Tema 3.

Propiedades elctricas de los

materiales
1.

Generalidades

2.

Conductividad elctrica

3.

Metales
Aislantes (cermicos) y polmeros
Semiconductores

Aislantes y propiedades dielctricas

05/10/2005

Portadores elctricos y enlace atmico

Teora de bandas

Aislamiento elctrico
Polarizacin y constante dielctrica
Piezoelectricidad y ferroelectricidad

ndice

Importancia de las propiedades elctricas

En materiales conductores, p.ej. metales (hilo de cobre), se precisa

una alta conductividad elctrica para transportar corriente elctrica y
energa sin prdidas
En materiales aislantes, p.ej. cermicos o polmeros, se precisa una
conductividad elctrica muy baja (dielectricidad) para impedir la
ruptura dielctrica del material y los arcos elctricos entre
conductores
En materiales semiconductores:
P.ej.: dispositivos fotoelctricos. Se necesita optimizar sus propiedades
elctricas para que con ellos se puedan fabricar fuentes prcticas y
eficientes de energas alternativas
P. ej. Transistores, circuitos lgicos, etcEl estudio y posterior mejora
de sus propiedades elctricas permite la fabricacin de chips y
ordenadores ms rpidos y pequeos.

05/10/2005

Generalidades

Los portadores elctricos y el enlace atmico (I)

La carga elctrica (y su movimiento) es la responsable de las

propiedades elctricas de un material
Tipos de cargas elctricas mviles en un material: electrones,
huecos (espacios dejados por los electrones) e iones
Tipos de enlaces segn los materiales:
Metlico: los electrones estn compartidos por todos los ncleos
atmicos del material (nube electrnico). Facilidad de movimiento.
Covalente: los electrones estn compartidos por un par de tomos. Alto
grado de localizacin electrnica y gran dificultad de movimiento por el
material.
Inico: iones positivos y negativos forman el material mediante fuertes
interacciones electrostticas, por tanto, los electrones tienen una gran
dificultad de movimiento por el material.

05/10/2005

Generalidades

Los portadores elctricos y el enlace atmico (II)

Movimiento de la
carga elctrica
(segn el tipo de
enlace atmico)

Movimiento de la carga elctrica en el interior de un

material (modelo microscpico)
a) En ausencia de un campo elctrico externo: movimiento
aleatorio (colisiones
r con el entorno) sin direccin espacial
preferente < v > = 0
b) En presencia de un campo elctrico externo, E: la carga
elctrica se desplaza por el material por medio de colisiones
con el entorno y en una direccin resultante paralela a E

r
< v > 0 I 0 corriente elctrica

05/10/2005

Generalidades

Modelo microscpico de la conduccin elctrica (I)

1.

En su movimiento por el material, las cargas elctricas colisionan

con su entorno:

Red de ncleos atmicos y sus vibraciones (dependientes de la

temperatura)
Imperfecciones de la red de ncleos: defectos puntuales (impurezas,
vacantes), defectos de lnea (dislocaciones) y defectos de superficie
(fronteras de grano, lmites de la muestra, maclas,)
Resto de las cargas elctricas
..

2.
3.

Las colisiones se resisten al movimiento libre de la carga elctrica

y limitan su velocidad hasta cierto valor mximo, vm
El tipo y nmero de colisiones depende, por tanto, de la
estructura cristalina del material y de la temperatura. Propiedad
intrnseca del material, resistividad elctrica, .

05/10/2005

Generalidades

Modelo microscpico de la conduccin elctrica

(II)
1.

2.

3.

Para un material de longitud l, seccin A y resistividad

elctrica , la resistencia elctrica total que ofrece al
movimiento de la corriente elctrica es R
En cada colisin las cargas elctricas pierden cierta
energa cintica que debemos reponer si queremos
mantener una corriente elctrica constante, I. La energa
necesaria para cada carga es V (ley de Ohm):
La energa perdida por toda la corriente elctrica I en un
tiempo t se transfiere al material cuya temperatura se
eleva y comienza a irradiar calor (efecto Joule)
l
1) R =
A
2) V = IR
3) E = RI 2t

05/10/2005

Generalidades

Modelo microscpico de la conduccin elctrica

(III)

Algunos parmetros tiles:

Conductividad elctrica,
=1/
La densidad de corriente
elctrica por unidad de
rea: J=nqvm, o bien,
J=E
La movilidad de los
portadores, =vm/E, o
bien, =/nq

Sin embargo, este modelo no explica las

diferencias entre las propiedades
elctricas de los distintos metales (p.ej.)
TEORA DE BANDAS
05/10/2005

Generalidades

Teora de bandas en la conduccin elctrica (I)

Niveles electrnicos en un tomo aislado

Orbitales s, p, d, f: niveles de energa discretos y nmeros cunticos

Ocupacin de los orbitales: Principio de exclusin de Pauli (dos electrones en cada
distinto nivel de energa)

Niveles electrnicos en un slido

(unin de N tomos, donde N es del
orden de 1023)
Necesidad de superponer N orbitales s,
N orbitales p, N orbitales d
Ocupacin de los N orbitales: Principio
de exclusin de Pauli (dos electrones en
cada distinto nivel de energa).
Los orbitales de cada tomo deben,
por tanto, diferenciarse levemente de los
de otro tomo para que el slido pueda
contener los 2N electrones
Ensanchamiento de los orbitales en
una banda (o rango de energas)

05/10/2005

Generalidades

Teora de bandas en la conduccin elctrica (II)

Los electrones del slido rellenan

progresivamente las bandas de menor a
mayor energa.
Las bandas internas llenas NO colaboran al
transporte de carga elctrica pues no hay
posibilidad de excitar un electrn a otro nivel
vaco.
La banda externa o ltima S puede colaborar
a las propiedades elctricas del material:
Banda externa llena: los electrones
pueden ser excitados a otra banda
superior (necesariamente vaca)
Banda externa no llena: los electrones
pueden ser excitados a niveles
energticos superiores (vacos) de la
misma banda o a otra banda superior
(necesariamente vaca)

05/10/2005

Generalidades

Teora de bandas en la conduccin elctrica (III)

La ltima banda de orbitales electrnicos de un slido que contenga

electrones se denomina banda de valencia
La primera banda de orbitales electrnicos de un slido que contenga
niveles de energa vacos (no ocupados) se denomina banda de
conduccin
La energa del ltimo nivel energtico ocupado a T=0 K se denomina
energa de Fermi
Conduccin elctrica de carga: un aporte de energa adicional excita a los
electrones de la banda de valencia hasta los niveles de la banda de
conduccin:
-La carga elctrica podr ser transportada por
dichos electrones de la banda de conduccin o
por los huecos dejados en la banda de valencia
(corriente elctrica de electrones o huecos)
-La fuente de energa adicional puede ser la
excitacin trmica o la aplicacin de un
potencial elctrico externo

05/10/2005

Generalidades

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La conductividad elctrica en los metales (I)

Estructura de bandas de los metales
de la columna IA (tabla peridica),
p.ej. el sodio
En el caso del sodio, 1s22s22p63s1
La ltima banda s est semillena
(banda de valencia) y muy lejos de
la siguiente banda p. Existe entre
ellas una gran diferencia
energtica: gap de energa
Sin embargo, los electrones (3s)
son excitados muy fcilmente
dentro de la misma banda a los
niveles vacos.
La banda 3s es, simultneamente,
la banda de valencia y de
conduccin
Alta conductividad elctrica

05/10/2005

La conductividad elctrica en los metales

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La conductividad elctrica en los metales (II)

Estructura de bandas de los metales de la columna IIA (tabla peridica), p.ej. el
magnesio
En el caso del Magnesio, 1s22s22p63s23p0
La ltima banda s est llena y se solapa con la ltima banda p vaca (bandas de
valencia y conduccin mezcladas).
Los electrones (3s) son excitados muy fcilmente a niveles vacos superiores y
muy cercanos (3p). Alta conductividad elctrica

Estructura de bandas de los metales de la columna IIIA (tabla peridica), p.ej.

el aluminio
En el caso del Magnesio, 1s22s22p63s23p1
La ltima banda s est llena y se solapa con la ltima banda p semillena
(bandas de valencia y conduccin mezcladas).
Los electrones (3s y 3p) son excitados muy fcilmente a niveles vacos
superiores y muy cercanos (3p). Alta conductividad elctrica.

05/10/2005

La conductividad elctrica en los metales

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La conductividad elctrica en los metales (III)

Estructura de bandas de los metales
de transicin
Columnas IIIB hasta VIIIB, (p.ej.
desde el Sc hasta el Ni):
Banda d parcialmente ocupada
Solapamiento d-s
Interacciones magnticas que
dificultan la conductividad elctrica
(orbitales f)

Columna IB: Cu, Ag y Au

Banda d llena: electrones d
fuertemente ligados al ncleo
Banda s semillena: electrones s
dbilmente ligados al ncleo
No hay solapamiento d-s. LA
conduccin (alta) se debe a los
electrones s.

05/10/2005

La conductividad elctrica en los metales

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La conductividad elctrica en un metal con

defectos
En un metal puro la conductividad elctrica est determinada por su
estructura de bandas. El valor de depende del nmero de
portadores y de la movilidad de los mismos, .
El valor de depende a su vez de la velocidad de desplazamiento de
las cargas elctricas dentro del material.
En un metal real (con defectos) la movilidad y velocidad de las cargas
elctricas depende crticamente del nmero y tipo de defectos
estructurales.
A mayor nmero de defectos, menor distancia entre colisiones, menor
movilidad y menor conductividad elctrica.
Factores que afectan a la conductividad elctrica:
La temperatura
Las imperfecciones de la red cristalina
El procesamiento y endurecimiento del material

05/10/2005

La conductividad elctrica en los metales

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Factores que afectan a la conductividad elctrica (I)

Los electrones se desplazan por el material como ondas electromagnticas
que ajustan su periodicidad a la de la red cristalina. Cualquier
irregularidad en esta red cristalina provoca una dispersin (colisin) de
dicha onda electrnica y, por tanto, una disminucin de su movilidad y
velocidad (disminucin de la conductividad elctrica).

La temperatura
Un aumento de la temperatura del material supone un aumento de la energa de
vibracin de los tomos de la red cristalina. Los tomos oscilan en torno a sus
posiciones de equilibrio y dispersan a las ondas electrnicas.
Disminucin de la movilidad de los electrones y de la conductividad elctrica.
Aumento lineal de la resistividad elctrica con la temperatura.
T=r(1+aT)

05/10/2005

La conductividad elctrica en los metales

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Factores que afectan a la conductividad elctrica (II)

Las imperfecciones de la red

Los defectos reticulares (vacantes, impurezas, dislocaciones, fronteras de grano,)
son irregularidades de la red cristalina y, por tanto, dispersan las ondas
electrnicas.
Aumento de la resistividad del material: dependiente del nmero de imperfecciones
e independiente de la temperatura
Ejemplo: resistividad, D, debida a una fraccin atmica de tomos de solucin
slida o de impurezas presentes en el material, x.
D=b(1-x)x

05/10/2005

La conductividad elctrica en los metales

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Factores que afectan a la conductividad elctrica (III)

El procesamiento y endurecimiento de un material

Todos los mecanismos de procesamiento de un material destinados a aumentar su
resistencia mecnica se basan en la creacin de irregularidades cristalinas en el
material. Por tanto, todos estos mtodos de procesamiento aumentan a su vez
la resistividad elctrica.
Endurecimiento por solucin slida: introduccin de impurezas o vacantes
Endurecimiento por dispersin o envejecimiento: introduccin de precipitados en
el material
Endurecimiento por deformacin en fro: creacin de dislocaciones
Endurecimiento por control del tamao de grano: creacin o aumento de
fronteras de grano
Los mtodos de endurecimiento del material son ms o menos perjudiciales para la
conductividad elctrica del material segn sean las distancias entre las
irregularidades introducidas: distancias pequeas, menor movilidad de los
electrones y mayor resistividad elctrica
Los mtodos de reblandecimiento de los materiales (templados) disminuyen las
irregularidades internas del material y mejoran sus propiedades elctricas
conductoras

05/10/2005

La conductividad elctrica en los metales

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La conductividad elctrica en cermicos y

polmeros (I)

Estructura de bandas en los materiales aislantes (cermicos y

polmeros)
Fuertes enlaces covalente o inicos
La banda de valencia est llena y muy alejada energticamente de la banda
de conduccin. El gap es tan grande que los electrones no pueden ser
excitados para el transporte o conduccin de la carga elctrica.
Aislantes elctricos

f (E) =
05/10/2005

e ( E EF )/ kT + 1
La conductividad elctrica en cermicos y polmeros

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La conductividad elctrica en cermicos y

polmeros (II)

Conduccin en materiales inicos (cermicos)

Medio alternativo de transporte de carga elctrica: difusin o

movimiento de iones
La movilidad de los iones es varios rdenes de magnitud menor que
la de los electrones: i=ZqD/kT
Conductividad elctrica inica es muy pequea: i=nZqi
Las impurezas y vacantes aumentan la conductividad inica
a)
b)

05/10/2005

Las impurezas pueden tambin difundirse y ayudar al movimiento de los

iones (o de la corriente elctrica)
Las vacantes son necesarias para la difusin substitucional de los iones

El aumento de la temperatura favorece la difusin y, por tanto, la

conductividad inica

La conductividad elctrica en cermicos y polmeros

19

La conductividad elctrica en cermicos y

polmeros (III)

Conduccin en polmeros
Habitualmente son materiales aislantes, p.ej. los plsticos
Mtodos para la reduccin de la resistividad elctrica en un polmero:
1.
Adicin de compuestos inicos, precipitados o impurezas en la matriz
polimrica:

2.

Fabricacin de polmeros con una buena conductividad elctrica inherente:

05/10/2005

Los iones migran a la superficie del polmero, atraen la humedad y sta disipa la
electricidad esttica (materiales protectores para las descargas elctricas)
Polmeros con fibras de carbono recubiertas de nquel / Polmeros con una mezcla
hbrida de fibras metlicas y de carbono, vidrio o aramidas: materiales con elevada
rigidez y conductividad elctrica, materiales de proteccin contra la radiacin
electromagntica
Dopado de polmeros con impurezas con exceso/defecto de electrones: la carga
elctrica se desplaza saltando de un tomo a otro de la cadena
Proceso de ligadura cruzada de las cadenas polimricas: la carga elctrica se
mueve fcilmente de una cadena a otra

La conductividad elctrica en cermicos y polmeros

20

La conductividad elctrica en semiconductores (I)

Estructura de bandas en materiales

semiconductores: C, Si, Ge y Sn (columna
IVA)
Dos electrones en los ltimos orbitales s y otros
dos en los ltimos orbitales p (ns2 np2)
Hibridacin s-p en cada tomo: se forman
cuatro orbitales para ocho electrones (dos
llenos y dos vacos)
En el material se forman dos bandas, una con
4N niveles energticos llenos (banda de
valencia) y otra con 4N niveles energticos
vacos (banda de conduccin)
Diferencia de energa entre ambas bandas es el
gap de energa semiconductor, Eg.

05/10/2005

La conductividad elctrica en semiconductores

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La conductividad elctrica en semiconductores (II)

La conduccin elctrica en los semiconductores intrnsecos, Si y Ge

Un aporte de energa trmica o una diferencia de potencial externa es
suficiente para que un nmero ne de electrones de la banda de valencia
salte el pequeo gap semiconductor y llegue a la banda de conduccin.
En la banda de valencia se formar (o quedar) un nmero idntico de
huecos nh
En esta situacin, la carga elctrica es transportada por los ne electrones
(corriente elctrica negativa) y los nh huecos (corriente elctrica
positiva)
La conductividad elctrica ser: =neqe+nhqh=nq(e+h)

05/10/2005

La conductividad elctrica en semiconductores

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La conduccin elctrica en los semiconductores intrnsecos, Si y Ge

(continuacin)

Efecto de la temperatura o la diferencia de

potencial
Al aumentar el aporte energtico, aumenta el
nmero de electrones que pueden superar
el gap semiconductor y, por tanto la
conductividad elctrica de un material
semiconductor intrnseco
El nmero de electrones (o huecos) que a una
temperatura dada, T, supera la barrera
energtica del gap es (segn una ley tipo
Arrhenius):
ne= nh= n0exp(-Eg/2kT)
La conductividad del semiconductor intrnseco
ser:
=noq(e+h)exp(-Eg/2kT)
Aumenta con la temperatura!

05/10/2005

La conductividad elctrica en semiconductores

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La conduccin elctrica en los semiconductores

extrnsecos
Los semiconductores extrnsecos son semiconductores intrnsecos (Si o Ge)
con un pequeo contenido de impurezas:
a)
b)

Impurezas con exceso de electrones respecto al Si o al Ge, p.ej. los

elementos de la columna VA con cinco electrones, N, P, As y Sb
Impurezas con defecto de electrones respecto al Si o al Ge, p.ej. los
elementos de la columna IIIA con tres electrones, B, Al y Ga

El electrn o hueco en exceso est dbilmente ligado al ncleo de la impureza

y, por tanto, puede ser excitado muy fcilmente.
Estructura de bandas de un
semiconductor extrnseco con
impurezas donoras (con exceso
de electrones), llamado tipo n
El electrn extra slo debe superar
un gap muy pequeo, Ed para
acceder a la banda de
conduccin.
05/10/2005

La conductividad elctrica en semiconductores

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La conduccin elctrica en los semiconductores

extrnsecos (continuacin)

Estructura de bandas de un semiconductor extrnseco con impurezas

aceptoras (con defecto de electrones o exceso de huecos), llamado tipo p
El hueco extra slo debe superar un gap muy pequeo, Ea para acceder a la banda
de valencia.

Las impurezas aaden al semiconductor intrnseco un nivel de energa adicional el

que se sitan los electrones o huecos extras:
a) muy cerca de la banda de conduccin (electrones de las impurezas
donoras)
b) muy cerca a la banda de valencia (huecos de las impurezas aceptoras)
05/10/2005

La conductividad elctrica en semiconductores

25

La conduccin elctrica en los semiconductores

extrnsecos (continuacin)

Efecto de la temperatura o la diferencia de potencial

Un aporte energtico puede ahora excitar: a) electrones de las impurezas (muy
fcilmente, gap pequeo) y b) electrones del semiconductor intrnseco
(difcilmente, gap grande)
El nmero de electrones o huecos excitados a una temperatura T ser:

Eg
E

ntotal = nimpurezas + nintrnseco = n0 exp d + 2n0 exp

kT
kT
Dado que Eg>>Ed, a temperaturas no muy
altas los electrones o huecos excitados
provendrn mayoritariamente de las
impurezas y, por tanto, ntotal es
aproximadamente nimpurezas.

Ed

nimpurezas q e = q e n0 exp
kT

05/10/2005

La conductividad elctrica en semiconductores

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La conduccin elctrica en los compuestos

semiconductores
Semiconductores estequiomtricos: formados con elementos de estructuras
cristalinas y de bandas muy similares al Si y al Ge.
Ejemplos clsicos: compuestos formados con elementos de la columna IIIA (ns2np1) y
VA (ns2np3)
Hibridacin de los orbitales s-p (cuatro por tomo) y formacin de dos bandas en todo el
material con 4N orbitales disponibles cada una de ellas: la de valencia llena y la
de conduccin vaca.
Existencia de gap en el compuesto semiconductor
Posibilidad de dopar (tipo n o p) al compuesto semiconductor
Altas movilidades de los portadores de carga en estos compuestos, alta conductividad
elctrica

05/10/2005

La conduccin elctrica en semiconductores

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La conduccin elctrica en los compuestos

semiconductores (continuacin)
Semiconductores no estequiomtricos o imperfectos: compuestos inicos que
tienen un exceso de aniones(-) (produciendo un semiconductor tipo p) o
cationes(+) (produciendo uno tipo n)
Habitualmente xidos y sulfuros
1.
Ejemplo: ZnO (aislante) con exceso de Zn. Los tomos extra de Zn se ionizan
(Zn2+) y quedan libres los electrones. Semiconductor tipo n (exceso de
electrones)
2.
Ejemplo: FeO (aislante) donde se substituyen tres iones Fe2+ por dos iones
Fe3+. Creacin de una vacante en el material aceptora de electrones.
Semiconductor tipo p (defecto de electrones)

05/10/2005

La conduccin elctrica en semiconductores

28

Aplicaciones de los semiconductores (dispositivos

elctricos) (I)

Termistores: basados en la fuerte dependencia trmica de la conductividad

elctrica de los semiconductores
Ejemplos: termmetros, alarmas contra incendio (un aumento brusco de la
temperatura provoca una gran variacin de corriente elctrica en el termistor, lo
que permite activar la alarma)

Transductores (medidores) de presin: al aplicarse presin sobre un

semiconductor, sus tomos y sus estructura de bandas se comprimen,
disminuyendo el gap semiconductor. Esto hace que la conductividad y la
corriente elctrica aumenten bajo la accin de una presin mecnica
Ejemplo de
semiconductor
no
estequiomtrico
o imperfecto

05/10/2005

La conduccin elctrica en semiconductores

29

Aplicaciones de los semiconductores

(dispositivos elctricos) (II)

Diodos o dispositivos de unin p-n: rectificadores de corriente

05/10/2005

La conduccin elctrica en semiconductores

30

Aplicaciones de los semiconductores (dispositivos

elctricos) (III)

Transistores o uniones n-p-n/p-n-p: amplificacin de corriente,

puertas o dispositivos lgicos (circuitos integrados, chips de
memoria, microprocesadores,)

05/10/2005

La conduccin elctrica en semiconductores

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Aislantes y propiedades dielctricas

Aislamiento elctrico
En un gran nmero de aplicaciones elctricas y electrnicas se necesita
materiales que impidan el paso de corriente elctrica o la aslen: aislantes
cermicos y plsticos (polmeros).
Alta resistencia elctrica y muy baja conductividad elctrica.
Gap energtico entre las bandas de conduccin y de valencia muy grande.
Comportamiento dielctrico.
Bajo altos campos o voltajes elctricos, un material dielctrico puede perder
su capacidad para impedir el paso de corriente elctrica entre dos
conductores, ruptura dielctrica.
Espesor del dielctrico muy pequea, d
Campo o voltaje elctrico aplicado excesivo, V
Por tanto, un aislante elctrico debe ser material dielctrico con una
resistencia dielctrica alta:

V
Resistencia dielctrica = max =
d max
05/10/2005

Aislantes y propiedades dielctricas

32

Polarizacin y constante dielctrica (I)

Polarizacin
En un material dielctrico, los electrones estn fuertemente ligados a sus
respectivos ncleos atmicos sin poder abandonar sus posiciones de
equilibrio.
Al aplicar un campo elctrico externo, cada tomo del dielctrico se distorsiona
levemente: su nube electrnica se desplaza una distancia muy pequea
respecto a su posicin inicial, igual que su ncleo de carga positiva lo hace
en sentido contrario. El resultado es un tomo deformado con un polo de
carga positivo y otro negativo, dipolo elctrico, p=qd.
El resultado final en todo el material es la formacin de Z dipolos por unidad de
volumen, polarizacin del dielctrico, P=Zqd

05/10/2005

Aislantes y propiedades dielctricas

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Polarizacin y constante dielctrica (II)

Tipos de polarizacin
Electrnica
Inica
Molecular

Dependencia de la polarizacin de
un material dielctrico
Constante dielctrica del material,
Campo elctrico externo, E
Temperatura (desorden trmico)

05/10/2005

Aislantes y propiedades dielctricas

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Polarizacin y constante dielctrica (III)

Aplicacin: acumulacin de carga elctrica en los condensadores

dielctricos
Cualquier material o asociacin de materiales metlicos puede acumular carga
elctrica en sus superficies. Condensador.
La inclusin de un material dielctrico aumenta el nivel de carga almacenado en
el condensador e impide su descarga (alta resistencia dielctrica y elctrica).
C=(A/d)
Asociacin de materiales metlicos separados por un dielctrico: condensador
dielctrico. Aplicaciones: almacn de carga o energa, atenuador de oscilaciones
elctricas en la red...

05/10/2005

Aislantes y propiedades dielctricas

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Piezoelectricidad
Propiedad de algunos materiales dielctricos basada en la estrecha relacin
ente su estructura cristalina y la polarizacin.
a)

b)

Al aplicar una diferencia de potencial, el material se polariza, sus tomos y

molculas se distorsionan y el material en su conjunto cambia de tamao:
electrostriccin
Al aplicar una presin sobre el material dielctrico, ste se contrae, sus tomos y
molculas cambian de tamao y se forman dipolos elctricos. Esta polarizacin
produce, a su vez, una diferencia de potencial entre los extremos del material:
Piezoelectricidad

Nota: La piroelectricidad es un fenmeno anlogo pero causado por el calentamiento del

material dielctrico
05/10/2005

Aislantes y propiedades dielctricas

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Ferroelectricidad
Normalmente, al retirar el
campo elctrico de un
material polarizado una
parte o todos de sus
dipolos formados
desaparecen debido al
desorden trmico.
En los materiales
ferroelctricos, el
ordenamiento de los
dipolos es tan intenso que
un gran nmero de ellos
permanece orientados
incluso despus de retirar
el campo elctrico externo.
05/10/2005

Aislantes y propiedades dielctricas

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