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Crecimiento de cristales
nicamente cuando una fuerza motora que provoca que un sistema se
aparte de su condicin de equilibrio es que se forma un ncleo de un cristal
y comienza el crecimiento. Fases slida, fundida, solucin y vapor se puede
distinguir como fases del ambiente en el que los cristales pueden crecer.
Estos ambientes se pueden clasificar de forma sistemtica dependiendo de
si son fases condensadas o fases diluidas, y si est involucrada o no la
interaccin. En la fuerza impulsora, la transferencia de calor y masa estn
unidas, pero el grado de su respectiva contribucin depende del tipo de
ambiente de fase envuelto. La interfaz entre el cristal y el ambiente de la
fase es el nico lugar donde el crecimiento o la disolucin se llevan a cabo.
Se puede considerar el problema de la interfaz mediante la clasificacin de
su estructura en interfaces atmicamente rugosas y lisas. Se tiene un
mecanismo de crecimiento de tipo adhesivo para una interfaz atmicamente
rugosa, mientras que en las interfaces atmicamente lisas los cristales
crecen ya sea por la nucleacin bi-dimensional y crecimiento de capa o por
un mecanismo de crecimiento de espiral. Basndose en los anlisis
anteriores se puede sistematizar las relaciones mutuas entre morfologas
polidricas, en tolva, y dendrticas.
3.1 Equilibrio termodinmico frente a cintica termodinmica
El crecimiento de cristal es el proceso del nacimiento y el desarrollo de
una fase slida con una estructura regular de un estado desordenado e
1
S = p / p =J / J
Donde J y J son flujos entrantes de la fase de vapor al cristal en el
crecimiento y el equilibrio, respectivamente.
En el caso de la solucin de crecimiento, la fuerza impulsora corresponde a
la diferencia entre la concentracin de C a la temperatura de equilibrio T E
de la solucin saturada y la concentracin de C a la temperatura de
crecimiento TG y se expresa como sigue:
C = C - C,
S = C / C (relacin de supera-saturacin del soluto)
= (C / C)/ C (sobresaturacin relativa)
4
= S -1
En el crecimiento del fundido, la fuerza impulsora puede ser evaluada como
la diferencia entre las temperaturas de equilibrio y crecimiento:
T = T - T, (sobre-enfriamiento).
El grado de fuerza motriz se puede generalizar por la diferencia de los
potenciales qumicos entre las dos fases:
(g)
- (g) =
(g)
- (C)
Aqu,
, y
son, respectivamente, los potenciales qumicos
,
del vapor sobresaturado (o el ambiente fase tal como la fase solucin), la
fase saturada, y la fase slida. De esto, una fuerza motriz generalizada se
puede expresarse como
(g)
(g)
(C)
12
Figura 3.6. Fotografas Schlieren mostrando los cambios de espesor de la capa lmite de difusin y el
comportamiento de la flotabilidad - impulso de la conveccin que muestra en relacin al bulk
sobresaturado [1], [2]. La figura muestra la cara (111) de un cristal de Ba(NO 3)2 de una solucin acuosa.
En la regin I, solo el espesor de la capa lmite de difusin se incrementa; en la regin II, se observa la
conveccin lateral inestable (IIA) y el levantamiento de la plima intermitentemente (IIB); y en la regin III
se observa la conveccin constante de la flotabilidad - impulso.
13
(2) Las partculas ms pequeas que un tamao crtico, que puede ser
referido como racimos, se forman en el sistema. Algunos de estos
grupos, de los muchos que vienen en varias ocasiones juntos y parte de
nuevo, puede por casualidad crecer ms grande que el tamao crtico.
El proceso que describe la situacin hasta el punto en que las partculas
alcanzan el tamao crtico puede ser llamado la etapa de nucleacin
(3) Una vez que se supera el tamao crtico, la partcula puede crecer
ms grande. Este proceso corresponde a la etapa de crecimiento en su
sentido ms estricto.
Entre los grupos que se forman, los que superan el tamao crtico no lo
hacen se disocian y puede crecer ms grande. Como se muestra
esquemticamente en la Fig. 3.7, esto es porque la densidad de los
enlaces libres por unidad de rea en la superficie disminuye a medida
que aumenta el tamao, y finalmente alcanza un valor crtico. Figura 3.7
(b) muestra esta relacin en trminos de cambios de energa. La energa
de nucleacin es la suma de la energa gastada en la formacin de una
partcula por tomos de coagulantes, -G v, que es proporcional a r3, y la
energa obtenida mediante la creacin de la superficie, G s, que es
proporcional a r2, a saber, G-G v G s. Como puede verse en la Fig. 3.7
(b), la energa necesaria para que se produzca la nucleacin aumenta a
medida que r aumenta, alcanza un mximo a rc y disminuye a partir de
entonces. El ncleo que alcanza rc se llama el ncleo crtico, y rc se
conoce como el radio del ncleo crtico.
Dado que existe un valor crtico para que se produzca la nucleacin, la
nucleacin o crecimiento apenas se producen, excepto en una regin
estrecha lejos de la curva de solubilidad, que corresponde a la situacin
de equilibrio. Esta regin estrecha a lo largo de la curva de solubilidad
se llama la regin Miers (ver Fig. 3.1).
La nucleacin se puede clasificar como (i) "nucleacin espontnea" o
"nucleacin homognea", en el que es necesaria ninguna intervencin
por otros factores para que tenga lugar la nucleacin, y (ii) "nucleacin
heterognea", que se produce debido a la presencia de una pared de la
superficie de un vaso, o partculas extraas, o un componente de la
impureza. Se requiere un motor mucho mayor para el primero que lo
segundo. Hay una diferencia de unas pocas decenas de grados
centgrados en trminos de sobre enfriamiento entre los dos en el
crecimiento de masa fundida. La mayora de los fenmenos de
nucleacin en los sistemas reales pueden ser considerados como
heterogneos. En contraste con esto, se acepta que la nucleacin
homognea juega el papel esencial en la nucleacin en condiciones de
micro gravedad.
Figura 3.7. (A) Los cambios en la densidad de enlace colgando por unidad de superficie
como el tamao de una partcula aumenta. Cuando el nmero de unidades que constituyen
el ncleo aumenta desde cuatro hasta diecisis, la densidad de enlace colgando por unidad
de superficie disminuye de 8 a 16/9. (B) Los cambios en la nucleacin de energa G como
el radio de un ncleo r cambios. G alcanza un mximo en r c. La energa necesaria para
alcanzar el volumen G v es proporcional a r3, mientras que la energa obtenida en la
creacin de la superficie, G s, es proporcional a r2.
La energa crtica para la nucleacin est determinada por la energa libre de la interfaz (la
superficie de un ncleo) y la fuerza de conduccin. Cuanto menor sea la energa crtica,
ms fcil es para la nucleacin a tener lugar, por lo que las impurezas con similitud
qumica cristal, pequeas partculas no resueltos, los pasos, y las irregularidades o araazos
en la superficie de la pared del vaso puede todos actan como sitios de nucleacin
heterognea. El mtodo de la decoracin en la microscopa electrnica (ver seccin 5.2), lo
que nos permite observar las medidas en una escala nanomtrica, y el mtodo epitaxial
para el cultivo de pelculas delgadas cristalinas individuales (ver seccin 7.4), son tcnicas
que utilizan los fenmenos de nucleacin heterognea teniendo en cuenta la energa en los
pasos y las interfaces. El uso de cristales de siembra permite el crecimiento para iniciar de
inmediato, sin pasar por la etapa de nucleacin. Nucleacin secundaria, un mtodo
ampliamente utilizado en el campo de la cristalizacin industrial, es esencialmente el
mismo que el crecimiento de cristales usando semillas, aunque tradicionalmente un
trmino de la nucleacin se ha utilizado.
Es el propsito principal de la cristalizacin industrial para obtener numerosos pequeos
cristalitos de igual tamao y forma. Para lograr esto, un mtodo prctico ha sido adoptado
en la que grandes cristales de siembra se introducen en un recipiente de reaccin y agitado.
Las superficies de los cristales de siembra se separan por agitacin, por lo que proporciona
numerosos cristalitos diminutos en el sistema que actan como cristales de siembra. Por lo
torsin, y dislocaciones sacabocados, son ejemplos tpicos. Por otro lado, dislocaciones
inducida crecimiento en el crecimiento de cristales de la fase de solucin generalmente se
distribuyen en paquetes procedentes del centro del cristal o de inclusiones atrapadas
durante el crecimiento. Ellos tambin se originan en la superficie de un cristal de siembra o
de bandas de crecimiento. Dislocaciones inducida crecimiento generalmente se ejecuta casi
perpendicularmente a la superficie de cultivo.
Adems de los defectos retcula de orden, defectos mucho ms grandes a menudo pueden
ser inducidos en un cristal en crecimiento durante o despus del crecimiento; por ejemplo,
la inclusin de fases slido, lquido o de vapor. Las inclusiones atrapadas simultneamente
durante el proceso de crecimiento se llaman inclusiones syngenetic, mientras que los
inducidos despus del crecimiento es completa se llaman inclusiones epigenticos.
Inclusiones syngenetic estado slido proporcionan evidencia de las composiciones y las
condiciones termodinmicas de las fases ambiente en el momento del crecimiento de
cristales. Si un lquido inclusin fueron atrapados como una sola fase, el componente
disuelto en el lquido se disocia en forma de vapor o fases slidas debido a la disminucin
de la temperatura y la presin, y dara lugar a inclusiones de dos fases de vapor-lquido o
de mltiples -Fase inclusiones en el que las fases de vapor-lquido-slido coexisten. Sobre
la base de la temperatura a la que dos fases cambio a una sola fase en la calefaccin, la
temperatura en el momento de la inclusin fue atrapado se puede evaluar, despus de
primero calibrar el efecto de la presin.
Una fase se encuentra a menudo entre los minerales de silicato o sulfuro en manchado,
estrella, laminar o texturas de celosa en la fase de acogida. La fase se mezcl
originalmente como una solucin slida homognea solo con la fase de acogida en el
momento de crecimiento, y ms tarde precipita o exsolved la fase de una componente de la
solucin slida dentro de la fase cristalina de acogida como la temperatura disminuye. Este
fenmeno se llama la precipitacin en los campos fsicos o metalrgicos y exsolution en
disciplinas geolgicas. La fase exsolved tiene una relacin definida cristalogrfica con la
fase de acogida para mantener la energa mnimo interfaz entre las dos fases.
3.8 Interfaces
Despus de racimos alcanzan un tamao crtico en el sistema y la etapa de nucleacin esta
completa, comienza la etapa de crecimiento en un sentido ms estrecho. Puesto que la
estructura ya est formado, el componente de soluto ser incorporado en el cristal a
expensas de una energa mucho menor que la necesaria para la nucleacin. Aqu, la
estructura de la interfaz entre las fases slida y lquida que apareci como resultado de la
nucleacin se vuelve importante. Esto es porque el mecanismo de crecimiento ser
diferente dependiendo de si la interfaz es atmicamente spera o lisa. La interfaz spera
consiste enteramente de torceduras, y la interfaz lisa comprende una superficie plana
(terraza), un pequeo nmero de pasos, y un sitio donde un paso est doblado, es decir, un
punto de torsin.
Figura 3.10. Esquema que muestra el modelo de crecimiento capa por capa debido a la
nucleacin bidimensional. Esta figura asume el modo de nucleacin para ser el modelo
mono-nuclear. Otros modelos, como los modelos de poli-nuclear o de nacimiento y
propagacin, como se explica en el texto, tambin pueden ser considerados.
Teniendo en cuenta la energa de unin, vemos que en una cara incompleta una unidad de
crecimiento que incide ser incorporada inmediatamente en el cristal. Esto indica (i) que el
mecanismo de crecimiento de una cara incompleta ser de tipo crecimiento adhesivo, (ii)
que la interfaz avanzar de manera homognea, y (iii) que la velocidad de avance de la
interfaz (la tasa de crecimiento normal) ser linealmente relacionada a la fuerza impulsora.
En contraste, una unidad de crecimiento de llegar a una superficie plana sobre una terraza
interfaz completa puede no ser incorporado inmediatamente en el cristal. Se puede
difundirse en la superficie o dejar la interfaz, volviendo a la fase inicial. Si hay pasos o
torceduras, pasos que se pliegan, sobre la superficie de terraza, una unidad de crecimiento
de llegar ser incorporada en el cristal. Como resultado, la cara crecer en dos dimensiones
de difusin del paso. Si el paso alcanza el borde de la cara y la superficie se vuelve
completamente plana, se requiere una nueva fuente de paso para continuar el crecimiento.
Kossel [8] y Stranski [9] asumieron que tendr lugar la nucleacin bidimensional. Este
mecanismo se denomina crecimiento de la capa por capa. La figura 3.10 muestra este
modelo de forma esquemtica.
En esta teora, ya que la tasa de crecimiento de una cara se controla por la tasa de
nucleacin bidimensional, debemos esperar que exista la presencia de una fuerza de
conduccin crtica y que el crecimiento puede tener lugar solo si se supera esta. Por debajo
de este valor, no habr crecimiento. Como posibles modos de nucleacin de dos
dimensiones, se pueden considerar tres modelos diferentes.
(1) Un modelo de mono-nuclear, que permite slo una nucleacin, la prxima nucleacin
toma lugar slo despus de que toda la superficie est cubierta por capas de crecimiento
procedentes del ncleo anterior.
(2) Un modelo polinuclear, que permite llevar a cabo muchas nucleaciones en una
superficie.
(3) Un modelo de nacimiento y propagacin, lo que permite la nucleacin y el avance de
una capa de crecimiento a la vez en una superficie.
En todos estos modelos, asumimos nucleacin bidimensional.
Tabla 3.2 Trminos usados para expresar los estados de las interfaces
Kossel, Stranski
Burton, Cabrera, Frank
Hartman, Perdok
Terminologa actual
Figura 3.11. Prediccin de la rugosidad de la interfaz obtenido por (a) Jackson [13] y (b)
Temkin [14], [15]. (A) El eje horizontal muestra la relacin entre la ocupacin del sitio de
la superficie, y la vertical de x representa el cambio en la energa libre. Los nmeros son
factores. (B) El eje vertical indica la fuerza impulsora, y el eje horizontal muestra el
factor. A es el rea estable para una interfaz lisa; B es el rea estable para una interfaz
spera.
Donde es el factor de orientacin, L es el calor de fusin, k es la constante de Boltzmann,
y Tm es el punto de fusin. Figura 3.11 (a) muestra los resultados de clculo de Jackson, e
indica que hay dos tipos de curvas en funcin del factor . Para materiales con <2, slo
hay un mnimo de 50% de ocupacin del sitio de la superficie, lo que indica que la interfaz
energticamente prefiere ser spera. Por otro lado, en un material con >3, hay dos
mnimos de energa en el sitio de ocupacin 0 y 100%, lo que indica que la interfaz ser
suave.
Los factores son diferentes para diferentes materiales. Los cristales metlicos tienen
generalmente <2; los cristales semiconductores tienen 2<<3; y en xidos, silicatos, y
cristales de polmero, que tienen estructuras cristalinas complejas, >3. Debido a la
presencia de (correspondiente a la relacin entre dos y nmeros de coordinacin
tridimensionales zs/ z), los factores sern diferentes en diferentes direcciones
cristalogrficas en el mismo cristal. Para los cristales de hielo, el (0001) cara tiene >3,
mientras que para la cara (10 1-1 0) es 2<<3, lo que indica que (10 0) es una cara ms
spera que (0001).
En contraste con el tratamiento termodinmico de equilibrio realizado por Jackson, Temkin
[14], [15] considerado el problema de la transicin de rugosidad de una interfaz en relacin
con la fuerza de accionamiento y el factor . Su resultado se muestra en la Fig. 3.11 (b), en
el que la zona A corresponde a un rea donde se espera una interfaz suave, mientras que la
zona B corresponde al esperado para una interfaz spera. Al aumentar la fuerza motriz, una
interfaz suave se transforma en una interfaz spera: una transicin de rugosidad cintica.
Para Jackson el factor es el valor medido en el punto de fusin; la interaccin solutodisolvente no se tiene en cuenta. Esto corresponde a la situacin de crecimiento de los
cristales en la fase de fusin. Bennema y Gilmer [16] el factor de Jackson se da de la
siguiente de modo que se puede aplicar a la fase de solucin, que implica una interaccin
soluto-disolvente:
G = {sf - (ss + ff)}/KTG
G es un generalizado del factor , ss y ff son la unin de las energas en las fases
slida y de fluidos, respectivamente, sf es la energa de interaccin soluto-disolvente, k es
la constante de Boltzmann, y TG es la temperatura de crecimiento, que es menor que el
punto de fusin. En el crecimiento de cristales de la fase de fusin,
G se
convierte en la misma que en la expresin de Jackson. En esta generalizacin, sin embargo,
G se da en trminos de la temperatura de crecimiento y la energa de interaccin solutodisolvente, por lo que es diferente de Jackson del factor .
Experimentos informticos extensos han sido realizados desde la dcada de 1980 para
investigar cmo los cambios en la estructura de interfaz como u/kT cambios nudos, para
determinar si la transicin de rugosidad se lleva a cabo, y establecer la forma en la tasa de
crecimiento en comparacin con la relacin fuerza motriz (y por tanto el mecanismo de
crecimiento) cambian dependiendo en los cambios en el factor ,
el factor G o
u/kT. Los resultados fueron los esperados; Fig. 3.12 muestra dos ejemplos de los
resultados de experimentos de ordenador.
Los anlisis anteriores suponen que la estructura de interfaz no cambia en todas las
condiciones de crecimiento. Se ha demostrado experimentalmente usando cristales de Si
que la estructura de interfaz puede ser reconstruido en algunas fases ambiente. Los tomos
en el interior del cristal estn unidos de forma tridimensional y simtricamente a los
tomos vecinos, mientras que los de la superficie no. Los tomos de la superficie estn
unidos con tomos en la estructura, pero no con los de la fase ambiente. En consecuencia,
estn en un estado de energa ms alto que los tomos en el cristal. Bajo ciertas
condiciones, se requiere la "reconstruccin de la superficie" para relajar el estado de alta
energa; esto se logra mediante la formacin de la unin parcial, por ejemplo la formacin
de una estructura en lugar del original estructura 1x1 el 3x3. Se ha demostrado que las
estructuras reconstruidas aparecen en Si 2x1 o 7x7, y en Ir (100) una estructura 1x1 cambia
a una estructura de 1x5. En consecuencia la estructura del cristal se enfrenta a dicha
modificacin a consecuencia de tal reconstruccin, y que exhiben una morfologa de la
superficie diferente de caras no reconstruidas ordinarios (vase la Seccin 4.4).
Tipo adhesivo
Crecimiento de nucleacin
bidimensional
Crecimiento en espiral
)
Rugoso
En transicin
)2
R = A(
liso
B son constantes.
tres modelos de mecanismos de crecimiento. Esta figura ilustra los dos puntos siguientes.
(1) Cuando como el motor aumenta, una interfaz se vuelve ms rugosa.
(2) Dos puntos de flexin aparecen en /kT * y /kT **, ya que las curvas de R frente a
las relaciones
/kT **, mientras que la interfaz ser lisa y el crecimiento ser controlado
/kT *. Entre
/kT **, la interfaz ser lisa, pero el mecanismo de crecimiento ser principalmente
Figura 3.15. reas donde se espera que las interfaces rugosas y lisas. La tasa de crecimiento en
comparacin con los que impulsan las relaciones de fuerza que se espera para los tres modelos de
crecimiento se indican en la tasa de crecimiento, R (vertical), eje frente a la fuerza motriz (/ kT)
diagrama. La curva A muestra el mecanismo de crecimiento de espiral; B representa el mecanismo de
crecimiento de dos dimensiones de nucleacin; C denota el mecanismo de tipo adhesivo.
Las posiciones de
/kT * y
cristal crece a partir de la fase de vapor que cuando crece a partir de la fase de fusin.
Tambin, dependiendo de las especies de cristal, la implicacin es que la morfologa ser
diferente, incluso si los cristales crecen de la misma solucin acuosa,
/kT * y
redujeron entre los rostros categorizados como caras F. Se espera que la posicin del
/kT
Figura 3.17. Relacin entre la interfaz y lneas de igual concentracin en la fase ambiente
cuando se produce la inestabilidad morfolgica.
Supongamos que una pequea protuberancia aparece en una interfaz curvada rugosa, y que
por alguna razn se altera la morfologa interfaz. Los intervalos entre las lneas de igual
temperatura o concentracin vuelto ms estrecho en el bulto; Por lo tanto, el gradiente de
temperatura o la concentracin se vuelve ms ntida, lo que resulta en una tasa de
crecimiento cada vez mayor (Fig. 3.17). Las situaciones son las mismas para el crecimiento
de la masa fundida, en el que la transferencia de calor juega el papel esencial, y para el
vapor diluido o solucin de crecimiento, en el que la transferencia de masa juega el papel
esencial. Cuando se producen cambios en el gradiente de la temperatura y la concentracin,
la morfologa interfaz pierde su estabilidad, y el bulto se ver reforzada. Inestabilidad
morfolgica es ms fuerte en las interfaces rugosas, curvas que en las interfaces lisas y
planas. A menos que la cooperacin de las fuerzas resulta en la supresin de la inestabilidad
de la interfaz, la inestabilidad se ver reforzada a medida que avanza de crecimiento. Como
resultado, la estructura celular peridica, aparecer matrices de cspides, varilla o
estructura laminar y, adems, la morfologa dendrtica. Varios patrones derivados de la
inestabilidad morfolgica se indican en la figura. 3.18. Ahora se entiende que la
morfologa dendrtica de cristales de nieve, lo que atrajo la atencin de los primeros
observadores de cristales, los resultados de los cambios morfolgicos derivados de la
inestabilidad morfolgica. Las seis ramas simtricas son debido a la estructura. El problema
de la inestabilidad morfolgica se resolvi tericamente por Mullins y Sekerka [20], que
propuso una teora lineal que demuestra que la morfologa de un cristal esfrica creciente
en la masa fundida sobre enfriada se desestabiliza debido a la difusin trmica; la teora
tratada cuantitativamente con y dio anlisis lineal de la inestabilidad en la interfaz de
solidificacin unidireccional. La morfologa interfaz es inestable para una variedad de
razones; debemos considerar primero el sobre enfriamiento constitucional, es decir, el
cambio de punto debido a un cambio en el contenido de impurezas de fusin. En el proceso
de solidificacin de una aleacin, incluso si la cristalizacin se inicia desde una interfaz
slido-lquido plana con contenido de impurezas homognea, concentraciones de impurezas
en el slido y el lquido va a cambiar a medida que avanza de crecimiento (como los
avances de interfaz) debido a la compartimentacin de los componentes de impurezas entre
las fases slida y liquida. Los componentes de impurezas con una particin (distribucin)
coeficiente menor que la unidad se concentrar en la interfaz
Si
el
crecimiento
est
totalmente controlado por difusin, el cristal debe tener una forma esfrica, sin caras
planas. La aparicin de caras cristalinas planas se explica por la introduccin del concepto
del mecanismo de crecimiento de la capa por capa en una interfaz lisa. Como un ejemplo de
la violacin de la inestabilidad morfolgica, podemos mencionar el efecto Berg. Como
Berg demostr (vase la Seccin 3.4), la fuerza motriz a travs de una cara del cristal es
mayor en las esquinas o en los bordes que en la cara, y es ms bajo en el centro de la cara.
Hay un valor crtico para la nucleacin de dos dimensiones que se produzca. Si la fuerza
impulsora en las esquinas y los bordes es menor que este valor crtico, el crecimiento de
esta cara ser controlado por el mecanismo de crecimiento de espiral Fig. 3.15), y la capa
de crecimiento procedente de dislocaciones de tornillo en la zona central de la cara
avanzar hacia el exterior, y as la estabilidad polidrica de la morfologa podr ser
mantenido. Si la mayor parte de fuerza
aumenta por encima del valor crtico para la nucleacin bidimensional que tendr lugar en
las esquinas o bordes (el rea entre /kT * y /kT ** en la Fig. 3.15), dislocaciones
afloramiento cerca de los bordes o esquinas, o nucleacin bidimensional en estos lugares,
actuar como fuentes para las capas de crecimiento, que luego avanzar hacia el interior a la
zona central de la cara. Esto corresponde a la formacin de una cara de la tolva. Si la fuerza
motriz aumenta an ms, la nucleacin tridimensional se llevarn a cabo en los lugares
donde la fuerza impulsora es mxima, es decir, en las esquinas del cristal. Se espera que
este saliente aparecer en la direccin de las esquinas, y que ser posiblemente convertirse
en un cristal dendrtico por la misma razn que la inestabilidad morfolgica se produce en
una interfaz rugosa.
Tomando el efecto Berg en cuenta, Kuroda et al. [21] demostraron que el lmite entre la
zona donde la morfologa polidrica permanece estable y la regin donde se viola la
estabilidad, y la tolva o formas dendrticas aparece, cambiar dependiendo del tamao del
cristal. La figura 3.20 muestra los resultados.
3.12 Fuerza impulsora y morfologa de los cristales
Si podemos predecir cambios morfolgicos en base a los anlisis de estados de interfaz, en
la R frente relaciones para los tres modelos de mecanismo de crecimiento, y en la
estabilidad morfolgica de interfaces, como se discuti en las secciones 3.2 a 3.9, y luego
Tamao de cristal
(cm)
Mecanismo de
crecimiento en
espiral
Mecanismo
de
crecimiento
Dendrita
Regin estable
Regin inestable
spero
Liso
Tasa de crecimiento
R
Espiral
Nucleacin
bidimensional
Fuerza motriz
Figura 3.21. Los cambios en la morfologa de los cristales, mostrados en una tasa de
crecimiento frente a la conduccin diagrama de fuerza (ver Fig. 3.15), asumiendo un cristal
delimitada por el {111} nica cara.
Las posiciones de /kT* y /kT** en el diagrama ser diferente para diferentes
direcciones cristalogrficas. Cuanto mayor sea la importancia morfolgica, el ms grande
de estos valores sern. En otras palabras, un cristal en crecimiento est limitado por las
caras que tienen diferentes fuerzas impulsoras, y as cada cara presenta una rugosidad
interfaz diferente.
En el caso de un cristal delimitada por ambas interfaces lisas y rugosas, la interfaz spera
desaparecer a medida que avanza de crecimiento, y el cristal eventualmente tomar una
forma polidrica limitada por una interfaz suave solo, a menos que se suprime la tasa de
crecimiento de la interfaz spera debido a las condiciones ambientales. Puesto que el
crecimiento de un cristal polidrico es controlado por el mecanismo de crecimiento de
espiral, la tasa de crecimiento normal de la cara est determinada por la altura, la
separacin, y la tasa de avance de los pasos de la espiral de crecimiento. Los factores que
determinan estas tres caractersticas, por lo tanto el control de la Tracht y el habitus de
cristales polidricos. Esto se analizar en el captulo 4.
Cuando un cristal crece bajo condiciones no controladas, como en el crecimiento de
cristales de minerales naturales, la nucleacin se produce primero bajo condiciones de alta
fuerza motriz, que disminuirn a medida que avanza de crecimiento. Esta implihat un
cristal que es originalmente dendrticas eventualmente tomar una forma polidrica limitada
por una cara plana. Si un cristal polidrico limitado por caras planas es atravesada, se
observar un esqueleto que muestra la forma dendrtica en el interior. Los cambios abruptos
en las condiciones de conduccin de fuerza se producen con frecuencia en la cristalizacin
natural, como en la elevacin de magma, y por lo tanto esperan encontrar cristales
polidricos recubiertos de una textura fibrosa debido al crecimiento dendrtico, o cristales
que muestran varios cambios en la seccin transversal. La figura 3.22 presenta un resumen
de estas texturas internas.
Figura 3.22. Texturas registradas dentro de un solo cristal debido a cambios en las
condiciones de crecimiento.
3.13 Morphodroms
Hemos discutido en la Seccin 3.12 de que existe una relacin mutua entre esferultica,
dendrtica, tolva, y los cristales polidricos, con respecto a la fuerza impulsora. Vamos a ver
cmo aparecen estas relaciones mutuas en sistemas reales, utilizando como ejemplos
representativos, cristales de baja temperatura de nieve (de crecimiento en fase de vapor) y
cristales de silicato de alta temperatura que crecen en las fases de solucin de silicato.
Sobresaturamiento
(%)
Dendrtica
Sector y la placa
Placa gruesa
Placa espacial
Aguja
Aguja irregular
Columna
Desplazamiento
Temperatura (0C)
(0C)
% en peso de An
(a)
(0C)
Polidrico
Tolva
Dendrtica
Esferulitica
% molar de An
(b)
Elementos con keff < 1 que son barridas a la interfaz forman una capa concentrada con un
gradiente que depende de la tasa de crecimiento, R, si suponemos una capa de difusin con
un espesor . Bajo la condicin de equilibrio donde R = 0, no hay gradiente, pero al
enfriamiento rpido, con R = , el gradiente es la ms empinada, y en un finito R el
gradiente es intermedio. En R = , concentraciones de impurezas son iguales en la fase
ambiente y en el cristal, y keff = 1, mientras que en condiciones de equilibrio, donde R = 0,
keff = k0. Suponiendo la constante de difusin de una impureza sea D,
Burton, Prim, y Slichter [24] expresaron keff por la siguiente frmula:
Esta es la famosa ecuacin de BPS; muestra que k eff depende de R, pero no lo hace
muestran que depende de la orientacin.