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RESUMEN.
De forma simplificada, la curva característica de un diodo I-V consta de dos regiones: por
debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no
conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia eléctrica muy
pequeña. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son
dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier señal, como paso inicial para
convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento está
basado en los experimentos de Lee De Forest.
Los primeros diodos eran válvulas o tubos de vacío, también llamados válvulas
termoiónicas, constituidos por dos electrodos rodeados de vacío en un tubo de cristal, con
un aspecto similar al de las lámparas incandescentes. El invento fue desarrollado en 1904
por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa Marconi, basándose en observaciones
realizadas por Thomas Alva Edison.
Al igual que las lámparas incandescentes, los tubos de vacío tienen un filamento (el cátodo)
a través del cual circula la corriente, calentándose por efecto Joule. El filamento está tratado
con óxido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vacío circundante los
cuales son conducidos electrostáticamente hacia una placa, curvada por un muelle doble,
cargada positivamente (el ánodo), produciéndose así la conducción. Evidentemente, si el
cátodo no se calienta, no podrá ceder electrones. Por esa razón, los circuitos que utilizaban
válvulas de vacío requerían un tiempo para que las válvulas se calentaran antes de poder
funcionar y las válvulas se quemaban con mucha facilidad.
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal N al P (Je). Al
establecerse una corriente de difusión, aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de
la unión, zona que recibe el nombre de región de agotamiento.
Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión entre las
zonas P y N. Esta diferencia de potencial (VD) es de 0.7 V en el caso del silicio y 0.3 V
para los cristales de germanio. La anchura de la región de agotamiento, una vez alcanzado
el equilibrio, suele ser del orden de 0.5 µm, pero cuando uno de los cristales está mucho
más dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor. Cuando se somete al
diodo a una diferencia de tensión externa, se dice que el diodo está polarizado, pudiendo
ser la polarización directa o inversa.
De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la zona N y atrayendo electrones
de valencia de la zona P, aparece a través del diodo una corriente eléctrica constante hasta
el final.
En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto
de la temperatura se formarán pares electrón-hueco a ambos lados de la unión produciendo
una pequeña corriente (del orden de 1 µA) denominada corriente inversa de saturación
(Is). Además, existe también una denominada corriente superficial de fugas la cual, como
su propio nombre indica, conduce una pequeña corriente por la superficie del diodo, ya que
en la superficie, los átomos de silicio no están rodeados de suficientes átomos para realizar
los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los átomos
de la superficie del diodo, tanto de la zona N como de la P, tengan huecos en su orbital de
valencia, con lo que los electrones circulan sin dificultad a través de ellos. No obstante, al
igual que la corriente inversa de saturación, la corriente superficial de fuga es despreciable.
Donde:
Donde:
k: Constante de Boltzmann (1.38x10-23 J/K).
T: Temperatura absoluta de la unión P-N [K].
Q: Magnitud de la carga del electrón (1.60x10-19 C).
La Ecuación de Diodo Ideal de Shockley o la Ley de Diodo se deriva de asumir que sólo
los procesos que le dan corriente al diodo son por el flujo (debido al campo eléctrico),
difusión, y la recombinación térmica. También asume que la corriente de recombinación
en la región de agotamiento es insignificante. Esto significa que la ecuación de Shockley
no tiene en cuenta los procesos relacionados con la región de ruptura e inducción por
fotones. Adicionalmente, no describe la estabilización de la curva I-V en polarización
activa debido a la resistencia interna.
Bajo voltajes negativos, el término exponencial en la ecuación del diodo es insignificante.
Y la corriente es una constante negativa del valor de IS. La región de ruptura no está
modelada en la ecuación de diodo de Shockley.
Para voltajes pequeños en la región de polarización directa, se puede eliminar el 1 de la
ecuación, quedando como resultado:
𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑛𝑉𝑇
Para este diodo buenos valores para IS son 100 µA y 10 mA, la ecuación que modela dicho
diodo es:
𝐼𝐷
𝑉𝐷 = 𝑉𝑇 ln + 1 + 𝑅𝑆 𝐼𝐷
𝐼𝑆
12
10
8
Corriente ID [mA]
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
-2
Voltaje VD [V]
Para encontrar los valores de RS e IS, se aproximara el valor de IS a cero valiéndose de que su valor
ronda el rango de los femto Amperios.
𝐼𝐷1 𝐼𝐷2
𝑉𝐷1 = 𝑉𝑇 ln + 1 + 𝑅𝑆 𝐼𝐷1 𝑉𝐷2 = 𝑉𝑇 ln + 1 + 𝑅𝑆 𝐼𝐷2
𝐼𝑆 𝐼𝑆
Ecuación A. Ecuación B.
𝐼𝐷1 𝐼𝐷
𝑉𝐷1 − 𝑉𝐷2 = 𝑉𝑇 ln + 1 + 𝑅𝑆 𝐼𝐷1 − 𝑉𝑇 ln 2 + 1 − 𝑅𝑆 𝐼𝐷2
𝐼𝑆 𝐼𝑆
𝐼𝐷1 + 𝐼𝑆
𝑉𝐷1 − 𝑉𝐷2 = 𝑉𝑇 ln + 𝑅𝑆 (𝐼𝐷1 − 𝐼𝐷2 )
𝐼𝐷2 + 𝐼𝑆
𝐼𝑆 ≪ 𝐼𝐷1 ∧ 𝐼𝑆 ≪ 𝐼𝐷2
𝐼𝐷1
𝑉𝐷1 − 𝑉𝐷2 = 𝑉𝑇 ln + 𝑅𝑆 (𝐼𝐷1 − 𝐼𝐷2 )
𝐼𝐷2
𝐼𝐷
𝑉𝐷1 − 𝑉𝐷2 − 𝑉𝑇 ln 𝐼 1
𝐷2
𝑅𝑆 =
(𝐼𝐷1 − 𝐼𝐷2 )
𝑉𝑇 = 0.025 𝑉 , 𝑉𝐷1 = 0.6044 𝑉 , 𝑉𝐷2 = 0.726 𝑉 , 𝐼𝐷1 = 0.00102 𝐴 , 𝐼𝐷2 = 0.01001 [𝐴]
𝑅𝑆 = 7.17524481081 [Ω]
𝐼𝐷1
𝑉𝐷1 = 𝑉𝑇 ln + 1 + 𝑅𝑆 𝐼𝐷1
𝐼𝑆
𝐼𝐷1
𝑉𝐷1 − 𝑅𝑆 𝐼𝐷1 = 𝑉𝑇 ln +1
𝐼𝑆
𝑉𝐷 1 −𝑅𝑆 𝐼𝐷 1
𝐼𝐷1
=𝑒 𝑉𝑇 −1
𝐼𝑆
𝐼𝐷1
𝐼𝑆 = 𝑉 𝐷 1 −𝑅𝑆 𝐼𝐷 1
𝑒 𝑉𝑇 −1
0.00102
𝐼𝑆 = 0.6044 −7.17524481081 (0.00102 )
𝑒 0.025 −1
𝐼𝑆 = 43.2749407352𝑥10−15 [𝐴]
Simulación de la curva característica i-v del diodo 1N914 para -1 V < VD < +1.
En los gráficos anteriores se vuelve muy evidente que existe una diferencia entre la señal de
entrada y la señal de salida de las señales proporcionadas al circuito, ya que se puede
observar claramente en la entrada como antes se menciono una señal sinusoidal, por su
parte en la salida, se observa, solo la mitad de nuestra onda de entrada, a su vez se puede
apreciar que aparece el semiciclo positivo y esto se debe a una de las aplicaciones básicas y
fundamentales del diodo, es decir la rectificación. En las gráficas se evidencia como el
diodo conduce durante el semiciclo positivo, y durante el semiciclo negativo se comporta
casi como un circuito abierto dejando pasar cantidades pequeñísimas de corriente.
Como se puede observar se utilizó la técnica de mediciones flotantes y la función Math del
osciloscopio para generar la forma de onda en color morado la cual es la rectificación de
onda completa de la señal de entrada cuyo máximo es la resta de ambas V max=2.95V y
Vmin=-200mV. La señal morada es la rectificación de onda completa de la señal de entrada
que es una señal sinusoidal, con respecto a su amplitud se puede observar que la señal de
salida presenta caídas de diodos lo cual es normal en este diseño del rectificador.
𝑛𝑉𝑇 2 ∗ 25
𝑟𝑑 1 = = Ω = 43.478 Ω
𝐼𝐷1 1.15
𝑉 𝑜𝑓𝑓𝑠𝑒𝑡 =400 𝑚𝑉
𝑛𝑉𝑇 2 ∗ 25
𝑟𝑑 2 = = Ω = 22.938 Ω
𝐼𝐷2 2.18
𝑉 𝑜𝑓𝑓𝑠𝑒𝑡 =500 𝑚𝑉
𝑛𝑉𝑇 2 ∗ 25
𝑟𝑑 3 = = Ω = 15.337 Ω
𝐼𝐷3 3.26
𝑉 𝑜𝑓𝑓𝑠𝑒𝑡 =500 𝑚𝑉
Circuito 6: R1=1k Ω, D1=1N914, f=1 kHz, IC1 =µA741CN, VS =±15.02V, Vin =±10Vp.
A este circuito se le conoce como rectificador de media onda de alta precisión se diferencia
del primer circuito rectificador ya que en ese circuito se experimentan una o más caídas de
diodos por lo cual hay una diferencia muy notoria entre la amplitud de la señal de entrada
con la amplitud de la señal de salida, utilizando un superdiodo (circuito E) el inconveniente
de las caídas de tensión se soluciona gracias a la inclusión de un amplificador operacional a
pesar de ello siempre existe una pequeña caída de tensión pero en esta ocasión es en el
Hay que tomar en cuenta que ya no esté presente el voltaje de desnivel (0.6V) que presenta
el circuito rectificador de media onda de la tarea 2. Para que el circuito de ampop empiece
su operación Vin tiene que exceder solo un voltaje insignificante igual a la Amp-Op del
diodo dividida entre la ganancia a lazo abierto del Amp-Op. En otras palabras la curva
característica de transferencia de la línea recta VO-Vin casi pasa por el origen, esto hace que
el circuito sea adecuado para aplicaciones relacionadas con señales muy pequeñas.
Se verá ahora el caso en que Vin se hace negativo, el voltaje de salida del Amp-Op tendera a
seguir y volverse negativo. Esto hará que el diodo adquiera polarización inversa y no pasara
corriente por la resistencia RL, haciendo que VO permanezca igual a 0V. Por tanto, para Vin
< 0 VO =0, debido a que en este caso el diodo esta en corte el Amp-Op operara a la manera
del lazo abierto y su salida estará en el nivel negativo de saturación.
Curva característica v-i del diodo 1N914 para 0 A < ID < 1 µA.
Circuito de PSpice:
Formas de onda Vin (verde) y V2 (roja) con Voffset =500 mV y Vin= ±1Vp.
Se puede observar que como la onda es más pequeña, el offset distorsiona la señal
tanto que ya no alcanza los semiciclos negativos.
El rectificador de media onda, como su nombre lo indica, rectifica o deja pasar el semiciclo o
semiperiodo positivo de la señal de entrada, mientras que el semiciclo negativo lo ignora,
observándose en la señal de salida una línea recta que coincide con el eje de las abscisas (en este caso,
de la variable tiempo) durante la duración del mismo.
El rectificador de media onda mejorado rectifica una señal AC de salida de un Amp Op Seguidor de
Voltaje a casi la amplitud máxima de la misma, por lo que es muy utilizado en circuitos de pequeñas
señales, inferiores a la polarización del diodo, en los que se necesite una señal DC. Es, pues, que el
desempeño del “superdiodo” es mayor que el de un sólo diodo o un juego de diodos.
La resistencia eléctrica de los diodos depende en cierta medida del material con el que han sido
construidos, pero ésta posee un valor muy pequeño, que para el análisis teórico idealizado, se supone
que es 0 Ω, con una caída de voltaje de 0 V.
Idealmente, la caída de tensión de los diodos es de 0 V, pero realmente es distinto de cero (0.7 V para
diodos de silicio y 0.3 V para los de germanio), por lo que en la señal de salida de cada circuito
rectificador se observará una pequeña disminución respecto a la señal de entrada, igual a la caída de
voltaje del diodo; para el caso del rectificador en puente, dicha disminución es el doble de la de un
rectificador de media onda, a causa de la presencia de dos diodos, equivalentes a dos caídas de voltaje
en serie en la carga, es decir, 1.4 V.
BIBLIOGRAFÍA.
Información consultada:
http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/51385/FAIRCHILD/1N914.html.
https://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm741.pdf.