Proyecto de puerto paralelo.

El puerto paralelo de un computador se puede utilizar para automatizar una serie

de sistemas que implican necesidades en la vida real.
La ventaja es que se puede manejar desde la computadora o desde otro sistema
conectado en red o internet.
La cantidad de soluciones que se pueden dar por este medio son muchas.
Soluciones que pueden ser desde manejar el encendido de una simple lmpara
hasta todo el control de un proceso industrial.
En caso de no tener un computador con puerto paralelo, probablemente es porque
la tecnologa es nueva y utiliza un puerto USB. Existen convertidores de puerto
USB a paralelo.

En la salida del puerto paralelo, pines 2,3,4,5,6,7,8,9 los datos corresponden a

seales digitales de 1 y 0 lgicos, lo que en realidad fsica corresponde a 5
voltios y 0 voltios consecutivamente y aproximadamente.
Estas seales digitales son de baja potencia lo que no permite manejar actuadores
como lmparas, motores, robots, cmaras entre otros.
Es por eso que esa seal debe de ser amplificada por algn medio conocido entre
los que se pueden utilizar transistores, amplificadores operacionales, compuertas
buffer y elementos como relays.
Una vez amplificada la seal se pasa al actuador. Entre el puerto paralelo y la
etapa de amplificacin se coloca una interface que es la que se encarga de
proteger al computador de sobrecargas elctricas.
Las interface puede ser una resistencia, un opto acoplador entre otros.
El opto acoplador es un componente electrnico que funciona por medio de luz.

Es ptimo para acoplar seales digitales y unir circuitos que estn aislados
elctricamente.
Existen varios tipos de opto acopladores.

El diagrama en bloques del sistema elctrico se representa de la siguiente

manera.

PUERTO
DB25

INTERFASE

AMPLIFICADO
R

ACTUADO
R

El diagrama anterior muestra las diferentes etapas elctricas para utilizar el puerto
paralelo como medio para automatizar un actuador.
Por cada pin del DB25 en que salen datos se puede realizar una peticin por
medio del programa.
El software de manejo del puerto.
Un programador con buenas bases puede hacer referencia a los pines del puerto
paralelo por medio de un lenguaje de alto nivel como C++ o Visual entre otros.

Puede crear tiempos de funcionamiento segn lo necesite y cuales el pin en el que

necesita una salida en alto o en bajo.
Sin embargo se puede bajar software de manejo de puerto en forma gratuita con
el que se puede hacer correr el circuito.
El programa de manejo de puerto se disea de acuerdo a las necesidades del
proyecto que se desea montar y se puede representar por medio de una tabla con
cada pin encendido, apagado y tiempo de ejecucin.

PIN
2
3
4
5
6
7
8
9

ESTADO
ENC/APAG
ENC/APAG
ENC/APAG
ENC/APAG
ENC/APAG
ENC/APAG
ENC/APAG
ENC/APAG

TIEMPO/ Seg.
-

Diagrama esquemtico.
Utilizando un transistor y un relay.

RL1 SPCO-Default

T1

ACTUADOR
X
X
X
X
X
X
X
X

Utilizando un opto acoplador.

LISTA DE MATERIALES.
Un relay para 12VDC
2 transistores 2n2222
8 leds
1 cable con puerto paralelo para impresora
1 Tablilla protoboard
2 resistencias de 1 Kg, 10 resistencias de 10
1 enchufe, 1 plafn, 2 metros de cable #14
FUNCIONAMIENTO DEL RELAY
Un relay funciona por un principio electromagntico.
La bobina del relay es accionada cuando pasa una corriente elctrica a travs de
ella.
La corriente crea un electroimn que acciona una parte mecnica donde se
conectan los platinos que harn contacto entre si para activar el actuador.
Existen varios tipos de relays y este es el principio de funcionamiento de los
contactores, elemento utilizado para manejar elevadas potencias

FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR.

Transistor de unin bipolar

Transistor de unin bipolar.

El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN
muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de
sus terminales. Los transistores bipolares se usan generalmente en electrnica
analgica. Tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital como la
tecnologa TTL o BICMOS. Un transistor de unin bipolar est formado por dos
Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy
estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
emisor.
La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta
de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector
rodea la regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados
en la regin de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor
resultante de se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor
un gran .
El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente
un dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor
hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar
en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente
optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor
hacen que los valores de y en modo inverso sean mucho ms pequeos que
los que se podran obtener en modo activo; muchas veces el valor de en modo
inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente debido a las tasas
de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est altamente dopado, mientras
que el colector est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una
gran tensin de reversa en la unin colector-base antes de que esta colapse. La
unin colector-base est polarizada en inversa durante la operacin normal. La
razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia
de inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el
emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia

de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor

deben provenir del emisor.
Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera
que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente.
Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada.
Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensin,
pero son caracterizados ms simplemente como fuentes de corriente controladas
por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la
base.
Funcionamiento

Caracterstica idealizada de un transistor bipolar.

En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la
unin base-colector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de
carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a
la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados
por el campo elctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del
nodo compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada
en directa y la unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor
NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la unin baseemisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo
elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los
electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos
electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin
cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos
electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base
est dopada con material P, los cuales generan "hoyos" como portadores
mayoritarios en la base.

La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para

que los portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo
que la vida til del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el
porcentaje de portadores que se re combinan antes de alcanzar la unin basecolector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusin de los
electrones.
Control de tensin, carga y corriente
La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente
base-emisor (control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de
voltaje). Esto es debido a la relacin tensin-corriente de la unin base-emisor, la
cual es la curva tensin-corriente exponencial usual de una unin PN (es decir, un
diodo).
En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a
que es aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es
aproximadamente veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser
diseados asumiendo que la tensin base-emisor es aproximadamente constante,
y que la corriente de colector es veces la corriente de la base. No obstante, para
disear circuitos utilizando BJT con precisin y confiabilidad, se requiere el uso de
modelos matemticos del transistor como el modelo Ebers-Moll.
El Alfa y Beta del transistor
Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de
electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la
regin del emisor y el bajo dopaje de la regin de la base pueden causar que
muchos ms electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base que
huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de corriente emisor comn
est representada por F o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de corriente
continua de colector a la corriente continua de la base en la regin activa directa y
es tpicamente mayor a 100. Otro parmetro importante es la ganancia de
corriente base comn, F. La ganancia de corriente base comn es
aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la regin
activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila
entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las
siguientes relaciones (para un transistor NPN):

El smbolo de un transistor NPN.

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N"
y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes
regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da
son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los
"huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades
de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P
(la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente
ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida
del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta
en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo
est en funcionamiento activo.
[PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N"
refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN
brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.

El smbolo de un transistor PNP.

Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N
entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente
operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la
fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea
corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule
desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la
direccin en que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.
Regiones operativas del transistor
Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas
principalmente por la forma en que son polarizados:

Regin activa:
Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin
de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta
regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente
de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las
resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta
regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como
un amplificador de seal.

Regin inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo,
el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este
modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que
la mayora de los TBJ son diseados para maximizar la ganancia de
corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es
drsticamente menor al presente en modo activo.

Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = 0,(Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el
voltaje de alimentacin del circuito. (como no hay corriente circulando, no
hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta
cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = corriente mxima,(Ic = Ie =
Imaxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de
alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el
emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta
cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir
una corriente de colector veces ms grande. (recordar que Ic = * Ib)
EJEMPLOS DE APLICACIN.
1-Disee un sistema manejado por el puerto de una computadora que
gobierne el encendido de un sistema en que se active un servidor desde su
fuente, luego accione dos minutos despus el sistema de alarma del
edificio. Realice el diagrama de bloques y el diagrama esquemtico..
Realice la tabla de programa.
2-Disee un juego de luces de izquierda a derecha y de derecha a
izquierda. Con un segundo de separacin.