Você está na página 1de 9

PRACTICA 4 AMPLIFICADOR CON

TRANSISTOR BJT
4.1 Amplificador de voltaje con
ganancia de 10

AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR BJT


El principal problema que nos encontramos es la falta de valores de los elementos pasivos de
polarizacin, por lo tanto carecemos de un punto de partida a partir del cual podamos ir
calculando los dems valores significativos del circuito. Por lo tanto lo que se har es seguir el
mtodo clsico de anlisis de circuitos transistorizados que trabajan como amplificadores por
tanto supondremos que estn trabajando en su zona activa para as realizar su misin, de
esta forma despejaremos los valores mas significativos para nosotros (ganancia, resistencia
de entrada) y los dejaremos en funcin de los parmetros del circuito, de esta forma
podremos ver como se relacionan unos con otros y as ver cual puede ser la solucin mas
ptima.
Hay que hacer una observacin, el valor de la fuente de alterna es de 20 mV y este valor de
tensin es el que cae en la conexin base emisor del transistor por lo tanto siempre estaremos
violando la condicin de pequea seal que establece que VBE (MAX) no debe de sobrepasar
los 10 milivoltios para que el transistor trabaje en una zona cuasi lineal de forma que no haya
distorsin.
Luego partimos de la base de que con esta configuracin siempre vamos a tener una
distorsin ms o menos significativa debido al elevado valor de pico de la fuente de alterna.
Hechas estas consideraciones pasaremos a realizar el anlisis clsico de este amplificador.
La configuracin amplificadora ms usada del transistor bipolar es la de emisor comn. Se
denomina as porque la seal de entrada se introduce entre base y emisor y la seal de salida
se obtiene entre colector y emisor, de modo que el emisor es el punto comn de referencia
para ambas seales.
En la siguiente figura se muestra la red de polarizacin del transistor en una etapa de emisor
comn tal como se estudi en el apartado terico de esta prctica.

Recuerde que las resistencias R1, R2, RC y RE fijan el punto de operacin del transistor. La
fuente Vs introduce la seal que va a ser amplificada y el condensador C1 acta como un
condensador de acoplo que impide que la introduccin de la fuente de pequea seal (Vs)
altere el punto de polarizacin determinado mediante las resistencias (a efectos de la tensin
de continua este condensador es un circuito abierto).
El condensador C2 tiene la finalidad de ocultar la resistencia RE a efectos de la amplificacin
de la seal, es decir, que a la frecuencia de la seal prcticamente est cortocircuitando a RE
con el objetivo de aumentar la ganancia, mientras que en continua es como si fuera un circuito
abierto y por tanto la resistencia RE acta mejorando la estabilidad del punto de operacin y
por tanto de la ganancia frente a variaciones de los parmetros del transistor.
Anlisis en continua
Procederemos ahora a realizar el anlisis en continua de la malla de salida del amplificador
para obtener la recta de carga, y visualizar su dependencia con los elementos pasivos cuyo
valor desconocemos
Aplicando la ley de Kirchoff de los voltajes tenemos:
IC = -( Vcc - Vce )/Rc. Donde desconocemos el valor de la resistencia de emisor.

a. b.

c:
Al realizar el anlisis en corriente continua, se eliminan todas las fuentes de seal alterna y
sustituiremos los componentes por su equivalente para continua.

En corriente continua, el circuito de entrada ejerce un control sobre el circuito de salida. La


aplicacin por excelencia, posiblemente se encuentra en el concepto de amplificacin: bajo
determinadas condiciones podemos conseguir que la corriente de colector sea proporcional a
la corriente de base.
Para terminar con nuestro anlisis debemos suponer que ahora aplicamos una seal al
circuito y veremos cmo vara el punto Q
En la figura vemos un ejemplo, donde se muestra el punto Q en ausencia de seal y cmo
vara con la aplicacin de una seal de entrada.

Es importante verificar bien el lugar de ubicacin del punto Q, dado que si queremos que el
transistor opere en la zona activa y polarizamos a ste en un punto Q cercano a la zona de
saturacin, corremos el riesgo de que cuando le aplicamos una seal de entrada, Q se
desplace hacia la zona de saturacin, dejando la zona activa. Para evitar este problema
conviene analizar siempre antes la variacin de Q en nuestro transistor y verificar que no
salga de la regin donde queremos que trabaje.
Anlisis de Corriente Alterna
Los transistores tienen un modelo equivalente que permite aplicar los mtodos tradicionales
de anlisis de circuitos (mallas, nodos). Estos modelos se obtienen del estudio de las
ecuaciones que rigen el comportamiento de los transistores.
Existen varios modelos para simular el comportamiento del transistor en alterna, l ms
popular es el modelo en parmetros h.

Para realizar el estudio en alterna, cortocircuitaremos las fuentes de tensin de voltaje


continuo, consideraremos los condensadores cortocircuitos, (gran capacidad), y utilizaremos
el modelo de pequea seal del transistor. Esto se muestra en el esquema de la figura:

De nuevo aplicando la ley de Kirchoff de los voltajes en la malla de salida obtenemos la


ecuacin de la recta de carga en alterna. Esta recta de carga debe de pasar por el punto de
trabajo (Icq, Vceq) por tanto la ecuacin que nos queda es:
(RcRL/ (Rc+RL))(Vce-Vceq)=Ic-Iceq
Operando y simplificando podemos comparar el valor absoluto de las dos pendientes.
Llamaremos Mac a la pendiente en alterna y Mdc a la de continua obteniendo los siguientes
resultados Mac= 1+1/RC Y Mdc=1/RC, de esta comparacin podemos inferir que la pendiente
de alterna siempre va a ser mayor que la de continua para cualquier valor de la resistencia de
colector.
Esto nos lleva a pensar que por el lado derecho del punto de trabajo Vceq la que nos va a
limitar antes es la pendiente AC.
Procederemos a calcular los parmetros de pequea seal, es decir, la impedancia de entrada
y de salida, la ganancia en tensin, y la resistencia de base del transistor.
El valor de la impedancia de entrada del amplificador es Zin= (R1//R2//rpi), (rpi=hie) la
impedancia de salida vale Zout=RC, la ganancia es un parmetro laborioso de calcular que
depende de la de las resistencias de colector y de carga de beta y de rpi su ecuacin es:
GV=-(Bib (RC//RL))/rpi de esta expresin se deduce que la ganancia se hace mas grande
cuando RC se hace pequea.
Optimizacin del diseo
Una vez halladas las expresiones de los parmetros en pequea seal nuestro prximo paso
ser el de obtener la mxima excursin de la seal sin distorsin para ello debemos de recurrir
a las rectas de carga en alterna del circuito que son las que nos caracterizan el
comportamiento del transistor
Las dos rectas las representaremos en la figura:

En esta grfica los puntos ms significativos para nosotros son el voltaje colector emisor de
polarizacin VceQ, el valor Vce2 en el que Ic=0, es decir el valor de tensin C-E en que el
transistor se corta debido a la tensin de alterna y continua. Por ltimo nos interesa el tercer
valor que limita la excursin de la seal, es decir, el valor de tensin C-E en que el transistor
entra en saturacin, esto se produce cuando la corriente de colector tiene un valor de
IC=VCC/RC llamemos a este valor VCE1 que est situado a la izquierda del punto de trabajo.
Por lo tanto con estos datos sustituimos en la ecuacin de la recta de carga en alterna y
despejamos Vce1 y Vce2 quedando las siguientes expresiones en donde hemos sustituido
RL=1K.
VCE1=VCEQ - (VCEQ/ (1+RC))
VCE2=-(VCEQ+VCC)/ (1+RC) + VCEQ
Bien, de momento tenemos los puntos que limitan la excursin de la seal, sin embargo, no
conocemos su valor ya que dependen del valor de la resistencia de colector y del punto de
polarizacin que los desconocemos. De todo esto se puede deducir que existen un valor de
RC y VCEQ que hacen que la anchura de este margen sea mximo por lo cual tendremos que
estudiar la expresin |VCE2-VCE1|
Cuyo valor es: |VCE2-VCE1|=VCC/ (1+RC)
De este resultado debemos resaltar dos cosas:
A) La excursin ya no depende de VCEQ.
B) Se logra una mayor excursin disminuyendo RC. Por lo que el valor de RC solo queda
limitado por la potencia mxima que puede disipar el transistor. Por lo tanto recurriendo a la
expresin de la potencia calcularemos la RC mnima a la cual el transistor no se quema.
Sabiendo que VCEQ=VCE1 + (|VCE1-VCE2|)/2 =VCC/2

Para que el transistor no se queme cogeremos la potencia de trabajo como la mitad de la


potencia mxima siendo sta en nuestro transistor real de 0.5 Watt
La expresin de la potencia es la siguiente:
P (MAX)/2=VCEQICEQ
De esta ecuacin podemos despejar RC sin problemas y su valor exacto es de 144 ohm, una
vez que tenemos el valor de la resistencia podemos calcular la intensidad de colector cuyo
valor es de IC=41.6 miliamperios.
Con este dato podemos saber tambin la intensidad de base ya que estn relacionados con
beta, que en nuestro caso es de 190 teniendo por tanto una IB=0.215 miliamperios.
Los valores de las resistencias R1 y R2 calculan fcilmente fijando una de ellas pongamos por
ejemplo R1=10K se calcula el equivalente Thevenin y se aplica la L.K.V. como se muestra en
la figura:
La ecuacin que se obtiene es:
VCCR2/ (R1+R2)= IBR1R2/ (R1+R2) + 0.7
Obtenemos aqu que R2=0.764K
Para terminar el clculo terico solo nos queda hallar los valores de los parmetros de
pequea seal, que se obtienen sustituyendo en las expresiones de los apartados anteriores.
GV=210, rpi=116.27ohm, ZIN=99ohm, ZOUT=144ohm.
Los condensadores tendrn una capacidad suficiente para que la frecuencia de corte inferior
est muy alejada de la frecuencia de funcionamiento, por tanto una capacidad de 10
microfaradios para cada uno se considera ms que suficiente
AMPLIFICADOR DE VOLTAJE CON GANANCIA DE 10