Você está na página 1de 1

MOMAG 2014: 16 SBMO - Simpsio Brasileiro de Micro-ondas e Optoeletrnica e 11 CBMag - Congresso Brasileiro de

Eletromagnetismo

Anlise Terica do Impacto de Nano-Incluses de


Ferro em Estrutura com Efeito de Camada Ressonante
Giorgio de M. Magalhes, Rodrigo M. de Alencar,
Douglas K. Paixo e Maria Thereza M. Rocco Giraldi

Douglas Fonseca, Raphael Pereira, Anderson O. Silva1


e Maria Aparecida G. Martinez

Seo de Engenharia Eltrica


Instituto Militar de Engenharia
Rio de Janeiro, Brasil
mtmrocco@gmail.com

Departamento de Engenharia Eltrica


CEFET/RJ
Rio de Janeiro, Brasil
magmartinez@gmail.com
1
LEA-UFPA
tensor da constante dieltrica da mistura, ou seja, material
hospedeiro e incluso. Os elementos da diagonal principal do
tensor esto relacionados ao ndice de refrao complexo da
mistura. Os resultados so apresentados e discutidos na seo
IV. Finalmente, as concluses so apresentadas na seo V.

Resumo Neste artigo o efeito de camada ressonante


investigado em uma estrutura de mltiplas camadas. A distribuio
de campo na estrutura e o ndice de refrao efetivo so analisados
em funo da frao de nano-incluses de Fe e espessura da camada
ressonante. As anlises so realizadas em semicondutores compostos
do grupo III-V. Os resultados mostram que a ressonncia ocorre
para um fator de incluso de 2% e uma espessura de 0,4mm.

II. EFEITO DE CAMADA RESSONANTE


A RLE produzida ao se adicionar, dentro ou acima da
camada de revestimento do guia de onda, uma fina camada de
semicondutor com elevado ndice de refrao. Assim, um pico
secundrio no modo fundamental de propagao surge na
camada adicionada, como mostra a Fig. 1. O pico primrio, na
camada do guia, continua a ser observado. A coexistncia do
pico principal e do pico ressonante depende da frequncia de
operao assim como dos parmetros da camada ressonante, so
eles o ndice de refrao, a largura e a posio da RL.

Palavras-chave guia de onda, efeito de camada ressonante, ptica


integrada

I.

INTRODUO

A estabilidade mecnica, a miniaturizao e a


compatibilidade com a tecnologia de fibras pticas monomodo
tornam os dispositivos pticos integrados potencialmente
atrativos para sistemas WDM. O Efeito de Camada Ressonante
[1, 2] (RLE Resonant-Layer Effect) pode ser utilizado no
projeto de uma srie de dispositivos em ptica integrada. Entre
estes, destacam-se os isoladores, moduladores e polarizadores
pticos. A RLE consiste um uma camada com alto ndice de
refrao depositada em cima da camada de revestimento de um
guia ptico. O modo fundamental de propagao do guia ptico
pode apresentar uma ressonncia na camada de alto ndice de
refrao se a camada RLE for projetada adequadamente. Essa
ressonncia permite o controle da polarizao da luz em
polarizadores e o controle da constante de propagao da luz que
se propaga em diferentes direes no caso dos isoladores.
Neste artigo, a RLE investigada teoricamente por meio da
anlise modal de um guia de onda ptico multicamadas
constitudo por materiais dos grupos III e V. A camada
ressonante obtida a partir da incluso de nanopartculas de Fe
em uma matriz semicondutora. O ndice de refrao complexo
da RLE calculado utilizando-se a teoria de Maxwell-Garnett
[3] e dados experimentais da constante dieltrica do Fe no
comprimento de onda de interesse, 1550nm. A influncia da
espessura da camada ressonante (RL) e a influncia da frao de
incluso na RL so analisadas, atravs da distribuio do campo
eltrico do modo fundamental TE e respectivo ndice efetivo. A
RLE introduzida e discutida na seo II. Na seo III, a teoria
de Maxwell-Garnett apresentada. Esta permite o clculo do

Fig. 1. Efeito da Camada Ressoante. n1 e n5 so camadas semiinfinitas. n2 a camada ressonante, n3 a camada de revestimento e
n4 a camada de guia de onda.

O surgimento desse pico secundrio pode ser entendido


considerando-se dois guias de onda de trs camadas isolados,
cada um deles no modo fundamental. medida que esses guias
so aproximados, seus campos pticos se sobrepem e, sob
determinadas condies, ambos os picos coexistiro no modo
fundamental, como est ilustrado na Fig. 2. A espessura tima
da RL para uma dada estrutura depende do ndice de refrao
relativo dos meios, da posio da RL e do ndice de refrao
efetivo (constante de propagao normalizada) [4].

978