MOSFET

Nombre: Lando ocaa

El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET
(en inglsMetal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o
conmutar seales electrnicas. Aunque el MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamadas surtidor
(S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato generalmente est conectado internamente a
la terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos de tres terminales similares a
otros transistores de efecto de campo. El transistor MOSFET est basado en la estructura MOS. Es el
transistor ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales, aunque
el transistor de unin bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo. Prcticamente la totalidad de
losmicroprocesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET.
En los MOSFET de enriquecimiento, una diferencia de tensin entre el electrodo de la compuerta y el
substrato induce un canal conductor entre los contactos de drenador y surtidor, gracias al efecto de campo.
El trmino enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad elctrica debido a un aumento
de la cantidad de portadores de carga en la regin correspondiente al canal, que tambin es conocida como
la zona de inversin. El canal puede formarse con un incremento en la concentracin de electrones (en un
nMOSFET o nMOS), o huecos (en un pMOSFET o pMOS), en donde el sustrato tiene el tipo de dopado
opuesto: un transistor nMOS se construye con un sustrato tipo p, mientras que un transistor pMOS se
construye con un sustrato tipo n. Los MOSFET deempobrecimiento tienen un canal conductor que se debe
hacer desaparecer mediante la aplicacin de la tensin elctrica en la compuerta, lo cual ocasiona una
disminucin de la cantidad de portadores de carga y una disminucin respectiva de la conductividad.1
El trmino 'metal' en el nombre de los transistores MOSFET es actualmente incorrecto debido a que el
material de la compuerta, que antes era metlico, ahora se construye con una capa de silicio policristalino.
En sus inicios se utiliz aluminio para fabricar la compuerta, hasta mediados de 1970 cuando
el silicio policristalino comenz a dominar el mercado gracias a su capacidad de formar compuertas autoalineadas. Las compuertas metlicas estn volviendo a ganar popularidad, debido a que es complicado
incrementar la velocidad de operacin de los transistores sin utilizar componentes metlicos en la
compuerta.
De manera similar, el 'xido' utilizado como aislante en la compuerta tambin se ha reemplazado por otros
materiales con el propsito de obtener canales fuertes con la aplicacin de tensiones ms pequeas.
Un transistor de efecto de campo de compuerta aislada o IGFET (Insulated-gate field-effect transistor) es
un trmino relacionado que es equivalente a un MOSFET. El trmino IGFET es un poco ms inclusivo, debido
a que muchos transistores MOSFET utilizan una compuerta que no es metlica, y un aislante de compuerta
que no es un xido. Otro dispositivo relacionado es el MISFET, que es un transistor de efecto de campo
metal-aislante-semiconductor (Metal-insulator-semiconductor field-effect transistor).

Smbolos de circuito
Existen distintos smbolos que se utilizan para representar el transistor MOSFET. El diseo bsico consiste
en una lnea recta para dibujar el canal, con lneas que salen del canal en ngulo recto y luego hacia afuera
del dibujo de forma paralela al canal, para dibujar el surtidor y el drenador. En algunos casos, se utiliza una
lnea segmentada en tres partes para el canal del MOSFET de enriquecimiento, y una lnea slida para el
canal del MOSFET de empobrecimiento. Otra lnea es dibujada en forma paralela al canal para destacar la
compuerta.
La conexin del sustrato, en los casos donde se muestra, se coloca en la parte central del canal con una
flecha que indica si el transistor es PMOS o NMOS. La flecha siempre apunta en la direccin P hacia N, de

forma que un NMOS (Canal N en una tina P o sustrato P) tiene la flecha apuntando hacia adentro (desde el
sustrato hacia el canal). Si el sustrato est conectado internamente al surtidor (como generalmente ocurre
en dispositivos discretos) se conecta con una lnea en el dibujo entre el sustrato y el surtidor. Si el sustrato
no se muestra en el dibujo (como generalmente ocurre en el caso de los diseos de circuitos integrados,
debido a que se utiliza un sustrato comn) se utiliza un smbolo de inversin para identificar los transistores
PMOS, y de forma alternativa se puede utilizar una flecha en el surtidor de forma similar a como se usa en
los transistores bipolares (la flecha hacia afuera para un NMOS y hacia adentro para un PMOS).
En esta figura se tiene una comparacin entre los smbolos de los MOSFET de enriquecimiento y de
empobrecimiento, junto con los smbolos para los JFET (dibujados con el surtidor y el drenador ordenados
de modo que las tensiones ms elevadas aparecen en la parte superior de la pgina).

Canal P

Canal N

JFET

MOSFET Enriq.

MOSFET Enriq. (sin sustrato)

MOSFET Empob.

Para aquellos smbolos en los que la terminal del sustrato se muestra, aqu se representa conectada
internamente al surtidor. Esta es la configuracin tpica, pero no significa que sea la nica configuracin
importante. En general, el MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales, y en los circuitos integrados
muchos de los MOSFET comparten una conexin comn entre el sustrato, que no est necesariamente
conectada a las terminales del surtidor de todos los transistores.

Funcionamiento
Estructura metal-xido-semiconductor

Estructura Metal-xido-semiconductor construida con un sustrato de silicio tipo p

Una estructura metal-xido-semiconductor (MOS) tradicional se obtiene haciendo crecer una capa
de dixido de silicio (SiO2) sobre un sustrato de silicio, y luego depositando una capa de metal
o silicio policristalino, siendo el segundo el ms utilizado. Debido a que el dixido de silicio es un
material dielctrico, esta estructura equivale a un condensador plano, en donde uno de los electrodos ha
sido reemplazado por un semiconductor.
Cuando se aplica un potencial a travs de la estructura MOS, se modifica la distribucin de cargas en el
semiconductor. Si consideramos un semiconductor de tipo p (con una densidad de aceptores N A), p es la
densidad de huecos; p = NA en el silicio intrnseco), una tensin positiva VGB aplicada entre la compuerta y
el sustrato (ver figura) crea una regin de agotamiento debido a que los huecos cargados positivamente son

repelidos de la interfaz entre el aislante de compuerta y el semiconductor. Esto deja expuesta una zona libre
de portadores, que est constituida por los iones de los tomos aceptores cargados negativamente
(ver Dopaje (semiconductores)). Si VGB es lo suficientemente alto, una alta concentracin de portadores de
carga negativos formar una regin de inversin localizada en una franja delgada contigua a la interfaz
entre el semiconductor y el aislante. De manera distinta al MOSFET, en donde la zona de inversin ocasiona
que los portadores de carga se establezcan rpidamente a travs del drenador y el surtidor, en un
condensador MOS los electrones se generan mucho ms lentamente mediante generacin trmica en los
centros de generacin y recombinacin de portadores que estn en la regin de agotamiento. De forma
convencional, la tensin de compuerta a la cual la densidad volumtrica de electrones en la regin de
inversin es la misma que la densidad volumtrica de huecos en el sustrato se llama tensin de umbral.
Esta estructura con un sustrato de tipo p es la base de los transistores nMOSFET, los cuales requieren el
dopado local de regiones de tipo n para el drenador y el surtidor.