SISTEMAS DE RECTIFICACIN: SIMULACION

CONMUTACIN DE TRANSISTORES ESTTICOS.

Simulacin 1.
Electrnica Industrial.
Julin Garca.
Andrs Zapata.
Tecnologa en Electrnica, ITM, Medelln, Colombia.

Abstractesta simulacin nos muestra

datos ms relevantes acerca del suicheo o
conmutacin de una carga a partir del uso
de algunos tipos de Transistores de
potencia, adems de su anlisis. Para esto
nos fundamentamos en la teora de
operacin de cada uno de ellos, adicional a
esto aprendemos como utilizar una
resistencia Shunt para medir la corriente
en el circuito. Los Transistores usados
fueron el TIP 122 NPN, el Mosfet IRF640,
2n2222 y el 2n3906.
Palabras Claves: Mosfet, Transistor
Darlington, Voltaje Umbral, Corriente de
base, Circuito Driver, Shunt.

I.

(optimo).En esta Simulacin se ha verificado

el comportamiento de las variables ms
importantes de los transistores usados
(MOSFET canal N, Darlington NPN) los
cuales fueron seleccionados de acuerdo a la
carga usada y la hoja de datos de cada uno
ellos, tambin las diferentes formas de onda
que nos proporciona el circuito en cada uno
de sus estados.
II.

Objetivo.

Identificar las diferentes de onda que

presenta el circuito en cada uno de sus
estados. Aplicar el uso de una Resistencia
Shunt para obtener la corriente de la carga y
compara su onda con los valores pedidos en
el informe

Introduccin

Para controlar el encendido de una carga

(Lmpara de vehculo en este caso), existen
varias alternativas en cuanto a componentes
semiconductores de potencia
, lo cual
implica dependiendo del tamao de dicha
carga ,de sus posibles estados y de las
exigencias de cada circuito de control
asociado , un diseo y seleccin apropiado

III.

Desarrollo del Contenido.

-Clculos:
En el caso de esta simulacin aplicamos las
mismas formulas implementadas en la
prctica de laboratorio ya que la idea es tener
valores similares para su comparacin.
a) Circuito Transistor NPN:
Practica: para el primer circuito, se eligi el
Transistor Darlington NPN TIP 122, del cual
consideramos los siguientes datos tcnicos:
Vce = 100V para (IB=0), Ic = 5 A,
Hfe = 50 (Tomando el Transistor como
suiche).

Entonces para asignarle una resistencia a la

bombilla tenemos que.

V
12V
=R ;
=5.7
I
2.1 A

La corriente que pasa por la carga, es la

misma de Colector. (Ic).

IB=

Ic 2.17 A
=
=0.0434 A
50
50

, El beta es

de 50.
Del circuito calculamos la resistencia de base
necesaria para llevar el transistor en
Saturacin para ello utilizamos el IB hallado:

Cadas de Tensin Terico: Vbe= 1,4 V, Vce=

0,7 V.

RB=

Vin1.4 v 3 v1.4 v
=
=59.2 ohm
IB
0.0434 A

.
Figura 1.Transistor NPN. Encendido.

Tabla1. Anlisis Transistor NPN

(simulacin).
transistor
MEDICIONES
ON
Vce
1V
Vbe
750mV
Corriente Carga 1.8 Amp
tiempos de retardo
Corriente de
carga
93.75nS
Vce
312.5nS

transistor
OFF
12V
0V
0

0
0

Tabla1. Anlisis Transistor NPN (datos

laboratorio).

Potencia de la Bombilla: para obtener una

carga similar a la de laboratorio se le asigna
una potencia de 26W a la bombilla.
Corriente de consumo de la Bombilla:

Icarga=

26 W
=2.17 A.
12V

Observamos valores similares como en el

caso del transistor apagado ya que si no pasa
ninguna corriente tampoco encontraremos

presencia de algn voltaje este en el caso del

Vbe y Icarga. Al haber una diferencia de
voltaje si medimos entre el Vce observamos
que hay 12V con el transistor apagado.

Por medio de la ley de ohm tenemos lo

siguiente:

Cuando este enciende hay un consumo

interno en el transistor lo cual nos da de una
manera muy similar al de la prctica Vce=1
voltio aproximadamente. La corriente la
medimos por medio de una resistencia shunt
la cual explicaremos su seleccin ms
adelante. Esta corriente nos da 1.8Amp un
valor idntico al observado en el laboratorio
(en la grfica del osciloscopio observamos un
valor cercano a 2.8 voltios esto es debido a
que hay que restar el Vce por lo cual nos da
1.8V sea 1.8 Amp). Este valor es idntico al
del laboratorio debido a que se escogi una
resistencia shunt relativamente baja entonces
no altera demasiado la respuesta. Si se ve
alterado un resultado con respecto a los
obtenidos en el laboratorio es el Vbe el cual
paso de 1.5V en el laboratorio a 0,75 voltios.
Algo no previsto ya que este transistor
internamente es un Darlington y su consumo
debe ser de 1.4V en la regin de saturacin.
Esto se puede deber al tipo de honda que
aplicamos al circuito.
En conclusin observamos que cuando hay
un pulso alto de 3 voltios el transistor entra en
estado de saturacin funcionando como un
suiche, lo cual a su vez cierra el circuito y
permite el encendido de la bombilla,
adicional a esto colocamos una resistencia
SHUNT en serie con la bombilla, esta
resistencia pequea la usamos para sacar una
pequea diferencia de tensin que por medio
de la ley de ohm la usamos para determinar la
corriente que consume la bombilla.

Tenemos que nuestra resistencia SHUNT es

de 1 ohmio, en nuestro caso observamos que
si tenemos un valor de 2.1Amp con una
resistencia SHUNT de 1 ohmio tendramos
un voltaje de medida de 2.1V lo cual lo hace
una escala de 1 a 1.

Para determinar la resistencia shunt debemos

tener en cuenta que esta debe ser pequea
para que no altere la medida del circuito.
Determinamos que por cada amperio que
circule por la carga vamos a obtener 1 voltio

1V
=1
1A

En el otro ciclo de la onda cuando se enva un

0 voltios se pasa el transistor a la regin de
corte la corriente de base es 0 por lo tanto el
transistor se comporta como un suiche
abierto.
Potencia disipada en el transistor S1
On
Vce x Ic=1V x 1,8 A = 1.8W
Con respecto al valor obtenido en la prctica
los resultados son muy similares la poca
diferencia se puede deber a las condiciones
fsicas a la que estaba expuesto el transistor
en el laboratorio, dichas condiciones no se
ven presentes en una simulacin la cual
tiende a usar valores un poco ideales.
GRAFICAS DEL OSCILOSCOPIO PARA
CIRCUITO NPN.
Leyenda de colores.
Amarillo: corriente en la carga
Azul: Vce; Rosa: Vbe; Verde: tierra (GND)

Figura 2. Forma de honda Generada en cada

uno de los puntos.

Observamos un voltaje de 12V en el Vce

cuando el transistor esta en corte tambin los
0V del Vbe. Cuando entra el transistor en la
regin de saturacin vemos un voltaje de 0.7
voltios en el Vbe y 1.8V (restando 1 voltio
del VCE que produce cuando est el
transistor en saturacin) en la corriente de
carga que convirtindolo en una escala de 1 a
1 como explicamos anteriormente en la
seleccin de la resistencia SHUNT nos da 1.8
amperios.

Figura 3: forma de honda del circuito.

Observamos que al usar una resistencia shunt
hay un pequeo retardo en la respuesta del
transistor.

Figura 5: muestreo de retrasos.

Figura 4: retardo en detalle.

Observamos la evidencia del retardo aunque
es un valor muy pequeo el cual muestreamos
con los cursores.

Observamos que el retraso de una honda con

respecto a la otra es mnimo ya que est en
valores de nSeg.
Para solucionar dichos retrasos lo que
podemos hacer es reducir la resistencia
SHUNT, al ser ms pequea esta reduce la
diferencia de tensin que genera. Haciendo el
retraso de la honda casi inexistente. Ya que
los resultados de tensin obtenidos en la
resistencia SHUNT estaran en mili voltios.

b) Circuito Transistor Mosfet:

Practica: para el Segundo circuito, se
eligi el Transistor MOSFET IRF 640,
del cual consideramos los siguientes
datos tcnicos:
VGS th = 4V , Id = 18 A,
Vds = 200 V.
Para control el 2n2222:
Vceo= 30V para (IB=0), Ic =0.8 A,
Hfe= 70.
Figura 6: cambio de resistencia SHUNT.
Si cambiamos la escala en este caso por cada
amperio que haya en la corriente de carga
tenemos 1mA la resistencia por ley de Ohm
seria de 0.001 ohmios.

Cadas de Tensin Terico: Vbe= 1,4 V, Vce=

0,7 V.
Para Control el 2n3906:
Vceo= 40V para (IB=0), Ic =0.2 A,
Hfe= 70.
Corriente de consumo de la Bombilla:

Icarga=

26 W
=2.17 A.
12V

Se hace reforma al circuito utilizando otro

2n2222 adicional para comandar el
accionamiento del circuito de control

Figura 7: solucin al retraso de honda.

Observamos que con el cambio de la
resistencia Shunt el retraso no se evidencia, el
inconveniente de usar una resistencia shunt
tan baja es que el resultado para medir la
corriente en mili voltios tambin es
demasiado bajo eh impreciso

La corriente Colector (Ic) que circulara para

accionar el par de transistores de
accionamiento del Mosfet, la asumiremos de
0.005 A.
De esto ltimo determinamos la Corriente de
base

Ib=

Ic 0.005 A
=
=0.0000714
B
70

es de
70. Como V=I xRb1= 42K
Para Hallar la Rc1:

, El beta

12=Ic xRc 1+Vce Sat

Rc 1=

12V O ,8 V 11.2 V
=
=22 K
Ic
0.005 A

.
Para Hallar Rb2:

3 V =Ib 2 xRb 2+ Vbe Sat

Rb2=

3 V O, 7 V
2.3 V
=
=33 K
Ib 2
0.0000714 A

.
Circuito 3.Encendido.

Tabla 3.Transistor
laboratorio)
Condiciones
/mediciones

MOSFET.

(Medidas

S1 OFF

11.5 V
11.53 V

0.063 A
0.063 A

0.289 V
210mV
10.9 V
0.24 A
2.1A

12 V
2.24 Mv
2.1 mV
0A
0A

Tabla 4. Transistor MOSFET. (Simulacin)

MEDICIONES
Ve
Vds

0
0
0

Para los transistores del driver, el 2n2222 y el

2n3906 igualmente fueron seleccionados para
cumplir con las exigencias del circuito. Para
el voltaje Vce de 12V, las operaciones segn
el datasheet podran ser hasta 30 V en ambos
casos. La corriente de Ic podra ser hasta 0.8
A y en este caso solo manejamos hasta 0.005
A y su Hfe de 70.
-Igual que en el circuito anterior si queremos
que el transistor de potencia opere como un
suiche accionado por otro, osea que cuando le
pongamos un voltaje de control al circuito
driver, este encienda la carga y cuando lo
pongamos a potencial negativo la desconecte
o apague .Debemos considerar que para que
un transistor de enriquecimiento Mosfet tipo
N entre en saturacin VdsVgs- Vumbral.

S1 ON

Voltaje Emisor
Voltaje Gate
Voltaje DrainSource
Voltaje Base-Emisor
Voltaje en la Carga
Corriente en la Base
Corriente en la Carga

Corriente
Carga
1.8 A
tiempos de retardo
Corriente de
carga
25nS
Vds
50nS

transistor
ON
12,2V
700mV

transistor
OFF
0,5V
12V

En nuestro circuito para voltajes inferiores a

10V en el gate del Mosfet accionados por el
circuito de control, el encendido del bombillo
no es observable el VGS es negativo y no
se crear una regin de agotamiento
efectiva .y no habr flujo de drenaje a fuente,
IDS = 0. Por otra parte cuando el voltaje que
llevamos al gate del mosfet, VGS es positivo,
el canal se ensancha, e IDS aumenta debido a
la reduccin de RDS y la lmpara se
enciende .Como el circuito driver o de control
conmuta 12V, al 2n2222 que lo acciona
tenemos que ponerlo a conmutar tambin
12V. Se us un voltaje de 12 V teniendo en
cuenta que para que un transistor bipolar
funcione se debe "polarizar" que consiste en
colocar fuentes de voltaje y resistencia que
coloquen el diodo base emisor en directo

(Vbe=0.7) y que el diodo base colector est en

inverso.

-El funcionamiento del circuito es el siguiente

para cuando alimentamos la base del primer
transistor NPN 2n2222 con 3V ,generamos
con la resistencia de 42 K ,la corriente para
ponerlo en saturacin ,.este a su vez enva
12V para hacer algo similar con la resistencia
de 22 K y enviar al siguiente transistor
2n2222 la corriente necesaria y ponerlo en
saturacin y enviar 11,5 V al gate del Mosfet
cerrando el canal y haciendo posible la
conduccin de corriente por e el drain el
mismo de la carga 2.1 la cual est en seria
con la resistencia SHUNT y generando la
cada de Vds=0.7 V. Si llevamos el suiche a
potencial negativo se activa el 2N3906 y el
canal N no se activa.

GRAFICAS DEL OSCILOSCOPIO PARA

CIRCUITO MOSFET.
Amarillo: corriente en la carga
Azul: Vds; Rosa: GND; Verde: Ve

-Potencia Disipada.
S1 ON = Id x Rds = 0.18 x 1.8 A= 0.324W.
En este caso la potencia disipada de la
simulacin es similar a la del laboratorio pero
tiene un pequeo cambio debido al cambio de
la corriente en el bombillo
La mxima potencia que puede disipar por
hoja de datos el IRF 640 es 40 W. El
transistor trabajo en condiciones ideales.
El clculo de la resistencia SHUNT es igual
que en el caso anterior aplicando la misma
escala 1 a 1. Por lo cual sera una resistencia
de 1 ohmio
Los valores obtenidos de la prctica con
respecto a los simulados tienen diferencias
casi despreciables. Este tipo de cambios se
puede deber a lo que ya habamos explicado
que es las condiciones fsicas y ambientales a
las cuales estn expuestos los circuitos en el
laboratorio con respecto a la simulacin.

Figura 8: grafica general del circuito.

Observamos la forma de honda obtenida del
circuito donde vemos que en saturacin el Ve
est en alto con 12,2V tambin vemos un Vds
de 700mV y un voltaje de 2.4V que restando
el Vds seria 1.8V lo cual convirtindolo en
nuestra escala de 1 a 1 para la resistencia
SHUNT nos da una corriente de carga de 1.8
Amp

C) anlisis de circuito propuesto.

VCC

V1

U1
6

R4

5
2
4

Q1
R2

TIP31

OPTOCOUPLER-NPN

R3

CARGA

TresTierras distintas

En este circuito tenemos un opto acoplador el

cual internamente est compuesto por dos
elementos un diodo emisor de luz y un
fototransistor.

Figura 9: retardo de Ic y el Vds

En este caso observamos que el retardo es
casi nulo desde un principio, este se
encuentre en el orden de nSeg pero con una
diferencia cadi despreciable. Por lo cual se
considera que no es necesario reducir su
resistencia SHUNT para corregirlo.

Bsicamente se enva una seal que encienda

el led interno del opto acoplador y esta
intensidad de luz es captada por el
fototransistor el cual entra en saturacin y
queda como un suiche cerrado. Permitiendo
que pase una seal alta la cual genera una
corriente en la base del transistor Q1 y al
entrar Q1 en saturacin se comporta como un
suiche cerrando el circuito y energizando la
carga.
Fsicamente se podran tener tres niveles de
tierra por que este circuito puede tener tres
tipos de alimentaciones diferentes en cada
una de sus etapas iniciando por el

R4(1)

optoacoplador en el lado de su fotoemisor

podramos tener una seal emitida por un
dispositivo de control, ya sea un
microcontrolador, PLC, etc. La cual enciende
el foto emisor que a su vez enciende el
fotoreceptor que en este caso es el foto
transistor. Como estos dispositivos son
suichados por la presencia o ausencia de luz
son circuitos independientes en el caso de su
alimentacin. Por la tanto en la etapa del
fototransistor puede haber un nivel de voltaje
diferente al anterior. Lo mismo sucede con el
transistor Q1 ya que el foto transistor solo le
entrega una corriente en su base para que Q1
alcance la saturacin y se comporte como un
suiche cerrado en el cual puede haber tambin
otro nivel de tensin.

IV. Conclusiones
-se implementa el uso de una resistencia
SHUNT para determinar la corriente de una
carga.

-La cada de tensin Vbe en un transistor de

potencia Darlington es de 1.4 V, en
comparacin con los transistores de
propsito general de Vbe= 0.7 V.
-Para hacer un diseo ptimo, un clculo
exacto de cada componente es fundamental
para llevar la operacin del transistor
seleccionado a las zonas de corte y saturacin
precisas.
- se evidencia el uso del osciloscopio para
determinar fluctuaciones que pueden estar
presentes en el circuito.
- se usa el osciloscopio para el anlisis y
comportamiento de las seales y los
componentes que conforman un circuito
electrnico.