Você está na página 1de 758

Fundamentos de

Microeletrnica

abdr
R espeite o J ire fo autoral

REPROCRAfICOS

O
GEN |Grupo Editorial Nacional rene as editoras Guanabara Koogan, Forense, LTC, Santos, Mtodo e LAB, que
publicam nas reas cientfica, tcnica e profissional.
Essas empresas, respeitadas no mercado editorial, construram catlogos inigualveis, com obras que tm sido deci
sivas na formao acadmica e no aperfeioamento de vrias geraes de profissionais e de estudantes de Administra
o, Direito, Enfermagem, Engenharia, Fisioterapia, Medicina, Odontologia e muitas outras cincias, tendo se tornado
sinnimo de seriedade e respeito.
Nossa misso prover o melhor contedo cientfico e distribu-lo de maneira flexvel e conveniente, a preos justos,
gerando benefcios e servindo a autores, docentes, livreiros, funcionrios, colaboradores e acionistas.
Nosso comportamento tico incondicional e nossa responsabilidade social e ambiental so reforados pela natureza
educacional de nossa atividade, sem comprometer o crescimento contnuo e a rentabilidade do grupo.

Fundamentos de
Microeletrnica
Behzad Razavi
University o f Califrnia, Los Angeles

T raduo c R eviso T cnica

J. R. Sou/a, M.Sc., Ph.I).


Professor Adjunto da Universidade do Estado do Rio de Janeiro - UERJ

O autor e a editora empenharam-se para citar adequadamente e dar o devido crdito


a todos os detentores dos direitos autorais de qualquer material utilizado neste livro,
dispondo-se a possveis acertos caso, inadvertidamente, a identificao de algum deles
tenha sido omitida.
No responsabilidade da editora nem do autor eventuais danos ou perdas
a pessoas ou bens que tenham origem no uso desta publicao.
FUNDAMENTALS OF MICROELECTRONICS, First Edition
Copyright 2008 John Wiley & Sons. Inc.
Ali Rights Reserved. This translation published under license.
Ali Rights Reserved. This EBook published under license with the original publisher John W iley & Sons. Inc.

Direitos exclusivos para a lngua portuguesa


Copyright 2010 by
LTC Livros Tcnicos e Cientficos Editora S.A.
Uma editora integrante do GEN I Grupo Editorial Nacional
Reservados todos os direitos. proibida a duplicao ou reproduo deste volume, no todo
ou em parte, sob quaisquer formas ou por quaisquer meios (eletrnico, mecnico, gravao,
fotocpia, distribuio na internet ou outros), sem permisso expressa da Editora.
Travessa do Ouvidor, 11
Rio de Janeiro. RJ CEP 20040-040
Tel.: 21-3543-0770/ 11-5080-0770
Fax: 21-3543-0896
ltc@grupogen.com.br
www.ltceditora.com.br
Capa: Leo Queiroz
Editorao Eletrnica: G enesis
CIP-BRASIL. CATALOGAO-NA-FONTE
SINDICATO NACIONAL DOS EDITORES DE LIVROS, RJ._____________
R218f
Razavi, Behzad
Fundamentos de microeletrnica / Behzad Razavi : traduo e reviso tcnica J. R.
Souza. - Rio de Janeiro : LTC, 2010.
Traduo de: Fundamentais of microelectronics, 1.st ed
Apndice
Inclui ndice
IS B N 9 7 8 -8 5 -2 1 6 -2 2 9 3 -2

1. Microeletrnica. I. Ttulo.
09-6373.

CDD: 621.381
CDU: 621.38

Para Angelina e Jahan,


pelo amor e pela pacincia

Prefcio

Com o avano da indstria de sem icondutores e de


comunicaes, passou a ser cada vez mais importante
que um engenheiro eletricista tenha um bom conhe
cimento de microeletrnica. E ste livro busca atender
necessidade de um texto que aborde a m icroeletr
nica a partir de uma perspectiva m oderna e intuitiva.
Os tpicos, a ordem em que aparecem , a profundi
dade e a extenso com que so tratados foram esco
lhidos para propiciar uma exposio eficiente dos
princpios de anlise e sntese que sero teis para
os estudantes quando ingressarem no m ercado de
trabalho ou em cursos de ps-graduao.
U m a caracterstica im p o rtan te deste livro a
abordagem orientada sntese ou ao projeto. Em
vez de tirar um circuito da gaveta e tentar analis-lo,
preparo o caminho enunciando um problem a com o
qual nos deparamos na vida real (p. ex., como projetar
um carregador de bateria de telefone celular). Em
seguida, tento obter uma soluo com o em prego de
princpios bsicos; desta form a, apresento tanto as
falhas como os acertos do processo. Q uando final
m ente chegarm os soluo definitiva, o estudante
ter visto o exato papel de cada com ponente, assim
como a seqncia lgica de raciocnio que norteia o
projeto do circuito.

*Acrnimos para Lei das Correntes de Kirchhoff e Lei das


Tenses de Kirchhoff, respectivamente. (N.E.)

O utro componente essencial deste livro anlise


por inspeo. Esta "m entalidade criada em duas
etapas. Prim eira,o com portamento de blocos elemen
tares formulado por meio de uma descrio verbal
de cada resultado analtico (p. ex., olhando para o
emissor, vemos l/gm). Segunda,circuitos grandes so
decompostos e m apeados nos blocos elem entares
para evitar a escrita de LCKs e LTKs.* Esta abor
dagem desenvolve a intuio e simplifica a anlise
de circuitos grandes.
Os dois artigos que seguem este prefcio trazem
sugestes teis para estudantes e professores. Espero
que essas sugestes tornem mais agradvel a tarefa
de estudar e ensinar microeletrnica. Um conjunto de
slides de PowerPoint, um manual de soluo e vrias
outras ferram entas de auxlio ao ensino esto dispo
nveis para o professor.
Para atualizaes e correes de erros tipogr
ficos descobertos neste livro, o leitor deve dirigir-se
editora (www.ltceditora.com.br).

B ehzad R azavi
N ovem bro de 2007

Agradecimentos

Este livro levou quatro anos para ser escrito e bene


ficiou-se da participao efetiva de vrios colabo
radores. Q uero agradecer s seguintes pessoas por
suas contribuies em diferentes estgios do desen
volvim ento do livro: D avid A llstot (U niversity of
W ashington), Joel Berlinghieri, Sr. (T he Citadel),
Bernhard Boser (University of Califrnia, Berkeley),
Charles Bray (University of M emphis), Marc Cahay
(U niversity of C incinnati), N orm an Cox (U niver
sity of Missouri, Rolla), James Daley (University of
Rhode Island),Tranjan Farid (U niversity of N orth
C arolina,C harlotte), Paul Furth (New Mexico State
University), Roman G enov (University of Toronto),
Maysam G hovanloo (N orth Carolina State Univer
sity), G ennady G ildenblat (Pennsylvania State
U niversity), A shok G oel (M ichigan Technological
U niversity), M ichael G ouzm an (State U niversity
of New Y ork-SU N Y, Stony Brook), Michael Green
(University of Califrnia, Irvine), Sotoudeh HamediHagh (San Jose State U niversity), Reid H arrison
(U niversity of U tah), Payam H eydari (U niversity
of Califrnia, Irvine), Feng H ua (Clarkson U niver
sity), M arian K azm ierchuk (W right State U niver
sity), R oger King (U niversity of Toledo), Edw ard
Kolesar (Texas Christian University), Ying-Cheng Lai
(Arizona State University), Daniel Lau (University of
Kentucky, Lexington), Stanislaw Legowski (U niver
sity of W yoming), Philip Lopresti (U niversity of
Pennsylvania), Mani Mina (Iowa State University),
James Morris (Portland State University), Khalil Naja
(University of Michigan), H om er Nazeran (U niver
sity o f Texas, El P aso ),T am ara Papalias (San Jose

State University), M atthew Radm anesh (Califrnia


State University, N orthridge), A ngela Rasmussen
(University of U tah), Sal R. Riggio,Jr. (Pennsylvania
State U niversity), Ali Sheikholeslam i (U niversity
of T oronto), K alpathy B. Sundaram (U niversity of
Central Florida), YannisTsividis (Columbia Univer
sity), Thom as Wu (U niversity o f C entral Florida),
Darrin Young (Case Western Reserve University).
Sou grato a N aresh Shanbhag (U niversity of
Illinois, U rbana-Cham paign) por testar uma verso
inicial do livro em um curso e, assim, prover valo
roso feedback. Os seguintes estudantes da U C LA
prepararam , com diligncia, o m anual de solues:
Lawrence Au, Hamid H atam khani, Alireza M ehrnia,
A lireza Razzaghi, William W ai-Kwok Tang e Ning
Wang. Ning Wang tambm preparou todos os slides
de PowerPoint. E udean Sun (U niversity of Cali
frnia, Berkeley) e John Tyler (Texas A&M Univer
sity) foram revisores de preciso. Tambm gostaria
de agradecer-lhes pelo grande trabalho.
Agradeo minha editora, Catherine Shultz, pela
dedicao e pelo entusiasm o. Lucille Buonocore,
Carm en H ernandez,D ana Kellogg, Madelyn Lesure,
C hristopher Ruel, K enneth Santor, Lauren Sapira,
Daniel Sayre, G ladys Soto e Carolyn Weisman, da
editora Wiley,e Bill Zobrist (anteriorm ente na Wiley)
tam bm merecem minha gratido.
Minha esposa, Angelina, datilografou todo o livro
e m anteve o bom hum or enquanto este projeto se
alongava. A ela, toda a minha gratido.
B ehzad R a za vi

Sugestes aos Estudantes

Voc est prestes a iniciar uma viagem pelo fascinante


m undo da microeletrnica. Por sorte, a microeletrnica aparece em tantos aspectos de nossa vida que
temos bastante motivao para estud-la. A leitura,
no entanto, no to simples como a de um romance;
devem os lidar com anlise e sntese, e fazer uso de
rigor m atem tico e intuio de engenharia em cada
etapa do cam inho. Este artigo apresenta algum as
sugestes que podem auxiliar o leitor no estudo da
m icroeletrnica.
R igor e Intuio A ntes de chegar a este livro, voc
fez um ou dois cursos sobre teoria bsica de circuitos
eltricos, aprendeu as Leis de Kirchhoff e a anlise de
circuitos RLC. Em bora sejam muito abstratos e pare
am no ter qualquer relao com a vida real, os concei
tos estudados nesses cursos formam a base da microe
letrnica, assim como clculo a base da engenharia.
Nossa abordagem da m icroeletrnica tam bm
requer rigor e envolve dois o u tro s com ponentes.
Prim eiro, identificamos m uitas aplicaes p ara os
conceitos que estudamos. Segundo, devemos desen
volver a intuio,ou seja, um "sentim ento do funcio
nam ento de dispositivos e circuitos microeletrnicos.
Sem um conhecimento intuitivo, a anlise de circuitos
torna-se mais difcil m edida que acrescentam os
dispositivos para executar funes mais complexas.
A n lise po r Inspeo D edicarem os um esforo
considervel para desenvolver a m entalidade e as
habilidades necessrias anlise por inspeo. Ou
seja, ao considerarmos um circuito complexo, vamos
procurar decom p-lo em topologias mais simples,
para que possam os descrever seu com portam ento
com poucas linhas de lgebra. C om o um exem plo
simples, suponhamos que nos deparam os com o divi
sor resistivo m ostrado na Fig. l(a ) e deduzimos seu
equivalente Thvenin. Agora, se nos for dado o cir
cuito da Fig. l(b), podemos substituir K n, R , e R , pelo
equivalente Thvenin e, assim, simplificar os clculos.

---- O
+
L\

Figura 1

Exemplo de anlise por inspeo.

^oul

Q uarenta P ginas p o r Sem ana

Nos cursos de
microeletrnica, voc precisar ler cerca de quarenta
pginas deste livro por semana, e cada pgina con
tm diversos conceitos novos, dedues e exemplos.
Nas aulas, o professor cria uma arm ao de cada
captulo; cabe a voc unir os pontos com a leitura
cuidadosa do livro, tentando entender cada pargrafo
antes de passar para o prximo.
Ler e entender o contedo de quarenta pginas
do livro to d a sem ana req u er concentrao e disci
plina. Voc encontrar novo m aterial e dedues
detalhadas em cada pgina e deve dedicar duas ou
trs horas sem distrao (sem conversas ao telefone,TV, internet etc.) para acom panhar a evoluo
dos conceitos enquanto aprim ora suas habilidades
analticas. Tambm aconselho te n tar resolver cada
exemplo antes de ler a respectiva soluo.
Q uarenta Exerccios por Sem ana

Aps ler cada


seo e praticar os exemplos, sugerimos que voc ava
lie e aprimore seu entendim ento tentando resolver os
correspondentes exerccios apresentados no final do
captulo. Os exerccios comeam em um nvel relati
vamente simples e, de modo gradual, tornam-se mais
desafiadores. Alguns podem exigir que voc retorne
seo e estude os pontos sutis com mais ateno.
O valor educacional de cada exerccio depende
da sua persistncia. A primeira viso de um exerccio
pode ser desanim adora. Contudo, se voc examinlo de diferentes ngulos e, o que mais im portante,
reexam inar os conceitos apresentados no captulo,
com ear a form ar um caminho em sua m ente que
pode levar soluo. Na verdade, se voc pensou
muito sobre um exerccio e no conseguiu resolv-lo,
talvez uma indicao do professor ou m onitor baste
para voc chegar soluo. Q uanto maior a dificul
dade que voc tiver com um exerccio, maior ser sua
satisfao ao encontrar a resposta.
E star presente s aulas e ler o livro so exem
plos de aprendizado passivo: voc apenas recebe
(e, esperamos, absorve) uma seqncia de inform a
es transmitidas pelo instrutor e pelo texto. Em bora
seja necessrio, o aprendizado passivo no exercita
sua com preenso e, portanto, no profundo. Voc
pode m arcar linhas do texto como importantes. Pode

x ii

Sugestes aos Estudantes

tam bm escrever resumos de conceitos im portantes


em folhas parte (e incentivam os que faa isto).
Todavia, para adquirir dom nio do assunto, voc
precisa praticar (aprendizado ativo). Os conjuntos
de exerccios no final de cada captulo servem a esse
propsito.
Trabalhos de Casa e Provas

A soluo dos exer


ccios no final dos captulos tam bm o prepara para
os trabalhos de casa e para as provas. Os trabalhos
de casa exigem perodos sem distrao, durante os
quais voc testa seu conhecim ento e aprim ora sua
com preenso. Um conselho im portante que posso
dar neste m om ento : fazer os trabalhos de casa com
colegas da turm a m ideia! D iferentem ente do que
se passa com outras disciplinas, para as quais discus
ses, argumentaes e rplicas podem ser benficas, o
aprendizado de microeletrnica requer concentrao
silenciosa. (Afinal, voc estar s nas provas!) Para
adquirir confiana em suas respostas, voc pode dis
cutir os resultados com os colegas, o professor ou o
m onitor aps term inar o trabalho de casa sozinho.
G erenciam ento do Tem po Ler o texto, fazer os
exerccios e os trabalhos de casa requer uma dedi
cao de pelo menos 10 horas por semana. Devido
ao ritmo acelerado do curso, o m aterial se acumula
muito rpido; se voc no dedicar o tempo necessrio

desde a prim eira semana, ter dificuldade de acom


panhar as aulas. Na verdade, quanto mais atrasado
voc ficar, m enos interessantes e teis as aulas se
tornaro; e voc se ver obrigado a anotar tudo que
o professor diz, sem tem po de entender. C om o os
outros cursos que voc faz tambm exigem dedicao,
voc logo estar sobrecarregado se no adm inistrar
o tem po com cuidado.
O gerenciam ento do tem po consiste em duas
etapas: (1) dividir as horas em que voc est desperto
em blocos compactos e (2) usar cada bloco de modo
eficiente. Para aum entar a eficincia, voc pode tomar
as seguintes medidas: (a) trabalhar em um am biente
silencioso, para minimizar as distraes; (b) distribuir
o trabalho de um dado assunto ao longo da semana
por exemplo, 3 horas por dia , para evitar satu
rao, e perm itir que, nos intervalos, seu subcons
ciente processe os conceitos.
P r -re q u isito s Muitos conceitos que voc apren
deu nos cursos de teoria de circuitos so essenciais
para o estudo da microeletrnica. O Captulo 1 apre
senta uma breve reviso para refrescar sua memria.
Com a durao limitada das aulas, o professor pode
pular esta parte, deixando-a para voc ler em casa.
Voc pode folhear o captulo e identificar os concei
tos que o incom odam antes de ler com ateno.

Sugestes aos Professores

E nsinar a estudantes de graduao pode ser um


grande desafio em especial se a nfase for no racio
cnio e na deduo em vez da memorizao. Como
as jovens m entes de hoje esto habituadas a jogar
videogames de ritmos alucinantes e a clicar o mouse
para chegar ao destino desejado na internet, ficou
mais difcil estimul-las a se concentrar por longos
perodos e a tratar de conceitos abstratos. Com base
na experincia de mais de uma dcada de ensino, esta
mensagem apresenta sugestes que podem ser teis
aos professores de microeletrnica.
Terapia

Em geral, os estudantes que fazem o pri


m eiro curso de m icroeletrnica fizeram um ou dois
cursos de teoria bsica de circuitos eltricos. Para
muitos, essa experincia no foi agradvel. Afinal,
provvel que o livro de teoria de circuitos tenha
sido escrito por uma pessoa que no do ram o de
circuitos. D a mesma forma, provvel que os cur
sos tenham sido apresentados por professores no
muito envolvidos em projeto de circuitos. Por exem
plo, raram ente os estudantes so informados de que a
anlise nodal muito mais usada em clculos manuais
do que a anlise de malhas. Tam bm no adquirem
uma viso intuitiva dos teorem as de Thvenin e de
N orton.
Com estas observaes em mente, dou incio ao
primeiro curso com uma sesso de terapia" de cinco
minutos. Pergunto quantos gostaram dos cursos de
teoria de circuitos e adquiriram uma com preenso
prtica. Poucos levantam a mo. Depois, pergunto:
O que acharam dos cursos de clculo? Q uantos
adquiriram uma com preenso p rtica com esses
cursos? Em seguida, explico que a teoria de circuitos
representa a base da m icroeletrnica, assim com o
clculo a base da engenharia. E acrescento que,
medida que completamos a base e passamos a tpicos
mais avanados na anlise e na sntese de circuitos,
algum grau de abstrao tam bm deve ser esperado
na microeletrnica. Ento, ressalto que (1) a micro
eletrnica se baseia muito na com preenso intuitiva,
exige que ultrapassemos a simples escrita de LCKs
e LTKs e interpretem os as expresses m atemticas
de m aneira intuitiva; (2) este curso apresenta vrias
aplicaes de dispositivos e circuitos microeletrnicos
em nossa vida cotidiana. Em outras palavras, m icro

eletrnica no to rida como circuitos RLC arbi


trrios que consistem em resistores de 1 , indutores
de 1 H e capacitores de 1 E
P rim e iro Q u e stio n rio Como os estudantes ini
ciam o curso com diferentes nveis de conhecimento,
cheguei concluso de que til aplicar, na primeira
aula, um questionrio de dez minutos. Ressalto que
o questionrio no conta com o nota e serve como
uma medida da com preenso que os estudantes tm.
Depois de recolher os questionrios, peo a um dos
m onitores que d uma nota binria a cada um: os
que recebem uma avaliao abaixo de 50% so m ar
cados com uma estrela vermelha. No final da aula,
devolvo os questionrios e sugiro que aqueles que
foram m arcados com a estrela verm elha devem se
dedicar mais e interagir com os monitores e comigo
com m aior frequncia.
C o n te xtu a liza o Teoria e P rtica

Uma pode
rosa ferram enta de motivao da aprendizagem a
ligao da teoria prtica, ou seja, aplicao pr
tica do conceito que est sendo ensinado. Os dois
exemplos de sistemas m icroeletrnicos descritos no
Captulo 1 funcionam como passo inicial em direo
criao de contexto para o m aterial apresentado
neste livro. C ontudo, a ligao da teoria prtica
no pode p arar aqui. C ada novo conceito m erece
uma aplicao por mais breve que seja a meno
aplicao e a maior parte desta tarefa cabe s
aulas e no ao livro.
A escolha da aplicao deve ser feita com cuidado.
Se a descrio for dem asiadam ente longa ou o resul
tado for muito abstrato, os estudantes podem deixar
de perceber a conexo entre o conceito e a aplicao.
Em geral, minha abordagem a seguinte: suponha
que estejamos no incio do Captulo 2 (Fsica Bsica
de Sem icondutores). Pergunto: Com o seria nosso
m undo sem sem icondutores? ou "H algum dispo
sitivo semicondutor em seu relgio? Em seu telefone
celular? Em seu n o teb o o kl Em sua cm era digital?
Na discusso que se segue, logo apresento exemplos
de dispositivos sem icondutores e explico onde so
usados.
C ontinuando com a ligao da teoria prtica,
dou ainda mais motivao quando pergunto: Bem,

x iv

Sugestes aos Professores

tudo isto antigo, no ? Por que precisamos aprender


essas coisas? E discorro rapidam ente sobre os desa
fios nos projetos de hoje e na com petio entre fabri
cantes para reduzir o consumo de potncia e o custo
de dispositivos portteis.
A nlise versus Sntese

Consideremos o conheci
mento dos estudantes que iniciam um curso de microeletrnica. Eles sabem escrever LCKs e LTKs. T am
bm viram numerosos circuitos RLC arbitrrios;
ou seja, para esses estudantes, todos os circuitos RLC
so iguais e no est claro para que servem. Contudo,
um objetivo essencial do ensino de m icroeletrnica
o desenvolvimento de topologias especficas de cir
cuitos com certas caractersticas. Portanto, devemos
m udar a m entalidade dos estudantes de Aqui est
um circuito que voc nunca mais ver na vida. Analise-o! para Temos o seguinte problem a e devemos
criar (sintetizar) um circuito que o solucione. Pode
mos comear com a topologia mais simples, identifi
car suas deficincias e passar a modific-la at obter
mos uma soluo aceitvel. Esta abordagem de sn
tese passo a passo (a) deixa ntido o papel de cada
dispositivo no circuito, (b) estabelece uma m entali
dade orientada a sntese e (c) ocupa o estudante
intelectualm ente e desperta seu interesse.
A n lise por Inspeo

Na viagem pela microele


trnica, os estudantes se deparam com circuitos cada
vez mais complexos, at chegarem ao ponto em que
escrever LCKs e LTKs de maneira cega torna-se algo
ineficiente e at mesmo impossvel. Em uma das pri
meiras aulas, m ostro o circuito interno de um am pli
ficador operacional e pergunto: Podemos analisar
o com portam ento deste circuito simplesmente escre
vendo equaes de ns e de malhas? Assim, impor
tante induzir nos estudantes o conceito de anlise
por inspeo. Minha abordagem consiste em duas
etapas: (1) para cada circuito simples, formulo as pro
priedades em uma linguagem intuitiva; por exem
plo, o ganho de tenso de um estgio fonte-comum
dado pela resistncia de carga dividida p o r 1/g
mais a resistncia ligada entre a fonte e a te rra. (2)
M apeio circuitos complexos em uma ou mais topo
logias estudadas na etapa (1).
A lm de au m en tar a eficincia, a anlise por
inspeo tam bm contribui p ara a percepo.
medida que exploro diversos exemplos, ressalto para
os estudantes que os resultados assim obtidos revelam
as dependncias do circuito de maneira mais clara do
que quando nos limitamos a escrever as LCKs e LTKs
sem qualquer mapeamento.

Indagaes E S e?

Um m todo interessante de
reforar as propriedades de um circuito consiste em
fazer uma pergunta como: E se conectarm os este
dispositivo entre os ns C e D e no entre os ns A
e B ? Na verdade, os prprios estudantes, m uitas
vezes, fazem perguntas semelhantes. Minha resposta
: N o tenha medo! O circuito no o m order se
voc modific-lo um pouco. Portanto, v em frente
e o analise desta nova m aneira.
No caso de circuitos simples, os estudantes podem
ser estimulados a considerar diversas modificaes
possveis e determ inar o com portam ento resultante.
Assim, os estudantes sentem-se mais confiantes em
relao topologia original e com preendem por que
a nica soluo aceitvel (se for este o caso).
C lcu lo s com N m e ro s versus C lcu lo s com
S m b o lo s Na elaborao de exemplos, trabalhos

de casa e provas, o professor deve decidir entre cl


culos com nm eros ou com smbolos. O estudante
pode preferir o prim eiro tipo, pois requer apenas a
determ inao da equao correspondente e a subs
tituio de nmeros.
Q ual o valor de clculos com nm eros? Na
minha opinio, servem a dois propsitos: (a) dar
confiana ao estudante em relao ao resultado que
ele acabou de obter e (b) dar ao estudante uma ideia
dos valores tpicos encontrados na prtica. Portanto,
clculos com nm eros tm um papel lim itado no
aprendizado e no reforo de conceitos.
Clculos com smbolos, por sua vez, podem
oferecer uma com preenso do com portam ento do
circuito ao revelar dependncias, tendncias e limites.
A lm disso, os resultados obtidos desta m aneira
podem ser usados em exemplos mais complexos.
Q uadro-negro versus PowerPoint Encontra-se
disponvel no site da LTC, www.ltceditora.com.br,
slides de Pow erPoint. N o en tan to , sugiro que o
professor considere com cuidado os prs e os contras de aulas baseadas no quadro-negro e em Power
Point.
Fao as seguintes observaes: (1) muitos estu
dantes adorm ecem (pelo m enos m entalm ente) na
sala de aula se no escreverem . (2) M uitos outros
acham que perdem algo se no escreverem. (3) Para
a maioria das pessoas, o ato de escrever algo no papel
ajuda a grav-lo na mente. (4) O uso de slides leva
a um ritmo mais rpido (se no estamos ocupados
escrevendo, devemos seguir adiante) e deixa pouco
tem po para que os estudantes digiram os conceitos.
Por essas razes, mesmo que os estudantes tenham

Sugestes aos Professores

uma cpia impressa dos slides, este tipo de apresen


tao mostra-se muito ineficaz.
Para m elhorar a situao, o professor pode
deixar espaos em branco em cada slide e preenchlos com resultados interessantes em tem po real. J
experim entei este m todo com transparncias e,
mais recentem ente, com tcdilet notebooks.* A abor
dagem funciona bem para cursos de ps-graduao,
mas deixa os estudantes de graduao entediados ou
desnorteados.
M inha concluso que o bom e velho quadronegro ainda o m elhor meio para ensinar m icroe
letrnica aos estudantes de graduao. O professor
sempre pode usar uma cpia impressa dos slides de
PowerPoint como guia para a aula.
D iscreto versus In te g ra d o Q ue nfase deve ser
dada a circuitos discretos e a circuitos integrados
em um curso de microeletrnica? Para a maioria de
ns, o term o m icroeletrnica perm anece sinnimo
de circuito integrado e, na verdade, os currculos
de algumas universidades aos poucos reduziram a
quase zero a oferta de projeto discreto no curso. No
entanto, apenas uma pequena parcela dos estudan
tes que fazem esses cursos se envolve ativam ente em
produtos de IC, enquanto m uitos se envolvem em
projetos baseados em placas.
M inha abordagem neste livro consiste em
comear com conceitos genricos que se aplicam aos
dois paradigmas e, aos poucos, concentrar a ateno
em circuitos integrados.Tambm acredito que quem
se dedica a projetos baseados em placas deve ter um
entendim ento bsico dos circuitos integrados que
utiliza.

xv

bipolares e MOS mostram-se muito teis no enten


dim ento das propriedades de cada um.
A ordem em que os dois tipos so apresentados
tam bm discutvel. (Pesquisas detalhadas condu
zidas pela editora Wiley indicam uma diviso meio a
meio entre professores quanto a este tem a.) Alguns
professores preferem comear com dispositivos MOS
para garantir que tero tempo suficiente para expor o
assunto. Por outro lado, o fluxo natural do curso clama
por dispositivos bipolares como extenso de junes
pn. Na verdade, se diodos forem seguidos por dispo
sitivos MOS, os estudantes vero pouca relevncia
entre os dois. (As junes pn em M OSFETs no so
m encionadas at que tenham sido introduzidas as
capacitncias do dispositivo.)
Minha abordagem neste livro , primeiro, apre
sen tar dispositivos e circuitos bipolares enquanto
estabeleo as bases, de m odo que dispositivos MOS
sejam , mais tarde, expostos com m aior facilidade.
Como explicamos a seguir, o material pode ser ensi
nado, com folga, em um trimestre, sem que se sacrifi
quem detalhes dos dois tipos de dispositivos.
Seja com o for, o livro organizado de m odo a
perm itir a exposio de circuitos CM OS prim eiro,
caso o professor assim deseje. A seqncia de cap
tulos para cada caso m ostrada a seguir. O C ap
tulo 16 foi escrito sob a hiptese de que o estudante
no tem qualquer conhecim ento dos princpios de
projeto de amplificadores, de maneira que o professor
pode, sem quebra de continuidade, passar da fsica
de dispositivos M OS ao projeto de am plificadores
MOS sem ter de abordar o projeto de amplificadores
bipolares.

T ransistor B ipolar versus MOSFET

Atualmente,
h certa controvrsia quanto incluso de transisto
res e circuitos bipolares em cursos de m icroeletr
nica na graduao. Com o m ercado de sem icondu
tor dominado por M OSFET, parece que dispositivos
bipolares so de pouca utilidade. Em bora esta viso
possa, em parte, ser vlida para cursos de ps-graduao, devemos ter em m ente que: (1) como mencio
namos, muitos estudantes de graduao podem vir
a trabalhar com projeto discreto baseado em placas;
provvel que se deparem com dispositivos bipola
res; (2) os contrastes e semelhanas entre dispositivos

'Tipo de computador porttil que permite escrever ou inserir


dados por meio de uma caneta metlica diretam ente sobre a
tela. (N.T.)

Modelo*do

IntroduAo *
Fsica de
Diodos e C ircuitos
Transistores
A m plificadores
M icroeletrnica C ^ > S em icondutores c > com
c0 > B ipolares c > B ipolares
(C aptulo 1)
(C apitulo 2)
(C apitulo 3)
(C aptulo 4)
(C a p ftu lo 5 )
D ispositivos
A m plificadores
MOS
c>
MOS
(Ca p itu lo 6)
(Ca pi tu Io 7)

D ispositivos Am plificadores
MOS
C |>
CMOS
(C apitulo 6)
(C aptulo 16)
M odelos de
Introduo
Fisica de
D iodos e C ircuitos
M icroeletrnica C ^> S em icondutores c > com Diodos
(C apitulo 1)
(C apitulo 2)
(C apitulo 3)

Transistores
C ircuitos
B ipolares c > B ipolares
(C aptulo 4)
(C apttulo 8)

Figura 2

Em enta d o C urso

Este livro pode ser usado em


uma seqncia de dois trim estres ou de dois semes
tres. Dependendo da preferncia do professor, os cur
sos podem seguir diferentes com binaes de cap
tulos. A Fig. 3 ilustra algum as possibilidades. Por

xvi

Sugestes aos Professores

vrios anos, segui a Em enta I no sistema trimestral


da U C L A .1 A Em enta II sacrifica circuitos amp op
em favor de uma apresentao introdutria de cir
cuitos CMOS digitais.
Em um sistema semestral, a Em enta I estende o
prim eiro curso at espelhos de corrente e estgios
cascodes, e o segundo curso at estgios de sada e
filtros analgicos. A E m enta II, por sua vez, inclui
circuitos digitais no primeiro curso e desloca espelhos
de corrente e cascodes para o segundo curso, sacrifi
cando o captulo sobre estgios de sada.

C obertura dos C aptulos

A matria de cada cap


tulo pode ser decomposta em trs categorias: (1) con
ceitos essenciais que o professor pode apresentar em
uma aula; (2) habilidades essenciais que os estudantes
podem desenvolver mas no podem ser cobertas em
uma aula devido limitao de tem po; (3) tpicos
que so teis, mas que podem ser pulados segundo
a preferncia do professor.2 A seguir, apresentado
um resumo de cada captulo, indicando os temos que
devem ser abordados em sala de aula.
S is te m a T rim e stra l. E m enta I
P rim e iro T rim estre:
1,5 Sem ana

Siste m a Trim estral, E m enta I


P rim e iro T rim e stre :

.. . .
M o d e lo s de
Fsica d e
O iodos e C irc u ito s
S e m ic o n d u to re s c > *,,,, D io d o s
(C a p itu lo 2)
(C a p itu lo 3)

In tro d u o
M ic ro e le tr n ic a
(C a p itu lo 1)

T ransistores
A m p lific a d o re s
B ip o la re s c > B ip o la re s c >
(C a p itu lo 4)
(C a p itu lo 5)

1 S em ana

D is p o s itiv o s
A m p lific a d o re s
A m p O p co m o
MOS
c j>
CMOS
c > C a ix a P re ta
(C a p tu lo 6)
(C a p itu lo 7)
(C a p itu lo 8)

P ares
R e sp o sta de
R c a lim o n ta io
D ife re n c ia is c > F re q u n cia c >
(C a p itu lo 12)
(C a p itu lo 10)
( C a p it u lo l t )

2 S e m anas

2 S em an a s

1 Sem ana

S e g u n d o T rim estre:
2 Sem anas
E s p e lh o s de C o rre n te
e Cascodes
(C a p itu lo 9)

S iste m a T rim estral, Em enta II


P rim e iro T rim estre :

1 Sem ana

D is p o s itiv o s _ A m p lific a d o r e s A m p O p c o m o
MOS
S >
CMOS
S > C a ix a P r o t a
(C a p itu lo 6)
(C a p itu lo 7)
(C a p itu lo 8)

S e g u n d o T rim estre :
E spe lh o s d e C o rre n te
o C ascodes
C ^>
(C a p itu lo 9)

1,5 Sem ana

M o d e lo s de
In tro d u o a
F isica de
D io d o s e C irc u ito s
T ra n sisto re s
A m p lific a d o re s
M ic ro e le tr n ic a (=> S e m ic o n d u to re s c ^ > com D io d o s c > B ip o la re s d > B ip o la re s d >
(C a p itu lo 1)
(C a p tu lo 2)
(C a p itu lo 3)
(C a p itu lo 4)
(C a p itu lo 5)

M o d e lo s de

In tro d u o
F isica d e
D io d o s e C irc u ito s
T ransistores
A m p lific a d o re s
M ic ro e lo tr n ic a c ^ > S e m ic o n d u to re s c ^ > com D io d o s c > B ip o la re s c > B ip o la re s
(C a p itu lo I )
(C a p itu lo 2)
(C a p itu lo 3)
(C a p itu lo 4)
(C a p itu lo 5)

Figura 4

P ares
R e sposta de
D ife re n c ia is C ^ > F requncla
(C a p itu lo 10)
(C a p itu lo 11)

Re a iim e n ta o
(C a p itu lo 12)

Cronograma dos dois cursos.

D is p o s itiv o s
A m p lific a d o re s C irc u ito s CMOS
MOS
c j>
CMOS
l= [ >
D ig ita is
(C a p itu lo 6)
(C a p itu lo 7)
(C a p itu lo 15)
S e g u n d o T rim estro :

Espelho de Corrente
e C ascodes
(C a p itu lo 9)

Pares

c>

Resposta de

D ife re n c ia is t= J> F re q u n cia c > R,r * ,n T tu k !* i^


rm
u.tn
( e
om
(C a p itu lo 12)
(C am
p itu
lo 10) ^
C *ap iiut ul lo
u) ^
S iste m a S em e stra l, Em enta I

P rim e iro S e m e s tre :


In tro d u o
M ic ro e le tr n ic a
(C a p itu lo 1)

M o d e lo s de
F isica d e
S e m ic o n d u to re s
(C a p itu lo 2)

D is p o s itiv o s
MOS
c>
(C a p itu lo 6)

D io d o s e C irc u ito s
com D io d o s c >
(C a p itu lo 3)

T ransistores
A m p lific a d o re s
B ip o la re s c > B ip o la ro s c >
(C a p itu lo 4)
(C a p itu lo 5)

A m p lific a d o re s
Am p O p com o
E spelh os d e C o rre n te
CMOS
c > C aixa P reta c j >
e C ascodes
(C a p tu lo 7)
(C a p itu lo 8)
(C a p itu lo 9)

S e g u n d o S e m e stre :
Pares
R e spo sta de
D ife re n c ia is c > F re qu ncia
(C a p itu lo 10) ^ ( C a p i t u l o 11) ^

<C* P ,tu l 12) ^

E s t g io s
d e Sa d a
(C a p itu lo 13)

F iltro s
A n a l g ic o s
(C a p itu lo 14)

S iste m a S em e stra l, E m enta II


P rim e iro S e m e stre :

M o d e lo s de

In tro d u o
Fsica d e
M ic ro e le tr n ic a C ^ > S e m ic o n d u to re s
( C a p it u lo ! )
(C a p itu lo 2)

D io d o s e C irc u ito s
com D io d o s
(C a p itu lo 3)

T ransistores
A m p lific a d o re s
B ip o la re s C ^ > B ip o la re s
(C a p itu lo 4)
(C a p itu lo S)

D is p o s itiv o s
A m p lific a d o re s
Am p O p com o
C irc u ito s CMOS
MOS
c>
CMOS
c > C aixa P reta >
D ig ita is
( C a p tu lo 6)
(C a p tu lo 7)
(C a p itu lo 8)
( C a p itu lo 15)
S e g u n d o S e m e stro :
E s p elho s d e C o rre n te
e C ascodes
(C a p itu lo 9)

P ares
R esposta de
p

c > D ife re n cia is c > Frequncia c >


(C a p itu lo 10)
(C a p tu lo 11)
v

F iltro s
c > A n a l g ic o s
(C a p itu lo 14)

Figura 3 Diferentes estruturas de curso para sistemas trimes


tral e semestral.

A Fig. 4 m ostra o tem po aproxim ado gasto em


cada captulo, segundo nosso programa na UCLA. No
sistema semestral, os perodos so mais flexveis.

'H , na UCLA, oulro curso dc graduao sobre projeto de


circuitos digitais, no qual o aluno s pode se matricular depois
de ter feito o primeiro curso de microeletrnica.

C a p tu lo 1: In tro d u o M ic ro e le tr n ic a O
objetivo deste captulo prover a contextualizao
teoria e prtica e dar mais segurana aos estudantes
em relao questo de sinais analgicos e digitais.
G asto de 30 a 45 minutos nas Sees 1.1 e 1.2 e deixo
o restante do captulo (Conceitos Bsicos) para ser
exposto pelo m onitor em uma aula especial na pri
meira semana.
Captulo 2: Fsica Bsica de S em icondutores Ao
expor a fsica bsica de dispositivos semicondutores,
este captulo segue, de forma deliberada, um ritmo
lento: os conceitos so exam inados de diferentes
ngulos, o que perm ite que os estudantes absorvam
o m aterial m edida que avanam na leitura. Uma
linguagem concisa encurtaria o captulo, mas exigiria
que os estudantes lessem o m aterial diversas vezes
na tentativa de decifrar o texto.
im portante ressaltar que, no entanto, o ritmo
do professor em sala de aula no precisa ser to lento
como o do captulo. Os estudantes devem ler os deta
lhes e os exemplos por conta prpria, para aum entar
a compreenso do assunto. O principal ponto do cap
tulo que devemos estudar a fsica dos dispositivos
para que possamos construir modelos para eles. Em

2Estes tpicos so identificados por uma nota de rodap.

Sugestes aos Professores

um sistema trim estral, cubro os seguintes conceitos


na aula: eltrons e lacunas; dopagem; deriva e difuso;
juno pn em equilbrio e sob polarizaes direta e
reversa.
C aptulo 3: M o d e lo s de D iodo s e C ircu itos com
Diodos Esse captulo tem quatro objetivos: (1) dei

xar o estudante mais confiante em relao viso de


juno pn como dispositivo no linear; (2) introdu
zir os conceitos de linearizao de um m odelo no
linear para simplificar a anlise; (3) tratar dos circui
tos bsicos com os quais todo engenheiro eletricista
deve ter familiaridade, como, por exemplo, retificadores e limitadores; (4) desenvolver as habilidades
necessrias para anlise de circuitos altam ente no
lineares por exemplo, nas situaes em que difcil
prever qual diodo ligado a qual tenso de entrada.
Desses quatro objetivos, os trs primeiros so essen
ciais e devem ser cobertos na aula, enquanto o ltimo
depende da preferncia do professor. (Eu o abordo
em minhas aulas.) Em um sistema trimestral, por uma
questo de tem po, pulo algumas sees, como, por
exem plo, dobradores de ten so e deslocadores de
nvel.
C a p tu lo 4: Fsica de T ra n s is to re s B ip o la res C om eando com o uso de uma fonte de cor

rente controlada por tenso em um am plificador,


este captulo apresenta o transistor bipolar como uma
extenso de junes p n e deduz o correspondente
m odelo de pequenos sinais. Assim com o no C ap
tulo 2, o ritm o relativam ente lento, mas as aulas
no precisam ter o mesmo ritmo. Cubro a estrutura
e operao do transistor bipolar, uma deduo sim
plificada da caracterstica exponencial, m odelos de
transistor, e menciono, de m aneira breve, que a satu
rao indesejvel. Como o m odelo T de utiliza
o limitada em anlise e acrescenta pouca percep
o (especialm ente no caso de dispositivos MOS), o
exclu deste livro.
C aptulo 5: A m p lifica d o re s B ip o la re s

Esse o
captulo mais longo do livro e constri a base neces
sria a todo o trabalho subsequente em eletrnica.
Seguindo uma abordagem de baixo para cima, este
captulo estabelece conceitos essenciais, tais como
impedncias de entrada e de sada, polarizao e an
lise de pequenos sinais.
A o escrever o livro, pensei em decom por o Cap
tulo 5 em dois: um para cobrir os conceitos e outro
para tra ta r das topologias de am plificadores bipo
lares, de m odo que o ltimo pudesse ser pulado por

x vii

professores que preferissem prosseguir com circuitos


MOS. E ntretanto, para ensinar conceitos bsicos no
necessrio o uso de transistores, o que dificulta a
decomposio.
O Captulo 5 avana e refora, passo a passo, o
conceito de sntese e explora topologias de circuitos
com o auxlio de exemplos do tipo E se? Tal como
nos C aptulos 2 e 4, o professor pode seguir um
ritmo mais rpido e deixar boa parte do texto para
ser lido pelos estudantes. Em um esquem a trim es
tral, cubro todo o captulo e, com frequncia, enfatizo
os conceitos ilustrados na Fig. 5.7 (impedncia vista
quando se olha para a base, o emissor ou o coletor).
Com duas semanas (ou duas semanas e meia) desti
nadas a este captulo, as aulas devem ser dim ensio
nadas de m aneira adequada, para assegurar que os
conceitos principais sejam apresentados.
C a p tu lo 6: Fsica de T ra n s is to re s M O S

Esse
Captulo segue a abordagem do Captulo 4: apresenta
o M OSFET como uma fonte de corrente controlada
por tenso e deduz suas caractersticas. T endo em
mente a limitao de tem po com que em geral nos
deparam os para expor os temas, inclu apenas uma
breve discusso sobre o efeito de corpo e da satura
o de velocidade; estes fenmenos no so tratados
ao longo do livro. A presento todo esse captulo no
primeiro curso de microeletrnica.
C aptulo 7: A m p lific a d o re s CMOS

Explorando
a base estabelecida no Captulo 5, esse captulo trata
de amplificadores MOS, mas a um ritmo mais rpido.
A presento todo esse captulo no prim eiro curso de
microeletrnica.
C a p tu lo 8: A m p lific a d o r O p e ra cio n a l com o
C aixa-Preta Esse captulo trata de circuitos base

ados em amp ops e foi escrito de maneira que pudesse


ser apresentado em uma ordem qualquer em rela
o aos outros captulos. Minha preferncia apre
sentar o assunto desse captulo depois do estudo de
topologias de amplificadores, para que os estudantes
adquiram alguma compreenso dos circuitos internos
de amp ops e de suas limitaes de ganho. Ensinar
a m atria desse captulo um pouco antes do fim do
prim eiro curso aproxim a am p ops de am plificado
res diferenciais (Captulo 10), o que perm ite que os
estudantes entendam a relevncia de cada um. Cubro
todo esse captulo no prim eiro curso.
C a p tu lo 9: C ascodes e E sp e lh o s de C o r
re n te Esse captulo d um passo im portante na

x v iii

Sugestes aos Professores

direo de circuitos integrados. O estudo de cascodes e espelhos de corrente neste m om ento tambm
estabelece a base necessria p ara a construo de
pares diferenciais com cargas ativas ou cascodes no
Captulo 10. A partir desse captulo, circuitos bipolares e MOS passam a ser cobertos juntos e as diversas
similaridades e diferenas entre eles so ressaltadas.
No segundo curso de microeletrnica, cubro todos os
tpicos desse captulo em cerca de duas semanas.
C aptulo 10: A m p lific a d o re s D ife re n cia is

Esse
captulo trata dos com portam entos de pequenos e de
grandes sinais de amplificadores diferenciais. Os estu
dantes podem se perguntar por que no estudam os
o com portam ento de grandes sinais dos diferentes
amplificadores nos Captulos 5 e 7; por isso, explico
que o par diferencial um circuito verstil e utili
zado nos dois regimes. Cubro todo esse captulo no
segundo curso de microeletrnica.
C a p tu lo 11: R esposta em F requ ncia C om e
ando com uma reviso de conceitos bsicos, como as
regras de Bode, esse captulo apresenta o m odelo de
alta frequncia de transistores e analisa a resposta em
frequncia de topologias bsicas de amplificadores.
Cubro todo esse captulo no segundo curso.
C aptulo 12: R ealim entao

Segundo a maioria
dos professores, realim entao o assunto que os
estudantes acham mais difcil em cursos de m icroe
letrnica na graduao. Por isso, me esforcei muito
para criar um procedimento passo a passo para a an
lise de circuitos de realimentao, em especial as situ
aes em que os efeitos de carregam ento da entrada
ou da sada devem ser levados em conta. Tal como
nos C aptulos 2 e 5, esse captulo segue um ritm o
lento, o que perm ite que o estudante adquira con
fiana em cada conceito e entenda os pontos ensina
dos em cada exemplo. Cubro todo esse captulo no
segundo curso.
C a ptulo 13: E stgios de Sada e A m p lific a d o
res de Potncia Esse captulo estuda circuitos que

fornecem nveis de potncia mais elevados que os


circuitos considerados nos captulos anteriores. Topo
logias como estgios push-pull e suas limitaes so
analisadas. Esse captulo pode ser includo em um
sistema semestral.
C a p tu lo 14: F iltro s A n a l g ic o s

Esse captulo
possibilita um entendim ento bsico de filtros passi
vos e ativos, e prepara o estudante para textos mais

avanados neste tema. O captulo tambm pode ser


includo em um esquem a semestral.
C aptulo 15: C ircuitos CMOS D ig ita is

Esse cap
tulo foi escrito para cursos de m icroeletrnica que
incluem uma introduo a circuitos digitais como pre
parao para cursos subsequentes sobre este assunto.
Devido limitao de tem po dos sistemas trim estral
e semestral, exclu circuitos T TL e ECL.
C a ptulo 16: A m p lific a d o re s CMOS

Esse cap
tulo foi escrito para cursos que apresentam circuitos
CMOS antes de circuitos bipolares. Como j expli
camos, esse captulo segue o de fsica de dispositivos
MOS e, em essncia, sim ilar ao C aptulo 5, mas
voltado para os dispositivos MOS.
C o n ju n to s de E xerccios

A lm de num erosos
exemplos, cada captulo oferece um conjunto rela
tivamente grande de exerccios. Para cada conceito
abordado no captulo, comeo com exerccios sim
ples, que ajudam o estudante a adquirir confiana, e
aos poucos aum ento o nvel de dificuldade. Exceto
pelos captulos sobre fsica de dispositivos, todos os
captulos tambm oferecem um conjunto de exerc
cios de sntese, que estimulam o estudante a traba
lhar de trs para a frente e selecionar a polarizao
e/ou valores de com ponentes para satisfazer a certos
requisitos.
SPIC E Alguns cursos bsicos de teoria de circuitos
podem fazer uso de SP IC E , mas no prim eiro curso
de microeletrnica que os estudantes passam a per
ceber a im portncia das ferram entas de simulao e
a valoriz-las. O A pndice A deste livro apresenta
o software SP IC E e ensina, por meio de numerosos
exemplo, como us-lo para simulao de circuitos. O
objetivo o domnio de um subconjunto de com an
dos de SP IC E que possibilitam a simulao da maio
ria dos circuitos neste nvel. Devido limitao de
tempo das aulas, peo aos monitores que apresentem
SP IC E em uma aula especial, em meados do trimes
tre antes que eu comece a passar exerccios base
ados em S P IC E *
A maioria dos captulos contm exerccios base
ados em SPIC E ,m as prefiro apresentar SPICE apenas

'Diversos sites da internet oferecem verses gratuitas, no comer


ciais de SPICE, voltadas principalmente para estudantes. Infor
mao sobre como e de onde baixar cpias livres deste pacote de
software so disponibilizadas nesta pgina: http://sss-mag.com/
spice.html. (Pgina visitada em 9/12/2009.) (N.T.)

Sugestes aos Professores

x ix

na segunda m etade do prim eiro curso (prxim o do


fim do Captulo 5). H duas razes para isto: (1) os
estudantes devem, primeiro, desenvolver um entendi
mento bsico e habilidades analticas, isto ,os traba
lhos de casa devem exercitar os conceitos fundam en
tais; (2) os estudantes do m aior valor utilidade de
SP IC E se o circuito contiver um nm ero no muito
pequeno (de cinco a dez) de dispositivos.

Suplementos para Professores e Estudantes


E ncontram -se disponveis no site da LTC, www.
ltceditora.com .br, m ateriais suplem entares. Para
baixar esses materiais, na pgina do livro, clique
na aba Suplem entos. Voc ser autom aticam ente
direcionado ao portal de relacionam entos e receber
instrues de como proceder.

T ra b a lh o s de Casa e P rovas

Comentrios e Sugestes
A pesar dos m elhores esforos do autor, do tradutor,
do editor e dos revisores, inevitvel que surjam erros
no texto. Assim, so bem-vindas as comunicaes de
usurios sobre correes ou sugestes referentes
ao contedo ou ao nvel pedaggico que auxiliem
o aprim oram ento de edies futuras. Encorajam os
os com entrios dos leitores, que podem ser encam i
nhados LTC Livros Tcnicos e Cientficos Editora
S.A., uma editora integrante do G EN I G rupo E dito
rial Nacional, no endereo:Travessa do Ouvidor, 11
Rio de Janeiro, RJ - C EP 20040-040 ou ao endereo
eletrnico ltc@grupogen.com.br.

Em um esquem a
trim estral, passo quatro trabalhos de casa antes da
prova, aplicada em m eados d o perodo, e quatro
depois. Os trabalhos de casa, em sua maioria basea
dos nos conjuntos de exerccios do livro, contm pro
blem as com grau de dificuldade m oderado a alto;
sendo assim, exigem que o estu d an te resolva, pri
meiro, os exerccios mais fceis do livro por conta
prpria.
As questes da prova so, em geral, verses
disfaradas dos exerccios do livro. Para estimular
os estudantes a resolver todos os exerccios de final de
captulo, digo a eles que um dos exerccios do livro ser
cobrado na prova. As provas so feitas com consulta
ao livro, mas sugiro aos estudantes que resumam as
equaes im portantes em uma folha de papel.
Boas aulas!

Sumrio

1 INTRODUO
MICROELETRNICA 1
1.1
1.2

1.3

1.4

Eletrnica versus M icroeletrnica 1


Exemplos de Sistemas Eletrnicos 2
1.2.1 Telefone Celular 2
1.2.2 Cm era Digital 4
1.2.3 Analgico versus Digital 6
Conceitos Bsicos 7
1.3.1 Sinais Analgicos e Sinais
Digitais 7
1.3.2 Circuitos Analgicos 8
1.3.3 Circuitos Digitais 10
1.3.4 Teorem as Bsicos de Circuitos 11
Resumo do Captulo 17

3 .3
3 .4
3 .5

3 .6

Exemplos Adicionais 63
O perao em G randes Sinais e em
Pequenos Sinais 68
Aplicaes de Diodos 75
3.5.1 Retificadores de M eia-Onda e de
Onda Completa 76
3.5.2 Regulagem de Tenso 86
3.5.3 Circuitos Limitadores 88
3.5.4 D obradores de Tenso 92
3.5.5 Diodos como Deslocadores de Nvel
e Com utadores 95
Resumo do Captulo 98
Exerccios 99
Exerccios com SP IC E 105

2 FSICA BSIC A DE
SEMICONDUTORES 19

4 FSICA DE TRANSISTORES
BIPOLARES 106

2.1

4.1
4 .2
4 .3

2 .2

2 .3

2 .4

M ateriais Sem icondutores e Suas


Propriedades 20
2.1.1 Portadores de Carga em Slidos 20
2.1.2 Modificao de Densidades de
Portadores 22
2.1.3 Transporte de Portadores 24
Juno pn 31
2.2.1 Juno pn em Equilbrio 32
2.2.2 Juno pn sob Polarizao
Reversa 36
2.2.3 Juno pn sob Polarizao
D ireta 40
2.2.4 Caracterstica I/V 42
Ruptura Reversa 46
2.3.1 R uptura Zener 47
2.3.2 R uptura por Avalanche 47
Resumo do Captulo 48
Exerccios 48
Exerccios com SPIC E 51

4 .4

4 .5
4 .6

4 .7

3 MODELOS DE DIODOS E CIRCUITOS


COM DIODOS 52
3.1

3 .2

Diodo Ideal 52
3.1.1 Conceitos Bsicos 52
3.1.2 Diodo Ideal 53
3.1.3 Exemplos de Aplicao 57
Juno pn como um D iodo 61

Consideraes Gerais 106


E strutura de Transistores Bipolares 108
O perao de Transistores Bipolares no
Modo Ativo 108
4.3.1 C orrente de Coletor 111
4.3.2 C orrentes de Base e de Emissor 114
Modelos e Caractersticas de Transistores
Bipolares 115
4.4.1 M odelo de G randes Sinais 115
4.4.2 Caractersticas I/V 117
4.4.3 Conceito de Transcondutncia 119
4.4.4 M odelo de Pequenos Sinais 121
4.4.5 Efeito Early 124
O perao de Transistores Bipolares no
Modo de Saturao 129
Transistores PNP 132
4.6.1 E strutura e O perao 132
4.6.2 M odelo de G randes Sinais 133
4.6.3 M odelo de Pequenos Sinais 135
Resumo do Captulo 138
Exerccios 139
Exerccios com SP IC E 145

5 AMPLIFICADORES BIPOLARES 147


5.1

Consideraes Gerais 147


5.1.1 Impedncias de E ntrada e
de Sada 148

xxii

Sumrio
5.1.2
5.1.3

5 .2

5 .3

5 .4
5 .5

Polarizao 152
Anlises DC e de Pequenos
Sinais 152
Anlise e Sntese no Ponto de
O perao 153
5.2.1 Polarizao Simples 154
5.2.2 Polarizao por Divisor de Tenso
Resistivo 156
5.2.3 Polarizao com D egenerao de
Emissor 160
5.2.4 Estgio A utopolarizado 163
5.2.5 Polarizao de Transistores
PN P 165
Topologias de Amplificadores
Bipolares 169
5.3.1 Topologia Em issor Comum 170
5.3.2 Topologia Base Comum 191
5.3.3 Seguidor de Em issor 204
Resumo e Exemplos Adicionais 210
Resumo do Captulo 216
Exerccios 217
Exerccios com SP IC E 229

7.1.2
7.1.3

7.2

7.3
7.4

7.5
7.6

Polarizao 264
Realizao de Fontes de
C orrente 268
Estgio Fonte Comum 268
7.2.1 Ncleo FC 268
7.2.2 Estgio FC com Fonte de C orrente
como Carga 271
7.2.3 Estgio FC com Carga Conectada
como Diodo 272
7.2.4 Estgio FC com D egenerao 273
7.2.5 Estgio FC com Polarizao 276
Estgio Porta Comum 278
7.3.1 Estgio PC com Polarizao 281
Seguidor de Fonte 283
7.4.1 Ncleo Seguidor de Fonte 283
7.4.2 Seguidor de Fonte com
Polarizao 285
Resumo e Exemplos Adicionais 287
Resumo do Captulo 290
Exerccios 290
Exerccios com SP IC E 300

6 FSICA DE TRANSISTORES M OS 232

8 AM PLIFICADOR OPERACIONAL
COMO CAIXA-PRETA 302

6.1
6 .2

8.1
8.2

6 .3

6 .4
6 .5
6 .6
6 .7

Estrutura do M OSFET 232


O perao do M OSFET 233
6.2.1 Anlise Qualitativa 234
6.2.2 D eduo das Caractersticas
I/V 239
6.2.3 M odulao do Com prim ento
do Canal 247
6.2.4 Transcondutncia MOS 249
6.2.5 Saturao de Velocidade 250
6.2.6 O utros Efeitos de Segunda
O rdem 250
Modelos de Dispositivos MOS 251
6.3.1 M odelo de G randes Sinais 251
6.3.2 M odelo de Pequenos Sinais 253
Transistores PMOS 254
Tecnologia CMOS 255
Com parao entre Dispositivos
Bipolares e MOS 256
Resumo do Captulo 256
Exerccios 257
Exerccios com SP IC E 263

8.3

8.4

8.5
8.6

Consideraes Gerais 303


Circuitos Baseados em Amp Ops 304
8.2.1 Amplificador N o Inversor 304
8.2.2 Amplificador Inversor 307
8.2.3 Integrador e Diferenciador 308
8.2.4 Som ador de Tenso 314
Funes No Lineares 315
8.3.1 Retificador de Preciso 315
8.3.2 Amplificador Logartmico 316
8.3.3 Amplificador de Raiz
Q uadrada 317
No Idealidades de Amp Ops 317
8.4.1 Deslocam entos DC 317
8.4.2 C orrente de Polarizao de
E ntrada 320
8.4.3 Limitaes de Velocidade 322
8.4.4 Impedncias de Entrada e
de Sada Finitas 326
Exemplos de Projetos 327
Resumo do Captulo 329
Exerccios 329
Exerccios com SP IC E 335

7 AMPLIFICADORES CM O S 264
7.1

Consideraes G erais 264


7.1.1 Topologias de Amplificadores
MOS 264

9 CASCODES E ESPELHOS DE
CORRENTE 336
9.1

Estgio Cascode 336

Sumrio
9.1.1

9 .2

9 .3

Cascode como Fonte de


C orrente 336
9.1.2 Cascode como Amplificador 342
Espelhos de C orrente 349
9.2.1 Consideraes Iniciais 349
9.2.2 Espelho de C orrente Bipolar 350
9.2.3 Espelho de C orrente MOS 357
Resumo do Captulo 360
Exerccios 360
Exerccios com SPIC E 369

10 AMPLIFICADORES DIFERENCIAIS 371


10.1

1 0 .2

1 0 .3

1 0 .4
1 0 .5
1 0 .6

1 0 .7

Consideraes Gerais 371


10.1.1 Discusso Inicial 371
10.1.2 Sinais Diferenciais 373
10.1.3 Pares Diferenciais 375
Par Diferencial Bipolar 376
10.2.1 Anlise Q ualitativa 376
10.2.2 Anlise de G randes Sinais 381
10.2.3 Anlise de Pequenos Sinais 384
Par Diferencial MOS 389
10.3.1 Anlise Q ualitativa 389
10.3.2 Anlise de G randes Sinais 393
10.3.3 Anlise de Pequenos Sinais 396
Amplificador Diferencial Cascode 399
Rejeio do M odo Comum 402
Par Diferencial com Carga Ativa 405
10.6.1 Anlise Q ualitativa 406
10.6.2 Anlise Q uantitativa 408
Resumo do Captulo 411
Exerccios 411
Exerccios com SPIC E 422

11 RESPOSTA EM FREQUNCIA 424


11.1

1 1 .2

Conceitos Fundam entais 424


11.1.1 Consideraes G erais 424
11.1.2 Relao entre Funo de
Transferncia e Resposta em
Frequncia 427
11.1.3 Regras de Bode 429
11.1.4 Associao entre Polos e Ns 430
11.1.5 Teorem a de M iller 432
11.1.6 Resposta em Frequncia Geral 434
Modelos de Transistores em Altas
Frequncias 437
11.2.1 M odelo de T ransistor Bipolar em
Altas Frequncias 437
11.2.2 M odelo de M O SFET em Altas
Frequncias 439
11.2.3 Frequncia de Transio 440

xxiii

1 1 .3
1 1 .4

Procedim ento de Anlise 441


Resposta em Frequncia de Estgios
Emissor Comum e Fonte Comum 442
11.4.1 Resposta em Baixas Frequncias
442
11.4.2 Resposta em Altas Frequncias 443
11.4.3 Aplicao do T eorem a de
Miller 444
11.4.4 Anlise D ireta 445
11.4.5 Impedncia de Entrada 448
1 1 .5 Resposta em Frequncia de Estgios Base
Comum e Porta Comum 449
11.5.1 Resposta em Baixas Frequncias
449
11.5.2 Resposta em Altas Frequncias 449
1 1 .6 Resposta em Frequncia de Seguidores 452
11.6.1 Impedncias de E ntrada e
de Sada 454
1 1 .7 Resposta em Frequncia de Estgios
Cascode 457
11.7.1 Impedncias de E ntrada e
de Sada 461
1 1 .8 Resposta em Frequncia de Pares
Diferenciais 461
11.8.1 Resposta em Frequncia em Modo
Comum 463
1 1 .9 Exemplos Adicionais 463
1 1 .1 0 Resumo do Captulo 467
Exerccios 467
Exerccios com SP IC E 474

12 REALIMENTAO 476
12.1
1 2 .2

1 2 .3

1 2 .4
1 2 .5
1 2 .6

Consideraes Gerais 476


12.1.1 G anho da Malha 478
Propriedades da Realim entao
Negativa 480
12.2.1 Dessensibilizao do G anho 480
12.2.2 Extenso da Largura de Banda 481
12.2.3 Modificao das Impedncias de
Entrada e de Sada 483
12.2.4 M elhoria na Linearidade 486
Tipos de Amplificadores 486
12.3.1 Modelos Simples de
Amplificadores 487
12.3.2 Exemplos de Tipos de
Amplificadores 488
Tcnicas de Am ostragem e de
R etorno 489
Polaridade da Realim entao 493
Topologias de Realim entao 494

XX iv

1 2 .7

1 2 .8

1 2 .9

Sumrio

12.6.1 Realim entao Tenso-Tenso 494


12.6.2 Realim entao
Tenso-Corrente 498
12.6.3 Realim entao
Corrente-Tenso 500
12.6.4 Realim entao
C orrente-C orrente 504
Efeito de Impedncias de Entrada e de
Sada No Ideais 507
12.7.1 Incluso de Efeitos de E ntrada e
de Sada 508
Estabilidade em Sistemas de
Realim entao 519
12.8.1 Reviso das Regras de Bode 519
12.8.2 Problema de Instabilidade 521
12.8.3 Condio de Estabilidade 523
12.8.4 Margem de Fase 526
12.8.5 Compensao em Frequncia 527
12.8.6 Compensao de Miller 531
Resumo do Captulo 531
Exerccios 532
Exerccios com SP IC E 541

13 ESTGIOS DE S A D A E
AMPLIFICADORES DE POTNCIA 543
13.1
1 3 .2
1 3 .3
1 3 .4

1 3 .5

1 3 .6
1 3 .7

1 3 .8

Consideraes G erais 543


Seguidor de Em issor com o Amplificador de
Potncia 544
Estgio Push-Pull 546
Estgio Push-Pull A prim orado 549
13.4.1 Reduo da D istoro de
Cruzam ento 549
13.4.2 Adio de Estgio Emissor
Comum 552
Consideraes de G randes Sinais 555
13.5.1 Q uestes de Polarizao 555
13.5.2 Omisso de Transistores de
Potncia PN P 556
13.5.3 Sntese de A lta-Fidelidade 558
Proteo contra Curto-Circuito 559
Dissipao de Calor 559
13.7.1 Dissipao de Potncia de Seguidor
de Emissor 559
13.7.2 Dissipao de Potncia de Estgio
Push-Pull 560
13.7.3 Avalanche Trm ica 561
Eficincia 562
13.8.1 Eficincia de Seguidor de
Emissor 563
13.8.2 Eficincia de Estgio Push-Pull 563

13.9

Classes de Amplificadores
de Potncia 564
13.10 Resumo do Captulo 565
Exerccios 565
Exerccios com SP IC E 569

14 FILTROS ANALGICOS 571


14.1

14.2
14.3

14.4

14.5

14.6

Consideraes Gerais 571


14.1.1 Caractersticas de Filtros 572
14.1.2 Classificao de Filtros 573
14.1.3 Funo de Transferncia de
Filtros 576
14.1.4 Problema de Sensibilidade 578
Filtros de Primeira O rdem 579
Filtros de Segunda O rdem 582
14.3.1 Casos Especiais 582
14.3.2 Realizaes RLC 585
Filtros Ativos 589
14.4.1 Filtros de Sallen-Key 589
14.4.2 E struturas Biquadrticas Baseadas
em Integradores 594
14.4.3 Estruturas Biquadrticas Usando
Indutores Simulados 596
Aproximaes para Respostas de
Filtros 601
14.5.1 Resposta de B utterw orth 602
14.5.2 Resposta de Chebyshev 605
Resumo do Captulo 610
Exerccios 610
Exerccios com SP IC E 614

15 CIRCUITOS CMOS DIGITAIS 615


15.1

15.2

15.3

15.4

Consideraes Gerais 615


15.1.1 Caracterizao Esttica
de Portas 616
15.1.2 Caracterizao Dinmica
de Portas 622
15.1.3 Potncia versus Velocidade 625
InversorC M O S 626
15.2.1 Conceitos Bsicos 626
15.2.2 Caracterstica de Transferncia
de Tenso 628
15.2.3 Caracterstica Dinmica 633
15.2.4 Dissipao de Potncia 637
Portas CMOS N O R e N AN D 641
15.3.1 Porta N O R 641
15.3.2 Porta N AN D 643
Resum o do Captulo 645
Exerccios 645
Exerccios com SP IC E 649

Sumrio

16 AMPLIFICADORES CM O S 650
16.1

1 6 .2

1 6 .3

Consideraes Gerais 650


16.1.1 Impedncias de Entrada e de
Sada 651
16.1.2 Polarizao 655
16.1.3 Anlises DC e de Pequenos
Sinais 655
Anlise e Sntese do Ponto de
O perao 656
16.2.1 Polarizao Simples 658
16.2.2 Polarizao com D egenerao de
Fonte 659
16.2.3 Estgio A utopolarizado 659
16.2.4 Polarizao de Transistores
PMOS 662
16.2.5 Realizao de Fontes de
C orrente 663
Topologias de Amplificadores CMOS 664

1 6 .4

1 6 .5
1 6 .6

xxv

Topologia Fonte Comum 665


16.4.1 Estgio Fonte Comum Tendo como
Carga Fonte de C orrente 668
16.4.2 Estgio Fonte Comum Tendo como
Carga Dispositivo Conectado como
D iodo 670
16.4.3 Estgio Fonte Comum com
Degenerao de Fonte 671
16.4.4 Topologia Porta Comum 681
16.4.5 Seguidor de Fonte 689
Exemplos Adicionais 694
Resumo do Captulo 698
Exerccios 698
Exerccios com SP IC E 708

A p ndice A INTRODUO AO S P IC E 710

ndice 725

Fundamentos de
Microeletrnica

C A P T U L O

1
____________________ I

Introduo
Microeletrnica
Ao longo das ltimas cinco dcadas, a microeletrnica
revolucionou nossas vidas. H alguns anos, telefones
celulares,cm eras digitais, com putadores portteis e
muitos outros produtos eletrnicos estavam alm do
reino das possibilidades; hoje, fazem parte de nossa
vida cotidiana.
A p render m icroeletrnica pode ser divertido.
m edida que aprendem os com o cada dispositivo
funciona, como os dispositivos contm circuitos que
executam funes interessantes e teis, e com o os
circuitos formam sistemas sofisticados,comeamos a
ver a beleza da microeletrnica e a entender as razes
de seu crescimento exponencial.
Este captulo apresenta uma viso geral da microe
letrnica e prepara um contexto para o material exposto
no livro. Damos exemplos de sistemas microeletrnicos
e identificamos as importantes funes" de circuitos
empregadas. E tambm fazemos uma reviso da teoria
bsica de circuitos para refrescar a memria do leitor.

Exem plo

1.1

Soluo

Exerccio

| 1.1 | ELETRNICA VERSUS


M ICROELETRNICA
A rea geral de eletrnica teve incio h cerca de um
sculo e se mostrou fundamental para as comunicaes
por rdio e radar durante as duas guerras mundiais.
Os prim eiros sistemas usavam vlvulas - disposi
tivos amplificadores que funcionavam com o fluxo de
eltrons entre placas em uma cm ara de vcuo. No
entanto, o tem po de vida finito e as grandes dim en
ses das vlvulas motivaram os pesquisadores a buscar
dispositivos eletrnicos com propriedades melhores.
O
primeiro transistor foi inventado na dcada de
1940 e, em pouco tempo, substituiu as vlvulas. O tran
sistor tinha tempo de vida infinito (pelo menos em prin
cpio) e ocupava um volume muito menor (p. ex., menos
de 1 cm5na forma encapsulada) do que uma vlvula.
Contudo, a microeletrnica - isto , a cincia de
integrar diversos transistores em uma pastilha (chip)

Os microprocessadores de hoje contm cerca de l milhes de transistores em um chip de, apro


ximadamente, 3 cm x 3 cm. (Um chip tem a espessura de umas poucas centenas de micrmetros.)
Supondo que circuitos integrados no tivessem sido inventados, consideremos um processador
com 100 milhes de transistores discretos. Admitindo que cada dispositivo ocupe um volume de
3 mm X 3 mm X 3 mm, calculemos o mnimo volume do processador. Que outras questes seriam
levantadas por esta implementao?
O volume mnimo dado por 27 mm' X 10x, ou seja, um cubo com lado de 1,4 m! E claro que os
fios que conectariam os transistores aumentariam o volume de modo substancial.
Alm de ocupar um grande volume, esse processador discreto seria extremamente lento\ os
sinais teriam de viajar por fios de at 1,4 m de comprimento! Ademais, se cada transistor isolado
custar 1 centavo e pesar 1 g, cada processador custar 1 milho de reais e pesar 100 toneladas!
Qual ser o consumo de potncia desse sistema se cada transistor dissipar 10 /xW?

Captulo Um

- s surgiu na dcada de 1960. Os primeiros circuitos


integrados (CIs) continham uns poucos disposi
tivos, mas avanos da tecnologia possibilitaram um
aum ento rpido e extraordinrio da com plexidade
de microchips.
Este livro trata, em sua m aior parte, de m icroe
letrnica, mas tam bm ap resen ta fundam entos de
sistemas eletrnicos (talvez discretos) em geral.

1.2

EX EM PLO S DE S IS TE M A S
ELETRNICOS

A gora, apresentarem os dois exem plos de sistemas


m icroeletrnicos e identificarem os alguns blocos
fundam entais im portantes que devem os estudar na
eletrnica bsica.
1.2.1

Telefone C elular

Os telefones celulares foram desenvolvidos na dcada


de 1980 e tornaram-se populares nos anos 1990. Hoje,
os telefones celulares contm uma variedade de sofis
ticados dispositivos eletrnicos, analgicos e digitais,
cujo estudo est alm do escopo deste livro. Nosso
objetivo aqui m ostrar como os conceitos descritos
neste livro so relevantes para o funcionam ento de
um telefone celular.
Suponha que voc esteja conversando com um
amigo ao telefone celular. Sua voz convertida em
um sinal eltrico pelo microfone e, depois de algum
processam ento, transm itida pela antena. O sinal
produzido pela antena de seu aparelh o captado
pelo receptor no telefone de seu am igo e, depois
de algum processam ento, aplicado ao alto-falante
[Fig. 1.1 (a)]. O que se passa nessas caixas-pretas? Por
que so necessrias?

Figura 1.1

Para tentarm os construir o sistem a simples


mostrado na Fig. 1.1 (b), vamos omitir as caixas-pretas.
Como este sistema funciona? Observemos dois fatos.
Primeiro, nossa voz contm frequncias entre 20 Hz
e 20 kHz (esta faixa de frequncias cham ada faixa
de voz ou banda de voz). Segundo, para que uma
an ten a opere de m odo eficiente, ou seja, converta
a maior parte do sinal eltrico em radiao eletro
m agntica, suas dim enses devem ser um a frao
significativa (p. ex., 25% ) do com prim ento de onda.
Contudo, a faixa de frequncias entre 20 Hz e 20 kHz
corresponde a comprimentos de onda1de 1,5 x 107m
a 1,5 x 104 m, o que exige antenas gigantescas para
cada telefone celular. Por outro lado, para se obter um
com prim ento razovel para a antena (p. ex.,5 cm), o
com prim ento de onda deve ser da ordem de 20 cm e
a frequncia, da ordem de 1,5 GHz.
Como podem os converter a faixa de voz para
uma frequncia central da ordem de gigahertz? Uma
abordagem possvel multiplicar o sinal de voz,x{t),
por uma senoide, A cos(27r/.) [Fig. 1.2(a)]. Com o
a multiplicao no dom nio do tem po corresponde
convoluo no dom nio da frequncia, e com o o
espectro da senoide consiste em dois impulsos em f ,
0 espectro do sinal de voz deslocado (transladado)
para f. [Fig. 1.2(b)]. Assim, s e /. = 1 GHz, a sada
ocupa uma largura de banda de 40 kHz centrada em
1 GHz. Esta operao um exemplo de m odulao
em am plitude.2
A gora, postulem os que a caixa-preta no trans
missor da Fig. 1.1 (a) contenha um m ultiplicador,3
como ilustra a Fig. 1.3(a). Contudo,surgem duas outras
questes. Primeira, o telefone celular deve fornecer
uma excurso de tenso relativam ente grande (p. ex.,
20 \ pp) antena para que a potncia radiada alcance
a distncia de vrios quilmetros; isto requer o uso de

(a) Representao simplificada de um telefone celular, (b) simplificaes das rotas de transmisso e de recepo.

'O comprimento de onda igual velocidade (da luz) dividida pela frequncia.
2Na verdade, os telefones celulares usam outros tipos de modulao para transladar a faixa de voz a frequncias mais altas.
3Tambm chamado de misturador" na eletrnica de alta frequncia.

Introduo Microeletrnica

x(t)

Forma de Onda de Sada

A c o s ( 2 n f c t)

Sinal

Espectro de Cosseno

A
-fc

A
0

+ff

+
(b)

Figura 1.2

(a) Multiplicao de um sinal de voz por uma senoide. (b) operao equivalente no domnio da frequncia.

um amplificador de potncia entre o multiplicador


e a antena. Segunda, a senoide, A cos(27 t/ j ), deve
ser produzida por um oscilador. Assim, obtem os a
arquitetura de transmissor m ostrada na Fig. 1.3(b).
Voltemos agora nossa ateno para a rota de
recepo do telefone celular, comeando pela imple
mentao simples ilustrada na Fig. 1.1 (b). No entanto,
essa topologia no funciona segundo o princpio de
modulao: se o sinal recebido pela antena tiver fre
quncia central da ordem de gigahertz,o alto-falante no
poder produzir qualquer informao. Em outras pala
vras, necessria uma maneira de transladar o espectro
de volta frequncia central nula. Por exemplo, como
ilustra a Fig. 1.4(a), a multiplicao por uma senoide,
A c o s (2 it fj ) , translada o espectro para a esquerda e a
direita d e / e restaura a faixa de voz original. Os novos

Figura 1.3

componentes criados em 2f podem ser removidos


por um filtro passa-baixas. Assim, obtemos a topologia
de receptor mostrada na Fig. 1.4(b).
Nossa im plem entao de receptor ainda est
incompleta. O sinal recebido pela antena pode ser
muito baixo, da ordem de algumas dezenas de microvolts, enquanto o alto-falante req u er excurses de
tenso de centenas de milivolts. Ou seja, o receptor
deve prover m uita amplificao ("ganho) entre a
antena e o alto-falante. Alm disso, como os multipli
cadores, em geral, sofrem de rudo alto e, portanto,
corrom pem o sinal recebido, um am plificador de
baixo rudo deve preceder o multiplicador. A arqui
tetura com pleta ilustrada na Fig. 1.4(c).
Os telefones celulares de hoje so m uito mais
sofisticados que as topologias que acabam os de

(a) Transmissor simples, (b) transmissor mais completo.

Captulo Um

E spectro do
S inal R ecebido

E spectro de Sada
E sp ectro d o C osseno

A
+ fr

~fr

A
0

+fc

(a)

A m p lific a d o r de

<b)
Figura 1.4

(c)

(a) Translao do sinal modulado frequncia central nula, (b) receptor simples, (c) receptor mais completo.

desenvolver. Por exemplo, o sinal de voz no trans


missor e no receptor aplicado a um processador
digital de sinal (DSP - Digital Signal Processar) para
m elhorar a qualidade e a eficincia da comunicao.
No obstante, nosso estudo revela alguns dos blocos
bsicos de telefones celulares: amplificadores, osciladores e filtros, sendo que os dois ltimos tambm
fazem uso de amplificao. P or isto, dedicarem os
muito esforo anlise e sntese de amplificadores.
Tendo visto a utilidade de amplificadores, osciladores e m isturadores, tan to na rota de trans
misso como na de recepo de telefones celulares,
o leitor pode se p erguntar se isto coisa antiga
e m uito simples em com parao com o estado da
arte. interessante ressaltar que esses blocos funda
m entais ainda representam os circuitos mais desa
fiadores em sistem as de com unicao. Isto se deve
ao fato de que a sntese envolve barganhas (tradeoffs) crticas entre velocidade (frequncia central da
ordem de gigahertz), rudo, dissipao de potncia
(ou seja, tem po de vida das b aterias), peso, custo
(p.ex.,o preo de um telefone celular) e muitos outros
parm etros. No competitivo m undo dos fabricantes
de telefones celulares, um dado projeto nunca sufi
cientem ente bom e os engenheiros so forados a

esten d er essas barganhas ainda mais a cada nova


gerao de produtos.
1.2.2

Cmera D ig ita l

O u tro p roduto que, por causa da era eletrnica,


mudou de maneira drstica nossos hbitos e costumes
a cm era digital. Com cm eras tradicionais, no
tnham os realim entao im ediata sobre a quali
dade das fotos tiradas, ram os muito cuidadosos na
seleo do que fotografar, para no desperdiar filme,
precisvamos carregar pesados rolos de filme e obt
nhamos o resultado final apenas na forma impressa.
Com as cm eras digitais, resolvemos estas questes
e podemos usufruir outras propriedades que apenas
o processam ento eletrnico pode prover, como, por
exemplo, transm isso de fotos por telefone celular
e capacidade de retocar ou alterar fotos no com pu
tador. Nesta seo, estudarem os o funcionamento da
cmera digital.
A parte da frente (front-end) da cmera deve
converter luz em eletricidade, tarefa executada por
uma m atriz (conjunto ou rede) de pixels.4 Cada
pixel consiste em um dispositivo eletrnico (um
fo to d io d o ) que produz uma corrente propor-

40 termo pixel uma aglutinao das palavras inglesas picture cell, ou clula de imagem. [Pixel tambm pode ser a aglutinao das
palavras inglesas picture element, ou elemento de imagem. (N.T.)]

Introduo Microeletrnica

Figura 1.5

(a) Funcionamento e um fotodiodo, (b) matriz de pixels em uma cmera digital, (c) uma coluna da matriz.

cional intensidade da luz que recebe. Como ilustra a


Fig. 1.5(a), essa corrente flui atravs de uma capacitncia, Q , por um certo intervalo de tempo, e origina
uma queda de tenso proporcional entre os term i
nais da mesma. D esta forma, cada pixel produz uma
tenso proporcional intensidade de luz local.
Exem plo

Soluo

A gora, considerem os uma cm era de, digamos,


6,25 milhes de pixels dispostos em uma m atriz de
2500 x 2500 [Fig. 1.5(b)]. Como a tenso de sada de
cada pixel am ostrada e processada? Se cada pixel
contiver seus prprios circuitos eletrnicos, a rede
to tal ocupar um a grande rea, o que au m en tar

Uma cmera digital foca um tabuleiro de xadrez. Esbocemos a tenso que cada coluna produz
como uma funo do tempo.
Os pixels em cada coluna recebem luz apenas dos quadrados brancos [Fig. 1.6(a)]. Assim, a tenso
de coluna alterna entre um mximo para esses pixels e zero para aqueles que no recebem luz. A
forma de onda resultante mostrada na Fig. 1.6(b).

'coluna
'coluna

Figura 1.6
coluna.

Exerccio

(a)
(b)
(c)
(a) Tabuleiro de xadrez captado por uma cmera digital, (b) forma de onda de tenso de uma

Esboce a tenso para o caso em que o primeiro e o segundo quadrados em cada linha tm a mesma
cor.

Captulo Um

Figura 1.7

Compartilhamento de um ADC entre duas colunas de uma matriz de pixels.

m uito o custo e a dissipao de potncia. Portanto, p o d e co n sid era r ap en as um a seo da m atriz,


devem os co m p artilh ar te m p o ra lm e n te (tim e- d escartan d o a in fo rm ao dos pixels restantes.
share) os circuitos de processam ento de sinal entre O u tro ssim , p a ra red u zir o ta m an h o de m em ria
os pixels. Para isto, aps o circuito da Fig. 1.5(a), necessrio, o processador pode com prim ir o sinal
inserimos um amplificador simples e com pacto e um de vdeo.
A cm era digital exemplifica o extenso uso de
com utador (switch) (para cada pixel) [Fig. 1.5(c)].
Agora, conectam os um fio s sadas de todos os 2500 microeletrnicas analgica e digital. As funes anal
pixels em uma coluna, ligamos um com utador de gicas incluem amplificao, com utao e converso
cada vez e aplicam os a co rresp o n d en te tenso ao analgico-digital; as funes digitais consistem no
bloco de processam ento de sinal fora da coluna. subsequente processam ento de sinal e arm aze
A m atriz com pleta consiste em 2500 dessas colunas, nagem.
cada qual com seu prprio bloco de processam ento
de sinal.
1.2.3 A n a l g ico versus D igital
O
que faz cada bloco de processam ento de sinal?
Como a tenso produzida por cada pixel um sinal Os amplificadores e ADCs so exemplos de circuitos
analgico e pode assum ir todos os valores em um de funes analgicas, que devem processar cada
intervalo, devemos, prim eiro,digitaliz-lo com um ponto da forma de onda (p. ex um sinal de voz) com
conversor analgico-digital (A D C - A nalog-to- grande cuidado para se evitarem efeitos como rudo e
Digital Converter). U m a m atriz de 6,25 megapixels distoro. Circuitos digitais, por sua vez, lidam com
deve, p o rtan to , in co rp o rar 2500 A D Cs. C om o os nveis binrios (UM e Z E R O ) e, claro, no desem
A DCs so circuitos um pouco complexos, podem os penham funes analgicas. O leitor pode dizer: No
com partilhar tem poralm ente um A D C en tre duas tenho a m enor inteno de trabalhar para um fabri
colunas (Fig. 1.7), mas o m esm o deve o p erar a uma cante de telefones celulares ou de cm eras digitais;
taxa duas vezes mais rp id a (p o r qu?). No caso logo, no preciso estudar circuitos analgicos. Na
extrem o, podem os em pregar um nico A D C muito verdade, na era de com unicao digital, em que os
rp id o p ara todas as 2500 colunas. Na p rtica, a processadores digitais de sinais e todas as funes
se tornam digitais, h algum futuro para a eletrnica
escolha tim a reside en tre esses dois extrem os.
U m a vez no dom nio digital, o sinal de v deo analgica?
Bem, algumas das hipteses anteriores so incor
c a p tu rad o pela cm era p o d e se r m an ip u lad o de
diferentes maneiras. Por exem plo, para obter efeito retas. Primeiro, nem todas as funes podem ser reali
de z o o m , o pro cessad o r digital de sinal (D SP) zadas na form a digital. As arquiteturas das Figs. 1.3

Introduo Microeletrnica

1.3

CONCEITOS BSICOS*

A anlise de circuitos microeletrnicos usa diversos


conceitos ensinados em cursos bsicos sobre sinais,
sistem as e teoria de circuitos. Esta seo traz uma
breve recapitulao desses conceitos para refrescar a
memria do leitor e estabelecer a terminologia a ser
usada no restante do livro. O leitor pode, primeiro,
folhear esta seo e identificar quais pontos precisam
de reviso ou pode retornar a ela quando este m ate
rial se tornar necessrio mais tarde.
1.3.1

e 1.4 devem em p reg ar am plificadores de baixo


rudo e de baixa potncia, osciladores e m ultiplica
dores, seja a com unicao na form a analgica ou na
digital. Por exemplo, um sinal de 20 /aV (analgico
ou digital) recebido pela antena no pode ser apli
cado diretam ente a um a p o rta digital. D o mesm o
m odo, o sinal de vdeo cap tu rad o pela m atriz de
pixels em uma cm era digital deve ser processado
com baixo rudo e sem distoro antes de aparecer
no dom nio digital.
Segundo, circuitos digitais requerem conheci
mento analgico medida que a velocidade aumenta.
A Fig. 1.8 exemplifica essa questo ao m ostrar duas
formas de onda binrias: uma de 1(X) Mb/s e outra de
1 Gb/s. Os tem pos finitos de subida e de descida da
ltima levantam muitas questes quanto operao
de portas,flip-flops e outros circuitos digitais,e exigem
que seja dada grande ateno a cada ponto da forma
de onda.

Figura 1.9

S inais A n a l g ico s e S in a is D ig ita is

Um sinal eltrico uma forma de onda que transporta


informao. Sinais que ocorrem na natureza podem
assumir todos os valores em um dado intervalo. Esses
sinais so chamados de analgicos; entre eles esto
includas form as de onda de voz, vdeo, ssmicas e
musicais. A Fig. 1,9(a) m ostra uma forma de onda de
tenso analgica que varre um contnuo de valores
e fornece inform ao a cada instante de tempo.
E m bora ocorram em toda parte nossa volta,
os sinais analgicos so de difcil processam ento,
devido sensibilidade a imperfeies de circuitos como
rudo e distoro.5 Como exemplo, a Fig. 1,9(b)
ilustra o efeito do rudo. Alm disso, sinais analgicos
so de difcil armazenagem, pois exigem memrias
analgicas (p. ex., capacitores).
Um sinal digital, por sua vez, assum e apenas
um nm ero finito de valores em certos instantes
de tempo. A Fig. 1.10(a) ilustra uma forma de onda
b inria que perm anece em um de dois valores

(a) Sinal analgico, (b) efeito de rudo em um sinal analgico.

*Esta seo serve como recapitulao e pode ser pulada nas aulas.
'Distoro ocorre quando a sada no uma funo linear da entrada.

Captulo Um

Figura 1.10

(a) Sinal digital, (b) efeilo de rudo em um sinal digital.

em cada perodo, T. Desde que a diferena entre os


valores de tenso correspondentes a UM e a Z E R O
seja suficientemente grande, circuitos lgicos podem
processar um sinal desse tipo de forma correta, mesmo
que um rudo ou distoro corrom pam o sinal [Fig.
1.10(b)]. Portanto, consideram os os sinais digitais
mais robustos que os sinais analgicos. A arm a
zenagem de sinais binrios (em m em rias digitais)
tambm muito mais simples.
Os com entrios anteriores favorecem o proces
sam ento de sinais no domnio digital e sugerem que
a informao analgica deve ser convertida forma
digital o mais cedo possvel. Na verdade, complexos
sistemas microeletrnicos - com o cm eras digitais,
camcorders e gravadores de com pact disc (C D ) executam algum processamento analgico,converso

Figura 1.11

Figura 1.12

1.3.2

analgico-digital e processamento digital (Fig. 1.11);


as duas prim eiras funes tm papel fundamental na
qualidade do sinal.
Vale a pena ressaltar que muitos sinais binrios
digitais devem ser vistos e processados como formas
de onda analgicas. C onsiderem os, por exem plo,
a inform ao arm azen ad a no disco rgido de um
com putador. A o ser recuperado, o dado d igital
aparece com o uma form a de onda distorcida, com
apenas alguns m ilivolts de am p litu d e (Fig. 1.12).
Caso esse sinal deva alim en tar uma p o rta lgica,
a pequena separao en tre os nveis UM e Z E R O
se m ostra inadequada: uma grande am plificao e
outros processam entos analgicos se fazem neces
srios para que o sinal adquira uma form a digital
robusta.

Processamento de sinal em um sistema tpico.

Sinal recuperado do disco rgido de um computador.

C ircu itos A n al gicos

Os atuais sistem as m icroeletrnicos incorporam


diversas funes analgicas. Com frequncia, como
vimos nos exemplos do telefone celular e da cmera

digital, circuitos analgicos limitam o desem penho


do sistema como um todo.
A funo analgica mais utilizada a amplifi
cao. O sinal recebido por um telefone celular ou
captado por um m icrofone m uito baixo para ser

Introduo Microeletrnica

processado. Deve-se usar um amplificador para elevar


a excurso do sinal a nveis aceitveis.
O desem penho de um amplificador caracteri
zado por diversos parm etros, como, por exemplo,
ganho, velocidade e dissipao de potncia. Estes
aspectos da amplificao sero estudados em deta
lhes mais adiante neste livro; contudo, interessante
fazermos aqui uma breve reviso desses conceitos.
Um amplificador de tenso produz uma excurso
de sada que maior que a da entrada. O ganho de
tenso, A, definido como

Exem plo
1.3
Soluo

Em alguns casos, preferim os expressar o ganho em


decibis (dB):
A u\dB = 2 0 1 o g ^ .
Vm

(1.2)

Por exem plo, um ganho de tenso de 10 se traduz


em 20 dB. Amplificadores tpicos tm ganhos entre
101e 105.

Um telefone celular recebe um nvel de sinal de 20 /liV, mas deve fornecer uma excurso de 50 mV
ao alto-falante que reproduz a voz. Calculemos o ganho de tenso necessrio em decibis.
Temos
50 my
/'" = 20I,,820V
^ 68 dB.

Exerccio

(1.3)
(1.4)

Qual ser a excurso de sada se o ganho for de 50 dB?

Para que funcione de maneira adequada e produza


ganho, um amplificador deve receber potncia de uma
fonte de tenso, como uma bateria ou um carregador.
Chamada de fonte de alimentao, essa fonte , em
geral, representada por Vcc ou Vnn [Fig. 1.13(a)]. Em
circuitos complexos, podemos simplificar a notao tal

como mostra a Fig. 1.13(b), em que o terminal terra


significa um ponto de referncia com potencial zero. Se
o amplificador for denotado por um tringulo, podemos
omitir os terminais de alimentao [Fig. 1.13(c)], tendo
em mente que esto presentes. Amplificadores tpicos
operam com tenses de alimentao entre 1 V e 10 V.

Figura 1.13 (a) Smbolo genrico de amplificador, incluindo a fonte de alimentao, (b) diagrama simplificado de (a), (c) ampli
ficador com terminais de alimentao omitidos.

O que significa velocidade de um amplificador?


Esperam os que as diversas capacitncias no circuito
comecem a se manifestar nas frequncias altas, resul
tando em uma diminuio do ganho. Em outras pala
vras, com o ilustra a Fig. 1.14, o ganho cai em fre
quncias m uito altas e limita a largura de b anda

(til) do circuito. A operao de amplificadores (e


outros circuitos analgicos) implica equilbrio entre
ganho, velocidade e dissipao de potncia. H oje
em dia, os am plificadores utilizados em m icroele
trnica alcanam larguras de banda de dezenas de
gigahertz.

10

Captulo Um

Porta NOT

---- Y = i

A o

Porta NOR

Figura 1.15

Portas NOT e NOR.

Diminuio dc ganho de um amplificador cm


frequncias altas.
Figura 1.14

Que outras funes analgicas tm uso freqente?


Uma operao crtica a filtragem. Por exemplo,
um eletrocardigrafo que mede a atividade cardaca
de um paciente tambm capta a tenso de linha de
60 Hz (ou 50 Hz), pois o corpo do paciente funciona
com o uma antena. Assim, um filtro usado para
suprimir essa interferncia e perm itir uma medida
confivel da atividade cardaca.
1.3.3

C ircu itos D ig ita is

Mais de 80% da indstria de m icroeletrnica so


voltados para circuitos digitais. Exem plos incluem
m icroprocessadores, m em rias estticas e din
micas, processadores digitais de sinais. Recordemos,
dos conceitos bsicos de projetos lgicos, que portas
formam circuitos com binatrios, enquanto latches
e flip-flops constituem m quinas seqenciais. A
complexidade, a velocidade e a dissipao de potncia
Exem plo
1.4

desses blocos fundamentais tm papel im portante no


desem penho global do sistema.
Na microeletrnica digital, estudamos o projeto dos
circuitos internos de portas, latches, flip-flops e outros
componentes. Por exemplo, construmos um circuito
usando dispositivos como transistores para realizar
as funes NOT e N OR mostradas na Fig. 1.15. Com
base nessas implementaes, determinamos diversas
propriedades de cada circuito. Por exemplo, o que limita
a velocidade de uma porta? Quanta potncia uma porta
consome enquanto funciona em uma dada velocidade?
Com que robustez uma porta pode operar na presena
de no idealidades como rudo (Fig. 1.16)?

0
Figura 1.16

Resposta dc uma porta a uma entrada ruidosa.

Consideremos o circuito mostrado na Fig. 1.17, em que o comutador 5, controlado pela entrada digital.
Ou seja, se A for alto, 5, baixo e vice-versa. Provemos que esse circuito executa a funo NOT.

Ao

DD

out
Figura 1.17

Soluo

Se A for alto, S, est fechado, resultando em Voulnulo. Se, por outro lado, A for baixo, 5, perma
nece aberto e nenhuma corrente flui por R, . Como resultado, a queda de tenso em R, zero e,
portanto, Vout = Vnj): a sada alta. Assim, observamos que, para cada estado lgico da entrada, a
sada assume o estado oposto.

Exerccio

Determine a funo lgica se as posies de .V, e R, forem trocadas e Voul for medido nos terminais
de /?,.

Introduo Microeletrnica

11

O exem plo anterior indica que comutadores


(switches) podem executar operaes lgicas. Na
verdade, os primeiros circuitos digitais empregavam
comutadores mecnicos (rels),mas tinham velocidade
muito limitada (poucos quilohertz). Circuitos digitais
consistindo em milhes de portas e operando em altas
velocidades (vrios gigahertz) s se tornaram possveis
depois da inveno de transistores e da identificao
de sua capacidade de atuar como comutador.
1.3.4

Teorem as Bsicos de C ircu itos

Das numerosas tcnicas ensinadas nos cursos de teoria


de circuitos, algumas se m ostram particularm ente
im portantes para nosso estudo de microeletrnica.
Esta seo apresenta uma reviso desses conceitos.
Leis de K irch h o ff

A Lei das Correntes de Kirchhoff (LCK)* afirma que a soma de todas as correntes
que entram em um n zero (Fig. 1.18):
'/ = i

(1-5)

A LCK, na verdade, resulta da conservao da carga:


uma som a no nula significaria que uma parte da
carga que chegou ao n X desapareceu ou que esse
n produziu carga.
A Lei das Tenses de K irchhoff (LTK)** afirma
que a soma das quedas de tenso ao longo de qual
quer lao fechado (m alha) em um circuito zero
[Fig. 1.19(a)]:

Figura 1.19

(a) Ilustrao da LTK, (b) vi

> y= ,
i

(1-6)

onde V, denota a queda de tenso no elem ento de


nm ero j. A LTK resulta da conservao da fora
eletrom otriz. No exemplo ilustrado na Fig. 1.19(a),
podem os igualar a som a das tenses na m alha a
zero: V, + V2 + V3 + VA = 0. De modo alternativo,
adotando a viso modificada da Fig. 1.19(b), podemos
dizer que V t igual soma das quedas de tenso
nos elem entos 2, 3 e 4: V t = V2 + V3 + V4. Vale a
pena observar que as polaridades de V2, Vy e V4 na
Fig. 1.19(b) so opostas s correspondentes polari
dades na Fig. 1.19(a).
Q uando analisamos um circuito, podemos no ter
conhecim ento antecipado das polaridades corretas
das correntes e tenses. C ontudo, podem os alocar
polaridades arbitrrias, escrever LCK e LTK e
resolver as equaes resultantes para obterm os os
verdadeiros valores e polaridades.

ligeiramente diferente do mesmo circuito.

*Tambm chamada Lei dos Ns (de Kirchhoff) e Primeira Lei de Kirchhoff. (N.T.)
Tambm referida como Lei das Malhas (de Kirchhoff) e Segunda Lei de Kirchhoff. (N.T.)

12

Captulo Um

Exem plo
1.5

A topologia ilustrada na Fig. 1.20 representa o circuito equivalente de um amplificador. A fonte


de corrente dependente /, igual a uma constante, gw,6 multiplicada pela queda de tenso em rn.
Determinemos o ganho de tenso do amplificador, vtJ v in.
in

out
o

Figura 1.20

Soluo

Devemos calcular voul em termos de vm, ou seja, devemos eliminar v das equaes. Escrevendo a
LTK na malha de entrada, temos
V jn

V jr

(1.7)

e, portanto, gmvv = gmvm. Uma LTK na malha de sada fornece


( 1.8)

Portanto,
Vout

= - g mRL.

(1.9)

V n

Notemos que o circuito amplifica a entrada se gmR, > 1. Sem importncia na maioria dos casos, o
sinal negativo indica apenas que o circuito "inverte o sinal.
Exerccio

Exem plo

Repita o exemplo anterior para o caso rn o.

A Fig. 1.21 mostra outra topologia de amplificador. Calculemos o ganho.

1.6

Figura 1.21

Soluo

Notando que, na verdade, r aparece em paralelo com vin, escrevemos uma LTK para estes dois
componentes:
.

( 1. 10)

( 1.11)

Vin
A LCK no n de sada semelhante a (1.8). Assim,
Voul
Vin

interessante observar que esse tipo de amplificador no inverte o sinal.


Exerccio

Repita o exemplo anterior para o caso r >

''Qual c a dimenso dc g;?

Introduo Microeletrnica

Exem plo
1.7

13

Uma terceira topologia de amplificador mostrada na Fig. 1.22. Determinemos o ganho de tenso.

rK % VK ;1\ j ) 9 m VK ~

out
Figura 1.22

Soluo

Primeiro, escrevemos uma LTK para a malha que consiste em vin, r e R, :


( 1. 12)

Vi = v n + v oli f .

Ou seja, v = vin v()Ul. Em seguida, notando que as correntes v jr v e g,v entram no n de sada e
que a corrente vouJREsai do n, escrevemos a LTK:
VjT ,
Vout
~ KgmVjr ~
r7i
Re

(1.13)

Substituindo vir por


vm vout7 obtemos
*
Vin( ^ +8m) = Vou,( ^

+8m)

(1.14)

logo,
Vout
Vin

+ gm

r-r
1
1
R :+ ~ . + 8'"
(1 + gmrn)Ri-:
r + (1 + gn,r^ )!<i:'

(1.15)

(1.16)

Notemos que o ganho de tenso sempre permanece abaixo da unidade. Ser que esse amplificador
til? Na verdade, esta topologia exibe algumas propriedades importantes que a tornam um bloco
bsico verstil.
Exerccio

Repita o exemplo anterior para o caso r .

Os trs exemplos que acabamos de analisar esto


relacionados s trs topologias de amplificadores que
estudarem os em detalhe no Captulo 5.
E quivalentes de Thvenin e N o rto n Em bora as
leis de Kirchhoff possam sem pre ser utilizadas para
anlise de um circuito qualquer, os teorem as de
Thvenin e de N orton podem simplificar a lgebra e,
o que mais im portante, prover maior entendim ento
sobre o funcionam ento de um circuito.
O teorem a de Thvenin afirm a que um circuito
(linear) de uma p orta pode ser substitudo por um
circuito equivalente que consiste em uma fonte de
tenso em srie com uma im pedncia. Ilustrado na

Fig. 1.23(a), o term o p o rta se refere a quaisquer


dois ns cuja diferena de tenso seja de interesse.
Para o b ter a tenso equivalente, u1<v, deixam os a
p o rta aberta e calculam os a te n so criada nessa
p orta pelo circuito real. A im pedncia equivalente,
Z TOv, determ inada fixando em zero todas as fontes
independentes de tenso e de co rren te no circuito
e calculando a im pedncia en tre os dois ns em
questo. Tam bm cham am os Z ^ . de im pedncia
vista quando olham os para os ns da porta de
sada [Fig. 1.23(b)]. A im pedncia calculada apli
cando uma tenso p orta e calculando a corrente
resultante. A lguns exem plos ilustraro estes p rin
cpios.

Captulo Um

Figura 1.23

Exem plo
1.8

Soluo

(a) Circuito equivalente de Thvenin, (b) clculo das impedncias equivalentes.

Suponhamos que a fonte de tenso de entrada e o amplificador mostrados na Fig. 1.20 sejam posi
cionados em uma caixa e apenas a porta de sada seja de interesse [Fig. 1.24(a)]. Determinemos o
equivalente de Thvenin desse circuito.
Devemos calcular a tenso de circuito aberto e a impedncia vista quando olhamos para a porta
de sada. A tenso de Thvenin obtida da Fig. 1.24(a) e da Eq. (1.9):
(1.17)
(1.18)

Vout
= -gmRl.Vin-

Para calcular Z nYI fixamos v, em zero. aplicamos uma fonte de tenso, vx. porta de sada e deter
minamos acorrente que flui,/*. Como mostra a Fig. 1.24(b), fixar v,em zero significa substituir essa
fonte por um curto-circuito. Notemos, ainda, que a fonte de corrente gmvr permanece no circuito,
pois depende da queda de tenso em r, cujo valor no conhecido a priori.
1
-----i-- 0
JL+
+
JL
r l\ vout
J - rni l vn
3
\
------- 1 ----------- - ------! o

JC
5
II
o

14

+
rK ^E VK
**
~

(b)

(a)

%
llR *\

V ) 9mL
(c)

Figura 1.24

Agora,como analisamos o circuito da Fig. 1.24(b)? De novo,devemos eliminar v^ Por sorte,como


os dois terminais de r so conectados terra, vff = 0e g,vv = 0. Assim, o circuito se reduz a R, e
ix

Vx
R,

(1.19)

Ou seja,
^Thv R l -

( 1.20)

A Fig. 1.24(c) ilustra o equivalente de Thvenin da fonte de tenso de entrada e do amplificador.


Neste caso, chamamos /?Ill6v (= R,) de impedncia de sada do circuito.
Exerccio

Repita o exemplo anterior para o caso r >

Introduo Microeletrnica

Uma vez que o equivalente de Thvenin de um


circuito esteja disponvel, podemos analisar com faciExem plo
1.9
Soluo

lidade o com portam ento do mesmo na presena de


um estgio subsequente ou carga.

O amplificador da Fig. 1.20 deve alimentar um alto-falante que tem uma impedncia Rsp. Determi
nemos a tenso entregue ao alto-falante.
A Fig. 1.25(a) mostra o circuito completo a ser analisado. Substituindo a seo no interior do retn
gulo tracejado pelo equivalente de Thvenin da Fig. 1.24(c), simplificamos o circuito [Fig. 1.25(b)]
e escrevemos
Vout gmR/.Vit

R.
Rsp + R l

(1.21)
( 1.22)

= ~&mVi/i( ^/. 11Rsp)


Rl
-Wrt VK

vout ""j

VK R L ^

'1

sp

(a)

- 9 mR iy i n O

f sp

(b)

Figura 1.25
E x e rc c io

Exem plo

15

Repita o exemplo anterior para o caso r >5.

1.10

Determinemos o equivalente de Thvenin do circuito mostrado na Fig. 1.22 quando a porta de


sada a porta de interesse.

Soluo

A tenso de circuito aberto obtida de (1.16):


^Thv

(1 +gn,r)Ri.
(
u
Vjn .
rn + (1 +g,r7T)Rr

(1.23)

Para calcular a impedncia de Thvenin, fixamos vina zero e aplicamos uma fonte de tenso porta
de sada, como ilustra a Fig. 1.26. Para eliminar v^ observamos que os dois terminais de r so

Figura 1.26

conectados aos de vx e, portanto,


Vjt

=-v x.

(1.24)

Agora, escrevemos uma LCK para o n de sada. As correntes v jr v, gmv e ix entram no n e a


corrente vx/R, sai dele. Logo,

16

Captulo Um

VjT ,
, .
U*
+ gmV: r + l X = T T ^ 7T

(1.25)

OU

( + * ) < - '* > + '*


Ou

(1.26)

= 5 -

seja,
M
''T h v

(1.27)

.
ix

r*Ri.
rn + (1 + gmr^)Ri. '
Exerccio

(1.28)

O que aco n tece se R, = ?

O teorem a de N orton afirm a que um circuito


(linear) de uma p o rta pode ser rep resen tad o por
uma fonte de corrente em paralelo com uma impedncia (Fig. 1.27). A corrente equivalente,zNor, obtida
curto-circuitando a porta de interesse e calculando a

corrente que flui nela. A impedncia equivalente, ZNor,


determ inada ao fixarmos em zero todas as fontes
independentes de tenso e de corrente no circuito e
calcularmos a impedncia vista na porta. Obviamente,
^Nor = -^Thv

Porta j

Figura 1.27

Exem plo

1.11
Soluo

Teorema de Norton.

Determinemos o equivalente de Norton do circuito mostrado na Fig. 1.20 quando a porta de inte
resse a de sada.
Como ilustra a Fig. 1.28(a),curto-circuitamos a porta de sada e determinamos o valor de /Nor. Como
a queda de tenso em R, agora zero, no flui corrente por esse resistor.
/ Nor

(a)
Figura 1.28

(b)

Introduo Microeletrnica

17

A LCK aplicada ao n de sada fornece


*Nor =

( 1 .2 9 )

Sm^TT

= g m V in

( 1 -3 0 )

Do Exemplo 1.8, temos /?Nor (= /^IMv) = /?/. Portanto, o equivalente de Norton o circuito mostrado
na Fig. 1.28(b). Para comprovar a validade deste modelo, observemos que o fluxo de /Nor por R,
produz uma queda de tenso de - g mRLIVjyigual tenso de sada do circuito original.
Exerccio

Exem plo

1.12
Soluo

Repita o exemplo anterior para o caso em que um resistor R{ conectado entre o terminal superior
de vin e o n de sada.

Determinemos o equivalente de Norton do circuito mostrado na Fig. 1.22 quando a porta de sada
a de interesse.
Curto-circuitando a porta de sada, como ilustra a Fig. 1.29(a), observamos que no flui corrente
por Rt . Logo,

(b)

(a)
Figura 1.29

(1.31)
Alm disso, vin = v (por qu?); portanto,
*Nor =

(1.32)

Com a ajuda de ft,K.v calculado no Exemplo 1.10, construmos o equivalente de Norton ilustrado
na Fig. 1.29(b).
Exerccio

1.4

O que acontece se r = <?

RESUM O DO CAPTULO

Funes eletrnicas surgem em diversos dispositivos,


inclusive telefones celulares, cmeras digitais, notebooks etc.
Amplificao uma operao essencial em nume
rosos sistemas analgicos e digitais.

Os circuitos analgicos processam sinais que podem


assumir valores diferentes em qualquer instante de
tempo. Os circuitos digitais, por sua vez, processam
sinais que tm apenas dois nveis e comutam entre
esses valores em instantes de tempo conhecidos.
Apesar da revoluo digital, circuitos analgicos
tm grande aplicao na maioria dos sistemas eletr
nicos da atualidade.

Captulo Um

O ganho de tenso de um amplificador definido


como a razo entre as tenses de sada e de entrada,
v0Jvin>e s vezes expresso em decibis (dB) como
20 log(uA).
A lei das correntes de Kirchhoff (LCK) afirma que
a soma de todas as correntes que entram em um n
qualquer zero. A lei das tenses de Kirchhoff (LTK)

afirma que a soma de todas as quedas de tenso em


uma malha zero.
O teorema de Norton possibilita a simplificao de
um circuito de uma porta como uma fonte de corrente
em paralelo com uma impedncia. De modo similar, o
teorema de Thvenin reduz um circuito de uma porta a
uma fonte de tenso em srie com uma impedncia.

Fsica Bsica de
Semicondutores
Circuitos microeletrnicos so baseados em complexas
estruturas de semicondutores, que tm sido alvo de
pesquisa h seis dcadas. Em bora este livro trate de
anlise e sntese de circuitos, de vemos enfatizar logo
no incio que um bom entendim ento de dispositivos
essencial ao nosso trabalho. A situao similar de
vrios outros problemas de engenharia; por exemplo,
no possvel projetar um autom vel de alto desem
penho sem um conhecim ento detalhado do m otor e
de suas limitaes.
Contudo, nos deparamos com um dilema. Nosso
estudo da fsica de dispositivos deve ser profundo, de
modo a permitir um entendimento adequado do assunto,
mas tambm deve ser breve, para que passemos logo ao
estudo de circuitos. O presente captulo faz isto.
O objetivo final do captulo o estudo de um
dispositivo verstil e m uito im p o rtan te cham ado

S em icondutores

Juno PN

Portadores de Carga

Estrutura

Dopagem

Polarizao Reversa e
Direta

Transporte de Portadores

diodo . No entanto, assim com o devem os com er


verduras e legumes antes da sobrem esa, devemos,
antes de tratarm os de diodos, desenvolver um enten
dim ento bsico de materiais sem icondutores e das
condies em que conduzem corrente.
N este cap tu lo , co m eam o s com o co n ce ito
de sem ic o n d u to re s e estu d am o s o m o v im en to
de carg as (o u seja, o fluxo de c o rre n te ) nesses
m ateriais. Em seguida, tratam o s da ju n o p n ,
que tam bm funciona com o diodo, e analisam os
seu co m portam ento. N osso objetivo final re p re
s e n ta r o d isp o sitiv o p o r um m o d elo de circu ito
(co n sistin d o em resisto res, fo n tes de te n s o ou
de co rren te, cap acito res etc.), de m aneira que um
circu ito que co n ten h a esse dispositivo possa ser
analisado com facilidade. O ro teiro do captulo
indicado a seguir.

Caracterstica l/V
M odelos de C ircuitos

im portante ressaltar que a tarefa de desenvol


vim ento de m odelos precisos fundam ental para
todos os dispositivos m icroeletrnicos. A indstria
eletrnica aum enta co ntinuam ente as exigncias

sobre circuitos, dem andando configuraes ousadas


que explorem dispositivos sem icondutores ao limite.
Portanto, uma boa com preenso do funcionamento
interno de dispositivos necessria.'

'Como gerentes de projeto dizem com frequncia: Se voc no explora os limites de dispositivos e circuitos, mas seu competidor
o faz, voc fica em desvantagem".

20
2.1

Captulo Dois
2.1.1

M ATER IAIS SEM ICO ND UTO RES


E SU AS PROPRIEDADES

Recordemos da qumica bsica que eltrons em um


tomo orbitam o ncleo em diferentes cascas. A ativi
dade qumica do tomo determinada pelos eltrons
na casca mais externa, chamados eltrons de valncia,
e pelo grau de completeza dessa casca. O nenio, por
exemplo, tem a casca completa (com oito eltrons) e,
portanto, nenhum a tendncia a reaes qumicas. O
sdio, por sua vez, tem apenas um eltron de valncia
e est pronto para ced-lo; o cloro tem sete eltrons de
valncia e anseia receber mais um. Em conseqncia,
estes dois elementos so muito reativos.
Os princpios anteriores sugerem que tom os
com cerca de quatro eltrons de valncia classificamse entre os gases inertes e os elem entos altam ente
volteis, e talvez exibam interessantes propriedades
qumicas e fsicas. A Fig. 2.2 mostra uma seo de uma
tabela peridica, com alguns elem entos que tm trs
a cinco eltrons de valncia. Por ser o mais popular
m aterial em m icroeletrnica, o silcio m erece uma
anlise detalhada.2

C om o esta seo apresenta inm eros conceitos,


conveniente ressaltar o roteiro que seguiremos:
Portadores de
Carga em Slidos
Estrutura Cristalina
Energia da Banda Proibida
Lacunas
M odificao das
Densidades de Portadores
Sem icondutores Intrnsecos
Sem icondutores Extrnsecos
Dopagem

Figura 2.1

>=>

Transporte de
Portadores
Difuso
Deriva

Roteiro desta seo.

Este roteiro representa um processo lgico de


raciocnio: (a) identificarem os portadores de carga
em slidos e descreverem os o papel que desem pe
nham no fluxo de corrente; (b) exam inarem os meios
de modificar a densidade de portadores de carga para
criar propriedades desejadas de fluxo de corrente; (c)
exam inarem os os mecanismos de fluxo de corrente.
Estes passos levam, de m odo natural, ao clculo das
caractersticas corrente/tenso (I/V) de diodos reais
na prxima seo.

III

P ortadores de Carga em S lid o s

Ligaes Covalentes Um tomo de silcio isolado


contm q u atro eltrons de valncia [Fig. 2.3(a)]
e req u er outros q u atro para com pletar sua casca
mais externa. Se processado de modo adequado, o
silcio pode formar um cristal em que cada tom o
envolvido por exatam ente outros quatro [Fig.
2.3(b)]. C om o resultado, cada tom o compartilha
um eltron de valncia com seus vizinhos e, assim,

IV

B o ro

Carbono

(B)

(C)

Alum nio

Silcio

Fsforo

(Al)

(Si)

(P)

Glio
(Ga)

Germ nio
(Ge)

Arsnio

Figura 2.2
2 silcio obtido da areia aps muito processamento.

Seo da tabela peridica.

(As)

Fsica Bsica de Semicondutores

Ligao
Covalente

Si

Si

% / / % / /

Si

Si

Si

% / / % / / % / /

/ / % / / % / / %

// %

Si

Si

Si

^
(a)

Figura 2.3

% //

% / / % / / % / /
Si

>

//

Si

Si

21

Si p-

Si

// \

Si

Si

Eltron

v re

(C)

(b)

(a) tomo de silcio, (b) ligaes covalentes entre tomos, (c) eltron liberado por energia trmica.

completa sua prpria casca e as cascas dos vizinhos. nvel. Assim, dizemos que um par eltron-lacuna
Esta ligao form ada entre os tom os cham ada gerado quando um eltron liberado e que uma
ligao covalente, para enfatizar o com partilha recom binao eltron-lacuna ocorre quando um
eltron cai" em uma lacuna.
m ento dos eltrons de valncia.
O
cristal uniforme ilustrado na Fig. 2.3(b) desem Por que nos ocupam os do conceito de lacuna?
penha papel fundamental em dispositivos semicondu Afinal, o eltron livre que se move de fato no cristal.
tores. Contudo, ser que carrega corrente em resposta Para entender a utilidade de lacunas, consideremos a
aplicao de uma tenso? Em temperaturas prximas evoluo temporal ilustrada na Fig. 2.4. Suponhamos
de zero absoluto, os eltrons de valncia ficam confi que a ligao covalente nm ero 1 contenha uma
nados s respectivas ligaes covalentes e se recusam lacuna depois de perder um eltron em um instante
a mover-se livremente. Em outras palavras, o cristal de tem po anterior a t = tv Em t = t2, um eltron se
de silcio se comporta como um isolador para T >0 K. libera da ligao nm ero 2 e se recom bina com a
Entretanto, em tem peraturas mais altas, os eltrons lacuna na ligao nm ero 1. De modo similar, em t =
ganham energia trmica;com isto, possvel que alguns t3 um eltron deixa a ligao nmero 3 e cai na lacuna
se separem da ligao e ajam como portadores livres na ligao nm ero 2. O lhando as trs fotografias,
de carga [Fig. 2.3(c)], at que caiam em outra ligao podemos dizer que um eltron viajou da direita para
incompleta. Aqui, usaremos o term o eltron para a esquerda ou, alternativam ente, que uma lacuna se
deslocou da esquerda para a direita. Esta viso de
nos referirmos a eltrons livres.
fluxo de corrente de lacunas se mostra muito til na
Lacunas A o ser liberado de uma ligao cova anlise de dispositivos semicondutores.
lente, um eltron deixa um vazio, pois a ligao
fica incompleta. Esse vazio cham ado lacuna* e E nergia da B anda P ro ib id a A gora, respon
pode absorver um eltron livre, caso um esteja dispo derem os a duas perguntas im portantes. Primeira:

t = t1

% #

% #

1 Si

t = t2

Si T

Si

Si

% / / % / /

% / / % / / % / /

% / / % / / $ ? / /

Si

Si

/ / * & / / % / / %
Lacuna ' #

% / / % / /

Si

Si

Si

Si

_ Si

/ / % /2%
Si

%
Figura 2.4

t = t3

Si

Si

Si

Movimento de eltron em um cristal.

*Esscs vazios" so tambm chamados buracos". (N.T.)

Si

Si o

Si

Si

Si
#

Si
#

22

Captulo Dois

Qualquer valor de energia trm ica cria eltrons (e


lacunas) livres? No; na verdade, necessrio um
valor mnimo de energia para liberar um eltron de
uma ligao covalente. Cham ado energia da banda
proibida (ou energia de bandgap) e denotado por
Eg,e sse valor mnimo de energia uma propriedade
bsica do material. No caso do silcio, Eg = 1,12 eV.3
A segunda pergunta diz respeito condutividade
do material: Quantos eltrons livres so criados a uma
dada tem peratura? D o que observam os at aqui,
postulamos que o nmero de eltrons depende tanto
de Eg como da tem peratura T: um maior valor de Eg
se traduz em m enor nmero de eltrons; uma tem pe
ratura T mais alta produz mais eltrons. Para simpli
ficar dedues futuras, vamos considerar a densidade
(ou concentrao) de eltrons, ou seja, o nm ero de
eltrons por unidade de volume, n e escrever para
o silcio:

n, = 5,2 x 10157'/2 exp

Exem plo

AKI

eltrons/cm1

(2.1)

onde k = 1,38 X 10-23 J/K a constante de Boltzmann. Esta deduo pode ser encontrada em livros de
fsica de sem icondutores (p. ex., [1]). Como se espe
rava, materiais com maior Eg exibem m enor Alm
disso, quando T * 0, 7^2 e e x p [ - EJ(2kT)] tambm
0, o que leva nt a zero.
A dependncia exponencial de //, em relao a
Eg revela o efeito da energia da banda proibida na
condutividade do material. Os isoladores exibem alto
valor de Eg, por exemplo, Eg = 2,5 eV para o diamante.
Os condutores, por sua vez, tm pequena energia de
banda proibida. Por fim, os sfwi/condutores tm um
valor m oderado de Eg, entre 1 eV e 1,5 eV.
Os valores de n, obtidos no exem plo anterior
podem parecer muito altos; contudo, notando que o
silcio tem 5 x IO22tomos/cm3, conclumos que apenas
um em 5 x 1012tomos se beneficia de um eltron livre
tem peratura ambiente. Em outras palavras, o silcio
continua sendo mau condutor temperatura ambiente.
No entanto, no nos desesperemos! A seguir, discuti
remos uma maneira de tornar o silcio mais til.

2.1

Determinemos a densidade de eltrons no silcio, s temperaturas /' = 300 K (temperatura ambiente)


e T = 600 K.

Soluo

Como Eg = 1,12 eV = 1,792 x 10 19J. temos


m (T = 300 K) = 1,08 x IO10eltrons/cm'

(2.2)

m (T = 600 K) = 1,54 x 1015 eltrons/cm3.

(2.3)

Como cada eltron livre cria uma lacuna, a densidade de lacunas tambm dada por (2.2) e
(2.3).
Exerccio

2.1.2

Repita o exemplo anterior para um material com banda proibida de 1,5 eV.

M o d ifica o de D ensidades de
P ortadores

Sem icondutores Intrnsecos e Extrnsecos O tipo


de silcio puro estudado at aqui um exem plo de
sem icondutor intrnseco, que apresenta uma resis
tncia m uito alta. Por sorte, possvel modificar a
resistividade do silcio com a substituio de alguns
tom os do cristal por tom os de outro material. Em
um semicondutor intrnseco, a densidade de eltrons,
n (= n,), igual densidade de lacunas,/?. Portanto,

np = nj.

(2.4)

Retornarem os a esta equao mais adiante.


Recordemos da Fig. 2.2 que o fsforo (P) contm
cinco eltrons de valncia. O que aconteceria se
alguns tom os de fsforo fossem introduzidos em
um cristal de silcio? C om o ilustra a Fig. 2.5, cada
tom o P com partilha quatro eltrons com os tomos
de silcio vizinhos, deixando o quinto eltron sem
ligao. Esse eltron livre para se m over e atua

'A unidade eV (eltron-volt) representa a energia necessria para mover um eltron atravs de uma diferena de potencial de
1 V. Note que 1 eV = 1,6 x 10-19 J.

23

Fsica Bsica de Semicondutores

Figura 2.5

Eltrons fracamente ligados devido dopagem com

fsforo.

dopado, com um nm ero m uito m aior de eltrons


livres, chamado extrnseco; na verdade, este cristal
cham ado sem icondutor tipo n para enfatizar a
abundncia de eltrons livres.
Como j observamos, em um semicondutor intrn
seco, as densidades de eltrons e de lacunas so iguais.
No entanto, o que podem os dizer sobre essas densi
dades em um material dopado? Pode-se provar que,
neste caso,
np = nt ,

como um portador de carga. Assim, se N tomos de


fsforo forem inseridos, de m odo uniforme, em cada
centmetro cbico de um cristal de silcio, a densidade
de eltrons livres aum entar do mesmo valor.
A adio controlada de um a im pureza como
fsforo em um sem icondutor intrnseco cham ada
dopagem ', e o fsforo,dopante. O cristal de silcio

Exem plo

2.2
Soluo

Exerccio

Exem plo
2.3

Soluo

(2.5)

onde n e /; representam , respectivam ente, as densi


dades de eltrons e de lacunas no sem icondutor
extrnseco. A q uantidade n t representa as densi
dades no sem icondutor intrnseco (da, o subscrito)
e, portanto, independe do grau de dopagem [p. ex.,
Eq. (2.1) no caso do silcio].

O resultado anterior parece muito estranho. Como pode np permanecer constante medida que
acrescentamos mais tomos doadores para aumentar n l
A Eq. (2.5) revela que p deve se tornar menor que o valor intrnseco medida que mais dopantes
do tipo n so adicionados ao cristal. Isto ocorre porque muitos dos novos eltrons doados pelo
dopante se recombinam com as lacunas que foram criadas no material intrnseco.
Por que no podemos dizer que n + p deve permanecer constante?

Uma amostra de silcio cristalino dopada, de modo uniforme, com tomos de fsforo. A densi
dade de dopagem IO16tomos/cm3. Determinemos as densidades de eltrons e de lacunas nesse
material temperatura ambiente.
A adio de IO16 tomos de fsforo introduz o mesmo nmero de eltrons livres por centmetro
cbico. Como essa densidade de eltrons seis ordens de grandeza maior que a calculada no
Exemplo 2.1, podemos admitir que
n = l 16eltrons/cm3.

(2.6)

De (2.2) e (2.5), segue-se que


.2
'=r
= 1,17 x 104 lacunas/cm3.

(17)
(2.8)

Notemos que a densidade de lacunas ficou seis ordens de grandeza menor que o valor intrnseco.
Assim, se uma tenso for aplicada a essa amostra de silcio, a corrente resultante consistir princi
palmente em eltrons.
Exerccio

A que nvel de dopagem a densidade de lacunas reduzida em trs ordens de grandeza?

24

Captulo Dois

Em um sem icondutor tipo n, este exemplo justi


fica o fato de os eltrons serem chamados "portadores
majoritrios, e as lacunas,portadores minoritrios.
E natural que nos perguntem os se possvel cons
truir um sem icondutor tipo p", em que os papis de
eltrons e lacunas seriam trocados.
De fato,se pudermos dopar silcio com um tomo
que fornea um nmero insuficiente de eltrons, obte
remos diversas ligaes covalentes incompletas. Por
exemplo, a tabela na Fig. 2.2 sugere que um tom o
de boro (B) - com trs eltrons de valncia - pode
form ar apenas trs ligaes covalentes com pletas
em um cristal de silcio (Fig. 2.6). Em conseqncia,
a quarta ligao contm uma lacuna, pronta para
absorver um eltron livre. Em outras palavras, N
tom os de boro contribuem com N lacunas de boro
para a conduo de corrente no silcio. A estrutura na
Fig. 2.6 exemplifica, portanto, um sem icondutor tipo
p, que prov lacunas como portadores majoritrios.
O tom o de boro cham ado dopante aceitador.
Formulemos os resultados obtidos at aqui. Se
um sem icondutor intrnseco for dopado com uma
densidade de N ( n ;) tom os doadores por cent
m etro cbico, as densidades de cargas mveis so
dadas por

Exem plo
2.4
Soluo

Exerccio

Si
Si
^ ^ ^ ^ ^ ^
Si
B
Si

// %

/Q %

Si

^
Figura 2.6

// %

Si

Lacuna disponvel devido dopagem com boro.

Portadores Majoritrios: n ^ Nd
Portadores Minoritrios: p ^

nj
Np

(2.9)
(2.10)

De m odo similar, para uma densidade de N ( n )


tom os aceitadores por centm etro cbico:
Portadores Majoritrios: p * NA

(2.11)

Al?
Portadores Minoritrios: n % j
Na

(2.12)

Como valores tpicos de densidades de dopagem esto


entre 10,5e 10,8tom os/cm \as expresses anteriores
so muito precisas.

Podemos usar outros elementos da Fig. 2.2 como semicondutores ou dopantes?

Sim; por exemplo, alguns dos primeiros diodos e transistores eram baseados em germnio (Ge) e
no em silcio. Arsnio (As) tambm outro dopante comum.
O carbono pode ser usado para este fim?

A Fig. 2.7 resume os conceitos apresentados nesta


seo e ilustra os tipos de portadores de carga e suas
densidades em semicondutores.
2.1.3

// % //

Transporte de P o rtadores

Aps o estudo de portadores de carga e do conceito


de dopagem, estamos prontos para exam inar o m ovi
mento de cargas em semicondutores, ou seja, o meca
nismo que leva ao fluxo de corrente.

Deriva Da fsica bsica e da lei de Ohm, sabemos


que um material pode conduzir corrente em resposta
a uma diferena de potencial, ou seja, a um campo
eltrico.4O campo acelera os portadores de carga no
m aterial, forando alguns a flurem de um lado ao
outro. O movimento de portadores de carga devido
a um campo eltrico cham ado deriva (drift).5
Os sem icondutores se com portam de m odo
similar. C om o m ostra a Fig. 2.8, os p o rtad o res de

4Recordemos que a diferena de potencial (tenso), V, igual ao negativo da integral do campo eltrico, E, em relao distncia:
V, = ~ f * E d x .
5A conveno para a direo da corrente pressupe fluxo de carga positiva de uma tenso positiva para uma tenso negativa. Assim,
se eltrons lluem do ponto A para o ponto tf, a corrente tem a direo de tf para A.

25

Fsica Bsica de Semicondutores

Sem icondutor Intrnseco

S em icondutor Extrnseco

Eltron de
Valncia

Ligao
Covalente

Cristal de Silcio

Cristal de Silcio

N0 D oadores/cm 3

N A. A ce itad o re s/cm 3

Si

Si

Si

s T
r,
,
J
D o p a n te ^ x
^
Tipo n
(Doador)

Figura 2.7

Si

/ / % //_ % / /
ev

Si

s \
'P o rta d o r
. . . ....
M ajoritario Livre

//

Si

Si
B

Si j \
Portador
M ajoritrio Livre

//

//

Si

Si
Dopante
Tipo p
(Aceitador)

Resumo dc portadores de carga no silcio.

cam po eltrico, E :

v cx ,

(2.13)

portanto,

^
Figura 2.8

--------------------

Deriva em um semicondutor.

carga so acelerados pelo cam po eltrico, colidem


ocasionalm ente com tom os no cristal e podem
alcanar o o utro lado e fluir para a bateria. A acele
rao devida ao cam po e a coliso com o cristal
tm aes opostas, o que resu lta em uma veloci
dade constante para os portadores.6 Esperam os que
a velocidade, u, seja proporcional intensidade do

Exem plo
2.5
Soluo

E x e rc c io

= fiE ,

(2.14)

onde ju. cham ado m obilidade e expresso em cm2/


(V s). Por exem plo, no silcio, a m obilidade dos
eltrons ju.,, = 1350 cm2/(V s) e a das lacunas,
fj.r = 480 cm2/(V s). Como os eltrons se movem na
direo oposta do campo eltrico, devemos repre
sentar o vetor velocidade como
V - ~ n E .

(2.15)

Para as lacunas, temos


vi, = n pE.

(2.16)

Uma amostra uniforme de silcio tipo n com 1 /xm de comprimento est sujeita a uma diferena de
potencial de 1 V. Determinemos a velocidade dos eltrons.
Como o material uniforme, E = V/L, onde l. o comprimento. Portanto, E = 10.000 V/cm; logo.
v = nE = 1,35 X 107cm/s. Em outras palavras, os eltrons gastam (1 /xm)/(l,35 X 107cm/s) = 7,4
ps para cruzar a distncia de 1 /xm.
O que aconteceria se a mobilidade fosse reduzida metade?

6Esse fenmeno anlogo velocidade terminal experimentada por um paraquedista (com o paraquedas aberto).

26

Captulo Dois

t =t,

Figura 2.9

t = t, + 1 s

Fluxo de corrente em termos da densidade de carga.

C onhecida a velocidade dos portadores, como


podemos calcular a corrente? Primeiro, notamos que
um eltron transporta uma carga negativa igual a q =
1,6 X 10 19C. De modo similar, uma lacuna transporta
uma carga positiva do m esm o valor. Suponham os
agora que uma tenso V, seja aplicada a uma barra de
sem icondutor uniforme, cuja densidade de eltrons
livres n (Fig. 2.9). A dm itindo que os eltrons se
movam a uma velocidade v m/s, consideremos uma
seo reta da barra em x = x xe tom em os duas foto
grafias, em t = tx e t = /, + 1 segundo; notam os que
a carga total em v m etros passa pela seo reta em
1 segundo. Em outras palavras, a corrente igual
carga total contida em v m etros do com prim ento da
barra. Como a barra tem uma largura W , temos:
/ = - v - W h n q,

(2.17)

onde v - W -h representa o volume, n q denota a densi


dade de carga em coulombs e o sinal negativo devido
ao fato de que eltrons transportam carga negativa.
A gora, vam os escrever a Eq. (2.13) em uma
form a mais conveniente. C om o, p ara eltrons,

Exem plo

u = - p nE e como W h a rea da seo reta da


barra, temos:
J = n,,E n q.

(2.18)

onde J d en o ta densidade de co rren te , ou seja,


corrente que flui por uma seo reta de rea unitria;
a densidade de co rren te expressa em A /cm 2. D e
modo simplificado, podemos dizer a corrente igual
velocidade da carga multiplicada pela densidade
da carga, estando subentendido que co rren te,
na verdade, refere-se densidade de corrente e que
sinais negativo e positivo so levados em conside
rao.
Na presena de eltrons e de lacunas, a Eq. (2.18)
modificada como
J = tiE-n q + n pE- p q
= q(nn + n Pp)E.

(2.19)
(2.20)

Esta equao fornece a corrente de deriva em resposta


a um cam po eltrico E em um sem icondutor com
densidades uniformes de eltrons e de lacunas.

2.6

Em um experimento, desejamos obter iguais correntes de deriva de eltrons e de lacunas. Como as


densidades de portadores devem ser escolhidas?

Soluo

Devemos impor

Fsica Bsica de Semicondutores

27

Recordemos, tambm, que np = nf. Portanto,


P=

(2.23)

(2.24)

M/i
Por exemplo, no silcio,

= 1350/480 = 2,81, resultando em


p = 1,68/1/

(2.25)

n = 0,596/1/.

(2.26)

Como p e /i so da mesma ordem que n:, iguais correntes de deriva de eltrons e de lacunas podem
ocorrer apenas em um material dopado muito levemente. Isto confirma nossa concluso anterior
de que os portadores majoritrios em semicondutores tm nveis de dopagem tpicos de 10,5-10ls
tomos/cm'.
Exerccio

Como devem ser escolhidas as densidades de portadores para que a corrente de deriva de eltrons
seja o dobro da de lacunas?

S a tu ra o de V e lo cid a d e *

A t aqui, partim os
do princpio de que a mobilidade de portadores em
sem icondutores independe do cam po eltrico e que
a velocidade cresce linearm ente com E , segundo
u = p E . Na verdade, se o cam po eltrico se ap ro
ximar de valores muito elevados, u no ir variar de
m odo linear com E. Isto se deve ao fato de que os
portadores colidem com as cam adas com muita fre
quncia e o intervalo de tempo entre as colises to
pequeno que no conseguem acelerar muito. Isto faz
com que v varie de m odo sublinear para campos
eltricos intensos e tenda a um valor de saturao, vS
(Fig. 2.10). Esse efeito,cham ado saturao de veloci
dade, manifesta-se em alguns transistores modernos
e limita o desem penho de circuitos.

Para representar a saturao de velocidade, deve


mos modificar v = pE. Uma abordagem simples consiste
em interpretar a inclinao, p, como um parmetro que
depende do campo. A expresso para p deve, portan
to, tender a zero medida que E aumenta e a um valor
constante para pequenos valores de E\ ou seja,
P =

Po

1+ bE'

(2.27)

onde Po a m obilidade sob baixa intensidade de


cam po ou, sim plesm ente, m obilidade a cam po
baixo,e />,um fator de proporcionalidade. Podemos
considerar p com o a m obilidade efetiva sob um
campo eltrico E. Assim,
Ho

r.

" T T b EComo, para > oo, u > uva/, temos


_ Mo
Vs<lt ,
I)

(2.28)

(2.29)

logo, b = p JvSM. Em outras palavras,


Po
E.
P qE

1+

*Esta seo pode ser pulada em uma primeira leitura.

Vsm

(2.30)

28

Captulo Dois

Exem plo
2.7

Soluo

U m a am o stra de 0,2 /xm de co m p rim en to de sem ico n d u to r uniform e est sujeita a um a ten so de 1
V. P ara um a m ob ilid ad e a cam po baixo de 1350 cm 2/(V s) e velocidade de satu rao de p o rtad o res
de 107 cm/s, d e te rm in e m o s a m obilidade efetiva. C alculem os, ainda, o valor m xim o de tenso para
que a m obilidade efetiv a seja ap enas 10% m en o r q ue /x.

Temos
(2.31)

- z
= 50 kV/cm.

(2.32)

Logo,
Mo

1+

(2.33)

lipE
Vsat

M o

(2.34)

7,75
174 cm /(V s).

(2.35)

Se a mobilidade deve ser, no mximo, 10% menor que o valor a campo baixo, ento,
0 , 9m o =

no
[7

1+

(2.36)

Vsat

e, portanto,
E = ~
9 mo
= 823 V/cm.

(2.37)
(2.38)

Um dispositivo com 0,2 ju.m de comprimento experimenta um campo eltrico desta ordem se estiver
sujeito a uma tenso de (823 V/cm) X (0,2 X 10 4cm) = 16,5 mV.
Este exemplo sugere que os dispositivos modernos (submcron) esto sujeitos a grande satu
rao de velocidade, pois operam sob tenses muito maiores que 16,5 mV.
Exerccio

Difuso

A que tenso a mobilidade reduzida em 20%?

Alm de deriva, um outro mecanismo pode


levar a fluxo de corrente. Suponham os que uma gota
de tinta caia em um copo d'gua. A gota, que introduz
uma grande concentrao local de molculas de tinta,
comea a difundir-se, ou seja, as molculas de tinta
tendem a fluir de uma regio de alta concentrao
para regies de baixa concentrao. Esse mecanismo
cham ado difuso.
Fenm eno sem elhante ocorre se portadores de
carga so jogados (injetados) em um semicondutor
para criar uma densidade no uniform e. Mesmo na

ausncia de um cam po eltrico, os po rtad ores se


movem em direo s regies de baixa concentrao;
desta form a, transportam uma corrente eltrica
enq u an to a no uniform idade m antida. Difuso,
portanto, muito diferente de deriva.
A Fig. 2.11 ilustra, de modo conceituai, o processo
de difuso. Uma fonte esquerda injeta continua
m ente p o rtad o re s de carga no sem icondutor; um
perfil no uniform e de carga criado ao longo
do eixo x e o s p o rtad o res continuam a d escer a
rampa.

Fsica Bsica de Semicondutores

29

O leitor pode, a esta a ltu ra, fazer vrias p o rtad o res? E, o que mais im portante, po r que
perguntas. O que funciona como fonte de portadores nos preocuparam os com isto?! Bem, pacincia
na Fig. 2.11? Para onde vo os p o rtad o res depois uma virtude; responderem os a estas perguntas na
de descerem a ram pa do perfil de concentrao de prxim a seo.

Exem plo

2.8

Uma fonte injeta portadores de carga em uma barra de semicondutor, como ilustra a Fig. 2.12.
Expliquemos como a corrente flui.
Injeo de
Portadores

Figura 2.12

Soluo

Exerccio

Injeo de portadores em um semicondutor.

Neste caso. dois perfis simtricos podem se formar nas direes positiva e negativa do eixo x , dando
origem a correntes que fluem para as duas extremidades da barra.
A LCK satisfeita no ponto de injeo de portadores?

Nosso estudo qualitativo da difuso sugere que,


quanto mais no uniform e for a concentrao de
portadores, m aior ser a corrente. D e m odo mais
especfico, podemos escrever:

dn
dx'

(2.39)

onde n denota a concentrao de p o rtadores em


um dado ponto ao longo do eixo x. A dm itindo que
a corrente flui apenas na direo x, cham am os dn/
dx de gradiente da concentrao em relao a x.
Se cada portador tiver uma carga q e se a seo reta

do sem icondutor tiver rea A , a Eq. (2.39) pode ser


escrita como
dn ,
// a A q
dx
a

(2.40)

Logo,
(2.41)

onde D um fator de proporcionalidade chamado


constante de difuso e expresso em cm2/s. Por
exemplo, no silcio intrnseco, D = 34 cm2/s (para
eltrons) e Dr = 12 cm2/s (para lacunas).

30

Captulo Dois

Tal como para a conveno usada para corrente


de deriva, norm alizam os a co rren te de difuso em
relao rea da seo reta e obtem os a densidade
de corrente como

jp

(2.42)

dx

VDp J x

(2.43)

Levando em conta os gradientes de concentrao de


eltrons e de lacunas, a densidade de corrente total
dada por

dn
J = <ID

De m odo sem elhante, o gradiente da concentrao


de lacunas dado por:

Exem plo
2.9

Consideremos, de novo, o cenrio ilustrado na Fig. 2.11. Suponhamos que a concentrao de eltrons
seja igual a/Vem.t = Oe caia a zero,de modo linear,em x = L (Fig.2.13). Determinemos a corrente
de difuso.
N
Injeo

()
Figura 2.13
S o lu o

Corrente resultante de um perfil de difuso linear.

Temos
l n=c,Dn^

(2.45)

= - qDn j .

(2.46)

A corrente constante ao longo do eixo x; ou seja, os eltrons que entram no material em x = 0


chegam ao ponto x = L. Embora possa parecer bvia, esta observao nos prepara para o prximo
exemplo.
E x e rc c io

Exem plo
2.10

Repita o exemplo anterior para lacunas.

Vamos repetir o exemplo anterior admitindo, agora, um gradiente exponencial (Fig. 2.14):
N
Injeo d >

0
Figura

2.14 Corrente resultante de um perfil de difuso exponencial.


/?(.y) =

exp
,
Ld

onde Ld uma constante.7


7Q fator Lt necessrio para se converter o argumento da exponencial a uma quantidade adimensional.

(2.47)

Fsica Bsica de Semicondutores

Soluo

31

Temos
dn
" = q "lhe
-qD N
-x

cx p i ?

(2.48)
(2.49)

interessante notar que a corrente no constante ao longo do eixo .v. Ou seja, alguns eltrons
desaparecem enquanto viajam a partir de x = 0 para a direita. O que acontece com esses eltrons?
Este exemplo viola a lei de conservao de cargas? Estas perguntas importantes sero respondidas
na prxima seo.
Exerccio

Em que valor de x a densidade de corrente cai a 1% do seu valor mximo?

R elao de E in s te in

N osso estudo de deriva e


difuso introduziu um fator para cada uma: fxn (ou
fxr) e Dn (ou D,,), respectivam ente. Pode ser provado
que /x e D se relacionam por:
D

kT
<7 *

(2.50)

Cham ado de Relao de Einstein, este resultado


provado em livros de fsica de semicondutores (p. ex.,
[1]). Notemos que kT /q *** 26 mV em T = 300 K.
A Fig. 2.15 resume os mecanismos de transporte
de carga estudados nesta seo.

2.2

JUNO p n

Iniciamos nosso estudo de dispositivos sem icon


dutores com juno pn por trs motivos. (1) Esses
dispositivos tm aplicao em num erosos sistemas
eletrnicos, como, por exem plo, em adaptadores
que carregam baterias de telefones celulares. (2) A

juno p n um dos mais simples dispositivos semi


condutores; sendo assim, representa um ponto inicial
para nosso estudo do funcionam ento de estruturas
complexas como transistores. (3) A juno pn til
como parte de transistores.Tam bm usamos o term o
diodo para nos referirm os s junes pn.
A t aqui, vimos que a dopagem produz eltrons
ou lacunas livres em semicondutores e que um campo
eltrico ou uma concentrao de gradiente leva ao movi
mento desses portadores de carga. Uma situao interes
sante surge quando introduzimos dopantes dos tipos n
e p em duas sees adjacentes de uma amostra de semi
condutor. Ilustrada na Fig. 2.16,essa estrutura chamada
de juno p n e desempenha papel fundamental em
diversos dispositivos semicondutores. Os lados p c n so
chamados anodo e catodo, respectivamente.
N esta seo, estudarem os as propriedades e as
caractersticas I/V de junes pn. A Fig. 2.17 ilustra
o roteiro que seguiremos, com o objetivo de desen
volver modelos de circuito que possam ser usados em
anlise e sntese.

32

Captulo Dois

Juno pn

Juno pn

Juno pn

no Equilbrio

sob Polarizao Reversa

sob Polarizao Direta

Regio de Depleo

Capacitncia de Juno

Caracterstica l/V

Potencial Interno

Figura 2.17

2.2.1

Roteiro para estudo de conceitos associados s junes pn.

Juno pn em E q u ilb rio

Comecemos pelo estudo de uma juno pn sem conexes


externas, ou seja, os terminais esto abertos e nenhuma
tenso aplicada ao dispositivo. Dizemos que a juno

est em equilbrio. Embora parea no ter interesse


prtico, esta configurao til para entendermos o
funcionamento de uma juno pn fora do equilbrio.

Figura 2.18

C om eam os pelo exam e da interface en tre as


sees n e p ,e verificamos que um lado contm um
grande excesso de lacunas e o outro um grande excesso
de eltrons. O acentuado gradiente de concentrao
de eltrons e de lacunas atravs da juno d origem

a duas grandes correntes de difuso: os eltrons fluem


do lado n para o lado p, enquanto as lacunas fluem na
direo oposta. Como devemos lidar com concentra
es de eltrons e de lacunas nos dois lados da juno,
introduzimos a notao m ostrada na Fig. 2.18.

Fsica Bsica de Semicondutores

Exem plo
2.11
Soluo

33

Uma juno pn utiliza os seguintes nveis de dopagem: NA = 10'6cm 3e Nn = 5 X 10'5cm 3. Determinemos as concentraes de lacunas e de eltrons nos dois lados da juno.
Das Eqs. (2.11) e (2.12), expressamos as concentraes de lacunas e de eltrons no lado p, respec
tivamente, como:
P,, N a
= 10l6cm-3
nf

np* n a
(1,08 x IO10 cm-3)2
1016cm-3
as 1,7 x 104 cm-3.

(2.51)
(2.52)
(2.53)
(2.54)
(2.55)

De modo similar, as concentraes no lado n so dadas por


n * Np
= 5 x 1015 cm"3
nj
P" * N ,

(1,08 x IO10 cm-3)2


5 x 1015 cm-3
= 2,3 x 104 cm-3.

(2.56)
(2.57)
(2.58)
(2.59)
(2.60)

Notemos que a concentrao de portadores majoritrios em cada lado vrias ordens de magni
tude maior que a concentrao de portadores minoritrios nos dois lados.
Exerccio

Repita o exemplo anterior para o caso em que N reduzida por um fator de quatro.

As correntes de difuso transportam uma grande


quantidade de carga de um lado para outro da juno
e, por fim, caem a zero. Isto ocorre porque, se os
terminais forem mantidos abertos (em condies de
equilbrio), o dispositivo no pode transportar uma
corrente lquida indefinidamente.
A gora, devem os responder a uma pergunta
importante: o que interrompe as correntes de difuso?
Podemos postular que as correntes so interrompidas
depois que um nmero suficiente de portadores livres
tenham se movido atravs da juno de modo a equalizar as concentraes nos dois lados. No entanto, um
outro efeito domina e interrom pe as correntes muito
antes que essa equalizao ocorra.
P ara e n te n d e r esse efe ito , o b serv em o s que,
para cada eltro n que sai do lad o n, um on p o si

tivo deixado em seu lugar: a ju n o evolui com


o tem po, com o ilustra conceitualm ente a Fig. 2.19.
Na ilu strao , a ju n o fo rm ad a em t = 0; as
co rren tes de difuso expem m ais e m ais ons
m edida que o tem po passa. Em conseqncia, as
vizinhanas da ju n o se to rn am desprovidas de
p o rtad o re s livres: essa regio cham ada regio
de d ep leo .
Agora, recordemos da fsica bsica que uma part
cula ou objeto que transporta uma carga lquida (no
nula) cria um campo eltrico sua volta. Assim, com
a formao da regio de depleo, surge um campo
eltrico tal com o o ilustrado na Fig. 2.20.8 inte
ressante observar que o cam po tende a forar que
cargas positivas fluam da esquerda para a direita,
enq u an to os gradientes de concentrao obrigam

"Para determinar a direo do campo eltrico, posicionamos uma pequena carga positiva na regio e observamos como se move:
ela se afasta da carga positiva, em direo carga negativa.

34

Captulo Dois

t = o

D oadores

Figura 2.19

Aceitadores

Evoluo de concentraes de carga em uma juno pn.

fluxo de lacunas da direita para a esquerda (e de


eltrons, da esquerda para a direita). Conclumos,
portanto, que a juno atinge o equilbrio quando o
campo eltrico tiver intensidade suficiente para inter
rom per as correntes de difuso. D e m odo alterna
tivo, podemos dizer que, no equilbrio, as correntes
de deriva criadas pelo cam po eltrico cancelam
exatam ente as correntes de difuso originadas pelos
gradientes de concentrao.

; : !+V +
-------- ;:+ + +
-_ "_ -_ ; ! !+++V
:!i++++++
--------: ; :+ + +

Figura 2.20

Exem plo

t = O O

t = t 1

Campo eltrico em uma juno pn.

Na juno mostrada na Fig. 2.21, a regio de depleo tem largura b no lado n e largura a no lado
p. Esbocemos o campo eltrico em funo de x.

I
I

: I++V
+
; !+
+ +
; ;+ na ++

; L +
; ; +
:

b o a

Figura 2.21

+
+

+
+

Perfil de campo eltrico em uma juno pn.

Soluo

Comeando em x < 6, observamos que a ausncia de carga lquida fornece E = 0. Em x > b,


cada on positivo doador contribui para o campo eltrico, ou seja, a intensidade de E aumenta
medida que x tende a zero. Quando ultrapassamos x = , os tomos negativos aceitadores passam
a contribuir negativamente para o campo: E diminui. Em x = a, as cargas positivas e negativas
cancelam umas s outras, resultando em E = 0.

Exerccio

Notando que o potencial o negativo da integral de campo eltrico em relao distncia, esboce
o potencial em funo de .v.

Fsica Bsica de Semicondutores

35

A p artir de nossas observaes a respeito das


correntes de deriva e de difuso em condies de
equilbrio, podem os ser tentados a escrever:
IAjer./> + Ider.111 IAjif.p H" Ajit./iI-

(2.61)

onde os subscritos p t n se referem s lacunas e aos


eltrons, respectivamente, e cada term o tem a polari
dade adequada. No entanto, esta condio leva a um
desempenho no realista: se o nmero de eltrons que
fluem do lado n para o ladop for igual ao de lacunas que
fluem do ladop para o lado /?,os dois lados da equao
so nulos, mas eltrons continuam a se acumular no
lado p , e lacunas, no lado n. Devemos, ento, impor a
condio de equilbrio em cada portador:
IAler.pl =

\I<i\(.p

IAler.nl = IAjif.nl-

(2.62)

Xl
r p" dp
-H P
dV = Dp I -L ,
Jx1
j Pn P

(2.66)

(2.63)

P o te n cia l In te rn o A existncia de um cam po


eltrico no interior da regio de depleo sugere
que a juno pode exibir um potencial in tern o .
Na verdade, com o uso de (2,62) ou (2.63), podemos
calcular esse potencial. Como o cam po eltrico E =
- d V /d x e (2.62) pode ser escrita como

qtbPE = (lDP

D ividindo os dois lados por p e integrando-os,


obtemos

(2.64)

onde p n e p p so as concentraes de lacunas em jc, e


x 2, respectivam ente (Fig. 2.22). Assim,
(2.67)

O lado direito representa a diferena de tenso


atravs da regio de depleo e ser denotado por
VV Pelas relaes de Einstein, Eq. (2.50), podem os
substituir D /ixp por kT/q:

temos
dV _ n dP
tXpP dx - <'dx

Exerccio

(2.65)

(2.68)

Pn

Escreva a Eq. (2.64) para correntes de deriva e de difuso de eltrons, integre-a e obtenha uma
equao para V em funo de n e np.

Por fim, com o uso de (2.11) e (2.10) para p r e p,


obtem os
kT
N a N
V0 = ln ----=.

Exem plo

IVol - I l n i E .

Esta equao expressa o potencial interno em termos


de parm etros da juno e tem papel central em
diversos dispositivos semicondutores.

(2.69)

Uma juno pn de silcio emprega NA = 2 X lO^cm 'e Nn = 4 X 10,6cm \ Determinemos o poten


cial interno temperatura ambiente (T = 300 K).

36

Captulo Dois

Soluo

Do Exemplo 2.1, recordemos que ,(/ ' = 300 K.) = 1,08 X 10"cm

Assim,

(2 x 1016) x (4 x 1016)
V0 (26 mV) In i
2
(1,08 x 1010)2

(2.70)

768 mV.
Exerccio

Exem plo
2.14
Soluo

(2.71)

Por que fator N deve ser alterado para se reduzir V em 20 mV?

A Eq. (2.69) revela que V uma funo fraca dos nveis de dopagem. Qual a modificao em Vu
se NA o u Nt) for aumentada em uma ordem de grandeza?
Podemos escrever
4 t,
, lOAii-Afe , N a Nd
AVo = VVln------ ~------- Ky-ln------
#1/
n?

Exerccio

= v y in io

(2.73)

% 60 mV (em T = 300 K).

(2.74)

Qual a modificao em V0 se N ou Nn for aumentada por um fator de trs?

Neste ponto, surge uma questo de interesse. A


juno no transporta corrente lquida (pois seus
term inais esto abertos), mas m antm uma tenso.
C om o isto possvel? O bservam os que o p o ten
cial interno desenvolvido em oposio ao fluxo de
correntes de difuso (na verdade, s vezes chamado
barreira de potencial). Esse fenm eno contrasta
com o com portam ento de um m aterial uniform e
condutor, que no exibe qualquer tendncia difuso
e, portanto, no cria um potencial interno.
2.2.2

(2.72)

Juno pn so b P o lariza o Reversa

A ps term os analisado a ju n o pn em equilbrio,


agora podemos estudar o com portam ento da mesma
em condies mais interessantes e teis. Para comear,
apliquem os uma tenso ex tern a ao dispositivo na
forma ilustrada na Fig. 2.23: uma fonte de tenso torna
o lado n mais positivo que o lado p. Dizemos que a
juno est sob polarizao reversa, para enfatizar
a conexo da tenso positiva ao term inal n. O term o
polarizao indica operao em condies dese
jveis. Estudarem os o conceito de polarizao em
detalhe, neste captulo e nos seguintes.
D esejam os reexam inar os resultados obtidos
em equilbrio para o caso de polarizao reversa.

Primeiro, determinemos se a tenso externa aumenta


ou diminui o campo eltrico interno. Em condies de
equilbrio, direcionado do lado n para o lado p;
portanto, V,< aum enta o campo. Contudo, um campo
eltrico mais intenso s pode ser m antido se uma

;;i++++++
-------- :!!+ + +
;;!++++++
L -
i : L +++++
-------- ! : :+ + +
n/
\P
_ - _ - ; ; ;++++
- : : : + +
: ! ! ++++
- _ - _ ; ! ; + + 1
- - ; ; ; + +
+ i.-

I1
Vr
Figura 2.23

Juno p n sob polarizao reversa.

Fsica Bsica de Semicondutores

Figura 2.24

37

Reduo da eapacitncia de juno sob polarizao reversa.

maior quantidade de carga fixa estiver disponvel; isto


exige que mais ons doadores e aceitadores fiquem
expostos: a largura da regio de depleo aum enta.
O que acontece s co rren tes de difuso e de
deriva? Como a tenso externa aum entou o campo
eltrico, a barreira de potencial se torna mais alta que
no equilbrio e probe o fluxo de corrente. Em outras
palavras, sob polarizao reversa, a juno transporta
corrente desprezvel.9
Sem conduo de corrente, uma juno pn sob
polarizao reversa no parece muito til. No entanto,
uma observao im portante provar o contrrio. Na
Fig. 2.23, notem os que, m edida que V R aum enta,
mais cargas positivas aparecem no lado n e cargas
negativas aparecem no lado p . Assim, o disposi
tivo funciona como um capacitor [Fig. 2.24(a)]. Em
essncia, podem os interpretar as sees condutoras
n e p como as duas placas de um capacitor.Tam bm
adm itim os que a carga na regio de depleo est
igualmente dividida nas placas.
O leitor pode pensar que o dispositivo continua
desinteressante. Afinal, como quaisquer duas placas
formam um capacitor, o uso de uma juno pn para
esse propsito no se justifica. Contudo, junes pn
sob polarizao reversa exibem uma propriedade espe
cial que se mostra muito til no projeto de circuitos.
Voltando Fig. 2.23, observam os que, medida que
Vu aum enta, a largura da regio de depleo tambm

aum enta. O u seja, o diagram a conceituai da Fig.


2.24(a) pode ser desenhado tal como na Fig. 2.24(b)
se o valor de V,( for aumentado, indicando que a capacitncia da estrutura dim inui, pois as duas placas se
afastam uma da outra. Portanto, a juno exibe uma
capacitncia que depende da tenso.
Pode ser provado que a capacitncia da juno
por unidade de rea dada por

onde C/o denota a capacitncia correspondente


polarizao zero (V K = 0) e V0 indica o potencial
interno [Eq. (2.69)]. (E sta equao pressupe que,

Figura 2.25

'Como explicamos na Seo 2.2.3, a corrente no exatamente zero.

Capacitncia de juno sob polarizao reversa.

38

Captulo Dois

para polarizao reversa, VR negativo.) O valor de


C/o, por sua vez, dado por
_____________
(siQ N ANf

Exem plo
2.15
Soluo

onde evi representa a constante dieltrica do silcio:


esi = 11,7 x 8,85 x 10 14 F/cm.10 A Fig. 2.25 mostra
que, de fato, Cy diminui medida que VRaum enta.

T fe V

<2'76)

Uma juno pn dopada com N = 2 X 1016cm 3e ^ /) = 9 x 101? cm \ Determinemos a capacitncia do dispositivo com (a) VR = 0 e (b) VR = 1 V.
Primeiro, calculemos o potencial interno:
(2.77)

Ko = VT ln

",

(2.78)

= 0,73 V.

Logo, para VR = 0 e q = 1,6 X 10 19C, temos


c

I csiQ NANn
; 0 _ V 2 Na + Nd

1
Vo

= 2,65 x 10 8 F/cm2.

(2.79)
(2.80)

Em microeletrnica, tratamos com dispositivos muito pequenos e pode ser necessrio reescrever
o resultado como
Cjo = 0,265 F/fim2,

(2.81)

onde 1 fF (femtofarad) = 10 15F. Para VR = 1 V,


^

c jo
1

(2.82)
v

= 0,172 fF/^m 2.
Exerccio

(2.83)

Repita o exemplo anterior para o caso em que a concentrao de doadores no lado n dobrada.
Compare os resultados com os do exemplo.

A variao da capacitncia com a tenso aplicada transform a o dispositivo em um capacitor no


linear, pois a relao Q = C V no satisfeita. Mesmo

assim, como demonstra o prximo exemplo, um capacitor que varia com a tenso leva a interessantes topologias de circuito.

,('A constante dieltrica (ou pcrmissividade) de materiais , em geral, escrita na forma


onde er a constante dieltrica relativa",
um fator adimensional (p. ex., 11,7), e a constante dieltrica do vcuo (8,85 x 10 14 F/cm).

Fsica Bsica de Semicondutores

39

Um telefone celular contm um oscilador de 2 GHz, cuja frequncia definida pela frequncia de
ressonncia de um tanque LC (Fig. 2.26). Admitindo que capacitncia do tanque realizada como
a juno pn do Exemplo 2.15, calculemos a variao da frequncia de oscilao quando a tenso
de polarizao reversa passa de 0 a 2 V. Vamos supor que o circuito opere a 2 GHz sob polarizao
reversa de 0 V e que a rea da juno seja 2000 /Ltm2.
O scilad or

Figura 2.26

Soluo

Capacitor varivel usado para sintonizar um oscilador.

Recordemos da teoria bsica de circuitos que o tanque ressoa quando as impedncias do indutor
e do capacitor so iguais e opostas: jLcores = -(jC<ores)~l. Portanto, a frequncia de ressonncia
igual a
(2.84)
Com VK = 0, Cj = 0,265 fF//xm2, correspondendo a uma capacitncia total de
CjJO,(VR = 0) = (0,265 fF/ji/m2) x (2000//m2)
= 530 fF.

(2.85)
(2 .86)

Tomando f res como 2 GHz, obtemos


L = 11,9 nH.

(2.87)

Cj.,ot(VR = 2 V) = ---- -------- X 2000 um 2

(2.88)

= 274 fF.

(2.89)

Se V r passar a 2 V,

Usando este valor e L = 11,9 nH na Eq. (2.84), temos


fres(VR = 2 V) = 2,79 GHz.

(2.90)

Um oscilador cuja frequncia pode ser variada por uma tenso externa (neste caso. VR) chamado
oscilador controlado por tenso; esse tipo de oscilador muito usado em telefones celulares,
microprocessadores, computadores pessoais etc.
Exerccio

Alguns sistemas sem fio operam em 5,2 GHz. Repita o exemplo anterior para esta frequncia;
suponha que a rea da juno ainda seja 2000 fim2 e que o valor do indutor seja alterado para
chegar a 5,2 GHz.

40

Captulo Dois

Em suma, uma juno pn sob polarizao reversa


transporta corrente desprezvel, mas exibe uma capa
citncia que depende da tenso. Assim, desenvol
vemos um modelo de circuito para o dispositivo nesta
condio: uma simples capacitncia cujo valor dado
pela Eq. (2.75).
O utra aplicao interessante de diodos sob pola
rizao reversa em cmeras digitais (Captulo 1). Se
luz com energia suficiente aplicada a uma juno p n ,
eltrons so deslocados de suas ligaes covalentes e,
portanto, pares eltrons-lacunas so criados. Sob pola
rizao reversa, os eltrons so atrados pelo terminal
positivo da bateria e as lacunas so atradas pelo terminal
negativo. Em conseqncia, uma corrente proporcional
intensidade da luz flui pelo diodo. Dizemos que a
juno pn funciona como um fotodiodo.
2.2.3

calcular a corrente que flui em termos da tenso apli


cada e dos parm etros da juno para, ao final, obter
um m odelo de circuito.
De nosso estudo do dispositivo em equilbrio e
sob polarizao reversa, verificamos que a barreira de
potencial que se forma na regio de depleo deter
mina a capacidade de conduo do dispositivo. Sob
polarizao direta, a tenso externa, Vr, tende a criar
um cam po direcionado do lado p para o lado n ou seja, em oposio ao cam po interno que surge
para interrom per as correntes de difuso. Portanto,
conclumos que V,., na verdade, reduz a barreira de
potencial, pois enfraquece o campo e permite maiores
correntes de difuso.
Para d eterm inar a caracterstica I/V sob pola
rizao direta, comeamos com a Eq. (2.68) para o
potencial interno e a reescrevemos como

Juno pn so b P o lariza o Direta

Nosso objetivo nesta seo m ostrar que a juno pn


transporta corrente se o lado p estiver a um potencial
mais positivo que o lado n (Fig. 2.27). Esta condio
cham ada polarizao direta. Tambm querem os

Pn.e

Pp.e

expv^
onde o subscrito e enfatiza as condies de equilbrio
[Fig. 2.28(a)] e V, = k T/q chamado tenso trmica
(* 26 mV, para T = 3CM) K). Sob polarizao direta,
a barreira de potencial reduzida em um valor igual
tenso aplicada:
Pn.f =

Pp.f
V0 - V F -

exp-

Figura 2.27

Juno pn sob polarizao direta.

Figura 2.28

(2.91)

(2.92)

VT

onde o sub scrito /d en o ta polarizao direta. Como o


denom inador exponencial cai de modo considervel,
esperamos que p,lf seja muito maior q u e p ne (pode ser
provado que pr f =* p pr NA). Em outras palavras, a

Perfis de portadores (a) em equilbrio e (b) sob polarizao direta.

Fsica Bsica de Semicondutores

concentrao de portadores minoritrios no lado p


aum enta rapidam ente com a tenso de polarizao
direta, enquanto a concentrao de portadores majoritrios perm anece quase constante. Esta afirmao
tambm se aplica ao lado n.
A Fig. 2.28(b) ilustra o resultado de nossa anlise
at aqui. medida que a juno passa do equilbrio
para polarizao direta, nv e p n aum entam de modo
considervel, o que origina uma mudana proporcional
nas correntes de difuso.11 Podemos expressar a alterao na concentrao de lacunas no lado n como:
APn = Pn.f~ Pn.e
Pp.f
Vo - VF
CX^ V t
Na

V0
CXpV~r

O aum ento na concentrao de portadores minoritrios sugere que as correntes de difuso devem
aum entar proporcionalm ente alm de seus valores
de equilbrio, ou seja,
/\jA
h<* a

/
yF
\
( exP\77 ~~ / "*

exP ~y~r

expy - - l j .

(2.95)

= h (e x p ^ - l ) ,

Vale notar que a Eq. (2.69) indica que exp(V J V ,) =


NAN l}lnj.

Exem plo

2.17
Soluo

(2.98)

onde Is cham ada corrente de saturao reversa


e dada por

(2W)

D e m odo similar, para a concentrao de eltrons


no lado/;:
N (
VF 1\
Anp %
v yexp
" 1) '
cxP"p

yp
\
Vt ~ / *

* '

1,0,

(2.94)

j\jn /
V
exP ~y7r

verdade, pode ser provado que [1 ]

(2.93)
Pp>e
Ko
CXPT7;

41

Nesta equao,/! a rea da seo reta do dispositivo;


L e L;, so com prim entos de difuso" de eltrons
e de lacunas, respectivam ente. C om prim entos de
difuso so da ordem de dezenas de micrmetros.
N otem os que o prim eiro term o entre parnteses
corresponde ao fluxo de eltrons, e o segundo, ao
de lacunas.

Determinemos Is para a juno do Exemplo 2.13 em T = 300 K. para A = 100 /Ltm2, Ln = 20 /zm
e Lp = 30 fim.
Usando q = 1,6 X 10 19C, m, = 1,08 X 1010eltrons/cm* [Eq. (2.2)], /) = 34cm2/se Dp = 12cm2/s,
temos
Is = 1,77 x 10

A.

(2.100)

Como Is muito pequena, o termo exponencial na Eq. (2.98) deve assumir valores muito altos para
que Itot tenha valor til (p. ex., 1 mA).
Exerccio

Que rea de juno necessria para elevar Is a 10-15 A?

Uma pergunta in teressan te surge neste ponto:


as concentraes de p o rtad o res so constantes ao
longo do eixo x l E ste cen rio , ilu strad o na Fig.
2.29(a), sugere que eltro n s co n tin u ariam a fluir

do lado n para o lado /;, mas no ultrapassariam


x = x 2 devido falta de um grad ien te. S ituao
sim ilar ocorreria com lacunas; isto im plicaria que
os p o rta d o re s de carga no se ap ro fu n d ariam

"Na verdade, a largura da regio de depleo diminui sob polarizao direta, mas desprezamos esse efeito.

42

Captulo Dois

Fluxo de

Fluxo de

Fluxo de

Fluxo de

(a)
Figura 2.29

Perfis (a) constante c (b) varivel de portadores m ajoritrios fora da regio de depleo.

m uito nos lados p e n e , p o rtan to , no existiria uma


corrente lquida! Logo, as concentraes de p o rta
dores m inoritrios devem variar, como ilustra a Fig.
2.29(b), para que as co rren tes de difuso possam
ocorrer.
E sta o b servao nos faz le m b ra r o E xem plo
2.10 e a pergunta d espertada p o r ele: se a concen
trao de portadores m inoritrios dim inuir com jc, o
que acontece com os p o rtad o res e com o a corrente
pode perm anecer constante ao longo do eixo jc?
interessante observar que os eltrons, medida que
entram no lado p e descem pelo gradiente, gradual
m ente se recom binam com lacunas, que so ab u n
dantes nessa regio. De m odo sim ilar, ao entrarem
no lado n, as lacunas se recom binam com eltrons.
A ssim , nas vizinhanas da reg io de depleo, a
co rren te consiste, principalm ente, em p o rtad o res
m inoritrios (Fig. 2.30). Em cada ponto ao longo do

eixo x, as duas com ponentes se som am e resultam


em /.
2.2.4

C aracterstica l/V

Vamos resumir nossas concluses at aqui. Sob pola


rizao direta, a tenso externa se ope ao po ten
cial interno, o que resulta em considervel aum ento
nas correntes de difuso. Sob polarizao reversa, a
tenso aplicada aum enta o campo interno e inibe o
fluxo de corrente. Doravante, escreveremos a equao
da juno como:
/0 = / , ( e x p ^ - l ) ,

(2.101)

onde I n e VD denotam , respectivam ente, a corrente


e a tenso no diodo. Como se esperava, Vn = 0 leva

Polarizao
Reversa

Polarizao
Direta

>D

VD

/ k / s exp
/

VT

---------------------------------Figura 2.30
trios.

C orrentes de portadores m ajoritrios e m inori


Figura 2.31

C aracterstica I/V de uma ju n o p /i.

Fsica Bsica de Semicondutores

a / = 0. (Por que isto esperado?) medida que


Vn se torna positivo e ultrapassa Vr, o term o exponencial cresce rapidam ente e / * Is exp (V n/V T). Na
regio de polarizao direta, passarem os a expressar
exp (V ,JV ,) 1.
Pode ser provado que a E q. (2.101) tam bm
vlida sob polarizao reversa, ou seja, para valores
negativos de V. Se Vn < 0 e I V n I for muito maior
que VT,en to exp(V P/V T) <?C 1 e
In -Is-

Figura 2.32

Exemplo
Soluo

(2.102)

43

A Fig. 2.31 m ostra a caracterstica I/V com pleta


da juno e indica por que Is cham ada corrente
de saturao rev ersa. O Exem plo 2.17 indica que,
em geral, Is m uito pequena. Portanto, in te rp re
tamos a corrente sob polarizao reversa como de
fuga . Vale n o tar que Is e, portanto, a co rrente de
juno so proporcionais rea da seo reta do
dispositivo [Eq. (2.99)]. Por exem plo, dois disposi
tivos idnticos conectados em p aralelo (Fig. 2.32)
se com portam como uma nica j uno com o dobro
de Is.

Equivalncia entre dispositivos paralelos e um dispositivo maior.

Cada juno na Fig. 2.32 emprega os nveis de dopagem descritos no Exemplo 2.13. Determinemos
a corrente sob polarizao direta no dispositivo com Vn = 300 mV e 800 mV e m = 300 K.
Do Exemplo 2.17, para cada juno, Is = 1,77 x 10-17 A. Logo, a corrente total igual a
W , (Vn = 300 mV) = 2/y ( e x p ^ - l j

(2.103)

= 3,63 pA.

(2.104)

Ip.tot(Vn = 800 mV) = 820 /xA.

(2.105)

Dc modo similar, para Vp = 800 mV:

Exerccio

Exemplo

Soluo

Quantos desses diodos devem ser conectados em paralelo para se obter uma corrente de 1000 /xA,
com uma tenso de 750 mV?

Um diodo opera na regio de polarizao direta com um valor tpico de corrente [ou seja, Ip Is
exp( V,/V,)\. Suponha que queiramos aumentar a corrente por um fator de 10. De quanto Vn deve
ser alterado?
Primeiro, expressemos a tenso do diodo em funo da corrente:

44

Captulo Dois

Vamos definir /, = 10/,, e procurar a tenso correspondente, Vm:


Vm = Vr ln

= Vr ln

(2.107)

As

4- vyin 10

= Vn + V, ln 10.

(2.108)
(2.109)

Portanto, a tenso do diodo deve ser aumentada de V, ln 10 60 mV (em T = 300 K) para acomodar
um aumento de dez vezes na corrente. Dizemos que o dispositivo exibe uma caracterstica de 60 mV/
dcada, o que significa que Vn aumenta de 60 m V a cada dcada (dez vezes) de mudana em In. De
modo mais geral, uma mudana de n vezes em In se traduz em uma mudana de V, ln n em Vn.
Exerccio

Exem plo
2.20

Soluo

Qual ser o fator de mudana da corrente se a tenso for alterada em 120 mV?

A rea da seo reta de um diodo que opera na regio de polarizao direta aumentada por um
fator de 10. (a) Determinemos a mudana em IDse Vn se mantiver inalterada, (b) Determinemos
a mudana em Vn se In for mantida constante. Vamos admitir que / 7Vtxp (V ,/V T).
(a) Como Is oc A, a nova corrente dada por
/ = 10/
IA/ exp
/pi
vr

(2.110)
(2.111)

= io /.

(b) Do exemplo anterior,


v = *

= V, ln ^ - VYln 10.
/.s

(2.112)
(2.113)

Portanto, um aumento de dez vezes na rea do dispositivo provoca uma reduo de 60 mV na


tenso, se / permanecer constante.
Exerccio

Um diodo sob polarizao direta com / Is exp ( V ,/V ,) sofre duas alteraes simultneas: a
corrente aumentada por um fator m e a rea aumentada por um fator n. Determine a mudana
na tenso do dispositivo.

M odelo de Tenso Constante* A caracterstica I/V


exponencial do diodo resulta em equaes no line
a r e s ^ que dificulta a anlise de circuitos. Por sorte,os
exemplos anteriores implicam que a tenso do diodo
uma funo relativamente fraca da corrente e da rea
da seo reta do dispositivo. Com valores tpicos de

corrente e de rea, V assume valores entre 7(X) e 8(X)


m V. Por este motivo, em geral aproximamos a tenso
em polarizao direta por um valor constante de 8(X)
mV (tal como em uma bateria ideal) e consideramos
que o dispositivo est desligado se Vn < 800 mV. A
resultante caracterstica I/V ilustrada na Fig.2.33(a),

*Esse modelo tambm chamado de modelo de fonte idear'. (N.T.)

Fsica Bsica de Semicondutores

45

Polarizao Reversa

1D 1

-W -

=
VD,on

Polarizao Direta

rsJ
PI

VD,on

VD,on

(a)

(b)

Figura 2.33

Modelo de tenso constante para o diodo.

onde a tenso de ligamento denotada por Vl)on. Vale


notar que a corrente tende ao infinito medida que
V tende a ultrapassar Vl)im, pois admitimos que, sob
polarizao direta, o diodo funciona como uma fonte
de tenso ideal. Desprezando a corrente de fuga sob
polarizao reversa, introduzimos o modelo de circuito
m ostrado na Fig. 2.33(b). Dizemos que a juno
funciona como um circuito aberto se VD< Vl)un e como
uma fonte de tenso constante se tentarmos aumentar
V alm de VDon. Em bora no seja necessria, a fonte
de tenso conectada em srie com o com utador na
condio de desligado ajuda a simplificar a anlise de
circuitos: podem os dizer que, na transio de desli
gado para ligado, apenas o com utador ligado e a
bateria sem pre perm anece conectada em srie com
o comutador.
Neste ponto, vrias perguntas podem passar pela
mente do leitor. Primeira: por que sujeitamos o diodo

Exem plo
2.21

---

VD

a uma aproxim ao to imprecisa? Segunda: se, de


fato, pretendemos usar esta aproximao simples, por
que estudam os a fsica de sem icondutores e junes
pn de maneira to detalhada?
A abordagem adotada neste captulo a mesma
que adotarem os para todos os dispositivos semicon
dutores: analisamos a estrutura e a fsica do disposi
tivo com cuidado para que possamos entender seu
funcionamento; construmos um m odelo de circuito
baseado na fsica; buscamos uma aproxim ao do
modelo resultante e, por fim, obtemos uma represen
tao mais simples. Modelos de dispositivos com dife
rentes nveis de complexidade (e, o que inevitvel,
diferentes nveis de preciso) se mostram essenciais
anlise e sntese de circuitos. Modelos simples favo
recem um entendim ento rpido e intuitivo do funcio
namento de um circuito complexo, enquanto modelos
mais precisos revelam seu real desempenho.

Consideremos o circuito da Fig. 2.34. Vamos calcular lx para VrA. = 3 V e V ' * = l V usando (a) um
modelo exponencial, com ls = 10 16A, e (b) o modelo de tenso constante, com VDo = 800 mV.
lx

VxC

Figura 2.34

Soluo

Jt R, = 1 kQ
IV D

Circuito simples usando um diodo.

(a) Notando que /,> = Ix, temos


Vx = IxR i + Vn

(2.114)

Vn = VT l n ,- f .

(2.115)

*S

46

Captulo Dois

Esta equao deve ser resolvida de maneira iterativa: escolhemos um valor para Vn, calculamos o
correspondente valor de Ix de Ix /?, = Vx - Vn, determinamos o novo valor de Vn de Vn = V T ln
(1XHS) e iteramos. Vamos escolher V,y = 750 mV; logo,
1 ^

II
*

(2.116)

3 V - 0,75 V
IkQ

(2.117)

= 2,25 mA.

(2.118)

Logo,
-s i*
c,

II

(2.119)

= 799 mV.

(2.120)

Com esse novo valor de VD, obtemos um valor mais preciso para Ix:
3 V - 0,799 V
*"
1 kft
= 2.201 mA.

(2.121)
(2.122)

Notamos que o valor de x converge rapidamente. Seguindo o mesmo procedimento para VX = W ,


temos

h=

1 V - 0,75 V
1 k2

= 0,25 mA,

(2.123)
(2.124)

que fornece Vn = 0,742 V e, portanto, Ix = 0,258 mA. (b) O modelo de tenso constante fornece:
Ix = 2,2 mA para Vx = 3 V

(2.125)

Ix = 0,2 mA para Vx = 1 V.

(2.126)

O valor de Ix contm algum erro, mas foi obtido com menor esforo de clculo do que na parte (a).
Exerccio

2.3

Repita o exemplo anterior para o caso em que a rea do dispositivo aumentada por um fator
de 10.

RUPTURA REVERSA*

Recordemos da Fig. 2.31 que, sob polarizao reversa,


a juno p n transp o rta um a co rren te pequena e
relativam ente constante. No entanto, medida que
aum enta a tenso reversa atravs do dispositivo,

*Esta seo pode ser pulada em uma primeira leitura.

possvel ocorrer ru p tu ra e uma elevada corrente


repentina observada. A Fig. 2.35 mostra a caracte
rstica I/V do dispositivo e ilustra esse efeito.
A ruptura que resulta de alta tenso (e, portanto,
de intenso campo eltrico) pode ocorrer em qualquer
material. Um exemplo comum so os raios: neste caso,

Fsica Bsica de Semicondutores


2.3.1

Ruptura

Figura 2.35

Caracterstica de ruptura reversa.

o cam po eltrico no ar atinge um a intensidade to


alta que chega a ionizar as m olculas de oxignio,
o que reduz a resistncia do a r e cria uma enorm e
corrente.
O fenm eno de ru p tu ra em junes pn ocorre
devido a um de dois possveis mecanismos: efeito
Z en er e efeito de avalanche.

(a)
Figura 2.36

2.3.2

47

R uptura Zener

Em uma juno p n , a regio de depleo contm


tomos que perderam um eltron ou uma lacuna e,
em conseqncia, no dispem de portadores fraca
mente ligados. No entanto, um intenso campo eltrico
nessa regio pode transm itir aos eltrons covalentes
que restaram uma quantidade de energia suficiente
para liber-los de suas ligaes [Fig. 2.36(a)]. Uma
vez liberados, os eltrons so acelerados pelo campo
eltrico e varridos para o lado n da juno. Este efeito
ocorre para intensidades de campo da ordem de 106
V/cm (1 V V m ).
Para criar um cam po to intenso com valores
razoveis de tenso, necessria uma regio de
depleo de pequena largura; a partir da Eq. (2.76),
isto se traduz a altos nveis de dopagem nos dois lados
da juno (por qu?). C ham ado efeito Z en er, esse
tipo de ruptura ocorre para tenses de polarizao
da ordem de 3 a 8 V.

(b)

(a) Liberao de eltrons por eampo eltrico intenso, (b) efeito avalanche.

R uptura por Avalanche

Junes com nveis moderados de dopagem (< 10l5cm 3),


em geral, no exibem ru p tu ra Z ener. C ontudo,
medida que a tenso reversa aplicada ao dispositivo
aum enta, ocorre um efeito de avalanche. E m bora
a co rren te de fuga seja p eq u en a, cada p o rtad o r
que entra na regio de depleo sofre a influncia
de um cam po eltrico m uito intenso e, po rtan to ,
uma grande acelerao, e ganha energia suficiente
para liberar eltro n s de suas ligaes covalentes.
C ham ado ionizao de im p acto , esse fenm eno

pode levar avalanche: cada eltron liberado pelo


im pacto pode ser acelerado pelo cam po de m aneira
tal que, ao colidir com o utro tom o, libera mais um
eltron de sua ligao covalente. Esses dois eltrons
ganham energia e causam mais colises ionizantes;
com isto, o nm ero de po rtad o res livres aum enta
rapidam ente.
U m c o n tra ste in teressa n te e n tre os efeitos
Z en e r e de avalanche exibirem coeficientes de
te m p e ra tu ra (C T s) opostos: no efeito Z en e r, a
tenso de ru p tu ra Vnn tem CT negativo; no efeito
de avalanche, positivo. Os dois CTs se cancelam

48

Captulo Dois

q u ando VHl) 3,5 V. Por isto, diodos Z en e r com


tenso de 3,5 V so usados em alguns reguladores
de tenso.
Os efeitos de ruptura Z ener e de avalanche no
destroem os diodos se a corrente resultante perm a
necer abaixo de um certo limite determ inado pelos
nveis de dopagem e pela g eo m etria da juno.
Tanto a tenso de ruptura como a mxima corrente
reversa tolerada so especificadas pelo fabricante
do diodo.

2.4

RESUM O DO CAPTULO

O silcio tem quatro tomos na rbita mais externa


e um pequeno nmero de eltrons livres tempera
tura ambiente.
Quando um eltron liberado de uma ligao covalente, uma lacuna criada.
A energia da banda proibida o valor mnimo de
energia necessrio para liberar um eltron de sua
ligao covalente.
Para aumentar o nmero de portadores livres, semi
condutores so dopados com certas impurezas. Por
exemplo, a adio de fsforo ao silcio aumenta o
nmero de eltrons livres, pois o fsforo tem cinco
eltrons na rbita mais externa.
Para semicondutores dopados ou no, np = fl,2Por exemplo, em um material do tipo n, n ** Nn e,
portanto,/? n f/N D.
Portadores de carga se movem em semicondutores
por meio de dois mecanismos: deriva e difuso.
A densidade de corrente de deriva proporcional
ao campo eltrico e mobilidade dos portadores;
dada p o r = q(nn + HpP)E.

A densidade de corrente de difuso proporcional


ao gradiente da concentrao de portadores; dada
por:Jm = q(D dn/dx - D pdp/dx).
Uma juno p n uma amostra de semicondutor que
recebeu dopagem do tipo n em uma seo e dopagem
do tipo p em uma seo adjacente.
A juno p n pode ser considerada em trs modos:
equilbrio, polarizao reversa e polarizao direta.
Aps a formao da juno p n , gradientes abruptos
de densidade de portadores ao longo da juno
resultam em altas correntes de eltrons e de lacunas.
medida que os portadores cruzam a juno, deixam
tomos ionizados atrs, formando uma regio de
depleo. Um campo eltrico criado na regio de
depleo que, por fim, interrompe o fluxo de corrente.
Esta condio chamada equilbrio.
O campo eltrico na regio de depleo resulta em
um potencial interno ao longo da mesma; esse poten
cial dado por (kT/q) ln ( N A/ N D) / n f e tem valores
tpicos entre 700 e 800 mV.
Sob polarizao reversa, a juno transporta uma
corrente desprezvel e funciona como um capacitor.
A prpria capacitncia funo da tenso aplicada
ao dispositivo.
Sob polarizao direta, a juno transporta uma
corrente que uma funo exponencial da tenso
aplicada: Is[exp(V/Vr - 1)].
Como, em geral, o modelo exponencial dificulta a
anlise de circuitos, um modelo de tenso constante
pode ser usado em alguns casos para se avaliar a
resposta do circuito com pouco esforo matemtico.
Sob grande tenso de polarizao reversa, a juno
p n sofre ruptura e conduz uma corrente alta. Depen
dendo da estrutura e dos nveis de dopagem do
dispositivo, pode ocorrer ruptura Zener ou de
avalanche.

EXERCCIOS
2.1 A concentrao intrnseca de portadores do germnio (Ge) expressa como:
m = 1,66

10l57'3/2 e x p ^ cm -3 ,

(2.127)

onde Eg = 0,66 eV.


(a) Calcule a, a 300 K e 600 K e compare os resul
tados com os obtidos para o silcio no Exemplo
2.1.
(b) Determine as concentraes de eltrons e de
lacunas se Ge for dopado com P a uma densi
dade de 5 x 1016cm-3.

2.2 Uma amostra de silcio do tipo n est sujeita a um


campo eltrico de 0,1 V//xm.
(a) Calcule a velocidade de eltrons e de lacunas
nesse material.
(b) Que nvel de dopagem necessrio para produzir
uma corrente de 1 mA/fim2 nessas condies?
Suponha que a corrente de lacunas seja despre
zvel.
2.3 Uma amostra de silcio do tipo n tem comprimento
de 0,1 /xm e uma seo reta de rea 0,05 /xm x
0,05 /xm est sujeita a uma diferena de potencial
de 1 V.

Fsica Bsica de Semicondutores

(a) Para um nvel de dopagem de IO17cm \ calcule


a corrente total que flui pelo dispositivo em
T = 300 K.
(b) Admitindo, por simplicidade, que a mobilidade
no se altera com a temperatura (esta no uma
boa hiptese), repita o item (a) para T = 400 K.
2.4 Com os dados do Exerccio 1, repita o Exerccio 3

para Ge. Suponha


cm2/(V s).

= 3900 cm2/(V s) e /x,, = 1900

2.5 A Fig. 2.37 mostra uma barra de silcio do tipo p que

est sujeita a injeo de eltrons pela esquerda e


de lacunas pela direita. Admitindo que a seo reta
tem rea de 1 /xm X 1 /im,determine a corrente total
que flui pelo dispositivo.

49

(a) Determine as concentraes de portadores majori


trios e minoritrios nos dois lados.
(b) Calcule o potencial interno em T = 250 K, 300 K e
350 K. Explique a tendncia.
2.11 Devido a um erro de fabricao, o lado p de uma

juno pn no foi dopado. Se iV = 3 X 10K>cm \


calcule o potencial interno em T = 300 K.
2.12 Uma juno pn com Nn = 3 X 10ucm ?e/V, = 2 x

1015 cm 3 est sujeita a uma tenso de polarizao


reversa de 1,6 V.
(a) Determine a capacitncia de juno por unidade
de rea.
(b) Por que fator NA deve ser aumentado para
dobrar a capacitncia de juno?
2.13 Um oscilador requer uma capacitncia varivel com

16

5 x 10

,16

2 x 10

a caracterstica mostrada na Fig. 2.39. Determine o


valor necessrio de Nn se N = 1017cm \

Figura 2.37

2.6 No Exemplo 2.9, calcule o nmero total de eltrons

armazenados no material entre jc = 0 e x = L.


Admita que a seo reta tem rea a.
2.7 Repita o Exerccio 6 para o Exemplo 2.10, entre

x = 0 e x = >. Compare os resultados obtidos para


os perfis linear e exponencial.
2.8 Repita o Exerccio 7 para o caso em que os perfis de

eltrons e de lacunas so exponenciais abruptas,


ou seja, caiam a valores desprezveis em .r = 2 /xm
e x = 0, respectivamente (Fig. 2.38).
16
5 x 10

2x10

16

2.14 Considere uma juno pn sob polarizao direta.

(a) Para se obter uma corrente de 1 mA com uma


tenso de 750 mV, como deve ser escolhido o
valor de / v?
(b) Se a rea da seo reta do diodo for dobrada,
que tenso produzir uma corrente de 1 mA?
2.15 A Fig. 2.40 mostra dois diodos com correntes de

saturao reversa Isl e IS2 conectados em paralelo.


(a) Prove que a combinao em paralelo funciona
como um dispositivo exponencial.
(b) Se a corrente total for
determine a corrente
que flui em cada diodo.
/ tot
D2

Figura 2.38

2.9 Como voc explicaria o fenmeno de deriva a um

aluno do ensino mdio?


2.10 Uma juno emprega Nn = 5

1016cm \

1017 cm 3 e NA=

2.16 Duas junes pn idnticas so conectadas em

srie.

50

Captulo Dois

(a) Prove que essa combinao pode ser vista como


um nico dispositivo de duas portas e caracte
rstica exponencial.
(b) Para uma alterao de dez vezes na corrente,
que mudana de tenso requer esse disposi
tivo?
2.17 A Fig. 2.41 mostra dois diodos com correntes de

saturao reversa 7SI e Is2 conectados em srie.


Calcule /, VDl e Vl)2 em funo de VH, 7SI e ln .

Ix

Figura 2.43

2.24 A Fig. 2.44 mostra uma combinao resistor-diodo

D1

D,

em paralelo. Se Is = 3 X 10-16 A. calcule Vm para


Ix = 1 mA, 2 mA e 4 mA.

Figura 2.41
Figura 2.44

2.18 No circuito do Exerccio 17, desejamos aumentar /


por um fator de 10. Que mudana deve ser feita em
V,P

2.25 No circuito da Fig. 2.44, desejamos que uma corrente

2.19 Considere o circuito mostrado na Fig. 2.42, onde


Is = 2 X IO"15A. Calcule Vm e lx para Vx = 0,5 V,
0,8 V, 1 V e 1,2 V. Note que Vm pouco alterado
para Vx > 0,8 V.

2.26 Na Fig. 2.44, para que valor de lx uma corrente igual

Ix

2.20 No circuito da Fig. 2.42, a rea da seo reta de D]

aumentada por um fator de 10. Determine Vm e


Ix para Vx = 0,8 V e 1,2 V. Compare os resultados
com os obtidos no Exerccio 19.
2.21 Suponha que f }na Fig. 2.42 deve manter uma tenso
de 850 mV para Vx = 2 V. Calcule o valor de Is.

de 0,5 mA flua por D, quando Ix = 1,3 mA. Deter


mine o valor de Is.
a Ix l2 flui por /?,? Admita Is = 3 X 1016 A.
2.27 Recebemos o circuito mostrado na Fig. 2.45 e dese

jamos determinar
e Is. Medidas indicam que
Ix = 1 mA ->VX= 1,2 V e \x = 2 mA ^ Vx = 1,8 V.
Calcule Rxe Is.

Figura 2.45

2.28 O circuito ilustrado na Fig. 2.46 emprega dois diodos

idnticos, com Is = 5 x 10~16A. Calcule a tenso em


para Ix = 2 mA.

2.22 Na Fig. 2.42, para que valor de Vx o resistor R {

mantm uma tenso igual a Vx !21 Suponha Is =


2 X IO '6 A.
2.23 Recebemos o circuito mostrado na Fig. 2.43 e dese

jamos determinar e Is. Notamos que Vx = 1 V >


x = 0,2 mA e K(V= 2 V ^ / ^ = 0,5 mA. Calcule os
valores de R^ e 7S.

Figura 2.46

Fsica Bsica de Semicondutores

51

2.29 No circuito da Fig. 2.47, determine o valor de /?, para

2.30 Para o circuito da Fig. 2.48, esboce a curva de Vx em

que uma corrente de 0,5 mA flua por esse resistor.


Suponha Is = 5 X 10~,r A para cada diodo.

funo de Ix. Admita (a) o modelo de tenso cons


tante, (b) um modelo exponencial.

'* ( ) Vx

D1

Figura 2.48
Figura 2.47

e x e r c c i o s

c o m

SPICE

Nos exerccios a seguir, admita Is = 5 x 1 0 16A.


2.31 Para o circuito mostrado na Fig. 2.49, desenhe a

curva de Voul em funo de /,,,. Suponha que /, varie


entre 0 e 2 mA.

2.33 Usando SPICE, determine o valor de

no circuito
da Fig. 2.50, de modo que uma corrente de 1 mA flua
por I)l se /, = 2 mA.

2.34 No circuito da Fig. 2.51, /?, = 500 l . Desenhe a

curva de Votaem funo de Vinquando Vinvaria entre


- 2 V e +2 V. Para que valor de Vin as quedas de
tenso em Rl e Dl so iguais?

out

Figura 2.49

2.32 Repita o Exerccio 31 para o circuito mostrado na

Fig. 2.50, onde


= 1 k. Para que valor de /,,, as
correntes que fluem por Dxe Rxso iguais?

Figura 2.51

2.35 No circuito da Fig. 2.51, use SPICE para selecionar

o valor de R ] de modo que Vout < 0,7 V para


Vin < 2 V. Dizemos que o circuito limita a sada.

tf

D1

Figura 2.50

Vout

REFERNCIA
1. B. Streetman and S. Banerjee, Solid-State Electronic
Device, fifth edition, Prentice-Hall, 1999.

C A P I T U L O

3
Modelos de
Diodos e Circuitos
com Diodos
Depois de estudar a fsica de diodos no Captulo 2,
agora passarem os ao prxim o nvel de abstrao e
tratarem os de diodos com o elem entos de circuito
para, ao final, discutirm os interessantes aplicaes

D iodos como
Elem entos de Circuitos

3.1.1

Aplicaes
Reguladores

D iodo Ideal

Retificadores

Caractersticas de Circuito

C ircuitos Lim itadores e


de Corte (C lam ping)

D iodo Real

3.1

prticas. Este captulo tam bm nos prepara para o


entendim ento de transistores com o elem entos de
circuito nos prximos captulos. Nosso roteiro ser
o seguinte:

DIODO IDEAL
C onceitos Bsicos

Para que entendam os a utilidade de diodos, vamos


estudar, brevem ente, o projeto de um carregador
de telefone celular. O carregador converte a tenso
AC da linha - 110 V 1a 60 Hz2 - em uma tenso DC
de 3,5 V. Com o m ostra a Fig. 3.1 (a), isto feito da
seguinte maneira: primeiro, a tenso AC reduzida
por meio de um transform ador a cerca de 4 V e, em
seguida, a tenso AC convertida em uma quanti
dade DC.? O mesmo princpio se aplica a adaptadores
que alimentam outros dispositivos eletrnicos.

De que maneira a caixa-preta na Fig. 3.1 (a) efetua


essa converso? Como ilustra a Fig. 3.l(b ), a sada do
transform ador exibe um contedo DC nulo, pois os
semiciclos positivo e negativo correspondem a reas
iguais, o que resulta em uma m dia nula. A gora,
suponham os que essa forma de onda seja aplicada
ao misterioso dispositivo que deixa passar os semi
ciclos positivos e bloqueia os negativos. O resultado
tem uma mdia positiva e alguns com ponentes AC,
que podem ser removidos por um filtro passa-baixas
(Seo 3.5.1).
A converso de forma de onda ilustrada na Fig.
3.1(b) indica a necessidade de um dispositivo que
discrimine tenses positiva e negativa, deixe passar

'Esse valor se refere tenso eficaz ou rms (root-mean-square: valor quadrtico mdio). C) valor de pico , portanto, 110 -Jl.
2Em muitos pases, a tenso AC de 220 V a 50 Hz.
'Na prtica, o funcionamento de adaptadores um pouco diferente.

52

Modelos de Diodos e Circuitos com Diodos

apenas uma e bloqueia a outra. Um simples resistor


no serve para esse papel, pois linear. Ou seja, a lei
de Ohm, V = RI, implica que, se a queda de tenso
no resistor passar de positiva para negativa, o mesmo
ocorrer com a corrente. Devemos, portanto, buscar
um dispositivo que se com porte com o um curtocircuito para tenses positivas e com o um circuito
aberto para tenses negativas.
A Fig. 3.2 resume o resultado de nosso raciocnio
at aqui. O misterioso dispositivo gera uma sada que
igual entrada nos semiciclos positivos e igual a

53

zero nos semiciclos negativos. Vale notar que o dispo


sitivo deve ser no linear,pois no satisfazy a x ;
se x > x ,y - y.
3.1.2

D iodo Ideal

O misterioso dispositivo que mencionamos chamado


diodo ideal. Ilustrado na Fig. 3.3(a),o diodo ideal
um dispositivo de dois terminais; a cabea triangular
indica a direo permitida para o fluxo de corrente,
enquanto a barra vertical representa o bloqueio do
fluxo de corrente na direo oposta. Os correspon
dentes terminais so chamados anodo e catodo.
P o la riza e s D ireta e Reversa

Para funcionar
como o misterioso dispositivo no exemplo de carre
gador da Fig. 3.3(a), o diodo deve ficar ligado se
Kwxio > Katak.e desligado se Kanodo < VCMOda[Fig.3.3(b)].
Definindo V^atloclo
= Vn, dizemos que o diodo
est sob polarizao direta se VD tende a ser maior
que zero, e sob polarizao reversa se V < O.4
Aqui, a analogia com cano hidrulico se m ostra
til. Considerem os o cano ilustrado na Fig. 3.3(c),
4Nas ilustraes, algumas vezes desenhamos os ns mais positivos acima dos mais negativos para facilitar a visualizao do funcio
namento do circuito. Os diodos ilustrados na Fig. 3.3(b) foram desenhados segundo esta conveno.

54

Captulo Trs

Figura 3.3

Exem plo

3.1

(a) Smbolo de diodo, (b) circuito equivalente, (c) analogia com cano hidrulico.

Como no caso de outros dispositivos de dois terminais, diodos podem ser conectados em srie (ou
em paralelo). Determinemos qual das configuraes na Fig. 3.4 pode conduzir corrente.
D]

A o--------EH

D2
- CH o

D]

Ao ------- CH

(a)

?2
- K l o

Ao ------- K l

(b)
Figura 3.4

O2
1>| o

(c)

Combinaes de diodos em srie.

Soluo

Na Fig. 3.4(a), os anodos de >, e D2apontam na mesma direo, permitindo o fluxo de corrente de
A para B para C mas no na direo contrria. Na Fig. 3.4(b), /), bloqueia o fluxo de corrente de
B para A ,e >,, de B para C. Portanto, o fluxo de corrente no possvel em qualquer das direes.
Da mesma forma, a topologia da Fig. 3.4(c) se comporta como um circuito aberto para qualquer
tenso. Por enquanto, esses circuitos no parecem muito teis, mas nos ajudam a entender o funcio
namento de diodos.

Exerccio

Determine todas as possveis combinaes de trs diodos em srie e estude a caracterstica de


conduo de cada uma.

onde um lado de uma vlvula (um a placa) gira em


torno do mancai e o outro contido pelo batente. Se
presso d gua for aplicada da esquerda, a vlvula
se abre, perm itindo o fluxo. Se presso d gua for
aplicada da d ireita, o b aten te m antm a vlvula
fechada.
C a ra c te rs tic a l/V

No estudo de dispositivos
eletrnicos, muitas vezes conveniente acom panhar
as equaes com representaes grficas. Um tipo
comum de grfico o da caracterstica I/V, ou seja, da
corrente que flui no dispositivo em funo da tenso
aplicada.

C om o um diodo ideal se com porta com o um


curto-circuito ou um circuito aberto, prim eiro cons
trumos a caracterstica I/V destes dois casos especiais
da lei de Ohm:
/? = ( ) = > / = - = oc
R = oc => / = - = ( ) .

(3.1)
(3.2)

Os resultados so representados na Fig. 3.5(a). Para


um diodo ideal, combinamos a regio de tenso posi
tiva do primeiro caso com a regio de tenso negativa

Modelos de Diodos e Circuitos com Diodos

55

1D 1
li

li

R= o o

R =0
V

Polarizao
Reversa

V0

(a)
Figura 3.5

Exem plo
3.2

Soluo

Exerccio

Exem plo
3.3

Polarizao
D ireta

(b)

Caracterstica I/V dc (a) rcsistorcs nulo e infinito, (h) diodo ideal.

Dizemos que um diodo ideal est ligado para tenses anodo-catodo positivas. No entanto, a carac
terstica da Fig. 3.5(b) no parece mostrar uma corrente In para Vn > 0. Como devemos interpretar
esse grfico?
Esta caracterstica indica que, medida que Vn se torna ligeiramente maior que zero, o diodo
ligado e conduz uma corrente infinita se os circuitos vizinhos do diodo puderem fornecer tal corrente.
Portanto, em circuitos que contm apenas correntes finitas, um diodo ideal sob polarizao direta
mantm uma tenso nula - como um curto-circuito.
Como esta caracterstica se altera se um resistor de 1 l for conectado em srie com o diodo?

Esbocemos a caracterstica I/V para os diodos antiparalelos" mostrados na Fig. 3.6(a).

(a)
Figura 3.6

(b)

(a) Diodos antiparalelos, (b) caracterstica I/V resultante.

Soluo

Se VA > 0, /), est ligado e />2, desligado; logo, IA = Se VA < 0, /), est desligado e D2, ligado; de
novo, IA = ~c. O resultado ilustrado na Fig. 3.6(b). A combinao antiparalela, portanto, atua como
um curto-circuito para todas as tenses. Embora possa parecer intil, esta topologia se torna mais
interessante com diodos reais (Seo 3.5.3).

Exerccio

Repita o exemplo anterior para o caso em que uma bateria de 1 V conectada em srie com a
combinao dos diodos em paralelo.

56

Captulo Trs

Exem plo

3.4

Esbocemos a caracterstica I/V para a combinao diodo-resistor da Fig. 3.7(a).


'A
1A

+ N,\</a

Oi

(a)

(b)

(c)

(C )

Figura 3.7 (a) Combinao em srie diodo-resistor, (b) circuito equivalente sob polarizao direta, (c) circuito
equivalente sob polarizao reversa, (d) caracterstica I/V, (e) circuito equivalente quando D, est ligado.

S oluo

Exerccio

Conclumos que, se VA > 0, o diodo est ligado [Fig. 3.7(b)] e IA = Vy/? pois Vin = 0 para um
diodo ideal. Se VA < 0, provvel que /), esteja desligado [Fig. 3.7(c)] e / = 0. A Fig.3.7(d) mostra
a resultante caracterstica I/V.
Estas observaes so baseadas em hipteses. Estudemos o circuito com mais rigor. Comecemos
com VA < 0 e admitamos que o diodo esteja desligado. Para confirmar a validade desta hiptese, vamos
supor que /), esteja ligado e vejamos se obtemos um resultado contraditrio. Se /), estiver ligado, o
circuito se reduz quele ilustrado na Fig. 3.7(e); se VA for negativo, IA tambm ser negativa; ou seja,
a corrente flui da direita para a esquerda. Isto implica que D, conduz uma corrente do catodo para o
anodo. o que viola a definio de diodo. Portanto, para VA < 0, D, permanece desligado e /^ = 0.
medida que VA se torna maior que zero, tende a polarizar o diodo diretamente. Assim,
D, fica ligado para qualquer VA > 0, ou ser que R x desloca o ponto de ligamento? De novo,
invocamos a prova por contradio. Suponhamos que, para algum VA > 0,1){ainda esteja desligado,
comportando-se como um circuito aberto e produzindo IA = 0. Logo, a queda de tenso em R{ zero,
sugerindo que
= VA e, ento, in = oo, o que contradiz a hiptese original. Em outras palavras,
Dl fica ligado para qualquer VA >0.
Repita a anlise anterior para o caso em que as posies dos terminais do diodo so trocadas.

do segundo, e obtem os a caracterstica I/V da Fig.


3.5 ( t y . A q u V ^ K a n o d o Vcaiodo e / definida como
a corrente que flui do anodo para o catodo.
O exemplo anterior leva a duas concluses impor
tantes. Prim eira, a com binao de ), e
em srie
Exem plo

atua com o circuito aberto para tenses negativas e


como um resistor de valor R ] para tenses positivas.
Segunda, na anlise de circuitos, podemos supor um
estado arbitrrio (ligado ou desligado) para cada diodo
e efetuar o clculo de tenses e correntes; se as hip-

Por que nosso interesse na caracterstica I/V e no na caracterstica V/I?

3.5
S oluo

Exerccio

Na anlise de circuitos, em geral preferimos considerar a tenso como a causa, e a corrente, o


efeito. Isto se deve ao fato de que, em circuitos tpicos, possvel prever as polaridades das tenses
de maneira mais fcil e intuitiva do que as polaridades das correntes. Alm disto, dispositivos como
transistores produzem correntes em resposta a tenses.
Esboce a caracterstica V/I de um diodo ideal.

Modelos de Diodos e Circuitos com Diodos

Exem plo

3.6
Soluo

57

No circuito da Fig. 3.8, cada entrada assume um valor de zero ou +3 V. Determinemos a resposta
observada na sada.
Se VA = + 3 Ve VH= 0, conclumos que D, est sob polarizao direta e D2,sob polarizao reversa.
Portanto, VOM= VA = +3 V. Em dvida, podemos supor que tanto />), como D2 estejam sob pola
rizao direta; logo chegamos a um conflito: D, fora uma tenso de +3 V na sada, enquanto D2
curto-circuita Voul em V,{ = . Esta hiptese, obviamente, incorreta.

~oV,o u t

^B--- W-

Figura 3.8

Porta C)R realizada por diodos.

A simetria do circuito em relao a VA e VB sugere que Voul = VB = +3 V se VA = 0 e


V,{ = +3 V. O circuito funciona como uma porta lgica OR e, na verdade, foi usado nos primeiros
computadores digitais.
Exerccio

Exem plo

Construa uma porta OR de trs entradas.

Um diodo ideal est ligado ou desligado se Vp = 0?

3.7
Soluo

Um diodo ideal sujeito a uma tenso nula deve conduzir uma corrente nula (por qu?). No entanto,
isto no significa que o mesmo atua como um circuito aberto. Afinal, um pedao de fio sob tenso
nula tem o mesmo comportamento. Portanto, o estado de um diodo ideal com Vn = 0 , de certa
forma, arbitrrio e ambguo. Na prtica, consideramos tenses ligeiramente positivas ou negativas
para determinar a resposta de um circuito a diodo.

Exerccio

Repita o exemplo anterior para o caso em que um resistor de 1 1 conectado em srie com o
diodo.

teses forem incorretas, o resultado final as contradir.


conveniente que, primeiro,estudemos o circuito com
cuidado para escolhermos hipteses razoveis.

corrente flui por R u temos Vma = Vin. Se Vm > 0,Z), est


sob polarizao direta e a sada curto-circuitada, o
que implica V, = [Fig.3.9(c)]. A Fig.3.9(d) mostra um
grfico da caracterstica entrada/sada completa.

Caracterstica E ntrada/Sada

Os circuitos eletr
nicos processam uma en trad a e geram uma sada
correspondente. Assim, interessante que determ i
nemos a caracterstica entrada/sada de um circuito;
para isto, variamos a entrada em um intervalo perm i
tido, anotam os a sada produzida e representam os o
resultado em um grfico.
Como exemplo, consideremos o circuito mostrado
na Fig. 3.9(a), onde a sada definida como a queda de
tenso em D ,. Se Vin < 0, D , est sob polarizao reversa
e o circuito reduzido ao da Fig. 3.9(b). Como nenhuma

3.1.3

E xem plos de A plicao

Recordemos, da Fig. 3.2,que desenvolvemos o conceito


de diodo ideal como uma forma de converter .v(/) em
y(t). Agora, vamos projetar um circuito que execute
essa funo. claro que podemos construir o circuito
tal como mostra a Fig. 3.10(a). Entretanto, o catodo
do diodo est flutuando: a corrente sempre igual
a zero e o estado do diodo ambguo. Por isto, modi
ficamos o circuito tal como indicado na Fig. 3.10(b);

58

Captulo Trs

Figura 3.9 (a) Circuito resistor-diodo, (b) circuito equivalente para entrada negativa, (c) circuito equivalente para entrada posi
tiva. (d) caracterstica entrada/sada.

Figura 3.10 (a) Diodo funcionando como retiicador. (b) retificador completo, (c) formas de onda de entrada e de sada, (d) carac
terstica entrada/sada.

59

Modelos de Diodos e Circuitos com Diodos

agora, analisamos sua resposta a uma entrada senoidal


interessante desenhar a curva que representa
[Fig.3.10(c)].Como/?, tende a m anter o catodo de D, a caracterstica entrada/sada do circuito. N otam os
prximo do zero, medida que Vin aum enta. D, fica que, se Vin < 0, D, est desligado e Vou, = 0; se
sujeito polarizao direta e curto-circuita a sada V* > 0, D, est ligado e Vout = Vin\ com isto, obtem os
entrada. Este estado se mantm durante o semiciclo o com portam ento m ostrado na Fig. 3.10(d). O reti
positivo. Q uando Vin se torna m enor que zero, D ] ficador um circuito no linear, pois, se Vin > - Vitn
- V
fica desligado e /?, garante V<m 0, pois l)R l O.5 O V
r oui
r our
circuito da Fig. 3.10(b) cham ado retificador.

Exemplo

O fato de as caractersticas nas Figs. 3.7(d) e 3.10(d) serem parecidas coincidncia?

3.8
Soluo
Exerccio

No; observamos que a tenso de sada na Fig. 3.10(b) igual a IAR { na Fig. 3.7(a). Logo, os dois
grficos diferem apenas por um fator de escala R x.
Determine a caracterstica entrada/sada se as posies dos terminais de I)] forem trocadas.

A gora, para exam inarm os outra aplicao inte


ressante, determ inem os a m dia tem poral (valor
DC) da forma de onda de sada na Fig. 3.10(c). Supo
nhamos que Vin = Vp sen atf,onde w = 2i t/ T denota a
frequncia em radianos por segundo e T, o perodo.
Portanto, no prim eiro ciclo aps t = 0, temos
VI)U, = Vp sen wt para ( ) < / <
= 0

para < t < T.

(3.3)
(3.4)

Para calcular a mdia, obtemos a rea sob a curva de Vm


e normalizamos o resultado em relao ao perodo:

o iit .m d

rT
=j j
Volll(i)d i
/0
1 f T/2
- H Io

Exemplo

Soluo
Exerccio

Vn sen cot dt

(3.5)

(3.6)

T ' (O

| COS W / ]q

/2

Vp
71

(3.7)
(3.8)

Logo, a mdia proporcional a Vp\ este um resul


tado esperado, pois uma maior amplitude de entrada
produz uma rea maior sob as curvas dos semiciclos
retificados.
A observao anterior revela que o valor mdio
de uma sada retificada pode servir como uma medida
da intensidade (amplitude) da entrada. Ou seja, um
retificador pode funcionar como um indicador de
intensidade de sinal. Por exemplo, como os telefones
celulares recebem sinal de nvel varivel, dependendo
da localizao do usurio e do ambiente em que ele se
encontra, precisam de um indicador para determ inar
de quanto o sinal deve ser amplificado.

Um telefone celular recebe um sinal de 1,8 GHz cuja amplitude varia entre 2 /xV e 10 mV. Se o sinal
for aplicado a um retificador, qual ser o correspondente intervalo de variao da sada?

A sada retificada tem um valor mdio que varia entre 2 fxV/(ir) = 0,637 ^tV e 10 mV/(7r) = 3,18 mV.
Os resultados anteriores se alteram se um resistor de 1 i for conectado em srie com o diodo?

5Sem Rlya tenso de sada no definida, pois um n flutuante pode assumir qualquer potencial.

60

Captulo Trs

E m nosso esforo p ara e n te n d e r o p ap el de


diodos, exam inem os o u tro circu ito que, mais
adiante (na Seo 3.5.3), levar a algum as aplica
es im portantes. Prim eiro, considerem os a to p o
logia m ostrada na Fig. 3.11 (a), onde uma b ateria
de 1 V conectada em srie com um diodo ideal.
C om o esse circu ito se c o m p o rta ? Se K, < 0, a
ten so do cato d o m aio r que a do anodo: uma
polarizao reversa aplicada a D x. M esm o que
V , seja um pouco m aior que zero (p o r exem plo,
igual a 0,9 V), a tenso do an o d o no positiva o
bastante para que D, fique sob polarizao direta.
Portanto, V x deve se aproxim ar de +1 V para ligar
D ,. A Fig. 3.11 (a) m ostra a cara cterstica 1/V da
com binao d io d o -b ateria , q u e p arece a de um
diodo, mas deslocada de 1 V p ara a direita.

Agora, examinemos o circuito da Fig. 3.11 (b). Aqui,


para Vm < 0, D, permanece desligado, o que leva a
Vmu - Vm. Para Vin > 0, D, atua como um curto-circuito,
logo VOM- 0. O circuito, portanto, no permite que a
sada seja maior que zero, como ilustram pela forma de
onda de sada e a caracterstica entrada/sada. Contudo,
vamos supor que nosso interesse seja um circuito que
no permita que a sada exceda +1 V (em vez de zero
volt). Como o circuito da Fig. 3.1 l(b) deve ser modifi
cado? Neste caso, D, deve ser ligado apenas quando V,u
se aproximar de +1 V,oque requer que uma bateria seja
conectada em srie com o diodo. Ilustrada na Fig.3.1 l(c),
esta modificao garante V, > + 1 V para qualquer nvel
da tenso de entrada. Dizemos que o circuito corta ou
limita a sada a + 1 V. Os limitadores so muito teis
em diversas aplicaes e descritos na Seo 3.5.3.

/1

+1 V

V.

(a)

'o u t

1
% I--------------0
O

"

----------- 1

t
oul

^out

(c)
Figura 3.11

(a) Circuito diodo-batcria, (b) circuito diodo-resistor, (c) adio de uma bateria em srie com o diodo em (b).

Modelos de Diodos e Circuitos com Diodos

E x e m p lo
3 .1 0
S o lu o

61

Esbocemos a curva para o valor mdio temporal de Vout na Fig. 3.1 l(c) para uma entrada senoidal
e uma bateria cuja tenso. V lf, varia de -oc a +*>.
Quando V,{ muito negativa, /) , est sempre ligado, pois Vln ^ - Vp. Neste caso, o valor mdio da
sada igual a V/{ [Fig. 3.12(a)]. Para - Vp < Vn < 0, D, desligado em algum ponto no semiciclo
negativo e permanece desligado no semiciclo positivo, o que produz um valor mdio maior que Vr
e menor que VB. Para Vn = 0, o valor mdio r). Por fim. para V,{ > Vp, no ocorre limitao
e o valor mdio se torna zero. A Fig. 3.12(b) ilustra esse comportamento.
- VP<VB

Vb < -V p
Vin / ' " \

/ *\

i#

f" \

\
/
\
/
vB--------------------------------^ou. = VB

v<>

II

+ Vp < Vb
' b ............ P....................

:::+ vp

A A
V

*****

Vout. \\
B ---------

...... \ J . y

VP

v< A j

'

'

(a)
K>ut1

~ V9

+ Kp

- 1/

VP

71

(b)
Figura 3.12

Exerccio

Exem plo
3.11

Repita o exemplo anterior para o caso em que as posies dos terminais do diodo so trocadas.

O circuito da Fig. 3.11(b) um retificador?

S o lu o

Sim. O circuito deixa passar apenas os ciclos negativos da sada e produz um valor mdio negativo.

Exerccio

Como o circuito da Fig. 3.1 l(b) deve ser modificado para deixar passar apenas os ciclos positivos
da sada?

3.2

JUNO pn C O M O UM DIODO

O funcionam ento de um diodo ideal lem bra um


pouco a conduo de co rren te em junes pn. Na
verdade, as condies de polarizaes direta e reversa
ilustradas na Fig. 3.3(b) so m uito parecidas quelas

estudadas para junes p n no C aptulo 2. A s Figs.


3.13(a) e (b) mostram as caractersticas I/V de um
diodo ideal e de uma juno pn, respectivamente. A
ltima serve com o uma aproxim ao da prim eira,
pois fornece uma conduo unilateral de corrente.
O modelo de tenso constante desenvolvido no Cap

62

Captulo Trs

tulo 2, m ostrado na Fig. 3.13, representa uma aproxi


mao simples para a funo exponencial e lembra a
curva da Fig. 3.1 l(a).
Dada a topologia de um circuito,como escolhemos
um dos modelos anteriores para os diodos? Podemos
utilizar o modelo ideal para um entendim ento rpido
e grosseiro do funcionam ento do circuito. Depois de
fazer isto, podem os concluir q u e tal idealizao

inadequada e, ento, em pregar o m odelo de tenso


constante. Este m odelo adequado para a maioria
dos casos, mas podemos ter necessidade de recorrer
ao m odelo exponencial para alguns circuitos. Os
prximos exemplos ilustram esses princpios.
im portante lem brar que um diodo prestes a
ser ligado ou desligado no conduz corrente, mas
mantm uma tenso igual a Vn.

!d 1
1
A

K '

(a)

(b)

'

D,on

-p_

d
Vn

]/
D,on
(C )

Figura 3.13

Exem plo

3.12

Caracterstica de um diodo: (a) modelo ideal, (b) modelo exponencial, (c) modelo de tenso constante.

Esbocemos a caracterstica entrada/sada do circuito mostrado na Fig. 3.14(a) usando (a) o modelo
ideal e (b) o modelo de tenso constante.

1
^in--- Wf-----1----0 Vout

D^

(a)
Figura 3.14

(a) Circuito com diodo, (b) caracterstica entrada/sada com modelo de diodo ideal.

Modelos de Diodos e Circuitos com Diodos

*1

^in

Wr

63

oV,out

V.D,on

(c)
Figura 3.14

Soluo

(c) Caracterstica entrada/sada com modelo dc tenso constante.

(a) Comeamos com Vin = -oo, ou seja, com D, sob polarizao reversa. Na verdade, para Vm < 0,
o diodo permanece desligado e nenhuma corrente flui no circuito. Assim, a queda de tenso em R x
zero e Vou, = Vm.
medida que Vin se torna maior que zero. D, fica ligado e opera como curto-circuito, o que
reduz o circuito a um divisor de tenso. Ou seja,
Voui =

Ri
Vin para Vin > 0.
R i + R2

(3.9)

A Fig. 3.14(b) mostra a curva para a caracterstica completa; para Vm < 0, a curva exibe uma incli
nao igual unidade; para K, > 0 , a inclinao da curva R2I( R2 + R\)- Em outras palavras, quando
o diodo est ligado, o circuito opera como um divisor de tenso e carrega o n de sada com R2.
(b)
Neste caso, /), fica sob polarizao reversa quando Vin < VDont resultando em V(Hlt = Vin.
medida que Vint se torna maior que VDon, D{ fica ligado e opera como uma fonte de tenso constante
de valor Vl)on [como ilustra a Fig. 3.13(c)]. Nestas condies, o circuito se reduz ao da Fig. 3.14(c);
aplicando a lei de corrente de Kirchhoff ao n de sada, obtemos
Vou, - V,c

Vin - Vol

(3.10)

I< 2

Isto resulta em
Vin + VD.on

Vou, =

J<\__________

(3.11)

Como se esperava, Vou = VDon quando Vm = VDon. A Fig. 3.14(d) mostra a curva da caracterstica
correspondente, que tem a mesma forma que a da Fig. 3.14(b),com um deslocamento do ponto de
ligamento do diodo.
Exerccio

3.3

EX EM PLO S A D IC IO N A IS *

Exem plo

3.13

No exemplo anterior, esboce a curva para corrente em Rxcomo funo de Vin.

No circuito ilustrado na Fig. 3.15, D, e D2so idnticos, exceto pelas reas das sees retas, que so
diferentes. Determinemos a corrente que flui em cada diodo.
' in R"]
I
\W
t
.. JL+
I
Q
0 ,2
Figura 3.15

Circuito com diodo.

*Esta seo pode ser pulada em uma primeira leitura.

i
d22
I

64

Captulo Trs

Soluo

Neste caso, devemos recorrer equao exponencial, pois os modelos ideal e de tenso constante
no incluem a rea da seo reta do dispositivo. Temos
(3.12)

lin = hn + UnAgora, igualamos as quedas de tenso em /), e D2:


i/ ln
i = Vy
i/ iln
^D2 ;
Vr
Asi
As2

(3.13)

I/)\ _ 11)2
Asi
As2

(3.14)

ou seja,

A soluo simultnea de (3.13) e (3.15) fornece


(3.15)

hn #
1 + rAsi
hn =

(3.16)

i+
Como se esperava, lm = Iin = I J l se Isl = / s7.
Exerccio

Exem plo

3.14

Para o circuito ilustrado na Fig. 3.15, calcule Vn em termos de Iv Isx e / v2.

Usando o modelo de tenso constante, esbocemos a caracterstica entrada/sada do circuito ilustrado


na Fig. 3.16(a). Notemos que um diodo prestes a ser ligado conduz corrente nula e mantm Vl)on.
^in

*1
Wr

out

^in

*1
Wr

- Vtout

Ro >1

(a)

(b)

Figura 3.16 (a) Circuito com diodo, (b) circuito equivalente quando D, est desligado, (c) caracterstica
entrada/sada.

Soluo

Neste caso, a tenso no diodo igual tenso de sada. Notamos que,se Vm = -*>, D, est sob pola
rizao reversa e o circuito se reduz ao da Fig. 3.16(b). Portanto,

Modelos de Diodos e Circuitos com Diodos

Voul

K2
R\ + R 2

65

(3.17)

Em que ponto D, ligado? A tenso no diodo deve alcanar V,m, o que requer uma tenso de
entrada dada por
R2
Ri + R i

(3.18)

Vin V[).on,

logo,

K )

(3.19)

V.on-

O leitor pode questionar a validade deste resultado: se o diodo estiver de fato ligado, uma corrente
fluir e a tenso do diodo deixar de ser igual a [R2!{ R\ + RiftVur Ento, por que expressamos
a tenso do diodo como na Eq. (3.18)? Para determinar o ponto de ligamento, supomos que Vin
seja aumentado de modo gradual e deixe o diodo prestes a ser ligado, por exemplo, produzindo
Voui ** 799 mV). Portanto, nenhuma corrente flui no diodo, mas a tenso em seus terminais e a tenso
de entrada so quase suficientes para lig-lo.
Para Vm > (1 + R\/R2)Vn.ofn D\ permanece sob polarizao direta e produz Voul = Vn<m.A Fig.
3.16(c) mostra a caracterstica completa.
Exerccio

Repita o exemplo anterior para o caso em que as posies dos terminais de />), so trocadas, ou
seja, o anodo conectado terra, e o catodo, ao n de sada.

Exerccio

Para o exemplo anterior, esboce a curva da corrente em R] como uma funo de Vin.

Exem plo

3.15

Esbocemos a caracterstica entrada/sada do circuito mostrado na Fig. 3.17(a). Vamos admitir o


modelo de tenso constante para o diodo.

V\n~

VAr

-oV,out

out

^D,on jL D-\

(b)

(a)

R2
^in--- Wr-

out

(C )

Figura 3.17 (a) Circuito com diodo, (b) ilustrao para entradas muito negativas, (c) circuito equivalente
quando /), est desligado, (d) caracterstica entrada/sada.

66

Captulo Trs

Soluo

Comeamos com Vin = -oo e redesenhamos o circuito tal como na Fig. 3.17(b), posicionando as
tenses mais negativas na parte de baixo e as mais positivas na parte de cima. Este diagrama sugere
que o diodo opera sob polarizao direta e produz uma tenso no n X igual a Vin + VDon. Neste
regime, Vx independe de R2, pois /), atua como uma bateria. Assim, desde que Dx esteja ligado,
temos
Vou, = Vm + VDjm.

(3.20)

Calculemos, tambm, as correntes que fluem em R2e R{:


In =

(3-21)

/<2

0 -V x
1
R\

I rx = - t H

<Vin + Vp.on)

(3 -2 2 )

(3.23)

Portanto, medida que Vmaumenta a partir de ->, permanece constante, mas I Im\ diminui; ou
seja, em algum ponto, IK2 Em que ponto D, desligado? Neste caso, mais simples determinar a condio que resulta
em uma corrente nula no diodo do que tenso insuficiente em seus terminais. A observao de que,
em algum ponto, IR2 = I ri se mostra til, pois esta condio tambm implica que D, no conduz
corrente (LCK no n A'). Em outras palavras, D, desligado quando Vin escolhido de modo que
Ifc = I ri- A partir de (3.21) e (3.23),

medida que Vinexcede este valor, o circuito se reduz quele mostrado na Fig. 3.17(c) e

V' = TT~r~~Vn'
K\ + Kl

(3-26)

A caracterstica completa mostrada na Fig. 3.17(d).


O leitor pode achar interessante o fato de que os circuitos nas Figs. 3.16(a) e 3.17(a) so idnticos:
no primeiro, a sada tomada no diodo; no segundo, no resistor em srie.
Exerccio

Repita o exemplo anterior para o caso em que as posies dos terminais do diodo so trocadas.

C om o m encionam os no E x em p lo 3.4, em
circuitos mais com plexos, p o d e ser difcil prever,
por simples inspeo, a regio de operao de cada
diodo de m aneira correta. N esses casos, podem os
fazer um a escolha q u alq u er, e fe tu a r a anlise e,

por fim, d eterm in ar se o resu ltad o o b tido est em


aco rd o com a h ip tese original ou a contradiz.
Sem pre podem os fazer uso da intuio para faci
litar as escolhas. O prxim o exem plo ilustra esta
abordagem .

Modelos de Diodos e Circuitos com Diodos

Exem plo
3.16
Soluo

67

Usando o modelo de tenso constante, esbocemos a curva da caracterstica entrada/sada do circuito


mostrado na Fig. 3.18(a).
Comeamos com Vin =
intuitivamente, admitimos que D, est ligado. Admitimos (s cegas) que
D 2tambm est ligado, o que reduz o circuito quele ilustrado na Fig. 3.18(b). A rota por Vl)on e Vf
cria uma diferena de potencial V Don + V l{ entre Vin e
ou seja, Vout = Vin - (V Don + V l{). Essa
diferena de potencial tambm aparece entre o ramo que consiste em e VDon e resulta em
(3.27)

R \ I r \ + Vp.on = (V n + V p t0n)>

logo,
h<\

R 2 = 0 0

- V h - 2 Vn.on

| l i R .

out

D, * /?,
W-------VA
w
*

OVeo ut

R is
X

^OUt

(3.28)

R\

+l r

l^B = 2 V

p1

y \> 'D ,o n " = T

: OO

D ,on

Vm = - o o
^ in = - O O

(a)

(b)

(c)

1 X
iKl -Wri

X
r I
-----------W
tY
V

+ | - \ ......

^in = ^D,on '

'out

out

^b=2 V
(e)

(Cl)

'out

'out

Dl1 X 1U
U
rrr

V\D.on

-v/,D ,on
Kout

Tf

"
2

^r = 2V

D1 desligado

(0

*
(g)

(h )

Figura 3.18 (a) Circuito com diodo, (b) possvel circuito equivalente para tenses de entrada muito nega
tivas, (c) circuito simplificado, (d) circuito equivalente, (e) circuito equivalente para Vm = - VDon, (f) seo da
caracterstica entrada/sada, (g) circuito equivalente, (h) caracterstica entrada/sada completa.

Portanto, /*, independe de Vin. Agora, devemos analisar esses resultados para determinar se esto
acordes com nossas hipteses a respeito do estado de >, e D2. Consideremos a corrente que flui
em R 2:

68

Captulo Trs

Ir 2 = ~ r
K2

(3.29)

Vin ~ (Yl).on ~ Vfi)


R2

(3 30)

que tende a +<* para Vin = oo. O grande valor de / * e o valor constante de /,<, indicam que o
ramo que consiste em V,{ e D 2 conduz uma grande corrente na direo indicada. Ou seja, D 2 deve
conduzir corrente do catodo para o anodo, o que no possvel.
Em suma, observamos que a hiptese de polarizao direta para D 2 se traduz em uma corrente
em uma direo proibida. Portanto, D 2 opera em polarizao reversa para Vm = oo. Redesenhando
o circuito como na Fig. 3.18(c) e notando que Vx = Vin + V Dt0n, temos
Vou, = (Vin + V.on)0 R\
A l

(3.31)

H" A 2

Agora, vamos aumentar o valor de Vin e determinar o primeiro ponto de transio em que /) ,
desliga e D 2 liga. O que ocorre primeiro? Suponhamos que D, desliga e obtenhamos o correspondente
valor de Vin. Visto q ue pressupomos que D 2 est desligado, desenhamos o circuito tal como mostra
a Fig. 3.18(d). Admitindo que D l ainda esteja ligado, verificamos que, em Vm - VDon, Vx = Vm + VDon
se aproxima de zero, o que produz uma corrente nula em /?,, R2e, portanto, em /),. Logo, o diodo
desliga em Vm = - V Don.
Devemos agora comprovar a hiptese de que D 2 permanece desligado. Neste ponto de transio,
como Vx = Vout = 0, a tenso no n Y igual a + Vf, enquanto o catodo de D 2 est a um potencial
VDon [Fig. 3.18(e)]. Em outras palavras, D 2 est, de fato, desligado. A Fig. 3.18(f) mostra a poro
da caracterstica entrada/sada calculada at aqui e revela que Vout = 0 aps o primeiro ponto de
transio, pois a corrente que flui por R { e R2 igual a zero.
Em que ponto D2 fica ligado? A tenso de entrada deve exceder VYpor um valor V,>,n- Antes
que D 2 seja ligado, Vout = 0 e V Y = V,{\ isto , Vin deve alcanar Vl{ + V Don para que o circuito fique
configurado tal como mostra a Fig. 3.18(g). Logo,
Vout = Vin ~ VD%on - VB.

(3.32)

A Fig. 3.18(h) ilustra o resultado completo e indica as regies de operao.


Exerccio

3.4

No exemplo anterior, admita que /)2 fica ligado antes que /}, desligue e verifique se o resultado
contradiz a hiptese.

O PERAO EM GRANDES
S IN A IS E EM PE Q U EN O S
S IN A IS

A t aqui, nossa anlise de diodos permitiu mudanas


de tenso e corrente arbitrariam ente grandes, o que
exige um modelo geral tal como a caracterstica I/V
exponencial. Este regime cham ado operao em
grandes sinais, e a caracterstica I/V exponencial
cham ada m odelo de grandes sinais, para enfatizar
que o modelo acomoda nveis arbitrrios de sinal. No

entanto, como vimos nos exemplos anteriores, esse


m odelo pode com plicar a anlise de circuitos, difi
cultando o entendim ento intuitivo do funcionamento
dos mesmos. A lm disso, m edida que aum enta o
nm ero de dispositivos no lineares no circuito, a
anlise m anual pode se tornar invivel.
Os m odelos ideal e de tenso constante solu
cionam o problem a at certo ponto, mas a abrupta
no linearidade no ponto de ligam ento continua
problem tica. O prxim o exemplo ilustra esse tipo
de dificuldade.

Modelos de Diodos e Circuitos com Diodos

Exem plo
3.17

69

Tendo perdido o carregador de 2,4 V de seu telefone celular, um engenheiro eltrico busca em vrias
lojas, mas no encontra adaptadores com sada menor que 3 V. Decide ento utilizar seu conheci
mento de eletrnica para construir o circuito mostrado na Fig. 3.19, onde os trs diodos idnticos
sob polarizao direta produzem uma tenso total Vout = 3Vn 2 , 4 V e o resistor R sustenta os
restantes 600 mV. Desprezemos a corrente que flui no telefone celular.6(a) Determinemos a corrente
de saturao reversa, / sl. para que Vout = 2,4 V. (b) Calculemos Voul se o adaptador de tenso for,
na verdade, de 3,1 V.

^00L1

600 mV

Vad = 3 V A d a p ta d o r

'out

Figura 3.19

Soluo

T ele fon e
C elular

Adaptador para alimentar um telefone celular.

(a) Com Vout = 2,4 V, a corrente que flui em Rx igual a


Ix =

Vad ~ Vout
R\

= 6 mA.

(3.33)
(3.34)

Notamos que uma corrente Ix flui em cada diodo; logo,


/ = /.vexp
/
V'>.
lx
Vr

(3.35)

800 mV
6mA = / ' e x p 2 6 ^ v

(3.36)

h = 2,602 x 10-16 A.

(3.37)

Portanto,

(b)
Se Vail aumentar para 3,1 V, esperamos que Vout aumente pouco. Para entender por que,
primeiro suponhamos que Voul permanea constante e igual a 2,4 V. Assim, o restante 0,1 V
deve ser consumido em /? o que aumenta Ix para 7 mA. Como a tenso em cada diodo varia
exponencialmente com a corrente, a mudana de 6 mA para 7 mA leva, de fato, a uma pequena
mudana em Voul?
Para analisar o circuito de maneira quantitativa, comeamos com lx = 7 mA e iteramos:
(3.38)

Vou, = 3Kd

= 3Vt ln

/.v

= 2,412 V.

(3.39)
(3.40)

6Feita por simplicidade, esta hiptese pode no ser vlida.


7Recordemos da Eq. (2.109) que uma alterao da corrente em um diodo por um fator de dez se traduz em uma mudana de 60 mV
na tenso.

70

Captulo Trs

Este valor de Voui leva a um novo valor para lx\


'
1 GC

= 6,88 m A.

(3.42)

II
*

(3.41)

que se traduz em um novo Volll:


II

(3.43)

= 2,411 V.

(3.44)

Notando a pequena diferena entre (3.40) e (3.44), conclumos que Vout = 2,411 V,com boa preciso.
O modelo de tenso constante no teria sido til neste caso.
Exerccio

Repita o exemplo anterior para uma tenso desejada de 2,35 V.

A situao que acabam os de descrever um


exem plo de pequenas perturbaes em circuitos.
A mudana de Vm, de 3 V para 3,1 V resulta em uma
pequena mudana nas tenses e correntes do circuito,
o que nos motiva a buscar um m todo mais simples
de anlise que possa substituir as equaes no line
ares e o inevitvel procedim ento iterativo. Como o
exemplo anterior no apresenta grande dificuldade,
o leitor pode se perguntar se uma abordagem mais
simples , de fato, necessria. Contudo, como veremos
nos prximos captulos, se as equaes no lineares
forem mantidas, a anlise de circuitos que contm
dispositivos complexos, tais com o transistores, pode
se tornar impossvel.
Estas ideias levam ao conceito, extrem am ente
til, de operao em p equenos sinais, em que o
circuito est sujeito apenas a pequenas mudanas nas
tenses e correntes e pode ser simplificado com o uso
de modelos de pequenos sinais para os dispositivos

no lineares. A simplicidade advm do fato de que


esses modelos so lineares e perm item o em prego de
abordagens comuns de anlise,dispensando a necessi
dade de iterao. A definio de "pequeno se tornar
clara mais adiante.
Para desenvolver nosso entendim ento de
operao em pequenos sinais, consideremos o diodo
/), na Fig. 3.2()(a), que est sujeito a uma tenso V,n
e conduz uma corrente /, [ponto A na Fig. 3.20(b)].
Agora, vamos supor que uma perturbao no circuito
altere a tenso do diodo de um pequeno valor AV
[ponto B na Fig. 3.20(c)]. Como podem os predizer
a mudana que ocorrer na corrente do diodo, A/?
Podemos com ear com a caracterstica no linear:
V,n + A V

Un = Is exp -ZLI----Vr

VD\
= /s cxp "vv cxp 177'

(3.45)
(3,46)

Figura 3.20 (a) Circuito genrico que contm um diodo, (b) ponto de operao de /),, (c) mudana em cm conseqncia de
uma mudana em Vh.

Modelos de Diodos e Circuitos com Diodos

Se A V

71

VY,exp(AV/V-,) 1 + A V /V , e
h)2

Ylll.

^/>i

's ^ T r + T r , ,c x p T 7
& v,
Vr

= //)1 + - 7 J - i l ) \ .

Ou seja,
AV,

A //) = -77//>!.
Vr

A observao im portante que A/ uma funo


lin e a r de AK, com um fator de proporcionalidade
igual a 1,,/V-p. (N otem os que valores maiores de
levam a um m aior A/, para um dado A V n. A impor
tncia disto se tornar clara mais adiante.)
O resultado anterior no deve surpreender: se a
mudana em V for pequena, a seo da caracters
tica I/V na Fig. 3.20(c) entre os pontos A e B pode
ser aproxim ada por um segm ento de reta (Fig. 3.21),
com uma inclinao igual inclinao local da carac
terstica I/V. Em outras palavras,
A Id

dld

(3.50)
vn=vn\

Exem plo
3.18
Soluo

Is
Vm
v v cx p -fv

(3.51)

//>!
V r

(3.52)

segmento de reta.

que leva ao mesmo resultado da Eq. (3.49).*


Vamos resum ir os resultados que obtivemos
at aqui. Se a tenso no diodo for alterada por uma
pequena quantidade (muito menor que V,), a mudana
na corrente dada pela Eq. (3.49). De modo equiva
lente, para anlise de pequenos sinais podemos supor
que, na Fig. 3.21, o ponto A em que o circuito opera
se move, devido a uma pequena perturbao em y,
ao longo de um segmento de reta para o ponto B\ a
inclinao da reta igual inclinao local da caracte
rstica I/V (ou seja, d l^ d V ,, calculada em Vn = V,n ou
I ~ /]) O ponto A cham ado ponto de polari
zao, ponto quiescente ou ponto de operao.
A Eq. (3.58) no exem plo an terio r revela um
aspecto interessante da operao em pequenos sinais:
em relao a (pequenas) mudanas na corrente ou

Um diodo polarizado em uma corrente de 1 mA. (a) Determinemos a alterao na corrente se Vn sofrer
uma alterao de 1 mV. (b) Determinemos a variao de tenso se a corrente / for alterada em 10%.
(a) Temos
(3.53)

>

II

>

= 38,4 //A.

(3.54)

(b) Usando a mesma equao, obtemos


<
l-s
II

<

/2 6 m V \

(3.55)
^

= ( i m A ) * ((M mA>

= 2,6 mV.
Exerccio

(3.56)
(3.57)

Em resposta a uma alterao de 1 mA na corrente, um diodo exibe uma mudana de 3 mV na


tenso. Calcule a corrente de polarizao do diodo.

'Isto tambm era esperado. Escrever a Eq. (3.45) para obter a mudana em / devida a uma pequena alterao em V , na verdade,
o mesmo que calcular a derivada.

72

Captulo Trs

na tenso do diodo, o dispositivo se com porta como


um resistor linear. Em analogia com a lei de Ohm,
definimos a resistncia de pequenos sinais do diodo
como:
Vr
r = b '

(3.58)

E sta grandeza tam b m ch am ad a resistncia


increm entai, para en fatizar o fato de estar asso
ciada a pequenas m udanas. N o exem plo anterior,
rd = 26 .

A Fig. 3.22(a) resum e os resultados de nossas


dedues para um diodo sob polarizao direta.
Para clculos de polarizao, o diodo substitudo
por uma fonte de tenso ideal de valor Vn,m e, para
pequenas alteraes, por uma resistncia rd. Por
exemplo, o circuito da Fig. 3.22(b) transform ado no
circuito da Fig. 3.22(c) se o interesse consistir apenas
em pequenas alteraes em V , e/ou Vllt. Vale notar
que, na Fig. 3.22(c) v, e vmil representam variaes
nas tenses e so cham adas grandezas de pequenos
sinais. Em geral, denotam os tenses e correntes de
pequenos sinais por letras minsculas.

s in a is .

A forma de onda do sinal ilustrada na Fig. 3.23(a). Como mostra a Fig. 3.23(b), giramos esse
diagrama 90, de modo que o eixo vertical fique alinhado com o eixo de tenso da caracterstica
I/V do diodo. Com uma excurso de sinal muito menor que Vn podemos ver V{) e a correspon
dente corrente /0 como o ponto de polarizao do diodo, e Vp como uma pequena perturbao.
Assim, temos
Io = Is exp ,

Vt

(3.59)

e
Vr
r, = V

(3.60)

>

II

Portanto, a corrente de pico igual a


*3

Soluo

Um sinal senoidal com amplitude de pico Vp e valor DC V{) pode ser expresso como V(t) = V{) + Vp
cos cot. Se este sinal for aplicado a um diodo e Vp Vr, determinemos a resultante corrente no
diodo.

II

Exem plo
3.19

(3.61)
(3.62)

Modelos de Diodos e Circuitos com Diodos

73

v(t)

(a)
Figura 3.23

(a) Entrada senoidal com nvel DC, (b) resposta do diodo ao sinal senoidal.

logo.
(3.63)

ln(l ) = /() + //) cos u>t


Vo Jo_
= Is exp + Vp cos wt.
V,
V,
Exerccio

O diodo do exemplo anterior produz uma corrente de pico de 0,1 mA em resposta a V = 800 mV
e Vp = 1,5 mV. Determine Is.

_
l^o + K,,cos cot
~ s cxp
Vr

O exem plo an terio r d em onstra a utilidade da


anlise de pequenos sinais. Se Vr fosse grande, teramos de resolver a seguinte equao.

Exem plo
3.20

Soluo

(3.64)

tarefa muito mais difcil do que os anteriores clculos


lineares.9

Na deduo da Eq. (3.49). admitimos uma pequena variao em Vn e obtivemos a resultante variao
em n. Comeando com Vn = V, ln(/,//,), investiguemos o caso complementar, ou seja, / sofre
uma pequena alterao e queremos determinar a alterao em Vn.
Representando a variao em Vn por AK/}, temos
/ + AV
a 1 / = V,
i/ ln
i ----^ 0 1 +
Vni
------is
1

= v " [ f ( + % ) ]
= V, ln J- j - + Vr ln ^1 +

9A funo exp(tf sen b) pode ser aproximada por uma expanso em srie de Taylor ou de funes de Bessel.

(3.66)
(3.67)

74

Captulo Trs

Para operao em pequenos sinais, admitimos que A/


e 1. Assim,

Iin e notamos que ln (1 + e) se

A V = VT ^ ,
hn

(3.69)

o que o mesmo que a Eq. (3.49). A Fig. 3.24 ilustra os dois casos, distinguindo a causa e o efeito.
A /r

_ r :

A i =~
I ---------j

't

A,D_ r
D . i + A^0 p
= ^ 0 -^
L---------=AI 0 p -

(.)
Figura 3.24

Exerccio

(b)

Variao na corrente (tenso) do diodo devida a uma variao na tenso (corrente).

Repita o exemplo anterior calculando a derivada da equao da tenso do diodo em relao a In.

Com nosso entendim ento da operao em


pequenos sinais, revisitemos o Exem plo 3.17.

Exem plo
3.21
Soluo

Vamos repetir a parte (b) do Exemplo 3.17 com a ajuda do modelo de pequenos sinais para os
diodos.
Visto que cada diodo conduz m = 6 mA com uma tenso de adaptador de 3 V e V,n = 800 mV,
podemos construir o modelo de pequenos sinais mostrado na Fig. 3.25, onde vail = 100 mV e rd =
(26 mV)/(6 mA) = 4,33 ). (Como j mencionamos, as tenses mostradas neste modelo representam
pequenas perturbaes.) Portanto, podemos escrever:
Vout

3r(l
I><ul
R\ -I- 3rd

= 11,5 mV.

Figura 3.25

(3.70)
(3.71)

Modelo de pequenos sinais para o adaptador.

Ou seja, uma mudana de 100 mV em


produz uma mudana de 11,5 mV em Vnur No Exemplo
3.17, a soluo das equaes no lineares previu uma mudana de 11 mV em Vour Isto mostra que
a anlise de pequenos sinais fornece preciso adequada, com muito menos esforo de clculo.
Exerccio

Repita os Exemplos 3.17 e 3.21 para o caso em que o valor de /?, na Fig. 3.19 alterado para 200 fi.

Modelos de Diodos e Circuitos com Diodos

Tendo em vista a capacidade das atuais ferra


mentas computacionais, o leitor pode se perguntar se o
modelo de pequenos sinais , de fato, necessrio. Hoje
em dia, sem dvida, fazemos uso de sofisticadas ferra
mentas de simulao em com putador para o projeto
de circuitos integrados; contudo, a intuio que adqui
rimos com a anlise manual de um circuito se mostra

Exem plo

3.22

muito til no entendimento de limitaes bsicas e das


diversas condies que, por fim. levam a uma configu
rao aceitvel. Um bom projetista de circuitos analisa
e entende o funcionamento do circuito antes de efetuar
sua anlise em computador para obter resultados mais
precisos. Um mau projetista de circuitos, por sua vez,
permite que o com putador pense por ele.

Nos Exemplos 3.17 e 3.21, desprezamos a corrente que flui no telefone celular. Suponhamos, agora,
como mostra a Fig. 3.26, que uma corrente de 0,5 mA flua na carga10e determinemos a alterao
em VI,.
-6 mA

100 2

'ad a

^out

Figura 3.26

Soluo

T ele fon e
C elu la r

Alimentao de um telefone celular com um adaptador.

Como a corrente que flui nos diodos cai 0,5 mA e como essa alterao muito menor que a corrente
(6 mA), escrevemos a mudana na tenso de sada como:
AVout = Al (3r,/)

Exerccio

75

(3.72)

= 0,5 mA(3 x 4,33 2)

(3.73)

= -6,5 mV.

(3.74)

Repita o exemplo anterior para o caso em que /, alterado para 80 .

Em sum a, a anlise de circuitos que contm


diodos (ou outros dispositivos no lineares, tais como
transistores) feita em trs etapas: (1) determinamos
- talvez com a ajuda do modelo de tenso constante os valores iniciais das tenses e correntes (antes que
seja aplicada uma alterao entrada); (2) desenvol
vemos o m odelo de pequenos sinais para cada diodo
(isto , calculamos r(/); (3) substitumos cada diodo por

R etifica do res de M e ia -o n d a l
e de O nda C om ple ta

seu m odelo de pequenos sinais e calculamos o efeito


da alterao feita na entrada.

3.5

O restan te deste captulo trata da aplicao de


diodos em circuitos. Um breve roteiro m ostrado
a seguir.

C irc u ito s L j \
L im ita d o re s !

Figura 3.27
,0Em um telefone celular, a corrente muito maior.

APLICA ES DE DIO DO S

D o b ra d o re s l
de T enso J

Aplicaes de diodos.

D eslo ca d o re s de
Nvel e C o m u ta d o re s !

76

Captulo Trs

3.5.1 R e tificadores de M eia-on da e de Onda


C om pleta

o m odelo de tenso constante. C om o ilustra a


Fig. 3.28, V,,,,, permanece igual a zero at que Vinexceda
Vl)on\ nesse ponto, D, liga e Vou, = Vin - VDon. Para
Vin < v n.,m>O, est desligado" e V, = 0. Logo, o
circuito ainda opera com o retificador, mas produz
um nvel de tenso um pouco mais baixo.

R e tific a d o r de M e ia -o n d a R etornem os ao
circuito retificador da Fig. 3.10(b) e o estudem os
de m aneira mais detalhada. Em especial, no mais
adm itirem os que D, um diodo ideal e usarem os

Figura 3.28

Retificador simples.

Provemos que o circuito mostrado na Fig. 3.29(a) tambm um retificador.


01
I------W------- T------
JL+
J +
^in )
^1 ^
^out
I----------------------o

^in

t
J

(a)

(b)

Figura 3.29 Retificao de ciclos positivos.


Soluo

Exerccio

Neste caso, D, permanece ligado para valores negativos de Vin na verdade, para Vin ^ - VDon.
medida que Vin se torna maior que VDon, /), desliga e permite que /?, mantenha ViMII = 0. A
Fig. 3.29 ilustra a sada resultante e revela que esse circuito tambm um retificador, mas bloqueia
os ciclos positivos.
Esboce a curva para a sada para o caso em que /), um diodo ideal.

O circuito da Fig. 3.28, cham ado retificador de


m eia-onda, no produz uma sada til. A o contrrio
de uma bateria, o retificador gera uma sada que varia
de modo considervel com o tem po e no serve como
alim entador de dispositivos eletrnicos. Devemos,
portanto, tentar produzir uma sada constante.
Por sorte, uma modificao simples resolve o
problem a. C om o ilustra a Fig. 3.30(a), o resistor
substitudo por um capacitor. Esse circuito funciona
de m odo m uito diferente do retificador anterior.

A dm itindo um m odelo de tenso constante para D,


sob polarizao direta, com eam os com condio
inicial nula em C, e estudam os o com portam ento do
circuito [Fig. 3.30(b)]. medida que Vin cresce a partir
de zero, D, permanece desligado at que Vm > VDon\ a
partir desse ponto, D, passa a atuar como uma bateria
e Vol, = Vin - Vl)on. Portanto, Vout atinge um valor de
pico de Vp - V /)on. O que acontece quando Vin ultra
passa seu valor de pico? No instante / = ,, tem os
K , = V,, e V, = Vv ~ V l)on. Q uando V, com ea a

"Se Vin < 0, Dxconduz uma pequena corrente, mas o efeito desprezvel.

Modelos de Diodos e Circuitos com Diodos

(b)

(a)
Figura 3.30

(a) Circuito diodo-capacitor, (b) formas de onda de entrada e de sada.

diminuir, Vou, deve perm anecer constante. Isto ocorre


porque se VIIUI diminusse, C, deveria ser descarre
gado por uma corrente que fluiria da placa superior
para o catodo de D,, o que impossvel.12 Portanto,
o diodo desliga depois de ,. Em t = t2, Vin = Vr VDon = Voun ou seja, o diodo est sujeito a uma dife

Exem plo
3.24
Soluo

rena de potencial nula. Em t > t2, V < Vou( e o diodo


fica sob tenso negativa.
D ando prosseguim ento anlise, notam os que,
em t = /3, Vm = - Vpyo que significa aplicar ao diodo
uma polarizao reversa Vout Vin = 2Vp VPon. Por
esse motivo, diodos usados em retificadores devem

Supondo um modelo de diodo ideal, (a) repitamos a anlise anterior, (b) Esbocemos a curva de
Vin, tenso no diodo D,, em funo do tempo.
(a) Com uma condio inicial nula em Q ,
fica ligado quando Vm se tornar maior que zero, e
VOM= Vin. Aps t = Vin se torna menor que Voun o que desliga /),. A Fig. 3.31 (a) mostra as formas
de onda de entrada e de sada.
'out

V:
(a)
(b)
Figura 3.31 (a) Formas dc onda de entrada e de sada do circuito ilustrado na Fig. 3.30, com um modelo de
diodo ideal, (b) tenso no diodo.

(b) A tenso no diodo V,n = Vin - Voul. Usando os grficos da Fig. 3.31 (a), obtemos a forma de onda
mostrada na Fig. 3.31(b). interessante notar que Vd\ similar a Vin, mas o valor mdio deslocado
de zero para - Vp. Exploraremos este resultado no projeto de dobradores de tenso (Seo 3.5.4).
Exerccio

77

Repita o exemplo anterior para o caso em que as posies dos terminais do diodo so trocadas.

,2A analogia com cano hidrulico, ilustrada na Fig. 3.3(c), mostra-se til aqui.

78

Captulo Trs

Exem plo
3.25
Soluo

Exerccio

Um notebook consome uma potncia mdia de 25 W com uma tenso de alimentao de 3,3 V.
Determinemos a corrente mdia que deve ser fornecida pelas baterias ou pelo adaptador.
Como P = V /. temos I 7,58 A. Se o notebook for modelado por um resistor, R, , R, = V/I =
0,436 a
Considerando-se a fonte de tenso anterior, qual a potncia dissipada por um resistor de 1 0?

suportar uma tenso reversa da ordem de 2VP sem


sofrer ruptura.
Vul m uda de valor aps t /,? Considerem os
t = /4 como um ponto de interesse. Aqui, Vin pouco
maior que Vul, mas ainda no o suficiente para ligar
D\. Em t = f5, V, = Vp = VoM + V,hm e D, est ligado,
mas V,,,,, no exibe tendncia a te r o valor alterado,
pois essa situao idntica quela em t = tx. Em
outras palavras, VM perm anece igual a Vp - VDon
indefinidamente.
O circuito ilustrado na Fig. 3.30(a) exibe as
propriedades exigidas de um conversor A C -D C :
gera um a sada constante e igual ao valor de pico
da entrada senoidal.13 C om o o valor de C, esco
lhido? Para responder a esta pergunta, consideremos
uma aplicao mais realista em que esse circuito deve
fornecer corrente a uma carga.
Com o sugere o exem plo an terio r, a carga pode,
em alguns casos, ser rep resen tad a por um simples
resistor [Fig. 3.32(a)]. Devemos, portanto, rep etir a
anlise com R, presente. C o n sid eran d o as form as

Figura 3.32

de onda na Fig. 3.32(b), at t = , verificam os que


V<w, se co m p o rta com o an tes e exibe um valor
Vilt - V n Vp - V l)on se adm itirm os que a tenso
no dio d o relativ am en te co n stan te. C ontudo,
m edida que Vin com ea a di mi nui r depois de
t = /,, V(mt tam bm dim inui, pois R, prov uma rota
de descarga para C,. Com o m udanas em V s o
indesejveis, C, deve ser m uito grande, de m odo
que a corrente que flui por R , no reduza Voul de
form a significativa. Com C, escolhido segundo este
critrio, Vom diminui len tam en te e D, perm anece
sob polarizao reversa.
A tenso de sada continua a diminuir medida
que Vin passa por um ciclo negativo e reto rna aos
valores positivos. Em algum ponto, / = t2, Vin e Volll se
tornam iguais e, pouco depois, em t = t3, Vin excede
VIUpor um valor Vn; nesse ponto, D, ligado e fora
Kn ~ V!>.<,>:Depois disso, o circuito se comporta
com o no prim eiro ciclo. A resultante variao em
Vmil cham ada r i p p l e C, cham ado capacitor de
filtragem ou de filtro.

(a) Retificador alimentando uma carga resistiva, (b) formas de onda de entrada e de sada.

"Este circuito tambm chamado "detector de pico.

79

Modelos de Diodos e Circuitos com Diodos

Exem plo

Esbocemos a forma de onda de sada da Fig. 3.32 medida que C, varia de valores muito grandes
a muito pequenos.

3.26
Soluo

Quando o valor de C, muito grande, a corrente que flui por R, quando /), est desligado produz
apenas uma pequena alterao em Vour Reciprocamente, quando C, muito pequeno, o circuito
se aproxima do circuito mostrado na Fig. 3.28 e exibe grandes variaes de Vour A Fig. 3.33 ilustra
alguns casos.

Figura 3.33

Exerccio

Forma de onda de sada do retificador para diversos valores do capacitor de filtragem.

Repita o exemplo anterior para diferentes valores de R, , com C, constante.

A m p litu d e de Ripple*

Em aplicaes prticas, a
am plitude de ripple (pico a pico), VK, na Fig. 3.32(b)
deve permanecer abaixo de 5 a 10% da tenso de pico
de entrada. Se a corrente mxima que tlui na carga
for conhecida, o valor de C, pode ser escolhido sufi
cientem ente grande para que o ripple seja aceitvel.
Para isto, devemos calcular VK (Fig. 3.34). Visto que,
e m f = f Vm = Vp - Vl>on, a descarga de C, por R,
pode ser expressa como:
Voul(0 (Yp

^D.oni) CXp

-/

uma ram pa decrescente com o se uma corrente


constante igual a (Vr - K,,)//?, descarregasse C,.14
Este resultado no surpreende, pois a queda de tenso
quase constante em R, produz uma corrente relativa
m ente constante igual a {Vp Vl)<m)IR,.
A am plitude pico a pico do ripple igual quan
tidade de descarga em = Como t4 - r, igual ao
perodo de entrada, T escrevemos t3 t, - Tm - AT,
onde A T (= /4 - /3) representa o intervalo de tempo
em que D, est ligado. Portanto,

r Jc ~\

V,< =

onde escolhemos tx = 0 por convenincia. Para assegu


rar um ripple pequeno, R, C, deve ser muito maior que
/3 logo, usando e x p ( - e ) 55=51 e, para e 1,
Voul(t) * (V - VD) ( l -

V,<

*Esta seo pode ser pulada em uma primeira leitura.


l4Recordemos que / = CdV/dt e, portanto, dV = (l/C)dt.

V,, ~ Vn,,
R,.
Vp - Vn,,
Rl.C| fi

C,

O prim eiro term o no lado direito representa a


condio inicial em C, e o segundo termo, representa

(3.78)

Observando que, se C, sofrer uma pequena descarga,


o diodo s ficar ligado por um breve intervalo de
tempo, podem os supor A T 7]; logo,

(3.76)

K,

Vn Vn.,t Tj A /
C.
Ri.

o n d e/,,

l
C,

(3.79)
(3.80)

80

Captulo Trs

Figura 3.34

Exem plo

Soluo

Ripple na sada dc um retificador.

Um transformador converte a tenso de linha de 110 V a 60 Hz em uma excurso pico a pico de 9 V.


Um retificador de meia-onda segue o transformador e fornece potncia ao notebook do Exemplo
3.25. Determinemos o valor mnimo do capacitor de filtragem que mantm o ripple abaixo de
0,1 V. Vamos supor VDon = 0,8 V.
Temos Vn = 4,5 V, R, = 0,436 1 e Tln = 16,7 ms. Logo,
C, =

V - Vn,,
Vr

= 1.417 F.

li!L
R,

(3.81)
(3.82)

Este um valor muito grande. O projetista pode buscar um equilbrio entre amplitude de ripple,
tamanho, peso e custo do capacitor. Na verdade, limitaes de tamanho, peso e custo do adaptador
podem ditar um ripple muito maior, como. por exemplo, de 0,5 V; isto exigiria que o circuito aps
o retificador tolere uma variao peridica to grande como esta.
Exerccio

Repita o exemplo anterior para uma tenso de linha de 220 V a 50 Hz, supondo que o transfor
mador ainda produz uma excurso pico a pico de 9 V. Que frequncia de tenso de linha leva a um
valor mais adequado de C,?

Em muitos casos, a corrente que flui no resistor


conhecida. Repetindo a anlise anterior com a carga
representada por uma fonte de corrente constante ou
interpretando (Vp - Vi,.im)IR, na Eq. (3.80) como a
corrente na carga, / ,, podem os escrever
Vr =

h.
C|f n

C o rre n te de P ic o n o D io d o *

(3.83)

Ressaltam os, na
Fig. 3.30(b), que o diodo deve exibir uma tenso de
*Esta seo pode scr pulada cm uma primeira leitura.

ruptura reversa de, pelo menos, 2Vp. O utro parm etro


im portante de diodos a mxima corrente de pola
rizao direta que devem tolerar. Para dados perfil
de dopagem e geom etria da juno, se a corrente
exceder um certo limite, a potncia dissipada no diodo
(= VIn) pode aum entar a tem peratura da juno a
ponto de danificar o dispositivo.
Na Fig. 3.35, verificam os que, sob polarizao
direta, a corrente no diodo consiste em duas com po
nentes: (1) a co rren te tran sien te que flui em C,,
C\dVllu/d t, e (2) a co rren te fornecida a R, , apro-

81

Modelos de Diodos e Circuitos com Diodos

xim adam ente igual a (V p - Vn.,)IRi_- P ortanto, a


corrente de pico no diodo ocorre quando a prim eira
co m p o n en te atinge um valor m xim o, ou seja, o
ponto em que /), ligado, pois a inclinao da forma
de onda de sada m xim a. Supondo, por conve
nincia, V l)o Vp, notam os que o ponto em que
D, ligado d ad o p o r V^(/|) = Vp - V R. Assim ,
para Vin(t) = Vp sen co,

Esta corrente atinge o valor de pico e m / =


lp C\(Ojn Vp cos (Ojnl\ +

(3.88)

+^-

(3.89)

(3.84)

V/?,

logo,

:C](VjnVp i
sen cojn, i _11

qUe, a partir da Eq. (3.85), se reduz a

l P = C m VP]j l - ( l - ^ j
Vp sen coit\ Vp

Kl.

(3.85)

Desprezando VI)0II, tambm temos Vliul(t) Vj,();com


isto, a corrente no diodo calculada como

2V1 _ V l
Vp_
vt
n + r,

(3.90)

Como VR Vp, desprezam os o segundo term o na


raiz quadrada:

(3.91)
folO) Ci j t - + 7TC i)jnVp cos (i)jnt -|-

Exem plo

(3.86)

Kl

(3.92)

(3.87)
U

' <i c

Supondo VDon O e C , = 1,417 F,determinemos a corrente de pico no diodo do Exemplo 3.27.

3.28
Soluo

Temos Vp = 4,5 V, R, = 0,436 l, <oin = 2ir (60 Hz) e VK= 0,1 V. Logo,
/p = 517 A.

(3.93)

Este valor muito grande. Vale notar que a corrente que flui em C, muito maior que aquela que
flui em R,.
Exerccio

Repita o exemplo anterior para o caso em que C, = 0,2 F.

R e tif ica d o r de O nda C o m pleta O retificador de


meia-onda estudado anteriormente bloqueia os semiciciosnegativosdaentrada,permitindoqueocapacitorseja

descarregado pela carga durante quase todo o perodo,


Portanto, o circuito fica sujeito a um intenso ripple na
presena de uma carga grande (corrente alta).

82

Captulo Trs

U m a simples modificao no circuito perm ite


reduzir o ripple de tenso por um fator de dois. Como
ilustra a Fig. 3.36(a), a ideia que tanto os semiciclos
positivos como os semiciclos negativos passem para a
sada, mas com os semiciclos negativos invertidos (ou
seja, multiplicados por 1). Primeiro, implementemos
um circuito que executa essa funo [chamado retificador de onda com pleta"] e,em seguida, provemos
que, de fato, tem um ripple menor. Para simplificar a
sntese do circuito, com earem os com a hiptese de
que os diodos so ideais. A Fig. 3.36(b) mostra a carac
terstica entrada/sada desejada para o retificador de
onda completa.
Consideremos os dois retificadores de meia-onda
mostrados na Fig. 3.37(a), onde um bloqueia os semi
ciclos negativos, e o outro, os semiciclos positivos.
Podemos combinar esses circuitos para realizar um reti

ficador de onda completa? Podemos tentar o circuito da


Fig. 3.37(b), mas, infelizmente,a sada contm os semici
clos positivos e negativos, ou seja, nenhuma retificao
efetuada, pois os semiciclos negativos no foram
invertidos. Assim, o problema reduzido ao circuito
ilustrado na Fig. 3.37(c): primeiro, devemos cons
truir um retificador de meia-onda que inverta. A Fig.
3.37(d) ilustra uma dessas topologias, que, para simpli
ficar, pode ser redesenhada tal como na Fig. 3.37(e).
Notemos a polaridade de Vu, nos dois diagramas. Se
Vm < 0, D 2 e D, esto ligados e Voul = - Vin. De modo
recproco, se V, > 0, os dois diodos esto desligados,o
que corresponde a uma corrente nula em R, e, portanto,
VOM = 0. Em analogia com este circuito, podemos
montar o circuito ilustrado na Fig. 3.37(f), que bloqueia
os semiciclos negativos da entrada: ou seja, VM= 0 se
Kv, < 0 e V(,u, = Vn se Vin > 0.

Figura 3.37 (a) Retificao de cada semiciclo, (h) nenhuma retificao, (c) retificao e inverso, (d) realizao de (c), (e) rota
para os semiciclos negativos, (f) rota para os semiciclos positivos.

83

Modelos de Diodos e Circuitos com Diodos

Figura 3.38 (a) Retificador de onda completa, (b) diagrama simplificado, (c) rota de corrente para entrada negativa, (d) rota de
corrente para entrada positiva.

Com esses resultados, podem os agora com binar


as topologias das Figs. 3.37(d) e (f) para m ontar um
retificador de onda completa. Ilustrado na Fig. 3.38(a),
o circuito resultante deixa que os semiciclos negativos
passem por D, e D 2com uma inverso de sinal [como
na Fig. 3.37(d)] e os semiciclos positivos passem por
D y e D 4 sem inverso de sinal [como na Fig. 3.37(e)].
Essa configurao , em geral, desenhada como na
Fig. 3.38(b) e cham ada retificador em p o n te ou
ponte retificadora.
Com a ajuda do circuito ilustrado na Fig. 3.38(b),
vamos resumir nosso raciocnio at aqui. Se Vin < 0,
D 2 e D | esto ligados e D 3 e D 4, desligados; com

Exem plo
3.29

Soluo

Exerccio

isto, o circuito se reduz ao da Fig. 3.38(c) e produz


Vml = - Vin. Se Vin > 0,a ponte modificada tal como
indica a Fig.3.38(d),e VOM= Vm.
C om o esses circuitos devem ser m odificados
se os diodos no forem ideais? A s Figs. 3.38(c) e
(d) revelam que o circu ito i nt r oduz dois diodos
sob p o la riza o d ire ta em srie com I iL e, p ara
V in < 0, p roduz Vou, = - V , - 2 V , )on. O retificador
de m e ia-o n d a da Fig. 3.28, p o r sua vez, p ro d u z
Km ~ Kn - Vn,on A queda de tenso de 2 V , )o pode
ser p roblem tica se Vp for relativ am en te pequeno
e a ten so de sada tiver de ter valor prxim o ao
de Vp.

Supondo um modelo de tenso constante para os diodos, esbocemos a caracterstica entrada/sada


de um retificador de onda completa.

Para \VJ < 2Vlto, a sada permanece igual a zero;para \VJ > 2V,m, a sada segue a entrada com
uma inclinao unitria. A Fig. 3.39 ilustra o resultado.
Qual a inclinao da caracterstica para IK,l > 2VDol

A gora, redesenhem os a p o n te mais um a vez


e adicionem os o capacitor de filtragem; com isto,
obtem os o circuito com pleto [Fig. 3.40(a)]. Como a
descarga do capacitor ocorre por quase m etade do

ciclo de entrada, o ripple aproxim adam ente igual


metade daquele na Eq. (3.80):
1 Vp - 2 Vn.
V/<*2
R/.C1f n

(3.94)

84

Captulo Trs

Figura 3.39 Caracterstica entrada/sada de um retifica


onda completa com diodos no ideais.

de

onde o numerador reflete a queda de 2V,m devido


ponte.
A lm de m enor ripple, o retificador de onda
com pleta tem outra im portante vantagem: a mxima
tenso de polarizao reversa em cada diodo da
ordem de Vr e no de 2 Vr. Como ilustra a Fig. 3.40(b),
quando Vin prximo de Vp e D , est ligado, a tenso
em D 2, Va, igual a Vn,m + V0, = Vp - V
Argum ento similar se aplica aos outros diodos.
Outro ponto de contraste entre os retificadores de
meia-onda e de onda completa que o primeiro tem um
terminal comum entre as portas de entrada e de sada
(n G na Fig. 3.28) e o segundo, no. No Exerccio 38,
estudamos o efeito de curto-circuitar as terras da entrada

(a)

(b)
Figura 3.40

Exem plo

3.30

Soluo

(a) Ripple em retificador de onda completa, (b) circuito equivalente.

Esbocemos, para uma entrada senoidal, as correntes conduzidas por cada diodo de um retificador
em ponte em funo do tempo. Vamos admitir que um capacitor de filtragem no est conectado
sada.
Das Figs. 3.38 (c) e (d), para V, < ~ 2V Don, temos Voul = - V in + 2VDon\ para Vm > +2V
V<wt =
- 2V,)on. Em cada semiciclo, dois dos diodos conduzem uma corrente VJRr e os outros
dois permanecem desligados. Assim, as correntes nos diodos tm as aparncias ilustradas na
Fig. 3.41.

Modelos de Diodos e Circuitos com Diodos

85

I D1 =

/ D3 =

V
Figura 3.41

Exerccio

2Von

Correntes conduzidas por diodos em um retificador de onda completa.

Esboce a curva da potncia consumida por cada diodo em funo do tempo.

e da sada de um retificador de onda completa e conclumos que isto interrompe o funcionamento do circuito.
Os resultados de nosso estudo so resum idos na
Fig. 3.42. Por usarem mais dois diodos, retificadores

Figura 3.42

de onda com pleta exibem m enor rpple e exigem


apenas m etade da tenso de ruptura de diodo, o que
justifica seu em prego com o adaptadores e carrega
dores.15

Resumo de circuitos retificadores.

,5Em geral, os quatro diodos so fabricados em um nico dispositivo com quatro terminais.

86

Captulo Trs

Exem plo
3.31

S oluo

Projetemos um retificador de onda completa para fornecer uma potncia mdia de 2 W a um tele
fone celular com tenso de 3,6 V e ripple de 0,2 V.

Comeamos com a exigida excurso da tenso de entrada. Como a tenso de sada aproximada
mente igual a K , , - 2VDon, temos
Vjn.p = 3,6 V + 2Vo,on
^ 5,2 V.

(3.95)
(3.96)

Assim, o transformador que precede o retificador deve reduzir a tenso de linha (110 Vmw
ou 220 V,J a um valor de pico de 5,2 V.
Em seguida, determinamos o valor mximo do capacitor de filtragem que assegura
VR < 0,2 V. Reescrevendo a Eq. (3.83) para um retificador de onda completa, temos
Vr =

(3.97)
Jin

T Tjin3,6 V 2Cj

<3 -9 8 )

Para VR = 0,2 V e f in = 60 Hz,


Ci = 23.000/zF.

(3.99)

Os diodos devem suportar uma tenso de polarizao reversa de 5,2 V.


Exerccio

Exem plo
3.32

Soluo

Exerccio

3.5.2

Se limitaes de custo e tamanho impuserem um valor mximo de 1000 ju.F para o capacitor de
filtragem, qual ser a maior dissipao de potncia no exemplo anterior?

Um sinal de radiofreqncia recebido e amplificado por um telefone celular tem excurso de pico
de 10 mV. Queremos gerar uma tenso DC para representar a amplitude do sinal [Eq. (3.8)].
possvel usar o retificador de meia-onda ou o de onda completa estudados anteriormente?
No, no . Devido pequena amplitude, o sinal no capaz de ligar e desligar diodos reais, resul
tando em uma sada nula. Para nveis to baixos de sinal, faz-se necessria retificao de preciso;
este assunto abordado no Captulo 8.
E se uma tenso constante de 0,8 V for adicionada ao sinal desejado?

R egulagem de Tenso*

O circuito ad ap tad o r que acabam os de estu d ar se


m ostra inadequado. Devido significativa variao
da tenso de linha, a am plitude de pico produzida
pelo transform ador e, em conseqncia, a sada DC
variam de modo considervel e talvez excedam o nvel
*Esta seo pode ser pulada em uma primeira leitura.

mximo que pode ser tolerado pela carga (p. ex., um


telefone celular). Alm disso, o ripple pode se tornar
proibitivo em muitas aplicaes. Por exemplo, se o
adaptador alim entar um aparelho de som, o ripple
de 120 Hz pode ser ouvido atravs dos alto-falantes.
A dicionalm ente, a im pedncia de sada finita do
transform ador leva a variaes em Voul se a corrente

Modelos de Diodos e Circuitos com Diodos

que flui na carga variar. Por estes motivos, o circuito


da Fig. 3.40(a) , em geral, seguido de um regulador
de tenso para produzir uma sada constante.
J nos deparam os com um regulador de tenso,
em bora no o tenham os cham ado desta forma: o
circuito estudado no E xem plo 3.17 fornece uma
tenso de 2,4 V, com uma variao de apenas 11 m V
na sada para uma variao de 1CM) mV na entrada.
Portanto, podem os m ontar o circuito m ostrado na
Fig. 3.43 como um adaptador mais verstil, com uma
tenso de sada nominal de 3 V n<m 2,4 V. Infeliz
m ente, com o vimos no E xem plo 3.22, a tenso de
sada varia com a corrente na carga.

Figura 3.44

Exem plo
3.33

87

A Fig. 3.44(a) m ostra o u tro circuito regu


lador que em prega um diodo Z ener. O perando na
regio de ruptura reversa, D, exibe uma resistncia
de pequenos sinais, r, no intervalo de 1 a 10 l e,
portanto, produz uma sada relativam ente constante,
ap esar de variaes na en tra d a, se rn /?,. Isto
pode ser visto a partir do m odelo de pequenos sinais
da Fig. 3.44(b):
rn
Voul

(3.100)

V i,,

Por exem plo, se r = 5 l e /?, = 1 k l, varia


es em Vjn so atenuadas por um fator de aproxi
m adam ente 200 em Vmil. M esmo assim, o regulador
de Z ener tem a mesma deficincia do circuito da Fig.
3.43: baixa estabilidade se a corrente variar muito.
Nosso breve estudo de reguladores revela, at
aqui, dois aspectos im portantes de sua configurao:
estabilidade da sada em relao s variaes da
entrada e estabilidade da sada em relao s varia
es da corrente na carga. A primeira quantificada
pela regulao de linha,definida como A VaJ A V m,e
a segunda, pela regulao de carga, definida como
AK/A/,.

(a) Regulador de tenso usando diodo Zener, (b) equivalente de pequenos sinais de (a).

No circuito da Fig. 3.45(a), Vintem valor nominal de 5 V, /?, = 100 l. e D2tem uma tenso de ruptura
reversa de 2,7 V e uma resistncia de pequenos sinais de 5 l. Supondo VDon 0,8 V para D,, deter
minemos as regulaes de linha e de carga do circuito.
/?1

/?1

VA-------- T----------0 ^out

f? i

v in---- % -------- 1----- 0 Vout

C on sta nte

D,on

/l

v \n---- % ---' d1

'out

(a)
Figura 3.45

(b)

(c)

Circuito usando dois diodos, (b) equivalente de pequenos sinais, (c) regulao de earga.

88

Captulo Trs

Soluo

Primeiro, determinamos a corrente de polarizao de />), e, portanto, sua resistncia de pequenos


sinais:
=

h )\

Vin ~ Vp.on V[)2

R\

= 15 mA.

(3.101)
(3.102)

Logo,
rm =

Vt

hn

= 1,73 2.

(3.103)
(3.104)

Do modelo de pequenos sinais da Fig. 3.44(b), calculamos a regulao de linha como


?D\ +fi) 2
V(W _ ____________
Vin

(3.105)

r D l + r D2 + R \

= 0,063.

(3.106)

Para a regulao de carga, admitimos que a entrada constante e estudamos o efeito de variaes
da corrente na carga. Usando o circuito de pequenos sinais da Fig. 3.45 (c) (onde v, = 0 para repre
sentar uma entrada constante), temos
V ()U l

(3.107)

{?D \ + 0 ) 2 ) 1 1 ^ 1

Ou seja,
Vout
= (rn\ + 0)2)11^1
n.
= 6,31 2.

(3.108)
(3.109)

Este valor indica que uma variao de 1 mA na corrente da carga resulta em uma variao de 6,31 mV
na tenso de sada.
Exerccio

Repita o exemplo anterior para o caso em que Rx = 50 1 e compare os resultados.

A Fig. 3.46 resume os resultados de nosso estudo


nesta seo.
3.5.3

C ircu itos L im itad ores

Consideremos o sinal recebido por um telefone celular


quando o usurio se aproxima de uma estao radio-

Figura 3.46

base (Fig. 3.47). medida que a distncia cai de quil


metros para centenas de metros,o nvel de sinal pode se
tornar grande o suficiente para saturar os circuitos na
cadeia de recepo. Portanto, no receptor, desejvel
limitar a amplitude do sinal a um valor adequado.
Como um circuito lim itador deve se com portar?
P ara p eq u en o s nveis de en tra d a , o circuito de-

Resumo de reguladores.

Modelos de Diodos e Circuitos com Diodos

Estao
Radiobase

Receptor

89

Estao
Radiobase

(a)
Figura 3.47

Sinais recebidos em regio (a) distante ou (b) prxima de uma estao radiobase.

ve apenas passar a e n tra d a p a ra a sada, ou seja,


Vou, = VSn\ m edida que o nvel de en trad a excede
um "lim iar ou lim ite, a sada deve perm anecer
constante. E ste co m p o rtam e n to deve se aplicar
ta n to a en tra d as positivas com o a negativas, e
traduzido na caracterstica en trada/sada m ostrada
na Fig. 3.48(a). C om o ilustra a Fig. 3.48(b), um sinal
aplicado entrad a em erge na sada com os valores
de pico cortado s em V ,.
A gora, im plem entem os um circuito que exiba
esse com portam ento. A caracterstica entrada/sada
no linear sugere que um ou mais diodos devem ser
ligados ou desligados m edida que V, se aproxim a
de V , . N a verdade, j vim os exem plos sim ples
nas Figs. 3.11 (b) e (c), onde os semiciclos positivos
da entrada so cortados em 0 V e +1 V, respecti
vam ente. R eexam inem os o p rim eiro supondo um
diodo mais realista, como, por exem plo, o m odelo
de ten so constante. C om o ilu stra a Fig. 3.49(a),
igual a Vm para Vm < V
e igual a Vl)on a
p artir da.

Para que funcione como um circuito lim itador


mais geral, a topologia anterior deve satisfazer duas
outras condies. Primeira, o nvel de limite, V, , deve
ser uma tenso arbitrria e no necessariamente igual
a Vo,on- Com base no circuito da Fig. 3.1 l(c), postu
lamos que uma fonte de tenso constante em srie com
D ] desloca o ponto de corte e, assim, alcanamos esse
objetivo. O circuito resultante, ilustrado na Fig. 3.49(b),
limita a tenso a V, = Vm + V
Notemos que, para
deslocar V, para valores maiores ou menores, Vm pode
ser positivo ou negativo, respectivamente.
Segunda, os valores negativos de Vin tam bm
devem ser limitados. Com eando com o circuito da
Fig. 3.49(a), observamos que, se o anodo e o catodo
de D | trocarem de posio, o circuito limita em
Vin = Vn [Fig. 3.50(a)]. Portanto, como mostra a
Fig. 3.50(b), dois diodos antiparalelos podem criar
uma caracterstica que limita em Vl)im. Por fim, a
insero de fontes de tenso constante em srie com
os diodos desloca os nveis de corte a valores arbi
trrios (Fig. 3.51).

^ou ,

^ o u t,

1 %

+ V.

~ VL

^in

!/

- Vr,
v ? Vl
*.

- vv\_ll
\j
11

t1
(a)
Figura 3.48

(b)

(a) Caracterstica entrada/sada de um circuito limitador, (b) resposta a uma senoide.

'

Captulo Trs

Figura 3.50

(a) Limitador de eielos negativos, (b) limitador para ciclos positivos e negativos.

Modelos de Diodos e Circuitos com Diodos

Figura 3.51

91

C ircuito lim itador genrico e sua caracterstica entrada/sada.

Exemplo
3.34
Soluo

A Fig. 3.52(a) ilustra como as fontes de tenso devem deslocar os pontos de corte. Visto que o ponto
de corte dos ciclos positivos deve ser deslocado para a esquerda, a fonte de tenso em srie com
D, deve ser negativa e igual a 700 mV. De modo similar, a fonte de tenso em srie com D2 deve
ser positiva e igual a 700 mV. A Fig. 3.52(b) mostra o circuito resultante.
*1
-wv^ in

700 mV
(a)
Figura 3.52

Exerccio

(b)

(a) Caracterstica entrada/sada, (b) exemplo de um circuito limitador.

R ep ita o ex em p lo a n te rio r p ara o caso em que os valores positivos do sinal devem ser lim itados
em + 200 m V e o s valores negativos, em 1,1 V.

A ntes de concluirmos esta seo, farem os duas


observaes. Prim eira, os circuitos que estudam os
exibem uma inclinao no nula na regio de limi
tao (Fig. 3.53). Isto ocorre porque, m edida que
Vin aum enta, tambm aum enta a corrente no diodo
que est sob polarizao direta e, portanto, aumenta a
tenso no diodo.16Contudo, a regra de 60 mV/dcada
expressa pela Eq. (2.109) implica que, em geral, esse
efeito desprezvel. Segunda, at aqui, adm itim os

' Recordemos que Vn = V, ln(////*).

^out,

Figura 3.53
limitao.

Vin

Efeito de diodos no ideais nas caractersticas de

92

Captulo Trs

para - V , < V in < + V , , m as possvel


realizar uma inclinao no unitria na regio:
V | =

V in

V
r oiu = a Vr itr

3.5.4

D obradores de Tenso*

Sistemas eletrnicos em pregam , em geral, uma fonte


de tenso global - por exem plo, 3 V - e exigem
que os circuitos discretos e integrados operem com
esse valor. No entanto, o projeto de alguns circuitos
no sistem a mais simples qu an d o os mesm os so
alimentados por uma fonte de tenso mais alta, como,

Segunda, um divisor de tenso capacitivo como


o da Fig. 3.54(b) funciona da seguinte m aneira: se
Vin se to rn a mais positivo, a placa esquerda de C,
recebe carga positiva de V) e obriga a que a placa
direita absorva carga negativa de igual am plitude da
placa superior de C2.Tendo perdido carga negativa,
a placa superior de C2 arm azena mais carga positiva
e, portanto, a placa inferior absorve carga negativa
da terra. Vale notar que as q u atro placas recebem
ou liberam iguais quantidades de carga, pois C, e C2
esto em srie. Para determ inar a variao A V, em
Vm que resulta de AVin, escrevem os a variao na
carga em C2 com o A Q 2 = C2. A Vl>ul, o que tam bm
vale p ara C,: A>2 = A(?,. A ssim , a v ariao de
tenso em C, igual a C2 A VJCX. Som ando estas
duas variaes de tenso e igualando o resultado
a AVin, temos:
A Vm = ^ - A V oul + A Vou,.

(3.110)

por exem plo, 6 V. D obradores de ten so podem


ser teis para esse fim.17
A ntes do estudo de dobradores de tenso,
conveniente revermos algumas propriedades bsicas
de capacitores. Primeira, para carregar uma placa de
um capacitor a +Q, a outra placa deve ser carregada
a Q. Portanto, no circuito da Fig. 3.54(a), a tenso
nos terminais de C, no pode mudar, mesmo que Vin
mude, pois a placa direita de C, no pode receber
ou liberar carga ( Q = C V). C om o Vn perm anece
constante, uma mudana AVin aparece diretam ente
na sada. Esta uma observao importante.

O u seja,
A Vou, =

C l + C2

(3.111)

Este resultado sim ilar ao da expresso para


a diviso de tenso em divisores resistivos, exceto
qu an to ao fato de que C, (e no C2) aparece no
numerador. interessante observar que o circuito da
Fig. 3.54(a) um caso especial do divisor capacitivo
com C2 = 0 e, portanto, A Vul = A V,.
C om o prim eiro passo para a realizao de um
dob rad o r de tenso, recordem os o resultado ilus
trado na Fig. 3.31: no detector de pico, a tenso no
diodo tem um valor m dio de Vp e, o que mais
im portante, um valor de pico ~ 2 V p (em relao a
zero). Para estudarm os o circuito com mais detalhe,
o mesmo redesenhado na Fig. 3.55, onde o diodo
e o capacitor trocaram de posio e a tenso em D,

*Esta seo pode ser pulada em uma primeira leitura.


"Dobradores de tenso so um exemplo de "conversores DC-DC"

Modelos de Diodos e Circuitos com Diodos

Figura 3.55

(a) Circuito capacitor-diodo, (b) formas de onda correspondentes.

cham ada VOM. Em bora, nesse circuito, Voul tenha o


mesmo com portam ento de V,n na Fig. 3.30(a), para
um melhor entendimento obterem os a forma de onda
de sada de uma perspectiva diferente.
Admitindo um diodo ideal e condio inicial nula
em Ci, notamos que, medida que Vin se torna maior
que zero, a entrada tende a colocar carga positiva na
placa esquerda de C, e, portanto, carga negativa deve

Exem plo

3.35

ser fornecida por D,. Em conseqncia, D { ligado,o


que fora V, - O.18 medida que a entrada aumenta
em direo a Vp, a tenso em C, perm anece igual a
V pois a placa direita de C, est conectada a zero
por D,. Aps t = tx, Vmcomea a cair e tende a descar
regar C h ou seja, fora a liberao de carga positiva
da placa esquerda e, portanto, de D,. Em conseqn
cia, o diodo desligado e o circuito se reduz ao da

Esbocemos a forma de onda de sada do circuito mostrado na Fig. 3.56, supondo condio inicial
nula em C,.

(a)
Figura 3.56

93

(b)

Circuito capacitor-diodo e (b) formas de onda correspondentes.

,xSe admitirmos que D xno ligado, o circuito lembra o da Fig. 3.54(a) e requer que Vout aumente e D, seja ligado.

94

Captulo Trs

Soluo

medida que Vmse torna maior que zero e tenta fornecer carga positiva placa esquerda de C, e,
em conseqncia, liberar carga negativa de D,, o diodo desligado. Isto faz com que. durante todo
o semiciclo positivo, C, transfira a carga da entrada diretamente sada. Aps l = / a entrada tende
a fornecer carga negativa a C,: /), ligado e fora Vu, = 0. Logo, a tenso em C, permanece igual
a Vin at t = 2\ neste momento, a direo do fluxo de corrente por C, e Dl deve ser alterada, desli
gando >,. Agora, a tenso em C, igual a Vp e o capacitor transfere a carga de entrada sada, ou
seja, a sada segue a entrada, com um deslocamento de nvel de + Vp, e alcana um valor de pico de
+2V.

Exerccio

Repita o exemplo anterior para o caso em que, em t = 0, a placa direita de C, 1 V mais positiva
que a placa esquerda.

Fig. 3.54(a). A partir desse instante de tempo, a sada


apenas segue as variaes na entrada e C, sustenta
uma tenso constante e igual a Vp. Em especial,
medida que Vh, varia de + Vp a Vp, a sada passa de
zero a 2VP e o ciclo se repete indefinidam ente. A
forma de onda de sada , por conseguinte, idntica
obtida na Fig. 3.3 l(b).
A t aqui, desenvolvem os circuitos que, para
uma entrada senoidal que varia entre Vp e +V,
geram um a sada peridica com valor de pico de
2 Vp ou +2VP. Conclumos que, se esses circuitos

Figura 3.57

forem seguidos p o r um detector de pico [p. ex.,


Fig. 3.30(a)], uma sada constante igual a 2Vp ou
+2VPpoder ser produzida. C om binando o circuito
da Fig. 3.56 com o d etector de pico da Fig. 3.30(a), a
Fig. 3.57 exemplifica este conceito. Como o detector
de pico "carrega o prim eiro estgio quando D 2est
ligado, devemos analisar este circuito com cuidado e
determ inar se, de fato, funciona como um dobrador
de tenso.
Vamos supor diodos ideais, condies iniciais nulas
em C, e C2,e C, = C2. Neste caso, a anlise fica simplifi

Circuito dobrador de tenso e formas de onda correspondentes.

Modelos de Diodos e Circuitos com Diodos

cada se comearmos com um ciclo negativo. medida


que Vin se torna m enor que zero, D, ligado e conecta
o n A' a zero.19Assim, para I < /,, D, permanece desli
gado e Vmu = 0. Em t = a tenso em C, chega a - Vp.
Para t > tu a entrada comea a aum entar e tende a
depositar carga positiva na placa esquerda de C ,,oque
desliga D, e resulta no circuito m ostrado na Fig. 3.57.
Como D2 se com porta nesse regime? Com o Vhl
est aumentando, postulamos que Vx tambm tende a
crescer (a partir de zero) e desliga D 2. (Se D2 perm a
necer desligado, C, apenas transfere a variao em
Vmao n X , aum entando Vx e ligando D2.) Em conse
qncia, o circuito se reduz a um simples divisor capacitivo que segue a Eq. (3.111):
AVolll = ^AK,

(3.112)

pois C, = C2. Em outras palavras, Vx e VOMcrescem a


partir de zero, perm anecem iguais e variam de forma
senoidal, com am plitude VJ2. Logo, de /, a t2, uma
variao de 2Vp em Vjn aparece como uma variao
Vp em Vx e Voul. Em t = t2, a tenso em C, zero, pois
tanto Vin como Vml so iguais a + Vr.
O que se passa depois de / = /,? Como Vmcomea
a diminuir e tende a retirar carga de C,, D2 desligado
e mantm Vmu igual a + Vp. O leitor pode se perguntar
se algo est errado; nosso objetivo era gerar uma
sada igual a 2Vp e no Vp. C ontudo,a pacincia uma

Exem plo

3.36
Soluo

Exerccio

95

virtude e devemos prosseguir com a anlise de transiente. Para t > 2f D ]e D 1esto desligados e cada capacitor mantm uma tenso constante. Como a tenso
em C, zero, Vx = Vin e cai a zero e m / = /,. Nesse
m om ento, D, ligado de novo e perm ite que, em t
= f4, C, seja carregado a - Vp. Q uando Vin comea a
aum entar novamente, Z), desligado e D2 permanece
desligado,pois Vx = 0 e Vu = +Vp. Agora,com a placa
direita de C, flutuando, Vx segue a variao da entrada
e atinge + Vp quando Vin passa de - Vp a 0. Logo, D2
ligado em t - t5 e, mais uma vez, forma um divisor
capacitivo. Aps esse instante de tempo, a variao da
sada igual metade da variao da entrada, ou seja,
VOMpassa de + Vp a + Vp + VJ2 quando V, passa de
a + Vp. A sada, agora, chegou a 3 V;/2.
A anlise anterior deixa evidente que, em cada ciclo
da entrada, a sada continua a aumentar de Vp, VJ2, V,/4
e assim por diante, tendendo ao valor final de
V,ml = Vp( 1 + 1 + ! + . . . )

(3.113)

= 2 Vp.

(3.115)

O leitor deve prosseguir com a anlise por mais alguns


ciclos e com provar esta tendncia.

No circuito dobrador de tenso, esbocemos a curva da variao da corrente em D, em funo do


tempo.
Usando o diagrama da Fig. 3.58(a), notamos que D, e C, conduzem correntes iguais quando Dx
est sob polarizao direta; escrevendo a corrente como Im = CxdVJdt, construmos o grfico
mostrado na Fig. 3.58(b).20 Para 0 < / < / D, conduz e a corrente de pico corresponde mxima
inclinao de V-m, ou seja, imediatamente aps / = 0. De t = /, a / = /3, o diodo permanece desligado
e repete o mesmo comportamento nos ciclos subsequentes.
No exemplo anterior, esboce a curva da variao da corrente em D2 em funo do tempo.

3.5.5 D iodos com o D eslocadores de Nvel e


C om utadores*

No projeto de circuitos eletrnicos, pode ser neces


srio deslocar o nvel mdio de um sinal para cima ou

para baixo, pois um estgio subsequente (p. ex., um


amplificador) pode no operar de forma adequada
com o nvel atual de sinal.
Como um diodo sob polarizao direta mantm
uma tenso relativam ente constante, o mesmo pode

l9Como sempre, o leitor deve admitir a hiptese contrria (D, permanece desligado) e obter um resultado conflitante.
2"('omo sempre, /, denota a corrente que Ifui do anodo para o catodo.
*Esta seo pode ser pulada em uma primeira leitura.

96

Captulo Trs

*D3 1DA

Figura 3.58

Y ~

Corrente no diodo em um dobrador de tenso.

ser visto como uma bateria e, portanto, um disposi


tivo capaz de deslocar o nvel de sinal. Como primeira
tentativa, considerem os o circuito m ostrado na
Fig. 3.39(a) como candidato a deslocar o nvel do sinal
para baixo, por um valor igual a V
No entanto, a
corrente no diodo permanece desconhecida e depende

do prximo estgio. Para aliviar este problema, modi


ficamos o circuito tal como indica a Fig. 3.59(b), onde
/, conduz uma corrente constante e estabelece V,D.on
em D ,.21 Se a corrente que flui no prxim o estgio
for desprezvel (ou, pelo menos, constante), V, ser
m enor que Vin por um valor constante V Don.

2lO diodo foi desenhado na vertical para enfatizar que V, menor que Vm.

Modelos de Diodos e Circuitos com Diodos

Exem plo
3.37
Soluo

97

Projetemos um circuito que desloque para cima o nvel DC de um sinal por 2Vl)(tn.

Para deslocar o nvel para cima, aplicamos a entrada ao catodo. Alem disto, para obter um deslo
camento de 2VDon, conectamos dois diodos em srie. A Fig. 3.60 mostra o resultado.

out

]/
vmO
Figura 3.60

Exerccio

Deslocamento positivo de tenso por dois diodos.

O que acontece se /, for extremamente pequena?

O circuito de deslocamento de nvel da Fig. 3.59(b)


pode ser transform ado em um com utador eletrnico.
Por exemplo, diversas aplicaes em pregam a topo
logia mostrada na Fig. 3.61 (a) para am ostrar V, em
C, e "congelar o valor quando 5, desligar. Vamos
substituir 5, pelo circuito deslocador de nvel para
perm itir que /, seja ligada e desligada [Fig. 3.61 (b)].

Se /, estiver ligada, Voul segue Vin, exceto quanto a um


deslocamento de nvel igual a VD,m. Quando /, desliga,
), tambm desliga e, evidentem ente, desconecta C,
da entrada, o que congela a tenso em C,.
Usamos o term o "evidentem ente na ltima frase
porque o verdadeiro comportamento do circuito difere
um pouco da descrio anterior. A hiptese de que

Figura 3.61 (a) Circuito capacitor-comutador,(b) realizao de (a) usando um diodo como comutador, (c) problema da conduo
do diodo, (d) circuito mais complexo, (e) circuito equivalente quando /, e /, esto desligadas.

98

Captulo Trs

D, desliga vlida apenas se C, no puxar corrente


de D,, ou seja, apenas se Vin - V permanecer menor
que V
A gora, considerem os o caso ilustrado na
Fig. 3.61 (c), onde /, desliga em / = permitindo que C,
armazene um valor igual a VM - V,)on. medida que
a forma de onda da entrada completa uma excurso
negativa e excede Vinl em / = t2, o diodo fica, de novo,
sob polarizao direta e carrega C, com a entrada (de
m odo similar a um detector de pico). Ou seja, embora
/, esteja desligada, D, ligado em parte do ciclo.
Para resolver este problem a, o circuito m odi
ficado tal com o m ostra a Fig. 3.61(d), o n d e D 2

Exem plo

3.38
Soluo

inserido entre D, e C,, e l 2 prov uma corrente de


polarizao para D 2. Com /, e 12 ligadas, os diodos
op eram sob polarizao d ireta, Vx = Vin Vni e
K, = Vx + Vn2 = V se Vm = Vn2. Portanto, VOM
segue Vin sem q u alq u er deslocam ento de nvel.
Q uando /, e I2 esto desligadas, o circuito se reduz
ao da Fig. 3 .6 l(e ), onde, para q u alq u er valor de
Vi,, ~ Vmil, os diodos frente a frente no conduzem
e isolam C, da entrada. Em outras palavras, os dois
diodos e as duas fontes de co rren te form am um
com utador eletrnico.

No Captulo 2, vimos que, sob polarizao reversa, diodos exibem uma capacitncia de juno. Estu
demos o efeito dessa capacitncia na operao do circuito discutido anteriormente.
A Fig. 3.62 mostra o circuito equivalente para este caso, onde os diodos esto desligados, sugerindo
que a conduo da entrada pela capacitncia de juno perturba a sada. Especificamente, usando
o divisor capacitivo da Fig. 3.54(b) e supondo

A
Figura 3.62

i l

Conduo no comutador a diodo.

Cji = Cj2 = Cj, temos


C j/ 2

C j/2 + C |

(3.116)

Para assegurar que esta conduo pequena, C, deve ser grande.


Exerccio

3.6

Calcule a variao da tenso na placa direita de Cy-, (em relao terra) em termos de W in.

RESUM O DO CAPTULO

Alm dos modelos exponencial e de tenso cons


tante, um modelo ideal , s vezes, usado na
anlise de circuitos com diodos. O modelo ideal
supe que o diodo ligado com uma tenso de
polarizao direta muito pequena.
Para diversos circuitos eletrnicos, a caracters
tica entrada/sada estudada para um entendi
mento da resposta a diferentes nveis de entrada,
como, por exemplo, para uma entrada que varia
de - o c a +oo.
Operao em grandes sinais ocorre quando
um circuito ou dispositivo est sujeito a excurses

arbitrariamente grandes de tenso ou de corrente.


Os modelos exponencial, de tenso constante ou
ideal de diodo so usados neste caso.
Se as variaes de tenso e corrente so suficien
temente pequenas, dispositivos e circuito no line
ares podem ser aproximados por equivalentes
lineares, o que simplifica muito a anlise. Esta a
chamada operao em pequenos sinais.
O modelo de pequenos sinais de um diodo consiste
em uma resistncia incrementai dada por
i
Diodos encontram aplicao em diversos tipos
de circuitos, incluindo retificadores, limitadores,
dobradores de tenso e deslocadores de nvel.

Modelos de Diodos e Circuitos com Diodos

Retificadores de meia-onda deixam passar semi


ciclos positivos (negativos) da forma de onda
de entrada e bloqueiam os semiciclos negativos
(positivos). Quando seguido por um capacitor,
um retificador pode produzir um nvel DC
quase igual ao valor de pico da excurso da
entrada.
Um retificador de meia-onda com um capacitor de
filtragem de valor C, e resistor de carga R, exibe
um ripple de sada igual a (Vp -

99

Retificadores de onda completa convertem os


ciclos positivos e negativos da entrada mesma
polaridade na sada. Quando seguidos por um
capacitor de filtragem e um resistor de carga, esses
retificadores exibem um ripple de sada dado por
0,5(1/, - 2VPim)l(RrCJin).
Diodos podem funcionar como dispositivos limi
tadores, ou seja, podem limitar a excurso de
sada mesmo que a excurso de entrada continue
aumentando.

e x e r c c i o s

Nos exerccios a seguir, suponha, para o modelo de tenso


constante, que V/)>;, = 800 mV.
3.1 Esboce a caracterstica I/V do circuito mostrado na
Fig. 3.63.

Figura 3.65

3.6 Para o circuito ilustrado na Fig. 3.66, esboce as curvas


de lx e /, em funo de Vx. Suponha V > 0.
Figura 3.63
3.2 Se a entrada na Fig. 3.63 for expressa como Vx = V{)
cos w/, esboce a curva da corrente que flui no circuito
em funo do tempo.
3.3 Esboce a curva de Ix em funo de Vx para o circuito
mostrado na Fig. 3.64 para os dois casos: VH 1 V
e VB= +1 V.

Figura 3.66

3.7 Para o circuito ilustrado na Fig. 3.67, esboce as cur


vas de Ix e IRXem funo de Vx para os dois casos:
V= - l V e Vf= +1 V.

3.4 Se, na Fig. 3.64, Vx = Vucos cot, esboce a curva de lx


em funo do tempo para os dois casos: Vf= -1 V
e V = +1 V.
3.5 Para o circuito ilustrado na Fig. 3.65, esboce a curva
de Ix em funo de Vx para os dois casos: VH= - 1 V
e VH= +1 V.

i f Ideal

L.
' vb

Figura 3.67

100

Captulo Trs

3.8 Para o circuito ilustrado na Fig. 3.68, esboce as cur


vas de Ix e /*, em funo de Vx para os dois casos:
VH= -1 V e V= +1 V.

3.14 Para cada circuito da Fig. 3.70, esboce a curva


da sada em funo do tempo para a entrada por
Vin = V()cos cot. Use um modelo ideal de diodo.
Vo

/>

+ I B -

---- Wr

^ in f )

^ut

T
+
_ r
-i ^

(a)

---O
+
^out

(b)

vB
, +ll'
3.9 Usando o modelo ideal para os diodos, esboce as
curvas das caractersticas entrada/sada dos circuitos
ilustrados na Fig. 3.69. Admita VH= 2 V.

+
Rl r
D l

^out
o

(d)

(c)

+1out

'o u t

'i "

+[

1,01,1

-o

(b)

(a)

(c)
Figura 3.70

VB
+L-

3.15 Supondo um modelo de tenso constante para os


diodos, esboce a curva de Vout em funo de /, para
cada circuito na Fig. 3.71.

out

vy -

vo

(d)

(C )

(a)

'<*) *1

out

-J -

B
-------- o

(c)

3.12 Esboce a caracterstica entrada/sada de cada


circuito na Fig. 3.70 usando um modelo ideal para
os diodos.
3.13 Repita o Exerccio 12 com um modelo de tenso
constante para os diodos.

+T_
1 i/B

(b)

Figura 3.69

3.11 Para cada circuito da Fig. 3.69, esboce a curva da sada


em funo do tempo para a entrada por Vm= Vl}cos cot.
Suponha um modelo ideal de diodo.

vout

-J -

(c)

3.10 Repita o Exerccio 9 com um modelo de tenso cons


tante.

d,

'out
D1

i-h
(d)

Figura 3.71

Modelos de Diodos e Circuitos com Diodos

101

3.16 Para os circuitos na Fig. 3.71, esboce a curva da

Di

corrente que flui em


em funo de Vm. Admita
um modelo de tenso constante para os diodos.
'i n

3.17 Para os circuitos na Fig. 3.71, esboce a curva de Vout

em funo do tempo, com Iin = /0 cos o>/. Suponha


um modelo de tenso constante para os diodos e um
valor relativamente grande para /

-o

(0

D1

Dl

'i n

d2

'out

3.19 Para os circuitos na Fig. 3.72, esboce a curva da

/i n ( )

*
-

-3 -

-o
(h)

Figura 3.73

3.23 Para os circuitos ilustrados na Fig. 3.74, esboce a


curva da caracterstica entrada/sada. Admita um
modelo de tenso constante para os diodos.
3.24 Para os circuitos na Fig. 3.74, esboce as curvas das
correntes que fluem em
e em I)] em funo de
Vin. Admita um modelo de tenso constante para os
diodos.

out
^oi

+T

'out

(g)

3.20 Para os circuitos na Fig. 3.72, suponha Iin= /0cos cot.

'in

-o

corrente que flui em Rx em funo de /,,,. Suponha


um modelo de tenso constante para os diodos.
onde / relativamente grande. Usando um modelo
de tenso constante para os diodos, esboce a curva
de Vout em funo do tempo.

'out

(e)

3.18 Para os circuitos na Fig. 3.72, esboce a curva de Voul

em funo de Iin. Admita um modelo de tenso cons


tante para os diodos.

S d2

----- O

(a)
'i n

F T*
F c :.
(b)

^ in Q

'out

' ln

out

Di
t h

(a)

(c)
Figura 3.72

3.21 Para os circuitos mostrados na Fig. 3.73, esboce a


curva de Vout em funo de
Suponha um modelo
de tenso constante para os diodos.
3.22 Para os circuitos na Fig. 3.73, esboce a curva da
corrente que flui em /?, em funo de Iin. Suponha
um modelo de tenso constante para os diodos.

(b)
Figura 3.74

+
'in

out

. R1
'i "

^out
(b)

JL R 1

out

'-<> D;

n;
(C )

3.25 Supondo um modelo de tenso constante para os


diodos, esboce as curvas das caractersticas entrada/
sada dos circuitos ilustrados na Fig. 3.75.
3.26 Para os circuitos na Fig. 3.75, esboce as curvas das
correntes que fluem em
e em />), em funo de
Vin. Admita um modelo de tenso constante para os
diodos.
3.27 Supondo um modelo de tenso constante para os
diodos, esboce as curvas das caractersticas entrada/
sada dos circuitos ilustrados na Fig. 3.76.

102

Captulo Trs

Vin0----

WrCw

3.28 Para os circuitos na Fig. 3.76, esboce as curvas das


correntes que fluem em R ] e em D, em funo de
Vin. Admita um modelo de tenso constante para os
diodos.

-oV,out

3.29 Supondo um modelo de tenso constante para os


diodos e Vl{ = 2 V, esboce as curvas das caracters
ticas entrada/sada dos circuitos ilustrados na Fig.
3.77.

(a)

r - sW,------r ^
1

-oV,o u t
/in

out

<b)

J- 1 '3----- + | B"
W-----M
I- T- 0 ^out
D

(a)

*>1 *1
|----1---- % --- 1
^in----\ ^
+ ||~ M

(c)

-w-

V,B

'1

-v,out

^out

(b)

(d)

Figura 3.75

^in0-

^1 R !
-H -W -

-oV,O U t
D2

(d)

(b)
Figura 3.77

V.out

'1

..

D2

-+V.out

r2
(c)

(e)
Figura 3.76

3.30 Para os circuitos na Fig. 3.77, esboce as curvas das


correntes que fluem em R ] e em D] em funo de
Vin. Suponha um modelo de tenso constante para
os diodos.
3.31 Para oscircuitos mostrados na Fig.3.78,comeando
com VDon 800 mV para cada diodo, determine
a variao em Voul se Vin mudar de +2,4 V para
+2,5 V.

Modelos de Diodos e Circuitos com Diodos

103

3.33 Em cada circuito do Exerccio 32, determine a


variao na corrente que flui no resistor de 1 kl.

V\----- D4

(a)

3.34 Para o circuito ilustrado na Fig. 3.80, supondo


V,n = VPsen
Vp = 5 V e uma condio inicial de
+0,5 V no capacitor C esboce a forma de onda de
sada.

Vin----- t>f

^in0--- WD1 R-t


t^in----- W-----v/v
Wr
1 kQ

out

out

(b)
Figura 3.80

D2

3.35 Repita o Exerccio 34 para o circuito mostrado na


Fig. 3.81.

(c)

^in--- K>-

1
^in----- VW-

-oV,out

out
Figura 3.81

3.36 Suponha que o retificador da Fig. 3.32 alimente uma


carga de 100 l com uma tenso de pico de 3,5 V.
Para um capacitor de filtragem de 1000 /xF, calcule a
amplitude do ripple para uma frequncia de 60 Hz.

(d)
Figura 3.78

3.32 Para os circuitos da Fig. 3.79, comeando com


Vn.<,n 800 mV para cada diodo, calcule a variao
em VMse /, mudar de 3 mA para 3,1 mA.

3.37 Um adaptador de 3 V que usa um retificador de


meia-onda deve fornecer uma corrente de 0,5 A com
ripple mximo de 300 mV. Para uma frequncia de
60 Hz, calcule o valor mnimo permitido para o capa
citor de filtragem.
3.38 Supondo que as terras de entrada e de sada de um
retificador de onda completa sejam curto-circuitadas, esboce a forma de onda de sada com e sem
o capacitor de carga e explique por que o circuito
no funciona como um retificador.

(a)

3.39 Para cada diodo na Fig. 3.38(b), esboce a curva


da tenso em funo do tempo se Vin = V{) cos cot.
Suponha um modelo de tenso constante para os
diodos e Vn > V
01
fli
CH---- Wr-----11 kn

(b)

3.40 Ao construir um retificador de onda completa, um


estudante errou ao conectar os terminais de D3,
como ilustra a Fig. 3.82. Explique o que ocorre. Use
o modelo exponencial.

out
d2

(c)

1
-Wv/inC)

-V,out

1kQ /?? | 2 k f ? D 2
(d)

Figura 3.79

104

Captulo Trs

3.41 Um retificador de onda completa alimentado por


uma entrada senoidal Vm= V{)cos cot, com V0 = 3 V e
co = 27r (60 Hz). Supondo Vl)ol, = 800 mV, determine
a amplitude do ripple com um capacitor de filtragem
de 1000 /xF e um resistor de carga de 30 l.

3.48 Aplicaes de formatao de onda exigem a carac


terstica entrada/sada ilustrada na Fig. 3.84. Usando
diodos ideais e outros componentes, construa um
circuito que produza esta caracterstica. (Os valores
dos resistores no so nicos.)

3.42 Suponha, na Fig. 3.38(b), que os terminais negativos


de Vine Vtmlestejam curto-circuitados. Admitindo um
modelo ideal de diodo, esboce a curva da caracters
tica entrada/sada e explique por que o circuito no
funciona como um retificador de onda completa.
3.43 Suponha, na Fig. 3.43, que o diodo conduz uma
corrente de 5 mA, e a carga, uma corrente de 20 mA.
Se a corrente na carga aumentar para 21 mA, qual
ser a variao na tenso total nos trs diodos?
Admita que
muito maior que 3rd.
3.44 Neste exerccio, faremos uma estimativa do ripple
visto pela carga na Fig. 3.43, para que possamos
avaliar a regulao provida pelos diodos. Para simpli
ficar, desprezamos a carga e consideramos f m= 60 Hz,
C, = 100 /lF,
= 1000 l e que a tenso de pico
produzida pelo transformador igual a 5 V.
(a) Supondo que Rx conduz uma corrente relati
vamente constante e VPon < 800 mV, faa uma
estimativa da amplitude do ripple em C,.
(b) Usando o modelo de pequenos sinais para os
diodos, determine a amplitude do ripple na
carga.
3.45 No circuito limitador da Fig. 3.51, esboce as correntes
que fluem em Dl e D2em funo do tempo, para uma
entrada Vucos oj e V0 > VDo + Vm e - V lt> - V ao
- Vm.

Figura 3.84

3.49 Suponha que uma forma de onda triangular seja apli


cada caracterstica da Fig. 3.84, como mostrado na
Fig. 3.85. Esboce a forma de onda de sada e observe
que uma aproximao grosseira de uma senoide.
Como a caracterstica entrada/sada deve ser modi
ficada para que a sada se torne uma melhor apro
ximao para uma senoide?

3.46 Projete o circuito limitador da Fig. 3.51 para um


limite negativo de -1 ,9 V e um limite positivo de
+2,2 V. Admita que a tenso de pico de entrada
igual a 5 V. que a mxima corrente permitida em
cada diodo 2 mA e que V)on ** 800 mV.
3.47 Desejamos projetar um circuito que exiba a caracte
rstica entrada/sada mostrada na Fig. 3.83. Usando
resistores de 1 kit, diodos ideais e outros compo
nentes, construa o circuito.

Figura 3.85

Figura 3.83

Modelos de Diodos e Circuitos com Diodos

EXERCCIOS

105

COM SPICE

Nos exerccios a seguir, suponha /* = 5 X 10 16A.


3.50 O retificador de meia-onda da Fig. 3.86 deve fornecer
uma corrente de 5 mA a /?,, para um nvel de pico
de entrada de 2 V.
(a) Determine, por clculo manual, o correspon
dente valor de Rv
(b) Confirme o resultado com SPICE.

3.53 O circuito da Fig. 3.89 usado em alguns circuitos


analgicos. Esboce a caracterstica entrada/sada para
- 2 V < Vin < +2 V e determine a maior excurso de
entrada para a qual IVui - Voul\ < 5 mV.

D1
^out

Figura 3.86

3.51 No circuito de Fig. 3.87, = 500 le /^ 2 = l k. Use


SPICE para determinar a caracterstica entrada/
sada para - 2 V < Vjn < +2 V. Esboce a curva da
corrente que flui em R{ em funo de Vm.
Figura 3.89

out
Figura 3.87

3.52 O retificador mostrado na Fig. 3.88 alimentado por


uma entrada senoidal de 60 Hz e amplitude de pico
de 5 V. Usando a anlise transiente em SPICE,
(a) Determine o ripple pico a pico na sada.
(b) Determine a corrente de pico que flui em D {.
(c) Calcule a carga mais pesada (menor R ,) que
o circuito pode alimentar, mantendo o ripple
menor que 200 mV/(/).

3.54 O circuito mostrado na Fig. 3.90 pode fornecer uma


aproximao de uma senoide na sada em resposta
a uma forma de onda triangular de entrada. Usando
a anlise DC em SPICE para esboar a caracters
tica entrada/sada para 0 < K ,< 4 V, determine os
valores de Vm e V,n de modo que a caracterstica se
aproxime de uma senoide.
2k l

^B1

T-

^B2 "

T-

(a)

Di

Figura 3.90

C A P I T U L O

4
Fsica de
Transistores Bipolares
O transistor bipolar foi inventado por Shockley, Brattain e Bardeen em 1945, nos Laboratrios Bell, e logo
substituiu as vlvulas a vcuo em sistemas eletrnicos,
abrindo caminho para os circuitos integrados.
Neste captulo, analisaremos a estrutura e o funcio
namento de transistores bipolares; isto nos preparar
para o estudo de circuitos que empregam tais disposi

tivos. Seguindo o mesmo processo de raciocnio utili


zado no Captulo 2 para junes pn, nosso objetivo
entender a fsica do transistor, deduzir as equaes que
representam sua caracterstica I/V e desenvolver um
modelo equivalente que possa ser usado na anlise e
na sntese de circuitos. A seqncia de conceitos que
apresentaremos neste captulo ilustrada a seguir.

D ispositivo C ontrolado
por Tenso como
Elemento
Am plificador

4.1

C O N S ID E R A E S G E R A IS

Na forma mais simples, um transistor bipolar pode


ser visto como uma fonte de corrente controlada por
tenso. M ostraremos, primeiro, com o uma fonte de
corrente desse tipo pode constituir um amplificador
e, em seguida, por que dispositivos bipolares so teis
e interessantes.
C onsiderem os a fonte de co rren te co n tro
lada por tenso ilustrada na Fig. 4.1 (a), onde /,
proporcional a V x: /, = K V X. Vale notar que K tem
dim enso de resistncia
Por exem plo, com K =
0,001 i ', uma tenso de en trad a de 1 V resulta em
uma corrente de sada de 1 mA. A gora, vamos cons
truir o circuito m ostrado na Fig. 4.1 (b), onde uma
fonte de tenso Vin controla /, e a corrente de sada
flui por uma resistncia de carga R , yproduzindo V,,,,,.
Nosso objetivo dem onstrar que esse circuito pode
funcionar como um am plificador, ou seja, Vou, uma

106

rplica amplificada de Vn. Com o V , = Vin e V0M =


- /?,/,, temos
Vou, = - K R , y in.

(4.1)

interessante observar que, se K R , > 1, o circuito


amplifica a entrada. O sinal negativo indica que a
sada uma rplica invertida da entrada do circuito
[Fig. 4.1(b)]. O fator de amplificao ou ganho de
tenso do circuito, A v, definido como
Av =

(4.2)

MU

= -K R ,.,

(4.3)

e depende das caractersticas da fonte de corrente


controlada e da resistncia de carga. N otem os que
K indica quo forte o controle de V, sobre /, e,
portanto, afeta o ganho de m aneira direta.

Fsica de Transistores Bipolares

Figura 4.1

Exem plo
4.1

107

(a) Fonte de corrente controlada por tenso, (b) amplificador simples.

C onsiderem os o circuito m o strado na Fig. 4.2, onde a fonte de co rre n te co n tro lad a p o r tenso exibe
um a resistncia in te rn a r,. D eterm in em o s o ganho de ten so do circuito.

Vin

Figura 4.2

Soluo

Exerccio

Fonte de corrente controlada por tenso, com resistncia interna rm

C om o, p ara q u a lq u e r v alor de ri/n V x igual a Vin, o ganho de tenso perm an ece inalterado. E sta
observ ao te r u tilid ad e nas anlises q ue farem os p o steriorm ente.
R ep ita o ex em p lo a n te rio r p ara o caso em que rin = <.

Este estudo revela que um a fonte de corrente


controlada por tenso pode, de fato, prover amplifi
cao de sinal.Transistores bipolares so um exemplo
desse tipo de fonte de corrente e,em condies ideais,
podem ser modelados tal com o mostra a Figura 4.3.
Notem os que o dispositivo contm trs term inais e
que sua corrente de sada uma funo exponencial

Figura 4.3 Fonte de corrente controlada por tenso,com depen


dncia exponencial.

de V,. Na Seo 4.4.4, veremos que, em determ inadas


condies, esse modelo pode ser aproxim ado pelo da
Fig. 4.1 (a).
Por serem dispositivos de trs terminais, os transis
tores bipolares podem dificultar a anlise de circuitos.
Como j tratamos, na anlise de circuitos simples e
nos captulos anteriores deste livro, de dispositivos de
dois terminais, tais como resistores,capacitores, indu
tores e diodos, estamos familiarizados com a corres
pondncia de um para um entre a corrente que flui
em cada dispositivo e a queda de tenso no mesmo.
No caso de dispositivos de trs terminais, poderamos
considerar a corrente e a tenso entre quaisquer dois
term inais e obteram os um com plexo sistem a de
equaes. Por sorte, medida que desenvolvermos
nosso entendim ento do funcionam ento do tran
sistor, descartarem os algumas dessas com binaes
de corrente e tenso por serem irrelevantes e, assim,
obterem os um m odelo relativam ente simples.

108
4.2

Captulo Quatro

ESTRUTURA DE TR A N S IS TO R E S
B IP O LA R E S

O transistor bipolar consiste em trs regies dopadas,


que form am um sanduche. A Fig. 4.4(a) traz um
exem plo de uma cam ada p en tre duas regies n\
esta configurao cham ada transistor n p n . Os
trs term inais so denom inados base, em issor e
coletor. Como explicaremos mais adiante, o emissor
em ite portadores de carga e o coletor os coleta; a
base controla o nmero de portadores que fazem esse
percurso. O smbolo de circuito para o transistor npn
ilustrado na Fig. 4.4(b). As tenses nos terminais so
denotadas por VE, VHe Vc, e as diferenas de tenso
entre eles, por Vm:, VCB e VCE. A qui, o transistor ser
designado por Q,.
Da Fig. 4.4(a), podem os notar prontam ente que
o dispositivo contm dois diodos de juno pn: um
en tre a base e o em issor, e o u tro entre a base e o
coletor. Por exemplo, se a base for mais positiva que
o em issor, Vm.: > 0, esta ju n o estar sob polari
zao direta. Em bora esse diagram a simples sugira
que o dispositivo simtrico em relao ao emissor
e ao coletor, na prtica as dim enses e os nveis de
dopagem dessas duas regies so muito diferentes.
Em outras palavras, E e C no podem ser intercambiados. Observaremos, tam bm ,que o funcionamento
adequado do dispositivo exige um a regio de base
muito delgada: em m odernos transistores bipolares
integrados, essa regio tem espessura da ordem de
100 .
Como mencionamos na seo anterior, o nmero
de possveis combinaes de tenses e correntes para
um dispositivo de trs term inais pode ser excessivo.
Para o dispositivo na Fig. 4.4(a), VE, VIICe VCI podem

assumir valores positivos ou negativos e resultam em


23 possibilidades para as tenses nos term inais do
transistor. Por sorte, apenas uma dessas oito combi
naes tem aplicao prtica e nela focaremos nossa
ateno.
A ntes de prosseguirmos com transistores bipo
lares, conveniente que estudem os um efeito inte
ressante em junes pn. Considerem os a juno sob
polarizao reversa ilustrada na Fig. 4.5(a) e recor
demos, do Captulo 2, que a regio de depleo est
sujeita a um intenso cam po eltrico. Suponham os
agora que um eltron , de algum modo, injetado
do exterior para o lado direito da regio de depleo.
O que acontece com esse eltron? A tuando como um
portador minoritrio no lado p , o eltron sofre a ao
do campo eltrico e rapidamente varrido para o lado
n. A capacidade de uma juno pn sob polarizao
reversa de coletar, de modo eficiente, eltrons inje
tados do exterior essencial para o funcionamento
do transistor bipolar.

4.3

Figura 4.4 (a) Estrutura e (h) smbolo de circuito de um tran


sistor bipolar.

OPERAO DE TR AN S IS TO R E S
B IP O L A R E S NO M O D O ATIVO

Nesta seo, analisarem os a operao de um tran


sistor bipolar com o objetivo de provar que, em deter
minadas condies, o mesmo atua como uma fonte
de corrente controlada por tenso. Particularm ente,
pretendem os m ostrar que (a) o fluxo de corrente do
emissor para o coletor pode ser visto como uma fonte
de corrente conectada entre esses dois term inais e
(b) que essa corrente controlada pela diferena de
tenso entre a base e o emissor, V,:.
Iniciamos nosso estudo com a hiptese que a
juno base-em issor est sob polarizao direta

Fsica de Transistores Bipolares

(V ni. > 0), e a juno base-coletor, sob polarizao


reversa (V HC < 0). Nestas condies, dizemos que o
dispositivo est polarizado na regio ativa direta ou,
simplesmente, no m odo ativo . Por exemplo, com o
emissor conectado terra, a tenso da base fixada
em cerca de 0,8 V, e a do coletor, em um valor mais
alto, como, por exemplo, l V [Fig. 4.6(a)]. Portanto,
a juno base-coletor fica sujeita a uma polarizao
reversa de 0,2 V.
Considerem os, agora, a operao do transistor
no m odo ativo. Podemos ser tentados a simplificar
o exem plo da Fig. 4.6(a) com o o circuito eq u iv a
lente m ostrado na Fig. 4.6(b). Afinal, parece que o
transistor bipolar consiste em apenas dois diodos
que com partilham os anodos no term inal da base.
Esta viso implica que D, conduz uma corrente, e

109

D 2, no; ou seja, podem os prever que h um fluxo


de corrente da base para o em issor e que nenhum a
corrente flui pelo term inal do coletor. Se isto fosse
verdade, o tran sisto r no funcionaria com o um a
fonte de corrente controlada por tenso e seria de
pouca utilidade.
Para en te n d e r por que o tran sisto r no pode
ser m odelado como apenas dois diodos com anodo
com um , devem os exam inar o fluxo de co rren te
no in terio r do dispositivo, tendo em m ente que a
regio da fonte m uito delgada. C om o a juno
base-em issor est sob polarizao direta, eltrons
fluem do emissor para a base, e lacunas, da base para
o emissor. Para o funcionam ento adequado do tran
sistor, a prim eira corrente deve ser muito maior que
a segunda; isto requer que o nvel de dopagem do

'CE

'CE

VCE = +1 V

(c)
Figura 4.7 (a) Fluxo de eltrons e de lacunas atravs da juno base-emissor, (b) eltrons que se aproximam da juno do coletor,
(c) eltrons que fluem pela juno do coletor.

110

Captulo Quatro

emissor seja muito maior que o da base (C aptulo 2).


Assim, representam os a regio d o em issor como n +,
onde o sobrescrito enfatiza o alto nvel de dopagem.
A Fig. 4.7(a) resum e nossas observaes at aqui e
indica que o em issor injeta um grande nm ero de
eltrons na base e recebe dela um pequeno nm ero
de lacunas.
O que acontece com os eltrons m edida que
penetram na base? Como a regio da base delgada,
a maioria dos eltrons alcana a fronteira da regio
de depleo da juno coletor-base e ficam sujeitos
ao do cam po eltrico interno. Em conseqncia,
como ilustra a Fig. 4.5, os eltrons so varridos para
a regio do coletor (como na Fig. 4.5) e absorvidos
pelo terminal positivo da bateria. As Figs. 4.7(b) e (c)
mostram uma representao desse efeito em "cmara
len ta. Portanto, conclumos q ue a juno coletorbase, que est sob polarizao reversa, conduz uma
corrente, pois portadores minoritrios so injetados
em sua regio de depleo.
Vamos resumir nosso raciocnio. No modo ativo,
um transistor bipolar npn transporta, atravs da base,
um grande nm ero de eltrons do em issor para o
coletor e puxa uma pequena co rren te de lacunas

pelo term inal da base. A gora, devem os responder


a algum as perguntas. Prim eira, com o os eltrons
viajam pela base: por deriva ou por difuso? Segunda,
qual a dependncia entre a corrente resultante e as
tenses nos term inais? Terceira, qual a am plitude
da corrente da base?
Funcionando com o um co ndutor m oderado,
a regio da base fica sujeita a um pequeno cam po
eltrico, ou seja, permite que a maior parte do campo
caia ao longo da camada de depleo da juno baseemissor. Portanto, com o explicam os no Captulo
2 para junes p n , a co rren te de deriva na base
desprezvel;1 isto torna a difuso o principal m eca
nismo para o lluxo de eltrons injetados pelo emissor.
Na verdade, duas observaes justificam a ocorrncia
de difuso: (1) redesenhando o diagrama da Fig. 2.29
p ara a juno em issor-base [Fig. 4.8(a)], notam os
que a densidade de eltrons em x - x, muito alta;
(2) com o qualquer eltron que chega a x = x 2 na
Fig.4.8(b) varrido para fora, a densidade de eltrons
cai a zero neste ponto. Em conseqncia, a densi
dade de eltrons na base assume o perfil ilustrado
na Fig. 4.8(c), e produz um gradiente para a difuso
de eltrons.

'CE

'CE

(b)

(a)

'CE

(C )

Figura 4.8 (a) Perfis de lacunas e de eltrons na juno basc-emissor, (b) densidade nula de eltrons nas proximidades do coletor,
(c) perfil de eltrons na base.

'Aqui, esta hiptese simplifica a anlise, mas pode no ser vlida no caso geral.

Fsica de Transistores Bipolares


4.3.1

C orrente de C o letor

Agora, abordarem os a segunda pergunta feita ante


riorm ente e calcularem os a co rren te que flui do
coletor para o emissor.2 Assim como um diodo sob
polarizao direta, a juno base-em issor exibe uma
alta concentrao de eltrons em x = x xna Fig. 4.8(c),
dada pela Eq. (2.96):
*

N/-.

An(*,) = ----- ^ ( e x p
exp v

-ij

(4.4)

111

onde W a largura da regio da base. M ultiplicando


essa quantidade pela rea da seo reta do emissor,
A e, usando o valor de A/i(jr,) dado em (4.5) e mudando
o sinal para obter a corrente convencional, temos
lc =

NfWB

( cxp^ - 1)

(4.8)

Em analogia com a equao da corrente no diodo e


supondo exp (V BE/V r)
1, escrevemos

Vr

N,s (
Vn,.
A
= ^ v cxp"v7T /

(4.6)

0 - A(a:i )

Exem plo

wh

(4.9)

Ai:(]Dnnj
NnWn '

(4.10)

Vr

com

Aqui./V, e Nn denotam os nveis de dopagem no emissor


e na base, respectivamente,e utilizamos a relao exp( VJ
V-i) = N FN i,/n }. Neste captulo, admitimos V , =
26 mV. Aplicando a lei da difuso [Eq. (2.42)], calcu
lamos o fluxo de eltrons no coletor como

= <lDn

/ = Is
/ e x p nE
lc
-,
(4.5)

Is =

A Eq. (4.9) implica que o transistor bipolar, de


fato, funciona como uma fonte de corrente controlada
por tenso e um candidato potencial para efetuar
amplificao. De m odo alternativo, podem os dizer
que o transistor executa uma converso de tenso
para corrente.

(4.7)

Determinemos a corrente Ix na Fig. 4.9(a) para o caso em que Qx e Q2 so idnticos, operam no


modo ativo e K, = V2.

ri TFigura 4.9 (a) Dois transistores idnticos que puxam corrente de Vc, (b) equivalncia com um transistor
com o dobro da rea.

2Em um transistor npn. eltrons llucm do emissor para o coletor. Portanto, a direo convencionada da corrente do coletor para
o emissor.

112

Captulo Quatro

(b)
Figura 4.9

Soluo

(b) (Continuao).

Como lx = /C1 + /(7, temos

(4.11)

Este resultado tambm pode ser visto como a corrente de coletor de um nico transistor cujo
emissor tem rea 2 AE. Na verdade, redesenhando o circuito tal como mostrado na Fig. 4.9(b) e
notando que Q ] e Q 2 esto sujeitos a tenses idnticas nos respectivos terminais, podemos dizer
que os dois transistores esto em paralelo e funcionam como um nico transistor com o dobro
de rea de emissor de cada um.
Exerccio

Exem plo
4.3

Soluo

Repita o exemplo anterior para o caso em que (9, tem emissor com rea A , t Q 2 tem emissor com
rea 8/1

No circuito da Fig. 4.9(a), Q x e Q 2 so idnticos e operam no modo ativo. Determinemos V ] - V2


para que /<, = 10/(7.
Da Eq. (4.9), temos
V\

Aexp
Vr

Ii
ld

Is exp

(4.12)

Vr

portanto,
V1 - V
Vr

exp-

= 10.

(4.13)

Ou seja,
(4.14)

V\ V2 = Vr ln 10

= 300 K.

(4.15)

Igual Eq. (2.109), este resultado era esperado, pois a dependncia exponencial entre Ic e VBE indica
um comportamento similar ao de diodos. Portanto, para nveis tpicos de corrente de coletor, consi
deramos a tenso base-emissor do transistor relativamente constante e da ordem de 0,8 V.
Exerccio

Repita o exemplo anterior para o caso em que


nAn .

e Q2 tm diferentes reas de emissor: A ia =

Fsica de Transistores Bipolares

Exemplo
4.4

Soluo

113

Transistores bipolares discretos tpicos tm uma grande rea, como, por exemplo, 5(X) fim X 500 fim;
os modernos dispositivos integrados, por sua vez, podem ter reas pequenas, como, por exemplo,
0,5 fim X 0,2 fim. Supondo que os outros parmetros dos dispositivos so mantidos, determinemos
a diferena entre as tenses base-emissor de um transistor discreto e de um transistor integrado,
para idnticas correntes de coletor.
Da Eq. (4.9), temos VBE = K7ln(/C// S); logo,
V,iEnu - VniuUs = v , l n ^ .

(4.16)

AS2

onde V/ucim = Vrln (^c/Arc) e Vhms = V^/ ln(/c,//V|) denotam as tenses base-emissor dos dispositivos
integrado e discreto, respectivamente. Como Is A E,
Vn,,, - VnEdis = Vr l n ^ .
A e1
Para este exemplo, A,.pJ A Ey = 2,5

(4.17)

106; portanto,
Vbimu - Vbes = 383 mV.

(4.18)

Na prtica, V,iEint ~ VBEdis est na faixa entre 100 e 150 mV, devido s diferenas entre as larguras
de base e outros parmetros. Aqui, o ponto importante que Vm. = 800 mV uma aproximao
razovel para transistores integrados; este valor deve ser reduzido para cerca de 700 mV para
dispositivos discretos.
Exerccio

Repita a comparao anterior para o caso de um dispositivo integrado muito pequeno, com rea
de emissor de 0,15 fim X 0,15 fim.

Com o m uitas aplicaes envolvem valores de


tenso, a corrente de coletor gerada por um transistor

Exem plo
4.5

bipolar flui, em geral, por um resistor para produzir


uma queda de tenso.

Determinemos a tenso de sada na Fig. 4.10, para o caso Is = 5


Rl

10"16A.

kQ
=-

3 V

-,
+
750 mV

Figura 4.10

Soluo

F
T-

^out
1= I

Estgio simples com polarizao.

Usando a Eq. (4.9), escrevemos /< = 1,69 mA. Esta corrente flui por R, e produz uma queda de
tenso de 1 kl X 1,69 mA = 1,69 V. Como VCE = 3 V - ICR,, obtemos
Vout = 1,31 V.

Exerccio

O que acontece se o valor do resistor de carga for dividido por dois?

(4.19)

114

Captulo Quatro

A Eq. (4.9) revela uma pro p ried ad e interes


sante do transistor bipolar: a corrente de coletor no
depende da tenso de coletor (desde que o disposi
tivo perm anea no m odo ativo). Desta forma, para
um dado valor da tenso base-emissor, o dispositivo
puxa uma corrente constante e atua como uma fonte
de corrente [Fig. 4.1 l(a)]. A Fig. 4.1 l(b ) mostra um

Figura 4.11

4.3.2

(a) Transistor bipolar como fonte dc corrente, (b) caracterstica I/V.

C orrentes de Base e de Em issor

A ps o clculo da corrente de coletor, voltam os a


ateno para as correntes de base e de em issor e
suas dependncias em relao s tenses. Com o o
transistor bipolar deve satisfazer lei das correntes
de Kirchhoff, o clculo da corrente de base tambm
fornece a corrente de emissor.
No transistor npn da Fig. 4.12(a), a corrente de
base, /, resulta do fluxo de lacunas. Recordemos da
Eq. (2.99) que, em uma juno p n sob polarizao
direta, as correntes de lacunas e de eltrons guardam

Figura 4.12

grfico da corrente de coletor em funo da tenso


coletor-em issor: a corrente assume um valor cons
tante para VCE > K,.3 Fontes de corrente constante
encontram aplicao em diversos circuitos eletrnicos
e, neste livro, veremos vrios exemplos de sua utili
zao. Na Seo 4.5, estudarem os o com portam ento
do transistor para VCE < VBE.

uma relao constante, dada pelos nveis de dopagem


e por outros parm etros. Portanto, o nm ero de
lacunas que fluem da base para o em issor uma
frao constante do nm ero de eltrons que fluem
do emissor para a base. Por exemplo, para cada 200
eltrons injetados pelo emissor, uma lacuna deve ser
fornecida pela base.
Na prtica, a corrente de base contm um compo
nente adicional de lacunas. medida que os eltrons
injetados pelo emissor viajam atravs da base, alguns
podem se recom binar com lacunas [Fig. 4 .12(b)j;
em outras palavras, devido recom binao, alguns

Corrente de base resultante dc lacunas (a) que flui para o emissor e (b) recombinao com eltrons.

'Recordemos que V( t > Vx necessrio para assegurar que a juno coletor-base permanece sob polarizao reversa.

Fsica de Transistores Bipolares

eltrons e lacunas so desperdiados. Por exemplo,


em mdia, de cada 200 eltrons injetados pelo emissor,
um se recombina com uma lacuna.
Resumindo, a corrente de base fornece lacunas
tanto para injeo reversa no em issor com o para
recom binao com eltrons que viajam em direo
ao coletor. Portanto, podemos ver / como uma frao
constante de /, ou como uma frao constante de Ic.
comum escrever
k = Pht.

Soluo

(4.21)

- * ( ! + )

Podemos resumir nossas concluses como:


Ic = A exp -^r-

(4.23)

h = \h v e x p ^
p
vr

(4.24)

V'T

(4.20)

onde (3 chamado ganho de corrente do transistor, pois


mostra de quanto a corrente de base "amplificada.
Dependendo da estrutura do dispositivo, o parmetro j3
de transistores npn tem valores tpicos entre 50 e 2(X).
Para calcular a corrente de emissor, aplicam os
a LCK ao transistor, com as direes de correntes
indicadas na Fig. 4.12(a):

Exem plo
4.6

h: = k + h

115

h = t - j r - k CXP TT1P

VT

(4-25)

s vezes til escrever /< = [/3/(/3 + 1)]/,, e repre


sentar /3/(/3 + 1) por a. Para (5 = 1(X), a = 0,99; isto
sugere que a ^ l e / , /, so aproximaes razo
veis. Neste livro,supomos que as correntes de coletor
e de emissor so aproxim adam ente iguais.

Um transistor bipolar tem Is = 5 X 10-16 A e polarizado na regio ativa direta com V,: = 750
mV. Se o ganho de corrente variar entre 50 e 200 devido a variaes de fabricao, calculemos os
valores mnimo e mximo das correntes nos terminais do dispositivo.
Para um dado Vlir., a corrente de coletor permanece independente de (3:
i = A-exp
i
lc
11
Vr
= 1,685 mA.

(4.26)
(4.27)

A corrente de base varia entre /(/200 e /(/50:


8,43 n A < I < 33,7 M -

(4.28)

A corrente de emissor, por sua vez, sofre uma variao pequena, pois, para grandes valores de /3,
/3/(/3 + 1) prximo da unidade:
l,005/c < I,.: < 1,02/c
1,693 mA < lE < 1,719 mA.
Exerccio

4.4

4.4.1

(4.29)
(4.30)

Repita o exemplo anterior para o caso em que a rea do transistor dobrada.

M O D E LO S E CARACTERSTICAS
DE TR A N S IS TO R E S B IP O L A R E S
M o d e lo de G randes S in a is

Com nosso entendim ento do funcionamento do tran


sistor na regio ativa direta e com as Eqs. (4.23) a

(2.25), podem os construir um m odelo que seja til


na anlise e projeto de circuitos - como fizemos no
Captulo 2 para a juno pn.
Com o, no m odo ativo, a ju n o base-em issor
est sob polarizao d ireta, podem os posicionar
um diodo entre os term inais da base e do emissor.
A lm disto, com o a co rren te puxada do coletor e

116

Captulo Quatro

que flui para o em issor depende apenas da tenso


base-em issor, adicionam os um a fonte de corrente
controlada por tenso entre o coletor e o emissor;
assim , obtem os o m odelo m o strad o na Fig. 4.13.

C om o ilustra a Fig. 4.11, essa co rren te independe


da tenso coletor-em issor.
Como podemos assegurar que a corrente que flui
no diodo igual a 1/jS vezes a corrente do coletor?
A Eq. (4.24) sugere que a corrente de base igual
de um diodo com corrente de saturao reversa
/ v//3. Portanto, a juno base-emissor modelada por
um diodo cuja rea da seo reta 1//3 vezes a rea
do emissor.
Dada a interdependncia entre correntes e tenses
em um transistor bipolar, o leitor pode querer saber
das relaes entre causa e efeito. Vemos a cadeia de
dependncias como Vm. /< / > /,.; ou seja, a
tenso base-em issor gera uma corrente de coletor,
que exige uma corrente de base proporcional; a soma
das duas flui pelo emissor.

Figura 4.13 Modelo de grandes sinais para o transistor bipolar


na regio ativa.

Exem plo
4.7

Consideremos o circuito mostrado na Fig. 4.14(a), onde 1SL)X = 5 x 1 0 17A e VHI: = 800 mV. Vamos
supor p = 100. (a) Determinemos as correntes e tenses nos terminais do transistor e compro
vemos que o dispositivo opera, de fato, no modo ativo, (b) Determinemos o valor mximo de R(
que permite operao no modo ativo.

c f 50012

1CC"-2V

1
'B E

(a)
Figura 4.14
de coletor.

Soluo

(a) Estgio simples com polarizao, (b) variao da tenso de coletor em funo da resistncia

(a) Usando as Eqs. (4.23)-(4.25), temos


lc = 1,153 mA

(4.31)

Ib = 11,53 A

(4.32)

//. = 1,165 mA.

(4.33)

As tenses de base e de emissor so iguais a +800 mV e zero, respectivamente. Agora, devemos


calcular a tenso de coletor. Vx. Escrevendo uma LTK para a malha que inclui a bateria de 2 V. R(
e Q|, obtemos
Vcc = R c k + Vx-

(4.34)

Vx = 1,424 V.

(4.35)

Ou seja,

Fsica de Transistores Bipolares

117

Como a tenso de coletor mais positiva que a tenso de base, esta juno est sob polarizao
reversa; logo, o transistor opera no modo ativo.
(b)
O que acontece ao circuito medida que o valor de Rc aumenta? Como a queda de tenso
no resistor, R( IC, aumenta e Vcc constante, a tenso no n X diminui.
O dispositivo se aproxima da fronteira" da regio ativa direta quando a tenso base-coletor cai a
zero, ou seja, Vx ^> +800 mV. Reescrevendo a Eq. (4.33), temos
Vcc - Vx
ic

(4.36)

Rt = 1041 Q.

(4.37)

Rc =

para Vx = +800 mV, o valor de R(

A Fig. 4.14(b) mostra um grfico de Vx em funo de Rc.


Este exemplo implica que existe um valor mximo permitido para a resistncia de coletor,
Rc, no circuito da Fig. 4.14(a). Como veremos no Captulo 5. isto limita o ganho de tenso que o
circuito pode fornecer.
Exerccio

No exemplo anterior, qual o valor mximo permitido de Vcc para que o transistor opere no modo
ativo? Suponha R c = 500 l.

O leitor pode se p erg u n tar por que o circuito


equivalente da Fig. 4.13 ch am ad o m odelo de
grandes sinais. Afinal, ap aren tem en te o exem plo
anterior no contm qualquer sinal! Esta term ino
logia enfatiza que o m odelo p o d e ser usado para
m udanas arbitrariam ente g ran d es nas tenses e
correntes do tran sisto r (d esd e que o dispositivo
opere no m odo ativo). Por exem plo, se a ten so
base-em issor variar en tre 800 mV e 300 mV e, em
conseqncia, a corrente de coletor variar de vrias
ordens de grandeza,4 o m odelo perm anece vlido.
Isto contrasta com o m odelo de pequenos sinais a
ser estudado na Seo 4.4.4.
4.4.2

C aractersticas l/V

O m odelo de grandes sinais leva, de m odo natural,


caracterstica I/V do transistor. Com trs correntes
e tenses terminais, podem os im aginar grficos das
diversas correntes em funo da diferena de poten
cial entre dois terminais - uma tarefa trabalhosa. No
entanto, como explicaremos a seguir, apenas algumas
dessas caractersticas so teis.

A primeira caracterstica a ser estudada , obvia


m e n te ^ relao exponencial inerente ao dispositivo.
A Fig. 4.15(a) m ostra um grfico de I( em funo
de VBE, sob a hiptese de que a tenso de coletor
constante e no m enor que a tenso de base. Como
m ostra a Fig. 4.11, Ic independe de VCE; portanto,
diferentes valores de VCE no alteram a caracters
tica.
E m seg u id a, ex am in am o s Ic p a ra um d ad o
v alo r de V III: e V CE v ariv el. M o strad o na Fig.
4 .1 5 (b ), o g rfico da c a ra c te rstic a um a linha
h o rizo n tal, pois /< co n stan te en q u an to o dispo
sitivo p erm an ecer no m odo ativo (V CE> V bf) - Se
d ifere n tes v alo res forem escolhidos p ara V IIE, o
grfico da caracterstica se desloca para cima ou
p ara baixo.
Os dois grficos da Fig. 4.15 representam as princi
pais caractersticas de interesse na maioria das tarefas
de anlise e projeto. As Eqs. (4.24) e (4.25) sugerem
que as correntes de base e de em issor seguem o
mesmo com portam ento.
O leitor pode se p erguntar o que, exatam ente,
aprendemos das caractersticas I/V. Afinal, em compa-

4Uma mudana de 500 mV em V resulta cm 500 mV/60 mV = 8,3 dcadas dc mudana cm /c.

118

Captulo Quatro

Figura 4.15

Exem plo
4.8

Soluo

Corrente de coletor em funo da tenso (a) base-emissor e (b) coletor-emissor.

Para um transistor bipolar, / s = 5 x 10 17A e /3 = 100. Construamos as caractersticas Ic -V ^ Ic V c *


U f VBE e h r VCE'

Calculemos alguns pontos ao longo da caracterstica /<-VBI por exemplo,


VBfa = 700 mV ^ IC\ = 24,6 //A

(4.38)

Vbei = 750 mV => IC2 = 169 /iA

(4.39)

Vbe = 800 mV => IC3 = 1,153 mA.

(4.40)

O grfico da caracterstica mostrado na Fig. 4.16(a).

(a)

(b)

(d)
(C )
Figura 4.16 (a) Corrente de coletor em funo de VBE, (b) corrente de coletor em funo de VCEi(c) corrente
de base em funo de VBE, (d) corrente de base em funo de Vct:.

Fsica de Transistores Bipolares

119

Usando os valores que acabamos de obter, tambm podemos desenhar o grfico da caracterstica
/<-K( / ,como ilustra a Fig. 4.16(b),e conclumos que o transistor opera como uma fonte de corrente
constante de, por exemplo, 169 /xA se a tenso base-emissor for mantida em 750 mV. Observamos
ainda que, para iguais incrementos em VBI., /< aumenta a passos cada vez maiores: de 26,6 fiA para
169 n A para 1,153 mA. Retornaremos a esta propriedade na Seo 4.4.3.
Para obtermos a caracterstica de /, basta dividir os valores de /< por 100 [Figs. 4.16(c) e (d)].
Exerccio

Qual o valor da mudana em V, que dobra a corrente de base?

rao com as Eqs. (4.23)-(4.25), os grficos no trans


mitem qualquer inform ao adicional. No entanto,
como verem os ao longo do livro, a visualizao de
equaes por meio de grficos como estes facilita o
entendim ento do funcionamento de dispositivos e de
circuitos que os utilizam.
4.4.3

emissor resultar em A/( de 0,1 mA em um transistor


e de 0,5 mA em outro, podemos ver o ltimo como
uma m elhor fonte de corrente controlada por tenso
ou "conversor tenso-corrente.
Para mudanas muito pequenas, a razo AI( /AVni:
tende a d I( ld V m. e, no limite, cham ada transcon
dutncia, g,:

C onceito de Transcondutncia

dl
dVn,

(4.41)
A t aqui, nosso estudo m ostra que o transistor
bipolar atua como uma fonte de corrente controlada
por tenso (quando operado na regio ativa direta). Vale n o tar que esta definio se aplica a qualquer
Uma pergunta im portante cabe aqui: como o desem dispositivo que se com porte com o uma fonte de
penho deste dispositivo pode ser quantificado? Em corrente controlada por tenso (p. ex., outro tipo de
outras palavras, qual a m edida da qualidade de transistor descrito no Captulo 6). Para um transistor
bipolar, a Eq. (4.9) fornece
uma fonte de corrente controlada por tenso?
O
exemplo ilustrado na Fig. 4.1 sugere que o dispo
d (.
Vm, \
(4.42)
sitivo se torna mais forte m edida que K aum enta,
dVm,
pois uma dada tenso de entrada produz uma corrente
de sada maior. Portanto, devem os nos concentrar na
1 .
VBE
(4.43)
propriedade da converso tenso-corrente do tran
Vr Isexp-V7
sistor, pois est relacionada amplificao de sinais.
l_
Particularm ente, perguntamos: se um sinal provocar
(4.44)
VT
uma pequena alterao na tenso base-emissor de um
transistor (Fig. 4.17), qual ser a am plitude da alte
A semelhana entre este resultado e a resistncia de
rao produzida na corrente de coletor? Denotando a
pequenos sinais de diodos [Eq. (3.58)] no coinci
alterao em l c por AIc, conclumos que a fora do
dncia e ficar mais clara no prximo captulo.
dispositivo pode ser representada por A/c/A VHl. Por
A Eq. (4.44) revela que, medida que I, aumenta,
exemplo, se uma alterao de 1 mV na tenso baseo transistor se torna um m elhor dispositivo am pli
ficador e produz m aiores excurses na corrente de
coletor em resposta a um dado nvel de sinal aplicado
entre a base e o emissor. A transcondutncia pode
ser expressa em 1ou siem ens, S. Por exemplo, se
/ ( = 1 mA, com V, = 26 mV, temos
S"i

gm

0,0385 T 1

(4.45)

0,0385 S

(4.46)

: 38,5 mS.

(4.47)

120

Captulo Quatro

Contudo, como veremos ao longo do livro, conve


niente que vejamos gm como o inverso de uma resis
tncia; por exem plo, para I( = 1 mA, podem os
escrever

(4.48)

O conceito de tran scondutncia pode ser visuali


zado com a ajuda da caracterstica I/V do transistor.
Como mostra a Fig. 4.18,gm = d I(/d V BIapenas rep re
senta a inclinao da curva que descreve a carac
terstica I c-V b, em uma dada co rren te de coletor,
7(X),e na correspondente tenso base-em issor, V,m .
Em o u tras palavras, se V,{l: so fre r um a p eq u en a
p ertu rb ao A K e m torno de VBEQy a co rren te de
coletor sofrer uma variao de g, A V em torno
de 7(X), com gm = Io JV T. P ortanto, deve-se escolher
o valor de 7ro tendo em vista o desejado valor de

Exem plo
4.9

gm ou do ganho. D izem os que o tran sisto r pola


rizado na co rren te de coletor 7CX), o que significa
que o dispositivo conduz uma co rren te de polari
zao (ou co rren te q u iescen te) 7C0 na ausncia
de sinais.5

Consideremos o circuito mostrado na Fig. 4.19(a). O que acontece transcondutncia de Ql se a


rea do dispositivo for aumentada por um fator n l
nlco

(a)
Figura 4.19

Soluo

Exerccio

(b)

Transcondutncia produzida por (a) um transistor e (b) n transistores.

Como Is A I s multiplicada pelo mesmo fator. Portanto, /< = Isexp(Vf,./VT) tambm aumenta
pelo mesmo fator n, pois Vlii: constante. Em conseqncia, a transcondutncia aumenta por um
fator n. De outra perspectiva, se n transistores idnticos, cada qual conduzindo uma corrente de
coletor 7G), so conectados em paralelo, o dispositivo composto exibe uma transcondutncia igual
a n vezes aquela de cada um [Fig. 4.19(b)]. Se, por sua vez, a corrente total de coletor permanecer
inalterada, a transcondutncia tambm permanecer inalterada.
Repita o exemplo anterior para o caso em que Vlii:o reduzido por Vrln n.

Tambm possvel estudar a transcondutncia no


contexto da caracterstica I( -Va do transistor, tendo
Vni como parm etro. A Fig. 4.20 m ostra, para duas
diferentes correntes de polarizao / C1 e I(2, grficos

que revelam que, se a operao for em torno de I(7,


uma alterao A V em Vm. resulta em uma maior alte
rao em / ( do que se a operao for em torno de 7n ,
pois gm2 > g.

5A menos que seja especificado de outra maneira, usamos a expresso "corrente de polarizao" para nos referirmos corrente de
polarizao de coletor.

Fsica de Transistores Bipolares

Figura 4.20 Transcondutncia para diferentes correntes de


polarizao de coletor.

A deduo de gmnas Eqs. (4.42)-(4.44) sugere que


a transcondutncia , fundam entalm ente, mais uma
funo da corrente de coletor do que da corrente de
base. Por exemplo, se /< perm anecer constante e /3
variar,g, no sofrer qualquer variao, e /, sim. Por
esta razo, a corrente de polarizao de coletor tem
um papel central na anlise e sntese de circuitos; a
corrente de base vista como um efeito secundrio
e, em geral, indesejvel.
Como mostra a Fig. 4.10, a corrente produzida por
um transistor pode fluir por um resistor e gerar uma
tenso proporcional. Explorarem os esse conceito no
Captulo 5 para projetar amplificadores.
4.4.4

M o d e lo de Pequenos S inais

Circuitos eletrnicos, tais com o amplificadores, po


dem conter um grande nmero de transistores, o que
muito dificulta a anlise e sntese dos mesmos. Recor
demos, do Captulo 3, que diodos podem ser redu
zidos a dispositivos lineares com o emprego do modelo
de pequenos sinais. Um benefcio similar resulta se
pudermos desenvolver um modelo de pequenos sinais
para transistores.

Figura 4.21

121

A deduo do modelo de pequenos sinais a partir


do correspondente m odelo de grandes sinais rela
tivam ente simples. A plicam os uma p ertu rbao
diferena de potencial entre cada dois term inais
(enquanto o terceiro perm anece sob potencial cons
tante), determinamos as alteraes nas correntes que
fluem em todos os terminais e representamos os resul
tados por meio de adequados elem entos de circuitos,
como fontes de corrente controladas e resistores. A
Fig. 4.21 ilustra dois exemplos conceituais, onde VE
ou V CE alterado por AK e as alteraes em I c , I e
/,. so examinadas.
C om ecem os com uma pertu rb ao em V nE,
enquanto a tenso de coletor m antida constante
(Fig. 4.22). Da definio de transcondutncia,sabemos
que
A/c = gm AVlE,

(4.49)

e conclumos que uma fonte de corrente controlada


por tenso, de valor g,AK deve ser conectada entre
o coletor e o emissor. Para simplificar, denotam os
A V he por v ^ e a mudana na corrente de coletor por
gn,VA mudana em V,. gera outra mudana:
A/ = ^

= ^ A V iie.
P

(4.50)
(4.51)

O u seja, se a tenso base-em issor for alterada de


A VBE, a corrente que flui entre esses dois terminais
ser alterada por (u,/j3)AKt, Com o a tenso e a
corrente correspondem aos mesmos dois terminais,
podem ser relacionadas pela Lei de Ohm, isto , por
um resistor conectado entre a base e o emissor, com
valor igual a:

Excitao de transistor bipolar com pequenas perturbaes na tenso (a) base-emissor e (b) coletor-emissor.

122

Captulo Quatro

Figura 4.22

r-r =

A Vm-:
A /

gm'

Desenvolvimento do modelo de pequenos sinais.

(4.52)
(4.53)

Portanto, o diodo com polarizao direta entre base e


emissor modelado por uma resistncia de pequenos
sinais igual a fi/gm. Este resultado era esperado, pois o
diodo conduz uma corrente de polarizao / (/j3 e. da
Eq. (3.58), exibe uma resistncia de pequenos sinais
VT/(Ic/p ) = (3(V r/I t) = (S/gm.
Agora, voltamos a ateno ao coletor e aplicamos
uma perturbao na tenso de emissor (Fig. 4.23). Como
ilustra a Fig.4.11, para
constante,a tenso de coletor
no tem efeito sobre /< ou /, pois I( = / sexp( Vm /V ,) e
I = I( /f3. Como A V(, no provoca qualquer alterao
nas correntes dos terminais, o modelo desenvolvido na
Fig. 4.22 no precisa ser modificado.
O que podemos dizer sobre uma perturbao na
tenso coletor-base? Como estudam os no Exerccio

Figura 4.23

18, esta perturbao tambm no provoca alterao


nas correntes dos terminais.
O sim ples m odelo de p eq u en o s sinais d esen
volvido na Fig. 4.22 uma ferram enta poderosa e
verstil para anlise e sntese de circuitos bipolares.
Vale ressaltar que os dois p arm etros do m odelo,
g, e rw, dependem da co rren te de polarizao do
dispositivo. Com uma grande co rren te de p o lari
zao de coletor, um m aior valor de g, obtido,
mas a im pedncia en tre a base e o em issor passa a
ter valor menor. Com o verem os no C aptulo 5, este
co m portam ento se m ostra in adequado em alguns
casos.
O exemplo anterior no um circuito til. O sinal
do microfone produz uma perturbao em / c, mas o
resultado flui pela bateria de 1,8 V. Em outras pala
vras, o circuito no gera uma sada. No entanto, se a
corrente de coletor flusse por um resistor, uma sada
til seria produzida.
O exemplo anterior dem onstra a capacidade de
amplificao do transistor. Estudarem os e quantifica-

Resposta cio transistor bipolar a uma pequena perturbao em Vc*

Fsica de Transistores Bipolares

Exemplo
4.10

123

Consideremos o circuito mostrado na Fig. 4.24(a), onde v, representa o sinal gerado por um micro
fone,7V= 3 X 10"I6A,/3 = lOOe Qxopera no modo ativo, (a) Se v, = 0, determinemos os parmetros
de pequenos sinais de Q x. (b) Se o microfone gerar um sinal de 1 mV, que mudana ser observada
nas correntes de coletor e de base?

V1
800 m V

(a)
Figura 4.24
sinal.

Soluo

(b)

(a)Transistor com polarizao e excitao de pequeno sinal, (b) circuito equivalente de pequeno

(a) Escrevendo /< = /* exp(Vbe/V j) 9obtemos, para Vm. = 800 mV, uma corrente de coletor de 6,92
mA. Logo,
k
gm ~ VT
1
3,75 Q

(4.54)
(4.55)

e
P
r7T = --8m
= 375 Q.

que

(4.56)
(4.57)

(b) Desenhando o equivalente de pequeno sinal do circuito, mostrado na Fig. 4.24(b),e notando
= v,, obtemos a mudana na corrente de coletor como:
A/c = gmv1

(4.58)

lm V
3,75 Q

(4.59)

= 0,267 mA.

(4.60)

(4.61)

II

>

O circuito equivalente tambm prediz a mudana na corrente de base como

1 mV
375 Q

(4.62)

2,67 /i A.

(4.63)

que, obviamente, igual a A/( //3.


Exerccio

Repita o exemplo anterior para o caso em que Is dividida por dois.

124

Captulo Quatro

Exem plo
4.11

O circuito da Fig. 4.24(a) modificado tal como indica a Fig. 4.25, onde o resistor R( converte a
corrente de coletor em uma tenso, (a) Comprovemos que o transistor opera no modo ativo, (b)
Determinemos o nvel do sinal de sada, admitindo que o microfone produz um sinal de 1 mV.

Figura 4.25

Soluo

Estgio simples com polarizao e excitao de pequenos sinais.

(a) A corrente de polarizao de coletor de 6,92 mA flui por Rc e produz uma queda de potencial
ICRC = 692 mV. A tenso de coletor, igual a Voun, portanto, dada por:

vu, = Vcc - R ck
= 1,108 V.

(4.64)
(4.65)

Como a tenso de coletor (em relao terra) mais positiva que a tenso de base, o dispositivo
opera no modo ativo.
(b)
Como vimos no exemplo anterior, um sinal do microfone de 1 mV leva a uma alterao de
0.267 mA em /<. Ao fluir por R( .essa alterao produz uma mudana de 0,267 mA x 100 = 26,7
mV em VM. Portanto, o circuito amplifica a entrada por um fator de 26,7.
Exerccio

Que valor de R, resulta em uma tenso coletor-base nula?

remos o com portam ento desta e de outras topologias


de amplificadores no prximo captulo.
M odelo de Pequenos Sinais da Fonte de A lim e n
tao Vimos que o uso dos m odelos de pequenos

dades, conclumos que Vcc deve ser substitudo por


uma tenso nula, para representar a variao nula.
Assim, basta que aterrem os a fonte de alimentao
de tenso na anlise de pequenos sinais. De modo
similar, qualquer outra tenso constante no circuito
substituda por uma conexo terra. Para enfatizar
que esse aterram ento vlido somente para sinais, s
vezes dizemos que um n uma terra AC.

sinais de diodos e de transistores pode simplificar a


anlise de m odo considervel. N esta anlise, outros
componentes do circuito tambm devem ser represen
tados por modelos de pequenos sinais. Em particular,
devem os determ inar como a fonte de alim entao 4.4.5 E fe ito Early
de tenso, Vcc, se com porta em relao a pequenas Nosso tratam en to do transistor bipolar esteve, at
perturbaes nas correntes e tenses do circuito.
aqui, concentrado em princpios bsicos e ignorou
O
princpio bsico que a fonte de alimentaoefeitos de segunda ordem no dispositivo, assim como
perm anece (em condies ideais) constante, mesmo as representaes destes nos modelos de grandes e de
que diversas tenses e correntes no circuito sofram pequenos sinais. No entanto, alguns circuitos exigem
alterao ao longo do tempo. Com o a tenso forne que esses efeitos sejam levados em considerao, para
cida no muda e como o m odelo de pequenos sinais que sejam obtidos resultados coerentes. O prximo
do circuito implica apenas perturbaes nas quanti exem plo ilustra esta questo.

Fsica de Transistores Bipolares

Exemplo
4.12

125

Consideremos o circuito do Exemplo 4.11; suponhamos que o valor de R( seja elevado para
200 fl, e o de Vcc, para 3,6 V. Comprovemos que o dispositivo opera no modo ativo e calculemos
o ganho de tenso.

Soluo

A queda de tenso em R( aumenta para 6,92 mA x 200 2 = 1,384 V, o que leva a uma tenso de
coletor de 3,6 V 1,384 V = 2,216 V; isto garante operao no modo ativo. Notemos que, se V( C
no fosse dobrado, Vout = 1,8 V - 1,384 V = 0,416 V; ou seja, o transistor no estaria na regio ativa
direta.
Recordemos, da parte (b) do exemplo anterior, que a mudana na tenso de sada igual ao
produto da mudana na corrente de coletor por Rc. Como R( foi dobrado, o ganho de tenso tambm
deve ser dobrado, alcanando o valor de 53,4. Este resultado pode ser obtido com a ajuda do modelo
de pequenos sinais. A Fig. 4.26 ilustra o circuito equivalente,que fornece v, = gmv j i c = - g invlRc
e, portanto, v0J v x = - g mRc, Com gm = (3,75 l)"1e Rc = 200 , temos voul/vl = -53,4.

Figura 4.26 Circuito equivalente de pequenos sinais do estgio mostrado na Fig. 4.25.
Exerccio

O que aco n tece se Rc = 250 2?

Este exemplo indica uma tendncia importante: se


R c aum entar, o ganho de tenso do circuito tambm
aum enta. Isto significa que,se R c * ,o ganho cres
cer indefinidamente? Ser que outro mecanismo no
circuito, talvez no transistor, limita o ganho mximo
que pode ser obtido? D e fato, o efeito E arly se
traduz em uma no idealidade no dispositivo que
pode limitar o ganho de amplificadores.
Para entender esse efeito, retornem os ao funcio
nam ento interno do transistor e reexaminemos a afir
mao ilustrada na Fig. 4.11: a corrente de coletor

Figura 4.27
elevada.

no depende da tenso de coletor. Considerem os o


dispositivo m ostrado na Fig. 4.27(a), onde a tenso
de coletor um pouco maior que a tenso de base e
a polarizao reversa na juno cria uma regio de
depleo com uma dada largura. Suponhamos agora
que o valor de VC( seja aum entado at o de Vv,.2 [Fig.
4.27(b)], aum entando a polarizao reversa e a largura
da regio de depleo nas reas do coletor e da base.
Como o perfil de carga da base ainda deve cair a zero
na fronteira da regio de depleo, x '2, a inclinao
do perfil aumenta. De modo equivalente, na Eq. (4.8),

(a) Dispositivo hipolar com tenses de polarizao de base e de coletor, (b) efeito de tenso de coletor mais

126

Captulo Quatro

a largura efetiva da base, W, diminui, aum entando a


corrente de coletor. D escoberto por Early,este fen
m eno apresenta alguns problem as interessantes no
projeto de amplificadores (C aptulo 5).
Com o o efeito Early pode ser representado no
m odelo do transistor? Devemos, primeiro, modificar
a Eq. (4.9) para incluir esse efeito. Pode-se provar
que o aum ento na corrente de coletor medida que
VCI. aum enta pode ser expresso, aproxim adam ente,
por um fator multiplicativo:

SIc
SVci;

(4.68)
k_
VA '

(4.69)

<4-67)

onde se sups que V CE VA e, portanto, Ic


Is
exp( Vm./V ,). Esta uma aproxim ao razovel, na
maioria dos casos.
Na Fig. 4.28(b), a variao de I( com VCE revela
que o transistor, na verdade, no opera com o uma
fonte de corrente ideai o que requer que a perspec
tiva mostrada na Fig. 4.1 l(a) seja modificada. O tran
sistor ainda pode ser visto como um dispositivo de
dois terminais, mas com uma corrente que varia um
pouco com Va: (Fig. 4.29).

onde se supe que WH constante e o segundo fator,


1 + VCFIVA, m odela o efeito Early. A grandeza VA
cham ada tenso de Early.
interessante que exam inem os a caracterstica
I/V da Fig. 4.15 na presena do efeito Early. Para um
VCI constante, a dependncia de Ic em relao a Vm:
permanece exponencial, mas com uma inclinao um
pouco maior [Fig. 4.28(a)]. Para um Vltl constante, a
caracterstica I( -V(I: exibe uma inclinao no nula
[Fig. 4.28(b)]. Na verdade, a diferenciao de (4.67)
em relao a V CE fornece

Figura 4.29 Modelo realista do transistor bipolar como uma


fonte de corrente.

( /' p^ r ) ( 1 + ^ ) -

Exemplo
4.13
Soluo

Um transistor bipolar conduz uma corrente de coletor de 1 mA,com VCE= 2 V. Calculemos a tenso
base-emissor quando VA = e VA = 20 V. Vamos supor que Is = 2 X 1 0 "16 A.
Com VA = <*,da Eq. (4.67), temos
Vhe

= V, ln ^

As

760,3 mV.

(4.70)
(4.71)

Fsica de Transistores Bipolares

127

Para VA = 20 V, reescrevemos a Eq. (4.67) como


(

\
k

VHI, = V, ln

(4.72)

*1 + ^ 5 ,

vA /

= 757.8 mV.
Na verdade, para V CE

(4.73)

V^,temos (1 + V CE/VA) 1 ^ 1 - VCE/V it

(4.74)

Vb e * V t | n | + Vr l n ( l - ^ )

7* onde. para 6
Exerccio

(4.75)

r~v

1, admitimos ln(l - e) -e .

Repita o exemplo anterior para o caso em que dois desses transistores so conectados em para
lelo.

M o d e lo s de G randes e de P equenos S in a is

A
presena do efeito Early altera os modelos do tran
sistor desenvolvidos nas Sees 4.4.1 e 4.4.4.0 modelo
de grandes sinais da Fig. 4.13 deve, agora, ser m odi
ficado tal como mostra a Fig. 4.30, onde

Notemos que 1 independe de VCEe ainda dada pela


tenso base-emissor.
No caso do modelo de pequenos sinais, notamos
que a fonte de corrente controlada perm anece inal
terada e g, expresso como
8in

(4.76)

dl
dVm:

(4.79)
(4.80)

(4.77)
(4.81)
//; = k + k -

(4.78)

Da mesma forma,
=

gm
V

(4.82)
(4.83)

C onsiderando que a corrente de coletor varia com


vamos aplicar, agora, uma perturbao na tenso
de coletor e medir a resultante alterao na corrente
[Fig. 4.31(a)]:
Figura 4.30 Modelo de grandes sinais para o transistor bipolar,
incluindo o efeito Early.

/c +

<4'84)

128

Captulo Quatro

Portanto,

Va
A V ce

A /f

Va

(4.85)

que coerente com a Eq. (4.69). Com o as alteraes


de tenso e de corrente correspondem aos mesmos
dois terminais, satisfazem Lei de Ohm e produzem
um resistor equivalente:
A_VCE
_
_ _
A4

Soluo

(4.87)

^ ^

(4.88)

A Fig. 4.31 (b) ilustra o modelo de pequenos sinais, que


contm apenas um elemento adicional, r(), para repre
sentar o efeito Early. Cham ado "resistncia de sada,
r tem um papel importante em amplificadores de alto
ganho (Captulo 5). Vale notar que r er0 so inversamente proporcionais corrente de polarizao Ic.

Um transistor polarizado com uma corrente de coletor de 1 mA. Determinemos o modelo de


pequenos sinais para /3 = 100 e VA = 15 V.
Temos
II
71^

Exem plo
4.14

Vm:
exp "vy"
Vt
/t '
.

(4.89)

1
26 n '

(4.90)

e
gm
= 2600 Q .

(4.91)
4.92^

E tambm
VA
r(, = T
= 15kft.
Exerccio

(4.93)
(4.94)

Que tenso de Early necessria para que a resistncia de sada chegue a 25 kl?

No prximo captulo, retornarem os ao Exemplo


4.12 e d eterm in a rem o s o g an h o do am plificador
na presena do efeito Early. C oncluirem os que o

ganho , afinal, lim itado pela resistncia de sada


r(). A Fig. 4.32 resum e os conceitos estudados nesta
seo.

Fsica de Transistores Bipolares

Uma noo im portante que surgiu do estudo do


transistor foi o conceito de polarizao. D evem os
criar tenses e correntes D C adequadas nos term i
nais do dispositivo para alcanar dois objetivos: (1)
garantir operao no modo ativo
> 0, V(7. ^ 0);
por exemplo, o valor da resistncia de carga conectada
ao coletor est sujeito a um limite superior, para uma
dada tenso de alim entao (Exem plo 4.7); (2) esta
belecer uma corrente de coletor que produza os dese

jados valores para os parm etros de pequenos sinais


g r() e r. A anlise de amplificadores no prximo
captulo explorar em detalhes essas ideias.
Por fim, devem os ressaltar que o m odelo de
pequenos sinais da Fig. 4.31(b) no reflete as limita
es de altas frequncias do transistor. Por exemplo, as
junes base-emissor e base-coletor exibem uma capa
citncia de regio de depleo que afeta a velocidade.
Estas propriedades sero estudadas no Captulo 11.

Caracterstica l/V

Modelo de Grandes
Sinais

129

Modelo de Pequenos
Sinais

OC

' BE
Bfc
(+) 's exp ^!/_

U
exp

V-r

<=>

Efeito Early

Modelo de Pequenos
Sinais Modificado
VCE

B o-

Figura 4.32

4.5

-O

: ro

Resumo dos conceitos estudados at aqui.

O PER A O DE TR A N S IS TO R E S
B IP O L A R E S NO M O D O DE
SATURAO

Como m encionam os na seo anterior, desejvel


operar dispositivos bipolares na regio ativa direta,

onde atuam como fontes de corrente controladas por


tenso. Nesta seo, estudarem os o com portam ento
do dispositivo fora dessa regio e as correspondentes
dificuldades.
Fixemos V,ir em um valor tpico, por exemplo, 750
mV, e variemos a tenso de coletor de um nvel alto

130

Captulo Quatro

Figura 4.33

(a) Transistor bipolar com juno base-coletor sob polarizao direta, (b) fluxo de lacunas para o coletor.

a um nvel baixo [Fig. 4.33(a)]. medida que VCF se


aproxima de Vm. e VHC cresce de um valor negativo
em direo a zero, a juno base-emissor fica sujeita
a uma polarizao reversa decrescente. Para VCE =
Vm:, a juno fica sujeita a uma diferena de tenso
nula, mas sua regio de depleo ainda absorve a
maioria dos eltrons injetados pelo emissor na base.
O que acontece se VCF < Vm,, ou seja, se VBC > 0 e a
juno B-C estiver sob polarizao direta? Dizemos
que o transistor entrou na regio de saturao.
Suponhamos que V(E = 550 mV e, portanto, Vuc =
+200 mV. Sabemos, do Captulo 2, que um diodo tpico

Exem plo

Soluo

sob polarizao direta de 200 mV conduz uma corrente


muito pequena/ Portanto, mesmo neste caso, o tran
sistor continua a operar no m odo ativo e dizemos que
o dispositivo est em "saturao fraca.
Se a tenso de coletor cair mais, a juno B-C
ficar sujeita a uma maior polarizao direta e condu
zir um a corrente significativa [Fig. 4.33(b)]. Em
conseqncia, um grande nm ero de lacunas deve
ser fornecido ao terminal da base - como se /3 fosse
reduzido. Em outras palavras, saturao forte leva a
um abrupto aum ento na corrente de base e, portanto,
a uma rpida diminuio de (3.

Um transistor bipolar polarizado com v = 750 mV e tem valor nominal de /3 igual a 100. Que
intensidade de polarizao direta B-C o dispositivo pode tolerar se /3 no puder sofrer alterao
maior que 10%? Para simplificar, vamos supor que as junes base-coletor e base-emissor tm
estruturas e nveis de dopagem idnticos.
Se a juno base-coletor estiver sob polarizao direta, de modo que conduza uma corrente igual
a um dcimo da corrente de base nominal, /, /3 deve sofrer uma degradao de 10%. Como / =
/c/100, a juno B-C no pode conduzir uma corrente maior que Ic/ 1000. Podemos, ento, perguntar:
que tenso B-C resulta em uma corrente /</1000 se VBE = 750 mV produzir uma corrente de coletor
/c? Admitindo idnticas junes B-E e B-C, temos
Vb e - V,fC = VT l n ^ - V,
As

(4.95)

As

= Vr ln 1000

(4.96)

^ 180 mV.

(4.97)

Ou seja, VBC - 570 mV.


Exerccio

Repita o exemplo anterior para o caso em que Vlilc = 800 mV.

6Cerca de nove ordens de grandeza menor que um diodo sob polarizao direta de 750 mV: (750 mV - 200 mV)/(60 mV/dec)
9 ,2 .

Fsica de Transistores Bipolares

interessan te que estu d em o s o m odelo de


grandes sinais e a caracterstica I/V do tran sisto r
na regio de saturao. C onstrum os o m odelo
m ostrado na Fig. 4.34(a), incluindo o diodo basecoletor. N otem os que a corrente de coletor lquida
dim inui m edida que o dispositivo entra na satu
rao, pois parte da corrente controlada Isle x p (V BE
/ V ,) fornecida pelo diodo B-C e no precisa fluir
do term inal do coletor. Na verdade, com o ilustra a

Figura 4.34

4.16

Fig. 4.34(b), se o coletor estiver aberto, D( ficar


sujeito a uma polarizao direta to intensa que a
corrente se torna igual corrente controlada.
Estas observaes levam caracterstica I/V ilus
trada na Fig. 4.35, onde I( com ea a dim inuir para
valores de VCI: m enores que V,, da ordem de poucos
milivolts. O term o saturao usado porque, nesta
regio de operao, a corrente de base resulta em
pequena alterao na corrente de coletor.

(a) Modelo do transistor bipolar incluindo efeitos de saturao, (b) caso do terminal de coletor aberto.

Figura 4.35 Caracterstica I/V do transistor em diferentes


regies de operao.

Exem plo

131

A lm de um a reduo em j3, a velocidade de


transistores bipolares tam bm sofre degradao na
saturao (Captulo 11). Assim, circuitos eletrnicos
raram ente permitem a operao de dispositivos bipo
lares nesse modo. Como regra emprica, permitimos
saturao fraca, com Vc < 400 mV, pois a corrente
na juno B-C desprezvel, desde que as diversas
tolerncias nos valores dos com ponentes no levem
o dispositivo saturao forte.
E im portante observar que o transistor puxa
corrente de qualquer com ponente conectado ao
coletor, por exemplo, um resistor. Portanto, o com po
nente externo que define a tenso de coletor e, em
conseqncia, a regio de operao.

Para o circuito da Fig. 4.36, determinemos a relao entre Rc e V(<que garante operao na regio
de saturao fraca ou na regio ativa.

!c

(a)

Figura 4.36

(a) Estgio simples, (b) intervalos aceitveis de valores de Vcc c Rc.

132

Captulo Quatro

Soluo

Sob saturao fraca, a corrente de coletor ainda igual a /5exp(V/iE/V l). A tenso de coletor no
pode ficar mais de 400 mV abaixo da tenso de base:
(4.98)

Vcc ~ R c k > VBe ~ 400 mV.


Logo,
Vcc > k R c +

be

(4.99)

- 400 mV).

Para um dado valor de Rc, Vcc deve ser grande o bastante para que Vcc - /( R( ainda mantenha
uma tenso de coletor razovel.
Exerccio

Determine o mximo valor tolervel de R( .

Na regio de saturao forte, a tenso coletoremissor se aproxima de um valor constante chamado


V( i:.si (da ordem de 200 mV). Nesta condio, o tran
sistor no atua como uma fonte de corrente contro
lada e pode ser m odelado tal com o indica a Fig. 4.37.
(A bateria conectada entre C e E indica que, sob satu
rao forte, V(1.: relativam ente constante.)

j +
800 mV y

+]_

C
200 mV

jT
6

4.6

TR AN S IS TO R E S PNP

A t aqui, estudam os a estrutura e propriedades do


transistor npn, em que emissor e coletor so feitos de
materiais do tipo w, e a base, de um material de tipo
p. natural que nos perguntem os se as polaridades
dos dopantes podem ser invertidas nas trs regies,
form ando um dispositivo p n p . Mais im portante
ainda, podemos nos perguntar qual seria a utilidade
de um dispositivo como este.
4.6.1

Estrutura e O perao

Figura 4.37

Modelo do transistor sob saturao forte.

(a)

(c)

A Fig. 4.38(a) m ostra a estrutura de um transistor


pnp, em que enfatizado que o emissor fortem ente

(b)

(d)

Figura 4.38 (a) Estrutura de transistor pnp, (b) fluxo de corrente no transistor pnp, (e) polarizao adequada, (d) viso mais
intuitiva de (c).

Fsica de Transistores Bipolares

Modo
Ativo

Fronteira da
Saturao

133

Modo de
Saturao

+ 0

Modo
Ativo

r<!
(a)
Figura 4.39

r<

+ 0

Modo de
Saturao

rf

(b)

(a) Polaridades de tenso e corrente em transistores n p n e p n p , (b) ilustrao das regies ativa e de saturao.

dopado. Assim como no caso do dispositivo npn, a


operao na regio ativa requer que a juno baseemissor esteja sob polarizao direta, e a juno do
coletor, sob polarizao reversa. Ou seja, VBH < 0 e
V b c > 0. Nesta condio, os portadores majoritrios
no emissor (lacunas) so injetados na base e varridos
em direo ao coletor. Um perfil linear de lacunas
form ado na regio da base para perm itir a difuso.
Um pequeno nm ero de portadores m ajoritrios da
base (eltrons) injetado no emissor ou se recombina
com lacunas na regio da base, criando a corrente
de base. A Fig. 4.38(b) ilustra o fluxo de portadores.
Todos os princpios de funcionam ento e equaes
descritas para o transistor npn tam bm se aplicam
ao dispositivo pnp.
A Fig. 4.38 (c) ilustra o smbolo do transistor pnp,
juntam ente com as fontes de tenso constante que
polarizam o dispositivo na regio ativa. A o contrrio
da polarizao de um transistor npn, mostrada na Fig.
4.6, aqui as tenses de base e de coletor so menores
que a tenso de emissor. Seguindo a conveno de
posicionar os ns mais positivos na parte de cima,
redesenham os o circuito tal com o m ostra a Fig.
4.38(d), para enfatizar que V eb > 0 e VV > 0 e para
ilustrar a verdadeira direo do fluxo de corrente em
cada terminal.
4.6.2

Fronteira da
Saturao

M o d e lo de G randes S in a is

As polaridades de co rren tes e tenses em tra n


sistores npn e p n p podem dar origem confuso.

Resolvem os esta questo com as seguintes obser


vaes: (1) A co rren te (convencional) sem pre flui
de um n positivo (ou seja, na p arte su perior do
diagram a) para um n de potencial mais baixo (na
parte de baixo do diagram a). A Fig. 4.39(a) m ostra
dois ram os com transistores npn e pnp\ no caso de
dispositivos npn, a corrente (convencional) flui do
coletor para o emissor, e no caso de dispositivos pnp,
do em issor para o coletor. C om o a corrente de base
deve ser includa na corrente de emissor, notam os
que / | e I( l se som am a
enq u an to Il2 p erd e
/ /2 antes de em ergir como I( 2. (2) A distino entre
as regies ativa e de saturao baseada na polari
zao da juno B-C. Os diferentes casos so resu
midos na Fig. 4.39(b), onde a posio relativa dos ns
da base e do coletor reflete a diferena de potencial
en tre os mesmos. N otam os que um transistor npn
est no m odo ativo se (a ten so do) co letor no
estiver abaixo (da tenso) da base. Para o disposi
tivo pn p , o coletor no deve estar acima da base. (3)
As equaes da corrente npn (4.23)-(4.25) devem
ser modificadas para dispositivos p n p da seguinte
forma:
.
Kwi
kexp
Vr
Is
Veb
r xp^ P+ 1,
V,.:
p
Xp V,

(4.100)
(4.101)
(4.102)

134

Captulo Quatro

onde as direes das correntes so definidas na Fig.


4.40. A nica diferena entre as equaes npn e pnp
se refere tenso base-emissor que aparece no expo
ente. Este resultado era esperado, pois Vlit. < 0 para
dispositivos pnp e deve ser alterado para VE para
criar um term o exponencial grande. O efeito Early
pode ser includo como

Exem plo

4.17

= ( w

^ ) ( l + ^ ) .

(4.103)

No circuito mostrado na Fig. 4.41, determinemos as correntes nos terminais de C?, e comprovemos
a operao na regio ativa direta. Vamos supor Is = 2 X IO-16 A, /3 = 50 e VA = oo

-f-

ki rs1

Figura 4.41

S oluo

__+

T-

*c = ;

= - 2V
200

Estgio simples com transistor pnp.

Temos VEB = 2 V 1,2 V = 0,8 V; logo,


/c = /sexp Veb
Vr
4,61 mA.

(4.104)

l/i 92,2 \iA

(4.106)

E = 4,70 mA.

(4.107)

(4.105)

Portanto,

Agora, devemos calcular a tenso de coletor e, portanto, a polarizao na juno B-C. Como Rc
conduz /(>
Vx = R d e
= 0,922 V,

(4.108)
(4.109)

que mais baixo que a tenso de base. Usando a ilustrao na Fig. 4.39(b), conclumos que (J, opera
no modo ativo, o que justifica o uso das equaes (4.100)-(4.102).
Exerccio

Qual o mximo valor de Rc para que o transistor permanea sob saturao fraca?

Vale mencionar que alguns livros partem do pres


suposto de que todas as correntes de terminais lluem
para o dispositivo, o que exige que o lado direito das
Eqs. (4.100) e (4.101) seja m ultiplicado por um sinal

negativo. Contudo, m anterem os nossa notao, pois


reflete as verdadeiras direes das correntes e mostrase mais eficiente na anlise de circuitos que contm
vrios transistores npn e pnp.

Fsica de Transistores Bipolares

Exemplo
4 .1 8

No circuito da Fig. 4.42, Vin representa um sinal gerado por um microfone. Determinemos Vu, para
Vin = 0 e Vin = +5 mV, com Is = 1,5 X 1Q-6A.

Figura 4.42

Soluo

135

Estgio pnp com tenses de polarizao e de pequeno sinal.

Para Vin = 0, VKH= +800 mV e temos


/
^ EB
/.s-exp

(4.110)

3,46 mA.

(4.111)

1-038 V.

(4.112)

4/ ki ,= o =

Logo,

Se Vmaumentar para +5 mV, VEB = +795 mV e


Ic 1v,=+5 mv = 2,85 mA.

(4.113)

resultando cm
Vou,

0,856 V.

(4.114)

Notemos que, medida que a tenso de base aumenta, a tenso de coletor diminui: um comporta
mento similar ao de dispositivos npn nas Figs. 4.25. Como uma perturbao de 5 mV em Vln leva a
uma mudana de 182 mV em Voun o ganho de tenso igual a 36,4. Estes resultados so obtidos de
maneira mais direta com o emprego do modelo de pequenos sinais.
Exerccio

4.6.3

Determine Voul se Vin = - 5 mV.

M o d e lo de Pequenos S inais

Como o modelo de pequenos sinais representa pertur


baes nas tenses e correntes, esperam os que tran
sistores npn e p n p tenham m odelos sem elhantes.
O m odelo de pequenos sinais do transistor p n p
ilustrado na Fig. 4.43(a) e, de fato, idntico ao do
dispositivo npn. Seguindo a conveno indicada na
Fig. 4.38(d), s vezes desenham os o m odelo tal como
mostra a Fig. 4.43(b).
O leitor pode observar que, no m odelo de
pequenos sinais, as correntes dos term inais tm dire

es opostas s do m odelo de grandes sinais da Fig.


4.40. Isto no uma inconsistncia e estudado no
Exerccio 49.
O
m odelo de pequenos sinais do transistor pnp
pode dar origem a confuso, especialm ente se for
desen h ad o tal com o na Fig. 4.43(b). Em analogia
com tran sisto res npn, podem os supor, de m odo
autom tico, que o term inal su p erio r o coletor
e, portanto, o m odelo da Fig. 4.43(b) no idntico
ao da Fig. 4.31(b). C ham am os a ateno do leitor
quanto a esta confuso. Neste ponto, alguns exem
plos so teis.

136

Captulo Quatro

Exem plo
4.19

Se o coletor de um transistor bipolar for conectado base, o resultado um dispositivo de dois


terminais. Determinemos a impedncia de pequenos sinais dos dispositivos mostrados na Fig. 4.44(a).
Vamos admitir VA = oc.

(a)
Figura 4.44

Soluo

Substitumos o transistor bipolar Q ] por seu modelo de pequenos sinais e aplicamos uma tenso
de pequeno sinal ao dispositivo [Fig. 4.44(b)]. Notamos que rn conduz uma corrente igual a vx/rv e
escrevemos a LCK para o n de entrada:
vx .

-----\-gmVx = *xr*

(4.115)

Visto que gtnrn = / * ! , temos


1
vx _________
ix ~ gm + r - 1
1
^ __
gm
= Vr

(4.116)

(4.117)
(4.118)

Ic'

interessante observar que, com uma corrente de polarizao Ic, o dispositivo exibe uma impe
dncia similar de um diodo que conduz a mesma corrente de polarizao. Esta estrutura chamada
transistor conectado como diodo. Os mesmos resultados se aplicam configurao pnp na
Fig. 4.44(a).
Exerccio

Qual a impedncia de um dispositivo conectado como diodo que opera em uma corrente de
1 mA?

Fsica de Transistores Bipolares

Exemplo
4 .2 0

137

Desenhemos os circuitos equivalentes de pequenos sinais para as topologias mostradas nas Figs.
4.45(a)-(c) e comparemos os resultados.

-r- Vicc

CC

+
out
vo\.

out
'out

'injj
(b)

(a)

(c)

VK ()

V71

Rc % VOUt

....

(d)

'out

(c)

trp % =

* in Q \ rn 0 vn

(>9mvn

^rO

VK gmvn
Jt *

'out

R c ? v{
'out

(0
Figura 4.45 (a) Estgio simples com um transistor np n, (b) estgio simples com um transistor p n p , (c) outro
estgio p n p , (d) equivalente de pequenos sinais de (a), (e) equivalente dc pequenos sinais de (b), (f) equiva
lente de pequenos sinais de (c).

Soluo

Como ilustram as Figs. 4.45(d)-(f), substitumos cada transistor por seu modelo de pequenos sinais
e aterramos a fonte de alimentao. Notamos que as trs topologias se reduzem ao mesmo circuito
equivalente, pois, na representao de pequenos sinais, ^cc aterrado.

Exerccio

Repita o exemplo anterior para o caso em que um resistor conectado entre o coletor e a base de
cada transistor.

138

Captulo Quatro

Exem plo
4.21

Desenhemos o circuito equivalente de pequenos sinais para o amplificador mostrado na


Fig. 4.46(a).

(b)
Figura 4.46

(a) Estgio com dispositivos npn e pnp, (b) equivalente de pequenos sinais de (a).

Soluo

A Fig. 4.46(b) ilustra o circuito equivalente. Notemos que rol9 Rn e rv2 aparecem em paralelo. Esta
observao simplifica a anlise (Captulo 5).

Exerccio

Mostre que o circuito ilustrado na Fig. 4.47 tem o mesmo modelo de pequenos sinais que o ampli
ficador do exemplo anterior.
j-

cc
'out

Figura 4.47

4.7

Estgio com dois dispositivos npn.

R E S U M O DO CAPTULO

Uma fonte de corrente controlada por tenso pode


formar um amplificador em conjunto com um resistor.
Transistores bipolares so dispositivos eletrnicos
que podem operar como fontes de corrente contro
ladas por tenso.
Um transistor bipolar consiste em duas junes pn e
trs terminais: base, emissor e coletor. Os portadores
fluem do emissor para o coletor e so controlados
pela base.
Para funcionamento adequado, a juno base-emissor
deve estar sob polarizao direta, e a juno basecoletor,sob polarizao reversa (regio ativa direta).
Portadores injetados pelo emissor na base se apro

ximam da fronteira da regio de depleo do coletor


e so varridos pelo intenso campo eltrico.
O terminal da base deve fornecer um pequeno
fluxo de portadores, alguns dos quais seguem para
o emissor e alguns outros se recombinam na regio
da base. A razo entre as correntes de coletor e de
base denotada por (5.
Na regio ativa direta, o transistor bipolar exibe uma
relao exponencial entre a corrente de coletor e a
tenso base-emissor.
Na regio ativa direta, um transistor bipolar se
comporta como uma fonte de corrente constante.
O modelo de grandes sinais do transistor bipolar
consiste em uma fonte de corrente - conectada entre
coletor e emissor - com dependncia exponencial em

Fsica de Transistores Bipolares

relao tenso e um diodo (que descreve a corrente


de base) - conectado entre base e emissor.
A transcondutncia de um transistor bipolar dada
por gm= I(/V Te independe das dimenses do dispo
sitivo.
O modelo de pequenos sinais de um transistor bipolar
consiste em uma fonte de corrente com dependncia

139

linear em relao tenso, uma resistncia conectada


entre base e emissor e uma resistncia de sada.
Se a juno base-coletor estiver sob polarizao
direta, o transistor bipolar entra na regio de satu
rao e seu desempenho fica degradado.
Os modelos de pequenos sinais de transistores npn
e pnp so idnticos.

EXERCCIOS
Nos exerccios a seguir, a menos que seja especificado
de outra maneira, suponha que os transistores bipolares
operam no modo ativo.
4.1 Suponha que a fonte de corrente controlada por

tenso da Fig. 4.1 (a) seja construda com K = 20


mA/V. Que valor da resistncia de carga na Fig.
4.1 (b) necessrio para se obter um ganho de tenso
de 15?

(a) Calcule V,{ de modo que Ix = 1 mA.


(b) Com o valor de VHcalculado em (a), escolha o
valor de para que IY = 2,5 mA.
4.7 Considere o circuito mostrado na Fig. 4.50.

(a) Se / v, = 2/.V2 = 5 x 10-16 A, determine


para
que Ix = 1,2 mA.
(b) Que valor de Rc coloca o transistor na fronteira
do modo ativo?

4.2 Na Fig. 4.2, uma resistncia Rs conectada em srie

com a fonte de tenso de entrada. Determine V(H/Vin.


4.3 Repita o Exerccio 2 supondo que rine K esto rela

cionados:
= ci/x e K = b x . Esboce o grfico do
ganho de tenso em funo de x.
4.4 Devido a um erro de fabricao, a largura da base

de um transistor bipolar foi aumentada por um fator


de dois. Que alterao sofre a corrente de coletor?
4.5 No circuito da Fig. 4.48, foi observado que as

correntes de coletor de Qxe Q2 so iguais se VV. VBin ~ 20 mV. Determine a razo entre as reas
das sees retas dos transistores, admitindo que os
outros parmetros dos dispositivos so iguais.

4.8 Repita o Exerccio 7 para o caso em que Vcc redu

zido para 1,5 V.


4.9 Considere o circuito mostrado na Fig. 4.51. Calcule

#C1
^BE1 j r " T -

'

^BE2 J

C2

o valor de VHque coloca (?, na fronteira da regio


ativa. Suponha Is = 5 X 10~16A.

T * ?
_t -1/cc=2V

Figura 4.48

4.6 No circuito da Fig. 4.49, /51 = In = 3

IO"16A.
/Y

JT
IFigura 4.51

4.10 No circuito da Fig. 4.52, determine o mximo valor


Figura 4.49

de Vcc que coloca Qxna fronteira da regio de satu


rao. Suponha Is = 3 X 10"16A.

140

Captulo Quatro
4.16 No circuito mostrado na Fig. 4.56, / V1 = 21n = 4
1 k2

10"16A. Se j3, = /32 = 100 e Rx = 5 k2, calcule o valor


de V,{ para que Ix = 1 mA.

^^cc=2V
1
-Wr10 k 2

Figura 4.52

4.11 Na Fig. 4.53, calcule Vx se Is = 6

1016A.
Figura 4.56

1,5 V

4.17 No circuito da Fig. 4.56, Isl = 3 X I O 16 A, Ia = 5 X


10"16A, /3, = /32 = 100, Rx = 5 kl e l/ = 800 mV.
Calcule x e IY-

JT
i-

1 kl>

Figura 4.53

4.12 Um circuito integrado requer duas fontes de

corrente: /, = 1 mA e /2 = 1,5 mA. Supondo que


apenas mltiplos inteiros de um transistor bipolar
com Is = 3 X 10 16 A podem ser conectados em
paralelo e que apenas uma fonte de tenso. Vw,est
disponvel (Fig. 4.54), construa o circuito desejado
com o nmero mnimo de transistores.

4.18 A juno base-emissor de um transistor alimentada


por uma tenso constante. Suponha que uma fonte de
tenso seja aplicada entre a base e o coletor. Admi
tindo que o dispositivo opere na regio ativa direta,
prove que uma alterao na tenso base-coletor no
provoca qualquer mudana nas correntes de coletor
e de base. (Despreze o efeito Early.)
4.19 Um transistor com Is = 6 X IO"16A deve prover uma
transcondutncia de 1/(13 2). Qual a necessria
tenso base-emissor?
4.20 A maioria das aplicaes requer que a transcondu
tncia de um transistor permanea relativamente
constante medida que o nvel de sinal varia. Como
0 sinal altera a corrente de coletor, claro que gm =
I( /V , varia. No entanto, um projeto adequado asse
gura uma variao desprezvel, por exemplo 10%.
Se um dispositivo bipolar for polarizado em /< =
1 mA, qual a mxima alterao em VBt que asse
gura uma variao de apenas 10% em gm?

Unitrio
Figura 4.54

4.13 Repita o Exerccio 12 para o caso de trs fontes de

4.21 Determine o ponto de operao e o modelo de


pequenos sinais de (?, para cada um dos circuitos
mostrados na Fig. 4.57. Suponha Is = 8 X 10 16A,
/3 = 100 eV A = oo.

corrente: /, = 0,2 mA. I2 = 0,3 mA e /3 = 0,45 mA.


Rc k

4.14 Considere o circuito mostrado na Fig. 4.55; suponha

/3 = 100e/ = 7 X 10_l6A.Se /?, = 10 kl, determine


VB de modo que Ic = 1 mA.
0 ,8

5 0 2

zt-l/cc=2,5V

lA '
(a)
1 k2

---------VA------10

JJ A

$rVcc= 2-5 v

t,

Figura 4.55

4.15 No circuito da Fig. 4.55, VB = 800 mV e

Calcule a corrente de coletor.

(b)

= 10 k l
Figura 4.57

Fsica de Transistores Bipolares

141

onde a um coeficiente constante. Construa o modelo


de pequenos sinais do dispositivo se I( ainda for igual
a /.vexp(VV/V7).

1 k L2
~ r ~ V c c = 25 V

4.25 A tenso de coletor de um transistor bipolar varia

de 1 V a 3 V, enquanto a tenso base-emissor perma


nece constante. Que tenso de Early necessria
para assegurar que a corrente de coletor sofra uma
alterao menor que 5%?

(c)
Figura 4.57

(Continuao).

4.26 No circuito da Fig. 4.59,/ s = 5 X 10 17A. Determine


4.22 Determine o ponto de operao e o modelo de

Vx para (a) VA = oo e (b) VA = 5 V.

pequenos sinais de Ql para cada um dos circuitos


mostrados na Fig. 4.58. Suponha Is = 8 X 10~16A.
P = 1 0 0 c V A = oo.

^ c c = 2 .5 V

4.23 Um transistor bipolar fictcio exibe uma caracters

tica Ic-V/fE dada por


/c = /sexp Vhf.
nVi

(4.119)

onde n um coeficiente constante. Construa o


modelo de pequenos sinais do dispositivo se /< ainda
for igual a /3/.

Figura 4.59

4.27 No circuito da Fig. 4.60, Vcc muda de 2,5 para 3 V.

Supondo que Is = 1 X 1017A e VA = 5 V, determine


a alterao na corrente de coletor de Q x.
4.28 No Exerccio 27, queremos diminuir Vn para com

'c c -

pensar a alterao em 7C. Determine o novo valor


de VB.

^C C =2V

Rc 2 kQ

vcc
H

1 kQ

0,8 V

jr v
i -

(b)

'

t
Figura 4.60

4.29 Considere o circuito mostrado na Fig. 4.61, onde /,

uma fonte de corrente ideal de 1 mA e Is = 3


IO"17A.

(c)
( i ) 1 mA

cc

< ,

:2 V

Oi
(d)
Figura 4.58

Figura 4.61

4.24 Um transistor bipolar fictcio exibe a seguinte relao

entre suas correntes de base e de coletor:


k = */*.

(4.120)

(a) Supondo VA oc, determine V,{ de modo que


I( = 1 mA.
(b) Se VA = 5 V, determine V,{para que Ic = 1 mA,
para uma tenso coletor-emissor de 1,5 V.

142

Captulo Quatro

4.30 Uma fonte de corrente bipolar foi projetada com uma

corrente de sada de 2 mA. Que valor de VA garante


uma resistncia de sada maior que 10 k l?

100 k i
Vcc = 2,5 V

Q^

4.31 No circuito de Fig. 4.62, n transistores idnticos

so conectados em paralelo. Se Is = 5 X 10_,>A e


VA = 8 V para cada dispositivo, construa o modelo
de pequenos sinais do transistor equivalente.

Figura 4.65

4.35 Considere o circuito mostrado na Fig. 4.66, onde Is =

5 X IO-16 A e VA = oo. Se VB for escolhido de modo


que a juno base-coletor fique sob polarizao direta
de 200 mV, qual o valor da corrente de coletor?

yB= 0,8 V

mn

/CC=2,5V
1 kQ

Figura 4.62

4.32 Considere o circuito mostrado na Fig. 4.63, onde

s = 6 x IO"16A e VA = oo.

Figura 4.66

4.36 No circuito da Fig. 4.67, /3 = 100 e VA = <*>.Calcule

^ U CC=2,5V

o valor de ls para que a juno base-coletor fique


sob polarizao direta de 200 mV.

- rV c c = 2,5\l

Figura 4.63

(a) Determine Vf de modo que Qxopere na fron


teira da regio ativa.
(b) Se permitirmos saturao fraca, como, por
exemplo, com uma polarizao direta de
200 mV na juno coletor-base, de quanto
V,{pode aumentar?

Figura 4.67

4.37 Na Fig. 4.68, se Isl = 3/^ = 6

I O 16A. calcule lx.

L o ,8 2 V

CM

4.33 Para o circuito mostrado na Fig. 4.64, calcule o valor

mnimo de Vcc que produz uma polarizao direta


de 200 mV na juno coletor-base. Suponha Is =
7 X 10"16A e VA = oo.

^ c c

1,7 V-

+
-

Figura 4.68

1 kLl

4.38 Na Fig. 4.69, determine a corrente de coletor de Qx


cc

se Is = 2

10 ,7Ae/ 3 = 100.

H Z*
50 kl
% -----

Figura 4.64

4.34 Na Fig.4.65,suponha Is = 2 X 1017A, VA =

p=
100. Qual o mximo valor de Rc para que a juno
coletor-base fique sujeita a uma polarizao direta
menor que 200 mV?

Vc c - r 2 V
1,7 V

Figura 4.69

Fsica de Transistores Bipolares

143

4.39 No circuito da Fig. 4.70, foi observado que /< = 3


mA. Se [3 = 100, calcule /*.

23 kQ

VA-----

'1

^cc

1,5 V

H i
Figura 4.70

2k.

4.40 Determine o valor de Is na Fig. 4.71 de modo que


Qxopere na fronteira do modo ativo.

2,5 V

(c)

Figura 4.74

(Continuao)

4.44 Determine o ponto de operao e o modelo de


pequenos sinais de Qxpara cada circuito mostrado
na Fig. 4.75. Suponha / s = 3 X 10~17A, /3 = 100 e

Vb = M \ / -

VA =

Figura 4.71

4.41 Na Fig. 4.72, que valor de /3 coloca Q, na fronteira


do modo ativo? Suponha Is = 8 X I O 16A.
100 k Q
VVY
Wr

1,5 V
(a)

1 k2

Figura 4.72

4.42 Calcule a corrente de coletor de Qx na Fig. 4.73 se


/ v = 3 X 10-,7A.
(b)

0,5

1 k2

mA0

2,5 V

vc c ~=F 2.5 V

rr

1V

Figura 4.73

4.43 Determine o ponto de operao e o modelo de


pequenos sinais de Qxpara cada circuito mostrado na
Fig. 4.74. Suponha Is = 3 X IO"17A, 0 = 100 eVA =<*>.

1,7 V

(c)

Figura 4.75

4.45 No circuito da Fig. 4.76, / v = 5 X 1017A. Calcule Vx


para (a) VA = t (b) VA = 6 V.

n rH tj j

1-7 V - r

I-

i/

500 2 t

(a)
Figura 4.73

V c c j f - 2,5 V

Figura 4.76

144

Captulo Quatro

4.46 Uma fonte de corrente pnp deve produzir uma corrente

de sada de 2 mA. com uma resistncia de sada de 60


k l. Qual a necessria tenso de Early?
4.47 Repita o Exerccio 46 para uma corrente de 1 mA

e compare os resultados.
4.48 No circuito da Fig. 4.77, suponha VA = 5 V.

rr~ t^ i
1,7 V J L

x\

4.52 Determine a regio de operao de

em cada
circuito mostrado na Fig. 4.80. Suponha Is = 5 X
1 0 16A, /3 = 100 eV A =o.

Re
t %------

Rb
Re
|WtWi------

-k 1

' k 1

+
VcC -r~ 2,5 V

l/cc^ 2 , 5 V

~
'c c ^ - 2 ,5 V

3 k2

(b)

(a)

Re
Figura 4.77

(a) Que valor de Is coloca C?, na fronteira do modo


ativo?
(b) Que alterao sofre o resultado de (a) se VA = <?

^cc
3002:

2,5 V

-I

1 k l

4.49 No modelo de pequenos sinais da Fig. 4.43, as

correntes dos terminais no parecem corresponder


s do modelo de grandes sinais da Fig. 4.40. Explique
por que isto no uma inconsistncia.

(d)

(c)

4.50 Considere o circuito ilustrado na Fig. 4.78, onde Is

= 6 X IO"16A, VA = 5 V e /, = 2 mA.

*cc

I-

2,5 V

-I

'1

Figura 4.80

4.53 Considere o circuito mostrado na Fig. 4.81, onde

Avi = 3/y2 = 5 X I O 16A,


e R( = 500 .

Figura 4.78

= 100,

= 50, VA =

oo

(a) Que valor de VHresulta em Vx = 1 V?


(b) Se o valor de V,{encontrado em (a) for alterado
em 0,1 mV, qual ser a mudana correspondente
em VX1
(c) Construa o modelo de pequenos sinais do tran
sistor.
4.51 No circuito da Fig. 4.79, /3 = 100 e VA = <.

(a) Determine o valor de Is tal que a juno coletorbase de (J, fique sujeita a uma polarizao direta
de 200 mV.
(b) Calcule a transcondutncia do transistor.

360 k2
---- % -----

{O *

*CC
-I

2,5 V

Figura 4.81

(a) Desejamos que a juno coletor-base de Q2fique


sujeita a uma polarizao direta de no mais que
200 mV. Qual o mximo valor permitido para
V
r m?*
(b) Com o valor encontrado em (a), calcule os par
metros de pequenos sinais de e d e Q 2e cons
trua o circuito equivalente.
4.54 Repita o Exerccio 53 para o circuito mostrado na

Figura 4.79

Fig. 4.82; mas, para a parte (a), determine o valor

Fsica de Transistores Bipolares

mnimo permitido para V,n. Comprove que Qxopera


no modo ativo.

4.56 No circuito da Fig. 4.84, Isl = 2/tV2 = 6

145

10 17 A,

/3, = 80, /32 = 100.

-Vcc=2,5V

Kout

Figura 4.82

Figura 4.84

4.55 Repita o Exerccio 53 para o circuito da Fig. 4.83.

_t -Vcc=2,5V
'out

Vin

(a) Que valor de Vinproduz uma corrente de coletor


de 2 mA em Q27
(b) Com o valor encontrado em (a), calcule os par
metros de pequenos sinais de e de Q2e cons
trua o circuito equivalente.

Figura 4.83

EXERCCIOS

COM SPICE

Nos exerccios a seguir, suponha I^npn = 5 x 10 16 A,


PnPn = 100, VAnpn = 5 V, ISpnp = 8 x 10- A, Ppnp = 50,
Va,pp = 3,5 V.
4.57 Para o circuito mostrado na Fig. 4.85, considere

4.59 Para os circuitos mostrados na Fig. 4.87, desenhe os

grficos de Icl e /C2em funo de Vin, para 0 < Vin<


1,8 V. Explique a drstica diferena entre as duas
correntes.

0 < Vin < 2,5 V e desenhe o grfico da caracterstica


entrada/sada. Que valor de Vin coloca o transistor
na fronteira da regio de saturao?
fC1

VCC=2,5V

(a)

Figura 4.85

4.58 Repita o Exerccio 57 para o estgio mostrado na

Fig. 4.86. Que valor de Vin faz com que (2, conduza
uma corrente de coletor de 1 mA?
Figura 4.87

4.60 Para o circuito da Fig. 4.88, desenhe o grfico da

Figura 4.86

caracterstica entrada/sada, para 0 < Vin < 2 V.


Que valor de Vin produz uma transcondutncia de
(50 ) 1para Q,?

146

Captulo Quatro

conduzam iguais correntes de coletor? Voc pode


explicar este resultado de maneira intuitiva?

Figura 4.88

4.61 Para o estgio mostrado na Fig. 4.89, desenhe o


grfico da caracterstica entrada/sada, para 0 <
Vin < 2,5 V. Que valor de Vin faz com que (?, e Q2

CA P I T U L O

Amplificadores
Bipolares
D epois de descreverm os a fsica e o funcionam ento
de transistores no C aptulo 4, tratarem o s agora de
circuitos amplificadores que em pregam esses dispo
sitivos. E m bora a rea de m icroeletrnica envolva
m uito m ais que am plificadores, nosso estu d o de

A nlise do Ponto de Operao

Conceitos Bsicos
Im pedncias de Entrada
e de Sada

telefones celulares e de cm eras digitais no C ap


tulo 1 indicou o uso dissem inado de am plificao;
isto nos m otiva a dom inar a anlise e sntese desses
blocos bsicos. E ste cap tu lo seguir o seguinte
roteiro:

Topologias de Am plificadores

Polarizao Sim ples

Estgio Em issor Comum

Degenerao do Emissor

Estgio Base Comum

Polarizao

A utopolarizao

Seguidor de Em issor

Anlise DC e de Pequenos
Sinais

Polarizao de D ispositivos
PNP

Este captulo estabelece as bases para o restante


do livro e bem longo. A m aior parte dos conceitos
apresentados aqui invocada de novo no Captulo 7
(Amplificadores MOS). Sugerimos ao leitor, portanto,
fazer pausas freqentes para absorver o m aterial em
pequenas doses.

5.1

C O N S ID E R A E S G ER A IS

Recordem os, do C aptulo 4, que uma fonte de


corrente controlada por ten so em conjunto com
um resistor de carga pode form ar um amplificador.
Em geral, um amplificador produz uma (tenso ou
corrente de) sada que uma verso amplificada da
(tenso ou corrente de) entrada. Como a maioria dos

circuitos eletrnicos amostra e produz tenses,' nossa


discusso enfocar am plificadores de ten so e o
conceito de ganho de tenso, voM/vin.
Q ue o u tro s aspectos do d esem p e n h o de um
am plificador so im p o rtan tes? Trs p arm etro s
que nos vm m en te de im ed iato so (1) dissipao de potncia (p. ex., p orque determ ina a vida
til da bateria de um telefone celular ou de uma
cm era digital); (2) velocidade (p. ex., alguns am pli
ficadores em telefones celulares ou em conversores
analgico-digital devem o p erar em altas freq u n
cias); (3) rudo (p. ex., o am plificador na en trad a
de um telefone celular ou em uma cm era digital
processa pequenos sinais e deve introduzir rudo
pr p rio desprezvel).

'As excees so descritas no Captulo 12.

147

148

Captulo Cinco

5.1.1

Im pedncias de E ntrada e de Sada

Alm dos parmetros que acabamos de citar, as impedncias de entrada e de sada (im pedncias I/O)* de
um amplificador tm um papel crucial na capacidade
do amplificador de se adaptar ao estgio que o ante
cede e ao que o segue. Para entender este conceito,
determ inem os prim eiro as im pedncias I/O de um
amplificador de tenso ideal. Na entrada, o circuito
deve operar como um voltmetro, ou seja, am ostrar

Exem plo
5.1

uma tenso sem perturbar (carregar) o estgio ante


rior. Portanto, a impedncia de entrada ideal infi
nita. Na sada, o circuito deve se comportar como uma
fonte de tenso, ou seja, fornecer um sinal de nvel
constante a qualquer impedncia de carga. Assim, a
impedncia de sada ideal igual a zero.
Na verdade, as impedncias I/O de um amplifi
cador de tenso podem ser muito diferentes dos valores
ideais e requerem cuidado s interfaces com outros
estgios. O exemplo a seguir ilustra esta questo.

Um amplificador com ganho de tenso de 10 amostra um sinal gerado por um microfone e aplica a
sada amplificada a um alto-falante [Fig. S.l(a)]. Vamos supor que o microfone possa ser modelado
por uma fonte de tenso com um sinal de 10 mV pico a pico e por uma resistncia srie de 200 l.
Suponhamos, tambm que o alto-falante possa ser representado por um resistor de 8 k.
M icrofone Am plificador

A lto-falante

DA v = 10

200 Q

Wi-----o

8Q

10 mV

(a)

Figura 5.1 (a) Simples sistema de udio, (b) perda de sinal devida impedncia de entrada do amplificador,
(c) perda de sinal devida impedncia de sada do amplificador.

(a) Determinemos o nvel de sinal amostrado pelo amplificador, admitindo dois valores para
a impedncia de entrada do circuito: 2 kl e 500 l.
(b) Determinemos o nvel de sinal fornecido ao alto-falante para dois valores da impedncia
de sada do circuito: 10 l e 2 l.
Soluo

(a) A Fig. 5.1(b) mostra a interface entre o microfone e o amplificador. A tenso amostrada pelo
amplificador , portanto, dada por
Rjn

(5.1)

V\ =

R in

*1/0: do ingls input/output, ou seja, entrada/sada. (N.T.)

Rn

Amplificadores Bipolares

149

Para Rin = 2 kft,


(5.2)

v\ = 0,91 vm,

apenas 9% menor que o nvel de sinal do microfone. Contudo, se Rin = 500 ft,
(5.3)

=0,71um,

ou seja, uma perda de quase 30%. Portanto, neste caso, interessante maximizar a impedncia de
entrada.
(b)
Representando a interface entre o amplificador e o alto-falante como na Fig. 5.1(c),
temos
Rl

Vout

R l

'amp

(5.4)

Ramp

Para Ramp = 10 Q,
^out 0,44 Vamp
uma atenuao substancial. Para R

(5.5)

= 2 l,
Vout = 0fivtamp

(5.6)

Logo, a impedncia de sada do amplificador deve ser minimizada.


Exerccio

Se o sinal fornecido ao alto-falante for igual a 0,2vm, determine a razo entre R, e R, .

A importncia das impedncias I/O nos estimula a


prescrever com cuidado um mtodo para medi-las. Da
mesma forma que com impedncias de dispositivos
de dois terminais, tais como resistores e capacitores, a
impedncia de entrada (sada) medida entre os ns
de entrada (sada) do circuito, com todas as outras
fontes independentes no circuito fixadas em zero.2 O

mtodo, ilustrado na Fig. 5.2, envolve a aplicao de


uma fonte de tenso aos dois ns (tambm chamados
portas) de interesse, a medida da corrente resul
tante e a definio de vx/ix como a impedncia. As
setas desenhadas na figura denotam olhando para
a porta de entrada ou de sada e a correspondente
impedncia.

2Recordemos que uma fonte de tenso nula substituda por um curto-circuito, e uma fonte de corrente nula, por um circuito
aberto.

150

Captulo Cinco

O leitor pode questionar por que, na Fig. 5.2(a), a


porta de sada deixada em aberto e, na Fig. 5.2(b), a
porta de entrada curto-circuito. Como,em operao
normal, um amplificador de tenso alim entado por
uma fonte de tenso e todas as fontes independentes
devem ser fixadas em zero, a porta de entrada na Fig.
5.2(b) deve ser curto-circuitada para representar uma
fonte de tenso nula.
P o rtan to , o p ro ced im en to p ara se calcular a
im pedncia de sada idntico ao usado para obter
a im pedncia de Thvenin de um circuito (C aptulo
1). Na Fig. 5.2(a), por sua vez, a sada perm anece

Exem plo

5.2

ab erta p o r no estar co n ectad a a q u alq u er fonte


externa.
As impedncias I/O determ inam a transferncia
de sinal de um estgio para o seguinte e, em geral,
so consideradas quantidades de pequenos sinais com a hiptese implcita de que os nveis de sinal
so, de fato, pequenos. Por exem plo, a im pedncia
de entrada obtida com a aplicao de uma pequena
perturbao tenso de entrada e a medida da resul
tante alterao na corrente de entrada. Portanto, os
modelos de pequenos sinais de dispositivos semicon
dutores so de fundam ental importncia.

Supondo que o transistor opere na regio ativa direta, determinemos a impedncia de entrada do
circuito mostrado na Fig. 5.3(a).
-r-

V,c c

'in

(a)
Figura 5.3

Soluo

(a) Simples estgio amplificador, (b) modelo de pequenos sinais.

Construindo o circuito equivalente de pequenos sinais ilustrado na Fig. 5.3(b), notamos que a impe
dncia de entrada dada por
vx
= r n.
lx

(5.7)

Como rn = /gm = VT/I( , conclumos que um maior valor de /3 ou um menor valor de /< produz
uma impedncia de entrada mais alta.
Exerccio

O que acontece se Rc multiplicado por dois?

Figura 5.4

Conceito de impedncia vista em um n.

Para simplificar a notao e os diagram as,


comum nos referirm os im pedncia vista em um n
em vez da impedncia entre dois ns (ou seja, em uma

porta). Como ilustra a Fig. 5.4, tal conveno apenas


supe que o outro n est aterrado: a fonte de tenso
de teste aplicada entre o n de interesse e a terra.

Amplificadores Bipolares

Exemplo

Calculemos a impedncia vista olhando para o coletor de

151

na Fig. 5.5(a).

5.3

(a)
Figura 5.5

Soluo

Exerccio

Exem plo

5.4

(b)
(a) Impedncia vista no coletor, (b) modelo de pequenos sinais.

Fixando a tenso de entrada em zero e usando o modelo de pequenos sinais na Fig. 5.5(b), notamos
que v = 0, gmvn = 0 e, portanto, Rul = r.
O que acontecer se uma resistncia de valor

Calculemos a impedncia vista no emissor de


efeito Early.

for conectada em srie com a base de QX1

na Fig. 5.6(a). Para simplificar, desprezemos o

(a)
Figura 5.6

Soluo

(a) Impedncia vista no emissor, (b) modelo de pequenos sinais.

Fixando a tenso de entrada em zero e substituindo V Cc por uma terra AC, obtemos o circuito de
pequenos sinais mostrado na Fig. 5.6(b). interessante que v = - v* e
(5.8)
Ou seja,
vx_
ix

Como r = fi/gm
Exerccio

1
1
Sm H---rn

(5.9)

1Jgm, temos Rou,

O que acontece se uma resistncia de valor /<, for conectada em srie com o coletor de Q,?

Os trs exem plos an terio res fornecem regras


im portantes que sero usadas ao longo de to d o o
livro (Fig. 5.7): olhando para a base, vem os rv se o
emissor estiver aterrado (terra AC). O lhando para o
coletor, vemos r() se o emissor estiver aterrado (terra

AC). O lhando para o emissor, vemos l/g, se a base


estiver aterrad a (terra AC) e se o efeito Early for
desprezado. fundamental que o leitor domine estas
regras e seja capaz de aplic-las em circuitos mais
complexos.*

'Embora esteja alm do escopo deste livro, pode-se mostrar que a impedncia vista no emissor s aproximadamente igual a 1/g m
se o coletor estiver conectado a uma impedncia relativamente baixa.

152

Captulo Cinco

^BE

/ V

Valor de
- Polarizao
(DC)

'c

Figura 5.7 Resumo das impedncias vistas nos terminais de


um transistor.

5.1.2

/ V

t
Figura 5.8
bipolar.

Nveis de polarizao e de sinal para um transistor

P olarizao

Recordemos, do Captulo 4, que um transistor bipolar


opera como um dispositivo am plificador se estiver
polarizado no m odo ativo; ou seja, na ausncia de
sinais, o am biente que envolve o dispositivo deve
garantir que as junes base-em issor e base-coletor
estejam sob polarizaes direta e reversa, respecti
vamente. Alm disto, como explicamos na Seo 4.4,
propriedades de amplificao do transistor, tais como
gm,r ne r, dependem da corrente quiescente (de pola
rizao) de coletor. Portanto, os circuitos envolvidos
tambm devem fixar (definir) de maneira adequada
as correntes de polarizao do dispositivo.
5.1.3

Valor de
- Polarizao
(DC)

A nlises DC e de P equenos S inais

As observaes anteriores levam a um procedimento


para a anlise de amplificadores (e diversos outros
tipos de circuitos). Prim eiro, calculam os as condi
es de operao (condies quiescentes) (tenses e
correntes de terminais) de cada transistor na ausncia
de sinais. C ham ado anlise D C ou anlise de
polarizao, este passo determ ina tanto a regio de
operao (ativa ou de saturao) como os parm e
tros de pequenos sinais de cada dispositivo. Segundo,
efetuam os a anlise de pequenos sinais, ou seja,
estudam os a resposta do circuito a pequenos sinais
e calculamos grandezas tais com o ganho de tenso e
impedncias I/O. Como exemplo, a Fig. 5.8 ilustra as
componentes de polarizao e de sinal de uma tenso
e de uma corrente.
im portante que tenham os em m ente que a
anlise de pequenos sinais trata apenas de (pequenas)
alteraes nas tenses e correntes em um circuito, em
torno de valores quiescentes. Portanto, como mencio

nam os na Seo 4.4.4, para a anlise de pequenos


sinais, todas as fontes constantes, isto , fontes de
tenso e de corrente que no variam com o tempo,
devem ser fixadas em zero. Por exemplo, a tenso de
alimentao constante e, enquanto estabelecemos
pontos de polarizao adequados, no tem qualquer
efeito sobre a resposta de pequenos sinais. Por conse
guinte, aterramos todas as fontes de tenso constante4
e abrimos todas as fontes de corrente constante para
a construo do circuito equivalente de pequenos
sinais. De o utro ponto de vista, os dois passos que
acabamos de descrever seguem o princpio da super
posio: primeiro, determ inam os o efeito de tenses
e correntes constantes, enquanto as fontes de sinal
so fixadas em zero; segundo, analisamos a resposta
s fontes de sinal e fixamos as fontes constantes em
zero. A Fig. 5.9 resume estes conceitos.
D evem os ressaltar que a sntese de amplifica
dores segue um procedim ento similar. Primeiro, os
circuitos que envolvem o transistor so projetados
para estabelecer condies adequadas de polarizao
e, portanto, os necessrios parm etros de pequenos
sinais. Segundo, o com portamento de pequenos sinais
do circuito estudado para comprovar o desempenho
exigido. Algumas iteraes entre os dois passos podem
ser necessrias para que o processo convirja para o
com portam ento desejado.
Como diferenciamos entre operaes de pequenos
e de grandes sinais? Em outras palavras, em que
condies podem os representar os dispositivos por
seus modelos de pequenos sinais? Se o sinal perturba
o ponto de polarizao do dispositivo de m aneira
desprezvel, dizemos que o circuito opera no regime de
pequenos sinais. Na Fig. 5.8, por exemplo, a alterao

'Dizemos que todas as fontes de tenso constante so substitudas por uma terra AC,

Amplificadores Bipolares

Anlise DC

Anlise de Pequenos Sinais

Figura 5.9

CurtoCircuito
Circuito
Aberto

Passos dc uma anlise dc circuito genrica.

em Ic devida ao sinal deve perm anecer pequena. Este


critrio se justifica porque as propriedades de ampli
ficao do transistor, como g, e r so consideradas
constantes na anlise de pequenos sinais, mesmo que,
na verdade, variem medida que o sinal perturba Ic.
Ou seja, uma representao linear do transistor vlida
apenas se a variao dos parmetros de pequenos sinais
for desprezvel. A definio de "desprezvel depende,
de certa forma, do circuito e da aplicao. Contudo,
como regra emprica, consideramos uma variao de
10% na corrente de coletor como um limite superior
para a operao em pequenos sinais.
D oravante, quando desenharm os diagramas de
circuitos, empregaremos algumas notaes e smbolos
simplificados. A Fig. 5.10 traz um exemplo no qual a
bateria que atua como alim entao de tenso subs
tituda por uma barra horizontal com o rtulo Vcc.5
Alm disto, a fonte de tenso de entrada simplifi
cada para um n cham ado Vin, estando subentendido
que o outro n a terra.
Neste captulo, comeamos com a anlise DC e
a sntese de estgios bipolares, para que desenvol
vamos habilidade para determ inar ou criar as condi
Exem plo

153

es de polarizao. Esta fase de nosso estudo no


requer conhecimento de sinais e, portanto, das portas
de entrada e de sada do circuito. A seguir, apresenta
remos diversas topologias de amplificadores e exami
narem os seus com portam entos de pequenos sinais.

5.2

A N LIS E E SNTESE NO PONTO


DE O PERAO

conveniente que iniciemos nosso estudo de pontos


de operao com um exemplo.

Um estudante familiarizado com dispositivos bipolares constri o circuito mostrado na Fig. 5.11 e
tenta amplificar o sinal produzido por um microfone. Se /s = 6 X 1016A e o valor de pico do sinal
do microfone for 20 mV, determinemos o valor de pico do sinal de sada.
cc
c ^ 1 ^2
'o u t

Figura 5.11

5Q subscrito CC indica suprimento de tenso ao coletor.

Amplificador alim entado diretam ente por um microfone.

154

Captulo Cinco

Soluo

Infelizmente, o estudante se esqueceu de polarizar o transistor. (O microfone no produz uma sada


DC.) Se V, (= V!.) alcana 20 mV, ento
A/c = Is e x p ^
= 1,29 x IO-15 A.

(5.10)
(5.11)

Esta alterao na corrente de coletor produz uma perturbao na tenso de sada igual a
Rc A/c = 1,29 x 10"12 V.

(5.12)

O circuito praticamente no gera sada porque a corrente de polarizao (na ausncia do sinal do
microfone) zero, assim como a transcondutncia.
Exerccio

Repita o exemplo anterior para o caso em que uma tenso constante de 0,65 V aplicada em srie
com o microfone.

Como mencionamos na Seo 5.1.2, a polarizao


tenta alcanar dois objetivos: assegurar operao
na regio ativa direta e fixar o valor da corrente

Exem plo
5.6

de coletor exigido pela aplicao. R etornem os ao


exemplo anterior.

Tendo percebido a questo da polarizao no Exemplo 5.5. o estudante modifica o circuito tal como
indicado na Fig. 5.12 e conecta a base a Vcc para permitir polarizao DC da juno base-emissor.
Expliquemos por que o estudante precisa aprender mais sobre polarizao.
VCc = 2>5 V

*C

1
'o u t

i
Figura 5.12

soluo

Exerccio

5.2.1

Amplificador com base conectada a R e

A questo fundamental aqui que o sinal gerado pelo microfone curto-circuitado a Vcc. Atuando
como uma fonte de tenso ideal, V(C mantm a tenso da base em um valor constante e probe
qualquer perturbao introduzida pelo microfone. Como Vnr permanece constante, Voul tambm
se mantm constante e no ocorre qualquer amplificao.
Outra questo importante est relacionada ao valor de Vm;. com Vm- = Vcc = 2,5 V, uma grande
corrente flui para o transistor.
O circuito funcionaria melhor se um resistor fosse conectado em srie com o emissor de (7,?

P olariza o S im p les

A gora, considerem os a topologia m ostrada na Fig.


5.13, onde a base conectada a V cc por meio de um
resistor relativam ente grande, R /{, para que a juno

base-emissor fique sob polarizao direta. Nosso obje


tivo determ inar as tenses e correntes nos terminais
de (?, e obter as condies que asseguram polarizao
no modo ativo. Como podemos analisar esse circuito?
Podem os substituir Q x por seu m odelo de grandes

Amplificadores Bipolares

155

N otando que a queda de tenso em R, igual a /?< /< ,


obtem os VCE como
VCE = Vcc - R d e

(5.16)

= Vc c - P Vc< ~ VbFRc .
Rb
Figura 5.13 Uso de resistor de base para estabelecer uma rota
para a corrente de base.

sinais e aplicar as LTK e LCK. mas a(s) resultante(s)


equao(es) no linear(es) no ajudaro muito. Em
vez disso, recordem os que, na m aioria dos casos, a
tenso base-emissor assume valor no intervalo entre
700 e 800 mV e pode ser considerada relativam ente
constante. Como a queda de tenso em R lf igual a
R Jn , temos
(5.13)

R b Ib + VgE = Vcc
Logo,
1b =

Vcc ~ Vbe
R

(5.14)

Conhecida a corrente de base, escrevemos

Ic = P

Exem plo

Vcc Rb

Vb e

'

(5.15)

(5.17)

O clculo de VCE necessrio, pois revela se o dispo


sitivo opera no m odo ativo ou no. Por exem plo,
para evitar saturao com pletam ente, exigimos que
a tenso de coletor perm anea acima da tenso de
polarizao:
Vcc

Rb

Vbe

Rc > VBe -

(5.18)

Os parm etros do circuito podem, portanto, ser esco


lhidos para assegurar que esta condio seja aten
dida.
Em resumo, usando a seqncia / /< > VCE,
calculamos as tenses e correntes nos term inais de
>, que so de im portncia. Em bora, aqui, no seja
de particular interesse, a corrente de emissor igual
a /< + /.
O leitor pode questionar o erro no clculo ante
rior devido hiptese de Vm: ter valor constante no
intervalo entre 700 e 800 mV. Um exemplo esclarece
este ponto.

Para o circuito mostrado na Fig. 5.14. determinemos a corrente de polarizao de coletor. Vamos
supor p = 100 e s = 10 17A. Comprovemos se Qxopera na regio ativa direta.

Soluo
VCC = 2,5V

100 kQ ^ Rs Rc ^ 1 kQ
Y

fC

Figura 5.14

Simples estgio com polarizao.

Como Is relativamente pequena, conclumos que a tenso base-emissor exigida para a conduo
de um nvel tpico de corrente relativamente grande. Assim, usamos Vbe = 800 mV como valor
estimado inicial e escrevemos a Eq. (5.14) como

156

Captulo Cinco

,
Vcc - Vbe
' B=
R.
17 / A.

(5.19)
(5.20)

Logo,
Ic = 1,7 mA.

(5.21)

Com este resultado para 70 calculamos um novo valor para VfE:


Vbe = VjXn-^
Js

(5.22)

= 852 mV,

(5.23)

e iteramos para obter resultados mais precisos. Ou seja,


,
Vcc Vbe
' B=
K,
= 16.5 /jlA ,

(5.24)
(5.25)

portanto,
/c = 1,65 mA.

(5.26)

Como os valores dados por (5.21) e (5.26) so bem prximos, consideramos que /< = 1,65 mA tem
preciso suficiente e interrompemos o processo iterativo.
Escrevendo (5.16), temos
Vce = Vcc - R d e

(5.27)

= 0,85 V,

(5.28)

um valor quase igual ao de VHE. Portanto, o transistor opera prximo fronteira entre os modos
ativo e de saturao.
Exerccio

Que valor de R( produz uma polarizao reversa de 200 mV na juno base-coletor?

O
esquem a de polarizao da Fig. 5.13 req u er0,52 V, levando o transistor saturao forte. Por
alguns comentrios. Primeiro, o efeito da incerteza estes motivos, a topologia da Fig. 5.13 raram ente
em relao ao valor de Vm. se to rn a mais p ro n u n usada na prtica.
ciado para valores baixos de V cc, pois Vcc ~ I n
determ ina a corrente de base. A ssim ,em projetos de 5.2.2 P olarizao por D iviso r de Tenso
baixa tenso - um paradigm a cada vez mais comum R esistivo
nos m odernos sistemas eletrnicos - a polarizao
mais sensvel a variaes no valor de V/(/. entre tran Para elim inar a dependncia de l c em relao a /3,
sistores ou com a tem peratura. Segundo, notam os retornam os relao bsica Ic = 7s exp(K /J/./V r) e
na Eq. (5.15) que I( depende m uito de /3, um p ar postulamos que /, deve ser fixada com a aplicao
m etro que pode variar de m odo considervel. No de um valor bem-definido de V,,,.. A Fig. 5.15 traz um
exem plo anterior, se ]S au m en tar de 100 para 120, exem plo em que R t e R 2 atuam com o divisores de
I( aum en tar para 1,98 m A e V CE dim inuir para tenso e proveem uma tenso base-emissor igual a

Amplificadores Bipolares

157

(5.29)

Vx = r r 2Vcc
se a corrente de base desprezvel. Logo,
i

''C C \

/c

30)

uma grandeza que independe de /3. No entanto, o


projeto deve assegurar que a corrente de base permanea desprezvel.

Exem plo
5.8

Figura 5.15

Uso de um divisor de tenso resistivo para definir

Determinemos a corrente de coletor de


na Fig. 5.16 se Is = 10 17A e /3 = 100. Comprovemos se
a corrente de base desprezvel e se o transistor opera no modo ativo.
VCC = 25 V
17 k Q

5kQ

8 kQ
Figura 5.16

Soluo

Exemplo de estgio de polarizao.

Desprezando a corrente de base de Q,, temos

Vx = R ^ h h Vcc

(5.31)

= 800 mV.

(5.32)

YiBE
/i c = /is exp

(5.33)

= 231/iA

(5.34)

IB = 2,31 //A.

(5.35)

Logo,

A corrente de base mesmo desprezvel? Com que valor esta grandeza deve ser comparada? Provida
pelo divisor resistivo. / deve ser desprezvel em relao corrente que flui por R] e R2:
Vcc
Ri + Ri
Esta condio, de fato, vlida neste exemplo, pois Vcc/(R l + R2) = 100 /u.A = 43/.

(5.36)

158

Captulo Cinco

Tambm notamos que


(5.37)

VCE = 1,345 V,
e, portanto, Qxopera na regio ativa.
Exerccio

Qual o mximo valor de Rc para que Q, permanea sob saturao fraca?

A abordagem de anlise do exemplo anterior pres


supe uma corrente de base desprezvel e requer uma
verificao no final. Contudo, o que devemos fazer se o
resultado final indicar que I no desprezvel? Agora,
analisaremos o circuito sem esta hiptese. Substitumos
o divisor de tenso por um equivalente deThvenin (Fig.
5.17) e notamos que VrhlT igual tenso de circuito
aberto ( Vx quando o amplificador est desconectado):
Vrhv

Ri
Ri + Ri

*C C -

(5.38)

Alm disso, R rh(y dado pela resistncia de sada do


circuito quando Vcc fixado em zero:

V/lnh ~ hiRlliv
VT

(5.41)

Este resultado e a relao Ic = (31formam um sistema


de equaes que perm ite o clculo dos valores de I(
e / /(.Tal como em exemplos anteriores, um processo
iterativo se mostra til aqui, mas a dependncia expo
nencial na Eq. (5.41) d origem a grandes flutuaes
nas solues intermedirias. Por este motivo, reescrevemos (5.41) como
h = ( VThv - Vr l n f )

As/

Krhv

(5.42)

(5.39)

R tmv = ^lll^2O circuito simplificado fornece:


Vx = Vriiev - I hR h,*

Figura 5.17

Ic = Is exp

(5.40)

e iniciamos as iteraes com V be = V, \n(Ic/I s). O


processo iterativo segue a seqncia V,: > / >
V)m

Uso do equivalente de Ilivenin para o clculo da polarizao.

Amplificadores Bipolares

Exemplo
5.9
Soluo

159

Na Fig. 5.18(a), calculemos a corrente de coletor de Qx. Vamos supor /3 = 100 e Is = 10 17A.

Construindo o circuito equivalente mostrado na Fig. 5.18(b), notamos que


VThv =

Ri
Vcc
R\ + Ri

(5.43)

= 800 mV

(5.44)

Rrhv = ^lll^2

(5.45)

= 54AkQ.

(5.46)

Iniciamos as iteraes com o valor y m = 750 mV (pois sabemos que a queda de tenso em Rrhv
torna VtEmenor que Vlhx) e obtemos a corrente de base:
Vmv Vbe
Rrhv
= 0,919 \i A.

h =

(5.47)
(5.48)

VCC = 2,5 V
170 k Q % R ,

Rc

5kQ

80 k Q ^ R2

(a)
Figura 5.18 (a) Estgio com polarizao por divisor resistivo de tenso, (h) estgio com equivalente de
Thvenin para o divisor resistivo e Vcc-

Portanto, /< = /3/ = 91,9 /xA e


Vb e V r

ln

Is
776 mV.

(5.49)
(5.50)

Com isto. /,, = 0.441 ^ A e /c = 44,1 /xA. o que ainda representa uma grande flutuao em relao
ao primeiro valor calculado. Dando prosseguimento s iteraes, obtemos V = 757 mV. / =
0,79 fiA e Ic = 79,0 /xA. Aps diversas iteraes, V ,
766 mV e /< = 63 /xA.
Exerccio

De quanto R2pode ser aumentado de modo que <2i ainda permanea sob saturao fraca?

E m bora, na topologia da Fig. 5.15, a escolha


adequada de
e R 2 torne a polarizao relativa
m ente independente de j8, a relao exponencial
entre Ic e a tenso gerada pelo divisor resistivo ainda

leva a uma substancial variao da polarizao. Por


exemplo, se R 2 for 1% maior que seu valor nominal,
o mesmo acontecer com Vx e a corrente de coletor
ser multiplicada por exp(0,01 V m /V /) 88 1,36 (para

160

Captulo Cinco

V,,,: = 800 mV). Em outras palavras, um erro de 1%


no valor de um resistor introduz um erro de 36% na
corrente de coletor. Portanto, o circuito tem pouca
utilidade prtica.
5.2.3 P olarizao com D egenerao de
Em issor

Uma configurao de polarizao que alivia o problema


de sensibilidade em relao a j3 e a V,.: mostrado na
Fig. 5.19. Nesta figura, o resistor R , aparece em srie
com o emissor e reduz a sensibilidade em relao a
De um ponto de vista intuitivo, isto ocorre porque R,.
exibe uma relao I-V linear (em vez de exponencial).
Assim, um erro em Vx devido a incertezas em R UR2
ou V cc, em parte, absorvido por R I:, resultando
em menor erro em V,. e, portanto, em /<. Chamada
degenerao de em issor, a adio de R t em srie
com o emissor altera vrios atributos do circuito,como
descreveremos mais adiante neste captulo.
Para entender esta propriedade, determinemos as
correntes de polarizao do transistor. Desprezando
a corrente de base, temos Vx = V CCR 2/( R I + R 2). E,
ainda, V,, = Vx Vm.\ com isto,

Exem plo

Figura 5.19 Adio de resistor de degenerao para estabilizar


o ponto de polarizao.

<552)

* /c ,

(5.53)

caso [3 1. Com o se pode tornar este resultado


menos sensvel a variaes em Vx ou V,.l Se a queda
de tenso em R, , ou seja, a diferena entre V( </?/(/?,
+ Rz) e V Bt, for grande o bastante para absorver e
amortecer essas variaes, /, e I( permanecem relativa
mente constantes. Um exemplo ilustra esta questo.

Calculemos as correntes de polarizao para o circuito da Fig. 5.20 e verifiquemos se Q x opera


na regio ativa direta. Vamos supor /3 = 100 e / v = 5 X 10 17A. Que variao sofre a corrente de
coletor se R2 for 1,6% maior que seu valor nominal?

VCC = 2>5 V

16 kQ

9 kQ
100 Q

Figura 5.20

Soluo

Exemplo de estgio de polarizao.

Desprezamos a corrente de base e escrevemos


Vx = Vcc

Ri

R\ + /?2

= 900 mV.

(5.54)
(5.55)

Amplificadores Bipolares

161

Usando VBE = 800 mV como valor inicial, temos


VP = VX - VBE

(5.56)

= 100 mV,

(5.57)

e, portanto,
IE ^ I C ^ \ mA.

(5.58)

Com este resultado, devemos reexaminar a hiptese Vbe = 800 mV. Uma vez que
VBE = Vt l n ^
/S
= 796 mV,

(5.59)
(5.60)

conclumos que a escolha inicial razovel. Alm disso, a Eq. (5.57) sugere que um erro de 4 mV
em Vf/; leva a um erro de 4% em Vr e, portanto, em /,, indicando uma boa aproximao.
Agora, verifiquemos se Q xopera no modo ativo. A tenso de coletor dada por
Vy = Vc c - I c Rc

(5.61)

= 1,5 V.

(5.62)

Com a tenso de base em 0,9 V. o dispositivo est, de fato, na regio ativa.


A hiptese de corrente de base desprezvel vlida? Com I( 1 mA, lB ** 10 /liA, enquanto a
corrente que flui em /?, e R2 igual a 100 /xA. Portanto, a hiptese razovel. Para maior preciso,
pode ser empregado um processo iterativo similar ao do Exemplo 5.9.
Se R2for 1,6% maior que seu valor nominal, a Eq. (5.54) indica que Vx aumenta para aproxi
madamente 909 mV. Podemos supor que a mudana de 9 m V aparece em R, e aumenta a corrente
de emissor de 9 mV/100 l = 90 fxA. Da Eq. (5.56), notamos que esta hiptese equivalente a
considerarmos Vin: constante, o que razovel, pois as correntes de emissor e de coletor sofreram
alterao de apenas 9%.
Exerccio

Que valor de R2coloca

na fronteira da regio de saturao?

A topologia de polarizao da Fig. 5.19 utilizada


com frequncia em circuitos discretos e apenas rara
mente em circuitos integrados. A Fig. 5.21 ilustra duas
regras aplicadas na prtica: (1) /, / para reduzir a
sensibilidade em relao a j3, e (2) VRE deve ser sufi
cientem ente grande (de 100 m V a vrias centenas
de milivolts) para suprimir o efeito de incertezas em
Vx e em VBE.

11 / F

R o tin a de P ro je to possvel estabelecer uma


rotina de projeto para a topologia de polarizao da
Fig. 5.21 que pode ser usada para a maioria das apli-

Suficientemente Pequeno
para Evitar Saturao

% yRE Variaes em

e Vbe

Figura 5.21 Resumo de condies dc polarizao robustas.

162

Captulo Cinco

(4) escolher R { e R2que produzam o valor necessrio


de Vx e garantam /, /. D eterm inado pelos requi
sitos de ganho de pequenos sinais, o valor de R c
limitado por um mximo que coloca {9, na fronteira
da regio de saturao. O exem plo a seguir ilustra
estes conceitos.

caes: (1) escolher uma corrente de polarizao de


coletor que resulte em valores adequados para os
parm etros de pequenos sinais, como g, e /; (2) com
base nas esperadas variaes de /?,, R 2 e
esco
lher um valor para VKE ~ I t R r, por exemplo, 200 m V;
(3) calcular V x = VnF + I( R,.:, com V ,,,. = V , ln(/(/ / s);

Exem plo

Soluo

Projetemos o circuito da Fig. 5.21 de modo que produza uma transcondutncia de 1/(52 H)
para Q x. Vamos supor Vcc = 2,5 V, /3 = 100 e /* = 5 x 1 0 17A. Qual o mximo valor tolervel
de Rc*>
Um valor de gmde (52 l) -1 se traduz em uma corrente de coletor de 0,5 mA e um Vnr de 778 mV.
Supondo R eI c = 200 mV, obtemos R, = 400 l. Para obter Vx = VHI. + R,.IC = 978 mV, devemos
ter
Rz

R\ + ^2

Vc c = V be + R eIc ,

(5.63)

onde a corrente de base foi desprezada. Para que a corrente de base I,{ = 5 fxA seja desprezvel,
Vcc
R\ + R 2
por exemplo, por um fator de 10. Assim, R{ + R2 = 50 k, que, em conjunto com (5.63), resulta
em
R\ = 30,45 kQ

(5.65)

R2 = 19,55 kQ.

(5.66)

Qual o mximo valor de R( ? Como a tenso de coletor igual a V(( - R( IC, foramos a seguinte
restrio para assegurar operao no modo ativo:
Vcc Rclc > Vx\

(5.67)

RCIC < 1,522 V.

(5.68)

/?c< 3,044 kQ.

(5.69)

ou seja,
Por conseguinte,

Se Rc exceder este valor, a tenso de coletor fica menor que a tenso de base. Como mencionamos
no Captulo 4, o transistor pode tolerar saturao fraca, isto , at cerca de 400 mV de polarizao
direta na juno base-coletor. Logo, em aplicaes de baixa tenso, podemos permitir VY 555 Vx 400 mV e, portanto, um maior valor para Rc.
Exerccio

Repita o exemplo anterior para o caso em que o oramento de potncia de apenas 1 mW e a


transcondutncia de
no dada.

As duas regras ilustradas na Fig. 5.21 para reduzir


as sensibilidades im pem algum as condies. Em
particular, um projeto m uito conservador envolve

as seguintes questes: (1) se desejam os que /, seja


muito maior que /,/?, + R 2e, portanto, /?, e R2devem
ser muito pequenos, resultando em uma impedncia

Amplificadores Bipolares

de entrada baixa; (2) se escolhermos um valor muito


grande para VRh, Vx ( = V lir + VRI.) deve ser alto,
limitando o valor mximo da tenso de coletor para

Exem plo

Soluo

163

evitar saturao. Retornem os ao exemplo anterior e


estudem os estas questes,

Vamos repetir o Exemplo 5.11 supondo VR,.: = 500 mV e /, ^ 100/,,.

A corrente de coletor e a tenso base-emissor permanecem inalteradas. O valor de R, agora dado


por 500 mV/0,5 m A = 1 k. Alm disso, Vx = VliE + R ,IC = 1,278 V e a Eq. (5.63) continua vlida.
Reescrevemos (5.64) como
Vcc

R i + R2

> 100/,

(5.70)

e obtemos R t + R 2 = 5 kl. Segue-se que


R \ = 1,45 k2

(5.71)

Rz = 3,55 k2.

(5.72)

Como a tenso de base aumentou para 1,278 V, para evitar saturao a tenso de coletor deve
exceder esse valor, resultando em
D
Vcc - V x
Rc < ---- r-----lc
< 2,44 k2.

,,
(5.73)
(5.74)

Como veremos na Seo 5.3.1. a reduo em R ( se traduz em menor ganho de tenso. Alm disto,
o fato de os valores de R , e de R 2 serem menores que no Exemplo 5.11 leva a uma baixa impe
dncia de entrada, o que carrega o estgio anterior. Na Seo 5.3.1. calcularemos o valor exato da
impedncia de entrada desse circuito.
Exerccio

5.2.4

Repita o exemplo anterior para o caso em que VKI. limitado a 100 mV.

E stgio A u to p o la riz a d o

O utro esquem a de polarizao de uso com um em


circuitos discretos e integrados m ostrado na Fig.
5.22. C ham ado autopolarizado, pois a corrente e a
tenso de base so fornecidas do coletor, este estgio
tem diversas propriedades interessantes e teis.
Iniciemos a anlise do circuito observando que
a tenso de base sem pre m enor que a de coletor:
Vx = V y IRh. R esultado da autopolarizao,
esta propriedade im portante garante que <9, opera
no m odo ativo in d ep en d en tem en te dos p arm e
tros do dispositivo e do circuito. Por exem plo, se
R c au m en tar indefinidam ente, Q x perm anece na
regio ativa, uma vantagem im portante em relao
ao circuito da Fig. 5.21.

A gora, supondo I
Ic, determ inem os a
corrente de polarizao de coletor; com esta hiptese,
R ( conduz uma corrente igual a Ic, resultando em
Vy =

V c c

c k

(5.75)

164

Captulo Cinco
k _ V c -V ^

= /?*/* + VB

(5.76)

(5.77)

+ vB.

/?c + - j

C om o sem pre, com eam os escolhendo um valor


inicial para
calculam os/(-e usamos Vm. = V T\n(Ic
/Is) para m elhorar a preciso de nossos clculos.

Igualando os lados direitos de (5.75) e (5.77), obtemos

Exem plo
5.13

Soluo

(5 7 g )

Na Fig. 5.22, determinemos a corrente e a tenso de coletor de >, com Rc = 1 kl, Rb = 10 kl,
Vcc = 2,5 V, / v = 5 X IO-17 A e /3 = 100. Vamos repetir os clculos para R( = 2 kl.
Supondo VBE = 0,8 V, obtemos, de (5.78):
(5.79)

Ic = 1,545 mA,

e, portanto, VBE= VTln(Ic/Is) = 807,6 mV; conclumos que a escolha inicial do valor de ViE e do
resultante valor de I( so de razovel preciso. Tambm notamos que R,{In = 154,5 mV e VY =
RbIb + Vbe ~ 0,955 V.
Se R( = 2 kl, com VHE = 0,8 V, a Eq. (5.78) fornece
Ic = 0,810 mA.

(5.80)

Para verificar a validade da escolha inicial, escrevemos VBE = VTln(Ic/Is) = 791 mV. Comparado
com Vcc - V,,,. no numerador de (5.78), o erro de 9 mV desprezvel e o valor de /< em (5.80)
aceitvel. Como RBIB = 81 mV, VY 5550,881 mV.
Exerccio

O que acontece se o valor da resistncia de base for dobrado?

A Eq. (5.78) e o exemplo anterior sugerem duas


regras im portantes para o projeto do estgio autopolarizado: (a) Vcc - VBE deve ser muito maior que
as incertezas no valor de Vm:; (2) R ( deve ser muito
m aior que R /fl para reduzir a sensibilidade em
relao a (3. Na verdade, se R, /?/(/j3,

a partir de consideraes de pequenos sinais, escolhemos R ( = \0 R H/(3 e reescrevemos (5.78) como


^ _ Vcc ~ Vbe
l,l/?c

g2^

onde V,, = V T\n(Ic/ I s). Ou seja,


(5.81,
I<(

e V Y = Vcc ~ h-Rc
Este resultado serve como
uma estimativa para as condies de polarizao do
transistor.
A Eq. (5.78) e a condio Rc
R/f$ representam expresses bsicas para o projeto
do circuito. Com o valor necessrio de lc conhecido
Rotina de Projeto

Rc =

Vcc - Vrf

,,,

_ PR
10

(5.83)
^

A escolha de R tt tam bm depende das exigncias de


pequenos sinais e pode se desviar desse valor, mas
deve perm anecer muito m enor que (iRc.

Amplificadores Bipolares

Exem plo
5.14
Soluo

165

Projetemos o estgio autopolarizado da Fig. 5.22 para gm = 1/(13 2) e Vcc = 1,8 V. Vamos admitir
Is = 5 X 10-,6A e/3 = 100.
Como gm = I( /V 7 = 1/(13 ), temos Ic = 2 mA, V,{h = 754 mV e
n ^ ^cc - Vbe
Rc*
U /c
^475Q .

(5.85)
(5.86)

E
R - PRC
R b ~ 10

(5.87)

= 4,75kft.

(5.88)

Notamos que R,J,{ = 95 mV, resultando em uma tenso de coletor de 754 mV + 95 mV = 849 mV.
Exerccio

Repita o projeto anterior com uma tenso de alimentao de 2,5 V.

A Fig. 5.23 resume os princpios de polarizao estudados nesta seo.

5.2.5

P olariza o de T ransistores P N P

As topologias de polarizao D C estudadas at aqui


incorporam transistores npn. Circuitos que usam
Exem plo
5.15

dispositivos pnp seguem os mesmos procedim entos


de anlise e projeto, mas exigem ateno quanto s
polaridades de tenses e correntes. Ilustramos estes
pontos com o em prego de alguns exemplos.

No circuito da Fig. 5.24, calculemos a corrente de coletor de (J, e determinemos o mximo valor
permitido de R( para operao no modo ativo.

rr

cc

Figura 5.24

Polarizao simples de estgio pnp.

166

Captulo Cinco

Soluo

A topologia a mesma da Fig. 5.13 e temos


IfRf

Veb

(5.89)

Vcc

Ou seja,
,

Vcc

Veb

(5.90)

R.
e
j

QVcc

k = >

Veb

R,

(5.91)
'

circuito sofre de sensibilidade em relao a /3.


Se o valor de R( for aumentado, V y aumentar e se aproximar de Vx
Vcc V ^ ) e deixar
Q x mais prximo da saturao. O transistor entra em saturao em V Y Vx, ou seja,

( =

I c R c m

u x

Vcc - Veb

(5.92)

logo,
D
Kc,mx

Vcc

Veb

ic

Rb
f i

(5.93)
(5.94)

De outra perspectiva, como Vx = nRlf e VY = ICRC, temos I{R,{ = IcRc/nx como condio para a
fronteira de saturao e obtemos Rf = RCmx.
Exerccio

Exem plo

Para um dado valor de Rc, que valor de RHleva o dispositivo fronteira de saturao?

No circuito da Fig. 5.25(a). determinemos a corrente e a tenso de coletor de Qt.

5.16
VC C

R2 %
'1

/B

_ EB

*1

(a)
(b)
Figura 5.25 (a) Estgio pnp com polarizao por divisor rcsistivo de tenso, (b) equivalente de Ilivenin
do divisor e Vcc.
S oluo

Como um caso geral, supomos que lH insignificante e construmos o equivalente de Thvenin do


divisor de tenso, como ilustra a Fig. 5.25(b):
Vrhv =

Ri
Vcc
R\ f* ^2

Rlhv = R\ 11^2*

(5.95)
(5.96)

Amplificadores Bipolares

167

Somando a queda de tenso em R /hv e VEB a Vngv9 obtemos


Vjhv + h R/hv + Veb = Vcc\

(5.97)

ou seja,

Vcc - Vrhv - Veb

R 1 + R , VCC

V"

Rni*

(5.98)

(5.99)

Isto resulta em

lc =P

R + R VCC

o
J<Thv

VEB

(5.100)

Como no Exemplo 5.9, algumas iteraes entre /< e V,.Hpodem ser necessrias.
A Eq. (5.100) indica que, se IB for insignificante, a polarizao do transistor depende muito de
/3. Por outro lado, se IH /,, igualamos a queda de tenso em R2 a V EB e obtemos a corrente de
coletor:

R , + R 2Vc - Veb

j
j
(
Ri
Vcc \
/c= /sexpU + ^ v j -

(5.101)
(5.102)

Notamos que este resultado igual Eq. (5.30).


Exerccio

Exem plo

Qual o valor mximo de Rc para que Qxpermanea sob saturao fraca?

Supondo uma corrente de base desprezvel, calculemos a corrente e tenso de coletor de (2, no
circuito da Fig. 5.26. Qual o valor mximo de R( para que
opere na regio ativa direta?

Figura 5.26

Soluo

Com Ilf
em R,

Estgio pnp com resistor dc degenerao.

/,, temos Vx = ^cc RX/{R\ + R2). Somando a tenso emissor-base e a queda de tenso
obtemos
Vx + Veb + R e I e Vcc

(5.103)

168

Captulo Cinco

logo,

/ = ^ ( ^ f ^ Vcc_'/B)

(514)

Usando Ic /,. podemos calcular um novo valor para VEBe iterar, se necessrio. Alm disso, com
Ih =
podemos comprovar a validade da hiptese IB /,.
Para obter (5.104), escrevemos uma LTK de Vcc para a terra, Eq. (5.103). No entanto, uma
abordagem mais direta consiste em notar que a queda de tenso em R2 igual a VKB + l, R,\
yc c i T Ti A
i r2 =

+ IeR e ,

(5.105)

que leva ao mesmo resultado de (5.104).


O valor mximo permitido de Rc obtido ao igualarmos as tenses de base e de coletor:
yCCl r ^ l r = Rc.mJc
Al + K2
Rc.mx (
Re

(5.106)
Rl

(5.107)

\R i + Ri

Portanto,
Rc,mx = R e Vc c - ^

- -------------------- .
-

5.108

R l - y c c - V EB

R\ + R2
Exerccio

Exem plo

Repita o exemplo anterior para o caso em que R2 = .

Determinemos a corrente e a tenso de coletor de 0 , no circuito autopolarizado da Fig. 5.27.

cc

WvRc
Figura 5.27

Soluo

Estgio pnp autopolarizado.

Devemos escrever uma LTK para a malha que inclui Vcc, a juno emissor-base de (Jh RB e Rc
terra. Como /3 1 e, portanto, /< /, Rc conduz uma corrente aproximadamente igual a /< e
origina VY = RJc- Alm disto, Vx = RBlB + VY = RBIB + RJc* resultando em
Vcc = Veb + Vx

(5.109)

= Veb + R bI b + IcRc

(5.110)

= Veb +

( 5.111)

Amplificadores Bipolares

169

Logo,
Ic =

Vcc - VEb

(5.112)

+ Rc
P
um resultado similar Eq. (5.78). Como sempre, comeamos com a escolha de um valor inicial para
VEn, calculamos lc e determinamos um novo valor para VKHetc. Notemos que, como a tenso de
base maior que a de coletor, Qxsempre permanece no modo ativo.
Exerccio

5.3

Quo distante Qx est da saturao?

TO PO LO G IAS DE
A M P L IF IC A D O R E S B IP O LA R E S

Aps nosso estudo detalhado de polarizao, podemos


agora nos dedicar a topologias de amplificadores e
exam inar suas propriedades de pequenos sinais.6
C om o o transistor bipolar tem trs term inais,
podem os adm itir que existem trs possibilidades
para aplicar o sinal de entrada ao dispositivo, como
ilustram de forma conceituai as Figs. 5.28(a)-(c). De
m odo similar, o sinal de sada pode ser colhido em
qualquer dos trs terminais (em relao terra) [Figs.
5.28(d)-(f)]; assim, h nove possveis com binaes
de circuitos de entrada e de sada e, portanto, nove
topologias de amplificadores.
No entanto, como vimos no Captulo 4, transis
tores bipolares que operam no modo ativo respondem

Figura 5.28

a variaes na tenso base-emissor com variaes em


suas correntes de coletor. Esta propriedade elimina a
conexo de entrada m ostrada na Fig. 5.28(c), pois Vin
no afeta as tenses de base e de emissor. A topologia
da Fig. 5.28(f) tam bm no tem utilidade, pois Vou,
no uma funo da corrente de coletor. O nm ero
de possibilidades, portanto, fica reduzido a quatro.
Notam os que as conexes de entrada e de sada nas
Figs. 5.28(b) e (e) perm anecem incompatveis, pois
Vmu deve ser am ostrado no n de entrada (o emissor)
e o circuito no funcionaria.
Estas observaes revelam trs possveis to p o
logias de am plificadores. E stu d arem o s cada uma
em detalhe, procurando calcular o ganho e as impedncias de en trad a e de sada. Em todos os casos,
os tran sisto res bipolares operam no m odo ativo.
Sugerim os ao leitor rever os Exem plos (5.2)-(5.4)

Possveis combinaes dc entrada c de sada com um transistor bipolar.

6Embora esteja alm do escopo deste livro, o comportamento de grandes sinais de amplificadores tambm se torna importante em
muitas aplicaes.

Captulo Cinco

kkk

e as trs regras ilustradas na Fig. 5.7 antes de seguir


adiante.

11

170

5.3.1

T opologia Em issor Com um

Na Seo 4.1, nossos pensamentos iniciais levaram ao


circuito da Fig. 4.1 (b) e, por conseguinte, topologia
da Fig. 4.25 como amplificador. Se o sinal de entrada
for aplicado base [Fig. 5.28(a)] e o sinal de sada
for am ostrado no coletor [Fig. 5.28(d)], o circuito
chamado estgio emissor com um (estgio EC) (Fig.
5.29). Vimos e analisamos este circuito em diferentes
contextos sem dar nome a ele. A expresso emissor
comum usada porque o terminal do emissor ater
rado e, portanto, aparece em com um com as portas
de entrada e de sada. E n tretan to , identificamos o
estgio com base nas conexes de entrada e de sada
(na base e no coletor, respectivam ente), para evitar
confuso em topologias mais complexas.

y vcc

k Rc
KOUt

Sada Amostrada
no Coletor

7
Entrada Aplicada
Base

Figura 5.29

Estgio emissor-comum.

Tratarem os dos am plificadores EC em duas


etapas: (a) analisarem os o ncleo EC para entender
suas propriedades fundamentais e (b) analisaremos o
estgio EC juntam ente com o circuito de polarizao
como um caso mais realista.

m vK

J o u t

Figura 5.30

Modelo de pequenos sinais para o estgio EC.

Calculemos, primeiro, o ganho de tenso de


pequenos sinais A = vom/vin. Comeando com a porta de
sada e escrevendo uma LCK no n do coletor, temos
- V
-% L = g mv ^

Kc

(5.113)

e vn = vr Com isto,
A v = - g mR c .

(5.114)

A Eq. (5.114) inclui duas im portantes e interes


santes propriedades do estgio EC. Primeira, o ganho
de pequenos sinais negativo, pois, na Fig. 5.29, o
aum ento da tenso de base e, portanto, da corrente
de coletor reduz V,,,,,. Segunda, A proporcional a
g, (ou seja, corrente de polarizao de coletor) e
ao resistor de coletor, R c.
interessante observar que o ganho de tenso
do estgio lim itado pela alim entao de tenso.
Uma corrente de coletor mais alta ou um maior valor
de R ( exige maior queda de tenso em R c, que no
pode exceder Vcc. Na verdade, denotando a queda
de tenso em R ( por V R C e escrevendo gm = I c/ V r,
expressamos (5.113) como
\A tt\ =

IR
VT
Vrc
VT '

A n lise do N cleo EC

Recordem os, a partir da


definio de transcondutncia da Seo 4.4.3, que, na
Fig. 5.29, um pequeno aum ento A V aplicado base de
0 , aumenta acorrente de coletor de g,AV e, portanto,
aum enta a queda de tenso em R c de g,AVRc. Para
examinar as propriedades de amplificao do estgio
EC, construm os o equivalente de pequenos sinais
do circuito, m ostrado na Fig. 5.30. Como explicamos
no Captulo 4, o n de alim entao de tenso, Vcc,
atua como uma terra AC, pois seu valor perm anece
constante ao logo do tempo. D esprezem os o efeito
Early por enquanto.

v out

(5.115)
(5.116)

Como VRC< Vcc,


\A V\ <

Vcc
VT

(5.117)

Alm disso, o prprio transistor requer uma tenso


coletor-emissor mnima da ordem de V,u para perm a
necer na regio ativa; com isto, o limite reduzido
para
Vcc Vbe
VT

(5.118)

Amplificadores Bipolares

Exemplo
5.19

Soluo

171

Projetemos o ncleo EC com Vcc = 1,8 V e um oramento de potncia, P, de 1 mW para alcanar


mximo ganho de tenso.

Como P = /< VC( = 1 mW, temos Ic = 0,556 mA. O valor de R( que coloca Q} na fronteira da
regio de saturao dado por
(5.119)

Vcc ~ R d e = Vbe*
que, juntamente com VHl 800 mV, fornece
Vcc Vbe
Ic
< 1,8 kn.

(5.120)
(5.121)

Portanto, o ganho de tenso igual a


A v = gmRc

(5.122)

= -38,5.

(5.123)

Nesta condio, um sinal de entrada leva o transistor saturao. Como ilustra a Fig. 5.31(a), uma
entrada de 2 mVpp resulta em uma sada de 77 mVpp, o que coloca a juno base-coletor sob polari
zao direta em cada semiciclo. Contudo, desde que Qxpermanea sob saturao fraca (VBC> 400
mV), o circuito amplifica de maneira adequada.
Um projeto mais agressivo pode permitir que Qxopere sob saturao fraca, por exemplo, com
VCE** 400 mV e, portanto,
Vc c - 400 mV
Ic
< 2,52 k2.

(5.124)

Rc <

(5.125)

Neste caso, o mximo ganho de tenso dado por


(5.126)

A v = -53,9.

Agora, o circuito pode tolerar apenas excurses de tenso muito pequenas na sada. Por exemplo, um
sinal de 2 mVpp origina uma sada de 107,8 mVppe leva Qx saturao forte [Fig. 5.31 (b)]. Dizemos
que o circuito requer um equilbrio entre ganho de tenso e vo livre de tenso.

12 mVpp

12 mV,PP

800 mV
800 mV --

800

t
(a)
Figura 5.31

Exerccio

t
(b)

Estgio EC (a) com alguns nveis de sinal, (b) na saturao.

Repita o exemplo anterior para o caso em que Vcc = 2,5 V e compare os resultados.

172

Captulo Cinco

Agora, calculemos as impedncias I/O do estgio


EC. U sando o circuito equivalente m ostrado na Fig.
5.32(a), escrevemos
vx
ix
= r.

R in

(5.127)
(5.128)

A Fig. 5.33 resume as possveis perm utas quanto


ao desem penho da topologia EC ,juntam ente com os
parm etros que as criam. Por exemplo, para um dado
valor de impedncia de sada, R ( fixada e o ganho
de tenso pode ser aum entado com o aum ento de Ic,
o que reduz tanto o vo livre de tenso como a impedncia de entrada.

Portanto, a impedncia de entrada igual a /3 /g, =


/3V , / I c e dim inui m edida que a polarizao de
coletor aum enta.
A impedncia de sada obtida da Fig. 5.32(b),
onde a fonte de tenso de entrada fixada em zero
(substituda por um curto-circuito). Como u. = 0, a
fonte de corrente dependente tam bm anulada, o
que deixa R ( como o nico com ponente visto por vx.
Em outras palavras,
R out

Vx
lx
= Rc-

Vo Livre
de Tenso
(Excurso)

Ganho de
Tenso

/
Impedncia
de Entrada

(5.129)
(5.130)

JL

Vemos, ento, que h uma certa perm uta entre impe


dncia de sada e ganho de tenso, g,Rc.

Exem plo
5.20

S oluo

Impedncia
de Sada

Figura 5.33

Permutas no estgio E C

Um estgio EC deve alcanar uma impedncia de entrada Rine uma impedncia de sada Rimr Qual
o ganho de tenso do circuito?
Como Rin = rn = /3 /gme Rout = Rc, temos
A v = gmRc
.

= -p

Rout

(5.131)
(5.132)

R i,

interessante observar que, se as impedncias I/O forem especificadas, o ganho de tenso fixado
automaticamente. Ao longo do livro, desenvolveremos outros circuitos que evitam esse "acopla
mento das especificaes de projeto.
Exerccio

O que acontece com este resultado se a tenso de alimentao for dividida por dois?

Amplificadores Bipolares
Incluso do E feito Early

A Eq. (5.114) sugere que


o ganho de tenso do estgio EC pode ser aum en
tado indefinidam ente se R c > e g, perm anecer
constante. Como m encionam os na Seo 4.4.5, esta
tendncia parece vlida se Vcc tambm for aum en
tado para assegurar que o transistor perm anece no
modo ativo. De um ponto de vista intuitivo, uma dada
alterao na tenso de entrada e, por conseguinte, na
corrente de coletor d origem a crescentes excurses
na sada medida que R( aum enta.
Na verdade, no entanto, o efeito Early limita o
ganho de tenso mesm o se R c ten d er ao infinito.
Com o a obteno de alto ganho im portante em
circuitos como amplificadores operacionais, devemos
reexam inar as dedues anteriores na presena do
efeito Early.
A Fig. 5.34 ilustra o circuito equivalente de
pequenos sinais do estgio EC, incluindo a resistncia

Exem plo
5.21
Soluo

173

de sada. Notam os que r aparece em paralelo com


R c, o que nos perm ite reescrever (5.114) como
A v = - g m(Rc\\ro)-

(5.133)

Tam bm notam os que a im pedncia de entrada


permanece igual a r enquanto a impedncia de sada
cai para
Rout = RcWro-

(5.134)

O circuito da Fig. 5.29 polarizado com uma corrente de coletor de 1 mA e Rc = 1 kl. Se /3 = 100
e VA = 10 V, determinemos o ganho de tenso de pequenos sinais e as impedncias I/O.
Temos
Ic
8m~ Vt
= (26 2)-1

(5.135)
(5.136)

e
VA
ro = Tc
= 10 k2.

(5.137)
(5.138)

Logo,
Av =

Em(Rc 1ko)

-3 5 .
(Para comparao, se VA =

(5.139)
(5.140)

A ~ -38.) Para as impedncias I/O. escrevemos


(5.141)

Rin
_ _

Sm
= 2,6 k2

(5.142)
(5.143)

p
C

Rmil RcWro
= 0.91 kfi.
Exerccio

Calcule o ganho se VA = 5 V.

(5.144)
(5.145)

174

Captulo Cinco

Determ inem os o ganho do estgio EC medida


que R ( * A Eq. (5.132) nos d
A v = gmr0 .

(5.146)

C ham ado ganho intrnseco do transistor, para


enfatizar que nenhum dispositivo externo carrega o
circuito, g,r0 representa o m xim o ganho de tenso
provido po r um nico tran sisto r e tem um papel
im portante em amplificadores de alto ganho.
Agora, substitumos g, = IC/ V T e r = VA/I C na
Eq. (5.133) e obtemos
\AV\ = y .

(5.147)

E interessante observar que o ganho intrnseco de


um transistor bipolar independe da corrente de pola
rizao. Nos m odernos transistores bipolares inte
grados, VA tem valor prxim o de 5 V, produzindo
um ganho da ordem de 200.7 N este livro, supomos
gmro 1 (e, portanto, r 1/#,,,) para todos os
transistores.
O u tro p arm etro do estgio E C que pode se
m ostrar relevante em algumas aplicaes o ganho
de corrente, definido como
A, =

lin

Figura 5.35 (a) Estgio EC com degenerao. (b) efeito de uma


perturbao na tenso de entrada.

(5.148)

onde iou, denota a corrente entregue carga e iin, a


corrente que flui na entrada. No caso de amplifica
dores de tenso, raram ente tratam os com este par
m etro, mas vale n o tar que A , = 0 para o estgio
m ostrado na Fig. 5.29, pois toda a corrente de coletor
entregue a R c.
Estgio EC com D egenerao de Em issor Em
diversas aplicaes, o ncleo EC da Fig. 5.29 modifi
cado tal como mostra a Fig. 5.35(a), onde um resistor
R, aparece em srie com o emissor. Chamada degene
rao de emissor,esta tcnica melhora a "linearidade
do circuito e origina outras propriedades interessantes
que so estudadas em cursos mais avanados.
Assim como no caso do ncleo EC, pretendem os
determinar o ganho de tenso e as impedncias I/O do
circuito, supondo que Q , seja polarizado de maneira
adequada. Antes de darmos incio anlise detalhada,

interessante que faam os algum as observaes


quantitativas. Suponham os que o sinal de entrada
eleve a tenso de base de AK [Fig. 5.35(b)]. Se R r
fosse zero, a tenso base-em issor tam bm aum en
taria de AK, produzindo uma alterao na corrente de
coletor de g,AV. Mas,com R, ^ 0, uma frao de AK
aparece entre os terminais de R, \com isto,a alterao
de tenso na juno BE se torna menor que A V. Por
conseguinte, a corrente de coletor sofre uma alterao
que tambm m enor queg,Al/. Portanto, esperamos
que o ganho de tenso do estgio degenerado seja
menor que o do ncleo EC sem degenerao. Embora
seja indesejvel, a reduo do ganho melhora outros
aspectos do desem penho do circuito.
O
que podemos dizer da impedncia de entrada?
Com o a alterao na corrente de coletor m enor
que gAV, a corrente de base sofre uma alterao
m enor que g,AV/p, resultando em uma impedncia
de entrada maior que (3 /g, = r. Assim, a degene
rao de emissor aumenta a impedncia de entrada
do estgio EC, uma propriedade desejvel. Um erro
comum consiste em concluir que Rm = r + R, \ mas,
como explicamos a seguir, Rin = r + (/3 + 1)R r.

Figura 5.36 Modelo de pequenos sinais do estgio EC com


degenerao de emissor.

7Contudo, outros efeitos de segunda ordem limitam o ganho real a cerca de 50.

Amplificadores Bipolares

Agora, quantificaremos estas observaes anali


sando o com portam ento de pequenos sinais do
circuito. A Fig. 5.36 mostra o circuito equivalente de
pequenos sinais, onde Vcc substitudo por uma terra
AC e o efeito Early desprezado. N otam os que v
aparece entre os terminais de ru e no entre a base e
a terra. Para determ inar voul/vin, primeiro, escrevemos
uma LCK para o n de sada.
gmVjr

Vout

Substituindo
obtemos

de (5.150) e rearranjando os termos,

Vout

gn,Rc

Vin

1 + ( + s. , ) k

Com o se previu, se R, # 0, a m agnitude do ganho


de tenso m enor que gmR c. Com j3 1, podemos
supor g, \lr e
Av= -

Vout

(5.150)

gmRc

Tambm notam os que duas correntes fluem por


uma com origem em r^e igual a v/r,e o u tra igual
a g,v. Logo, a queda de ten so em R, dada por

Como a soma das quedas de tenso em r e R, deve


ser igual a vin, temos
Vin

(5.152)

= v + VRE
= V +

+ g m V jR E

- * [ 1 + ( + to ) * 4

Exem plo

(5.153)
(5.154)

(5.156)

Rc

(5.157)

+ Re
gm

(5.151)

R e-

gn,R
1 + ,iiR e

Portanto, o ganho reduzido por um fator 1 + g,R,:.


Para chegar a uma interpretao interessante da
Eq. (5.156), dividimos o num erador e o denom inador
P r gn
Av=

VRE

(5.155)

(5.149)

e obtemos
Vjr = -

175

interessante m em orizar este resultado como o


ganho do estgio EC degenerado igual resistncia
de carga total vista no coletor (para a terra) dividida por
1lg, mais a resistncia total conectada em srie com o
emissor. (Na descrio verbal, comum ignorarmos o
sinal negativo no ganho, ficando implcito que deve ser
includo.) Esta e outras interpretaes similares encon
tradas ao longo do livro simplificam muito a anlise de
amplificadores - em geral, eliminando a necessidade
de desenhar circuitos de pequenos sinais.

Determinemos o ganho de tenso do estgio mostrado na Fig. 5.37(a).

5.22

(a)
Figura 5.37

Soluo

(b)

(a) Exemplo de estgio EC, (b) circuito simplificado.

Identificamos o circuito como um estgio EC, pois a entrada aplicada base de


e a sada
amostrada no coletor. Este transistor degenerado por dois dispositivos: R,.:e a juno base-emissor
de Q2. A ltima exibe uma impedncia r2 (como ilustra a Fig. 5.7) e leva ao modelo simplificado

176

Captulo Cinco

mostrado na Fig. 5.37(b). Portanto, a resistncia total conectada em srie com o emissor igual a
R/Alr^, resultando em
A v = ----j ^ -------.
------1- R e Wxi

(5.158)

Sem as observaes anteriores, precisaramos desenhar os modelos de pequenos sinais de (J, e de


Q2e resolver um sistema de vrias equaes.
Exerccio

Exem plo
5.23
Soluo

Repita o exemplo anterior para o caso em que um resistor conectado em srie com o emissor de
(?2-

Calculemos o ganho de tenso do circuito da Fig. 5.38(a).

A topologia a de um estgio EC degenerado por RK, mas a resistncia de carga entre o coletor
de Qx e a terra AC consiste em R( e na juno base-emissor de Q2. Modelando a ltima por rw2,
reduzimos o circuito ao mostrado na Fig. 5.38(b), onde a resistncia de carga total vista no coletor
de
igual a /?c IIav2. Portanto, o ganho de tenso dado por
A^ v =

RcWr7T2 .
+Re
8mi

(a)
Figura 5.38

Exerccio

/C1CON
(5.159)

(b)
(a) Exemplo de estgio EC, (b) circuito simplificado.

Repita o exemplo anterior para o caso em que um resistor conectado em srie com o emissor de

Para calcular a impedncia de entrada do estgio


EC degenerado, redesenhamos o modelo de pequenos
sinais como mostra a Fig. 5.39(a) e calculamos vx/ix.
Como v = rix, a corrente que flui por R, igual a
ix + g,rix = (1 + IB)ix e cria uma queda de tenso
R, (1 + f3)ix. Somando v , e vRE e igualando o resul
tado a vx, temos
v \ = rix + R e( 1 + P)ix<

(5.160)

logo,
Rin = T
Ix
= rn + (p + \)R E.

(5.161)
(5.162)

Como previu nossa anlise qualitativa, a degenerao


de em issor aum enta a im pedncia de entrada [Fig.
5.39(b)].

Amplificadores Bipolares

Por que Rin no sim plesm ente igual a r + /?,.?


Isto seria vlido apenas se r n e R r estivessem em
srie, isto , se conduzissem a mesma corrente; mas,
no circuito da Fig. 5.39(a), a corrente de coletor,g,v
tambm flui para o n P.
O fator 1 + (3 tem algum significado intuitivo?
Observamos que o fluxo das correntes de base e de
coletor por R, resulta em uma grande queda de tenso,
(1 + P)ixR k, mesmo que a corrente puxada de vx seja
apenas ix. Em outras palavras, a fonte de tenso de
teste, vx, supre uma corrente ix, mas produz uma queda
de tenso igual a (1 + fi)ixRi. em R , - como se ix flusse
por um resistor de valor (1 + P)R,;.

177

Esta observao pode ser descrita como: qual


quer impedncia conectada entre o emissor e a terra
multiplicada por j3 + 1 quando vista da base. A
expresso "vista da base significa a im pedncia
medida entre a base e a terra.
Calculemos a impedncia de sada do estgio com
a ajuda do circuito equivalente m ostrado na Fig. 5.40,
onde a tenso de en trad a fixada em zero. A Eq.
(5.153) tam bm se aplica a esse circuito:
v = 0

+ gmv* j Re,

= 1^ +

(5. 163)

resultando em u , = 0 e, portanto, g,v = 0. Assim,


toda a corrente ix flui por R, e
n Ollt
- --Vx

(5.164)

IX

= R c.

(5.165)

revelando que a degenerao de emissor no altera


a impedncia de sada se o efeito Early for despre
zado.

Exem plo
5.24

Soluo

Um estgio EC degenerado polarizado com uma corrente de coletor de 1 mA. Se o circuito


produzir um ganho de tenso de 20 sem degenerao de emissor e de 10 com degenerao de
emissor, determinemos Rc, R, e as impedncias I/O. Vamos admitir j3 = 100.
Para A v = -2 0 na ausncia de degenerao, exigimos
gmRc = 20,

(5.166)

que, juntamente com gm = IC/V T = (26 l) -1, leva a


Rc =520 2.

(5.167)

Como a degenerao reduz o ganho por um fator de dois,


1 H~gmRE 2,

(5.168)

178

Captulo Cinco

ou seja,
Re =

Sm

(5.169)

= 26 2.

(5.170)

+ (P + 1)/?E

(5.171)

= A + (0 + i )Re

(5.172)

A impedncia de entrada , ento, dada por


Riu =
Sm

2 r
pois /3

1 e R f = 1lg, neste exemplo. Assim. R in = 5200 . Por fim,


Roui Rc

= 520 2.
Exerccio

Exem plo

5.25

(5.173)

(5.174)
(5.175)

Que corrente de polarizao resultaria em ganho de 5 com estes valores para os resistores de emissor
e de coletor?

Calculemos o ganho de tenso e as impedncias I/O do circuito mostrado na Fig. 5.41. Vamos admitir
um valor muito grande para C,.

Figura 5.41

Exemplo dc estgio EC.

Soluo

Se C, for muito grande, o capacitor funciona como um curto-circuito para as frequncias de sinal
de interesse. Alm disto, no circuito equivalente de pequenos sinais, a fonte de corrente constante
substituda por um circuito aberto. Assim, o estgio se reduz ao circuito ilustrado na Fig. 5.35(a)
e as Eqs. (5.157), (5.162) e (5.165) so vlidas.

Exerccio

Repita o exemplo anterior para o caso em que outro capacitor conectado entre a base e a terra.

O
estgio degenerado EC pode ser analisado
uma perspectiva diferente para se conseguir m elhor
entendim ento. Coloquemos o transistor e o resistor
de emissor em uma caixa-preta de trs terminais [Fig.

de
5.42(a)]. Para operao em pequenos sinais, podemos
ver a caixa-preta como um novo transistor (ou dispo
sitivo ativo) e m odelar seu com portam ento por
novos valores de transcondutncia e im pedncias.

Amplificadores Bipolares

Figura 5.42

179

(a) Transistor bipolar degenerado visto como uma caixa-preta, (b) equivalente de pequenos sinais.

D enotada por Gnn para evitar confuso com gm de


(?,, a transcondutncia equivalente obtida da Fig.
5.42(b). Como a Eq. (5.154) ainda vlida, temos
(5.176)

lout gmVn
=

1 + (r-! + gm)RE'

(5.177)

logo,
_ lout

(5.178)

Vin
Sm
1 + Sm R

(5.179)
e

Por exemplo, o ganho de tenso do estgio com uma


resistncia de carga R n dado por GmR n.
U m a propriedade interessante do estgio EC
degenerado que seu ganho de tenso se torna rela
tivam ente independente da transcondutncia do
transistor e, portanto, da corrente de polarizao se
gmR E 1. Da Eq. (5.157), notam os que, nesta
condio, A> R c/R e. Como estudam os no Exer
ccio 40, esta tendncia, na verdade, representa o
efeito de linearizao da degenerao de emissor.

Figura 5.43

Como um caso mais geral, agora consideramos um


estgio EC degenerado que contm uma resistncia
em srie com a base [Fig. 5.43(a)]. Como veremos a
seguir, R lt apenas degrada o desem penho do circuito,
mas, muitas vezes, se mostra inevitvel. Por exemplo,
R pode rep resen tar a resistncia de sada de um
microfone conectado entrada do amplificador.
Para analisar o com portam ento de pequenos
sinais desse estgio, podem os ad o tar uma de duas
abordagens: (a) desenhar um m odelo de pequenos
sinais do circuito com pleto e resolver as equaes
resultantes, ou (b) notar que o sinal no n A apenas
uma verso atenuada de v, e escrever
Vout _ Vj\
Vin

Vin

VOU[

(5.180)

VA '

Aqui, vA/vin denota o efeito de diviso de tenso entre


Ri,e a impedncia vista na base de Q i,e v ottl/vA repre
senta o ganho de tenso da base de Q t para a sada,
como j obtido nas Eqs. (5.155) e (5.157). Deixamos
a prim eira abordagem para o Exerccio 44 e prosse
guimos com a segunda.

(a) Estgio EC com resistncia de base, (b) circuito equivalente.

180

Captulo Cinco

Calculemos, primeiro, vA/vin com o em prego da


Eq. (5.162) e o modelo ilustrado na Fig. 5.39(b), como
indica a Fig. 5.43(b). O resultante divisor de tenso
fornece
va

4- (P + l)R E
+ (fi+ 1)R e + R b

Vin

Para o estgio da Fig. 5.43(a), podem os definir


duas diferentes impedncias de entrada, uma vista
da base de Q x, e outra, do term inal esquerda de R lt
(Fig. 5.44). A prim eira igual a
Rinl =

(5.181)

fjr +

(,P

(P

(5.186)

)R e

e a segunda, a
Combinando (5.155) com (5.157), calculamos o ganho
total como
Vom

Vin

r + (p +
rn

1 )R

(P + 1 ) R e

SmRc

Rinl = Rf + fj,

(5.187)

)R e -

(5.182)

R f

1 + { ^ +8,,) R e

r + (p + l)R E
- g mr*Rc
rn + (P + 1)R e + R b r + (l+ p )R E

(5.183)

-p R c
rn + (P + 1)R e + R b

(5.184)

Para obter uma expresso mais intuitiva, dividimos


o num erador e o denom inador por j3:
Figura 5.44

-R c

'

4 -l

4-

z , + Rc + 7 T i
C om parado com (5.157), este resultado contm
apenas um term o adicional no denom inador, igual
resistncia de base dividida por [3 + 1.
Estes resultados revelam que as resistncias em
srie com o em issor e com a base tm efeitos simi
lares sobre o ganho de tenso, mas R dividida por
j3 + 1. A im portncia desta observao ficar clara
mais adiante.

Exem plo

5.26

Soluo

Impedncias de entrada vistas de ns diferentes.

(5.185)

Na prtica,
se m ostra mais relevante e til.
N otam os, tam bm , que a im pedncia de sada do
circuito perm anece igual a

mesmo que R n ^ 0. Isto estudado no Exerccio 45.

Um microfone com resistncia de sada de 1 k gera um nvel de sinal de pico de 2 mV. Projetemos
um estgio EC com corrente de polarizao de 1 mA que amplifique este sinal a 40 mV. Vamos
admitir R, = 4lgme j3 = 100.
So obtidos os seguintes valores: R = 1 k, g, = (26 i)
(5.185),
/?c = l > u ( + R e + - Lt )
\gm
P+ l/
% 2,8kft.

Exerccio

(5.188)

R o, = R c

= 20 e R, = 104 l. Da Eq.

(5.189)
(5.190)

Repita o exemplo anterior para o caso em que a resistncia de sada do microfone dobrada.

Amplificadores Bipolares

Exemplo
5.2 7

181

Determinemos o ganho de tenso e as impedncias I/O do circuito mostrado na Fig. 5.45(a). Vamos
supor um valor muito grande para C, e desprezar o efeito Early.

Rs
vin-----Wr-

-oV.out

S 1

Umii-

(b)

Figura 5.45

Soluo

(a) Exemplo de estgio EC, (b) circuito simplificado.

Substituindo C, por um curto-circuito, /j por um circuito aberto e Vcc por uma terra AC, obtemos o
modelo simplificado da Fig. 5.45(b),onde Rt e /^ aparecem em paralelo e R2atua como um resistor
de degenerao de emissor. As Eqs. (5.185), (5.186) e (5.188) so, ento, escritas como, respectiva
mente,

-(RcU Ri)

Rb

Rin = R b + rn + (P + l )/?2
Rom = RcWRy.

Exerccio

(5.191)

(5.192)
(5.193)

O que acontece se um capacitor muito grande for conectado entre o emissor de Q\ e a terra?

E feitod a Resistncia de Sada do Transistor At


aqui, a anlise do estgio EC degenerado desprezou
o efeito Early. E m bora fuja um pouco ao escopo
deste livro, a deduo das propriedades do circuito
em presena desse efeito delineada no Exerccio
48 para o leitor interessado. Contudo, exploraremos
um aspecto do circuito: a resistncia de sada, pois

Figura 5.46

representa a base para diversas outras topologias que


estudarem os mais adiante.
Nosso objetivo determ in ar a im pedncia de
sada vista ao olhar para o coletor de um transistor
degenerado [Fig. 5.46(a)]. Recordemos da Fig. 5.7 que
R,nu = ro se R e = 0- A lm disso, R, = oo se VA = oo
(por qu?). Para incluir o efeito Early, desenham os

(a) Impedncia de sada de um estgio degenerado, (b) circuito equivalente.

182

Captulo Cinco

o circuito equivalente de pequenos sinais da Fig.


5.46(b), aterrando o term inal de entrada. Um erro
comum consiste em escrever R, = r + R,.. Como
g,v flui do n de sada para P, os resistores rn e R,
no esto em srie. Notamos prontam ente que R, e
r aparecem em paralelo e a corrente que flui por R, II
r igual a ix. Logo,
v = x ^Re Wk ),

(5.194)

onde o sinal negativo aparece porque o lado positivo


de u, est na terra. Notamos ainda que r(t conduz uma
corrente ix
e, portanto, sustenta uma tenso
(ix - g,v)r0. Somando esta tenso quela entre os
term inais de R, ( = -v ) e igualando o resultado a
vx, obtem os
v x = 0 x ~ g mv ) r 0 - v

[ix

+ g m ix (R E \\rn ) ]r o +

= ro + (gmro + l)(RE\\r,r).

(5.196)

(5.197)
(5.198)

R ecordem os de (5.146) que o ganho intrnseco do


transistor gmr() 1 e, portanto,
R<mt ^ r0 + gmro(Ri:\\rn)
** ro[l + gmficl k*)].

Soluo

r0 (l + gmrn)

(5.201)

&r0 .

(5.202)

pois /3 1. Assim, a resistncia mxima vista no


coletor de um transistor bipolar igual a [ir,, se
a impedncia de degenerao se tornar muito maior
que /v
Para R,. r, temos /?, !!/ > R r e
Rout (1 + gmRn)ro-

(5.203)

N este caso, a resistncia de sada aum entada por


um fator 1 + gmR ,.
Na anlise de circuitos, s vezes desenham os a
resistncia de sada do transistor de m aneira expl
cita para enfatizar sua importncia (Fig. 5.47). claro
que essa representao supe que Q x no contm
outra r().

(5.199)
(5.200)

interessante observar que o em issor degenerado


eleva a impedncia de sada de r() ao valor anterior,
ou seja, por um fator 1 + gm(R^l\rn).
O leitor pode questionar se a elevao da resis
tncia de sada desejvel ou indesejvel. O "aumento
da resistncia de sada em conseqncia da degene-

Exem plo
5.28

Rn

(5.195)

Portanto,
Roul = [1 +gm (fllM ]ro +

rao se mostra extrem am ente til no projeto de


circuitos, produz amplificadores com maiores ganhos
e, tambm, cria fontes de correntes mais ideais. Estes
conceitos so estudados no Captulo 9.
conveniente que examinemos (5.200) para dois
casos especiais: R,.: r e R,. . r. Para R, r
temos R,.\\r^^> r^e

Figura 5.47

Estgio com representao explcita de r().

Desejamos projetar uma fonte de corrente de valor 1 mA e resistncia de sada de 20 k. O tran


sistor bipolar disponvel exibe /3 = 100 e VA = 10 V. Determinemos o valor mnimo necessrio da
resistncia de degenerao de emissor.
Como r() = VA/lc = 10 ki, a degenerao deve elevar a resistncia de sada por um fator de dois.
Postulamos que a condio R,.: r_ vlida e escrevemos
1 + gm^E = 2.

(5.204)

Amplificadores Bipolares

183

Ou seja,
(5.205)

Re =
gm
= 26 Q.
Notamos que, de fato, rv = /3/gm
Exerccio

Exem plo
5.29

(5.206)

R,..

Qual o valor da resistncia de sada se o valor de R, for dobrado?

Calculemos a resistncia de sada do circuito mostrado na Fig. 5.48(a) para o caso em que C,
muito grande.

OUt1

(b)

(a)
Figura 5.48

Soluo

(c)

(a) Exemplo de estgio EC, (b) circuito simplificado, (c) resistncia vista no coletor.

Substituindo Vh e C, por uma terra AC e /, por um circuito aberto, obtemos o modelo simplificado
da Fig. 5.48(b). Como Ryaparece em paralelo com a resistncia vista ao olharmos para o coletor de
(J,, ignoramos R{ por enquanto, o que reduz o circuito ao da Fig. 5.48(c). Em analogia com a Fig.
5.40, reescrevemos a Eq. (5.200) como
Roun

[1
1
&m(R2\\rx

(5.207)

Retornando Fig. 5.48(b), temos


Rout

*0*111*1

(5.208)
(5.209)

Exerccio

Qual o valor da resistncia de sada se um capacitor grande for conectado entre o emissor de <2,
e a terra?

O procedimento de simplificar progressivamente


um circuito at que se parea com uma topologia
conhecida muito til em nosso trabalho. Cham ado
anlise por inspeo, este m todo evita a neces
sidade de complexos modelos de pequenos sinais e

longos clculos. Para com provar a eficcia e o enten


dim ento fornecido por nossa abordagem intuitiva,
sugerimos ao leitor tentar resolver o exemplo ante
rior usando o m odelo de pequenos sinais do circuito
completo.

184

Captulo Cinco

Exem plo

Determinemos a resistncia de sada do estgio mostrado na Fig. 5.49(a).

5.30
^out

out

'b2
I'bl

I(a)
Figura 5.49

Soluo

(b)

(a) Exemplo do estgio EC, (b) circuito simplificado.

Recordemos da Fig. 5.7 que a impedncia vista no coletor ser igual a r() se a base e o emissor forem
aterrados (terra AC). Assim. Q2pode ser substitudo por r()2 [Fig. 5.49(b)]. De outra perspectiva, Q2
reduzido a r()2 porque sua tenso base-emissor fixada por vu, produzindo gm2vw2nulo.
Agora, rm desempenha o papel de resistncia de degenerao de emissor para Qv Em analogia
com a Fig. 5.40(a), reescrevemos a Eq. (5.200) como
(5.210)

Rout

Chamada circuito cascode, esta topologia estudada e utilizada no Captulo 9.


Exerccio

Repita o exemplo anterior para uma pilha de trs transistores.

E stgio EC com P o la riza o

Tendo aprendido
as propriedades de pequenos sinais do amplificador
emissor comum e suas variantes, agora vamos estudar
um caso mais geral, em que o circuito contm uma
estrutura de polarizao. Comeamos com o esquema

Exem plo

5.31

S oluo

de polarizao simples descrito na Seo 5.2 e,


progressivam ente, adicionarem os com plexidade (e
desem penho mais robusto) ao circuito. Comecemos
com um exemplo.

Um estudante familiarizado com o estgio EC e com os princpios bsicos de polarizao constri


o circuito mostrado na Fig. 5.50 para amplificar o sinal produzido por um microfone. Infelizmente,
no conduz corrente e no capaz de amplificar. Expliquemos a causa deste problema.

Diversos microfones exibem uma pequena resistncia de baixa frequncia (p. ex., < 100 O). Se for
usado nesse circuito, um desses microfones criar uma pequena resistncia entre a base de Qxe a

Amplificadores Bipolares

185

terra, formando um divisor de tenso com RHe fornecendo uma tenso de base muito baixa. Por
exemplo, uma resistncia de microfone de 100 2 resulta em

Vx = Ik5T2 * 2,5 v

<5'2U)

2,5 mV.

(5.212)

Portanto, a resistncia de baixa frequncia do microfone interrompe a polarizao do amplifi


cador.
Exerccio

O circuito operaria melhor se o valor de

C om o o circuito da Fig. 5.50 pode ser conser


tado? Como apenas o sinal gerado pelo microfone
de interesse, um capacitor srie pode ser inserido
tal como ilustra a Fig. 5.51 para isolar a polarizao
DC do amplificador do microfone. O u seja, o ponto
de polarizao de Q, perm anece independente da
resistncia do microfone, pois C , no conduz corrente
de polarizao. O valor de C, escolhido de modo a
produzir uma impedncia relativamente baixa (quase
um curto-circuito) para as frequncias de interesse.
Dizemos que C, um capacitor de acoplam ento e
que a entrada deste estgio est sob acoplam ento
AC ou acoplam ento capacitivo. Muitos circuitos
fazem uso de capacitores para isolar as condies de
polarizao de efeitos indesejveis. O utros exem
plos esclarecero esta questo mais adiante.

fosse divido por dois?

Figura 5.51 Acoplamento capacitivo na entrada do amplifi


cador de microfone.

A observao anterio r sugere que a m etodo


logia ilustrada na Fig. 5.9 deve incluir uma outra
regra: substituir todos os capacitores por circuitos
abertos no caso de anlise D C e, no caso de anlise
de pequenos sinais, por curtos-circuitos.

vcc

-oV,out

-H T

Hhr

Riin2

(c)

(b)

(a)

---- C

01

*out

Ruin1
(d)

(e)

Figura 5.52 (a) Acoplamento capacitivo na entrada de um estgio EC, (b) estgio simplificado para clculo de polarizao, (c)
estgio simplificado para clculo de pequenos sinais, (d) circuito simplificado para clculo da impedncia de entrada, (e) circuito
simplificado para clculo da impedncia de sada.

186

Captulo Cinco

C om ecem os com o estgio ilustrado na Fig.


5.52(a). Para o clculo da polarizao, a fonte de sinal
fixada em zero e C, substitudo por um circuito
aberto, o que leva ao circuito da Fig. 5.52(b). Da Seo
5.2.1, temos
Ic = fi

Vcc - Vbe
R

(5.213)

Vy = Vcc ~ PRc

Vcc Vbe
R

(5.214)

Para evitar saturao, VY ^ Vm:.


Conhecida a corrente de polarizao, os parm e
tros de pequenos sinais, g r e r() podem ser calcu
lados. Agora, vamos voltar nossa ateno anlise de
pequenos sinais e considerar o circuito simplificado
da Fig. 5.52(c). Aqui, C, substitudo por um curtocircuito, e Vcc, por uma terra AC; mas, Q t mantido
como um smbolo. Tentamos resolver o circuito por
inspeo: se no tivermos sucesso, recorrerem os ao
m odelo de pequenos sinais de
e escrita de LTK
e LCK.
O circuito da Fig. 5.52(c) lem bra o ncleo E C
ilustrado na Fig. 5.29, exceto por R. interessante
observar que R no tem efeito sobre a tenso no
n X , desde que vin perm anea uma fonte de tenso
ideal; ou seja, vx = u independentem ente do valor
de R tl. Como o ganho de tenso da base para o coletor
dado por vJvx = - g inR c, temos

Exem plo
5.32

Exerccio

n
gn\Rc

(5.215)

Vin

Se VA <

ento
(5.216)

=
Vin

No entanto, a im pedncia afetada por R [Fig.


5.52(d)]. Recordemos, da Fig. 5.7, que a impedncia
vista quando se olha para a base, R M, igual a se
o emissor estiver aterrado. Aqui, R apenas aparece
em paralelo com R inU resultando em
Rin2

?t

11R l

(5.217)

Portanto, o resistor de polarizao reduz a impedncia


de entrada. No entanto, como mostra o Exerccio 51,
este efeito , em geral, desprezvel.
Para determ inar a impedncia de sada, fixamos
a fonte de entrada a zero [Fig. 5.52(e)]. C om parando
este circuito com o da Fig. 5.32(b), notamos que Rul
perm anece inalterado:
Rout = RcWo-

(5.218)

pois os terminais de R Hso curto-circuitados terra.


Em suma, o resistor de polarizao, R n, tem efeito
desprezvel sobre o desempenho do estgio mostrado
na Fig. 5.52(a).

Tendo aprendido sobre acoplamento AC, o estudante no Exemplo 5.31 modifica o circuito como
mostra a Fig. 5.53 e tenta alimentar um alto-falante. Infelizmente, o circuito ainda no funciona.
Expliquemos por qu.

Figura 5.53

Soluo

VOU
----------

Amplificador com conexo direta ao alto-falante.

Alto-falantes tpicos incorporam um solenoide (indutor) para acionar uma membrana. O solenoide
exibe uma resistncia DC muito baixa, por exemplo, menor que 1 1. Desta forma, o alto-falante na
Fig. 5.53 curto-circuita o coletor terra e leva Q ] saturao forte.
O circuito operaria melhor se o alto-falante fosse conectado entre o n de sada e Vccl

Amplificadores Bipolares

Exemplo
5 .3 3

187

O estudante tambm aplica acoplamento AC na sada [Fig. 5.54(a)] e mede os pontos quiescentes
para garantir polarizao adequada. A tenso de polarizao de coletor 1,5 V, indicando que Qx
opera na regio ativa. No entanto, o estudante ainda no observa ganho no circuito, (a) Se Is =
5 X 10-17 A e VA = calculemos o parmetro /3 do transistor, (b) Expliquemos por que o circuito
no produz ganho.

100 k Q

out

1 kQ

CO,

II-

Oi

^2

RR

(a)

(b)

Figura 5.54 (a) Amplificador com acoplamento capacitivo na entrada c na sada, (b) modelo simplificado
de pequenos sinais.

Soluo

(a) A tenso de coletor de 1,5 V se traduz em uma queda de tenso de 1 V em Rc e, portanto, em


uma corrente de coletor de 1 m A. Logo,
VBE = VT l n ^
ls
= 796 mV.

(5.219)
(5.220)

Portanto,
h = - CCx bVbE

(5.221)

= 17 fiA,

(5.222)

e p = IC/1B = 58,8.
(b)
Alto-falantes, em geral, exibem uma baixa impedncia na faixa de frequncias de udio por
exemplo, 8 . Desenhando o equivalente AC como na Fig. 5.54(b). notamos que a resistncia total
vista no n coletor igual a 1 klll8 l. produzindo um ganho de
\AV\ = g m(Rc\\Rs) = 0,31.
Exerccio

(5.223)

Repita o exemplo anterior para /( = 500 l.

O circuito da Fig. 5.54(a) exemplifica uma inter


face im prpria entre um amplificador e uma carga: a
impedncia de sada to maior que a impedncia de
carga que a conexo da carga ao amplificador reduz
o ganho de maneira drstica.
Como podemos remediar esse problema de carre
gam ento? Como o ganho de tenso proporcional
a g podemos polarizar
em uma corrente muito
mais alta para aum entar o ganho. Isto estudado no
Exerccio 53. De modo alternativo, podemos interpor
um estgio de buffer entre o amplificador EC e o
alto-falante (Seo 5.3.3).

Agora, consideremos o esquema de polarizao


mostrado na Fig. 5.15 e repetido na Fig. 5.55(a). Para
determinar as condies de polarizao, fixamos a fonte
de sinal em zero e abrimos o(s) capacitor(es). As Eqs.
(5.38)-(5.41) podem, ento,ser usadas. Para a anlise de
pequenos sinais, o circuito simplificado da Fig. 5.55(b)
revela uma semelhana com o da Fig. 5.52(b), exceto
quanto ao fato de que R t e R 2 aparecem em paralelo
com a entrada. Assim,o ganho de tenso ainda igual a
gm(/?( llr0) e a impedncia de entrada dada por
/?m = ^ ||/? ,||/? 2.

(5.224)

188

Captulo Cinco

Figura 5.55

(a) Estgio polarizado com acoplamento capacitivo, (b) circuito simplificado.

Figura 5.56

(a) Estgio degenerado com acoplamento capacitivo, (b) circuito simplificado.

A resistncia de sada igual a R c\\rt.


Em seguida, estudamos o esquema de polarizao
mais robusto da Fig. 5.19 e repetido na Fig. 5.56(a),
incluindo um capacitor de acoplam ento na entrada.
O ponto de polarizao determ inado com a substi
tuio de C, por um circuito aberto e o emprego das
Eqs. (5.52) e (5.53). Conhecida a corrente de coletor,
os parm etros de pequenos sinais de >i podem ser
calculados. Construmos, tambm, o circuito AC simpli
ficado da Fig. 5.56(b) e notamos que o ganho de tenso
no afetado por /?, e R2, perm anecendo igual a
Av=

~ Rc ,
-----h R e
Sm

(5.225)

onde o efeito Early foi desprezado. A impedncia de


entrada, por sua vez, reduzida para:
R, = [r +(P + l)R E\ m \ \ R 2 ,

(5.226)

enquanto a impedncia de sada perm anece igual a


R c, se VA = *>.
Como explicamos na Seo 5.2.3, o uso de degenerao de emissor pode, de fato, estabilizar o ponto de

polarizao, apesar de variaes em 0 e Is. No entanto,


como evidencia (5.225), a degenerao tambm reduz
o ganho. possvel aplicar degenerao polarizao,
mas no ao sinal? A Fig. 5.57 ilustra uma topologia
deste tipo, onde C, grande o suficiente para atuar
como um curto-circuito para as frequncias de sinal
de interesse. Podemos, portanto, escrever
A , = - g mRc

(5.227)

* , = >* I I * . 11*2

(5.228)

Rout

R c-

(5.229)

Amplificadores Bipolares

Exemplo
5 .3 4

S oluo

189

Projetemos o estgio da Fig. 5.57 de modo a satisfazer s seguintes condies: Ic = 1 mA, queda
de tenso em R, = 400 mV, ganho de tenso = 20 na faixa de frequncias de udio (20 Hz a 20
kHz), impedncia de entrada > 2 kl. Vamos admitir /3 = 100, Is = 5 X 10 16A e Vcc = 2,5 V.
Com I( = 1 mA /,,, o valor de R, igual a 400 l. Para que o ganho de tenso no seja afetado
pela degenerao, a impedncia mxima de C2 deve ser muito menor que l/gm = 26 l.8 Ocor
rendo em 20 Hz, a impedncia mxima deve permanecer abaixo de, aproximadamente, 0,1 X
( l/g m) = 2,6 l:

C2co

para co = 2jt x 20 Hz.


10 gm

(5.230)

Logo,
C2 > 30.607/zF.

(5.231)

(Este valor excessivamente grande e exige modificao do circuito.) Tambm temos


\Av\= g mR c= 2 0 ,

(5.232)

Rc = 520 2.

(5.233)

e obtemos

Como a tenso em R , igual a 400 mV e V,u. = V, \n(l( /Is) = 736 mV, temos Vx = 1,14 V. Com uma
corrente de base de 10 /^.A. a corrente que flui por /, e R2deve exceder 100 /iA para se reduzir a
sensibilidade em relao a /3:
Vcc
> 10IB
R\ + R 2

(5.234)

e, portanto,
R 2 < 25 kQ

(5.235)

R2
Vcc = 1,14 V.
R 1 + Ri

(5.236)

R\
Nessas condioes,
Vx'O que d

R2 = 11,4 kQ

(5.237)

Ri = 13,6 k2.

(5.238)

Agora, devemos verificar se esta escolha de Rt e R2satisfaz a condio R, > 2 k. Ou seja,


Rin = r ||/?11|/?2
= 1,83 k2.

(5.239)
(5.240)

Infelizmente, /, e R2 reduzem demais a impedncia de entrada. Para remediar este problema,


podemos permitir uma corrente em Rt e R2 menor que 10/, custa de criar mais sensibilidade em
relao a p. Por exemplo, se essa corrente for fixada em 51,, = 50 /iA e ainda desprezarmos IB no
clculo de Vx,

*Um erro comum aqui fazer a impedncia de C2 muito menor que RE.

190

Captulo Cinco

Vcc
R ,+ R z > 5' b

(5.241)

R i + R 2 < 50k2.

(5.242)

R2 = 22,8 k2

(5.243)

R t = 27,2 k2,

(5.244)

Rin= 2,15 k2.

(5.245)

e
Em conscqucncia.

e obtemos

Exerccio

Reprojete o estgio do exemplo anterior para um ganho de 10 e compare os resultados.

Conclum os nosso estudo d o estgio E C com


uma breve anlise do caso mais geral ilustrado na
Fig. 5.58(a), onde a fonte de sinal de entrada exibe
uma resistncia finita e a sada conectada carga R, .
A polarizao perm anece idntica da Fig. 5.56(a),
mas R s e R, reduzem o ganho de tenso
O
circuito AC simplificado da Fig. 5.58(b) revela que
Vin atenuado pela diviso de tenso entre R s e a
im pedncia vista no n X , /?,ll/?2ll[r,ir + (/3 +
ou seja,
vx _
Vin

flillfolll/v + (P + 1)*e]
* i l l * 2 l l[ * x r + ( P + 1 ) * e ] + * 5

Figura 5.58

(5.246)

O ganho de tenso de vm sada dado por


Vout _ vx
Vin

Vin

vout

/ j

247

VX

f t|||/? 2 llK + ( l + l)/?E]


flcll^L
R\UR2 \\[r + <fi + l)R E] + Rs _ L + r '
gm

5248,

C om o se esperava, valores mais baixos de R t e R 2


reduzem o ganho.
O clculo anterior v o circuito de entrada como
um divisor de tenso. De modo alternativo, podemos

(a) Estgio EC genrico, (b) circuito simplificado, (e) modelo de Thvenin do circuito de entrada.

Amplificadores Bipolares

191

utilizar um equivalente de Thvenin para incluir o 5.3.2 T opologia Base Com um


efeito de Rs, /?, e R : sobre o ganho de tenso. Como
mostra a Fig.5.58(c),a ideia substituir vin,R %e R l\\R2 Aps o estudo do estgio EC, voltamos agora nossa
ateno para a topologia base com um" (topologia
por vThiv e R nv:
BC). Quase todos os conceitos descritos para a confi
gurao EC tambm se aplicam aqui. Portanto, segui
(5.249) remos o mesmo roteiro, mas em um passo um pouco
VThv
R i\\R 2 + Rs
mais rpido.
(5.250)
Dada as propriedades de amplificao do estgio
Rlltv = ^?sll^lll^2EC, o leitor pode questionar por que estudarem os
outras
topologias de amplificadores. Como veremos,
O circuito resultante lembra o da Fig. 5.43(a); da Eq.
outras
configuraes
apresentam diferentes proprie
(5.185) segue-se que
dades que, em algumas aplicaes, podem ser prefe
rveis s do estgio EC. A ntes de seguir adiante,
R 1 WR2
R c WRl
Av =
(5.251)
sugerim
os que o leitor reveja os Exem plos 5.2-5.4,
1
R 1 HR2 + R s'
as
correspondentes
regras ilustradas na Fig. 5.7 e as
Z + Re + 7 T T
possveis topologias da Fig. 5.28.
A Fig. 5.60 m o stra o estgio BC. A e n tra d a
onde a segunda frao no lado direito descreve a
atenuao de tenso dada pela Eq. (5.249). Suge aplicada ao em issor e a sada am o strad a no
rimos ao leitor provar que (5.248) e (5.251) so idn coletor. P olarizada em um a te n so a d eq u a d a, a
base atua com o terra AC e, portanto, com o um n
ticas.
As duas abordagens que acabam os de descrever com um s portas de en tra d a e de sada. Assim
exemplificam tcnicas de anlise usadas para resolver com o no caso do estgio EC, prim eiro estudam os
circuitos e favorecer o entendim ento. Nenhuma das o ncleo e, em seguida, adicionam os os elem entos
duas exige o desenho do m odelo de pequenos sinais de polarizao.
do transistor, pois os circuitos reduzidos podem ser
A nlise do Ncleo BC Como o estgio BC da Fig.
m apeados em topologias conhecidas.
A Fig. 5.59 resume os conceitos estudados nesta 5.61(a) responde a um sinal de entrada?9Se Vin sofrer
um pequeno aum ento AK, a tenso base-emissor de
seo.
'Vale notar que as topologias das Figs. 5.60 c 5.61(a) so idnticas, embora ?, seja desenhado de maneira diferente.

192

Captulo Cinco

Figura 5.62

<2, dim inui pelo mesmo valor, pois a tenso de base


fixa. Por conseguinte, a corrente de coletor diminui
de g,AV, perm itindo que Vu, aum ente de gmA V R c.
Portanto, conclum os que o ganho de tenso de
pequenos sinais igual a
A v =g,Rc-

(5.252)

interessante observar que esta expresso idntica


do ganho da topologia EC. No entanto, diferentemente
do estgio EC, este circuito exibe um ganho positivo,
pois um aumento em Vm resulta em aumento em Vr
Confirmemos estes resultados com a ajuda do equi
valente de pequenos sinais ilustrado na Fig. 5.61 (b), onde
o efeito Early foi desprezado. Comeando com o n de
sada, igualamos a corrente que flui por R( a g,v:

Vo livre de tenso no estgio BC.

C om o no caso do estgio EC, a topologia BC


sofre do problem a de perm uta entre ganho, vo livre
de tenso e impedncia I/O. Primeiro, examinamos as
limitaes do vo livre do circuito. Como a tenso de
base, Vh, na Fig. 5.61 (a), deve ser escolhida? Recor
demos que a operao do dispositivo na regio ativa
requer V,.: > 0 e V,,c * 0 (no caso de dispositivos
npn). Portanto, Vh deve perm anecer mais alto que a
entrada por cerca de 800 mV e a sada deve perm a
necer mais alta que, ou igual a Vh. Por exemplo, se
o nvel D C da en trad a for zero (Fig. 5.62), a sada
no pode cair abaixo de aproxim adam ente 800 mV,
ou seja, a queda de tenso em Rc no pode exceder
V c c - VE- Similar lim itao do estgio EC, esta
condio se traduz em
(5.255)

Vout

(5.253)

e obtem os
= - v olll/(gmR c). Considerando agora o
n de entrada, notamos que v = vin. Logo,
Vout
r>
---- = gmRc-

(5.254)

_ Vcc ~ Vbe
Vt

Agora, calculemos as impedncias I/O da topo


logia BC, para entenderm os suas propriedades de
interface com estgios antecedentes e posteriores. As

Vin

Figura 5.61

(5.256)

(a) Resposta do estgio BC a uma pequena alterao na entrada, (b) modelo de pequenos sinais.

Amplificadores Bipolares

Exemplo
5 .3 5

Soluo

193

A tenso produzida por um termmetro eletrnico igual a 600 mV temperatura ambiente. Proje
temos um estgio BC para amostrar a tenso do termmetro e amplificar sua alterao com ganho
mximo. Vamos supor Vcc = 1,8 V, /c = 0,2 mA, s = 5 X 10"17A e /3 = 100.
Ilustrado na Fig. 5.63(a), o circuito deve operar de modo adequado com um nvel de entrada de
600 mV. Portanto* Vh = Vm. + 600 mV = V, \n(Ic/Is) + 600 mV = 1,354 V. Para evitar saturao,
a tenso de coletor no deve cair abaixo da tenso de base, permitindo, assim, uma mxima queda
de tenso em Rc igual a 1,8 V - 1,354 V = 0,446 V. Logo, Rc = 2,23 k2. Podemos, ento, escrever
(5.257)

Av = gmRc
_ IR

(5.258)

VT
= 17,2.

(5.259)

O leitor pode repetir o problema com /< = 0,4 mA e verificar que o ganho mximo permanece
relativamente independente da corrente de polarizao.10

VlnP ) 6 0 0 mV

Termmetro
(b)

(a)

Figura 5.63

(a) Estgio BC amostrando uma entrada, (b) circuito de polarizao para base.

Agora, devemos gerar Vh. Uma abordagem simples consiste em empregar um divisor resistivo,
como ilustrado na Fig. 5.63(b). Para reduzir a sensibilidade em relao a /3, escolhemos /, 10/,/
20 fi A V CC/(R \ + R 2). Logo, /?, + R 2 = 90 kft. Alm disso.
Vb

Ri
Vcc
R\ + R 2

(5.260)

Logo,

Exerccio

R2 = 67,7 kQ

(5.261)

R\ = 22,3 k2.

(5.262)

Repita o exemplo anterior para o caso em que a tenso do termmetro seja de 300 mV.

regras ilustradas na Fig. 5.7 so extrem am ente teis


aqui e eliminam a necessidade de circuitos equivalentes de pequenos sinais. Ilustrado na Fig. 5.64(a), o
circuito AC simplificado revela que /?,,, a impedncia

vista quando se olha para o emissor, com a base em


terra AC. Das regras da Fig. 5.7, temos
j
Rin =
(5.263)
Sm

l0Este exemplo serve apenas como ilustrao do estgio BC. Um estgio EC pode ser mais adequado para amostrar uma tenso
de termmetro.

194

Captulo Cinco

A impedncia de sada do estgio BC calculada


com o em prego da Fig. 5.66, onde a fonte de tenso
de en trad a fixada em zero. N otam os que R, =
Ruh\\Rc, onde
a impedncia vista no coletor,
com o emissor aterrado. Das regras da Fig. 5.7, temos
R.m, 1 = r e, portanto.
(5.264)

Rout = ro\\Rc
ou

(5.265)
Figura 5.64 (a) Impedncia de entrada do estgio BC, (b)
resposta a uma pequena perturbao na entrada.

se VA = oo. Portanto, a im pedncia de en trad a do


estgio BC relativamente baixa, como, por exemplo,
29 para /( = 1 mA (o que contrasta muito com o
correspondente valor para um estgio EC, /3 /gm).
A impedncia de entrada do estgio BC tambm
pode ser determinada de maneira intuitiva [Fig. 5.64(b)].
Suponhamos que uma fonte de tenso Vx conectada ao
emissor de <2, sofra uma pequena perturbao AV. A
tenso base-emissor modificada pelo mesmo valor,
levando a uma alterao na corrente de coletor igual
a g,AK. Como a corrente de coletor flui pela fonte de
entrada, a corrente fornecida por Vx tambm alterada
de gmAV. Por conseguinte, R, = \ V X/A Ix = 1lgm.
Um am plificador com baixa im pedncia de
entrada tem alguma utilidade prtica? Sim, tem. Por
exemplo, muitos am plificadores de alta frequncia
so projetados com uma resistncia de entrada de
50 1 para proverem casamento de impedncia entre
m dulos em uma cascata e a linha de transm isso
(trilhas condutoras na placa de circuito impresso) que
os conecta (Fig. 5.65).11

Exem plo

Soluo

Linha de
Transmisso
de 50-2
50-

>

s.

50

Figura 5.65

Sistema com linhas de transmisso.

Figura 5.66

Impedncia de sada do estgio BC.

D as Eqs. (5.256) e (5.266), conclum os que o


estgio BC exibe um conjunto de perm utas sim i
lares s ilustradas na Fig. 5.33 para o am plificador
EC.

Um amplificador base comum projetado para uma impedncia de entrada Rme uma impedncia
de sada Roul. Desprezando o efeito Early, determinemos o ganho de tenso do circuito.

Como Rin = 1lgme Roui = Rc, temos


Av=

Exerccio

50

Linha de
Transmisso
de 50-

R o

(5.266)

Rir

Compare esse valor com o obtido para o estgio EC.

"Sc a impedncia dc cada estgio no for casada impedncia caracterstica de linha de transmisso anterior, ocorrero reflexes,
que corrompem o sinal ou, pelo menos, criam uma dependncia em relao ao comprimento da linha de transmisso.

Amplificadores Bipolares

Vx ---- ^ vin

Rs H----8m
1
" l + gmR sVin

195

(5.267)

(5.268)

Recordamos tambm, da Eq. (5.254), que o ganho do


emissor sada dado por
v oul

---- =gn,RcVX

(5.269)

Portanto,
Vput

interessante que estudem os o com portam ento


da topologia BC na presena de uma resistncia de
fonte finita. M ostrado na Fig. 5.67, tal circuito sofre
uma atenuao de sinal da en trad a ao n X e, por
conseguinte, prov ganho menor. De modo mais espe
cfico, como a impedncia vista quando se olha para
o emissor de <2, (com a base aterrada) igual a 1lg,
(para vA= *>), temos

Exem plo
5.37

Soluo

Vin

gmR
1 + g,Rs
Rc

(5.270)
(5.271)

+ Rs
Sm

um resultado idntico ao obtido para o estgio EC


(exceto pelo sinal negativo) se Rs for visto como um
resistor de degenerao de emissor.

Um estgio base comum projetado para amplificar um sinal de RF recebido por uma antena
de 50 2. Determinemos a necessria corrente de polarizao para que a impedncia de entrada
do amplificador seja casada impedncia da antena. Qual o ganho de tenso se o estgio BC
tambm alimentar uma carga de 50 l? Vamos admitir VA = <.
A Fig. 5.68 mostra o amplificador12e o circuito equivalente, com a antena modelada por uma fonte
de tenso, vi/ne uma resistncia, Rs = 50 l. Para casamento de impedncia, necessrio que a impe
dncia de entrada do ncleo BC, 1lgm>seja igual a Rs e, portanto,
I c = g mVT
= 0,52 mA.

(5.272)
(5.273)

Figura 5.68 (a) Estgio BC que amostra um sinal recebido por uma antena, (b) circuito equivalente.

,2Os pontos denotam a necessidade de circuitos de polarizao, como descreveremos mais adiante nesta seo.

196

Captulo Cinco

Se R for substituda por uma carga de 50 l, a Eq. (5.271) revela que


Av=

8,

Rc

(5.274)

+ Rs

=\

(5.275)

Portanto, o circuito no adequado para alimentar uma carga de 50 l diretamente.


Exerccio

Qual ser o ganho de tenso se um resistor de 50 l tambm for conectado entre o emissor de Q, e a
terra?

O utro ponto interessante o contraste entre os


estgios EC e BC no que diz respeito aos ganhos de
corrente. O estgio BC exibe um ganho de corrente
unitrio, pois a corrente que flui no em issor em erge
do coletor (se a corrente de base for desprezada).
Para o estgio EC, por sua vez, com o m encionam os
na Seo 5.3.1, A , = (3. Na v erdade, no exem plo
anterior,
= vin/(R s + 1/#,,,) e, depois de fluir por
R c, produz voul = R ( vin l(R x + 1Jgm). Portanto, no
surpreende que o ganho de tenso no exceda 0,5
se /?( s R s.
Como no caso do estgio EC, podem os desejar
analisar a topologia BC no caso geral: com degene-

Figura 5.69

Figura 5.70

rao de emissor, VA < oo e uma resistncia em srie


com a base [Fig. 5.69(a)]. Delineada no Exerccio 64,
esta anlise est um pouco alm do escopo deste livro.
Contudo, interessante que consideremos um caso
especial, onde R = Oe VA < oo,e querem os calcular a
impedncia de sada. Como ilustra a Fig. 5.69(b), Rma
igual a R c em paralelo com a impedncia vista quando
se olha para o coletor, R llull. Mas,
idntica
resistncia de sada de um estgio emissor com um
com degenerao de emissor, ou seja, como na Fig.
5.46 e, portanto, dada pela a Eq. (5.197):
Routi = [1 + gm(/?ElM]ro + (fi/HIr-r). (5.276)

(a) Estgio BC genrico, (b) impedncia de sada vista em ns diferentes.

(a) Estgio EC e (b) estgio BC simplificados para clculo de impedncia de sada.

Amplificadores Bipolares

Segue-se que
Ro, = *cll{[l + gm(RE\\r)]r0 + (/?||r)}. (5.277)

O leitor pode ter notado que a impedncia de sada


do estgio BC igual do estgio EC. Isto sempre
vlido? R ecordem os que a im pedncia de sada
determ inada fixando a fonte de en trad a em zero.

Exem plo
5.38

197

Em outras palavras, para o clculo de Rul, no temos


q ualquer inform ao sobre o term inal de entrada
do circuito, como ilustrado na Fig. 5.70 para os est
gios EC e BC. Portanto, no coincidncia que as
impedncias de sada sejam idnticas se as mesmas
hipteses forem levantadas para os dois circuitos
(p. ex., idnticos valores de VA e de degenerao de
emissor).

A velha sabedoria diz que a impedncia de sada do estgio BC substancialmente mais alta que
a do estgio EC. Esta afirmao justificada pelos testes ilustrados na Fig. 5.71. Se uma corrente
constante for injetada na base, enquanto a tenso de coletor variada, /< exibir uma inclinao
igual a rl [Fig. 5.71 (a)]. Por outro lado, se uma corrente constante for puxada do emissor./< exibir
uma dependncia muito menor em relao tenso de coletor. Expliquemos por que esses testes
no representam situaes prticas.

"T" wcc

lc

(b)

(a)
Circuito
Aberto

'I-

rTi

K
' I T

Circuito Aberto

(d)

(C )

Figura 5.71 (a) Resistncia vista no coletor com o emissor aterrado, (b) resistncia vista no coletor com
uma fonte de corrente ideal no emissor, (c) modelo de pequenos sinais de (a), (d) modelo de pequenos sinais
de (b).

Soluo

A questo principal em relao a estes testes est relacionada ao uso de fontes de corrente para
alimentar cada estgio. Do ponto de vista de pequenos sinais, os dois circuitos se reduzem queles
mostrados nas Figs. 5.71 (c) e (d), com as fontes de corrente 1He I, substitudas por circuitos abertos,
pois so constantes. Na Fig. 5.71 (c), a corrente que flui por rn zero e produz g,vn = 0; logo,
Rout= rOA Fig. 5,71(d), por sua vez, lembra um estgio de emissor degenerado (Fig. 5.46) com uma
resistncia de emissor infinita, exibindo uma resistncia de sada de
R out

[1

gm(RE\\rn)}ro + ( f l t l M

(5.278)

= (1 + gmr )r0 + r

(5.279)

^ Pr0 + r,

(5.280)

que, obviamente, muito maior que r(). Entretanto, na prtica, cada estgio pode ser alimentado
por uma fonte de tenso com impedncia finita, o que torna esta comparao irrelevante.
Exerccio

Repita o exemplo anterior para o caso em que um resistor de valor


o emissor.

conectado em srie com

198

Captulo Cinco

Figura 5.72

Estgio BC com resistncia dc base.

Com o se esperava, o ganho positivo. Alm disto,


a expresso idntica obtida para o estgio EC
e dada em (5 .185). A Fig. 5.73 ilustra os resultados
e revela que, exceto por um sinal negativo, os dois
estgios exibem g anhos iguais. N otem os que R
deg rad a o g anho e n o ad icio n ada ao circuito
de m aneira deliberada. C om o explicarem os mais
ad ian te nesta seo, R lt pode resu ltar do circuito
de polarizao.

O utro caso especial da topologia mostrada na


Fig. 5.69(a) ocorre se VA = oo, mas R > 0. Como este
caso no se reduz a qualquer uma das configuraes
j estudadas, empregamos o modelo de pequenos
sinais da Fig. 5.72 para analisar o comportamento
do circuito. Como sempre, escrevemos g ,,^ = -vu,/R(
e, portanto, v = vlllu/(gmR(). A corrente que flui por
rw (e R) , ento, igual a v/r = -vlu/(gmr J i() =
- v olll/(p R c). Multiplicando esta corrente por R + rn,
obtemos a tenso no n P:
vP = - - j ^ ( RB + rn)
Vout

(5.281)

(R B + r

Wc

(5.282)

Tambm escrevemos uma LCK em P:


vP -------------- \ - g

r-

n ,V

(5 283)

Vj

Re

ou seja,

Figura 5.73 Comparao entre estgios EC e BC com resistncia de base.

A gora, determ inem os a resistncia de entrada


do estgio BC na presena de uma resistncia em
srie com a base, ainda supondo VA = oo. Do circuito
equivalente de pequenos sinais mostrado na Fig. 5.74,
notamos que r e R lt formam um divisor de tenso e
resultam em 13
Vjr = --vxfjr + R b

\ Vout
~ + gm 1
J* ~ n) gmRc

Vout
(R h -ffiRc
Re

(5.287)

Vjt
(5.284)

Portanto,
fiRc

Vout
Vi,

(P + 1) R

+ R

(5.285)
b

+ rn

Dividindo numerador e denominador por j3 + 1, temos


Vout

Rc

Vin

rb

E + p +\ +

1 *

(5.286)
Figura 5.74 Impedncia de entrada do estgio BC com resis
tncia de base.

13De modo alternativo, a corrente em rr + Rn igual a vx/(rs + RH) e produz uma queda de tenso -r vx/(rv + R) em r_.

Amplificadores Bipolares

Uma LCK no n de entrada fornece


---- h gmV = - ix r;r

(5.288)

Logo,

vx_

r + R B

ix

p
.

1
gm

dividida por fi + 1 quando vista do emissor. Isto


contrasta com o caso de degenerao de emissor, em
que a resistncia de emissor multiplicada por j3 +
1 quando vista da base. A Fig. 5.75 resum e os dois
casos. Vale notar que estes resultados permanecem
independentes de R c se VA =

(5.290)

Rb
P

(5.291)

+1

I VA=oo

Rb J 'a- 00
HM L Oi

+ i

r
r
rn + (p + l)/?E

_L+
|i + 1

N otem os que R in = 1/g, se R = 0: um resultado


esperado, segundo as regras ilustradas na Fig. 5.7.
interessante observar que a resistncia de base

Exem plo
5.39

199

Figura 5.75
Iransistor.

1
r

Impedncia vista no emissor ou na base de um

Na Fig. 5.76(a), determinemos a impedncia vista no emissor de Q2 se os dois transistores forem


idnticos eV A = <*>.
-r - V<cc
1 +

'out
^m1 P + 1
q2
---- WV

^ /?v
(b)
Figura 5.76

Soluo

(a) Exemplo de estgio BC, (b) circuito simplificado.

O circuito emprega Q2 como um dispositivo em base comum, mas com a base conectada a uma
resistncia srie finita e igual quela vista no emissor de Qx. Portanto, devemos, primeiro, obter a
resistncia equivalente
dada pela Eq. (5.291) como
(5.292)
gm \

Reduzindo o circuito quele mostrado na Fig. 5.76(b), temos


d _
1 ,
R x~ IZ + 7 T i

(5.293)

1
gm2

Exerccio

+ 1 \ gml

P + yJ

(5.294)

O que acontece se um resistor de valor /?, for conectado em srie com o coletor de Q,?

Estgio BC com Polarizao Tendo aprendido as


propriedades de pequenos sinais do ncleo BC, agora

estendem os a anlise ao circuito que inclui polarizao. Neste ponto, um exemplo til.

200

Captulo Cinco

Exem plo

5.40

O estudante do Exemplo 5.31 decidiu incorporar acoplamento AC entrada de um estgio BC


para assegurar que a polarizao no afetada pela fonte de sinal e desenhou o circuito tal como
na Fig. 5.77. Expliquemos por que esse circuito no funciona.

Figura 5.77

S oluo

Exerccio

Exem plo

5.41

Estgio BC sem corrente de polarizao.

Infelizmente, o circuito no prov uma rota DC para a corrente de emissor de Qu resultando em


corrente de polarizao nula e, em conseqncia, transcondutncia nula. A situao similar do
estgio EC do Exemplo 5.5, onde uma corrente de base no podia existir.
Em que regio (?, opera se Vh = Vcc?

Sentindo-se um pouco desconfortvel, o estudante prontamente conecta o emissor terra, de modo


que VHE = Vb e uma razovel corrente de coletor possa ser estabelecida (Fig. 5.78). Expliquemos
por que a pressa inimiga da perfeio.

Figura 5.78

S oluo

Exerccio

Estgio BC com emissor aterrado.

Como no Exemplo 5.6, o estudante curto-circuitou o sinal terra AC. Ou seja, a tenso de emissor
igual a zero, qualquer que seja o valor de u e resulta em voul = 0.
O circuito operaria melhor se o valor de Vh fosse aumentado?

O
exem plo anterior implica que o emissor noque, agora, R in consiste em duas com ponentes em
pode perm anecer aberto ou curto-circuitado terra paralelo: (a) \lgm, vista quando se olha para cima,
e, portanto, requer algum elem ento de polarizao. para o em issor (com a base na terra AC) e (2) R,.,
A Fig. 5.79(a) mostra um exem plo em que R, prov vista quando se olha para baixo. Logo,
uma rota para a corrente de polarizao, custa de
uma reduo na im pedncia de entrada. N otam os
Rin = IIR e (5.295)
gm

Amplificadores Bipolares

201

(a)
Figura 5.79

(a) Estgio BC com polarizao, (b) incluso dc resistncia dc fonte.

C om o no caso do circuito de polarizao de


entrada do estgio EC (Fig. 5.58), a reduo em R,
se m anifesta se a fonte de tenso exibir uma resis
tncia de sada finita. Ilustrado na Fig. 5.79(b), este
circuito atenua o sinal e reduz o ganho de tenso
total.
Seguindo a anlise indicada na Fig. 5.67, podemos
escrever
VX_ _
Vin

Rin
Rin

(5.296)

co rren te da fonte de en tra d a te rra e, por conse


guinte, "d e sp e rd i a o sinal. C om o m ostra a Fig.
5.80, ijn dividida em duas e apenas i2 chega a R, e
contribui para o sinal de sada. Se R, for reduzida
en q u an to 1lg, perm anece constante, i2 tam bm
re d u z id a .14 A ssim , a red u o de R in devido a R ,
indesejvel. Em co n tra ste, se \lg, reduzida
enquanto R, perm anece constante, i2 aum enta. Para
que o efeito de R ICsobre a im pedncia de en trad a
seja desprezvel, devem os ter

Rs

Re

IIR e
Sm

(5.300)

Sm

(5.297)

e, portanto,

Sm
1 + (1 + gmRe)Rs

(5.298)

Ic R e

Vr-

(5.301)

Como VoutlVx = Sm^C >


Vout _
Vin

gmRc.

(5.299)

1 + (1 + Km R i ) R.S

Com o sem pre, preferim os soluo por inspeo,


em vez de desenharm os o equivalente de pequenos
sinais.
O le ito r pod e p e rc e b e r um a co n tra d io em
nosso raciocnio: por um lado, vem os a baixa im pe
dncia de entrada do estgio BC como uma proprie
dade til; p o r ou tro , co n sid eram o s a red u o da
im pedncia de e n tra d a d ev id o a R , indesejvel.
Para resolver esta ap aren te contradio, devem os
distinguir as duas com ponentes da im pedncia de
en trad a, \lg, e R,., n o tando que a ltim a conecta a
,4No easo extremo, R, = 0 (Exemplo 5.41) e i2 = 0.

Figura 5.80 Componentes da corrente de pequenos sinais em


um estgio BC.

202

Captulo Cinco

Ou seja, a queda de tenso D C em R Edeve ser muito


m aior que Vr.
Como a tenso de base, V, gerada? Podemos
em pregar um divisor resistivo sim ilar ao usado no
estgio EC. M ostrada na Fig. 5.81 (a), esta topologia
deve assegurar que /, >5> / para minimizar a sensi
bilidade em relao a (3, e resulta em
Vb

Ri
VccR \+ R 2

(5.302)

E n tretan to , recordem os da Eq. (5.286) que uma


resistncia em srie com a base reduz o ganho de
tenso do estgio BC. Substituindo um equivalente
de Thvenin para R { e R 2, tal como ilustrado na Fig.
5.81(b), notamos que uma resistncia R lhv = R ]\\R2
agora aparece em srie com a base. Por este motivo,
um "capacitor de bypass , com frequncia, conec
tado da base terra e atua como um curto-circuito
nas frequncias de interesse [Fig. 5.81(c)].

vcc

I
(a)
Figura 5.81

(C )

(a) Estgio BC com circuito de polarizao de base, (b) uso do equivalente de Thvenin, (c) efeito do capacitor de

bypass.

Exem plo
5.42

Projetemos um estgio BC (Fig. 5.82) para um ganho de tenso de 10 e impedncia de entrada de


50 i. Vamos supor Is = 5 x 10 ,4>A, VA = oo, p = 100 e Vcc = 2,5 V.

Figura 5.82

Soluo

Comeamos escolhendo R,
efeitos de R, . Assim,

Exemplo de estgio BC com polarizao.

l/gm, por exemplo, R, = 500 l, para minimizar os indesejveis

Rin ^ = 50 Q
gm

(5.303)

lc 0,52 mA.

(5.304)

logo,

Se a base for conectada terra por um bypass,


Av = gmRc

(5.305)

Amplificadores Bipolares

203

levando a
Rc = 500 Q.

(5.306)

Agora, determinemos os resistores de polarizao de base. Como a queda de tenso em R, igual


a 500 Cl x 0,52 mA = 260 mV e VBE = V,\n(Ic/Is) = 899 mV, temos
Vh = I e R + Vbe

(5.307)
(5.308)

= 1,16 V.
Escolhendo a corrente que flui por R { e R2como 10/,, = 52 /xA, escrevemos

(5.309)
(5.310)
Portanto,
R\ = 25,8 kQ

(5.311)

R2 =22,3kQ .

(5.312)

O ltimo passo no projeto consiste no clculo dos necessrios valores de C, e C,{para a frequ
ncia de sinal. Por exemplo, se o amplificador for usado no front end do receptor de um telefone
celular que opera em 900 MHz, as impedncias de C, e de Cl{ devem ser suficientemente pequenas
nesta frequncia. Como aparece em srie com o emissor de Qx, C, tem um papel similar ao de
Rs na Fig. 5.67 e na Eq. (5.271). Logo, sua impedncia, IC,a>l , deve permanecer muito menor
que 1lg, = 50 l. Em aplicaes de alto desempenho, como telefones celulares, podemos esco
lher IC,>I 1 = (l/gw)/20 para garantir degradao de ganho desprezvel. Por conseguinte, para co
= 2ir X (900 MHz):
^

20gm
co

(5.313)

= 71 pF.

(5.314)

Cl =

---------

Como a impedncia de CB aparece em srie com a base e tem um papel similar ao termo RBIQ3 + 1)
na Eq. (5.286), exigimos que
1 1
P + \ C Bco

11
20 gm

(5.315)

e
CB = 0,7 pF.

(5.316)

(Um erro comum consiste em fazer a impedncia de CBdesprezvel em relao a R{\\R2em vez de
faz-lo em relao a 1!gm.)
Exerccio

Projete o circuito anterior para uma impedncia de entrada de 100 Cl.

204

Captulo Cinco

5.3.3

S e g u id o r de Em issor

Outra importante topologia de circuito a de seguidor


de em issor (tam bm cham ada estgio coletor
com uni ). Sugerim os ao leitor rever os Exem plos
5.2 e 5.3, as regras ilustradas na Fig. 5.7 e as possveis
topologias da Fig. 5.28 antes de seguir adiante. Para
simplificar, tambm podemos usar o termo seguidor
para nos referirm os aos seguidores de emissor deste
captulo.
Ilustrado na Fig. 5.83, o seguidor de em issor
am ostra a entrada na base do transistor e produz
a sada no emissor. O coletor conectado a Vcc e,
portanto, terra AC. Primeiro, estudarem os o ncleo
e, em seguida, adicionarem os elem entos de polari
zao.

cc
Entrada Aplicada
Base

Figura 5.83

Figura 5.84 (a) Seguidor de emissor com perturbao na


entrada, (b) resposta do circuito.

deve ser m enor que V,m . Contudo, isto significa que


a corrente de emissor tam bm diminui, assim como
= V<IUI, contradizendo a hiptese de que V,
aum entou. Portanto, AVUI < AVin, im plicando que
o seguidor de emissor exibe um ganho m enor que a
unidade.15

Sada Amostrada
no Emissor

-Vrout

Seguidor de emissor.

N cleo S e g u id o r de Em issor Como o seguidor


da Fig. 5.84(a) responde a uma perturbao em Vml
Se V, aum entar de um pequeno valor AV, a tenso
base-em issor de <2, tende a aum entar, elevando as
correntes de coletor e de em issor. U m a corrente
de em issor mais alta se traduz em m aior queda de
tenso em R, e, portanto, em m aior Vma. De outra
perspectiva, se admitirmos, por exemplo, que Vmil
constante, ento V dever aum entar, assim como
/, ,o que requer que Vul aumente. Como Volll aumenta
na mesma direo que Vin, esperam os que o ganho
seja positivo. Notem os que Voul sempre m enor que
Vin e a diferena igual a VBE; dizemos que o circuito
produz um "deslocam ento de nvel.
O u tra observao im portante e interessante
que a m udana em Volll no pode ser m aior que a
mudana em Vjn. Suponhamos que Vin seja alterado
de VM para VM + AVin e Vow seja alterado de Voutl
para V,,,^ + AV,,,,, [Fig. 5.84(b)]. Se a sada sofrer uma
alterao maior que a da entrada, AVou > AV V im

Figura 5.85

Modelo de pequenos sinais do seguidor de emissor.

O leitor pode questionar se um amplificador com


ganho m enor que a unidade tem algum valor prtico.
Como explicaremos mais adiante, as impedncias de
entrada e de sada do seguidor de emissor o tornam
um circuito particularm ente til em algumas aplica
es.
A gora, vamos deduzir as propriedades de pe
quenos sinais do seguidor, supondo, prim eiro, que
VA = oo. O circuito equivalente mostrado na Fig. 5.85
fornece

lsNo caso extremo descrito no Exemplo 5.43, o ganho se torna igual unidade.

Vjr
Vout
^ + S M = T
VjT =

Vout

0 + 1 Re

(5.317)

(5.318)

Amplificadores Bipolares

Tam bm temos

Re

^
Vin= Vjt "I" ^out'

205

(5 321)

Re H

(5.319)

gm

Substituindo v de (5.318), obtemos

Portanto, o ganho de tenso positivo e m enor que


a unidade.

w _ ---------1-----Vin
i , rn
1
P

Exem plo
5.43

+ 1' R e

Em circuitos integrados, o seguidor , em geral, realizado tal como mostrado na Fig. 5.86. Determi
nemos o ganho de tenso se a fonte de corrente for ideal e VA =
-T

VC C

V\n
j r ^ out

Figura 5.86

Soluo

*1

Seguidor com fonte de corrente.

Como o resistor de emissor substitudo por uma fonte de corrente ideal, o valor de R, na Eq.
(5.321) deve tender ao infinito, o que resulta em
A v = 1.

(5.322)

Este resultado tambm pode ser deduzido de maneira intuitiva. Uma fonte de corrente constante
fluindo por Q, exige que Vm, = V , \n(/c//s) permanea constante. Escrevendo V o u , = v, vBE,
notamos que Voulsegue exatamente Vin se VBE constante.
-

Exerccio

Repita o exemplo anterior para o caso em que um resistor de valor R{ conectado em srie com
o coletor.

A Eq. (5.321) sugere que o seguidor de emissor


atua como um divisor de tenso, perspectiva que pode
ser reforada por uma anlise alternativa. Suponhamos,
como mostra a Fig. 5.87(a), que desejemos modelar vin
e ), por um equivalente de Thvenin. A tenso de
Thvenin dada pela tenso de circuito aberto produ
zida por Q i [Fig. 5.87(b)], como se (2, operasse com
R, = oc (Exem plo 5.43). D esta forma, vlhx, = vin. A
resistncia de Thvenin obtida fixando a entrada em
zero [Fig. 5.87(c)] e igual a 1lgr Portanto, o circuito
da Fig.5.87(a) se reduz ao da Fig. 5.87(d), confirmando
o funcionamento como um divisor de tenso.

(a) Estgio seguidor de emissor, (b) tenso de


ITivenin, (c) resistncia de llivenin, (d) circuito simplificado.

Figura 5.87

206

Captulo Cinco

Exemplo
5.44

Soluo

Determinemos o ganho de tenso de um seguidor alimentado por uma impedncia de fonte finita
Rs [Fig. 5.88(a)], admitindo VA = oo.
Modelamos vin, Rs e
por um equivalente de Thvenin. O leitor pode mostrar que a tenso de
circuito aberto igual a vin. Alm disto, a resistncia de Thvenin [Fig. 5.88(b)] dada por (5.291)
como RSI(P + 1) + 1/gnr A Fig. 5.88(c) ilustra o circuito equivalente e revela que
Vout
Vin

Re
Rs
1
Re + 7 +

(5.323)

Este resultado tambm pode ser obtido com a soluo do circuito equivalente de pequenos sinais
do seguidor.

ov,out

(b)

(a)

1 l Rs

9m

(i+1

---- %------- T----- vO U t


^Thv = ^in
(c)
Figura 5.88 (a) Seguidor eom impedncia de fonte, (b) resistncia de Thvenin vista no emissor, (c) circuito
simplificado.

Exerccio

O que acontece se R, = <?

Para com provar a utilidade de seguidores de


emissores, calculemos suas im pedncias de entrada
= r + (1 + p)RE.
(5.326)
x
e de sada. No circuito equivalente da Fig. 5.89(a),
tem os ixrn = v. A lm disto, as correntes ix e g,v
fluem por R ; e produzem uma queda de tenso igual Esta expresso idntica da Eq. (5.162), deduzida
a (ix + g,v)R,.:. Somando as quedas de tenso em r para um estgio EC degenerado. claro que isto
e R e igualando o resultado a vx, temos
no coincidncia. Como a impedncia de entrada
da topologia EC independe do resistor de coletor
vx = v + (ix + gniVjr )R e
(5.324) (para VA = o), esse valor perm anece inalterado se
R ( = 0, com o no caso de um seguidor de em issor
= ixr + (ix + gmixrn)RE.
(5.325) [Fig. 5.89(b)].

Amplificadores Bipolares

Figura 5.89

(a) Impedncia dc entrada do seguidor de emissor, (b) equivalncia entre estgios EC c seguidor.

A observao im portante aqui que o seguidor


transform a o resistor de carga, R r, em um valor
m uito mais alto e, portanto, funciona com o um

Exem plo
5.45

Soluo

207

b u ffe r eficiente. Este conceito pode ser ilustrado


por um exemplo,

Um estgio EC exibe um ganho de tenso de 20 e resistncia de sada de 1 kl. Determinemos o


ganho de tenso do amplificador EC se
(a) O estgio alimentar um alto-falante de 8 l diretamente.
(b) Um seguidor de emissor polarizado em uma corrente de 5mA for interposto entre o estgio
EC e o alto-falante. Suponhamos /3 = 100, VA = <*>e que o seguido seja polarizado com uma
fonte de corrente ideal.
(a) Como ilustra a Fig. 5.90(a), a resistncia equivalente vista no coletor , agora, dada por uma
combinao em paralelo de R( e a impedncia do alto-falante, Rsp, o que reduz o ganho de 20 para
20 X (R( 118 l)//?< = 0,159. Portanto, o ganho de tenso reduzido de maneira drstica.

(a)
Figura 5.90

(b)

(a) Estgio EC, (b) circuito de dois estgios alimentando um alto-falante.

(b) Na configurao da Fig. 5.90(b), notamos que


R in l = f jr 2 + ( P + l ) R s p

= 1328Q.

(5.327)
(5.328)

Portanto, o ganho de tenso do estgio EC reduzido de 20 para 20 X (Rc\\Rinl)/R( = 11,4, uma


melhora substancial em relao ao caso (a).
Exerccio

Repita o exemplo anterior para o caso em que o seguidor de emissor seja polarizado com uma
corrente de 10 mA.

208

Captulo Cinco

Figura 5.91

(a) Impedncia dc sada dc um seguidor, (b) componentes da resistncia de sada.

A gora, calculem os a im pedncia de sada do


seguidor,supondo que o circuito seja alim entado por
uma im pedncia de fonte R s [Fig. 5.91(a)]. inte
ressante observar que no precisam os reco rrer ao
modelo de pequenos sinais, pois Rul pode ser obtida
por inspeo. Como ilustra a Fig. 5.91 (b), a resistncia
de sada pode ser vista como um a com binao em
paralelo de duas com ponentes: uma vista quando se
olha para cima, para o emissor, e outra, ao olhar-se
para baixo, para R,.. Da Fig. 5.88, a primeira igual
a /?*/(/3 + 1) + l/g, e, portanto,

R o . u = ( - r r + ) \ \ R E.
\P + 1
gm )

(5.329)

Este resultado tambm pode ser obtido a partir do


equivalente de Thvenin na Fig. 5.88(c), fixando vin
em zero.
A Eq. (5.329) revela outro atributo im portante do
seguidor: o circuito transforma a impedncia de fonte,
Rs, em um valor m uito mais alto e, assim, prov uma
m aior capacidade de alim entao. Dizemos que o

Figura 5.92

seguidor funciona como um bom buffer de tenso,


pois exibe uma alta impedncia de entrada (como um
voltmetro) e uma baixa impedncia de sada (como
uma fonte de tenso).
Efeito da Resistncia de Sada do Transistor At
aqui, nossa anlise do seguidor desprezou o efeito
Early. Felizmente, os resultados obtidos anterior
mente podem ser modificados sem dificuldade para
representar essa no idealidade. A Fig. 5.92 ilustra um
ponto im portante que facilita a anlise: na operao
de pequenos sinais, r aparece em paralelo com R i:.
Podemos, portanto, reescrever as Eqs. (5.323), (5.326)
e (5.329) como

Av=

R eWo

ReWro + J ^

fi + 1

(5.330)

+ _L
g

Rin = fjr + (P + l) ( ^ / d k o )
Rout = ( o * . "I------ ^ ll^ / d k o V0 + 1
gm )

Seguidor de emissor, incluindo a resistncia de sada do transistor.

(5.331)
(5.332)

Amplificadores Bipolares

Exemplo
5.46
Soluo

Determinemos as propriedades de pequenos sinais de um seguidor de emissor usando uma fonte


de corrente ideal (como no Exemplo 5.43), mas com uma impedncia de fonte finita Rs.
Como R,.: = oo, temos
Av=

E, tambm, gmr0

ro
Rs
1
ro +
+
P + 1 gm

(5.333)

Rin = r + (fi + 1 )ro

(5.334)

Roul = (TT
V/3 + 1 + g,)

(5.335)

1; portanto,
ro
x

(5.336)

Rs

T+\
(5.337)

Rin K (P + l)r0 .
Notamos que A v tende unidade se Rs
Exerccio

209

(/3 + 1)r, uma condio que, em geral, vlida.

Como se modificam os resultados se R, < <?

A capacidade de seguidores de atuar como buffer


, s vezes, atribuda aos seus ganhos de corrente.
Como a corrente de base i resulta em uma corrente
de em issor de (/3 + 1)i, podem os dizer que, para
uma corrente /', entregue carga, o seguidor puxa
apenas uma corrente /, /(/3 + 1 ) da fonte de tenso
(Fig. 5.93). Assim, vx v a im pedncia de carga m ulti
plicada por (j3 + 1).
S e g u id o r de Em issor com P o lariza o

A pola
rizao de seguidores de em issor envolve a definio
da tenso de base e da corrente de coletor (emissor).
A Fig. 5.94(a) ilustra um exem plo sim ilar ao do
esquem a m ostrado na Fig. 5.19 para o estgio EC.

Como sempre, a corrente que flui por R t e R 2 esco


lhida de modo que seja muito maior que a corrente
de base.

(b)
Figura 5.94

Polarizao dc um seguidor por (a) divisor resistivo, (b) resistor de base.

210

Captulo Cinco

interessante observar que, ao contrrio da topo


logia EC, o seguidor de emissor pode operar com uma
tenso de base prxim a a V cc. Isto ocorre porque
o coletor conectado a Vcc, perm itindo a mesm a
tenso para a base sem levar <2, saturao. Por esta

Exem plo

razo, seguidores so, com frequncia, polarizados


como indicado na Fig. 5.94(b), onde R BI B escolhido
de m odo a ser muito m enor que a queda de tenso
em R, ,o que reduz a sensibilidade em relao a j3 .0
prximo exemplo ilustra este ponto.

O seguidor da Fig. 5.94(b) emprega R = 10 kl e R, = 1 kl. Calculemos a corrente e a tenso de


polarizao com Is = 5 X IO' 16 A, /3 = 100 e Vcc = 2,5 V. O que acontece se /3 cair para 50?

5.47
Soluo

Para determinar a corrente de polarizao, seguimos o processo iterativo descrito na Seo 5.2.3.
Escrevendo uma LTK na malha que inclui Rn, a juno base-emissor e Rh, obtemos
R rIc
+ vbe + R eIc = Vcc,
p

(5.338)

que, com V,E 800 mV, resulta em


Ic = 1,545 m A.

(5.339)

Portanto, VBE = VTln(/c/ / s) = 748 mV. Usando este valor na Eq. (5.338), temos
Ic = 1,593 mA,

(5.340)

um valor prximo ao da Eq. (5.339) e, por conseguinte, de preciso razovel. Nesta condio,
IhR b = 159 mV e R ,IC = 1,593 mV.
Como IBR B R EIa esperamos que a variao em /3 e, portanto, em IBR B afete a queda de tenso
em R , de modo desprezvel, assim como as correntes de emissor e de coletor. Como estimativa
grosseira, para /3 = 50, I BR B multiplicado por dois (** 318 mV), reduzindo a queda de tenso em
R , de 159 mV. Ou seja, I, = (1,593 V 0,159 V )/1 kl = 1,434 mA, implicando que uma alterao
em j3 por um fator de dois leva a uma alterao de 10% na corrente de coletor. Sugerimos que o
leitor repita as iteraes anteriores com /3 = 50 e determine a corrente exata.
Exerccio

Se o valor de RB for dobrado, o circuito se torna mais ou menos sensvel variao em /3?

resolvida ao substituirmos o resistor de emissor por


uma fonte de corrente constante (Fig. 5.95). Agora,
como I,.E constante, Vm.: e R BIB tambm so cons
tantes. Assim, se Vcc aum entar, Vx e V Y tam bm
aum entam , mas a co rren te de polarizao perm a
nece constante.

5.4
Figura 5.95

Acoplamento capacitivo na entrada e na sada de

um seguidor.

Como indicado pela Eq. (5.338), as topologias da


Fig. 5.94 tm o problema de polarizao que depende
da alimentao. Em circuitos integrados, esta questo

R E S U M O E E X E M P LO S
A D IC IO N A IS

Este captulo criou a base para o projeto de amplifica


dores, enfatizando que, para se definirem as proprie
dades de pequenos sinais de cada circuito, deve ser esta
belecido um ponto de polarizao adequado. A Fig. 5.96
ilustra as trs topologias de amplificadores estudadas,

Amplificadores Bipolares

Figura 5.96

Resum o de topologias de amplificadores bipolares.

que exibem diferentes ganhos e impedncias I/O;cada


uma mais interessante para uma certa aplicao. Os
estgios EC e BC podem prover ganhos de tenso
maiores que a unidade e suas impedncias de entrada
e de sada independem das impedncias da carga e da
fonte, respectivamente (se VA = ). Seguidores, por sua
vez, exibem um ganho de tenso que, no mximo, igual
unidade, mas suas impedncias terminais dependem
das impedncias de carga e de fonte.

Exem plo

211

N esta seo, co n sid e ra re m o s alguns ex em


plos desafiadores, para ap rim o rarm o s as tcnicas
de an lise de circuitos. C om o sem p re, a n fase
reside na soluo por inspeo e, p or conseguinte,
no e n te n d im e n to in tu itiv o do fu n cio n a m en to
do circuito. P artim o s do p re ssu p o sto de q u e os
diversos cap acito res usados em cada circuito tm
im pedncias desprezveis nas frequncias de sinal
de interesse.

Admitindo VA = >, determinemos o ganho de tenso do circuito da Fig. 5.97(a).

5.48

(b)

(a)

Figura 5.97

(c)

(a) Exemplo de estgio EC, (b) circuito equivalente com C, curto-circuitado, (c) circuito simpli

ficado.

Soluo

O modelo AC simplificado da Fig. 5.97(b) revela que R{ aparece entre base e a terra, e R2aparece entre
o coletor e a terra. Substituindo vitr Rs e R{ por um equivalente de Thvenin [Fig. 5.96(c)], temos
R\

VThv~ R1+ Rs Vm
R Thv =

^ 1

\\Rs-

(5.341)
(5.342)

O circuito resultante lembra o da Fig. 5.43(a) e satisfaz a Eq. (5.185):


Vout
Vlhv

Rihv

^ 2 !\RC
,1,0

P+ 1

gm

(5.343)

212

Captulo Cinco

Substituindo v nv e R lhv, obtemos


R iW R c

Vout
Vin

P + 1

Exerccio

Exem plo

gm

Ri

+ rb

(5.344)

R\ + Rs

O que acontece se um capacitor muito grande for adicionado entre o emissor de ()l e a terra?

Supondo VA = oo, calculemos o ganho de tenso do circuito mostrado na Fig. 5.98(a).

5.49

out
-----%L+ FS

R^ ^

(b)

(a)
Figura 5.98

Soluo

(a) Exemplo de estgio EC, (b) circuito simplificado.

Como mostrado no diagrama simplificado da Fig. 5.98(b). R2aparece como um resistor de dege
nerao de emissor. Como no exemplo anterior, substitumos viir Rs e R , por um equivalente de
Thvenin e utilizamos a Eq. (5.185):
Vout
Vin

Vout _

Rc
Rrhv
1
7 T \ + 7m + R'Rc

~ ~ XstIKi .
j t y

Exerccio

Exem plo

5.50

(5.345)

R\
1

R, + R j '

(5.346)

+ z +R2

O que acontece se C2 for conectado entre o emissor de Qt e a terra?

Admitindo VA = oo?calculemos o ganho de tenso e a impedncia de entrada do circuito mostrado


na Fig. 5.99(a).

(a)
(b)
Figura 5.99 (a) Exemplo de estgio EC, (b) circuito simplificado.

Amplificadores Bipolares

Soluo

213

O circuito lembra um estgio EC (por qu?) degenerado pela impedncia vista no emissor de Q2
Req. Recordemos da Fig. 5.75 que
(5.347)

O modelo simplificado da Fig. 5.99(b) resulta em


-R c

Av =

(5.348)

+ R,eq
8ml
-Rc

Ri
1
+ -r- r +
gml P + 1 gm2
1

(5.349)

A impedncia de entrada tambm obtida da Fig. 5.75:


Rin =

4- (fi + 1)/?e^

= Jjrl +
Exerccio

Exem plo
5.51
Soluo

^1

+ ^ 2-

(5.351)

Repita o exemplo anterior para o caso em que R { conectado em srie com o emissor de Q2.

Admitindo VA = oo, calculemos o ganho de tenso do circuito da Fig. 5.100(a).

Como a base est na terra AC. R\ aparece em paralelo com Rc, enquanto R2 curto-circuitado
terra nos dois terminais [Fig. 5.100(b)]. O ganho de tenso dado por (5.271), mas com R( substi
tudo por RC\\RX:
A v = Rc\\R\
Sm

Exerccio

(5.350)

O que acontece se Rc for substitudo por uma fonte de corrente ideal?

Figura 5.100

(a) Exemplo de estgio BC, (b) eireuito simplificado.

(5.352)

214

Captulo Cinco

Exem plo
5.52

Admitindo VA = oo>determinemos a impedncia de entrada do circuito mostrado na Fig. 5.101(a).


vcc
c r 1"

r
^in

^in
(a)

Figura 5.101

S oluo

-VA |i'
Req

(b)
(a) Exem plo de estgio B C , (b) circuito simplificado.

Neste circuito, Qxfunciona como um dispositivo base comum (por qu?), mas com uma resistncia
Req em srie com a base [Fig. 5.101 (b)]. Para determinar R(q, notamos que Q2 lembra um seguidor
de emissor por exemplo, a topologia na Fig. 5.91 (a) e conclumos que Reqpode ser visto como
a resistncia de sada de um estgio, como dado pela Eq. (5.329):
(5.353)

Re = \( Pt t+ \ +
g n \j IRe-

Agora, na Fig. 5.101 (b), observamos que Rincontm duas componentes: uma igual resistncia em
srie com a base, Req, dividida por /3 + 1; a outra igual a 1lg,:
1

R in
A

(5.354)

^ eq
P

+1
1

/8

gm\

\ ^A+ l+ g- n ) j IIR e

(5.355)

8ml

Sugerimos ao leitor calcular Rincom uma anlise de pequenos sinais completa e comparar o trabalho
manual exigido pela lgebra anterior.
Exerccio

Exem plo
5.53

O que acontece se o ganho de corrente de Q2 tender ao infinito?

Calculemos o ganho de tenso e a impedncia de sada do circuito mostrado na Fig. 5.102(a) com
Ki < .

(a)

Figura 5.102

(b)

(c)

(a) Exemplo dc seguidor dc emissor, (b) circuito com C, curto-circuitado, (c) circuito simplificado.

Amplificadores Bipolares

Soluo

215

Notando que X est na terra AC, construmos o circuito simplificado da Fig. 5.102(b), onde a resis
tncia de sada de Qx desenhada de maneira explcita. Substituindo vin, Rs e /?, pelo equivalente
de Thvenin e notando que R, yR2 e r() aparecem em paralelo [Fig. 5.102(c)], empregamos a Eq.
(5.330) e escrevemos
Vout

REWfoWro

Vn

R E \ \ R 2 \\r o +

- L

gm

Vout _

(5.356)
^

P + 1

R\

__________^ E l l ^ l k o __________

(5.357)

~ RC\m\ro +g-m + RsnR'


Rl+Rs
P + 1
Para a resistncia de sada, nos referimos Eq. (5.332):
r

o u

, =

E x e rc c io

Exemplo
5.54

( ^

VP +

\ P+

)|I(KeI|/? 2 I M
gm)

+ W ll^ lk o .
gm)

(5.358)

(5.359)

O que acontece se Rs = 0?

Determinemos o ganho de tenso e as impedncias I/O da topologia mostrada na Fig. 5.103(a).


Vamos supor VA = e iguais /3s para os transistores npn e pnp.

UY
|*Y
L
7
fB2

1/--

feq2_ J
'o u t

V'nU 3

(a)
Figura 5.103

Soluo

(b)

(a) Exemplo de estgio EC, (b) circuito simplificado.

Identificamos o estgio como um amplificador EC com degenerao de emissor e uma carga de


coletor composta. Como primeiro passo, representamos o papel de Q2e Q3 pelas impedncias que
criam nos emissores. Como ReqX denota a impedncia vista quando se olha para o emissor de Qx
com uma resistncia de base Rm, da Fig. 5.75, temos
R,eq\

Rbx
P + 1

gn

(5.360)

216

Captulo Cinco

Da mesma forma,
R ' Rb2
Keq2
. ! 4+.
0 + 1

(5.361)

gm 1

o que nos leva ao circuito simplificado da Fig. 5.103(b). Segue-se que


RC + Req2
A v = -------------^--------Reql H--------R e
gm 3

(5.362)

d . R&2 , 1
Rc + v + i +
Rb\
1
1

f r + g n ^ g n + E
P + 1

(5.363)

E,
R in =

(5.364)

rn3 + (0 + 1) (R e + Reql)

= r*3 + (P + 1) ( r e +
\

-R

r +

P+ 1

gm 2)

(5.365)

e
R out = R c + R eq l

-R + Rn + 1
- R c + f i + l + gmtExerccio

5.5

(5.366)
(5.367)

O que acontece se R,r >?

R E S U M O DO CAPTULO

Alm do ganho, as impedncias de entrada e de


sada de amplificadores determinam a facilidade com
que os diversos estgios podem ser conectados em
cascata.
Amplificadores de tenso devem, em condies
ideais, prover uma alta impedncia de entrada
(de modo que possam amostrar uma tenso sem
perturbar o n) e uma baixa impedncia de sada
(de modo que possam alimentar uma carga sem
reduo no ganho).
As impedncias vistas quando se olha para a base, o
coletor e o emissor de um transistor bipolar so iguais
a rv (com emissor aterrado), r() (com emissor ater
rado) e l/g,,, (com base aterrada), respectivamente.
Para se obterem os necessrios parmetros de
pequenos sinais do dispositivo bipolar, como g
e r(h o transistor deve ser polarizado, ou seja,
conduzir uma certa corrente de coletor e operar na
regio ativa. Sinais implicam perturbaes nessas
condies.

Tcnicas de polarizao estabelecem as necessrias


tenses base-emissor e base-coletor e proveem a
corrente de base.
Com um nico transistor bipolar, apenas trs topolo
gias de amplificadores so possveis: estgios emissor
comum e base comum, e seguidores de emissor.
O estgio EC prov ganho de tenso moderado,
impedncia de entrada moderada e impedncia de
sada moderada.
Degenerao de emissor melhora a linearidade, mas
reduz o ganho de tenso.
Degenerao de emissor aumenta de modo conside
rvel a impedncia de sada de estgios EC.
O estgio BC prov ganho de tenso moderado, baixa
impedncia de entrada e moderada impedncia de
sada.
As expresses para os ganhos de tenso de estgios
EC e BC so similares, exceto por um sinal.
O seguidor de emissor prov ganho de tenso menor
que a unidade, alta impedncia de entrada e baixa
impedncia de sada, funcionando como um bom
buffer de tenso.

Amplificadores Bipolares

217

EXERCCIOS
5.1 Uma antena pode ser modelada como um equiva

5.4 Calcule a resistncia de sada de cada circuito na

Fig. 5.106.

lente de Thvenin, com uma fonte de tenso senoidal


Vucos cot e uma resistncia de sada Rour Determine a
potncia mdia entregue a uma resistncia de carga R, e
esboce o resultado como um grfico em funo de RL.
5.2 Determine a resistncia de pequenos sinais do

circuito mostrado na Fig. 5.104. Suponha que todos


os diodos esto sob polarizao direta. (Lembre-se,
do Captulo 3, de que cada diodo se comporta como
uma resistncia linear se as mudanas na tenso e
na corrente forem pequenas.)

o,
-H

R,n

I-

out

(b)

(a)

-D +-

d2

!"-~ t
(d)

(c)

(b)

(a)

Figura 5.106

5.5 Determine a resistncia de entrada dos circuitos

mostrados na Fig. 5.107. Suponha VA = <*>.

j^-W r D,

" T "

(c)

Figura 5.104

R
win

VC C

5.3 Calcule a resistncia de entrada dos circuitos

mostrados na Fig. 5.105. Suponha VA =

oc.

(b)

(a)

CC

(b)

(a)

(d)
CC

CC
o

-----

4
X

- ,
Y
(d)

(C )

Figura 5.105

(C )

Figura 5.107

218

Captulo Cinco

5.6 Calcule a resistncia de sada de cada circuito

mostrado na Fig. 5.108.

34 kQ

16 kQ

vc c = 2,5 v
12 kQ
(b)

(a)

kQ

r l

Figura 5.108

13 kQ

5.7 Calcule o ponto de polarizao de cada circuito

traado na Fig. 5.109. Suponha /3 = 100, Is =


1 0 _16A e Ki = oo.

100 k Q

n e: \/ i

X(C)

Figura 5.110

5.10 Construa o equivalente de pequenos sinais de cada


circuito do Exerccio 9.

VCC=2,5V

500 Q

5.11 Considere o circuito mostrado na Fig. 5.111, onde


/3 = 100, Is = 6 X IO" 16 A e VA = oo.
(a) Qual o mnimo valor de R,{ que garante
operao no modo ativo?
(b) Com o valor calculado para Rl{, que polari
zao direta surge na juno base-coletor se /3
aumentar para 2 0 0 ?

(a)

ccm 2,5 V

(b)

3 kQ

Vc c = 2,5 V
Figura 5.111

1 kQ

100 k Q

5.12 No circuito da Fig. 5.112,/3 = 100 e VA = oo.

(a) Se a corrente de coletor de Q] for igual a 0,5


mA, calcule o valor de Is.
(b) Se (?, for polarizado na fronteira da regio de
saturao, calcule o valor de Is.

0,5 V
(c)

yc c = 2,5V

Figura 5.109

50 kQ

3 kQ

5.8 Construa o equivalente de pequenos sinais de cada

circuito do Exerccio 7.
5.9 Calcule o ponto de polarizao de cada circuito na

Fig. 5.110. Suponha /3 = 100, Is = 5 X 10" 16 A e


Kt = .

30 kQ

Figura 5.112

Amplificadores Bipolares

219

5.13 O circuito da Fig. 5.113 deve ser projetado para uma

5.17 No circuito da Fig. 5.116, determine o valor mximo

impedncia de entrada maior que 1 0 k i e urngmde


pelo menos 1/(260 l). Se 0 = 100, Is = 2 X IO' 17 A
eV A = oo, determine os valores mnimos permitidos
para R { e R 2.

de R2 que garanta operao de


no modo ativo.
Suponha /3 = 100, Is = 10" 17 A e VA = oo.
2,5 V

VCC=25V

30 k Q

5 kQ
100

Figura 5.116
Figura 5.113

5.18 Considere o circuito da Fig. 5.117, onde Isl = 2/ >V2 =


5.14 Repita o Exerccio 13 para um gni de pelo menos

1/(26 2). Explique por que no existe soluo.


5.15 Desejamos projetar o estgio EC mostrado na Fig.

5.114 para um ganho (= g mR c ) A com resistncia


de sada R{). Qual a mxima impedncia de entrada
que pode ser obtida? Suponha VA = oo.

,T

oo.

(a) Determine as correntes de coletor de (?, e Q2.


(b) Construa o circuito equivalente de pequenos
sinais.

cc

Figura 5.114

5.16 O circuito da Fig. 5.115 foi projetado para uma

corrente de coletor de 0,25 mA. Suponha Is = 6 X


10~ 16 A, /3 = 100 e
= oo.
(a) Determine o necessrio valor de R{.
(b) Qual o erro em I( se R,. se desviar de seu valor
nominal por 5%?

Figura 5.115

5 x IO "16 A. /3, = & = 100 e VA =

Figura 5.117

5.19 No circuito da Fig. 5.118, Isl = Is2 = 4 X 10" 16 A,/3,

= p2 = 100 e VA = oo.
(a) Determine o ponto de operao dos transis
tores.
(b) Construa o circuito equivalente de pequenos
sinais.

Figura 5.118

220

Captulo Cinco

5.20 O circuito da Fig. 5.119 deve ser polarizado com uma

corrente de coletor de 1 mA. Calcule o necessrio


valor de Rl{ se Is = 3 X 10-16 A,/3 = 100 e
= oo.

Figura 5.122

5.24 No circuito da Fig. 5.123, Is = 8

Figura 5.119

5.21 No circuito da Fig. 5.120, Vx = 1,1 V. Se /3 = 1(K) e

X 10" 16 A, p = 100
e K, = o.
(a) Determine o ponto de operao de Qx.
(b) Desenhe o circuito equivalente de pequenos
sinais.

Ki = >qual o valor de /v?


^ C=2,5V
-T- V^CC=2,5V
10 kQ

10 kQ

300 Q
X

40 kQ

Q1

Figura 5.123

Figura 5.120

5.22 Considere o circuito da Fig. 5.121, onde/s = 6 X 10

A, /3 = 100 e
de >,.

^ 1 kQ

-U-

16

= oo. Calcule o ponto de operao

5.25 No circuito da Fig. 5.124, Isl =

= 3 x 1 0 16 A,
P = 1 0 0 e K , = oo.
(a) Calcule
de modo que 0 , conduza uma
corrente de coletor de 1 mA.
(b) Construa o circuito equivalente de pequenos
sinais.

Figura 5.121

Figura 5.124

5.23 Devido a um erro de fabricao, um resistor para

sita, Rr, apareceu em srie com o coletor de Qx na


Fig. 5.122. Qual o mnimo valor permitido para Rn
para que a polarizao direta da juno base-coletor
no exceda 200 mV? Suponha Is = 3 X 1016 A./3 =
100 e VA = oo.

5.26 Determine o ponto de polarizao de cada circuito

na Fig. 5.125. Suponha pr = 2{$pnp = 100, Is = 9


10",6A e VA = oo.

Amplificadores Bipolares

juno base-coletor. Suponha (5 = 50, / v = 8 x 1 0 " '


A e VA = <. O que acontece se o valor de R, for
dividido por dois?

vc c = 2,5 V

h 5Q

60 k Q

221

200 Q

(a)

(b)

10 k Q
Figura 5.125

5.27 Construa os modelos de pequenos sinais dos circuitos

do Exerccio 26.
5.28 Calcule o ponto de polarizao de cada circuito na

Fig. 5.126. Suponha = 2 ft_ = 100, /,. = 9 x 10


A e VA = 00.

5 .3 2

Na Fig. 5.129, se p = 80 e VA = 00 , qUe valor de Is


produz uma corrente de coletor de 1 mA?

VCC~ 2,5 V

VCC=2,5V

32 kQ

20 kQ i
18 kQ

1,6 kQ

100 Q
Figura 5.129

5.33 A topologia ilustrada na Fig. 5.130(a) chamada

(a)

Figura 5.126

5.29 Construa os modelos de pequenos sinais dos circuitos

do Exerccio 28.

multiplicador VBl. (O correspondente npn tem


topologia similar.) Construa o circuito mostrado na
Fig. 5.130(b) e determine a tenso coletor-emissor de
(?, se a corrente de base for desprezvel. (O corres
pondente npn tambm pode ser usado.)

5.30 Na Fig. 5.127, escolhemos Rlf para colocar Qxna fron

teira da saturao. Mas, o verdadeiro valor desse


resistor pode variar de 5%. Determine, para esses
dois extremos, a polarizao direta ou reversa
a que est sujeita a juno base-coletor. Suponha
P = 50,/.v = 8 x 10" 16 A e VA = oo.
Vc c = 2 ,5 V
5 kQ

(a)

1 kQ

Figura 5.127

5.31 Calcule o valor de R, na Fig. 5.128 para que (7,

mantenha uma polarizao reversa de 300 mV na

(b)

Figura 5.130

5.34 Desejamos projetar o estgio EC da Fig. 5.131 para

um ganho de tenso de 20. Qual a mnima tenso


de alimentao para
permanecer no modo ativo?
Suponha VA =
VBE = 0,8 V.

222

Captulo Cinco
5.38 Determine o ganho de tenso e as impedncias I/O

Vc c = 2,5 V

de cada circuito mostrado na Fig. 5.135. Suponha


VA = Nas Figs. 5.135(d) e (e), o transistor Q2opera
sob saturao fraca.

50 k Q

4--- V,out

Figura 5.131
CC

5.35 O circuito da Fig. 5.132 deve ser projetado para

mximo ganho de tenso, sendo mantido no modo


ativo. Se VA = 10 V e V/f/: = 0,8 V, calcule a necessria
corrente de polarizao. Suponha Vcc = 2,5 V.

'out

e tQ' 1
(b)

(a)
V,cc

ou t

Uin---|^O l
Figura 5.132

5.36 O estgio EC da Fig. 5.133 emprega uma fonte de

(c)

(d)

corrente ideal como carga. Se o ganho de tenso for


igual a 50 e a impedncia de sada for 10 k, deter
mine a corrente de polarizao do transistor.

(e)
Figura 5.135
Figura 5.133

5.37 Suponha cjue o transistor bipolar da Fig. 5.134 exiba


5.39 Repita o Exerccio 38 com VA < oo.

a seguinte caracterstica hipottica:


i = Is
tx p
Yhil .
Ic

5.40 Considere a Eq. (5.157) para o ganho de um estgio

(5.368)

Desprezando o efeito Early, calcule o ganho de


tenso para uma corrente de polarizao de 1 mA.

out

Figura 5.134

EC degenerado. Escrevendo g, = Ic/V ,, notamos


que g, e, portanto, o ganho de tenso variam se Ic
mudar com o nvel de sinal. Para os dois casos a
seguir, determine a mudana relativa no ganho se /<
variar em 10%: (a) o valor nominal de gmR, 3; (b) o
valor nominal de gmR,: 7 .0 ganho mais constante
no segundo caso se traduz em maior linearidade do
circuito.
5.41 Expresse o ganho de tenso do estgio ilustrado na

Fig. 5.136 em termos da corrente de polarizao de


coletor, /t , e de VT. Se VA = oo, qual o ganho se as
quedas de tenso em R( e R, forem iguais a 20 V,
e 5 V n respectivamente?

Amplificadores Bipolares

223

Figura 5.136

5.42 Desejamos projetar o estgio degenerado da Fig.

5.137 para um ganho de tenso de 10, com (?,


operando na fronteira da regio de saturao.
Calcule a corrente de polarizao e o valor de Rc
se /3 = 100, Is = 5 x IO' 16 A e VA = oo. Calcule a
impedncia de entrada do circuito.
VCC~ 2>5 V

*c

(e)
Figura 5.138

200 Q

5.47 Calcule o ganho de tenso e as impedncias I/O de cada

circuito mostrado na Fig. 5.139. Suponha VA =


Figura 5.137
5.43 Repita o Exerccio 42 para um ganho de tenso de

100. Explique por que no existe soluo. Qual o


mximo ganho que pode ser alcanado com esse
estgio?
5.44 Construa o modelo de pequenos sinais do estgio

EC mostrado na Fig. 5.43(a) e calcule o ganho de


tenso. Suponha VA = oo.
5.45 Construa o modelo de pequenos sinais do estgio EC

mostrado na Fig. 5.43(a) e prove que a impedncia


de sada igual a R( se o efeito Early for despre
zado.
5.46 Determine o ganho de tenso e as impedncias I/O de

cada circuito mostrado na Fig. 5.138. Suponha VA = oo.

(c)

(d)
Figura 5.139

oo.

224

Captulo Cinco

5.48 Usando um circuito equivalente de pequenos sinais,

calcule a impedncia de sada de um estgio dege


nerado EC com VA < oo. Suponha /3 1.
5.49 Calcule a impedncia de sada de cada circuito na

Fig. 5.140. Suponha /3

1.

100 kQ

y q__
In
Vc c = 2,5 V
50 kQ

out

out

(a)
----------\ [

1 kQ

(a)

C,

(b)

VCC=2,5V
r fout
*

R
c =: 10 kQ

14 k Q

VCC

out

1 kQ

T 1

11 kQ

^ 500 Q

2 kQ

(C )

(c)

Figura 5.140

Figura 5.142

5.50 Compare as impedncias de sada dos circuitos

mostrados na Fig. 5.141. Suponha /3

1.

5.53 Repita o Exerccio 5.33 com R,{ = 25k l e Rc = 250 l.

O ganho maior que a unidade?

r 1,00

Vcc
H -

;r

H "

;r H "
out i

ou. J

(a)

5.54 O estgio base comum da Fig. 5.143 polarizado

com uma corrente de coletor de 2 mA. Suponha


K, = (a) Calcule o ganho de tenso e as impedncias I/O
do circuito.
(b) Como V,{e R( devem ser escolhidos para maxi
mizar o ganho de tenso com uma corrente de
polarizao de 2 mA?

(b)

V,cc

Figura 5.141

500 L1

5.51 Escrevendo

= /3V , / I a expanda a Eq. (5.217) e


prove que o resultado permanece prximo de r se
I hR h
V t (o que vlido, pois V c c e V fE em geral
diferem por cerca de 0,5 V ou mais).

-*veout

rw

5.52 Calcule v()Ut/vm para cada circuito mostrado na Fig.

5.142. Suponha I s = 8 X 10 16 A, /3 = 100 e VA =


oo. Suponha ainda que os capacitores sejam muito
grandes.

Vi,
Figura 5.143

5.55 Determine o ganho de tenso de cada circuito na

Fig. 5.144. Suponha VA = oo.

Amplificadores Bipolares

5 .5 7

^in---- 1

Calcule o ganho de tenso e as impedncias I / O


do estgio BC mostrado na Fig. 5.146. Suponha
VA < .

'out

"T" ^cc

225

r- V,cc
($ ) Ideal

--------

- V,out
(b)
V.,
Figura 5.146

5 .5 8

Considere o estgio BC da Fig. 5.147, onde /3 = 100,


Is = 8 X 10" 16 A, VA = oo e CB muito grande.
(a) Determine o ponto de operao de Qx.
( b ) Calcule o ganho de tenso e as impedncias I / O
do circuito.

(d)

(c)

17

kQ

Figura 5.144

VCC~ 2j5 V
? 13 kQ

'out
5 .5 6

CB

Calcule a impedncia de entrada de cada estgio


ilustrado na Fig. 5.145. Suponha K, - 00.

400 Q

Figura 5.147

CC

5 .5 9

Repita o Exerccio 58 para CH= 0.

5 .6 0

Calcule o ganho de tenso e as impedncias I / O do


estgio mostrado na Fig. 5.148 se VA = <*>e. CHfor
muito grande.

r
(b)

(a)

vcc

vcc

O i^l I
_ r 0 j

cc

^out

*1

-Wr

R, %

1r
/io---- 1

Hl f "

_ r
Figura 5.148

(c)

(d)
Figura 5.145

5 .6 1

Calcule o ganho de tenso e as impedncias I / O do


estgio mostrado na Fig. 5.149 se VA = e CHfor
muito grande.

226

Captulo Cinco
5.66 O circuito na Fig. 5.152 deve apresentar uma impe

dncia de entrada maior que 1 0 kl, com ganho


mnimo de 0,9. Calcule a necessria corrente de
polarizao e R[:. Suponha /3 = 100 e
= oo.
5.67 Um microfone com impedncia de sada Rs =

l alimenta um seguidor de emissor tal como


indica a Fig. 5.153. Determine a corrente de pola
rizao de modo que a impedncia de sada no
exceda 5 l. Suponha /3 = 100 e
= oo.
200

Figura 5.149

5.62 Calcule o ganho de tenso do circuito mostrado na

Fig. 5.150 se VA <

oo.

Figura 5.153

5.68 Calcule o ganho de tenso e as impedncias I/O de


Figura 5.150

cada circuito na Fig. 5.154. Suponha VA =

5.63 O circuito da Fig. 5.151 prov duas sadas. Se

/5, = 21 determine a relao entre vollll/vine vou2/vhr


Suponha VA = oo.

Figura 5.151

5.64 Usando um modelo de pequenos sinais, determine o

ganho de tenso de um estgio BC com degenerao de


emissor, resistncia de base eVA <<*>. Suponha /3 1.
5.65 Para R, = 100 l na Fig. 5.152, determine a corrente

de polarizao de de modo que o ganho seja igual


a 0,8. Suponha VA = oo.

Figura 5.152

Figura 5.154

oo.

Amplificadores Bipolares

5.69 A Fig. 5.155 mostra um par de Darlington, onde Qx


tem um papel um pouco similar ao de um seguidor
de emissor e alimenta Q2. Admita VA = e que os
coletores de Qx e Q2 esto conectados a Vcc- Note
que IhA (= /n ) = l,n = InJP(a) Se o emissor de Q2estiver aterrado, determine
a impedncia vista na base de Qx.
(b) Se a base de Qx estiver aterrada, determine a
impedncia vista no emissor de Q2.
(c) Calcule o ganho de corrente do par. definido
como (1CI + /)//,.

227

5.72 A Fig. 5.158 ilustra uma cascata de um seguidor de

emissor e um estgio emissor comum. Admita K ,< .


(a) Calcule as impedncias de entrada e de sada
do circuito.
(b) Determine o ganho de tenso, voul/v, = (vx/vin)
(/%)

Figura 5.158

Figura 5.155

5.70 No seguidor de emissor da Fig. 5.156, Q2atua como uma

fonte de corrente para o dispositivo de entrada Qx.


(a) Calcule a impedncia de sada da fonte de
corrente, Rcs.
(b) Substitua Q2e R, pelas impedncias obtidas em
(a) e calcule o ganho de tenso e as impedncias
I/O do circuito.

Figura 5.156

5.71 Determine o ganho de tenso do seguidor de emissor

ilustrado na Fig. 5.157. Suponha Is = 7 X 10" 16 A.


/3 = 100 e VA = 5 V. (Mas, para as condies de
polarizao, admita VA = .) Suponha ainda que os
capacitores sejam muito grandes.
vcc- : 2,5 V

5.73 A Fig. 5.159 mostra uma cascata de um seguidor de

emissor e um estgio base comum. Admita Kt = o.


(a) Calcule as impedncias de entrada e de sada
do circuito.
(b) Determine o ganho de tenso, voul/vin = (vx/vin)
(vJvx).

Exerccios de P rojeto

Nos exerccios a seguir, a menos que esteja especificado


de outra maneira, suponha /3 = 1(M), / s = 6 X 10,AA e
1^ = 00 .
5.74 Projete o estgio EC mostrado na Fig. 5.160 para

um ganho de tenso de 1 0 , impedncia de entrada


maior que 5 k l e impedncia de sada de 1 k l. Se
a menor frequncia de sinal de interesse for 200 Hz,
estime o mnimo valor permitido para Ctt.

10 kQ

''i . M H - t O l

c,

-v.out
1 kQ

Figura 5.157

100 Q

---Ih
Figura 5.160

228

Captulo Cinco

5.75 Desejamos projetar o estgio EC da Fig. 5.161 para

mximo ganho de tenso, mas com impedncia


de sada no maior que 500 l. Permitindo que o
transistor esteja sujeito a, no mximo, 400 mV de
polarizao direta na juno base-coletor, projete
o estgio.

sada no maior que 1 kl. Admitindo que a queda


de tenso em R, de 200 mV, que a corrente que
flui por /?, aproximadamente 1 0 vezes a corrente
de base e que Q x sustenta uma polarizao direta
mxima de 400 mV na juno base-coletor, projete
o circuito.
5.82 Projete o estgio da Fig. 5.162 para um balano de

potncia de 5 mW, ganho de tenso de 5 e queda de


tenso de 200 mV em RE. Suponha que a corrente
que flui por
seja aproximadamente 1 0 vezes a
corrente de base.
5.83 Projete o estgio base comum da Fig. 5.163 para um

5.76 O estgio mostrado na Fig. 5.161 deve alcanar

mxima impedncia de entrada, com um ganho de


tenso de, no mnimo, 2 0 e impedncia de sada de
1 kl. Projete o estgio.

ganho de tenso de 2 0 e impedncia de entrada


de 50 l. Suponha uma queda de tenso de
10K, = 260 mV em Rh, de modo que esse resistor
no afete a impedncia de entrada de maneira
significativa. Suponha ainda que a corrente que
flui por R { seja aproximadamente 10 vezes a
corrente de base e que a mnima frequncia de
interesse 200 Hz.

5.77 O estgio EC da Fig. 5.161 deve ser projetado para

mnima tenso de alimentao, com ganho de tenso


de 15 e impedncia de sada de 2 kl. Se o transistor
puder sustentar uma polarizao direta de 400 mV
na juno base-coletor, projete o estgio e calcule a
necessria tenso de alimentao.
5.78 Desejamos projetar o estgio EC da Fig. 5.161

para mnima dissipao de potncia. Se o ganho de


tenso for igual a / 1( determine a permuta entre a
dissipao de potncia e a impedncia de sada do
circuito.
5.79 Projete o estgio EC da Fig. 5.161 para um balano

de potncia de 1 mW e ganho de tenso de 20.


5.80 Projete o estgio EC degenerado da Fig. 5.162 para

um ganho de tenso de 5 e impedncia de entrada


de 500 l. Suponha que R, sustente uma queda de
tenso de 300 mV e que a corrente que flui por R{
seja aproximadamente 1 0 vezes a corrente de base.

5.84 O amplificador BC da Fig. 5.163 deve alcanar um

ganho de tenso de 8 e impedncia de sada de


500 l. Projete o circuito com as mesmas hipteses
do Exerccio 83.
5.85 Desejamos projetar o estgio BC da Fig. 5.163

para uma impedncia de sada de 2 0 0 l e ganho


de tenso de 20. Qual a mnima dissipao de
potncia necessria? Use as mesmas hipteses do
Exerccio 83.
5.86 Projete o amplificador BC da Fig. 5.163 para um

balano de potncia de 5 mW e ganho de tenso de


10. Use as mesmas hipteses do Exerccio 83.
5.87 Projete o amplificador BC da Fig. 5.163 para mnima

Figura 5.162

tenso de alimentao, com impedncia de entrada


de 50 l e ganho de tenso de 20. Use as mesmas
hipteses do Exerccio 83.
5.88 Projete o seguidor de emissor mostrado na Fig.

5.81 O estgio da Fig. 5.162 deve ser projetado para

mximo ganho de tenso e com impedncia de

5.164 para ganho de tenso de 0,85 e impedncia


de entrada maior que 10 kl. Suponha R, = 200 l.

Amplificadores Bipolares

229

de tenso de 0,8. Projete o circuito, supondo que


a mnima frequncia de interesse seja 100 MHz.
(Sugesto: escolha a queda de tenso em R, para
ser muito maior que Vn de modo que o resistor
no afete o ganho de tenso de maneira significa
tiva.)

Vc c = 2,5 V

V\n~
- V,O Ut

VCC=2,5V

Figura 5.164

5.89 O seguidor da Fig. 5.164 deve consumir 5 mW de

potncia e alcanar um ganho de tenso de 0,9.


Qual a mnima resistncia de carga, R, , que esse
seguidor pode alimentar?

V ln O -H -L -T Q ,
C-t
out

5.90 O seguidor mostrado na Fig. 5.165 deve alimentar

uma resistncia de carga, R, = 50 O, com ganho

EXERCCIOS

COM

Figura 5.165

SPICE

Nos exerccios a seguir, suponha /^/I/Vl= 5 X 10 u'A.pnpn = 100,


Va, p = 5 V, /, = 8 X 10-"A, Ppp = 50, VA = 3,5 V.
5.91 O estgio emissor comum da Fig. 5.166 deve ampli

ficar sinais na faixa de frequncias de 1 MHz a 100


MHz.

(d) Com o valor correto de C2 obtido em (c), deter


mine a impedncia de entrada do circuito em
10 MHz. (Uma abordagem consiste em inserir
um resistor em srie com Vine ajustar seu valor
at que Vr/Vin ou Volt,/Vin seja reduzido por um
fator de dois.)
5.92 Predizendo uma impedncia de sada da ordem

de 1 kl para o estgio na Fig. 5.166, um estudante


construiu o circuito ilustrado na Fig. 5.167, onde Vx
representa uma fonte AC com valor DC nulo. Infe
lizmente, VN/V X est distante de 0,5. Explique por
qu.

(a) Usando o comando .op, determine as condies

de polarizao de (?, e comprove que o tran


sistor opera na regio ativa.
(b) Efetue uma anlise AC e escolha o valor de C,
tal que,em 1 MHz, \Vr/Vjn\ ** 0,99. Isto assegura
que C, atua como um curto-circuito em todas as
frequncias de interesse.
(c) Desenhe o grfico de \Vou,/V J em funo da
frequncia, para diversos valores de C2, por
exemplo, 1 /xF, 1 nF e 1 pF. Determine o valor
de C2 de modo que o ganho do circuito em 1 0
MHz esteja apenas 2% abaixo do valor mximo
(p. ex., para C2 = 1 /xF).

Figura 5.167

5.93 Considere o estgio autopolarizado mostrado na

Fig. 5.168.
(a) Determine as condies de polarizao de Qx.
(b) Selecione o valor de C, para que atue apro
ximadamente como um curto-circuito (p. ex.,
IVp/VJ ~ 0,99) em 10 MHz.

230

Captulo Cinco

(c) Calcule o ganho de tenso do circuito em 10


MHz.
(d) Determine a impedncia de entrada do circuito
em 10 MHz.
(e) Suponha que a tenso de alimentao seja forne
cida por uma bateria envelhecida. De quanto
V(( pode cair se o ganho do circuito sofrer uma
degradao de apenas 5%?

out
''in0IF
Figura 5.168

5.94 Repita o Exerccio 93 para o estgio ilustrado na


Fig. 5.169. Qual dos dois circuitos menos sensvel
a variaes na alimentao?

Vcc = 2,5 V

kQ
-Wr

10

1 kQ

kQ

-oV,out

^in0Figura 5.169

5.95 O amplificador mostrado na Fig. 5.170 emprega um


seguidor de emissor para alimentar uma carga de
50 l na frequncia de 100 MHz.
(a) Determine o valor de Rm de modo que Q2
conduza uma corrente de polarizao de 2
mA.
(b) Determine o mnimo valor aceitvel para C,,
C2 e C3 se cada capacitor degradar o ganho em
menos de 1 %.
(c) Qual a atenuao de sinal do seguidor de
emissor? O ganho total aumenta se Rcn for redu
zido a 100 fl? Por qu?

Figura 5.170

CA P I T U L O

Fsica de
Transistores MOS
Hoje, a rea de m icroeletrnica dom inada por um
tipo de dispositivo cham ado transistor de efeito de
cam po de m etal-xido-sem icondutor (M O S F E T Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).
Concebidos nos anos 1930 m as realizados, pela
primeira vez, somente na dcada de 1960, MOSFETs
(tam bm cham ados dispositivos MOS) tm proprie
dades nicas, que levaram a uma revoluo da inds
tria de semicondutores. Essa revoluo culminou em
microprocessadores que consistem em 1 0 0 milhes de
transistores, chips de memria com bilhes de tran

Funcionam ento do MOSFET

sistores e sofisticados circuitos de comunicao com


enorm e capacidade de processam ento de sinais.
Nosso estudo de dispositivos e circuitos M OS
seguir o mesmo procedim ento dos Captulos 2 e 3
para as junes pn. N este captulo, analisarem os a
estrutura e o funcionamento de M OSFETs e desen
volverem os m odelos que sejam teis na sntese de
circuitos. No Captulo 7, utilizaremos os modelos para
estudar topologias de amplificadores MOS. O roteiro
a seguir ilustra a seqncia de conceitos que sero
apresentados neste captulo.

M odelos de D ispositivos MOS

D ispositivos PMOS

Estrutura MOS

M odelo de Grandes Sinais

Estrutura

Operao na Regio de
Triodo

M odelo de Pequenos Sinais

M odelos

Operao na Regio de
Saturao
Caracterstica l/V

6.1

ESTRUTURA DO M O S FE T

Recordemos, do C aptulo 5, que qualquer fonte de


corrente controlada por tenso pode prover ampli
ficao de sinal. M OSFETs tam bm se com portam
como fontes de corrente controladas, mas suas carac
tersticas diferem das de transistores bipolares
Para chegar estrutura de um MOSFET, com e
amos com uma geom etria simples que consiste em

uma placa condutora (p. ex., de metal), um isolante


(dieltrico") e uma poro de silcio dopado. Essa
estrutura, ilustrada na Fig. 6.1 (a), funciona como um
capacitor, pois o silcio de tipo p u m pouco condutivo e cria uma imagem de qualquer carga deposi
tada na placa superior.
O que acontece se uma diferena de potencial for
aplicada ao dispositivo, como m ostra a Fig. 6 .1 (b)?
medida que cargas positivas so colocadas na placa

231

232

Captulo Seis

Placa
C o n d u to ra ^

1-f f l - 4-1
Isolador

Silcio do>
Tipo p

-.1 +
(a)

<b>

(c)

Figura 6.1 (a) Dispositivo semicondutor hipottico, (b) funcionamento como um capacitor, (c) fluxo de corrente em conseqncia
dc diferena dc potencial.

superior, atraem cargas negativas, isto , eltrons, da


poro de silcio. (M esmo dopado com aceitadores,
o silcio de tipo p contm um pequeno nm ero de
eltrons.) Portanto, observam os que um canal de
eltrons livres pode ser criado na interface entre o
isolador e a poro de silcio, podendo atuar como
uma boa rota condutora se a densidade de eltrons
for suficientem ente grande. O p o n to im portante
que a densidade de eltrons no canal varia com V,;
isto fica evidenciado de Q = CV,, onde C representa
a capacitncia entre as duas placas.
A dependncia entre a densidade de eltrons
e V , leva a uma propriedade interessante: se, como
ilustra a Fig. 6.1 (c), perm itirm os que uma corrente
flua da esquerda para a direita na poro de silcio, V,
poder controlar a corrente ajustando a resistividade
do canal. (Vale notar que a corrente prefere a rota
de m enor resistncia e, portanto, flui preferencial
mente pelo canal e no por toda a poro de silcio.)
Isto atende nosso objetivo de construir uma fonte de
corrente controlada por tenso.
A equao Q = C V sugere que, para se alcanar
um forte controle de O por V, o valor de C deve ser
maximizado, por exemplo, pela reduo da espessura
da cam ada dieltrica que separa as duas placas . 1 A
capacidade da tecnologia de fabricao de silcio de
produzir camadas dieltricas extrem am ente delgadas
e uniform es (com espessura m enor que 2 0 A ) se
m ostrou essencial para o rpido aprim oram ento de
dispositivos microeletrnicos.

Estas consideraes levam estrutura M OSFET


ilustrada na Fig. 6.2(a) como candidata realizao de
um dispositivo amplificador. A placa condutora supe
rior, chamada porta (G),* reside sobre uma delgada
camada dieltrica (isolante) que, por sua vez, deposi
tada no substrato" de silcio do tipo p. Para permitir o
fluxo de corrente pelo silcio, dois contatos so adicio
nados ao substrato por meio de duas regies do tipo n
fortemente dopadas, pois a conexo direta de metal ao
substrato no produziria um bom contato mhico .2
Estes dois term inais so cham ados fonte (S)** e
d ren o (D ) para indicar que o prim eiro fornece
portadores de carga e o segundo os absorve. A Fig.
6 .2 (a) revela que o dispositivo simtrico em relao
a F e a D; ou seja, dependendo da tenso aplicada ao
dispositivo, qualquer um destes terminais pode drenar
portadores de carga do outro. Com o explicarem os
na Seo 6.2, com fonte/dreno do tipo n e substrato
do tipo p, este transistor opera com eltrons, em vez
de lacunas, e cham ado dispositivo MOS do tipo n
(NM OS). (O correspondente dispositivo do tipo p
ser estudado na Seo 6.4.) Para simplificar, dese
nhamos o dispositivo como na Fig. 6.2(b). A Fig. 6.2(c)
mostra o smbolo de circuito de um transistor MOS,
onde a seta indica o term inal de fonte.
A ntes de m ergulharm os no funcionam ento do
MOSFET, consideremos dois tipos de material usados
no dispositivo. A placa de porta deve atuar como um
bom condutor e, nas prim eiras geraes da tecno
logia MOS, foi im plem entada em metal (alumnio).

'A capacitncia entre duas placas dada por e A /i, onde e a "constante dieltrica (tambm chamada "permissividade"), A a rea
de cada placa e / a espessura do dieltrico.
* comum o uso da correspondente nomenclatura em ingls: gate e G. (N.T.)
20 termo hmico usado para distinguir esse tipo de contato de outros, como diodos, e enfatiza o fluxo bidirecional de corrente,
como em um resistor.
** comum o uso da correspondente nomenclatura em ingls: source e S. (N.T.)

Fsica de Transistores M O S

233

Placa

Substrato do Tipo p

(b)
Figura 6.2

(C )

(a) Estrutura do MOSFET, (b) vista lateral, (c) smbolo de circuito.

No entanto, foi descoberto que silcio no cristalino


(polissilcio ou, sim plesm ente, poli) com forte
dopagem tinha m elhores pro p ried ad es de fabri
cao e fsicas. Por isso, os M OSFETs da atualidade
em pregam portas de polissilcio.
A camada dieltrica posicionada entre a porta e o
substrato tem um papel fundamental no desempenho
de transistores e criada por crescimento de dixido
de silcio (ou, simplesmente, xido) sobre a rea de
silcio. As regies + so, s vezes, chamadas "difuso
de porta/dreno, em referncia ao m todo de fabri
cao usado nos primrdios da microeletrnica. Vale
ressaltar que estas regies, na verdade, formam diodos
com o substrato de tipo p (Fig. 6.3). Como explica

Figura 6.3

remos mais adiante, o funcionam ento adequado do


transistor requer que estas junes perm aneam sob
polarizao reversa. Portanto, apenas a capacitncia
da regio de depleo associada a esses dois diodos
deve ser levada em considerao. A Fig. 6.3 mostra
algumas das dim enses de dispositivos produzidos
pela mais m oderna tecnologia MOS. A espessura do
xido representada por tox.

6.2

O PERAO DO M O SFET

Esta seo aborda uma variedade de conceitos asso


ciados a MOSFETs. O roteiro que seguiremos ilus
trado na Fig. 6.4.

Dimenses tpicas de MOSFETs atuais.

234

Captulo Seis

Anlise Qualitativa
Formao do Canal
MOSFET como Resistor
Estrangulamento do
Canal
Caracterstica l/V

Caracterstica l/V
Densidadede Cargas
no Canal
Corrente de Dreno
Regies deTriodo ede
Saturao
Figura 6.4

6.2.1

Outras Propriedades
EfeitodeCorpo
Conduo Sublimiar
Saturao de
Velocidade

Roteiro dos conceitos a serem estudados.

A n lise Q u a lita tiva

Nosso estudo das estruturas simples mostradas nas


Figs. 6.1 e 6.2 sugere que o M OSFET poder conduzir
correntes entre a fonte e o dreno se um canal de eltrons
for criado por meio de uma tenso de porta suficiente
mente positiva. Alm disso, esperamos que a intensidade
da corrente possa ser controlada pela tenso de porta.
Com efeito, nossa anlise confirmar estas conjecturas
e revelar outros efeitos sutis no dispositivo. Notemos
que o terminal de porta no puxa corrente (de baixa
frequncia), pois est isolado do canal pelo xido.
Como o MOSFET tem trs terminais,3 podemos nos
deparar com vrias combinaes de tenses e correntes
nos terminais. Felizmente, como a corrente (de baixa
frequncia) de porta nula, a nica corrente de interesse
a que flui entre a fonte e o dreno. Devemos estudar

Figura 6.5

Propriedades Analgicas
Transcondutncia
Modulao do
O
Comprimento do Canal

a dependncia entre essa corrente e a tenso de porta


(p. ex.,para uma tenso de dreno constante) e a tenso
de dreno (p. ex., para uma tenso de porta constante).
Estes conceitos so esclarecidos a seguir.
Consideremos, primeiro, a configurao mostrada
na Fig. 6.5(a), onde a fonte e o dreno so aterrados, e
a tenso de porta variada. Esse circuito no parece
muito til, mas nos possibilita um bom entendimento.
Recordemos, da Fig. 6.1(b), que, m edida que V(!*
aum enta, a carga positiva na porta deve ser corres
pondida por carga negativa no substrato. Em bora
tenhamos dito, na Seo 6.1, que eltrons so atrados
para a interface, na verdade um outro fenmeno ante
cede a formao do canal. medida que V(1aumenta a
partir de zero,a carga positiva na porta repele as lacunas
no substrato, expe ons negativos e cria uma regio
de depleo [Fig. 6.5(b ) ] . 4 Notemos que o dispositivo

(a) MOSFET com tenso de porta, (b) formao da regio de depleo, (c) formao do canal.

30 substrato atua como um quarto terminal, mas por ora vamos ignorar isto.
Por convenincia, o smbolo VGser usado para representar a tenso de porta. (N.T.)
4Notemos que esta regio de depleo contm apenas uma polaridade de carga imvel, enquanto a regio de depleo de uma
juno pn consiste em duas reas de ons negativos e positivos nos dois lados da juno.

Fsica de Transistores M O S

ainda atua como um capacitor (carga positiva na porta


correspondida por carga negativa no substrato), mas
nenhum canal de cargas mveis foi criado at agora.
Assim, no h fluxo de corrente da fonte para o dreno.
Dizemos que o M OSFET est desligado.
As junes fonte-substrato e dreno-substrato
podem conduzir corrente neste m odo? Para evitar
este efeito, o prprio substrato tambm conectado a
zero, assegurando que esses diodos no ficam sujeitos
polarizao direta. Para simplicar, no mostraremos
esta conexo nos diagramas.
O que acontece medida que V(i aum enta? Para
corresponder carga na porta, mais ons negativos so
expostos e a regio de depleo sob o xido se torna
mais profunda. Isto significa que o transistor jamais
conduz?! Felizmente, se V(;se tornar suficientemente
positivo, eltrons livres sero atrados para a interface
xido-silcio, formando um canal condutor [Fig. 6.5(c)].
Dizemos que o M OSFET est ligado. O potencial de
porta em que o canal comea a aparecer chamado
tenso de limiar, VT* e tem valor no intervalo entre
300 mV e 500 mV. Vale notar que os eltrons so pron
tamente providos pelas regies n +da fonte e do dreno
e no precisam ser fornecidos pelo substrato.

Exem plo

6.1

Soluo

235

interessante observar que o term inal de porta


do M OSFET no puxa corrente (de baixa frequn
cia). E stando acima do xido, a porta perm anece
isolada dos outros terminais e atua apenas como uma
placa de um capacitor.
M O S FET co m o um R e s is to r V a rivel O canal
c o n d u to r e n tre F e D p o d e ser visto com o um
resistor. Alm disso, com o a densidade de eltrons
no canal deve au m en tar m edida que V(1 se torna
mais positivo (p o r q u ?), o v alor desse resisto r
varia com a tenso de porta. Esse resistor co n tro
lado por tenso, ilustrado de m odo conceituai na
Fig. 6 .6 , se m ostra m uito til em circuitos an al
gicos e digitais.

SomWiW%% D
Figura 6.6
tenso.

MOSFET visto como um resistor controlado por

Nas vizinhanas de uma estao radiobase, o sinal recebido por um telefone celular pode se tornar
muito forte e, possivelmente,saturar os circuitos e impedir o funcionamento adequado do aparelho.
Vamos desenvolver um circuito de ganho varivel que reduza o sinal medida que o telefone celular
se aproxima da estao radiobase.
Um MOSFET e um resistor podem formar um atenuador controlado por tenso, como ilustrado
na Fig. 6.7.
Como
Vout _
R\
( 6 . 1)
Vin
R m + R\
o sinal de sada diminui medida que Vconl diminui, pois a densidade de eltrons no canal diminui
e Rmaumenta. MOSFETs so muito utilizados como resistores controlados por tenso em ampli
ficadores de ganho varivel.
'cont

'out

Figura 6.7

Exerccio

Uso dc um MOSFET para ajuste dc nveis de sinal.

O que acontece a RS1se o comprimento do canal for dobrado?

Por convenincia, ser usado o subscrito 77/ para representar esta tenso de limiar, mantendo-se a sigla correspondente nomen
clatura em ingls, a expresso threshold volage. (N.T.)

236

Captulo Seis

Na configurao da Fig. 6.5(c), no h fluxo de


corrente entre F e D, pois os dois term inais esto no
mesmo potencial. Agora, vamos aum entar a tenso
de dreno, como m ostrado na Fig. 6 .8 (a), e exam inar
a corrente de dreno (= corrente de fonte). Se VG <
V,, no existe um canal, o dispositivo est desli
gado e I n = 0, independentem ente do valor de V. Se
V<; > Vy//, I > 0 [Fig. 6 .8 (b)]. N a verdade, a rota
fonte-dreno pode atu ar com o um simples resistor,
produzindo a caracterstica In-Vi, m ostrada na Fig.
6 .8 (c). A inclinao da curva igual a 1/R, onde R
denota a resistncia em conduo/
A breve anlise que fizemos da caracterstica
I/V do dispositivo MOS at aqui sugere dois pontos
de vista diferentes do fu n cio n am en to do mesmo:
na Fig. 6 .8 (b), Vf varia, en q u a n to V p erm an ece
constante; j na Fig. 6 .8 (c), V varia, en q u an to V(!
perm anece constante. C ada p o n to de vista prov

vD

um valoroso en ten d im en to do funcionam ento do


transistor.
C om o a caracterstica da Fig. 6 .8 (b) alterada
se V(; aum entar? A maior densidade de eltrons no
canal reduz a resistncia em conduo,o que aumenta
a inclinao da curva. A caracterstica resultante, ilus
trada na Fig. 6 .8 (d), refora a noo de resistncia
controlada por tenso.
Recordemos, do Captulo 2, que o fluxo de carga
em semicondutores ocorre por difuso ou por deriva.
O que podem os dizer sobre o mecanismo de trans
porte em um M O SFET? C om o a fonte de tenso
conectada ao dreno cria um campo eltrico ao longo
do canal, a corrente resulta de deriva de carga.
As caractersticas /-V(; e In-V mostradas nas Figs.
6 .8 (b) e (c), respectivam ente, tm papel central em
nosso entendim ento de dispositivos MOS. O exemplo
seguinte refora os conceitos estudados at aqui.

^
r

1'

Substrato do Tipo p
(b)

<a)

(d)
Figura 6.8 (a) MOSFET com tenses de porta e de dreno, (b) caracterstica I d-V c, (c) caracterstica ln-VDy(d) caracterstica /- V7>
para diferentes tenses de porta.

Exem plo
6.2

Soluo

Esbocemos os grficos das caractersticas


e (b) diferentes espessuras de xido.

para (a) diferentes comprimentos de canal

medida que o comprimento do canal aumenta, a resistncia em conduo tambm aumenta .6


Portanto, para Va > V n , a corrente de dreno comea de valores menores medida que o compri
mento aumenta [Fig. 6.9(a)]. De modo similar, In exibe uma menor inclinao em funo de Vn

SA expresso resistncia em conduo' sempre se refere resistncia entre fonte e dreno, pois no existe uma resistncia entre a
porta e outros terminais.
''Recordemos que a resistncia de um condutor proporcional ao comprimento.

Fsica de Transistores M O S

237

[Fig. 6.9(b)]. Porta nto, desejvel m in im iza r o comprimento do canal para obter correntes de dreno
intensas - uma tendncia importante no desenvolvimento da tecnologia MOS.
Como a espessura de xido, tox, afeta a caracterstica I-V? medida que tox aumenta, a capaci
tncia entre a porta e o substrato de silcio diminui. Portanto, de Q = CV, notamos que uma dada
tenso resulta em menor carga na porta e, em conseqncia, em uma menor densidade de eltrons
no canal. Desta forma, o dispositivo apresenta uma resistncia em conduo mais alta e, para uma
dada tenso de porta, produz uma menor corrente de dreno [Fig. 6.9(c)] ou tenso de dreno [Fig.
6.9(d)]. Por este motivo, a indstria de semicondutores continua a reduzir a espessura de oxido da
porta.

Figura 6.9 (a) Caracterstica ID-VGpara diferentes comprimentos de canal, (b) caracterstica ID-VDpara dife
rentes comprimentos de canal, (c) caracterstica In-V(1para diferentes espessuras dc xido, (d) caracterstica
ID-VDpara diferentes espessuras de xido.
Exerccio

A conduo de corrente no canal se d por deriva. Se a mobilidade cai a temperaturas altas, o que
podemos dizer sobre a resistncia em conduo medida que a temperatura sobe?

Figura 6.10 (a) Dimenses dc um MOSFET (W c L esto sob o controle do projetista dc circuitos), (b) caracterstica / para dife
rentes valores de W, (c) equivalncia de dispositivos em paralelo.

238

Captulo Seis

Em bora tanto o com prim ento como a espessura


do xido afetem o desem penho de MOSFET, apenas
o prim eiro est sob controle no projetista, isto , o
com prim ento pode ser especificado no leiaute do
transistor. A ltima, por sua vez, definida durante
a fabricao e permanece constante em todos os tran
sistores de uma dada gerao da tecnologia.
O u tro p arm etro MOS controlado por p roje
tistas de circuitos a largura do transistor, a dimenso
perpendicular ao comprimento [Fig. 6 .10(a)]. Portanto,
conclum os que os projetistas de circuitos podem
escolher as dim enses horizontais, com o L e W,
mas no as dimenses verticais , como tox.
C om o a largura de p orta afeta a caracterstica
I-V? medida que W aum enta, a largura do canal
tam bm aum enta, o que reduz a resistncia entre
fonte e dreno 7 e produz a tendncia ilustrada na Fig.
6.10(b). De outra perspectiva, um dispositivo mais
largo pode ser visto com o dois transistores mais
estreitos em paralelo, produzindo uma corrente de
dreno alta [Fig. 6 .10(c)]. Podemos, ento, concluir que
W deve ser maximizada, mas tambm devemos notar
que a capacitncia de porta total aum enta com W, o
que pode vir a limitar a velocidade do circuito. Ou
seja, a largura de cada dispositivo no circuito deve
ser escolhida com muito cuidado.

Figura 6.11

E s tra n g u la m e n to de C anal*

A t aqui, nosso
estudo qualitativo do M O SFET m ostrou que, se a
tenso de porta exceder V nh o dispositivo atua como
resistor controlado por tenso. No entanto, se a tenso
de dreno for suficientem ente positiva, o transistor
opera como um a/o/e de corrente. Para entender esse
efeito, fazemos duas observaes: ( 1 ) para form ar o
canal, a diferena de potencial entre a porta e a inter
face xido-silcio deve ultrapassar V TH; (2) se a tenso
de dreno perm anecer maior que a da fonte, a tenso
- em relao terra - em cada ponto ao longo do
canal aumenta medida que nos deslocamos da fonte
em direo ao dreno. Esse efeito, ilustrado na Fig.
6 . 1 1 (a), surge da queda de tenso gradual ao longo da
resistncia do canal. Como a tenso de porta cons
tante (porque a porta condutora mas no conduz
corrente em qualquer direo), e como o potencial na
interface xido-silcio aumenta da fonte para o dreno,
a diferena de potencial entre a porta e a interface
xido-silcio diminui ao longo do eixo x [Fig. 6.11 (b)].
A densidade de eltrons no canal segue a mesm a
tendncia e atinge um valor mnimo em x = L.
Destas observaes, conclumos que, se a tenso
de dreno for alta o bastante para produzir Va - Vn <
V Tlh o canal deixa de existir nas proxim idades do
dreno. Dizemos que a diferena de potencial entre

(a) Variao dc potencial no canal, (b) diferena de tenso entre porta e substrato ao longo do canal.

7Rccordcmos que a resistncia dc um condutor inversamente proporcional rea da seo reta; esta. por sua vez, igual ao produto
da largura pela espessura do condutor.
* muito comum o uso do termo ingls pinch-off para denominar o efeito descrito nesta subseo, cujo ttulo pode, igualmente, ser
traduzido como Pinch-Off de Canal. (N.T.)

Fsica de Transistores M O S

239

>vm

j - v-TH

(a)

I|----1

G ^ ______

Jj

L, L

0
(b)

(c)

Figura 6.12 (a) Estrangulamento (pinch-off) de canal, (b) variao do comprimento com a tenso de dreno, (c) funcionamento
detalhado nas proximidades do dreno.

porta e substrato no suficientem ente alta em x = 6.2.2 D eduo das C aractersticas l/V
L para atrair eltrons e que o canal sofreu estrangu
Aps o estudo qualitativo anterior, podemos, agora,
lam ento (ou pinch-off) [Fig. 6.12(a)].
form
ular o com portam ento do M OSFET em termos
O
que acontece se Vn se to rn ar maior que V(; das
tenses
dos terminais.
VnP- Como V(x) agora varia de 0, em x = 0, a VD >
V(1 - Vm , em x - L, a diferena de tenso entre a
porta e o substrato reduzida a V, em algum ponto D ensidade de Carga no Canal A deduo que
L, < L [Fig. 6.12(b)]. Portanto, o dispositivo no apre farem os req u er um a expresso para a quantidade
senta um canal entre L, e L. Isto significa que o tran de carga (ou seja, de eltrons livres) por unidade de
sistor no pode conduzir corrente? No, o disposi comprimento do canal, tambm cham ada de densi
tivo ainda conduz: como ilustra a Fig. 6.12(c), uma dade de carga. De Q - CV, notamos que, se C for a
vez que os eltrons atingem o fim do canal, sofrem capacitncia de porta por unidade de com prim ento
a ao de um intenso cam po eltrico na regio de
depleo que envolve a juno do dreno e so rapi
dam ente varridos para o terminal do dreno. Contudo,
como mostramos na prxima seo, a tenso de dreno
no tem mais efeito significativo sobre a corrente, e o
M OSFET passa a atuar como uma fonte de corrente
constante - similar a um transistor bipolar na regio
ativa direta. Notemos que as junes fonte-substrato Figura 6.13 Ilustrao de capacitncia por unidade de compri
e dreno-substrato no conduzem corrente.
mento.

240

Captulo Seis

e V ,a diferena de tenso entre fonte e canal, ento


Q a desejada densidade de carga. D en o tan d o a
capacitncia de porta por unidade de rea por Cox
(expressa em F/m 2 ou fF//u.m2), escrevemos C = WCox
para levarmos em conta a largura do transistor [Fig.
6.13(a)]. Alm disso, tem os V = V(IS V r n * pois
no existem cargas mveis para VGS < V m . (A partir
daqui, denotarem os as tenses de porta e de dreno
em relao fonte.) Segue-se que

(2 ) se os portadores se moverem a uma velocidade de


v m/s, ento a carga que existe em v metros ao longo
da barra passa pela seo reta em um segundo. Como a
carga que existe em v metros igual a Q v, temos
(6.4)v.
=Q

I
Como explicamos no Captulo 2,
i; =

Q = WCox(VGS - Vm).

( 6 .2 )

N otem os que Q expresso em coulom b/m etro.


A gora, recordem os da Fig. 6.1 l(a ) que a tenso de
canal varia ao longo do com prim ento do transistor e
que a densidade de carga cai medida que nos deslo
camos da fonte para o dreno. Portanto, a Eq. (6.2)
vlida apenas nas vizinhanas do term inal da fonte,
onde o potencial do canal p erm anece prxim o de
zero. Como mostra a Fig. 6.14, denotam os o potencial
do canal em x por V(x) e escrevemos
Q(x) = WCox[Vcs - V(x) - V-ml

(6.5)
dV

(6.6)

onde dV/dx denota a derivada da tenso em um dado


ponto em relao a x. Combinando (6.3), (6.4) e ( 6 .6 ),
obtemos
b

W C ox [VGS -

dV(x)
V(x) - VTH)nn r 1
ax

(6.7)

interessante observar que, como In deve perm a


necer constante ao longo do canal (por qu?), VX*)

(6.3)

Notem os que V(.v) varia de zero a V se o canal no


estiver estrangulado (pinched-off).
Corrente de Dreno

Qual a relao entre a densi


dade de cargas mveis e a corrente? Consideremos uma
barra de semicondutor com uma densidade uniforme
de carga (por unidade de comprimento) igual a Q e que
conduz uma corrente / (Fig. 6.15). Notamos, pelo que
vimos no Captulo 2, que: (1) / dada pela carga total
que passa pela seo reta da barra em um segundo, e

Figura 6.14 Representao do dispositivo para o clculo da


corrente de dreno.

*Por convenincia, VGS representar a diferena de potencial entre porta (gate) e fonte (source). (N.T.)

Fsica de Transistores M O S

241

e dV /dx deve variar de m odo que o p roduto de


V(,s ~ V(x) - VTH por dV/dx independa de x.
E m bora seja possvel resolver esta equao
diferencial para obter V(,t) em term os de I (suge
rimos que o leitor faa isto), nosso objetivo im ediato
encontrar um a expresso p ara / em term os das
tenses nos terminais. Para isso, escrevemos
r x=L

Jx =0

r V (x )= V m

IDdx= \

Jv(x)=0

n nCoxW[Vc s - V (x )-V TH]dV. (6 .8 )

Ou seja,

Id = ^"C ox - [2( Vc5 -

vrll) Vos ~ V2DS] .

(6.9)

Agora, examinemos esta im portante equao de dife


rentes pontos de vista para um m elhor entendimento.
Prim eiro, a dependncia linear de / em relao a
H., Cm e W /L era esperada: um a mobilidade m aior
produz uma corrente maior, para uma dada tenso
dreno-fonte VI)S; uma m aior capacitncia de porta
resulta em m aior densidade d e eltrons no canal,
para uma dada tenso porta-fonte V(:s\ uma maior
razo W/L (cham ada razo de aspecto do disposi
tivo) equivalente a conectar mais transistores em
paralelo [Fig. 6.10(c)]. Segundo, para VGS constante,/

Exem plo
6.3
Soluo

I d .i m x

1
2 M h C jv

W
9
(Vcs Vth)

(6 . 1 0 )

em Vns = V(;s - Vr. comum escrever W /L como a


razo entre dois valores, como, por exemplo, 5 /i,m/0,l 8
/utm (em vez de 27,8), para enfatizar a escolha de W
e de L. Em bora, em diversas equaes MOS, apenas
a razo aparea, os valores individuais de W e de L
tambm se tornam im portantes em muitos casos. Por
exemplo, se os valores de W e de L forem dobrados,
a razo perm anece inalterada, mas a capacitncia de
porta aum enta.

Esbocemos o grfico da caracterstica ln-Vs para diferentes valores de VGS.


medida que V(;s aumenta, /Amve VGS - V,,, tambm aumentam. A caracterstica In-VnSi ilustrada
na Fig. 6.17, exibe mximos que seguem uma forma parablica, pois I,)jnx a (Vas - A///)2.

Figura 6.17

Exerccio

tem variao parablica em relao a Vns (Fig. 6.16),


alcanando um valor mximo de

Caracterstica MOS para diferentes valores da tenso porta-fonte.

O que acontece se o valor de ls for dividido por dois?

242

Captulo Seis

A relao no linear entre 1 e V,)S revela que o


transistor no pode, em geral, ser m odelado por um
simples resistor linear. No entanto, se V I)S 2 ( Vas
- V rn), a Eq. (6.9) se reduz a
In % MhC -j- (Vas Vjh ) Vds<

(6 .1 1 )

e, para um dado valor de V DS, exibe um com porta


m ento Ip-V/ys linear. Na verdade, a resistncia em
conduo equivalente dada por V n/ l l}:
R = ------- ------------------ .
l^nQ)X (Vc,s Vrn)

Soluo

Como previmos na Seo 6.2.1, a Eq. (6.12) sugere


que a resistncia em conduo pode ser controlada
pela tenso porta-fonte. Em particular, para V(;s =
Vm, K = oo, ou seja, o dispositivo funciona como
um com utador (switch) eletrnico.

Um telefone sem fio dispe de uma nica antena para recepo e transmisso. Expliquemos como
o sistema deve ser configurado.

O sistema projetado de modo que o telefone receba em metade do tempo e transmite na outra
metade. Assim, a antena alternadamente conectada ao receptor e ao transmissor em intervalos
regulares, como, por exemplo, a cada 20 ms (Fig. 6.19). Portanto, faz-se necessrio o uso de um
comutador eletrnico para a antena.8

Figura 6.19

Exerccio

Detalhe da caracterstica para pequenos valores

(6.12)

De outro ponto de vista, para pequenos valores de


Vs (prxim o origem ), as p arbolas da Fig. 6.17
podem ser aproxim adas por segm entos de reta com
diferentes inclinaes (Fig. 6.18).

Exem plo
6.4

Figura 6.18
de V,)S.

Funo de um comutador para a antena de um telefone sem fio.

Alguns sistemas empregam duas antenas,cada qual recebendo e transmitindo sinais. Quantos comutadores so necessrios neste caso?

Na maioria das aplicaes, desejvel alcanar uma


resistncia em conduo baixa para comutadores MOS.

8Alguns telefones celulares operam da mesma maneira.

O projetista do circuito deve, portanto, maximizar W/L


e VGS. O prximo exemplo ilustra este ponto.

Fsica de Transistores M O S

Exemplo
6.5

Soluo

243

No telefone sem fio do Exemplo 6.4, o comutador que conecta o transmissor antena deve atenuar
o sinal de maneira desprezvel, por exemplo, em no mais que 10%. Se Vd d ~ 1>8 V, nCox = 100
/xA/V2 e VTH = 0,4 V, determinemos o valor mnimo da razo de aspecto do comutador. Vamos
supor que a antena pode ser modelada por um resistor de 50 l.
Como indicado na Fig. 6.20, queremos garantir que
^>0,9
Vin

(6.13)

rv
<Lnon

< Transmissor

-VA----- 0V;

out '

50 Q

^ant

Figura 6.20 Degradao do sinal devido resistncia em conduo do comutador da antena,


e, portanto, que
Ron < 5,6 2.

(6.14)

Fixando VGS no valor mximo, V,)n, obtemos, da Eq. (6.12):


W
> 1276.

(6.15)

(Como transistores largos introduzem uma capacitncia considervel na rota de sinal, talvez esta
escolha de W/L ainda atenue sinais de alta frequncia.)
Exerccio

Que valor de W/L necessrio se Vni) for reduzido para 1,2 V?

R egies de Triodo e de S a tu ra o A Eq. (6.9)


expressa a corrente de dreno em termos das tenses
nos terminais do dispositivo, implicando que a corrente
comea a dim inuir para VOS ^ VgS V 77/* Dizemos
que o dispositivo opera na regio de triodo (tambm
cham ada "regio linear) se VDS < Vas V (que
corresponde seo de subida da parbola).Tambm
usamos a expresso regio de triodo forte para
VDS 2(V(;S - V m ),onde o transistor funciona como
um resistor.
Na verdade, a corrente de dreno chega satu
rao, ou seja, torna-se constante para Vns > V(!S
Vm (Fig. 6.21). Para entender por qu, recordemos, da

Fig. 6.12, que o canal sofre estrangulam ento (pinchoff) se V,)S = V,:s - V,. Desta forma, um aum ento
maior em VI)S apenas desloca o ponto de estrangula
m ento em direo ao dreno. Alm disto, recordem os
que as Eqs. (6.7) e ( 6 .8 ) so vlidas som ente onde
existe carga no canal. Portanto, a integrao em ( 6 .8 )
deve incluir apenas o canal, ou seja, na Fig. 6.12(b),
deve ser feita de x = a x = L, e modificada para
x=L\

/
ID dx =
Jx= 0
rV(x)=Vfs-VTH
= /
HnCoxW[VGS- V ( x ) - V TH]dV.
J V (x )= 0

(6.16)

244

Captulo Seis

Figura 6.21

Caracterstica MOS completa.

Notemos que os limites superiores correspondem ao


ponto de estrangulam ento do canal. Em particular, a
integral no lado direito calculada at V(;s - Vnh e
no at Vns. Em conseqncia,
h = \ ^ V GS - VrH)2,
l
Li

(6.17)

este resultado independe de Vns e, se supuserm os


L,
L , idntico a I fmx em (6.10). A grandeza
V,;S V rih cham ada tenso de sobrecarga (ou
tenso de overdrive), tem um papel im portante em
circuitos MOS. s vezes, M O SFETs so cham ados
dispositivos quadrticos para enfatizar a relao
en tre I e a tenso de sobrecarga. Para simplicar,
doravante denotarem os L, por L .

A caracterstica I-V da Fig. 6.21 lembra aquela de


dispositivos bipolares: as regies de triodo e de satura
o de MOSFETs so similares s regies de saturao
e ativa direta de transistores bipolares, respectivamente.
Infelizmente, o termo saturao denota regies diferen
tes nas caractersticas de dispositivos MOS e bipolares.
Em pregam os a ilustrao conceituai da Fig. 6.22
para determ in ar a regio de operao. N otem os
que a diferena de potencial porta-dreno se presta
a esse fim e no precisamos calcular separadam ente
as tenses porta-fonte e porta-dreno.
Como exibe uma corrente plana na regio de
saturao, um M O SFE T pode o p erar com o uma
fonte de corrente cujo valor dado por (6.17). Alm
disso, a dependncia quadrtica entre / e V(;s - V ,,,
sugere que o dispositivo pode atuar como uma fonte
de tenso controlada por tenso.

?+ ^TH

't .

: Saturated

j t O
i

T-

-(b)

Figura 6.22

Ilustrao das regies de triodo e de saturao com base nas tenses de porta e de dreno.

Fsica de Transistores M O S

Exemplo
6.6

245

Calculemos a corrente de polarizao de Mxna Fig. 6.23. Suponhamos finCtK = 100 /xA/V2 e Vw =
0,4 V. Se a tenso de porta aumentar de 10 mV, qual a alterao na tenso de dreno?
yDD= 1 ,8 V
5 kQ

n jH fc V i ^ =JL_
L

1 V - ^

Figura 6.23

S oluo

0,18

Circuito MOS simples.

No est claro, a priori, em que regio A/, opera. Vamos admitir que A, esteja saturado e faamos
o clculo. Como VGS = 1 V,

( Vc s -

,
Vt h )

= 200 mA.

(6.18)
(6.19)

Devemos comprovar a hiptese; para isto, calculamos o potencial de dreno:


V x Vd d -

= 0,8 V.
A tenso de dreno menor que a tenso de porta, e a diferena menor que V
Fig. 6.22 indica, portanto, que A/, opera, de fato, na regio de saturao.
Se a tenso de porta for aumentada para 1,01 V, temos

(6.20)
( 6.21)

A ilustrao da

ID =206,7 /zA.

( 6 .22 )

Vx = 0,766 V.

(6.23)

o que reduz Vx para

Felizmente, A/, ainda est saturado. A mudana de 34 mV em Vx revela que o circuito pode ampli
ficar a entrada.
Exerccio

Que valor de l< coloca o transistor na fronteira da regio de triodo?

in teressa n te que id en tifiq u em o s diversos


pontos de contraste en tre dispositivos bipolares e
MOS. (1) Um transistor bipolar com V,.: = V ^ e s t
na fronteira da regio ativa, enquanto um M OSFET
se aproxim a da fronteira da regio de saturao se
a sua tenso de dreno ficar um valor V n , abaixo da
tenso de porta. (2) D ispositivos bipolares exibem
uma caracterstica Ic-V m, exponencial, en q u an to
M OSFETs tm dependncia quadrtica. Ou seja, os

prim eiros resultam em m aiores transcondutncias


que os segundos (para uma dada corrente de pola
rizao). (3) Em circuitos bipolares, a m aioria dos
transistores tem as mesmas dim enses e, portanto,
a mesm a 7S; em circuitos MOS, a razo de aspecto
de cada dispositivo pode ser escolhida sep arad a
m ente p ara ate n d e r os requisitos de p ro jeto. (4)
A p orta de M O SFETs no puxa co rren te de pola
rizao . 9

l'As novas geraes de MOSFETs apresentam o problema de corrente "de fuga" de porta, mas aqui desprezamos este efeito.

246

Captulo Seis

Exem plo
6.7

S oluo

Determinemos o valor de W/L na Fig. 6.23 que coloca M, na fronteira da regio de saturao e
calculemos a alterao na tenso de dreno devido a uma variao de 1 mV na tenso de porta.
Vamos supor VTl, = 0,4 V.
Com V(iS = +1 V, a tenso de dreno deve cair para VGS - VTU= 0,6 V para que M, entre na regio
de triodo. Ou seja,
,

Vdd - Vos
Ro
= 240 jiiA.

(6.24)
(6.25)

Como I,) varia linearmente com W/L,


W
240 mA
2
L mx ~~ 2 0 0 A 0,18
2,4
8

(6.26)
(6.27)

Se VGS aumentar de 1 mV,


ID = 248,04 mA.

(6.28)

AV- = AId R d

(6.29)

= 4,02 mV.

(6.30)

fazendo com que Vx seja alterado de

Portanto, neste caso, o ganho de tenso igual a 4,02.


Exerccio

Exem plo
6.8

Repita o exemplo anterior para o caso em que o valor de Rn dobrado.

Na Fig. 6.24, calculemos o valor mximo permitido para a tenso de porta de modo que A/, perma
nea saturado.

/?D 5kQ
to w

^GS *
Figura 6.24

Soluo

0,18

Circuito MOS simples.

Na fronteira da regio de saturao, VGs - V th = Vds = Vdd - RpID. Substituindo ID da Eq. (6.17),
temos
V g s V th =

V dd

Vgs Vth =

( Vg s V th

)2,

- l + y i + 2 /?DVi,oMGT

(6.31)

(6.32)

Fsica de Transistores M O S

247

Logo,
V-C

Exerccio

1 + V l + 2Ri)Vl)D^nC0x 77
q ,, r w
KDfArr^ox
l

Vtu

(6.33)

Calcule o valor de VGs se iiCox = 100 /aA/V2 e Vm = 0,4 V.

6.2.3 M odulao do C o m p rim e n to do


Canal

No estudo do efeito de estrangulam ento (pinch-off)


do canal, observam os que, m edida que a tenso
de dreno aum enta, o ponto em que o canal desapa
rece, na verdade, se m ove em direo fonte. Em
outras palavras, de certa maneira o valor de L, na Fig.

Para levar em conta a modulao do comprimento


do canal, admitimos que L seja constante e multiplicamos
o lado direito de (6.17) por um termo de correo:
h

= \ n n C o x ^ ( V (1s - VTH) \ l + XVD S) ,

(6.34)

onde chamado coeficiente de modulao do compri


mento do canal. Embora seja apenas uma aproximao,
esta dependncia linear entre / e Vns ainda oferece um
bom entendimento da modulao do comprimento do
canal e de suas implicaes no projeto de circuitos.
Diferentem ente do efeito Early em dispositivos
bipolares (Captulo 4), a modulao do comprimento
do canal est sob controle do projetista. Isto se deve
ao fato de ser inversamente proporcional a L : para
um canal mais comprido, a mudana relativa em L (e,

6.12(b) varia com VI)S. Este fenmeno, ilustrado na


Fig. 6.25, chamado modulao do comprimento do
canal e, medida que
aum enta, resulta em uma
maior corrente de dreno, pois, na Eq. (6.17), In II
L,. Similar ao efeito Early em dispositivos bipolares,
a m odulao do com prim ento do canal resulta em
uma impedncia de sada finita, dada pela inclinao
da caracterstica I d-V ds na Fig. 6.25.

portanto, em In) para uma dada mudana em V as


menor (Fig. 6.26).10 (Em contraste, a largura da base
de dispositivos bipolares no pode ser ajustada pelo
projetista de circuitos, de modo que todos os transis
tores produzidos por uma dada tecnologia exibem a
mesma tenso de Early.)

Figura 6.26

Modulao do comprimento do canal.

,0Como diferentes MOSFETs em um circuito podem ter sido projetados para diferentes valores de .aqui no definimos uma gran
deza similar tenso de Early.

248

Captulo Seis

E xem plo
6.9

Soluo

Um MOSFET em saturao conduz uma corrente de dreno de 1 mA, com VDS = 0,5 V. Determi
nemos a alterao em In se VDS for aumentado de 1 V e A = 0,1 V '1. Qual a impedncia de sada
do dispositivo?
Escrevemos

I d\ = 2 ^ n^ ox~j^^yGS ~ Vth )2( 1 + kVosi)

(6.35)

1
w
.
ID2 = ^nCox-^iVGS - Vth) ( 1 + AVdS2)

(6.36)

logo,
T

+ kVosi

' = ' 'i + x w

(6.37)

Com Im = 1 mA, VDSl = 0,5 V, VDS2 = 1 V e A = 0,1 V '1,


l D2 = 1,048 mA.

(6.38)

Portanto, a alterao em n igual a 48 /xA, produzindo uma impedncia de sada


AVds
ro = Af
AI d
= 10,42 kQ.
Exerccio

6 .1 0

Soluo

(6.40)

O valor de W afeta os resultados anteriores?

O exem plo anterior revela que a m odulao do


com prim ento do canal limita a im pedncia de sada
de fontes de corrente MOS. Nos Captulos 4 e 5, o

E xem plo

(6.39)

mesmo efeito foi observado em fontes de corrente


bipolares.

Supondo A * 1/L, calculemos A/7) e r() no Exemplo 6.9 para o caso em que os valores de W e de L
so dobrados.

Nas Eqs. (6.35) e (6.36), o valor de W/L permanece inalterado, mas o de X reduzido para 0,05 V l.
Portanto,
J

J 1 + kVS2

(6.41)

= 1.024 mA.

(6.42)

ro = 20,84 kQ.

(6.43)

Ou seja, A I d = 24 n A e

Exerccio

Que impedncia de sada produzida se os valores de W e L forem quadruplicados e o de In for


dividido por dois?

Fsica de Transistores M O S

6.2.4

Transcondutncia MOS

Como uma fonte de corrente controlada por tenso,


um transistor MOS pode ser caracterizado por sua
transcondutncia:
gnt

dlp
9 Vos

(6.44)

Esta grandeza funciona como uma medida da fora


do dispositivo: um valor mais alto corresponde a uma
maior alterao na corrente de dreno, para uma dada
alterao em VGS. U sando a Eq. (6.17) para a regio
de saturao, temos
gm =

W
M/iCm ( V q s -

Vt h ),

(6.45)

e conclumos que: ( l ) g m linearm ente proporcional


a W /L, para um dado valor de V(;s - V rn, e ( 2 ) g,
linearm ente proporcional a VGS - V nh para um
dado valor de W/L. Substituindo VGS - V m de (6.17),
obtemos

TABELA 6.1

W/L C onsta nte


~
V TH Varivel
Km OC v/7 T)
gm oc V(;s Vm

6.11

Soluo

2nC0
o}
x

W
'/>

(6.46)

O u seja: (1) gm proporcional a ^ J w / L , para um


dado valor de /, e ( 2 ) g, proporcional a y flp , para
um dado valor de W/L. Alm disso, dividindo (6.45)
por (6.17), temos
21D

Vgs - Vth

(6.47)

donde conclumos que: ( 1 ) gm linearm ente propor


cional a /, para um dado valor de VGS - V nh e (2) gm
inversamente proporcional a VGS - VTIh para um dado
valor de In. Estas relaes, resumidas na Tabela 6.1,
so fundam entais para o entendim ento das tendn
cias de desem penho de dispositivos MOS e no tm
equivalente no caso de transistores bipolares . 11 Entre
essas trs expresses para gm>(6.46) usada com
m aior frequncia, pois / pode ser predeterm inada
pelas exigncias de dissipao de potncia.

D ependncias de g,

V g s

Exem plo

Sm

249

W/L Varivel
VGS - VTH C onstante
gm OC / / ,
IV
gm OC f

W/L Varivel
VGs - V th C onstante
gm OC ^
gm OC V(.s

_ Vj i i

Para um MOSFET que opera em saturao, como gme VGS - V,,, sero alterados se os valores de
W/L e de ln forem dobrados?

A Eq. (6.46) indica que o valor de gmtambm dobrado. Alm disto, a Eq. (6.17) sugere que a tenso
de sobrecarga permanece constante. Esses resultados podem ser entendidos de maneira intuitiva
se interpretarmos o dobro de W/L e In tal como ilustrado na Fig. 6.27. De fato, se VGS permanecer
constante e se a largura do dispositivo for dobrada, o efeito ser como se os dois transistores que
conduzem correntes iguais fossem conectados em paralelo, dobrando a transcondutncia. O leitor
pode mostrar que esta tendncia se aplica a qualquer tipo de transistor.

"H alguma semelhana entre a segunda coluna da Tabela 6.1 e o comportamento de g, = l(/V r- Se a largura do transistor bipolar
for aumentada e Vm permanecer constante, /c e g, aumentaro linearmente.

25 0

Captulo Seis

VGS

Figura 6.27

Exerccio

6.2.5

Equivalncia cntrc um MOSFET largo c dois outros cm paralelo.

Como g, e V(;s - V, so alterados se apenas os valores de W e / foram dobrados?

S aturao de V elocidade*

Da Seo 2.1.3, recordem os que,sob ao de campos


eltricos intensos, a mobilidade de portadores sofre
uma degradao e, por fim, leva a uma velocidade
constante. Devido pequena largura de canal (p. ex.,
0,1 ju,m), os modernos dispositivos MOS sofrem satu
rao de velocidade mesmo com baixa tenso drenofonte, da ordem de 1 V. Em conseqncia, a caracte
rstica I-V deixa de seguir o com portam ento de lei
quadrtica.
Examinemos as dedues feitas na Seo 6.2.2 em
condies de saturao de velocidade. D enotando a
velocidade saturada por vM temos
Io = vs a lQ
=

ih a,

WCox(VCS - VTH).

(6.48)
(6.49)

interessante observar que, agora, I exibe uma


dependncia linear em relao a Vas - V n,e nenhuma

dependncia em relao a L . 12 Tambm observamos


que
3lo
Vcs
= VsalWC0x<

(6.50)
(6.51)

uma grandeza que independe de L e de I.


6.2.6

O utros E fe ito s de Segunda O rdem

E fe ito de C orpo

No estudo de MOSFETs, adm i


timos que tanto a fonte como o substrato (tam bm
cham ado de bloco (b u lk) ou corpo) so conec
tados terra. No entanto, esta condio no precisa
ser aplicada a todos os circuitos. Por exemplo, se o
term inal de fonte estiver a um potencial positivo e o
substrato estiver a um potencial nulo, ento a juno
fonte-substrato permanece sob polarizao reversa e
o dispositivo ainda funciona de m odo adequado.

*Esta seo pode scr pulada cm uma primeira leitura.


12Se L for aumentado de modo substancial e V,)S permanecer constante, o dispositivo fica sujeito a uma menor saturao de veloci
dade e (6.49) passa a no ter preciso suficiente.

Fsica de Transistores M O S

A Fig. 6.28 ilustra este caso. O term inal de fonte


conectado a um potencial Vs em relao terra e
o substrato, aterrado por meio de um co n tato p*.n A
linha tracejada adicionada ao smbolo do transistor
indica o term inal do substrato. D enotam os a dife.
I
. /
\
U
rena de potencial entre a fonte (source) e o subs
trato (b u lk) por VSH.
Um fenm eno interessante ocorre medida que
a diferena de potencial fonte-substrato passa a ser
diferente de zero: a tenso de limiar do dispositivo
alterada. Em particular, m edida que a fonte se torna

Exem plo

251

mais positiva em relao ao substrato, Vru aumenta.


Este fenmeno, chamado "efeito de corpo, formulado como

V TH

V th o

. , r= -.
+ x(v \2$F+ Vsb - V \2<Pf ),

(6.52)

onde V Tm denota a tenso de limiar com Vsn = 0


(como estudam os anteriorm ente); y e <f>,. so parm etros que dependem da tecnologia e tm valores
tpicos de 0,4 y f v e 0,4 V, respectivamente.

6.12

No circuito da Fig. 6.28, vamos admitir Vs = 0,5 V, VG = Vp = 1,4 V, finCox = 100 /iA/V\ W/L = 50
e V,m = 0,6 V. Determinemos a corrente de dreno se A = 0.

Soluo

Como a tenso fonte-corpo VSH = 0,5 V, a Eq. (6.52) e os valores tpicos de y e de 4>, fornecem
VrH = 0.698 V.

(6.53)

Alm disso, com V(; = K,,, o dispositivo opera em saturao (por qu?) e, portanto,
b = \n n C ox j (VG - V s - VTH)2
= 102 nA .
Exerccio

(6.54)
(6.55)

Esboce o grfico da corrente de dreno em funo de Vs, medida que Vs varia de zero a 1 V.

O
efeito de corpo se manifesta em alguns circuitosvolver modelos que podem ser usados para anlise
analgicos e digitais, sendo estudado em textos mais e sntese de circuitos.
avanados. Neste livro, desprezamos o efeito de corpo.
6.3.1 M o d e lo de G randes S inais
C onduo S u b lim ia r Na deduo da caracters
tica I-V de dispositivos MOS, adm itimos que o tran Para nveis arbitrrios de tenso e de corrente,
sistor era ligado de maneira abrupta quando o valor devemos recorrer s Eqs. (6.9) e (6.34) para expressar
de VGS igualava o de V ru. Na verdade, a formao do o com portam ento do dispositivo:
canal um efeito gradual e o dispositivo conduz uma
1
W
pequena corrente mesm o quando VGS < V ,,,. Este I d -^V-nCox [2(Vcs - V t h )V d S - V o s ]
efeito,chamado "conduo sublimiar,se tornou uma
Regio de Triodo (6.56)
questo im portante nos m odernos dispositivos MOS,
sendo estudado em textos mais avanados.
I d 2 ^ / 1 Cox-j-{VGS ~ Vth )2( 1 + W d s )

6.3

M O D E LO S DE D IS P O S IT IV O S
MOS

Aps o estudo da caracterstica I-V de dispositivos


M OS da seo anterior, passem os agora a desen

Regio de Saturao (6.57)


Na regio de saturao, o transistor atua como uma
fonte de corrente controlada por tenso e pode se
representado pelo m odelo m ostrado na Fig. 6.29(a).

"A ilha p* necessria para a obteno de um contato hmico de baixa resistncia.

252

Captulo Seis

N otem os que / depende de VDS e, portanto, no


uma fonte de corrente ideal. Para V DS < V(;s - V rlh
o m odelo deve refletir a regio de triodo, mas ainda
pode in corporar um a fonte d e co rren te controlada por tenso, como ilustrado na Fig. 6.29(b). Por

Exem plo
6.13

fim, se VI)S 2(VfS - V rll), o transistor pode ser


visto como um resistor controlado por tenso [Fig.
6.29(c)]. Em todos os trs casos, a porta perm anece
um circuito aberto para rep resen tar a corrente de
porta nula.

Na Fig. 6.30(a), esbocemos o grfico da corrente de dreno de /V/, em funo de Vl9 medida que Vx
varia de zero a Vni). Vamos supor A = 0.

w
*
(a)
Figura 6.30

Soluo

(a) Circuito MOS simples, (b) variao dc / em funo de Vx.

Notando que o dispositivo opera em saturao (por qu?), escrevemos


1
W
b = 2^nCox-^iyGS - Vm)
= 2 H nC ox-^ V D D V \ V t h ) 2 .

(6.58)
(6.59)

A Kj = 0, VGS = VDDe o dispositivo conduz a corrente mxima. A medida que Vxvaria, VGSdiminui,
assim como /. Se Vt se tornar igual a Vni) - Vr, VGSse torna igual a Vru e o transistor desligado.

Fsica de Transistores M O S

253

A corrente de dreno, portanto, varia tal como ilustrado na Fig. 6.30(b). Notemos que. devido ao
efeito de corpo, V r varia com V, se o substrato no estiver conectado terra.
Exerccio

6.3.2

Repita o exemplo anterior para o caso em que a porta de M, esteja conectada a uma tenso igual
a 1,5 V e Vnn = 2 V.

M o d e lo de Pequenos S inais

Se as correntes e tenses de polarizao de um


M O SFE T forem apenas p ertu rb ad as por sinais, o
modelo no linear de grandes sinais poder ser redu
zido representao linear de pequenos sinais. O
desenvolvimento do modelo feito de m odo similar
ao em pregado no Captulo 4 para dispositivos bipo
lares. O m odelo de pequenos sinais para a regio de
saturao de especial interesse neste livro.
Vendo o transistor como um a fonte de corrente
c o n tro lad a po r ten so , d esen h am o s o m odelo
bsico com o na Fig. 6.31 (a), o n d e / = gmvGS, e a
porta perm anece aberta. Para rep resen tar a m odu
lao do com prim ento do canal, ou seja, a variao

Figura 6.31

Exem plo
6.14
Soluo

de in com vD5, adicionam os um resistor, com o na


Fig. 6.31(b):
(6.60)

ro = (
\dVD s)y l
1

1
W
2 t^nCox~j^ (Y gs

- Vth )

(6.61)

o
**

Como a m odulao do com prim ento do canal rela


tivam ente pequena, o denom inador de (6.61) pode
ser aproxim ado por ID , resultando em
ro

(6.62)

Xln

(a) Modelo de pequenos sinais para o MOSFET, (b) incluso da modulao do comprimento do canal.

Um MOSFET polarizado com uma corrente de dreno de 0,5 mA. Se iinCox = 100 /xA/V2, W/L =
10 e A = 0,1 V calculemos os correspondentes parmetros de pequenos sinais.
Temos
/
W
gm ~ y 2 /X^C^ -j- I q
1

" lkft*

(6.63)
(6.64)

E,
ro = I7o
=

2 0

ka .

(6.65)
(6 .6 6 )

Isto significa que, para esta escolha das dimenses do dispositivo e da corrente de polarizao, o
ganho intrnseco, gmr() (Captulo 4), igual a 20.
Exerccio

Repita o exemplo anterior para o caso em que o valor de W/L dobrado.

254

Captulo Seis

6.4

TR AN S IS TO R E S P M O S

Depois de conhecer transistores bipolares npn e p n p ,


o leitor pode se perguntar se existe um equivalente do
tipo p para MOSFETs. De fato,com o ilustrado na Fig.
6.32(a), a alterao das polaridades das dopagens do
substrato e das regies de fonte e de dreno resulta em
um dispositivo PM OS. Agora, o canal consiste em
lacunas e formado se a tenso de porta estiver uma
tenso de limiar abaixo da tenso de fonte. Ou seja,
para ligar o dispositivo, VfS < Vr, onde V m nega
tiva. Seguindo a conveno usada para dispositivos
bipolares, desenhamos o dispositivo PMOS como na
Fig. 6.32(b), com o terminal de fonte identificado pela
seta e posicionado na parte superior para enfatizar seu
potencial mais alto. O transistor opera na regio de
triodo se a tenso de dreno for prxima da tenso de
fonte e se aproximar da regio de saturao medida
que Vn diminuir para V(i - V T = V,; + \Vr\. A Fig.
6.32(c) ilustra, de maneira conceituai, as tenses portadreno necessrias para cada regio de operao.

Exem plo
6.15

p+

p+

Substrato do Tipo

ik

n
(b)

(a)
Regio de
Triodo

Fronteira da
Saturao

Regio de
Saturao

r"^
>|ViTHP

'THP
(C)

Figura 6.32 (a) Estrutura dc dispositivo PMOS, (b) smbolo de


circuito do dispositivo PMOS, (c) ilustrao das regies de triodo
c de saturao com base nas tenses de porta e de dreno.

No circuito da Fig. 6.33, determinemos a regio de operao de


a zero. Vamos supor VDD = 2,5 V e \VTH\ = 0,5 V.

Figura 6.33

Soluo

medida que V, varia de Vnn

Circuito PMOS simples.

Para V] = Vm), V(;s = 0 e A/, est desligado. medida que V] diminui e se aproxima de VIW
\Vrn\,o potencial porta-fonte fica suficientemente negativo para formar um canal de lacunas e ligar
o dispositivo. Nesse ponto, V(; = Vm) - Wrn\ = -1-2 V e Vn = + 1 V; ou seja, A/, est saturado [Fig.
6.32(c)]. A medida que K, diminui ainda mais, Vas se torna mais negativo e a corrente do transistor
aumenta. Para V, = + 1 V - IVr//l = 0,5 V, M, est na fronteira da regio de triodo. Quando K, se
torna menor que 0,5 V, o transistor entra na regio de triodo.

A s p o la rid ad es das te n s es e co rren tes em


dispositivos PM OS podem dar origem a confuso.
U sando as direes de co rren tes m ostradas na Fig.
6.32(b), expressam o s I n na reg io de satu rao
com o
I D.sa, = - \ n p C o x ^ - { V Gs -

V TH ) \

1-

W DS),

(6.67)

onde m ultiplicado p o r um sinal negativo . 14 Na


regio de triodo,
1
W
W = -^HpCox-j- [2(VCS -

V t h W

d s

- V2d s\ .

(6 .6 8 )

De m odo alternativo, as duas equaes podem ser


expressas em term os de valores absolutos:

,4Para tornar esta equao mais compatvel com dispositivos NMOS [Eq. (6.34)], podemos definir como sendo negativo e expressar
/,, como (1/2)fJipC ox( W/L)(V(;s - V rn)2( 1 + AV^). Contudo, um A negativo tem pouco significado fsico.

Fsica de Transistores M O S
1
_ W .,.. , ,,, ,.2/, , , , ,
I f e - I = j B / i . j d V f c s l - IWl)l (l + l|1 4 s|)

\b.tri\ =

255

,,
(6.69)

O m o d elo de p e q u e n o s sinais do tra n s isto r


p M Q S . id n , icoP aqo m o d e |o d e d ispositivos

^pCxT [2(\VGS\ - \Vtii \)\Vds\ - Vis] (6-70)

N M O S (Fig. 6.31). O p r x im o ex em p lo ilu stra


este ponto.

Exem plo

6.16

Para a configurao mostrada na Fig. 6.34(a). determinemos as resistncias de pequenos sinais Rx


e RY- Vamos supor A 0.

f *

r^ '

Vl

rlf> a

1L Rv
(a)
Figura 6.34 (a) Dispositivos NMOS e PMOS conectados como diodos; (b) modelo de pequenos sinais de
(a); (c) modelo de pequenos sinais de (b).

Soluo

Para a verso NMOS, o equivalente de pequenos sinais tem a forma ilustrada na Fig. 6.34(b) e leva a
(6.71)

Rx =
ix
= (gmWx + ) t \
ro\J ix

(6.72)

= Ikoi8ml

(6.73)

Para a verso PMOS, desenhamos o equivalente como na Fig. 6.34(c) e escrevemos


(6.74)

Ry = -r~
lY

(
- Vy \ 1
= I gmiVy H------I

(6.75)

rO \ ) lY

(6.76)

= \\ro2.
&m2

Nos dois casos, a resistncia de pequenos sinais igual a 1lgmse A> 0.


Em analogia com os correspondentes dispositivos bipolares [Fig. 4.44(a)], as estruturas mostradas
na Fig. 6.34(a) so chamadas dispositivos conectados como diodo e atuam como componentes
de duas portas: apresentaremos diversas aplicaes de dispositivos conectados como diodo nos
Captulos 9 e 10.

Devido menor mobilidade das lacunas (Captulo


2), dispositivos PMOS tm desempenho inferior ao de
transistores NMOS. Por exemplo, a Eq. (6.46) indica
que, para uma dada corrente de dreno, a transcondu
tncia de um dispositivo PM OS menor. Portanto,
sempre que possvel, preferimos transistores NMOS.

6.5

TECNO LOG IA CM O S

E possvel construir dispositivos NMOS e PMOS em


uma mesma pastilha? As Figs. 6.2(a) e 6.32(a) revelam
que os dois exigem substratos de tipos diferentes.
Felizm ente, um substrato local do tipo n pode ser

256

Captulo Seis

D ispositivo
NMOS
\

f
1

p+

n+

D ispositivo
PMOS \

,___ I
J

f
L

n*

,___ I
i

V.

n+

^ Poo do tipon
S ubstrato do Tipo p

Figura 6.35

Tecnologia CMOS.

criado em um substrato do tipo p e, assim, acom odar


transistores PMOS. Como ilustra a Fig. 6.35, um poo
do tipo n envolve um dispositivo PMOS, enquanto o
transistor NMOS reside no substrato do tipo p.
A estrutura anterior, construda com a chamada
tecnologia MOS com plem entar (CMOS - Complementary M O S Technology), req u er processam ento
mais elaborado do que no caso de dispositivos simples
NM OS ou PMOS. Na verdade, as prim eiras gera
es da tecnologia MOS continham apenas tra n
sistores N M O S 15 e o custo mais alto dos processos
CMOS parecia proibitivo. No entanto, diversas vanta
gens im portantes de dispositivos com plem entares
acabaram tornando a tecnologia CM OS a tecnologia
dom inante, e a tecnologia NMOS, obsoleta.

6.6

CO M PAR A O ENTRE
D IS P O S IT IV O S B IP O L A R E S E
MOS

Aps o estudo da fsica e do funcionam ento de tran


sistores bipolares e MOS, podem os agora com parar
as propriedades dos mesmos. A Tabela 6.2 m ostra

TABELA 6.2

alguns aspectos im portantes de cada dispositivo.


N otam os que, no caso de dispositivos bipolares, a
relao exponencial entre h e VBE lhes perm ite uma
maior transcondutncia, para uma dada corrente de
polarizao.

6.7

R E S U M O DO CAPTULO

Uma fonte de corrente controlada por tenso e um


resistor de carga podem formar um amplificador.
MOSFETs so dispositivos eletrnicos que podem
operar como fontes de corrente controladas por
tenso.
Um MOSFET consiste em uma placa condutora (a
porta) sobre um substrato semicondutor e duas
junes (fonte e dreno) no substrato. A porta
controla o fluxo de corrente da fonte para o dreno.
A porta puxa uma corrente aproximadamente nula,
pois uma camada isolante a separa do substrato.
medida que a tenso de porta aumenta, forma-se
uma regio de depleo no substrato, sob a regio da
porta. Para uma tenso de porta acima de um certo
valor (a tenso de limiar), portadores mveis so
atrados para a interface xido-silcio e um canal
formado.

Com parao entre transistores bipolares e MOS

Transistor B ip o la r

MOSFET

Caracterstica Exponencial
Regio Ativa: VCB > 0
Regio de Saturao: VCB <
C orrente de Base Finita
Efeito Early
C orrente de Difuso

Caracterstica Q uadrtica
Regio de Saturao: Vns > VGS - V ril
Regio de Triodo: Vl)S < V(;s - V lu
C orrente de Porta Nula
M odulao do Com prim ento do Canal
C orrente de Deriva
Resistor C ontrolado por Tenso

l50 primeiro microprocessador Intel, o modelo 4(X)4, foi realizado com a tecnologia NMOS.

Fsica de Transistores M O S

Se a tenso dreno-fonte for pequena, o dispositivo


funciona como um resistor controlado por tenso.
medida que a tenso de dreno aumenta, a densi
dade da carga nas proximidades do dreno diminui. Se
a tenso de dreno ficar uma tenso de limiar abaixo
da tenso de porta, o canal deixa de existir nas vizi
nhanas do dreno, dando origem ao estrangula
mento (pinch-off).
MOSFETs operam na regio de triodo se a tenso
de dreno estiver mais de uma tenso de limiar abaixo
da tenso de porta. Nesta regio, a corrente de dreno
uma funo de VGS e de VDS. A corrente tambm
proporcional razo de aspecto, W/L, do disposi
tivo.
MOSFETs entram na regio de saturao se
ocorrer o estrangulamento (pinch-off) do canal,
ou seja, se a tenso de dreno estiver menos de uma
tenso de limiar abaixo da tenso de porta. Nesta
regio, a corrente de dreno proporcional a (VGS -

V m )2

MOSFETs que operam na regio de saturao se


comportam como fontes de corrente e tm ampla
aplicao em circuitos microeletrnicos.
medida que a tenso de dreno excede Kr;.v - Vn, e
ocorre o estrangulamento do canal, o lado dreno do
canal comea a se mover em direo fonte, o que
reduz o comprimento efetivo do canal. Este efeito,

257

chamado modulao do comprimento do canal,


resulta em variao da corrente de dreno na regio
de saturao. Ou seja, o dispositivo no uma fonte
de corrente ideal.
Uma medida do desempenho de pequenos sinais de
fontes de corrente controladas por tenso a transcondutncia, definida como a alterao na corrente
de sada dividida pela alterao na tenso de entrada.
A transcondutncia de MOSFETs pode ser expressa
por uma de trs equaes que relacionam as tenses
e correntes de polarizao.
A operao do transistor em regies diferentes e/
ou com grandes excurses de sinais exemplificam
o comportamento de grandes sinais. Se as excur
ses dos sinais forem suficientemente pequenas,
o MOSFET pode ser representado pelo modelo
de pequenos sinais, que consiste em uma fonte de
corrente controlada por tenso linear e uma resis
tncia de sada.
O modelo de pequenos sinais obtido com a apli
cao de uma pequena perturbao na diferena
de tenso entre dois terminais, enquanto as outras
tenses so mantidas constantes.
Os modelos de pequenos sinais de dispositivos
NMOS e PMOS so idnticos.
Transistores NMOS e PMOS so fabricados no
mesmo substrato para criar a tecnologia CMOS.

EXERCCIOS
Nos exerccios a seguir, a menos que seja especificado de
outra maneira, suponha \inCox = 200 /zA/V2, [ipCox = 100
fi.A/V2, V,,, = 0,4 V para dispositivos NMOS e Vr/I = -0 ,4
V para dispositivos PMOS.

opostas para que a corrente permanea constante.


Como esta relao pode ser interpretada no ponto
de estrangulamento, onde a densidade de carga
tende a zero?

6.1 Dois MOSFETs idnticos so conectados em srie,

6.3 Calcule a carga total armazenada no canal de um

como mostrado na Fig. 6.36. Se os dois dispositivos


funcionarem como resistores, explique, de maneira
intuitiva, por que esta combinao equivalente
a um nico resistor, Mar Quais so a largura e o
comprimento de yV/r</?

dispositivo NMOS se Cox = 10 fF/ju-m2, W = 5 /xm,


L = 0,1 /xm e VS - VTI, = 1 V. Suponha VDS = 0.
6.4 Considere a Fig. 6.11 e admita que Vn > 0.

(a) Esboce o grfico da densidade de eltrons no


canal em funo de x.
(b) Esboce o grfico da resistncia local do canal (por
unidade de comprimento) em funo de x.
6.5 Admita que / seja constante e resolva a Eq. (6.7)

para obter uma expresso para V(x). Esboce os


grficos de V(x) e de dV/dx em funo de Jt, para
diferentes valores de W e VTH.

Figura 6.36
6 .6

6.2

Considere que um MOSFET sofre estrangulamento


(pinch-off) do canal prximo ao dreno. A Eq. (6.4)
indica que a densidade de carga e a velocidade dos
portadores devem sofrer alteraes em direes

A corrente de dreno de um MOSFET na regio de


triodo expressa como
(V g s - V t h )V d s

(6.77)

258

Captulo Seis

Suponha que os valores de /LtnCox e de W/L no


sejam conhecidos. possvel determinar estas
grandezas com a aplicao de diferentes valores de
VGS - VTUe de VDS e com a medida da correspon
dente /?
6.7 Com VGS - Vm = 0,6 V m. um dispositivo NMOS

conduz uma corrente de 1 mA;e,com Vos - V m =


0,8 V, uma corrente de 1,6 m A. Admitindo que o
dispositivo opera na regio de triodo, calcule Vps e
W/L.
6 .8

Calcule a transcondutncia de um MOSFET que


opera na regio de triodo. Defina gm = d /,/d V(;Si
para Vns constante. Explique por que gm = 0 para
VM = 0 .

6.14 No circuito da Fig. 6.37, a entrada uma pequena


senoide superposta a um nvel DC: Vin = V^coscot +
K,, onde V{) da ordem de alguns milivolts.
(a) Para K, = 0, obtenha W/L em termos de R, e de
outros parmetros, de modo que Voul = 0,95 V*,.
(b) Repita a parte (a) para Vy = 0,5 V. Compare os
resultados.
6.15 Para um dispositivo NMOS. esboce o grfico de /
em funo de Vos para diferentes valores de
6.16 Na Fig. 6.17, explique por que os picos da parbola
tambm esto em uma parbola.
6.17 Dispositivos MOS avanados no seguem o compor
tamento de lei quadrtica expresso pela Eq. (6.17).
Uma aproximao um pouco melhor dada por:

6.9 Um dispositivo NMOS que opera com uma pequena

tenso dreno-fonte funciona como um resistor. Se


a tenso de alimentao for 1, 8 V, qual o mnimo
valor da resistncia em conduo que pode ser
alcanado com W/L = 20?

Id =

2^ n Q ix - j - (V c,s V

(6.80)

t h )01

6.10 Desejamos usar um transistor MOSFET como um

onde ot menor que 2. Determine a transcondu


tncia de um desses dispositivos.

resistor varivel, com Rn = 500 l em Vqs = 1 V, e


Ron = 400 l em VGS = 1,5 V. Explique por que isto
no possvel.

6.18 Para dispositivos MOS com canais de comprimento


muito pequeno, o comportamento de lei quadrtica
no vlido e podemos escrever:

6.11 Para um transistor MOS polarizado na regio de


triodo, podemos definir uma resistncia dreno-fonte
incrementai como
-1

(6.78)

rosjn = (
'

^
\ d V DSJ

onde vsat uma velocidade relativamente constante.


Determine a transcondutncia de um desses dispo
sitivos.
6.19 Determine a regio de operao de M, em cada um

Deduza uma expresso para esta grandeza.


6 .1 2

(6.81)

Id = WCox(VGS - VT//)vsal,

dos circuitos mostrados na Fig. 6.38.

possvel definir uma constante de tempo intrn


seca para um MOSFET que opera como um
resistor:
(6.79)

rH u ^ i
3,5 V I -

onde CGS = WLCox. Obtenha uma expresso para


r e explique o que deve ser feito pelo projetista do
circuito para minimizar a constante de tempo.

-J

5t 2V

0,5 v

(a)

rrH tU
1 ,5

VI-

? " 0 ,5 V
-I

6.13 No circuito da Fig. 6.37, M, atua como um comutador

eletrnico. Se Vin ~ 0, determine W/L de modo que


o circuito atenue o sinal por apenas 5%. Admita
VG= 1,8 V e R, = 100 l.

^U v

(b)

r; l d Mi

1,5 V J -

0,5 v

5 -0 ,5 V
-i
1

(c)

VinO-

V,out

1 , 5

IT

_ ^ ' 5V

(d)

Figura 6.37

Figura 6.38

Fsica de Transistores M O S

0,5 v
1,5 V - ~ -

, J ' D
\\ZM,

(e)

/Wi

0,5 V

- 0 ,5

259

, J '

Figura 6.40

"

modo que o dispositivo opere na fronteira da regio


de saturao.

^l_0,5 V

-i

(0

6.22 Suponha = 0 e calcule W/L de M xna Fig. 6.41 de

(g)

JT - 1 t t i "

_[---- I U M1
r

- - 0 ,5 V

L ^ .0 ,5 V

(h)

(i)
Figura 6.38

, v

^
Figura 6.41

(Continuao)

6.23 Usando o valor de W/L calculado no Exerccio 22,


6.20 Determine a regio de operao de Mxem cada um

dos circuitos mostrados na Fig. 6.39.

explique o que acontece se a espessura de xido da


porta for dobrada devido a um erro de fabricao.
6.24 Na Fig. 6.42, qual o mnimo valor tolervel de Vnl)

para que M, no entre na regio de triodo? Suponha


= 0 .

" l
>ll----- 1 *
1V

nr
"1

(a)

R0 500 Q

1V

10
0,18

I-

(b)
.+

Figura 6.42

0,2 V - ^ -

- ^ r 0 ,2 V

6.25 Na Fig. 6.43, deduza uma relao entre os parme


(c)

tros do circuito que garantem que M, opere na fron


teira da regio de saturao. Suponha = 0.

1V

i-

VDD

(<l)

Figura 6.39

6.21 Duas fontes de corrente realizadas por MOSFETs

idnticos (Fig. 6.40) diferem por apenas 1%, ou seja,


0,99/ /)2 < /, < l,01/2. Se VDSl = 0,5 V e VDS2 = 1 V,
qual o mximo valor tolervel de A?

I,

H C m,
Figura 6.43

6.26 Na Fig. 6.44, admitindo uma corrente de polarizao

/,, calcule o valor de W/L para Mx. Suponha A = 0.

260

Captulo Seis
Vdd ~ 1>8 V

6 .3 0

No circuito da Fig. 6.48, W/L = 20/0,18 e A = 0,1 V '.


Que valor de Vn coloca o transistor na fronteira da
regio de saturao?
DD' 1,8 V

Figura 6.44

6 .2 7

5 kQ

Calcule a corrente de polarizao de M, na Fig. 6.45


se A = 0.

Figura 6.48

6.31 Um dispositivo NMOS que opera na regio de satu

rao com A = 0 deve produzir uma transcondu


tncia de 1/(50 2).
(a) Determine W/L para / = 0,5 mA.
(b) Determine W/L para VGS - V TH = 0,5 V.
(c) Determine / para V(!S V,,, = 0,5 V.

Figura 6.45

6 .2 8

Para o circuito mostrado na Fig. 6.46, esboce o grfico


de / vem funo de Vx. Suponha que Vx varia de 0 a
Vni) = 1,8 V e que A = 0. Determine o valor de Vx
em que o dispositivo muda de regio de operao.

6.32 Determine como a transcondutncia de um MOSFET

(que opera na regio de saturao) alterada se


(a) W/L for dobrado e In permanecer constante.
(b) V(;s- V ni for dobrado e / permanecer constante.
(c) In for dobrada e W/L permanecer constante.
(d) ln for dobrada e VGS - VTll peimanecer constante.
6.33 Se A = 0,1 V"' e W/L = 20/0,18, construa o modelo

de pequenos sinais de cada circuito mostrado na Fig.


6.49.

^ D= 1 ,8 V
/?D

100

VDD= 1 ,8 V

fD? 5 k Q

l/DD= 1 ,8 V
x
(b)

Kdd = 18 V

(d)

(C )

Figura 6.46
2 kQ
6 .2 9

Admitindo W/L = 10/0,18 , A = 0,1 V"' e Vl)n = 1,8


V, calcule a corrente de dreno de M] na Fig. 6.47.

(d)

Vnn= 1 ,8 V
1 k!2 % /?,

Figura 6.47

Fsica de Transistores M O S

6 .3 4

6 .3 5

O ganho intrnseco' de um MOSFET que opera na


regio de saturao definido como gmr(). Deduza
uma expresso para gmr() e faa um grfico da mesma
em funo de /. Suponha
constante.

- ^ - 0 ,3 V

Supondo um valor constante para VI)S, esboce o


grfico do ganho intrnseco gmr(, de um MOSFET
(a) em funo de V n - Vr, para In constante.
(b) em funo de /, para ViS - V,,, constante.

6 .3 6

Um dispositivo NMOS com A = 0,1 V -1 deve prover


um ganho gmr0 de 20, com Vns = 1,5 V. Determine
o necessrio valor de W/L, se /,> = 0,5 m A.

6 .3 7

Repita o Exerccio 36 para A = 0,2 V l.

6 .3 8

f t

_ o H i^

0,6 V - ^ -

(c)

(d)

Figura 6.51
6 .4 0

(Continuao)

Determine a regio de operao de M, em cada


circuito mostrado na Fig. 6.52.
I I H'

Construa o modelo de pequenos sinais do circuito


mostrado na Fig. 6.50. Suponha que todos os transis
tores operem na regio de saturao e que A ^ 0.
V,DD

^ i v

261

1,5

VT

Lv

M,
0 ,9 V - ^ r

0,9

(a)

(b)

DD

-ov.

'o u t

0,9 V

out

+----- 11----- +

I- T
(C )

0,4 V

r+
1 V +1

M1
u

T
- ^ - 0 ,4 V

^1 9V

(b)

(a)

(d)
Figura 6.52
out

'o u t

6 .4 1

Na Fig. 6.53, se A = 0. que valor de W/L coloca A/,


na fronteira da regio de saturao?

(d)

VDD- 1,8 V

V -

2 kQ

-oV,out

Figura 6.53

Figura 6.50
6 .3 9

6 .4 2

Com o valor de W/L obtido no Exerccio 41, o que


acontece se V,{ for alterado para +0,8 V?

6 .4 3

Se W/L = 10/0,18 e A = 0, determine o ponto de


operao de M, em cada circuito da Fig. 6.54.

Determine a regio de operao de M, em cada


circuito mostrado na Fig. 6.51.
~ --2 v
J_

^ - o ,3 V
r

(a)

T j 0,3 V

(b)
Figura 6.51

VDD= 1,8 V

^DD = 1 8 V

500 Q

1 kQ

r
(a)

(b)
Figura 6.54

262

Captulo Seis

v.

'out
i V/r~

H w

(c)
Figura 6.54

(Continuao)

6.44 Para os circuitos mostrados na Fig. 6.55, esboce o

(c)

grfico de lx em funo de Vx. Suponha que Vx varie


de a Vni) = 1,8 V e A = 0. Determine o valor de Vx
em que o dispositivo muda de regio de operao.
out

^ D = 1 >8 V

VDD= 1 8 V

^in |

<e)
(b)

(a)

Figura 6.56

(Continuao)

^ dd
DD=* 18 V

I*

13-

6.46 Considere o circuito ilustrado na Fig. 6.57, onde A/,

e Af> operam em saturao e exibem coeficientes de


modulao do comprimento do canal A e \ r respec
tivamente.

(d)

(c)

VDD

Figura 6.55

-----l( * 2
'out

6.45 Construa o modelo de pequenos sinais de cada

circuito mostrado na Fig. 6.56, admitindo que todos


os transistores operam em saturao e A # 0 .
Figura 6.57

^in|
Vin<H

out

out

(a)

(b)
Figura 6.56

(a) Construa o circuito equivalente de pequenos


sinais e explique por que A/, e M2aparecem em
paralelo.
(b) Determine o ganho de tenso de pequenos sinais
do circuito.

Fsica de Transistores M O S

EXERCCIOS

263

COM SPICE

Nos exerccios a seguir, use os modelos MOS e as dimen


ses fonte/dreno dados no Apndice A. Suponha que os
substratos de dispositivos NMOS e PMOS sejam conec
tados terra e a VnD, respectivamente.

6.50 Para a configurao ilustrada na Fig. 6.61, faa o

grfico de Ix em funo de
medida que Vx
varia de 0 a 1,8 V. Voc capaz de explicar o compor
tamento do circuito?

6.47 Para o circuito representado na Fig. 6.58, faa o

grfico de Vx em funo de /*, para 0 < x < 3 mA.


Explique a mudana abrupta em Vx medida que
\x ultrapassa um certo valor.
0,9

18

10,18

Q V*

<*)/>
Figura 6.61

Figura 6.58

6.51 Repita o Exerccio 50 para o circuito ilustrado na

6.48 Para o estgio mostrado na Fig. 6.59, faa o grfico

da caracterstica entrada/sada, para 0 < Vin < 1, 8 V.


Em que valor de Vina inclinao do grfico (ganho)
alcana o valor mximo?

Fig. 6.62.
Vdd= 1 ,8 V
r lK 0,18
I1

-r- ^ = 1 ,8 V
500 Q

out

M
10

18

Figura 6.62
Figura 6.59

6.49 Para as configuraes ilustradas na Fig. 6.60, faa o

grfico de / em funo de Vx> medida que Vx varia


de 0 a 1,8 V. possvel dizer que as duas configura
es so equivalentes?

j5_

0 , 9 V - ^ ^ L 036
I(a)

HU
H 0
,3 6

0,9 V

I-

Mr
5_
36

(b)
Figura 6.60

C A P T U L O

7
i

Amplificadores
CMOS
A m aioria dos am plificadores C M O S tem eq u i
valentes bipolares e, p ortanto, pode ser analisada
da m esm a m aneira. Este cap tu lo desenvolvido
de m odo sim ilar ao C ap tu lo 5; ex am in arem o s
as sem elhanas e d iferen as e n tre topologias de
circuitos bipolares e CMOS. recom endvel que

o leito r reveja o C aptulo 5, em especial a Seo


5.1. Partim os do pressuposto de que o leitor est
familiarizado com conceitos como impedncias I/O,
polarizao, anlises D C e de pequenos sinais. O
ro teiro que seguirem os no captulo m ostrado a
seguir.

A m plificadores MOS

C onceitos Gerais
| Polarizao de Estgios MOS |
R ealizao de Fontes
de Corrente

7.1
7.1.1

CONSIDERAES GERAIS
T opolo gias de A m p lific a d o re s M OS

Recordem os, da Seo 5.3, que as nove possveis


topologias de circuitos com transistor bipolar, na
verdade, se reduzem a trs configuraes teis. O
mesmo deve se aplicar a amplificadores MOS, como
sugere a similaridade entre os modelos de pequenos
sinais (isto , fonte de corrente controlada por tenso)
de dispositivos bipolares e MOS. Em outras palavras,
esperam os trs topologias bsicas de amplificadores
CMOS: estgios fonte comum" (F C ),porta comum
(PC) e seguidor de fonte.
7.1.2

P olarizao

D ependendo da aplicao, circuitos M OS podem


incorporar tcnicas de polarizao que so m uito

264

Estgio Fonte Comum


Estgio Porta Comum
Seguidor de Fonte

diferentes das descritas no Captulo 5 para estgios


bipolares. A maioria dessas tcnicas foge ao escopo
deste livro, mas alguns m todos foram estudados no
Captulo 5. Entretanto, interessante que apliquemos
alguns dos conceitos de polarizao do Captulo 5 a
estgios MOS.

i/
4 kQ : : * 1

- 1 \/

? *D
Y
w/D

X<
10 k Q : l R2

Figura 7.1

fls 1l <Q

Estgio MOS com polarizao.

Amplificadores C M O S

C onsiderem os o circuito m o strad o na Fig. 7.1,


em que a tenso de p o rta definida por R t e R 2V am os su p o r que M, o p ere em satu rao . A lm
disto, na m aioria dos clculos de polarizao,
podem os desprezar a m odulao do com prim ento
do canal. N otando que a co rren te de p orta zero,
tem os
Vx =

R2
Vdd R1 + R 2

" VGS)^ s = \ ^ C* T (Vgs - Vth)1(7.4)


Ou seja,
Vgs= - ( V i - V th)+ J (V iVth)2 V jH+-

(7.5)

= - (V l- v T,,) + J v > + 2 v <( M z f 2 - v T,,).


(7.6)
onde

(7.2)

Vi =

E,
l)

1
W,
x2
2 M/iCj.v ~j~( VfJS Vth)

_ W

M/iCox

Rs

(7.7)

(7.3)
Este valor de VGS pode, ento, ser substitudo em
(7.2) para fornecer /. Vale lem brar que V Y deve ser
maior que Vx - VTII para garantir operao na regio
de saturao.

As Eqs. (7.2) e (7.3) podem ser resolvidas para / e


V(;s, seja via processo iterativo, seja pelo clculo de
/ a partir de (7.2) e substituio em (7.3):

Exem plo
7.1

2 Vi Vdd,

(7.1)

Como Vx = VGS + I DRS,


_R2
Vdd VGs + 1d RsR +Ri
R\

265

Determinemos a corrente de polarizao de M, na Fig. 7.1, supondo V ,,, = 0,5 V, y^nC ox = 100 /xA/
V2, W/L = 5/0,18 e A = 0. Qual o mximo valor permitido para Rn, de modo que M, permanea
em saturao?

Soluo

Temos
Vx =
2 VDD
x r { + r2
= 1,286 V.

(7.8)
(7.9)

Com a escolha inicial VGS = 1 V, a queda de tenso em Rs pode ser expressa como Vx - VGS = 286
mV, produzindo uma corrente de dreno de 286 /xA. A substituio de In na Eq. (7.3) fornece o
novo valor de VfS como

Vgs

Vt h

+
\

ID

(7.10)

r W
l^tV^OX

= 0,954 V.

(7.11)

,
Vx - VGS
h =
Rs

(7.12)

= 332 \i A,

(7.13)

Portanto,

266

Captulo Sete

Vqs = 0,989 V.

(7.14)

Isto resulta em I = 297 fxA.


Como mostram as iteraes, as solues convergem de modo mais lento do que nos casos de
circuitos bipolares vistos no Captulo 5. Isto se deve dependncia quadrtica (em vez de expo
nencial) entre n e VGS. Portanto, podemos utilizar o resultado exato em (7.6) para evitar clculos
longos. Como K, = 0,36 V,
Vgs = 0,974 V

(7.15)

= V
JL ^S

(7.16)

= 312 /zA.

(7.17)

O mximo valor permitido para Rn obtido quando VY = Vx - Vru = 0,786 V. Ou seja,


Rn =

yDD _ vY
---- -

= 3,25 kQ.
Exerccio

Exem plo
7.2

Soluo

(7.18)
(7.19)

Que valor de R2coloca M, na fronteira da regio de saturao?

No circuito do Exemplo 7.1, vamos admitir que Mxesteja em saturao e Rn = 2,5 k2.e calcular (a)
o mximo valor permitido para W/L e (b) o mnimo valor permitido para Rs (com W/L = 5/0,18).
Vamos supor = 0.
(a) medida que W/L aumenta, para um dado VGS,
pode conduzir uma corrente maior. Com
Rn = 2,5 kl e Vx = 1,286 V, o mximo valor permitido para /n dado por
Vnn - Vy
b = DDR d Y

(7.20)

= 406 fxA.

(7.21)

A queda de tenso em Rs , portanto, igual a 406 mV, resultando em VGS = 1,286 V - 0,406 V =
0,88 V. Em outras palavras, M, deve conduzir uma corrente de 406 /zA, com VGS = 0,88 V:
I d = \ , nC o x ^ V o s ~ Vth)2
406 mA = (50 M / V 2)^ (0 .3 8 V)2;

(7.22)
(7.23)

JLj

logo,
W
JLj

= 56,2.

(7.24)

(b)
Com W/L = 5/0,18, o mnimo valor permitido para Rs corresponde a uma corrente de
dreno de 406 fiA. Como

Amplificadores C M O S

267

(7.25)

= 1,041 V,

(7.26)

a queda de tenso em Rs igual a Vx - V(;s = 245 mV. Portanto,


Vx - VG 5
= 604 2.
Exerccio

(7.27)
(7.28)

Repita o exemplo anterior para o caso em que V,,, = 0,35 V.

A tcnica de autopolarizao da Fig. 5.22 tambm C alculando o valor de VGS desta equao e substipode ser aplicada a amplificadores MOS. O circuito tuindo-o em (7.3), obtemos
ilustrado na Fig. 7.2 pode ser analisado ao consta
tarm os que
est em saturao (por qu?) e que a
h = L n C [VDD - (Rs + RD)ID - VTH]2,
queda de tenso em R (; zero. Logo,
2
^
(7.30)
(7.29)
I d R d + Vcs + R s h = Vddonde a m odulao do com prim ento do canal foi
desprezada. Com isto,

i
D

Figura 7.2

(7.31)

Estgio MOS autopolarizado.

Calculemos a corrente de dreno de M] na Fig. 7.3, admitindo /xCt = 100 /xA/V2. Vr = 0,5 V e
A = 0. Que valor deve ter Rn para que ln seja reduzida por um fator de dois?

Figura 7.3

Exemplo de estgio MOS autopolarizado.

268

Captulo Sete

Soluo

A Eq. (7.31) fornece


ID = 556 /xA.

(7.32)

Para reduzir In a 278 /xA, resolvemos (7.31) para Rn:


R d = 2,867 kQ.

Exerccio

7.1.3

(7.33)

Repita o exemplo anterior para o caso em que o valor de Vnn reduzido para 1,2 V.

R ealizao de Fontes de C orrente

Transistores MOS que operam em saturao podem


atu ar com o fontes de corrente. C om o ilustra a Fig.
7.4(a), um dispositivo NM OS funciona com o uma
fonte de c o rren te com um te rm in al co n ectad o
terra, ou seja, puxa corrente do n X para a terra.
Por sua vez, um tran sisto r PM O S [Fig. 7.4(b)]
puxa corrente de V,,,, para o n Y. Se = 0, essas
correntes perm anecem in d ep en d en tes de Vx e de
V Y (desde que os tran sisto res estejam em sa tu
rao).

importante entender que apenas o terminal do


dreno de um M OSFET pode puxar uma corrente DC
e ainda apresentar uma impedncia alta. Em especial,
dispositivos NMOS ou PMOS configurados como nas
Figs. 7.4(c) e (d) no funcionam como fontes de corren
te, pois a variao de Vx ou de VY afeta diretamente a
tenso porta-fonte de cada transistor e muda a corrente
de dreno de modo considervel. De outra perspectiva,
o modelo de pequenos sinais de cada uma dessas duas
estruturas idntico ao modelo de dispositivos conectados
como diodo na Fig. 6.34, revelando uma impedncia de
pequenos sinais de apenas l/g, (se = 0) e no infinita.

Figura 7.4 (a) Dispositivo NMOS operando como fonte de corrente, (b) dispositivo PMOS operando como fonte de corrente, (c)
topologia PMOS no operando como fonte de corrente, (d) topologia NMOS no operando como fonte de corrente.

7.2
7.2.1

ESTG IO FONTE C O M U M
N cleo FC

O estgio bsico FC, m ostrado na Fig. 7.5(a), similar


topologia emissor comum, com entrada aplicada
porta e sada colhidas no dreno. Para pequenos sinais,
M, converte as variaes da tenso de entrada em alte
raes proporcionais na corrente de dreno, enquanto
R n transform a a corrente de dreno na tenso de
sada. Se a modulao do com prim ento do canal for
desprezada, o modelo de pequenos sinais da Fig. 7.5(b)

fornece v, = u, e vma = - g ^ R , , . Ou seja,


Vout

Vin

(7.34)

um resultado similar ao obtido no Captulo 5 para o


estgio emissor comum.
O
ganho de tenso do estgio FC tam bm
lim itado pela tenso de alim entao. C om o gm =
y]2finCox( W / L ) I l)y temos
I
W
A v = y 2iinCox-j- I d R di

(7.35)

Amplificadores C M O S

269

DD
Vino-

out

lfout

Vinltl/l
Entrada Aplicada
Porta

Figura 7.5

>
(b)

(a)

(a) Estgio fonte comum, (b) modelo de pequenos sinais.

e conclumos que, se / ou R n aum entar, a queda de


tenso em R n (= //?) tam bm aum enta.1 Para que
M, perm anea em saturao,

Exem plo

.
Sada
Colhida
no Dreno

Vdd - R d I d > Vos - Vt h ,

(7.36)

ou seja,
Rnin <

vDD - ( VGS -

VTH).

(7.37)

Calculemos o ganho de tenso de pequenos sinais do estgio FC mostrado na Fig. 7.6, com ln =
1 mA, nCox = 100 /xA/V2, Vm = 0,5 V e A = 0. Comprovemos que
opera em saturao.
Vdd = 18 V
kQ

^out
'inH L W t ^ = ^
L 0.18
Figura 7.6

Soluo

Exem plo de estgio F C .

Temos
I

gm Y ^ n x

Id

1
300 Q

(7.38)
(7.39)

Portanto,
Av=

gm^D

= 3,33.

(7.40)
(7.41)

Para identificar a regio de operao, primeiro determinamos a tenso porta-fonte:


21D

Vgs = V m +

\
1,1 V.

(7.42)

r XW
PtV^O
(7.43)

possvel aumentar o ganho at certo ponto, com o aumento de W, mas a condio sublimiar", por fim, limita a transcondutncia.
O estudo desse conceito est alm do escopo deste livro.

270

Captulo Sete

A tenso de dreno igual a VIW - /<! = 0,8 V. Como V1S - V n, = 0,6 V, o dispositivo de fato
opera na regio de saturao e tem uma margem de 0,2 V em relao regio de triodo. Por
exemplo, se o valor de R for dobrado com a inteno de dobrar /t,
entra na regio de triodo
e a transcondutncia diminui.
Exerccio

Que valor de V

coloca M, na fronteira da regio de saturao?

Como o terminal de porta do M OSFET puxa uma


corrente nula (em frequncias muito baixas),dizemos
que o amplificador FC prov ganho de corrente infi
nito. Em contraste, o ganho de corrente de um estgio
emissor comum igual a /3.
A gora, vam os calcular as im pedncias I/O do
am plificador FC. Com o a corrente de porta nula
(nas frequncias baixas),
Rb, = oo,

A v = -gmiRWro)

(7.46)

Rin = OO

(7.47)

Ro,.< = R d Wo .

(7.48)

Em outras palavras, a m odulao do com prim ento


do canal e o efeito Early afetam os estgios FC e EC,
respectivam ente, de modos similares.

(7.44)
'x

um ponto de contraste em relao ao estgio EC (cuja


R in igual a r). A alta im pedncia de entrada da
topologia FC tem um papel im portante em diversos
circuitos analgicos.
A similaridade entre os equivalentes de pequenos
sinais de estgios EC e FC indica que a impedncia
de sada do amplificador FC igual a
Rou, = R d .

Impedncia de sada do estgio FC.

(7.45)

Isto tambm visto a partir da Fig. 7.7.


Na prtica, a m odulao do com prim ento do
canal pode no ser desprezvel, em especial se R n
for grande. O modelo de pequenos sinais da topologia
FC deve, portanto, ser modificado como indicado na
Fig. 7.8, revelando que
Exem plo
7.5

Figura 7.7

Efeito da modulao do comprimento do canal em


um estgio FC.
Figura 7.8

Supondo que M, opere em saturao, determinemos o ganho de tenso do circuito mostrado na


Fig. 7.9(a) e esbocemos o grfico do resultado em funo do comprimento do canal do transistor.
mantendo constantes os outros parmetros.
T1

V D

(?)
T vut
vincH U / W 1

A vi
A

1
/

L
(a)

(b)

Figura 7.9 (a) Estgio FC com fonte de corrente ideal como carga, (b) ganho em funo do comprimento
do canal do dispositivo.

Amplificadores C M O S

Soluo

271

A fonte de corrente ideal apresenta uma resistncia de pequenos sinais infinita, permitindo o uso
de (7.46) com Rn =
A v = - g mr0 .

(7.49)

Este o maior ganho de tenso que um nico transistor pode prover. Escrevendo gm =
yl2nCux(W /L )I,, e r() = (A/)-', temos

IA>I =

w T " '

<7'50>

Este resultado pode implicar que L4J cai medida que L aumenta; mas, recordemos do Captulo
6 que oc L"1:
iy4l

2n nCoxWL
V To *

/n c ^
^
^

Por conseguinte,\A J aumenta com L [Fig. 7.9(b)].


Exerccio

Repita o exemplo anterior para o caso em que um resistor de valor /?, conectado entre a porta e
o dreno de M,.

7.2.2 E stgio FC com F on te de C orrente


com o Carga

Como vimos noexemplo anterior,a relao de permuta


entre o ganho de tenso e o vo livre de tenso pode
ser relaxada com a substituio do resistor de carga
por uma fonte de corrente. Portanto, as observaes
feitas no contexto da Fig. 7.4(b) sugerem o uso de um
dispositivo PM OS com o carga de um amplificador
NMOS FC [Fig. 7.19(a)].

DD

D eterm inem os o ganho de pequenos sinais e a


im pedncia de sada do circuito. Com um a tenso
porta-fonte constante, M 2 se com porta com o um
resistor igual sua impedncia de sada [Fig. 7.10(b)],
pois u, = 0 e, portanto,gm2i>i = 0. Assim, o n do dreno
de M | v r() e r(}2 conectadas terra AC. As Eqs. (7.46)
e (7.48) fornecem
A = - g m\{r0\\\rm)
Ru, = r0 \\\r0 2 -

DD

'out

(a)

Figura 7.10

(b)

(a) Estgio FC com dispositivo PMOS como fonte dc corrente, (h) modelo de pequenos sinais.

(7.52)
(7.53)

272

Captulo Sete

Exem plo
7.6

A Fig. 7.11 mostra um estgio FC PMOS que usa uma fonte de corrente NMOS como carga. Calcu
lemos o ganho de tenso do circuito.
-p

vin

Kdd

l|

' 1 vout
Vf ~ \ \

Figura 7.11

Soluo

Estgio FC com dispositivo PMOS como fonte dc corrente.

O transistor M2 gera uma corrente de pequenos sinais igual a gm2vr que flui por r,llr, e produz
voui = -g,2V,(ro\\r02). Portanto,
A v = - g m2(r0 i I\r0 2 )-

Exerccio

(7.54)

Calcule o ganho no caso em que o circuito alimenta uma resistncia de carga de valor R, .

7.2.3 E stgio FC com Carga C onectada com o


D iodo

Em algum as aplicaes, podem os fazer uso de um


M OSFET conectado como diodo como carga para o
dreno. E sta topologia, ilustrada na Fig. 7.12(a), exibe
um ganho apenas m oderado, devido im pedncia
relativam ente baixa do dispositivo conectado como
diodo (Seo 7.1.3). Com = 0, M 2 funciona como
uma resistncia de pequenos sinais igual a 1/gm2, e
(7.34) fornece

interessante observar que o ganho dado pelas


dimenses de M, e M2,e. permanece independente de
parm etros de processo, como /x e Cm, e da corrente
de dreno /.
O
leitor pode p erg u n tar por que, no C aptulo
5, no consideram os um estgio em issor com um
com carga conectada com o diodo. A Fig. 7.12(b)
ilustra um circuito como esse, que no usado na
prtica por prover um ganho de tenso apenas igual
unidade:
A v g/nl '

A v = gmi
^/2nCox(W / L )X1D
y /2 h ^ C o x W /L W d
m
(W /L)2

Figura 7.12

(7.55)

(7.56)

(7.57)

Jsi
Vr
- 1.

(7.58)

1
Ic2/Vr

(7.59)
(7.60)

O co n tra ste en tre (7.57) e (7.60) tem origem na


d iferena fun d am en tal en tre dispositivos M OS e
bipolar: a tran sco n d u tn cia do prim eiro d epende

(a) Estgio MOS usando carga conectada como diodo, (b) equivalente bipolar, (c) modelo simplificado de (a).

Amplificadores C M O S

das d im en s es do d isp o sitiv o e a do seg u n d o ,


nSn
nao.
Um a expresso mais precisa para o ganho do
estgio da Fig. 7.12(a) deve levar em conta a modulao do com prim ento do canal. Como indicado na
Fig. 7.12(c), a resistncia vista no dreno , agora, igual
a (1 /gJ)Wr(d\r0\, logo,

Exem plo

.
/ 1 ,, ,, \
A v = - g ml[ ----WroiWro).
\ g m2
/

273

...
(7.61)

De m odo similar, a resistncia de sada do estgio


dada por
!
Rou, = Ikcdkoi(7.62)
Sm2

Determinemos o ganho de tenso do circuito mostrado na Fig. 7.13 (a) se A

0.

-T" VDD

^in it

Figura 7.13

Soluo

Estgio FC com dispositivo PMOS conectado como diodo.

Este estgio similar ao da Fig. 7.12(a), mas com os dispositivos NMOS substitudos por transis
tores PMOS: Mx funciona como um dispositivo fonte comum, e Af>, como uma carga conectada
como diodo. Assim,
A v = - g n a f WroxHro)\Sm\
)

Exerccio

7.2.4

(7.63)

Repita o exemplo anterior para o caso em que a porta de M, conectada a uma tenso constante
de 0,5 V.

E stgio FC com D egenerao

Recordemos, do Captulo 5, que um resistor conec


tado em srie com o emissor de um transistor bipolar
altera caractersticas como ganho, impedncias I/O e

Figura 7.14

linearidade. Esperam os resultados similares para um


amplificador FC degenerado.
A Fig.7.14(a) ilustra um estgio e seu equivalente
de pequenos sinais (com = 0). Como no caso do
circuito bipolar correspondente, o resistor de dege-

(a) Estgio FC com degenerao, (h) modelo de pequenos sinais.

274

Captulo Sete

nerao sustenta uma frao da alterao da tenso


de entrada. D a Fig. 7.14(b), tem os

VoUt

g,Rp

Vin

1 + gmRs

(7.64)

Vin = Vi + g m V i R s

Rd

logo,
V\ =

gm

um resultado idntico ao expresso por (5.157) para


o correspondente bipolar.

Como gmvt flui por R,voul = - g mvxR n e

Exem plo
7.8

(7.67)

+ Rs

(7.65)

1 + g in R.S

(7.66)

Calculemos o ganho de tenso do circuito mostrado na Fig. 7.15(a) se A = .


-p. V.DD

'out

'out

(a)
Figura 7.15

Soluo

(b)

(a) Exemplo de estgio FC com degenerao, (b) circuito simplificado.

O transistor M2funciona como um dispositivo conectado como diodo e apresenta uma impedncia
1lgm2 [Fig. 7.15(b)]. Portanto, o ganho dado por (7.67), se Rs for substitudo por 1lgm2:
Av= -

Exerccio

(7.68)

O que acontece se A # 0 para A,?

Seguindo os desenvolvim entos do C aptulo 5,


podem os e stu d ar o efeito de um resisto r co n ec
tado em srie com a p o rta (Fig. 7.16). No en tan to ,
com o a co rren te de p orta nula (nas frequncias
baixas), no h queda de tenso em R (; e, portanto,
o ganho de ten so e as im pedncias I/O no so
afetados.
E fe ito
s is to r

Rd

1 | 1
gm\ 8m2

Im p e d n cia de S ada d o Tran


Com o no caso do correspondente bipolar,
a incluso da im pedncia de sada do transistor
com plica a anlise e estudada no Exerccio 31.
E ntretanto, a im pedncia de sada do estgio FC
degenerado tem um papel im portante em circuitos
analgicos e merece ser estudada aqui.

A Fig. 7.17 mostra o equivalente de pequenos sinais


do circuito. Como Rs conduz uma corrente igual a ix

da

Figura 7.16

Estgio FC com resistncia de porta.

Amplificadores C M O S

ro{x + gmixRs) + ixR.S = Vx,

275

(7.69)

e, portanto,
Vy

Figura 7.17
rao.

Impedncia de sada do estgio FC com degene

(por qu?), temos v, = ~ ixRs. Alm disso, a corrente


que flui por r igual a ix - g,v, = ix - g ( ixRs) =
ix + gmixRsSomando as quedas de tenso em r() e em
Rs e igualando o resultado a vx, obtemos

Exem plo
7.9

= rQ(i + gmRs) + Rs
lx

(7.70)

= (1 + gmro)Rs + ro

(7.71)

^ gmro Rs + ro-

(7.72)

De m odo alternativo, observamos que o m odelo da


Fig. 7.17 similar ao correspondente bipolar da Fig.
5.46(a), mas com rn . Fazendo r oo nas Eqs.
(5.196) e (5.197), obtem os o mesmo resultado. Como
se espera do estudo do estgio bipolar degenerado, a
verso MOS tambm exibe uma impedncia de sada
aum entada

Calculemos a resistncia de sada do circuito da Fig. 7.18(a) para idnticos M, e A/2.

r *out

out

" H t ir
m 1T _ T
^

(b)

(a)
Figura 7.18

Soluo

01

(a) Exemplo de estgio FC com degenerao, (b) circuito simplificado.

O dispositivo conectado como diodo M: pode ser representado por uma resistncia de pequenos
sinais (l/gm2)Hr (>2 ** l/g,2- O transistor Mx degenerado por esta resistncia e, a partir de (7.70):

R out r o \ (

g m i -----------)

gm2/

H ------------------

gml

(7.73)

Como g,| = g,2 = gr este resultado se reduz a


Rout 2roi +
2r0 \
Exerccio

Exem plo

gm

(7.74)
(7.75)

Os resultados permanecem inalterados se M, for substitudo por um dispositivo PMOS conectado


como diodo?

Vamos determinar a resistncia de sada do circuito da Fig. 7.19(a) e comparar o resultado com o
do exemplo anterior. Suponhamos que A, e A2estejam em saturao.

276

Captulo Sete

Soluo

Com a tenso porta-fonte fixa, o transistor M2 opera como uma fonte de corrente e introduz uma
resistncia r,n entre a fonte de A/, e a terra [Fig. 7.19(b)].
A Eq. (7.71) pode, portanto, ser escrita como

Supondo gmtr()2

Rom = (1 + g m\r o \) r o 2 + r0 1

(7.76)

* g m \ro ir o 2 + r 0 \-

(7.77)

1 (o que vlido na prtica), temos


Roui

(7.78)

g m l? 0 \ ? 0 2 -

Observamos que este valor muito maior do que o de (7.75).


Exerccio

7.2.5

Repita o exemplo anterior para o correspondente PMOS do circuito.

E stgio FC com P olariza o

O efeito do simples circuito de polarizao mostrado


na Fig. 7.1 similar ao observado para o estagio bipolar
no Captulo 5. A Fig. 7.20(a) m ostra um circuito de
polarizao, incluindo um capacitor de acoplamento na
entrada (supostamente como curto-circuito), que no
mais apresenta uma impedncia de entrada infinita:

Figura 7.20

de bypass.

(7.79)
Portanto, se o circuito for alim entado por uma impe
dncia de fonte finita [Fig. 7.20(b)], o ganho de tenso
reduzido para
^ ill^ 2

Rg

Ri 11^2

1
Sm

(7.80)

------h Rs

(a) Estgio FC com capacitor dc acoplamento na entrada, (b) incluso da resistncia de porta, (c) uso dc capacitor

Amplificadores C M O S

onde A foi adm itido como igual a zero.


Como mencionamos no Captulo 5, possvel
utilizar degenerao para estabilizar o ponto de polari
zao e eliminar seu efeito no desempenho de pequenos
sinais por meio de um capacitor de bypass [Fig. 7.20(c)].
Em contraste com a realizao bipolar, isto no afeta a
a *
a
.
a
a
c /impedancia
de
entrada
do
estagio
FC:

Exem plo
7.11

Soluo

Rin = R {| |/?2,

mas e eva ^an


.
A =

277

(7.81)

e tens^Ri 11^2
^ d i i p
Rg +
ill ^ 2

~ p

D
( 7 -8 2 )

Projetemos o estgio FC da Fig. 7.20(c) para um ganho de tenso de 5, impedncia de entrada de


50 kl e oramento de potncia de 5 mW. Vamos admitir ilC = 100 /zA/V2, VTH = 0,5 V, A = 0 e
Vn = 1,8 V. Vamos admitir, ainda, uma queda de tenso de 400 mV em Rs.
O oramento de potncia e VDD = 1,8 V implicam uma mxima corrente de alimentao de 2,78
mA. Como escolha inicial, aloquemos 2,7 mA a M, e os restantes 80 fiA a /?, e a R2. Isto resulta
em
Rs = 148 Q.

(7.83)

Como em problemas tpicos de projeto, a escolha de gme de Rn um pouco flexvel, desde que
gmR = 5. No entanto, como / conhecida, devemos assegurar um valor razovel para V(;s, como,
por exemplo, VGS = 1 V. Esta escolha leva a
21D
Vgs - Vth
1
92,6 Q '

(7.84)
(7.85)

e, portanto,
R d = 463 Q.

(7.86)

Escrevendo
Id =

1
2

W
VnCox (VGS - Vth)

(7.87)

obtemos
W
= 216.

(7.88)

Com VGS = 1 V e uma queda de tenso de 400 mV em Rs, a tenso de porta chega a 1,4 V, exigindo
que
(7.89)
que, juntamente com Rjn = R lIIR2 = 50 kl, resulta em
R\ = 64,3 kQ

(7.90)

R2 = 225 k2.

(7.91)

Agora, devemos verificar se /V/, de fato opera em saturao. A tenso de dreno dada por
VDDI/yRf)= 1 ,8 V - 1,25 V = 0,55 V. Como a tenso de porta igual a 1,4 V, a diferena de tenso
porta-dreno maior que VTlh o que significa que Af, est na regio de triodo!

278

Captulo Sete

Como o procedimento de projeto levou a este resultado? Para a dada /, escolhemos um valor
excessivamente grande para /?, ou seja, um valor excessivamente pequeno para gm (pois gmRD =
5), embora o valor de Vos fosse razovel. Portanto, devemos aumentar gm para que o valor de RD
seja reduzido. Suponhamos, por exemplo, que dividamos o valor de Rn por dois e dobremos o de
gm aumentando a razo W/L por um fator de quatro:
W
=864

(7.92)

8m = 4 6 3 Q'

(7-93)

A correspondente tenso porta-fonte obtida de (7.84):


Vgs = 250 mV,

(7.94)

portanto, a tenso de porta de 650 mV.


Mxest em saturao? A tenso de dreno igual a Vnn - /?/ = 1,17 V, um valor maior que
o da tenso de porta menos V Logo, M x opera em saturao.
Exerccio

7.3

Repita o exemplo anterior para o caso de um oramento de potncia de 3 mW e V,m = 1,2 V.

ESTG IO PORTA C O M U M

A topologia PC, ilustrada na Fig. 7.21, lembra a do


estgio base comum estudada no Captulo 5. Aqui,
se a entrada aum entar de um pequeno valor AK, a
tenso porta-fonte de M, dim inui pelo mesmo valor;
com isto, a corrente de dreno reduzida de gmA V
e Vmin aumentada de #,AVR. O u seja, o ganho de
tenso positivo e igual a
A-v = g,Rn-

l Dou de R, mas a tenso de dreno, VDD - IpR,,, deve


perm anecer acima de Vh - V w para garantir que A/,
perm anece em saturao.

DD
I

Sada Colhida
no Dreno

(7.95)

O
estgio PC sofre de problem as de perm uta de
vo livre de tenso similares aos enfrentados pela
topologia BC. Em particular, para alcanar um ganho
de tenso elevado, faz-se necessrio um valor alto de

Exem plo

7.12

Soluo

Entrada Aplicada
Fonte

Figura 7.21

Estgio porta comum.

Um microfone com nvel DC nulo alimenta um estgio PC polarizado em / = 0,5 mA. Se W/L =
50, ixC,)X = 100 ixA/V2, V,,, = 0,5 V e Vrw = 1,8 V, determinemos o mximo valor permitido para
R e, portanto, o mximo valor do ganho de tenso. Desprezemos a modulao do comprimento
do canal.
Conhecida a razo W/L, a tenso porta-fonte pode ser calculada a partir de
1
w,
^
I d ^ n C ox {VGS ~ Vth)

(7.96)

Vgs = 0,947 V.

(7.97)

pois

Amplificadores C M O S

279

Para que A, permanea em saturao,


Vdd I dR d > Vb Vth

(7.98)

R d < 2,71 kQ.

(7.99)

logo,

Os valores de W/L e n fornecem gm = (447 i)"1e


A v < 6,06.

(7.100)

A Fig. 7.22 resume os nveis de sinal permitidos nesta configurao. A tenso de porta pode ser
gerada com o emprego de um divisor resistivo similar ao da Fig. 7.20(a).
Exerccio

Se for especificado um ganho de 10. qual deve ser o valor de W /Ll

um valor relativam ente baixo. A lm disso, da Fig.


7.23(b), v, = 0 e, portanto,
Raul = Ri

Calculemos agora as impedncias I/O do estgio


PC; esperamos obter resultados similares aos da topo
logia BC. Desprezando, por ora,a modulao do compri
mento do canal, da Fig. 7.23(a), temos i, = vx e

um resultado esperado, pois os circuitos das Figs.


7.23(b) e 7.7 so idnticos.
Estudem os o com portam ento do estgio PC na
presena de um a im pedncia de fonte finita (Fig.
7.24), mas ainda com A = 0. D e m odo sim ilar ao
feito no C ap tu lo 5 p a ra a top o lo g ia BC, escre
vemos
1
(7.105)

Vx =
ix = -gm 1
= gmVX-

(7.101)

(7.104)

-----HRs
gm

(7.102)

Ou seja,
R in

gm

Figura 7.23

(7.103)

(a) Impedncias dc (a) entrada c dc (b) sada do estgio PC.

(7.106)

280

Captulo Sete

Figura 7.24 Simplificao do estgio PC com resistncia da


fonte de sinal.

Assim,
Voul _ Vout

Vx

Vin

Vin

VX

(7.107)

SiRD
1 + gmRs

(7.108)

R d

(7.109)

+ Rs
gm

Portanto, o ganho igual ao do estgio FC degene


rado, exceto por um sinal negativo.
Em contraste com o estgio fonte com um , o
am plificador PC exibe ganho de corrente unitrio:
a corrente provida pela fonte de tenso de entrada

Exem plo

Figura 7.25 (a) Estgio PC com resistncia de porta, (b) resis


tncia de sada do estgio PC.

sim plesm ente flui pelo canal e em erge do n de


dreno.
A anlise do estgio porta comum no caso geral,
isto , incluindo tanto a m odulao do com prim ento
do canal como uma impedncia de fonte finita, foge
ao escopo deste livro (Exerccio 41). No entanto,
podemos fazer duas observaes. Primeira, uma resis
tncia em srie com o terminal de porta [Fig. 7.25(a)]
no altera o ganho ou as impedncias I/O (em baixas
frequncias), pois sustenta uma queda de potencial
nula - com o se seu valor fosse zero. Segunda, no
caso geral, a resistncia de sada do estgio PC [Fig.
7.25(b)] idntica da topologia FC degenerada:
R o u t = (1 +

(7.110)

g,ro)Rs + r0 -

Para o circuito mostrado na Fig. 7.26(a), com A = 0, calculemos o ganho de tenso e, com A > 0, a
impedncia de sada.

VDD

ROl
'out
BS' ' ] a - i

Rs
-AW---- -

'w-

r02

!?
(a)
Figura 7.26

sada.

(b)

(c)

(a) Exemplo de estgio PC, (b) circuito de entrada equivalente, (c) clculo da resistncia de

Amplificadores C M O S

Soluo

281

Primeiro, calculamos uyfy,, com a ajuda do circuito equivalente da Fig. 7.26(b):


1

vx_
Vin

gn

gm 1

gm 2

gm 1

(7.111)

- + Rs
1

(7.112)

1 + (g m l + g m 2 )R s

Notando que v j v x = gm]Rn, temos


Vout

gml^D

Vin

1 + (g m \ + g n ^ R s

(7.113)

Para calcular a impedncia de sada, primeiro consideramos


a partir de (7.110), obtemos

como indicado na Fig.7.26(c);

(7.114)

R o u ti = ( 1 + g m \ r o \ ) \ l k o 2 l l ^ s ) + f o i
\g n x 2
)

(7.115)

* gm\ro\ 11^5 ) + ro 1 .
\ gm2
)
A impedncia de sada total , ento, dada por

(7.116)

R o u t = R o u tl I I ^ D

+ rQ\
Exerccio

7.3.1

(7.117)

Calcule a impedncia de sada para o caso em que a porta de M, esteja conectada a uma tenso
constante.

E stgio PC com P olariza o

Depois do estudo da polarizao do estgio BC no


Captulo 5, conclumos que o amplificador PC pode
ser polarizado como indicado na Fig. 7.27.0 resistor
Ry prov uma rota terra para a corrente de polari
zao e reduz a impedncia de entrada - assim como
o ganho de tenso, caso a fonte de sinal exiba uma
impedncia de sada finita, R s.
Como a impedncia vista direita do n X igual
a RyW (1/#,,,), temos
W = vx_ w
Vin

Vin

onde a m odulao do com prim ento do canal foi


desprezada. Como j mencionamos, o divisor de tenso
formado por /?, e R2 no afeta o com portam ento de
pequenos sinais do circuito (em baixas frequncias).

(? u g )

VX

^ 3 ll(l/ m )

= R ,.( /

v R *gmR,

/"7 1 1 n \

"

(7.119)
Figura 7.27

Estgio PC com polarizao.

282

Captulo Sete

Exemplo
7.14

Soluo

Projetemos o estgio porta comum da Fig. 7.27 para os seguintes parmetros: v()ll/vin = 5, Rs = 0,
R} = 500 l , 1lgm = 50 l , oramento de potncia = 2 mW, Vnn = 1,8 V. Vamos supor fxnCox = 100
/xA/V2, VTll = 0,5 V e A = 0.
Do oramento de potncia, obtemos uma corrente de alimentao total de 1,11 mA. Alocando
10 fiA ao divisor de tenso, /?, e /?2, resta-nos 1,1 mA para a corrente de dreno de A/,. Portanto, a
queda de tenso em R3 igual a 550 mV.
Devemos, agora, calcular dois parmetros inter-relacionados: W/L e R. Um valor maior de
W/L resulta em maior gr o que permite um menor valor para R n. Como no Exemplo 7.11, esco
lhemos um valor inicial para VGS de modo a obtermos um valor razovel para W/L. Por exemplo,
se VGS = 0,8 V, ento W/L = 244 e gm = 2 I,/(V GS - V m) = (136,4 l ) 1, o que leva a R D = 682 l
para vJvm = 5.
Determinemos se A/, opera em saturao. A tenso de porta igual a Vgs mais a queda
de tenso em /?,, o que tem como resultado 1,35 V. A tenso de dreno, por sua vez, dada por
Vnn - R dI d = 1,05 V. Como a tenso de dreno maior que VG V TIh A/, est, de fato, em satu
rao.
O divisor resistivo formado por R { e R 2 deve estabelecer uma tenso de porta igual a 1,35 V e
puxar uma corrente de 10 /xA:
Vdd = \0fxA
Ri + /?2
Ri

R\ +R 2

= 1-35 V.

Vdd

(7.120)
(7.121)

Portanto, Rx = 45 kl e R2 = 135 kl.


Exerccio

Exem plo
7.15
Soluo

Se W/L no puder ser maior que 100, que ganho de tenso pode ser obtido?

Suponha, no Exemplo 7.14, que desejamos minimizar 0 valor de W/L (e, em conseqncia, a capacitncia do transistor). Qual 0 mnimo valor aceitvel para W/Ll
Para uma dada / 7>, V(;s VT ll aumenta medida que W/L diminui. Portanto, devemos primeiro
calcular 0 mximo valor permitido para VGS. Impomos a condio de saturao como
Vdd I d R d > Vgs + Vr$ Vth >

(7.122)

onde Vm denota a queda de tenso em Ry, e igualamos gmRn ao ganho desejado:


2 Id
Vc

(7.123)

- V th R d -

A v-

Eliminando R de (7.122) e (7.123), obtemos:


Vd d

( Vq s -

V m ) >

V g s ~ V t h + VR i

(7.124)

Amplificadores C M O S

283

e, portanto,
Vfcs

(7.125)

V t H < Vd? - V r\

T + 1
Em outras palavras.
(7.126)
w ,L >

"C

( . - * . ?
l2 A . + 2 )

O que resulta em
(7.127)

W /L > 172.5.
Exerccio

7.4

Repita o exemplo anterior para A = 10.

S E G U ID O R DE FONTE

O correspondente M OS ao seguidor de em issor


cham ado seguidor de fonte (ou estgio dreno
com um ) e m ostrado na Fig. 7.28. O am plificador
am ostra a entrad a na p o rta e produz a sada na
fonte, com o dreno conectado a Vm). O com porta
mento do circuito semelhante ao do correspondente
bipolar.

um circuito deslocador de nvel . D a anlise de


seguidores de em issor do C ap tu lo 5, esperam os
que esta topologia tam bm exiba um ganho subunitrio.
A Fig. 7.29(a) ilustra o equivalente de pequenos
sinais do seguidor de fonte, incluindo a m odulao
do com prim ento do canal. N otando que r() aparece
em paralelo com R, , temos
gmV\(r0 \\RL) = vou,.

(7.128)

E,
.

Vin ^1

Vln
Entrada Aplicada
Porta

Figura 7.28

Vou,

(7.129)

Segue-se que

'out

gm(r0 \\RL)
1 +g,(rol|flz.)

Voul

I l\
Sada Colhida
na Fonte

Seguidor de fonte.

Vi

r0 \\RL

(7.130)
(7.131)

-----1- r0 \\RL
8>n

7.4.1

N cleo S e g u id o r de Fonte

Se, na Fig. 7.28, a tenso de p orta de M, for aum en


ta d a de um p eq u en o v alor A Vin, a te n so p o rtafonte tender a aum entar, o que elevar a corrente
de fo n te e, p o r co n seg u in te, a te n s o de sada.
P o rtan to , Vu s e g u e Vjn. C o m o o nvel D C de
Voul m enor que o de Vin e a d iferena igual a
V^v, dizem os que o seguidor pode funcionar com o

Portanto, o ganho de tenso positivo e m enor que


a unidade. desejvel maximizar R , (e r).
Como no caso do seguidor de emissor, podemos
ver os resultados anteriores com o uma diviso de
tenso entre uma resistncia igual a 1lgme uma outra
igual a r()\\R, [Fig. 7.29(b)]. Notemos, entretanto, que
uma resistncia conectada em srie com a porta no
afeta (7.131) (nas frequncias baixas), pois sustenta
uma queda de tenso nula.

284

Captulo Sete

Figura 7.29

Exem plo
7.16

(a) Equivalente de pequenos sinais do seguidor de fonte, (b) circuito simplificado.

Um seguidor de fonte realizado como mostra a Fig. 7.30(a), onde M2 atua como uma fonte de
corrente. Calculemos o ganho de tenso do circuito.
DD

'out

out

4"
Mo

(a)
Figura 7.30

S oluo

(b)

(a) Seguidor com fonte de corrente ideal, (b) circuito simplificado.

Como M2apenas apresenta uma impedncia r()2do n de sada para a terra AC [Fig. 7.30(b)], subs
titumos R, = r()2 na Eq. (7.131):
ro\Wo2

Av=

(7.132)

+ r o i\\r o 2

Sm\

Se r0l\\r02
Exerccio

Exem plo
7.17

Soluo

l/gmI, ento A v 1.

Repita o exemplo anterior para o caso em que uma resistncia de valor Rs conectada em srie
com a fonte de M2.

Projetemos um seguidor de fonte para alimentar uma carga de 50 Cl, com ganho de tenso de
0,5 e oramento de potncia de 10 mW. Vamos supor /xC, = 100 /nA/V2, V,,, = 0,5 V, A = 0 e
Vn = 1,8 V.
Com R, = 50 l e rv = oo na Fig. 7.28. temos
R l

Au=
v~ 1

+ Rl
8>

(7.133)

logo,
Sm

(7.134)
50 2

Amplificadores C M O S

285

O oramento de potncia e a tenso de alimentao fornecem uma mxima corrente de alimen


tao de 5,56 mA. Usando este valor para n em gm = J2fjinCox(W /L )I n , obtemos
W /L = 360.
Exerccio

Figura 7.31

(7.135)

Que ganho de tenso poder ser obtido se o oramento de potncia for aumentado para 15 mW?

Resistncia de sada do seguidor de fonte.

interessante que calculem os a resistncia de


sada do seguidor de fonte.2 Com o ilustra a Fig. 7.31,
R out consiste na resistncia vista quando se olha para
a fonte e para cima em paralelo com a resistncia
vista ao olharm os para baixo, para R, . Com A 0, a
prim eira igual a (1 lgm)\\r0; com isto,
Rou, =

gm

WRl

(7.136)

Figura 7.32 Seguidor de fonte com capacitores de acoplamento


de entrada e de sada.

um exem plo, onde R (, estabelece um a tenso DC


igual a Vnn na porta de A/, (por qu?) e R s define
a corrente de polarizao de dreno. N otem os que
A/, opera em saturao, pois as tenses de porta e
de d ren o so iguais. A lm disto, a im pedncia de
entrada do circuito caiu do infinito para R f.
Calculemos a corrente de polarizao do circuito.
Com uma queda de tenso nula em R (1, temos
VGs + I d Rs = Vdd.

W II R l .
Si

(7.137)

Em suma, o seguidor de fonte exibe uma im pe


dncia de entrada muito alta e uma impedncia de
sada relativamente baixa; por conseguinte, o seguidor
pode funcionar como buffer.

Desprezando a modulao do comprimento do canal,


escrevemos
b = \ , nC o x ^ V c s ~ Vt h )2

= \nnCox^-{VDD - I d Rs - VTH)2.
7.4.2

(7.138)

(7.139)
(7.140)

S e g u id o r de Fonte com P olarizao

A polarizao de seguidores de fonte sim ilar de


seguidores de em issor (C aptulo 5). A Fig. 7.32 traz

Exem plo
7.18
Soluo

A resultante equao quadrtica pode ser resolvida


para /.

Projetemos o seguidor de fonte da Fig. 7.32 para uma corrente de dreno de 1 mA e ganho de tenso
de 0,8. Vamos supor /xCv = 100 /xA/V2, V m = 0,5 V, A = 0, V DD = 1,8 V e R(; = 50 k.
As incgnitas deste problema so V(;Si W/L e Rs. As trs equaes a seguir podem ser escritas
como:

2Nas frequncias baixas, a impedncia de entrada infinita.

286

Captulo Sete

= ^ n C ox (V gs V t h )

(7.141)
(7.142)

I d Rs + Vgs = Vdd
Rs

(7.143)

-----h Rs

Sm

Se Sm fr escrito como 2I//(VGS - VTll)y (7.142) e (7.143) no mais incluiro W/L e podero ser
resolvidas para V(;s e Rs. Com a ajuda de (7.142), escrevemos (7.143) como
Av=

Rs

(7.144)

Vgs V t h

21D
2Id Rs
Vgs V t h +

21d Rs

21dRs
Vdd V th

+ Id R s

(7.145)

(7.146)

Portanto,
Vd d V t h

Rs =

Id

2 A v

= 867Q.

Vg s =

Vpo -

(7.148)

(7.149)

Id Rs

= V p p (V p D -

(7.147)

Vt h )

Av
2-A v

= 0,933 V.

(7.150)
(7.151)

De (7.141) segue-se que


W
T

Exerccio

(7.152)
=

1 0 7 -

Que ganho de tenso pode ser obtido se W/L no ultrapassar 50?

A Eq. (7.140) revela que a co rren te de polarizao do seguidor de fonte varia com a tenso de
alim entao. Para evitar esse efeito, circuitos inte-

Figura 7.33

grados polarizam o seguidor por meio de uma fonte


de corrente (Fig. 7.33).

Seguidor dc fonte com polarizao.

Amplificadores C M O S

7.5

RESUM O E EXEM PLO S


A D IC IO N A IS

Neste captulo, estudam os os trs blocos fundam en


tais CMOS: os estgios fonte comum, porta comum
e seguidor de fonte. Como ressaltamos ao longo de
todo o captulo, o com portam ento de pequenos sinais
desses circuitos m uito sim ilar ao dos correspon

Exem plo
7.19

287

dentes bipolares, exceto pela alta im pedncia vista


no terminal de porta. Notam os que os esquemas de
polarizao tambm so sem elhantes e que a depen
dncia quadrtica In-V(iS suplanta a relao exponen
cial Ir VBE.
N esta seo, consideram os alguns exem plos
adicionais para solidificar os conceitos apresentados
neste captulo, enfatizando a anlise por inspeo.

Calculemos o ganho de tenso e a impedncia de sada do circuito mostrado na Fig. 7.34(a).


r vDD

-o

V,out

V*>*lfcj/W2 jH pj/
(a)
Figura 7.34

Soluo

(a) Exemplo dc estgio FC, (b) circuito simplificado.

Identificamos M x como um dispositivo fonte comum, pois amostra a entrada na porta e gera a
sada no dreno. Os transistores M2 e Af, atuam como carga: o primeiro funciona como uma fonte
de corrente e o segundo, como um dispositivo conectado como diodo. Desta forma, M2 pode ser
substitudo por uma resistncia de pequenos sinais r()l9 e A/3 pode ser substitudo por uma resis
tncia igual a (llg,$)\\r03. Com isto, o circuito se reduz ao da Fig. 7.34(b), do qual obtemos
= gm\ ( ---- \\r0l\\r02\\r03 )

(7.153)

Rout = ---- Wo\Wo2\Vo3-

(7.154)

\8m3

8n

Notemos que 1!gmy o termo dominante das duas expresses.


Exerccio

Exem plo
7.20

Repita o exemplo anterior para o caso em que M2 convertido em um dispositivo conectado como
diodo.
Calculemos o ganho de tenso do circuito mostrado na Fig. 7.35(a). Desprezemos a modulao do
comprimento do canal em Mx.

M,
'out
%
(a)
Figura 7.35

(a) Exemplo de estgio FC, (b) circuito simplificado.

288

Captulo Sete

Soluo

O transistor A, opera como um estgio FC degenerado pelo dispositivo conectado como diodo
e alimenta a fonte de corrente de carga, M2. Simplificando o amplificador ao circuito da Fig.
7.35(b), temos
Av= -

1 r l------- .
+ ----\\roi

gm \

Exerccio
Exem plo

7.21

(7.155)

gn

Repita o exemplo anterior para o caso em que a porta de My conectada a uma tenso constante.

Determinemos o ganho de tenso dos amplificadores ilustrados na Fig. 7.36. Para simplificar, vamos
supor rol = oo na Fig. 7.36(b).
-T" VDD

Vf>2 H W 2
-oV,out

out

Vbl If^Mi
RS

^in
(b)

(a)
Figura 7.36

Soluo

Exemplos de estgios (a) FC e (b) PC

O transistor Mx na Fig. 7.36(a), degenerado por Rs, apresenta uma impedncia (1 + gm\rol)Rs +
rol ao dreno de M2. Portanto, a impedncia total vista no dreno igual a [(1 + gmiro\)Rs + roi]^ro2i
resultando em um ganho de tenso de
A v = gm 2{[(l

(7.156)

g m l? 0 \)R s + / ' lllk o i }

Na Fig. 7.36(b), M, opera como um estgio porta comum e Af,, como a carga; assim, obtemos (7.109):
A v2 =

r0 2

(7.157)

------h Rs
gm l

Exerccio
Exem plo

Substitua Rs por um dispositivo conectado como diodo e repita a anlise.


Calculemos o ganho de tenso do circuito mostrado na Fig. 7.37(a) se A = 0.

7.22
VDD

'out

r
'

vou
1 \ i"

(a)
Figura 7.37

(b)

(a) Exemplo de estgio composto, (b) circuito simplificado.

Amplificadores C M O S

Soluo

Neste circuito, Mv opera como um seguidor de fonte e Af2, como um estgio PC (por qu?). Um
mtodo simples de analisar o circuito consiste em substituir vine A/, por um equivalente de Thvenin.
Da Fig. 7.29(b), deduzimos o modelo ilustrado na Fig. 7.37(b). Logo,
Av =

Rd
1 [ 1
gml

Exerccio

Exem plo

7.23

O que acontece se uma resistncia de valor

(7.158)

gml

for conectada em srie com o dreno de A/,?

O circuito da Fig. 7.38 produz duas sadas. Calculemos o ganho de tenso da entrada para Y e X.
Vamos supor A = 0 para A/,.

Figura 7.38

Soluo

289

Exemplo de estgio composto.

Para Vouno circuito funciona como um seguidor de fonte. O leitor pode mostrar que, se r(n = 30, Af3
e M4 no afetam a operao do seguidor de fonte. O transistor A/2, que exibe uma impedncia de
pequenos sinais igual a (l/gw2)llrW,atua como uma carga para o seguidor e, de (7.131), produz:
W02

v outl _

Vin

g m l ____________

(7.159)

\\ro2 +
Sm 2

Sm l

Para Vou2, A/, opera como um estgio FC degenerado, com uma carga de dreno que consiste no
dispositivo conectado como diodo Af3 e a fonte de corrente A/4. Esta impedncia de carga igual
a (l/m.OH/o3llr 0 4 e resulta em

Voutl

----Ik03lk04

n_________

+ \\roi

gm l

Exerccio

Sm l

Qual dos dois ganhos o maior? Explique, de maneira intuitiva, por qu.

(7.160)

290

7.6

Captulo Sete

R E S U M O DO CAPTULO

As impedncias vistas quando se olha para a porta, o


dreno e a fonte de um MOSFET so iguais a infinito,
r (com fonte aterrada) e 1!gm(com porta aterrada),
respectivamente.
Para obtermos os desejados parmetros MOS de
pequenos sinais, como gm e r(), o transistor deve ser
polarizado, ou seja, deve conduzir uma corrente de
dreno e sustentar certas tenses porta-fonte e drenofonte. Sinais apenas perturbam essas condies.
Tcnicas de polarizao estabelecem a necessria
tenso de porta por meio de uma rota resistiva
alimentao ao n de sada (autopolarizao).
Com um nico transistor, apenas trs topologias de
amplificadores so possveis: estgios fonte comum,
porta comum e seguidor de fonte.

O estgio FC prov ganho de tenso moderado, alta


impedncia de entrada e moderada impedncia de
sada.
Degenerao da fonte melhora a linearidade, mas
reduz o ganho de tenso.
Degenerao da fonte eleva, de forma considervel,
a impedncia de sada de estgios FC.
O estgio PC prov ganho de tenso moderado, baixa
impedncia de entrada e moderada impedncia de
sada.
Expresses para os ganhos de tenso de estgios FC
e PC so similares, exceto quanto a um sinal.
O seguidor de fonte prov ganho de tenso menor
que a unidade, alta impedncia de entrada e baixa
impedncia de sada, funcionando como um bom
bu ffer de tenso.

E X E R C C IO S
Nos exerccios a seguir, a menos que seja especificado de
outra maneira, suponha que os transistores operem em
saturao, \LnC ox = 200
fipC ox = 100 /xA/V2, A = 0,
Vrn 0,4 V para dispositivos NMOS e V m = -0 ,4 V para
dispositivos PMOS.
7.1 No circuito da Fig. 7.39, determine o mximo valor

permitido para W/L para que M, permanea em


saturao. Suponha A = 0.

1,8 V
10 kQ

1 kQ

100 Q

Figura 7.41

DD' 1,8 V
50 k Q

1 kQ

Figura 7.39

7.2 Desejamos projetar o circuito da Fig. 7.40 para uma

corrente de dreno de 1 mA.Se W/L = 20/0,18; calcule


Rxe R2 de modo que a impedncia de entrada seja
de pelo menos 20 kl.

7.4 O circuito da Fig. 7.42 deve ser projetado para uma

queda de tenso de 200 mV em Rs.


(a) Calcule o valor mnimo permitido para W/L para
que M, permanea em saturao.
(b) Quais so os necessrios valores de /?, e de R2
para que a impedncia de entrada seja de pelo
menos 30 k l?
Kdd = 1>8 V
500 Q

Figura 7.42
Figura 7.40

7.5 Considere o circuito ilustrado na Fig. 7.43, em que


7.3 Considere o circuito mostrado na Fig. 7.41. Calcule

a mxima transcondutncia que A/, pode produzir


(sem entrar na regio de triodo).

W/L = 20/0,18. Supondo que a corrente que flui por


R2 um dcimo de /,, calcule os valores de /?, e de
R2de modo que Im = 0,5 mA.

Amplificadores C M O S

7 .9

291

Devido a um erro de fabricao, um resistor parasita,


Rr, apareceu no circuito da Fig. 7.47. Sabemos que
exemplares desse circuito no sujeitos ao erro tm
VGs = Vds + 100 mV, enquanto exemplares defeitu
osos tm VfSS = VI)S + 50 mV. Determine os valores
de W/L e de Rr.
VDD= 1,8 V

Figura 7.43
7 .6

O estgio autopolarizado da Fig. 7.44 deve ser proje


tado para uma corrente de dreno de 1 mA. Se A,
produzir uma transcondutncia de 1/(100 l), calcule
o necessrio valor de Rn.
1,8 V

Figura 7.47

7 .1 0

No circuito da Fig. 7.48, A, e A2tm iguais compri


mentos de 0,25 /xm, e = 0,1 V '. Determine Wxe
W2de modo que Ix = 2IY = 1 mA. Suponha Vm =
V,)S2 = V,{ = 0,8 V. Qual a resistncia de sada de
cada fonte de corrente?

Figura 7.44
7 .7

Desejamos projetar o estgio da Fig. 7.45 para uma


corrente de dreno de 0,5 mA. Se W/L = 50/0,18;calcule
os valores de /?, e de R2de modo que esses resistores
conduzam uma corrente igual a um dcimo de

M2

IFigura 7.48

7 .1 1

Uma fonte de corrente NMOS deve ser proje


tada para uma resistncia de sada de 20 k l e uma
corrente de sada de 0,5 mA. Qual o mximo valor
tolervel para A?

7 .1 2

As duas fontes de corrente da Fig. 7.49 devem ser


projetadas para x = IY = 0,5 mA. Se VHX = 1 V,
V/f2 = 1,2 V. A = 0,1 V"1e L, = L2 = 0,25 ^tm.calcule
W, e W2. Compare os valores das resistncias de
sada das duas fontes de corrente.

Figura 7.45
7 .8

Devido a um erro de fabricao, um resistor parasita,


/?,,, apareceu no circuito da Fig. 7.46. Sabemos que
exemplares desse circuito no sujeitos ao erro tm
V(js = VDS, enquanto exemplares defeituosos tm
Vgs = Vi>s + Vn/. Determine os valores de W/L e de R,.
se, sem a presena de Rr, a corrente de dreno for 1 mA.

J,x
B1

Vqo =
10 k Q :

Figura 7.49

7 .1 3
RS ^

200 Q

Figura 7.46

B2

I-

1 *8 V

1 kQ

20 k Q :

J'

Um estudante usa, de maneira errnea, o circuito


da Fig. 7.50 como uma fonte de corrente. Se W/L =
10/0,25; A = 0,1 V V,iX = 0,2 V e Vx tiver um nvel
DC de 1,2 V, calcule a impedncia vista na fonte
de A,.

292

Captulo Sete
7.17 No estgio fonte comum da Fig. 7.54, W/L = 30/0,18

\L

Figura 7.50

e A = 0.
(a) Que valor da tenso de porta produz uma
corrente de dreno de 0,5 mA? (Comprove que
A/, opera em saturao.)
(b) Com essa corrente de polarizao de dreno,
calcule o ganho de tenso do estgio.
V0D= 1.8 V

7.14 No circuito da Fig. 7.51, M, e M2 funcionam como

fontes de corrente. Calcule lx e IY se VH = 1 V e


W/L = 20/0,25. Qual a relao entre as resistncias
de sada de A/, e de M2?

2 k 2

K>Ut

M.

DD
W

i
Mo

Figura 7.54

7.18 O circuito da Fig. 7.54 foi projetado com W/L =

IFigura 7.51

7.15 Considere o circuito mostrado na Fig. 7.52. na qual

(W /L)x = 10/0,18e (W/L)2 = 30/0,18.Se A = 0,1 V


calcule o valor de VHpara que Vx = 0,9 V.
Vdd=1,8V

20/0,18; A = 0 e //, = 0,25 mA.


(a) Calcule a necessria tenso de polarizao de
porta.
(b) Com essa tenso de porta, de quanto W/L pode
ser aumentada de modo que M, permanea em
saturao? Qual o mximo valor do ganho de
tenso que pode ser alcanado medida que
W/L aumenta?
7.19 Desejamos projetar o estgio da Fig. 7.55 para um

ganho de tenso de 5, com W/L < 20/0,18. Determine


o necessrio valor de /?, se a dissipao de potncia
no puder exceder 1 mW.

f/w

X
I-

Vnn = 1,8 V

4*
Figura 7.52

out

^In01^1*1
Figura 7.55

7.16 No circuito da Fig. 7.53, ( W /L \ = 5/0,18; (W/L)2 =

10/0,18; A, = 0,1 V-' e A2 = 0,15 V '1.


(a) Determine o valor de V,{ para que /, = l//)2l =
0,5 mA, para Vx = 0,9 V.
(b) Esboce o grfico de lx em funo de Vx, para Vx
variando entre 0 e Vnn.

7.20 O estgio FC da Fig. 7.56 deve prover um ganho de

tenso de 10, com uma corrente de polarizao de


0,5 mA. Suponha A, = 0,1 V_I e A2 = 0,15 V"1.
(a) Calcule o necessrio valor de (W/L),.
(b) Se (W/L)2 = 20/0,18; calcule o necessrio valor de

DD'

/w
'out

Figura 7.56

Amplificadores C M O S

293

7.21 No estgio da Fig. 7.56, M2tem comprimento longo,

7.26 No circuito da Fig. 7.59, (W/L), = 10/0,18 e Im = 0,5

de modo que 2 A,. Calcule o ganho de tenso se


A, = 0,1 V 1, (W/L), = 20/0,18 e / = 1 mA.

mA.
(a) Se A = 0, determine (W /L)2 de modo que M,
opere na fronteira da regio de saturao.
(b) Agora, calcule o ganho de tenso.
(c) Explique por que esta escolha de (W/L)2resulta
no mximo ganho de tenso.

7.22 O circuito da Fig. 7.56 foi projetado para uma corrente

de polarizao /,, com certas dimenses para A/,


e M2. Se a largura e o comprimento de cada tran
sistor forem dobrados, que alterao sofre o ganho
de tenso? Considere dois casos: (a) a corrente de
polarizao permanece constante e (b) a corrente
de polarizao dobrada.

7.27 O estgio FC da Fig. 7.59 deve alcanar um ganho

de tenso de 5.
(a) Se (W/L)2 = 2/0,18, calcule o necessrio valor
de (W/L),.
(b) Qual o mximo valor permitido para a corrente
de polarizao para que A/, opere em saturao?

7.23 Identifique qual das topologias mostradas na Fig.

7.57 prefervel e explique por qu.

7.28 Se A = 0, determine o ganho de tenso de cada


vDD

estgio mostrado na Fig. 7.60.

J V
^in---- 1t > 2

/l'
''out

'out

^in----

j
v
P>2
1

(a)

(b)

Vb
I----1----O--- OVfout

out

V.,

Vin----- \ \ ~ l

Figura 7.57

(b)

(a)

7.24 O estgio FC mostrado na Fig. 7.58 deve alcanar um

ganho de tenso de 15, com uma corrente de polari


zao de 0,15 mA. Se A, = 0,15 V"1e A2 = 0,05 V"1,
determine o necessrio valor de (W/L)2.

f> 2
-oVro u t

OUt

VDD= 118 V
Vir
Mo
'out

(d)

(C )

YDD

Figura 7.58

d * 2

- v .out

7.25 Desejamos projetar o circuito mostrado na Fig. 7.59

para um ganho de tenso de 3. Se ( VV7L), = 20/0,18;


determine ( W/L)2. Suponha A = 0.

out

VDD= 1,8 V

(0

(e)

Mn

Figura 7.60
'out

n ItjMI
Figura 7.59

7.29 No circuito da Fig. 7.61, determine o ganho de tenso

de modo que A/, opere na fronteira da regio de


saturao. Suponha A = 0.

294

Captulo Sete

vDD=
*DD ^ ,a v

VDD

rd

^bIC/W2

*OUt

V in ^ -d /W ,

''in H L W i

Figura 7.61

7 .3 0

7 .3 1

7 .3 2

(e)

O estgio FC degenerado da Fig. 7.61 deve prover


um ganho de tenso de 4, com uma corrente de pola
rizao de 1 mA. Suponha uma queda de tenso de
200 mV em Rs e = 0.
(a) Se Rn = 1 kl, determine o necessrio valor
de W/L. Para esta escolha de W/L, o transistor
opera em saturao?
(b) Se W/L = 50/0,18, determine o necessrio valor
de R,y Para esta escolha de R,)so transistor opera
em saturao?

Figura 7.62

7 .3 3

(Continuao)

Determine a impedncia de sada de cada um dos


circuitos mostrados na Fig. 7.63. Suponha A = 0.

V,DD

Considere um estgio FC degenerado com A > 0.


Supondo g,r() 1, calcule o ganho de tenso do
circuito.

'1

Calcule o ganho de tenso de cada um dos circuitos


mostrados na Fig. 7.62. Suponha A = 0.

(b)

(a)

out

V,

, r

DD

J V
t;w 2

Mo

r l K w2
OUt

-oVtout

v~-

out J

^in---- \UM,
(d)

(C )

Figura 7.63

(b)

(a)

7 .3 4

DD

O estgio FC da Fig. 7.64 conduz uma corrente


de polarizao de 1 mA. Se RD = 1 k l e A = 0,1
V *, calcule o necessrio valor de W/L para uma
tenso de porta de 1 V. Qual o ganho de tenso do
circuito?

'-lR D
'o u t

V00=1,8V
D
1

Kout

(d)

(c)
Figura 7.62

Figura 7.64

Amplificadores C M O S

295

7.35 Repita o Exerccio 34 com A = 0 e compare os resul

tados.
7.36 Um estudante ousado decide explorar uma nova

topologia de circuito, onde a entrada aplicada


ao dreno e a sada colhida na fonte (Fig. 7.65).
Supondo A 0, determine o ganho de tenso do
circuito e discuta o resultado.

M,

7.39 O estgio porta comum mostrado na Fig. 7.68 deve


'out

prover um ganho de tenso de 4 e uma impedncia


de entrada de 50 . Se / = 0,5 mA e A = 0, deter
mine os valores de Rn e de W/L.

Figura 7.65

7.37 No estgio fonte comum ilustrado na Fig. 7.66, a

corrente de dreno de M, estabelecida pela fonte


de corrente ideal /, e permanece independente de
R{ e R2 (por qu?). Suponha que /, = 1 mA, Rn =
500 fl e C, muito grande.
(a) Calcule o valor de W/L para obter um ganho de
tenso de 5.
(b) Escolha os valores de R xe de R2para que o tran
sistor fique 200 mV fora da regio de triodo e
Ri + R2 no puxe mais que 0,1 mA da alimen
tao.
(c) Com os valores calculados em (b), o que acon
tece se o valor de W/L for o dobro do encon
trado em (a)? Considere as condies de pola
rizao (p. ex., se M, se aproxima mais da regio
de triodo) e o ganho de tenso.

Vdd= 1 ' 8

^out
V*
Vin----- r
Figura 7.68

7.40 Suponha, na Fig, 7.68, que In = 0,5 mA. A = 0 e Vh =

1 V. Determine os valores de W/L e de Rn para uma


impedncia de entrada de 50 2 e mximo ganho de
tenso (com M, em saturao).
7.41 Um estgio PC com resistncia de fonte Rs emprega

um MOSFET com A > 0. Supondo um valor para


gmro>calcule o ganho de tenso do circuito.
7.42 O estgio PC ilustrado na Fig. 7.69 deve prover uma

impedncia de entrada de 50 i e uma impedncia


de sada de 500 l . Suponha A = 0.
(a) Qual o mximo valor permitido para /
(b) Com o valor calculado em (a), determine o
necessrio valor de W/L.
(c) Calcule o ganho de tenso.
Vqo = 1>8 V

'o u t

7.38 Considere o estgio FC ilustrado na Fig. 7.67, em

que /, define a corrente de polarizao de A/, e C,


muito grande.
(a) Se A = 0 e /, = 1 mA, qual o valor mximo
permitido para Rn para que Mx permanea em
saturao?
(b) Com o valor calculado em (a), determine W/L
para obter um ganho de tenso de 5.

Figura 7.69

7.43 O amplificador PC mostrado na Fig. 7.70 polari

zado por /, = 1 m A. Suponha A = 0 e que C, muito


grande.

29 6

Captulo Sete

(a) Que valor de R coloca o transistor /V/, a 100 mV


da regio de triodo?
(b) Com o valor de Rn obtido em (a), que valor de
W/L faz o circuito prover um ganho de tenso
de 5?

7.45 Considere o circuito da Fig. 7.72, em que um estgio

fonte comum (A/, e Rm) seguido de um estgio


porta comum (M2e Rn2).
(a) Escrevendo v/vin = (vx/vm)(v/vx) e supondo
A = 0, calcule o ganho de tenso total.
(b) Simplifique o resultado obtido em (a) para
Rm * - Explique por que este resultado era
esperado.

DD
D2
OUt

7.44 Determine o ganho de tenso de cada estgio

Figura 7.72

mostrado na Fig. 7.71. Suponha A = 0.


7.46 Repita o Exerccio 45 para o circuito da Fig. 7.73.
VDD

,l3P"> 2DD
[H

rll-> 2

' 1 Kau

D2

D
-oV,out

^ Vi

DD

r *
(b)

(a)

Figura 7.73

7.47 Supondo A = 0, calcule o ganho de tenso do circuito


out

^in

% R0
''out

Wr

mostrado na Fig. 7.74. Explique por que esse estgio


no um amplificador porta comum.

-p. V,DD
(d)

'i
'o u t

^in
Figura 7.74

(e)

Figura 7.71

7.48 Calcule o ganho de tenso do estgio ilustrado na

Fig. 7.75. Suponha A = 0 e que os capacitores so


muito grandes.

Amplificadores C M O S

297

Figura 7.78

7.54 Desejamos projetar o seguidor de fonte da Fig. 7.79

para um ganho de tenso de 0,8, com um oramento


de potncia de 3 mW. Supondo que C, muito grande
e = 0, determine o necessrio valor de W/L.

Figura 7.75

7.49 O seguidor de fonte ilustrado na Fig. 7.76 polari

zado atravs de R(;. Calcule o ganho de tenso se


W/L = 20/0,18 e = 0,1 V

VDD= 1,8 V

^in

Hh

Vnn= 1,8 V
R Gm 50 k2

*1

-Vo, ut

50Q / ? L
Figura 7.79

--------V,out

7.55 Determine o ganho de tenso de cada um dos est

gios mostrados na Fig. 7.80. Suponha A = 0.


Figura 7.76
-T - VDD

7.50 Desejamos projetar o seguidor de fonte da Fig. 7.77

V\n

^in

para um ganho de tenso de 0,8. Se W/L = 30/0,18 e


A = 0, determine a necessria tenso de polarizao
de porta.

out

'out

Vdd=1,8V
(b)

(a)

m.

out

TV
co
'out

Figura 7.77

7.51 O seguidor de fonte da Fig. 7.77 deve ser projetado

com uma tenso de polarizao de porta mxima


de 1,8 V. Calcule o valor de W/L para um ganho de
tenso de 0,8, se A = 0.

(C )

7.52 O seguidor de fonte ilustrado na Fig. 7.78 emprega

uma fonte de corrente. Determine os valores de /,


e de W/L para que o circuito apresente uma impe
dncia de sada menor que 100 i, com V(;s = 0,9 V.
Suponha A = 0.

out
out

7.53 O circuito da Fig. 7.78 deve apresentar uma impe

dncia de sada menor que 50 l, com um oramento


de potncia de 2 mW. Suponha A = 0 e determine o
necessrio valor de W/L.

(e)

Figura 7.80

298

Captulo Sete

7.56 Considere o circuito mostrado na Fig. 7.81, em que

um seguidor de fonte (M, e /,) precede um estgio


porta comum (M2e Rl}).
(a) Escrevendo v j v in = ( v /v in)(voll/vx), calcule o
ganho de tenso total.
(b) Simplifique o resultado obtido em (a) para o
caso gmX = gm2.

de 200 mV. Projete o circuito de modo que a tenso


de sobrecarga (overclrive) do transistor no exceda a
300 mV e , + R2consuma menos de 5% da potncia
alocada. Use as mesmas hipteses do Exerccio 57.

7.61 Projete o circuito da Fig. 7.83 para um ganho de

tenso de 5 e oramento de potncia de 6 mW.


Suponha que a queda de tenso em Rs seja igual
tenso de sobrecarea (overclrive) do transistor e que
Rn = 200 l .

Figura 7.81

Exerccios de P rojetos

Nos exerccios a seguir, a menos que seja especificado de


outra maneira, suponha A = 0.
7.57 Projete o estgio FC mostrado na Fig. 7.82 para um

ganho de tenso de 5 e uma impedncia de sada de


1 kl. Polarize o transistor de modo que o mesmo
opere a 100 mV da regio de triodo. Suponha que
os capacitores sejam muito grandes e Rn = 10 kl.

rr

7.62 O circuito mostrado na Fig. 7.84 deve prover um

ganho de tenso de 6, com Cs funcionando como


uma baixa impedncia nas frequncias de interesse.
Supondo um oramento de potncia de 2 mW e uma
impedncia de entrada de 20 k l, projete o circuito
de modo que
opere a 200 mV da regio de triodo.
Escolha os valores de C, e de Cs para que suas impe
dncias sejam desprezveis em 1 MHz.
VDD' 1,8 V

Vdd = 1.8 V

c2
HI----0 ^out

VinFigura 7.82

^out
-It

s t

Figura 7.84

7.58 O amplificador FC da Fig. 7.82 deve ser projetado

para um ganho de tenso de 5, com um oramento


de potncia de 2 mW. Se
= 1 V, determine o
necessrio valor de W/L. Use as mesmas hipteses
do Exerccio 57.
7.59 Desejamos projetar o estgio FC da Fig. 7.82 para

mximo ganho de tenso, mas com W/L < 50/0,18 e


mxima impedncia de sada de 500 l. Determine
a corrente necessria. Use as mesmas hipteses do
Exerccio 57.
7.60 O estgio degenerado ilustrado na Fig. 7.83 deve

prover um ganho de tenso de 4 com um oramento


de potncia de 2 mW e uma queda de tenso em Rs

7.63 No circuito da Fig. 7.85, M2 funciona como uma

fonte de corrente. Projete o estgio para um ganho


de tenso de 20 e um oramento de potncia de 2
mW. Suponha A = 0,1 V_i para os dois transistores
e que o mximo nvel permitido na sada seja de
1,5 V (isto , M2 deve permanecer em saturao se
7.64 Considere o circuito mostrado na Fig. 7.86, em que

Cw muito grande e A = 0,5A,, = 0,1 V-


(a) Calcule o ganho de tenso.
(b) Projete o circuito para um ganho de tenso de 15
e um oramento de potncia de 3 mW. Suponha

Amplificadores C M O S

R( ** 10(roillr;2) e que o nvel DC da sada deve


ser igual a VDD/2.

de tenso de 5. Suponha um oramento de potncia


de 3 mW.
VDD= 1,8 V

V0D=1,8V
Kdd = 1>8 V

CB
Hl

H t?w 2
Rg

'out

^in----

299

-v.out

Kn---Figura 7.85

Figura 7.86
Figura 7.89

7.65 O estgio FC da Fig. 7.87 incorpora uma fonte de

corrente PMOS degenerada. A degenerao deve


elevar a impedncia de sada da fonte de corrente
a cerca de 10rol9 de modo que o ganho de tenso
permanea praticamente igual ao ganho intrnseco
de A,. Suponha A= 0,1 V 1para os dois transistores
e um oramento de potncia de 2 mW.
(a) Se VH= 1 V, determine os valores de (W/L)2 e
de Rs de modo que a impedncia que se v ao
olhar para o dreno de A2seja igual a 10rOI.
(b) Determine (W/L), para se alcanar um ganho
de tenso de 30.

7.68 Projete o circuito da Fig. 7.90 de modo que A, opere

a 100 mV da regio de triodo e proveja um ganho de


tenso de 4. Suponha um oramento de potncia de
2 mW.
VDD= 1,8 V

Figura 7.90

7.69 A Fig. 7.91 mostra um estgio porta comum auto-

7.66 Supondo um oramento de potncia de l mW e uma

tenso de sobrecarga (overdrive) de 200 mV para


A,, projete o circuito mostrado na Fig. 7.88 para um
ganho de tenso de 4.

polarizado,em que RG 10/?/, e CGfunciona como


uma baixa impedncia, de modo que o ganho de
tenso ainda dado por g,Rn. Projete o circuito para
um oramento de potncia de 5 mW e um ganho de
tenso de 5. Suponha Rs 10/gm, para que a impe
dncia de entrada permanea aproximadamente
igual a 1lg,.

VDD= 1.8V

'out

Figura 7.88

7.67 Projete o estgio porta comum ilustrado na Fig. 7.89

7.70 Projete o estgio PC mostrado na Fig. 7.92 de modo

para uma impedncia de entrada de 50 l e um ganho

que possa acomodar uma excurso de sada de 500

300

Captulo Sete
m Vppy ou seja, Vtml pode cair 250 mV abaixo do seu
valor de polarizao sem levar M, regio de triodo.
Suponha um ganho de tenso de 4 e uma impedncia
de entrada de 50 l. Escolha R s 10/g, e R x + R 2 =
20 ki. (Sugesto: Como A/, polarizado a 200 mV
da regio de triodo, temos RsI n + VCtS - VTI, + 250

7.72 Considere o seguidor de fonte ilustrado na Fig. 7.94.

O circuito deve prover um ganho de tenso de 0,8


em 100 MHz e consumir 3 mW. Projete o circuito de
modo que o ganho de tenso no n X seja igual a
Vn,J2. Suponha que a impedncia de entrada exceda
20 k l.

m V = VIW - IpRp.)

VDD= 1.8 V
M
1

^in

c,
-oV,out

Figura 7.94

7.73 No seguidor de fonte da Fig. 7.95, M2funciona como


7.71 Projete o seguidor de fonte ilustrado na Fig. 7.93

para um ganho de tenso de 0,8 e um oramento de


potncia de 2 mW. Suponha que o nvel DC da sada
seja igual a VniJ2 e que a impedncia de entrada
exceda 10 kl.

uma fonte de corrente. O circuito deve operar com


um oramento de potncia de 3 mW, ganho de tenso
de 0,9 e sada mxima permitida de 0,3 V (ou seja,
M 2 deve permanecer em saturao se V I)S2 ^ 0,3
V). Suponha A = 0,1 V-1 para os dois transistores e
projete o circuito.

^ d =1,8V
Vdd =1,8 V

^in

^in

M-\

- v,out

vout

Vb*
Figura 7.95

Figura 7.93

EXERCCIOS

COM SPICE

Nos exerccios a seguir, use os modelos MOS e dimenses


de fonte/porta dados no Apndice A. Suponha que os subs
tratos dos dispositivos NMOS e PMOS sejam conectados
terra e a Vt)l), respectivamente.
7.74 No circuito da Fig. 7.96, /, uma fonte de corrente

ideal igual a 1 mA.


(a) Calcule, manualmente, o valor de (VV7L), de
modo que gml = (100 l)"1.
(b) Escolha o valor de C, para uma impedncia
~ 100 l ( 1 kl), em 50 MHz.
(c) Simule o circuito e obtenha o ganho de tenso
e impedncia de sada em 50 MHz.
(d) Como o ganho alterado se /, variar de
20%?

T ^ d= 1,8V
'i
-oV,out
VA

10 kQ
1 kQ

^in---II

M1 :
Figura 7.96

7.75 O seguidor de fonte da Fig. 7.97 emprega uma fonte

de corrente de polarizao, M2.


(a) Que valor de Vmcoloca M2 na fronteira da regio
de saturao?

Amplificadores C M O S

(b) Que valor de Vincoloca M xna fronteira da regio


de saturao?
(c) Determine o ganho de tenso se Vin tiver um
valor DC de 1,5 V.
(d) Como o ganho alterado se Vh variar de 50
mV?

301

7.77 Considere o estgio FC mostrado na Fig. 7.99, em

que M2opera como um resistor.


(a) Determine W2de modo que um nvel DC de 0,8
V na entrada produza um nvel DC de 1 V na
sada. Qual o ganho de tenso nessas condi
es?
(b) Que alterao sofre o ganho se a mobilidade
do dispositivo NMOS variar de 10%? Voc
capaz de explicar este resultado usando as
expresses deduzidas para a transcondutncia
no Captulo 6?

'out

Mo

-8 v ^ 4

VDD=1,8V
^
r

0,18

Figura 7.97

'out

7.76 A Fig. 7.98 ilustra uma cascata de um seguidor de

fonte e de um estgio porta comum. Suponha Vh =


1,2 V e (W/L)x = (W/L)2 = 10 /xm/0,18 /xm.
(a) Determine o ganho de tenso se Vin tiver um
valor DC de 1,2 V.
(b) Verifique que o ganho cai se o valor DC de Vin
for maior ou menor que 1,2 V.
(c) Que valor DC na entrada reduz o ganho em 10%
em relao ao valor obtido em (a)?

V in o -d -!2M1 10,18
T
Figura 7.99

7.78 Repita o Exerccio 77 para o circuito ilustrado na

Fig. 7.100 e compare as sensibilidades em relao


mobilidade.
1,8 V

DD

1 kl
'out

n 18
11-----0 Vout
V in<H tdj0_

Figura 7.100

Figura 7.98

C A P I T U L O

8
Amplificador
Operacional como
Caixa-Preta
A expresso amplificador operacional (amp op) foi
cunhada nos anos 1940, muito antes da inveno do
transistor e de circuitos integrados. A m p ops reali
zados com vlvulas a vcuo1eram o ncleo de inte
gradores e diferenciadores eletrnicos e de outros
circuitos que formavam sistemas cujo comportamento
seguia certas equaes diferenciais. Esses circuitos,
cham ados com putadores analgicos, eram usados
para o estudo da estabilidade de equaes diferen
ciais que surgiam em reas como sistemas de controle
ou de potncia. Com o cada am p op im plem entava
uma operao m atem tica (p. ex., integrao), foi
criada a expresso amplificador operacional.

A m p ops tm larga aplicao em circuitos ele


trnicos discretos e integrados da atualidade. No
telefone celular estudado no Captulo 1, por exem
plo, amp ops integrados atuam como blocos funda
m entais de filtros (ativos). D e m odo similar, am p
ops so, com frequncia, em pregados no(s) con
v erso res) analgico-digital(is) usado(s) em cmeras
digitais.
N este captulo, estudarem os o am plificador
operacional com o uma caixa-preta e desenvolve
remos circuitos baseados em amp ops para executar
funes interessantes e teis. O roteiro que segui
remos m ostrado a seguir.

'Vlvulas a vcuo eram dispositivos amplificadores que consistiam em um filamento que liberava eltrons, uma placa que os reco
lhia e uma outra que controlava o fluxo - um pouco parecido com MOSFETs.

302

Amplificador Operacional como Caixa-Preta

303

estudados nos Captulos 5 e 7 tm apenas um n de


en trad a (ou seja, o sinal de en trad a am ostrado
em
relao terra). Como ser visto ao longo deste
O amplificador operacional pode ser representado,
de m aneira abstrata, com o um a caixa-preta com captulo, a principal propriedade de amp ops, Voul =
duas entradas e uma sada.2 O smbolo de amp op, M v m Vin2), constitui a base de diversas topolom ostrado na Fig. 8.1 (a), distingue as duas entradas gias de circuitos, cuja realizao seria difcil com um
pelos sinais mais e menos; Vjt e Vin2 so chamadas, amplificador de caracterstica VM = AV,,,. Circuitos
respectivam ente, entradas no inversora e inver- amplificadores com duas entradas so estudados no
sora. Vemos o amp op como um circuito que ampli Captulo 10.
Como se com porta um amp op ideal? Um amp
fica a diferena entre as duas entradas e obtem os o
circuito equivalente ilustrado na Fig. 8.1 (b). O ganho op ideal prov ganho de tenso infinito, impedncia
de entrada infinita, impedncia de sada nula e velo
de tenso representado por A 0:
cidade infinita. Na verdade, a anlise de prim eira
(8 .1) ordem de um circuito baseado em amp op comea,
Vou, = A 0(Vm - VM ).
em geral, com esta idealizao, que revela rapida
m ente a funo bsica do circuito. Podemos, depois,
interessante desenhar o grfico de VOMem funo considerar o efeito das no idealidades do amp op
de uma entrada, enquanto a outra permanece em zero. no desem penho do circuito.
Com V/f,2 0, tem os Vmu A 0VM, o que resulta no
O ganho m uito alto do am p op leva a uma
com portamento mostrado na Fig. 8.2(a). A inclinao observao im portante. C om o circuitos realistas
positiva (ganho) coerente com o rtulo no inver produzem excurses de sada finitas, por exemplo,
sora'' dado a Vn. Se, por sua vez, VM = 0, VM= - A 0Vin2 2 V, a diferena en tre Vini e Vln2 na Fig. 8.1 (a)
[Fig. 8.2(b)], o que revela uma inclinao negativa e, sem pre pequena:
portanto, um com portam ento de inverso.
O leitor pode se p erg u n tar por que o am p op
(8 .2 )
VM - VM =
tem duas entradas. Afinal, os estgios amplificadores
Ao

8.1

C O N S ID E R A E S G ER A IS

2Nos modernos circuitos integrados, em geral amp ops tm duas sadas que variam de maneiras iguais e opostas.

304

Captulo Oito

Em outras palavras, o am p op e os circuitos que o


envolvem tornam as entradas VhA e Vin2 prximas uma
da outra. Seguindo a idealizao anterior, podemos
dizer que Vinl = Vin2 se A 0 = .
Um erro comum consiste em interpretar Vinl =
Vj2 como se os dois term inais VM e V,2 estivessem

Exem plo
8.1

conectados um ao outro em curto-circuito. Devemos


ter em m ente que a diferena VM ~ K,2 se torna
apenas infinitamente pequena medida que /40-* ,e
no se pode supor que seja exatamente igual a zero.

O circuito mostrado na Fig. 8.3 chamado buffer de ganho unitrio. Notemos que a sada conec
tada entrada inversora. Determinemos a tenso de sada se VM = + 1 V e A 0 = 1000.
A 0 = 1000
+1V

'out

i
Figura 8.3

Soluo

Buffer dc ganho unitrio.

Se o ganho de tenso do amp op fosse infinito, a diferena entre as duas entradas seria zero e
Voul = Viin o que justifica a expresso buffer de ganho unitrio. Para um ganho finito, escrevemos
Voul = Ao(Vinl - Vin2)

(8.3)

= A 0(Vin- V oul).

(8.4)

Ou seja.
Voiu

Aq

(8.5)

Como se esperava, o ganho tende unidade medida que A aumenta. Neste exemplo, A> = 1000,
V, = 1 V e Voul = 0,999 V. De fato, VM - Vin2 pequeno em relao a V, e V,.
Exerccio

Que valor de A necessrio para que a tenso de sada seja igual a 0,999V?

A m p ops so, s vezes, representados como


m ostra