UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

APELLIDOS Y NOMBRES:
QUIQUIA RODRIGUEZ EDGARDO
GIOVANNI
CDIGO:
14190043
E.A.P:
INGENIERA ELCTRICA
CURSO:
CIRCUITOS ELECTRONICOS I
TEMA:
Analisis matematico del
comportamiento elctrico del diodo
semiconductor
PROFESOR:
ING. ALFREDO MEDINA

2015

I.

Modelo matemtico de la unin P-N: ecuacin de Shockley.

Cuando una tensin es aplicada a la unin p-n, las corrientes de difusin y de arrastre
se ven alteradas rompindose la situacin existente en el equilibrio (Fig. 13)

Fig. 13: Movimiento de los portadores en equilibrio.

Cuando una tensin de polarizacin directa Va se aplica a la unin, la cada de tensin a
travs de la unin y el campo elctrico en sta se reducen. Si suponemos que los niveles
energticos en la zona P permanecen fijos, entonces los niveles energticos en la zona N
aumentan en qVa, como se muestra en Fig. 14.

Fig. 14: Movimiento de los portadores con polarizacin directa (Va > 0).
El nmero de electrones, portadores minoritarios en la zona P, por encima de Ec es el
mismo que en la situacin de equilibrio. Estos constituyen la corriente de arrastre de
electrones. El nmero de electrones en la zona N que tiene energas por encima de Ec de
la zona P es considerablemente mayor que en equilibrio. Estos electrones se difundirn
hasta P. Por tanto, se tiene una corriente de difusin de electrones a travs de la unin
que es mayor que la corriente de arrastre causada por los electrones que se desplazan
desde P hasta N. De forma anloga, los huecos (con energa superior a Ev de la zona N)

se difundirn desde P hasta N y esta corriente de difusin ser mucho mayor que la de
arrastre debida al movimiento de los huecos desde N hasta P.
Cuando se aplica una tensin de polarizacin inversa a la unin (Va < 0), las
corrientes de arrastre no cambian ya que la concentracin de portadores minoritarios no
ha cambiado. Pero las corrientes debidas a la difusin son pequeas debido a que hay un
menor nmero de portadores mayoritarios, electrones en la zona N y huecos en la zona
P, con energas superiores a Ec de la zona P y Ev de la zona N respectivamente. Esto se
muestra en Fig. 15

Fig. 15: Movimiento de los portadores con polarizacin inversa (Va < 0).
Dicho de otra manera, los electrones en la zona N y los huecos en la P tienen una
barrera energtica mayor que superar, comparada con la existente en la condicin de
equilibrio, de manera que la corriente neta es negativa. Esta corriente es negativa porque
est compuesta por un nmero mayor de electrones cruzando desde P hasta N (arrastre)
que cruzando desde N hasta P (difusin) y, de forma similar, un nmero mayor de
huecos cruzando desde N a P que desde P a N, comparando con la situacin de
equilibrio.
Por tanto, la corriente est limitada a la posibilidad de generar portadores
minoritarios trmicamente y es, de hecho, independiente de la tensin de polarizacin
inversa para decenas de voltios o superior.

3.4.1. Caractersticas ideales.

A continuacin se va a desarrollar un modelo matemtico de la unin p-n en ausencia
de equilibrio y que explica el comportamiento interno del dispositivo. Finalmente, el
modelo matemtico dar lugar a las caractersticas macroscpicas elctricas corrientetensin.
Para la obtencin del modelo matemtico se realizarn las siguientes hiptesis:
1. La regin espacial de carga tiene lmites abruptos (modelo de unin abrupta).
2. No existen portadores en la regin espacial de carga, estos slo la atraviesan (en
la prctica las concentraciones de portadores mviles -electrones y huecos- que
atraviesan la unin son despreciables frente a las concentraciones de impurezas).
Por tanto, se supondr que esta regin consta nicamente de impurezas
ionizadas.
3. Fuera de los lmites de la regin espacial de carga, el semiconductor es neutro.
4. El funcionamiento es a una temperatura tal que todos los tomos de impurezas
estn ionizados.
5. Las concentraciones de portadores en los lmites de la regin espacial de carga
vienen dados en funcin del potencial electrosttico de contacto Vbi.
6. Los contactos al final de las regiones P y N son contactos perfectamente
hmicos. Un contacto perfectamente hmico es aquel que tiene una resistencia
cero de manera que la cada de tensin entre sus extremos es cero.
7. Cuando el diodo est polarizado directamente, se supone condicin de baja
inyeccin. Esto significa que cuando los electrones desde N o los huecos desde P
son inyectados en las regiones opuestas, la concentracin de dichos portadores
en el lmite con la regin espacial de carga de la nueva regin, donde estos ahora
son portadores minoritarios, es mucho menor que la concentracin de portadores
mayoritarios en el equilibrio en dicha regin. En otras palabras, la concentracin
de portadores mayoritarios en los contactos con las zonas neutras no sufre cambio
apreciable por el hecho de aplicar una polarizacin.
8. Se considerarn inexistentes los procesos de recombinacin y de generacin de
portadores en la regin espacial de carga. En consecuencia, las corrientes de
huecos y de electrones sern constantes a lo largo de la regin espacial de carga

Concentraciones de portadores en los lmites de la regin espacial de carga.

Se pretende calcular, en primer lugar, las concentraciones de portadores en los
lmites de la regin espacial de carga (es decir en xn y -xp). El clculo de estas
concentraciones nos permitir obtener condiciones de contorno para la resolucin de la
ecuacin de continuidad en las regiones neutras y, por tanto, obtener la variacin
espacial que experimentan las concentraciones de portadores minoritarios en las
regiones neutras.
As por ejemplo, en condiciones de polarizacin directa se produce una inyeccin de
portadores minoritarios, de electrones en la zona P y de huecos en la zona N. La
obtencin de la concentracin de electrones en -xp (np(-xp)) y de huecos en xn (pn(xn))
nos proporciona la cantidad de electrones inyectados en la zona P y de huecos
inyectados en la zona N. Estos valores sern condiciones de contorno para resolver la
ecuacin de continuidad en cada una de las regiones neutras, en las cuales tendr lugar
un proceso de difusin-recombinacin de los portadores minoritarios inyectados, tal y
como suceda en el caso de inyeccin de portadores desde una cara (visto en Tema 2).
En condiciones de equilibrio trmico (ausencia de polarizacin externa), las
concentraciones de portadores mayoritarios se iguala a las de sustancias dopantes.
Llamaremos por un lado nno y npo a la concentracin de electrones en las regiones N y P
respectivamente en equilibrio trmico, y por otro lado pno y ppo a las de huecos en las
regiones N y P respectivamente, tambin bajo la misma situacin de equilibrio trmico.
Haciendo uso de la condicin de ionizacin total en el semiconductor de tipo N se
tendr nno = ND, mientras que en el semiconductor de tipo P ppo = NA.
Bajo esta situacin, recordando la expresin obtenida para el potencial electrosttico
de contacto Vbi:
i

donde se ha hecho uso de la ley de accin de masas en el equilibrio trmico:

p po n po p no n no n i2
La ecuacin anterior de Vbi tambin se puede escribir de la forma:
nno n
po

qVbi / K T

expresin que nos da la concentracin de electrones a ambos lados de la unin en

trminos del potencial electrosttico de contacto en equilibrio trmico.
De forma anloga, tambin se obtiene para la concentracin de huecos a ambos lados
de la unin en trminos del potencial
electrosttico de contacto en equilibrio trmico:
2

p po

qVbi / K T

pno

A partir de la suposicin nmero cinco realizada, se puede esperar que, bajo

condiciones de polarizacin, la expresin que nos relaciona las concentraciones de
electrones a ambos lados de la regin espacial de carga (xn y -xp) sea similar a la

obtenida en equilibrio trmico, considerando ahora Vj = Vbi V, en lugar de Vbi. Es

decir:
nn n p q(Vbi V ) / K T
e
donde ahora nn es la concentracin de electrones en x = xn y np la concentracin de
electrones en x = -xp ya fuera del equilibrio, con V representando la tensin de
polarizacin (directa o inversa, es decir Vbi-VF Vbi+VR), fuera del equilibrio.
Suponiendo ahora que se cumple la condicin de baja inyeccin de portadores
minoritarios y, en consecuencia, que la concentracin de portadores minoritarios
inyectados es mucho ms pequea que la de portadores mayoritarios, se cumplir que:
nn nno
Utilizando esta nueva condicin, junto con la expresin obtenida anteriormente para
nno se obtiene la concentracin de electrones en los lmites de la regin de distribucin
de carga espacial con la zona P (x = -xp):
n p n po e qV / K T para x = -xp
O bien:
n p n po n po (e qV / K T

1)

para x = -xp

De forma similar se puede actuar para obtener la concentracin de huecos en la zona N

en el lmite de la regin de carga espacial con la zona N (x = xn). A partir de la
suposicin nmero cinco realizada, se puede esperar que, bajo condiciones de
polarizacin, la expresin que nos relaciona las concentraciones de huecos a ambos
lados de la regin espacial de carga (xn y -xp) sea similar a la obtenida en equilibrio
trmico, considerando ahora Vj = Vbi V, en lugar de Vbi. Es decir:
p p p n q(Vbi V ) / K T
e

donde ahora pp es la concentracin de huecos en x = -xp y pn la concentracin de huecos

en x = xn ya fuera del equilibrio, con V representando la tensin de polarizacin (directa
o inversa, es decir Vbi-VF Vbi+VR), fuera del equilibrio.
Suponiendo ahora que se cumple la condicin de baja inyeccin de portadores
minoritarios y, en consecuencia, que la concentracin de portadores minoritarios
inyectados es mucho ms pequea que la de portadores mayoritarios, se cumplir que:
p p p po
Utilizando esta nueva condicin, junto con la expresin obtenida anteriormente para
ppo se obtiene la concentracin de huecos en los lmites de la regin de distribucin de
carga espacial con la zona N (x = xn):
pn p no e qV / K T
p n p no p no

(e

qV / K T

1)

para x = xn

Fig. 16a y 16b muestran los cambios producidos en la disposicin de las bandas de
energa y en las concentraciones de portadores con respecto a la situacin de equilibrio
y para los casos de polarizacin directa e inversa respectivamente.

Fig. 16: Regin espacial de carga, diagrama de bandas de energa y distribucin de

portadores. (a) En polarizacin directa. (b) En polarizacin inversa.
El hecho a resaltar es que, bajo polarizacin directa, la concentracin de portadores
minoritarios en los lmites de la regin espacial de carga (-xp o xn) ha aumentado con
respecto a la del equilibrio, y bajo polarizacin inversa ha disminuido con respecto de
dicho nivel.

Las ecuaciones anteriores, que expresan las concentraciones de portadores

minoritarios en los lmites de la regin espacial de carga, son adems importantes
condiciones de contorno que sern empleadas para obtener la caracterstica ideal
corriente - tensin. Son conocidas bajo el nombre de leyes de la unin, aunque no
deben olvidarse las restricciones bajo las cuales han sido obtenidas.
Distribucin de portadores en las zonas neutras.
A continuacin se va a calcular la distribucin de portadores en las zonas neutras, en
concreto se va a calcular la distribucin de portadores minoritarios pues, como se ha
visto, en condiciones de baja inyeccin de portadores las concentraciones de portadores
mayoritarios en las zonas neutras apenas varan frente al caso de ausencia de
polarizacin (equilibrio trmico). Debido a las hiptesis anteriores, no existe generacin
de corriente dentro de la regin espacial de carga, todas las corrientes generadas
proceden de las regiones neutras.
Para la regin neutra de tipo N, no hay campo elctrico en ella (=0) y la ecuacin de
continuidad para los huecos (portadores minoritarios) en el caso unidimensional y en el
estado estacionario:

La cual se reduce a:
Se trata de una ecuacin
diferencial de segundo orden
y necesita para su resolucin
de dos condiciones de
contorno. La primera de ellas
ha sido obtenida anteriormente
en las leyes de la unin, y la
segunda se obtiene de
considerar que el lmite de la regin N est lo suficientemente alejado de la zona espacial
de carga como para que la concentracin de portadores minoritarios en este punto sea
igual a la del equilibrio, es decir, las condiciones de contorno son:
pn p no e qV / K T para x = xn (ley de la unin)
p n pno para x (lmite alejado)
Con estas dos condiciones, la ecuacin diferencial anterior ofrece la solucin:
p n p no p no (e qV / K T 1) ( x xn ) / para x > xn
e

Lp

donde L p D p p es la longitud de difusin de los huecos (portadores minoritarios

en la zona N). Como puede observarse, esta expresin es muy similar a la que se obtuvo
en el Tema 2 en el ejemplo de resolucin de la ecuacin de continuidad correspondiente
a la inyeccin de portadores minoritarios desde una cara en un semiconductor de tipo N,
salvo que en este caso los portadores minoritarios (huecos) inyectados provienen del
semiconductor de tipo P en el cual son mayoritarios.
Por otro lado, la densidad de corriente de huecos ser:
dp n q D p (e qV / K T 1) ( x xn ) / para x > xn
Lp
p
no
J p ( x) ()q D p dx
e
Lp
en x = xn ser:

nicamente se ha considerado de las dos aportaciones posibles (arrastre y difusin)

la correspondiente a la corriente de difusin pues en las zonas neutras no existe campo
elctrico siendo nula la corriente de arrastre.
De forma anloga, la ecuacin de continuidad para los electrones en la zona P en el
caso unidimensional y en el estado estacionario:

La cual
se reduce a:

n p n po

np
x

Dn n

Se trata de una ecuacin diferencial de segundo orden, la cual se puede resolver

utilizando las condiciones de contorno:
n p n po e qV / K T para x = -xp (ley de la unin)
n p n para x - (lmite alejado)
Obteniendo:

po

n p n po n po
(e
donde Ln Dn n

qV / K T

1)
e

( x x p ) /
Ln

para x < -xp

es la longitud de difusin de los electrones (portadores

minoritarios en la zona P). Por otro lado, la densidad de corriente de electrones:

dn p q Dn npo (e qV / K T 1) (Lx x p ) / para x < -xp
n
J n ( x) q Dn

e
dx
L
n

En x = -xp ser:

Fig.17 muestra por un lado la distribucin de portadores minoritarios en las zonas

neutras y por otro la densidad de corriente en estas regiones bajo condiciones de
polarizacin directa e inversa (casos a y b respectivamente).

Fig. 17: Concentracin de portadores minoritarios y corrientes de electrones y de

huecos. (a) En polarizacin directa. (b) En polarizacin inversa.
Se observa que, por un lado, la corriente de difusin de huecos en la regin N decae
de forma exponencial con una longitud de difusin Lp y por otro como la corriente de
difusin de electrones decae exponencialmente en la regin P con longitud de difusin
Ln.

Debido a la hiptesis 8, el nmero de portadores que entran en un borde de la zona

de transicin por unidad de tiempo es el mismo que la abandonan en el borde opuesto.
Es decir:
J n ( xn ) J n ( x
p)
J p ( xn ) J p ( x p
)
Luego la densidad de corriente neta suma de las densidades de corrientes de
electrones y huecos- ser uniforme y constante en rgimen estacionario:
J J p ( xn) J n( x p) J (e qV / K T 1)

s
siendo:
q D p p no q Dn n po
Js

Lp
Ln
el trmino Js recibe el nombre de la densidad de corriente de saturacin. La ecuacin
anterior recibe el nombre de Ecuacin del Diodo Ideal o de Shockley.
Se ha supuesto en el tratamiento seguido hasta el momento el caso denominado de
diodo largo, en que la anchura de la zona neutra de tipo P Wp- es mucho mayor que Ln
(longitud de difusin de los electrones en la zona P) y que la anchura de la zona neutra
de tipo N -Wn- es mucho mayor que Lp (longitud de difusin de los huecos en la zona
N). En dicho caso, la recombinacin hace que se anule el exceso de portadores
minoritarios inyectados en las regiones neutras, antes de llegar a los contactos
metlicos. Un caso diferente se presenta cuando Wn << Lp y Wp << Ln. Este es el caso
del denominado diodo corto. En dicho caso la recombinacin en las regiones neutras se
considera nula y se puede demostrar que:
Js

q D p pno q Dn n po

Wn
Wp

La caracterstica ideal corriente-tensin se muestra en Fig. 18a y b, en escala lineal y

semilogartmica, respectivamente.

Fig. 18: Caracterstica corriente-tensin ideal. (a) En escala lineal. (b) En escala
semilogartmica.
En el caso de polarizacin directa, para V (3KT/q), la velocidad de incremento de la
corriente es constante como se muestra en Fig. 17b. A 300K por cada dcada de cambio
de la corriente, el cambio en la tensin es de 60mV (= 2.3KT/q). En el caso de
polarizacin inversa, la densidad de corriente satura en un valor -Js.

Teniendo en cuenta que J = I/A, siendo A el rea de la seccin recta del dispositivo,
tambin puede obtenerse otra expresin en trminos de corriente y de tensin para la
unin p-n.
qV / K T

siendo:

1)

I I s (e

La ecuacin anterior de I puede ser considerada como la ley ideal del diodo. La
relacin I-V ideal es la caracterstica representada en Fig. 19.

Fig. 19: Caracterstica corriente-tensin de un diodo ideal y representacin simblica

del diodo de unin.
Se observa que para el caso de polarizacin directa (V > 0), pequeas variaciones en
la tensin aplicada V provocan grandes variaciones en la corriente I, ya que en este
caso, se puede aproximar la corriente por el trmino exponencial:
I I s eqV / K T
K T
K T
es muy pequeo (
q 26mV a 300K). Si, por el contrario, V < 0 y si
pues q
K T
, entonces I-Is , valor muy pequeo como es el que se requiere en muchas
q
aplicaciones de los diodos. En particular Is puede hacerse tan pequeo como se quiera
consiguiendo que la concentracin intrnseca ni sea pequea, es decir, con un material
semiconductor que posea una ancha banda de energa prohibida y evitando altas
temperaturas.
A efectos de aplicacin, el diodo de unin presenta un marcado carcter de
dispositivo rectificador pues slo deja pasar la corriente en un nico sentido. La
-4
2
corriente directa segn el tipo de unin toma valores comprendidos entre 10 y 10 A.
En polarizacin inversa, la Is puede llegar a valer, a temperatura ambiente entre algunos
A para uniones de Ge, y la milsima parte de esos A para uniones de Si.
La expresin para la corriente en el diodo ideal:
V

I I s (e qV / K T

1)

configura el modelo analtico del diodo de unin. Hay que recordar que ha sido obtenida
efectuando una serie de hiptesis previas. El modelo describe con precisin el
comportamiento interno del dispositivo para corrientes directas y polarizaciones
inversas moderadas. La anterior ecuacin describe correctamente la caracterstica
corriente-tensin en las uniones p-n de Ge en rgimen de baja densidad de corriente.
Para uniones p-n de Si o GaAs, la ecuacin slo describe el comportamiento de
forma cualitativa y hay que considerar adicionalmente los efectos de generacin y
recombinacin de portadores en la regin espacial de carga. Para estos casos,
considerando bajo nivel de corriente predominan los efectos de recombinacin y, en
rgimen de alto nivel de corriente, es el fenmeno de la difusin el que predomina.