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SENAI Servio Nacional de Aprendizagem

Industrial
Centro de Formao Profissional
AFONSO GRECO

ELETRNICA

Praa Expedicionrio Assuno, 168 Bairro Centro


Nova Lima MG CEP: 34.000-000
Telefone: (31) 3541-2666

Presidente da FIEMG
Olavo Machado

Gestor do SENAI
Petrnio Machado Zica

Diretor Regional do SENAI e


Superintendente de Conhecimento e Tecnologia
Lcio Sampaio

Gerente de Educao e Tecnologia


Edmar Fernando de Alcntara

Organizao
Magno Estevam Vieira Junior
Unidade Operacional
Centro de Treinamento de Ouro Branco

ELETRNICA.....................................................................Erro! Indicador no definido.


APRESENTAO ..................................................................................................................... 4
1.SEMICONDUTORES PRINCPIO BSICO ................................................................... 5
1.1 Diodos Silcio e Germnio .............................................................................................. 6
1.2 Diodos zenner e a regio de polarizao negativa. ............................................................. 9
2 RETIFICADORES A DIODO ............................................................................................. 11
2.1 Circuitos Retificadores de Meia Onda ............................................................................. 13
2.2 Retificador Center Tape onda completa ........................................................................ 14
2.3 Circuito em Ponte Onda Completa - Carga Resistiva ................................................... 18
2.4 Resumo das Caractersticas dos Retificadores ................................................................. 21
2.5 Filtros em Retificadores de Meia Onda - Carga RC........................................................ 21
2.6 Regulador de tenso com Zener. ...................................................................................... 23
2.7 Regulador de tenso com CI circuito integrado ............................................................ 25
3. TRANSISTORES PRINCPIO BSICO; ...................................................................... 27
3.1 O transistor como chave ................................................................................................... 28
3.2 Ponto quiescente do transistor .......................................................................................... 29
3.3 Circuitos com transistores ................................................................................................ 30
3.4 Configurao Darlington .................................................................................................. 33
4. LGICA DIGITAL.............................................................................................................. 34
4.1 lgebra de boole ............................................................................................................... 34
4.2 Circuitos digitais com transistores .................................................................................... 35
4.3 Portas lgicas bsicas (AND, OR, NAND, NOR, EXOR, EXNOR). .............................. 36
5. AMPLIFICADOR OPERACIONAL ................................................................................. 44
6. CONVERSOR ANALGICO E DIGITAL ...................................................................... 50
6.1 Conversores D/A .............................................................................................................. 50
6.2 Conversores A/D .............................................................................................................. 54
7. TIRISTORES ........................................................................................................................ 57
7.1 O SCR ............................................................................................................................... 57
7.2 Triac .................................................................................................................................. 62
7.3 Diac................................................................................................................................... 63
7.4 UJT Transistor unijuno ................................................................................................. 64
8. BIBLIOGRAFIA .................................................................................................................. 67

APRESENTAO

Muda a forma de trabalhar, agir, sentir, pensar na chamada sociedade do


conhecimento.
Peter Drucker

O ingresso na sociedade da informao exige mudanas profundas em todos os


perfis profissionais, especialmente naqueles diretamente envolvidos na produo,
coleta, disseminao e uso da informao.
O SENAI, maior rede privada de educao profissional do pas,sabe disso , e
,consciente do seu papel formativo , educa o trabalhador sob a gide do conceito da
competncia: formar o profissional com responsabilidade no processo
produtivo, com iniciativa na resoluo de problemas, com conhecimentos
tcnicos aprofundados, flexibilidade e criatividade, empreendedorismo e
conscincia da necessidade de educao continuada.
Vivemos numa sociedade da informao. O conhecimento , na sua rea tecnolgica,
amplia-se e se multiplica a cada dia. Uma constante atualizao se faz necessria.
Para o SENAI, cuidar do seu acervo bibliogrfico, da sua infovia, da conexo de suas
escolas rede mundial de informaes internet- to importante quanto zelar pela
produo de material didtico.

Isto porque, nos embates dirios,instrutores e alunos , nas diversas oficinas e


laboratrios do SENAI, fazem com que as informaes, contidas nos materiais
didticos, tomem sentido e se concretizem em mltiplos conhecimentos.
O SENAI deseja , por meio dos diversos materiais didticos, aguar a sua
curiosidade, responder s suas demandas de informaes e construir links entre os
diversos conhecimentos, to importantes para sua formao continuada !
Gerncia de Educao e Tecnologia

1. SEMICONDUTORES PRINCPIO BSICO


Os materiais podem ser classificados em 03 (trs) tipos:
condutores
isolantes
semicondutores
Condutores:
Dizemos que um material condutor, quando os eltrons so fracamente ligados
ao ncleo e ao serem submetidos a uma diferena de potencial passam a se
locomover no interior do material.
Podemos citar como exemplo o ouro, a prata, o cobre e outros.
Isolantes:
Dizemos que um material isolante, quando os eltrons se encontram fortemente
presos em suas ligaes, evitando a circulao desses eltrons.
Podemos citar como exemplo, a borracha, a mica, a porcelana, etc.
Semicondutores:
Dizemos que um material semicondutor se sua resistncia se encontra entre a
dos condutores e a dos isolantes.
Os principais semicondutores utilizados so:
Silcio (Si)
Germnio (Ge)
A principal caracterstica dos semicondutores a de possuir 04 (quatro) eltrons
em sua ltima camada, camada de valncia. Isto permite aos tomos do material
semicondutor a formao entre si de ligaes covalentes.
Cristais semicondutores
Dizemos que uma substncia cristalina se ela possui uma estrutura cbica, tendo
seus tomos ocupando os vrtices desse cubo.
O silcio (Si) e o germnio (Ge) apresentam-se sob a forma cristalina, significando que
seus tomos acham-se dispostos uniformemente em uma configurao peridica.
Dopagem do semicondutor
Chama-se dopagem de um semicondutor, o processo utilizado para construir
elementos P e
N, atravs da mistura ao silcio (Si) ou germnio (Ge) de quantidades reduzidas de
impurezas
de elementos trivalentes ou pentavalentes.
Semicondutor tipo N
Se introduzirmos na estrutura cristalina de um semicondutor uma pequena quantidade
de um material pentavalente, por exemplo, antimnio (Sb), tendo este 05 (cinco)
eltrons na camada de valncia, haver a sobra de 01 (um) eltron do antimnio (Sb)
que no formar ligao covalente.

O tomo do antimnio (Sb) que deu esse eltron chamamos de doador. O silcio (Si)
ou germnio (Ge) dopados com elementos pentavalentes so chamados de tipo N,
sendo um material negativo.
Os portadores de carga no material tipo N, so os eltrons.
Semicondutor tipo P
Se introduzirmos na estrutura cristalina de um semicondutor uma pequena quantidade
de um material trivalente, por exemplo, ndio (ln), tendo este 03 (trs) eltrons na
camada de valncia, faltar um eltron.
Essa falta de eltron comporta-se como uma carga positiva que chamamos de lacuna.
Os semicondutores dopados com elementos trivalentes so chamados do tipo P, e ao
elemento trivalente da dopagem chamamos de aceitador.
Os portadores de carga no material tipo P so as lacunas.
Portadores de cargas
A condutividade de um semicondutor depende do nmero de portadores de carga,
eltrons ou lacunas, dependendo da dopagem. Outro fator que influi na condutividade
a temperatura.
Este fator contribui para o rompimento da ligao covalente, dando origem a eltrons
e lacunas medida que a temperatura aumenta. No material tipo N os eltrons da
dopagem mais os surgidos pelo rompimento das ligaes so chamados de
portadores majoritrios, pois existem em maior quantidade no material. E as lacunas
surgidas no material tipo N, devido ao rompimento das ligaes, chamadas de
portadores minoritrios.
No material tipo P os portadores majoritrios so as lacunas e os portadores
minoritrios so os eltrons:

1.1 Diodos Silcio e Germnio


Juno PN
Se unirmos um material do tipo P a um material do tipo N, de maneira a construirmos
um nico cristal, esta juno ser denominada de juno PN ou diodo de juno. Sua
grande utilidade reside em deixar passar uma dada corrente em apenas um sentido.
Sendo esta corrente alternada, que flui em dois sentidos, passa a fluir em um s
sentido. A esta operao chamamos de retificao.
Na figura abaixo, representamos uma juno PN no polarizada.

Figura 1.1 Diodo semicondutor


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p.12.

O material N apresenta um grande nmero de eltrons (portadores majoritrios) e o


material
P um grande nmero de lacunas (portadores majoritrios). Haver difuso atravs da
juno, ou seja, alguns eltrons comeam a aparecer nas proximidades do material P
e algumas lacunas, nas proximidades do material N, causando a recombinao
(ocupao de uma lacuna por um eltron ) entre esses portadores e uma
neutralizao de cargas (um eltron se anula com uma lacuna).

Quando um eltron e uma lacuna se encontram, suas cargas individuais neutralizamse e isto deixa o tomo da impureza carregado. Os tomos das impurezas so fixos.
O tomo que produzir o eltron tem agora uma lacuna e se carrega positivamente, e o
tomo que produziu a lacuna tem um eltron e se carrega negativamente, e so
chamados de ons. Com isto aparecer um campo eltrico entre o material P e o
material N e uma diferena de potencial chamada de barreira de potencial ou regio
de carga espacial ( camada de depleo ).
Depleo significa diminuio ou ausncia e, neste caso, esta palavra corresponde
ausncia de portadores majoritrios na regio prxima juno PN .

Diodos retificadores
Um dodo um componente de larga utilizao na eletrnica.
Antigamente os dodos eram vlvulas (um componente com o aspecto de uma
lmpada). Quando hoje se fala em dodos estamos normalmente a referir-nos ao
dodo semicondutor, que completamente diferente, embora funcione da mesma
maneira, sendo embora muito menor. As figuras seguintes mostram o aspecto de dois
tipos de dodo.

Figura 1.2 Diodo semicondutor


Fonte: RICA componentes eletnicos.
As suas dimenses so pequenas, com cerca de 1 cm de comprimento.

O grfico a seguir mostra a corrente em funo da tenso aplicada em um diodo de


juno para o caso de diodo de silicio (Si)
Podemos notar que o grfico tem 3 regies:
1. Regio de polarizao direta: vd > 0
2. Regio de polarizao reversa: vd<0
3. Regio de ruptura: vd< -VBK

Figura 1.3 Grfico do Diodo semicondutor


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p.14.

O retificador mais simples que existe o diodo (confeccionado com material do tipo
semicondutor), que permite a passagem de corrente eltrica num s sentido; esse
retificador chamado "retificador de meia-onda" e resulta num sinal de corrente
contnua pulsante, como mostra a figura abaixo

Figura 1.4 Formas de onda de entrada e de sada de um circuito retificador.


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p.12.

1.2 Diodos zenner e a regio de polarizao negativa.


Diodos Zener so diodos projetados para operar na regio de ruptura, onde
grandes variaes de corrente produzem pequenas variaes de tenses desta
forma permitindo que se construa um regulador de tenso. A figura1a mostra o
smbolo e a figura1b a curva caracterstica mostrando a regio de operao.

(a)
(b)
Figura 1.5 ( a ) smbolo do diodo Zener ( b ) curva caracterstica
Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p.16.

A regio de trabalho do diodo Zener est compreendida entre Izmin (menor


corrente que mantm a regulagem) e Izmx (mxima corrente antes de ocorrer a
destruio do componente). Associado aos valores de corrente acima temos os
valores de tenso (que so muito prximos). A tenso nominal a tenso de
especificao (Vznom). Outra especificao importante a mxima potencia que o
Zener pode dissipar (Pzmx) a qual est relacionada com a tenso
aproximadamente por :
Pzmx=Vznom.Izmx (visto que Vznom aproximadamente igual a Vzmx).
Em geral podemos estimar Izmin por:
Izmin=Izmx/10 e IZmx = PZmx/Vnom
Os valores de potncia mais conhecidos so: 0,25W - 0,5W - 1W - 5W - 10W50W.

Os valores de tenso Zener esto compreendidos entre 3,3V e 75V.


Exemplos de Zeners comerciais: 1N4729A para 3,6V - 1N4730A para 3,9V 1N4735A para 6,2V
Se escolhermos o 1N4735A de 1W a mxima corrente que ele pode conduzir
Izmax=1W/6,2V = 161mA e a mnima aproximadamente 16mA

LED Diodo Emissor de luz,


Utilizado para sinalizao de circuitos eletrnicos. Quando polarizado diretamente
produz luz, quando polarizado reversamente comporta-se como um diodo comum.
Veja o smbolo e a ilustrao abaixo:

Figura 1.6 Simbologia do Diodo e fotografia de Diodos comerciais.


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p.18.

10

2 RETIFICADORES A DIODO
Valor Mdio de Tenso e Corrente de um Sinal peridico
Para compreender o significado de valor mdio, lanaremos mo de um exemplo,
para em seguida, aplicarmos a definio de valor mdio para as grandezas corrente e
tenso.
Consideremos um automvel que apresenta sua velocidade em funo do tempo,
km/
h
100
66,7
0

30

60

90

min

Figura 2.1 Simbologia do Diodo e fotografia de Diodos comerciais.


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p.19.

Velocidade Mdia:
Vm = ( 100 [km/h] x 0,5 [h] + 100 [km/h] x 0,5 [h] ) / 1,5 [h]
Vm = 66,7 [km/h]
Clculo de valores mdio de tenso e corrente para sinais peridicos:
e
i

temp
o
e

Vm = Vmax /
Im = Imax /

e
i

Vm = 0
Im = 0

temp
o

Vm = 2.Vmax /
Im = 2.Imax /

temp
o
Figura 2.2 Formas de onda retificadas e calculo de seu valor mdio.
Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p.19.

11

Valor Eficaz de Tenso e Corrente de um Sinal Peridico


Na figura abaixo, temos representada a forma de onda de uma corrente peridica
qualquer, sendo denotada genericamente por Ik.
Ik

temp
o

Figura 2.3 Senoide


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p.19.

Esta corrente circulou atravs de uma resistncia R durante um intervalo de tempo t,


dissipando por conseguinte uma potncia P.
Fez-se circular pela mesma resistncia R, durante o mesmo intervalo de tempo, uma
corrente contnua I, e dissipou-se a mesma potncia P obtida no caso anterior.
O que se pode dizer, que o valor efetivo da corrente peridica Ik, deve ser igual ao
valor da corrente contnua I, para que possamos obter nos dois casos o mesmo valor
de potncia dissipada em R.
Ao valor efetivo da corrente Ik, denominamos de corrente RMS, ou simplesmente
corrente eficaz.

Clculo de valores eficazes de tenso e corrente para sinais peridicos:


Ik

Ik

Ik

Vm = Vmax / 2
Im = Imax / 2
temp
o
Vm = Vmax / 2
Im = Imax / 2
temp
o
temp
o

Vm = Vmax / 2
Im = Imax / 2

Figura 2.4 Grafico de tenses retificadas


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p.20.

12

2.1 Circuitos Retificadores de Meia Onda

VP

+
VS

RL V L

Figura 2.5 Circuito retificador de meia onda.


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p.21.

Quando tivermos no anodo do diodo, uma tenso positiva em relao a aplicada ao


catodo, ele passar a conduzir, e isto o que ocorre durante o semiciclo positivo da
tenso secundria.
Durante este semiciclo, teremos corrente circulando pela carga, e no diodo teremos
uma queda de tenso que ser da ordem de 0,7 volts quando for de material silcio.
No prximo semiciclo negativo da tenso, o diodo no conduzir, por estar
inversamente polarizado, estando seu anodo num potencial negativo em relao ao
catodo.
Dessa forma, neste meio ciclo, no haver corrente circulando pela carga, e a tenso
existente no secundrio do transformador ficar retida nos terminais do diodo.
VS

Vmax
t

Valor mdio da tenso na carga


VL = Vmax /

VD

Valor mdio da corrente na carga e


no diodo
Id = Imax /

VL

Valor eficaz da tenso na carga


t
IL= ID

Vef = Vmax / 2
Valor eficaz da corrente na carga e
no diodo

= Imax
/2
Figura 2.6 Formas de onda de um circuito retificador de Ief
meia
onda.
Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 21.

13

O diodo a ser utilizado dever ter as seguintes caractersticas:


1) Idc > Imax /
2) VR > Vmax ou Vpico

2.2 Retificador Center Tape onda completa


D1
VL

VS

VP

RL

VS
2

D2
Figura 2.7 Circuito retificador de onda completa
Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 22.

Inicialmente veremos como se comporta o secundrio de um transformador com


ponto neutro
1

+
+

VS
1

A
_

Ponto de observao

VS

Figura 2.8 Secundrio do transformador Center Tape


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 22.
O observador ver em relao ao ponto A potencial + no ponto 1 e potencial negativo
no ponto 2. Quando muda a polaridade da tenso de entrada, o ponto 1 passa a ser
negativo e o ponto 2 positivo em relao ao ponto A, desta maneira a forma de onda
das tenses VS1 e VS2 ser a representada a seguir
1

_
_

A
+
2

VS

Ponto de observao

VS
2

Figura 2.9 Secundrio do transformador Center Tape


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 22.
14

Podemos concluir que as formas de onda de V S1 e VS2 sero no domnio do tempo,


as apresentadas a seguir
VS
1 0

VS
2 0

t
_ 2
+

Figura 2.10 Formas de onda do transformador.


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 23.

Voltemos ao Retificador
D1
VP

RL V L

VS
1

VS
2

D2
Figura 2.11 Circuito retificador de onda completa
Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 23.

Quando VS1 estiver no semi ciclo positivo, o diodo D1 estar com seu anodo positivo
de tal maneira que conduzir.
No mesmo instante em que VS1 positivo, VS2 negativo e este potencial est sendo
aplicado no anodo do diodo D2, que comportar como um circuito aberto, no
conduzindo.
Quando VS1 passa a ser negativo, este potencial aplicado ao diodo D 1 que passa a
se comportar como circuito aberto. Neste mesmo instante o potencial de V S2
positivo e est sendo aplicado no anodo do diodo D2 que passar a conduzir.
D1
RL V L

VP

D2
Figura 2.12 Circuito retificador de onda completa
Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 23.

15

Pode-se notar que cada diodo conduz somente meio ciclo de onda, e sobre a carga a
corrente sempre circula em um mesmo sentido de tal maneira que temos na carga
tenso e corrente contnua pulsante.
interessante observar que a tenso reversa sobre cada diodo o dobro da tenso
de pico. Faremos um exemplo para ilustrar. Vamos supor que o valor da tenso de
pico de VS1 e VS2 sejam iguais a 100 V
D1

1
A
2

+ 100
V
V
VS1
S2
- 100
V

RL V L

_
D2

Figura 2.13 Circuito retificador de onda completa


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 24.

No instante em que o diodo D1 estiver conduzindo o diodo D2 estar cortado. A


tenso na carga de 100 volts neste instante.
Notem que nos pontos 1, B e C o potencial, num dado instante exatamente 100
volts positivos e est no catodo do diodo D2. O diodo D1 neste momento est
conduzindo, e comporta-se como um curto-circuito.
No mesmo instante, em que aparece 100 volts positivos no catodo D2, no anodo do
diodo comentando existe um potencial de 100 volts.
-100v

D2

+100
v

VR
Figura 2.14 Potenciais sobre o diodo D2
Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 24.

Conclui-se que a tenso reversa sobre o diodo D2 neste instante de 220 volts, o
dobro da tenso VS1 ou VS2.

16

As formas de onda de tenso e corrente de um retificador de onda completa com


derivao central no transformador e carga resistiva so mostradas a seguir.
VS
1

t
VS2

ID1

ID2

VL

Figura 2.15 Formas de onda do circuito retificador de onda completa


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 25.

A tenso sobre a carga tem uma tenso contnua pulsante cujo valor mdio
Vdc = 2 . Vmax /
E valor eficaz
Vef = Vmax / 2
Para se dimensionar os diodos necessitamos do valor mdio da corrente direta que
circular por eles e de sua tenso reversa mxima.
A forma de onda da corrente em cada diodo de meia onda como mostra a figura a
seguir.

Figura 2.16 Formas de onda da corrente em cada diodo


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 26.

17

Da concluimos que: IDC = Imax /


A tenso reversa sobre os diodos possui a forma a seguir

2
Vmax
Figura 2.17 Formas de onda da tenso reversa sobre os diodos
Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 26.

VR = 2 Vmax, logo:
Corrente Mdia > Imax /
Tenso Reversa Mxima > 2 Vmax

2.3 Circuito em Ponte Onda Completa - Carga Resistiva


1
VS

VP

D1

D4

D2

D3

RL V L

Figura 2.18 Circuito retificador em ponte


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 26.

No instante em que temos VS positivo, ou seja ponto 1 positivo em relao ao ponto 2,


os diodos D2 e D4 conduzem fazendo com que circule uma corrente no circuito, no
sentido indicado na figura a seguir.
1
D2
VP

D1
D4
D3

RL V L

Figura 2.17 Circuito retificador em ponte


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 27.

18

Quando VS inverte a polaridade, o ponto 1 ser negativo em relao ao 2, e os diodos


D1 e D3 conduzem.
Uma vez conduzindo os diodos D1 e D3, propiciaro a circulao de uma corrente cujo
sentido mostrado na figura a seguir
1
_

VP

D2

VS

D1
D4
D3

RL V L

Figura 2.18 Circuito retificador em ponte


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 27.

fcil verificar que mesmo VS mudando de polaridade a corrente na carga circula


sempre no mesmo sentido, isto a corrente IL possui somente uma polaridade, ou
seja, esta corrente contnua pulsante e consequentemente a tenso V L tambm o
ser.
Tenso Reversa Sobre os Diodos
Quando VS positivo, os diodos D2 e D4 conduzem. Na figura a seguir, estes diodos
esto representados como curto-circuito para que possamos analisar melhor o
circuito.
1
VS

VP

D2
D1
D4

D3

RL V L

Figura 2.19 Circuito retificador em ponte


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 28.

Pode-se notar que os diodos D1, D3, o secundrio do transformador e a carga R


esto em paralelo, polarizados inversamente e a tenso mxima que ficar sobre eles
a tenso mxima fornecida pelo secundrio do transformador.
Pode-se concluir que a tenso de pico reversa sobre os diodos ter o mesmo valor da
tenso mxima fornecida pelo secundrio do transformador.

19

Logo, para dimensionamento destes diodos deve-se considerar


Corrente mdia > Imax /
Tenso Reversa mxima > Vmax

Formas de Onda para os circuitos em ponte


V

Vmax

t
ID1 = I
D3

ID2 = I
D4

VD1 = V D3

t
t

VD2 = V D4
t
VL
t
Figura 2.20 Formas de Onda para os circuitos em ponte
Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 29.

20

2.4 Resumo das Caractersticas dos Retificadores


Onda

Center
Ponte
Tape
na Vmax / 2Vmax / 2Vmax /

Tenso mdia
carga Vdc
Tenso eficaz na Vmax / 2 Vmax / 2 Vmax / 2
carga Vef
Tenso Inversa sobre Vmax
2Vmax
Vmax
os
diodos
VR
mxima

2.5 Filtros em Retificadores de Meia Onda - Carga RC


IT
VE

IL

IC
C

RL

VL

Figura 2.21 Retificador de meia onda com filtro


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 32.

Sem o capacitor, a forma de onda da tenso na carga seria a seguinte:

Com o capacitor, temos:

tC

tD

Figura 2.22 Carga e descarga de um capacitor.


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 32.
tC tempo de carga do capacitor, o tempo em que o diodo conduz e fornece carga
ao capacitor e ao resistor
td o tempo de descarga do capacitor, tempo em que o diodo no conduz pois, sua
tenso de catodo (fornecida pelo capacitor) maior que sua tenso de anodo. O
capacitor mantm a corrente na resistncia RL
Analisaremos agora a tenso reversa sobre o diodo. Considerar uma tenso de
entrada mxima de 100 volts.
21

Observando o circuito, no semi-ciclo positivo, o diodo conduz e o capacitor se carrega


com tenso mxima de 100 volts.
No semi-ciclo negativo, no anodo do diodo (no instante em que temos a tenso
mxima do semi-ciclo negativo), passar a ter 100 volts, e no catodo tem-se a
tenso do capacitor que ainda de ordem de + 100 volts, de modo que a tenso
inversa de pico sobre o diodo de 200 volts.
Devido ao semiciclo
negativo da onda de
entrada

+ 100
V

- 100
V

Tenso sobre o capacitor

Figura 2.23 Potenciais sobre o diodo.


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 33.
Obs: Na escolha do diodo, este deve aguentar tenso inversa mxima maior que
2Vmax, onde Vmax o valor da tenso de pico da onda de entrada.

Clculo Aproximado da Tenso Mdia na Carga:


2CRf Vmax
Vdc =
1 + 2CRf
Filtros em Retificadores de Onda Completa Carga RC
D1
VE

Vmax

RL

Vmax
Referncia
D2
A tenso mdia sobre a carga
ser:
4.CRf Vmax

Vdc =
1 + 4CRf

Figura 2.24 Forma de Onda retificada do circuito Center tape com filtro.
Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 29.

22

2.6 Regulador de tenso com Zener.


No circuito abaixo formado por um diodo zener polarizado reversamente pela fonte VE
e um resistor limitador de corrente, temos que:

Figura 2.25 Circuito regulador de tenso.


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 38.

A tenso VZ permanece constante para correntes entre IZmin e IZmax. Podendo o


diodo ser substitudo pelo seu modelo ideal.

Figura 2.26 Modelo ideal do diodo zener


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 38.

Na especificao de um circuito regulador devemos nos preocupar em definir limites


para VE e RS de modo a no danificar o diodo.
Regulador de Tenso com Carga
As quatro aplicaes bsicas dos reguladores de tenso, so as seguintes:
Estabilizar uma tenso de sada para uma carga fixa a partir de uma
tenso constante.
Estabilizar uma tenso de sada para uma carga varivel a partir de uma
tenso constante.
Estabilizar uma tenso de sada para uma carga fixa a partir de uma
tenso com ripple.
Estabilizar uma tenso de sada para uma carga varivel a partir de uma
tenso com ripple.

23

O primeiro caso seria o mais simples, por exemplo, se desejssemos alimentar um


aparelho de 4,5 V a partir de uma bateria de 12 V. O ltimo caso o mais geral,
geralmente o encontrado nas fontes de tenso com filtros capacitivos.
Basicamente, o projeto de um regulador de tenso com carga consiste no clculo da
resistncia limitadora de corrente RS conhecendo-se as demais variveis do circuito:
Tenso de entrada (constante ou com ripple)
Carga (fixa ou varivel)
Tenso de sada esperada
Especificaes do diodo zener

Figura 2.27 Circuito regulador de tenso.


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 39.

Exemplo 1 - Determine RS do regulador de tenso acima para que uma fonte de


tenso de 12 V fixos alimente um circuito com carga constante de 1 kW e tenso de
5,6 V, usando um diodo zener de VZ=5,6V e IZmax=100mA..

Soluo: O resistor RS deve satisfazer as condies dadas pelas


especificaes do diodo.
Com a corrente mnima definimos o valor mximo para RS
Com a corrente mxima definimos o valor mnimo para RS
Definimos um valor comercial para RS dentro do intervalo estabelecido.
Calculamos a potncia dissipada pelo resistor.

Exemplo 2 - Uma fonte de alimentao foi projetada para alimentar uma carga de
560W com tenso de 15V. Porm o sinal de sada do filtro capacitivo corresponde a
uma tenso de 22V com ripple de 5Vpp. Determinar R S do regulador de tenso que
elimina o ripple desta fonte e estabiliza sua tenso em 15V.
Soluo: O resistor RS deve satisfazer as condies dadas pelas
especificaes do diodo e pela variao da tenso de entrada..
Com a corrente mnima definimos o valor mximo para RS. A corrente
mnima acontece para o valor mnimo de VE.
Com a corrente mxima definimos o valor mnimo para R S. A corrente
mxima acontece para o valor mximo de VE.
Definimos um valor comercial para RS dentro do intervalo estabelecido.
Calculamos a potncia dissipada pelo resistor.

24

2.7 Regulador de tenso com CI circuito integrado


O regulador de tenso mantm a tenso de sada constante (estabilizada) mesmo
havendo variaes na tenso de entrada ou na corrente de sada.

Figura 2.28 Circuito regulador de tenso.


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 41.

Os reguladores de tenso podem ser implementados com componentes discretos


ou podem ser obtidos na forma de circuito integrado (C I ). Os reguladores de tenso
na forma de C.Is
so mais precisos e tornam o circuito mais compacto pois ocupam menor espao.
Tem-se vrios tipos de reguladores de tenso, dentre os quais podemos citar os CIs
da srie 78XX para tenso positiva e os da srie 79XX para tenso negativa.

Figura 2.29 Circuito regulador de tenso.


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 42.

Nota: As funes dos pinos 1 e 2 da srie 79XX so trocadas em relao srie


78XX
Nos reguladores 78XX, o pino 1 a entrada e o pino 2 o comum (ligado ao terra).
Nos reguladores 79XX, o pino 2 a entrada e o pino 1 o comum (ligado ao terra).
O pino 3 a sada tanto para o 78XX quanto para o 79XX.

25

Alguns exemplos de CIs reguladores de tenso


CI
7805
7806
7812
7815
7824
Tabela 2.1

Tenso de
sada
+ 5V
+ 6V
+ 12V
+ 15V
+ 24V

CI
7905
7906
7912
7915
7924

Tenso de
sada
-- 5V
-- 6V
-- 12V
-- 15V
-- 24V

As caractersticas dos reguladores de tenso 78XX so:


Mxima tenso de entrada = 35 V
Tenso mnima de entrada de aproximadamente 3V acima da tenso de sada
Mxima corrente de sada = 1 A
Mxima potncia dissipada = 15 W ==> PD = (Vent -- Vsada) . IL
IL a corrente de sada.
Se PD for maior que 1W deve-se utilizar um dissipador ou radiador de calor para o
C.I.
Conversor de 12V para 5V com o C.I 7805.

Figura 2.30 Circuito regulador de tenso.


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 45.
RL a resistncia da carga (LOAD) ou o circuito eletrnico que est sendo
alimentado com 5V.
Os capacitores C1 e C2 eliminam rudos de RF e do maior estabilidade na tenso de
sada.
Considerando IL = 500 mA , tem-se uma potncia dissipada no CI de:
PD = ( 12V -- 5V ).0,5 A => PD = 3,5W

26

3. TRANSISTORES PRINCPIO BSICO;


No estudo de diodo, analisamos uma juno PN. Para o transistor, estudaremos duas
junes.
Para cada juno do transistor, existir uma barreira de potencial. Temos 02 (dois)
tipos de transistores, NPN e PNP, apresentando 03 (trs) terminais: o emissor, a base
e o coletor, e duas junes: juno base-emissor e a juno base-coletor, conforme a
figura abaixo.

Figura 3.1 Transistor.


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 47.
Neste caso, o emissor composto de um material tipo N, tem a funo de emitir
eltrons. O coletor, que tambm de material tipo N, coleta os eltrons. A base,
formada por material tipo P, a parte comum.
Os smbolos convencionados para o transistor so os seguintes:

Figura 3.2 Transistor NPN, PNP.


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 48.

27

3.1 O transistor como chave


Uso do transistor como chave implica em polariz-lo na regio de corte ou de
saturao. Como o corte do transistor depende apenas da tenso de entrada, o
clculo dos transistores efetuado baseado nos parmetros de saturao. Um
transistor comum, quando saturado, apresenta um VCE de aproximadamente 0,3V
e um ganho de valor mnimo (entre 10 e 50) para garantir a saturao. A corrente
de coletor de saturao depende da resistncia acoplada ao coletor ou da corrente
imposta pelo projeto.
Exemplo No circuito a seguir, deseja-se que o Led seja acionado quando a chave
estiver na posio ON e desligado quando a chave estiver na posio OFF.
Parmetros do transistor BC 548:
VBESAT=0,7V VCESAT=0,3V
ICMAX=200 mA VCEMAX=30V
b =20
Parmetros do LED: VD=1,5V ID=25mA
Exemplo Um circuito digital (TTL) foi projetado para acionar um motor de 220V/
60Hz sob determinadas condies. Para tanto, necessrio que um transistor
como chave atue sobre um rel, j que nem o circuito digital, nem o transistor
podem acionar este motor. O circuito utilizado para este fim esta mostrado a
seguir.

Figura 3.3 Transistor como chave.


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 48.

28

Neste circuito, em srie com RC, coloca-se a bobina do rel. Esta bobina,
normalmente, apresenta uma resistncia DC da ordem de algumas dezenas de
ohms. Por ser to baixa, a resistncia RC, tem a funo de limitar a corrente no
transistor, para no danific-lo. O diodo em paralelo com a bobina serve para
evitar que o transistor se danifique devido tenso reversa gerada por ela no
chaveamento do rel.
Parmetros do 2N2222:
VBESAT=0,7V VCESAT=0,3V b =10
ICMAX=500mA VCEMAX=100V
Parmetros do rel:
RR=80W IR=50mA

3.2 Ponto quiescente do transistor


Ao polarizarmos o transistor devemos verificar os limites de operao do mesmo,
ou seja, a tenso mxima coletor-emissor (VCE mx), a corrente mxima de coletor
(IC mx), a tenso mxima base emissor (VBE mx ), a tenso mxima coletor-base
(VCB mx), a Potncia mxima (PC mx) e a temperatura mxima. Se ultrapassarmos
estes limites, poderemos danificar o transistor ou faz-lo trabalhar com distores.
O ponto de operao de um transistor, tambm denominado ponto de trabalho ou
ponto quiescente, deve ser localizado na regio de operao limitada pelos
valores mximos de tenso, corrente e potncia.

Figura 3.4 Curva do Transistor.


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 50.

29

Alm da regio de operao (regio ativa), onde o transistor trabalha sem distores,
devem ser levadas tambm em considerao as regies de corte e de saturao. Na
regio de corte, a\ tenso VBE menor que VBE de conduo, logo no haver
corrente IB circulando, IC tambm ser zero, e VCE estar com valor elevado. Na regio
de saturao, a tenso VBE um pouco maior que VBE de conduo. Neste caso, a
corrente de entrada IB e conseqentemente IC so muito grandes, o que implica em
VCE baixo, em torno de 0,2 Volts (dependendo do transistor)

3.3 Circuitos com transistores


Ligao Base
Comum

Figura 3.5 Configurao Base Comum


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 51.

Valem as seguintes relaes em um transistor:


IE = IC + IB sendo que

o ganho de corrente na configurao emissor comum.


Outra forma de representar uma conexo de transistor a emissor comum, Fig9.

30

Ligao Emissor Comum


Corrente convencional
Corrente de eltrons

Figura 3.6 Configurao Emissor Comum


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 52.

Observe que a juno base emissor continua polarizada diretamente e a juno


base coletor reversamente. Os eltrons so emitidos no emissor atingem a base
que por se pouco dopada e estreita permite que a maioria atinja o coletor.
Para essa configurao chamada emissor comum define-se o ganho de
corrente, beta, como sendo:

31

Os desenhos das Figuras 3.5 e 3.6 so representados pelos seus esquemas


eltricos correspondentes indicados na Figuras 3.7 e 3.8 respectivamente.

Figura 3.7 Configurao Base Comum


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 53.

Figura 3.8 Configurao Emissor Comum


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 53.

32

3.4 Configurao Darlington


A principal funo desta configurao conseguir alta impedncia de entrada e alto ganho de
corrente.
O arranjo desta configurao conectar dois transistores do mesmo tipo de maneira que se o
ganho de corrente de um transistor for 1 e o do outro for 2 ento o ganho de corrente do
arranjo ser igual a D = 1.2 . A coneco Darlington atua como um novo dispositivo, cujo
ganho de corrente o produto dos ganhos individuais. A figura abaixo mostra esta
configurao.

Figura 3.9 Par Darlington


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 59.
Obs:
1) Esta configurao pode ser feita tambm com transistores PNP.
2) Como o transistor Q1 opera com baixas corrente, e comumente encontrado na
prtica um resistor entre a base e o emissor de Q2 , assim b1 no reduzido.

33

4. LGICA DIGITAL
4.1 lgebra de boole
A lgebra de Boole uma ferramenta matemtica muito utilizada na representao e
simplificao de funes binrias (ou lgicas), sendo a sua designao resultante do
contributo do Matemtico George Boole.
Definies
A Varivel lgica (ou de Boole ou binria) - Varivel que tem por domnio 2 valores
lgicos distintos, representados pelos valores 0 e 1 (ou outras designaes como
FALSE(F) e TRUE (T) ou FALSO(F) e VERDADEIRO(V) ).
Funo lgica (ou de Boole ou binria) - Funo que tem por contradomnio os
valores lgicos 0 e 1.
Operadores/Funes lgicos elementares:

Interseco (conjuno ou produto lgico)- AND


F(A,B) = A,B = A B

Tabela 4.1 Tabela da verdade porta AND

Unio (disjuno ou soma lgica) - OR


F(A,B) = A + B

Tabela 4.2 Tabela da verdade porta OR

Complemento (negao ou inverso) NOT


F(A) = A = A'

Tabela 4.3 Tabela da verdade porta NOT


34

4.2 Circuitos digitais com transistores


Analogia com circuitos integrados TTL
importante notar que, se as entradas estiverem abertas, o bloco lgico comporta-se
como se elas estivessem em nvel lgico 1. Porm, essa condio deve ser evitada,
pois pode acarretar problemas de rudo. Assim, as entradas no utilizadas devem ser
ligadas ao nvel adequado lgica da porta (0 ou 1).
A famlia TTL tem como bloco lgico principal a porta NO E. A partir desse bloco
lgico so
desenvolvidas todas as demais funes. Veja tabela-verdade e circuito bsico a
seguir:

Figura 4.1 Porta NAND


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 65.
A sada com coletor aberto apresenta um transistor que no possui o resistor de
coletor. Por isso, esse tipo de circuito exige um resistor externo para poder funcionar.
Veja figura a seguir.

Figura 4.2 Porta NAND com coletor aberto


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 65.
35

4.3 Portas lgicas bsicas (AND, OR, NAND, NOR, EXOR, EXNOR).
Funes Lgicas E, OU, NO, NE e NOU.
Faremos a seguir, o estudo das principais funes lgicas que na verdade derivam
dos postulados da lgebra de Boole, sendo as variveis e expresses envolvidas
denominadas de booleanas.
Nas funes lgicas, temos apenas dois estados distintos:
O estado 0 (zero) e o estado 1 (um).
O estado 0 representar, por exemplo: porto fechado, aparelho desligado, ausncia
de tenso, chave aberta, no, etc. O estado 1 representar, ento: porto aberto,
aparelho ligado, presena de tenso, chave fechada, sim, etc.
Note, ento, que se representarmos por 0 uma situao, representaremos por 1 a
situao contrria. Deve-se salientar aqui, que cada varivel booleana da funo
lgica pode assumir somente 2 situaes distintas 0 ou 1.

Funo E ou AND
A funo E aquela que executa a multiplicao de 2 ou mais variveis booleanas.
tambm conhecida como funo AND, nome derivado do ingls.
Sua representao algbrica para 2 variveis S = A.B, onde se l S = A e B.
A figura abaixo mostra o circuito eltrico equivalente a porta E.

Figura 4.2 Analogia porta AND


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 66.

CONVENO
CHAVE ABERTA = 0 LMPADA APAGADA = 0
CHAVE FECHADA = 1 LMPADA ACESA = 1
Tabela-verdade de uma Funo E ou AND
Chamamos de tabela-verdade um mapa onde colocamos todas as possveis
situaes com seus respectivos resultados. Na tabela 04, iremos encontrar o modo
como a funo se comporta. A seguir, iremos apresentar a tabela-verdade de uma
funo E ou AND para 2 variveis de entrada:

Tabela 4.4 Tabela da verdade Porta AND

36

Simbologia
A porta E um circuito que executa a funo E, sendo representada na prtica,
atravs do smbolo abaixo:

Figura 4.3 Smbolo porta AND


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 66.
Teremos a sada no estado 1 se, e somente se, as 2 entradas forem iguais a 1, e
teremos a sada igual a 0 nos demais casos.
Podemos estender o conceito da funo E com 2 variveis de entrada para qualquer
nmero de entradas. Para exemplificar, mostraremos uma porta E de 3 variveis de
entrada, sua tabela-verdade e sua expresso booleana

Figura 4.4 Smbolo porta AND com 3 entradas e sua tabela da verdade
Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 67.
Notamos que a tabela-verdade mostra as 8 possveis variaes das variveis de
entrada e seus respectivos resultados na sada. O nmero de situaes possveis
igual a 2N, onde N o nmero de variveis de entrada.
No exemplo: N = 3 23 = 8.

37

Funo OU ou OR
A funo OU ou OR aquela que assume valor 1 quando uma ou mais variveis da
entrada forem iguais a 1 e assume valor 0 se, e somente se, todas as variveis de
entrada forem iguais a 0. Sua representao algbrica para 2 variveis de entrada
S = A + B, onde se l S = A ou B.
O termo OR tambm utilizado derivado do ingls.
O circuito da figura 04 abaixo representa a funo OU:

Figura 4.5 Analogia porta OR


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 67.
Tabela-verdade da Funo OR ou OU
Nesta tabela 05, temos todas as situaes possveis com os respectivos valores que
a funo OU assume.

Tabela 4.5 Tabela da verdade porta OR


Simbologia
a porta que executa a funo OU, representada atravs do smbolo abaixo:

Figura 4.6 Simbolo da porta OR


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 69.

38

O conceito da funo OU pode ser estendido para mais de 2 variveis de entrada.


Como exemplo veremos uma porta OU e sua expresso booleana com 4 variveis de
entrada:
S=A+B+C+D

Figura 4.7 Simbolo da porta OR de trs entradas


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 69.
Funo NO ou NOT
A funo NO, ou funo complemento, aquela que inverte ou complementa o
estado da varivel de entrada. Se a varivel de entrada for 1, ela se tornar 0 na
sada. Se a varivel de entrada for 0, ela se tornar 1na sada.
A operao lgica inverso realizada pela porta lgica NO (NOT em ingls).
Ela consiste em converter uma dada proposio em uma proposio a ela oposta,
representada algebricamente por: S = A.
Essa expresso lida da seguinte forma: sada S igual a no A, pois o trao sobre o
A significa no. Para A pode-se dizer tambm A barrado ou A negado.

Veja na figura abaixo o circuito eltrico equivalente de uma porta NO.

Figura 4.8 Simbolo da porta OR


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 70.

CONVENO
CHAVE ABERTA = 0 LMPADA ACESA = 1
CHAVE FECHADA = 1 LMPADA APAGADA = 0

39

A lmpada S acender (1) quando a chave A estiver aberta (0). Quando a chave A
estiver fechada (1), a lmpada ser curto-circuitada e no acender (0).
Veja a seguir o smbolo, as combinaes possveis da chave e a respectiva tabelaverdade.

Figura 4.6 Simbolo da porta OR


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 70.

PORTAS LGICAS DERIVADAS


Os sistemas digitais mais complexos, como computadores de grande porte, so
construdos a partir das portas lgicas bsicas E, OU e NO. A partir dessas portas,
podem-se construir quatro outras denominadas portas lgicas derivadas.
Elas so: porta NE (ou NO E), porta NOU (ou NO OU), porta OU EXCLUSIVO e
porta NO OU EXCLUSIVO.
Funo NO E, NE ou NAND.
Como o prprio nome NO E diz: essa funo a composio da funo E com a
funo NO, ou seja, teremos a funo E invertida. representada algebricamente
da seguinte forma:
S = (A . B)`, onde o trao indica que teremos a inverso do produto A . B.
Porta NE ou NAND o bloco lgico que executa a funo NAND. Sua tabela da
verdade e smbolo so mostrados a seguir:

Figura 4.7 Simbolo da porta NAND e sua tabela da verdade.


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 71.
Podemos tambm formar uma porta NAND atravs da composio de uma porta
AND com um inversor ligado a sua sada.

Figura 4.8 Composio da porta NAND.


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 71.

40

Funo NO OU, NOU ou NOR.


A funo NOU a composio da funo NO com a funo OU, ou seja, a funo
NOU ser o inverso da funo OU. representada da seguinte forma:
S = (A+B), onde o trao indica a inverso da soma A + B.
Porta NOU ou NOR o bloco lgico que executa a funo NOU. Sua tabela da
verdade e smbolo so mostrados abaixo na figura

Figura 4.9 Porta NOR e sua tabela da verdade


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 72.

De maneira anloga, podemos formar uma porta NOU utilizando uma OU e um


inversor ligado sua sada.

Figura 4.9 Composio da porta NOR.


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 72.

Porta Lgica XOR (OU-EXCLUSIVO)


A funo lgica que esta porta executa, como o prprio nome j diz, consiste em
fornecer 1 sada quando as variveis de entrada forem diferentes entre si. A partir
desta definio, montamos sua tabela-verdade.

Tabela 4.6 Tabela da verdade porta XOR

41

Figura 4.10 Circuito da porta XOR


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 74.

Devido a sua definio, o circuito OU Exclusivo s pode ter duas variveis de entrada
e possui um smbolo caracterstico mostrado abaixo:

Figura 4.11 Smbolo da porta XOR


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 74.

Porta Lgica XNOR (COINCIDNCIA)


Sua funo fornecer 1 sada quando houver coincidncia nos valores das
variveis de entrada.

Tabela 4.7 Tabela da verdade porta XNOR

42

Figura 4.12 Circuito da porta XNOR


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 74.

43

5. AMPLIFICADOR OPERACIONAL
O Amplificador Operacional (abreviadamente A. O ou amp-op) certamente um dos
integrados de aplicaes lineares mais usados e mais versteis da atualidade. Alm
de ser de fcil emprego, no requer clculos cansativos e ajustes para sua
polarizao, ao contrrio dos transistores. Essa versatilidade e seu vasto campo de
aplicaes tornaram seu conhecimento uma necessidade para todo tcnico e
engenheiro que atuam no campo da eletrnica, mesmo que o componente no faa
parte do seu dia-a-dia.
O A.O. recebeu esta denominao pelo fato de ter sido utilizado inicialmente para
executar operaes matemticas em computao analgica, tais como: somar,
subtrair, integrar, diferenciar, etc.
Atualmente, o componente em forma de CI empregado em inmeras aplicaes
lineares ou no lineares na eletrnica em geral, mas principalmente em sistemas de
controle e regulao, instrumentao, processamento e gerao de sinais.
Trata-se na realidade de um amplificador CC linear, com elevado ganho de tenso e
que usa externamente uma rede de realimentao negativa ou positiva (em funo da
aplicao) para controlar suas caractersticas de operao.
Abaixo o diagrama interno do 741, considerado o amp-op mais popular.

Figura 5.1 Circuito interno de um Amp Op


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 74.

44

Smbolo do amplificador operacional

Figura 5.2 Amplificador operacional e seus terminais


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 75.
O amplificador Operacional composto de uma entrada (+) = entrada no-inversora;
uma entrada (-) = entrada inversora e uma sada. E por se tratar de um circuito
integrado necessita de tenso de alimentao externa que nesse caso pode ser
simples ou simtrica dependendo da aplicao que se destina.
Aplicaes
O amplificador operacional pode ser usado como amplificador ou comparador de
tenso. Existem circuitos, portanto que exploram as caractersticas do amplificador
operacional por ex: osciladores, somadores, conversores e outros. Vamos estud-los
como amplificador e como comparador.

45

Amplificador Inversor
A tenso de sada ser igual ao produto da tenso de entrada pelo ganho, estando a
sada defasada de 180 eltricos em relao entrada.

Figura 5.3 Circuito de utilizao de amplificador inversor


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 76.

Figura 5.4 Formas de onda de um amplificador inversor


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 77.

46

Figura 5.5 Circuito de utilizao de amplificador no inversor


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 77.

Figura 5.6 Formas de onda de um amplificador no inversor


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 78.
A expresses matemticas que definem o ganho so:
Amplificador no-inversor:

47

Amplificador inversor:

Se compararmos os circuitos iremos observar que no amplificador no-Inversor o


ganho ligeiramente maior. Isto conseqncia de no haver inverso de fase.
Comparador de tenso
No caso do AMP-OP como comparador iremos definir uma das entradas como
referncia e outra servir de entrada do sinal a ser analisado.

Figura 5.7 Amplificador como comparador


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 78.
Funcionamento do circuito
Comparador no_inversor

Quando Vin>Vref; ento Vout=+Vcc


Quando Vin<Vref; ento Vout=-Vcc
Comparador inversor

Quando Vin>Vref; ento Vout=-Vcc


Quando Vin<Vref; ento Vout=+Vcc

48

Esta configurao ser muito utilizada quando o aluno estudar microcontroladores, j


que estes possuem blocos comparadores que permitem comparar tenses em pontos
diferentes.
Mas agora podemos elaborar circuitos que possam efetuar controles utilizando
circuitos comparadores de tenso. Para isso podemos alguns modelos de
microcontroladores, como o LM311 (comparador single) e LM339 (comparador
qudruplo).
OBS: Todos os comparadores necessitam de resistores de Pull-up para forar um
nvel alto na sada, porque a sada Vout em coletor aberto. O resistor varia de 1K a
47K.

49

6. CONVERSOR ANALGICO E DIGITAL


Funes geradas por blocos funcionais analgicos so muitas vezes processadas por
circuitos digitais (por exemplo, um computador). Para processar este sinal usando
circuitos digitais, deve-se necessariamente efetuar uma converso para a forma
digital. Tal converso efetuada por um conversor analgico/digital ("A/D converter"
ou ADC). Este sinal processado (ou transformado) deve (na maioria das vezes) atuar,
produzindo um efeito sobre o circuito analgico que gerou o sinal original, ou outro
similar.
Um sinal na forma digital, para ser processado por um bloco funcional analgico, deve
ser previamente convertido (ou reconvertido) para a forma analgica equivalente. Este
processo reverso efetuado por um conversor digital/analgico ("D/A converter" ou
DAC).

Figura 6.1. Ilustrao de um computador "conversando" com o ambiente externo


Fonte: http://www.din.uem.br

Discutir-se- a seguir alguns conversores, iniciando pelos D/A. Adota-se esta


seqncia por considerar-se a mais didtica dado a simplicidade destes conversores.

6.1 Conversores D/A


Sistemas que aceitam uma palavra digital como entrada e traduzem ou convertem
para uma voltagem ou corrente analgica so chamados de conversores
digitais/analgicos.
CONVERSOR D/A DE RESISTORES COM PESOS PONDERADOS
("D/A Converter with Binary-Weighted Resistor")
o mais simples dos conversores D/A. Construdo a partir de um circuito bsico de
resistores em paralelo controlado por corrente, onde a corrente somada num ponto
em comum, passando por um resistor de carga, criando assim uma sada analgica.
Os valores dos resistores so distribudos ponderadamente, de forma a Obter pesos
de acordo com a numerao binria.

50

A numerao binrio codificado decimal (BCD) usa quatro bits para representar
nmeros decimais de 0 a 9. O bit menos significativo (LSB) expresso como (valor do
bit x 20), o prximo bit como (valor do bit x 21), o terceiro como (valor do bit x 22), e o
bit mais significativo (MSB) como (valor do bit x 23). Assim o peso de cada coluna da
direita para a esquerda 1, 2, 4 e 8.

Figura 6.2 Conversor D/A usando resistores com pesos ponderados


Fonte: http://www.din.uem.br

Nesta linha de raciocnio, num circuito conversor D/A que recebe um nmero BCD a
ser convertido em analgico, o LSB dever ser apresentado para um resistor de
entrada com o maior valor de resistncia do circuito, o segundo com a metade do
LSB, o terceiro com um quarto do LSB e o MSB com um oitavo do LSB. A sada
ento a soma das quatro voltagens atenuadas. Note que o maior valor de resistncia
refere-se ao LSB porque ele causa o menor fluxo de corrente resultante.
O resistor de carga (RL ) que utilizado para criar a voltagem de sada (Va), que
nada mais , que uma diferena de potencial (ddp) intermediria, calculada entre o
ponto onde as correntes so somadas (Va) e o terra.
A relao entre o valor de resistncia de RL e de Req deve ser tal que RL esteja entre
o valor mdio e o menor valor de Req (1KW < RL > 500W). Isto deve-se ao fato de
que a ddp sobre RL no deve ser nem muito maior nem muito menor que a ddp sobre
Req.

51

A seguir apresenta-se um estudo onde determinado a melhor relao entre RL e


Req, baseado num exemplo de um conversor D/A para os seguintes valores de
resistncias:
R0= 8 K; R1= 4 K; R2= 2 K; R3= 1 K;
para RL foram testados cinco valores, so eles: 100 , 500 , 1 K , 2 K e 15 K .

Figura 6.3 Diagrama esquemtico do conversor ponderado


Fonte: http://www.din.uem.br

Para se encontrar o valor de Va, deve-se inicialmente encontrar o valor da resistncia


eqivalente (Req) dos resistores em paralelo. considerado apenas o valor das
resistncias que esto ligadas ao 5V, desta forma encontra-se 16 valores de Req,
correspondentes as 16 possibilidades de entrada digital. Somando-se a resistncia
equivalente com a de carga (RL) obtm-se a resistncia equivalente total do circuito.
A corrente total obtida pela lei de Ohm (I = V / R), onde V = 5 Volts e R = Req+RL.
Desta forma, ao obter-se a corrente total do circuito, que passa igualmente por Req e
por RL, pode-se tambm, obter o valor correspondente a converso da entrada digital,
atravs da frmula Va = RL * I.
A seguir mostrado o grfico resultante referente aos cinco valores de RL. O eixo X
representa as entradas digitais e o eixo Y as possveis sadas analgicas,
proporcionais s entradas.

52

Figura 6.4 Grfico Entrada Digital x Sada Analgica


Fonte: http://www.din.uem.br
Concluso: para um valor muito baixo de RL a ddp sobre Req dominante,
provocando uma faixa de valores para Va muito pequena, j para o inverso a ddp
sobre RL excess ivamente dominante. No caso onde utilizado um valor mdio,
obtm-se um grfico mais linear aproximando-se da idealidade.
Freqentemente utilizado um amplificador operacional na sada analgica, projetado
para atingir os nveis de tenso e corrente desejados.
Utilizando-se esta configurao, o resistor de carga substitudo pelo circuito de
amplificao, onde, o Rf tem o mesmo valor que o menor resistor ( neste exemplo: Rf
= R3)< /P>

53

A voltagem de sada dada por:

Figura 6.5 Conversor D/A de 4 bits


Fonte: http://www.din.uem.br

6.2 Conversores A/D


Freqentemente, requerido a converso de dados obtidos em um sistema fsico na
forma analgica para a forma digital. Conversores A/D so utilizados para converso
da forma anal gica para a digital.

CONVERSOR A/D COMPARADOR PARALELO


("Parallel-Comparator A/D Converter")
o mais rpido dos conversores A/D, mas expressivamente caro, visto que
necessita de 2N-1 comparadores para um conversor de N bits.

54

Figura 6.7 Conversor A/D comparador paralelo


Fonte: http://www.din.uem.br

No exemplo, o sinal analgico a ser convertido aplicado simultaneamente aos sete


comparadores com um limiar ("treshold") ou voltagem de referncia igualmente
espaados. As referncias so portan to, Vref/8, 2Vref/8, etc.
A sada Y ser baixa para todos comparadores com limiar maior que a entrada
analgica respectiva (Vref > Ve; Y=0). E Y ser alta para todos os comparadores com
limiar menor que a entrada analgica ( Vref < Ve; Y=1).
Desta forma obtido um cdigo diferente da numerao binria, fazendo-se
necessria a utilizao de um conversor de cdigo. A palavra com este cdigo binrio
deve ficar disponvel em suas entradas por um tempo suficiente para que a converso
seja feita sem perda de informao, para tal, introduzido um conjunto de "latch's"
que seguram a palavra a ser convertida.

55

O conversor de cdigo do exemplo dever traduzir o cdigo formado pelas sadas Y,


para o cdigo de numerao binria de trs bits, como mostra a tabela xx. Note que
quando to dos os comparadores esto com suas sadas em zero, tem-se um a
correspondncia direta com o zero binrio.
Ve

Y7

Y6

Y5

Y4

Y3

Y2

Y1

S2

S1

S0

Tabela 6.1 Estados do conversor A/D paralelo como funo da tenso de entrada

56

7. TIRISTORES
Tiristor o nome usado para designar uma famlia de componentes de quatro
camadas (P-N-P-N). Nesta seo sero abordados os tiristores SCR e TRIAC.
Embora o GTO seja tambm um tiristor, ele ser abordado na seo de chaves
controlveis.

7.1 O SCR
O SCR Silicon Controled Rectifier o mais antigo dispositivo semicondutor de
potncia, possui construo simples, ainda hoje o dispositivo capaz de manipular as
mais altas potncias. possvel encontrar no mercado dispositivos que podem
suportar vrios Kilovolts e vrios Kiloampres. Entretanto, como mencionado na
tabela 1, somente seu ligamento pode ser controlado.
A figura seguinte mostra o smbolo do SCR, juntamente com sua caracterstica
esttica (idealizada).

Figura 7.1 O SCR e sua caracterstica esttica


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 97.
Alm de possuir anodo e catodo como os diodos, o SCR possui um terminal de
controle, o gate. Desta forma, o SCR comporta-se como um diodo controlvel,
sendo capaz de bloquear tenses positivas e negativas. No estado de conduo do
SCR real, a queda de tenso direta (VT) bastante pequena, da ordem de 1 a 3V,
mesmo nos dispositivos capazes de suportar vrios Kilovolts.
O ligamento do SCR feito atravs do terminal Gate (porta ou gatilho), onde deve ser
aplicado um pulso de corrente positiva em relao ao catodo, com amplitude e
durao suficientes. O SCR entrar em conduo se estiver sob polarizao direta
anodo catodo, e manter seu estado de conduo se, antes de ser retirada a
corrente de gate, a corrente de anodo for superior ao valor chamado corrente de
travamento (latching), IL . Caso contrrio o SCR retoma o estado de bloqueio.
A figura seguinte ilustra o processo de ligamento do SCR. Como pode ser observado,
existe um tempo de atraso td entre o estabelecimento da corrente de gate e o incio
do crescimento da corrente de anodo. O tempo tr refere-se ao intervalo de
decaimento da tenso anodo-catodo de 90% para 10% de seu valor inicial. O tempo
de ligamento ton a soma de td e tr.

57

Figura 7.2 Processo de ligamento do SCR


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 98.
No processo de ligamento, importante limitar a taxa de crescimento da corrente
(di/dt) no dispositivo, sob pena de formao de pontos quentes (hot spots) prximos
ao gate com a conseqente destruio do componente.
No possvel realizar o desligamento do componente pelo terminal de gate.
Inclusive, aps o disparo, a corrente de gate pode ser retirada sem comprometer a
condio de conduo do SCR. H dois meios de efetuar o bloqueio do SCR:
Comutao natural: neste caso, a corrente de anodo naturalmente cai abaixo do valor
mnimo chamado corrente de manuteno IH (Holding Current), o que d incio
comutao. Em aplicaes CA, isto ocorre automaticamente nas passagens por zero
da forma de onda corrente.
Comutao forada: neste caso, o tiristor reversamente polarizado por um circuito
auxiliar (chamado circuito de comutao forada) ou, s vezes, pelo prprio circuito
de potncia. O processo de bloqueio semelhante ao dos diodos.
Depois de se anular, a corrente de anodo se inverte durante o intervalo trr. Para que o
SCR mantenha seu estado de bloqueio, ele somente pode receber nova polarizao
direta aps passado um tempo superior a tq (tempo de comutao), o qual igual
soma de trr e tgr, o tempo de recuperao de gatilho. O tq dependente da
temperatura e da corrente direta, dentre outros parmetros.
A figura seguinte ilustra o processo de bloqueio do SCR, juntamente com a indicao
dos tempos relevantes.

58

Figura 7.3 Processo de bloqueio do SCR


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 99.

Aps completo o processo de comutao, importante limitar a taxa de subida da


tenso no dispositivo (dv/dt), sob pena de ligamento indevido. Devido presena da
capacitncia de juno, a corrente de deslocamento causada por uma taxa dv/dt
elevada pode provocar o disparo acidental do SCR. Para evitar esse problema, deve
ser externamente ligado ao SCR um circuito que reduza essa taxa, chamado circuito
snubber, o qual consiste num circuito RC srie.
Dependendo das necessidades da aplicao, vrios tipos de SCRs so disponveis:
SCRs de freqncia de rede: tambm conhecidos por phase control SCRs, so
utilizados em retificadores controlados e como chave eletrnica CA. Os parmetros
mais importantes so as capacidades de tenso e corrente e a queda de tenso
direta. Em favor de uma pequena queda de tenso direta, o tempo de comutao tq
no otimizado, variando entre 50 e 300s. Este tipo de SCR pode ser encontrado
para operar em tenses de at 5-12kV e correntes de at 3-4kA, aproximadamente.
SCRs rpidos: tambm conhecidos por inverter type SCRs, so projetados para
utilizao em choppers e inversores, e desta forma possuem um tempo de comutao
reduzido (2 a 50s) . A utilizao destes tiristores est sendo abandonada devido
performance muito superior dos transistores IGBT e MOSFET de potncia. Apenas
so utilizados em potncias muito elevadas.
Os tempos de ligamento e desligamento dos SCR so relativamente elevados, o que
produz considerveis perdas por comutao. Por isso, a utilizao de SCRs restrita
a aplicaes de freqncia no muito elevadas.

59

A necessidade de circuitos de comutao forada e a menor velocidade so as


grandes desvantagens dos SCRs. Nos dias de hoje, devido aos avanos na
tecnologia dos transistores de potncia MOSFET e IGBT, o SCR tem sua utilizao
restrita a circuitos retificadores de linha, rels de estado slido e conversores de
altssimas potncias (na casa das dezenas de MVA), como transmisso de energia
CC em alta tenso (HVDC), acionamento de grandes motores de vrios MVA, ETC.
A tabela seguinte ilustra resumidamente as caractersticas de alguns dispositivos.
Cdigo
VRRM / VDRM ITAV
VT
Tiristores de linha
30TPS16
1600V
20 A
1,3V
180RKI80
800V
180 A
1,35V
ST1230C16
1600V
1745 A
1,62V
Tiristores Rpidos
IRFK7212
1200V
71 A
2,40V
SKFH150/8
800V
150 A
2,45V
Tabela 7.1 Caractersticas eltricas de alguns dispositivos

tq
110s
100s
200s
25
20

A seguir esto os significados dos parmetros mais importantes.

60

VDRM
VRRM
VRSM
VR
VT
(dv/dt)cr
ITSM
ITM ou ITRM
IT ou ITAV
ITRMS
i2 t

IR
IRD
IL
IH
(di / dt) cr
tq
tgr
td ou tgd
tr ou tgr
tON ou tgt
trr
IRM

Qrr
PTOT ou PD(AV)
Tj
Rthjc ou RJC
rT
IGT
VGT
VGRM
IGD

VGD

PGM
PG(AV)
IGTM ou IGSM

Tenso direta repetitiva


Tenso reversa repetitiva
Tenso de surto reversa no repetitiva
Tenso reversa contnua
Queda de tenso direta com o SCR em conduo
Mxima taxa de crescimento da tenso
Corrente de surto direta no repetitiva
Corrente de surto direta repetitiva
Corrente direta mdia
Corrente direta eficaz
Este valor utilizado para selecionar o fusvel de proteo, que deve
2
possuir um i t menor do que o do SCR.
Corrente reversa (corrente de fuga)
Corrente direta com o SCR bloqueado (corrente de fuga)
Corrente de travamento (latching current)
Corrente de manuteno (holding current)
Mxima taxa de crescimento da corrente
Tempo de comutao
Tempo de recuperao de gate
Tempo de atraso no ligamento
Tempo de decaimento da tenso anodo catodo
Tempo de ligamento
Tempo de recuperao reversa
Pico da corrente de recuperao reversa, dado para valores de
temperatura, IF e diF / dt especficos.
Carga que flui para no circuito durante o intervalo trr
Dissipao de potncia
Faixa de temperatura de operao da juno
Resistncia trmica entre a juno encapsulamento em C / W
Resistncia hmica do tiristor
Mnima corrente de gate para o disparo
Mnima tenso de gate para o disparo
Tenso reversa que pode ser aplicada juno G-K
Mxima corrente de gate que certamente no provocar o disparo (gate
non-trigger current)
Mxima tenso de gate que certamente no provocar o disparo (gate
non-trigger voltage)
Pico de potncia de gate
Potncia mdia de gate
Corrente de gate

61

7.2 Triac
O TRIAC Thyristor AC pode ser interpretado como a conexo de dois SCRs em
anti-paralelo. O componente bidirecional em corrente e tenso, possuindo os
terminais de carga MT1 e MT2 (MT = Main Terminal), bem como o terminal de gate.
O maior problema do TRIAC que sua capacidade de dv/dt muito baixa,
tipicamente 5 a 20V / s, contra 100 1000 V/ s nos SCRs. Alm disso, somente
esto disponveis dispositivos para correntes de apenas aproximadamente 40 A rms.
Esses fatores seriamente limitam sua capacidade de controle de potncia, mas no
impedem sua ampla e difundida utilizao em aplicaes CA de baixa potncia.
A figura seguinte mostra o smbolo do TRIAC, juntamente com sua caracterstica
esttica idealizada. Como pode ser observado, um dispositivo que opera em todos
os quadrantes do plano v x i. Sendo um tiristor, possui caracterstica de travamento,
isto , uma vez em conduo a corrente de gate pode ser retirada.

Figura 7.4 O TRIAC e sua caracterstica v x i


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 101.

O processo de bloqueio similar ao do SCR. Embora com sensibilidades diferentes, o


TRIAC pode ser disparado tanto com correntes positivas quanto negativas no gate,
mas sempre em relao a MT1. Como o TRIAC pode conduzir em ambas as direes,
em aplicaes CA ele somente dispe de um breve intervalo de tempo para recuperar
sua condio de bloqueio na passagem por zero da forma de onda senoidal de
corrente, o que limita seu emprego confivel em freqncias de at 60HZ.
Quando aplicado no controle de cargas indutivas, o atraso da corrente em relao a
tenso implica que quando a corrente cai abaixo da corrente de manuteno I H e o
TRIAC bloqueia, surge sobre os terminais do mesmo certa tenso. Se esta tenso
surge muito rapidamente, o TRIAC retoma o estado de conduo e o controle
perdido. A fim de evitar esse problema, a taxa dv / dt de subida da tenso deve ser
limitada atravs de uma rede RC srie ligada aos terminais do componente (circuito
snubber).
Na prtica, em aplicaes de alta potncia, quando necessrio efetuar o controle
bidirecional de correntes mais elevadas, utilizam-se dois SCRs ligados em antiparalelo.

62

A designao dos parmetros dos TRIACs so semelhantes s dos tiristores. A tabela


seguinte mostra resumidamente as caractersticas de alguns dispositivos.
Cdigo

VRRM
/ ITRMS
VT
VDRM
T2500DFP
400V
6A
2v
2N6344
800V
12 A
1,55V
BCR30GMI2
600V
30 A
1,6V
Tabela 7.2 Caractersticas eltricas de alguns dispositivos

dv/dt(cr)
10 V/s
5V/ s
20V/ s

7.3 Diac
Os diacs so diodos de disparo bidirecional, composto por trs camadas (PNP) com a
simples funo de disparar tiristores.
Sua construo assemelha-se a de um transistor bipolar, porm difere na dopagem
do cristal N.
Seu funcionamento simples: Para passar do estado de bloqueio para o estado de
conduo, preciso ultrapassar a tenso de ruptura (VR), rompendo assim, a juno
polarizada inversamente, podendo a corrente fluir em ambos sentidos.
Para voltar ao estado de bloqueio, basta remover a tenso por alguns instantes.
Os diacs servem para controlar o disparo de triacs quando uma tenso de referncia
chegar a certo valor.

Figura 7.4 O DIAC e sua simbologia


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 112.

63

7.4 UJT Transistor unijuno


Os UJT (Unijunction Transistor) podem ser utilizados em osciladores de baixa
freqncia, disparadores, estabilizadores, geradores de sinais dente de serra e em
sistemas temporizados.
Simbolo
E

B2
B1

E Emissor
B1 Base 1
B2 Base 2

Figura 7.5 O UJT


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 117.

Constituio Interna
Basicamente o transistor de unijuno constitudo por uma barra de material
semicondutor do tipo N (de alta resistividade) com terminais nos extremos. Tais
contactos no constituem junes semicondutoras, e assim, entre B2 (base 2) e B1
(base 1) temos, na prtica uma resistncia, formada pelo material semicondutor N. O
material do tipo P como material do tipo N formam a nica juno PN semicondutora
interna.
B2
E

B1

Figura 7.6 O UJT - Constituio Interna


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 117.

Tudo se passa como se o bloco do tipo N fosse formado por duas simples
resistncias (Rb2 e Rb1), em srie, tendo ligado no seu ponto central um diodo
(terminal E ou Emissor).
O terminal do emissor (E) est mais prximo da base 2 (B2).

64

Princpio de funcionamento
+
6 a 30 Volt

_
Figura 7.7 O UJT Princpio de funcionamento
Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 118.

O valor resistivo normal entre os terminais da base 2 e 1 relativamente alto


(tipicamente entre 4 K e 12 K). Assim, se ligarmos o terminal B2 a um potencial
positivo (tipicamente entre 6 e 30 Volt), e o terminal B1 ao negativo, uma corrente
muito pequena circular por Rb2 e Rb1. Ao mesmo tempo, Rb2 e Rb1 formam um divisor
de tenso, em cujo ponto intermdio surge uma tenso menor, porm proporcional
quela que foi aplicada a B2. Suponhamos que Rb2 e Rb1 tm valores iguais, de 5 K
cada um. Assim, se aplicarmos (com a polaridade indicada) 10 Volt entre B2 e B1, o
ctodo do diodo do emissor ter uma tenso de 5 Volts. Ao aplicarmos, ento, uma
tenso de entrada no emissor (E) do UJT, esta ter que, inicialmente vencer a
barreira de potencial intrnseca da juno PN ( 0,6V) e, em seguida, superar a
prpria tenso que polariza o ctodo (5 Volts no exemplo). Nesse caso, enquanto a
tenso aplicada ao terminal do emissor (E) no atingir 5,6 Volt (0,6V + 5V) no haver
passagem de corrente pelo emissor atravs de Rb1 para a linha de negativo da
alimentao. Mantendo-se no exemplo, uma tenso de emissor igual ou maior do que
5,6 Volts determinar a passagem de uma corrente; j qualquer tenso inferior (a
5,6V) ser incapaz de originar passagem da corrente eltrica pelo emissor (E) e por
Rb1. Enquanto os 5,6V no forem atingidos, a corrente ser nula, como atravs de um
interruptor aberto. Alcanando os 5,6V, tudo se passa como se o tal interruptor
estivesse fechado. A corrente que circular estar limitada unicamente pelo valor
resistivo intrnseco de Rb1.
Como a transio de corrente nula, para corrente total, entre emissor (E) e base 1
(B1) se d sempre de forma abrupta (quando a tenso de emissor chega
tenso/limite de disparo), podemos considerar o UJT como um simples
interruptor acionado por tenso.

65

Caractersticas tcnicas

Tenso entre bases (Vbb) a mxima tenso que pode ser aplicada entre as
bases.
Tenso entre emissor e base 1 (Vb1e) a mxima tenso que pode ser
aplicada entre esses dois terminais.
Resistncia entre bases (Rbb) a resistncia existente entre os dois terminais
de base.
Corrente de pico de emissor (Ie) a corrente mxima que pode circular entre o
emissor e a base 1 quando o transistor disparado.
Razo intrnseca de afastamento ()
Rb1
Rbb

Rbb = Rb1 + Rb2


V1

Figura 7.6 O UJT Caractersticas tcnicas


Fonte: Apostila SENAI Eletrnica, 2007, p. 119.

a chamada razo intrnseca de afastamento, que nada mais do que o fator do


divisor de tenso.
A faixa tpica de variao de de 0,5 a 0,8.
Por exemplo, o 2N2646 tem um de 0,65. Se este UJT for usado com uma tenso de
alimentao
de 10 Volt
V1 = x V

V1 Tenso intrnseca de afastamento.


- Razo intrnseca de afastamento,
V Tenso de alimentao.

V1 = 0,65 x 10
V1 = 6,5V
V1 a chamada tenso intrnseca de afastamento porque ela mantm o diodo
emissor com polarizao inversa para todas as tenses aplicadas ao Emissor,
inferiores a V1.
Se V1 for igual a 6,5 Volt, ento temos de aplicar um pouco mais ( 0,6V) do que os
6,5V para polarizar diretamente a juno PN e haver conduo entre Emissor e a
Base 1.

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8. BIBLIOGRAFIA

SENAI. MG. Eletrnica Digital


IDOETA, Ivan Valeije, CAPUANO, Francisco Gabriel. Elementos de Eletrnica
Digital. 34 Edio. So Paulo. Ed. rica. 2002.
LOURENO, Antnio Carlos, CRUZ, Eduardo C. A.. Circuitos Digitais - Estude e
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