U n i v e r s i d a d

V e r a c r u z a n a
FACULTAD DE INGENIERIA

Anlisis de una fuente de poder conmutada

MONOGRAFIA

Que para obtener el titulo de:

INGENIERO EN ELECTRONICA
Y COMUNICACIONES
PRESENTA:

Gerardo de la Fuente Mndez

Poza Rica, Ver.

2009

INDICE

RESUMEN

CAPITULO I

I.- INTRODUCCION1
1.1.- Antecedentes..........1
1.2.- Justificacin.2
1.3.- Objetivos....3
1.4.- Alcance del trabajo..............4

CAPITULO II
II.- ASPECTOS GENERALES DE UN SISTEMA DE ALIMENTACION...5
2.1.- Requerimientos de un sistema de alimentacin.......5
2.2.- Organizacin de un sistema de alimentacin.........6
2.3.- Clases de convertidores....9

CAPITULO III

III.- COMPONENTES ASOCIADOS EN LA CONSTRUCCION DE UNA FUENTE DE

PODER CONMUTADA...12
3.1.- Semiconductores..13
3.1.1.- Diodos.....13
3.1.1a.-Tipos de diodos de potencia......21
3.1.2.- Transistores de potencia BJT.23
3.1.3.- MOSFET de potencia...44
3.1.4.- Circuitos integrados de control (PWM)..54
3.2.- Elementos pasivos...60
3.2.1.- Resistores.......................................60

3.2.2.- Capacitores......63
3.2.3.- Inductores..69
3.2.3a.- Tipo de ncleos de ferrita y sus efectos en las bobinas.............69

CAPITULO IV.

IV.- ANALISIS DE FUNCIONAMIENTO.....71

4.1.- Etapas de una fuente de poder conmutada71
4.1.1.- El filtro EMI........73
4.1.2.- Filtro de almacenamiento de entrada (BULK)........73
4.1.3.- Transformador....74
4.1.4.- Transistores de conmutacin......75
4.1.5.- Rectificadores de salida.....75
4.1.6.- Filtro de salida...76
4.1.7.- Elementos de sensado de corriente..76
4.1.8.- Elementos de retroalimentacin de voltaje..77
4.1.9.- Seccin de control.......77
4.2.- Topologas....................79
4.2.1.- Fuentes de poder conmutadas sin aislamiento por
transformador....81
4.2.1a.- Topologa de Regulador Buck (Reductor de voltaje)........82
4.2.1b.- Topologa de Regulador Boost (Elevador de voltaje)....88
4.2.1c.- Regulador Buck-Boost (Reductor-elevador de voltaje).....93
4.2.2.- Fuentes de poder conmutadas con aislamiento por
transformador.......99
4.2.2a.- Topologa de convertidor Flyback...........100
4.2.2b.- Convertidor Push-Pull........102
4.2.2c.- Convertidor medio puente.........103
4.2.2d.- Topologa de convertidor puente completo.......104

CAPITULO V

V.- CONSIDERACIONES FINALES......106

5.1.- Conclusiones...111

GLOSARIO

BIBLIOGRAFIA

ANEXOS

APENDICES

RESUMEN

Considerando el nivel actual de especializacin en determinadas reas de

aplicacin de la electrnica, en donde se ha sabido aprovechar el sofisticado
desarrollo y fabricacin de componentes semiconductores para aplicaciones de
potencia, tales como transistores BJT, MOSFETs y otros tipos de dispositivos con
caractersticas especiales, diodos de uso general y de uso especifico y de circuitos
integrados de control de conmutacin mediante tcnicas PWM, as mismo, la
fabricacin de materiales magnticos mejorados y otro tipo de componentes
asociados en la fabricacin de fuentes de poder conmutadas, han permitido a los
involucrados en esta rea de especializacin de la electrnica, disear fuentes de
alimentacin que cumplan con las demandas de un mercado internacional cada
vez mas exigente; toda vez que se requieren diseos mas eficientes y compactos,
con funcionalidades tales que protejan la integridad de los sistemas asociados y a
la fuente de alimentacin en si misma.

En base a lo anterior se han desarrollado topologas bsicas que permiten

a los estudiosos del tema y a los interesados en esta materia disear y desarrollar
prototipos que cumplan con la funcin de proveer un voltaje en DC con un grado
de precisin y estabilidad adecuadas a las necesidades de cada aplicacin.

En este trabajo se darn a conocer de forma general algunos elementos

asociados a un sistema de alimentacin para telecomunicaciones. Se tratara de
manera ms detallada la teora relacionada con los dispositivos que forman o
integran una fuente de poder que utiliza tcnicas de conmutacin y se analizarn
algunas de las topologas bsicas involucradas en su fabricacin. Finalmente se
mencionaran las ventajas y desventajas entre una fuente de poder que utiliza
tcnicas de conversin lineal y una fuente de poder que utiliza tcnicas de
conmutacin.

CAPITULO I
INTRODUCCION.

1.1.- ANTECEDENTES.

El descubrimiento, bajo costo y disponibilidad de los semiconductores marco un

punto de retorno en el desarrollo de las fuentes de poder conmutadas. El concepto se
conoce desde los aos treinta, pero pocas fuentes fueron construidas en ese tiempo
bajo tcnicas de conmutacin. Con el desarrollo de los transistores de potencia se
construyeron en 1977 las primeras fuentes de alimentacin conmutadas que encuentran
actualmente aplicaciones en los nuevos sistemas de telecomunicaciones. El desarrollo
del semiconductor aporto las ventajas de tamao, peso, velocidad y facilidad de uso. La
tecnologa de una fuente de poder conmutada avanzo con el posterior avance en la
tecnologa de semiconductores, hoy, los semiconductores han alcanzado un nivel de
sofisticacin a favor de su aplicabilidad en el desarrollo de las fuentes de poder
conmutadas.

Pero,

aun

con

este

nivel

de

sofisticacin

los

componentes

semiconductores son los elementos ms frgiles dentro de estos sistemas. De lo

anterior podemos concluir que es importante tener un buen conocimiento, no solo de las
partes, sino tambin de las causas de destruccin de las mismas. La aplicacin de los
semiconductores ha tenido una gran aportacin en la eficiencia de las fuentes de poder
conmutadas.

1.2.- JUSTIFICACION.

La fuente de alimentacin es el nexo entre los sistemas de telecomunicaciones y

la red pblica. Por lo tanto debe no solo adaptarse a las caractersticas de la red, sino
cumplir, adems, con todas las exigencias de los sistemas de telecomunicaciones y de
sus acumuladores de energa (bateras). Ello se logra convirtiendo las tensiones de la
red (o equipo que la reemplaza) en tensiones adecuadas a la alimentacin de los
sistemas de telecomunicaciones o equipos asociados; respetando especialmente, sus
exigencias en lo referente a niveles, tolerancias, pureza, capacidad de carga, etc.

En este trabajo se dan a conocer las tcnicas involucradas en la construccin de

una fuente de poder conmutada. Para ello, se realizar una amplia investigacin para
que el estudiante y todos los interesados en el tema tengan esta informacin a la mano
y en espaol, considerando que la bibliografa especializada para este tipo de
aplicacin, en su mayora se encuentra editada en el idioma ingls. Adems este podr
servir como material de apoyo para materias relacionadas con el tema o para
investigaciones posteriores.

1.3.- OBJETIVOS.

Recopilar informacin sobre la construccin y funcionamiento de una fuente de poder

conmutada.

Destacar las ventajas de aplicacin que se obtienen con el uso de las tcnicas de
conmutacin en la conversin de la potencia elctrica.

Fomentar el inters en el desarrollo o aplicacin de la tecnologa asociada con las

fuentes de poder conmutadas.

1.4.- ALCANCE DEL TRABAJO.

Los alcances de este trabajo son:

Poner a disposicin del lector la informacin bsica necesaria sobre las diferentes
topologas de construccin de una fuente de poder conmutada.

Exponer las ventajas tecnolgicas que hacen de una fuente de poder conmutada la
mejor opcin (en cuanto a su aplicacin) respecto a fuentes que utilizan tcnicas
lineales para la conversin de la potencia elctrica.

CAPITULO II
ASPECTOS GENERALES DE UN SISTEMA DE ALIMENTACION.

2.1.- REQUERIMIENTOS DE UN SISTEMA DE ALIMENTACION.

La fuente de alimentacin es el nexo entre los sistemas asociados y la red

publica. Por lo tanto debe no solo adaptarse a las caractersticas de la red sino cumplir,
adems, con todas las exigencias de los sistemas a los cuales estn conectadas y de
sus acumuladores de energa (bateras). Ello se logra convirtiendo las tensiones de la
red (o equipo que la reemplaza) en tensiones adecuadas a la alimentacin de los
sistemas respetando, especialmente, sus exigencias en lo referente a niveles,
tolerancias, pureza, etc.

Ante fallas de la red (por ejemplo cortes en el suministro elctrico) o de la propia

fuente de alimentacin, es necesario adoptar las medidas dirigidas a preservar la
seguridad de servicio del o los equipos asociados. He aqu, algunos puntos de vista
importantes concernientes a la fuente de alimentacin de un equipo:

1.- Debe mantener las respectivas tolerancias de la tensin de alimentacin a los

equipos cuando:

a).- Vara la carga entre vaco y la nominal.

b).- Se producen sobrecargas instantneas.

c).- Vara la tensin de la red.

d).- Vara la frecuencia de la red.

2.- Debe mantener la pureza de la tensin continua dentro de los valores

establecidos por los reglamentos internacionales (o sea que no se podrn exceder los
valores lmite de las tensiones alternas superpuestas).

3.- Debe evitar, en todo lo posible, las interrupciones del suministro de energa.

4.- Debe poseer suficientes elementos de supervisin, proteccin, limitacin y

sealizacin.

5.- Debe ser fcilmente ampliable.

6.- Debe resultar rentable.

7.- Debe ser de reducidas dimensiones y poco peso.

8.- Debe resultar fcil su montaje y mantenimiento.

9.- Su diseo debe ajustarse a las normas internacionales que rigen su

construccin.

2.2.- ORGANIZACIN DE UN SISTEMA DE ALIMENTACION.

Se pueden distinguir cuatro niveles, los cuales pueden estar organizados de la

siguiente forma.

1) La red y los equipos que la reemplazan.

En general se obtiene la energa elctrica requerida de la red publica, como en la

misma pueden ocurrir interrupciones del suministro de energa se utilizan equipos fijos o

mviles en reemplazo de la red. La red o los equipos que la reemplazan proveen

tensin alterna monofsica o trifsica.

Adems de cortes de energa se pueden producir otras perturbaciones en la red,

como por ejemplo:

a).- Variaciones inadmisibles de la tensin o frecuencia.

b).- Armnicas de orden superior con amplitudes inadmisibles.

c).- Interrupciones en algunas de las fases.

Los equipos (salvo aquellos que reemplazan a la red) que subsanan estas
perturbaciones se describirn mas adelante (alimentacin centralizada de energa
elctrica).

2) Tableros de red y de distribucin.

Como tales se consideran a los equipos utilizados para conectar, desconectar,

conmutar, proteger, medir y distribuir la energa elctrica de la red. Las fuentes de
alimentacin de pequea potencia se pueden conectar a la red mediante tableros de
distribucin, en cambio las de mayor potencia se deben conectar a tableros de red.

Las fuentes de alimentacin para equipos que as lo requieren se subdividen en:

centralizadas y descentralizadas.

3) Alimentacin centralizada de energa elctrica.

Los equipos rectificadores de las fuentes de alimentacin centralizada deben

proveer energa elctrica a los sistemas asociados, a los convertidores continua-alterna
(inversores), a las bateras y a los convertidores continua-continua. La tensin alterna

de la red, o la generada por los equipos que la reemplazan, es rectificada por medio de
equipos con etapa de potencia con tiristores o por medio de equipos con etapas de
potencia con transistores, junto con las bateras y eventualmente, los equipos que
reemplazan a la red, los rectificadores deben conformar una fuente que asegure a los
sistemas asociados la alimentacin de corriente continua ininterrumpida.

4) Alimentacin descentralizada de energa elctrica.

En los equipos modernos, sean estos sistemas de telecomunicaciones, equipo

de monitoreo en medicina, etc. se requieren una serie de tensiones de valores
generalmente bajos (por ejemplo, 5, 12, 24 Volts) con estrechas tolerancias y diferentes
polaridades. Las mismas se obtienen de la tensin de alimentacin centralizada (por
ejemplo, 48 Volts) en este caso la tensin de transporte de energa.

El suministro en forma centralizada de las diferentes tensiones parciales seria

antieconmico, cada tensin debera poseer sus conductores propios; adems, para
tensiones de alimentacin baja, la corriente se incrementa y con ella la cada de tensin
en los conductores. Ello implicara un sistema de distribucin sobredimensionado.

En caso de ampliacin de los equipos, por ejemplo un sistema de

telecomunicaciones, una alimentacin descentralizada podr crecer junto con el
mismo. Cabe agregar que en una alimentacin descentralizada las perturbaciones
tienen un alcance de propagacin mucho menor. La regulacin de la tensin de salida
esta a cargo de transistores de potencia que en general trabajan en conmutacin a
frecuencias de 20 Khz. o mayores, en algunos casos (menos frecuentes) los mismos
trabajan como reguladores en serie.

Existen, en las alimentaciones descentralizadas, diferentes mtodos para

obtener las tensiones parciales requeridas:

a) Sistemas para tensiones continuas de entrada.

Obtencin de las tensiones continuas por convertidores continuacontinua.

Obtencin de las tensiones alternas por inversores continua-alterna.

b) Sistemas para tensiones alternas de entrada.

Obtencin de las tensiones continuas con rectificadores.

c) Equipos de alimentacin con tensin continua de entrada.

El convertidor continua-continua, tambin denominado convertidores de continua

o convertidor CC/CC, se les puede diferenciar en tres tipos:

Convertidor de conmutacin por bloqueo,

Convertidor de conmutacin en fase y

Convertidor de conmutacin en contrafase.

2.3.- CLASES DE CONVERTIDORES.

En las fuentes de alimentacin se emplean cuatro clases bsicas de

convertidores de energa elctrica (que utilizan componentes electrnicos de potencia),
estos son los siguientes:

1.- Rectificadores: convierten corriente alterna en continua, la energa fluye del

sistema de alterna al de continua.

2.- Convertidores continua-continua: convierten una tensin continua de determinado

valor y polaridad en otra tensin continua de distinto valor constante (o variable) e igual
(o diferente) polaridad; actualmente se les utiliza en las fuentes de alimentacin para
obtener tensiones parciales de las de transporte (por ejemplo 48 o 60 Volts).

3.- Convertidores continua-alterna o alterna-continua (inversores).

a).- Convertidor continua-alterna: convierten corriente continua en alterna; la

energa fluye del sistema de continua al de alterna.

b).- Convertidor alterna-continua: convierten la corriente alterna en continua; la

energa fluye del sistema de alterna al de continua.

4.- convertidores alterna-alterna: convierten una corriente alterna de una tensin,

frecuencia y nmero de fases dadas en otra corriente alterna de otra tensin, y/u
frecuencia y/u otro nmero de fases.

Los convertidores se pueden subdividir, segn como sea el control de su

conmutacin, ya sea, en convertidores con control externo (con conmutacin natural) o
convertidores con control interno -auto controlados- (con conmutacin forzada).

a) Convertidores con control externo: requieren de una fuente de tensin

alterna externa que proporciona la tensin de conmutacin mientras dure la misma (si
fuese necesario, mediante un transformador). Tratndose de los convertidores
controlados por la red, es esta la que suministra dicha tensin alterna y en el caso de
los controlados por la carga, es esta la que suministra la tensin. A este grupo
pertenecen, por ejemplo, los rectificadores y los convertidores alterna-alterna.

10

b) Convertidores autocontrolados: no requieren tensiones alternas externas

para su conmutacin. En el circuito de conmutacin acta (mientras esta dure) una
tensin que se obtiene de un acumulador de energa (capacitivo) o incrementando la
resistencia del circuito de control del rectificador a bloquear. Los convertidores continuacontinua y los continua-alterna pertenecen, por ejemplo, a este grupo.

11

CAPITULO III
COMPONENTES ASOCIADOS EN LA CONSTRUCCION DE UNA FUENTE DE
PODER CONMUTADA.

El

descubrimiento

subsiguiente

bajo

costo

disponibilidad

de

los

semiconductores marco un punto de retorno en el desarrollo de las fuentes de poder

conmutadas. El concepto se conoce desde los aos treinta, pero pocas fuentes fueron
construidas en ese tiempo bajo tcnicas de conmutacin. El desarrollo del
semiconductor aporto las ventajas de tamao, peso, velocidad y facilidad de uso. La
tecnologa de este tipo de fuentes de alimentacin avanzo con el posterior avance en la
tecnologa de semiconductores, hoy, los semiconductores han alcanzado un nivel de
sofisticacin a favor de su aplicabilidad en el desarrollo de las fuentes que utilizan
tcnicas de conmutacin. Aun con este alto nivel de sofisticacin los componentes
semiconductores son todava los elementos ms frgiles dentro de una fuente de poder
donde se hace uso de estas tcnicas. La aplicacin de los semiconductores ha tenido
una gran aportacin en la eficiencia de las fuentes de poder que utilizan en su
funcionamiento tcnicas de conmutacin.

Los elementos pasivos, no son mucho menos importantes dentro de una fuente
de poder conmutada, ya que, a travs de ellos se fijan caractersticas de operacin y de
respuesta que van ligados a los circuitos integrados de control y que sirven como
elementos de referencia y sensado para estos ltimos. As mismo como proteccin para
los transistores de potencia. De lo anterior podemos concluir que es importante tener un
buen conocimiento, no solo de las partes, sino tambin de las causas de destruccin de
las mismas.

12

3.1.- SEMICONDUCTORES.

3.1.1.- DIODOS.

Los diodos semiconductores de potencia juegan un papel significativo en los

circuitos electrnicos de potencia. Un diodo funciona como un interruptor, a fin de llevar
a cabo varias funciones como la de interruptores en los rectificadores, de marcha libre
en los reguladores conmutados, inversin de carga de capacitores y transferencia de
energa entre componentes, aislamiento de voltaje, retroalimentacin de la energa de
la carga a la fuente de energa y recuperacin de la energa atrapada.

Para la mayor parte de las aplicaciones, se puede suponer que los diodos de
potencia son interruptores ideales, pero los diodos prcticos o reales difieren de las
caractersticas ideales y tienen ciertas limitaciones. Los diodos de potencia son
similares a los diodos de seal de unin pn. Sin embargo, los diodos de potencia tienen
mayores capacidades en el manejo de la energa, el voltaje y la corriente, que los
diodos de seal ordinarios. La respuesta a la frecuencia (o velocidad de conmutacin)
es baja en comparacin con los diodos de seal.

CARACTERSTICAS GENERALES.
Un diodo de potencia es un dispositivo de unin pn de dos terminales, por lo
general, una unin pn esta formada por aleacin, difusin y crecimiento epitaxial. Las
tcnicas modernas de control en los procesos de difusin y epitaxial permiten obtener
las caractersticas deseadas para el dispositivo, en la figura 3.1 aparece un corte
transversal de una unin pn y un smbolo de diodo.

Cuando el potencial del nodo es positivo con respecto al ctodo, se dice que el
diodo tiene polarizacin directa o positiva y el diodo conduce. Un diodo en conduccin
tiene una cada de voltaje directa relativamente pequea a travs de si mismo; la

13

magnitud de esta cada de voltaje depende del proceso de manufactura y de la

temperatura de la unin.

Figura 3.1.- Unin pn y smbolo de diodo.

Cuando el potencial del ctodo es positivo con respecto al nodo, se dice que el
diodo tiene dolarizacin inversa. Bajo condiciones de polarizacin inversa, fluye una
pequea corriente inversa (tambin conocida como corriente de fuga) en el rango de los
micros o de los miliamperios, cuya magnitud crece lentamente en funcin del voltaje
inverso, hasta llegar al voltaje de avalancha o zener. En la figura 3.2a se muestran las
caractersticas v-i de un diodo en rgimen permanente. Para fines prcticos, un diodo
se puede considerar como un interruptor ideal, cuyas caractersticas se muestran en la
figura 3.2b.

Las caractersticas v-i mostradas en la figura 3.2a se pueden expresar mediante

una ecuacin conocida como la ecuacin de Schockley del diodo, y esta dada por,
VD

I D = IS (e

nVT

- 1)

Ecuacin

14

(3-1)

Donde:
ID = corriente a travs del diodo, A
VD = voltaje del diodo con el nodo positivo con respecto al ctodo, V
IS = corriente de fuga (o corriente de saturacin inversa), tpicamente en el rango
entre 10-6 y 10-15 A.
n = constante emprica conocida como coeficiente de emisin o factor de
idealidad, cuyo Valor vara de 1 a 2.

El coeficiente de emisin n depende del material y la construccin fsica del

diodo. En el caso de los diodos de germanio, n se considera igual a 1. En los diodos de
silicio, el valor predicho de n es 2, pero en la mayor parte de los diodos de silicio reales,
el valor de n cae entre 1.1 y 1.8. En la ecuacin (3-1), VT es una constante llamada
voltaje trmico y esta dada por

VT =

kT
q

Ecuacin

Figura 3.2.- Caractersticas v-i del diodo.

15

(3-2)

Donde:
q = carga del electrn: 1.6022x10-19 Culombios (C)
T = temperatura absoluta en Kelvin (K = 273 + C)
K = constante de Boltzmann: 1.3806x10-23 J/K

A una temperatura de unin de 25 C, la ecuacin (3-2) da

kT 1.3806 10- 23 (273 + 25)

VT =
=
25.8mV
q
1.6022 10- 19
A una temperatura especificada, la corriente de fuga IS es una constante para un
diodo dado. La caracterstica del diodo de la figura 2-2a se puede dividir en tres
regiones:

a) Regin de polarizacin directa, donde VD> 0

b) Regin de polarizacin inversa, donde VD< 0
c) Regin de ruptura, donde, VD < -VZK
a) Regin de polarizacin directa. En la regin de polarizacin directa, VD > 0.
La corriente del diodo ID es muy pequea si el voltaje del diodo VD es menor que un
valor especfico VTD (tpicamente 0.7 V). El diodo conduce totalmente si V D es mayor
que este valor VTD, que se conoce como el voltaje de umbral, voltaje de corte, o voltaje
de activacin. Por lo tanto, el voltaje de umbral es un voltaje al cual el diodo conduce
totalmente.

Consideremos un pequeo voltaje de diodo V D = 0.1 V, n = 1 y VT = 25.8 mV. De

la ecuacin (3-1) podemos encontrar que la corriente correspondiente al diodo I D es
VD

I D = IS (e

nVT

- 1) = IS e 0.1/(1 0.0258) - 1
= IS (48.23 - 1) = 48.23IS Con 2.1 % de error

16

Por lo tanto, para VD > 0.1 V, que es por lo general el caso, ID >>IS, y la ecuacin (3-1)
se puede aproximar, dentro de un error de 2.1 %, a

VD

ID = IS (e

nVT

VD

- 1) ISe

nVT

Ecuacin

(3-3)

b) Regin de polarizacin inversa. En la regin de polarizacin inversa, VD< 0.

si VD es negativo y VD>> VT, cosa que ocurre para VD < -0.1, el trmino de la
exponencial de la ecuacin (3-1) se vuelve despreciablemente pequeo en
comparacin con la unidad, y la corriente del diodo ID se vuelve

I D = IS (e

- VD

nVT

- 1) - IS

Ecuacin

(3-4)

Lo que indica que la corriente del diodo ID en la direccin inversa es constante y es igual
a IS.
c) Regin de ruptura. En la regin de ruptura, el voltaje inverso es alto, por lo
general mayor que 1000 V. la magnitud del voltaje inverso excede un voltaje
especificado conocido como voltaje de ruptura, VBR. La corriente inversa aumenta
rpidamente con un pequeo cambio en el voltaje inverso ms all de V BR. La
operacin en la regin de ruptura no ser destructiva, siempre y cuando la disipacin de
la potencia este dentro del nivel seguro especificado en la hoja de datos del fabricante.
A menudo es necesario limitar la corriente inversa en la regin de la ruptura, a fin de
mantener la disipacin de la energa dentro de valores permisibles.

CARACTERSTICAS DE LA RECUPERACION INVERSA.

La corriente de un diodo con polarizacin directa se debe al efecto neto de los
portadores mayoritarios y minoritarios. Cuando un diodo est en modo de conduccin
directa y su corriente se reduce a cero (debido al comportamiento natural del circuito del
diodo o a la aplicacin de un voltaje inverso), el diodo contina conduciendo, debido a

17

los portadores minoritarios que permanecen almacenados en la unin pn y en el

material del cuerpo del semiconductor. Los portadores minoritarios requieren de un
cierto tiempo para recombinarse con cargas opuestas y neutralizarse. Este tiempo se
conoce como tiempo de recuperacin inversa del diodo. En la figura 3.3 se muestran
dos caractersticas de recuperacin inversa de diodos de unin. El ms comn es el
tipo de recuperacin suave. El tiempo de recuperacin inversa se denomina t rr y se
mide a partir del cruce del cero inicial de la corriente del diodo con el 25 % de la
corriente inversa mxima (o de pico), IRR. trr esta formado por dos componentes, ta y tb.
ta esta generado por el almacenamiento de carga en la regin de agotamiento de la
unin y representa el tiempo entre el cruce por cero y la corriente inversa pico, I RR. tb es
debido al almacenamiento de carga en el material del cuerpo del semiconductor. La
relacin tb/ta se conoce como factor de suavidad, SF. Para efectos prcticos, uno debe
preocuparse por el tiempo total de recuperacin trr y por el valor pico de la corriente
inversa IRR.

t rr = t a + t b

Ecuacin

(3-5)

La corriente inversa pico se puede expresar en di/dt inversa como,

I RR = t a

di
dt

Ecuacin

(3-6)

El tiempo de recuperacin inversa trr, puede definirse como el intervalo de tiempo

entre el instante en que la corriente pasa a travs del cero, durante el cambio de la
conduccin directa a la condicin de bloqueo inverso, y el momento en que la corriente
inversa se ha reducido al 20 % de su valor inverso pico I RR, trr depende de la
temperatura de la unin, de la velocidad de abatimiento de la corriente directa y de la
corriente directa antes de la conmutacin.

La carga de recuperacin inversa QRR, es la cantidad de portadores de carga que

fluye a travs del diodo en direccin inversa debido a un cambio de la conduccin

18

directa a la condicin de bloqueo inverso. Su valor queda determinado por el rea

cerrada por la trayectoria de la corriente de recuperacin inversa. La carga de
almacenamiento, que es el rea envuelta por la trayectoria de la corriente de
recuperacin, es aproximadamente:

1
1
1
QRR @ I RRt a + I RRt b = I RRt rr
2
2
2

Ecuacin

(3-7)

Ecuacin

(3-8)

Ecuacin

(3-9)

O bien

I RR @

2QRR
t rr

Igualando la ecuacin (3-6) con la ecuacin (3-8) nos da

t rr t a =

2QRR
di
dt

Si t b es despreciable en comparacin con ta, que por lo general es el caso, trr ta, y la
ecuacin (3-9) se convierte en

tRR @

2QRR
di
dt

Ecuacin

(3-10)

Ecuacin

(3-11)

IRR = 2QRR

19

di
dt

Figura 3.3.- Caractersticas de recuperacin inversa.

Se puede notar de las ecuaciones (3-10) y (3-11), que el tiempo de recuperacin

inversa trr y la corriente de recuperacin inversa pico IRR dependen de la carga de
almacenamiento QRR y de di/dt inverso (o reaplicado). La carga de almacenamiento
depende de la corriente directa del diodo IF. La corriente de recuperacin inversa pico
IRR, la carga inversa QRR y el factor de suavidad son todos de inters para el diseador
de circuitos, y estos parmetros se incluyen en forma comn en las hojas de
especificacin de diodos.

Si un diodo esta en condicin de polarizacin inversa, fluye una corriente de fuga

debida a los portadores minoritarios. En este caso, la aplicacin de un voltaje directo
obligara al diodo a conducir la corriente en la direccin directa. Sin embargo, se
requiere de un cierto tiempo, conocido como el tiempo de recuperacin directa (o de
activacin), antes de que los portadores mayoritarios de toda la unin puedan contribuir
al flujo de corriente. Si la velocidad de elevacin de la corriente directa es alta, y la
corriente directa esta concentrada en una pequea superficie de la unin, el diodo
puede fallar. Por lo tanto, el tiempo de recuperacin directa limita la velocidad de
elevacin de la corriente directa y la velocidad de conmutacin.

20

3.1.1a.- TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA.

Idealmente, un diodo no debera de tener tiempo de recuperacin inversa. Sin
embargo, el costo de fabricacin de un diodo semejante aumentara. En muchas
aplicaciones, no son de importancia los efectos del tiempo de recuperacin inversa, y
se pueden utilizar diodos poco costosos. Las caractersticas y las limitaciones prcticas
de cada uno de estos restringen sus aplicaciones Por lo tanto dependiendo de las
caractersticas de recuperacin y de las tcnicas de fabricacin, los diodos de potencia
se pueden clasificar en tres categoras:

a) Diodos de uso general. Los diodos de rectificacin de uso general tienen un

tiempo de recuperacin inversa relativamente alto, tpicamente de 25 S, y se utilizan
en aplicaciones de baja velocidad, en las que el tiempo de recuperacin no es critico
(por ejemplo, en rectificadores de diodos y convertidores para una baja frecuencia de
entrada, de hasta 1 Khz., y en convertidores conmutados en lnea). Estos diodos cubren
especificaciones de corriente desde menos de uno hasta varios miles de amperios, con
especificaciones de voltaje desde 50 Volts hasta alrededor de 5 KV. Estos diodos
generalmente se fabrican por difusin. Sin embargo, los rectificadores de tipo de
aleacin usados en las fuentes de alimentacin para maquinas de soldadura son muy
econmicos y duraderos, cuyas especificaciones pueden llegar hasta 300 Amperios y
1000 Volts.

b) Diodos de recuperacin rpida. Los diodos de recuperacin rpida tienen

un tiempo de recuperacin bajo, por lo general menor que 5 S. se utilizan en circuitos
convertidores cd-cd y cd-ca, en los que la velocidad de recuperacin es a menudo de
importancia critica. Estos diodos cubren especificaciones de corriente, desde menos de
uno hasta cientos de amperios, con especificaciones de voltaje desde 50 Volts hasta
aproximadamente 3 KV.

21

Para especificaciones de voltaje por arriba de 400 Volts, los diodos de

recuperacin rpida por lo general se fabrican por difusin y el tiempo de recuperacin
es controlado por difusin de oro o platino. Para especificaciones de voltaje por debajo
de 400 Volts, los diodos epitaxiales proporcionan velocidades de conmutacin mayores
que la de los diodos de difusin. Los diodos epitaxiales tienen la base mas angosta, lo
que permite un rpido tiempo de recuperacin, tan bajo como 50 nS.

c) Diodos Schottky. En un diodo Schottky se puede eliminar (o minimizar) el

problema de almacenamiento de carga de una unin pn. Esto se lleva a cabo
estableciendo una barrera de potencial con un contacto entre un metal y un
semiconductor. Sobre una capa delgada epitaxial de silicio de tipo n se deposita una
capa de metal. La barrera de potencial simula el comportamiento de una unin pn. La
accin rectificadora solo depende de los portadores mayoritarios, y como resultado no
existen portadores minoritarios en exceso para recombinar. El efecto de recuperacin
se debe a la autocapacitancia de la unin semiconductora.

La carga recuperada de un diodo Schottky es mucho menor que la de un diodo

equivalente de unin pn. Dado que se debe solo a la capacitancia de la unin,
bsicamente es independiente de la di/dt inversa. Un diodo Schottky tiene una salida de
voltaje directa relativamente baja.

La corriente de fuga de un diodo Schottky es mayor que la de un diodo de unin

pn. Un diodo Schottky con un voltaje de conduccin relativamente bajo tiene una
corriente de fuga relativamente alta, y viceversa. Como resultado, su voltaje mximo
permisible esta por lo general limitado a 100 Volts. Las especificaciones de corriente de
los diodos Schottky varan de 1 a 300 amperios. Los diodos Schottky son ideales para
las fuentes de alimentacin de alta corriente y de bajo voltaje en corriente directa. Sin
embargo, tambin se utilizan en fuentes de alimentacin de baja corriente para una
eficiencia mayor.

22

3.1.2.- TRANSISTORES DE POTENCIA BJT.

Los transistores de potencia tienen caractersticas controladas de activacin y

desactivacin. Los transistores, que se utilizan como elementos conmutadores, se
operan en la regin de saturacin, lo que da como resultado en una cada de voltaje
bajo en estado activo. La velocidad de conmutacin de los transistores modernos es
mucho mayor que la de los tiristores, por lo que se utilizan en forma amplia en
convertidores de ca-cd y de cd-ca, con diodos conectados en paralelo inverso para
proporcionar un flujo de corriente bidireccional. Sin embargo, las especificaciones de
voltaje y de corriente son menores que las de los tiristores y por lo que, los transistores
se utilizan, por lo general, en aplicaciones de baja a media potencia. Los transistores de
potencia se pueden clasificar de manera general en cuatro categoras:

1.- Transistores bipolares de unin (BJT),

2.- Transistores semiconductores de metal oxido de efecto de campo (MOSFET),
3.- Transistores de induccin esttica (SIT),
4.- Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT).

A fin de comprender las tcnicas de conversin de potencia, los BJT o MOSFET,

SIT o IGBT, se pueden tratar como interruptores ideales. Un transistor interruptor es
mucho ms simple que un tiristor interruptor de conmutacin forzada. Sin embargo, en
los circuitos de convertidores no es obvia la eleccin entre un BJT y un MOSFET, ya
que cualquiera de ellos puede reemplazar a un tiristor, siempre que su especificacin
de voltaje y de corriente cumpla con los requisitos de salida del convertidor. Los
transistores reales difieren de los dispositivos ideales. Los transistores tienen ciertas
limitaciones estando restringidos a algunas aplicaciones. Las caractersticas y
especificaciones de cada uno de estos tipos debern examinarse para determinar su
adecuacin a una aplicacin particular.

23

CARACTERISTICAS EN REGIMEN PERMANENTE DE UN BJT.

Un transistor bipolar se forma aadiendo una segunda regin p o n a un diodo de
unin pn. Con dos regiones n y una regin p, se forman dos uniones conocindose
como un transistor NPN, ver figura 3.4a. Con dos regiones p y una regin n, se conoce
como un transistor PNP, ver figura 3.4b. Las tres terminales se llaman colector, emisor y
base. Un transistor bipolar tiene dos uniones, la unin colector-base (CBJ) y la unin
base-emisor (BEJ).

Figura 3.4.- Transistores bipolares.

A pesar de que hay tres configuraciones posibles, colector comn, base comn y
emisor comn, la configuracin de emisor comn de la figura 3.5a para un transistor
NPN, es la que generalmente se utiliza en aplicaciones de conmutacin. Las
caractersticas tpicas de entrada de la corriente de base, IB, contra el voltaje baseemisor, VBE, se muestran en la figura 3.5b. La figura 3.5c muestra las caractersticas
tpicas de salida de la corriente del colector, IC, en funcin del voltaje colector-emisor,
VCE. En el caso de un transistor PNP, las polaridades de todas las corrientes y voltajes
son inversas.

24

Figura 3.5.- Caractersticas de los transistores NPN.

Figura 3.5c.- Caractersticas de los transistores NPN.

En un transistor existen tres regiones de operacin: de corte, activa y activa de

saturacin. En la regin de corte, el transistor esta desactivado o la corriente de base
no es suficiente para activarlo teniendo ambas uniones polarizacin inversa. En la
regin activa, el transistor acta como un amplificador, donde la corriente del colector
queda amplificada mediante una ganancia y el voltaje colector-emisor disminuye con la
corriente de la base. La unin colectora base tiene polarizacin inversa, y la baseemisor polarizacin directa. En la regin de saturacin, la corriente de base es lo
25

suficientemente alta para que el voltaje colector-emisor sea bajo, y el transistor acta
como interruptor. Ambas uniones (CBJ y BEJ) tienen polarizacin directa. La
caracterstica de transferencia, que es una grafica de VCE en funcin de IB la podemos
observar en la figura 3.6.

Figura 3.6.- Caractersticas de transferencia.

En la figura 3.7 se muestra el modelo del transistor NPN bajo operacin de gran
seal en cd. La ecuacin que relaciona las corrientes es

IE = IC + I B

Ecuacin

(3-12)

La corriente de base es efectivamente la corriente de entrada y la corriente del

colector es la corriente de salida. La relacin entre la corriente del colector, IC, y la
corriente de base, IB, se conoce como ganancia de corriente b

26

 = hFE =

IC
IB

Ecuacin

(3-13)

La corriente del colector tiene dos componentes: una debida a la corriente de

base y otra debida a la corriente de fuga de la unin colector-base.

Donde ICEO es la corriente de fuga colector a emisor con la base en circuito abierto
debindose considerar despreciable en comparacin con IB. De las ecuaciones (3-12)
y (3-13),

I E = I B (1+ ) + ICEO

Ecuacin

(3-14)

I B (1+ )

Ecuacin

(3-15)

Ecuacin

(3-16)

Ecuacin

(3-17)

Ecuacin

(3-18)

1
+ 1
I E IC (1+ ) = IC

La corriente del colector se puede expresar como

IC IE
Donde la constante esta relacionada con mediante

+ 1

27

O bien

1-

Ecuacin

(3-19)

Figura 3.7.- Modelo de transistor NPN.

Si consideramos el circuito de la figura 3.5a, donde el transistor es operado como

interruptor, obtenemos lo siguiente

IB =

VC = VCE = VCC - IC RC = VCC -

VB - VBE
RB

RC
(V - VBE )
RB B

VCE = VCB + VBE

28

Ecuacin

(3-20)

Ecuacin

(3-21)

O bien

VCB = VCE - VBE

Ecuacin

(3-22)

La ecuacin (3-22) indica que siempre que VCE VBE, la unin CBJ tendr
polarizacin inversa y el transistor estar en regin activa. La corriente mxima del
colector en la regin activa, que se puede obtener al ajustar VCB = 0 y VBE = VCE, es

ICM =

VCC - VCE VCC - VBE

=
RC
RC

Ecuacin

(3-23)

Ecuacin

(3-24)

Y el valor correspondiente de la corriente de base

I BM =

ICM

Si la corriente de base se incrementa por arriba de IBM, tanto VBE como la corriente del
colector aumentaran y se reducir VCE por debajo de VBE. Esto continuara hasta que la
unin de CB quede con polarizacin directa con un VBC de aproximadamente de 0.4 a
0.5 Volts. El transistor entonces pasa a saturacin. La saturacin del transistor se
puede definir como el punto por arriba del cual cualquier incremento en la corriente de
base no aumenta significativamente la corriente del colector.

En saturacin, la corriente del colector se conserva prcticamente constante. Si

el voltaje de saturacin del colector-emisor es VCE (SAT), la corriente del colector es

ICS =

VCC - VCE (sat )

RC

Ecuacin

29

(3-25)

Y el valor correspondiente de la corriente de base es:

I BS =

ICS

Ecuacin

(3-26)

Normalmente, el circuito se disea de tal forma que IB sea mayor que IBS. La relacin
entre IB e IBS se conoce como el factor de sobreexcitacin, ODF.

ODF =

IB
I BS

Ecuacin

(3-27)

Y la relacin entre ICS e IB se conoce como la forzada, f, donde

bf =

ICS
IB

Ecuacin

(3-28)

Ecuacin

(3-29)

La perdida total de potencia en las dos uniones es

PT = VBE I B + VCE IC

Un valor alto de factor de sobrecarga no reducir significativamente el voltaje

colector-emisor. Sin embargo, VBE aumentara debido al incremento de la corriente de
base, resultando en una aumentada perdida de potencia en la unin base-emisor.

CARACTERISTICAS DE CONMUTACION.

Una unin pn con polarizacin directa exhibe dos capacitancias paralelas: una
capacitancia de la capa de agotamiento y una capacitancia de difusin. Por otra parte,
una unin pn con polarizacin inversa solo tiene una capacitancia de agotamiento. Bajo
condiciones de rgimen permanente, estas capacitancias no juegan ningn papel. Sin
embargo, en condiciones transitorias, influyen en el comportamiento de activacin y

30

desactivacin del transistor. En la figura 3.8 se muestra el modelo de un transistor bajo

condiciones transitorias, donde Ccb y Cbe son las capacitancias de las uniones CBJ y
BEJ, respectivamente. La transconductancia,

de un BJT se define como la relacin

entre IC y VBE. Estas capacitancias dependen de los voltajes de la unin y de la

construccin fsica del transistor. Ccb afecta en forma significativa la capacitancia de
entrada debida al efecto multiplicador de Miller, rce y rbe son las resistencias del colector
al emisor y de la base al emisor, respectivamente.

Figura 3.8.- Modelo transitorio del BJT.

Debido a las capacitancias internas, el transistor no se activa en forma

instantnea. En la figura 3.9, se ilustran las formas de onda y los tiempos de
conmutacin. Conforme el voltaje de entrada VB se eleva desde cero hasta V1 y la
corriente de base se eleva hasta IB1, la corriente del colector no responde de inmediato.
Existe un retraso, conocido como tiempo de retraso, td antes de que fluya cualquier
corriente de colector. Este retraso es necesario para cargar la capacitancia de la unin
31

BEJ al voltaje de polarizacin directa VEB (aproximadamente 0.7 Volts). Una vez pasado
este retraso, la corriente del colector se eleva al valor de rgimen permanente I CS. El
tiempo de elevacin, tr depende de la constante de tiempo determinada por la
capacitancia de la unin BEJ.

Figura 3.9.- Tiempos de conmutacin de un transistor bipolar.

La corriente de base normalmente es mayor a la requerida para saturar al

transistor. Como resultado, la carga excedente de portadores minoritarios queda
almacenada en la regin de la base. Mientras ms alto sea el factor de sobreexcitacin,
ODF, mayor ser la carga adicional almacenada en la base. Esta carga adicional, que
se conoce como carga de saturacin, es proporcional a la excitacin excedente de la
base y a la corriente correspondiente, Ie:

Ie = IB -

ICS
= ODF I BS - I BS = I BS (ODF - 1)

32

Ecuacin

(3-30)

Y la carga de saturacin esta dada por

Qs = sIe = sI BS (ODF - 1)

Ecuacin

(3-31)

Donde ts es conocida como la constante de tiempo de almacenamiento del transistor.

Cuando el voltaje de entrada se invierte de V1 hasta V2, y tambin la corriente
de base se modifica hasta IB2, durante un tiempo ts, conocido como tiempo de
almacenamiento, la corriente de colector no se modifica. ts es el tiempo que se requiere
para eliminar la carga de saturacin de la base. Dado que V BE es todava positivo, con
solo 0.7 Volts aproximadamente, la corriente de base invierte su direccin debido al
cambio en la polaridad de VB, desde V1 hasta V2. La corriente inversa, -IB2, ayuda a
descargar la base y a eliminar la carga adicional de la misma. Sin IB2, la carga de
saturacin tendra que ser totalmente eliminada mediante recombinacin, siendo el
tiempo de almacenamiento ms largo.

Una vez eliminada la carga adicional, la capacitancia de la unin BEJ se carga al

voltaje de entrada V2, y la corriente de base se abate hasta cero. El tiempo abatimiento
tf depende de la constante de tiempo, misma que esta determinada por la capacitancia
de la unin BEJ con polarizacin inversa.

La figura 3.10a muestra la carga adicional almacenada en la base de un

transistor saturado. Durante la desactivacin, esta carga adicional es eliminada primero
en el tiempo ts pasando el perfil de la carga a hasta c tal como se muestra en la figura
3.10b. Durante el tiempo de abatimiento, el perfil de la carga disminuye a partir del perfil
c hasta que todas las cargas han sido eliminadas.

33

Figura 3.10.- Almacenamiento de carga en transistores bipolares saturados.

El tiempo de activacin ton es la suma del tiempo de retraso td y el tiempo de

activacin tr:

ton = t d + t r
Y el tiempo de desactivacin toff es la suma del tiempo de almacenamiento ts y el tiempo
de abatimiento tf:

toff = t s + tf

LIMITES DE CONMUTACION.

a) Ruptura secundaria, SB. La ruptura secundaria (SB), que es un fenmeno

destructivo, resulta del flujo de corriente a una pequea porcin de la base, lo que
produce puntos calientes localizados. Si la energa en estos puntos calientes es
suficientemente grande, el calentamiento excesivo localizado puede daar el transistor.
Por lo tanto, la ruptura secundaria es causada por un sobrecalentamiento trmico,
resultado de concentraciones altas de corriente. La concentracin de corriente puede
ser causada por defectos en la estructura del transistor. La ruptura secundaria ocurre
en ciertas combinaciones de voltaje, corriente y tiempo. Dado que el tiempo esta
34

involucrado, la ruptura secundaria es bsicamente un fenmeno que depende de la

energa.

b) rea de operacin segura en polarizacin directa, FBSOA. Durante la

condicin activa y en operacin, la temperatura promedio de la unin y la ruptura
secundaria limitan la capacidad de manejo de potencia de un transistor. Los fabricantes
normalmente proporcionan curvas FBSOA bajo condiciones de prueba especificadas.
Las FBSOA indican los lmites de IC-VCE del transistor; para una operacin confiable del
mismo el transistor no debe ser sujeto a una disipacin de potencia mayor que la que
se muestra en la curva FBSOA.

c) rea de operacin segura en polarizacin inversa, RBSOA. Durante la

desactivacin, el transistor debe soportar una corriente y un voltaje altos, en la mayor
parte de los casos con una unin base a emisor con polarizacin inversa. El voltaje
colector-emisor debe mantenerse a un nivel seguro o por debajo de un valor
especificado de la corriente del colector.

d) Decaimiento de potencia. El circuito trmico equivalente aparece en la figura

3.11, si la prdida de potencia promedio total es PT, la temperatura de la cubierta es

TC = TJ - PT RJC
La temperatura del disipador de calor es

TS = TC - PT RCS
La temperatura ambiente es

TA = TS - PT RSA
Y
35

TJ - TA = PT (RJC + RCS + RSA )

Ecuacin

(3-32)

Figura 3.11.- Circuito trmico equivalente de un transistor.

Donde:
RJC = la resistencia trmica de la unin a la cubierta, C/W
RCS = la resistencia trmica de la cubierta al disipador trmico, C/W
RSA = la resistencia trmica del disipador trmico al ambiente, C/W
Por lo general, la disipacin mxima de potencia P T se especifica en TC = 25 C.
Si la temperatura ambiente es aumentada a T A = TJ (mx.) = 150 C, el transistor puede
disipar una potencia cero. Por otra parte, si la temperatura de la unin es T C = 0 C, el
dispositivo puede disipar la potencia mxima resultando esto impractico. Por lo tanto, al
interpretar las especificaciones de los dispositivos debern considerarse tanto la
temperatura ambiente como las resistencias trmicas. Los fabricantes publican tanto
curvas para el decaimiento trmico como para la ruptura secundaria.

e) Voltaje de ruptura. Un voltaje de ruptura se define como el voltaje mximo

absoluto entre dos terminales, con la tercera terminal abierta, en corto circuito o

36

polarizada, ya sea directa o inversamente. En la ruptura el voltaje se conserva

relativamente constante, en tanto que la corriente se eleva con rapidez. Los fabricantes
citan los siguientes voltajes de ruptura:

1. VEBO: voltaje mximo entre las terminales del emisor y de la base, con
la terminal del colector en circuito abierto.

2. VCEV o VCEX: voltaje mximo entre las terminales del colector y del
emisor, a un voltaje negativo especificado aplicado entre base y
emisor.

3. VCEO (sus): voltaje mximo entre las terminales del colector y del emisor,
con la base en circuito abierto. Esta especificacin se fija a los valores
mximos

de

corriente

voltaje

del

colector,

apareciendo

simultneamente a travs del dispositivo con un valor especifico de la

inductancia de la carga.

CONTROL DE EXCITACIN DE LA BASE.

La velocidad de conmutacin se puede aumentar reduciendo el tiempo de
activacin ton y el tiempo de desactivacin toff. Se puede reducir ton permitiendo el pico
de corriente de base durante la activacin, resultando en el principio una ( F) forzada
baja. Despus de la activacin, se puede incrementar F a un valor lo suficientemente
alto como para mantener el transistor en la regin de casi saturacin, se puede reducir
invirtiendo la corriente de base y permitiendo que durante la desactivacin la corriente
de base llegue a valor pico. Aumentar el valor de la corriente de base inversa IB2 reduce
el tiempo de almacenamiento. En la figura 3.12 aparece una forma de onda tpica para
la corriente de base.

37

Adems de una forma fija de la corriente de base como en la figura 3.12, la

forzada se puede controlar en forma continua para hacer coincidir las variaciones de
corriente del colector.

Las tcnicas comnmente utilizadas para optimizar la activacin de la base de

un transistor son:

a) Control de activacin,
b) Control de desactivacin,
c) Control proporcional de la base,
d) Control de antisaturacin.

Figura 3.12.- Forma de onda de la corriente de excitacin de la base.

a) Control de activacin. El pico de la corriente de base se puede obtener

mediante el circuito de la figura 3.13. Cuando el voltaje de entrada se conecta, la
corriente de la base queda limitada por la resistencia R1, el valor inicial de la corriente
de base es:

38

IB 0 =

V1 - VBE
R1

Ecuacin

(3-33)

Ecuacin

(3-34)

Ecuacin

(3-35)

Y el valor final de la corriente de base es

IB1 =

V1 - VBE
R1 + R2

El capacitor C1 se carga a un valor final de

VC @V1

R2
R1 + R2

La corriente de tiempo de carga del capacitor es aproximadamente

1 =

R1R2C1
R1 + R2

Ecuacin

(3-36)

Una vez que el voltaje de entrada VB se hace cero, la unin base-emisor tiene
polarizacin inversa y C1 se descarga a travs de R2. La constante de tiempo de
descarga es t2 = R2C1. Para permitir suficientes tiempos de carga y de descarga, el
ancho de pulso de base debe ser t1 5t1 y el periodo de desactivacin del pulso debe
ser t2 5t2. La frecuencia mxima de conmutacin es: fs = 1/T = 1/(t1 + t2) = 0.2/(t1 +
t2).

b) Control de desactivacin. Si durante la desactivacin el voltaje de entrada

de la figura 3.13 se cambia a V2, el voltaje del capacitor VC en la ecuacin (3-35) se
suma a V2 a travs del transistor como un voltaje inverso. Habr un pico de corriente de
base durante la desactivacin. Conforme el capacitor C1 se descarga, el voltaje inverso
se reducir a un valor de rgimen permanente, V2. Si se requieren de diferentes
caractersticas de activacin y desactivacin, se puede aadir un circuito de

39

desactivacin (utilizando a C2, R3 y R4) tal y como se muestra en la figura 3.14. Durante
la desactivacin, el diodo D1 asla el circuito de excitacin directa de la base, del circuito
de excitacin inversa de la base.

Figura 3.13.- Pico de corriente de base durante la activacin.

Figura 3.14.- Pico de corriente de base durante la activacin y la desactivacin.

40

c) Control proporcional de la base. Este tipo de control tiene ventajas sobre el

circuito de excitacin constante. Si la corriente del colector cambia debido a cambios en
la demanda de la carga, la corriente de excitacin de la base cambia en proporcin a la
corriente del colector. Una disposicin aparece en la figura 3.15. Cuando el interruptor
S1 se activa, fluye un pulso de corriente de corta duracin a travs de la base del
transistor Q1; y se activara hasta la saturacin. Una vez que la corriente del colector
empieza a fluir, se induce una corriente de base debido a la accin del transformador.

El transistor se enganchara a si mismo, y S1 puede desactivarse. La relacin de

vueltas es N2/N1 = IC/IB =. Para la correcta operacin del circuito, la corriente
magnetizante, que ser mucho menor que la corriente del colector, debe ser lo mas
pequea posible. El interruptor S1 se puede implementar mediante un transistor de
pequea seal, y durante el periodo de desactivacin del transistor de potencia se
requerir de un circuito adicional para descargar el capacitor C 1 y para volver a
restablecer el ncleo del transformador.

Figura 3.15.- Circuito de excitacin proporcional de la base.

41

d) Control de antisaturacin. Si el transistor es operado severamente, el tiempo

de almacenamiento, que es proporcional a la corriente de base, aumenta y se reduce la
velocidad de conmutacin. El tiempo de almacenamiento puede ser reducido operando
el transistor en una saturacin suave, en vez de una saturacin dura. Esto se puede
llevar a cabo fijando el voltaje de colector-emisor a un nivel predeterminado. La
corriente de colector esta dada por:

IC =

VCC - VCM
RC

Ecuacin

(3-37)

Donde VCM es el voltaje de fijacin y VCM > VCE (sat). En la figura 3.16 se muestra un
circuito con accin de fijacin (tambin conocido como fijador Baker)
.

Figura 3.16.- Circuito de fijacin del colector.

La corriente de base sin fijacin, que es adecuada para excitar severamente al

transistor, se puede determinar a partir de

42

I B = I1 =

VB - VD1 - VBE
RB

Ecuacin

(3-38)

Ecuacin

(3-39)

Y la correspondiente corriente del colector es

IC = I B

Despus de que la corriente del colector se eleva, el transistor se activa, y la

fijacin ocurre (debido al hecho de que D2 recibe polarizacin directa y conduce),
entonces

VCE = VBE + VD1 - VD 2

Ecuacin

(3-40)

Ecuacin

(3-41)

Ecuacin

(3-42)

La corriente de carga es

IL =

VCC - VCE VCC - VBE - VD1 + VD 2

=
RC
RC

Y la corriente del colector con fijacin es

IC = I B = (I1 - IC + I L )

(I + I )
1+ 1 L

Para la fijacin, VD1 > VD2 esto se puede obtener conectando dos o mas diodos en vez
de D1. La resistencia de la carga RC deber satisfacer la condicin

bI B > I L

43

De la ecuacin (3-41).

I B RC > (VCC - VBE - VD1 + VD 2 )

Ecuacin

(3-43)

La accin de fijacin da como resultado una corriente del colector ms reducida y la

eliminacin prcticamente total del tiempo de almacenamiento. Adems, en forma
simultanea, se obtiene una activacin rpida. Sin embargo, en razn de un VCE
incrementado, la disipacin de la potencia en estado activo del transistor aumenta, en
tanto que la prdida de potencia por conmutacin se reduce.

3.1.3.- MOSFET DE POTENCIA.

Son dispositivos controlados por voltaje, y solo requieren de una pequea
corriente de compuerta. Tienen velocidades de conmutacin muy altas, siendo estas del
orden de nanosegundos. Estos dispositivos encuentran gran aplicacin en los
convertidores de alta frecuencia y baja potencia. Un MOSFET no tiene los problemas
que un BJT con el fenmeno de ruptura secundaria, sin embargo, tienen problemas con
las descargas electrostticas. Adems, es difcil protegerlos bajo condiciones de falla
por corto circuito.

1) Un MOSFET tipo de agotamiento de canal n: se forma en un substrato de

silicio de tipo p con dos silicios de tipo n fuertemente dopados para tener conexiones de
baja resistencia. La compuerta esta aislada del canal mediante una delgada capa de
oxido. Tiene tres terminales conocidos como compuerta (G), drenaje (D) y fuente (S). El
substrato se conecta normalmente a la fuente. El voltaje de compuerta a fuente V GS,
puede ser positivo o negativo. Si VGS es negativo, algunos de los electrones del canal n
sern repelidos y se creara una regin de agotamiento por debajo de la capa de oxido,
que resultara en un canal efectivo mas angosto y en una alta resistencia de drenaje a
fuente RDS. Si VGS se hace suficientemente negativo, el canal se agotara totalmente,
ofreciendo un alto valor RDS y no habr flujo de corriente de drenaje a fuente IDS=0.

44

Cuando esto ocurre, el valor de VGS se conoce como voltaje de estrechamiento Vp. Por
otra parte, si VGS se hace positivo, el canal se ensancha e I DS aumenta debido a la
reduccin en RDS.
Con un MOSFET tipo agotamiento de canal p, se invierten las polaridades de
VDS, IDS y VGS. En la figura 3.17 se muestran la estructura bsica y el smbolo de un
MOSFET tipo agotamiento de canal n y canal p.

ID
ID
RD
D
G
+

Canal n
VGS

Sustrato tipo p

N+

Sustrato metlico

Compuerta
de metal

N+

RD

D
+

VDD

VDD

S
VGS

ID

Fuente de oxido

Smbolo

Estructura bsica

a) MOSFET tipo agotamiento de canal n

ID

Canal p
VGS

Sustrato tipo n

P+

P+

Estructura bsica

ID

S
u
s
t
r
a
t
o
m
e
t

l
i
c
o

RD

VDD

VDD

+
VGS

ID

RD

Smbolo

b) MOSFET tipo agotamiento de canal p

Figura 3.17.- Estructura bsica y el smbolo de un MOSFET tipo agotamiento de canal n y canal p.

45

2) Un MOSFET tipo de enriquecimiento de canal n, no tiene canal fsico. Si

VGS es positivo, un voltaje inducido atraer los electrones del substrato p, y los
acumulara en la superficie por debajo de la capa de oxido. Si VGS es mayor que o igual
a un valor conocido como voltaje de umbral VT, se acumulara un nmero suficiente de
electrones para formar un canal virtual n y la corriente fluir del drenaje (D) a la fuente
(S).
Si se trata de un MOSFET tipo enriquecimiento de canal p, las polaridades de
VDS, IDS y VGS se invierten. En la figura 3.18 se muestran la estructura bsica y el
smbolo de un MOSFET tipo enriquecimiento de canal n y canal p.

ID
ID
RD
D
Sustrato tipo p

N+
G

+
VGS
-

Sustrato metlico

Compuerta
de metal

N+

RD

D
+

VDD

VDD

S
VGS

ID

Fuente de oxido

Smbolo

Estructura bsica

a) MOSFET tipo enriquecimiento de canal n

ID

VGS

Sustrato tipo n

P+

P+

Estructura bsica

ID

S
u
s
t
r
a
t
o
m
e
t

l
i
c
o

RD

VDD

VDD

+
VGS

ID

RD

Smbolo

b) MOSFET tipo enriquecimiento de canal p

Figura 3.18.- Estructura bsica y el smbolo de un MOSFET tipo enriquecimiento de canal n y canal p.

46

CARACTERISTICAS DE REGIMEN PERMANENTE.

Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje por lo que tienen una
impedancia de entrada muy alta. La compuerta utiliza una corriente de fuga muy
pequea, del orden de los nanoamperes. La ganancia de corriente, que es la relacin
entre la corriente de drenaje, ID y la corriente de entrada de la compuerta, IG, es
tpicamente del orden de 109, sin embargo, la ganancia de corriente no es un parmetro
de importancia. La transconductancia, que es la relacin de la corriente de drenaje al
voltaje de la compuerta, define las caractersticas de transferencia, siendo este un
parmetro muy importante.

Existen tres regiones de operacin:

1. Regin de corte, donde VGS es menor o igual que el voltaje de umbral, VT;
2. Regin de estrechamiento, donde VDS es menor o igual que VGS VT y
3. Regin lineal, donde VDS es igual VGS - VT.
En la regin lineal la corriente de drenaje ID varia en proporcin al voltaje
drenaje-fuente, VDS. En la figura 3.19 se muestran las caractersticas de transferencia y
de salida de un MOSFET.

Debido a la alta corriente de drenaje y al bajo voltaje de drenaje, los MOSFET de

potencia se operan en la regin lineal para acciones de conmutacin. En la regin de
saturacin, la corriente de drenaje se conserva prcticamente constante para cualquier
incremento en el valor de VDS, y los transistores se utilizan en esta regin para la
amplificacin de voltaje.

47

Figura 3.19.- Caractersticas de transferencia y de salida de un MOSFET.

48

El modelo en rgimen permanente, que es el mismo, tanto para el MOSFET de

agotamiento como para el tipo enriquecimiento, aparece en la figura 3.20. La
transconductancia, gm, se define como:

gm =

DID
D VGS V

Ecuacin

(3-44)

Ecuacin

(3-45)

DS = cons tante

Donde VDS igual a constante.

La resistencia de salida ro = RDS, que se define como:

RDS =

D VDS
DID

Es normalmente muy alta en la regin de estrechamiento, tpicamente del orden de los

megaohms y muy pequea en la regin lineal, tpicamente del orden de los miliohms.

Figura 3.20.- Modelo de conmutacin en rgimen permanente de un MOSFET

49

Para los MOSFET de tipo agotamiento, el voltaje de compuerta puede ser

positivo o negativo. Pero los MOSFET de tipo enriquecimiento solo responden a
voltajes positivos de compuerta. Los MOSFET de potencia son generalmente de tipo
enriquecimiento. Sin embargo, los de tipo agotamiento podran ser ventajosos y
simplificar el diseo lgico en algunas aplicaciones que requieren de algn tipo de
interruptor de ca o cd compatible con la lgica, y que se mantenga activo cuando el
suministro lgico caiga y VGS se haga cero.

CARACTERISTICAS DE CONMUTACION.
Sin seal de compuerta, un MOSFET tipo enriquecimiento puede considerarse
como dos diodos conectados espalda con espalda o como un transistor npn. La
estructura de la compuerta tiene capacitancias parsitas con la fuente, C gs, y con el
drenaje, Cgd. El transistor npn tiene una unin de polarizacin inversa del drenaje a la
fuente y ofrece una capacitancia Cds. En la figura 3.21a se muestra el circuito
equivalente del transistor bipolar parsito en paralelo con un MOSFET. La regin base
emisor de un transistor npn se pone en corto circuito en el chip, metalizando la terminal
de la fuente y la resistencia de la base al emisor, debido a que la resistencia del
material de las regiones p y n, Rbe es pequea. Por consiguiente, un MOSFET se puede
considerar como si tuviera un diodo interno, el circuito equivalente se muestra en la
figura 3.21b. Las capacitancias parsitas dependen de sus voltajes respectivos y sus
efectos no se analizaran en detalle.

50

Figura 3.21.- Modelo de MOSFET de tipo enriquecimiento que incluye efectos parsitos.

El modelo de conmutacin de los MOSFET se muestra en la figura 3.22a y las

formas de onda y sus periodos de tiempo de conmutacin tpicos en la figura 3.22b. El
retraso de la activacin td

(on)

es el tiempo requerido para cargar la capacitancia de

entrada hasta el nivel de entrada de umbral.

El tiempo de elevacin tr es el tiempo de carga de la compuerta desde el nivel de

umbral hasta el voltaje completo de la compuerta VGSP, mismo que se requiere para
excitar el transistor a la regin lineal. El tiempo de retraso en la desactivacin, td (off), es
el tiempo requerido para que la capacitancia de entrada se descargue desde el voltaje
en sobrexcitacin de la compuerta V1 hasta la regin de estrechamiento. VGS debe
reducirse en forma significativa antes de que VDS empiece a elevarse.
El tiempo de abatimiento tf es el tiempo que se requiere para que se descargue la
capacitancia de entrada desde la regin de estrechamiento hasta el voltaje de umbral.
Si VGS es menor o igual a VT, el transistor se desactiva.

51

a) Modelo de conmutacin del MOSFET.

b) Formas de onda y tiempos de conmutacin.

Figura 3.22.- Caractersticas de conmutacin de un MOSFET.

52

METODO DE EXCITACIN DE LA COMPUERTA.

El tiempo de activacin de un MOSFET depende del tiempo de carga de la
capacitancia de entrada o de compuerta. El tiempo de activacin se puede reducir
conectando un circuito RC, para cargar ms rpido la capacitancia de entrada. Cuando
se conecta el voltaje de compuerta, la corriente de carga inicial de la capacitancia es:

IG =

VG
RS

Ecuacin

(3-46)

Ecuacin

(3-47)

Y el valor en rgimen permanente del voltaje de compuerta es:

VGS =

RGVG
RS + R1 + R G

Donde RS es la resistencia interna de la fuente de excitacin de la compuerta. En la

figura 3.23 se muestra el circuito de aceleracin de la activacin de compuerta.

Figura 3.23.- Circuito de aceleracin de activacin de compuerta.

53

A fin de obtener velocidades de conmutacin del orden de los 100 nanosegundos

o menos, el circuito de excitacin de compuerta debe tener una baja impedancia de
salida y la capacidad de manejar corrientes relativamente grandes.

Existen en el mercado gran variedad de circuitos excitadores integrados,

diseados para manejar transistores, y que son capaces de proveer o absorber
corrientes grandes para la mayor parte de los convertidores.

3.1.4.- CIRCUITOS INTEGRADOS DE CONTROL (PWM).

Existen en el mercado una gran variedad de circuitos integrados que permiten la

implementacin de funciones de alto nivel dentro de una fuente de poder conmutada.
La seleccin del mejor circuito integrado de control debe ser hecha despus de que el
ingeniero diseador conoce los requerimientos funcionales que se esperan del sistema.
Aunque los circuitos integrados de control PWM tengan diagramas de bloque muy
diferentes, ellos tendrn ciertas funciones de circuito comunes, que incluyen:

1.- Un oscilador que establezca la frecuencia de operacin bsica de la fuente y

que genere una forma de onda diente de sierra (rampa) para usarla en la conversin de
voltaje a un ancho de pulso (PWM).

2.- Drivers de salida que suministren suficiente corriente para aplicaciones donde
se manejen, baja, media y alta potencia.

3.- Un voltaje de referencia que suministre una referencia global ideal en la

fuente de poder, con la cual se comparen los voltajes de salida. Y que tambin provea
un voltaje estable para otras funciones de control.

4.- Un amplificador de voltaje de error de alta ganancia que realice la

comparacin entre los voltajes de salida y la referencia estable.

54

5.- Un conversor del voltaje de error en ancho de pulso, que establezca el ciclo
de trabajo; en respuesta al nivel del voltaje de error en la salida del amplificador de
voltaje de error.

Estos son los bloques funcionales bsicos que forman un circuito de control PWM.

Otras funciones de alto nivel que pueden estar incluidas y que usualmente se
necesitan para proveer mayor funcionalidad a una fuente de poder conmutada, son:

1.- Un amplificador de sobrecorriente, que proteja a la fuente de condiciones

anormales de sobrecorriente en la carga.

2.- Un circuito de encendido suave (soft-start), que como su nombre lo indica,

permite que la fuente encienda de manera suave, reduciendo las altas corrientes
exhibidas por toda fuente que utilice tcnicas de conmutacin durante la fase de
encendido.

3.- un control de tiempos muertos que ajuste el mximo ancho de pulso que el
circuito integrado de control pueda generar, as se prevendr la ocurrencia de
conduccin simultnea de dos transistores de potencia o ciclos de trabajo del cien por
ciento.

4.- Apagado por bajo voltaje, para prevenir que la fuente se encienda cuando hay
insuficiente voltaje dentro del circuito de control para llevar los conmutadores de
potencia a saturacin.

Primero para elegir un integrado PWM de control, se debe primero determinar la

topologa de la fuente que resulte ms adecuada para las necesidades de la aplicacin.
Esto nos dar una idea de los requerimientos o tipo de control que se necesita, el cual
puede ser o un single-ended o un doble-ended. Los controladores single-ended son los
usados en las fuentes que requieren de un solo transistor de conmutacin de potencia

55

para implementar el diseo. Estos son usados en todas las topologas que no tienen
aislamiento por transformador y en la topologa de Flyback; estos integrados tienen solo
un driver de salida.

Los circuitos integrados PWM double-ended son esos que tienen dos Drivers de
salida que podran ser aplicados para las topologas Push-Pull, medio puente y puente
completo. Estos circuitos integrados incluyen una caracterstica adicional llamada
double-pulse lockout, lo cual asegura que el mismo transistor de potencia no encienda
consecutivamente, lo cual causara saturacin del transformador.

Un segundo factor es cual tipo de transistor de potencia ser usado dentro de la

fuente. Algunos circuitos integrados PWM tienen transistores simples como sus Drivers
de salida. Estos son ms apropiados para manejar transistores de potencia bipolares.
Casi siempre es necesario agregar Drivers externos para ayudar a proveer suficiente
corriente a los transistores de potencia.

Para MOSFETs de potencia, los circuitos integrados con Drivers en configuracin

Ttem-Pole son la mejor eleccin. Estos Drivers de salida son ideales para alimentar y
absorber los grandes picos de corriente que se necesitan para manejar las cargas
capacitivas en la compuerta de los MOSFETs. Aunque cualquier integrado de control
puede manejar cualquier tipo de transistor de potencia, la eleccin del integrado
apropiado redundara en un mnimo de componentes externos adicionales para
implementar el driver.
Los circuitos integrados se dividen en dos grandes familias, segn el tipo de
control que utilicen, para regular la tensin de salida: Modo voltaje, ver figura 3.24 o
modo corriente, ver figura 3.25.

56

1.- CONTROL EN MODO VOLTAJE.

En los reguladores controlados por la tensin, la salida de la fuente es
comparada con una tensin de referencia interna. La salida de este comparador se
aplica a un convertidor de duracin, el cual recibe por la otra entrada, una seal de
diente de sierra del oscilador. El resultado es que se obtiene una onda cuadrada con el
ancho de pulso variable (PWM), regulando de esta forma las variaciones de tensin de
salida.

Figura 3.24.- Control en modo voltaje.

57

2.- CONTROL EN MODO CORRIENTE.

Por otro lado estn los controladores por intensidad. Aunque la teora bsica
sigue siendo la misma (PWM), los reguladores en corriente se diferencian de los
anteriores, en que la seal de diente sierra interna ha sido eliminada. En su lugar,
usamos como control el incremento gradual de la corriente inductiva (tipo rampa), que
se circula por el transformador. Regulacin en corriente tiene la ventaja de regular pulso
a pulso, cualquier pequeo cortocircuito o sobrecarga es detectado y el circuito
responde de forma instantnea evitando posibles daos a los elementos de potencia.

Figura 3.25.- Control en modo corriente.

58

El circuito integrado (CI) que vamos a utilizar como ejemplo para este trabajo es
el circuito integrado PWM SG3524, ver figura 3.26. Este controlador puede ser usado
para aplicaciones en modo tensin o en modo corriente, este circuito integrado contiene
en su interior todo lo necesario para construir una fuente del tipo Push-Pull.

Figura 3.26.- Diagrama de bloques de circuito integrado PWM SG3524.

59

3.2.- ELEMENTOS PASIVOS.

Los elementos pasivos, son aquellos, que al circular corriente producen una
diferencia de potencial entre sus bornes y disipan potencia en forma de calor
(consumen energa). Tambin puede entenderse como todo aquel dispositivo que solo
absorbe o libera energa, sin producir cambios en las caractersticas de la misma. Un
ejemplo de elemento pasivo seria el resistor y las fuentes de corriente y voltaje serian
elementos activos. Los capacitores e inductores suelen estar dentro de estas dos
categoras ya que adsorben energa cuando se cargan y as mismo suministran
energa cuando se descargan. Su respuesta elctrica ante los efectos de la
temperatura y la frecuencia, no sern mostradas, ya que, estas se pueden ver en los
manuales de fabricantes.

3.2.1.- RESISTORES.

En electricidad y electrnica existe la necesidad de materiales con valores

especficos en el rango entre lo que es un conductor o un aislador. Estos materiales son
llamados resistores. Los resistores pueden ser clasificados como fijos o variables, los
resistores variables son conocidos como potencimetros. Pueden ser clasificados
tambin como lineales a no lineales, en un resistor lineal cuando el voltaje varia, la
corriente tambin variara en un valor proporcional. En un resistor no lineal, el
comportamiento es tal que si el voltaje varia el cambio de la corriente no es proporcional
al cambio de voltaje y son utilizados en aplicaciones especiales.

La resistencia de cualquier material esta dada de forma general por la siguiente

expresin:

R= r

L
A

60

Ecuacin

(3-48)

Donde:
R = es la resistencia en ohms.

r = es la resistividad del material en ohms/cm.

L = es la longitud del material en cm.
A = es el rea del material en cm2.

La relacin entre la corriente y el voltaje en un resistor, esta dada por la Ley de Ohm.

I=

V
R

Ecuacin

(3-49)

Donde:
V = voltaje a travs del resistor, en volts.
I = corriente que fluye a travs del resistor, en amperes.

La potencia disipada por un resistor puede ser expresada por cualquiera de las
siguientes expresiones:

P = VI = I 2R =

V2
R

Ecuacin

(3-50)

Los parmetros y trminos que definen las caractersticas de los resistores fijos
y variables son descritas por curvas tpicas que muestran la variacin en la resistencia
con la temperatura, adems, de otras cantidades de inters que es necesario conocer
en el diseo de una fuente de poder. Estas sern explicadas en forma breve.

a) Coeficiente de temperatura de la resistencia (TCR). El coeficiente de

temperatura indica cuanto cambia la resistencia con la temperatura. Es expresado
como un porcentaje de cambio en el valor nominal de la resistencia a 25 C por cada
grado Celsius o en partes por milln por grado centgrado (ppm/C). El TCR puede ser

61

positivo o negativo. Curvas tpicas muestran la variacin de la resistencia con la

temperatura.

b) Rango de potencia. Es la mxima potencia que un resistor puede disipar de

manera continua a una temperatura tan alta como 70C, para temperaturas mas all de
70 C, el rango de potencia se reduce.

c) Rango de voltaje de trabajo continuo. Es el mximo voltaje que se puede

aplicar de forma segura a un resistor.

d) Resistencia critica. La resistencia critica Rc, es el valor de resistencia donde

ambos el voltaje mximo y el rango de potencia ocurren simultneamente.

e) Ruido. Debido a la estructura molecular del material, los electrones en un

material exhiben un movimiento aleatorio. Como resultado, voltajes aleatorios son
producidos, los cuales son referidos como ruido. El ruido se incrementa con el
incremento en el valor de la resistencia, la temperatura de operacin y el ancho de
banda del circuito al cual el resistor esta conectado.

f) Efectos de la frecuencia. Un modelo de un resistor operando en altas

frecuencias, se comporta como si tuviera un inductor en serie con la resistencia y un
capacitor en paralelo a travs de la resistencia y el inductor. La inductancia y la
capacitancia son debido al tipo de construccin y a la conexin de las terminales del
resistor. La capacitancia y la inductancia son elementos indeseables y los efectos de su
presencia son considerados como parsitos.

g) Estabilidad en el tiempo. Esta caracterstica, se refiere al cambio del valor

de la resistencia sobre un intervalo de tiempo de uso. Los resistores con un valor alto
de resistencia exhiben mas estabilidad que los de valor bajo.

62

h) Fineza. La fineza de un potencimetro se refiere a la variacin de su

resistencia como una funcin de la rotacin de la escobilla o brazo deslizador.

i) Resolucin. La resolucin de un potencimetro se refiere a los pequeos

cambios en resistencia que pueden ser realizados cuando la escobilla o brazo
deslizador es rotado.

j) Resistencia final. Es la resistencia entre la escobilla y las terminales, con la

escobilla posicionada en el punto final correspondiente.

k) Resistencia de contacto. Es la resistencia entre la terminal de la escobilla y

el elemento resistivo en contacto con la escobilla.

l) Corriente en la escobilla. Es la mxima corriente que puede fluir dentro o

fuera de la terminal del brazo deslizador.

m) Estabilidad. Este parmetro indica la repetitividad de un valor de resistencia

puesto en un potencimetro.

3.2.2.- CAPACITORES.

Los capacitores son los elementos pasivos mas ampliamente utilizados en

circuitos. Ellos estn disponibles como elementos de valor fijo o variable con
capacitancias desde unos pocos picofaradios hasta miles de microfaradios. Para
obtener caractersticas nicas, una amplia variedad de materiales son usados para su
construccin.

63

Las aplicaciones de los capacitores pueden ser ampliamente categorizadas

como sigue:

1.- Bloqueo de corriente directa. Un capacitor no puede conducir la corriente

directa.

2.- Acoplamiento de seales de un circuito o un sistema a otro.

3.- Como Bypass de un resistor para permitir el flujo de la corriente alterna.

4.- Como filtro.

5.- Para sintonizado de frecuencias.

6.- Generacin de ondas no senoidales, tal como una forma de onda de diente
de sierra.

7.- Almacenamiento de energa, un capacitor se puede utilizar para almacenar

suficiente carga para disparar, por ejemplo un flash o un lser.

El arreglo bsico de un capacitor consiste de dos placas metlicas llamadas

electrodos, separados por un aislador, tambin llamado dielctrico. La capacitancia de
un capacitor de placas paralelas, es directamente proporcional a la constante dielctrica
relativa del aislador y al rea de las placas paralelas e inversamente proporcionales a la
distancia entre ellas. La capacitancia ser mayor, si la separacin entre las placas es
menor y viceversa. Este hecho es convenientemente expresado por la siguiente
formula:

C=

k eo A
d

Ecuacin

64

(3-51)

Donde:
C = es la capacitancia en faradios.
eo = es la constante de permitividad del espacio libre y es igual a
8.85 x 10-12 faradios/metro.
k = constante dielctrica relativa del aislador.
A = rea entre las placas, en m2.
d = distancia entre las placas, m.

Tambin, se ve en la formula que la capacitancia puede ser incrementada

aumentando el rea de las placas o variando la constante dielctrica.

Carga y energa. La carga Q en coulombs almacenada en un capacitor, es igual,

al producto de la capacitancia C en farads y el voltaje V en volts a travs del capacitor.
Es expresado en la siguiente formula:

Q = C V

Ecuacin

(3-52)

De la Ecuacin anterior podemos ver, que para almacenar una carga dada, es
necesario un voltaje mayor para un capacitor pequeo y menos voltaje para un
capacitor grande. El mximo voltaje que puede ser manejado por un capacitor sin
causar un dao irreparable en el mismo, depende tanto del dielctrico usado como de la
separacin entre las placas.

Un capacitor cargado, tiene energa almacenada en el campo elctrico existente

entre sus placas, y se puede representar por la siguiente formula:

w=

CV 2
2

Ecuacin

65

(3-53)

Donde:
w = energa almacenada entre las terminales del capacitor, en Joules
C = capacitancia, en farads
V = voltaje a travs de las terminales del capacitor, en volts

Curvas caractersticas tpicas describen de forma apropiada el comportamiento

de un capacitor bajo los efectos de la temperatura y la frecuencia, lo anterior se
encuentra en los manuales del fabricante y en algunas bibliografas especializadas, por
lo que aqu solo se definirn los trminos y parmetros relacionados con estos
componentes, de los que podemos mencionar los siguientes:

a) Temperatura ambiente. El valor de la capacitancia depende de la

temperatura ambiente del medio alrededor del capacitor. A 25 C, a la cual se le
considera la temperatura ideal de un cuarto, el cambio en el valor de la capacitancia es
cero.

b) Tolerancia. Es la variacin en la capacitancia expresada como un porcentaje

de su valor especifico a 25 C. El valor especfico a 25 C es conocido como el valor
nominal.

c) Coeficiente de temperatura. Es el cambio en el valor de la capacitancia por

cada grado de cambio en la temperatura. Normalmente es expresado en partes por
milln por grado centgrado (ppp/C). El coeficiente de temperatura puede ser positivo,
negativo o cero.

d) Voltaje de trabajo. Es el mximo voltaje que puede ser aplicado a las

terminales del capacitor para una operacin continua. Esta razn debe indicar si el
voltaje es dc o ac. Ya que por lo general esta razn no es la misma.

e) Voltaje de ruptura. Es el mximo voltaje a travs del capacitor que causara

que el dielctrico se llegue a daar.

66

f) Fuga en dc. Se refiere a una diminuta corriente directa que fluye en un

capacitor para un voltaje directo especfico. La fuga se debe a unos pocos portadores
de carga libres en el dielctrico. Por esta razn, la carga en el capacitor no puede ser
almacenada en forma definitiva.

g) Resistencia del aislamiento. Es la resistencia del dielctrico. Entre ms

grande es la resistencia, menor es la fuga de corriente. La resistencia del dielctrico
disminuye con el aumento de temperatura.

h) Reactancia capacitiva. La reactancia capacitiva Xc en ohms de un capacitor

es igual a 0.159 dividido por el producto de la frecuencia en hertz y la capacitancia en
farads, y se representa con la siguiente formula:

Xc =

1
2pfc

Ecuacin

(3-54)

La reactancia capacitiva se incrementa con la frecuencia o con la disminucin

del valor de la capacitancia y viceversa.

i) Factor de potencia FP. El factor de potencia expresa la razn entre la

energa gastada a la energa almacenada en el capacitor. El factor de potencia es
funcin de la temperatura. El factor de potencia tambin se incrementa con la elevacin
de la frecuencia.

j) Resistencia equivalente en serie (RES). Independiente de la resistencia de

las placas y terminales del capacitor, la resistencia equivalente en serie, es la
resistencia en red de un capacitor. La RES se incrementa con el aumento en la
frecuencia.

k) Impedancia. La impedancia Z en ohms de un capacitor es la oposicin total

al flujo de la corriente alterna. Y se representa de la siguiente forma:

67

Z=

Xc 2 + (RES )2

Ecuacin

(3-55)

La impedancia de un capacitor disminuye con el aumento de la frecuencia y de

la temperatura. Para un capacitor de alta calidad, la impedancia es aproximadamente
igual a la reactancia capacitiva.

l) Factor de disipacin FD. Este es otro parmetro usado para describir la

calidad de un capacitor. El factor de disipacin es expresado como un porcentaje y
definido como la razn del RES a Xc.

FD =

RES
100%
Xc

Ecuacin

(3-56)

Entre mas bajo sea el factor de disipacin, mejor ser el capacitor.

m) Factor de calidad Q. el factor de calidad es el inverso del factor de

disipacin. Y se representa de la siguiente forma:

Q=

Xc
RES

Ecuacin

(3-57)

Entre mas grande es el valor de Q, mejor es el capacitor. Los parmetros FD y Q son

relativamente fciles de determinar con un puente de impedancias.

n) Rizo de corriente y voltaje. Rizo de corriente o voltaje es la componente de

ac de una corriente o voltaje unidireccional. El rizo de voltaje esta presente, por ejemplo
en la salida de una fuente de poder. Si la componente de rizo en un capacitor es menor
al 5%, puede ser considerado despreciable. Para valores ms grandes que 5%, el rizo
contribuye al calentamiento del capacitor.

68

3.2.3.- INDUCTORES.

Los capacitores y los resistores estn disponibles en una amplia variedad de

tamaos y valores, es posible encontrar casi cualquier valor, tolerancia u otro
parmetro, sin necesidad de hacer ordenes especiales.

Las bobinas por otro lado, no pueden estar fcilmente disponibles, por lo que los
tcnicos tienen que fabricar sus propias bobinas, para obtener un valor de inductancia
especifica.

3.2.3a TIPOS DE NUCLEOS DE FERRITA Y SUS EFECTOS EN LAS

BOBINAS.

Cuando un ncleo de material magntico es insertado en una bobina con ncleo

de aire, hay un gran incremento en la inductancia de la bobina. Un material magntico
es cualquier tipo de sustancia que puede ser atrada por un magneto y son clasificados
como duros o suaves. El material magntico duro mantiene su magnetismo aun
despus de que la fuente magnetizante ha sido removida, pero los materiales
magnticos suaves inmediatamente pierden su magnetismo, despus de remover la
fuente magnetizante.

Decir que un material magntico es suave, no significa que fsicamente sea

suave. Un material magntico puede ser fsicamente, extremadamente duro y
quebradizo y todava ser magnticamente muy suave. Los materiales magnticos
suaves, son usados como material del ncleo de bobinas y transformadores, para
aplicaciones en radiofrecuencia y audiofrecuencia. De acuerdo con la tcnica de
fabricacin o tipo de los materiales magnticos, los ncleos pueden ser:

69

a) Ncleos de hierro pulverizado. Estos tipos de ncleos estn compuestos

de finas partculas de polvo de hierro o aleaciones de hierro mezcladas. Los ncleos
adquieren su forma final mediante presiones del orden de 10 a 50 tons/in 2, y finalmente
las partes son entonces unidas para poner el recubrimiento de tipo plstico. Los ncleos
de hierro pulverizado estn disponibles en una gran variedad de formas y tamaos con
diferentes propiedades magnticas para reunir diferentes requerimientos.

b) Ncleos de ferrita. Las ferritas tambin tienen sustancias magnticas.

Tienen hierro y acero mezclados con elementos aislantes en sus diferentes tipos de
aleaciones. Hay muchos tipos de ferritas y la composicin qumica exacta de cada
diferente tipo depende de su aplicacin. Las ferritas diseadas para su uso en bajas
frecuencias no pueden ser usadas en altas frecuencias y viceversa.

c) Ncleos laminados. Los ncleos utilizados en transformadores y chokes que

operan con potencia de la lnea de alimentacin y audiofrecuencia son hechas de hojas
de lamina de acero de varios grados y espesores.

70

CAPITULO IV
ANALISIS DE FUNCIONAMIENTO.

Una fuente de poder conmutada, no es difcil de entender cuando se ve como

una caja negra con sus terminales de entrada y de salida. Su comportamiento es
idntico al de una fuente de poder lineal, la diferencia fundamental esta en que un
regulador lineal regula un flujo continuo de corriente de la entrada hacia la carga a fin
de mantener un voltaje constante en la carga. En una fuente conmutada se realiza la
misma funcin pero muestreando la entrada de voltaje y controlando el promedio de
corriente por medio del ciclo de trabajo. Cuando una alta corriente de carga es
requerida, el tiempo de encendido es incrementado para compensar el cambio.

Dos tipos bsicos de reguladores conmutados constituyen la base fundamental

de todas las fuentes que utilizan tcnicas de conmutacin por ancho de pulso. Estos
tipos son el modo Forward y el modo Flyback. El nombre de cada uno se deriva de la
forma en que los elementos magnticos son usados dentro de la fuente. Aunque
esquemticamente se pueden parecer, ellos operan en forma bastante diferente.

4.1.- ETAPAS DE UNA FUENTE DE PODER CONMUTADA.

A fin de aproximarnos de una forma adecuada al diseo de una fuente de poder

conmutada, debemos de tener un entendimiento razonable de la mayora de las etapas
o subsecciones que la integran. Por lo anterior debemos de entender, que los
dispositivos y circuitos reales difieren en cierta medida de las condiciones ideales, por lo
que, el diseo tambin se vera afectado.

Una forma de remediar lo anterior y que adems resulta muy til, es que, en las
primeras etapas del diseo, se haga un anlisis simplificado del circuito para
comprender la operacin del mismo y para establecer las caractersticas y la estrategia
de control.

71

Antes de elaborar un prototipo, se debern investigar los efectos de los

parmetros del circuito y las imperfecciones de los dispositivos, modificando el diseo
de ser necesario. Las etapas o subsecciones discutidas a continuacin representan un
sistema conceptual tpico con los requerimientos mnimos para un regulador Push-Pull
de una salida, el diagrama de circuito se muestra en la figura 4.1.

Figura 4.1.- Diagrama representativo de un regulador Push-Pull.

72

4.1.1.- EL FILTRO EMI.

Esta seccin esta compuesta de un pequeo filtro L-C entre la lnea de entrada y
el regulador. Sirve para un doble propsito, primero, el capacitor C y el inductor L
actan como un filtro de alta frecuencia, que impide la interferencia de radiofrecuencia
(IRF), es decir, reduce la conduccin de las componentes de ruido de alta frecuencia
que abandonan la fuente y que retornan a la lnea de entrada. Sin este filtro, el ruido
generado por las corrientes de alta frecuencia podra entonces radiarse desde las lneas
de alimentacin como en una antena, la frecuencia de corte de este filtro pasa bajas no
debe ser ms alta que 2 o 3 veces la frecuencia de operacin de la fuente.

El segundo propsito de esta etapa es agregar una pequea impedancia (L)

entre la lnea de entrada y el capacitor de almacenamiento de carga de entrada (Bulk),
que sirve bsicamente para reducir cualquier transitorio de voltaje que pudiera ser letal,
permitiendo al filtro de almacenamiento de carga de entrada (Bulk) y a cualquier
proteccin contra transitorios absorber la energa destructiva de los picos de corriente o
voltaje que vienen de la lnea de entrada, dndoles un poco de margen para exceder
los rangos de voltaje de estos componentes.

4.1.2.- FILTRO DE ALMACENAMIENTO DE CARGA DE ENTRADA BULK.

Este filtro tiene un valor relativamente grande y tiene la funcin de almacenar la

energa de alta y baja frecuencia requerida por la fuente durante cada ciclo de
conduccin de los transistores de potencia; usualmente esta formado por dos
capacitores, un capacitor electroltico o de tantalio para las componentes de corriente
en la frecuencia de conmutacin de la fuente y un capacitor cermico para las
frecuencias de conmutacin armnicas. Esta capacitancia debe representar una baja
impedancia para la corriente directa por muchas veces la frecuencia de conmutacin de
la fuente.

73

Otro factor por lo que es necesario el capacitor Bulk de entrada es que la lnea
de entrada puede tener una gran longitud de alambre o trazos de circuito impreso, lo
cual agrega resistencia en serie e inductancia entre la fuente de poder y la alimentacin.
La lnea de entrada para las altas frecuencias se asemeja a una fuente de corriente de
corriente limitada y no puede entregar las demandas de corriente de alta frecuencia
necesarias para las rpidas transiciones de voltaje y corriente dentro de la fuente, la
carga del capacitor de entrada en una baja frecuencia y suministro de corriente sobre
un mucho mas alto rango de frecuencia.

Sin ambos, un capacitor de tipo electroltico de baja frecuencia y un capacitor de

tipo cermico para altas frecuencias, la fuente literalmente morira por las corrientes y
voltajes de alta frecuencia o se afectara adversamente la estabilidad de la fuente.

4.1.3.- TRANSFORMADOR.

En la configuracin Push-Pull, el transformador provee aislamiento de cd entre la

lnea de entrada y la salida, tambin realiza la funcin de elevar o reducir el voltaje. En
esta configuracin el transformador no almacena energa al contrario de otras
configuraciones. Se pueden agregar salidas adicionales, simplemente agregando
devanados en el secundario; esto permite una fuente conmutada que provea todos los
voltajes requeridos por la mayora de los productos diseados.

El transformador es el ncleo o columna vertebral de las fuentes de poder

conmutadas. Por lo que, si el transformador se disea de forma equivocada, podra
afectar adversamente la operacin de la fuente y la seguridad de los transistores de
potencia.

74

4.1.4.- TRANSISTORES DE CONMUTACION.

Estos son transistores de potencia o MOSFETs que son rpidamente

conmutados entre el estado de saturacin y el de corte. Ellos sirven como una
compuerta para la entrada de energa a la fuente que ser subsiguientemente
entregada a la carga.

El flujo de energa es regulado por el circuito de control, el cual sensa la energa

demandada por la carga y entonces varia el tiempo encendido de los transistores de
potencia, regulando la entrega de energa a la carga ajustndola a las demandas de la
misma.

Los transistores de potencia representan los componentes ms sensibles a fallas

por estrs dentro de la fuente. Por lo anterior, se debe tener especial cuidado durante el
diseo en la fase de seleccin de los mismos, para as, obtener su seguro
funcionamiento.

4.1.5.- RECTIFICADORES DE SALIDA.

En la configuracin de regulador Push-Pull, los rectificadores de salida conducen

al mismo tiempo que los transistores de potencia. Las formas de onda de voltaje en el
secundario en configuracin aislada como esta, tienen un promedio de voltaje en dc
igual a cero, pero durante el tiempo de conduccin de los transistores de potencia, el
voltaje en el secundario alcanza picos de voltaje en proporcin al nmero de vueltas
con respecto al voltaje de entrada en el devanado primario.

Los rectificadores convierten esta forma de onda bipolar, en un tren de pulsos

unipolar. Para cambiar la polaridad del voltaje de salida, solo basta con invertir la
polaridad de los rectificadores de salida. Aunque los rectificadores conducen un
promedio de corriente igual a la corriente de carga, el valor pico de la corriente ser

75

mas alto que el promedio. Por lo que, en el proceso de seleccin de los rectificadores,
el diseador debe considerar cualquier prdida adicional que pudiera ocurrir durante
estos altos picos de corriente y agregar un margen a la especificacin de corriente.

4.1.6.- FILTRO DE SALIDA.

En el caso considerado, la seccin correspondiente al filtro de salida tiene una

configuracin conocida como convertidor en modo directo. Este filtro es llamado filtro de
entrada de choke (bobina de reactancia) o filtro L 1-C1 y es un inductor en serie seguido
por un capacitor en derivacin. Su propsito es almacenar energa para la carga
durante el tiempo en el que los transistores de potencia no estn conduciendo.

El tiempo de encendido de los transistores de potencia sirve para reestablecer la

energa perdida por el inductor durante su tiempo de apagado. Tpicamente, un
aproximado de 50% ms energa es almacenada en el inductor y el capacitor de la que
se necesita por la carga durante el periodo completo. Esta reserva puede ser inducida
en la carga por incrementos sbitos, hasta que el lazo de control pueda proveer ms
energa mediante el incremento en el tiempo de encendido de los transistores de
potencia.

4.1.7.- ELEMENTOS DE SENSADO DE CORRIENTE.

El mtodo mostrado aqu, es solo una de varias formas de implementar la

funcin de sensado de sobrecorriente. Esencialmente, el propsito es desarrollar un
voltaje que es proporcional a la corriente de carga de salida. Este voltaje es amplificado,
y si llega a alcanzar o sobrepasar el umbral fijado por el lazo de control del regulador de
voltaje; se presentara una condicin de sobrecorriente que forzara a una reduccin en
el voltaje de salida, mediante la reduccin del tiempo de conduccin de los transistores
de potencia.

76

Dependiendo de la forma en que la corriente de salida es sensada, de que

parmetros son agregados y de la ganancia del amplificador de sensado de corriente,
uno puede conseguir una limitacin de potencia constante, una limitacin de corriente
constante o una limitacion de corriente por foldback.

El tipo de limitacion de corriente elegido depende de cuanta potencia pueda

resistir la carga durante una falla de sobrecorriente o corto circuito. En los reguladores
en modo voltaje esta caracterstica permanece completamente inactiva hasta que una
condicin anormal de sobrecorriente se registra. En los reguladores con control en
modo corriente, la corriente en el primario del transformador es sensada y usada como
parte de una estrategia de control total de la fuente, ofreciendo no solo proteccin
contra sobrecorriente, sino que tambin mejora la respuesta de la fuente.

4.1.8.- ELEMENTOS DE RETROALIMENTACION DE VOLTAJE.

Este tipo de sensado, es usualmente un divisor de voltaje, que reduce

proporcionalmente el voltaje de salida al mismo valor que aparece en la entrada del
amplificador de error de voltaje, en el circuito integrado de control. El amplificador de
error de voltaje, amplifica la diferencia entre el nivel ideal (establecido por la referencia
de voltaje interna del circuito integrado de control), y la salida de voltaje actual;
presentada por los elementos de retroalimentacin y por consiguiente controla los
transistores encargados de la conmutacin de potencia.

4.1.9.- SECCION DE CONTROL.

Esta funcin se centra tpicamente alrededor de un circuito integrado que se

encarga de controlar el ciclo de conmutacin de los transistores de potencia, realiza la
funcin de corregir el voltaje de salida, a travs, de elementos de sensado y la
conversin de voltaje en un ancho de pulso, una referencia de voltaje estable, un

77

oscilador, de detectar y contrarrestar la sobrecorriente y manejar el ciclo de conduccin

y conmutacin de los transistores de potencia. Tambin, puede incluir un circuito de
inicio suave, un limitador de tiempo muerto y un apagado remoto.

El oscilador establece la frecuencia de operacin de la fuente y genera una forma

de onda de diente de sierra para el conversor de voltaje de DC a ancho de pulso. El
amplificador de error de voltaje, amplifica la diferencia entre el voltaje de referencia ideal
y el voltaje de salida sensado por los elementos del divisor de voltaje de
retroalimentacin. La salida del amplificador de error de voltaje, representa el error entre
la referencia y la salida actual de voltaje; multiplicada por la ganancia en DC del
amplificador operacional y es maneja como una compensacin en DC. Esta seal de
error es presentada entonces al conversor de ancho de pulso, el cual produce un tren
de pulsos cuyo ciclo til representa esta seal de error.

El tren de pulsos, es presentado a los transistores que manejan la conmutacin

de potencia. Si es una fuente single-ended, esto es, tiene solo un conmutador de
potencia, la forma de onda es usada para accionar directamente el driver de salida. Si
es una fuente double-ended (dos transistores de potencia), en estos el tren de pulsos
generado es colocado en un flip-flop digital que dirige los pulsos alternadamente entre
los dos drivers de salida, los drivers de salida toman usualmente una de dos formas.

78

4.2.- TOPOLOGIAS.
A fin de elegir una topologa apropiada para la aplicacin que deseamos, es
necesario entender las diferencias entre las diferentes topologas, y que factores las
hacen adecuadas para cierta aplicacin. Podemos mencionar en general cinco factores
primarios que permiten diferencia una topologa de otra.
1.- El pico de corriente de inicio que se origina al encender la fuente. Este es un
indicativo de cuanto estrs deben soportar los transistores de potencia, lo cual tiende a
limitar una configuracin particular, para que pueda entregar una potencia de salida
deseada y la entrada de voltaje sobre el cual pueda operar.
2.- Cuanto voltaje puede ser manejado por el devanado primario del
transformador. Esto indica cuanta potencia puede ser derivada de la lnea de entrada,
ya que, a mayor voltaje alimentado por el transformador o inductor, menor ser el pico
de corriente promedio que se necesitara para desarrollar la potencia de salida.
3.- Que cantidad de la caracterstica B-H puede ser usada dentro del
transformador durante cada ciclo. Esto es til para lograr un transformador fsicamente
ms pequeo, que pueda entregar la potencia de salida deseada.
4.- Aislamiento en DC de la entrada desde la carga. Esto provee aislamiento en
DC de la salida hacia la entrada y permite agregar con facilidad mltiples salidas de
voltaje. El aislamiento por transformador, tambin es necesario a fin de reunir los
requerimientos establecidos por el mercado.
5.- Rentabilidad y costo. Esto tiene que ver con el deseo inherente de que la
configuracin requiera el mnimo de partes, sin someter los componentes a un estrs
desmedido.
La industria ha establecido el uso de varias topologas primarias, para la mayora
de las aplicaciones. En la figura 4.2 se muestra el rango de uso para estas topologas,
las fronteras para estas reas son determinadas principalmente por la cantidad de
estrs que los dispositivos encargados de la conmutacin de potencia (Transistores de
79

potencia o MOSFETs) deben soportar y que todava pueden proveer un rendimiento

confiable.
Las fronteras delimitadas en la figura 4.2, representan aproximadamente 20
amperes de la corriente pico. En la prctica pueden ser usados picos de corriente ms
altos pero los dispositivos encargados de la conmutacin de potencia podran exhibir
modos de falla inusuales y elementos como la distribucin de los componentes y la
longitud del alambrado, podra llegar a ser aun ms critica. No es coincidencia que
estas topologas sean de aislamiento por transformador, ya que, en las topologas sin
aislamiento por transformador se presentan modos de falla catastrficos predecibles
que casi la mayora de los diseadores mas experimentados en el diseo de fuentes de
poder conocen y prefieren no correr riesgo.

Figura 4.2.- Configuraciones preferidas por la industria y sus reas de uso.

80

4.2.1.- FUENTES DE PODER CONMUTADAS SIN AISLAMIENTO POR

TRANSFORMADOR.
Los tipos de fuentes de poder conmutadas que no usan aislamiento por
transformador, son tpicamente usadas cuando algn componente externo provee
aislamiento en CD en lugar de la fuente de poder. Estos componentes externos son
usualmente transformadores que trabajan a 50 o 60 Hz, o fuentes de poder con
aislamiento de tipo Bulk. El rea tpica de aplicacin es la regulacin de voltaje a nivel
local en cierto tipo de tarjetas. Las fuentes de poder de este tipo son fciles de entender,
de ah que sean usadas como ejemplo de diseo por algunos fabricantes y por
diseadores novatos. Los diseadores experimentados rara vez utilizan este tipo de
configuraciones, debido a la severidad de los modos de falla causados por la ausencia
de aislamiento en DC.
Hay tres tipos de topologas bsicas que usan este tipo de configuracin: La
topologa BUCK (Reductor de voltaje), La BOOST (Elevador de voltaje) y la BUCKBOOST (Reductor-elevador de voltaje). Cada una de estas topologas genera y regula
un voltaje que esta arriba o abajo del nivel del voltaje de entrada. Cada una de estas
tiene solo una salida de voltaje, ya que, no es muy prctico agregarle salidas
adicionales. Las fuentes sin aislamiento por transformador tienen restricciones definidas
en cuanto a su aplicacin, considerando su voltaje de entrada con respecto a su voltaje
de salida. Por lo que se deben considerar estos factores previos al uso de una topologa
sin aislamiento.

81

4.2.1a.- TOPOLOGIA DE REGULADOR BUCK (Reductor de voltaje).

El regulador BUCK es la topologa ms simple de todas las fuentes de poder
conmutadas. Es tambin, la mas fcil de entender y disear. El regulador BUCK es el
ms elemental diseo en modo directo (Forward) y es el bloque bsico de construccin
para todas las topologas en modo directo. Esta topologa, tambin exhibe el modo de
falla destructivo mas severo de todas las configuraciones. Por eso, solo debe ser usada
con extrema precaucin.
En un regulador Buck, el voltaje promedio de salida Va, es menor que el voltaje
de entrada Vs, de ah la palabra reductor. El diagrama de circuito que utiliza un
transistor BJT de potencia se muestra en la figura 4.3a. La operacin del circuito se
puede dividir en dos modos. El modo 1 se inicia cuando el transistor Q1 se conecta
en t = 0, la corriente de entrada, que se eleva, fluye a travs del inductor L, del capacitor
de filtro C y de la resistencia de la carga R. el modo 2 comienza cuando el transistor Q1
se desconecta en t = t1. El diodo de conmutacin de marcha libre Dm conduce debido a
la energa almacenada en el inductor L y la corriente en el inductor L continua fluyendo
a travs de L, C, la carga y el diodo Dm. La corriente en el inductor decrece hasta que
en el siguiente ciclo el transistor Q1 se vuelve a activar. Los circuitos equivalentes
correspondientes a los modos de operacin, se muestran en la figura 4.3b y las formas
de onda correspondientes a los voltajes y las corrientes aparecen en la figura 4.3c para
un flujo continuo de corriente en el inductor L. dependiendo de la frecuencia de
conmutacin, de la inductancia del filtro y de su capacitancia, la corriente del inductor
puede ser discontinua.

82

Figura 4.3.-Diagrama representativo de un regulador Buck (Reductor).

83

VD
Vs
t1

t2

0
I2

kT

iL

T
DI

IL
I1
0

is
I2

I1
0
I2 - Ia

Is
t

ic

I1 - Ia

(1-k) T
-Vc = -Vo
DVc

Va

0
io

Ia

kT

Figura 4.3c.- Formas de onda en regulador Buck con IL continua.

Considerando que el voltaje a travs del inductor L es, en general,

eL = L

84

di
dt

Si suponemos que la corriente del inductor L se eleva linealmente desde I 1 hasta I2 en

el tiempo t1,

Vs - Va = L

I 2 - I1
DI
=L
t1
t1

Ecuacin

(4-1)

DI L
Vs - Va

Ecuacin

(4-2)

Es decir,

t1 =

y la corriente del inductor se abate linealmente desde I2 hasta I1 en el tiempo t2,

DI
-Va = - L
t2

Ecuacin

(4-3)

Ecuacin

(4-4)

O bien

t2 =

DI L
Va

Donde DI = I2 -I1 es la corriente de la componente ondulatoria pico a pico del inductor L,

igualando el valor de DI en las ecuaciones (4-1) y (4-3), obtenemos:

DI =

(Vs - Va ) t1 Va t 2
=
L
L

Si sustituimos t1 = kT y t2 = (1-k) T, obtenemos el voltaje promedio de salida como:

t
V a = V s1 =
T

kVs

85

Ecuacin

(4-5)

Si suponemos un circuito sin perdidas, VsIs = VaIa = kVsIa y la corriente promedio de

entrada.

I s= k I a

Ecuacin

(4-6)

Ecuacin

(4-7)

El periodo de conmutacin T se puede expresar como:

T=

1
D I L D I L D I L Vs
= t 1+ t 2 =
+
=
f
Vs - Va
Va
Va (Vs - Va )

Lo que nos da la componente ondulatoria de la corriente de pico a pico como:

DI =

Va(Vs - Va )
fLVs

Ecuacin

(4-8)

Vsk (1- k )
fL

Ecuacin

(4-9)

Es decir,

DI =

Utilizando la ley de corrientes de Kirchhoff, podemos escribir la corriente del inductor I L

como:

i L = ic + i a
Si suponemos que la componente de la corriente ondulatoria de la carga Dio es muy
pequea y despreciable, DiL = Dic. La corriente promedio del capacitor, que fluye para
t1/2 + t2/2 = T/2, es:

IC =

DI
4

86

El voltaje del capacitor se expresa como

vC =

1
i dt + vc (t = 0)
C c

Y el voltaje de la componente ondulatoria pico a pico del capacitor es

D Vc = v c - v c (t = 0) =

1
C

T /2

DI
DI T
DI
dt =
=
4
8C
8fC

Ecuacin

(4-10)

Si sustituimos el valor de Di de la ecuacin (4-8) o (4-9) en la ecuacin (4-10),

obtenemos

D Vc =

Va (Vs - Va )
8LCf 2Vs

Ecuacin

(4-11)

Vs k (1- k )
8LCf 2

Ecuacin

(4-12)

Es decir,

D Vc =

El regulador Buck requiere de un solo transistor, es sencillo y tiene una alta

eficiencia, mayor del 90%. La di/dt de la corriente de carga esta limitado por la corriente
del inductor L. sin embargo, la corriente de entrada es discontinua y por lo general se
requiere de un filtro suavizante de entrada. Proporciona una polaridad de voltaje de
salida y corriente unidireccional de salida. En caso de un posible corto circuito a travs
de la trayectoria del diodo, requiere de un circuito de proteccin.

87

4.2.1b.- TOPOLOGIA DE REGULADOR BOOST (Elevador de voltaje).

En un regulador BOOST, el voltaje de salida es mayor que el voltaje de entrada,

en la figura 4.4a aparece un regulador elevador que utiliza un MOSFET de potencia. Al
igual que en el regulador BUCK, la operacin se puede dividir en dos modos. El modo 1
empieza cuando se activa el transistor M1 en t = 0. La corriente de entrada que se eleva,
fluye a travs del inductor L y del MOSFET M1. El modo 2 empieza cuando se
desconecta el transistor M1 en t = t1. La corriente que estaba fluyendo a travs de l
transistor fluir ahora a travs de L, C, la carga y el diodo Dm. La corriente del inductor
se abate hasta que inicia el siguiente ciclo y se vuelve a activar el transistor M1. La
energa almacenada en el inductor L es transferida a la carga. Los circuitos
equivalentes para este modo de operacin se muestran en la figura 4.4b y las formas de
onda correspondientes a los voltajes y las corrientes se muestran en la figura 4.4c, para
una corriente continua en la carga.

88

Figura 4.4.- Diagrama representativo de un regulador Boost (Elevador).

89

VD
Vs

0
ia, iL

kT

I2
DI
I1
0
t
i1
I2

I1
0
t

ic
I2 - Ia
0
Ia

t
vc

DVc

Va

0
Io

kT

Ia
0

Figura 4.4c.- Formas de onda en regulador Boost con IL continua.

Si suponemos que la corriente del inductor se leva linealmente desde I 1 hasta I2

en el tiempo t1,

Vs = L

I 2 - I1
DI
=L
t1
t1

90

Ecuacin

(4-13)

O bien,

t1 =

DI L
Vs

Ecuacin

(4-14)

Y la corriente del inductor se abate linealmente desde I2 hasta I1 en el tiempo t2,

DI
V s- V a= - L
t2

Ecuacin

(4-15)

DI L
(Va - Vs )

Ecuacin

(4-16)

O bien,

t2 =

Donde DI = I2 I1 es la corriente de la componente ondulatoria de pico a pico del

inductor L. de las ecuaciones (4-13) y (4-15)

DI =

Vs t1 (Va - Vs ) t 2
=
L
L

Si sustituimos t1 = kT y t2 = (1-k) T obtenemos el voltaje promedio de salida

Va = Vs

T
Vs
=
t 2 (1- k )

Ecuacin

(4-17)

Si sustituimos un circuito sin perdidas, VsIs = VaIa = VsIa/ (1-k) y la corriente promedio de
entrada es

Is =

Ia
(1- k )

Ecuacin

91

(4-18)

El periodo de conmutacin T se puede determinar a partir de

T=

D I I L Va
DI IL
1
DI L
= t1 + t 2 =
+
=
f
Vs
(Va - Vs ) Vs (Va - Vs )

Ecuacin

(4-19)

Y esto nos da la corriente de la componente ondulatoria pico a pico

DI =

Vs (Va - Vs )
fLVa

Ecuacin

(4-20)

Vs k
fL

Ecuacin

(4-21)

o bien,

DI =

Cuando el transistor esta activo, el capacitor suministra la corriente de carga para t = t 1.

La corriente promedio del capacitor durante el tiempo t1 es Ic = Ia y el voltaje de la
componente ondulatoria de pico a pico del capacitor es:

1
D Vc = v c - v c (t = 0) =
C

t1

1
Icdt = C
0

t1

I a t1
C

Ecuacin

(4-22)

La ecuacin (4-17) da t1 = (Va - Vs) / (Vaf), sustituyendo t1 en la ecuacin (4-22)

obtenemos

D Vc =

I a (Va - Vs )
VafC

Ecuacin

(4-23)

Iak
fC

Ecuacin

(4-24)

Es decir,

D Vc =

92

Un regulador Boost puede subir el voltaje de salida sin necesidad de un

transformador. Debido a que solo tiene un transistor, su eficiencia es alta. La corriente
de entrada es continua. Sin embargo, a travs del transistor de potencia de fluir una
corriente pico alta. El voltaje de salida es muy sensible a cambios en el ciclo de trabajo
k y puede resultar difcil estabilizar el regulador. La corriente de salida es menor que la
corriente promedio del inductor en un factor (1 k), y una corriente rms mucho mas alta
fluir a travs del capacitor de filtro, dando como resultado el uso de un capacitor y un
inductor de valor mayor que los correspondientes en un regulador reductor.

4.2.1c.- REGULADOR BUCK-BOOST (Reductor-Elevador de voltaje).

Un regulador Buck-Boost suministra un voltaje de salida que puede ser menor o

mayor que el voltaje de entrada, la polaridad del voltaje de salida es opuesta a la del
voltaje de entrada. Este regulador se conoce tambin como regulador inversor. En la
figura 4.5a aparece la configuracin del circuito Buck-Boost.

La operacin del circuito se puede dividir en dos modos. Durante el modo 1, el

transistor Q1 esta activo y el diodo Dm tiene polarizacin inversa. La corriente de
entrada, que se eleva, fluye a travs del inductor L y del transistor Q1. Durante el modo
2, el transistor Q1 es conmutado y la corriente, que flua a travs del inductor L, fluir a
travs de L, C, Dm y la carga. La energa almacenada en el inductor L se transferir a la
carga y la corriente se abatir

en el inductor hasta que el transistor Q1 vuelva a

activarse en el siguiente ciclo. Los circuitos equivalentes para los modos se muestran
en la figura 4.5b y las formas de onda para los regimenes en estado permanente de
corrientes y voltajes del regulador, aparecen en la figura 4.5c, para una corriente de
carga continua.

93

Si suponemos que la corriente del inductor se eleva linealmente desde I 1 hasta I2 en el

tiempo t1

Vs = L

I 2 - I1
DI
=L
t1
t1

Ecuacin

(4-25)

Ecuacin

(4-26)

O bien,

t1 =

DI L
Vs

Y que la corriente del inductor se abate linealmente desde I 2 hasta I1 en el tiempo t2,

DI
V a= - L
t2

Ecuacin

(4.27)

Ecuacin

(4-28)

Es decir,

t2 = -

DI L
Va

Donde DI = I2 I1 es la corriente de la componente ondulatoria pico a pico del inductor L.

A partir de las ecuaciones (4-25) y (4-27),

DI =

Vs t1
V t
=- a 2
L
L

Si sustituimos t1 = kT y t2 = (1 k) T, el voltaje de promedio de salida es,

Va = -

Vs k
(1- k )

Ecuacin

94

(4-29)

Si suponemos un circuito sin perdidas, VsIs = -VaIa = VsIak / (1 k) y que la

corriente promedio de entrada Is esta relacionada con la corriente promedio de salida Ia
mediante la formula,

Is =

Ia k
(1- k )

Ecuacin

(4-30)

Ecuacin

(4-31)

El periodo de conmutacin T puede determinarse a partir de,

T=

1
D I L D I L D I L (Va - Vs )
= t1 + t 2 =
=
f
Vs
Va
VaVs

y lo anterior nos da la corriente de la componente ondulatoria pico a pico

DI =

VaVs
fL(Va - Vs )

Ecuacin

(4-32)

Vs k
fL

Ecuacin

(4-33)

O bien,

DI =

Cuando el transistor Q1 esta activo, el capacitor de filtro proporciona la corriente

de carga durante t = t1. La corriente promedio de descarga del capacitor es Ic = Ia y el
voltaje de la componente ondulatoria pico a pico del capacitor es,

1
D Vc =
C

t1

1
Icdt = C
0

t1

I dt =
a

I at1
C

95

Ecuacin

(4-34)

La ecuacin (4-29) da t1 = Va / f (Va - Vs) y la ecuacin (4-34) se convierte en,

D Vc =

I aVa
fC (Va - Vs )

Ecuacin

(4-35)

Iak
fC

Ecuacin

(4-36)

O bien,

D Vc =

Un regulador Buck-Boost suministra inversin de polaridad de voltaje de salida

sin necesidad de un transformador. Tiene alta eficiencia. En caso de una falla del
transistor, di/dt de la corriente de falla queda limitado por el inductor L y ser V s/L. Seria
fcil poner en practica la proteccin en corto circuito de la salida. Sin embargo, la
corriente de entrada es discontinua y a travs del transistor Q1 fluye una corriente de
pico alta.

96

Figura 4.5.- Diagrama representativo de un regulador Buck-Boost (Reductor-Elevador).

97

V
D

Vs
t2

t2

0
t
-Vs
iL

kT

I2
DI
I1
0
t
i1
I2

I1
0
ic

I2 - Ia
0
-Ia

t
vc

DVc

-Va

0
Io

kT

Ia
0

Figura 4.5c.- Formas de onda en regulador Buck-Boost con IL continua.

98

4.2.2.- FUENTES DE PODER CONMUTADAS CON AISLAMIENTO POR

TRANSFORMADOR.

Como se ha podido ver en las topologas de reguladores sin aislamiento por

transformador, los semiconductores son los encargados de proveer el aislamiento en
DC desde la entrada hasta la salida. Los semiconductores tienen un relativo bajo voltaje
de ruptura y exhiben el peor tiempo medio entre fallas (MTBF) de todos los
componentes dentro de una fuente de poder dada, lo anterior no es porque los
transistores de potencia hayan sido manufacturados incorrectamente, sino por factores
como el calentamiento y espordicas condiciones de funcionamiento adverso, tales
como transitorios de voltaje y corriente.

En las topologas que usan aislamiento por transformador dependen de una

barrera dielctrica fsica provista por un alambrado con recubrimiento aislante. La
energa pasa a travs de un material de ferrita no conductivo, previo a alcanzar la salida.
Este aislamiento por transformador puede alcanzar muchos miles de volts antes de
fallar y provee una segunda barrera dielctrica en caso de falla de los semiconductores.
Esto disminuye grandemente las fallas por efecto domino, cuando esto llega a ocurrir
dentro del producto final.

Haciendo una inspeccin detallada podremos darnos cuenta que los reguladores
con aislamiento por transformador funcionan de forma anloga a los reguladores sin
aislamiento. Similarmente, hay reguladores en modo Forward y Flyback como en las
topologas sin aislamiento por transformador. En las topologas con aislamiento por
transformador, el transformador provee ahora las funciones de elevar o disminuir el
voltaje dentro de la fuente de poder. El transformador proporciona una segunda gran
ventaja y esta es la de agregar mltiples salidas sin la necesidad de agregar
reguladores separados para cada salida. Lo anterior hace que los reguladores con
topologa de aislamiento por transformador sean virtualmente la eleccin ms atractiva
para todas las aplicaciones.

99

La salida del inversor, que varia mediante una tcnica PWM, es convertida a un
voltaje CD mediante un rectificador de diodos. Dado que el inversor puede operar a muy
altas frecuencias, las componentes ondulatorias del voltaje de salida en CD pueden
filtrarse fcilmente mediante filtros pequeos.

4.2.2a.- TOPOLOGIA DE CONVERTIDOR FLYBACK.

La topologa para el regulador Flyback la podemos observar en la figura 4.6a. El

anlisis de funcionamiento para este regulador se inicia cuando el transistor Q1 se
activa, el voltaje de alimentacin aparece a travs del primario del transformador y se
induce un voltaje correspondiente en el secundario. Cuando Q1 esta inactivo, se induce
un voltaje de polaridad opuesta en el primario por efectos del voltaje secundario, debido
a la accin de transformacin. El voltaje mnimo del circuito abierto del transistor es
Voc = 2Vs, si Is es la corriente promedio de entrada con componente ondulatoria
despreciable y el ciclo de trabajo es k = 50%, la corriente pico del transistor es
Ip = Is / k = 2Is. La corriente de entrada es pulsatoria y discontinua.

Sin la presencia del diodo D1, fluira una corriente de CD a travs del
transformador. Cuando Q1 esta inactivo, el diodo D1 y el capacitor C1 restablecen el
ncleo del transformador. C1 se descarga a travs de R1, cuando D1 esta inactivo en
cada ciclo se pierde energa. Este circuito es muy sencillo y esta restringido a
aplicaciones por debajo de 500 watts. Se trata de un convertidor en modo directo que
requiere de un lazo de retroalimentacin de control de voltaje.

El ncleo del transformador tambin se puede restablecer instalando un

embobinado de restablecimiento como el mostrado en la figura 4.6b, donde la energa
almacenada en el ncleo del transformador es devuelta a la alimentacin aumentando
as la eficiencia.

100

El voltaje en circuito abierto del transistor de la figura 4.6b, es.

Voc = Vs (1 +

Np
)
Nr

Ecuacin

(4-37)

Donde Np y Nr son el nmero de vueltas de los bobinados primario y de

restablecimiento. La relacin de vueltas de restablecimiento esta relacionada con el
ciclo de trabajo segn la formula.
Para un ciclo de trabajo k = 0.8, Np / Nr = 0.8 / (1 0.8) = 4 y el voltaje en circuito
abierto se convierte en Voc = Vs (1 + 4) = 5Vs. El voltaje en circuito abierto del
transistor es mucho ms alto que el voltaje de alimentacin.

Figura 4.6a.- Convertidor Flyback.

101

Figura 4.6b.- Convertidor Flyback con bobinado de restablecimiento.

4.2.2b.- CONVERTIDOR PUSH-PULL.

La configuracin Push-Pull o contrafase la podemos ver en la figura 4.7. El

funcionamiento de este convertidor se inicia cuando Q1 se activa y Vs aparece a travs
de una mitad del primario. Cuando Q2 se activa, Vs es aplicado a travs de la otra
mitad del transformador. El voltaje del bobinado primario oscila desde Vs hasta Vs. La
corriente promedio a travs del transformador debera idealmente ser cero. El voltaje
promedio de salida es

Vo = V 2 =

Ns
V = aV 1= aVs
Np 1

Ecuacin

102

(4-38)

Los transistores Q1 y Q2 operan con un ciclo de trabajo del 50%. El voltaje en

circuito abierto, es Voc = 2Vs, la corriente promedio de un transistor, IA = IS/2 y la
corriente pico del transistor, IP = IS. Dado que el voltaje en circuito abierto del transistor
es dos veces el voltaje de suministro, esta configuracin es adecuada para aplicaciones
en bajo voltaje.

Figura 4.7.- Convertidor Push-Pull.

4.2.2c.- CONVERTIDOR MEDIO PUENTE.

En la figura 4.8 podemos apreciar el circuito medio puente. En este circuito,

cuando Q1 esta activo, Vs/2 aparece a travs del primario del transformador. El voltaje
del primario oscila desde Vs/2 hasta Vs/2. el voltaje en circuito abierto del transistor es
Voc = Vs y la corriente pico del transistor es Ip = 2Is. La corriente promedio del
transistor es IA = Is. En aplicaciones de alto voltaje, el circuito medio puente es
preferible al circuito Push-Pull. Sin embargo, para aplicaciones en bajo voltaje, el
circuito Push-Pull es preferible debido a las bajas corrientes del transistor. El voltaje
promedio de salida es

103

Vo = V 2 =

Ns
V = aV 1= 0.5aVs
Np 1

Ecuacin

(4-39)

Figura 4.8.- Regulador medio puente.

4.2.2d.- CONVERTIDOR PUENTE COMPLETO.

El circuito del convertidor en puente completo se muestra en la figura 4.9, cuando

Q1 y Q2 estn activos, Vs aparece a travs del primario. Cuando Q3 y Q4 estn activos,
el voltaje en el bobinado primario se invierte a Vs y el voltaje primario de salida es

V o = V2 =

Ns
V = aV
1 =
sa V
Np 1

Ecuacin

(4-40)

El voltaje en circuito abierto del transistor es Voc = Vs y la corriente pico del

transistor Ip = Is. La corriente promedio del transistor es solo IA = Is/2. De todas las

104

configuraciones, este circuito opera con los menores esfuerzos de voltaje y de corriente
en los transistores, y es muy popular para aplicaciones de alta potencia por arriba de
750 watts.

Figura 4.9.- Convertidor puente completo.

105

CAPITULO V
CONSIDERACIONES FINALES.

La decisin de usar ya sea una fuente de poder lineal o una fuente de poder
conmutada depende de las necesidades de la aplicacin. Ambos tipos de fuentes de
poder tienen distintos meritos en ciertas reas de aplicacin. As, a fin de usar el tipo de
fuente mas apropiada para una aplicacin particular, es necesario entender los
requerimientos elctricos y el costo del producto final para elegir el tipo de fuente de
poder que mejor satisfaga estos requerimientos.

Las fuentes de poder lineales ofrecen en su diseo tres ventajas importantes en

su diseo:

1.- La primera ventaja es su simplicidad, ya que, se puede adquirir un regulador

lineal completo en un solo encapsulado y simplemente agregar dos filtros a capacitor
para almacenamiento y estabilidad. La tecnologa actual es suficientemente madura
para permitir duplicar el diseo desde un libro con muy poco esfuerzo.

2.- La segunda ventaja es su operacin poco ruidosa y su capacidad en el

manejo de carga. Una fuente de poder lineal genera poco o nada de ruido elctrico en
su salida y su tiempo de respuesta a cargas dinmicas es muy corto (tiempo que toma
para responder a los cambios de corriente que demanda la carga).

3.- La tercera ventaja es que, para salidas de potencia de menos o

aproximadamente 10 watts, el costo de sus componentes y manufactura son menores
que su comparable fuente de poder conmutada.

106

Las desventajas de una fuente de poder lineal son aquellas que limitan su rango
de aplicacin. En su diseo no se pueden eliminar estos defectos, pero se puede
intentar minimizarlos.

1.- Pueden ser usados como reductores de voltaje, esto significa que el voltaje
de entrada al regulador debe ser por lo menos dos o tres veces ms alto que el voltaje
requerido en la salida. Esto significa, que en situaciones fuera de lnea de 50 o 60 Hz,
se debe colocar antes un transformador con rectificacin y filtraje; lo que aumenta el
costo del sistema.

2.- Un regulador lineal solo puede tener una salida de voltaje, ya que para cada
salida de voltaje requerida, un regulador lineal completo debe ser agregado. Este
requerimiento de mltiples salidas de voltaje eleva una vez ms el costo del sistema.

3.- La mayor desventaja es el promedio de eficiencia de un regulador lineal cuya

eficiencia promedio esta entre 30 y 60 %. Esto significa que por cada watt entregado a
la carga, ms de un watt se pierde dentro de la fuente. Estas perdidas ocurren
principalmente en el transistor de paso, lo que hace necesario agregar disipadores
adecuados para disipar el calor generado por el transistor de paso, debido a la alta
demanda de corriente. Para un mayor manejo de corriente de carga en funcin del
voltaje de alimentacin, es necesario a veces sobredimensionar el tamao del disipador,
para poder manejar potencias de alrededor de 10 watts, llegando a ser prohibitivo el
costo del disipador y por lo tanto el costo de la fuente.

107

Las fuentes de poder conmutadas evitan o eliminan los defectos que tienen las
fuentes de poder lineales en su diseo, agregando las siguientes ventajas.

1.- Las fuentes de poder conmutadas exhiben actualmente eficiencias entre 70 y

95 % independientemente del voltaje de entrada. Esto reduce drsticamente el tamao
de los disipadores, de ah su costo. Los transistores de potencia trabajan en su ms
eficiente punto de operacin (corte y saturacin). Esto significa que los transistores de
potencia pueden desarrollar potencia ms all de su rango de operacin hacia la carga
y mas econmicamente. Ya que el voltaje de entrada es muestreado en una forma de
onda de AC y colocado en un elemento magntico, bobinados adicionales pueden
agregarse para proveer mas de una salida de voltaje. El incremento adicional en el
costo por cada salida de voltaje agregada es muy pequeo comparado con el costo
final del producto, y en el caso de fuentes de poder con aislamiento por transformador,
los voltajes de salida son independientes de la entrada de voltaje. Esto significa que el
voltaje de entrada puede variar arriba y/o abajo del nivel del voltaje de salida sin afectar
la operacin de la fuente.

2.- La mayor ventaja estriba en su tamao y su costo para mayores niveles de

potencia de salida. Ya que su frecuencia de operacin es mucho mas grande que los 50
o 60 Hz de la frecuencia de la lnea, y los elementos magnticos y capacitores usados
para almacenar energa son mucho mas pequeos y el costo para construir una fuente
de poder conmutada llega a ser mucho menor que el de una fuente de poder lineal para
niveles de potencia mucho mayores, haciendo a una fuente de poder que utilice
tcnicas de conmutacin, mucho mas verstil para un amplio rango de aplicaciones.

108

Las desventajas de una fuente de poder conmutada suelen ser mucho menores
que en una fuente de poder lineal y usualmente son superadas por las ventajas en su
diseo.

1.- Su diseo es mucho mas complicado que su comparable lineal. Si una fuente
conmutada debe ser comprada fuera de un empaque predeterminado para adaptarla a
las necesidades de un producto particular, entonces debe ser diseada. En este punto
el tiempo que toma disear una fuente de poder conmutada confiable que se adapte a
las necesidades puede ser bastante considerable, y si esto es lo ultimo que se tiene
para emprender el diseo de una fuente de poder, la curva de aprendizaje agregara
ms tiempo a este tiempo. No debemos creer que disear una fuente de poder
conmutada es como un libro de cocina; se deben tener muchas mas consideraciones en
cuenta, aun si hay un diseo publicado que pueda reunir los requerimientos del
producto. Un diseador experimentado puede tomarle un mnimo de tres a seis meses
(dependiendo de la complejidad), disear un prototipo y probarla antes de liberar el
diseo para produccin. Este plan de trabajo implica un gran esfuerzo para perfeccionar
el diseo previo a la produccin. Obviamente este esfuerzo va acompaado de un costo,
el cual debe ser considerado parte del escenario durante la planeacin del programa de
diseo.

2.- El ruido generado en sus salidas y la entrada por una fuente de poder
conmutada es considerable y es radiado al medioambiente. Este es difcil de controlar y
no puede ser ignorado durante la fase de diseo, es verdad que puede haber
soluciones simples a este problema, como la de agregar filtraje adicional y un blindaje
para limitar los efectos del ruido en la carga y el medioambiente, esto agrega un costo
adicional a la fuente.

109

3.- Ya que en una fuente de poder conmutada se toman muestras del voltaje de
entrada en pulsos de energa de tiempo limitado, el tiempo que le toma a la fuente
conmutada en responder a cambios en la carga y en la entrada, es ms lento que en
una fuente de poder lineal. A esto se le llama tiempo de respuesta a transitorios, para
compensar esta lentitud de respuesta, los capacitores carga de salida usualmente
deben incrementarse en valor para almacenar la energa que se necesita en la carga
durante el tiempo que le toma a la fuente ajustar su potencia de salida. Esto tambin
agregara un costo adicional, pero estas desventajas estn bajo el control del diseador
y su impacto en la fuente de poder y el sistema pueden ser minimizados.

110

5.1.- CONCLUSIONES.

En general, la industria ha establecido reas donde las fuentes de poder lineales

y conmutadas pueden ser aplicadas. As, las fuentes lineales, son elegidas para
aplicaciones de baja potencia, regulacin a nivel de tarjetas donde la distribucin de
potencia del sistema dentro de un producto es altamente variable y las necesidades de
la alimentacin de voltaje de la carga son restringidas, tambin son usadas en circuitos
donde es necesaria una fuente de voltaje de alimentacin no ruidosa, tal como en
circuitos analgicos, de audio o de interfase donde se requiere bajo costo y los
problemas por la generacin de calor no son un problema.

Las fuentes de poder conmutadas son usadas en aplicaciones donde la

eficiencia de la fuente de alimentacin es necesaria y la disipacin de calor representa
un problema. Tal como aplicaciones donde hay respaldo con bateras, donde la vida de
las bateras y la generacin de calor interno y externo son importantes, las fuentes fuera
de lnea, tambin son bsicamente conmutadas debido a su eficiencia y a la generacin
de todos los voltajes necesarios dentro de un producto, especialmente en aplicaciones
de alta potencia, hasta muchos kilowatts.

En resumen, debido a su versatilidad, eficiencia, tamao y costo, las fuentes de

poder conmutadas son preferidas actualmente en la mayora de las aplicaciones, los
avances en la tecnologa de los componentes y en el desarrollo de nuevos diseos en
las topologas agregara aun ms ventajas en sus diseos para la mayora de las
aplicaciones electrnicas.

111

GLOSARIO

Acoplamiento magntico: influencia mutua entre dos inductores o ms que causa que
aparezca un campo magntico en una bobina cuando circula corriente por otra.
Admitancia: valor inverso de la impedancia. Mide la capacidad de un elemento o rama
en un circuito paralelo de permitir el paso de la corriente alterna.
Agotamiento (Zona de): parte del semiconductor, cercano a la juntura en donde no
existen portadores de carga.
Alineal: circuito que con un pequeo cambio en la entrada causa un gran cambio en la
salida (Los transistores y diodos son alinales).
Ampere (A): unidad de medicin de la corriente elctrica.
1 Ampere = 1 coulombio/seg.
Amplitud: valor pico de una onda. En ondas simtricas es el valor de la mitad del valor
pico a pico.
Angulo de disparo: ngulo elctrico en que las compuertas de un tiristor se encienden.
Angulo de fase: es la diferencia de fase entre dos ondas senoidales, usualmente
debido a que en el circuito existen capacitores o inductores.
nodo: electrodo positivo.
Atenuacin: el valor por el cual la potencia de una seal disminuye en un filtro o una
red de dos puertos. Usualmente se expresa en decibeles (dB).
Autotransformador: un transformador donde una parte del devanado es comn tanto
al primario como al secundario.
Beta (b): relacin que existe entre los valores de las corrientes del colector y la base de
un transistor (ganancia).
Bobina (inductor): elemento que reacciona contra los cambios en la corriente a travs
de el, generando una tensin que se opone a la tensin aplicada y es proporcional al
cambio de la corriente.
Bobinado: cada uno de los lados de un transformador, realizado con varias espiras
enrolladas sobre un ncleo magntico. Estos bobinados se llaman primario y
secundario respectivamente.

CA (corriente alterna): corriente elctrica que cambia su amplitud en forma peridica

con el tiempo.
Cambio de fase: alteracin que produce un elemento reactivo en la fase de la tensin o
la corriente.
Campo magntico: distribucin de la energa magntica en el espacio, creado por un
imn o por el flujo de la corriente a travs de un inductor.
Capacitor de paso: es un capacitor que tiene por finalidad mantener la alta ganancia
en CA. La ganancia en CC, es reducida con ayuda de una resistencia de realimentacin.
CC: corriente continua.
Circuito equivalente (de fuentes y resistencias): circuito en donde todas las fuentes
de alimentacin son representadas por una sola fuente equivalente y todas las
resistencias de carga son representadas por una sola resistencia equivalente.
Circuito paralelo: circuito que permite ms de un paso posible para la corriente, cada
paso o camino con diferentes elementos.
Circuito serie: circuito que solo permite un solo paso posible para corriente, el paso o
camino con uno o mas elementos.
Coeficiente de acoplamiento del transformador: parmetro (k) de un transformador.
Conductancia: es el valor inverso de la resistencia y su unidad de medida es el
siemens o Mho.
Control de fase: capacidad de decidir que parte del ciclo de CA ser conducido.
Propiedad que hace tiles a los tiristores.
Convertidor Tensin-Corriente: configuracin caracterizada por una entrada de
voltaje y una salida de corriente, en donde la segunda es proporcional a la variacin de
la primera.
Corte: estado en el que la tensin base-emisor en un transistor, no es suficiente para
polarizar el transistor en su unin base-emisor. Como consecuencia no hay corriente en
el emisor del transistor. Se dice que el transistor no conduce o esta abierto.
Corriente: cantidad de carga que circula por un conductor por unidad de tiempo,
Q / t.

I=

Coulombio: unidad de medicin de la carga elctrica. Un coulombio tiene una carga de

6.28 x 1028 electrones.

Curva caracterstica: cada una d las curvas que describen la operacin de un

dispositivo o circuito en distintas condiciones de polarizacin y carga.
Decibel (dB): expresa una razn de cantidades y no una cantidad. Expresa cuantas
veces mas o cuantas veces menos, pero no la cantidad exacta.
Desfase: la diferencia de fase entre dos ondas senoidales, usualmente debido a la
presencia de capacitores o inductores en el circuito:
Desplazamiento: pequea desviacin de una salida del valor terico esperado, debido
al no acoplamiento adecuado entre los componentes internos.
Distorsin: alteracin de una forma de onda original por algn elemento del circuito o
agente externo.
Disipador de calor (heatsink): dispositivo metlico utilizado para irradiar el calor
generado por componentes electrnicos.
Divisor de tensin: arreglo en serie de resistencias, en donde la tensin aplicada al
conjunto es dividida entre las resistencias de manera proporcional a los valores de
estas.
Encapsulado: envoltura que protege a los semiconductores y que permite que estos se
puedan manejar cmodamente, adems de protegerlos.
Esttica (electricidad): cargas elctricas en reposo, capaces de generar grandes
diferencias de tensin.
Factor de potencia: es la relacin que existe entre la potencia real dada y la potencia
aparente.
Faradio (F): unidad de capacidad de un condensador.
Fase: posicin de una forma de onda con respecto a otra de la misma frecuencia,
expresada en grados.
Ferrita: material magntico en polvo que se comprime y moldea con la forma deseada,
utilizado como ncleo de bobinas o transformadores y que permite un alto Q a altas
frecuencias.
FET (Field Effect Transistor): transistor de efecto de campo en el que el flujo de
electrones que circula entre fuente (S) y drenador (D) es controlado por una tensin
aplicada en la compuerta (G).
Filtro: circuito selectivo que slo deja pasar frecuencias determinadas, bloqueando
todas las otras.

Forma de onda senoidal: una forma de onda de tensin o corriente que tiene la
siguiente expresin matemtica: Vp = Vsen (wt).
Frecuencia de resonancia: es la frecuencia donde los efectos reactivos se cancelan y
la
impedancia
o
admitancia
alcanza
su
valor
mnimo.
Fuente comn: modo de operacin de un FET (transistor de efecto de campo) en que
la entrada es tomada entre compuerta y fuente, y la salida entre drenaje y fuente. Se
obtiene
una
gran
ganancia
tanto
de
tensin
cono
de
corriente.
Fusible: Dispositivo de proteccin que abre el circuito cuando hay un consumo de
corriente mayor al esperado.
G (conductancia): inverso de la resistencia, que mide la capacidad de un elemento de
conducir corriente G = 1 / R.
Ganancia de corriente: relacin entre la corriente de salida y la corriente de entrada en
un circuito amplificador.
Ganancia de tensin: relacin entre la tensin de salida y la tensin de entrada en un
circuito amplificador.
Hall (efecto): desarrollo de una tensin en un metal o semiconductor cuando se
encuentra en las inmediaciones de un campo magntico.
Hertz (Hz): unidad de medida de la frecuencia, equivale a 1/segundo.
Impedancia: oposicin que representa un componente o componentes al paso de la
corriente alterna.
Impedancia de entrada (Zi): impedancia observada al medir un circuito entre sus
terminales de entrada.
Inductor: elemento en forma de bobina que reacciona contra los cambios en la
corriente a travs de el, generando una tensin que se opone a la tensin aplicada y
que es proporcional al cambio de la corriente.
Instrumentacin: termino utilizado para referirse a todas aquellas aplicaciones que
exigen alta precisin, como telemetra, control de procesos o trafico de
telecomunicaciones, etc.
Inversor: dispositivo que convierte CA a CD o viceversa.
Lazo abierto: configuracin en la que un circuito opera sin una realimentacin de
control.

Lazo cerrado: configuracin mediante la cual una muestra de la seal de salida es

sumada a la entrada para realizar un ajuste.
Limitador de corriente: circuito que mide de manera constante la corriente de salida y
evita que esta sobrepase un valor mximo definida con anterioridad.
Lineal (sistema): sistema o circuito en que la salida crece o decrece proporcionalmente
a la entrada.
Mxima transferencia de potencia: condicin en la cual una resistencia de carga no
puede obtener mas potencia de la fuente. Este caso se presenta cuando la resistencia
de carga es igual a la resistencia interna de la fuente.
Modulador: dispositivo que vara la amplitud, frecuencia o fase de una seal AC.
Ohm (ohmio): unidad de medida de la resistencia elctrica, representada por la letra
griega W.
Oscilador: dispositivo o circuito que produce una seal de tensin alterna peridica.
Osciloscopio: instrumento de precisin utilizado para la medicin de la amplitud y le
periodo de seales variables en el tiempo.
Polarizacin: uso de fuentes de alimentacin externas, para proveer de energa a un
dispositivo o circuito y establecer sus lmites de operacin.
Potencia: la velocidad con la que se consume o suministra energa de un sistema.
Potencia = energa/tiempo, la unidad de medida es el Watt o Vatio.
Potencimetro: es un elemento de tres terminales que funciona como dos resistencias
variables en serie, pero la suma de ellas siempre permanece constante.
Push-Pull: en las topologas de fuentes de poder conmutadas. Es aquella en la que se
usan dos transistores de potencia que se alternan en su activacin bajo el dominio de
un circuito que controla el periodo de conduccin de los mismos.
Reactancia: oposicin que presenta un dispositivo almacenador de energa, tal como
un capacitor o una bobina, al flujo de la corriente alterna. Se mide en ohms.
Realimentacin: la realimentacin permite tomar una muestra de la salida y sumarla a
la entrada, permitiendo a un circuito o dispositivo mantener su salida dentro de un lmite
de manera forzada, a travs de un circuito de control.
Realimentacin negativa: es el uso de componentes pasivos con el propsito de
mejorar la estabilidad y la respuesta en frecuencia de un sistema o circuito sin sacrificar,
si es posible, la ganancia.

Reciprocidad Teorema: teorema til para la simplificacin de circuitos lineales pasivos.

Rectificador: circuito que convierte la corriente alterna CA, en corriente continua CC.
Regin de ruptura: regin en la que el diodo semiconductor se encuentra polarizado
inversamente mas haya de la tensin de ruptura. Un diodo comn se destruira, pero un
diodo zener regulara una tensin fija.
Regulacin: medida de la calidad de la seal en CC, entregada por un regulador ante
variaciones de la carga. Se mide como la variacin en la tensin de salida ante
condiciones extremas de carga (carga mxima y carga nula).
Regulador conmutado: regulador que usa tcnicas PWM para proveer regulacin en
CC, incrementando la eficiencia de la fuente de alimentacin.
Regulacin de tensin: capacidad de un regulador de mantener una tensin dada, aun
con cambios en la carga.
Relacin de vueltas: cociente entre el nmero de espiras entre el bobinado primario y
el bobinado secundario de un transformador. Np/Ns = Vp/Vs.
Reluctancia: resistencia magntica, es el cociente del flujo y la fuerza magnetomotriz.
Resistencia: es la medida de cuanto se opone un circuito al paso de la corriente
elctrica a travs de el.
Respuesta en frecuencia: la caracterstica de transferencia de un circuito en funcin
de la frecuencia.
Rizado (Ripple): onda en corriente alterna de baja amplitud, superpuesta sobre una
seal rectificada.
Retentividad: cantidad de magnetizacin que
ferromagntico al quitarle la fuente magnetizante.

permanece

en

un

material

Saturacin: regin de funcionamiento de un transistor en que ambas junturas del

transistor se encuentran polarizadas directamente, lo que causa que la tensin entre
colector y emisor sea muy pequea (casi cero volts).
Sobrecarga: es la condicin en que la carga pide ms corriente que la que puede
suministrar la fuente de alimentacin. Si el circuito no tiene proteccin contra
sobrecargas se puede daar.
Superposicin: es un principio que comparten todos los sistemas lineales, que afirma
que la salida causada por varias entradas a la vez es la suma de las salidas de cada
entrada por separado.

Tensin de ruptura: tensin que provoca la ruptura de la unin PN en un diodo

polarizado inversamente.
Tensin RMS: valor de tensin en corriente continua que producir la misma potencia
disipada en una resistencia.
Termistor: dispositivo sensible a la temperatura, que tiene una resistencia con
coeficiente de temperatura negativo. Si la temperatura se incrementa su valor de
resistencia disminuye.
Thevenin (equivalente): circuito formado por una fuente de tensin en serie con una
resistencia, que es equivalente a un circuito.
Tiempo de subida: tiempo en que la salida de un circuito pasa de un 10% a un 90% de
su valor final, cuando a su entrada se aplica un escaln.
Tiristor: familia de dispositivos semiconductores que incluyen a los SCRs, DIACs,
TRIACs entre otros.
Transformador: arreglo de dos o ms bobinados diseados para permitir que el campo
magntico producido en uno de ellos genere una tensin en el o los otros.
Vatio: medida de potencia. 1 vatio = 1 julio / segundo
Voltio (Volt): unidad de medida de la diferencia de potencial o tensin elctrica.
Watt: medida de potencia. 1 watt = 1 julio / segundo.
Weber (Wb): unidad de medida de flujo magntico.
Z (impedancia): oposicin de un circuito al paso de la corriente alterna.
Zin (impedancia de entrada): oposicin a la corriente alterna que tienen los circuitos a
la entrada de una seal, vista desde la entrada.
Zout (impedancia de salida): oposicin a la corriente alterna que tiene un circuito,
visto desde la salida.

ANEXOS

LISTA DE TERMINOS Y SIMBOLOS

Caractersticas elctricas, fsicas y de sealizacin de

entrada.
Caractersticas Elctricas

Tensin de Entrada Nominal (Nominal Voltage) Aquella a la que est pensada para
trabajar la fuente
Rango de Tensin de Entrada (Voltage Range) El rango de tensiones de entrada en
el cual el convertidor trabaja dentro de las especificaciones de diseo.
Corriente de Entrada sin Carga (Current at No Load) La corriente que consume el
convertidor cuando la corriente a la salida es cero y la tensin de entrada est en el
valor ms bajo del rango de entrada.
Corriente de Entrada a Plena Carga (Current at Full Load) La corriente que consume
el convertidor cuando la corriente de salida es mxima y la tensin de entrada est en el
valor ms bajo del rango de entrada.
Rizado de la Corriente Reflejada (Rejected Ripple) La parte alterna de la corriente de
entrada del convertidor.
Caractersticas Fsicas

Proteccin Indica si el convertidor tiene internamente un fusible.

Proteccin contra Tensin Inversa (Reverse Voltage Protection) Circuito
incorporado en el convertidor para evitar daos provocados si se conecta la tensin de
entrada con la polaridad invertida.
Filtro Indica si el convertidor tiene internamente un circuito a la entrada para reducir el
rizado de la corriente reflejada.
Caractersticas de Sealizacin

Apagado Remoto (Remote Inhibit) Seal binaria que provoca la entrada en estado de
reposo del convertidor.

Caractersticas elctricas, fsicas y de sealizacin de

salida.

Caractersticas Elctricas

Potencia (Power) La potencia continua mxima que puede se obtenida a la salida del
CCP.
Regulacin de Linea (Line Regulation) El porcentaje de cambio de la tensin de
salida provocado por la variacin mxima de la tensin de entrada dentro del rango de
variacin.
Regulacin de Carga (Load Regulation) El porcentaje de variacin de la tensin de
salida provocado por la variacin de la carga.
Regulacin Cruzada (Cross Regulation) En convertidores con mltiples salidas, la
variacin de la tensin en una de las salidas provocada por el cambio de carga en otra
de las salidas.
Respuesta Transitoria (Transient Response) El tiempo mximo que tarda la tensin
de salida en volver a los mrgenes de las especificaciones frente a un escaln de carga.
Precisin de Establecimiento (Setting Accuracy) La diferencia porcentual entre la
tensin de referencia actual y la tensin de salida para carga dentro del margen y
tensin de entrada nominal.
Rizado y Ruido (Ripple and Noise) La suma de todas las componentes de ruido de la
seal de salida medidas pico a pico sobre un ancho de banda determinado.
Deriva (Drift) Variacin de la tensin de salida a lo largo de un perodo de tiempo,
independientemente de las variaciones de tensin de entrada, carga y temperatura.
Coeficiente de Temperatura (Temperature Coeficient) El porcentaje de cambio de la
tensin de salida por cambio de la temperatura externa en C promediado sobre el
rango completo de temperatura de funcionamiento.
Eficiencia (Eficiency) La relacin entre la potencia de salida y la potencia total de
entrada expresada en porcentaje.

Tiempo de Mantenimiento (Hold Up Time) El tiempo mximo que el convertidor se

mantiene dentro de los mrgenes de regulacin cuando desaparece la tensin de
entrada y est entregando la potencia mxima a tensin nominal de entrada.
Carga Mnima (Minimun Load) Corriente por debajo de la cual la regulacin del CCP
no est garantizada.
Corriente de Reposo (Shutdown Idle Current) Corriente consumida por el convertidor
cuando est en reposo (standby).
Proteccin por Regresin de Corriente (Foldback Current Limiting) Mtodo de
limitacin de la corriente de salida mediante la reduccin de la tensin y la corriente de
salida simultneamente.
Caractersticas Fsicas

Salida Flotante (Floating Output) Una salida con su propia lnea de retorno aislada
que no est referida a ninguna de las otras salidas o a la masa del sistema.
Proteccin contra Sobretensiones (Overvoltage Protection) Circuito que detecta
sobretensiones por encima de un determinado nivel a la salida y apaga el convertidor
para evitar daos en la carga.
Proteccin de Corto contra Sobrecarga (Crowbar Protection) Mtodo de proteccin
que cortocircuita la salida cuando aparece una tensin excesiva.
Proteccin contra Cortocircuitos (Short Circuit Protection) Limitacin automtica de
la corriente de salida para prevenir daos en el convertidor cuando se establece un
cortocircuito en los terminales de salida.
Proteccin contra Sobrecarga (Overload Protection) Limitacin automtica de la
corriente o de la potencia de salida para prevenir daos en el convertidor.
Proteccin Trmica (Thermal Protection) Detector interno de temperatura que apaga
el convertidor si esta supera un determinado lmite.
Sensado Remoto (Remote Sense) Un mtodo de compensar el deterioro de la
regulacin causado por la resistencia de los cables hasta la carga. Se lleva a cabo
midiendo la tensin en la carga y usando la diferencia entre este valor y la referencia
interna para regular la tensin de salida.

Caractersticas de Sealizacin

Fallo de Energa (Power Fault, Power Fail) Seal binaria que avisa que las salidas no
estn dentro de los lmites de regulacin debido a un fallo de la fuente de energa de
entrada.
Alimentacin Correcta (Power Good, Output Good) Seal binaria que avisa que las
salidas estn dentro de los lmites de regulacin.

General

Topologa El principio de diseo en el cual se basa el convertidor.

Aislamiento (Isolation) La separacin elctrica entre la entrada y la salida expresada
como una tensin continua de ensayo, y una resistencia con una capacidad en paralelo.
Doble Aislamiento (Double Insulation) Aislamiento independiente aplicado al
aislamiento bsico para reducir el riesgo de shock elctrico si falla el aislamiento
primario.
Rango de Temperatura (Operating Temperature, Range of) El rango de
temperaturas en C sobre el cual el convertidor es capaz de trabajar de forma segura.
Derating Reduccin de la potencia de salida necesaria para trabajar de forma segura a
una determinada temperatura, expresada en % frente a C hasta la temperatura
mxima de trabajo.
Frecuencia de Conmutacin (fs) (Switching Frequency) Frecuencia del armnico
fundamental de la seal de control del interruptor de potencia de la fuente.
Extra-low Voltage (ELV) Circuit Un circuito elctrico secundario con diferencias de
tensin entre cualesquiera dos conductores o un conductor y tierra nunca excede 42.4
Vca pico 60 Vcc bajo condiciones normales, que est separado de niveles de tensin
peligrosos al menos por un aislante y que no rene todas las caractersticas de un
SELV.
Tensin Extra-Baja de Seguridad (TEBS) vease Extra-low Voltage (SELV) Circuit.
Safety Extra-low Voltage Circuit (SELV) Circuito elctrico que trabaja sometido a
TEBS.

HOJAS DE DATOS

Lista de Smbolos
b dinmica de compensacin de un lazo de realimentacin
C condensador
Ce; Cs condensador de entrada y de salida en un convertidor conmutado de
d relacin de conduccin del interruptor controlado en un convertidor
d

conmutado

relacin de no conduccin del interruptor controlado en un convertidor conmutado

D diodo
fc

frecuencia de corte del filtro de salida de un convertidor conmutado

fp frecuencia de la seal triangular portadora

fs

frecuencia de conmutacin del interruptor controlado

fsen frecuencia de la seal senoidal moduladora

ie corriente de entrada a un convertidor conmutado
is

corriente de salida de un convertidor conmutado

Ke constante de proporcionalidad aplicada a la tensin de entrada de un convertidor

conmutado
Ki constante de proporcionalidad aplicada a una corriente en un convertidor conmutado
Ks constante de proporcionalidad aplicada a la tensin de salida de un convertidor
conmutado
L inductor
Le; Ls inductor de entrada y de salida en un convertidor conmutado

L {*} Transformada de Laplace

M relacin de transformacin en un convertidor conmutado
R resistor
RC resistencia serie equivalente parsita del condensador

RL resistencia serie equivalente parsita del inductor

RS resistencia de carga a la salida de un convertidor conmutado
S interruptor controlado
T perodo de conmutacin, transformador
Tp perodo de conmutacin de la seal portador en el GTCc
Ts perodo de conmutacin del interruptor controlado en un convertidor conmutado
t1 perodo de conduccin del interruptor controlado
t2 perodo de conduccin del diodo
tdelta

ancho del pulso de la seal modulada GTCc

tm perodo de conduccin de algn interruptor controlado o diodo para facilitar la

desmagnetizacin de las bobinas acopladas del circuito
tphi

atraso del pulso respecto al comienzo de la seal portadora triangular en el GTCc

tpico instante en el que la seal triangular portadora alcanza su mximo valor

u1;u2

tensin instantnea entre dos puntos del circuito

u1re f; u2re f tensin instantnea proporcional a la corriente del convertidor conmutado

N, que se emplea de referencia
uDC tensin instantnea cuya componente preponderante es continua
ue tensin instantnea de entrada a un convertidor conmutado
ue-maximo

valor de la tensin instantnea a la salida del GTCc

Ue-minimo valor mnimo de la tensin de salida del GTCc

ui

tensin instantnea proporcional a la corriente en un convertidor

uLmax; uLmin
media

tensiones mxima y mnima para el control adaptativo de la corriente

uPWM tensin instantnea de la seal modulada PWM

us tensin instantnea de salida de un convertidor conmutado

Usen tensin media asociada a una tensin senoidal

Utri tensin media asociada a una tensin triangular
U (t - tr) funcin Pulso Unitario de Heaviside
ZC1; ZC2 impedancia de conexin entre un convertidor conmutado y la carga que
alimenta
ZL impedancia que representa la carga que alimenta un convertidor conmutado
ZS1; ZS2 Impedancia de salida de un convertidor conmutado

LISTA DE SIGLAS
BJT Bipolar Junction Transistor
CCP Convertidor Conmutado de Potencia
CMC Control en Modo Corriente
CMT Control en Modo Tensin
DSP Digital Signal Processor
ELV Extra-low Voltage Circuit
FVNLSE Filtro Variable No Lineal de Salida del Elevador
FVNLSR Filtro Variable No Lineal de Salida del Reductor
FVSR Filtro Variable de Salida del Reductor
GTCc Generador Totalmente Controlado con salida complementaria
GTO Gate Turn-Off Thyristor
MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor
PETS Power Electronics Transient Simulator
PMA pulsos modulados en anchura

PWL piecewise-linear
PWM pulse width modulation
SELV Safety Extra-low Voltage Circuit
SPICE Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis
SVM Space Vector Modulation
TEBS Tensin Extra-Baja de Seguridad
VSI Voltage Source Inverter
VTD Variable Transport Delay

BIBLIOGRAFIA

SWITCHMODE POWER SUPPLY HANDBOOK

Billings, Keith H.
McGraw-Hill
SISTEMAS DE ALIMENTACION DE ENERGIA PARA LAS TELECOMUNICACIONES
Siemens parte I
Gumhalter, Hans.
Marcombo
ELECTRONICA DE POTENCIA
CIRCUITOS, DISPOSITIVOS Y APLICACIONES
Segunda edicin
Rashid, Muhammad H.
Prentice Hall
ELECTRONICS SOURCEBOOK
FOR TECHNICIANS AND ENGINEERS
Kaufman, Milton.
Seidman, Arthur H.
McGraw Hill
LINEAR INTERFACE ICs
Device data R4
Motorola Vol. I
HIGH POWER FLYBACK SWITCHING REGULATORS
Kepple, Niel.
Wescon
HIGH FRECUENCY QUASI-RESONANT
CONVERTER TOPOLOGIES
Lee, F. C.
Virginia Polytechnic Engineering Conference
Paginas Web
www.dbup.com.ar
www.st.com
www.ti.com
www.eetasia.com
www.fairchildsemi.com
www.onsemi.com