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FORMATO OFICIAL DE MICRODISEO

CURRICULAR

FACULTAD: Ingeniera
PROGRAMA: Electrnica
1. IDENTIFICACIN DEL CURSO
NOMBRE DEL CURSO:

Electrnica Anloga I

CDIGO:30045360 No. DE CRDITOS ACADMICOS: 4

HORAS SEMANALES: 6

REQUISITOS: Teora de Circuitos DC


REA DEL CONOCIMIENTO:

Ingeniera Aplicada

UNIDAD ACADMICA RESPONSABLE DEL DISEO CURRICULAR:

COMPONENTE BSICO

COMPONENTE FLEXIBLE

TIEMPO (en horas) DEL TRABAJO ACADMICO DEL ESTUDIANTE

Actividad Acadmica Del

Total

Trabajo Presencial

Trabajo Independiente

Horas

96

96

192

TOTAL

96

96

192

Estudiante

(Horas)

2. PRESENTACION RESUMEN DEL CURSO


El curso inicia con el desarrollo de los conceptos bsicos de la fsica de los semiconductores,
para terminar con la juntura pn. Se explica el funcionamiento del diodo a partir de la juntura
pn. Se dan las tcnicas de anlisis en el dominio del tiempo y de la funcin de transferencia
con circuitos con diodos, con resistencias y fuentes independientes con alimentacin
alterna. Las aplicaciones de los diodos como recortadores, limitadores, dobladores de
tensin elctrica, fijadores de tensin elctrica, rectificadores, compuertas lgicas y
analgicas. Talleres y exposiciones sobre otros tipos de diodos y sus aplicaciones como el
diodo tnel, PIN, LED, LASER, etc., termina el curso con la teora de funcionamiento de los
transistores bipolares y de efecto de campo como ejemplo de aplicacin en los
amplificadores monoetapa.
3.

JUSTIFICACIN.
Los tpicos cubiertos en el curso permiten al estudiante adquirir los fundamentos de
funcionamiento, anlisis y diseo de los dispositivos semiconductores bsicos utilizados
en la implementacin de bloques funcionales como son: amplificadores u osciladores, los
cuales, a su vez se encuentran en sistemas ms generales configurando funciones
complejas; estas funciones son de manejo cotidiano en el trabajo del ingeniero
electrnico.

4. COMPETENCIAS GENERALES

SABER

COMPETENCIAS GENERALES
INTERPRETATIVA Estudiar, analizar, comprender y desarrollar
las tcnicas de anlisis y diseo con
dispositivos no lineales (diodo, transistor) en
el desarrollo de algunas aplicaciones
ARGUMENTATIVA

Manejar a travs de modelos lineales de los


diodos y transistores para las diferentes
aplicaciones que tienen los diodos y los
transistores bipolares y de efecto de campo

PROPOSITIVA

El estudiante debe de estar en capacidad de


elaborar modelos prcticos en donde interacten las propiedades y aplicaciones los

diodos y los transistores, bipolares y de


efecto de campo.
El estudiante debe aprender a utilizar los diferentes mtodos
HACER

existentes para el desarrollo de las tcnicas de anlisis y diseo con


diodos y sus diferentes aplicaciones como los fundamentos de los
transistores.
Analizar, disear, simular, construir y evaluar circuitos con
amplificadores con circuitos discretos, con diodos
Analizar, disear, simular, construir y evaluar circuitos para
polarizar los Transistores
Seleccionar, analizar, disear, simular, construir y evaluar
circuitos amplificadores monoetapa con Transistores Bipolares.
Seleccionar, analizar, disear, simular, construir y evaluar
circuitos amplificadores con Transistores de Efecto de Campo
Explotar a un elevado nivel los programas profesionales para el
diseo de circuitos asistido por computador.
Utilizar ampliamente la literatura cientfica y tcnica, incluidos
manuales en espaol e ingls, sobre circuitos electrnicos.
Elaborar informes tcnicos de calidad utilizando las normas
tcnicas orientadas para este fin.
A travs del trabajo en grupo se despertar en el estudiante el

SER

compaerismo y los valores sociales que conlleven a la tolerancia, el


compromiso y el compartir conocimientos que estimulen una actitud
reflexiva e inteligente en la construccin de su proyecto de vida.

Contribuir a lograr rigor cientfico, tanto en lo que se refiere a la


aplicacin de los conceptos y a la formulacin de los temas,
como a la aplicacin de los mtodos y formas de trabajo.
Contribuir a una alta responsabilidad tica y moral para poner el
resultado de su trabajo
en funcin de los requerimientos de la sociedad donde vive,
manteniendo una actitud
responsable ante el cuidado del medio ambiente y el desarrollo
sostenible.
Contribuir a mantener la competencia profesional y por tanto la
capacidad de superacin y auto preparacin durante su vida
laboral activa.
Contribuir a una actitud positiva en su conducta social y

correctos hbitos de educacin formal, as como alcanzar


habilidades en la comunicacin social, tanto desde el punto de
vista laboral como en sus relaciones sociales generales.
5. DEFINICION DE UNIDADES TEMATICAS Y ASIGNACIN DE TIEMPO DE
TRABAJO PRESENCIAL E INDEPENDIENTE DEL ESTUDIANTE POR CADA EJE
TEMATICO
DEDICACIN DEL
No.

ESTUDIANTE (horas)

NOMBRE DE LAS UNIDADES TEMTICAS

a) Trabajo

b) Trabajo

Presencial

Independiente

HORAS
TOTALES
(a + b)

UNIDAD 1. REPASO DE LA TEORIA DE LOS CIRCUITOS


LINEALES

UNIDAD 2. INTRODUCCION A LOS ELEMENTOS DE


CIRCUITOS NO LINEALES

20

20

40

UNIDAD 3. PROCESAMIENTO Y ACONDICIONAMIENTO


DE SEALES CON DISPOSITIVOS NO LINEALES DE DOS
TERMINALES.

24

24

48

24

24

48

UNIDAD 5. CIRCUITOS BSICOS CON DISPOSITIVOS DE


TRES TERMINALES:

24

24

48

TOTAL

96

96

192

4
5

UNIDAD 4. DISPOSITIVOS DE TRES TERMINALES:

6. PROGRAMACION SEMANAL DEL CURSO


Unidad

No.

Temtica

Semanas

2y3

ACTIVIDADES Y
CONTENIDOS TEMTICOS

H. T. P.

ESTRATEGIAS
PEDAGOGICAS

Amplificador operacional de circuito


integrado.
Modelo simplificado del amplificador
operacional.
Aproximacin ideal del amplificador
operacional.
Circuitos lineales con amplificador
operacional.
Circuitos no lineales.

Exposicin del docente

Propiedades bsicas de elementos no


lineales.
Anlisis grfico con un circuito no lineales.
Ejemplos de dispositivos no lineales de
dos terminales.
Materiales Semiconductores.
Caractersticas fsicas del diodo de unin
PN.

Exposicin

Caractersticas voltaje-corriente del diodo


de unin PN.
Diodo Zener.
Unin PN bajo un voltaje de polarizacin
inversa grande.
Diodo Schottky.
Diodo Varactor.

Exposicin

Clases

H.T.I.

Laboratorio

Trabajo

Trabajo

y/o practica

dirigido

independiente

Ejercicios en clase

del

docente.

Formulacin de problemas.
Ejercicios en clase

del

docente.

Formulacin de problemas.
Ejercicios en clase

3y4

Diodo Tnel.
Diodo de metal-xido.
Mtodo grfico con fuentes que varan
con el tiempo.
Solucin matemticas iterativas.
Modelado por segmentos lineales de
dispositivos no lineales de dos
terminales

Exposicin

Introduccin al tema.
La caracterstica de transferencia.
Circuito de corte y limitacin.
Circuitos Rectificadores ( Media onda y
onda completa y trifsicos).

Exposicin

Circuitos de fuente de alimentacin.


Fuente de alimentacin con rectificacin
de media onda,
Fuente de alimentacin con rectificador de
onda completa,

Exposicin

Fuente de alimentacin con carga no


resistiva, Regulacin de voltaje,
Circuitos
rectificador-capacitor
para
procesamiento de seales.
Circuitos rectificadores de precisin,

Exposicin

Rectificador de media onda de precisin,


Limitador de precisin,
Rectificador de precisin modificado con
ganancia.

Exposicin

del

docente.

Formulacin de problemas.
Ejercicios en clase
Evaluacin

del

docente.

Formulacin de problemas.
Ejercicios en clase
del

docente.

Formulacin de problemas.
Ejercicios en clase

del

docente.

Formulacin de problemas.
Ejercicios en clase

del

docente.

Formulacin de problemas.
Ejercicios en clase

Definicin

de

un

dispositivo

de

tres

terminales.

Evaluacin
Exposicin

del

docente.

Formulacin de problemas.

Transistores

de

efecto

de

campo.

Estructura fsica del MOSFET, incremental

Ejercicios en clase

canal n.
Resumen

de

las

ecuaciones

v-i

del

MOSFET incremental canal n,. MOSFET


decremental.

10

Voltaje de Sustrato distinto de cero ( efecto

Exposicin

de cuerpo).

Formulacin de problemas.

Sobreesfuerzo electrosttico y descarga


electrosttica.

del

docente.

Ejercicios en clase

Transistor de efecto de campo comn.

4y5

11

Curva

de

transconductancia

FET.

Transistores de efecto de campo de canal


P.
Transistor de efecto de campo de metal
semiconductor ( MESFET) de arseniuro de
galio ( GaAs).
Transistor de unin bipolar. Estructura
fsica del transistor bipolar.
Caracterstica v-i del BJT NPN. BJT PNP.
Caracterstica

v-i

del

transistor

con

Exposicin

del

docente.

Formulacin de problemas.
Ejercicios en clase
Evaluacin

pendiente positiva para BJT y FET..

12

Dispositivos Fotnicos.

Exposicin

Dependencia de los dispositivos con la

Formulacin de problemas.

temperatura.
Limitacin de los dispositivos de potencia

del

docente.

Ejercicios en clase

en la operacin de dispositivos

13

Configuracin de inversor, (inversor: BJT,

Exposicin

MOSFET, CMOS).

Formulacin de problemas.

Configuracin

de

seguidor

de

voltaje

( Seguidor: BJT, MOSFET).

14

Exposicin

Formulacin de problemas.

Configuracin cascode BJT,


cascode

16

Ejercicios en clase

Seguidor de corriente BJT (amplificador de

Seguidor de corriente MOSFET,

docente.

Configuracin de seguidor de corriente:


base comn),

15

del

del

docente.

Ejercicios en clase
Evaluacin
Exposicin

del

docente.

Formulacin de problemas.
Ejercicios en clase

MOSFET con carga MOSFET.

Exposicin

Operacin en rgimen Digital: El transistor

Formulacin de problemas.

como interruptor, El inversor como una


compuerta lgica digital, inversor lgico
BJT, inversor lgico CMOS, inversor lgico

del

Ejercicios en clase
Evaluacin

docente.

NMOS.
Efecto de un voltaje distinto fuente a
sustrato distinto a cero. ( efecto de
cuerpo).

H. T. P. = Horas De trabajo presencial


H. T. I. = Horas de trabajo independiente

7. EVALUACIN DEL APRENDIZAJE


UNIDAD TEMTICA
1. UNIDAD 1. REPASO

ESTRATEGIA DE EVALUACION
Evaluacin escrita

PORCENTAJE (%)
10%

DE LA TEORIA DE LOS
CIRCUITOS LINEALES

2. UNIDAD 2.

Trabajo en grupo:10% Evaluacin 20%

INTRODUCCION A LOS
ELEMENTOS DE
CIRCUITOS NO
LINEALES

escrita:10%

3. UNIDAD 3.

Exposicin estud. 5% Evaluacin 20%

PROCESAMIENTO Y

escrita:15%

ACONDICIONAMIENTO
DE SEALES CON
DISPOSITIVOS NO
LINEALES DE DOS
TERMINALES
4. UNIDAD 4.
DISPOSITIVOS DE TRES
TERMINALES:

Trabajo en grupo:5% Evaluacin 20%


escrita :15%

5. UNIDAD 5. CIRCUITOS Evaluacin escrita

15%

BSICOS CON
DISPOSITIVOS DE TRES
TERMINALES:

15%

Laboratorio

8. BIBLIOGRAFA
a.

Bibliografa Bsica:
HORENSTEIN, Mark N.. Microelectrnica: circuitos y dispositivos.. Prentice
Hall.

b.

Bibliografa Complementaria:
SEDRA & SMITH. Microelectrnica. Oxford Jhonston.
MILLMAN, J.. Microelectronic.
Manuales de circuito integrados anlogos de diferentes firmas.
BOYLESTAD, Robert. Circuitos Electrnicos. Prentice Hall.
SAVANT, Roeden y Carpenter. Diseo Electrnico. Prentice may.
MILLMAN-HALKIAS. Electrnica Integrada. Mc Graw Hill.

OBSERVACIONES

DILIGENCIADO POR : Ing., Esp., Ramiro Perdomo Rivera


FECHA DE DILIGENCIAMIENTO: 21-Jul-2006

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