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DEPARTAMENTO DE ELETRO-ELETRNICA COLGIO TCNICO DE CAMPINAS UNICAMP

ELETRNICA
Prof. Roberto Angelo Bertoli V3 setembro, 00

Colgio Tcnico de Campinas


ELETRNICA
2
NDICE
1
1.1
DIODO SEMICONDUTOR E RETIFICAO
FSICA DOS SEMICONDUTORES A ESTRUTURA DO TOMO ESTUDO DO SEMICONDUTORES DIODO POLARI
ZAO DO DIODO CURVA CARACTERSTICA DE UM DIODO RESISTOR LIMITADOR DE CORRENTE DIODO E
MISSOR DE LUZ E FOTODIODO APROXIMAES DO DIODO RETIFICADORES DE MEIA ONDA E ONDA CO
MPLETA RETIFICADOR DE MEIA ONDA RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA RETIFICADOR DE ONDA
COMPLETA EM PONTE CAPACITOR FILTRO PARA O RETIFICADOR DIODO ZENER CORRENTE MXIMA
NO ZENER REGULADOR DE TENSO COM ZENER CLCULO DO RESISTOR DE CARGA RS. CIRCUITO CO
M DIODOS MULTIPLICADORES DE TENSO LIMITADORES GRAMPEADOR CC
4
4 4 4 7 8 8 10 11 12 14 16 17 19 20 24 26 27 28 28 29 29 30 32 32
1.2
1.3 1.4 1.5
1.6 1.7 1.8
1.9
1.10 EXERCCIOS
2
2.1
TRANSISTOR BIPOLAR
FUNCIONAMENTO DE TRANSISTORES BIPOLARES POLARIZAO DO TRANSISTOR NPN TRANSISTOR PNP
AS CORRENTES NO TRANSISTOR MONTAGEM BSICA COM TRANSISTOR
39
39 40 42 42 43
3
3.1 3.2 3.3 3.4
POLARIZAO DE TRANSISTORES
RETA DE CARGA O TRANSISTOR COMO CHAVE O TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE O TRAN
SISTOR COMO AMPLIFICADOR CIRCUITOS DE POLARIZAO EM EMISSOR COMUM POLARIZAO POR DIVIS
OR DE TENSO REGRAS DE PROJETO EXERCCIOS
47
47 49 50 51 51 51 52 53
3.5
4
AMPLIFICADORES DE SINAL
55

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Prof. Roberto A. Bertoli

Colgio Tcnico de Campinas 4.1


ELETRNICA 55 57 57 58 60 60 63 63 65 66 68 70 71 73
3
AMPLIFICADORES DE SINAL EMISSOR COMUM TEOREMA DA SUPERPOSIO PARA AMPLIFICADORES CI
RCUITOS EQUIVALENTES CA E CC. RESISTNCIA CA DO DIODO EMISSOR CA - GANHO DE CORRENT
E ALTERNADA AMPLIFICADOR COM EMISSOR ATERRADO REALIMENTAO AMPLIFICADOR COM REALIME
NTAO PARCIAL IMPEDNCIA DE ENTRADA ESTGIOS EM CASCATA AMPLIFICADOR BASE COMUM AMPLIFI
CADOR COLETOR COMUM IMPEDNCIA DE ENTRADA EXERCCIOS
4.2 4.3 4.4
4.5 4.6 4.7
5
5.1 5.2 5.3
AMPLIFICADORES DE POTNCIA
CLASSE A CLASSE B CLASSE AB
76
76 78 80
6
6.1
OSCILADOR DE BAIXA FREQNCIA
OSCILADOR POR DESLOCAMENTO DE FASE
81
82
7
7.1
TRANSISTORES ESPECIAIS
JFET POLARIZAO DE UM JFET TRANSCONDUTNCIA AMPLIFICADOR FONTE COMUM AMPLIFICADOR COM
REALIMENTAO PARCIAL AMPLIFICADOR SEGUIDOR DE FONTE MOSFET MOSFET DE MODO DEPLEO MOS
FET DE MODO CRESCIMENTO OU INTENSIFICAO FOTOTRANSISTOR E ACOPLADOR PTICO EXERCCIOS
83
83 83 87 88 89 89 90 90 91 92 93
7.2
7.3 7.4
8
REFERNCIA BIBLIOGRFICA
96
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1
1.1
DIODO SEMICONDUTOR E RETIFICAO
FSICA DOS SEMICONDUTORES
A ESTRUTURA DO TOMO
O tomo formado asicamente por 3 tipos de partculas elementares: Eltrons, prtons e nu
trons. A carga do eltron igual a do prton, porm de sinal contrrio. Os eltrons giram e
m torno do ncleo distri uindo-se em diversas camadas, num total de at sete camadas
. Em cada tomo, a camada mais externa chamada de valncia, e geralmente ela que par
ticipa das reaes qumicas Todos os materiais encontrados na natureza so formados por
diferentes tipos de tomos, diferenciados entre si pelo seus nmeros de prtons, eltron
s e nutrons. Cada material tem uma infinidade de caractersticas, mas uma especial
em eletrnica o comportamento passagem de corrente. Pode-se dividir em trs tipos pr
incipais:
MATERIAIS CONDUTORES DE ELETRICIDADE
So materiais que no oferecem resistncia a passagem de corrente eltrica. Quanto menor
for a oposio a passagem de corrente, melhor condutor o material. O que caracteriz
a o material om condutor o fato de os eltrons de valncia estarem fracamente ligad
os ao tomo, encontrando grande facilidade para a andonar seus tomos e se movimenta
rem livremente no interior dos materiais. O co re, por exemplo, com somente um e
ltron na camada de valncia tem facilidade de ced-lo para ganhar esta ilidade. O eltr
on cedido pode tornar-se um eltron livre.
MATERIAIS ISOLANTES
So materiais que possuem uma resistividade muito alta, loqueando a passagem da c
orrente eltrica. Os eltrons de valncia esto rigidamente ligados aos seu tomos, sendo
que poucos eltrons conseguem desprender-se de seus tomos para se transformarem em
eltrons livres. Consegue-se isolamento maior (resistividade) com su stncias compos
tas ( orracha, mica, aquelita, etc.).
MATERIAL SEMICONDUTOR
Materiais que apresentam uma resistividade eltrica intermediria. Como exemplo temo
s o germnio e silcio
ESTUDO DO SEMICONDUTORES
Os tomos de germnio e silcio tem uma camada de valncia com 4 eltrons. Quando os tomos
de germnio (ou silcio) agrupam-se entre si, formam uma estrutura cristalina, ou se
ja, so su stncias cujos tomos se posicionam no espao, formando uma estrutura ordenad
a. Nessa estrutura, cada tomo une-se a quatro outros tomos vizinhos, por meio de l
igaes covalentes, e cada um dos quatro eltrons de valncia de um tomo compartilhado co
m um tomo vizinho, de modo que dois tomos adjacentes compartilham os dois eltrons,
ver Figura 1-1.
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Figura 1-1 Se nas estruturas com germnio ou silcio no fosse possvel romper a ligaes co
valentes, elas seriam materiais isolantes. No entanto com o aumento da temperatu
ra algumas ligaes covalentes rece em energia suficiente para se romperem, fazendo
com que os eltrons das ligaes rompidas passem a se movimentar livremente no interio
r do cristal, tornando-se eltrons livres.
Figura 1-2 Com a que ra das ligaes covalentes, no local onde havia um eltron de valn
cia, passa a existir uma regio com carga positiva, uma vez que o tomo era neutro e
um eltron o a andonou. Essa regio positiva rece e o nome de lacuna, sendo tam m co
nhecida como uraco. As lacunas no tem existncia real, pois so apenas espaos vazios
provocados por eltrons que a andonam as ligaes covalentes rompidas. Sempre que uma
ligao covalente rompida, surgem, simultaneamente um eltron e uma lacuna. Entretanto
, pode ocorrer o inverso, um eltron preencher o lugar de uma lacuna, completando
a ligao covalente (processo de recom inao). Como tanto os eltrons como as lacunas sem
pre aparecem e desaparecem aos pares, pode-se afirmar que o nmero de lacunas semp
re igual a de eltrons livres. Quando o cristal de silcio ou germnio su metido a uma
diferena de potencial, os eltrons livres se movem no sentido do maior potencial e
ltrico e as lacunas por conseqncia se movem no sentido contrrio ao movimento dos eltr
ons.
IMPUREZAS
Os cristais de silcio (ou germnio. Mas no vamos considera-lo, por simplicidade e ta
m m porque o silcio de uso generalizado em eletrnica) so encontrados na natureza mis
turados com outros elementos. Dado a dificuldade de se controlar as Prof. Ro ert
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caractersticas destes cristais feito um processo de purificao do cristal e em segui
da injetado atravs de um processo controlado, a insero proposital de impurezas na o
rdem de 1 para cada 106 tomos do cristal, com a inteno de se alterar produo de eltrons
livres e lacunas. A este processo de insero d-se o nome de dopagem. As impurezas u
tilizadas na dopagem de um cristal semicondutor podem ser de dois tipos: impurez
a doadoras e impurezas aceitadoras.
IMPUREZA DOADORA
So adicionados tomos pentavalentes (com 5 eltrons na camada de valncia. Ex.: Fsforo e
Antimnio). O tomo pentavalente entra no lugar de um tomo de silcio dentro do crista
l a sorvendo as suas quatro ligaes covalentes, e fica um eltron fracamente ligado a
o ncleo do pentavalente (uma pequena energia suficiente para se tornar livre).
Figura 1-3
IMPUREZA ACEITADORA
So adicionados tomos trivalentes (tem 3 eltrons na camada de valncia. Ex.: Boro, alu
mnio e glio). O tomo trivalente entra no lugar de um tomo de silcio dentro do cristal
a sorvendo trs das suas quatro ligaes covalentes. Isto significa que existe uma la
cuna na r ita de valncia de cada tomo trivalente.
Figura 1-4 Um semicondutor pode ser dopado para ter um excesso de eltrons livres
ou excesso de lacunas. Por isso existem dois tipos de semicondutores:
SEMICONDUTOR TIPO N
O cristal que foi dopado com impureza doadora chamado semicondutor tipo n, onde
n est relacionado com negativo. Como os eltrons livres excedem em nmero as lacunas
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num semicondutor tipo n, os eltrons so chamados portadores majoritrios e as lacunas
, portadores minoritrios.
SEMICONDUTOR TIPO P
O cristal que foi dopado com impureza aceitadora chamado semicondutor tipo p, on
de p est relacionado com positivo. Como as lacunas excedem em nmero os eltrons livr
es num semicondutor tipo p, as lacunas so chamadas portadores majoritrios e os eltr
ons livres, portadores minoritrios.
1.2
DIODO
A unio de um cristal tipo p e um cristal tipo n, o tm-se uma juno pn, que um disposi
tivo de estado slido simples: o diodo semicondutor de juno.
Figura 1-5 Devido a repulso mtua os eltrons livres do lado n espalham-se em todas d
irees, alguns atravessam a juno e se com inam com as lacunas. Quando isto ocorre, a
lacuna desaparece e o tomo associado torna-se carregado negativamente. (um on nega
tivo)

Figura 1-6 Cada vez que um eltron atravessa a juno ele cria um par de ons. Os ions e
sto fixo na estrutura do cristal por causa da ligao covalente. medida que o nmero de
ions aumenta, a regio prxima juno fica sem eltrons livres e lacunas. Chamamos esta r
egio de camada de depleo. Alm de certo ponto, a camada de depleo age como uma arreira
impedindo a continuao da difuso dos eltrons livres. A intensidade da camada de depl
eo aumenta com cada eltron que atravessa a juno at que se atinja um equil rio. A difer
na de potencial atravs da camada de depleo chamada de arreira de potencial. A 25, es
ta arreira de 0,7V para o silcio e 0,3V para o germnio. O sm olo mais usual para o
diodo mostrado a seguir:
Anodo material tipo p
Catodo material tipo n
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POLARIZAO DO DIODO
Polarizar um diodo significa aplicar uma diferena de potencial s suas extremidades
. Supondo uma ateria so re os terminais do diodo, h uma polarizao direta se o plo p
ositivo da ateria for colocado em contato com o material tipo p e o plo negativo
em contato com o material tipo n.
POLARIZAO DIRETA
No material tipo n os eltrons so repelidos pelo terminal da ateria e empurrado pa
ra a juno. No material tipo p as lacunas tam m so repelidas pelo terminal e tendem a
penetrar na juno, e isto diminui a camada de depleo. Para haver fluxo livre de eltro
ns a tenso da ateria tem de so repujar o efeito da camada de depleo.
POLARIZAO REVERSA
Invertendo-se as conexes entre a ateria e a juno pn, isto , ligando o plo positivo n
o material tipo n e o plo negativo no material tipo p, a juno fica polarizada inver
samente. No material tipo n os eltrons so atrados para o terminal positivo, afastan
do-se da juno. Fato anlogo ocorre com as lacunas do material do tipo p. Podemos diz
er que a ateria aumenta a camada de depleo, tornando praticamente impossvel o desl
ocamento de eltrons de uma camada para outra.
CURVA CARACTERSTICA DE UM DIODO
A curva caracterstica de um diodo um grfico que relaciona cada valor da tenso aplic
ada com a respectiva corrente eltrica que atravessa o diodo.
POLARIZAO DIRETA
Figura 1-7
Figura 1-8
Nota-se pela curva que o diodo ao contrrio de, por exemplo, um resistor, no um com
ponente linear. A tenso no diodo uma funo do tipo:
U = RFI +
kT I ln + 1 q
IS
Eq. 1- 1
TENSO DE JOELHO
Ao se aplicar a polarizao direta, o diodo no conduz intensamente at que se ultrapass
e a arreira potencial. A medida que a ateria se aproxima do potencial da arre
ira, os eltrons livres e as lacunas comeam a atravessar a juno em grandes quantidade
s. A tenso para a qual a corrente comea a aumentar rapidamente chamada de tenso de
joelho. ( No Si aprox. 0,7V). Prof. Ro erto A. Bertoli set-00

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POLARIZAO REVERSA DO DIODO
Figura 1-9
Figura 1-10
o diodo polarizado reversamente, passa uma corrente eltrica extremamente pequena,
(chamada de corrente de fuga). Se for aumentando a tenso reversa aplicada so re
o diodo, chega um momento em que atinge a tenso de ruptura (varia muito de diodo
para diodo) a partir da qual a corrente aumenta sensivelmente. * Salvo o diodo f
eito para tal, os diodos no podem tra alhar na regio de ruptura. GRFICO COMPLETO.
Figura 1-11
ESPECIFICAES DE POTNCIA DE UM DIODO
Em qualquer componente, a potncia dissipada a tenso aplicada multiplicada pela cor
rente que o atravessa e isto vale para o diodo:
P = U I
Eq. 1- 2
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No se pode ultrapassar a potncia mxima, especificada pelo fa ricante, pois haver um
aquecimento excessivo. Os fa ricantes em geral indicam a potncia mxima ou corrente
mxima suportada por um diodo. Ex.: 1N914 - PMAX = 250mW 1N4001 - IMAX = 1A Usual
mente os diodos so divididos em duas categorias, os diodos para pequenos sinais (
potncia especificada a aixo de 0,5W) e os retificadores ( PMAX > 0,5W).
RESISTOR LIMITADOR DE CORRENTE
Num diodo polarizado diretamente, uma pequena tenso aplicada pode gerar uma alta
intensidade de corrente. Em geral um resistor usado em srie com o diodo para limi
tar a corrente eltrica que passa atravs deles. RS chamado de resistor limitador de
corrente. Quanto maior o RS, menor a corrente que atravessa o diodo e o RS .
RETA DE CARGA
Figura 1-12
Sendo a curva caracterstica do diodo no linear, torna-se complexo determinar atravs
de equaes o valor da corrente e tenso so re o diodo e resistor. Um mtodo para deter
minar o valor exato da corrente e da tenso so re o diodo, o uso da reta de carga.
Baseia-se no uso grfico das curvas do diodo e da curva do resistor. Na Figura 112, a corrente I atravs do circuito a seguinte:
I= UR US UD = RS RS
Eq. 1 3
No circuito em srie a corrente a mesma no diodo e no resistor. Se forem dados a t
enso da fonte e a resistncia RS, ento so desconhecidas a corrente e a tenso sob o dio
do. Se, por exemplo, no circuito da Figura 112 o US =2V e RS = 100, ento:
I=
2 UD = 0,01* U D + 20mA 100
Eq. 1 4
Se UD=0V ! I=20mA. Esse ponto chamado de ponto de saturao, pois o mximo valor que a
corrente pode assumir. E se I=0A !UD=2V. Esse ponto chamado corte, pois represe
nta a corrente mnima que atravessa o resistor e o diodo. A Eq. 14 indica uma rel
ao linear entre a corrente e a tenso ( y = ax + b). Sobrepondo esta curva com a cur
va do diodo temse:
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Figura 113 (I=0A,U=2V)  Ponto de corte !Corrente mnima do circuito (I=20mA,U=0V
)  Ponto de saturao !Corrente mxima do circuito (I=12mA,U=0,78V)  Ponto de operao o
u quiescente!Representa a corrente atravs do diodo e do resistor. Sobre o diodo e
xiste uma tenso de 0,78V.
1.3
DIODO EMISSOR DE LUZ E FOTODIODO
O diodo emissor de luz (LED) um diodo que quando polarizado diretamente emite lu
z visvel (amarela, verde, vermelha, laranja ou azul) ou luz infravermelha. Ao con
trrio dos diodos comuns no feito de silcio, que um material opaco, e sim, de elemen
tos como glio, arsnico e fsforo. amplamente usada em equipamentos devido a sua long
a vida, baixa tenso de acionamento e boa resposta em circuitos de chaveamento.
Figura 114
A polarizao do LED similar ao um diodo comum, ou seja, acoplado em srie com um resi
stor limitador de corrente, como mostrado na Figura 114. o LED esquematizado co
mo um diodo comum com seta apontando para fora como smbolo de luz irradiada. A co
rrente que circula no LED :
ID =
VS VD R
Eq. 1 5
Para a maioria dos LEDs disponveis no mercado, a queda de tenso tpica de 1,5 a 2,5V
para correntes entre 10 e 50mA.
FOTODIODO
um diodo com encapsulamento transparente, reversamente polarizado que sensvel a l
uz. Nele, o aumento da intensidade luminosa, aumenta sua a corrente reversa Num
diodo polarizado reversamente, circula somente os portadores minoritrios. Esses p
ortadores existem porque a energia trmica entrega energia suficiente para alguns
eltrons de valncia sarem fora de suas rbitas, gerando eltrons livres e lacunas, contr
ibuindo, assim, para a corrente reversa. Quando uma energia luminosa incide numa
juno pn, ela injeta mais energia ao eltrons de valncia e com isto gera mais eltrons
livres. Quanto mais intensa for a luz na juno, maior ser corrente reversa num diodo
.
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1.4
APROXIMAES DO DIODO
ao analisar ou projetar circuitos com diodos se faz necessrio conhecer a curva do
diodo, mas dependendo da aplicao podese fazer aproximaes para facilitar os clculos.
1 APROXIMAO (DIODO IDEAL)
Um diodo ideal se comporta como um condutor ideal quando polarizado no sentido d
ireto e como um isolante perfeito no sentido reverso, ou seja, funciona como uma
chave aberta.
I
sentido direto sentido reverso U
Figura 115
2 APROXIMAO
Levase em conta o fato de o diodo precisar de 0,7V para iniciar a conduzir.
I 0 7V rb sentido direto sentido reverso U 0,7V rb
Figura 116 Pensase no diodo como uma chave em srie com uma bateria de 0,7V.
3 APROXIMAO
Na terceira aproximao considera a resistncia interna do diodo.
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I
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13
0,7V
rb sentido direto sentido reverso
U
0,7V
rb
Figura 117 Obs.:. Ao longo do curso ser usada a 2 aproximao. Exemplo 11 Utilizar a
2 aproximao para determinar a corrente do diodo no circuito da Figura 118: SOL.:
O diodo est polarizado diretamente, portanto age como uma chave fechada em srie co
m uma bateria. ID = IRS = URS U S UD 10 0,7 = = = 186mA , 5k RS RS Figura 118
RESISTNCIA CC DE UM DIODO
a razo entre a tenso total do diodo e a corrente total do diodo. Podese considera
r dois casos: RD  Resistncia cc no sentido direto RR  Resistncia cc no sentido r
everso
RESISTNCIA DIRETA
a resistncia quando aplicada uma tenso no sentido direto sobre o diodo. varivel, pe
lo fato do diodo ter uma resistncia no linear. Por exemplo, no diodo 1N914 se for
aplicada uma tenso de 0,65V entre seus terminais existir uma corrente I=10mA. Caso
a tenso aplicada seja de 0,75V a corrente correspondente ser de 30mA. Por ltimo se
a tenso for de 0,85V a corrente ser de 50mA. Com isto podese calcular a resistnci
a direta para cada tenso aplicada: RD1 = 0,65/10mA = 65 RD2 = 0,75/30mA = 25 RD3 =
0,85/50mA = 17 Notase que a resistncia cc diminu com o aumento da tenso
RESISTNCIA REVERSA
Tomando ainda como exemplo o 1N914. Ao aplicar uma tenso de 20V a corrente ser de
25nA, enquanto uma tenso de 75V implica numa corrente de 5A. A resistncia reversa
ser de: RS1 = 20/25nA = 800M Prof. Roberto A. Bertoli set00

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14
A resistncia reversa diminui medida que se aproxima da tenso de ruptura.
1.5
RETIFICADORES DE MEIA ONDA E ONDA COMPLETA
comum em circuitos eletrnicos o uso de baterias de alimentao. Devido ao alto custo
de uma bateria se comparado com a energia eltrica, tornase necessrio a criao de um
circuito que transforme a tenso alternada de entrada em uma tenso contnua compatvel
com a bateria. O diodo um componente importante nesta transformao. que se ver neste
item.
ONDA SENOIDAL
A onda senoidal um sinal eltrico bsico. Sinais mais complexos podem ser representa
dos por uma soma de sinais senoidais.
Figura 119 A equao que representa a curva da Figura 119 a seguinte:
U = UP sen
E. 1-6
onde: U ! tenso instantnea Up ! tenso de pico Algumas maneiras de se referir aos va
lores da onda: Valor de pico UP ! Valor mximo ue a onda atinge Valor de pico a p
ico ( UPP ) ! Diferena entre o mximo e mnimo ue a onda atinge Upp = Up - (- Up ) =
2 Up Valor eficaz ( URMS) ( Root Mean Suare) O valor rms valor indicado pelo v
oltmetro uando na escala ca. O valor rms de uma onda senoidal, definido como a t
enso cc ue produz a mesma uantidade de calor ue a onda senoidal. Pode-se mostr
ar ue: VRMS = 0,707 Up Valor mdio O valor mdio uantidade indicada em um voltmetro
uando na escala cc. O valor mdio de uma onda senoidal ao longo de um ciclo zero
. Isto porue cada valor da primeira metade do ciclo, tem um valor igual mas de
sinal contrrio na segunda metade do ciclo. E. 1-7
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15
O TRANSFORMADOR
As fontes de tenses utilizadas em sistemas eletrnicos em geral so menores ue 30VCC
enuanto a tenso de entrada de energia eltrica costuma ser de 127VRMS ou 220VRMS.
Logo preciso um componente para abaixar o valor desta tenso alternada. O compone
nte utilizado o transformador. O transformador a grosso modo constitudo por duas
bobinas (chamadas de enrolamentos). A energia passa de uma bobina para outra atr
avs do fluxo magntico. Abaixo um exemplo de transformador:
Figura 1-20 A tenso de entrada U1 est conectada ao ue se chama de enrolamento pri
mrio e a tenso de sada ao enrolamento secundrio. No transformador ideal: U2 N2 = U1
N1 Onde: U1 tenso no primrio U2 tenso no secundrio N1 nmero de espiras no enrolamento
primrio N2 nmero de espiras no enrolamento secundrio A corrente eltrica no transfor
mados ideal : I1 N2 = I 2 N1 E. 1-9 E. 1-8
Exemplo 1-2 Se a tenso de entrada for 115 VRMS, a corrente de sada de 1,5ARMS e a
relao de espiras 9:1. Qual a tenso no secundrio em valores de pico a pico? E a corre
nte eltrica no primrio? SOL. U2 N2 U 1 ! 2 = ! U2 = 12,8 VRMS = U1 N1 115 9 U2PP=1
2,8/0,707=18VPP I1 N2 I 1 ! 1 = !I1 = 0,167ARMS = I 2 N1 1,5 9 obs.: a potncia elt
rica de entrada e de sada num transformador ideal so iguais. P=U*I=115*0,167=12,8*
1,5=19,2W Prof. Roberto A. Bertoli set-00

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16
RETIFICADOR DE MEIA ONDA
O retificador de meia onda converte a tenso de entrada (USECUNDRIIO ) ca numa tenso
pulsante positiva UR. Este processo de converso de AC para cc, conhecido como ret
ificao. Na Figura 1-21 mostrado um circuito de meia onda.
Figura 1-21 Considerando o diodo como ideal, as curvas so as mostrada na Figura 1
-22. A sada do secundrio tem dois ciclos de tenso: Um semiciclo positivo e um negat
ivo. Durante o semiciclo positivo o diodo est ligado no sentido direto e age como
uma chave fechada e pela lei das malhas toda a tenso do secundrio incide no resis
tor R. Durante o semiciclo negativo o diodo est polarizado reversamente e no h corr
ente circulando no circuito. Sem corrente eltrica circulando implica em no ter ten
so sob o resistor e toda a tenso do secundrio fica no diodo. Este circuito conhecid
o como retificador de meio ciclo porue s o semiciclo positivo aproveitado na ret
ificao.
Figura 1-22 O resistor R indicado no circuito representa a carga hmica acoplada a
o retificador, podendo ser tanto um simples resistor como um circuito complexo e
normalmente ele chamado de resistor de carga ou simplesmente de carga.
VALOR CC OU VALOR MDIO
A tenso mdia de um retificador de meia onda mostrada por um voltmetro dado por:
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ELETRNICA VCC = 0.318 UP diodo ideal VCC = 0.318 (UP - V) diodo 2 aproximao
17
Eq. 1-10 Eq. 1-11
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA
A Figura 1-23 motra um retificador de onda completa. Oberve a tomada central n
o enrolamento ecundrio. Por caua dea tomada, o circuito equivalente a doi re
tificadore de meia onda. O retificador uperior retifica o emiciclo poitivo d
a teno do ecundrio, enquanto o retificador inferior retifica o emiciclo negativ
o da teno do ecundrio.
Figura 1-23 A dua tene denominada de U2/2 na Figura 1-23 o idntica em amplit
ude e fae. O tranformador ideal pode er, portanto, ubtitudo por dua fonte
de teno idntica, como motra a Figura 1-23 direita, em alterao no funcionamento e
ltrico da rede. Quando U2/2 poitiva, D1 et diretamente polarizado e conduz ma D
2 et reveramente polarizado e cortado. Analogamente, quando U2/2 negativa, D2 c
onduz e D1 cortado. Coniderando o doi diodo ideai, temo a curva de teno o
bre o reitor de carga motrada na Figura 1-24.
VALOR CC OU VALOR MDIO
A teno mdia de um retificador de meia onda motrada por um voltmetro imilar o do
retificador de meia onda com a obervao de que agora tem-e um ciclo completo e o
valor er o dobro. dado por: VCC = 2*0.318 (UP/2) = 0,318UP diodo ideal VCC = 0.6
36 (UP/2 - V) diodo 2 aproximao Eq. 1-12 Eq. 1-13

FREQNCIA DE SADA
A freqncia de ada de onda completa o dobro da freqncia de entrada, poi a definio d
iclo completo diz que uma forma de onda completa eu ciclo quando ela Prof. Robe
rto A. Bertoli et-00

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ELETRNICA
18
comea a repeti-lo. Na Figura 1-24, a forma de onda retificada comea a repetio ap um
emiciclo da teno do ecundrio. Supondo que a teno de entrada tenha uma freqncia de
60Hz, a onda retificada ter uma freqncia de 120Hz e um perodo de 8,33m.
Figura 1-24
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ELETRNICA
19
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE
Na Figura 1-25 motrado um retificador de onda completa em ponte. Com o uo de q
uatro diodo no lugar de doi, elimina-e o uo da tomada central do tranformad
or. Durante o emiciclo poitivo da teno U2, o diodo D3 recebe um potencial poi
tivo em eu anodo, e o D2 um potencial negativo no catodo. Dea forma, D2 e D3
conduzem, D1 e D4 ficam reveramente polarizado e o reitor de carga R recebe t
odo o emiciclo poitivo da teno U2. Durante o emiciclo negativo da teno U2, o
diodo D4 recebe um potencial poitivo em eu anodo, e o diodo D1 um potencial ne
gativo no catodo, devido invero da polaridade de U2. O diodo D1 e D4 conduzem
e o diodo D2 e D3 ficam reveramente polarizado.
Figura 1-25 A corrente I percorre o reitor de carga empre num memo entido.
Portanto a teno UR empre poitiva. Na Figura 1-26 motrado a forma de onda 
obre o reitor de carga e o diodo, coniderando o diodo ideai. Na Tabela 1
-1 feito uma comparao entre o tr tipo de retificadore. Para diodo ideai. Tabe
la 1-1 MEIA ONDA N. de Diodo Teno Pico de Sada Teno cc de Sada Teno Pico Invera n
o Diodo Freqncia de Sada Teno de ada (rm) 1 UP 0,318 UP UP fent 0,45 UP ONDA COMPL
ETA 2 0,5UP 0,318 UP UP 2 fent 0,45 UP PONTE 4 UP 0,636 UP UP 2 fent 0,9 UP
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ELETRNICA
20
Figura 1-26
1.6
CAPACITOR
Componente eletrnico, contitudo por dua placa condutora, eparada material i
olante. por um
Ao ligar uma bateria com um capacitor decarregado, haver uma ditribuio de carga
e ap um certo tempo a tene na bateria e no capacitor ero a mema. E deixa de
circular corrente eltrica.
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ELETRNICA
21
Se o capacitor for deconectado da bateria, a carga eltrica acumulada permane
cem no capacitor, e portanto mantida a diferena de potencial no capacitor.
O capacitor pode armazenar carga eltrica. O capacitor e ope a variao de teno eltrica
. A capacidade que tem um capacitor para armazenar carga depende da ua capacitn
cia.
C=
onde: = constant diltrica (F/m)
.S d
Eq. 1-15
S = ra d uma das placas (so iguais) (m2) d = Espssura do diltrico m mtro (m)
C = Capacitncia m Farads (F) m gral s usa submultiplos do Farad: F, nF, pF
DETALHES SOBRE OS CAPACITORES TIPOS DE CAPACITORES
papl mica tntalo crmica ltroltico varivl (distncia / ra) !(Paddr; Trimmr)
DISPOSIO DAS PLACAS
Prof. Robrto A. Brtoli
st-00

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ELETRNICA
22
CARGA E DESCARGA DO CAPACITOR
Suponha qu o capacitor stja dscarrgado  m t=0s a chav do circuito abaixo
fchada.
As tnss no capacitor  rsistor sgum as sguints quas: VC=U*(1--t/) VR=U*e-
/ onde =RC e chamada de consane de empo do circuio. Quando =, a enso no capaci
or ainge 63% da enso da fone Eq. 1-16 Eq. 1-17
CIRCUITOS COM CAPACITOR E RESISTOR
Resisor em srie com o capacior
Prof. Robero A. Beroli
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Colgio Tcnico de Campinas Resisor em paralelo com o capacior


ELETRNICA
23
Resisor em srie com capacior e com um gerador de onda quadrada
Prof. Robero A. Beroli
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ELETRNICA
24
1.7
FILTRO PARA O RETIFICADOR
A enso de sada de um reificador sobre um resisor de carga pulsane como mosrad
or por exemplo na Figura 1-26. Durane um ciclo compleo na sada, a enso no resis
or aumena a parir de zero a um valor de pico e depois diminui de vola a zero
. No enano a enso de uma baeria deve ser esvel. Para ober esse ipo de enso
reificada na carga, orna-se necessrio o uso de filro. O ipo mais comum de fil
ro para circuios reificadores o filro com capacior mosrado na Figura 1-27.
O capacior colocado em paralelo ao resisor de carga. Para o enendimeno do f
uncionameno do filro supor o diodo como ideal e que, anes de ligar o circuio
, o capacior eseja descarregado. Ao ligar, durane o primeiro quaro de ciclo
da enso no secundrio, o diodo es direamene polarizado. Idealmene, ele funciona
como uma chave fechada. Como o diodo coneca o enrolameno secundrio ao capacio
r, ele carrega a o valor da enso de pico UP.
Figura 1-27
Figura 1-28 Logo aps o pico posiivo, o diodo pra de conduzir, o que significa uma
chave abera. Iso devido ao fao de o capacior er uma enso de pico UP. Como
a enso no secundrio ligeiramene menor que UP, o diodo fica reversamene polariza
do e no conduz. Com o diodo abero, o capacior se descarrega por meio do resiso
r de carga. A idia do filro a de que o empo de descarga do capacior seja muio
maior que o perodo do sinal de enrada. Com isso, o capacior perder somene uma
pequena pare de sua carga durane o empo que o diodo esiver em core. O diodo
s volar a conduzir no momeno em que a enso no secundrio iniciar a subir e seja i
gual a enso no capacior. Ele conduzir dese pono a a enso no secundrio aingir o
valor de pico UP. O inervalo de conduo do diodo chamado de ngulo de conduo do diodo
. Durane o ngulo de conduo do diodo, o capacior carregado novamene a UP . Nos re
ificadores sem filro cada diodo em um ngulo de conduo de 180.
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25
Na Figura 1-28 mosrada na enso sob a carga. A enso na carga agora uma enso cc m
ais esvel. A diferena para uma enso cc pura uma pequena ondulao (Ripple) causada pe
la carga e descarga do capacior. Nauralmene, quano menor a ondulao, melhor. Um
a forma de reduzir a ondulao aumenar a consane de empo de descarga (R.C). Na p
rica aumenar o valor do capacior. Oura forma de reduzir a ondulao opar pelo us
o de um reificador de onda complea, no qual a freqncia de ondulao o dobro do meia
onda. Nese caso carregado duas vezes a cada ciclo da enso de enrada e descarre
ga-se s durane a meade do empo de um meia onda. Pode-se relacionar a enso de o
ndulao na seguine frmula:
U OND =
onde:
I fC
Eq. 1-18

UOND = enso de ondulao pico a pico I = correne cc na carga f = freqncia de ondulao C


= capacincia A escolha de um capacior de filro, depende, eno, do valor da enso
de ondulao. Quano menor, melhor. Mas no vivel que a enso de ondulao seja zero. Co
regra de projeo, o habiual escolher a enso de ondulao como sendo 10% da enso de
pico do sinal a ser reificado.
CORRENTE DE SURTO (IMPULSIVA)
Insanes anes de energizar o circuio reificador, o capacior do filro es de
scarregado. No momeno em que o circuio ligado, o capacior se aproxima de um c
uro. Porano, a correne inicial circulando no capacior ser muio ala. Ese f
luxo alo de correne chamado correne de suro. Nese momeno o nico elemeno qu
e limia a carga a resisncia dos enrolamenos e a resisncia inerna dos diodos.
O pior caso, o capacior esar oalmene descarregado e o reificador ser ligad
o no insane em que a enso da linha mxima. Assim a correne ser:
I SURTO =
UP R ENROLAMENTO + R DIODO
Eq. 1-19
Esa correne diminui o logo o capacior v se carregando. Em um circuio reifica
dor pico, a correne de suro no uma preocupao. Mas, quando a capacincia for muio
maior do que 1000uF, a consane de empo se orna muio grande e pode levar vrio
s ciclos para o capacior se carregar oalmene. Iso ano pode danificar os d
iodos quano o capacior. Um modo de diminuir a correne de suro incluir um res
isor enre os diodos e o capacior. Ese resisor limia a correne de suro po
rque ele somado ao enrolameno e resisncia inerna dos diodos. A desvanagem del
e , nauralmene, a diminuio da enso de carga cc.
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ELETRNICA
26
1.8
DIODO ZENER
O diodo zener um diodo consrudo especialmene para rabalhar na enso de rupura.
Abaixo mosrado a curva caracersica do diodo zener e sua simbologia.
O diodo zener se compora como um diodo comum quando polarizado direamene. Mas
ao conrrio de um diodo convencional, ele supora enses reversas prximas a enso d
e rupura. A sua principal aplicao a de conseguir uma enso esvel (enso de rupura)
. Normalmene ele es polarizado reversamene e em srie com um resisor limiador
de correne. Graficamene possvel ober a correne elrica sob o zener com o uso d
e rea de carga.
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27
DIODO ZENER IDEAL
O zener ideal aquele que se compora como uma chave fechada para enses posiivas
ou enses negaivas menores que VZ . Ele se comporar como uma chave abera para 
enses negaivas enre zero e VZ . Veja o grfico abaixo
SEGUNDA APROXIMAO
Uma Segunda aproximao considera-lo como ideal mas que a parir da enso de rupura
exisa uma resisncia inerna.
CORRENTE MXIMA NO ZENER PZ = VZ * I Z
Exemplo 1-3: Se um diodo zener de 12V em uma especificao de poncia mxima de 400mW,
qual ser a correne mxima permiida? SOL.:
I ZMXIMA =
400mW = 33,33mA 12V
Ese zener supora a 33,3mA. Prof. Robero A. Beroli se-00

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ELETRNICA
28
REGULADOR DE TENSO COM ZENER
Objeivo: maner a enso sobre a carga consane e de valor Vz.
Tenso na carga enquano o diodo corado
VRL =
RL * VS RS + RL
VRL=VZ
Eq. 1-20
Com o diodo conduzindo reversamene Eq. 1- 21 Correne sob RS.
IS =
sob RL
VS VZ RS
Eq. 1 22
IL=VZ/RL sob o zener IS=IZ+IL Tenso de Ripple na carga (VL) Considerando RZ<<RL, R
S ! IZ=IS  IL
Eq. 1 23 Eq. 1 24
VL =
RZ * VS RS
Eq. 1 25
VS  variao de entrada RZ  resistncia do zener RS  resistncia da entrada
CLCULO DO RESISTOR DE CARGA RS. RS <

VSMIN VZ I LMAX + I ZMIN


Eq. 1 25
garante a corrente mnima para a carga
Prof. Roberto A. Bertoli
set00

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ELETRNICA
29
Eq. 1 26
RS >

VSMAX VZ I LMIN + I ZMAX


garante que sob o zener no circule uma corrente maior que IZMAX
Exemplo 14: Um regulador zener tem uma tenso de entrada de 15V a 20V e a corrent
e de carga de 5 a 20mA. Se o zener tem VZ=6,8V e IZMAX=40mA, qual o valor de RS?
SOL.: RS <(156,8)/(20m+4m)=342 e RS> (206,8)/(5m+40m)=293 293<RS <342
1.9
CIRCUITO COM DIODOS
MULTIPLICADORES DE TENSO
Formado por dois ou mais retificadores que produzem uma tenso cc igual a um mltipl
o da tenso de pico da entrada (2Vp, 3Vp, 4Vp)
DOBRADOR DE TENSO DE MEIA ONDA
No pico do semiciclo negativo, D1 est polarizado diretamente e D2 reversamente, i
sto faz C1 carregar at a tenso Vp. No pico do semiciclo positivo, D1 est polarizado
reverso e D2 direto. Pelo fato da fonte e C1 estarem em srie, C2 tentar se carreg
ar at 2Vp. Depois de vrios ciclos, a tenso atravs de C2 ser igual a 2Vp.
Redesenhando o circuito e ligando uma resistncia de carga Prof. Roberto A. Bertol
i set00

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ELETRNICA
30
DOBRADOR DE TENSO DE ONDA COMPLETA
TRIPLICADOR E QUADRIPLICADOR DE TENSO
LIMITADORES
Retira tenses do sinal acima ou abaixo de um dado nvel. Serve para mudar o sinal o
u para proteo. set00
Prof. Roberto A. Bertoli

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ELETRNICA
31
LIMITADOR POSITIVO (OU CEIFADOR)
LIMITADOR POLARIZADO
ASSOCIAO DE LIMITADORES
USO COMO PROTEO DE CIRCUITOS

1N914 conduz quando a tenso de entrada excede a 5,7V. Este circuito chamado gramp
o de diodo, porque ele mantm o sinal num nvel fixo.
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set00

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ELETRNICA
32
GRAMPEADOR CC
O grampeador cc soma uma tenso cc ao sinal (no confundir com grampo de diodo). Por
exemplo, se o sinal que chega oscila de 10V a +10V, um grampeador cc positivo
produziria uma sada que idealmente oscila de 0 a +20V (um grampeador negativo pro
duziria uma sada entre 0 e 20V).
1.10
EXERCCIOS
Ex. 11)Num dado circuito, quando um diodo est polarizado diretamente, sua corren
te de 50mA. Quando polarizado reversamente, a corrente cai para 20nA. Qual a razo
entre a corrente direta e a reversa? Ex. 12)Qual a potncia dissipada num diodo
de silcio com polarizao direta se a tenso de diodo for de 0,7V e a corrente de 100mA
? Ex. 13)Faa o grfico I*V de um resistor de 2k. marque o ponto onde a corrente de
4mA. Ex. 14)Suponha VS=5V e que a tenso atravs do diodo seja 5V. O diodo est abert
o ou em curto? Ex. 15)Alguma faz com que R fique em curto no circuito ao lado.
Qual ser a tenso do diodo? O que acontecer ao diodo? Ex. 16)Voc mede 0V atravs do di
odo do circuito ao lado. A seguir voc testa a tenso da fonte, e ela indica uma lei
tura de +5V com relao ao terra (). O que h de errado com o circuito?
Prof. Roberto A. Bertoli
set00

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ELETRNICA
33
I (mA) 100
50
.5
1
1.5
2
2.5
3
3,5 V
Ex. 17)Uma fonte de tenso de 2,5V leva o diodo a Ter um resistor limitador de co
rrente de 25. Se o diodo tiver a caracterstica I*V abaixo, qual a corrente na extr
emidade superior da linha de carga: a tenso na extremidade mais baixa da linha de
carga? Quais os valores aproximados da tenso e da corrente no ponto Q? Ex. 18)R
epita o exerccio anterior para uma resistncia de 50. Descreva o que acontece com a
linha de carga. Ex. 19)Repita o Ex. 17 para uma fonte de tenso de 1,5V. o que a
contece com a linha de carga? Ex. 110)Um diodo de silcio tem uma corrente direta
de 50mA em 1V. Utilize a terceira aproximao para calcular sua resistncia de corpo.
Ex. 111)A tenso da fonte de 9V e da resistncia da fonte de 1k. Calcule a corrente
atravs do diodo
Ex. 112)No circuito acima, a tenso da fonte de 100V e a resistncia da fonte de 22
0. Quais os diodos relacionados abaixo podem ser utilizados? Diodo Prof. Roberto
A. Bertoli Vruptura IMX set00

Colgio Tcnico de Campinas 1N914 1N4001 1N1185


ELETRNICA 75V 50V 120V 200mA 1A 35A
34
Ex. 113)E se eu inverter a polaridade da fonte? Ex. 114)No circuito acima qual
dever ser o valor de R para se obter uma corrente de diodo de 10mA? (suponha VS=
5V) Ex. 115)Alguns sistemas como alarme contra roubo, computadores, etc. utiliz
am uma bateria auxiliar no caso da fonte de alimentao principal falhar. Descreva c
omo funciona o circuito abaixo.
15v fonte
carga
12V
Ex. 116)Encontre a capacitncia de um capacitor de placas paralelas se a dimenso d
e cada placa retangular de 1x0,5 cm, a distncia entre as placas 0,1mm e o dieltric
o o ar. Depois, encontre a capacitncia tendo a mica como dieltrico. Ar=8,85x10-12 F
/m mica=5xar Vidro=7,5xar crmica=7500xar
Ex. 1-17)Encontr a distncia ntr as placas d um capacitor d 0,01F d placas pa
rallas, s a ra d cada placa 0,07 m2  o diltrico o vidro. Ex. 1-18)Um capacit
or possui como diltrico um disco fito d crmica com 0,5 cm d dimtro  0,521 mm
d spssura. Ess disco rvstido dos dois lados com prata, sndo ss rvsti
mnto as placas. Encontr a capacitncia. Ex. 1-19)Um capacitor d placas paralla
s d 1 F possui um diltrico d crmica d 1mm d spssura. S as placas so quadra
das, ncontr o comprimnto do lado d uma placa. Ex. 1-20)No instant t=0s, uma
font d 100V conctada a um circuito sri formado por um rsistor d 1k e um cap
acitor de 2F descarregado. Qual : A tenso inicial do capacitor? A corrente inicial?
tempo necessrio para o capacitor atingir a tenso de 63% do seu valor mximo? Ex. 1
21)Ao ser fechada, uma chave conecta um circuito srie formado por uma fonte de 20
0V, um resistor de 2M e um capacitor de 0,1F descarregado. Encontre a tenso no capa
citor e a corrente no instante t=0,1s aps o fechamento da chave. Ex. 122)Para o
circuito usado no problema 6, encontre o tempo necessrio para a tenso no capacitor
atingir 50V. Depois encontre o tempo necessrio para a tenso no capacitor aumentar
mais 50V (de 50V para 100V). Compare os resultados. Ex. 123)Um simples tempori
zador RC possui uma chave que quando fechada conecta em srie uma fonte de 300V, u
m resistor de 16M e um capacitor descarregado de 10F. Encontre o tempo entre a abe
rtura e o fechamento. Prof. Roberto A. Bertoli set00

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ELETRNICA
35

Ex. 124)Um retificador em ponte com um filtro com capacitor de entrada, tem uma
tenso de pico na sada de 25V. Se a resistncia de carga for de 220 e a capacitncia de
500F, qual a ondulao de pico a pico (Ripple)? Ex. 125)A figura abaixo mostra uma
fonte de alimentao dividida. Devido derivao central aterrada, as tenses de sada so i
is e com polaridade oposta. Quais as tenses de sada para uma tenso do secundrio de 1
7,7Vac e C=500F? Qual a ondulao de pico a pico? Quais as especificaes mnima de ID e VZ
? qual a polaridade de C1 e C2?
Ex. 126)Voc mede 24Vac atravs dos secundrio da figura abaixo. Em seguida voc mede 2
1,6Vac atravs do resistor de carga. Sugira alguns problemas possveis.
Ex. 127)Voc est construindo um retificador em ponte com um filtro com capacitor d
e entrada. As especificaes so uma tenso de carga de 15V e uma ondulao de 1V para uma r
esistncia de carga de 680. Qual a tenso em rms no enrolamento do secundrio? Qual dev
e ser o valor do capacitor de filtro? Ex. 128)A fonte de alimentao dividida da fi
gura 1 tem uma tenso do secundrio de 25Vac. Escolha os capacitores de filtro, util
izando a regra dos 10 por cento para a ondulao.
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ELETRNICA
36
Ex. 129)A tenso do secundrio na figura abaixo de 25Vac. Com a chave na posio mostra
da, qual a tenso de sada ideal? Com a chave na posio mais alta, qual a tenso de sada i
deal?
Ex. 130)O ampermetro da figura abaixo tem uma resistncia de medidor de 2k e uma co
rrente para fundo de escala de 50A. Qual a tenso atravs desse ampermetro quando ele
indicar fundo de escala? Os diodos s vezes so ligados em derivao (Shunted) atravs do
ampermetro, como mostra a figura 4. Se o ampermetro estiver ligado em srie com um c
ircuito, os diodos podem ser de grande utilidade. Para que voc acha que eles pode
m servir?
Ex. 131)Dois reguladores zener esto ligados em cascata. O primeiro tem um Rs=680
e um Rz=10. O segundo tem um Rs=1,2k e Rz=6. Se o Ripple da fonte for de 9V de pico
a pico, qual Ripple na sada? Ex. 132)Na figura abaixo, o 1N1594 tem uma tenso de
zener de 12V e uma resistncia zener de 1,4. Se voc medir aproximadamente 20V para
a tenso de carga, que componente voc sugere que est com defeito? Explique por qu?
Ex. 133)Projete um regulador zener que preencha as seguintes especificaes: tenso d
a carga de 6,8V, tenso da fonte de 20V !20%, e corrente de carga de 30mA !50%. Ex
. 134) para VRL =4,7V e IZMAX=40mA. Quais valores VS pode assumir?
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ELETRNICA
37
Ex. 135)No exerccio anterior qual a tenso na carga para cada uma das condies abaixo
: diodo zener em curto diodo zener aberto resistor em srie aberto resistor de car
ga em curto O que ocorre com VL e com o diodo zener se o resistor em srie estiver
em curto? Ex. 136)Qual o sinal de sada?
Ex. 137)Qual o sinal sob VL?
Ex. 138)Um regulador zener tem Vz = 15V e Izmax=100mA. VS pode variar de 22 a 4
0V. RL pode variar de 1k a 50k. Qual o maior valor que a resistncia srie pode assumi
r? Ex. 139)Um diodo zener tem uma resistncia interna de 5. Se a corrente variar d
e 10 a 20mA, qual a variao de tenso atravs do zener? Ex. 140)Uma variao de corrente d
e 2mA atravs do diodo zener produz uma variao de tenso de 15mV. Qual o valor da resi
stncia? Ex. 141)Qual o valor mnimo de RS para o diodo no queimar (VZ=15V e PZMAX=0
,5W)?
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ELETRNICA
38
Ex. 142)no exerccio anterior, se RS= 2k, qual a corrente sobre o zener, e qual a
potncia dissipada no zener? Ex. 143)Qual o valor de Iz para RL= 100k, 10k e 1k?
Ex. 144)No exerccio anterior suponha que a fonte tenha um Ripple de 4V. Se a res
istncia zener for de 10, qual o Ripple de sada? Ex. 145)Dois reguladores zener esto
ligados em cascata. O primeiro tem uma resistncia em srie de 680 e um Rz=6. O segun
do tem uma resistncia srie de 1k2 e Rz=6. Se a ondulao da fonte for 9V de pico a pico,
qual a ondulao na sada?
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ELETRNICA
39
2

TRANSISTOR BIPOLAR
Existe uma infinidade de sinais de interesse em eletrnica que so muitos fracos, co
mo por exemplo, as correntes eltricas que circulam no corpo humano, o sinal de sad
a de uma cabea de gravao, etc., e para transformalos em sinais teis tornase necessr
io amplificalos. Antes da dcada de 50, a vlvula era o elemento principal nesta ta
refa. Em 1951, foi inventado o transistor. Ele foi desenvolvido a partir da tecn
ologia utilizada no diodo de juno, como uma alternativa em relao as vlvulas, para rea
lizar as funes de amplificao, deteco, oscilao, comutao, etc. A partir da o desenvo
da eletrnica foi imenso. Dentre todos os transistores, o bipolar muito comum, com
semelhanas ao diodo estudado anteriormente, com a diferena de o transistor ser fo
rmado por duas junes pn, enquanto o diodo por apenas uma juno.
2.1
FUNCIONAMENTO DE TRANSISTORES BIPOLARES
O transistor bipolar constitudo por trs materiais semicondutor dopado. Dois crista
is tipo n e um tipo p ou dois cristais tipo p e um tipo n. O primeiro chamado de
transistor npn e o segundo de pnp. Na Figura 21 so mostrados de maneira esquemti
ca os dois tipos:
Figura 21 Cada um dos trs cristais que compe o transistor bipolar recebe o nome r
elativo a sua funo. O cristal do centro recebe o nome de base, pois comum aos outr
os dois cristais, levemente dopado e muito fino. Um cristal da extremidade receb
e o nome de emissor por emitir portadores de carga, fortemente dopado e finalmen
te o ltimo cristal tem o nome de coletor por receber os portadores de carga, tem
uma dopagem mdia. Apesar de na Figura 21 no distinguir os cristais coletor e emis
sor, eles diferem entre si no tamanho e dopagem. O transistor tem duas junes, uma
entre o emissor a base, e outra entre a base e o coletor. Por causa disso, um tr
ansistor se assemelha a dois diodos. O diodo da esquerda comumente designado dio
do emissor  base (ou s emissor) e o da direita de coletor  base (ou s coletor).
Ser analisado o funcionamento do transistor npn. A anlise do transistor pnp simila
r ao do npn, bastando levar em conta que os portadores majoritrios do emissor so l
acunas em vez dos eltrons livres. Na prtica isto significa tenses e correntes inver
tidas se comparadas com o npn.
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ELETRNICA
40
TRANSISTOR NO POLARIZADO

Figura 22 A difuso dos eltrons livres atravs da juno produz duas camadas de depleo. C
da camada tem aproximadamente uma barreira potencial de 0,7V (silcio) em 25C. Com
os diferentes nveis de dopagem de cada cristal, as camadas de depleo tem larguras d
iferentes. Tanto maior a largura quanto menor a dopagem. Ela penetra pouco na re
gio do emissor, bastante na base e mdio na regio do coletor. A
Figura 22 mostra as camadas de depleo nas junes do transistor npn.
POLARIZAO DO TRANSISTOR NPN
As junes do transistor podem ser polarizadas diretamente ou reversamente.
JUNES COM POLARIZAO DIRETA
Na Figura 23 a bateria B1 polariza diretamente o diodo emissor, e a bateria B2
polariza diretamente o diodo coletor. Os eltrons livres entram no emissor e no co
letor, juntamse na base e retornam para as baterias. O fluxo de corrente eltrica
alto nas duas junes.
Figura 23
JUNES COM POLARIZAO REVERSA
Na Figura 24 os diodos emissor e coletor ficam reversamente polarizado. A corre
nte eltrica circulando pequena (corrente de fuga).
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Figura 24
JUNES COM POLARIZAO DIRETA  REVERSA
Na Figura 25 o diodo coletor est reversamente polarizado e diodo emissor diretam
ente polarizado. A princpio esperase uma corrente de fuga no diodo coletor e uma
alta corrente no diodo emissor. No entanto isto no acontece, nos dois diodos as
correntes so altas.
Figura 25 No instante em que a polarizao direta aplicada ao diodo emissor, os eltr
ons do emissor ainda no penetraram na regio da base. Se a tenso entre base e emisso
r (VBE) for maior que 0,7V, muitos eltrons do emissor penetram na regio da base. E
stes eltrons na base podem retornar ao plo negativo da bateria B1, ou atravessar a
juno do coletor passando a regio do coletor. Os eltrons que a partir da base retorn
am a bateria B1 so chamados de corrente de recombinao. Ela pequena porque a base po
uco dopada. Como a base muito fina, grande parte dos eltrons da base passam a juno
basecoletor. Esta juno, polarizada reversamente, dificulta a passagem dos portador
es majoritrios do cristal de base (lacunas) para o coletor, mas no dos eltrons livr
es. Esses atravessam sem dificuldade a camada de depleo penetram na regio de coleto
r. L os eltrons livres so atrados para o plo positivo da bateria B2. Em suma, com a p
olarizao direta do diodo emissor, injetado uma alta corrente em direo a base. Na bas
e uma pequena parcela da corrente, por recombinao, retorna ao plo negativo da bater
ia B1 e o restante da corrente flui para o coletor e da para o plo positivo da bat
eria B2. Ver Figura 26. Obs. Considerar a tenso coletor  base (VCB) bem maior q
ue a tenso emissor  base (VBE).
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42
Figura 26
TRANSISTOR PNP
No transistor pnp as regies dopadas so contrrias as do transistor npn. Isso signifi
ca que as lacunas so portadores majoritrios no emissor em vez dos eltrons livres. O
funcionamento como a seguir. O emissor injeta lacunas na base. A maior parte de
ssas lacunas circula para o coletor. Por essa razo a corrente de coletor quase ig
ual a do emissor. A corrente de base muito menor que essas duas correntes. Qualq
uer circuito com transistor npn pode ser convertido para uso de transistor pnp.
Basta trocar os transistores, inverter a polaridade da fonte de alimentao, os diod
os e capacitores polarizados. E o funcionamento ser idntico ao modelo npn. Conside
rando esta similaridade, neste curso os circuitos analisados so sempre os com tra
nsistores npn.
AS CORRENTES NO TRANSISTOR
Figura 27

A Figura 27 Figura 27 mostra o smbolo esquemtico para um transistor pnp e npn. A
diferenciao a nvel de esquemtico feito atravs da seta no pino do emissor. A direo d
eta mostra o fluxo de corrente convencional. Na figura mostrado tambm o sentido d
as correntes convencionais IB , IC e IE . A lei de correntes de Kirchhoff diz qu
e a soma de todas as correntes num n igual a soma das que saem. Ento: IE = IC + IB
Eq. 2 1 A relao entre a corrente contnua de coletor e a corrente contnua de base c
hamada de ganho de corrente CC : Prof. Ro erto A. Bertoli set-00

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43
Eq. 2- 2
CC =
IC IB
Em geral mais de 95% dos eltrons livres atingem o coletor, ou seja, a corrente de
emissor praticamente igual a corrente de coletor. O parmetro cc de um trnsistor
indic  relo entre  corrente de emissor e coletor:
CC =
IC IE
Eq. 2- 3
Qunto mis fin e levemente dopd  bse, mis lto o cc. Pode-se relcionr o c
c com o CC : !CC = !CC /(1 - !CC ) Eq. 2- 4
TESTE DE DIODOS E TRANSISTORES.
Uma maneira simples mostrada a seguir para se testar diodos e transistores utili
zando um ohmmetro. Teste de funcionamento de um diodo com um ohmmetro. 1. Encostase a ponta de prova negativa no ctodo 2. Encosta-se a ponta de prova positiva no n
odo O ohmmetro deve indicar resistncia aixa. 3. Inverte-se as pontas de provas, a
resistncia deve ser alta. Teste de funcionamento de um transistor npn com um ohmm
etro 1. Encosta-se a ponta de prova negativa na ase do transistor 2. Encosta-se
a ponta de prova positiva no coletor do transistor O ohmmetro deve indicar resis
tncia alta. 3. Muda-se a ponta de prova positiva para o emissor do transistor O o
hmmetro deve indicar resistncia alta. 4. Inverte-se as pontas de provas, isto , enc
osta-se a positiva na ase e repete os itens 2 e 3. As resistncias devem ser aix
as. Isto vlido para os multmetros digitais. Em geral, nos multmetros analgicos, a po
nta de prova positiva est ligada ao plo negativo da ateria.
MONTAGEM BSICA COM TRANSISTOR
Na Figura 2-8, o lado negativo de cada fonte de tenso est conectado ao emissor. Ne
ste caso denomina-se o circuito como montado em emissor comum. Alm da montagem em
emissor comum, existem a montagem em coletor comum e ase comum, analisadas mai
s a frente. O circuito constitudo por duas malhas. A malha da esquerda que contm a
tenso VBE e malha da direita com a tenso VCE.
VS = R S I B + VBE VCC = I C R C + VCE
Eq. 2- 5 Eq. 2- 6
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Figura 2-8
RELAO IB VERSUS VBE
Existe uma relao entre IB e VBE, ou seja, para cada IB existe uma tenso VBE corresp
ondente (Figura 2-9). Naturalmente, esta curva semelhante a curva do diodo.
Figura 2-9
RELAO IC VERSUS VCE
A partir de VCC e VS possvel o ter diversos valores de IC e VCE . a Figura 2-10 m
ostra esta relao supondo um IB fixo.
Figura 2-10
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45

A parte inicial da curva chamada de regio de saturao. toda a curva entre a origem e
o joelho. A parte plana chamada de regio ativa. Nesta regio uma variao do VCE no inf
luencia no valor de IC. IC mantm-se constante e igual a IB CC. A parte final a re
gio de ruptura e deve ser evitada. Na regio de saturao o diodo coletor est polarizado
diretamente. Por isso, perde-se o funcionamento convencional do transistor, pas
sa a simular uma pequena resistncia hmica entre o coletor e emissor. Na saturao no po
ssvel manter a relao IC=IB CC. Para sair da regio de saturao e entrar na regio ativa,
cessrio uma polarizao reversa do diodo coletor. Como VBE na regio ativa em torno de
0,7V, isto requer um VCE maior que 1V. A regio de corte um caso especial na curva
IC x VCE. quando IB =0 (eqivale ao terminal da ase a erto). A corrente de colet
or com terminal da ase a erto designada por ICEO (corrente de coletor para emis
sor com ase a erta). Esta corrente muito pequena, quase zero. Em geral se consi
dera: Se IB=0 !IC =0. O grfico da Figura 2-10, mostra a curva IC x VCE para um da
do IB. Ha itualmente o grfico fornecido pelo fa ricante leva em considerao diversos
IBs. Um exemplo est na Figura 2-11. Notar no grfico que para um dado valor de VCE
existem diversas possi ilidades de valores para IC. Isto ocorre, porque necessrio
ter o valor fixo de IB. Ento para cada IB h uma curva relacionando IC e VCE. No g
rfico de exemplo, a tenso de ruptura est em torno de 80V e na regio ativa para um IB
=40A tem-se que o CC=IC/IB = 8mA/40A=200. Mesmo para outros valores de IB, o CC se
mantm constante na regio ativa. Na realidade o CC no constante na regio ativa, ele
varia com a temperatura am iente e mesmo com IC. A variao de CC pode ser da ordem
de 3:1 ao longo da regio ativa do transistor. Na Figura 2-12 mostrado um exemplo
de variao de CC. Os transistores operam na regio ativa quando so usados como amplifi
cadores. Sendo a corrente de coletor (sada) proporcional a corrente de ase (entr
ada), designa-se os circuitos com transistores na regio ativa de circuitos linear
es. As regies de corte e saturao, por simularem uma chave controlada pela corrente
de ase, so amplamente usados em circuitos digitais.
Figura 2-11
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Figura 2-12
O MODELO DE EBERS-MOLL
Na anlise ou projeto de um circuito transistorizado, tem-se dificuldade em tra al
har com o transistor a nvel de malhas. Uma opo a de se criar um circuito equivalent
e para o transistor usando componentes mais simples como fonte ou resistor. O mo
delo de E ers-Moll um circuito equivalente do transistor levando em considerao que
ele esteja tra alhando na regio ativa, ou seja: o diodo emissor deve estar polar
izado diretamente; o diodo coletor deve estar polarizado reversamente e a tenso d
o diodo coletor deve ser menor do que a tenso de ruptura. Veja Figura 2-13. O mod
elo faz algumas simplificaes: 1. VBE =0,7V 2. IC=IE !IB=IE/ !CC 3. despreza a dife
rena de potencial produzida pela corrente de ase ao atravessar a resistncia de es
palhamento da ase .
Figura 2-13 Modelo E ers-Moll
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47
3
POLARIZAO DE TRANSISTORES
Um circuito transistorizado pode ter uma infinidade de funes e os transistores par
a cada funo tem um ponto de funcionamento correto. Este captulo estuda como esta el
ecer o ponto de operao ou quiescente de um transistor. Isto , como polariza-lo.
3.1
RETA DE CARGA
A Figura 3-1 mostra um circuito com polarizao de ase. O pro lema consiste em sa e
r os valores de correntes e tenses nos diversos componentes. Uma opo o uso da reta
de carga.
Figura 3-1 a conceito de reta de carga estudado no captulo so re diodos, tam m se
aplica a transistores. usa-se a reta de carga em transistores para o ter a corre
nte IC e VCE considerando a existncia de um RC. A anlise da malha esquerda fornece
a corrente IC: IC = (VCC - VCE )/ RC Eq. 3- 1 Nesta equao existem duas incgnitas,
IC e VCE. A soluo deste impasse utilizar o grfico IC x VCE. Com o grfico em mos,
a Calcular os extremos da reta de carga: VCE = 0 !IC = VCC / RC ponto superior I
C = 0 !VCE = VCC ponto inferior Eq. 3- 2 Eq. 3- 3
A partir da reta de carga e definido uma corrente IB chega-se aos valores de IC
e VCE. Exemplo 3-1 No circuito da Figura 3-1 suponha RB= 500 Construa a linha de
carga no grfico da Figura 32 e mea IC e VCE de operao. SOL.: Os dois pontos da reta
de carga so: VCE = 0 !IC = VCC / RC (15 )/1k5 = 10mA ponto superior IC = 0 !VCE
= VCC = 15V ponto inferior O corrente de base a mesma que atravessa o resistor R
B:
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ast

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IB =
15 0,7 = 29A 500K
Figura 32 Aps traar a reta de carga na curva do transistor chegase aos valores d
e IC =6mA e VCE=5,5V. Este o ponto de operao do circuito (ponto Q ponto quiescent
e). O ponto Q varia conforme o valor de IB. um aumento no IB aproxima o transist
or para a regio de saturao, e uma diminuio de IB leva o transistor regio de corte. Ver
Figura 33 O ponto onde a reta de carga intercepta a curva IB =0 conhecido como
corte. Nesse ponto a corrente de base zero e corrente do coletor muito pequena
(ICEO ). A interseo da reta de carga e a curva IB= IB(SAT) chamada saturao. Nesse po
nto a corrente de coletor mxima.
Figura 33 Prof. Roberto A. Bertoli set00

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49
3.2
O TRANSISTOR COMO CHAVE
A forma mais simples de se usar um transistor como uma chave, significando uma o
perao na saturao ou no corte e em nenhum outro lugar ao longo da reta de carga. Quan
do o transistor est saturado, como se houvesse uma chave fechada do coletor para
o emissor. Quando o transistor est cortado, como uma chave aberta.

CORRENTE DE BASE
A corrente de base controla a posio da chave. Se IB for zero, a corrente de coleto
r prxima de zero e o transistor est em corte. Se IB for IB(SAT) ou maior, a corren
te de coletor mxima e o transistor satura. Saturao fraca significa que o transistor
est levemente saturado, isto , a corrente de base apenas suficiente para operar o
transistor na extremidade superior da reta de carga. No aconselhvel a produo em mas
sa de saturao fraca devido variao de CC e em IB(SAT). Saturao forte significa dispo
e corrente da ase suficiente para saturar o transistor para todas as variaes de v
alores de CC. No pior caso de temperatura e corrente, a maioria dos transistores
de silcio de pequeno sinal tem um CC maior do que 10. Portanto, uma oa orientao d
e projeto para a saturao forte de considerar um CC(SAT)=10, ou seja, dispor de uma
corrente de ase que seja de aproximadamente um dcimo do valor saturado da corre
nte de coletor. Exemplo 3-2 A Figura 3-4 mostra um circuito de chaveamento com t
ransistor acionado por uma tenso em degrau. Qual a tenso de sada? SOL.: Quando a te
nso de entrada for zero, o transistor est em corte. Neste caso, ele se comporta co
mo uma chave a erta. Sem corrente pelo resistor de coletor, a tenso de sada iguala
-se a +5V.
Figura 3-4 Quando a tenso de entrada for de +5V, a corrente de

ase ser:

IB =
5 0,7 = 1,43mA 3K
Supondo o transistor com um curto entre coletor e o emissor (totalmente saturado
). A tenso de sada vai a zero e a corrente de saturao ser:
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I C (SAT ) =
5 = 15,2mA 330
Isto aproximadamente 10 vezes o valor da corrente de base, ou seja, certamente h
uma saturao forte no circuito. No circuito analisado, uma tenso de entrada de 0V pr
oduz uma sada de 5V e uma tenso de entrada de 5V, uma sada de 0V. Em circuitos digi
tais este circuito chamado de porta inversora e tem a representao abaixo:
Exemplo 33 Recalcule os resistores RB e
=10mA. SOL.: Clculo de IB Se IC =10mA !
Clculo de RC ao considerar o transistor
C = VCC / IC = 5 /10mA = 500 Clculo de

RC no circuito da Figura 34 para um IC


IB (sat) = IC / CC(SAT) = 10m /10 = 1,0mA
saturado, o VCE de saturao prximo de zero. R
RB RB = VE  VBE / IB = 5  0.7 / 1mA = 4k3

3.3
O TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE
A Figura 35 mostra um transistor como fonte de corrente. Ele tem um resistor de
emissor RE entre o emissor e o ponto comum. A corrente de emissor circula por e
sse resistor produzindo uma queda de tenso de IE RE.
Figura 35 A soma das tenses da malha de entrada da : VBE + IE RE  VS = 0 logo, I
E
IE =
VS VBE RE
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51
Como VBE, VS, e RE so aproximadamente constantes, a corrente no emissor constante
. Independe de CC, RC ou da corrente de ase.
3.4
O TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR
CIRCUITOS DE POLARIZAO EM EMISSOR COMUM
Fontes de alimentao e resistores polarizam um transistor, isto , eles esta elecem v
alores especficos de tenses e correntes nos seus terminais, determinando, portanto
, um ponto de operao no modo ativo (o ponto de operao). A Figura 3-6 mostra o circui
to de polarizao por ase j estudado anteriormente, a principal desvantagem dele a s
ua suscepti ilidade variao do CC. Em circuitos digitais, com o uso de CC(SAT), ist
o no pro lema. Mas em circuitos que tra alham na regio ativa, o ponto de operao vari
a sensivelmente com o CC. Pois: IC = CC
IB .
Figura 3-6
POLARIZAO POR DIVISOR DE TENSO
O circuito mais usado em amplificadores chamado de polarizao por divisor de tenso.
A Figura 3-7 mostra o circuito. A principal evoluo do circuito em relao ao polarizao p
or ase de fixar uma tenso na ase, via os resistores R1 e R2. O valor de I deve
ser em maior que IB para a corrente IB no influenciar na tenso so R2. Como regra
prtica, considerar a corrente I 20 vezes maior que IB. Para a anlise da tenso em V
R2, o servar que R1 e R2 formam um divisor de tenso. Supondo I>> IB:
VR 2 =
R2 VCC R1 + R 2
Eq. 3- 4 Figura 3-7
* a tenso VR2 no depende de CC Com o valor de VR2 simples o clculo de IE. Deve-se o
lhar a malha de entrada:
VR 2 = VBE + VE
como VE = IE RE
Eq. 3- 5
IE =
Anlise da malha de sada:
VR 2 VBE RE
Eq. 3 6
VCC = R C I C + VCE + R E I E
considerando IE = IC Prof. Roberto A. Bertoli set00

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52
Eq. 3 7 Eq. 3 8
VCC = I C (R C + R E ) + VCE IC = VCC VCE R C + RE
Notar que CC no aparece na frmula para a corrente de coletor. Isto quer dizer que
o circuito imune a variaes em CC, o que implica um ponto de operao estvel. Por isso
polarizao por divisor de tenso amplamente utilizada. Exemplo 3-4 Encontre o VB, VE
, VCE e IE para o circuito da Figura 3-8. SOL.: Clculo de VR2 a partir da Eq. 3-4
VB = VR 2 =
Clculo de IE a partir da Eq. 3-6
1K 30 = 3,85V 6K8 + 1K
IE =
clculo de VE
3,85 0,7 = 4,2mA 750
VE = IE RE = 4,2m*750= 3,15V clculo de VCE a partir da Eq. 37 VCE = 30 4,2m*(3k
+750)=14,3V
REGRAS DE PROJETO
Sempre ao polarizar um transistor, desejase manter o ponto Q de operao fixo indep
endente de outros parmetros externos. ou seja, esperase um divisor de tenso estab
ilizado. Para minimizar o efeito do CC, considerar:
R 2 0,01 CC R E
Eq. 3- 9
onde o valor de CC o do pior caso, ou seja, o menor CC que o transistor pode ter
. O defeito desta regra, o fato de um aixo R2 influenciar negativamente na impe
dncia de entrada. Ento como opo podese considerar
R 2 0,1 CC R E
Eq. 3- 10
assim R2 ser maior, mas com possi ilidade de degradao na Figura 3-8 esta ilidade do
ponto Q. Quando se segue a regra da Eq. 3-10 designa-se o circuito de polarizao p
or divisor tenso firme e quando se segue a regra da Eq. 3-9 polarizao por divisor d
e tenso esta ilizado. Na escolha do ponto de operao da curva IC x VCE, deve-se dar
preferncia a um ponto central, isto , VCE =0,5 VCC ou IC =0,5 IC(SAT). De forma qu
e o sinal possa excursionar ao mximo tanto com o aumento de IB quanto com a dimin
uio. Por ltimo, aplicar a regra de VE ser um decimo de VCC. VE = 0,1 VCC Exemplo 35 Polarizar um transistor por diviso de tenso firme. Dados: Prof. Ro erto A. Berto
li set-00 Eq. 3- 11

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ELETRNICA VCC= 10V, IC= 10mA e CC= 100
53
SOL.: Clculo de RE aplicando a regra da Eq. 3-11 VE= 0,1*10=1V I E= IC RE= VE/ IE
= 100 clculo de RC a partir da Eq. 38 e VCE= 0,5 VCC
RC =
clculo de R2 a partir da Eq. 310
10 5 100 = 400 10m
R 2 0,1 * 100 * 100 = 1000
R2 = 1000 clculo de R1 Eq. 34
VR 2 =
R2 1000 VCC = 1,0 + 0,7 = * 10 R1 + R 2 1000 + R 1
R1 = 4888=4k7
3.5
EXERCCIOS
Ex. 31) No circuito da figura abaixo, encontre as tenses VE e VCE de cada estgio.
Ex. 32) Projete um circuito de polarizao por divisor de tenso com as seguintes esp
ecificaes: VCC = 20V, IC = 5mA, 80< CC < 400. Considere VE = 0,1 VCC e VCE = VCC /
2 Ex. 3-3) O transistor da figura a aixo tem um CC =80. Qual a tenso entre o cole
tor e o terra? Desenhe a linha de carga. Para CC = 125, calcule a tenso na ase,
a tenso no emissor e a tenso de coletor.
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54
Ex. 3-4) Qual a tenso do emissor e do coletor (os dois em relao ao terra) para cada
estgio do circuito a aixo, sendo VCC = 10V.
Ex. 3-5) No exerccio anterior, suponha VCC = 20V e calcule de cada estgio: VB, VE,
VC e IC . Ex. 3-6) Ainda em relao ao exerccio 4. Considere VCC =20V. Indique o que
ocorre com a tenso do coletor Q1 (aumenta, diminui, no altera) se: 1k8 a erto col
etor emissor do Q1 em curto 240 a erto 240 em curto 300 em curto 1k a erto 910 a
erto Indique o que ocorre com a tenso do coletor Q1 (aumenta, diminui, no altera)
se: 1k a erto 180 a erto 620 a erto coletor emissor de Q3 em curto 150 a erto 1
k em curto 180 em curto 620 em curto coletor emissor de Q3 a erto 150 em curto
Prof. Ro erto A. Bertoli
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55
4
4.1
AMPLIFICADORES DE SINAL
AMPLIFICADORES DE SINAL EMISSOR COMUM
No captulo anterior foi estudado a polarizao dos transistores. Neste captulo conside
rase os transistores devidamente polarizados com seus pontos de operao prximos a me
io da reta de carga para uma mxima excurso do sinal de entrada sem distoro. Ao injet
ar um pequeno sinal ca ase do transistor, ele se somara a tenses cc de polarizao e
induzir flutuaes na corrente de coletor de mesma forma e freqncia. Ele ser chamado de
amplificador linear (ou de alta-fidelidade - Hi-Fi) se no mudar a forma do sinal
na sada. Desde que a amplitude do sinal de entrada seja pequena, o transistor us
ar somente uma pequena parte da reta de carga e a operao ser linear. Por outro lado
se o sinal de entrada for muito grande, as flutuaes ao longo da reta de carga leva
ro o transistor saturao e ao corte Um circuito amplificador mostrado na Figura 4-2.
A polarizao por divisor de Figura 4-1 tenso. A entrada do sinal acoplada ase do t
ransistor via o capacitor C1 e a sada do sinal acoplada carga RL atravs do capacit
or C2. O capacitor funciona como uma chave a erta para corrente cc e como chave
fechada para a corrente alternada. Esta ao permite o ter um sinal ca de uma estgio
para outro sem pertur ar a polarizao cc de cada estgio.
Figura 4-2 Prof. Ro erto A. Bertoli set-00

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56
CAPACITOR DE ACOPLAMENTO
O capacitor de acoplamento faz a passagem de um sinal ca de um ponto a outro, se
m perda significativa do sinal. Por exemplo na Figura 4-3 a tenso ca no ponto A t
ransmitida ao ponto B. Para no haver atenuao aprecivel do sinal, a capacitncia reativ
a XC, comparada com a resistncia em srie (RTH e RL ), precisa ser em menor. Quant
o menor a reatncia capacitiva, melhor ser o acoplamento, naturalmente no possvel uma
reatncia nula. Se a reatncia for no mximo 10% da resistncia total tem-se um acoplam
ento esta ilizado. A frmula da reatncia capacitiva :
Figura 4-3
XC =
1 2fC
Eq. 4- 1
Na Eq. 4-1, h duas incgnitas, a freqncia e a caacitncia. Num amlificador existe um
faixa de freqncias de oerao, a escolha deve recair ara o ior caso, ou seja, a men
or freqncia do sinal. A resistncia total (R) a soma de RL e RTH. Para um acolament
o estabilizado X C 0,1R . ento a caacitncia ser:
C
1 0,2f MENOR R
Eq. 4- 2
Exemlo 4-1 Suonha o rojeto de um estgio com transistor na faixa de udio, 20 Hz
a 20kHz. O sinal de entrada entra no estgio via caacitor de acolamento. Qual o
valor mnimo ara o caacitor se ele erceber uma resistncia total de 10 k? SOL.: Clc
ulo do XC ! X C 0,1R =0,1*1000=100 A escolha da freqncia recai sobre a de menor va
lor f=20Hz.
C
1 = 79,9F ! A capacitncia deve ser igual ou maior que 79,9F 0,2 * * 20 * 1000
CAPACITOR DE DESVIO
Um caacitor de desvio semelhante a um caacitor de acolamento, exceto que ele
acola um onto qualquer a um onto aterrado, como mostra a Figura 44. O caacit
or funciona idealmente como um curto ara um sinal ca. O onto A est em curto com
o terra no que se refere ao sinal ca. O onto A designado de terra ca. Um caac
itor de desvio no erturba a tenso cc no onto A orque ele fica aberto ara corre
nte cc. O caacitor C3 da Figura 4-2 um exemlo de caacitor de desvio. A sua fu
no no circuito a de aterrar o emissor ara sinais ca e no interferir na olarizao cc.
Figura 4-4
A menos que se diga o contrrio, todos os caacitores de acolamento e desvio so co
nsiderados estabilizados e segue a regra XC <= 0,1R. Prof. Roberto A. Bertoli se
t-00

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ELETRNICA
57
TEOREMA DA SUPERPOSIO PARA AMPLIFICADORES
Num amlificador transistorizado, a fonte cc estabelece correntes e tenses quiesc
entes. A fonte ca roduz ento, flutuaes nessas correntes e tenses. O jeito mais sim
les de anlise do circuito dividindo a anlise em duas artes: uma anlise cc e uma anl
ise ca. Em outras alavras, alica-se o teorema da suerosio. O teorema da suer
osio diz que se ode calcular os efeitos roduzidos no diversos ontos de um circu
ito ara cada fonte de alimentao funcionando sozinha. O efeito total ser a soma de
cada efeito individual.
CIRCUITOS EQUIVALENTES CA E CC.
O circuito da Figura 4-2 tem duas fontes de alimentao (VCC e VS). Cria-se o circui
to devido a fonte cc denominado equivalente cc. E deois o circuito devido a fon
te ca denominado equivalente ca.
EQUIVALENTE CC
Anlise do circuito considerando a fonte VCC e desrezando a fonte VS. Somente cor
rentes cc atuam neste caso e, ortanto, os caacitores so desrezados. Seqncia: Red
uzir a fonte ca a zero (considerar a fonte VS em curto). Abrir todos os caacito
res. A Figura 4-5 mostra o circuito equivalente cc.
Figura 4-5
EQUIVALENTE CA
Anlise do circuito considerando a fonte VS e desrezando a fonte VCC. Somente cor
rentes ca atuam neste caso e, ortanto, os caacitores so considerados em curto.
Seqncia: Reduzir a fonte cc a zero (considerar a fonte VCC em curto). Todos os ca
acitores em curto. A Figura 4-6 mostra o circuito equivalente ca. Prof. Roberto
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ELETRNICA
58
Figura 4-6 A corrente total em qualquer ramo a soma das correntes cc e ca. Igual
mente a tenso total em qualquer onto soma das tenses cc e ca.
NOTAO
A artir daqui, conveniente distinguir os sinais contnuos dos alternados. Para is
to as variveis com suas letras e ndices assam a ter a seguinte conveno: letra e ndic
es maisculos ara as quantidades cc.! IC, VE, VCC. Letras e ndices minsculos ara a
s quantidades ca.! ic, ve, vs. Sinal negativo ara indicar tenses ou correntes se
noidais 180 fora de fase. Figura 4-7
Figura 4-7
RESISTNCIA CA DO DIODO EMISSOR
Ao olarizar corretamente o transistor, o modelo Ebers-Moll uma alternativa boa
e simles de reresentao do transistor. At agora, o VBE foi aroximado ara 0,7V. O
modelo continua vlido ara equenos sinais alternados, com uma alterao no diodo em
issor. A Figura 4-8 mostra a curva do diodo relacionando IE e VBE. Na ausncia de
um sinal ca o transistor funciona no onto Q, geralmente localizado no meio da l
inha de carga cc. Quando um sinal ca aciona o transistor, entretanto, a corrente
e a tenso do emissor variam. Se o sinal for equeno, o onto de funcionamento os
cilar senoidalmente de Q a ico ositivo de corrente em A e, a seguir, ara um i
co negativo em B, e de volta ara Q, onde o ciclo se reete.
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ELETRNICA
59
Figura 4-8 Um sinal considerado equeno quando a oscilao de ico a ico na corrent
e do emissor (ie) for menor do que 10% do valor da corrente quiescente do emisso
r (IE ). Se o sinal for equeno, os icos A e B sero rximos de Q, e o funcionamen
to aroximadamente linear. O arco A e B quase uma linha reta. Logo, o diodo emis
sor ara equenos sinais ca se aresenta como uma resistncia, chamada de resistnci
a ca do emissor e ela lei de Ohm:
re' =
onde: re = resistnci c do emissor
VBE I E
Eq. 4 3

VBE pequena variao na tenso de baseemissor IE variao correspondente na corrente do em


ssor. VBE e IE, na verdade so, respectivamente, uma tenso e uma corrente alternada.
Rescrevendo:
re =
v be ie
Eq. 4 4
vbe = tenso ca atravs dos terminais da baseemissor ie = corrente ca atravs do emis
sor. A Figura 49 mostra o modelo ca EbersMoll. Neste modelo, o diodo baseemis
sor substitudo pela resistncia ca do emissor.
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ELETRNICA
60
Figura 49 Uma outra maneira de se conseguir o valore de re atravs da seguinte frmu
la:
re =
25mV IE
Eq. 4 5
Obs.: re depende s de IE de polarizao.

CA - GANHO DE CORRENTE ALTERNADA


A Figura 4-10 mostra a curva IC x IB. CC a razo entre a corrente de coletor e a c
orrente de ase. Como o grfico no linear, CC depende do valor do ponto Q. O ganho
de corrente ca (chamado de ca ou simplesmente ) a relao entre a variao da corrente d
coletor e a variao da corrente de ase para pequenos sinais em torno do ponto Q.
=
I C i c = I B i b
Eq. 4 6
Graficamente a inclinao da curva no ponto Q. Ele pode assumir diversos valores dep
endendo da posio Q.
4.2
AMPLIFICADOR COM EMISSOR ATERRADO
A Figura 4-11mostra um circuito com um capacitor de desvio ligado ao emissor. O
capacitor aterra o emissor em termos de ca. A fonte vs injeta uma pequena onda s
enoidal ase do transistor atravs do capacitor de acoplamento. Esta onda faz vari
ar a tenso de v e e pela curva da Figura 4-8 induz uma variao no ie. Como a corrent
e de coletor praticamente igual a corrente de emissor, h uma queda de tenso propor
cional no RC. Sendo mais preciso, um pequeno aumento na tenso vs, aumenta a tenso
de aseemissor, que por sua vez aumenta a corrente ie, como ic igual a ic, h uma
queda de tenso nos terminais do RC o que culmina com uma queda de tenso de vce. Em
suma uma variao positiva de vs produz uma variao negativa em vce, isto significa qu
e os sinais de entrada e sada esto defasados de 180. Veja a Figura 4-12.
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61
Figura 4-10
Figura 4-11
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62
Figura 4-12 GANHO D E TENSO O ganho de tenso :
AV =
v sada v entrada
Eq. 4- 7
Figura 4-13 A Figura 4-13 mostra o circuito equivalente ca para amplificador da
Figura 4-11, o resistor do coletor RC e R1 tem um dos lados aterrado, porque a f
onte de tenso VCC aparece como um curto em ca. Por causa do circuito paralelo na
entrada, a tenso vs aparece diretamente so re diodo emissor. Na Figura 4-14 o mes
mo circuito ao considerar o modelo E ers-Moll. A tenso de entrada aparece com uma
polaridade mais - menos para indicar o semiciclo positivo. A lei de Ohm aplicad
a em re:
ie =
vs re
Eq. 4- 8
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ELETRNICA
63
Figura 4-14 na Figura 4-14, a malha do lado direito tem dois resistores em paral
elo RC e RL. O resistor equivalente : rC = RL // RC na malha do lado direito a te
nso de sada a tenso so re o resistor equivalente rC.
v sada = i c rC
ento o ganho
Eq. 4 9
AV =
v sada i r = c C v entrada i e re rC re
Eq. 4 10
como a corrente do coletor aproximadamente igual a corrente do emissor
AV =
Eq. 4 11
4.3
REALIMENTAO
Quando uma parte do sinal de sada de um circuito aplicado de volta entrada do mes
mo, dizemos que houve uma realimentao no circuito. Quando o sinal aplicado novamen
te entrada do circuito possui a mesma fase que o sinal existente na entrada, est
e processo designado como realimentao positiva. Por outro lado, se o sinal reaplic
ado na entrada tiver fase oposta ao sinal j existente na entrada, o nome dado rea
limentao negativa. A realimentao negativa mais aplicada nos amplificadores e, a real
imentao positiva, na maioria dos circuitos osciladores. A realimentao negativa em am
plificadores tem como desvantagem a diminuio do ganho, dado que ela subtrai parcia
lmente a tenso de entrada. A sua grande vantagem estabilizao do circuito. O prximo i
tem analisa um circuito com realimentao negativa, observando a questo do ganho e da
estabilidade.
4.4
AMPLIFICADOR COM REALIMENTAO PARCIAL
No amplificador de emissor comum a tenso de sada inversamente proporcional a re. E
o valor de re depende do ponto de operao. Isto um problema para a tenso de sada, pois
, ela se torna susceptvel as variaes de temperatura e troca de transistor.
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set00

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ELETRNICA
64
Naturalmente nos amplificadores com controle de volume (tenso de entrada), o prob
lema contornvel. Mas nem todos o amplificadores tem este controle. Uma opo para est
abilizar o ganho de tenso deixar uma certa resistncia de emissor sem ser desviada.
Esse resistor no desviado recebe o nome de resistor de realimentao porque ele prod
uz uma realimentao negativa. Veja Figura 415.
Figura 415 A corrente ca do emissor deve circular atravs do resistor RE1 antes d
e passar pelo capacitor de desvio e pelo ponto de aterramento. Sem o resistor de
realimentao o diodo emissor recebe toda a tenso ca de entrada (como mostrado na Eq
. 48). No entanto com a incluso do RE1, a tenso ca aparece no diodo e no RE1. Ou
seja:
v s = v be + v R E1
ou
v be = v s v R E1
Quando a tenso de entrada aumenta, a tenso no emissor aumenta. Isso implica que a
tenso de realimentao est em fase com a tenso ca de entrada. Como resultado, a tenso ca
no diodo emissor menor que antes. A realimentao negativa porque a tenso de realime
ntao diminui a tenso ca no diodo emissor e portanto a corrente ie. a equao da corrent
e de emissor : Prof. Roberto A. Bertoli set00
Figura 416
Na Figura 416 est o equivalente ca do amplificador com realimentao parcial.
r e

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ELETRNICA
65
ie =
vs r + R E1
 e
a tenso de sada o mesmo que da Eq. 49:
v sada = i c rC
considerando ic=ie
AV =
v sada i r r = c C =  C v entrada i e re re + R E1
Eq. 4 12
Em geral o valor de RE1 bem maior que o de re e o ganho de tenso passa a no ser inf
luenciado pelas variaes de re. Em contrapartida, quanto maior o RE1 menor ser o ganh
o de tenso. Em suma, existe um compromisso entre a estabilidade do ganho de tenso
e o valor do ganho.
IMPEDNCIA DE ENTRADA
No circuito da Figura 415 a tenso de entrada aplicada diretamente na base do tra
nsistor. No entanto, na maioria das aplicaes a fonte vs tem uma resistncia em srie c
omo mostrado na Figura 417.
Figura 417 Para uma anlise mais detalhada do comportamento ca, devese primeiro
criar o equivalente ca como mostrado na Figura 418. No circuito equivalente, po
dese ver um divisor de tenso do lado da entrada do transistor. Isso significa qu
e a tenso ca na base ser menor que a tenso vs. O divisor de tenso formado pelo resis
tor RS e os resistores R1 //R2. Mas como na base do transistor entra uma corrent
e ib, ela deve ser considerada. A resistncia ca vista da base conhecida como impe
dncia de entrada da base. Abaixo de 100kHz basta considerar os Prof. Roberto A. B
ertoli
Figura 418
set00

Colgio Tcnico de Campinas elementos puramente resistivos.


ELETRNICA
66
A impedncia de entrada da base a razo entre a tenso aplicada na base (vb) e a corre
nte ib.
z base =
vb ib
Eq. 4 13
Para descobrir a impedncia da base melhor aplicar o modelo de EbersMoll no circu
ito da Figura 418.

Figura 419 atravs do circuito possvel saber o valor vb em funo de re. vb=iere e a pa
tir da Eq. 413:
z base =
v b i e re i b re = = = re i i i
Eq. 4- 14
a impedncia de entrada do estgio (zent) a resultante do paralelo de R1, R2 e z ase
.
z ent = R 1 // R 2 // z ase = R 1 // R 2 // re z ent vs R S + z ent
Eq. 4- 15
A tenso ca na

ase o divisor de tenso RS com a impedncia de entrada do estgio

v =
Eq. 4- 16
No amplificador com realimentao parcial, aplica-se a mesma regra, a nica diferena a
impedncia de entrada da ase. Ela ser:
z ase = (re + R E1 ) ESTGIOS EM CASCATA
Eq. 4- 17
Para o ter um maior ganho de tenso na sada de um amplificador, usual conectar dois
ou mais estgios em srie, como mostra a Figura 4-20. Este circuito chamado de estgi
os em cascata, porque conecta a sada do primeiro transistor ase do seguinte. A a
ixo uma seqncia de valores a serem calculados para anlise de um amplificador de doi
s estgios: 1. a impedncia de entrada do 2 estgio. 2. A resistncia ca do coletor do 1 e
stgio. Prof. Ro erto A. Bertoli set-00

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ELETRNICA
67

3. O ganho de tenso do 1 estgio. 4. A tenso de entrada do 1 estgio 5. O ganho de tenso


de 2 estgio. 6. O ganho de tenso total.
Figura 4-20 A polarizao cc analisada individualmente, os capacitores de acoplament
o isolam os dois estgios entre si e tam m da entrada vs e sada RL (o resistor de ca
rga pode, por exemplo, estar representando um terceiro estgio). Os dois estgios so
idnticos para polarizao cc.
VB= 1,8V VE= 1,1V IE= 1,1mA VC= 6,04V com o valor de IE, tem-se r e : r e = 25mV
/ IE= 22,7

ANLISE DO PRIMEIRO ESTGIO
O equivalente ca mostrado na Figura 421: O segundo estgio age como uma resistncia
de carga sobre o primeiro. O valor desta carga a impedncia de entrada do segundo
estgio zentb. Supondo = 100: Figura 4-21
z ent = R 1A // R 2 A // re = 10k // 2k 2 // 100 * 22,7 = 1k
na Figura 421, RC est em paralelo com zentb: rc=RC//zentb=3,6k//1k=783 o ganho de
sada do primeiro estgio Prof. Roberto A. Bertoli set00

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ELETRNICA AV=783/22,7=34,5
68
O primeiro e segundo estgios tem a mesma impedncia de entrada
vb =
1k * 1m = 0,625mVpp 1k + 600
logo a tenso ca de sada do primeiro estgio vc=34,5*o,625=21,6mVpp
ANLISE DO SEGUNDO ESTGIO
O equivalente ca para o segundo estgio mostrado na Figura 422:
Figura 422 Por causa do capacitor de acoplamento entre os dois estgios, a tenso c
a na base do segundo igual a 21,6mVpp. O segundo estgio tem um ganho de tenso de
AV=2,65k/22,7=117 por fim, a tenso de sada vsada=117*21,6=2,53Vpp.

GANHO DE TENSO TOTAL


O ganho de tenso total a razo entre a tenso de sada do segundo estgio pela tenso de e
trada: AVT = vsada 2 est./ventrada 1 est.=2,53/0,625m=4048 ou seja, o ganho de tenso
total AVT= AV1AV2 Eq. 4 18
4.5
AMPLIFICADOR BASE COMUM
A Figura 423 mostra um amplificador em base comum (BC), a base ligada ao refere
ncial comum (terra). O ponto Q dado pela polarizao do emissor. Portanto a corrente
cc do emissor dada por
IE =
VEE VBE RE
Eq. 4 19
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ELETRNICA
69
O sinal de entrada aciona o emissor e a tenso de sada tomada do coletor. A impednci
a de entrada de um amplificador BC aproximadamente igual a
z ent re
a tenso de sada
Eq. 4 20
v sada = i c R C
Ela est em fase com a entrada. Como a tenso de entrada igual a
Eq. 4 21
v ent = i e re
O ganho de tenso
AV =
icR C i e re
Eq. 4 22
O ganho de tenso o mesmo que do amplificador emissor comum sem realimentao parcial,
apenas a fase diferente. Idealmente a fonte de corrente tem uma impedncia infini
ta, e ento, a impedncia de sada de um amplificador BC
z sada = R C
Eq. 4 23
Uma das razes para o no uso do amplificador BC quanto o EC sua baixa impedncia de e
ntrada. A fonte ca que aciona o amplificador BC v como impedncia de entrada
z entrada = re
que pode ter um valor bem baixo, em funo de IE.
Eq. 4 24
Figura 423 A impedncia de entrada de um amplificador BC to baixa que ela sobrecar
rega quase todas as fontes de sinais. Por isso, um amplificador BC discreto no mu
ito utilizado em baixas freqncias. Seu uso vivel principalmente para freqncias acima
de 10MHz, onde as fontes de baixa impedncia so comuns. Exemplo 42 Qual a tenso de
sada ca da Figura 424. RE=20k e RC=10k.
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ELETRNICA
70
Figura 424 SOL.: A corrente cc no emissor
IE =
e a resistncia ca do emissor de
10 0,7 = 0,465mA 20k
re = 25m/0,465m=53,8 a impedncia de entrada ZENT=53,8 o ganho de tenso levando a carg
a em considerao
AV =
A tenso de entrada no emissor
10K // 5,1K = 62,8 53,8
v ent =
portanto a tenso na sada
53,8 1m = 0,518mV 50 + 53,8
v sada = A V v ent = 62,8 * 0,518m = 32,5mV
4.6
AMPLIFICADOR COLETOR COMUM
Ao se conectar uma resistncia de carga em um amplificador EC, o ganho de tenso dim
inu. Quanto menor a resistncia de carga, maior a queda do ganho. Esse problema cha
mado de sobrecarga. Uma forma de evitar a sobrecarga usar um amplificador cc (co
letor comum), tambm conhecido como seguidor de emissor. O seguidor de emissor col
ocado entre a sada do amplificador EC e a resistncia de carga. A Figura 425 mostr
a um seguidor de emissor. Como o coletor est no terra para ca, ele um amplificado
r coletor comum (CC). O gerador de sinal est acoplado base do transistor por meio
de um capacitor de acoplamento. primeiramente a anlise cc para descobrir o valor
da corrente de coletor a malha externa
VCC = VCE + I E R E
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ELETRNICA
71
Figura 425 isolando a corrente de emissor
IE =
VCC VCE RE
Eq. 4 25
a Figura 426 mostra o circuito ca para o seguidor de emissor
Figura 426 o ganho de tenso dado por
AV =
geralmente rE>> re. Ento
v sada i e rE r = = E   v ent i e (rE + re ) rE + re AV 1
Eq. 4 26
Eq. 4 27
o uso da Eq. 426 ou da Eq. 427 depende da preciso desejada no circuito.
IMPEDNCIA DE ENTRADA
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ELETRNICA
72
como visto antes, a base se comporta como uma resistncia equivalente de
z ent ( base ) =
do equivalente ca a corrente de emissor ca
vb ib
Eq. 4 28
ie =
vb re + re
a resistncia rE o equivalente do paralelo RE com RL. Isolando vb
v b = i e re + re
inserindo a Eq. 429 na Eq. 428
(
)
Eq. 4 29
z ent ( base ) =
i e (re + re ) ib
a razo entre a corrente de coletor e a de base aproximadamente igual
z ent ( ase ) = (rE + re )
Eq. 4- 30
a impedncia de entrada do amplificador o paralelo de R1, R2 e impedncia de entrada
da ase
z ent = R 1 // R 2 // (rE + re )
como (re +rE)>>R1, R2 ento::
z ent = R 1 // R 2
Eq. 4- 31
com ase na Eq. 4-27 a tenso de emissor segue a tenso na ase, sem amplificar. Ou
seja a tenso de sada igual a de entrada. A vantagem de montagem o fato de ter uma
alta impedncia de entrada se comparada com emissor comum.
TRANSISTOR DARLINGTON
Figura 4-27 Prof. Ro erto A. Bertoli set-00

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ELETRNICA
73
Um caso especial de amplificador coletor comum a conexo Darlington. Ela consiste
na ligao em cascata de dois seguidores de emissor, como mostra a Figura 4-27. A co
rrente da ase do segundo transistor vem do emissor do primeiro transistor. Port
anto, o ganho de corrente entre a primeira ase e o segundo emissor =1 2 Eq. 4- 32
A principal vantagem da conexo Darlington a alta impedncia de entrada olhando para
a ase do primeiro transistor. E zent( ase)= RE Eq. 4- 33
Os fa ricantes podem colocar dois transistores montados em coletor comum em um m
esmo encapsulamento. Esse dispositivo de trs terminais como mostrado no lado dire
ito da Figura 4-27 conhecido como transistor Darlington, opera com como um nico t
ransistor com um CC entre 1.000 e 20.000. ele pode ser tratado como um transisto
r comum exceto pelo valor de e tam m pelo valor de VBE que passa a ser a soma dos
dois VBEs. Ou seja, aproximadamente igual a 1,4V.
4.7
EXERCCIOS
Ex. 4-1) A fonte ca da figura a aixo pode ter uma freqncia entre 100Hz e 200Hz. Pa
ra ter um acoplamento esta ilizado ao longo desta faixa, que valor deve ter o ca
pacitor de acoplamento?
Ex. 4-2) Na figura 2, desejamos um capacitor de acoplamento esta ilizado para to
das as freqncias entre 500Hz e 1MHz. Que valor ele deve ter?
Ex. 4-3) Desenhe o circuito cc equivalente para o amplificador da figura a aixo.
Rotule as trs correntes com a notao cc padronizada. A seguir, desenhe o circuito c
a equivalente.
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ELETRNICA
74
Ex. 4-4) Desenhe os circuitos cc e ca equivalente para a figura 4.
Ex. 4-5) Calcule o valor de re para cada uma destas correntes cc do emissor: 0,01
mA, 0,05mA, 0,1mA, 0,5mA, 1mA e 10mA. Ex. 4-6) Qual o valor de re no amplificador
do exerccio 4-4? Ex. 4-7) E no circuito a aixo?
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ELETRNICA
75
Ex. 4-8) Se vent = 1mV na figura 6, qual o valor de vsada ?
Ex. 4-9) Os resistores do exerccio anterior, tem uma tolerncia de 5%. Qual o ganho
mnimo de tenso? Qual o ganho mximo de tenso?
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ELETRNICA
76
5
AMPLIFICADORES DE POTNCIA
So usados quando se deseja amplificar sinais de grande amplitude, tanto de tenso c
omo de corrente. Assim os amplificadores de potncia so amplificadores que tra alha
m com grandes sinais e o regime de operao destes severo em relao aos amplificadores
de pequenos sinais. Os amplificadores de potncia de um modo geral, podem ser divi
didos em quatro classes: Classe A Classe B Classe AB Classe C As classes dos amp
lificadores de potncia esto relacionadas diretamente com o ponto quiescente ou pon
to de operao dos transistores de sada dos amplificadores. Portanto, as classes esto
relacionadas tam m com o ngulo de conduo () dos transistores de sada, uando estes est
iverem funcionando em regime dinmico. A Figura 5-1 tem um grfico ue relaciona a c
orrente de coletor, com sua tenso baseemissor. Ele mostra as formas de onda dos 
uatro tipos bsicos de amplificadores de potncia, classes A, B, AB e C, e seus pont
os uiescentes. No amplificador de potncia classe C o transistor de sada polarizad
o num ponto de operao abaixo da regio de corte do transistor, isto , com VBEQ <0. Is
to significa ue o sinal VBE aplicado a base do transistor, tem ue vencer a ten
so VBEQ para iniciar a sua conduo. Portanto, a corrente de coletor circula somente
durante um intervalo menor ue 180. Em geral, os amplificadores classe C so utiliz
ados em circuitos de RF.
5.1
CLASSE A
No amplificador de potncia classe A, a polarizao do transistor de sada feita de tal
forma ue a corrente de coletor circula durante todo o ciclo do sinal de entrada
VBE. Isto resulta num ngulo de conduo de =360 para transistor de sada. O ponto de ope
rao do transistor de sada est localizado no centro da regio ativa e neste caso a pola
rizao do transistor de sada semelhante polarizao de transistores de baixo sinal.
POTNCIA DE SADA
A Figura 5-2 mostra um exemplo de amplificador de potncia classe A. um emissor co
mum j comentado antes.
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ELETRNICA
77
Figura 5-1

Figura 5-2 A resistncia de carga RL, pode ser um alto-falante, um motor, etc. O r
esistor RC do coletor, por outro lado, um resistor comum ue faz parte da polari
zao por diviso de tenso. O interesse na potncia transferida resistncia de carga, po
e ela realiza Prof. Roberto A. Bertoli set-00

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ELETRNICA
78

um trabalho til. Gera ondas acsticas, gira o motor, etc. Em contra partida, ualu
er potncia no resistor RC, uma potncia perdida e transformada em calor. Ento uando
se fala em potncia de sada, uma referncia a potncia til da carga. Ela dada por PL=V
IL ou PL = onde
VL = tenso rms na carga IL = corrente rms na carga A potncia mxima na carga ocorre
uando o amplificador est produzindo a tenso mxima de pico a pico na sada sem ceifam
ento do sinal. Nesse caso, a potncia na carga
2 VL RL
PL =
(MPP )2
8R L
MPP o valor (mximo de pico a pico) da tenso ca sem ceifamento. No denominador tem
o nmero 8 resultante da converso de rms para pico a pico.
POTNCIA CC DISSIPADA NO AMPLIFICADOR
Quando o amplificador est sem sinal na entrada, a dissipao de potncia no transistor
igual a: PD=VCEQICQ H tambm a potncia dissipada no resistores R1 e R2
P1 = I1VCC
VCC
(VCC )2 =
PS=P1+PD ou
PS=ISVCC

R + R

VCC = R + R

1 2

Ento a potncia cc total no amplificador


onde Is (corrente de dreno), a soma da corrente no divisor de tenso e corrente no
coletor
EFICINCIA
a razo entre potncia ca na carga e a potncia da alimentao cc multiplicada por 100%
=
PL 100% PS
Qunto mior  eficinci do mplificdor, mel or. Os mplificdores clsse A tem
um bix eficinci, tipicmente em torno de 25% (teoricmente). Isso ocorre por
cus de perds de potnci nos resistores de polrizo, de coletor, de emissor e tr
nsistor.
5.2
CLASSE B
Gerlmente os mplificdores de potnci clsse B e clsse AB utilizm dois trnsi
stores de potnci num montgem denomind pus -pull. A configuro pus -pull signifi
c que qundo um dos trnsistores est conduzindo, o outro est em corte e vice-vers
. No mplificdor clsse B, cd um dos trnsistores de sd polrizdo num pont
o de opero situdo n regio de corte do trnsistor, isto , VBEQ =0. Dest mneir,


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ELETRNICA
79
corrente de coletor de cd trnsistor, circul durnte um ngulo de conduo de =180, o
u seja, a cada semiciclo do sinal de entrada VBE. A Figura 5-3 mostra uma forma
de conectar um seguidor de emissor push-pull classe B. Foi conectado um seguidor
de emissor npn e um seguidor de emissor pnp. O projetista escolhe os resistores
de polarizao para situar o ponto de operao no corte. Isso polariza o diodo emissor
de cada transistor entre 0,6V e 0,7V. Idealmente, ICQ=0 como os resistores de po
larizao so iguais, cada diodo emissor polarizado com a mesma tenso. Como resultado,
metade da tenso de alimentao sofre uma ueda entre os terminais coletor e emissor d
e cada transistor. Isto ,
VCEQ =
VCC 2
Figura 5-3
RETA DE CARGA CC
como no h resistncia cc no circuito do coletor ou do emissor da Figura 5-3, a corre
nte de saturao infinita, ou seja, a reta vertical, (Figura 5-4). muito difcil encon
trar um ponto de operao estvel na regio de corte num amplificador push-pull. Qualue
r diminuio significativa de VBE com a temperatura pode deslocar o ponto de operao pa
ra cima da reta de carga cc a valores muito altos de correntes.
RETA DE CARGA CA
A Figura 5-4 mostra a reta de carga ca. Quando um dos transistores est
, seu ponto de operao move-se para cima ao longo da reta de carga ca.
utro transistor permanece no corte. A oscilao de tenso do transistor
eguir todo o percurso desde o corte saturao. No semiciclo oposto, o
or faz a mesma coisa. Isso significa ue a tenso de pico a pico mxima
ada do sinal de sada igual a VCC. Isto o dobro de tenso ue de um
sse A sob mesma tenso de alimentao. Em termos de eficincia mxim
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conduzindo
O ponto do o
em conduo pode s
outro transist
(MPP) no ceif
amplificador cla
teric ser de 78,5%

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ELETRNICA
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Figur 5-4 A Figur 5-5 mostr o equivlente c do trnsistor em conduo. Isso prt
icmente idntico o seguidor de emissor clsse A. O gn o de tenso com crg
AV =
RL R L + re
A impednci de entrd d bse com crg
z ent ( bse ) = (R L + re )
Figura 5-5
5.3
CLASSE AB
Os amplificadores de potncia AB tam m utilizam dois transistores de potncia numa co
nfigurao push-pull. A diferena para a classe B, que cada um dos transistores de sada
polarizado num ponto de operao situado um pouco acima da regio de corte do transis
tor, (VBEQ>0). Isto significa que cada um dos transistores est conduzindo um pequ
ena corrente de ase e, consequentemente, uma corrente de coletor proporcional a
ela. A corrente de coletor de cada transistor, circula durante um ngulo de conduo
de >180, porm, menor ue 360. A eficincia terica fica entre 50% e 78,5%. A grande vant
agem a eliminao da distoro por crossover.
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6
OSCILADOR DE BAIXA FREQNCIA
A Figura 6-1 mostra o diagrama de blocos bsico de um circuito oscilador.
Figura 6-1 A sada do amplificador de ganho A, realimenta a entrada do prprio ampli
ficador, por meio do circuito de realimentao ue possui um ganho B, tambm chamado d
e rede de realimentao. Esta forma, o sinal realimentado VR somado, ou seja, aplica
do em fase com o sinal de entrada VE. Este sinal VE no um sinal externo, mas um s
inal ualuer de referncia, ue existe na entrada do amplificador. Portanto, com
a aplicao do sinal realimentador VR na entrada do amplificador, este torna-se instv
el e comea a oscilar. O circuito de realimentao deve, portanto, defasar ou no o sina
l de amostragem VA, de tal modo ue o sinal VR fornecido entrada esteja sempre e
m fase com o sinal de referncia VE. A defasagem a ser feita no sinal VA depende d
a defasagem imposta pelo amplificador e, portanto, do sinal de sada VS. Por exemp
lo, se um amplificador possuir uma montagem emissor comum, ento o sinal de sada VS
estar defasado de 180 em relao ao sinal de entrada VE e o circuito de realimentao dev
er, neste caso, provocar uma defasagem de 180, para ue o sinal VR fiue novamente
em fase com o sinal VE. Se a montagem do amplificador for em base comum VS esta
r em fase com VE e, nesse caso, o circuito ou rede de realimentao no dever provocar d
efasagem e assim, o sinal VR j estar em fase com o sinal VE. Um outro critrio muito
importante para ue haja oscilao ue o ganho total do oscilador, dado por A+B (Aganho do amplificador, B- ganho da rede de realimentao), deve ser maior ue um.
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6.1
OSCILADOR POR DESLOCAMENTO DE FASE
a Figura 6-2 mostra o circuito de um oscilador por deslocamento de fase. Ele uti
lizado para gerar sinais na faixa de frencias de udio.
Figura 6-2 O amplificador est na montagem emissor comum e portanto, sua tenso de s
ada VS est defasada de 180 em relao a tenso de entrada VE. O sinal de sada aplicado
circuito de realimentao, formado com resistores R e R3 e os capacitores C, ue pro
voca uma defasagem adicional de 180, de modo ue uma parcela do sinal de sada nova
mente aplicada na entrada, mas em fase com o sinal de entrada VE. Ao ligar o cir
cuito ser provocado uma instabilidade na base do transistor Q1. Isto o suficiente
para o circuito iniciar a sua oscilao, pois o transistor Q1 amplifica e posterior
mente reamplifica o sinal presente em sua base.
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7
TRANSISTORES ESPECIAIS
At agora foi estudado os transistores bipolares, se baseiam em dois tipos de carg
as: lacunas e eltrons, e so utilizados amplamente em circuitos lineares. No entant
o existem aplicaes nos uais os transistores unipolares com a sua alta impedncia de
entrada so uma alternativa melhor. Este tipo de transistor depende de um s tipo d
e carga, da o nome unipolar. H dois tipos bsicos: os transistores de efeito de camp
o de juno (JFET - Junction Field Effect transistor) e os transistores de efeito de
campo de xido metlico (MOSFET).
7.1
JFET
Na Figura 7-1, mostrada a estrutura e smbolo de um transistor de efeito de campo
de juno ou simplesmente JFET.
Figura 7-1 a conduo se d pela passagem de portadores de carga da fonte (S - Source)
para o dreno (D), atravs do canal entre os elementos da porta (G - Gate). O tran
sistor pode ser um dispositivo com canal n (conduo por eltrons) ou com canal p (con
duo por lacunas). Tudo ue for dito sobre o dispositivo com canal n se aplica ao c
om canal p com sinais opostos de tenso e corrente.
POLARIZAO DE UM JFET
A Figura 7-2 mostra a polarizao convencional de um JFET com canal n. Uma alimentao p
ositiva VDD ligada entre o dreno e a fonte, estabelecendo um fluxo de corrente a
travs do canal. Esta corrente tambm depende da largura do canal. Uma ligao negativa
VGG ligada entre a porta e a fonte. Com isto a porta fica com uma polarizao revers
a, circulando apenas uma corrente de fuga e, portanto, uma alta impedncia entre a
porta e a fonte. A polarizao reversa cria camadas de depleo em volta da regies p e P
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Figura 7-2
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isto estreita o canal condutor (D-S). Quanto mais negativa a tenso VGG, mais estr
eito torna-se o canal. Para um dado VGG , as camadas de depleo tocam-se e o canal
condutor (D-S) desaparece. Neste caso, a corrente de dreno est cortada. A tenso VG
G ue produz o corte simbolizada por VGS(Off) .

CURVA CARACTERSTICA DE DRENO


Para um valor constante de VGS, o JFET age como um dispositivo resistivo linear
(na regio hmica) at atingir a condio de pinamento ou estrangulamento. Acima da condio
estrangulamento e antes da ruptura por avalanche, a corrente de dreno permanece
aproximadamente constante. Os ndices IDSS referem-se a corrente do dreno para a
fonte com a porta em curto (VGS=0V). IDSS a corrente de dreno mxima ue um JFET p
ode produzir. Na Figura 7-3, mostrado um exemplo de curva para um JFET. Quando o
JFET est saturado (na regio hmica), VDS situa-se entre 0 e 4V, dependendo da reta
de carga. A tenso de saturao mais alta (4V) igual intensidade da tenso de corte da p
ortafonte (VGS(Off) = -4V). Esta uma propriedade inerente a todos os JFETs. Para
polarizar um transistor JFET necessrio saber a funo do estgio, isto , se o mesmo ir t
abalhar como amplificador ou como resistor controlado por tenso. Como amplificado
r, a regio de trabalho o trecho da curva, na Figura 7-3, aps a condio de pinamento e
esuerda da regio de tenso VDS de ruptura. Se for como resistor controlado por ten
so a regio de trabalho entre VDS igual a zero e antes de atingir a condio de pinament
o.
Figura 7-3
CURVA DE TRANSCONDUTNCIA
A curva de transcondutncia de um JFET um grfico da corrente de sada versus a tenso d
e entrada, ID em funo de VGS. A sua euao : Prof. Roberto A. Bertoli set-00

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2
VGS I D = I DSS

VGS( off )

Eq. 7 1
Figura 74
AUTOPOLARIZAO
a polarizao de um transistor JFET se faz de maneira semelhante polarizao de transist
or bipolar comum. Em outras palavras, usase o transistor JFET como se fosse um
transistor bipolar. Para um JFET funcionar corretamente devemos lembrar que, pri
meiramente, o mesmo deve estar reversamente polarizado entre porta e fonte. Na F
igura 75 vemos um JFET polarizado, ou seja, com resistores ligados ao terminais
para limitar tenses e correntes convenientemente, como visto na polarizao de trans
istores bipolares.

Figura 75 Esse o tipo de polarizao mais comum e se chama autopolarizao por derivao d
corrente, pois o VGS aparece devido corrente de dreno sobre RS, o que resulta e
m VRS.
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Essa tenso, distribuise entre RG e a juno reversa, que, como tal, possui uma alta
resistncia. Assim aparecem VRG e VGS que somadas perfazem VRS. VRG = VRS + VGS Eq
. 7 2 o diodo portafonte est reversamente polarizado e a corrente IG uma pequen
a corrente de fuga aproximadamente igual a zero.
VRG = I G R G 0
unindo as Eq. 72 e Eq. 73
Eq. 7 3
VRS = VGS = R S I S
Eq. 7 4
A corrente de fonte a soma da corrente de dreno e de porta. Naturalmente a corre
nte de dreno muito maior que a de porta. Ento:
I D IS
Anlise da malha do lado direito do circuito:
Eq. 7 5
VDD = I D (R D + R S ) + VDS RETA DE AUTOPOLARIZAO
Eq. 7 6
Para a polarizao do JFET, uma alternativa o uso da curva de transcondutncia para en
contrar o ponto Q de operao. Seja a curva da Figura 74 a base para encontrar o po
nto Q. A corrente de dreno mxima de 13,5mA, e a tenso de corte da portafonte de 
4V. Isso significa que a tenso da porta tem de estar entre 0 e 4V. Para descobri
r este valor, podese fazer o grfico da Figura 74 e ver onde ela intercepta a cu
rva de transcondutncia. Exemplo 71 Se o resistor da fonte de um circuito de auto
polarizao for de 300. Qual o ponto Q. Usar o grfico da Figura 74.
SOL.: A equao de VGS VGS = ID *300 para traar a reta basta considerar ID = 0 e ID
= IDSS. Para ID nulo, VGS=0 e para o outro valor de ID, VGS= 13,5m*300=4V. Apli
cando na curva, o ponto Q : VGS= 1,5V e ID =5mA
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87
SELEO DO RS
O ponto Q varia conforme o valor de RS. O ideal escolher um RS em que o ponto Q
fique no na regio central, como o do Exemplo 71 . O mtodo mais simples para escol
her um valor para RS
RS =
VGS( off ) I DSS
Eq. 7 7
Este valor de RS no produz um ponto Q exatamente no centro da curva, mas aceitvel
para a maioria dos circuitos.
TRANSCONDUTNCIA
Grandeza designada por gm e dada por:
gm =
i I D = d VGS v gs i d = g m v gs
Eq. 7 8 Eq. 7 9
gm a inclinao da curva de transcondutncia (Figura 74) para cada pequena variao de VG
S. Ou em outras palavras, uma medida de como a tenso de entrada controla efetivam
ente a corrente de sada. A unidade o mho, (razo entre a corrente e a tenso 1/Ohm).
O equivalente formal o Siemens. A Figura 76 mostra o circuito equivalente ca si
mples para um JFET vlida para baixas freqncias. H uma resistncia RGS muito alta entre
a porta e a fonte. Esse valor est na faixa de centenas de M. O dreno do JFET func
iona como uma fonte de corrente com um valor de gm VGS.
Figura 76 A Eq. 710 mostra como obter VGS(Off) a partir da corrente mxima de dr
eno e da transcondutncia para VGS= 0V (gmo ).
v gs ( off ) =
abaixo o valor de gm para um dado VGS.
2I DSS g mo
Eq. 7 10
v gs
g m = g mo 1
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Eq. 7 11
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v gs ( off )

TRANSCONDUTNCIA DE UM TRANSISTOR BIPOLAR

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O conceito de transcondutncia pode ser usado em transistores bipolares. Ela defin
ida como para os JFETs. Com base na Eq. 78:
gm =
como re = vbe/ie
I C i = c VBE v be 1 re
gm =
Eq. 7 12
esta relao ajuda no momento de comparar circuitos bipolares com JFETs.
AMPLIFICADOR FONTE COMUM
A Figura 77 mostra um amplificador fonte comum. Ele similar a um amplificador e
missor comum. As regras aplicadas para a anlise so as mesmas
Figura 77 Na Figura 78 o equivalente ca para a anlise do ganho.
Figura 78 o resistor de carga est em paralelo com a resistncia de dreno. Simplifi
cando:
rd = R D // R L
Quando a corrente de sada gm vent flui atravs de rd ela produz uma tenso de sada
vsada = rd g m v ent
dividindo ambos os lados por vent Prof. Roberto A. Bertoli
Eq. 7 13
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v sada v = rd g m ent v ent v ent
finalmente o ganho de tenso ca para fonte comum
A V = g m rd
notar a semelhana com a do amplificador em emissor comum
Eq. 7 14
AV =
rc 1 g m =  A V = g m rc  re re
AMPLIFICADOR COM REALIMENTAO PARCIAL
Na Figura 79 tem um amplificador com realimentao parcial
Figura 79 o ganho por analogia com o transistor bipolar, considerando re = 1/ gm
, :
Av =
rd g r = m d rs1 + 1 / g m 1 + g m rs1
Eq. 7 15
AMPLIFICADOR SEGUIDOR DE FONTE
A Figura 710 mostra um seguidor de fonte
Figura 710 Prof. Roberto A. Bertoli set00

Colgio Tcnico de Campinas Novamente por analogia:


ELETRNICA
90
Av =
rs g r = ms rs + 1 / g m 1 + g m rs
Eq. 7 16
7.2
MOSFET
O FET de xido de semicondutor e metal , MOSFET, tem uma fonte, uma porta e um dre
no. A diferena bsica para o JFET porta isolada eletricamente do canal. Por isso, a
corrente de porta extremamente pequena, para qualquer tenso positiva ou negativa
.
MOSFET DE MODO DEPLEO
A Figura 711 mostra um MOSFET de modo depleo canal n e o seu smbolo. O substrato e
m geral conectado a fonte (pelo fabricante), Em algumas aplicaes usase o substrat
o para controlar tambm a corrente de dreno. Neste caso o encapsulamento tem quatr
o terminais. Os eltrons livres podem fluir da fonte para o dreno atravs do materia
l n. A regio p chamada de substrato, e ela cria um estreitamento para a passagem
dos eltrons livres da fonte ao dreno.
Figura 711 A fina camada de dixido de silcio (SiO2), que um isolante, impede a pa
ssagem de corrente da porta para o material n.
Figura 712
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A Figura 712 mostra o MOSFET de modo depleo com uma tenso de porta negativa. A ten
so VDD fora os eltrons livres a fluir atravs do material n. Como no JFET a tenso de p
orta controla a largura do canal. Quanto mais negativa a tenso, menor a corrente
de dreno. At um momento que a camada de depleo fecha o canal e impede fluxo dos eltr
ons livres. Com VGS negativo o funcionamento similar ao JFET. Como a porta est is
olada eletricamente do canal, podese aplicar uma tenso positiva na porta (inverso
de polaridade bateria VGG do circuito da Figura 712). A tenso positiva na porta
aumenta o nmero de eltrons livres que fluem atravs do canal. Quanto maior a tenso,
maior a corrente de dreno. Isto que a diferencia de um JFET.

MOSFET DE MODO CRESCIMENTO OU INTENSIFICAO


O MOSFET de modo crescimento ou intensificao uma evoluo do MOSFET de modo depleo e de
uso generalizado na industria eletrnica em especial nos circuitos digitais.
Figura 713 A Figura 713 mostra um MOSFET de canal n do tipo crescimento e o se
u smbolo. O substrato estendese por todo caminho at o dixido de silcio. No existe ma
is um canal n ligando a fonte e o dreno. Quando a tenso da porta zero, a alimentao
VDD fora a ida dos eltrons livres da fonte para o dreno, mas substrato p tem apena
s uns poucos eltrons livres produzidos termicamente. Assim, quando a tenso da port
a zero, o MOSFET fica no estado desligado (Off). Isto totalmente diferente dos d
ispositivos JFET e MOSFET de modo depleo. Quando a porta positiva, ela atrai eltron
s livres na regio p. Os eltrons livres recombinamse com as lacunas na regio prxima
ao dixido de silcio. Quando a tenso suficientemente positiva, todas as lacunas enco
stadas a dixido de silcio so preenchidas e eltrons livres comeam a fluir da fonte par
a o dreno. O efeito o mesmo que a criao de uma fina camada de material tipo n prxim
o ao dixido de silcio. Essa camada chamada de camada de inverso tipo n. Quando ela
existe o dispositivo, normalmente aberto, de repente conduz e os eltrons livres f
luem facilmente da fonte para o dreno. O VGS mnimo que cria a camada de inverso ti
po n chamado tenso de limiar, simbolizado por VGS(th). Quando VGS menor que VGS(t
h), a corrente de dreno zero. Mas quando VGS maior VGS(th), uma camada de inverso
tipo n conecta a fonte ao dreno e a corrente de dreno alta. VGS(th) pode variar
de menos de 1V at mais de 5V dependendo do MOSFET. A Figura 714 mostra as curva
s ID x VDS e ID x VGS do MOSFET de modo intensificao e reta de carga tpica. No grfic
o ID x VDS, a curva mais baixa para VGS(th). Quando VGS maior que VGS(th), a cor
rente de dreno controlada pela tenso da porta. Neste estgio o Prof. Roberto A. Ber
toli set00

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ELETRNICA
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MOSFET pode trabalhar tanto quanto um resistor (regio hmica) quanto uma fonte de c
orrente. A curva ID x VGS, a curva de transcondutncia e uma curva quadrtica. O inci
o da parbola est em VGS(th). Ela
I D = k (VGS VGS( th ) ) 2
onde k uma constante que depende do MOSFET em particular.
Eq. 7 17
O fabricante fornece os valores de ID(On) e VGS(On). Ento rescrevendo a frmula:
I D = KI D ( on )
onde
Eq. 7 18
VGS VGS( th )

K =

VGS( ON ) VGS( th )

2
Eq. 7 19
Figura 714
TENSO PORTAFONTE MXIMA
Os MOSFET tm uma fina camada de dixido de silcio, um isolante que impede a circulao d
e corrente de porta tanto para tenses positivas como negativas. Essa camada isola
nte mantida to fina quanto possvel para dar a porta um melhor controle sobre a cor
rente de dreno. Como a camada muito fina, fcil destrula com uma tenso porta fonte
excessiva. Alm da aplicao direta de tenso excessiva entre a porta fonte, podese des
truir a camada isolante devido a transientes de tenso causados por retirada/coloc
ao do componente com o sistema ligado. O simples ato de tocar um MOSFET pode depos
itar cargas estticas suficiente que exceda a especificao de VGS mximo. Alguns MOSFET
so protegidos por diodos zener internos em paralelo com a porta e a fonte. Mas e
les tem como inconveniente, diminuir a impedncia de entrada.
7.3
FOTOTRANSISTOR E ACOPLADOR PTICO
FOTOTRANSISTOR
Os fototransistores so constitudos basicamente de duas junes, havendo uma janela que
permite a incidncia de a luz sobre a juno baseemissor, aumentando a condutividade
deste diodo emissor, com o conseqente aumento da corrente de coletor. Na Figura
715, um exemplo de curva IC x VCE.
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Figura 715 Sempre que houver luz incidindo sobre a base, haver uma corrente de b
ase e, portanto, o transistor deixa ser aberto. Abaixo, a representao de um fototr
ansistor: Um fotodiodo uma alternativa ao fototransistor. A diferena que a luz in
cidindo no fotodiodo gera a corrente que atravessa o diodo, enquanto no fototran
sistor, esta mesma luz produz uma corrente de base e por sua vez uma corrente de
coletor que vezes maior que no fotodiodo. A maior sensi ilidade do fototransist
or traz como desvantagem uma reduo na velocidade de chaveamento.
ACOPLADOR PTICO
A Figura 7-16 mostra um acoplador ptico. Consiste de um LED prximo a um fototransi
stor, am os encapsulados em um mesmo invlucro. Ele muito mais sensvel que um LED e
fotodiodo devido ao ganho . O funcionamento simples, qualquer variao em VS produz
uma variao na corrente do LED, que faz variar a emisso de luz e, portanto, a corren
te no fototransistor. Isso por sua vez, produz uma variao na tenso dos terminais co
letor-emissor. Em suma, um sinal de tenso acoplado do circuito de entrada para o
circuito de sada.
Figura 7-16 A grande vantagem de um acoplador ptico o isolamento eltrico entre os
circuitos de entrada e de sada. No existe nenhuma relao entre os terras de entrada e
sada.
7.4
EXERCCIOS
Ex. 7-1) No circuito da Figura a aixo, calcule ID , RS e RD . VDD=20V, VDS=8V e
VGS=-1,2V. Dados: RD+RS=12k,
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Ex. 72) Dados: VDD = +12V, VGSQ=0,5V (tenso de operao de VGS) e ID = 8mA (para VD
S= 0V). Calcule RD , RS e RG (suponha IG=5A), para o circuito de autopolarizao. Uti
lize o mtodo da reta de carga e a curva a seguir.
ID(mA) 8m
VGS =0V
4m 2m

0,5V 1V 1,5V 2,0V


2 4 6 8 10 12 14 16
VDS (V)
Ex. 73) No circuito da figura abaixo calcule AV e ZENT . Dados: gm=3000mho, RG=2
M2, RS=1k, RD=4k7 e VDD=18V.
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Ex. 74) No circuito seguidor de fonte, com RG = 1M e RS= 3k, calcule o ganho de t
enso, sabendo que: VDD=+9V, VGSQ = 4V, IDQ =1,6mA, IDSS = 16mA e VGS(OFF)= 5V.
Ex. 75) Um 2N5457 tem IDSS=5mA e gmo=5.000mho. Qual ID para VGS=1v? Qual o valo
r de gm para essa corrente de dreno? Ex. 76) Se gm=3.000!mho na figura 3. Qual
a tenso c.a. de sada? Dados: vent=2mV, Rent=100k, RG=10M, RS=270, RD=1k, RL=10k e VDD
+15V Ex. 77) O amplificador JFET da figura abaixo, tem VGS(OFF)= 4V e IDSS =12
mA. Nesse caso qual a tenso c.a. de sada? Dados: vent=2mV, Rent = 100k, RG = 10M, RS
= 270, RD = 1k, RL=10k e VDD = +15V.
Ex. 78) Se o seguidor de fonte da figura abaixo tem gm = 2.000mho, qual a tenso c
.a. de sada? Dados: vent=5mV, Rent =100k, RG=10M, RS=3900, RL=1k e VDD=+15V.
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8

REFERNCIA BIBLIOGRFICA
" CATHEY, Jimmie J. Dispositivos e circuitos eletrnicos, 1 ed. So Paulo, Makron Boo
ks, 1994. (coleo Schaum) " HONDA, Renato. 850 exerccios de eletrnica, 3 ed. So Paulo,
ica, 1991. " MALVINO, Albert Paul. Eletrnica Vol. I, 4 ed. So Paulo, Makron Books,
1997. " MELLO, Hilton Andrade de; INTRATOR, Edmond. Dispositivos semicondutores,
3 ed. Rio de Janeiro, Livros tcnicos e Cientficos, 1978.
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