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Disciplina: Materiais Eltricos e

Magnticos.

Prof. Sandro R. Zang Sala 116-2


Departamento das Engenharias de Telecomunicaes e Mecatrnica (DETEM)
Universidade Federal de So Joo del-Rei (UFSJ)
Campus Alto Paraopeba - Ouro Branco/MG

Introduo

Materiais Eltricos e Magnticos Prof. Sandro R. Zang

Introduo

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Introduo

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Introduo

Conduo Eltrica: Resultado do movimento


de portadores de carga (eltrons) dentro do
material;

A facilidade ou dificuldade de conduo


eltrica de um material est associada ao
conceito de nveis de energia.

Nos materiais slidos, nveis de energia


discretos do origem as bandas de energia.

o espaamento relativo dessas bandas que


determina a magnitude da condutividade.
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Introduo

Condutores: metais que possuem grande valor de


condutividade.

Isolantes: Cermicas, vidros e polmeros, possuem


pequenos valores de condutividade.

Semicondutores: possuem valores intermedirios


de condutividade.
Banda de conduo
vazia

Banda de conduo
completa ou
parcialmente cheia ou
superposta

Banda de conduo
vazia

Banda de valncia
completa

Banda de valncia
completa

Banda de valncia
completa

Condutores

Semicondutores

Isolantes

~ 4 eV

> 4 eV

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Semicondutores

Semicondutores: possuem valores intermedirios


de condutividade ().

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Semicondutores

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Semicondutor Intrnseco

Semicondutor Silcio (Si):

slido
com
ligaes
covalentes e com estrutura
cbica semelhante ao do
carbono .

A diferena que o Si
possui espaamento entre
as bandas menor (Eg=1,107
eV, em comparao com ~
6 eV do carbono!
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Semicondutor Intrnseco

Semicondutor Silcio (Si):


O resultado que, na
temp. ambiente (298K) a
energia trmica promove
um nmero significante de
eltrons da banda de
valncia para a banda de
conduo.
Cada promoo de eltron
cria um par de portadores
de carga (par eltronburaco)
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Semicondutor Intrnseco

Semicondutor Silcio (Si):


Consequentemente,
buracos so produzidos na
banda de valncia em igual
nmero de eltrons na
banda de conduo.
Esses
buracos
portadores
de
positiva!

so
carga

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Semicondutor Intrnseco

Semicondutor Silcio (Si):


Com nmero moderado de
portadores
de
carga
positiva e negativa o Si
apresenta
uma
condutividade
eltrica
moderada, intermedirio
entre os metais e os
isolantes.

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Semicondutor Intrnseco

Semicondutores (): A densidade de eltrons

igual densidade de lacunas.

nq e h

(-1.m -1)

e Mobilidade dos eltrons.


h Mobilidade dos buracos.

Sn (estanho)

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Semicondutor Intrnseco

Temperatura

condutividade ()

Temperatura

Si

condutividade ()
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Semicondutor Intrnseco

Aumenta T :
estende a funo de
Fermi,

aumenta a
sobreposio das
caudas da curva

logo, tem-se mais


portadores de carga;
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Semicondutor Intrnseco

A dependncia da
condutividade com a
temperatura
segue
um mecanismo de
ativao trmica;

A
densidade
de
portadores aumenta
exponencialmente
com a temperatura:

ne

Eg
2 kT
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Semicondutores

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Condutores (Relembrando...)

Resistividade () com o

de impurezas ( Linear):
Cobre com impurezas

0 1 x

0 Resistividade do material
puro;

x quantidade de impureza

constante para o sistema


impureza-metal (inclinao
da reta);

Temperatura fixa de 20C

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Semicondutor Extrnseco

Adio de impurezas (dopagem) no material puro;


Tipo N = quando portadores de cargas negativas
predominam;
Tipo P = quando portadores de cargas positivas
predominam;

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Semicondutor Extrnseco

Semicondutor intrnseco dopado com


elementos da famlia 5 Fsforo (5 eltrons de
valncia);

Isso afeta a estrutura da banda de energia.

4 eltrons de valncia do fsforo so necessrios


para a ligao com 4 eltrons do Silcio.

O eltron extra relativamente instvel e produz


um nvel doador (Ed) perto da banda de
conduo.
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Semicondutor Extrnseco

A barreira de energia para formar um eltron de


conduo (Eg Ed) consideravelmente menor
que no material intrnseco (puro) - Eg.

Desloca para cima

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Semicondutor Extrnseco

Os eltrons de conduo fornecidos pelos


tomos da famlia 5A so os portadores de carga
mais numerosos, logo:

nqe

n nmero de eltrons devido aos tomos dopantes


e Mobilidade dos eltrons.

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Semicondutor Extrnseco

Semicondutor intrnseco dopado com elementos da


famlia 3 Alumnio / Boro (3 eltrons de
valncia);
Isso afeta a estrutura da banda de energia.
3 eltrons de valncia deixam o Alumnio / boro
com 1 eltron a menos que o necessrio para a
ligao com os 4 eltrons do Silcio.
O resultado o surgimento de um nvel receptor (Ea)
perto da banda de valncia.
Um eltron de valncia do silcio pode facilmente ser
promovido para esse nvel receptor (Ea) gerando um
buraco.

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Semicondutor Extrnseco

A barreira de energia para formar um portador


de carga (Ea) consideravelmente menor que
no material intrnseco (puro) - Eg.

Desloca para baixo

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Semicondutor Extrnseco

Os buracos (lacunas) so os portadores de carga


mais numerosos, logo:

nqh

n densidade dos buracos


h Mobilidade dos buracos.

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Semicondutor Extrnseco

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Semicondutor Extrnseco
Exemplo: Em um Silcio tipo N dopado com fsforo, o
nvel de Fermi (EF) deslocado para cima em 0,1 eV. Qual
a probabilidade de um eltron ser promovido termicamente
para a banda de conduo no silcio (Eg = 1,107 eV) na
temperatura ambiente (25 C).

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Semicondutor Extrnseco
Exemplo: Em um Silcio tipo N dopado com fsforo, o
nvel de Fermi (EF) deslocado para cima em 0,1 eV. Qual
a probabilidade de um eltron ser promovido termicamente
para a banda de conduo no silcio (Eg = 1,107 eV) na
temperatura ambiente (25 C).
1,107
0,1 0, 4535 eV
E EF
2
1
1
f E E E / kT
0,4535/(86,2106 298)
e F 1 e
1
f E 2, 2 108

bem maior que a do Si puro (4,39x10-10).


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Semicondutores

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Semicondutores Compostos

Elementos que geralmente se parecem com


elementos do grupo 4 A;

Eletronicamente esses compostos se agrupam


nas caractersticas da famlia 4A;

compostos III-V: tm composies MX, com


M sendo um elemento de valncia 3+ e X sendo
um elemento de valncia 5+; A mdia de 4+ se
iguala valncia do grupo IV A.
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Semicondutores Compostos

Compostos

II-VI: combinam um
elemento de valncia 2+ com um
elemento de valncia 6+.

Uma

boa regra para os compostos


semicondutores ter uma mdia de 4
eltrons de valncia por tomo.

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Semicondutores Compostos

Os semicondutores Compostos III-V e Compostos II-VI


puros so intrnsecos e podem se tornar extrnsecos
atravs de dopagem;

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Semicondutores Compostos

Os semicondutores Compostos III-V e Compostos II-VI


puros so intrnsecos e podem se tornar extrnsecos
atravs de dopagem;

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Semicondutores

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Semicondutores Amorfos

Semicondutores no cristalinos;

Tecnologia em desvantagem em relao aos


cristalinos (menos desenvolvida);

Entretanto, so bastante utilizado no mercado


fotovoltaico (clulas solares), relgios solares,

Processo de fabricao mais barato, eficincia


mais baixa;
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Semicondutores

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Dispositivos Semicondutores

Circuitos miniaturizados so
resultados
da
combinao
criativa de materiais do tipo N e
P.
juno P-N.

b)
Polaridade
reversa:
idealmente, no tem corrente,
apenas uma corrente mnima
devido a portadores de carga
intrnsecos.

c) Polaridade direta: eltrons


preenchem
as
lacunas
continuamente corrente.
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Dispositivos Semicondutores

Circuitos miniaturizados so
resultados
da
combinao
criativa de materiais do tipo N e
P.
juno P-N.

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Dispositivos Semicondutores

juno P-N-P (BJT Trans. Juno Bipolar).


Se a regio de base for estreita (1m largura) o suficiente, um
grande nmero de buracos passar pela juno 2;
Uma vez no coletor, os buracos se movem livremente, como
portadores majoritrios de cargas;
Como resultado, a corrente no coletor uma funo
exponencial de Ve:

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Dispositivos Semicondutores

fonte de corrente os eltrons.

Transistor de Efeito Campo!

Funciona com a aplicao de uma tenso negativa na Porta, que


gera um campo no Canal-p de material N.
Esse campo atrai buracos para esse Canal-p, torne-se condutor;
Fazendo com que o material Tipo N (canal-p) se comporte com
Tipo P, pelo efeito campo, tornando o dispositivo condutor.
SiO2
Slica Vtria
(Isolante)

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Dispositivos Semicondutores

A frequncia de operao est limitada pela mobilidade


eletrnica dos materiais (e).

Diminuir a largura da Porta Canal-p (Canal-n)


mnimo atual de 0,1m.

Ou usar materiais com mobilidade eletrnica (e) maior

Ex: GaAs alto custo e tecnologia de processo mais


difcil
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Dispositivos Semicondutores

Wafer de Silcio: milhares de chips

Aplicao de padres precisos de


dopagem difusveis do tipo N e P,

permite
produzir
diversos
elementos (transistores, diodos,
etc)

dentro de um nico chip de silcio


monocristalino.

Substituio
vlvulas!!!

das

antigas
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