3 Quadrimestre de 2012

BC-0102: Estrutura da Matria

LISTA DE EXERCCIOS 2
tomos com muitos eltrons e periodicidade das propriedades dos elementos qumicos:
1) Explique o conceito de orbital atmico e faa um esboo representando os orbitais s e p.
2) Quantos orbitais h no nvel n = 5 ?
3) Identifique os valores do nmero quntico principal e do nmero quntico angular para os seguintes
subnveis: (a) 2p; (b) 5f; (c) 3s; (d) 4d.
4) Quais dos seguintes conjuntos de nmeros qunticos no so permitidos? Explique.
a) n = 3, l = 3, ml = 0, ms = -1/2;
b) n = 4, l = 3, ml = 2, ms = -1/2;
c) n = 4, l = 1, ml = 1, ms = +1/2;
d) n = 2, l = 1, ml = -1, ms = -1;
e) n = 5, l = -4, ml = 2, ms = +1/2;
f) n = 3, l = 1, ml = 2, ms = -1/2;
5) Explique por que, num tomo multieletrnico, um eltron no subnvel 2s est preso mais fortemente ao
ncleo do que um eltron no subnvel 3s.
6) Para cada grupo dos elementos representativos (Grupos 1, 2 e 13 a 18) d o nmero de eltrons de
valncia e a configurao geral dos eltrons de valncia do grupo.
7) Explique por que, num tomo multieletrnico, um eltron no subnvel 3s est preso mais fortemente ao
ncleo do que um eltron no subnvel 3p. Explique por que essa mesma tendncia no observada num
tomo neutro de hidrognio.
8) Explique os conceitos de carga nuclear efetiva e efeito blindagem.
9) Em que regio da tabela peridica encontram-se os maiores tomos? E os menores? Explique estas
tendncias com base na estrutura atmica dos diversos elementos.
10) O que afinidade eletrnica? Qual a relao entre afinidade eletrnica e carga nuclear efetiva? Com base
em sua resposta, explique a relao entre os valores da afinidade eletrnica para oxignio e flor.
11) Organize os elementos dos seguintes conjuntos na ordem decrescente do raio atmico: (a) enxofre, cloro,
silcio; (b) antimnio, bismuto, fsforo.

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Ligao inica. Ligao covalente (modelo de Lewis), geometria e polaridade molecular. Teoria de Ligao de
Valncia.

12) Explique por que o sdio ocorre como Na+ e no como Na2+ em compostos inicos.
13) Indique quais os ons mais estveis dos elementos qumicos: Mg, Al, S, Cl, K, Ca e Ga. Ordene os ons em
ordem crescente de raio inico.
14) Escreva a representao de Lewis para os seguintes compostos inicos: (a) fluoreto de potssio; (b) sulfeto
de alumnio; (c) xido de clcio; (d) xido de sdio; (e) composto formado por ltio e csio; (f) composto
formado por alumnio e enxofre; (g) composto formado por potssio e nitrognio; (h) rubdio e cloro.
15) Explique o que energia de rede ou energia reticular de slidos inicos.
16) Compare as ligaes existentes no HF (g) e no H2 (g) com as encontradas no NaF (s).
17) Indique e explique qual ligao ser mais polar nos conjuntos abaixo:
a)
b)
c)
d)

C F; Si F; Ge F;
P Cl ou S Cl;
S F; S Cl; S Br;
Ti Cl; Si Cl; Ge Cl.

18) Escreva as estruturas de Lewis para os seguintes compostos orgnicos e indique, em cada caso, o formato
espacial das molculas: (a) metanal ou formaldedo, H2CO, utilizado no formol para conservar tecidos
mortos; (b) metanol, CH3OH, um composto txico por vezes encontrado em bebidas alcolicas destiladas
vendidas clandestinamente.
19) Escreva as estruturas de Lewis para os seguintes ons poliatmicos: (a) on amnio, NH4+; (b) on
hipoclorito, ClO-. Represente o processo de dissociao inica do cloreto de amnio e do hipoclorito de
sdio quando dissolvidos em gua.
20) Determine o nmero de pares de eltrons ligantes e de pares de eltrons isolados no tomo de fsforo em:
(a) PCl3; (b) PCl5; (c) PCl4+; (d) PCl6-. Preveja o formato espacial destas molculas por meio do modelo
VSEPR.
21) Em cada par, determine qual dos compostos tem o maior carter inico: (a) HCl e HI; (b) CH4 e CF4; (c) CO2
ou CS2; (d) NaCl e BrCl.
22) Explique o fenmeno de ressonncia na molcula de benzeno e a consequncia dele para os comprimentos
mdios das ligaes entre tomos de carbono e para a energia destas ligaes.
23) Mostre os hbridos de ressonncia do on acetato (H3CCO2-).

24) Qual a relao entre as eletronegatividades de dois tomos e o tipo de ligao que eles formaro
(covalente apolar, covalente polar, inica)?
25) Determine as cargas formais de cada tomo nas estruturas abaixo e, onde mais de uma estrutura for dada,
diga qual a mais estvel.

26) Um composto orgnico, destilado a partir da madeira, possui massa molar de 32,04 g/mol e a seguinte
composio em massa: 37,5 % C, 12,6 % H e 49,9 % O. (a) Escreva as estruturas de Lewis do composto e
estime o valor dos ngulos de ligao em torno do carbono e do oxignio. (b) Determine a hibridizao dos
tomos de carbono e oxignio. (c) Indique a polaridade da molcula.
27) Sabendo que o carbono tetravalente em quase todos os seus compostos e pode formar cadeias e anis
de tomos de C: (a) escreva duas possveis estruturas de Lewis para C3H4. (b) Determine todos os ngulos
de ligao em cada estrutura. (c) Determine a hibridizao de cada tomo de carbono em cada estrutura.
28) Escreva as estruturas de Lewis e indique a polaridade das molculas: (a) CH2Cl2; (b) H2S; (c) PCl3; (d) SF4.
29) H trs diferentes diclorobenzenos, C6H4Cl2, que diferem nas posies relativas de dois tomos de cloro no
anel benznico. Classifique as trs molculas de diclorobenzeno em polar ou apolar. Qual delas possui o
maior momento de dipolo? Como isso poderia se refletir nos pontos de ebulio das trs substncias?
30) Utilizando estruturas de Lewis e o modelo VSEPR, faa previses acerca da geometria molecular das
seguintes espcies: (a) HOCl; (b) N2O; (c) H2S; (d) CS2; (e) NH3; (f) NH4+; (g) H3O+.
31) Explique as diferenas entre carga formal e nmero de oxidao utilizando, como exemplo, os compostos
MnO4- e ClO2-.
32) Para cada uma das seguintes molculas: (i) escreva as estruturas de Lewis; (ii) preveja a geometria
molecular (incluindo os valores estimados dos ngulos de ligao); (iii) indique qual o tipo de hibridizao
do tomo central; (iv) indique a polaridade molecular: (a) CF4; (b) NF3; (c) OF2; (d) BF3; BeH2; (f) TeF4.
33) O ndigo blue um corante muito utilizado em tecidos e tem a seguinte estrutura molecular:

a) Indique quantas ligaes e existem na molcula;

b) Indique os orbitais hbridos de todos os tomos de carbono da molcula.

Foras Intermoleculares.

34) Em uma tabela de propriedades fsicas dos compostos orgnicos, foram encontrados os dados abaixo para
compostos de cadeia linear. Estes compostos so etanol, heptano, hexano e 1-propanol, no
necessariamente nesta ordem.
Composto

Ponto de Ebulio (C)

Solubilidade em gua

69,0

Insolvel

II

78,5

Solvel

III

97,4

Solvel

IV

98,4

Insolvel

Dados:
Etanol: H3C H2C OH
Heptano: H3C H2C H2C H2C H2C H2C CH3
Hexano: H3C H2C H2C H2C H2C CH3
1-propanol: H3C H2C H2C OH
Quais so os compostos I, II, III e IV?
35) Que tipo de ligaes/interaes so rompidas quando as seguintes substncias passam do estado lquido
para o estado gasoso?
a)

Gs hidrognio?

b)

gua?

c)

Amnia?

d)

Metano?

36) Ordene as seguintes substncias em ordem crescente de ponto de ebulio:

CH4
CH3 CH2 OH
CH3 CH2 CH2 OH
CH3 CH3
HO CH2 CH2 OH
37) Considere o grfico abaixo. Por que a gua tem maior ponto de ebulio?

38) Explique como formada a ligao de hidrognio.

39) Qual o tipo de ligao responsvel pelas atraes intermoleculares nos lquidos e slidos constitudos de
molculas apolares?

40) A geometria molecular e a polaridade das molculas so conceitos importantes para predizer o tipo de
fora de interao entre elas. Dentre os compostos moleculares nitrognio, dixido de enxofre, amnia,
sulfeto de hidrognio e gua, quais aqueles que apresentam o menor e o maior ponto de ebulio.
41) Para cada conjunto de substncias, indique:
(a) O maior ponto de ebulio: CCl4, CF4, CBr4.
(b) O mais baixo ponto de congelamento: LiF, F2, HCl.

Teoria dos Orbitais Moleculares.

42) O que se pode dizer acerca da estabilidade do on HeH-? Qual a ordem de ligao nesta espcie? Compare
as estabilidades das espcies HeH- e HeH+.
43) Por meio da TOM, escreva as configuraes eletrnicas para as molculas diatmicas, calcule a ordem de
ligao e indique o magnetismo das molculas: (a) Li2; (b) CO; (c) CN-.

44) Nas figuras (I) e (II) esto representados modelos de dopagens de semicondutores. (a) Indique qual o tipo
de dopagem que ocorre em cada caso; (b) Por meio de um diagrama simplificado da Teoria das Bandas
explique como estas dopagens atuam nos materiais (49In, 32Ge, 33As).

(I)

(II)