Copyright : Prof. Dr. Herman S.

Mansur, 2011

CARACTERIZAO DE
MATERIAIS E INTERFACES

Microscopia ptica:

Fundamentos, Teoria e Aplicaes

Prticas

Dra. Alexandra A. P. Mansur

Prof. Dr. Herman S. Mansur

Sumrio
Introduo
Histrico
Fundamentos
Microscopia ptica

Princpios
Parmetros
Equipamento
Microscopia de Luz Transmitida

Introduo
MICROSCOPIA = micro scopio

Introduo
Microscpios

Resoluo
aproximada(a)

Ampliao

Fonte

Requisito
amostra

Cristalografia

Olho Humano

100m

---

Luz

Material
(Volume)

No

Microscpio de Luz

100nm

5~1500x

Luz

Material
(Superfcie)
polida

No

Microscpio eletrnico de varredura

-MEV

10nm

100~200,000x

Feixe
eletrnico

Material
(Volume)

Sim/No
dependendo modelo

Filmes finos
(espessura
~100 nm)

Sim

Filmes finos
(espessura
~100 nm)

Sim

Microscpio eletrnico de
transmisso MET

0.5nm

1,000~300,000x

Feixe
eletrnico

Microscpio eletrnico de
transmisso de alta resoluo MET

0.1nm

3,000~1,000,000x

Feixe
eletrnico

Microscopia ptica

Microscopia Eletrnica de
Varredura

Microscopia Eletrnica de
Transmisso
Nanoscopia

Fundamentos
Radiao
Eletromagntica

vermelho

azul

750 nm

violeta

400 nm
Comprimento de onda (nm)

c = .
E= h . = h . c/

Fundamentos
Interao Radiao/Matria: Absoro
Quando a radiao atravessa um objeto sua intensidade atenuada. Este fenmeno decorre da absoro desta
radiao provocada por transies energticas no material, sejam estas nucleares, eletrnicas, vibracionais ou
rotacionais

Luz Verde

Objeto
Verde

Luz Branca

Objeto
Branco

Luz Branca

Luz Branca

Objeto
Preto

Luz Branca

Fundamentos
Interao Radiao/Matria: Reflexo
A reflexo da luz (e das outras formas de radiao eletromagntica) ocorre quando as ondas encontram
uma superfcie ou outro limite que no absorve (ou absorve parcialmente) a energia da radiao envolvida
e devolve as ondas para fora desta superfcie. A luz que chega superfcie denominada onda incidente
e a que deixa a superfcie denominada onda refletida. A reflexo pode ser especular ou difusa.

Fundamentos
Interao Radiao/Matria: Refrao
a alterao na direo de propagao de um feixe incidente ao passar de um meio de densidade
ptica para outro de densidade diferente. Este desvio da direo de propagao depende das diferenas
de ndice de refrao dos meios e do comprimento de onda da radiao.

n = velocidade da luz no vcuo = c/v

velocidade da luz no meio
n1 . sen 1 = n2 . sen 2

Qual a velocidade da luz :

. no vidro
. no diamante

Fundamentos
Interao Radiao/Matria: Refrao

Calcule o desvio das radiaes limites

da regio do visvel ao passar do ar
para o vidro

violeta

vermelho

azul

Comprimento de onda
(nm)

Fundamentos
Interao Radiao/Matria: Difrao
a mudana na direo de propagao de um feixe de radiao incidente decorrente da presena de
obstculo no caminho ptico. Esta mudana de direo depende das dimenses fsicas do obstculo, do
comprimento de onda da radiao incidente e do ngulo de incidncia. Este fenmeno promove a formao
de interferncias construtivas e destrutivas.

Microscopia ptica
Princpio de Funcionamento

A microscopia tica se baseia na

possibilidade de formao de
imagens ampliadas reais ou
virtuais de objetos que so
colocados diante de lentes
esfricas

Microscopia ptica
Princpio de Funcionamento Microscpio Composto

Microscopia ptica
Aspectos mais importantes:

Resoluo
Contraste
Profundidade de campo
Distoro

Microscopia ptica
Parmetros: Resoluo

1,22 .
rd =
2 . n . sen()
2 objetos visualizados com
baixa resoluo

2 objetos visualizados com

alta resoluo

Microscopia ptica
Lei de Abbe (Abbes Law)
rD= resoluo pontual;
n= ndice de refrao;
=comprimento de onda da radiao;
= ngulo da radiao incidente;

1,22 .
rd =
2 . n . sen()

NA = abertura numrica

Baseado na Lei de Abbe qual a

faixa de resoluo tpica para a
microscopia tica?

1,22 .
rd =
2 . n . sen()

Microscopia ptica
Parmetros: Ampliao

Aumento = altura da imagem/altura do objeto

AumentoMO = Aumento da objetiva x Aumento da Ocular

Microscopia ptica
Tipicamente, as ampliaes das lentes
objetivas situam-se na faixa de 4X a 100X.
As lentes oculares geralmente oferecem
aumentos de 8X a12X, sendo 10X as mais
comuns.
Portanto, ampliaes tpicas de
microscopia ptica situam-se na faixa de
~40X a ~1000X.

Faixa de ampliao til: 500 x N.A. --- 1000 x N.A.

Microscopia ptica
Parmetros: Contraste

Contraste: o nmero de tons presentes em uma

imagem.

Microscopia ptica
Profundidade de Campo:
Dimenso linear mxima entre um plano
acima (+) ou abaixo (-) e o plano de
foco do espcime observado (pf ou plano
focal).

Microscopia ptica
Parmetros: Profundidade de Campo

Microscopia ptica
Parmetros: Profundidade de Campo

Importncia do preparo da amostra!!!!

Calcule a profundidade de campo para cada uma das lentes

abaixo.

Calcule a profundidade de campo para cada uma das lentes

abaixo.

Ar

leo

Microscopia ptica
Parmetros: Aberraes

Erros das lentes ou aberraes na

microscopia ptica so causados
por artefatos resultantes da
interao da luz com o vidro das
lentes. So dois os tipos
principais de aberraes:
esfricas e cromticas

Microscopia ptica
Parmetros: Aberraes Esfricas

Estes artefatos ocorrem quanto as ondas de luz que passam atravs da

periferia das lentes no so trazidas para um mesmo foco que as que
passam na regio mais central da lente e que sofrem apenas ligeira refrao
quando comparado com o maior grau de refrao sofrido pelas ondas que
passam nas extremidades.

Microscopia ptica
Parmetros: Aberraes Cromticas

A aberrao cromtica um tipo de defeito ptico resultante do fato da luz

branca ser composta de diferentes comprimentos de onda. Quando a luz
branca passa atravs de lentes convexas as diferentes radiaes so
refratadas de acordo com a sua freqncia

Microscopia ptica
Parmetros: Curvatura de Campo

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Microscopia Eletrnica

Solicitaes

Propriedades

Superfcie
Recobrimento
Interface

Volume (Bulk)

Diagrama representativo da caracterizao de um material

on
on

Eltron

Fton

Eltron
Fton

Superfcie

Recobrimento
Interface

Volume
(Bulk)

Diagrama esquemtico da interao radiao-partculas com o material

Sinais resultantes da interao do feixe de eltrons primrios com a amostra.

Representao esquemtica da interao eltrons-matria e principais sinais

detectados na microscopia eletrnica

Microscopia Eletrnica de Varredura (MEV)

O equipamento de microscopia eletrnica de varredura
possui um feixe eletrnico em foco (feixe primrio), que
varre a superfcie da amostra, produzindo eltrons
secundrios, eltrons retroespalhados e raios X. Os
detectores medem a intensidade do sinal em funo da
posio (x, y, I) na amostra formando a imagem em um
monitor com aumentos de at 300.000X (Pulker, 1987)

Limitao da ampliao:
Aumentos de at 900.000X Limite tcnico terico
Mximo de 50.000X
Usualmente 10.000X-30.000X

Microscopia Eletrnica de Varredura (MEV)

Aplicaes:
Metais, cermicas, polmeros, semicondutores...
Identificao de fases, constituintes e segregaes;
Anlise de superfcie de fraturas
Caracterizao microestrutural em reas biolgicas,
engenharia, geologia, semicondutores...
Principais caractersticas:
Resoluo da ordem de 2 a 5 nm
Imagens com diferenciao de composio qumica
Topografia de picos e vales (profundidade de foco: 3D)
Anlise qumica qualitativa e quantitativa, no destrutiva
e com preciso de 1 -2%
Mapa de concentrao elementar

Microscopia Eletrnica de Varredura (MEV)

Histrico - Imagem:
1935 Knoll fez a descrio da concepo do MEV
1938 amostras finas (TEM); 8000X; d = 50nm
1942 amostras espessas (MEV); d = 500 nm (MO=100nm)
1965 primeiro MEV comercial
Avanos: fontes de eltrons; eletrnica;
computacional; imagens digitalizadas;
desenvolvimento de programas para
aquisio e processamento de imagens
Dias atuais...

Microscopia Eletrnica de Varredura (MEV)

Histrico Anlise qumica:

1913 Moseley identificou que a frequncia emitida pelo raioX caracterstico funo do nmero atmico do elemento (rea
1mm2)
Dcada de 40 patente da ideia de microanlise utilizando
microscpio ptico para focar a rea e feixe de eltrons para
excitar uma pequena rea (1m2)
1949-1951 Castaing converteu a intensidade do raio-X em
composio qumica pela definio do parmetro k que a
razo entre a intensidade da radiao emitida por um elemento
da amostra (Ii) pela intensidade emitida por um padro
contendo o mesmo elemento (I(i)): k = Ii/I(i)
1956 primeira microssonda comercial
Dias atuais: praticamente todo o microscpio eletrnico possui
detector de raios-X caractersticos.

Microscopia Eletrnica de Varredura (MEV)

Diagrama representativo de funcionamento do microscpio

eletrnico de varredura convencional.

Microscopia Eletrnica de Varredura (MEV)

Efeito do Vcuo
necessrio em funo do baixo livre caminho mdio dos eltrons, comparado
com a radiao: se tiver ar presente na cmara os eltrons no chegariam na
amostra
Problemas: Amostras com elevada umidade no so estveis em alto-vcuo.
Solues:
Retirar a umidade desde de que no destrua a estrutura do material (via
qumica)
agentes quelantes que promovem o escoramento da estrutura atravs da
formao de ligaes estveis

Microscopia Eletrnica de Varredura (MEV)

Microscopia Eletrnica de Varredura (MEV)

Microscopia Eletrnica de Varredura (MEV)

Microscopia Eletrnica de Varredura (MEV)

Distncia de Trabalho

Microscopia Eletrnica de Varredura (MEV)

Microscopia Eletrnica de Varredura (MEV)

Microscopia Eletrnica de Varredura (MEV)

Microscopia Eletrnica de Varredura (MEV)

Funo da estabilidade do feixe

Eletrons de menor energia so
mais defletidos que os de maior
energia

Microscopia Eletrnica de Varredura (MEV)

Spot size = Abertura final = o tamanho do feixe que incide na amostra

O microscpio no pode resolver detalhes menores que o spot size
funo da corrente do feixe, da distncia de trabalho e da acelerao
da voltagem

Microscopia Eletrnica de Varredura (MEV)

Microscopia Eletrnica de Varredura (MEV)

Microscopia Eletrnica de Varredura (MEV)

Interaes Eltron-Amostra

Modelos representativos das interaes atmicas decorrentes da

perturbao do material com o feixe primrio.

Feixe primrio

Eltrons secundrios
Eltrons Auger

Eltrons
retroespalhados
Luminescncia Catdica

Raios X caractersticos
Material

Raios X contnuos

Raios X fluorescentes

Sinais resultantes da interao do feixe de eltrons primrios com a amostra.

Diagrama esquemtico mostrando vrios dos efeitos causados pela interao de
um feixe de eltrons com um alvo slido

Microscopia Eletrnica de Varredura (MEV)

Eltrons secundrios (SE):
So eltrons da amostra que foram ejetados a partir da interao do feixe
primrio.

So eltrons de baixa energia (< 50 eV)

Em funo da baixa energia so capazes de escapar somente de uma regio
muito rasa (<0,50m) da superfcie da amostra
Oferecem a melhor resoluo de imagem
Este tipo de imagem fornece informaes sobre a topografia da amostra: picos
so brilhantes e vales so escuros

Microscopia Eletrnica de Varredura (MEV)

Eltrons retroespalhados (BSE):
So eltrons do feixe primrio que foram ejetados da amostra aps choques
aproximadamente elsticos com o ncleo dos tomos que compem o material
Apresentam elevada energia : 50eV at tenso de acelerao do feixe
Sua maior energia resulta em um maior volume de interao na amostra (1 a 3
m), reduzindo a resoluo
Este tipo de eltrons fornece informao sobre a composio qumica: o
contraste resultado das diferenas de nmero atmico na amostra

Maiores nmeros atmicos retroespalham mais eltrons gerando reas mais

brilhantes nas imagens.
No permite a identificao dos materiais mas da heterogeneidade da composio

Microscopia Eletrnica de Varredura (MEV)

(a)

(b)

Figura.7.15 Fotomicrografias de ouro em carbono observadas no MEV

utilizando (a) SE e (b) BSE.

Profundidade de campo:

Feixe eletrnico

Superfcie
amostra
Profundidade de
campo
Plano de foco

Regio em foco

Ilustrao relativa profundidade de campo obtida em MEV.

Profundidade de campo:

Aspectos Importantes na Execuo e Interpretao de Resultados

de MEV
Aumento de E

Profundidade de
penetrao
Volume de
interao

Aumento de Z

Variao do volume de interao e profundidade de penetrao do feixe de

eltrons da amostra com o aumento da energia do feixe (E) e com o aumento do
nmero atmico (Z) dos elementos que compem a amostra.

Raios- X caractersticos : Espectroscopia de

Energia Dispersiva (EDS)

uma anlise de espectroscopia

Usualmente est acoplada em

microscpios eletrnicos de varredura

Sinais resultantes da interao do feixe de eltrons primrios com a amostra.

Raios- X caractersticos : Espectroscopia de

Energia Dispersiva (EDS)

Raios- X caractersticos : Espectroscopia de

Energia Dispersiva (EDS)

Raios- X caractersticos : Espectroscopia de

Energia Dispersiva (EDS)

Raios- X caractersticos : Espectroscopia de

Energia Dispersiva (EDS)

Raios- X caractersticos : Espectroscopia de

Energia Dispersiva (EDS)

Raios- X caractersticos : Espectroscopia de

Energia Dispersiva (EDS)
1000

Ca
C

900
800

Au
P
700
600
500

Si Au

400

Na

300
200

Al
Ca

100

Ca

0
0

P
Si

Au

Ca
5

Os picos detectados no espectro indicam os elementos presentes na amostra

A intensidade dos picos esto associados com a concentrao do elementoo

10

Raios- X caractersticos : Espectroscopia de

Energia Dispersiva (EDS)
Accelerating voltage (kV)

15.0

Beam current (nA)

750.000

Magnification

30

Live time

30

Preset Time (s)

30

Elt
C
O
Na
Al
Si
P
Ca

XRay
Ka
Ka
Ka
Ka
Ka
Ka
Ka

Int
204.9
39.4
55.2
19.2
121.6
289.8
24.1

Error
2.6136
1.1457
1.3564
0.7990
2.0133
3.1081
0.8968

K
0.5459
0.0582
0.0379
0.0126
0.0846
0.2281
0.0327
1.0000

Kratio
0.2037
0.0217
0.0142
0.0047
0.0316
0.0851
0.0122
0.3732

W%
68.52
12.55
2.52
0.63
3.80
10.55
1.44
100.00

A%
79.97
11.00
1.54
0.33
1.90
4.77
0.50
100.00

ZAF
3.3659
5.7841
1.7812
1.3285
1.2030
1.2389
1.1799

7.2.3.1. Aplicaes de Microscopia Eletrnica de Varredura e EDS

(a)

(b)

Figura.7.18. a)Fratura frgil de ao (500x);

b) Imagem madeira da planta Switenia macrophylla.

Figura.7.19. Fotomicrografia
de Inseto

(a)

(b)

Figura.7.20. Olhos compostos de mosca, a) sem danificar;

b) danificado pelo feixe (5 kV x 1, 100).

Figura.7.21. Papel de filtro, a) 5 kV ; b) 25 kV (x 1400)

Figura.7.22. Micrografia de P sinterizado, a) 5 kV ; b) 25 kV (x 7200)

Figura.7.23. Fotomicrografia de Inseto

Figura.7.23. Fotomicrografia dos vulos

de acaro de carpete Hymenolepis
dimunata.

Figura.7.24. Imagem de eltrons secundrios de espuma de poliestireno

(a)

(b)

Figura.7.25. Micrografia de sistemas

biolgicos; a) hemcias; b) caro;
c) Streptococcus
(c)

Figura.7.26. Espectro de EDS de liga Nd-Fe-B utilizado na

fabricao de imas permanentes.

 Copyright : Prof. Dr. Herman S. Mansur, 2011

7.2.4. Microscopia Eletrnica de Varredura

Ambiental (MEV-Ambiental)

Figura.7.27.
Representao
esquemtica de um
microscpio eletrnico
de varredura ambiental.

Figura.7.27a. Detalhe do sistema de presso do MEV ambiental

7.2.4.1. Aplicaes de Microscopia Eletrnica de Varredura

Ambiental
a) Amostras no-condutoras

Figura.7.28. Imagens de Nitreto de silcio (esquerda) e cermica

convencional (direita)

b) Amostras hidratadas

Figura.7.29. Imagens de gros de plen

Figura.7.30. Imagens de cabelo humano com gotculas de gua (esquerda)

e papel mido (direita)

 Copyright : Prof. Dr. Herman S. Mansur, 2011

7.2.5. Microscopia Eletrnica de Transmisso

(MET)
imagem

Lentes de projeo

Lentes objetivas

amostra

iluminao

Figura.7.31. Diagrama
representativo do
equipamento de
microscopia eletrnica de
transmisso (MET)

Exemplos de aplicaes:
Imagens da superfcie do material com
resoluo da ordem de 0,2 nm.
Anlise de defeitos, degraus ;
Anlise de nanopartculas;
Avaliao de filmes finos e contornos de gro;
Anlise de precipitao e recristalizao "in
situ";
Identificao de composio de fases.

(a)

(b)

Figura.7.32. Imagem por MET de: a) ultra-estrutura de partculas

polimricas-Ltex; b) detalhe ampliao superior (30.000x)

Figura.7.33. Imagens de Ultra-estrutura

de Tecidos e Clulas: fibroblasto

Figura.7.34. Capilares vasculares

Clulas sanguneas vermelhas
(vermelho), clulas endoteliais (azul)
e colgeno (laranja)

Figura.7.35. Fotomicrografias de microscopia eletrnica de transmisso de

interface esmalte, dentina com sistema restaurador composto de polmero
(resina) e partculas inorgnicas (carga ou reforo)

7.2.5.1. Preparao de Amostras para Microscopia Eletrnica de

Transmisso (MET)

Etapas que devem ser cumpridas no

sentido de obter amostras (biolgicas,
polimricas e compsitos) orgnicas
estveis para observao por MET

 Fixao do material, geralmente utilizando glutaraldedo

(agente reticulante de molculas de protena) e tetrxido
de smio (estabilizador de membranas).
Desidratao da amostra;
Permeao com resina para polimerizao em um bloco
slido. Sem esta estrutura a amostra colapsaria em alto
vcuo;
Corte da amostra: utilizao de um equipamento
ultramicrtomo, para produzir amostras com seo de
15 100 nm de espessura. O ultramicrtomo consiste
de finas laminas de vidro ou diamante;
As amostras delgadas obtidas so colocadas em
reticulados metlicos e recobertas com filme fino
polimrico (formvar) para observao no microscpio;