Tecnolgico de Estudios Superiores De Chalco

Asignatura: Electrnica Analgica

Practicas Propuestas (EL TRANSISTOR BIPOLAR DE
UNIN)
Profesor: Luis Manuel Aguilar Guerrero
Alumnos/Matriculas: Medrano Garcs Alejandro De
Jess (201322140)
Semestre: Cuarto
Grupo: 2401
Ciclo escolar: 2015-1
Turno: Matutino
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PRACTICA 10: EL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIN Y SUS TCNICAS DE

POLARIZACIN
OBJETIVO:
Comprobar las caractersticas elctricas mximas de un BJT utilizando el trazador
de curvas. Disear una polarizacin fija y otra con retroalimentacin por emisor
que tenga el mismo punto de operacin y comparar la estabilidad de dicho punto
cuando la temperatura cambia en ambas.

El transistor que inventaron en 1947 Bardden, Brattain y Schockley

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El Transistor Bipolar de Unin

La patente del primer transistor, la obtuvo el canadiense Julius Edgar Lilienfeld en
el ao de 1925, en esta describe un dispositivo similar a un transistor de efecto de
campo, sin embargo, desafortunadamente no public ningn artculo de
investigacin acerca del mismo, ni los inventores de los transistores posteriores
hacen cita alguna de su patente. Hacia 1934 el inventor alemn Oskar Heil patent
un dispositivo similar sin resultados exitosos, posteriormente en 1942 el fsico
alemn Herbert Matar trabaj con los entonces conocidos como duodiodos
mientras trabajaba en un detector para un radar por efecto Doppler. Dichos
duodiodos construidos por el mismo tenan dos contactos metlicos separados por
un sustrato de semiconductor, descubriendo efectos que no podan ser explicados
por el funcionamiento de dos diodos operando independientemente, de manera
que de esto surgi la idea del posterior transistor de puntos de contacto. En 1947
John Bardeen y Walter Brattain trabajando para AT&T Bell Labs observaron que
cuando un juego de contactos elctricos eran aplicados a un cristal de germanio,
la potencia de salida era mayor que la de entrada al excitar el componente,
William Shockley, quien era el lder del grupo de fsica de estado slido
comprendi el potencial visualizo la trascendencia del descubrimiento y en los
siguientes meses trabajo intensamente para ampliar el conocimiento de los
semiconductores. Segn el fsico historiador Robert Arns, existen documentos
legales de la patente de los Laboratorios Bell que muestran que W. Shockley y
Gerald Pearson haban construido versiones operacionales de las patentes de
Lilienfeld y que ellos nunca referenciaron el trabajo de ste en sus artculos de
investigacin posteriores ni en artculos histricos. El trmino de transistor fue
acuado en 1949 por John R. Pierce en los Laboratorios Bell utilizando el
acrnimo de las palabras transfer- resistor, puesto que este dispositivo funciona
en la prctica como una transresistencia, cabe mencionar que gracias a la
capacidad creativa de Pierce se debe la puesta en funcionamiento del primer
satlite estadounidense Telstar.
En el ao 1956 J. Bardeen, W. Brattain y W.Shockley fueron reconocidos con el
premio Nobel en Fsica por el descubrimiento del transistor que se considera como
quizs el ms importante descubrimiento del siglo XX. El primer transistor de silicio
fue desarrollado por Gordon Teal en Texas Instruments en 1954 y en 1960 Kahng
y Atalla construyeron en los Laboratorios Bell el primer transistor de efecto de
campo o MOSFET.

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El transistor ms utilizado en las dcadas de 1960 y 1970 fue el transistor bipolar

de unin, puesto que con l se podan resolver prcticamente todas las
necesidades electrnicas de esos tiempos, el otro tipo de transistor conocido como
MOSFET tena los inconvenientes de tener una velocidad conmutacin lenta, baja
capacidad de manejo de corriente y de ser sensible a la esttica, por lo cual el
Transistor Bipolar de Unin domin el campo de la electrnica tanto analgica
como digital en esas pocas. Como se acaba de mencionar los transistores se
puede clasificar en dos grandes grupos:

Los Transistores Bipolares de Unin (Bipolar Junction Transistor)BJT

Transistores de Efecto de Campo (Field Effect Transistor) FET

Los transistores bipolares de unin y los de efecto de campo se pueden clasificar

a su vez de muchas formas, por ejemplo:

En funcin de su capacidad de manejo de potencia

o Transistores de baja potencia para seales pequeas (Small Signal
Transistors)
o Transistores de Potencia (Power Transistors)

En funcin de capacidad para manejar seales de diferente frecuencia

o Transistores de propsito general
o Transistores para radiofrecuencia y para microondas

Sin embargo, la clasificacin que se basa en el tipo de semiconductor con que

estn fabricados los divide en:

Transistores NPN
Transistores PNP

Estructura y Principio de funcionamiento del transistor

Los Transistores Bipolares de Unin estn compuestos de 3 regiones de
semiconductor extrnseco alternadas en forma de emparedado de donde deriva su
tipo NPN o PNP. El nombre de estas regiones son emisor, base y colector, se les
considera bipolares porque conducen corriente simultneamente con ambos tipos
de portador, tanto electrn como hueco, aunque son los portadores mayoritarios
del emisor los que proporcionan prcticamente la totalidad de la carga que se
desplaza como corriente en el interior del dispositivo. Se les consideran de unin
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porque por el hecho de que las regiones internas de semiconductor forman un par
de uniones, una entre la base y el emisor y otra entre la base y el colector. Para
entender de una manera grfica lo anteriormente mencionado, la Figura 3.1 nos
muestra su estructura con una seccin de corte, la representacin equivalente con
diodos y el smbolo de ambos tipos de transistor bipolar.

Fig.3.1 Estructura, smbolo y circuito equivalente con diodos de los BJT tipo NPN
y PNP
La Figura 3.2 corresponde a la vista superior de un transistor bipolar de unin
tpico en el que se observan, el semiconductor conocido como isla de sustrato
cuyo propsito es aislar al transistor, los contactos metlicos (en negro), sobre los
cuales se sueldan las terminales del dispositivo y los semiconductores de cada
regin en diferentes niveles de gris, distinguindose la regin n + del emisor cuyo
signo significa que tiene un alto ndice de contaminacin representado por un gris
ms intenso.

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Fig.3.2 Vista superior de un transistor bipolar de unin tipo NPN

La mayora de los transistores bipolares de unin son fabricados mediante la
tcnica de crecimiento epitaxial (por capas) y se les considera planares porque
sus terminales de aluminio que estn en contacto con las diversas regiones de
semiconductor se encuentran en un mismo plano, Las caractersticas de las
regiones de semiconductor se describen en la Tabla 3.1, estas nos permiten
entender posteriormente el funcionamiento del dispositivo.
Regin

ndice de
contaminacin

Dimensiones
Fsicas

Emisor

Muy alto

Reducido

Base

Colector

Intermedio entre
ndice de dopado
del emisor y el del
colector

Bajo

Funcin
Proporcionar una elevada
emisin de portadores
mayoritarios hacia la base

Pequea y
extremadamente
delgada del orden
de algunas
milsimas de
pulgada

Permitir la recombinacin
de algunos de los
portadores mayoritarios
emitidos por el emisor y
permitir por ser tan
delgada, ser atravesada
por dichos portadores
hacia el colector

Es el de mayor
tamao, volumen y
superficie con el

Al estar polarizado con un

voltaje elevado se forma un
gran campo elctrico que
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objeto de poder
atrae a la mayora de los
disipar el calor que
portadores mayoritarios
se produce en l.
que proporcion el emisor
Tabla 3.1 Caractersticas de las regiones internas del BJT

Para determinar el tipo y las terminales de un BJT se utiliza un multmetro digital

que tenga la funcin para probar diodos, recurriendo al modelo equivalente de
diodos del BJT, se deben ensayar mediciones entre sus terminales hasta
encontrar una de ellas que entregue lecturas con las dos restantes similares al
voltaje de conduccin de un diodo de silicio, esta terminal ser la base porque el
semiconductor de sta es diferente al de las otras dos regiones. Si el cable
conectado a la terminal comn o base es rojo, el BJT es NPN, si es negro es PNP.
Aquella terminal con la que la base entregue una lectura de menor voltaje de
conduccin, es el colector ya que su bajo ndice de contaminacin y amplia
superficie de unin con la base dan lugar a ello. A continuacin en la Figura 3.3 se
ilustra como determinar el tipo y las terminales de un BJT.

Fig. 3.3 Determinacin del tipo y de las terminales del transistor

Principio de funcionamiento del BJT
El BJT conocido como transistor bipolar o de unin es un dispositivo que funciona
como fuente de corriente dependiente de corriente cuando se le polarizan
apropiadamente sus uniones, sus principales aplicaciones son las de trabajar
como interruptor o como amplificador lineal. Para que el BJT pueda amplificar
corriente, voltaje o ambos, es necesario que la unin base-emisor se polarice en
directo para forzar a los portadores mayoritarios del emisor a difundirse en la base,
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simultneamente la unin colector-emisor se debe polarizar en inverso para crear

un campo elctrico que obligue a la mayor parte de los portadores mayoritarios
proporcionados por el emisor a que atraviesen la base, puesto que sta es muy
delgada (del orden de milsimas de pulgada) y dispone de una cantidad reducida
de portadores con los cuales se puedan difundir los mayoritarios procedentes del
emisor, por tal motivo la corriente electrnica del emisor se convierte casi en su
totalidad en corriente de colector dejando slo una pequea fraccin como
corriente de base, la cantidad que determina a la corriente de colector en funcin
de la corriente de emisor se le conoce como ganancia de corriente directa de base
comn en modo directo (Forward) F =I C /I E 1. El transistor bipolar de unin
NPN en base comn con sus caractersticas esenciales de elemento activo, se
presenta en la Figura 3.4 donde la fuente V EE en combinacin con RE polarizan en
directo la unin base-emisor y la unin colector-base se polariza en inverso
mediante la fuente VCC y el resistor RC .

Fig.3.4 Representacin de Corrientes electrnicas en el interior de un BJT en

base comn representacin y su modelo equivalente
Simultneamente a su funcionamiento de modo directo, el BJT conduce corrientes
en modo inverso (Reverse), con el cual los portadores minoritarios de sus regiones
producen pequeas corrientes de fuga, por ejemplo, en un transistor NPN, el
colector est obligado por el VCC a realizar la funcin de emisor de los huecos
minoritarios de esta regin que se difunden en la base con los electrones
minoritarios de sta dando lugar a una corriente de fuga inversa I CBO cuya
magnitud se duplica cada 10oC de aumento en la temperatura de la unin,
asimismo la fuente -VEE atrae algunos de estos huecos que cruzan la base hacia el
emisor que acta como colector. Al aplicar la superposicin de las corrientes de
ambos modos de funcionamiento stas se suman, porque en el modo directo se
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desplazan electrones del emisor hacia el colector, mientras que en el modo

inverso se desplazan huecos del colector hacia el emisor y al ser ambas cargas de
signo contrario circulando en sentido opuesto, las corrientes se suman. Estas
propiedades se pueden observar a continuacin en la Figura 3.5.

Fig.3.5
Representacin de Corrientes electrnicas en el interior de un BJT
dependiente de la temperatura en base comn y su modelo equivalente
El modelo de Ebers Moll representa el comportamiento no lineal del BJT,
trabajando simultneamente en ambos modos, mediante ste modelo se obtienen
ecuaciones que relacionan a la corriente de colector con el voltaje colector-emisor,
en funcin de las ganancias inversa y directa del transistor. Es evidente que el
modo directo predomina sobre el inverso puesto que en el directo los flujos de
carga se producen con portadores mayoritarios cuya densidad es excesivamente
mayor que la de los minoritarios con que opera el modo inverso, esto da lugar a
los modelos elctricos simplificados del BJT en base comn que se muestran en la
Figura 3.6a y 3.6b. En el primero de ellos se toma en cuenta la contribucin de la
corriente de fuga ICBO para determinar a la corriente de colector, siendo ste
modelo particularmente importante cuando el transistor trabaja a temperaturas
elevadas. El segundo es un modelo an ms simplificado en el que se considera
que los transistores de silicio tienen una corriente de fuga extremadamente
I CBO I C ' , donde
pequea a temperatura ambiente por lo que se cumple
I C ' = I E

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I C =I 'C + I CBO I C' = I E

Fig.3.6 Modelos elctricos equivalentes del BJT en base comn:
a) Aproximado dependiente de la temperatura b) Simplificado e independiente de
la temperatura

En la Figura 3.7 se muestran las curvas caractersticas de salida del BJT en base
comn, como se mencion anteriormente, la unin colector-base debe estar
polarizada en inverso por lo que V CB > 0.7 V para que el transistor trabaje en la
regin activa de amplificacin lineal. La razn por la cual las curvas de respuesta
inician en un voltaje negativo con respecto a las del BJT en emisor comn, tiene
su explicacin al aplicar la ley de voltajes de Kirchoff a las terminales del BJT
como sigue:

V CE =V CB + 0.7V

Despejando

V CB
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V CB =V CE 0.7 V

Hasta ahora se ha estudiado al BJT en la configuracin base comn con la

finalidad de explicar su funcionamiento pero independientemente de la forma en
que se le conecte, ste puede trabajar en diferentes modos de operacin de
acuerdo a la polaridad del voltaje que reciban sus uniones como muestra en la
siguiente tabla:
MODO
Activo - Directo
Umbral (Corte)
Saturacin
Activo - Inverso

POLARIZACION DE LA UNION

Emisor - Base

Colector Base

Directo
Inversa
Directo
Inversa

Inversa
Inversa
Directo
Directo

En el modo Activo- Directo el BJT se comporta como una fuente controlada (el
control de la corriente de salida I C). Esta es la accin de una fuente de corriente
controlada ya que los cambios del nivel de polarizacin emisor-base ajustan el
valor de IE y por lo tanto de IC. Con las caractersticas de fuente controlada
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Fig.3.7 Curvas Caractersticas de salida del BJT en base comn.

obtenibles, el BJT puede emplearse como amplificador prevaleciendo el modo

activo directo en circuitos analgicos. En el modo Umbral (Corte) ambas uniones
estn polarizadas inversamente: tanto I E como IC son del orden de las corrientes
de saturacin inversas de un diodo, observadas anteriormente en el captulo 2. La
situacin es la de corriente casi nula con tensin inversa (grande) en la unin
(VCB>>VT) y funciona aproximadamente como un interruptor abierto. En el modo de
Saturacin, las dos uniones estn polarizadas directamente, la corriente de
colector puede ser apreciable pero la tensin a travs de la unin del colector ser
pequea. Esta situacin es aproximadamente la de un interruptor cerrado. El
funcionamiento del BJT entre corte y saturacin equivale al de un interruptor (En
niveles lgicos, esto equivaldra a un 1 o 0 lgico). En el modo Activo- Inversa
es semejante al directo pero con una diferencia significativa. Aun cuando el
funcionamiento en la regin activo inversa es el de una fuente controlada
( I E = R I C ) la pequea ganancia de corriente R frente a F hace que
esta modalidad no sea adecuada en general para la amplificacin. Sin embargo,
tiene aplicacin en circuitos digitales y en algunos circuitos de conmutacin
analgicos.

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Lo anterior se ilustra en la Figura 3.8, donde con imgenes obtenidas de un

trazador de curvas real, utilizando un transistor NPN, se muestran los modos de
operacin de est:

ACTIVIDADES A REALIZAR
1.- Conseguir 4 BJT NPN y 4 PNP y reportar en una tabla la siguiente informacin:
Tipo de
BJT
NPN
NPN
NPN
NPN
PNP
PNP

Matrcula

( Medida con DVM )

V BE

V BC Encapsulado

2N2222
2N3904
H528
BC548C
TIP120
BC557C
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PNP

2N3906

2.- Imprimir las curvas de respuesta que determinan las caractersticas elctricas
mximas del BJT NPN 2N2222 ( V CBmax , I C max, V EB max y V CEmax .
Nota: Los voltajes

V CBmax y V EB max obtngalos utilizando nicamente las dos

terminales requeridas del transistor, configurando al trazador con una resistencia

de carga de 10 K y una potencia de disipacin de 0.1 W para evitar daarlo.
3.- Calcular y construir en circuito impreso una polarizacin fija y una con
retroalimentacin por emisor comn que tengan el mismo punto de operacin en (
V CEQ =5 V , I CQ =4 mA utilizando V CC =9 V En el caso del ejercicio terico
.

realizar los clculos con valores nominales y con la medida con un multmetro.

Frmulas para calcular una polarizacin fija:

Rc =

V CC V CEQ
I
V 0.7
I B = CEQ RB = CC

I CEQ
IB

Frmulas para calcular una auto polarizacin con retroalimentacin por emisor:
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1
V
V V CEQ
V
10 cc
R E=
Rc = CC
R E R2= CC R BB R 1=
I CEQ
I CEQ
V BB

RBB
V BB
1
V CC

Aplicando criterio de estabilidad:

R E=

10R BB
R
R
R BB= E V BB=I CEQ BB + R E +0.7

10

4.- Construir las curvas de respuesta del BJT en las que aparezca el punto de
operacin aproximado en la parte central del cuadrante y sobre stas dibujar la
recta de carga de corriente directa.
5.- Reportar en el formato de las siguientes tablas los resultados que se le
solicitan. En el caso prctico utilizar las condiciones del punto de operacin que
ofrece el trazador de curvas. Realizar las mediciones en dos temperaturas, la
ambiente y a 75 C. El reporte de los resultados realcelos conforme a lo solicitado
en la tabla 1.
Tipo de polarizacin a Temp.

IB

IC

VCE

VBE

VCB

Ambiente
Fija (Terica)
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Fija (Simulada)
Fija (Prctica)
Retroalimentacin por emisor
(Terica)
Retroalimentacin por emisor
(Simulada)
Retroalimentacin por emisor
(Prctica)
Tipo de polarizacin a T= 75 C
Fija (Terica)
Fija (Simulada)
Fija (Prctica)
Retroalimentacin por emisor
(Terica)
Retroalimentacin por emisor

IB

IC

VCE

VBE

VCB

(Simulada)
Retroalimentacin por emisor
(Prctica)

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CUESTIONARIO
1. Mencione las tres regiones de funcionamiento en las que trabaja el BJT
2. Qu terminal entrega lecturas de cada de voltaje de diodo respecto a las
dos restantes en un BJT?
3. En qu regin se trabaja al BJT como interruptor abierto?
4. Qu especificacin elctrica mxima no se debe exceder para evitar daar
al BJT cuando trabaja como interruptor abierto?
5. Qu valor mximo tiene el voltaje colector emisor cuando el BJT trabaja
con su corriente de colector mxima?
6. Nombre las tres tcnicas de polarizacin que usualmente se utilizan con el
BJT
7. Qu condicin nos permite compensar las variaciones de la beta en un
transistor?
8. Para trabajar al BJT como interruptor, Qu tcnica de polarizacin se
utiliza?
9. Tpicamente, Cul es la relacin I C /I B en funcin de para que el BJT
funcione en la regin de saturacin como interruptor cerrado?
10. Para ambas tcnicas de polarizacin explique, Porque la corriente de
colector se incrementa cuando aumenta la temperatura?

BIBLIOGRAFIA
http://com/proyectos_electronicos/polarizacion_transistor.htm
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor.php
CONCLUSIONES

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