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NOTAS DE AULA TEORIA DE ELETRNICA I TRANSISTORES FET

pg. 1

1) TRANSISTORES J-FET (Transistores de Efeito de Campo de Juno)


Transistor de Juno Bipolar (BJT)
 fonte de corrente controlada por corrente
 dois tipos de portadores: eltrons e lacunas
Transistor de Efeito de Campo (FET)
 fonte de corrente controlada por tenso
 apenas um tipo de portador: eltron ou lacuna
CARACTERSTICAS
 pode ser usado como chave ou amplificador
 impedncia de entrada extremamente alta ( 100M )
 produz menos rudo que o BJT
 possui maior estabilidade trmica em relao ao BJT
 curvas de dreno curvas de coletor
 relao sada/entrada = transcondutncia

ASPECTO CONSTRUTIVO DO JFET

Fonte
(S)

Dreno
(D)

Fonte
(S)

Material n

Dreno
(D)

n
Material p

p
Porta(G)

Porta(G)

CANAL N

CANAL P

FONTE: (source) fornece os eltrons livres,


DRENO: (drain) drena os eltrons,
PORTA: (gate) controla a largura do canal, controlando a corrente entre fonte e dreno.
POLARIZAO
- V +
DS
Camadas de
depleo

ID
ID

ID

ID

p
VGS

+
G
-

n
ID

D
ID

+
VDD

VDD
VGG

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Exemplo
Calcular a impedncia de entrada de um JFET que apresenta uma corrente de porta de 1nA
quando a tenso de porta aplicada de 20V.
Soluo:

Z IN =

20V
= 20.000 M
1nA

CURVAS DE DRENO
Circuito de polarizao normal

Vgs = Vgg

VGS

VDD

Vds = Vdd

VDS
+

VGG

Porta em curto com a fonte


ID

Vgs = 0  Id mxima

Porta em Curto

IDSS

+
VDS

Regio Ativa

VDD

VDS
VDS(mx)

VP

Regio ativa: regio de corrente IDS aproximadamente constante, entre Vp e Vds(mx)


Tenso de Estrangulamento ou Tenso de Constrio (Vp):
Tenso a partir da qual aumentos em Vds so compensados por aumentos proporcionais na
resistncia de canal, causando Ids constante.

S
ID

n
ID

D
ID

p
G

VDD

estrangulamento
VGG

O fluxo de eltrons da fonte para o dreno depende da largura do canal, isto , polarizao
reversa na porta causa aumento das regies de depleo, diminuindo a largura do canal e
dificultando desta forma a passagem da corrente entre o dreno e a fonte.
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Regio hmica: regio entre a origem e Vp, na curva de dreno apresentada.

RDS =

VP
I DSS

Exemplo

Calcular a resistncia hmica do JFET que apresenta as curvas de dreno acima.


Soluo:

RDS =

4V
= 400
10mA

OBS.: VGS(off) = -Vp

CURVA DE TRANSCONDUTNCIA

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Forma Geral:

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Forma Normalizada:

V
I D = I DSS 1 GS
VGS ( off )

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