EA

Reviso de Semicondutores
Prof. Cassius Grillo

Sumrio
1 Condutores
2 Isolantes
3 Semiconditores

1 - Condutores
Nos materiais slidos, as cargas eltricas que se
movimentam so os eltrons

Os eltrons que se movimentam no interior dos materiais slidos, formando a

corrente eltrica, so denominados de eltrons livres.
Os metais so os materiais que melhor conduzem a corrente eltrica porque os
tomos da sua estrutura possuem um pequeno nmero de eltrons na camada
externa (at 3 eltrons).

1 - Condutores
Fuga de Eltron

Estrutura do Cobre

Os materiais condutores podem ser classificados segundo a resistncia que

apresentam. Os melhores condutores (chamados de bons condutores) so os
que apresentam menor resistncia eltrica

2 - Isolantes
Os materiais classificados de isolantes so os que apresentam grande oposio
circulao de corrente eltrica no interior da sua estrutura.
Os materiais isolantes tm poucos eltrons livres.

Os materiais isolantes tm a sua estrutura atmica composta por tomos que

tm 5 ou mais eltrons na ltima camada energtica.

2 Isolantes

- Vida til

Em condies anormais, um material isolante pode tornar-se

condutor. Este fenmeno, denominado ruptura dieltrica

Nos materiais condutores, os eltrons da camada de

valncia esto fracamente ligados ao ncleo. Com
uma pequena adio de energia, esses eltrons se
liberam da banda de valncia (camada externa)
passando para a banda de conduo onde se
movimentam livremente (eltrons livres)

3 Semicondutores
Alguns materiais apresentam propriedades de conduo
eltrica intermedirias entre aquelas inerentes aos isolantes e
aos condutores. Tais materiais so denominados de
semicondutores.
Um exemplo tpico de um elemento qumico que pode formar
materiais exibindo caractersticas eltricas distintas o
carbono.

Diamante Estrutura cristalina - Isolante

Grafite - Estrutura no Cristalina (amorfa) - semicondutor

3 Semicondutores
Os materiais semicondutores mais simples so constitudos de
tomos de um nico elemento qumico com quatro eltrons na
camada de valncia. Denominados de tomos tetravalentes.

4 Variveis Ambientais
- Vibrao

Conseqncias...

- Choque mecnico

Mudana sbita de posio, velocidade ou acelerao de um
corpo.

Pode ser caracterizado por acelerao ou desacelerao em
curto espao de tempo.

3 Semicondutores
Os tomos que tm quatro eltrons na camada de valncia
tendem a se arranjar ordenadamente na formao do material
segundo uma estrutura cristalina com tomos vizinhos
compartilhando seus eltrons de valncia

Compartilhamento de eltrons entre

covalentemente em uma estrutura
representao simblica correspondente.

tomos ligados
cristalina e a

3 Semicondutores
Nas ligaes covalentes os eltrons permanecem fortemente
ligados ao par de ncleos interligados. Por esta razo os
materiais formados por estruturas cristalinas puras, compostas
unicamente por ligaes covalentes, adquirem caractersticas
de boa isolao eltrica.
dopagem um processo qumico no qual tomos estranhos so introduzidos na
estrutura cristalina de uma substncia.
Natural
Laboratrio

3 Semicondutores
SEMICONDUTOR TIPO n
Quando o processo de dopagem introduz na estrutura cristalina do semicondutor
uma quantidade de tomos contendo excesso de um eltron de valncia
relativamente ao nmero de eltrons da camada mais externa de cada tomo do
cristal

Dopagem de silcio com tomo de fsforo. Apenas quatro dos cinco eltrons
de valncia do fsforo, podem participar das ligaes covalentes com os
tomos de silcio

3 Semicondutores
Com a adio de impurezas, e conseqente aumento no nmero de eltrons
livres, o cristal que era puro e isolante passa a ser condutor de corrente eltrica.

O semicondutor dopado com tomos contendo excesso de um ou mais eltrons na

camada de valncia recebe a denominao de semicondutor tipo n.

3 Semicondutores
Nesses materiais a corrente eltrica conduzida predominantemente por cargas
negativas.

3 Semicondutores
SEMICONDUTOR TIPO p
Quando os tomos introduzidos na estrutura cristalina do semicondutor exibem
deficincia de um eltron de valncia relativamente ao nmero de eltrons da
camada mais externa de cada tomo do cristal, forma-se um semicondutor tipo p.

O tomo de ndio, por exemplo, que tem trs eltrons na camada de valncia,
quando utilizado no processo de dopagem do silcio d origem a um
semicondutor tipo p

3 Semicondutores
SEMICONDUTOR TIPO p
Essa ausncia de eltron de ligao denominada de lacuna.
Quando a dopagem produz lacunas no
semicondutor, um eltron proveniente de uma
ligao covalente s poder transitar para um
ponto do cristal onde haja uma lacuna
disponvel.
As lacunas em um semicondutor dopado se
comportam efetivamente como cargas positivas
que podem transitar em um cristal quando este
est submetido a uma tenso externamente
aplicada.

3 Semicondutores
Propriedades Trmicas
A condutividade eltrica de um semicondutor pode ser controlada pela
dosagem adequada da quantidade de dopagem do cristal, durante a etapa de
fabricao.

Quando a temperatura de um material semicondutor aumenta, o aumento de

energia trmica do eltron de valncia facilita a sua liberao da ligao covalente
de que participa.

3 Semicondutores
Diodo Semicondutor
O diodo semicondutor um componente que pode comportar-se como condutor ou
isolante eltrico, dependendo da forma como a tenso aplicada aos seus
terminais.

Um diodo semicondutor formado a partir da juno entre um semicondutor tipo p e

um semicondutor tipo n
A estrutura formada recebe a denominao de juno pn.

3 Semicondutores
Diodo Semicondutor
logo aps a formao da juno pn, alguns eltrons livres se difundem do
semicondutor tipo n para o semicondutor tipo p. O mesmo processo ocorre com
algumas lacunas existentes no semicondutor tipo p que difundem para o
semicondutor tipo n.

3 Semicondutores
Diodo Semicondutor
Durante o processo de difuso, parte dos eltrons livres se recombinam com
lacunas na regio prxima juno. Produz uma regio de cargas positivas do lado
n e negativas do lado p da juno.

Essa regio de cargas prxima juno denominada regio de cargas

descobertas ou regio de depleo.

3 Semicondutores
Diodo Semicondutor

Portanto, imediatamente aps a formao da juno, uma diferena de potencial

positiva gerada entre os lados n e p. Essa barreira de potencial previne a
continuao do transporte de portadores atravs da juno pn no polarizada.

A tenso VB proporcionada pela barreira de potencial no interior do diodo, depende

do material utilizado na sua fabricao. Valores aproximados para os diodos de
germnio e silcio so VB = 0,3 V e VB = 0,7 V, respectivamente.

3 Semicondutores
Diodo Semicondutor
O diodo semicondutor representado em diagramas de circuitos eletrnicos pelo
smbolo. O terminal da seta representa o material p, denominado de nodo do
diodo, enquanto o terminal da barra representa o material n, denominado de ctodo
do diodo.

Formas de identificao dos terminais do diodo semicondutor para dois tipos

comuns de encapsulamento.

3 Semicondutores
Diodo Semicondutor
A aplicao de tenso sobre o diodo estabelece a forma como o componente se
comporta eletricamente. A tenso pode ser aplicada ao diodo pela polarizao
direta ou pela polarizao inversa do componente.

Polarizao direta uma condio que ocorre quando o lado p submetido a um

potencial positivo relativo ao lado n do diodo.

3 Semicondutores
Diodo Semicondutor
O valor da tenso aplicada ao diodo inferior ao valor VB da barreira de potencial.
Nessa condio, a maior parte dos eltrons e lacunas no tm energia suficiente
para atravessar a juno.
Como resultado, apenas alguns eltrons e lacunas tm energia suficiente para
penetrar a barreira de potencial, produzindo uma pequena corrente eltrica atravs
do diodo.

3 Semicondutores
Diodo Semicondutor
Se a tenso aplicada aos terminais do diodo excede o valor da barreira de potencial,
lacunas do lado p e eltrons do lado n adquirem energia superior quela necessria
para superar a barreira de potencial, produzindo como resultado um grande
aumento da corrente eltrica atravs do diodo.
Quando o diodo est polarizado diretamente, conduzindo corrente eltrica sob a
condio V > VB, diz-se que o diodo est em conduo.

3 Semicondutores
Diodo Semicondutor
A polarizao inversa de um diodo ocorre quando o lado n fica submetido a um
potencial positivo relativo ao lado p do componente.
Nessa situao, os plos da fonte externa atraem os portadores livres majoritrios
em cada lado da juno; ou seja, eltrons do lado n e lacunas do lado p so
afastados das proximidades da juno.

Quando o diodo est sob polarizao inversa, impedindo o fluxo de corrente

atravs de seus terminais, diz-se que o diodo est em bloqueio ou na
condio de corte.

3 Semicondutores
Diodo Semicondutor
sempre conveniente modelar um determinado componente eletrnico atravs de
seu circuito equivalente.
Por diodo ideal entende-se um dispositivo que apresenta caractersticas ideais de
conduo e bloqueio.

3 Semicondutores
Diodo Semicondutor
Modelos mais realsticos do diodo operando em conduo ou em bloqueio so
descritos a seguir.

Com respeito s caractersticas de conduo do diodo semicondutor, devese levar em conta que o diodo entra em conduo efetiva apenas a partir do
momento em que a tenso da fonte externa atinge um valor ligeiramente superior
ao valor VB da barreira de potencial.
Deve-se tambm considerar a existncia de uma resistncia eltrica
atravs da juno quando o diodo est sob polarizao direta. Essa resistncia
existe em qualquer semicondutor, devido a colises dos portadores com a rede
cristalina do material. O valor da resistncia interna dos diodos em estado de
conduo normalmente inferior a 1.

3 Semicondutores
Diodo Semicondutor
Circuito com diodo submetido a conduo e clculo do erro cometido ao se utilizar o
diodo ideal como modelo.

Erro relativo(%) =

I 2 I1
0.0333 0.0328
0.0005
100 =
100 =
100 = 1,5%
I1
0,0328
0.0328

3 Semicondutores
Diodo Semicondutor
O diodo em bloqueio pode, portanto, ser modelado a partir do circuito equivalente.

Efeitos associados temperatura e a absoro de ftons nas proximidades da

juno de um diodo, possibilitam a gerao de uma pequena quantidade de
portadores minoritrios, ou mais precisamente, lacunas no lado n e eltrons livres
no lado p. Conseqentemente, sempre existe uma corrente de fuga, quando o
diodo inversamente polarizado, correspondendo passagem de portadores
minoritrios atravs da juno.

FIM