operating in the active mode.

Eletrnica I

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81

Transistor bipolar de juno


Smbolos e convenes

Eletrnica I

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Transistor bipolar de juno


Exemplo :

Eletrnica I

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BJT Curvas caractersticas


Caractersticas eltricas

The iC vBE characteristic for an npn transistor.

Eletrnica I

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BJT Curvas caractersticas


Caractersticas eltricas

Effect of temperature on the iC vBE characteristic.


At a constant emitter current (broken line), vBE changes by 2 mV/C.
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BJT Curvas caractersticas


Caractersticas eltricas

The iC vCB characteristics of an npn transistor.

Eletrnica I

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BJT Efeito Early


Caractersticas eltricas
1. A dependncia de iC com vBE a conhecida: iC = IS exp(vBE /VT)
2. A dependncia de iC com vCB praticamente nenhuma, sendo que iC = iE
3. A dependncia de iC com vCE o conhecido efeito Early:

iC = IS exp(vBE /VT) (1 + vCE /VA)


onde, VA 50 a 100 V

Eletrnica I

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87

BJT como amplificador


O transistor como amplificador

Condies de polarizao cc :

Corrente de coletor e transcondutncia :

Eletrnica I

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88

BJT como amplificador


O transistor como amplificador

Eletrnica I

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89

BJT como amplificador

Resistncia de entrada da base

Relao entre a resistncia de entrada na base


e a resistncia de entrada do emissor :
Eletrnica I

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90

BJT como amplificador

Graphical determination of the signal components vbe, ib, ic, and vce when a signal component vi is
superimposed on the dc voltage VBB
Eletrnica I

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91

BJT Modelos para pequenos sinais


Modelos para pequenos sinais: Modelo -hbrido

Two slightly different versions of the simplified hybrid- model for the small-signal operation of the BJT. The
equivalent circuit in (a) represents the BJT as a voltage-controlled current source (a transconductance amplifier), and
that in (b) represents the BJT as a current-controlled current source (a current amplifier).
Eletrnica I

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92

BJT Modelos para pequenos sinais


Modelos para pequenos sinais: Modelo T

Two slightly different versions of what is known as the T model of the BJT. The circuit in (a) is a voltage-controlled
current source representation and that in (b) is a current-controlled current source representation. These models
explicitly show the emitter resistance re .
Eletrnica I

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93

BJT Modelos para pequenos sinais

Eletrnica I

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94

BJT Modelos para pequenos sinais


Modelo -hbrido com efeito Early

r0 = VA / IC , onde IC a corrente cc do coletor. Tambm, v = vbe

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BJT

Esquemas bsicos de polarizao

POLARIZAO:

usando uma fonte de alimentao simples :

Thvenin

Tambm, para que IE fique insensvel s variaes de temperatura:

Eletrnica I

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96

BJT

Esquemas bsicos de polarizao

POLARIZAO:

usando duas fontes de alimentao (flexvel e eficaz) :

Biasing the BJT using two power supplies. Resistor RB is needed only if the signal is to be coupled to the base.
Otherwise, the base can be connected directly to ground, or to a grounded signal source, resulting in almost total independence of the bias current.
Eletrnica I

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BJT

Esquemas bsicos de polarizao

POLARIZAO:

arranjo alternativo, com resistor de retorno (simples e eficaz) :

(apropriado para amplificadores na configurao emissor comum)

A common-emitter transistor amplifier biased by a feedback resistor RB.

Eletrnica I

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98

BJT

Esquemas bsicos de polarizao

Polarizao por fonte de corrente

(a) A BJT biased using a constant-current source I.

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99

BJT Modelo para grandes sinais


Modelo de Ebers-Moll

Descreve o TBJ em qualquer modo de operao.


a base do modelo do TBJ usado no SPICE.
Modelo para baixas freqncias.
i DE =I SE e

v BE / V T

i DC = I SC e

v BC / V T

sendo que,

ISC 2 ISE a 50 ISE

F ISE = R ISC = IS
OBS:

F = alfa direto ; R = alfa reverso

The Ebers-Moll (EM) model of the npn transistor.

Eletrnica I

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100

BJT SPICE

O modelo do SPICE para TBJ

The SPICE large-signal Ebers-Moll model for an npn BJT.


Eletrnica I

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101

BJT SPICE
O modelo
do SPICE
para o BJT

Eletrnica I

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102

Design de amplificadores BJT: Emissor Comum

Amplificador BJT emissor comum


Amplificadores BJT de emissor comum tm geralmente um ganho alto.

Obs.:
Obs.:vvbebe==vvsig
sig
Tenso
Tensode
desinal
sinalno
nocoletor:
coletor:

vvc ==-R
-Rc cicic==-R
-Rc cggmmvvbebe
c
Ganho
Ganhode
detenso:
tenso:

AAv ==vvc //vvbe ==--ggm RRc


v
c
be
m c

Eletrnica I

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103

Design de amplificadores BJT: Emissor Comum

Amplificador BJT emissor comum


Obs.: no exemplo, suponha a fonte de sinal com resistncia srie igual a 4 k

Amplificadores BJT de emissor comum tm geralmente um ganho alto.


Instabilidade um problema associado a circuitos de alto
ganho, devido a realimentaes positivas que possam ocorrer.
Outro problema a pequena faixa dinmica de entrada (pelo
limite de pequeno-sinal, vbe < 10mV) leva a distores!!
Obs.: uma maneira comum de atenuar estes problemas o
uso de feedback negativo, principalmente na forma de
degenerescncia do emissor (prximo slide).

Eletrnica I

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104

Design de amplificadores BJT: Emissor Comum

Amplificador BJT emissor comum degenerado


Amplificadores BJT de emissor comum tm geralmente um ganho alto.
Uma maneira comum de atenuar os problemas de
instabilidade de alto ganho e pequena faixa dinmica de
entrada o uso de degenerescncia do emissor .
Degenerescncia
Degenerescnciado
doemissor:
emissor:(R
(Re1e10)
0)
(surgir
)
(surgirum
umnovo
novovalor
valorde
detenso
tensovvbebevvsig
sig)

vvbe ==vvsig --ici RRe1 ==vvsig --ggm vvbe RRe1


be
sig
c e1
sig
m be e1
vvsig ==vvbe (1
+ gm Re1 )
sig
be (1 + gm Re1 )

(feedback
(feedbacknegativo)
negativo)

(obs.:
(obs.:ggmm==icic/ /vvbebe==IICC/ /V
VTT) )

AAnova
novatranscondutncia
transcondutnciaefetiva
efetivaser:
ser:

ggm* ==ici / /vvsig


m*
c
sig

ggm* ==ici / /vvbe (1(1++ggm RRe1 ) )==ggm / /(1(1++ggm RRe1 ) )


m*
c
be
m e1
m
m e1
Novo
Novoganho
ganhoem
emtenso:
tenso: A
Avv==--ggmmRRc c/ /(1(1++ggmmRRe1e1) )-R
-Rc c/ /RRe1e1
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105

Design de amplificadores BJT: Base Comum

Amplificador BJT base comum


Obs.: no exemplo, suponha a fonte de sinal com resistncia srie igual a 4 k

Este arranjo utilizado menos que as outras configuraes (em


circuitos de baixa frequncia), porm comumente utilizado para
amplificadores que requerem uma baixa impedncia de entrada.
Como por exemplo temos o pr-amplificador de microfones com
bobina mvel.

Eletrnica I

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106

Design de amplificadores BJT: Coletor Comum

Amplificador BJT coletor comum (seguidor de emissor)


Obs.: no exemplo, suponha a fonte de sinal com resistncia srie igual a 4 k

O circuito coletor comum possui um ganho de tenso muito


prximo da unidade, significando que os sinais em CA que so
inseridos na entrada sero replicados quase igualmente na sada,
assumindo que a carga de sada no apresente dificuldades para
ser controlada pelo transistor.
O circuito possui um ganho de corrente tpico que depende em
grande parte do hFE (ou parmetro ) do transistor.

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107

Design de amplificadores BJT: Darlington

Par Darlington
Na eletrnica, o transistor Darlington um dispositivo semicondutor
que combina dois transstores bipolares no mesmo encapsulamento (as
vezes chamado par Darlington).
A configurao (originalmente realizada com dois transistores
separados) foi inventada pelo engenheiro Sidney Darlington dos
Laboratorios Bell.
Esta configurao serve para que o dispositivo seja capaz de
proporcionar um grande ganho de corrente (hFE ou parmetro do
transistor)
Um dispositivo tpico tem um ganho de corrente de 1000 ou superior. Comparado a um
transistor comum, a tenso base-emissor tambm maior: consiste da soma das tenses
base-emisor, e para transistores de silicio superior a 1,2V.

Darlington pairs are available as integrated packages or can be made from two discrete
transistors.

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108

Design de amplificadores BJT: Cascata & Cascode

Amplificador cascode
(combina emissor comum e base comum)

No exemplo, suponha a fonte de sinal com resistncia srie igual a 4 k


The cascode arrangement offers high gain, high stability, and
high input impedance.

Amplificador cascata

coletor comum emissor comum

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109

Transistor de efeito de campo


O transistor de efeito de campo (TEC ou FET)
de grande importncia tecnolgica atualmente.

Enquanto nos transistores bipolares o sinal


de sada controlado por uma corrente de
entrada, nos FETs ele controlado por uma
tenso de entrada.
So fceis de produzir, usam menos silcio,
consomem praticamente nenhuma corrente.
Apresentam entretanto menor produto ganhobanda passante que nos BJT.

1960 : Dawon Kahng and Martin Atalla at Bell Labs


A conceptually similar structure was proposed and patented independently by Julius Edgar Lilienfeld (1930) and Oskar
Heil (1935), but was not successfully demonstrated until 1960.
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110

Transistor de efeito de campo

Eletrnica I

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111

Transistor de efeito de campo


EXEMPLO 1:

JFET

o tipo mais simples de FET.

regies de depleo

Entre S e D, o semicondutor tipo-N age como um resistor.


O fluxo de corrente consiste de portadores majoritrios (eltrons).
Modulando-se a tenso em G, modula-se a corrente no dispositivo.
Como a juno G polarizada reversamente, e como nenhum portador
minoritrio contribui para o fluxo de corrente no dispositivo, a impedncia
de entrada extremamente alta (mega-ohms).

EXEMPLO 2:

IGFET

o tipo mais usado de FET.

O transistor FET de porta isolada (IGFET) difere do JFET pela adio de


uma camada de material dieltrico sob a entrada G.
O resultado um dispositivo com impedncia de entrada ainda maior.
Dispositivos usualmente empregando essa estratgia so os MOSFETs
(metal oxide - field effect transistors).
Eles atingem impedncias de entrada da ordem de 1015 ohms.
Eletrnica I

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112

Transistor de efeito de campo


Diferente do transistor de juno bipolar,
o transistor de efeito de campo um dispositivo de alta impedncia.
(a tecnologia de semicondutores para a construo dos FETs s aparece no incio dos anos 50)
Alguns tipos principais de FETs :

Eletrnica I

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113

FET

IB = -1 IS exp(vBE /VT)
99% dos ICs so feitos de FETs

Qual seria a corrente total de entrada, consumida se nossos


atuais chips, com ~109 transistores, fossem implementados com
BJTs ? (assumindo uso simultneo de 100% destes)

MESFET and JFET


applications

Eletrnica I

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114

JFET
JFET = junction FET (juno PN)

smbolos:

estrutura geral (exemplo):


regies de depleo

dreno
(drain)

fonte

canal n

(source)
p

VGS
+

porta (gate)
+

VDS

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115

JFET
ATENO: Correntes diretas
acima de 10mA podem
queimar o JFET !

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116

MESFET

Eletrnica I

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117

JFET
JFET : curvas caractersticas
regio linear

regio de saturao

ruptura

Veja tambm:
animao N-channel JFET
http://wwwg.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/lin
earcircuits/jfet.html

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118

JFET
JFET : curvas caractersticas

vDS
-vGS

configurao-base:

Eletrnica I

fonte comum

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119

JFET
Common Source JFET Amplifier

A configurao mais
freqentemente encontrada para
um amplificador JFET o circuito
de fonte comum.
A fonte comum (apenas) para
(o sinal de) a entrada e a sada,
como mostrado no diagrama,
pois a polarizao realizada
usando-se apenas uma fonte de
tenso (VDD).
Nesse circuito, valem as
expresses da pgina anterior.

Eletrnica I

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120

JFET
Exemplo: amplificador JFET (fonte comum)
VG = 0
VS =ID RS = 1000 ID

VGS = -ID

JFET 2N5486 VP -4,2 V

; (ID em mA)

RD
Rout

; Assim: VDS VGS + |VP| .

JFET 2N5486 (fonte comum) IDSS 45 mA

Assim: ID = IDSS [ 1 + VGS / |VP| ]2 = 45 [ 1 - ID / 4,2 ]2 3,1 mA


Ou seja, na regio de saturao: RCanal 1 k

RS

Transcondutncia:
gm = 2(IDSS / |VP|).[ 1 + VGS / |VP| ]
= 21,5.[0,262] 5,6 mA / V
Sinal: vm = 100 mV
id = 5,6 . 0,1 = 0,56
mA
Efeito em VD :
vd = 2k . 0,56m = 1,12 V
Ganho em tenso ~1,12 / 0,1 = 11,2
Eletrnica I

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121

MOSFET
Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET)
O MOSFET um tipo de transistor de efeito de campo
de porta isolada (IGFET).
Quando uma tenso aplicada entre o gate e o
substrato (ou o source), o campo eltrico gerado cria um
canal de inverso no semicondutor abaixo.
O canal de inverso do mesmo tipo que source e
drain, provendo um duto pelo qual a corrente pode
passar. Variando-se a tenso entre gate e o substrato,
modula-se a condutividade desta camada e torna-se
possvel controlar o fluxo de corrente entre drain e
source.
The "metal oxide" in MOS comes from the first devices that used a
metal gate over oxide (silicon dioxide). Subsequently, poly-crystalline
silicon was used for the gate, but MOS was never renamed.
Usually the semiconductor of choice is silicon, but some chip manufacturers, most notably IBM, have begun to use a mixture
of silicon and germanium (SiGe) in MOSFET channels. Unfortunately, many semiconductors with better electrical properties
than silicon, such as gallium arsenide, do not form good gate oxides and thus are not suitable for MOSFETs.
Eletrnica I

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122

MOSFET
Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET)
by far the most common field-effect transistor in both digital and analog circuits.
O MOSFET pode ser do tipo depleo ou do tipo enriquecimento.

NMOS depleo

NMOS
enriquecimento

(canal fisicamente
implantado)
B

S, B

S, B
Eletrnica I

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123

NMOS tipo enriquecimento


o mais usado !

Physical structure of the enhancement-type NMOS transistor: (a) perspective view; (b) cross-section. Typically
L = 0.1 to 3 mm, W = 0.2 to 100 mm, and the thickness of the oxide layer (tox) is in the range of 2 to 50 nm.

Eletrnica I

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124

NMOS tipo enriquecimento

Tenso de limiar: Vt 1 a 3 V

The enhancement-type NMOS transistor with a positive voltage applied to the gate. An n channel is induced at
the top of the substrate beneath the gate.

Eletrnica I

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125

NMOS tipo enriquecimento

The iDvDS characteristics of the considered MOSFET when the voltage applied between drain and source, vDS,
is kept small. The device operates as a linear resistor whose value is controlled by vGS.
Eletrnica I

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126

NMOS tipo enriquecimento

Operation of the enhancement NMOS transistor


as vDS is increased. The induced channel
acquires a tapered shape, and its resistance
increases as vDS is increased. Here, vGS is kept
constant at a value > Vt .

The drain current iD versus the drain-to-source voltage vDS for an enhancement-type NMOS transistor operated with vGS > Vt.

Eletrnica I

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127

NMOS tipo enriquecimento

Na regio de triodo:
2

i D =K [ 2 v GS V t v DS v DS ]
Na regio de saturao (aproximado):

i D K v GS V t
onde:

1
W
K = n C OX
2
L
Sendo:
n = mobilidade de eltrons no canal (cm2 / V s)

kn = nCOX = parmetro de

COX = capacitncia por unidade de rea (porta-canal)

transcondutncia do processo

L o comprimento do canal e W sua largura.


Eletrnica I

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128

NMOS tipo enriquecimento


O MOSFET um dispositivo simtrico.
Designa-se um terminal como fonte e outro como dreno por convenincia.
G

Modelo equivalente
na regio de saturao:

Efeito de corpo:

V t =V t0 [ 2 f V SB 2 f ]

smbolo simplificado para o


NMOS com substrato
conectado fonte

onde: 0,5 V1/2 e f 0,6 V

temperatura: Vt diminui cerca de 2 mV para cada C


k diminui com a temperatura (efeito dominante)
assim, iD diminui com a temperatura.
Eletrnica I

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129

NMOS tipo enriquecimento

Modulao do comprimento do canal:


O ponto de estrangulamento do canal se move do dreno para a fonte, com o aumento de vDS.
Assim:

i D =K v GS V t 2 1 v DS

Effect of vDS on iD in the saturation region. The MOSFET


parameter VA depends on the process technology and, for a
given process, is proportional to the channel length L.
Efeito similar ao Early
0,005 a 0,03 V-1
VA 30 a 200 V

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130

NMOS tipo enriquecimento

Large-signal equivalent circuit model of the n-channel MOSFET in saturation, incorporating the output resistance ro = VA / ID.
The output resistance models the linear dependence of iD on vDS .

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131

PMOS tipo enriquecimento

Positive Channel Metal Oxide Semiconductor


O MOSFET tipo enriquecimento canal p (PMOS) fabricado sobre um substrato tipo n com regies p+
para o dreno e a fonte, e nesse caso as lacunas so os portadores de carga.
O dispositivo opera do mesmo modo que o NMOS, exceto que as tenses vGS e vDS so negativas, e a
tenso de limiar Vt negativa regio de saturao: vDS vGS - Vt
S

Alm disso, a corrente iD entra pelo terminal da fonte e sai pelo terminal do dreno.
OBS:

NMOS em geral menor, opera mais rpido e requer menor tenso de alimentao.

D
S, B

D
S, B

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132

NMOS x PMOS

Eletrnica I

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133

MOSFET como amplificador

transcondutncia

bias

;
small signal

Conceptual circuit utilized to study the operation


of the MOSFET as a small-signal amplifier.

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134

MOSFET como amplificador

Conceptual circuit utilized to study the operation


of the MOSFET as a small-signal amplifier.

Eletrnica I

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135

MOSFET como amplificador

Small signal:

Ganho em tenso:

OBS :

VD > VGS Vt
vD < VDD

(saturao)
(linearidade)

Conceptual circuit utilized to study the operation


of the MOSFET as a small-signal amplifier.

Eletrnica I

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136

MOSFET como amplificador

Small-signal models for the MOSFET: (a) neglecting the dependence of iD on vDS in saturation (the channel-length
modulation effect); and (b) including the effect of channel-length modulation, modeled by output resistance ro = |VA|
/ID.

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137

MOSFET como amplificador

Modelo com o efeito de corpo

Small-signal equivalent-circuit model of a MOSFET in which the source is not connected to the body.

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138

MOSFET como amplificador

Modelo T

Development of the T equivalent-circuit model for the MOSFET. For simplicity, ro has been omitted but can be added
between D and S in the T model of (d).

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139

Polarizao de amplificadores MOS

Biasing using a fixed voltage at the gate, VG, and a resistance in the source lead, RS: (a) basic arrangement; (b) reduced
variability in ID; (c) practical implementation using a single supply; (d) coupling of a signal source to the gate using a
capacitor CC1; (e) practical implementation using two supplies.
Eletrnica I

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140

Polarizao de amplificadores MOS


Exemplo:
1. O circuito da figura ao lado deve apresentar uma corrente de dreno de 0,5 mA.
O MOSFET tem Vt = 1,0 V e K = 0,5 mA / V2. Assuma = 0 V-1.
2. Calcule tambm a mudana percentual em ID se Vt mudar para 1,5 V
Escolha das tenses em RD, NMOS e RS : de VDD para cada um.
VD = 10 V, ID = 0,5 mA RD = 10 k ; VS = 5 V, IS = 0,5 mA RS = 10 k
Valor de VG :

ID = K (VGS Vt )2

0,5 = 0,5 (VGS Vt )2 (VGS Vt )2 = 1


Assim, VGS = 2 V ; como VS = 5 V VG = 7 V
Para que VG = 7 V, podemos escolher : RG1 = 8 M e RG2 = 7 M

Se Vt mudar para 1,5 V, teremos uma mudana em ID e por sua vez uma mudana em VGS .
ID = 0,5 (VGS 1,5) 2 e 7 = VGS + 10 ID

Eletrnica I

ID = 0,445 mA

(mudana de 9%)

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141

Polarizao de amplificadores MOS

(efeito estabilizador)

Biasing the MOSFET using a large drain-to-gate feedback resistance, RG.


Eletrnica I

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142

Polarizao de amplificadores MOS

Fonte comum

Eletrnica I

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143

Polarizao de amplificadores MOS


Fonte comum com resistncia de fonte

Eletrnica I

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144

Polarizao de amplificadores MOS

Porta comum

Eletrnica I

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145

MOSFET tipo depleo

(a) Circuit symbol for the n-channel depletion-type MOSFET. (b) Simplified circuit symbol applicable for the case the
substrate (B) is connected to the source (S).
Eletrnica I

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146

MOSFET tipo depleo


(b)

(a)

The current-voltage characteristics of a depletion-type n-channel MOSFET for which Vt = 4 V and kn(W/L) = 2 mA/V2:
(a) the iDvGS characteristic in saturation ; (b) the iDvDS characteristics.
Eletrnica I

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147

MOSFET tipo depleo

Sketches of the iDvGS characteristics for MOSFETs of enhancement and depletion types, of both polarities (operating
in saturation). Note that the characteristic curves intersect the vGS axis at Vt. Also note that for generality somewhat
different values of |Vt| are shown for n-channel and p-channel devices.

Eletrnica I

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148

MOSFET x BJT
MOSFETs x BJTs
Se ID 1 mA , kn 20 A / V2 , W / L 1 a 100 :

MOSFET:
gm 0,2 mA / V a 2 mA / V
BJT:

para IC 1 mA , gm 40 mA / V

Analog:
The bipolar junction transistor (BJT) has traditionally been the analog designer's transistor of choice.
Advantages of MOSFETs : low thermal runaway; linear region; can be formed into capacitors and inductors
(complete analog circuits to be made on a silicon chip in a much smaller space).
Fabrication processes exist that incorporate BJTs and MOSFETs into a single device, these mixed-transistor
devices are called Bi-FETs and BiCMOS.

Digital:
Success of the MOSFET : digital CMOS logic, which uses p- and n-channel MOSFETs as building blocks.
No current to flow, and thus no power to be consumed, except when the inputs to logic gates are being switched.
Over the past decades, the MOSFET has continually been scaled down in size; modern integrated circuits are
incorporating MOSFETs with channel lengths of less than a tenth of a micrometer.
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149

Modelo SPICE do MOSFET


O SPICE fornece trs nveis de modelos para o MOSFET :
O nvel 1 bsico, e segue os modelos apresentados at aqui, neste curso.
O nvel 2 um modelo fisicamente bastante elaborado.
O nvel 3 utiliza equaes fsicas e dados empricos.

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Modelo SPICE do MOSFET

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Modelo SPICE do MOSFET


Exemplo 2

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CMOS
Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS)
A principal vantagem dos circuitos integrados CMOS o baixssimo consumo de energia, embora no sejam capazes de operar to
velozmente quanto circuitos integrados de outras tecnologias (MESFET, HEMT, HBT). Por causa disso, so largamente utilizados em
calculadoras, relgios digitais, e outros dispositivos alimentados por pequenas baterias.

"CMOS" se refere a um estilo particular de projeto de circuitos integrados (chips), que usa NMOS e PMOS.
Duas caractersticas importantes de dispositivos CMOS so a alta imunidade a rudos e o baixo consumo de potncia.

CMOS predominantemente
usada para circuitos lgicos.
Potncia apenas
necessria quando os
transistores esto mudando
entre estados.
Assim, dispositivos lgicos
usando CMOS no produzem
calor significativo.
CMOS tambm permite alta
densidade de funes lgicas
em um chip.

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CMOS
Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS)
CMOS predominantemente usada para circuitos lgicos. CMOS permite alta densidade de funes lgicas em um chip.
Potncia apenas necessria quando os transistores esto mudando entre estados (no produzem calor significativo)

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CMOS
Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) : is a major class of integrated circuits.
Frank Wanlass at Fairchild Semiconductor (1963). Albert Medwin, RCA (1968).
CMOS technology is used in chips such as microprocessors, microcontrollers, static RAM, and other digital logic circuits.
CMOS technology is also used for a wide variety of analog circuits such as image sensors, data converters, and highly
integrated transceivers for many types of communication.
High
noise
immunity
and
low
static
power
supply
Significant power is only drawn when its transistors are switching between on and off states.

drain.

Cross-section of a CMOS integrated circuit. Note that the PMOS transistor is formed in a separate n-type region, known as an n well.
Another arrangement is also possible in which an n-type body is used and the n device is formed in a p well. Not shown are the
connections made to the p-type body and to the n well; the latter functions as the body terminal for the p-channel device.
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FET - Resumo
MESFET
30 GHz

Fonte comum
Regio de saturao: VDS VGS + |VP|

JFET
iG pA

VGS -1 V

;
VP - 4,2 V

Polarizao:

ID = IDSS [ 1 + VGS / |VP| ]2

Transcondutncia:

gm = 2(IDSS / |VP|).[ 1 + VGS / |VP| ] =

RCanal 1 k

FET
depleo

Fonte comum

pouco usado

Regio de saturao:

MOSFET

NMOS

iG fA

mais usado

VDS VGS - Vt

; Vt 1 a 3 V

Polarizao:
ID K [ VGS - Vt ]2

enriquecimento

K = kp (W / L)

ganho em tenso: Av -gm RD

Transcondutncia:
gm = 2K [ VGS - Vt ]
Mesmas expresses que o NMOS,
mas com |VGS|, |Vt|, |VDS |, |ID|, ||
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PMOS

Modulao do comprimento do canal:


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