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1.
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7.
Estructura Cristalina
Imperfecciones En Solidos
Difusion En Metales
Transformacion De Fase
Diagramas De Fase
Comportamiento Mecanico De Los Metales
Metales y Aleaciones
1. Estructura Cristalina
3. Comportamiento Mecanico de Materilaes
2. Imperfaciones en Solidos
1. Estructura cristalina
1.Estructura cristalina
1.1Conceptos generales
Los slidos se dividen en funcin de la disposicin mutua de los tomos en:
Divisin de los slidos:
Amorfos: son aquellos slidos y los tomos estn dispersos en el espacio
catica mente, sin seguir un orden. (vidrio, la resina, etc.)
Cristalinos: son aquellos slidos en los cuales los tomos (Iones, molculas),
se hallan en el espacio siguiendo un orden estrictamente definido formando
una red atmica cristalina
Ejemplos:
a) Hierro: tiene una estructura cristalina cbica centrada en el cuerpo a
temperaturas de hasta 900
b) Colomo: tiene una estructura cristalina cbica centrada en el cuerpo a
temperatura de 1400, lo mismo que el vanadio y el tungsteno
c) Estructura cristalina cbica centrada en el en las caras (CCF) O (FCC), la
encontramos en el Hierro a temperaturas de 900 a 1400 C, tambin al
cobre, el nquel, el aluminio y otros.
d) La estructura cristalina hexagonal, la tiene el magnesio, el zinc, entre
otros
e) La particularidad de disposicin de los tomos en la red determinan el
complejo de propiedades de los metales que lo diferencian de los no
metales; es decir, la conductividad trmica y elctrica, fusibilidad y
mquinabilidad.
1. Estructura cristalina.
1.2 Sistemas cristalinos y redes de bravais.
La estructura cristalina es el concepto que describe la forma de cmo se
organizan los tomos en el material.(La estructura cristalina se determina por
difraccin de rayos X.)
Cmo describir la estructura cristalina?
Celda unidad.
En la subdivisin de una de red que sigue conservando las caractersticas
generales de toda la red. De las mltiples celdas posibles, se escoge la mas
simple
1nm(nanometro) = 10-9 m =
10-7cm = 10 A (angstrom)
Redes de bravais
Slo existen siete celdas nicas
que pueden agruparse de
manera que rellenen
completamente el espacio 3D.
llamados siete sistemas
cristalinos los cules son.
1.
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7.
Sistema
Sistema
Sistema
Sistema
Sistema
Sistema
Sistema
1.
Estructura cristalina
Debido a las caractersticas del enlace metlico (no direccional), las estructuras
cristalinas de los metales presentan alto grado de empaquetamiento entre los
tomos, con gran nmero de vecinos muy prximos.
En los metales, utilizamos el modelos de esferas rgidas, cada
tomo(catin) ocup una posicin en la red.
-la
-la
-la
-la
estructura
estructura
estructura
estructura
los seis lados de la celda). Un punto de red en un vrtice de una celda unitaria
est compartido con siete celdas unitarias adyacentes y en consecuencia,
compartido por un total de ocho celdas; slo un octavo de celdas-vrtice
pertenece a determinadas celda unitaria. As la cantidad de puntos de red de
todos las posiciones en vrtice de una celda unitaria es:
Ejercicio;
1.3.1 calcule la cantidad de puntos de red por celda en los sistemas
cristalinos cbicos. S solo hay un tomo en cada punto de red,
calcule la cantidad de tomos por celda.
Solucin
SC cbica a simple: los puntos de red slo est de los vrtices del
cubo.
1
8
PUNTO DE
VERTICE
VERTICE
CELDA
EJERCICIO:
1.3.1calcule la cantidad de puntosde red por celdaen los sistemas
cristalinos cbicos. Si solo hay un atomoen cadapunto de red, calcule
la cantidad de atomos por celda.
Solucin
SC cubica simple: los puntos de red solo estn en los vrtices del rbol
puntos de
celdasunitarias
= (8)
= (8 vertices)
1
8
1 puntode
8 vertices
=1
puntosde
celdaunitaria
1
8
= (8)
1 puntode
8 vertices
= (8 vertice )
+ 1
+ 1 centro
=2
FCC cbica centrada en las caras: los puntos de red est de los
vrtices y en las caras del cubo.
puntosde
celdaunitaria
1 puntode
8 vertices
= (8 vertices)
+ (6 caras)
1
2
=(8)
1
8
+ (6)
1
2
4
4
1 + 3
= 4
Tarea: determinar el nmero de tomos de la celda hexagonal compacta.
HCP
N tomos/celdas = 2 (6)
1
6
+ (2)
1
2
+ = 6
3.Nmero de coordinacin.
Es el nmero de tomos que toca a un tomo en particular
El tomo en el centro est en el contacto con 8 tomos, por tanto, el nmero
de coordinacin es igual a 8.
FCC
Tenemos ocho tomos en cada vrtice y cuatro en las caras, por lo tanto
ocho ms cuatro igual a doce.
-el nmero de coordinacin que es 8+4=12
FEA =
Volumen del tomo. Ese volumen de las esferas, que la forma geomtrica de
los tomos.
V=
4
3
r3
1
6
d3
4.189 r 3
Volumen de celda, ese volumen del cubo o de la forma geomtrica que ste
representa,(trigonal, rumboedrico, hexagonal, etc.). Por lo que el volumen del
cubo es el siguiente:
V =
4
3
Sabiendo que
a=
4r
2
V=
4r
2
para FCC.
Ejercicio:
1.3.2 calcular el factor empaquetamiento de la celda FCC.
Solucin:
Primero se calcula el numero de coordinacin
-atomo que toca a un atomo en prticular = 12
Segundo, se calcula el numero de atomo por celda unitaria
(8)
(18)
+ (6)
(12 )
=4
3
3
FEA =
4r
2
X 100%
Estructura cristalina
1.4 Clculo de la densidad volumtrica, planar y lineal.
-Densidad volumtrica
Pv =
Pv =
n. M
Vc NA
9
3
Cm
atomos/mol)
Densidad planar.
Pp
Pp
N atomos = 2
por lo que se aclaro en el apartado anterior, tenemos un atomo
en el centrode la cara mas( los dos medios circulares que intersectan),es decir
de los extremos de cada vrtice tenemos de circulo que si lo sumamos nos
da 4/4.
a0
4R
2
P=
2 R2
a2
P=
2r
4R
2
2 =
2 R
( 4 ) 2 R2
2
2
8
= 0.7853
P = 78.53%
Densidad lineal
Ejemplo:
BCC
numero de atomos = 1 porq son solo de angulo los que se
tocan y por lo tanto
son 4 haciendo la suma es 4/4 = 1.
a0
Pp
Pp
4R
3
1 R2
a2
1
42
B
= 0.5890
= 58.90%
Plano (110)
Pp
2 R2
4R 2
2
( )
a=
(4 R2)
Pp
Pp
= 55.53%
(42 )( 2)
= 0.5553
BCC
Numero de atomos = 2
a=
2 R
2
a 2
P
4R
3
p=
Pp
Pp
2 R
( 4) ( 2)
3
( )
= 83.30%
Plano (111)
BCC
Numero de atomos = 3 1/6 =
A=
4R
3
A=
bxh
2
b = a 2
, h=
Pp
3
2
1 /2 R
A
A=
( a 2 ) ( 3 a)
2
3a
2
( 12 ) R
( 23 )( 4R3 )
2
Pp
Pp
( 12 )
( 23 )( ( 43 ) )
Pp
= 0.3400
= 34 %
-Densidad lineal
PL
PL
Ejemplo
BCC (111)
PL =
PL
Atomos en el centro+ 2.
1
2
a.3
2 3
3a
atomos
m
Ejercicio completo:
El aval tiene un radio atmico de 1.431A y una estructura cbica centrada en
las caras. Su peso atmico o 26.97. Calcular la densidad, el nmero de
coordinacin, el aluminio y su factor de empaquetamiento atmico.
Solucin:
FCC
n M
Vc NA
P=
R = 1.431 A
N=4
M = 26.97
Vc =
[ ]
P=
( 4 ) (26.97)
4(1.431)
( 6.023 X 1023 )
2
4R
3
Vc =
a3
ya =
4R
2
= 2.70g/m c
[ ]
[ ]
(4)
FEA =
4
R3
3
4R
2
FEA =
1.431 X 10 cm
4
1.431 x 10
[ 4 )
(4 )
FEA = 74.04 %
x 100
Estructura cristalina
1.5 La novelista lograr rico y direcciones
en las celdas cristalinas.
1.6 ndices de Miller
-coordenadas de la celda unitaria.(Posiciones)
Se puede localizar puntos en una celda estableciendo un sistema de
coordenadas, con un eje de 0,0,0 que sirva de referencia y un punto cualquiera
se designa (X,Y,Z)
-direccin cristalogrfica
Es el vector que une: de una red cristalina y se representa con corchetes las
coordenadas [hkl] y sin comas.
Debe hacerse notar que est direcciones estar siempre representadas por un
conjunto de nmeros enteros, que se obtienen de una manera directa.
Cuando la direccin se mueve a lo largo de un eje negativo debe indicarse a
travs de la notacin [III] y la familia de direcciones se designa a mediante del
parntesis angulares<>, por ejemplo:
<111>=[111],[111], [111],[111], [111],[111], [111],[111]
Ejemplo:
X=
(2)
2/2 = 1
Y=0
(0) (2)
0
Z=1
1(2)
0
[ 102 ]
Indice de Miller.
Para determinar los planos se utiliza los ndices de Miller, que estn definidos
por los recprocos de las intersecciones Queplano determina con los ejes x,y,z
de los prelados no paralelos de la celda unitario. Las aristas de las celdas
unitaria representa longitudes unitarias y las intersecciones de los planos de
una breve se miden en base a estar longitudes unitaria.
El procedimiento para determinar los ndices de Miller para un plano de un
cristal cbico es el siguiente.
1.
2.
3.
4.
Procesos: planos
1. Si el plano pasaba a travs del origen, seleccionar un plano equivalente
o mover el origen.
2. Determinar la interseccin del plano con los herejes en trminos de a,b y
c.
3. Plano // paralelo a los ejes, interceptar en 00 y se considera 1/00 =
Para obtener los ndices de Miller el (hkl) de un plano se sigue el proceso
siguiente:
-identifica las intersecciones del plano de los seres cristalogrficos
-calcular los recipros de las intersepcciones.
-elimina las reacciones si las hay.
-representar los ndices de Miller como el conjunto ms pequeo del hkl
encerrado entre parntesis(hkl).
Ejemplo:
Determinar los ndices de Miller del plano A con origen en 0a
X
Z
Intersecciones
Recproco
4/13
4/13
- 2/1
-
-
Eliminamos fracciones
4/3)3
3(4/3) = 4
(-2) 3
(-
-6
-4
3
(232)
Ejemplos:
1 identificamos su posicin en X =
, Y=1 , Z=1
2 sacamos el resiproco
1
1
1
2
1
2
1
1
* no confundir
1 identificamos su posicin en X =
, Y=, Z=
2 sacamos su resiproco
2
1
=2
2
1
=2
2
1
=2
( 22 )
( 22 )
=1
( 22 )
=1
=1
4 lo expresamos en parentesis
(111)
Difraccin de rayos X
2.Imperfecciones en slidos
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
introduccin
directos puntuales.
de efecto lineales.
significado de la dislocaciones.
ley de schmid.
en metales superficie.
defectos de volumen.
observacin microscpica.
Clasificaciones de las
impurezas. imperfecciones
de grano,interfaces.
-Volumen: poros, fisuras, faces nocristalinas por
Qv
kt )
Donde:
N es el nmero total de posiciones reticular es del cristal ideal.
QV el energa de activacin(necesaria para la creacin de la vacante)
T temperatura absoluta(K)
K era constante BITZMANN 1.38 x
1023
J
atomo . K
8.62 X 10
Ev/atomo. k
-dependencia con la temperatura
T0
Nv - 0
-para metales, el Valor mximo de NV/N ES =10 par T= temperatura de fusin
-influencia de la densidad.
P=
Nv
N
P.
Ejercicio.
Calcular el nmero equilibrio de las vacancas por metro cbico de cobre a
1000C la energa para la formacin de vacancias es de 0.9ev/atomo, el pelo
atmico y la densidad(a 1000C) por el cobre desde el 63.5g/mol y 8.4 g/cm3
respectivamente.
Solucin:
Datos:
QV = 0.9 V/ atomos
AcuU 63.5 g/mol
23
N=
3
)( ) (
Pcu = 8.4 g/ cm
NA P
Acu
N=
)
29
N = 0.8x 10
Qv
(- KT
KT= C+273
Nv = N e
= 1000 + 27.3
k = 1273
atomos
10
Nv = (8x
m3
24
26
Nv = 2.2x 10
vacantes/ m
[(
3
0.9 v
ev
8.62 x 105
(1273 k )
k
atomos/ m
2.4Significado de la dislocaciones.
Aunque los deslizamientos o desplazamientos que pueden ocurrir en
cermicas y polmeros, estos procesos son particularmente til es para
entender el comportamiento mecnico de los metales.
El el deslizamiento atmico explica porque la resistencia de los metales es
mucho ms baja que el Valor terico Pere dicho de los enlaces metlicos.
Primero cuando los deslizamientos ocurren, slo una pequea fraccin de todos
los enlaces metlicos a lo largo de la interfase necesita ser roto y la frecuencia
requerida para informar el metal es pequea.
Segundo, los deslizamientos proveer ductibilidad en los metales.(La
ductibilidad en la deformacin, que es una medida cuantitativa es del
porcentaje de alargamiento en el momento del fallo.) Si le hubieran Presidentes
la edil ocasiones, una barra de Hierro a sera para adquirir y los metales no
podan ser moldeados por varios procesos tales como el forjado.
Tercero, es posible controlar las propiedades mecnicas de un metal o
aleacin interfiriendo con el movimiento de la estilo ocasiones. Un obstculo
introducido dentro del del cristal evita que una dislocacin se deslice a menos
que se aplique una fuerza muy grande
-el posible encontrar un gran nmero de dislocaciones en los materiales.
La densidad de Las dislocaciones o longitud total de las dislocaciones por
unidad de volumen, se usa generalmente para representar la cantidad de
dislocaciones presentes. Las densidades de dislocaciones de 10m.mm son
qumica de los metales ms suaves, mientras que densidades de dislocaciones
superiores a 1000km.mm se pueden conseguir de formando el material.
Dislocasion
De arista: (borde, cua, y lineal). C mi plano de tomos cuya arista(borde)
termina dentro del cristal. Su smbolo
Cua: los tomos a la do y la do del semi plano se encuentran distorsionados.
Los tomos por encima de la lnea de dilocaciones, que se encuentran
perpendicular al plano, en el punto donde termina el semi plano insertado, se
encuentra comprimidos en los que estn por debajo se encuentran apartados
La distancia de deslizamiento de los tomos en torno a una dilocaciones se
llamar dislocamiento o vector de burgers hierr perpendicular a la lnea de
dislocacin de cua.
Helicoidal: se forma cuando se aplica un esfuerzo de cizalladura en un cristal
perfecto que no ha sido separado por un plano cortante. Aqu el vector de
burgus es paralelo a la lnea de dislocacin.
Mixtas: de carcter doble arista y helicoidal su vector de porgueres no es ni
paralelo o perpendicular a la lnea de dilocaciones, pero mediante una
orientacin fija en el espacio, la estructura atmica local en torno a la
dislocacin mixta es difcil de visualizar.
-Vector de burgers
Expresa la magnitud y la direccin de la distorsin reticular asociada a una
dislocacin. Es el vector necesario para cerrar una trayectoria alrededor de la
lnea de dislocasion y volver al punto inicial. Esperpntico un lado a la lnea de
dislocasion de arista y paralelo a la lnea de dislocasion helicoidal.
Ejercicio: la figura muestra un esquema de una dislocacin en xido de
magnesio(mgo), que tienen estructura cristalina del cloruro de sodio y un
parmetros de red 0.396mm. Determine el vector burgers.
d 110=
a.
h +k 2+l2
2
d 110
b110
h2 +k 2 +l2
= 0.280nm
{ 110 } La
d 110=
0.396 nm
(1)2+(1)2+ 0
de 0.280nm
Ejercicio:
2 R fe
2.5Ley de Schmid.
-cada sistema de deslizamiento(la dislocacin) necesita una atencin de
cortadura determinada para su activacin.
-dicha tencin crtica que es siempre la vida para una mismo material con una
misma densidad dislocaciones
-para que la dilocacion se mueva en el sistema de deslizamiento la fuerza
aplicada debe producir una fuerza constante que acte en la divisin de
deslizamiento, esta fuerza constante resulta fr.es:
Fr = Fcos
Ft
A
R=
F
A.
Ejercicio:
Decamos pedir una vara de mono cristal de aluminio puros, el cual tiene un
esfuerzo constante crtico resultante de 148psi desearamos que la barra este
orientada de tal modo que cuando se aplique un esfuerzo axial de 500psi, se
deforme por deslisamiento con respecto a su eje y actue sobre un sensor que
detecte lo sobrecarga. Disee la barra y un mtodo para poder producirla.
soluciom:
es = a
o erg/c m
61
Donde
2
aumentos (100x).
El calculo de G indica lo siguiente:
Dentro del campo visual ecxisten granos completos y otros se allan cortasdos
por la sircunferencia.
Del rea sircular del dimetro es igual a la densidad de granos por unidad de
rea, es decir
N=
Dela ecuacin N =
E=
InN
2
61
+1
Ejemplo:
dentro del campo visual de una rea circular ecxisten 21granos completos i
otros 22 granos se allan cortados por la sircunferencia: ( con lo cual se obtiene
la cantidad completa de granos) calculese el numero de granos por unidad
observada.
Metros=2.25in.
21 +
22
2=32 granos
N=
2.25
2
32
G=
( 8.04 ) +1
(2)
= 4.01
C
c2 M
Donde
Ni es el numerode granos por unidad de rea.
M es el valor de los aumentos aque se alla tomado la micro grafia.
C es una constante mayor que 1(para micro estructuras tpicas, es adecuado
tomar un valor de C=1.5).
EJEMPLO:
Calculese la distancia de separacin entre las dislocaciones en un borde de
grano de angulo pequeo( =2) en aluminio.
Solucin:
|b|AL
Se calcula
|b|AL
D=
|b|
R AL
=2
R = 0.143nm)
= 2(0.143nm) = 0.286nm
0.286
1rad
2
57.3
D= 8.19nm
Ejemplo:
Cul seroa el ndice de tamao de grano. G, para la microestructura de la
figura, si la micrografa fuese sido tomada a 300x aumentos en lugar de 100x?
2
en un rea de 3.98i n
Solucin:
21 + 11 = 32 granos
A 100
= 3.98
100
300
( )
= 0.442
La densidad de grano es
N=
32 granos
0.442 2
= 72.4 granos/
N =
G1
G=
G=
(72.4)
(2)
inN
2
inN
2
+1
1 = 7.18
G = 7+
3. Difusin en metales
3.1introduccin.
3.2Mecanismo de difusin
3.3 primera ley de Fick.
3.4Segunda ley de Fick.
3.5Difusin y el pensamiento de los metales.
-Cermicas conductoras.
En general las cermicas policristalinas tienden a ser buenas aislantes de
electricidad. Los fuertes enlaces covalentes e inicos junto con sus propiedades
micro estructurales contribuyen a la conductividad elctrica. Relativamente
pobre que tienen los cermicos. Sin embargo hay muchos cermicos que
pueden conducir electricidad y algunos son superconductores.
La difusin de iones, electrones huecos, tambin representan un papel
importante en la conductividad elctrica de muchos cermicos, conductores,
como la circonia (Zr02) parcial o totalmente estabilizado o el xido de indio y
estao (tambin conocido de ito). El oxido de cobalto y litio (LiCo02), es un
ejemplo de un material inicamente conductor que se usa en las bateras de
ion-litio. Estos materiales se usan en productos como sensores de oxgeno en
los automviles, pantallas sensibles al tacto, celdas de combustible y bateras.
La capacidad de los iones para difundir y proporcionar un trayecto par la
conduccin elctrica desempea un papel importante para las aplicaciones.
inmersin en caliente.
3.2
Mecanismos De La Difusion
Ejemplo: una lmina de nquel ligada a una de cobre. A temperaturas altas, los
tomos de nquel se difunden a una forma gradual por el cobre y los tomos de
cobre migran al nquel. De nuevo los tomos del cobre y nikel que eran
distribuidos uniformemente, al final.
-ah los mecanismos importantes por los que se pueden difundir los tomos o
los iones.
Difusin de vacancia
Cuando los tomos en la red cristalina se trasladan por s mismos a nuevas
posiciones, es decir un tomo dejar su sitio de red y llena una vacacin
cercana.(Con lo que se crea una nueva vacancancias en la red original). Al
continu la difusin, se forma flujos de tomos y vacancancias a
contracorriente, lo que se llama difusin de vacaciones. Que aumenta con la
temperatura ayuda a determinar el grado de autor y fusin y tambin de
difusin de tomos sustitucinales.
-
dInfusin intersticial
Un tomo que se difunde debe oprimido o formas los tomos que lo rodean
en su paso para alcanzar su nuevo sitio. Para que esto suceda como se debe
suministrar energa como para forzar al tomo a su nueva posicin.
El tomo se encuentra originalmente en un lugar de baja energa y
relativamente estable. Para pasar a un nuevo lugar, el tomo debe superar la
barrera de energa; esta barrera es la energa de activacin Q
dc
dx
J = _D
DONDE:
J es el flujo
D el all fusibilidad o cubo el disidente de la funcin
Donde:
D = D. exp
( Q
RT )
D = C. e
Co es constante
Q energa de activacin
(ca/mol)
D es la rapidez
R es la constante de los gases
T es la constante en
dc
dx
(1.987
en el gradente dr concentracin
( cmatomos
. cm )
3
( molcal..R )
( Q
RT )
C . En la diferencia de concentracin a
Ejercicio:
Una forma de fabricar transistores que amplifican las seales elctricas es
difundir atomos como impureza en el material semiconductor como el
silicio(Si), suponga que una oblea de silicio tiene 0.1 cm de espesor, que
originalmente contiene un tomo de fsforo(p) por cada 10 millones de atomos
de silicio, ya que se trata de tal modo que haya 400 atomos de fsforo. Cada
10 millones de atomos de si en la superficie. Calcule el gradiente de
concentracin a) en porcentajeatomico/cmy ) en el parmetro de red de
silicio es 5.4307.
Oblea
Ax= 0.1 cm
Cs= 400 Atomos de P/ 106 Atomos de Si
Ci = 1 Atomo P/106 Atomos Si
Solucin
1 se calibran las composiciones, inicial (C ) y superficiales (Cs) en porcentaje
atomico
Ci =
de p
( 101 atomo
atomos de si )
6
x 100
( 100 x 109 )
6
= 10x 10
(10)
de % de p 0.00001
Cs =
c
x
400 atomos de p
106 atomos
x 100
(0.000010.004 )
0.1 cm
= 0.004 de p
% de p
= -0.0399
%p
cm
Solucin
Para determinar el gradiente en unidades (
atomos
cm3 . cm
) se debe calcular el
volumen de la celda
Vcelda = (5.4307 x
IA =
108 ) =
1.60 x
1022 cm 3
108 cm
106