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FAMILIA MOS
Los transistores de la tecnologa MOS (Metal Oxide Semiconductors) son
transistores de efecto de campo a los que llamamos MOSFET, la gran mayora
de los circuitos integrados digitales MOS se fabrican solamente con este tipo de
transistores.
El MOSFET tiene varias ventajas: es muy simple, poco costoso, pequeo y
consume muy poca energa. Los dispositivos MOS ocupan mucho menos
espacio en un CI que los BJT, un MOSFET requiere de 1 mlesimo cuadrado del
rea del CI mientras que un BJT ocupa 50 milsimos del rea del CI. Esta
ventaja provoca que los circuitos integrados MOS estn superando por mucho a
los bipolares en lo que respecta a la integracin a gran escala (LSI, VLSI). Todo
esto significa que los CI MOS pueden tener un nmero mucho mayor de
elementos en un solo subestrato que los circuitos integrados bipolares.
La velocidad de este tipo de tecnologa es relativamente lenta cuando se
compara con los BJT, esto se puede considerar como una de sus principales
desventajas.
Los CI digitales MOS utilizan exclusivamente MOSFET de incremento, adems
nos interesa utilizarlos solamente como interruptores al igual que se usan los
BJT en la familia TTL.
En los MOSFET canal N, el voltaje de la compuerta a la fuente VGS es el voltaje
que determina si el dispositivo esta en ENCENDIDO o en APAGADO. Cuando
VGS = 0 V, la resistencia del canal es muy alta de 1010, o sea, que no existe
un canal conductor entre la fuente y el drenaje ya que para propsitos
prcticos esto es un circuito abierto. Mientras VGS sea cero o negativo el
dispositivo permanecer apagado. Cuando VGS se hace positivo, en particular
un valor mayor al voltaje de umbral (VT) que por lo general es de 1.5 V, el
MOSFET conduce. En este caso el dispositivo esta encendido y la resistencia
del canal entre la fuente y el drenaje es de 1 k. El MOSFET canal P opera
exactamente igual excepto que emplea voltajes de polaridad opuesta. Para
encender los P-MOSFET, debe aplicarse un voltaje VGS negativo que exceda VT.
Los circuitos integrados P-MOS y N-MOS tiene una mayor densidad de
integracin por lo que son ms econmicos que los CMOS. Los N-MOS son ms
comnmente utilizados que los P-MOS, ya que son dos veces ms rpidos y
tienen cerca de dos veces la densidad de integracin de los P-MOS.
CARACTERSTICAS DE LOS CIRCUITOS MOS
Velocidad de Operacin 50 ns.
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Niveles de voltaje
Los niveles de voltaje de salida de la familia 74 estndar son:
Los voltajes aplicados a cualquier entrada de un CI no deben exceder los 5.5V. Existe
tambin un mximo para el voltaje negativo que se puede aplicar a una entrada TTL, que
es de -0.5V. Esto se debe al uso de diodos de proteccin en paralelo en cada entrada de
los CI TTL.
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Retado de propagacin
La compuerta NAND TTL estndar tiene retardos de propagacin caractersticos de tPLH
= 11 ns y tPHL = 7 ns, con lo que el retardo promedio es de tPD(prom) = 9 ns.
Dentro de la familia TTL, existen otras series que ofrecen alternativas de caractersticas
de velocidad y potencia. Dentro de ellas, estn:
Serie 74L, TTL de bajo consumo de potencia
Serie 74H, TTL de alta velocidad
Serie 74S, TTL Schottky
Serie 74LS (LS-TTL), TTL Schottky de bajo consumo de potencia
Serie 74AS (AS-TTL), TTL Schottky avanzada
Serie 74ALS, TTL avanzada Schottky de bajo consumo de potencia
Tabla 1. Caractersticas representativas de las series TTL
74
74L
74H 74S
74L
S
74A
S
74AL
S
Parmetros de funcionamiento
Retardo de propagacin (ns)
33
9.5
1.7
10
23
20
Producto
(pJ)
90
33
138
60
19
13.6
4.8
35
50
125
45
200
70
10
20
10
20
20
40
20
VOH
2.4
2.4
2.4
2.7
2.7
2.5
2.5
VOL
0.4
0.4
0.4
0.5
0.5
0.5
0.4
VIH
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
0.8
0.7
0.8
0.8
0.8
0.8
Mxima
(MHz)
velocidad-potencia
frecuencia
de
reloj
VIL
La serie TTL tambin puede caracterizarse por el tipo de salida con que cuenta:
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