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bsica:
Materiales
para
el
desarrollo
de
semiconductores.
Jos Rosas
Bases de diseo.
Aqu se va a presenta los fundamentos de los procesos que intervienen en la
fabricacin de semiconductores de silicio especficamente y lo que se debe
tener en consideracin al momento de disear.
Tipos de silicio.
Silicio Amorfo. Caso particular: xido de Silicio (SiO 2). Buen dielctrico.
Silicio Cristalino. Material base para el diseo de semiconductores.
Silicio policristalino (Polisilicio). Utilizado en la construccin de la puerta
del MOS.
Energa.
La energa que separa las dos bandas de un material (Banda de conduccin y
Banda de Valencia), tambin llamada Energa del GAP (Eg), y medida en
electrn Volt (eV), define la conductividad del mismo. sta es muy sensible a la
temperatura. De esta forma:
Dopajes.
Para hacer que el silicio (valencia 4) tenga un mayor exceso de electrones
libres, o por el contrario, una mayor falta de electrones libres (o exceso de
huecos), necesitaremos insertar en la red cristalina de ste material, una serie
de sustancias dopantes. Estos materiales, crearn defectos en la red del silicio,
y dependiendo del nmero de tomos introducidos (hasta 10 21)
denominaremos al conjunto de tomos, cristal N o cristal P. La unin de ambos,
crear la unin clsica de un semiconductor PN.
Cristal N.
Introducimos en la red cristalina materiales de valencia 5, que introducen un
electrn de ms en la red. A este material se le llama, donador. De esta forma,
al estar la red con un exceso de cargas negativas, le llamaremos cristal tipo N
(fsforo, arsnico, antimonio).
Cristal P.
De la misma forma, introducimos materiales de valencia 3, que aportan una
falta de un electrn en la red. Como el conjunto de la red, tendr una cadencia
de electrones libres (o llamndolo de otra forma, un exceso de agujeros libres),
diremos que el cristal es de tipo P (Boro).
Tipos de semiconductores.
En funcin de cmo asociemos los materiales entre ellos (con diferentes
valencias) obtendremos los siguientes tipos de semiconductor:
Tipos de dielctricos.
Tipos de conductores.
Superficies de implementacin.
Tecnologas de implementacin.
Crecimiento epitaxial.
Esta tcnica, consiste en hacer crecer un silicio delgado, sobre la oblea,
manteniendo la estructura cristalina de la misma. Existen tres tcnicas de
crecimiento epitaxial:
Arreglo generales.
La naturaleza fsica del semiconductor as como el electrodo base empleado
puede requerir diferentes estructuras del dispositivo (ver Figura 5. Diferentes
arreglos del semiconductor para un sistema integrado.).
Disipacin de potencia
Los circuitos elctricos disipan potencia. Cuando el nmero de componentes
integrados en un volumen dado crece, las exigencias en cuanto a disipacin de
esta potencia, tambin crecen, calentando el sustrato y degradando el
comportamiento del dispositivo. Adems, en muchos casos es un sistema
de realimentacin positiva, de modo que cuanto mayor sea la temperatura,
ms corriente conduce, fenmeno que se suele llamar "embalamiento
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es
uno
de
los
mayores
problemas,
llegndose
utilizar
de
ellas.
En
los
circuitos
digitales
excitadores
de
Densidad de integracin.
Durante el proceso de fabricacin de los circuitos integrados se van
acumulando los defectos, de modo que cierto nmero de componentes del
circuito final no funcionan correctamente. Cuando el chip integra un nmero
mayor de componentes, estos componentes defectuosos disminuyen la
proporcin de chips funcionales. Es por ello que en circuitos de memorias, por
ejemplo, donde existen millones de transistores, se fabrican ms de los
necesarios, de manera que se puede variar la interconexin final para obtener
la organizacin especificada.
Balance de energa.
La ecuacin general del balance de energa se expresa de la siguiente forma:
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Criterios de diseo.
El fabricante de CIs, a la hora de trasladar al silicio los motivos definidos por el
diseador, se encuentra con dos limitaciones importantes:
En primer lugar, el tamao exacto dibujado para las pistas no se puede
garantizar estrictamente. Un rectngulo de dimensiones dibujadas LxW acaba
teniendo unas dimensiones reales (L+d)x(W+d). El valor de d es especfico de
cada tipo de pista, y recibe el nombre de factor de tolerancia de creacin de la
pista correspondiente (Figura 8 izquierda).
En segundo lugar, cada mscara debe alinearse respecto a las utilizadas con
anterioridad para asegurar la coherencia del circuito final. As por ejemplo, la
mscara de polisilicio se alinea directamente sobre la de rea activa, siendo
esta la primera en utilizarse. La mscara de pasivacin, por el contrario, se
alinea respecto a la de metal. La jerarqua de alineamiento de las mscaras
puede representarse por un rbol como el de Figura 8 (derecha). Contras ms
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Estudios tcnicos.
En cuanto al estudio del medio ambiente se basa en el fenmeno de salas
blancas, la cual se describe a continuacin:
Salas blancas.
El fenmeno de las salas blancas tiene sus races hace ms de 100 aos por la
necesidad de controlar la infeccin en los hospitales. Hoy en da, la necesidad
de controlar la contaminacin o calidad del aire en diversas industrias ha
generalizado las instalaciones y uso de las salas blancas. Como por ejemplo
podemos encontrar salas blancas en:
La
La
La
La
Segn la British Standard 5295, definiramos una sala blanca como: "Una
habitacin con control de partculas contaminantes, construida y usada
minimizando la introduccin, generacin y retencin de partculas; y donde la
temperatura, humedad y presin es controlada segn necesidades. Gracias a
las salas blancas, hoy en da podemos construir circuitos integrados de
tecnologa submicrnica, y con muchas garantas de xito. Caractersticas:
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Carta Gantt.
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