Você está na página 1de 18

Introduo:

O SCR, tambm conhecido como tiristor, um dispositivo semicondutor NPNP de 4


camadas. Em seu estado normal o SCR bloqueia a passagem de corrente (ou tenso)
entre os seus dois terminais. Porm quando o eletrodo do GATE submetido a uma
voltagem apropriada, a corrente passar livremente e levando a carga ao estado ligado
("ON"). Se a voltagem nos dois terminais do dispositivo for invertida o mesmo ir
assumir um estado de alta impedncia novamente, no podendo mais ser ativado por
uma tenso no gate. Ou seja, o SCR equivale a um retificador convencional, exceto que
o gate controla o incio do seu funcionamento, a partir de quando o dispositivo se torna
independente da tenso do gate. Ainda vale ressaltar que um outro dispositivo, o Gate
Controlled Switch (CGS) exerce as mesmas funes do SCR, mas retm o controle
mesmo quando o dispositivo esta no estado ligado ("ON").
Funcionamento Fsico:
Naturalmente qualquer dispositivo NPNP deveria bloquear a passagem de corrente em
qualquer direo, pois em ambas haveria ao menos uma juno P-N reversamente
polarizada. Essa propriedade ser primeiramente analisada, e em seguida explicaremos a
passagem deste estado para o estado condutor sob o controle do gate. Antes porm
faremos uma pequena reviso sobre junes P-N.

Dopagem:
O germnio e o silcio so elementos tetravalentes de estrutura cristalina tipo
tetradrica, com ligaes por covalncia, assemelhando-se ao diamante. Cada tomo
cercado por quatro vizinhos, sendo as ligaes feitas por quatro pares eletrnicos. Os
quatro eltrons de valncia do tomo de germnio considerado entram na composio
destes pares, os outros eltrons so fornecidos pelos tomos vizinhos do tomo
considerado. Os eltrons de valncia so os nicos que participam dos fenmenos de
conduo eltrica do semicondutor.

O silcio basicamente extrado da areia e tem sido utilizado por sculos na fabricao
de utenslios de ferro, porcelana e tijolos. Na sua forma pura no presta construo de
dispositivos eficientes; sua condutividade muito pequena para usos prticos. A eles so
misturadas, ento, "impurezas" (tomos de outros elementos com aproximadamente as
mesmas dimenses dos tomos do semicondutor) tri ou pentavalentes na proporo, em
peso, de algumas partes por milho. A "dopagem" do semicondutor, como chamada a
preparao da liga, feita sempre sobre cuidadoso controle e tem como objetivo reduzir
a resistividade do material. O silcio dopado ento, pode atuar como condutor ou como
no condutor, dependendo da polaridade de uma carga eltrica aplicada no material. Se
as impurezas forem elementos trivalentes, o semicondutor denominado tipo P (de
positivo), se forem pentavalentes, tipo N (de negativo). Na verdade quando isolados
ambos tipos so eletricamente neutros, mas semicondutores do tipo N possuem eltrons
livres (um para cada tomo de impureza), enquanto semicondutores tipo P possuem
lacunas livres (buracos aptos a receberem eltrons).

Dopagem de elementos semicondutores

Densidade de impurezas e largura das regies p e n

Junes P-N:
Uma juno P-N a regio que separa um semicondutor do tipo p de outro do tipo n.
Essa regio possui caractersticas muito peculiares, o que justifica a grande diversidade
de dispositivos semicondutores existentes. Naturalmente qualquer juno deste tipo
possui uma propenso a conduzir corrente no sentido p n (lembrando que a corrente
eltrica sempre arbitrada no sentido contrrio ao do fluxo de eltrons). Ou seja, os
eltrons excedentes so requisitados pelos buracos excedentes. Mas essa corrente no
ocorre espontaneamente porque os dois tipos de semicondutores so eletricamente
neutros e um eltron que se desprende do seu tomo sofrer uma fora de atrao (fora
de Coulomb) do prton com o qual ele configurava um "estado ligado". Porm uma
corrente externa pode fornecer os eltrons necessrios para neutralizar os prtons. Mas a
situao no assim to simples, conforme analisaremos.
Em seu estado natural (sem voltagem externa), uma juno P-N cria uma regio de
depleo ao seu redor, cuja largura depende da concentrao de impurezas em ambos
tipos de semicondutores (que podem e normalmente so diferentes dos dois lados da
juno) e tambm da temperatura. No material tipo n essa regio possui carga positiva e
caracterizada pelas lacunas dos eltrons que atravessaram a juno (aleatoriamente) e
foram coletados pelas lacunas do material tipo p. Consequentemente, no material tipo p
essa regio ter uma carga negativa, pois a mesma caracterizada pelos eltrons
coletados do semicondutor tipo n. Esta separao de cargas gera um campo eltrico
interno, que atua como uma barreira de potencial a qual os prximos eltrons que
tentarem cruzar a juno devero suportar. Essa barreira normalmente projetada para
ter um valor de aproximadamente 0,7 volt e responsvel pela caracterstica universal
dos diodos.
Quando se aplica uma tenso no material tipo p maior do que a do terminal do material
tipo n diz-se que a juno est polarizada diretamente, e basta que esta diferena se
aproxime do valor da barreira de potencial para o dispositivo comear a conduzir.
Quando a tenso entre os dois terminais supera a tenso da barreira, a condutividade
aumenta enormemente, e a corrente passa praticamente desimpedida.
Quando a tenso aplicada ao terminal tipo n diz-se que a juno est polarizada
reversamente, e a mesma apresenta uma resistncia muito grande. Se esta tenso for
alta, pode ocorrer uma "ruptura". Existem dois tipos de ruptura: efeito zener e efeito
avalanche.
O ruptura zener ocorre quando a tenso externa tal que ocasiona a quebra de ligaes
covalentes e a gerao de pares eltron-lacuna O efeito avalanche ocorre quando a
tenso externa acelera um eltron livre a tal velocidade que o choque do mesmo com
outros eltrons liberam os mesmos que por sua vez tambm so acelerados e libertam
outros eltrons numa avalanche eletrnica. A tenso necessria para que estes eventos
ocorram varia bastante, podendo ser de uns 5 volts (diodo zener) at valores bem
maiores. No caso de SCRs estes efeitos sero desprezados, pois mesmo sob as altas
tenses s quais so submetidas as junes no se observa estes efeitos.

A Estrutura NPNP:
Conforme mencionado anteriormente um SCR construdo dopando-se quatro materiais
e concatenando-os de modo a formar uma seqncia NPNP com trs junes P-N, duas
em um sentido e uma no outro. Aplica-se ento uma tenso no anodo (terminal do
material tipo p externo) em relao ao catodo (terminal do material tipo n externo).
Desta forma polariza-se diretamente as duas junes de mesmo sentido e reversamente a
terceira juno. Esta ltima impede, a princpio, a conduo de corrente pelo
dispositivo. Mas se aplicarmos uma tenso a seo tipo p interna (a ser chamada de
GATE), conforme a figura 2.3, podemos polarizar diretamente todas as junes P-N,
levando a carga ao estado "ON".

A Estrutura NPNP. A diagonal simboliza o corte virtual do dispositivo.


Para analisar o SCR podemos utilizar uma tima analogia. Imaginando um corte virtual
nos dois materiais internos da sua estrutura podemos interpret-la como dois transistores
bipolares distintos conectados conforme a figura 2.4, podendo desta forma aplicar a
anlise usual de transistores. Nela temos um transistor pnp e um npn. Em ambos o
emissor representado pelo bloco externo ( esquerda no npn e direita no pnp). As
bases so representadas pelos blocos do meio e os coletores pelos blocos internos (
direita no npn e esquerda no pnp). Ou seja, a base de um fica ligada ao coletor do
outro.

Anlogo de 2 Transistores para a Estrutura NPNP


Fazendo isso chegamos a concluso que para o dispositivo conduzir (ganho de malha
fechada igual a unidade) necessrio que os parmetros a de ambos transistores se
somem de modo que a 1 + a 2 1, levando ambos transistores a saturao. Porm se a
soma for maior do que 1, uma vez que o dispositivo comece a conduzir ele no
bloquear jamais. De fato impossvel dopar os materiais de modo a ter
precisamente a 1 + a 2 = 1. O ponto crucial do controle do GATE reside no fato de
ambos parmetros a serem funes da temperatura e da corrente. Assim, dopa-se os
materiais de modo a fazer o valor da soma ser menor que 1 para temperaturas usuais, o
que no to simples pois a dependncia em relao a temperatura grande e uma vez
que valores da soma muito pequenos impossibilita a ativao do dispositivo.
Fornecendo-se uma corrente externa ao gate, aumentamos a corrente no emissor de Q1
(transistor npn), enquanto a corrente em seu coletor mantida constante. Quando a
corrente do emissor pequena, a maioria dos eltrons se "perde" na regio de depleo
da base de Q1, e s uma pequena parcela chega ao coletor. Ao se aumentar esta corrente
a parcela recombinada (capturada na regio de depleo) se torna menor, aumentando o
valor de a . Logo uma corrente no gate ativa o dispositivo, mas uma vez ativado ela
pode ser cortada, pois a 1 + a 2 ser superior a 1 at que a corrente total diminua a ponto
do dispositivo bloquear novamente.
Parmetros bsicos do SCR

Figura caracterstica corrente-tenso

Maneiras de disparar um tiristor


Podemos considerar cinco maneiras distintas de fazer com que um tiristor entre em
conduco:
a) Tenso
Quando polarizado diretamente, no estado desligado, a tenso de polarizao aplicada
sobre a juno J2. O aumento da tenso Vak leva a uma expanso da regio de transio
tanto para o interior da camada do gate quanto para a camada N adjacente. Mesmo na
ausncia de corrente de gate, por efeito trmico, sempre existiro cargas livre que
penetram na regio de transio (no caso, eltrons), as quais so aceleradas pelo campo
eltrico presente em J2. Para valores elevados de tenso (e, consequentemente, de
campo eltrico), possvel iniciar um processo de avalanche, no qual as cargas
aceleradas, ao chocarem-se com tomos vizinhos, provoquem a expulso de novos
portadores, os quais reproduzem o processo. Tal fenmeno, do ponto de vista do
comportamento do fluxo de cargas pela juno J2, tem efeito similar ao de uma injeo
de corrente pelo gate, de modo que, se ao se iniciar a passagem de corrente for atingido
o limiar de IL, o dispositivo se manter em conduo.
b) Ao da corrente positiva de porta
Sendo o disparo atravs da corrente de porta a maneira mais usual de ser ligado o
tiristor, importante o conhecimento dos limites mximos e mnimos para a tenso Vgk
e a corrente Ig, como mostrados na figura 3.6.
O valor Vgm indica a mnima tenso de gate que garante a conduo de todos os
componentes de um dado tipo, na mnima temperatura especificada.
O valor Vgo a mxima tenso de gate que garante que nenhum componente de um
dado tipo entrar em conduo, na mxima temperatura de operao.
A corrente Igm a mnima corrente necessria para garantir a entrada em conduo de
qualquer dispositivo de um certo tipo, na mnima temperatura.
Para garantir a operao correta do componente, a reta de carga do circuito de
acionamento deve garantir a passagem alm dos limites Vgm e Igm, sem exceder os
demais limites (tenso, corrente e potncia mximas).

Figura 3.5 Caracterstica esttica do tiristor.

Figura 3.6 Condies para disparo de tiristor atravs de controle pela porta.
c) Taxa de crescimento da tenso direta
Quando reversamente polarizadas, a rea de transio de uma juno comporta-se de
maneira similar a um capacitor, devido ao campo criado pela carga espacial.
Considerando que praticamente toda a tenso est aplicada sobre a juno J2 (quando o
SCR estiver desligado e polarizado diretamente), a corrente que atravessa tal juno
dada por:

(3.1)
Onde Cj a capacitncia da juno.
Quando Vak cresce, a capacitncia diminui, uma vez que a regio de transio aumenta
de largura. Entretanto, se a taxa de variao da tenso for suficientemente elevada, a
corrente que atravessar a juno pode ser suficiente para levar o tiristor conduo.

Uma vez que a capacitncia cresce com o aumento da rea do semicondutor, os


componentes para correntes mais elevadas tendem a ter um limite de dv/dt menor.
Observe-se que a limitao diz respeito apenas ao crescimento da tenso direta (V ak >
0). A taxa de crescimento da tenso reversa no importante, uma vez que as correntes
que circulam pelas junes J1 e J3, em tal situao, no tem a capacidade de levar o
tiristor a um estado de conduo.
Como se ver adiante, utilizam-se circuitos RC em paralelo com os tiristores com o
objetivo de limitar a velocidade de crescimento da tenso direta sobre eles.
d) Temperatura
A altas temperaturas, a corrente de fuga numa juno p-n reversamente polarizada dobra
aproximadamente com o aumento de 8o C. Assim, a elevao da temperatura pode levar
a uma corrente atravs de J2 suficiente para levar o tiristor conduo.
e) Energia radiante
Energia radiante dentro da banda espectral do silcio, incidindo e penetrando no cristal,
produz considervel quantidade de pares eltron-lacuna, aumentando a corrente de fuga
reversa, possibilitando a conduo do tiristor. Este tipo de acionamento o utilizado nos
LASCR, cuja aplicao principal em sistemas que operam em elevado potencial, onde
a isolao necessria s obtida por meio de acoplamentos ticos.

1. MODOS DE DISPARO DE UM SCR:


Um SCR disparado (entra em conduo) quando aumenta a Corrente de
nodo IA, atravs de uma das seguintes maneiras:
Corrente de Gatilho IGK:
o procedimento normal de disparo do SCR. Quando estiver polarizado
diretamente, a injeo de um sinal de corrente de gatilho para o ctodo (I G ou IGK),
geralmente na forma de um pulso, leva o SCR ao estado de conduo. A medida que
aumenta a corrente de gatilho para ctodo, a tenso de bloqueio direta diminui at
que o SCR passa ao estado de conduo.
A Figura 5.1 apresenta um circuito para disparo do SCR. Enquanto diretamente
polarizado o SCR s comea a conduzir se receber um comando atravs de um sinal
de corrente (geralmente um pulso) em seu terminal de gatilho (Gate ou Porta). Esse
pulso polariza diretamente o segundo diodo formado pelas camada N e P e
possibilita a conduo.
Enquanto tivermos corrente entre nodo e ctodo o SCR continua conduzindo,
sendo ele cortado (bloqueado) somente quando a mesma for praticamente extinta.
Nesta condio, as barreiras de potencial formam-se novamente e o SCR precisar de
um novo sinal de corrente no gatilho para voltar ao estado de conduo.
Polarizado reversamente o SCR funciona como um diodo, bloqueando a
passagem de corrente, mesmo quando efetuado um pulso em seu Gatilho.
A caracterstica gatilho-ctodo de um SCR se assemelha a uma juno PN,
variando, portanto, de acordo com a temperatura e caractersticas individuais do

componente, um exemplo de curva de disparo pode ser encontrado no anexo deste


documento.

Como entre o gatilho e o ctodo h uma juno PN, temos uma tenso de
aproximadamente 0,7V. Desta forma, analisando o circuito da figura 5.2. podemos
determinar os requisitos para o circuito de disparo do SCR.

VI
D G
I
S
P
Assim, a tenso VDISPARO necessria
para proporcionar a corrente de
A
disparo IG atravs da resistncia limitadora
RG pode ser dada por:
R

VDISPARO I G RG 0,7

Um SCR pode disparar por rudo de corrente no gatilho. Para evitar estes
disparos indesejveis devemos utilizar um resistor RGK entre o gatilho e o ctodo
que desviar parte do rudo, como indica a figura 5.3. Em alguns tipos de SCR, a
resistncia RGK j vem internamente no componente para diminuir sua
sensibilidade.

Corrente de Reteno e Corrente de Manuteno


Para entrar em conduo o SCR deve conduzir uma corrente suficiente, cujo

valor mnimo recebe o nome de Corrente de Reteno IL (Latching Current). O SCR


no entrar em conduo se a Corrente de Gatilho IGK for suprimida antes que a
Corrente de nodo IA atinja o valor da Corrente de Reteno IL.
Uma vez retirada a corrente de gatilho, a mnima Corrente de nodo I A para
manter o SCR em conduo chamada Corrente de Manuteno IH (Holding
Current). Se a Corrente de nodo for menor que a Corrente de Manuteno, as
barreiras de potencial formam-se novamente e o SCR entrar em Bloqueio.
A Corrente de Reteno maior que a Corrente de Manuteno (IL > IH). O
valor de IL em geral de duas a trs vezes a corrente de manuteno IH. Ambas
diminuem com o aumento da temperatura e vice-versa.
por este motivo que dizemos que o SCR uma Chave de Reteno (ou
Travamento) porque uma vez em conduo, permanece neste estado enquanto a
Corrente de nodo IA for maior que a Corrente de Manuteno (I A > IH), mesmo
sem corrente no gatilho (IGK).
Sobretemperatura:
O aumento brusco da temperatura aumenta o nmero de pares eltrons-lacunas
no semicondutor provocando maior corrente de fuga, o que pode levar o SCR ao
estado de conduo. O disparo por aumento de temperatura deve ser evitado.
Sobretenso:
Se a tenso direta nodo-ctodo VAK for maior que o valor da tenso de
ruptura direta mxima VDRM (VBO), fluir uma corrente de fuga suficiente para
levar o SCR ao estado de conduo.
Isto acontece porque o aumento da tenso VAK em polarizao direta acelera
os portadores de carga na juno J2 que est reversamente polarizada, podendo
atingir energia suficiente para provocar a avalanche e disparar o SCR. Este fenmeno
faz com que muitos eltrons choquem-se e saiam das rbitas dos tomos do
semicondutor ficando disponveis para conduo e permitindo o aumento da corrente
de fuga no SCR e levando-o ao estado de conduo.
O disparo por sobretenso direta diminui a vida til do componente e, portanto,
deve ser evitado.
A aplicao de uma sobretenso reversa, ou seja, uma tenso nodo-ctodo
maior que o valor da tenso de ruptura reversa mxima (V RRM ou VBR) danificar
o componente.
Degrau de Tenso dv/dt (V/t):
Se a taxa de crescimento da tenso nodo-ctodo VAK no tempo for alta
(subida muito rpida da tenso VAK) pode levar o SCR ao estado de conduo. Em
polarizao direta a Juno J2 est reversamente polarizada e se comporta como um
capacitor carregado.
Num capacitor a corrente de carga relaciona-se com a tenso pela expresso:

iC
d
t

d
v
Assim, quando for aplicada uma tenso VAK a capacitncia da Juno J2
far circular uma corrente no gatilho tanto maior quanto maior for a variao da
tenso no tempo (v/t). Esta corrente no gatilho pode ser suficiente para
disparar o SCR.
O valor mximo de dv/dt dado pelo fabricante em catlogos. O disparo por
degrau de tenso deve ser evitado pois pode provocar queima do componente ou
disparo intempestivo. O circuito de proteo chamado de Snubber e ser estudado
adiante.
Luz ou Radiao:
Se for permitida a penetrao de energia luminosa (luz) ou radiante (ftons,
raios gama, nutrons, prtons, eltrons ou raios X) nas junes do semicondutor,
haver maior combinao de pares eltrons-lacunas, provocando maior corrente de
fuga, o que pode levar o SCR ao estado de conduo. o caso do SCR ativado por
luz, chamado foto-SCR ou LASCR (Light-Activated Silicon Controlled Rectifier).
BLOQUEIO OU COMUTAO DO SCR
O desligamento de um SCR chamado de Bloqueio ou Comutao. O SCR
uma chave de reteno, ou seja, uma vez disparado e conduzindo, o gatilho perde o
controle. A nica forma de bloquear um SCR reduzir a corrente de nodo I A para
um valor menor que o valor da corrente de manuteno I H durante um certo tempo.
Este o tempo necessrio para o desligamento do SCR, toff.
Devemos portanto lembrar:
Diodos e SCRs somente bloqueiam quando praticamente extinta a
corrente entre nodo-ctodo e no por aplicao de tenso reversa.
Para um SCR comutar, ou seja, passar do estado de conduo para o estado
de no conduo, tambm chamado de bloqueio, a Corrente de nodo IA
deve ser reduzida a um valor abaixo do valor da corrente de manuteno

IH, durante um certo tempo (tempo de desligamento tq).

O tempo de desligamento da ordem de 50 a 100s para os SCR normais


e de 5 a 10s para os SCR rpidos.
Comutao Natural:

A Comutao Natural acontece quando a Corrente de nodo IA for reduzida a


um valor abaixo da Corrente de Manuteno IH. A Corrente de Manuteno cerca
de 1000 vezes menor que a corrente nominal do SCR.
Em circuitos de corrente alternada a corrente passa por zero em algum
momento do ciclo. Isso j suficiente para o bloqueio do SCR em freqncias
comerciais (50 ou 60Hz). A Figura 7.1 apresenta um circuito em que ocorre a
Comutao Natural. Fechada a chave Ch1 e pulsando a chave Ch2 o SCR entra em
conduo e permanece at que o momento em que a corrente passe por zero no ciclo
alternado. Nesse momento IA < IH e o SCR bloqueia.

Comutao Forada:
Em circuitos de corrente contnua a tenso permanece positiva no nodo.
Como a corrente no diminui naturalmente, deve-se provocar a reduo da Corrente
de nodo atravs da Comutao Forada. H duas formas para isso:
Desviando-se a corrente por um caminho de menor impedncia provocando
IA < IH;
Aplicando-se tenso reversa e forando-se a operao na regio de
polarizao reversa. Note que isso tambm far IA < IH.
A Figura 7.2 apresenta um circuito para Comutao Forada onde a chave Ch1
permitir um caminho que drenar a corrente do SCR levando-o ao bloqueio.

Comutao forada por chave


A Figura 7.3 apresenta um circuito para Comutao Forada atravs de um
capacitor. Quando a chave Ch1 for fechada, o capacitor aplicar tenso reversa
levando o SCR ao bloqueio. Devemos lembrar que o SCR dever conduzir durante
o tempo necessrio para que o capacitor esteja totalmente carregado e que a chave
pode ser um outro semicondutor (um outro SCR ou um transistor, por exemplo).

Comutao forada por capacitor

Aplicaes de SCR

O SCR possui quatro importantes aplicaes que so descritas a seguir :


Chave esttica
Sistema de controle de fase
Carregador de bateria
Sistema de emergncia de iluminao com uma nica fonte
A figura a seguir mostra uma chave esttica srie de meia onda .

Se a chave estiver fechada ,haver uma corrente de porta durante o ciclo positivo do
sinal de entrada ,ligando o SCR . O resistor R1 limita a corrente de porta .Quando o
SCR comea a conduzir ,a tenso anodo catodo (Vf) cai para um valor de conduo
,resultando numa forte reduo na corrente de porta ,com uma perda muito pequena no
circuito de porta. Para o ciclo negativo do sinal de entrada o SCR desliga ,pois o anodo
fica negativo em relao ao catodo .O diodo D1 para evitar a inverso da corrente de
porta .
Na mesma figura so apresentadas as formas de onda para a corrente e tenso na carga .
O resultado um sinal retificado de meia onda atravs da carga . Se for desejada a
conduo em menos do que 180 graus , pode - se fechar a chave em qualquer instante
durante o ciclo positivo do sinal de entrada . A chave pode ser eletrnica ,
eletromagntica ou mecnica , dependendo da aplicao .
A figura (2) mostra um circuito capaz de estabelecer um ngulo de conduo entre 90 e
180 graus .

O circuito semelhante ao da figura 1 exceto pelo acrscimo de um resistor varivel e a


eliminao da chave .Os resistores R e R1 limitam a corrente de porta durante o ciclo
positivo do sinal d entrada . Para R1 igual ao seu valor mximo pode acontecer que a
corrente de porta nunca atinja o valor de disparo . conforme R1 diminui em relao ao
valor mximo , se mantivermos a tenso de entrada fixa , a corrente de porta aumenta

at o valor necessrio para o disparo , que pode ser estabelecido em qualquer ponto
entre 0 e 90 graus , conforme mostrado na figura . Se R1 for pequeno , O SCR dispara
quase que imediatamente , resultando na mesa ao do circuito da figura 1 (180 graus d
conduo) . Porm , conforme apontado acima , aumentado R1 ser necessria uma
tenso de entrada maior (positiva) para disparar o SCR . Conforme a figura 2 ,o controle
pode ser feito aps a fase de 90 graus , uma vez que o valor mximo da entrada ocorre
neste ponto . Se o disparo falhar neste ponto e nos pontos anteriores , quando o sinal de
entrada est aumentado , dever acontecer o mesmo quando o sinal estiver diminuindo .
Em termos tcnicos , essa operao chamada controle de fase de meia onda por
resistncia varivel . um mtodo efetivo de controle da corrente rms e , portanto , da
potncia de carga .
Uma terceira aplicao bastante comum do SCR no regulador de carregador de bateria
. A figura (3) mostra os componentes fundamentais ao circuito .

O circuito de controle foi sombreado , indicando que no ser por ns discutido .


Conforme indicado na figura D1 e D2 fazem com que o sinal nos terminais do SCR1
seja um sinal retificado de onda completa , carregando a bateria de 12 V . Quando a
tenso da bateria for baixa , o SCR2 permanece no estado desligado , pelos motivos que
sero explicados brevemente . Com o SCR2 aberto , o circuito de controle do SCR1
exatamente o mesmo do controle da chave esttica tratada anteriormente . Quando a
entrada retificada de onda completa for suficientemente grande para produzir a corrente
de porta necessria para o disparo (controlada por R1) , o SCR1 comear a conduzir
carregando a bateria . No incio da carga a baixa tenso da bateria resultar em uma
baixa tenso Vr determinada pelo circuito divisor de tenso . Por outro lado , Vr muito
pequeno para dar os 11 V de conduo para o zener . No estado desligado o zener
efetivamente um circuito aberto , mantendo o SCR2 desligado , pois a corrente de porta
zero . O capacitor C1 para evitar qualquer tenso transitria no circuito ,provocada
pelo disparo acidental do SCR2 . Sabe se da teoria bsica de circuitos que a tenso nos
terminais de um capacitor no pode variar instantaneamente . Dessa forma , C1 evita

que defeitos transitrios afetem o SCR . Conforme a carga continua , a tenso da bateria
sobe at o ponto em que Vr seja suficientemente alto para dar os 11 V para ligar o zener
e disparar o SCR2 . Nessas condies o SCR2 corresponder a um curto circuito ,
resultando no circuito divisor de tenso determinado por R1 E R2 , que manter V2 em
nvel muito baixo para disparar o SCR1 . Quando isto ocorrer a bateria estar totalmente
carregada , e o estado aberto do SCR1 cortar a corrente de carga .Portanto , o regulador
recarrega a bateria sempre que a tenso cai e evita sobrecarga quando ela est
totalmente carregada .
A ltima aplicao para o SCR a ser descrita mostrada na figura 4 .

um sistema de emergncia para iluminao de uma nica fonte , que manter a carga
de bateria em 6 V para garantir a sua disponibilidade e tambm fornecer a energia DC
para uma lmpada de aviso em caso de falta de energia .
Haver um sinal retificado de onda completa nos terminais da lmpada de 6 V devido
aos diodos D1 e D2 . O capacitor C1 carregar at uma tenso um pouco menor que a
diferena entre o valor de pico do sinal retificado de onda completa e a tenso DC nos
terminais de R2 produzida pela bateria de 6V . Em qualquer situao , o potencial do
catodo do SCR1 mais alto que o do anodo , e a tenso porta catodo negativa ,
garantindo que o SCR no conduz . A bateria est sendo carregada atravs de D1 e R1 a
uma taxa determinada por R1 . A bateria estar se carregando apenas quando o anodo de
D1 for mais positivo que seu catodo . O nvel DC do sinal retificado de onda completa
manter a lmpada de sinalizao acesa quando houver energia . Havendo falta de
energia , o capacitor C1 se descarregar atravs de D1 , R1 e R3 at que o catodo de
SCR1 seja menos positvo que o anodo . Ao mesmo tempo o n entre R2 e R3 se tornar
positivo estabelecendo uma tenso porta catodo suficiente para disparar o SCR . Uma
vez disparado , a bateria de 6 V se descarrega atravs do SCR1 mantendo assim a
iluminao . Ao voltar a energia o capacitor C1 se recarregar e restabelecer o estado
de no conduo do SCR1 , conforme descrito acima .

Chave Controlada de Silcio

A Chave Controlada de Silcio ( SCS de Switch Silicon-Controlled) uma


semicondutor similar ao circuito de um SCR onde adicionado outro terminal externo,
ligado base do transistor doe topo e o colector do transistor inferior, temos um
dispositivo conhecido como um interruptor de silcio controlado, ou SCS.

Este terminal extra permite um controle para desligar o dispositivo, quando a corrente
principal atravs do dispositivo no tenha ainda descido abaixo do valor corrente de
reteno. O Gate nodo o terminal usado para desligar Chave Controlada de Silcio.
O Gate Cathodo o terminal usado para ligar Chave Controlada de Silcio. Por
conseguinte, o motor no pode estar em srie com o nodo.
Quando o boto "on" atuado, a voltagem aplicada entre o Gate Catodo polariza a
juno base-emissor, e o SCS ir ligar. O transistor de topo do SCS est pronto para
conduzir, aps ter sido fornecido com um caminho para fluir corrente a partir do seu
terminal emissor (terminal anodo do SCS) atravs da resistncia R2 para o polo positivo
da fonte de alimentao. Tal como no caso do SCR, ambos os transistores ligam e
mantm no modo ligado (auto polarizao). Quando o transistor inferior liga, ele conduz
uma corrente de carga do motor, e o motor comea a girar.

O motor poder ser parado atravs da interrupo do fornecimento de energia, como


acontece com um SCR, e isto chama-se a comutao natural. No entanto, a SCS nos
fornece outra forma de desligar: comutao forada por curto-circuito no terminal
anodo para o catodo. Isto feito acionando o boto "off". O transistor superior dentro
dos SCS ir perder a sua corrente de emissor, assim, travar a corrente atravs da base do
transistor inferior. Quando o menor transistor desliga, ele quebra o circuito de base de
corrente atravs do transistor superior e o motor para. Os SCS permanecer na condio
desligado at ao momento em que o boto "on" acionado novamente.
A Chave Controlada de Silcio, ou SCS, essencialmente um SCR com um terminal de
porta suplementar.
Tipicamente, a corrente de carga atravs de um servidor SCS transportado pelos
terminais Gate Anodo e Ctodo, o terminal Gate Ctodo e nodo so terminais de
controle com baixa corrente. O SCS ligado atravs da aplicao de uma tenso
positiva entre o Gate ctodo e o terminal de Ctodo. Ela pode ser desligado (comutao
forada) pela aplicao de uma voltagem negativa entre o nodo e o ctodo ou,
simplesmente, por curto-circuito os dois terminais em conjunto. O terminal do nodo
deve ser mantido positivo em relao ao Ctodo, a fim de o SCS manter a conduo.

BIBLOGRAFIA
http://www.corradi.junior.nom.br/Apostila_Tiristor_SCR.pdf
http://www.gta.ufrj.br/grad/01_1/scr/
http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/htmlfile/harmo/fpcap3/cap3.html
http://www.professorhumbertoifsp.pro.br
http://eletronicadepotenciai.blogspot.com.br/2013/02/aula-04-chavecontrolada-de-silicio.html