14/9/2015

SEDEMANIZALES
VicerrectoraAcadmica

DireccinNacionaldeinnovacinAcadmica

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2.3.2.Caractersticasprincipalesdeoperacin

Descripcin
Objetivos
Metodologa
Profesor

Las caractersticas detalladas y especficas de funcionamiento de un AO particular se pueden encontrar en l

hojas de datos apropiadas. Una hoja de datos de un AO proporcionar normalmente muchas caracterstic
elctricasnogenricas.Lascaractersticaselctricasproporcionadassonparaunatensindealimentacinyu
temperatura ambiente especficos y usualmente tendr unos valores mnimo, tpico y mximo. Las principal
caractersticasdeunAOysusignificadosoncomosigue:

Bibliografa

Corriente de offset de entrada (IIO) la diferencia entre las dos corrientes de polarizacin de entra
cuandolatensindesalidaescero.

Rangodetensindeentradaenmodocomn(VICR)elrangodelatensindeentradaenmodocom
(esdecir,elvoltajecomnaambasentradas).

Corrientedesalidaencortocircuito(IOS)lamximacorrientedesalidaqueelAOpuedeentregarenu
cortocircuito.
Fluctuacin de la tensin de salida (VOPP) el mximo voltaje de salida pico a pico que el AO
entregarsinqueocurrasaturacinocorte.Estacaractersticaesdependientedelaresistenciadecarga.

Gananciadetensindiferencialdegranseal(AVD)larelacinentrelafluctuacindelvoltajedesalida
ladelvoltajedeentradacuandolasalidasellevaaunvoltajedegransealespecfico(tpicamente1
voltios).

Velocidaddecambio(SR)latasadetiempodelcambiodelvoltajedesalidaenlazocerradoconelcircu
AOllevadoaunagananciadevoltajeunitaria(1).

Corrientedealimentacin(ICC)lacorrientetotalqueelAOdrenardelasfuentesdepolarizacincuan
estsincarga.

Relacinderechazoenmodocomn(CMRR)medidadelahabilidadqueposeeunAOpararechazarl
sealesquesepresentensimultneamenteenambasentradas.Larelacindelvoltajedeentradaenmo
comnalvoltajegeneradodesalidayseexpresageneralmenteendecibeles(dB).

En los pargrafos precedentes se ha discutido las caractersticas bsicas del AO. Los pargrafos siguient
proporcionarnunainformacinmsdetallada.

Gananciayrespuestaenfrecuencia

AdiferenciadelAOideal,unamplificadoroperacionaltpicotieneunagananciadiferencialyunanchodeban
finitos.DebidoaquemuchasdelascaractersticasdelAOidealsonirrealizables,lascaractersticasdeun
difierensignificativamentedelasdelAOideal.

LagananciaenlazoabiertodeunAOtpicosemuestraenlaFig.3.7(LM6171).Abajasfrecuencias,lagananc
enlazoabiertoesconstante.Sinembargo,aaltasfrecuencias(porencimade100MHz)lagananciasereduce
una tasa de 6dB/octava. La frecuencia a la cual la ganancia alcanza al valor unitario se denomina
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bandaunitarioysedenotaporB1.

CuandounaporcindelasealdesalidaserealimentaalaentradadelAO,larelacinentreelvoltajedesalida
el de entrada se denomina ganancia en lazo cerrado. La ganancia en lazo cerrado es siempre menor que
gananciaenlazoabierto.Debidoaqueelerrorenlagananciaesproporcionalalarelacinentrelaganancia
lazocerradoylagananciaenlazoabierto,esdeseableunvalormuyaltodelagananciaenlazoabierto.

Figura3.7:AnchodebandadelAOLM6171.

Productogananciaanchodebanda

CuandoseseleccionaunAOparaunaaplicacinparticular,unodelosfactoresprimariosquesedebeconsiderar
elproductogananciaanchodebanda.Elproductodelagananciaenlazocerradoylarespuestaenfrecuenc
permanececonstanteencualquierpuntodelaporcinlinealdelacurvadegananciaenlazoabierto(ver

Elanchodebandaeslafrecuenciaalacuallacurvadegananciaenlazocerradointerceptalacurvadegananc
enlazoabiertocomosemuestraenlaFig.3.8.Sepuedeobtenerelanchodebandaparacualquierganancia
lazocerrado,dibujandounalneahorizontaldesdelagananciadeseadaalainterseccinconlacurvade
delazoabierto.Enundiseotpico,sedeberutilizarunfactorde0.1omenosdelagananciaenlazoabierto
unafrecuenciadada.EstoaseguraqueelAOfuncionaradecuadamenteconunmnimodedistorsin.Cuando
incrementalagananciadevoltajedeuncircuitoconAO,elanchodebandasedecrementa.

Figura3.8:ProductoanchodebandaporgananciavscargacapacitivaenunAO
LM6171.

Influenciadelaresistenciadeentrada

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La influencia de la resistencia de entrada se puede encontrar aplicando las leyes de Kirchhoff. De la Fig. 3.9
obtiene:
(3.3.1)
(3.3.2)

Silagananciaenlazoabiertoesinfinita,latensindeentradadiferencialserceroyel
valordelaresistenciadeentradanotendrinfluencia(sinoescero).
PuestoqueVDI=VO/AVD,setiene:
(3.3.3)
Porlotanto,
(3.3.4)
o
(3.3.5)

Figura3.9:Influenciadelaimpedanciadeentrada.
Lasecuacionesanterioresindicanquelaresistenciadeentradatendrpocooningnefecto(amenosquesea
pequeacomparadaconR1)sobrelarelacindelatensindesalidaalatensindeentrada.Porlotanto,la
gananciaenlazocerradoparaaplicacionestpicas,esindependientedelaresistenciadeentrada.
Influenciadelatensinoffsetdeentrada

La tensin offset de entrada (VIO) es una tensin generada internamente y puede ser considerada como u
fuentedevoltajeinsertadaentrelasdosentradas(verFig.3.10).Adems,esunatensindiferencialdeentra
resultantedeldesajustedelAOenlasetapasdeentrada.

Figura3.10:Influenciadelatensinoffsetdeentrada.
ElefectosobrelacorrienteI1eI2puedeserdeterminadaporlassiguientesecuaciones:
(3.3.6)
Silatensindeentrada(VI)escero,laecuacinescomosigue:
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(3.3.7)
Latensindesalidaeslatensinoffsetdesalida(VOO).Lasiguienteecuacin
seusaparadeterminarVOO:
(3.3.8)

ELvalordelatensinoffsetdeentradasepuedeencontrardividiendolatensinoffsetdesalidaentrelagananc
delazocerrado.

Compensacindeloffsetdeentrada

UnAOidealtienevoltajeoffsetdeentradaceroynotieneprdidasdecorriente.Sinembargo,debidoaldesajus
delostransistoresyalasresistenciasdeentradadelcircuitomonoltico,elAOtpicotieneunbajo,perodefinid
voltajedeoffset.LamayoradelosAOsvienenprovistosdeconectoresparaunpotencimetroexterno,
que el offset de entrada pueda ser ajustado a cero. El mtodo exacto usado y la resistencia total d
potencimetrodeajustenuloesdependientedeltipodecircuitoqueconformaalAO.UnAOdepropsitogener
compensado internamente (v.gr.: un A741), puede requerir un potencimetro de 10k. Un BiFET
compensado externamente puede requerir un potencimentro de 100k. El voltaje offset de entra
recomendadoparacircuitosdeajustenulo,semuestrausualmenteenlahojadedatos.

Figura3.11:(a)Pinesdeanulacindeoffsetconectadosalosemisores.(b)Pinesde
anulacindeoffsetconectadosaloscolectores.

LosmtodosdeanulacindetensinoffsetdeentradasemuestranenlaFig.3.11(a)yFig.3.11(b).Seutilizau
circuitosimilaralquesemuestraenlaFig.3.11,cuando

los pines de anulacin de offset (N1 y N2) se conectan a los emisores del generador de corriente constant
Cuandolospinesdeanulacindeoffsetseconectanaloscolectoresdelgeneradordecorrienteconstante,seu
uncircuitosimilaralquesemuestraenlaFig.3.11(b).

LosvaloresrealesdelresistordependendeltipodelAOusado.Sedebeconsultarlahojadedatosapropiadapa
complementarlosprocedimientosdenulidaddeloffsetdeentrada.

Coeficientedetemperaturadelatensinoffsetdeentrada

Elcoeficientedetemperaturadelatensinoffsetdeentrada(tensinoffsetdederiva)seespecficaenvoltiosp
grados Celsius. La cantidad acumulada que ocurre con los cambios de temperatura se relaciona directamente
cuan cercanamente ajustadas estaban las caractersticas de entrada cuando se fabric el dispositivo. L
dispositivosdeentradaBiFET(talescomolafamiliaTL080)tpicamentetienende10a12V/ C.Lafamiliade
LinCMOStienende0.7a5V/ Cdependiendodelmododepolarizacinseleccionado.

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Figura3.12:Influenciadelacorrientedepolarizacindeentrada.

Influenciadelacorrientedepolarizacindeentrada

Tanto la corriente de polarizacin (I3) como las corrientes de operacin normal (I1 e I2) fluyen a travs de l
resistoresR1yR3(verlaFig.3.12).LacorrienteI3generaunatensindiferencialdeentradaigualalproduc
R1||R2I3.Latensindeentradadiferencial(lacualessimilaralatensinoffset de entrada) aparece
como una componente de la salida la cual es amplificada por la ganancia del sistema. Ms tarde se discutir
algunosmtodosparacorregirlosefectosdelacorrientedepolarizacindeentrada.

Influenciadelaresistenciadesalida

LainfluenciadelaresistenciadesalidaseilustraenlaFig.3.13.Lacorrientedesalidasepuedeexpresarcon
siguienteecuacin:
(3.3.9)
SiVOI es la tensin de salida del amplificador ideal equivalente y VOR es la tensin de
salida del dispositivo real, entonces VOR se puede determinar a partir de la siguiente
relacin:
(3.3.10)
Combinando(3.3.9)y(3.3.10):
(3.3.11)

Figura3.13:Influenciadelaimpedanciadesalida.

Paraelcasoideal,VOI=Avd VDIporlotanto:
(3.3.12)

SeobservaquesilaresistenciadesalidaROespequea,elvalordelatensindesalidadelamplificadorreal
acercaralideal.
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Rangodeentradaenmodocomn

Sepuededefinirrangodeentradaenmodocomncomoelrangomximodelatensindeentradaquesepue
aplicar simultneamente a ambas entradas sin causar corte, deformacin o saturacin en las etapas d
amplificador. La etapa de entrada debe ser capaz de operar dentro de las especificaciones para todo el ran
dinmicode elongacin en la salida. Si no lo hace, el amplificador puede ir a saturacin cuando se exceden l
lmitesenlaentrada.Elrangodetensinenmodocomnespecificadodelaetapadeentrada,debeexcedera
mximaelongacindelatensinpicoapicoenlosterminalesdeentradaolaetapadeentradasepuede
con los picos. Cuando ocurre la saturacin, la etapa de entrada inversora no invierte ms. La realimentaci
negativasetransformaenpositivaylaetapapermaneceensaturacin.

Relacinderechazoenmodocomn(CMRR)

Larelacinderechazoenmodocomn(CMRR)sepuededefinircomolarazndelagananciadesealdiferenc
agananciadesealenmodocomnyseexpresaendecibeles(dB)
(3.3.13)

UnAOidealrespondesolamentealassealesdeentradaenmododiferencialeignoralassealesenmodocom
enambasentradas.Enuncircuitotpico,sinembargo,losamplificadorestienenunpequeo,perodefinidoerr
enmodocomn.Elrechazoenmodocomnesimportanteparalosamplificadoresnoinversoresodiferencial
debido a que estas configuraciones ven una tensin en modo comn. Dependiendo del tipo de dispositivo, l
relacionesderechazopuedenestarenunrangoentre90dBy120dB.Generalmente,losAOs bipolares tien
relacionesderechazomsaltasquelosamplificadoresconentradaFET.

Influenciadeladerivadecorrienteytensin

La tensin de offset de entrada, la corriente de polarizacin de entrada y las corrientes de offset diferencial
pueden derivar con la temperatura. Aunque es relativamente fcil compensar cada uno de estos efectos en
mismos,esdificilcorregirladerivaproducidaporlasvariacionesdetemperatura.Sinembargo,hayalgn
limitadoofrecidoenlosdiseos,paralascaractersticasdederivapresentadas.Cuandoseesperantendencias
deriva en un problema de diseo, se deber considerar el tipo de dispositivo, la construccin y la aplicaci
correspondiente.

Velocidadderespuesta(slewrate)

Lavelocidadderespuestasepuededefinircomolatasamximadecambiodelatensindesalidaenlaunidad
tiempo,paraunatensinescalnaplicadaalaentrada(verFig.3.14).

Figura3.14:Efectodelavelocidadderespuesta.

La velocidad de respuesta normalmente se mide con el amplificador conectado en configuracin de gananc

unitaria. Tanto la velocidad de respuesta como el producto ancho de banda por la ganancia son medidas de
velocidaddelAO.EnlaFig.3.14sepuedeverelvalordelapendientedelarectageneradaenlasalida,cuando
amplificadorseexcitaconunpulso.Porlotanto,lamedidadelavelocidadderespuestaestardadapor
(3.3.14)

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Figura3.15:VelocidadderespuestaenunLM6171.

El SR en los AOs tpicos vara entre 10 5[V /s] SR 10 9[V /s]. A continuacin se dan los valores del S
algunosAOs:ParaelOP07alimentadocon15VyconRL 2k,elvalortpicoesde0.3V/s,parael
alimentadocon15VyconRL 1k,elvalortpicoesde13V/s,paraelLM6171conAv=+2,vi=13
valortpicoesde3600V/s.ParaelcasodelLM6171elSRsedeterminaporlacorrientedisponibleparacargar
descargaruncapacitorinternoenunnododealtaimpedancia.

La corriente se define como la relacin entre la tensin de entrada diferencial y la impedancia (resistencia)
entradaequivalente.Porlotanto,elSResproporcionalalniveldelatensindeentrada,porloqueseobtien
valoresmsaltosdeSRenconfiguracionesdegananciamsbajas(verFig.3.15)[47].
ElSRocasionaquelaformadeondadesalidadeunAOrealpuedallegarasermuydiferentealadeunAO

Figura3.16:Circuitodepruebaparaobservarlavelocidadderespuesta.

Porejemplo,considreseelamplificadordetensindelaFig.3.16.PuestoquesetratadeunOP07,presentau
SR=0.3V/s.Sehaaplicadounasealdeentradasenoidalde200kHzdadapor:
(3.3.15)

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Figura3.17:Ondasdeentradaysalidadelcircuitodedeformacinproducidaporla
limitacindelSR.

EnlaFig.3.17seilustralaformadeondadelatensindesalidadelcircuitodeprueba.Ent=0,latensin
salidaescero.LasalidaidealaumentaaunavelocidadsuperioralSRdelAO,demodoquelasalidadelAO
unmximode0.3V/s.Enelpunto(a,c)definidoporlosmarcadoresayc,lasalidarealalcanzaalasalidaide
peroenestemomentolasalidaidealdiminuyeaunavelocidadsuperioraladelSR.Porlotanto,enelpunto(
c),lasalidadelAOcomienzaadisminuirasumximavelocidad.Nteseque,acausadelSR,lasalidarealdel
tiendeaserdeformatriangular.

Anchodebandadepotencia

ElanchodebandadepotenciadeunAOeselmargendefrecuenciaparaelcualelAOpuedeproducirunase
desalidasinusoidalsindistorsiones,conunaamplitudpicoigualalmximogarantizadodelatensindesalida.
calcular a continuacin una expresin para calcular el ancho de banda de potencia en funcin del SR y de
amplituddelpicodelasealdesalida.Lasealdesalidaestdadapor

Tomandoladerivadarespectoaltiemposeobtiene

LamximavelocidaddecambioesVop=2Vop.Igualandoestaexpresinallmite
delavelocidaddesubidaseobtiene

Despejandolafrecuenciasellegaa
(3.3.16)

dondesehaexpresadoelanchodebandadepotenciatotalcomo bp.Unaformadeondadesalidasinusoidal
amplitudtotalysindistorsin,soloesposibleparafrecuenciasinferioresa bp.

Ejercicio1

CalcularelanchodebandadepotenciadeunamplificadoroperacionalOP07sielSR=0.3V/s,ylaamplitud
lasalidamximagarantizadaes14V.
Solucin:
Sesustituyelainformacinproporcionadaenlaecuacin(3.3.16)yseobtiene

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Por lo tanto, se puede obtener del OP07 una salida sinusoidal sin distorsin de 14V de pico para frecuenci
menoresde3.4kHz.

Ruido

AunquenoseestablececomounadelascaractersticasprincipalesdelAOideal,esdeseableunaoperacinlibre
ruido.LosAOstpicosdegradanlasealdeentradaagregandocomponentesderuido.Loscomponentesderui
usualmente son aleatorios y determinan el lmite inferior de la capacidad de manejo de seal. El rui
generalmenteseespecificaenlahojadedatoscomoruidodeentradaequivalentey,comolosotrosfactores
entrada,seincrementaconlagananciadelaetapa.HayvariasfuentespotencialesderuidoenunAO.Lasm
comunessonelruidotrmico,causadoporlasresistenciasdelasdosfuentes,elruidodecorrienteinternoyl
generadoresdetensinderuido.Enaplicacionesnormalesdeaudio,latensinderuidoserlafuentedominan
deruidoenelamplificador.Cuandoseincrementalaresistenciadelafuente,elefectodelruidocorriente(verF
3.18) se incrementa hasta que la corriente de ruido y el ruido del resistor de compensacin de polarizacin
conjuntosonloscomponentesdominantesdelruidodeentradadelamplificador[50].Enlasespecificacionesest
dos parmetros se detallan separadamente (ver Figs. 3.18 y 3.19). La tensin de ruido se especifica con u
resistenciadelafuentebaja(verFig.3.19).

Figura3.18:Respuestadecorrientederuidoenunamplificador.

Figura3.19:Respuestadetensinderuidoenunamplificador.

Tantovncomoinsedanentrminosdedensidaddeenerga.stossemidenconunfiltrodeanchode
estrecho (1Hz de ancho) en una serie de puntos a lo ancho del espectro til del amplificador. Los dat
usualmentesedanentrminosdelatensinderuidovslafrecuencia.Datosprcticosocurvassobrehojas
datosnormalmentesedancomosigue:

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dondeenesladensidadderuidoenlatensindeentradayBWeselanchodebandaen[Hz].LaFig.
3.20correpondealfragmentodeunahojadedatosdelAOLM6271(amplificadorconrealimentacinecorrient
dondeseindicanalgunosdelosparmetrosmencionadosenesteapartado,enparticularelruidodetensiny
corrienteeneldispositivo.

Figura3.20:Hojadedatosdeunamplificadortpico.

En general, los AOs de baja corriente de entrada (FET) o los AOs de baja corriente de polarizacin tendr
corrientederuidomsbajaytiendenasermssilenciososaimpedanciasdelafuenteporencimade10k
debajo de 10k, la ventaja es ahora de los AOs bipolares los cuales tienen ms bajo ruido en la tensin
entrada. Cuando la impedancia de la fuente est por debajo de 10k, la resistencia real de la fuente es
compuesta principalmente por la resistencia del generador. La configuracin no inversora del AO tiene men
gananciaderuidoque la configuracin inversora para ganancias bajas de seal y por tanto tendr alta
sealaruido.Aaltasgananciassinembargo,estaventajadisminuye[50].

Anchodebandadegananciaunitariaymargendefase

Hay cinco parmetros relacionados con las caractersticas de frecuencia de los AOs que probablemente
encuentran en las hojas de datos de los AOs.stos son el ancho de banda a ganancia unitaria (B1), produc
ancho de banda por ganancia (GBW), margen de fase a ganancia unitaria (m), margen de ganancia (A
Mximoanchodebandadeoscilacindesalida(BOM ).

Elanchodebandaagananciaunitaria(B1)yelproductoanchodebandaporganancia(GBW)sonmuysimilare
B1especificalafrecuenciaalacualAVDdelAOes1:
(3.3.17)

GBWespecificaelproductoanchodebandaporgananciadelAOenconfiguracindelazoabiertoylasalidac
carga:

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Figura3.21:Circuitosimplificadodeunamplificadoroperacionaldondeseindicanlas
etapasprincipales.

(3.3.18)

GBW es constante para amplificadores con realimentacin de tensin. No tiene mucha significacin pa
amplificadores con realimentacin de corriente debido a que no hay una relacin lineal entre la ganancia y
anchodebanda[39].

Elmargendefaseagananciaunitaria(m)esladiferenciaentrelacantidaddedesplazamientodefasequ
experimentaunasealatravsdelAOcongananciaunitariay180 :

(3.3.19)
Elmargendegananciaesladiferenciaentrelagananciaunitariaylagananciaa180 dedesplazamiento
defase:
MargendeGanancia=1Ganancia@180 dedesplazamientodefase

Mximoanchodebandadeelongacindesalida(BOM).Especificaelanchodebandasobreelcuallasali
estporencimadeunvalorespecfico:
BOM= MAX,mientrasvO>vMIN
ElfactorlimitanteparaelBOMeselSR.Amedidaqueaumentalafrecuencialasalidaescadavezms
limitadoelSRypuedenorespondersuficientementerpidoalaelongacindelatensindesalida.

ConelfindehacerqueelAOseamsestable,sefabricaapropsitouncapacitorCC,enlasegundaetapadent
delchip(Fig.3.21).Estetipodecompensacinenfrecuenciasedenominacompensacindelpolodominante.
ideaeshacerquelagananciaenlazocerradodelAOsealaunidadantesquelafasedelasalidasedesplace180

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Figura3.22:Amplificacindetensinydesplazamientodefasevsfrecuencia.(segn
[39]).

LaFig.3.22muestraunagrficatpicadegananciavsfrecuenciaparaunAOcompensadointernamente,como
presentaenlahojadedatosdeunfabricantetpico.

Comoyaseobserv,AVDsereduceconlafrecuencia.AVD(ytambinB1 o GBW) es un aspecto del diseo d

dispositivocuandoserequiereunagananciaprecisadentrodeunabandadefrecuencia.

El margen de fase (m) y el margen de ganancia (Am) son modos diferentes de especificar la estabilidad d

circuito.PuestoqueelvalordesalidadelosAOsconsalidasrailtorail1(RR)tienemsaltaimpedanciadesalid
sepuedeverundesplazamientodefasesignificativocuandoseimpulsancargascapacitivas.Estedesplazamien
de fase extra reduce el margen de fase, y por esta razn la mayora de los AOs CMOS con salida RR
habilidadlimitadaparaimpulsarcargascapacitivas.

Figura3.23:Circuitoparalamedicindelmargendefase.

Elmargendefaseesde180 menoseldesplazamientodefasealafrecuenciadondelamagnituddelagananc
de tensin en lazo abierto es igual a la unidad. El margen de fase se mide en grados y debe ser positivo pa
estabilidadincondicional.LaFig.3.23ilustrauncircuitotpicousadoparamedirelmargendefase,cuyarespues
temporalcorrespondienteseobservaenlaFig.3.24.Siladiferenciadefaseentrelaformadeondadelaentra

ylasalidaesde180 ,180 120 =60 serelmargendefase.Elmargendefasepuedeonoserdadoen

hoja de datos del amplificador. El margen de fase normalmente estar entre 50 y 70 en los AOs disponibl
comercialmente.Cuandoelmargendefasedecrecea45 ,elamplificadortiendeaserinestableypuedeoscilar.

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Figura3.24:RespuestatemporaldelareddelaFig.3.23.

Mximaelongacindelatensindesalida

Lamximaelongacindelatensindesalida,VOM,sedefinecomoelmximovoltaje pico positivo o negati

quesepuedeobteneralasalidasinquelaformadeondaserecorte,cuandolasalidadcescero.LaVOM
limitadaporlaimpedancia de salida del amplificador, la tensin de saturacin de los transistores de salida y l
tensionesdelasfuentesdepolarizacin.EstosemuestrapictricamenteenlaFig.3.25.

Figura3.25:Elongacindelatensindesalida.

Estaestructuradeseguidordeemisornopuedeimpulsarlatensindesalidaalvalordepolarizacin(riel
forma).LosSRRusanunaetapadesalidaenemisorcomn(bipolares)oenfuentecomn(CMOS). Con est
estructuras,laelongacindelatensindesalidaestlimitadasolamenteporlatensindesaturacin(bipolares)
laresistenciadeencendido(CMOS)delostransistoresdesalidayporlacargaquesedeseaimpulsar.

Lasresistenciasdecargadadasenlashojasdedatosusualmentesonde2kode10k.Conresistencias
cargainferioresa2k,lasalidasedecrementadebidoalmitesenlacorriente.Normalmente,estonodaar
AO, hasta tanto los lmites de corriente especificados en la hoja de datos no sean excedidos. Sin embargo,
gananciaenlazocerradosereducirdebidoalacargaexcesiva.

__________________________________________________
1

Ladesignacinrailtorailparaindicarquelatensindeelongacinpermitidaesigualaladiferenciadepotenc
entrelasfuentesdepolarizacin,esmarcaregistradaporMotorolaCo.Conestoseespecificatambinuntipo
AOconpolarizacionesmuybajasyaltaelongacinenlaentraday/oenlasalida.

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UniversidadNacionaldeColombia
Carrera30No4503Edificio477
BogotD.C.Colombia

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