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09/03/2015

Curso de
Aislamiento Elctrico

1. Descarga en lquidos
2. Lquidos puros y con impurezas
3. Descarga en slidos

Preparado por:
Prof. Ing. Herbert Enrique Rojas M.Sc. Ph.D(c)

4. Tangente delta

Universidad Distrital Francisco Jos de Caldas


Ciclo 2015-I Bogot D.C.
Prof. Herbert Enrique Rojas Cubides Aislamiento Elctrico Descarga en lquidos y slidos (2015)

En general son mejores dielctricos que los


gases por su movilidad (viscosidad y densidad)

Llenan todos los espacios y se adaptan mucho


mejor al volumen

Apagan descargas que se produzcan en ellos


(reduccin de arcos elctricos)

Disipan y absorben el calor del sistema


(REFRIGERANTE Y DIELECTRICO)

Se pueden combinar con slidos para mejorar


sus propiedades aislantes

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Ms usados:
Aceites minerales, aceites derivados del petrleo y
aceites siliconados

Son autoregenerables

Absorben energa durante la descarga

Se debe tener precaucin  despus de


cierta temperatura se vuelven combustibles

Su calentamiento produce gases txicos que


puede modificar los slidos en contacto

Pueden ser reutilizados despus de procesos


fisico-qumicos

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09/03/2015

 Materiales con capacidades dielctricas ms estables que algunos gases

Lquidos homogneos
de extrema pureza
Ctodo emite electrones

 No se encuentra una sola teora sobre descarga en lquidos

Como una extensin del modelo de


descarga en gases
(proceso de avalancha por colisin de e-)
Solo aplica para lquidos de alta pureza

Con E bajos (<1kV/cm) la conduccin es


inica y se incrementa linealmente con
su intensidad

Como un proceso de descarga debido


a la presencia de impurezas

Zonas de conduccin
Z1: E Bajos corrientes por
disociacin de iones

Z2: E intermedios corrientes de


saturacin

Z3
Descarga por partculas
suspendidas
(burbuja o partculas slidas)

Ruptura o descarga
electrnica

Z1

Z3: E intensos  corrientes debido


a avalanchas de electrones
(pseudo mecanismo Townsend)

Z2

DISRUPCION
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Descarga electrnica

Lquidos homogneos
de extrema pureza

ANODO (+)

Contienen impurezas en proporcin 1: 10^9


Son qumicamente simples
Bajas temperaturas de operacin
Costos mayores

disrupcin

La disrupcin depende de:

Campo elctrico soportable


Distancia entre electrodos

Z3

Material y temperatura del ctodo


Viscosidad del lquido

e-

Temperatura

Z1

Z2

Densidad

CATODO (-)

Estructura molecular

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La avalancha se forma de
molculas ionizadas por las
colisiones con electrones
acelerados

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Descarga por partculas suspendidas


(burbujas de gas)

Lquidos con impurezas

ANODO (+)
 Lquidos comerciales
 Qumicamente no son puros
 Presencia de agua, impurezas y burbujas de gas

A. Mecanismo de cavidades o
burbujas

Liquido dielctrico 

B. Mecanismo de partculas
suspendidas

Viscosidad del lquido

disrupcin

Bolsas de gas en las superficies


de los electrodos

Residuos de gas provocados por la


colisin de electrones y molculas

Temperatura
Densidad

C. Mecanismo de estrs sobre


volmenes de aceite

Estructura molecular

bubbles radius (r)

CATODO (-)

Caractersticas de las impurezas

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 . 

Liquido dielctrico 

disrupcin

 
bubbles radius (r)

CATODO (-)

ANODO (+)

Fuerza dirigida hacia zonas de bajo estrs

3
 
 2

2 2 
1
 


10

Descarga por partculas suspendidas


(fibras o partculas slidas)

Descarga por partculas suspendidas (burbujas de gas)


ANODO (+)

Vaporizacin del lquido por descargas


parciales (puntas, bordes o irregularidades)

Liquido dielctrico 

E

1
2



:   !" #" "$#


 : # ! #   "! &&'! ()! *+
 : !, "    ! ! # "! &&'!

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disrupcin

Las impurezas Influyen en la


intensidad de la descarga

Depende de partculas de mayor o


menor permitividad (polarizables)

Con la intensidad de E las partculas


forman un puente entre electrodos

particles radius (r)

CATODO (-)
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Descarga por partculas suspendidas (fibras o partculas slidas)


Caractersticas dielctricas para diferentes lquidos

ANODO (+)
Liquido dielctrico 

0123
disrupcin

 
#
 4

 2
#6

 F 

F es dirigida hacia
zonas de alto estrs

 . 

F es dirigida hacia
zonas de bajo estrs

 
1
78    
 2
4

particles radius (r)

7:  9":,!  1,3806 ? 10@4 A/C


8: ,!! !&"! (K+

CATODO (-)

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Conseguidas al aplicar
tensiones grandes por
cortos tiempos 10@G 

Procesos lentos de polarizacin


Polarizacin de orientacin
Movimientos en los dipolos

Intrnseca, Electromecnica
Avalancha

Vencen altas fuerzas


dielctricas

Conseguidas bajo
condiciones controladas

Descarga en slidos es
dependiente de la tensin
pero tambin del tiempo

Descarga electrnica
Desplazamiento de electrones en el
dielctrico (fuerzas grandes)
Imperfecciones e impurezas

Trmica
Erosin, Electroqumica

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Descarga intrnseca (materiales homogneos y puros)

Desplazamiento de iones y electrones

Descarga en solidos

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Descarga de avalancha
o streamer

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Descarga electromecnica

Descarga
electrnica

Descarga de avalancha

En presencia de grandes
densidades de e- libres

Generada por ionizacin


acumulativa

Ocurren colisiones
electrn-molculas

Electrones libres generan


colisiones y avalancha

E intensos
Falla dielectrica debido a fuerzas de
compresin electrosttica

fuerzas de
compresin
mecnica

:  !" !#! 

#:  &!'  ,

Puente de avalancha entre


electrodos

Desplazan electrones de la
banda de valencia a la de
conduccin

fuerzas de
compresin
electrosttica

# :   !" ,


H: ,#" # HI

Descarga aparece con varias


avalanchas (tamao critico)

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Descarga electromecnica

Se produce debido a
cavidades o defectos

# #  0.6  # #  1.67

Tensin de inestabilidad

   #

2H
#
"
 3
#

Mximo campo elctrico


antes de la descarga

L2Q 


H
R 0.6
#
 3

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Descarga por erosin

La reduccin del espesor del material no puede ser mayor al 40%


Inestabilidad mecnica ocurre cuando

JK
LM N

Fronteras del material y los electrodos




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Dentro del material

 . MST
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Depende
de A

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Cada vez que se aplica un campo elctrico a un DK existen perdidas q estn


relacionadas los procesos de conduccin y polarizacin

Las perdidas se cuantifican mediante el


clculo de la componente resistiva y
capacitiva del dielctrico
Campo mximo soportable en la cavidad

Campo en una cavidad de forma esfrica

2
1 #
1

1
U
3 
U  



U 

C:
Rp:
C2:
R:

33 
U 23

capacitancia del DK
resistencia en paralelo del DK
capacitancia parsita
resistencia de absorcin del DK

Rs: resistencia equivalente serie


L: inductancia serie

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Con frecuencia 0 Hz:

V1

V2
"

P1

P2

V  W  W3 

V1

X V #  Z [\ #\  ]
Y

^

"

P1

   Z  #"
A_`_  

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^

V  W  W3 

] V #
a   Y^
[F]
 c  #"
^

A #
 #
e
d   Y^
 Y ^
[mho]
 c  #"
c^  #"
^

em

a

d

] W W3 Y  #

[F]
^

c  #"
^

d


a W W3

e Y  #
 ^
[mho]

c^  #"

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V2

da

P2

fZ


W W3
^

^

a

#"
g

f

22

1
d

[Ohm]

] Y V #

[F]
 c^  #"
^

Modelo de prdidas por conduccin


el
f1

Factor de disipacin: refleja las perdidas en el aislamiento


/f1
el
1
V0  tan k 


em
/nm of1 a
Factor de potencia: refleja las perdidas de energa
/f1
qr
el
0)   p 


e
/qr
f1

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Modelo de prdidas por polarizacin


Factor de disipacin arreglo en
paralelo

Factor de potencia
l
efY
fY
0)   p 



eqr qr

Factor de disipacin arreglo en serie

25000

1,8E-05

20000

1,5E-05
1,2E-05

15000

Factor de disipacin
l
efY fY
V0  tan k 


 ofY a
m
enm nm

9,0E-06
10000
6,0E-06
5000

Factor de calidad
1
]m 
tan k

3,0E-06

0,0E+00
10

100

1000

10000

frecuencia (Hz)

V0  tan k 

Perdidas de potencia

)s 
V0
nm

1
of1 a

100000

10

100

1000

10000

100000

frecuencia (Hz)

V0  tan k  ofY a

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