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Ing. Electromecnica
Electrnica de potencia aplicada
Transistores FET y MOSFETS
Integrantes
Angel Alexis Vzquez Limn
Josu Antonio Vzquez Flores
Franklin Mijal Camacho Len
Abimael E. Reyes Fernndez
INDICE
1.. Introduccin
21.....Conclusin
22.....Referencias Bibliogrficas
Introduccin
Los transistores son un invento muy importante para la electrnica, ya que con
ellos se han implementado en muchos aparatos, radios, televisiones, etc Pero
hay gran variedad de transistores, en este caso, en dicho trabajo se platicar
sobre los transistores de efecto de campo, en este apartado veremos los
transistores FETS y MOSFETS, que entre ambos hay muchas similitudes, cada
una con diferentes caractersticas.
El objetivo principal de este trabajo es dar a conocer sobre estos 2 tipos de
transistores y que quede claro los conceptos y funcionamientos de cada uno,
lograrlos identificar para as continuar con la teora de transistores que se
avecinan en los siguientes apartados.
Fig. 5.1(a)
fig 5.1(b)
magntico del imn permanente envuelve las limaduras y las atrae haca el imn
mediante un esfuerzo por parte de las lneas de flujo magntico con objeto de que
sean las ms cortas posibles. Para el caso del FET, se establece un campo
elctrico mediante las cargas presentes, que controlar la trayectoria conduccin
del circuito de salida, sin la necesidad de un contacto directo entre las cantidades
controladoras y controladas.
En este trabajo se presentarn 2 tipos de FETS: El transistor de efecto de campo
de unin (JFET) y el efecto de transistor de efecto de campo metal-oxidosemiconductor (MOSFET). A su vez las categoras (MOSFET) en los tipos
decremental e incremental, mismos que se describirn. El transistor MOSFET se
ha convertido en uno de los dispositivos ms importantes utilizados en el diseo y
construccin de los circuitos integrados para computadoras digitales. Su
estabilidad trmica entre otras caractersticas generales lo hace muy popular en el
diseo de circuitos de computadoras. Sin embargo en un elemento discreto en un
encapsulado tpico de sombrero de copa se debe manejar con cuidado.
En
raras
ocasiones las analogas son perfectas y a veces pueden causar conclusiones; sin
embargo la analoga del agua es la figura 5.3 proporciona cierto significado del
control del JFET a travs de la terminal de compuerta de la terminologa de a las
terminales del dispositivo. Las terminales del drenaje y de la fuente se
encuentran en los extremos opuestos del canal n como se presenta en la figura
5.2 por que la terminologa est definida para el flujo de electrones
compuerta
p,
voltaje
la
Clasificacin
Estos transistores poseen dos regiones de polarizacin fundamentales: la regin
lineal (o de triodo) y la regin de saturacin (o de estrangulamiento).
Transistor Canal N
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Transistor Canal P
Funcionamiento
En cada uno de los tipos de JFET la polarizacin entre la compuerta y la fuente
debe ser tipo inverso permitindose como valores lmite 0 volts para disminuir la
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Hasta antes de que las regiones enrarecidas de carga alcancen a tocarse se dice
que la cantidad de corriente es aproximadamente proporcional al voltaje VDS
razn por la cual se le conoce a esta regin como regin hmica, sin embargo un
vez que se alcanzan a tocar se dice que el canal se ha estrangulado o que se ha
alcanzado la corriente de saturacin IDSS, el voltaje que crea esta condicin se le
conoce como VPO o VDSS (Voltaje de estrangulamiento). Si en los circuitos
anteriores se aplica un voltaje inverso entre compuerta y fuente como lo muestra
la Figura , ser necesario aplicar un VDS mayor para lograr la condicin de
estrangulamiento y el valor de la corriente de drenaje ser menor como lo
muestran las curvas caractersticas de un JFET canal N mostradas en la siguiente
grfica :
a.- Ajuste a cero el valor de la Fuente que excita el circuito compuerta fuente.
b.- Ajuste a cero el valor de la Fuente que excita el circuito drenaje fuente y
posteriormente
Empiece a incrementarlo hasta 20 Volts registrando los valores que reportan los
medidores de corriente de drenaje y voltaje drenaje fuente.
c.- Grafique los valores obtenidos en un sistema coordenado VDS VS ID
manifestando que dicha curva corresponde a la familia cuyo parmetro es VGS =
0
d.- Decremento el valor de VGS hasta 0.1V y contine con el paso b. y el paso c.
- una vez graficados estos nuevos valores disminuya sucesivamente el voltaje
VGS en pasos de 0.1 V hasta lograr que el JFET no permita el flujo de corriente a
pesar de incrementar el voltaje drenaje fuente.
De las grficas anteriormente obtenidas se pueden identificar las diversas
regiones de trabajo de JFET siendo estas:
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Configuracin de JFET
Los circuitos bsicos que se utilizan para polarizar los BJT se pueden emplear
para los MOSFET. EL JFET tiene el inconveniente de que la tensin VGS debe ser
negativa en un NJFET (positiva en un PJFET) que exige unos circuitos de
polarizacin caractersticos para este tipo de dispositivos. En este apartado se
presentan uno de los circuitos ms utilizados: polarizacin simple fija (Figura
153), se utiliza una fuente de tensin externa para generar una VGS<0.
La cual representa una recta cuya pendiente es el negativo del reciproco del
Resistor de fuente RS . La interseccin de esta recta con la curva de
transconductancia que representa la ecuacin de Shockley
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Introduccin al MOSFETS
Los MOSFET, o simplemente MOS (Metal-Oxide Semiconductor, Field Effect
Transistor) son muy parecidos a los JFET. La diferencia entre estos estriba en que,
en los MOS, la puerta est aislada del canal, consiguindose de esta forma que la
corriente de dicho terminal sea muy pequea, prcticamente despreciable. Debido
a este hecho, la resistencia de entrada de este tipo de transistores es elevadsima,
del orden de 10.000 MW , lo que les convierte en componentes ideales para
amplificar seales muy dbiles.
Existen dos tipos de MOSFET en funcin de su estructura interna: los de
empobrecimiento y los de enriquecimiento. Los primeros tienen un gran campo de
aplicacin como amplificadores de seales dbiles en altas frecuencias o radiofrecuencia (RF), debido a su baja capacidad de entrada. Los segundos tienen una
mayor aplicacin en circuitos digitales y sobre todo en la construccin de circuitos
integrados, debido a su pequeo consumo y al reducido espacio que ocupan.
En un transistor de unin de efecto campo, se aplica al canal un campo elctrico a
travs de un diodo p-n. Empleando un electrodo de puerta metlico separado del
canal semiconductor por una capa de xido, como se muestra en la figura, se
obtiene el efecto de un campo bsicamente distinto. La disposicin Metal-xidoSemiconductor (MOS) permite que un campo bsicamente distinto afecte al canal
si se aplica una tensin externa entre puerta y sustrato, y esto, tambin posee un
efecto negativo sobre el comportamiento del MOSFET.
En efecto, si observamos la figura de la derecha, donde en azul marino se
representa la capa de Dixido del Silicio y en Rojo las zonas tipo N y el canal,
vemos que al aplicar una tensin sobre la puerta se necesitar un campo mnimo
que inversiones el canal. Esta tensin, llamada tensin umbral y representada por
VTH es aquella que acumula una concentracin de cargas capaz de invertir el
canal.
Esto da lugar a que los niveles entre los circuitos digitales MOS y TTL sean
incompatibles, porque los MOS no pueden trabajar a 5 V, puesto que quedara un
margen de ruido muy pequeo para su trabajo.
Se puede buscar entonces, reducir esa tensin umbral para la compatibilidad de
las dos familias de dispositivos, y se ataca este problema en la fase de fabricacin
del dispositivo, teniendo en cuenta que la tensin umbral se debe a:
El espesor del SiO2: A ms espesor, menos campo aplicado.
A los espacios de registro de la puerta. El contacto de puerta, en su fabricacin,
no cubre el 100% de la capa, por lo que baja su efectividad.
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Estructura y caractersticas
Un transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor (MOSFET) se basa
en controlar la concentracin de portadores de carga mediante un condensador
MOS existente entre los electrodos del sustrato y la compuerta. La compuerta est
localizada encima del sustrato y aislada de todas las dems regiones del
dispositivo por una capa de dielctrico, que en el caso del MOSFET es un xido,
como el dixido de silicio. Si se utilizan otros materiales dielctricos que no sean
xidos, el dispositivo es conocido como un transistor de efecto de campo metalaislante-semiconductor (MISFET). Comparado con el condensador MOS, el
MOSFET incluye dos terminales adicionales (surtidor y drenador), cada uno
conectado a regiones altamente dopadas que estn separadas por la regin del
sustrato. Estas regiones pueden ser de tipo p o n, pero deben ser ambas del
mismo tipo, y del tipo opuesto al del sustrato. El surtidor y el drenador (de forma
distinta al sustrato) estn fuertemente dopadas y en la notacin se indica con un
signo '+' despus del tipo de dopado.
Si el MOSFET es de canal n (NMOS) entonces las regiones de dopado para el
surtidor y el drenador son regiones 'n+' y el sustrato es una regin de tipo 'p'. Si el
MOSFET es de canal p (PMOS) entonces las regiones de dopado para el surtidor
y el drenador son regiones 'p+' y el sustrato es una regin de tipo 'n'. El surtidor se
denomina as porque es la fuente de los portadores de carga (electrones en el
canal n, huecos en el canal p) que fluyen a travs del canal; de forma similar, el
drenador es el punto en el cual los portadores de carga abandonan el canal.
Clasificacin de MOSFETS
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Funcionamiento
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Aplicaciones
La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo
CMOS, consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios.
Vase Tecnologa CMOS.
Conclusin
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Como conclusin, vimos que estos 2 tipos de transistores son una gran
implementacin en los circuitos electrnicos, ya que cada uno con diferentes
componentes hacen funciones distintas.
Los transistores, siempre sern importantes, sea el tipo que sean cumplirn con
una funcin diferente pero por seguro que ser de muy til para el circuito u uso
que se le d.
Siguiendo con el curso de electrnica de potencia aplicada, esperemos ver otros
tipos de transistores para su fcil comprensin de las mismas.
Referencias Bibliogrficas
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Pginas Web
http://es.slideshare.net/JCCG_1/transistores-mosfet-configuracion-y-polarizacion
http://www.virtual.unal.edu.co/cursos/ingenieria/2001771/html/cap04/04_06_01.ht
ml
http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/trans_campo.htm
http://www.viasatelital.com/proyectos_electronicos/aplicaciones_fet.htm
https://es.wikiversity.org/wiki/Transistor_JFET
http://proton.ucting.udg.mx/materias/vega/Informacion/Jfet.htm
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