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Pedro Jos Correia

Miguel Abreu

Carregador de Baterias Trifsico de


5kW com Fator de Potncia Unitrio

L1

R2

S1
IRG4PH50KPBF

S2
IRG4PH50KPBF

S3
IRG4PH50KPBF

D1
60cpf12

D2
60cpf12

D3
60cpf12

L2
V1
3PH

400V 50Hz

R3

C1

D7
60cpf12

C3

L3
R4

Carga

C4
C2

L4

Dissertao apresentada para


cumprimento dos requisitos
necessrios obteno do grau
de Mestre em Engenharia Eletrotcnica e Computadores realizada sob a orientao cientfica do
Doutor Jos Henrique Querido
Maia e co-orientao cientfica
do Mestre Srgio Fernando
Pereira Delgado de Sousa

S4
IRG4PH50KPBF

S5
IRG4PH50KPBF

S6
IRG4PH50KPBF

D4
60cpf12

D5
60cpf12

D6
60cpf12

Dissertao de Mestrado em Engenharia Eletrotcnica e de Computadores perfil de Energias Renovveis e Sistemas de Potncia

Dezembro de 2012

Dedico este trabalho a todos os que pelo seu esforo e trabalho tentam alcanar um meio de
tornar o mundo melhor, quer seja no mbito da engenharia como noutros campos do conhecimento.

Agradecimentos
Gostava de agradecer, em primeiro lugar, ao Professor Srgio Sousa, pela pacincia e tempo
dedicado. Pelo seu entusiasmo contagiante e pelos conhecimentos transmitidos, no apenas
acadmicos, que estou certo, me vo acompanhar no resto da vida.

Ao Professor Jos Maia, pela dedicao e partilha de conhecimentos da sua vasta experincia
sem os quais no conseguiria ter superado muitos dos desafios e problemas com que me
deparei ao longo da execuo desta dissertao.

A todos os auxiliares de laboratrio e professores da EST, que me facilitaram o laboratrio,


ferramentas e me apoiaram nas alturas de maior desespero.

Aos meus familiares pelo apoio moral e compreenso, sem a qual no conseguiria a paz de
esprito para alcanar este objetivo.

Finalmente, aos amigos e colegas que me acompanharam em todo este processo, estando
sempre disponveis para ajudar a ultrapassar as situaes adversas.

ii

Resumo
Foi elaborada a construo de um prottipo de um carregador de baterias de 5kW baseado
num retificador. O controlo feito atravs do modo de deslizamento. Nesta dissertao so
apresentados todos os clculos de dimensionamento, testes efetuados e resultados experimentais. A aproximao do fator de potncia unitrio atingida em simulao de MATLAB. descrito o modo como o prottipo atinge essa aproximao.

Palavras-chave: fator de potncia unitrio, baterias, retificador trifsico, dq0, veculos eltricos,
dspic30f4011

iii

Abstract
A prototype of a 5kW battery charger based on a rectifier was built and tested. Control is accomplished via sliding mode. This dissertation presents all necessary calculations, tests and
experimental results. The approaching to unity power factor is achieved in MATLAB simulation.
It is described how the prototype achieves this approximation.

Keywords: unity power factor, battery, three phase rectifier, dq0, electric vehicles,
dsPIC30F4011

iv

ndice
Agradecimentos ............................................................................................................................... ii
Resumo ........................................................................................................................................... iii
Abstract ........................................................................................................................................... iv
ndice ................................................................................................................................................ v
Lista de Figuras .............................................................................................................................. ix
Lista de Tabelas .............................................................................................................................xiii
Lista de Siglas e Acrnimos ..........................................................................................................xiv
Captulo 1 ......................................................................................................................................... 1
Introduo ........................................................................................................................................ 1
1.1. Prembulo ................................................................................................................................. 1
1.2. Baterias...................................................................................................................................... 2
1.2.1. Aplicaes de baterias ..................................................................................................... 2
1.2.2. Tipos de baterias ............................................................................................................. 6
1.3. Carregadores de Baterias ......................................................................................................... 7
1.3.1. Tipos de Carregadores..................................................................................................... 7
1.3.2. Medidas de desempenho de carregadores ....................................................................... 8
Captulo 2 ........................................................................................................................................10
Baterias e Carregadores .................................................................................................................10
2.1. Sistema de carregamento genrico.........................................................................................10
2.2. Topologias de carregadores ....................................................................................................11
2.2.1. Retificadores a dodos.....................................................................................................11
2.2.2. Retificadores multipulso ..................................................................................................13
2.2.3. Retificadores hbridos .....................................................................................................15
2.2.4. Retificadores ativos de correo de fator de potncia ......................................................16
2.2.4.1. Sistemas de fase modular ............................................................................................16
2.2.4.2. Sistemas trifsicos diretos ............................................................................................18
2.2.4.2.1. Tipo Boost .................................................................................................................18
2.2.4.2.2. Tipo Buck ..................................................................................................................20
2.2.4.2.3. Tipo Buck-Boost ........................................................................................................21
2.3. Controlo e Comando de retificadores .....................................................................................23
2.3.1. Controlo ..........................................................................................................................23
2.3.2. Comando de carregadores ..............................................................................................24

2.3.2.1. Onda completa.............................................................................................................24


2.3.2.2. Modulao PWM ..........................................................................................................27
2.4. Baterias de trao ....................................................................................................................29
2.4.1. Parmetros de medio de desempenho de baterias ......................................................32
2.4.2. Mtodos de carregamento de baterias ............................................................................33
2.4.3. Estgios de carga ...........................................................................................................34
2.4.4. Tipos de carga ................................................................................................................35
Captulo 3 ........................................................................................................................................36
Topologia do carregador ................................................................................................................36
3.1. Topologia proposta ..................................................................................................................36
3.1. Modelao do conversor .........................................................................................................37
3.1.1. Filtro de entrada ..............................................................................................................38
3.1.2. Comutao dos braos do retificador ..............................................................................42
3.1.3. Conversor de potncia ....................................................................................................43
3.2. Controlo por modo de deslizamento .......................................................................................46
3.2.1. Teoria de controlo ...........................................................................................................46
3.2.2. Aplicao da teoria ao programa .....................................................................................48
3.2.3. Algoritmo Tenso Alfa Beta .............................................................................................48
3.2.4. Algoritmo de Corrente Alfa Beta ......................................................................................50
3.2.5. Algoritmo de Corrente DQ ...............................................................................................50
3.2.6. Clculo de P e Q .............................................................................................................51
3.2.7. O fluxograma real do clculo dos algoritmos ...................................................................51
3.2.7.1. Zonas de tenso ..........................................................................................................53
3.2.7.2. Controlo independente de Iq e Id ..................................................................................55
3.2.7.3. Soluo implementada .................................................................................................56
3.3. Clculos de dimensionamento ................................................................................................57
3.3.1. Corrente em cada um dos braos....................................................................................57
3.3.2. Dimensionamento dos dissipadores ................................................................................59
3.3.2.1. Potncia dissipada nos IGBT .......................................................................................60
3.3.2.2. Potncia dissipada nos dodos srie.............................................................................61
3.3.2.3. Potncia dissipada no dodo roda livre .........................................................................62

vi

3.3.2.4. Potncia absorvida.......................................................................................................63


3.3.2.5. Clculo das resistncias trmicas e dissipadores .........................................................63
3.3.2.5.1. IGBT e dodo srie ....................................................................................................63
3.3.2.5.2. Dodo roda livre .........................................................................................................66
3.3.3. Filtro de sada .................................................................................................................67
3.3.4. Filtro de entrada ..............................................................................................................68
3.3.5. Placas de circuito impresso do conversor ........................................................................70
3.3.5.1. Placa de adaptao dos sinais de tenso de entrada ...................................................70
3.3.5.2. Placa dos drivers..........................................................................................................71
3.3.5.3. Placa das correntes de entrada ....................................................................................72
3.3.5.4. Fonte de alimentao ...................................................................................................73
3.3.5.5. Placa do microcontrolador ............................................................................................73
Captulo 4 ........................................................................................................................................75
Resultados ......................................................................................................................................75
4.1. Simulao de MATLAB ............................................................................................................75
4.1.1. Bloco de controlo ............................................................................................................76
4.1.2. Simulao com prioridade a Iq (quadratura) ....................................................................77
4.1.3. Simulao com prioridade a Id (direta) ............................................................................79
4.1.4. Simulao com prioridade a Id e Iq .................................................................................81
4.1.5. Vetores prioridade dq em plena carga .............................................................................83
4.2. Ensaios Laboratoriais ..............................................................................................................86
4.2.1. Ensaio com prioridade a Iq (quadratura) ..........................................................................88
4.2.2. Ensaio com prioridade a Id e Iq .......................................................................................90
4.2.2.1. Variao da histerese da corrente Id ............................................................................93
4.2.2.2. Variao da histerese da corrente Iq ............................................................................93
4.3. Comparao entre simulao Matlab e experincia laboratorial ...........................................95
4.3.1. Controlo com prioridade corrente Iq..............................................................................95
4.3.2. Controlo com prioridade s correntes Id e Iq ...................................................................96
4.4. Resultados com condensador na sada e aumento da bobina ..............................................97
Captulo 5 ........................................................................................................................................99
Concluses .....................................................................................................................................99
Bibliografia ....................................................................................................................................101

vii

Anexo A. ........................................................................................................................................... 1
Esquemas Eletrnicos ..................................................................................................................... 1
Anexo B. ........................................................................................................................................... 1
Placas de circuito impresso ............................................................................................................ 1
Anexo C. ........................................................................................................................................... 1

viii

Lista de Figuras
Figura 1-1 Sistema de carga(1) ........................................................................................................... 2
Figura 1-2 Configurao de veculos eltricos hbridos (2) ................................................................... 3
Figura 1-3 Banco de baterias da estao da Pensilvnia (EUA) (3) ..................................................... 4
Figura 1-4 Comboio de alta velocidade Siemens Velaro (4) ................................................................. 5
Figura 1-5 Comboio de alta velocidade Siemens Velaro esquema eltrico (4) .................................. 5
Figura 1-6 Tipos de retificadores trifsicos .......................................................................................... 7
Figura 2-1 Esquema de carregamento de uma bateria ...................................................................... 10
Figura 2-2 Retificador a dodos com indutncia do lado CC(6) .......................................................... 12
Figura 2-3 Retificador a dodos com indutncia do lado CA(6) ........................................................... 12
Figura 2-4 Retificador com injeo da Terceira harmnica(7) ............................................................ 13
Figura 2-5 Retificador com transformador isolado e bobina interfsica no lado CC (8) ....................... 14
Figura 2-6 Retificador passivo de 24 pulsos (9) ................................................................................. 14
Figura 2-7 Retificador de 12 pulsos hbrido(10) ................................................................................. 15
Figura 2-8 Retificador controlado em estrela(11) ............................................................................... 16
Figura 2-9 Retificador PFC ligado em Tringulo (12) ......................................................................... 17
Figura 2-10 Retificador trifsico baseado em transformador Scott(13) ............................................... 17
Figura 2-11 Retificador Vienna .......................................................................................................... 18
Figura 2-12 Retificador de interruptores em tringulo ( switch) ........................................................ 19
Figura 2-13 Comparao de retificadores tipo boost(6) ..................................................................... 19
Figura 2-14 Retificador Suo (Swiss)................................................................................................ 20
Figura 2-15 Retificador buck de 6 interruptores ................................................................................. 20
Figura 2-16 Comparao de retificadores tipo buck(6)....................................................................... 21
Figura 2-17 Retificador buck-boost (6)............................................................................................... 21
Figura 2-18 Controlo em cadeia aberta ............................................................................................. 23
Figura 2-19 Controlo em cadeia fechada ........................................................................................... 23
Figura 2-20 Retificador trifsico a dodos........................................................................................... 24
Figura 2-21 Retificador a dodos (em cima ondas de entrada em baixo sada CC .............................. 25
ix

Figura 2-22 ngulo de disparo 0 ...................................................................................................... 26


Figura 2-23 ngulo de disparo 30 .................................................................................................... 26
Figura 2-24 ngulo de disparo 60 .................................................................................................... 26
Figura 2-25 ngulo de disparo 75 .................................................................................................... 27
Figura 2-26 Modulao PWM 80% ................................................................................................. 28
Figura 2-27 Modulao PWM 5% ................................................................................................... 28
Figura 2-28 Comparao de densidades de energia de tecnologias de baterias(16) .......................... 29
Figura 2-29 Evoluo de tecnologia de baterias (16) ......................................................................... 30
Figura 2-30 Comparao do desempenho das tecnologias mais modernas(20) ................................. 31
Figura 2-31 Bateria WB-LYP700AHA da Winston battery .................................................................. 31
Figura 2-32 Carga de uma bateria Li-ion genrica ............................................................................. 34
Figura 3-1 Esquema de potncia proposto para o retificador trifsico com fator de
potncia unitrio ........................................................................................................ 36
Figura 3-2 Esquema do conversor em Matlab/Simulink ..................................................................... 37
Figura 3-3 Referenciais abc-alfa_beta e alfa_beta dq0 ...................................................................... 47
Figura 3-4 Diagrama de blocos do processo bsico........................................................................... 51
Figura 3-5 Zonas de tenso .............................................................................................................. 53
Figura 3-6 Zonas de tenso com as tenses simples ........................................................................ 54
Figura 3-7 Esquema trmico de dodo e IGBT no mesmo dissipador ................................................. 64
Figura 3-8 Dissipador 000MD da Aavid Thermaloy ............................................................................ 65
Figura 3-9 Dissipador 60565 da Aavid Thermaloy ............................................................................. 65
Figura 3-10 Dissipador 62325 da Aavid Thermaloy ........................................................................... 66
Figura 3-11 Efeito da Ventilao forada nos dissipadores ................................................................ 66
Figura 3-12 Amplificador subtrator..................................................................................................... 70
Figura 3-13 Evoluo da converso de um perodo de uma tenso trifsica (eixo das
ordenadas graus, eixo das coordenadas volt) ............................................................ 71
Figura 3-14 Grfico de converso de corrente - tenso para vrias configuraes do
sensor (eixo de ordenadas ampere, eixo de coordenadas volt) .................................. 73
Figura 4-1 Esquema MATLAB do conversor ...................................................................................... 75
Figura 4-2 Bloco de controlo ............................................................................................................. 76
Figura 4-3 Sub-bloco controlo do retificador ...................................................................................... 76

Figura 4-4 Sada na carga controlo independente Iq....................................................................... 77


Figura 4-5 Correntes de entrada e tenso Va controlo independente Iq .......................................... 78
Figura 4-6 Correntes direta e em quadratura controlo independente Iq ........................................... 78
Figura 4-7 Zonas de tenso e vetores controlo independente Iq ..................................................... 79
Figura 4-8 Sada na carga controlo independente Id....................................................................... 80
Figura 4-9 Correntes de entrada e tenso Va controlo independente Id .......................................... 80
Figura 4-10 Correntes direta e em quadratura controlo independente Iq ......................................... 80
Figura 4-11 Zonas de tenso e vetores controlo independente Iq ................................................... 81
Figura 4-12 Sada na carga controlo dq .......................................................................................... 81
Figura 4-13 Correntes de entrada e tenso Va controlo dq ............................................................. 82
Figura 4-14 Correntes direta e em quadratura controlo dq .............................................................. 82
Figura 4-15 Zonas de tenso e vetores controlo dq ........................................................................ 83
Figura 4-16 Sada na carga controlo dq plena carga....................................................................... 84
Figura 4-17 Correntes de entrada e tenso Va controlo dq plena carga .......................................... 84
Figura 4-18 Correntes direta e em quadratura controlo dq plena carga ........................................... 84
Figura 4-19 Zonas de tenso e vetores controlo dq plena carga ..................................................... 85
Figura 4-20 Esquema de posicionamento dos componentes do prottipo .......................................... 86
Figura 4-21Placas de controlo........................................................................................................... 86
Figura 4-22 Encaminhamento de sinais no conversor ........................................................................ 87
Figura 4-23 Comparao corrente e tenso de entrada carga a 20% e 10% controlo Iq .................... 89
Figura 4-24 Comparao corrente e tenso de sada carga a 20% e 10% controlo Iq ........................ 89
Figura 4-25 Comparao correntes trifsicas de entrada carga a 20% e 10% controlo Iq .................. 90
Figura 4-26 Comparao corrente e tenso de entrada Id=6000 e Id=3000 controlo Iq e
Id ............................................................................................................................... 91
Figura 4-27 Comparao corrente e tenso de sada Id=6000 e Id=3000 controlo Iq e Id .................. 92
Figura 4-28 Comparao correntes trifsicas de entrada Id=6000 e Id=3000 controlo Iq e
Id ............................................................................................................................... 92
Figura 4-29 Comparao corrente e tenso de entrada histId 1000 e 50 controlo Iq e Id ................... 93
Figura 4-30 Comparao corrente e tenso de entrada histIq 1000 e 10 controlo Iq e Id ................... 94
Figura 4-31 Comparao Matlab e Laboratrio controlo q ................................................................. 95
Figura 4-32 Comparao ondas de sada Matlab e Laboratrio controlo dq ....................................... 96
xi

Figura 4-33 Comparao ondas trifsicas de entrada Matlab e Laboratrio controlo dq ..................... 96
Figura 4-34 Comparao ondas corrente e tenso de entrada Matlab e Laboratrio
controlo dq................................................................................................................. 97
Figura 4-35 Comparao sada 20% e sada 10% de carga .............................................................. 98
Figura A-1 Adaptao sinais de tenso ............................................................................................... 2
Figura A-2 Circuito do microcontrolador .............................................................................................. 3
Figura A-3 Drivers ............................................................................................................................... 4
Figura A-4 Esquema de potncia ........................................................................................................ 5
Figura A-5 Circuito eltrico por fase, esquema de ligaes implementado e esquemas de
ligao possveis ......................................................................................................... 6
Figura B-1 Placa sinais de tenso ....................................................................................................... 2
Figura B-2 Placa sinais de tenso 2D .................................................................................................. 2
Figura B-3 Placa microcontrolador ...................................................................................................... 3
Figura B-4 Placa microcontrolador 2D ................................................................................................. 3
Figura B-5 Placa drivers ...................................................................................................................... 4
Figura B-6 Placa drivers 2D ................................................................................................................ 4
Figura C-1 Dissipadores...................................................................................................................... 2
Figura C-2 Montagem da ponte de IGBTs .......................................................................................... 2
Figura C-3 Placas de controlo ............................................................................................................. 2
Figura C-4 Prottipo em testes ............................................................................................................ 3

xii

Lista de Tabelas

Tabela 2-1 Tecnologias de baterias e caratersticas .......................................................................... 35


Tabela 3-1 Relao entre as correntes e tenses nos elementos do circuito ..................................... 37
Tabela 3-2 Interruptores espao de estados ...................................................................................... 44
Tabela 3-3 Zonas de tenso .............................................................................................................. 53
Tabela 3-4 Tabela de vetores............................................................................................................ 54
Tabela 3-5 Vetores de controlo independente de Iq........................................................................... 55
Tabela 3-6 Vetores de controlo independente de Id........................................................................... 55
Tabela 3-7 Vetores de deslizamento ................................................................................................. 56
Tabela 3-8 Extracto do datasheet dos IGBTs caractersticas de comutao................................... 60
Tabela 3-9 Extracto do datasheet dos IGBTs caractersticas trmicas ........................................... 60
Tabela 3-10 Extrato do datasheet dos dodos.................................................................................... 61
Tabela 4-1 Resistncias de carga e potncia de sada associada ..................................................... 88
Tabela 4-2 Valores de corrente de sada controlo dq ......................................................................... 92

xiii

Lista de Siglas e Acrnimos


BMS

Battery Monitoring System Sistema de Monitorizao de Baterias

CA

Corrente Alternada

CC

Corrente Contnua

DOD

Depth of discharge profundidade da descarga

HEV

Hybrid Eletric Vehicle Veculo eltrico hbrido; ver VEH

IGBT

Insulated Gate Bipolar Transistor Transstor bipolar de porta isolada

PWM

Pulse Width Modulation modulao por largura de impulso

ROV

Remote Operated Vehicule Veculo operado remotamente

SOC

State of charge estado da carga

SOH

State of health estado da bateria

SPWM
SVPWM

Sinusoidal Pulse Width Modulation modulao PWM sinusoidal


Sinusoidal Vetorial Pulse Width Modulation modulao vetorial sinusoidal

THD

Total Harmonic Distortion Taxa de Distoro harmnica

UPS

Uninterruptible Power Supply Fonte de alimentao ininterrupta

VA Rating
VEH

Volt Ampere Rating potncia aparente


Veculo eltrico hbrido ver HEV

xiv

Lista de Smbolos

Velocidade angular

ngulo de desfasamento entre a corrente e a tenso


Rendimento
Regime de comutao
ngulo de rotao
Razo cclica
Valor eficaz da corrente
Valor eficaz da tenso
Valor mximo da corrente
Valor mximo da tenso
Tempo

Potncia Ativa

Potncia aparente

Potncia reativa
Interruptor ramo x brao y
Tenso - componente direta
Corrente - componente em quadratura
Tenso - componente em quadratura
Corrente - componente direta
Tenso alfa no referencial alfa beta
Tenso beta no referencial alfa beta
Corrente alfa no referencial alfa beta
Corrente beta no referencial alfa beta

xv

Captulo 1
Introduo
Neste captulo ser dada uma introduo histrica da necessidade de baterias, uma abordagem s diversas aplicaes de baterias e aos carregadores de baterias.

1.1. Prembulo
O consumo de energia eltrica tem subido exponencialmente. Ao mesmo tempo, os utilizadores tornaram-se mais exigentes, querendo equipamentos de menor dimenso e maior eficcia.
A Engenharia Eletrotcnica tentou solucionar estes fatores recorrendo utilizao de novas
solues baseadas em eletrnica de potncia. A proliferao de veculos eltricos exigir num
futuro prximo a adoo de solues deste tipo, para que os abastecimentos em massa no
tenham efeito na qualidade da energia fornecida aos restantes consumidores.

O trabalho experimental elaborado tem como objetivo colmatar essas possveis interferncias,
aproximando a forma de onda da corrente de entrada da tenso (sinusoidal) de um retificador
trifsico, tendo em vista a carga de baterias de grande capacidade. As baterias tm aplicaes
muito diversificadas, tendo ocupado um importante lugar na acumulao de energia. A sua
aplicao ir ser exposta nos subcaptulos seguintes, em primeiro lugar, por setores de atividade e em seguida pelo tipo de baterias. O retificador foi dimensionado para uma potncia de
sada de 5kW, com uma tenso mxima de 100 V e uma corrente mxima de 50 A.

O controlo do retificador realizado atravs de um microcontrolador Microchip DSPIC


30F4011, que mediante a amostra das tenses e correntes trifsicas de entrada e posterior
clculo das componentes diretas e em quadratura das correntes de entrada possvel manter
o fator de potncia do retificador prximo do fator de potncia unitrio.

O dimensionamento dos componentes do sistema estar presente nesta tese, assim como os
desenvolvimentos tericos. O prottipo foi construdo integralmente nos laboratrios da ESTSetbal/IPS e foi sofrendo adaptaes para melhorar o seu desempenho ao longo dos trabalhos
experimentais.

1.2. Baterias
1.2.1. Aplicaes de baterias

1.2.1.1 VECULOS ELTRICOS

Em 1900, nos Estados Unidos da Amrica, existiam 1575 automveis eltricos, 1684 automveis a vapor e apenas 936 utilizavam motores de combusto alimentados por combustveis
derivados do petrleo. Nos dias de hoje podem parecer estranhos estes dados mas so verdadeiros. Infelizmente, durante o sculo XX os veculos eltricos (VEs) no acompanharam a
grande evoluo dos veculos com motor de combusto, principalmente devido dificuldade no
armazenamento da energia eltrica a bordo dos veculos.

Atualmente, o elevado custo do petrleo, juntamente com os graves problemas ambientais


causados pela combusto de combustveis fsseis, obrigam procura de combustveis ecolgicos, colocando os automveis eltricos novamente na ordem do dia.

As baterias no setor automvel ficaram praticamente relegadas para segundo plano, sendo
utilizadas como fonte de energia para a iluminao do veculo e do motor de arranque, constituindo assim um fator importante para substituir a mo-de-obra humana no arranque de motores mecnicos (ver fig. 1-1).

Com a evoluo do setor, as baterias foram utilizadas tambm para alimentar os diversos
meios de auxlio manobra dos veculos, sendo carregadas por energia gerada atravs do
movimento mecnico do motor por meio de dnamos ou alternadores.

Figura 1-1 Sistema de carga(1)

Hoje em dia a importncia da bateria de tal forma primordial, que chega a ser a fonte principal
de energia para a locomoo do veculo, sendo neste momento uma alternativa aos motores
de exploso e combusto, estes de total dependncia de combustveis fsseis.

A energia eltrica em veculos vista como uma opo limpa, o que verdade desde que esta
seja de origem renovvel. No entanto a sua parcela ambiental fica dependente dos combustveis que so gastos na produo dessa energia. No caso portugus o mix da produo de
energia eltrica favorvel utilizao de veculos eltricos, dado a parcela de utilizao de
energias renovveis na produo de eletricidade j ser bastante significativa.

Dos veculos eltricos destacam-se dois tipos de veculos: os totalmente eltricos: sem motor
de combusto e os hbridos (HEV hybrid eletric vehicle ou em portugus VEH veculo eltrico hibrido). Existem duas configuraes bsicas de veculos eltricos: a srie e a paralela (ver
fig. 1-2).

Figura 1-2 Configurao de veculos eltricos hbridos (2)


Pode-se constatar que a diferena entre as duas configuraes do VEH o acionamento da
trao, que na srie feita apenas pelo motor eltrico e na paralela existe uma contribuio
conjunta entre trao mecnica e eltrica. Nas duas o motor de combusto aciona um gerador
para fornecimento de energia bateria e ao motor eltrico.

No caso dos veculos totalmente eltricos a importncia das baterias e dos seus sistemas de
carregamento eleva so o seu sistema fornecedor de energia principal.

No entanto de forma a tornar os sistemas mais autnomos todos os veculos eltricos, quer os
hbridos como os totalmente eltricos possuem hiptese de carregamento externo das baterias,
a partir da rede pblica.

1.2.1.2 SETOR FERROVIRIO

O setor ferrovirio tem uma aplicao eltrica muito mais antiga do que o setor automvel visto
que desde cedo se constatou a vantagem econmica da alimentao das linhas com catenrias eltricas. A facilidade desta implementao prende-se com a rigidez de locomoo das
composies, movem-se sempre em percursos limitados pelas ferrovias. Muitas das solues
aplicadas nos veculos automveis tm como base solues adotadas para o setor ferrovirio.

A utilizao de baterias neste setor tem a ver com a travagem regenerativa das composies.
Quando o sistema de alimentao no permite a travagem regenerativa, isto , o conversor
eletrnico de potncia no permite o envio da energia para a rede eltrica quando um comboio
efetua uma travagem, podem ser implementados sistemas de armazenamento da energia de
travagem, energia esta, que novamente aproveitada no arranque da composio. Com esta
soluo, para alm da poupana de energia, tambm se verifica uma poupana na manuteno dos sistemas mecnicos de travagem do comboio.

Neste momento esto a ser implementados grupos de baterias para aproveitar a energia de
travagem das composies (ver pormenor fig. 1-3). Desta forma consegue-se diminuir os picos
de consumo e consequentemente a fatura a pagar pelas companhias ferrovirias.

Figura 1-3 Banco de baterias da estao da Pensilvnia (EUA) (3)

Outra utilizao da travagem regenerativa a acumulao de energia por meio de acumuladores (baterias ou supercondensadores), instalados no prprio veculo, permitindo que as composies eltricas circulem em segmentos onde no economicamente vivel instalao de
catenrias (tneis, centros histricos de cidades e outros). Os comboios de alta velocidade
possuem baterias de alimentao dos circuitos auxiliares nas composies, normalmente com
um barramento CC interior com inversores para alimentao destas unidades.
As composies da Siemens, na serie Velaro, na figura 1-4, so um exemplo disso. de
salientar que trs carruagens so dedicadas totalmente transformao eltrica.

Figura 1-4 Comboio de alta velocidade Siemens Velaro (4)


O sistema de trao tem tido amplas modificaes ao longo do tempo, passando dos motores
CC para motores trifsicos acionados por inversores. O sistema de travagem tambm tem tido
algumas alteraes passando de travagem por insero de resistncias para travagem regenerativa, com injeo de energia na rede. A figura 1-5 representa o esquema eltrico de uma
composio Siemens Velaro. Pode-se observar o barramento CC a alimentar inversores para
os circuitos auxiliares e o sistema de trao alimentado a CA.

Figura 1-5 Comboio de alta velocidade Siemens Velaro esquema eltrico (4)

1.2.1.3 OUTROS SETORES

A aplicao de baterias noutros setores de atividade imensa. Apresentam-se em seguida


algumas aplicaes das baterias com capacidade considervel:

UPS (uninterruptible power supply);


Armazenamento de energia de painis solares;
Aplicaes militares;
Baterias para sistemas de comunicaes;
Baterias de alimentao de meios propulsores (submarinos e navios oceanogrficos);
Armas (ex. torpedos);
ROVs (remote operated vehicule);
Aplicaes ao nvel do desporto;
Motores fora de borda (embarcaes de recreio);
Motores de atracao de embarcaes de mdio porte;
Carrinhos de golf;
Indstria;
Empilhadores;
Motores auxiliares de atracao de ferryboats e transatlnticos;
Sistemas de compensao de potncia reativa;
Domstico;
Sistemas de emergncia em elevadores (sistema Nobreak da ThyssenKrupp Elevadores);
Sistemas de segurana, vigilncia e alarme de condomnios.

Constata-se que a aplicao de baterias acaba por ser to vasta que vai dos meios de emergncia at a aplicaes especficas onde necessria energia sem acesso a ar (impossibilidade de recorrer a motores mecnicos de exploso ou combusto) ou necessria propulso lenta, silenciosa e precisa.

1.2.2. Tipos de baterias

Existem trs grandes grupos de baterias de grande capacidade, quanto sua utilizao(5):

Baterias de arranque aplicam-se onde necessria uma grande capacidade de descarga momentnea (tal como no arranque de motores de combusto interna);

Baterias estacionrias aplicam-se onde exigida uma tenso estvel ao longo da


descarga (como por exemplo alimentaes ininterruptas);

Baterias de trao aplicam-se onde exigida uma grande capacidade de descarga,


aliada a tenses no normalizadas (nomeadamente sistemas automotivos).

1.3. Carregadores de Baterias

1.3.1. Tipos de Carregadores

Os carregadores de baterias so genericamente retificadores, isto , so alimentados a partir


de uma tenso alternada e fornecem sua carga uma tenso ou corrente contnua, mediante a
finalidade a que se destina. Neste trabalho vo ser enunciados primariamente retificadores
alimentados por tenses trifsicas equilibradas.

Uma possvel classificao pode ser efetuada em termos de sistemas passivos (constitudos
primariamente por dispositivos de potncia de comutao natural), sistemas com correo ativa
do fator de potncia e sistemas hbridos. A fig. 1-6 resume as diversas vertentes das topologias
de retificadores.

Diodos
Passivos
Multipulsos

Controlados por
corrente (Tipo
Boost)

CCM (conduo
continua)

DCM (conduo
descontinua)

Trifsicos directos

Retificadores
trifsicos

Sistemas activos de
correo do fator
de potncia

CVM (existe sempre


tenso)
Sistemas de fase
modular

Controlados por
tenso (Tipo Buck)

Baseados em
reatncia eletrnica
Tipo boost
Hibridos

Combinao entre
retificador a diodos
e conversor DC/DC
Tipo Buck
Ativos com injeo
de 3 harmonica

Figura 1-6 Tipos de retificadores trifsicos

DVM (Existem
momentos sem
tenso)

A quantidade de modelos de carregadores e os estudos associados aumentou bastante com o


aparecimento dos veculos eltricos. Numa primeira fase a evoluo deveu-se necessidade
de aumentar o rendimento do retificador, e mais tarde foi tomado em linha de conta o impacto
causado por dispositivos deste tipo na rede de distribuio eltrica.

1.3.2. Medidas de desempenho de carregadores

As medidas de desempenho de carregadores prendem-se com a sua capacidade de fornecer


energia de uma forma ininterrupta sem perturbar a rede de alimentao e com o melhor rendimento possvel.

A taxa de distoro harmnica (THD) um dos mais importantes fatores de desempenho dos
conversores de potncia (27). Esta medida tem a ver com a forma de onda em comparao
com uma onda sinusoidal pura (ver equao 2.1). Note-se que neste trabalho assumido que
a tenso de alimentao trifsica completamente sinusoidal, e todos os elementos relacionados com THD, e outros, tem apenas a ver com as harmnicas da corrente de alimentao.

(2.1)

A taxa de distoro harmnica da corrente pode ser obtida atravs da equao 2.2.

(2.2)

De um modo simplificado, quanto mais prximo for a THD do valor unitrio maior a similaridade
com uma onda completamente sinusoidal.

O fator de potncia outro elemento deveras importante, uma vez que relaciona a potncia
ativa (1 harmnica) e a potncia aparente (todas as harmnicas) e deve ser o mais prximo
possvel do valor unitrio (ver equao 2.3).

(2.3)

O fator de potncia, na entrada de um retificador, a medida mais completa pois para alm de
entrar em conta com a forma da onda, analisa tambm o seu desfasamento em relao primeira harmnica.

Simplificando a equao 2.3, possvel obter o FP em funo apenas da corrente (eq. 2.4):

(2.4)
Tendo em conta a equao 2.5:

(2.5)

possvel obter o valor de FP em funo da THD (ver equao 2.6).

(2.6)

Outro fator no menos importante o rendimento do sistema, ou eficincia, relaciona a potncia entregue carga, com a consumida pelo sistema na sua totalidade, deve ser o mais alto
possvel (ver equao 2.7).

(2.7)

Captulo 2
Baterias e Carregadores
Neste captulo ser elaborado uma introduo composio de um carregador genrico, uma
abordagem aos carregadores mais comuns e aos tipos de carga de baterias. Seguidamente
ser feita uma apresentao das tecnologias mais modernas em retificadores.

2.1. Sistema de carregamento genrico

Um sistema de carregamento genrico composto dos seguintes componentes (fig. 2-1):


[1]
[2]
[3]
[4]

Fonte de corrente alternada


Retificao
Dispositivos de comando e controlo
Bateria

Fonte CA [1]

Rectificador [2]

Bateria [4]

Comando e controlo [3]


Figura 2-1 Esquema de carregamento de uma bateria

De uma forma bsica a fonte CA fornece a energia necessria ao sistema, podendo ser a rede
eltrica de distribuio, ou mesmo outro tipo de gerador de combustvel fssil ou de natureza
renovvel. O andar retificador constitudo por semicondutores que transformam a corrente CA
em corrente CC.

10

O andar da bateria a carga do sistema, absorve e acumula a energia emanada da fonte CA.
O andar de comando e controlo recebe sinais e atua nos semicondutores do andar retificador
para que a sada do andar retificador se comporte da forma desejada.

2.2. Topologias de carregadores

Tendo como referncia a figura 1.6, do subcaptulo 1.3.1, tipo de retificadores ir fazer-se um
resumo das diversas topologias referindo as diversas vertentes de cada ramo do esquema
apresentado na figura.

Das tecnologias hbridas iremos apenas referir os diversos tipos, tendo em conta que acabam
por ser uma juno de tecnologia passiva com interruptores semicondutores para melhorar a
sua prestao.

2.2.1. Retificadores a dodos

Os retificadores a dodos so os mais simples existentes e baseiam-se em semicondutores no


controlados. A variao da tenso na sada depende em exclusividade da amplitude da tenso
de entrada. Devido a este fato esto na sua maioria, associados a transformadores redutores
ou elevadores, de forma a darem na sua sada a tenso desejada. So de baixo custo e bastante difundidos em aplicaes simples.

Existem trs vertentes usuais:

Retificador a dodos com indutncia do lado CC


Retificador a dodos com indutncia do lado CA
Retificador a dodos com injeo da 3 harmnica

O modelo do retificador a dodos com indutncia do lado CC pode ser observado na figura 2.2:

11

Figura 2-2 Retificador a dodos com indutncia do lado CC(6)

A indutncia no lado CC amortece a corrente de entrada, tornando-a mais constante no semiciclo correspondente ficando uma onda aproximadamente quadrada(6).

O modelo do retificador a dodos com indutncia do lado CA visvel na figura 2.3:

Figura 2-3 Retificador a dodos com indutncia do lado CA(6)

Introduz um desfasamento superior ao conversor anterior entre a corrente e a tenso de


entrada, mas a forma de onda mais sinusoidal do que a da topologia anterior.

Os retificadores com injeo da terceira harmnica (ver fig. 2.4) utilizam uma amostragem das
oscilaes na sada e injetam-nas na entrada.

12

Figura 2-4 Retificador com injeo da Terceira harmnica(7)

A grande vantagem deste sistema a capacidade de injetar uma amostra das oscilaes da
sada do andar retificador trifsico na entrada. inserida uma oscilao de frequncia tripla da
fundamental (terceira harmnica), que ajuda a compensar a THD causada pelo retificador. O
uso de um transformador encarece em muito o sistema; tem de ser de grande qualidade e
equilibrado para exercer o efeito desejado.

2.2.2. Retificadores multipulso

Existem igualmente trs topologias principais:

Por transformador isolado ou auto transformador


CA ou CC transformador inter-fase
Multiplicao passiva de pulsos

Este estilo de retificador (ver fig. 2.5) conjuga dois dos tipos acima indicados. O transformador
de construo complexa (tringulo com dois secundrios um estrela e outro tringulo), tem
dois andares trifsicos de retificao de dodos. A bobina interfsica conjuga as duas retificaes pulsantes, tornando-as numa onda constante na sada.

Esta configurao tem a designao de retificador dodecafsico. utilizado em subestaes


de trao com sada em CC (metropolitano)

13

Figura 2-5 Retificador com transformador isolado e bobina interfsica no lado CC (8)

Como j foi referido tem construo onerosa e complexa, embora tenha algumas vantagens:
reduz a THD em relao aos sistemas anteriormente vistos e faz isolamento galvnico entre a
parte CC e CA, criando assim um sistema mais robusto.

Ainda mais complexo do que o anterior o retificador passivo apresentado de seguida utiliza um
autotransformador (ver fig. 2.6).

Figura 2-6 Retificador passivo de 24 pulsos (9)

As tenses so aplicadas diretamente a um dos retificadores, e o outro retificador recebe a


amostragem vinda do autotransformador. Tem como vantagem ser menos oneroso que o anterior, mas continua a ser de construo complicada.

14

2.2.3. Retificadores hbridos

Os retificadores hbridos acabam por ser uma evoluo dos passivos, trocando os dodos por
elementos ativos, conseguindo assim ter a regulao de tenso na sada.

O retificador apresentado na fig. 2.7 associa a topologia de transformador isolado, com dois
andares de retificao a tirstores, permitindo assim a regulao da sada por intermdio do
ngulo de conduo dos semicondutores.

Figura 2-7 Retificador de 12 pulsos hbrido(10)

O sistema de controlo deste tipo de dispositivos acaba por ser limitado pois a conduo feita
por ngulo, no podendo ser totalmente livre. Melhora o desempenho dos passivos, mas continua a ser muito oneroso e de construo difcil.

15

2.2.4. Retificadores ativos de correo de fator de potncia

Os retificadores ativos distinguem-se dos restantes por utilizarem IGBTs, possibilitando a utilizao de esquemas de comutao. Esta particularidade permite que para alm da topologia
aplicada, se consiga condicionar o comportamento do retificador.

2.2.4.1. Sistemas de fase modular


Os sistemas de fase modular consistem em dois andares de retificao, um a dodos e outro a
semicondutores controlados. So sistemas onde se faz uma primeira retificao de onda completa, conseguindo-se a sada por juno das tenses geradas por cada ramo. O controlo da
sada feito atravs dos semicondutores controlados.

Existem tambm 3 tipos:

Retificador em estrela
Retificador em tringulo
3/2 fase - baseado em transformador com montagem Scott

Na figura 2-8 apresentada pode-se constatar que feita uma retificao de onda completa de
cada uma das fases e depois a regulao feita atravs dos semicondutores controlados.

Figura 2-8 Retificador controlado em estrela(11)

16

No retificador ligado em tringulo, o princpio o mesmo mas a tenso resultante da associao sensivelmente o dobro da anterior (ver fig. 2.9).

Figura 2-9 Retificador PFC ligado em Tringulo (12)

No retificador baseado em transformador Scott, as tenses trifsicas do origem sada do


transformador duas tenses monofsicas. Estas so retificadas e a regulao feita atravs
dos semicondutores na sada (ver fig. 2.10)

Figura 2-10 Retificador trifsico baseado em transformador Scott(13)

A existncia de um grande nmero de semicondutores leva a que existam grandes perdas no


sistema, reduzindo assim o seu rendimento.

17

2.2.4.2. Sistemas trifsicos diretos

So sem dvida os mais eficientes, pois tm menor nmero de semicondutores, levando a


menos perdas de conduo e consequentemente melhor rendimento. So tambm dos mais
viveis economicamente, visto que o preo dos dispositivos auxiliares de disparo, nmero de
semicondutores e dos transformadores encarece as solues anteriores em relao s seguintes. Atingem menor complexidade e conseguem melhores resultados que os anteriores, mas
exigem um grau de programao no projeto bastante elevado. O controlo elaborado mediante
a ao dos semicondutores controlados. Existem dois tipos de configurao mediante o resultado que se quer na sada:

Boost (elevador de tenso)


Buck (redutor de tenso)

2.2.4.2.1. Tipo Boost


Nos retificadores tipo boost mais modernos existem dois tipos de topologia que so normalmente utilizadas: o retificador Vienna e o retificador de seis interruptores em tringulo (delta
retifier).
A configurao tipo boost permite a elevao da tenso de sada. A variao de tenso de
sada neste tipo de retificadores permitida apenas acima de

(6).

Figura 2-11 Retificador Vienna

As principais vantagens do retificador Vienna (ver fig. 2.11) so o controlo da tenso de sada,
a redundncia quando falta uma fase e os semicondutores de potncia ficam sujeitos a apenas
metade da tenso de sada aos seus terminais. A sua principal desvantagem a de haver
maior complexidade no controlo.

18

As vantagens do retificador de interruptores em tringulo (ver fig. 2.12) so as mesmas do


anterior, tendo menor complexidade no seu controlo. A sua desvantagem prende-se com a
necessidade de ter semicondutores mais robustos, visto que esto sujeitos totalidade da tenso de sada.

Figura 2-12 Retificador de interruptores em tringulo ( switch)

A comparao entre os dois tipos de retificador visvel na fig.2.13. Submetendo os dois tipos
de retificadores s mesmas condies, quer de carga quer de alimentao, comutando com o
mesmo tipo de modulao e mesma frequncia, consegue-se observar que o retificador
Vienna acaba por ter menos perdas de comutao que o seu concorrente e maiores perdas de
conduo.

Figura 2-13 Comparao de retificadores tipo boost(6)

Em termos de capacidade de debitar potncia aparente pelos semicondutores controlados o


retificador em tringulo tem vantagem (VA Rating).

19

2.2.4.2.2. Tipo Buck


No caso dos retificadores tipo Buck as topologias mais modernas so o retificador Suo e o
retificador buck de seis semicondutores.
A configurao tipo buck permite a reduo de tenso. A variao de tenso de sada neste
tipo de retificadores permitida para valores abaixo de

.(6)

Figura 2-14 Retificador Suo (Swiss)

As principais vantagens do retificador Suo (ver figura 2.14) prendem-se com se conseguir
controlar tenses de muito baixo valor e possibilita a limitao das correntes de curto-circuito
na sada, pois ao ser curto-circuitada a sada feita uma malha entre as bobinas de sada e os
dodos, no afetando assim os semicondutores de potncia. A desvantagem a de existir condensadores que introduzem energia reativa no retificador.(6)

Figura 2-15 Retificador buck de 6 interruptores


O retificador buck de 6 semicondutores possibilita o controlo da tenso de sada e tolera a falta
de fase. Exige uma menor complexidade no seu controlo e tem uma distribuio equitativa da
carga pelas fases. A necessidade de um filtro de interferncias eletromagnticas na entrada
uma desvantagem. Possui perdas de conduo altas relativamente aos outros retificadores.

20

Na comparao apresentada na figura 2.16, conclui-se que a configurao que possibilita fornecer mais potncia a de seis semicondutores, embora tenha mais perdas quer de conduo
como de comutao nos IGBTs.

Figura 2-16 Comparao de retificadores tipo buck(6)

2.2.4.2.3. Tipo Buck-Boost

A configurao tipo buck-boost (ver fig. 2.17) permite a reduo e o aumento da tenso de
sada, devido ao de um semicondutor na parte CC.

Figura 2-17 Retificador buck-boost (6)

21

Possui como principais vantagens a grande amplitude de operao (pode trabalhar como redutor e como amplificador de tenso). Consegue tolerar a falta de fase e tem um controlo de pouca complexidade. A distribuio equitativa da carga nas fases tambm uma vantagem a assinalar. As desvantagens so as mesmas do conversor de seis interruptores: a necessidade de
um filtro na entrada e as perdas de conduo altas.

22

2.3. Controlo e Comando de retificadores

Nos retificadores modernos o comando e controlo assume uma grande importncia. Como j
foi referido por este meio que se condiciona o comportamento do retificador possibilitando
assim que a sua sada se comporte da forma desejada. Nos retificadores de correo do fator
de potncia para alm de condicionar a sada tenta que as ondas da corrente que consumida
pelo sistema se aproximem em forma e fase das ondas de tenso correspondentes.

2.3.1. Controlo
Existem essencialmente dois tipos de controlo:

Controlo em cadeia aberta (ajuste ou regulao manual)


Controlo em cadeia fechada (ajuste ou regulao automtico)

referido como controlo em cadeia aberta a operao de um sistema sem realimentao (i.e.
feedback). Na figura 2.18 mostrado um diagrama de blocos simplificado, onde o controlo do
processo manual, sem realimentao.

Figura 2-18 Controlo em cadeia aberta

O sistema com controlo em cadeia fechada, ao ser perturbado, l o comportamento na sada e


compensa essa variao agindo na entrada para que o sistema continue a agir da forma desejada. Na figura 2.19 mostrado um diagrama de blocos simplificado, onde o controlo do processo automtico, atravs da realimentao (bloco medio).

Figura 2-19 Controlo em cadeia fechada


23

2.3.2. Comando de carregadores

O controlo de carregadores feito atravs de tcnicas de modulao. O resultado final da aplicao destas tcnicas num sistema eletrnico de potncia tem de ser combinado com a sua
topologia de modo a obter o resultado pretendido.

2.3.2.1. Onda completa

A regulao da sada pode ser feita atravs de tirstores no estgio da retificao, conduzindo
apenas num determinado setor angular da forma de onda.

De modo a ilustrar este exemplo, vai ser efetuada uma comparao entre um retificador de
onda completa composto por dodos (no comandado) e outro composto por tirstores (semicomandado).

O retificador de onda completa composto por dodos pode ser visto na figura 2.20.

Figura 2-20 Retificador trifsico a dodos

24

As formas de onda geradas so as da figura 2.21, correspondendo s tenses de entrada (em


cima) e as de sada (em baixo):

Figura 2-21 Retificador a dodos (em cima ondas de entrada em baixo sada CC

A tenso mdia sada do retificador dada pela seguinte frmula, desprezando a queda de
tenso nos dodos:

(2.1)

A corrente na sada dependente do valor da carga e regida mediante a lei de Ohm:

(2.2)

No caso do retificador de onda completa semi-comandado, ao ser aplicado um ngulo de disparo utilizando tiristores em vez dos dodos possvel regular a tenso mdia de sada.

Nas figuras 2.23, 2.24, 2.25, no primeiro grfico a vermelho temos a tenso de sada e a verde
temos a corrente no tirstor correspondente ao dodo D1, no segundo temos a vermelho a tenso na fase A e a verde a corrente na mesma fase. Como se pode observar na figura 2.22
apresentada com um ngulo de 0 de disparo, o retificador vai ter a sua tenso como um retificador a dodos normal.

25

Figura 2-22 ngulo de disparo 0

Com um ngulo de disparo de 30 a tenso mdia ir diminuir (ver fig. 2.23).

Figura 2-23 ngulo de disparo 30

Com 60 de ngulo de disparo, a tenso de sada atinge o valor nulo (ver fig. 2.24).

Figura 2-24 ngulo de disparo 60

26

Para ngulos superiores a 60 a sada ir tornar-se alternada como se pode observar na figura
2.25.

Figura 2-25 ngulo de disparo 75

A tenso mdia no barramento CC dada por:

(2.3)

Sendo a regulao possvel, sem inverso da tenso na sada de 0 a 60 de ngulos de disparo dos tirstores, para outros ngulos as frmulas indicadas passam a no ser vlidas.

2.3.2.2. Modulao PWM

A modulao PWM produzida pela comparao de uma referncia (modulante), com uma
onda triangular (portadora). Convm neste estgio definir certos conceitos como fator de ciclo,
razo cclica, ou duty cycle. Este parmetro define a percentagem de tempo em que durante
um perodo de alternncia, a sada se encontra em estado elevado.

Na figura 2.26 observa-se que ao ser a referncia, neste caso um nvel CC (a tracejado) menor
que a amplitude da onda triangular, a onda de sada (quadrada), vai a nvel baixo. Quando ele
maior, a onda quadrada assume o nvel alto.

27

Na figura 2-26 encontra-se representado um fator de ciclo de 80%.

Figura 2-26 Modulao PWM 80%

De seguida pode-se constatar na figura 2.27 cerca de 5% de fator de ciclo:

Figura 2-27 Modulao PWM 5%

28

2.4. Baterias de trao

As baterias de trao j so utilizadas h muito tempo (desde 1835), nas primeiras experincias de trao eltrica de veculos (14). Recorrendo a baterias primrias (no recarregveis)
foram feitas experincias de trao de veculos em Brandon, Vermont, EUA, tornando-se insustentveis comercialmente devido ao preo da sua construo e devido ao manuseio de qumicos na sua operao. Mais tarde em 1837 Robert Davidson, na Esccia, utilizando baterias de
cidas de zinco para propulso, construiu a Galvani, uma locomotiva de quatro cavalos e quatro rodas. Foi testada em Setembro de 1842 na linha Glasgow-Edimburgo, mais tarde foi destruda por apoiantes da tecnologia do carvo, tecnologia esta que se demonstrou mais vivel
economicamente.
No entanto no incio do ltimo sculo retornou a locomoo com uso a baterias no setor ferrovirio, devido aos shunters, composies de trao para linhas curtas, para auxlio trao de
outras em declives elevados, ou para fazerem a assemblagem de composies nas gares(15).
Entretanto as baterias de trao foram aplicadas em diversas aplicaes de uso especfico (ie.
submarinos, avies, torpedos).
A aplicao em veculos automveis em com produo em srie deu-se na dcada de 90, no
ltimo sculo com baterias cidas de chumbo (ie. Toyota Rav4 EV e General Motors EV1) .
As limitaes de utilizao de baterias de chumbo como baterias de trao prendem-se com o
seu peso, dado que acabam por ser as mais pesadas, a libertao de gases (hidrognio) e a
curva de descarga, que pouco constante No entanto tm vantagens, tais como a capacidade
de descarga instantnea e o fato de se tratar de uma tecnologia testada. Devido s suas desvantagens tem sido feito um esforo para as substituir por outros tipos de tecnologia.

Na fig. 2.28 apresenta-se um grfico comparativo da densidade de energia volumtrica em


funo da densidade de energia especfica dos diversos tipos de tecnologia.

Figura 2-28 Comparao de densidades de energia de tecnologias de baterias(16)


29

Da anlise do grfico retira-se que as baterias de chumbo-cido ficam aqum das restantes em
termos de energia especfica e volumtrica. Mas a sua solidez e resistncia ao calor diminui o
risco de exploso em descargas de alto valor em detrimento das tecnologias mais modernas.
As baterias feitas base de cdmio esto a ser abandonadas uma vez que tm o chamado
efeito de memria e fato de conterem metais pesados nocivos para o ambiente. J no so
utilizadas nos Estados Unidos e na Europa, encontram-se desde 2004 em fase de reduo de
consumo. Para veculos automveis a lei portuguesa limita a comercializao de baterias em
que a sua composio tenha mais que 20 ppm de cdmio. O mercrio tambm penalizado no
mesmo diploma, sendo o seu limite 5 ppm (17).
Existem vrios relatos de baterias que se auto-incendeiam, principalmente as de ltio(18). No
entanto o aparecimento de baterias de ltio-fosfato de ferro parece ser melhor neste campo,
sendo a tecnologia mais apreciada neste momento para substituio das baterias de chumbo,
suportando altas temperaturas e no se incendeiam, mesmo quando so perfuradas.(19)
A figura 2.29 possvel verificar a evoluo da densidade volumtrica de energia ao longo do
tempo. Encontra-se traada uma curva que comprovativa de que tem sido feito um esforo
para encontrar baterias que forneam mais energia por unidade de massa. Baterias mais leves
para o mesmo efeito ou para a mesma massa mais energia. tambm visvel que a tecnologia
mais aplicada neste momento de ies de ltio.

Figura 2-29 Evoluo de tecnologia de baterias (16)

A figura 2.30 compara as diversas tecnologias mais modernas, onde explicito a vantagem em
termos de segurana das baterias de ltio-fosfato de ferro em relao s restantes.

30

Figura 2-30 Comparao do desempenho das tecnologias mais modernas(20)

Mesmo com estas restries tem sido a mais escolhida para modelos em desenvolvimento de
veculos automveis eltricos. Da anlise da figura 2.30 poder indicar-se que o material ltiotitanato seria a melhor escolha. Trata-se de material dedicado a nodo de bateria, sendo o
ctodo o ltio-fosfato de ferro(21). Contudo os nodos das baterias do fabricante Thundersky
consistem em carbono, uma marca recorrente no mercado (fig. 2-31). Este tipo de baterias
apresenta uma tenso nominal de 3.2V por elemento podendo possuir capacidades de 700 Ah,
garantindo mais de 5000 ciclos de carga. A corrente de descarga pode atingir o valor de 3C,
onde C a capacidade da bateria, sendo que a corrente de pico ou pulsante pode atingir 20C.

Figura 2-31 Bateria WB-LYP700AHA da Winston battery

No entanto o mesmo fabricante possui baterias de maior poder de descarga feitas base de
sulfato em vez de fosfato. Mas a durao das mesmas (cerca de 1000 ciclos de descarga), no
se demonstra ser muito apelativa para utilizao no setor automvel.

31

2.4.1. Parmetros de medio de desempenho de baterias

O comportamento de uma bateria no linear e varia pelas seguintes razes:

Capacidade de armazenamento da bateria

Taxa de carga/descarga

Estado de carga (SOC)

Estado de descarga (DOD)

Temperatura

Idade da bateria

Reaes qumicas secundrias que se do internamente

No entanto considera-se como parmetros de desempenho os seguintes:


a) Capacidade de armazenamento da bateria medida em ampere/hora, normalmente
assinalada na bateria junto com a tenso de funcionamento. a aptido da bateria a
fornecer uma corrente reduzida sem quebra significativa de tenso durante um intervalo de tempo que pode ser de algumas horas (5h, 10h ou 20h). Mede-se em Ah (ampere
hora) e devem obedecer a normas de ensaio (5). Normalmente a capacidade nominal
obtida para uma corrente de 0,1C durante 10h. A partir desse valor estabelecido 1C e
so fornecidos pelo fabricante vrias curvas de descarga que traduzem o comportamento da bateria a diversos regimes;
b) Taxa de carga/descarga se a corrente de carga/descarga for dupla considera-se
2C,se for metade considera-se 0,5C. Estes regimes chamam-se taxa de carga/descarga, portanto diferentes do regime nominal. Para baterias de chumbo aplica-se
a lei de Peukert (equao 2.4), visto que a sua capacidade diminui quando submetida a
uma taxa de descarga maior que a nominal;
2.4
Na equao 2.4 h o tempo de descarga nominal em horas, C a capacidade da bateria nominal em ampere/hora, I a corrente de descarga atual em ampere, K a constante de Peukert (adimensional parmetro de fabrico da bateria) e t o tempo atual
de descarga da bateria em horas.
c) Estado de carga (SOC) varivel de 0 a 100%. Se a bateria se encontrar totalmente
carregada 100%. Existem vrios mtodos para medir o estado de carga da bateria,
sendo um parmetro em constante estudo e desenvolvimento:

32

Por medio qumica nas baterias de chumbo pode-se determinar recorrendo


a curvas de densidade do eletrlito;

Por tenso por medio da tenso de circuito aberto da bateria e recorrendo


a tabelas do fabricante (mtodo pouco fivel, se a bateria estiver submetida a
temperatura diferente da referida na curva, ou se estiver a regime de carga/descarga diferente do nominal). No entanto os fabricantes podero fornecer
fatores corretivos de corrente e temperatura para afetar as medies de tenso;

Por integrao de corrente mtodo fivel, mas tem de ser recalibrado de


tempo a tempo por forma ter acertos de referncia, portanto exige ser acompanhado por um mtodo adicional;

Por presso nas baterias de nquel cdmio pode-se determinar o estado da


bateria pela presso interior;

d) Estado de descarga (DOD) o inverso do estado de carga;


e) Estado de sade (SOH) mede a relao entre os parmetros de capacidade nominal
de uma bateria e os resultados de capacidade de uma carga plena e dado em percentagem. Se coincide, 100%. Normalmente encontra-se relacionada com a especificidade de aplicao de uma bateria. O utilizador pode estabelecer que a bateria no
cumpre a sua funo quando atinge um certo nvel de SOH, por exemplo 70%, e assim
substitui-la antes de causar efeitos adversos conduo do equipamento que opera.
Normalmente as UPS possuem SOH com limites altos.

2.4.2. Mtodos de carregamento de baterias

Existem trs mtodos principais para carregar baterias:


a) Tenso constante O carregador mantm a tenso constante durante a carga, a corrente inicialmente grande e diminui quando a bateria alcana valores de tenso em
circuito aberto aproximados da tenso gerada pelo carregador;
b) Corrente constante o carregador fornece corrente sempre do mesmo valor, o operador tem de estar atento aos valores de tenso, temperatura e de densidade (no caso
de baterias de chumbo) de forma a no se alcanar grande libertao de hidrognio e
temperatura interior elevada;
c) Potncia constante mtodo automtico que faz a recarga a uma determinada potncia. O dispositivo de carregamento tem de balancear a corrente e a tenso de forma a
aplicar a potncia determinada pelo operador, os cuidados acabam por ser iguais aos
do mtodo anterior.

33

O mtodo mais difundido o de carga por corrente, que o mtodo em que se consegue fazer
carga em menor tempo, utilizando vrios estgios a nveis de corrente decrescente.

2.4.3. Estgios de carga

Encara-se como estgios de carga a mudana entre diversos mtodos ou regimes de carga.
Est associada a esta ideia o conceito de ndices de fim de carga. Estes ndices estabelecemse quando se atinge algum parmetro que exige que seja mudado o mtodo ou o regime de
carga (seja ele tenso, corrente, potncia, temperatura, densidade, presso ou libertao de
hidrognio).

Na figura 2-32 encontra-se um exemplo de uma carga elaborada a uma bateria de Li-ion genrica, composta por dois estgios com mtodos diferenciados: um a corrente constante e outro a
tenso constante.

Figura 2-32 Carga de uma bateria Li-ion genrica


A carga feita no primeiro estgio at a bateria alcanar os 4,2V, parmetro este de mudana
de estgio para corrente constante. O parmetro de fim de carga do segundo estgio corresponde ao da bateria no conseguir acumular mais energia (corrente aproximadamente
nula).Nas baterias de tecnologia mais moderna comum o uso de BMS, que fazem ciclos de
carga e descarga e igualizao entre os diversos elementos de uma bateria.

Na tabela 2-1 tem-se um quadro de vrias caratersticas de tecnologias de baterias, salientando-se que na ltima linha est explicito que existem tecnologias em que exigvel a aplicao
de BMS.

34

Tabela 2-1 Tecnologias de baterias e caratersticas


Carateristica
Tenso nominal por clula
Energia especfica (Wh/kg)
Densidade de energia (Wh/L)
Ciclos de vida (de 80% da capacidade
original a 100% DOD)
Vida da bateria (anos)
Temperatura ambiente durante a carga
(C)
Temperatura ambiente durante a descarga (C)
Perda de capacidade por ms em Auto
descarga
Efeito memria
Metais txicos
Exigncia de BMS (Battery management system)

LiCoO2
(LCO)
3.7
175-200
400-640

LiFePO4
(LFP)
2.5-3.6
60-110
125-250

SLA

NiCd

NiMH

2.0
30-40
50-90

1.2
35-80
100-150

1.2
55-110
160-420

500+

1000+

200-300

300-1000

500-1000

>5

>5

2-8

5-7

5-10

0-45

0-45

-40-50

0-40

0-40

-20-60

-30-60

-40-60

-20-70

-20-65

2-10%

2-10%

4-8%

15-20%

15-30%

No

No

No

Sim

Nenhum

Nenhum

Chumbo

Cadmium

Sim,
menos que
NiCd
Nenhum

Sim

Sim

No

No

No

2.4.4. Tipos de carga


Existem tipos de carga denominada normal, estabelecidas pelo fabricante das baterias, no
entanto na sua manuteno as baterias tm de ser submetidas a cargas especiais durante a
sua vida. Encontram-se descritas duas dessas situaes para baterias de chumbo cido:

a) Carga de acondicionamento - uma carga em regime de corrente constante sem limitao


da tenso final de carga. Nesta carga desejada a gaseificao livre no estgio final da carga
para obter boa homogeneizao da densidade dentro dos elementos. Exige constante monitorizao do operador de forma a testar e acompanhar os valores de densidade, temperatura e
nvel de hidrognio (no caso das baterias serem de chumbo). uma carga feita ao fim de um
certo perodo de ciclos de carga/descarga com a bateria ao servio. Os perodos so definidos
pelo fabricante da bateria;
b) Carga de Equalizao - a utilizada para corrigir os valores de densidade e tenso, ajustando-os para os valores nominais especficos. considerada uma carga manual pois necessita
de acompanhamento do operador. A carga de equalizao consiste em um prolongamento do
ltimo estgio de carga. Esta carga dever ser usada antes e aps ensaio de capacidade de
descarga e na ativao de baterias que estejam com vida til comprometida, como ltima
opo antes da condenao para uso nas condies de especificao. tambm aplicada
como carga inicial ao se ativar a bateria (de trao) no local. Normalmente efetuada com a
bateria fora do seu circuito normal, em bancada e com ambiente controlado.

35

Captulo 3
Topologia do carregador
Neste captulo feita a apresentao da topologia proposta, o seu modelo matemtico, e o
controlo utilizado. So apresentadas simulaes do programa completo efetuadas com o software Mathworks MATLAB.

3.1. Topologia proposta

A topologia proposta constituda por um retificador controlado com seis interruptores (especificamente 12 semicondutores) alimentados por uma tenso trifsica. Na figura 3.1 apresentada a topologia utilizada e o filtro de entrada. A principal razo de escolha deste tipo de topologia prende-se com a sua robustez interna e com a proteo da carga que lhe ligada. Ao existir rutura de um dos semicondutores o dodo que est em srie com ele no deixa que exista
um curto-circuito franco, protegendo assim o carregador.
L1

S1
IRG4PH50KPBF

R2

S2
IRG4PH50KPBF

S3
IRG4PH50KPBF

L2
V1
3PH

400V 50Hz

R3

D1
60cpf12

C1

D2
60cpf12

D3
60cpf12

D7
60cpf12

C3

L3
R4

Carga

C4
C2

L4

S4
IRG4PH50KPBF

S5
IRG4PH50KPBF

D4
60cpf12

D5
60cpf12

S6
IRG4PH50KPBF

D6
60cpf12

Figura 3-1 Esquema de potncia proposto para o retificador trifsico com fator de potncia unitrio

Na figura 3.2 encontra-se um diagrama de blocos com todos os elementos do sistema.

36

Figura 3-2 Esquema do conversor em Matlab/Simulink

No bloco Rede encontram-se as tenses de alimentao, que passam pelo bloco do filtro de
entrada e so entregues ao bloco do retificador (este bloco contm a topologia de potncia
indicada na figura 3.1). Aps a converso da tenso de CA para CC a forma de onda resultante
atravessa o filtro de sada (bloco Filtro LC) obtendo uma corrente constante na carga. O conversor possui um controlo por modo de deslizamento, o qual composto por um bloco de
amostragem de tenso e corrente (e posterior converso abc-dqo) e um bloco de controlo do
retificador que conjuga essas amostragens e produz os sinais de comando para os interruptores do bloco retificador.

3.1. Modelao do conversor

A modelao do controlo do retificador foi elaborada passando os circuitos eltricos para as


respetivas equaes em espao de estados, utilizando as matrizes de transformao necessrias. Todos os componentes foram considerados ideais (ver tabela 3-1).

Tabela 3-1 Relao entre as correntes e tenses nos elementos do circuito


Smbolo

Domnio do tempo

37

Domnio da frequncia

3.1.1. Filtro de entrada

O filtro de entrada constitudo por uma malha LC, com uma resistncia em paralelo com a
indutncia.

No referencial abc, as correntes nas bobinas so dadas pelas equaes 3.1.

(3.1)

No referencial abc, as tenses nos condensadores so dadas pelas equaes 3.2.

(3.2)

Com base nas equaes 3.1 e 3.2 possvel obter as expresses das correntes de
linha (ver equaes 3.3).

(3.3)

Considerando que o sistema um sistema trifsico equilibrado (ver equaes 3.4):

(3.4)

38

A variao da tenso nos condensadores dada pelas equaes 3.5.

(3.5)

A variao da corrente nas bobinas dada pelas equaes 3.6.

(3.6)

Utilizando o modelo de espao de estados na referncia abc:

(3.7)

39

Ficamos com o modelo resultante em 3.8.

(3.8)

40

O modelo de espao de estados do filtro de entrada ser o seguinte:

(3.9)

41

3.1.2. Comutao dos braos do retificador

O modelo do retificador tem pressupostos que incidem na frequncia, durao das comutaes
dos interruptores e amplitude instantnea das tenses aplicadas ao andar retificador. Assim ao
estabelecer-se um regime de comutao a cada brao de interruptores, estes contribuem para
a tenso aplicada sada do retificador.
Esse regime de comutao representado pela letra grega , e o seu valor pode ser verificado
no conjunto de equaes 3.10, em funo do estado dos semicondutores.

(3.10)

O regime de comutao possui o seguinte pressuposto, no deixando que existam dois semicondutores do mesmo sinal (ramo positivo ou ramo negativo) ligados simultaneamente:

A tenso de sada do retificador vpulse dada pela equao 3.11, e depende das tenses aplicadas a cada brao e ao regime de comutao escolhido.

(3.11)
A tenso de sada pode ser dada por 3.12, em funo do estado dos semicondutores

(3.12)

A corrente est dependente tambm do regime de comutao, tal como pode ser vista nas
equaes 3.13 e 3.14.

42

(3.13)

(3.14)

3.1.3. Conversor de potncia

Ao aplicar a equao 3.10 ao modelo de espao de estados do filtro (equao 3.9), em


conjunto com os elementos do filtro LC de sada, tal como enunciado na alnea 3.1,
podemos obter o modelo de espao de estados total do sistema.

A corrente na bobina do filtro de sada dada pela equao 3.15.

(3.15)

Logo, a variao da tenso no condensador de sada dada por 3.16


(3.16)

Considerando uma carga totalmente resistiva aplicada sada, temos a equao 3.17.

(3.17)

A tenso no condensador dada por 3.18:


(3.18)

Logo, o modelo de espao de estados do filtro de sada visvel em 3.19.,

43

(3.19)

Quando no existe nenhum interruptor ligado o ltimo termo desaparece, ficando a


energia acumulada na bobina a passar pelo dodo de roda livre, at se extinguir.
Como se observou anteriormente vpulse depende da comutao dos semicondutores,
substituindo na expresso da variao de corrente na bobina, ficamos com 3.20.

(3.20)

Na tabela seguinte possvel observar a aplicao das tenses de sada do filtro de


entrada em funo da comutao dos semicondutores:

Tabela 3-2 Interruptores espao de estados


vab
vbc
vca

S1p
1
0
0

S1n
0
0
1

S2p
0
1
0

S2n
1
0
0

S3p
0
0
1

S3n
0
1
0

Logo, a matriz do filtro de sada assume a forma da figura 3.21.

(3.21)

Dado que a tenso do condensador igual tenso de sada, a corrente na carga


dada pela equao 3.22.

(3.22)

44

A matriz do conversor no domnio abc fica a seguinte:

(3.23)

45

3.2. Controlo por modo de deslizamento

Neste conversor, o controlo por modo de deslizamento acaba por ser aplicado atravs de um
sistema de modulao vetorial. Estabelecem-se vetores de corrente por setor, sendo este ltimo dependente da tenso de alimentao do circuito em cada instante. Em cada setor, existe
mais do que uma opo e o sistema ir analisar qual a melhor para cada situao mediante
os sinais de corrente adquiridos. Existe uma nova seleo no caso dos valores adquiridos no
estarem dentro de uma janela de valores tidos como aceitveis. Desta explicao fcil estabelecer a relao entre o controlo deslizamento e o seu modo de atuar. O sistema de controlo
desliza a janela de histerese ao longo do tempo e na forma de onda que se quer seguir. A esta
janela mvel no tempo centrada na forma de onda a seguir denomina-se normalmente por
superfcie de deslizamento. Este tipo de controlo j foi utilizado em diversos trabalhos (28).

3.2.1. Teoria de controlo

A matriz de Concrdia transforma o sistema trifsico equilibrado num sistema com apenas dois
fasores alfa e beta, em que o terceiro componente existe somente no caso de um desequilbrio
do sistema. Sendo o sistema equilibrado, a terceira componente ser nula (ver equao 3.24).

(3.24)

A transformada de Concrdia distingue-se da transformada de Clarke (equao 3.25) devido a


esta ltima no ser ortogonal, com diversas consequncias (22):

No conserva a potncia e perdas na transformao (potncia invariante);

Correntes, fluxos e tenses so transformados da mesma forma.

(3.25)

46

No entanto a transformada de Clarke (equao 3.26) permite que sejam igualadas as grandezas Xa a X quando se considera a componente homopolar nula, o que em certas situaes se
pode tornar uma vantagem(22) .

(3.26)

A necessidade de passar para este referencial prende-se com o fato de se ter de achar o ngulo , o ngulo de desfasamento do referencial dq0 em relao ao referencial 0. Sendo o dq a
projeo de pode-se achar a velocidade angular de rotao do sistema (ver fig. 3-3).

Figura 3-3 Referenciais abc-alfa_beta e alfa_beta dq0

A transformada de Park (equao 3.27) possibilita a transformao do referencial abc para dq0.

(3.27)

A transformao do referencial 0 para o referencial dq0 feita a partir de uma variante da


transformada de Park (equao 3.28).

(3.28)

47

A importncia dos clculos das componentes d e q neste sistema prende-se com a necessidade de controlar a potncia ativa e reativa do conversor, de modo a tentar impor um fator de
potncia aproximadamente unitrio.

Logo, a potncia ativa (P) de um sistema trifsico pode ser calculado a partir das componentes
direta e em quadratura da tenso e da corrente (equao 3.29).

(3.29)
Do mesmo modo a potncia reativa (Q) de um sistema trifsico pode ser calculado a partir das
componentes direta e em quadratura da tenso e da corrente (equao 3.30).

(3.30)

3.2.2. Aplicao da teoria ao programa

Partindo da transformada de Concrdia, ter de se calcular duas vertentes: uma referente


tenso, para dar origem ao ngulo de rotao, sincronismo do sistema e outra referente s
correntes de linha. Lembra-se, de novo, que o objetivo do sistema conseguir que as correntes
de linha trifsicas estejam em fase e com forma sinusoidal, com as tenses simples, na entrada
do sistema (fator de potncia unitrio). Este fato corresponde componente em quadratura das
correntes (Iq) de entrada ser igual a zero. Foram estudadas vrias solues, tendo os algoritmos apresentados como base os seguintes fatores:

Rapidez de clculo (o mais simples melhor)

Rapidez de processamento por meio do microcontrolador/DSP

Possibilidade de implementar em DSPIC

3.2.3. Algoritmo Tenso Alfa Beta


A utilizao das tenses compostas preferencial, uma vez que o microcontrolador mede
estas grandezas de uma forma direta atravs de um circuito eletrnico dedicado.

48

De modo a obter a tenso V, temos a equao 3.31.

(3.31)

Cortando Vbc, vem, podemos obter uma equao mais simples em 3.32

(3.32)

Para a tenso V temos a equao 3.33

(3.33)

Consegue-se assim, com apenas uma subtrao e duas multiplicaes por constantes fazer o
calculo das componentes e . Em suma, reduzindo a escala (anulando constantes nas duas
equaes, ficamos com as tenso no referencial 0 (equaes 3.34 e 3.35).

(3.34)

(3.35)

49

3.2.4. Algoritmo de Corrente Alfa Beta

Este clculo foi simplificado de modo a melhorar o seu desempenho no microcontrolador.

Colocando a corrente I em fase com a corrente Ia temos (equao 3.36):

(3.36)

Sendo a corrente I dada pela equao 3.37:

(3.37)

E mudando a sua amplitude em concordncia com a corrente I:

(3.38)

3.2.5. Algoritmo de Corrente DQ

Para o clculo de Id e Iq recorreu-se transformada de Park (equaes 3.39).

(3.39)

Sendo Iq=0 o valor de Id constante quando no existe variao de carga.

50

3.2.6. Clculo de P e Q

Sendo:

(3.40)
(3.41)
E sendo alcanado Iq=0,vem que:

(3.42)
O que permite que o conversor seja comandado a partir apenas da anlise dos sinais de entrada. Permitindo gerir a carga tanto em potncia, como em corrente como em tenso, na sada.
Basta para isso que se coloque cada uma das variveis fixa, atravs de software.

3.2.7. O fluxograma real do clculo dos algoritmos

Na realidade o programa foi dimensionado para efetuar apenas os clculos mnimos necessrios. A aplicao prtica dos algoritmos tem ligeiras modificaes com recurso a rotinas em
assembler de forma a agilizar o processo.

Na figura seguinte apresentado o diagrama de blocos do sistema:


2
DSPic30f4011:
- Calculo de zonas de tenso
- Calculo de correntes
- Calculo de id e iq

- Controlo modo deslizamento


-Gera sinais de comando

1
Captura de sinais:

3
Andar de
potncia:

- Correntes de linha
-Tenses
compostas

- Comuta IGBT's

Figura 3-4 Diagrama de blocos do processo bsico

51

Para o microcontrolador fazer os clculos elaborada a seguinte sequncia:

a) Aquisio de sinais:

Correntes simples
Tenses compostas

b) Clculos intermdios:

Tenses simples
Correntes alfa beta
Calculo ngulo de rotao ()
Correntes dq

c) Atuao dos semicondutores:

Determinao da zona de tenso

Determinao do estado das correntes dq

Atuao de semicondutores se estiver fora da superfcie de deslizamento mediante


lista de vetores disponveis para a zona de tenso atual

A partir das tenses compostas acham-se as tenses V (equaes 3.43 e 3.44):

(3.43)
(3.44)
Depois as correntes I (equaes 3.45 e 3.46):

(3.45)
(3.46)

Clculo do ngulo de rotao (equaes 3.47 e 3.48):

(3.47)
(3.48)

Clculo das correntes Idq (equaes 3.49 e 3.50):

(3.49)
(3.50)

52

3.2.7.1. Zonas de tenso

O crculo trigonomtrico foi dividido em 12 zonas de tenso, tendo o sistema assim referncia
espacial das tenses de entrada em cada momento (ver resumo na tabela 3-3).

Tabela 3-3 Zonas de tenso


Zona
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12

Tenses
Vc<=0
Vb<=0
Vb>=0
Va>=0
Va<=0
Vc<=0
Vc>=0
Vb>=0
Vb<=0
Va<=0
Va>=0
Vc>=0

Vb<=Vc
Vc<=Vb
Va>=Vb
Vb>=Va
Vc<=Va
Va<=Vc
Vb>=Vc
Vc>=Vb
Va<=Vb
Vb<=Va
Vc>=Va
Va>=Vc

Radianos

Graus

11/3 a 2
0 a /6
/6 a /3
/3 a /2
/2 a 2/3
2/6 a 5/6
5/6 a
a 7/6
7/6 a 4/3
4/3 a 3/2
3/2 a 5/3
5/3 a 11/3

330 a 360
0 a 30
30 a 60
30 a 90
90 a 120
120 a 150
150 a 180
180 a 210
210 a 240
240 a 270
270 a 300
300 a 330

A tabela anterior pode ser observada na figura 3-5 de uma forma grfica, de mais fcil compreenso:

90
120

60

Zona 5
150

Zona 4
30

Zona 3

Zona 6

Zona 2

Zona 7
180

Zona 8

Zona 1

Zona 9

Zona 12

210

330

Zona 11

Zona 10

240

300
270

Figura 3-5 Zonas de tenso

53

As zonas e as referentes tenses simples podem ser implementadas na mesma figura


em funo do tempo (figura 3-6).

Figura 3-6 Zonas de tenso com as tenses simples

Estabeleceram-se tambm a lista de vetores (tabela 3-4) a serem utilizados pelo sistema, utilizando apenas dois interruptores por cada vetor:

Tabela 3-4 Tabela de vetores


Vetor

Semicondutor
Sap

San

Sbp

Sbn

Scp

Scn

54

3.2.7.2. Controlo independente de Iq e Id

Para possibilitar o controlo de Iq fez-se uma lista de vetores (tabela 3-5) a serem aplicados
quando se quer reduzir o valor de Iq ou aument-lo em cada zona de tenso:

Tabela 3-5 Vetores de controlo independente de Iq


Zona
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12

Vetor
Sobe Iq
1
1
2
2
3
3
4
4
5
5
6
6

Desce Iq
6
6
1
1
2
2
3
3
4
4
5
5

O mesmo foi elaborado para Id (tabela 3-6) de forma a poder-se controlar em cada zona, a
descida de Id pode ser implementada apenas desligando o sistema, e a corrente acabar por
extinguir-se:

Tabela 3-6 Vetores de controlo independente de Id


Zona
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12

Vetor
Sobe Id
6
1
1
2
2
3
3
4
4
5
5
6

55

Desce Id
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0

3.2.7.3. Soluo implementada

A superfcie de deslizamento inclui referncias: o valor de Iq e o de Id. A referncia Iq est


sempre centrada no valor nulo para garantir o ngulo de desfasamento entre a corrente e a
tenso nulo. O valor de Id depende da corrente que se pretende na sada (ver equaes 3.51).

(3.51)

De modo a evitar excesso de comutaes, existe um valor de histerese para cada referncia,
de acordo com a tabela 3-7:
Tabela 3-7 Vetores de deslizamento
Zona
1

10

11

12

Superficie q

Superfcie d

Vetor

Erro_q>histerese_q
Erro_q<-histerese_q
Erro_q>histerese_q
Erro_q<-histerese_q
Erro_q>histerese_q
Erro_q<-histerese_q
Erro_q>histerese_q
Erro_q<-histerese_q
Erro_q>histerese_q
Erro_q<-histerese_q
Erro_q>histerese_q
Erro_q<-histerese_q
Erro_q>histerese_q
Erro_q<-histerese_q
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5
6
0
1
0
6
0
2
0
1
0
2
0
1
0
3
0
2
0
3
0
2
0
4
0
3
0
4
0
3
0
5
0
4
0
5
0
4
0
6
0
5
0
6
0
5
0
1

56

A soluo proposta apenas uma das muitas que se podero aplicar, na minha ptica a que
deu melhores resultados. de notar que nem sempre possvel obter os vectores necessrios, e que foi dada prioridade ao controlo de Iq em detrimento de Id.

3.3. Clculos de dimensionamento

Numa primeira fase fez-se o dimensionamento dos semicondutores, depois dos dissipadores e
por ltimo os componentes passivos dos diversos filtros. O dimensionamento feito com o
pressuposto que o carregador fornecer 5kW na sada com uma tenso contnua de 100V e
uma corrente continua mxima de 50A.

3.3.1. Corrente em cada um dos braos

Para dimensionar a corrente nos braos utiliza-se a Potncia til de sada mxima do conversor, com vista a calcular a razo cclica , que dever provocar a tenso mdia de 100V na
sada, comutando a tenso composta nos diferentes ramos.

A potncia correspondente a uma conduo contnua nos interruptores corrente mxima pretendida ser a correspondente calculada na equao 3.52.

(3.52)

A potncia til requerida para este sistema igual a (equao 3.53):

(3.53)

Assim a razo cclica do equipamento ser igual a (equao 3.54):

(3.54)

57

Potncia num sistema em tringulo (equao 3.55):

(3.55)

Portanto a corrente em cada um dos braos ser perto de 7,25 A, para o clculo dos dissipadores ir utilizar-se o valor eficaz de 10 A.

O dodo de roda livre vai assegurar a continuidade da corrente na bobina do filtro de sada
quando os interruptores estiverem ao corte, sendo o seu valor mdio (equao 3.56):

(3.56)

E o seu valor eficaz (equao 3.57):

(3.57)

Observando os valores do datasheet do dodo, a potncia dissipada no dodo, utilizando o circuito equivalente (uma fonte de tenso em srie com uma resistncia), ser (equao 3.58):

(3.58)

O valor de VTD foi calculado por extrapolao visto que assume 1,2 para uma corrente de 30 A
e 1,4 para uma corrente de 60 A a 25C. Para sabermos a corrente em cada ramo executaremos a seguinte operao, utilizando a tenso composta. A situao de maior consumo corresponder a uma conduo contnua nos semicondutores.

Considerando um retificador de dodos alimentado a uma tenso trifsica a sua tenso mdia
de sada dada pela seguinte frmula (equao 3.59):

(3.59)

58

No nosso caso Vomed ser de (equaes 3.60 e 3.61):

(3.60)

(3.61)

A potncia de sada mxima do andar retificador ser aproximadamente 5000W (desprezando


as perdas no filtro de sada) ser (equao 3.62):

(3.62)

A corrente sada do retificador ser em mdia (equao 3.63):

(3.63)
A corrente mdia pedida por cada um dos braos do retificador ser (equao 3.64):

(3.64)

3.3.2. Dimensionamento dos dissipadores

Consideraremos para dimensionamento dos dissipadores a corrente de 10 A por brao (cada


brao a conduzir 1/3 do tempo a corrente calculada na eq. 3.63), com frequncia mxima de
comutao de 5kHz. Para o dodo de sada ir considerar-se os 10kHz.

Assim, passaremos a calcular a potncia dissipada em cada um dos semicondutores, seguidamente num dos braos (conjunto de um IGBT e um dodo).

59

3.3.2.1. Potncia dissipada nos IGBT

Para o clculo dos dissipadores tem de se calcular a potncia que os IGBT dissipam na carga
mxima. Para isso tem de se recorrer a dados fornecidos pelos fabricantes dos dispositivos,
(tabelas 3-8 e 3-9) para que se entendam os seus limites. Os semicondutores acabam por ter
dois tipos de perdas: de conduo e de comutao. De conduo quando esto submetidos a
uma conduo continua, de comutao nos momentos de mudana de estado, ou iniciam conduo ou a terminam.

Tabela 3-8 Extracto do datasheet dos IGBTs caractersticas de comutao

Tabela 3-9 Extracto do datasheet dos IGBTs caractersticas trmicas

60

As perdas nos semicondutores (IGBTs) podem ser calculadas atravs da equao 3.65:

(3.65)

3.3.2.2. Potncia dissipada nos dodos srie

O clculo da potncia dissipada nos dodos diferente dos IGBTs. Tem perdas de conduo,
mas tem uma parcela suplementar dedicada recuperao do dodo (ver tabela 3-10).

Tabela 3-10 Extrato do datasheet dos dodos

61

As perdas nos semicondutores (dodos) podem ser calculadas atravs da equao 3.66:

(3.66)

Onde Vto a queda de tenso para correntes baixas e rt x Id ser o acrscimo de potncia
dissipada quando a corrente aumenta. As perdas de recuperao (quando passa a ser inversamente polarizado) podem ser calculadas mediante a equao 3.67 usando a carga despendida em vez da energia:

(3.67)

Logo em cada diodo da ponte temos: 3,015+7,263=10,278W dissipados.

3.3.2.3. Potncia dissipada no dodo roda livre

Da mesma forma pode-se calcular a potncia dissipada no dodo de roda livre, onde os seguintes dados sero mudados: Vrr=560 Vcc, pois ser a sada mxima do conversor e os 50 A de
corrente mxima, porque a corrente mxima quando o dodo polarizado diretamente (quando a ponte de IGBTs no fornece energia, descarregando assim a bobina sobre o dodo e a
carga). Iremos considerar esse perodo (1-0,18)=0,82 do tempo, para tempo morto na ponte de
interruptores, logo para conduo do dodo, colocado em paralelo com a sada da ponte de
interruptores.

As perdas no dodos de roda livre podem ser calculadas atravs da equao 3.68:

(3.68)

62

As perdas de recuperao podem ser calculadas mediante a equao 3.69 usando a carga
despendida em vez da energia, como anteriormente foi elaborado:

(3.69)

A potncia total dissipada no diodo de roda livre 16,81+15,12=31,93W.

3.3.2.4. Potncia absorvida

Portanto o conversor consumir em regime mximo estacionrio, desprezando as perdas nos


filtros de entrada e sada:

(3.70)

Sendo assim o rendimento terico do conversor ser perto de 98%.

(3.71)

3.3.2.5. Clculo das resistncias trmicas e dissipadores

3.3.2.5.1. IGBT e dodo srie

Iremos calcular primeiramente as perdas no conjunto IGBT e dodo srie, com dissipador
comum aos dois semicondutores, tal como especificado na figura 3-7 (23).

63

Figura 3-7 Esquema trmico de dodo e IGBT no mesmo dissipador


Sendo FWD o dodo srie, Tj a temperatura da juno do semicondutor, Rth(j-c) a resistncia
trmica entre a juno e a cpsula, Rth(c-f) a resistncia trmica entre a cpsula e o dissipador
e Rth(f-a) a resistncia trmica entre o dissipador e o ar. Analisando os datasheets dos fabricantes verificou-se que a temperatura mxima da juno (Tjmax), em cada um dos semicondutores era a mesma: 150C, temperatura acima da qual a juno entra em disrrupo. Estabeleceu-se um Tjmax de 125C para os nossos clculos e uma temperatura ambiente de 50C, pois
o equipamento ser utilizado em ambiente industrial, sem controlo de temperatura.

Assim temos para o dodo (equao 3.72):

(3.72)

De igual modo calculou-se para o IGBT (equao 3.73):

(3.73)

64

necessrio escolher um dissipador com resistncia trmica inferior a 1,303C/W para o conjunto, pois foi o IGBT que demonstrou necessitar de um dissipador com resistncia trmica
menor, quando em juno com o calor dissipado no dodo.

Para o brao de mais prximo da sada, o 000MD da Aavid Thermaloy (fig. 3-8) pareceu adequado, com comprimento numa seco de 10cm, demonstrando 1,17C/W, sendo maior em
extenso, mas menor em altura do que o escolhido para os restantes braos.

Figura 3-8 Dissipador 000MD da Aavid Thermaloy


Para os restantes dois braos escolheu-se o 60565 (fig. 3-9) do mesmo fabricante, possibilitando mais espao para a cablagem ser instalada entre os quatro dissipadores deste tipo, assim
como os condensadores do filtro de entrada, que devem ser instalados o mais prximo possvel
dos IGBT s. Escolheu-se uma seco de 8,5cm para cada dissipador, alcanando assim
1,23C/W.

Figura 3-9 Dissipador 60565 da Aavid Thermaloy

65

3.3.2.5.2. Dodo roda livre

Para o dodo de roda livre torna-se mais simples o calculo (equao 3.74):

(3.74)

Sendo menos complicada a escolha de dissipador 62325 da Aavid Thermaloy (fig. 3-10) com
resistncia trmica de 0,72 C/W para uma seco de 8,5cm.

Figura 3-10 Dissipador 62325 da Aavid Thermaloy


No caso de ser necessrio, os fabricantes de dissipadores disponibilizam tabelas de refrigerao adicional a ar, se no se quiser ultrapassar os 120C na cpsula, correspondentes aos
0,72C/W. Para este tipo de dissipador com esta dimenso o fabricante estabelece o seguinte:

Figura 3-11 Efeito da Ventilao forada nos dissipadores

66

3.3.3. Filtro de sada

Tendo em conta que a tenso mxima na sada de 100V, quando o circuito fica sem alimentao, essa a tenso a que a bobina fica sujeita. Quando o circuito se encontra em situao
normal, s circula corrente no dodo, quando todos os interruptores se encontram ao corte
(igual aos perodos de tempos mortos do circuito).

Na situao de carga mxima e faltar a alimentao a corrente ser de 50 A a circular no dodo, momentaneamente, a sua taxa de decrescimento ser a calculada na equao 3.75:

(3.75)

No entanto para dimensionar o filtro de sada cujo objetivo de alisar a corrente de sada, tem
de se olhar para a dinmica do circuito em carga. Assim, tem-se uma tenso pulsante aplicada
a um dos terminais da bobina enquanto do outro tem-se a tenso de sada do conversor.

A tenso pulsante, considerando o seu valor mximo ser de (equao 3.76):

(3.76)

Para dar a tenso mxima sua sada (100Vcc a tenso aos terminais do condensador) o
fator de ciclo do circuito calculado atravs da equao 3.77:

(3.77)

Em percentagem corresponde a uma conduo do circuito de potncia de 18% do tempo, para


a tenso de sada mxima. Quando existe conduo, considerando um ripple na corrente de
sada de 4A e uma frequncia de corte de 1kHz para a frequncia de comutao de 10kHz,
temos (eq. 3.78):

(3.78)

Para calcular o condensador olha-se para a frequncia de corte do filtro foi utilizada a eq. 3.79.

67

(3.79)

3.3.4. Filtro de entrada

O filtro de entrada tem por funo cortar as harmnicas geradas pela comutao dos IGBTs
para a rede. O dimensionamento do filtro trifsico de entrada no to trivial. Foi escolhida
uma topologia composta de uma bobina em paralelo com uma resistncia por fase e um condensador ligado entre fases. O estudo ir ser feito por fase, sendo o seu resultado no final, trs
circuitos de igual topologia ligados entre si num sistema trifsico.(24)

sada do filtro temos uma tenso equivalente a uma tenso simples, cujo seu valor mximo
dado pela equao 3.80:

(3.80)
A potncia mxima de sada foi estipulada em 5kW, sendo a resistncia equivalente aplicada a
cada ramo do filtro dada pela equao 3.81:

(3.81)

Para o fator de amortecimento () considera-se um valor entre 0,5 e 0,7, vai-se considerar 0,6.
Para a frequncia de comutao optou-se por considerar 5kHz, um pouco mais de 1/3 da
comutao estipulada para a sada devido ao controlo ser por tipo modo de deslizamento
podendo os ramos no comutarem de igual periodicidade.

O clculo da frequncia angular de corte do filtro (p), que deve ser muito inferior frequncia
angular de comutao calculado pela equao 3.82:

(3.82)

68

O fator Hp limita as perdas na resistncia e o ripple no condensador em valores aceitveis.


Este fator deve-se encontrar tabelado entre os seguintes valores (eq. 3.83:)

(3.83)

Ir considerar-se Hp=1,1 para este dimensionamento, no entanto o valor de 0,95/(2x ) poderia


ser suficiente.

O valor da impedncia resultante do filtro ser dado pela equao 3.84:

(3.84)

O valor da resistncia a colocar em paralelo com a bobina dada pela equao 3.84:

(3.85)

O valor do condensador resultante do seguinte clculo efetuado pela equao 3.86:

(3.86)

Para um sistema trifsico sem neutro, como o que se ir utilizar o valor ser o triplo (eq. 3.87).

(3.87)

O valor da bobina ser de (eq. 3.88):

(3.88)

69

3.3.5. Placas de circuito impresso do conversor

Neste subcaptulo vai fazer-se uma breve abordagem aos clculos de cada placa constituinte
do conversor, fazendo tambm um resumo da sua utilidade ou melhor contribuio para o conjunto do conversor.

3.3.5.1. Placa de adaptao dos sinais de tenso de entrada

Tem como base transformar as tenses de entrada em sinais de nveis aceitveis ao microcontrolador, tenses de 400Vca eficazes em sinais de aproximadamente 2Vpp centrados num
nvel de 2,5Vcc correspondentes tenso composta entre fases (ver equao 3.89). As leituras
so feitas com base num amplificador subtrator (esquema na figura 3-12) que recebe as duas
tenses compostas e amplifica-as na ordem seguinte:

(3.89)

Figura 3-12 Amplificador subtrator

Sendo R1=R3 e R2=R4, a equao 3.89 reduz-se equao 3.90:

(3.90)

Nesta configurao o ganho (eq. 3.91) que afeta a montagem ser na ordem de:

(3.91)

70

Para a tenso composta (referindo-nos ao seu mximo) temos o valor da equao 3.92:

(3.92)

sada do ampop obtm-se atravs da equao 3.93:

(3.93)

O resultado ser sinusoidal com 2Vpp (ver figura 3-13).

tenso
4,0
3,0
2,0

tenso

1,0
1
37
73
109
145
181
217
253
289
325

0,0

Figura 3-13 Evoluo da converso de um perodo de uma tenso trifsica (eixo das ordenadas
graus, eixo das coordenadas volt)

A figura 3-13 reflete a converso sada da placa de um perodo de uma tenso trifsica com
563V de pico. O microcontrolador no l tenses negativas, logo insere-se uma tenso CC
para que o sinal fique referenciado em 2,5Vcc, o suficiente para que ele leia sem problema de
atingir os seus limites de 0 a 5V.

3.3.5.2. Placa dos drivers

Esta placa tem a funo de garantir o isolamento galvnico entre os circuitos de comando e os
andares de potncia. Igualmente adapta os nveis dos sinais de tenso originados no microcontrolador a nveis possveis de atuar os IGBT. A separao de referenciais importante, devendo ser sempre garantida, porque no caso de ser o mesmo referencial coloca-se uma massa na
fonte do IGBT, junto de uma tenso vinda da rede, o que causaria a destruio do IGBT em
causa, por curto-circuito ou disrrupo da juno.Assim sendo, necessrio criar uma alimentao galvanicamente isolada, ou seja, que o seu referencial seja flutuante e a gate do IGBT
71

seja atuada num diferencial de aproximadamente 15Vcc em relao fonte podendo estar esta
a vrias centenas de volt. Tem-se assim necessidade de transformar a tenso de 15Vcc, oriunda da fonte principal, numa tenso de 12V, e transform-la de novo em 15Vcc, isolados galvanicamente da fonte principal. Este feito proporcionado pelos NME1215, um por cada IGBT,
nesta placa.Os sinais provenientes do microcontrolador so isolados pelos HCPL3120, acopladores ticos, com capacidade de fornecerem a corrente necessria, velocidade requerida
para as Gates dos IGBTs.

3.3.5.3. Placa das correntes de entrada

A placa tem por funo captar as trs correntes de entrada e convert-las em sinais de tenso
de grandeza adequada ao DSPIC (o microcontrolador apenas aceita sinais na ordem dos 0 a
5V). Utilizou-se um sensor de corrente por efeito de Hall (modelo LEM HXS 50-NP) por cada
fase, obtendo assim na sua sada um sinal referenciado a 2,5 V. Os sensores so alimentados
a 5V por um regulador de tenso positivo que recebe a tenso de 15V da fonte principal. Os
sensores foram configurados de modo a aceitar uma corrente nominal de 12,5 A por fase,
podendo aceitar no mximo 37,5 A (relembra-se que se esperam correntes na ordem dos 10A).

A amplitude do sinal de sada do sensor tomar a forma da equao 3.94:

(3.94)

Sendo Vref a tenso de referncia, Ip a corrente que circula na fase (no primrio do sensor) e
In a corrente nominal da montagem. De acordo com a eq. 3.95, para a corrente de primrio de
1 A tem-se um sinal de tenso com a amplitude de:

(3.95)

Portanto para um sinal de com uma amplitude de 1 A tem-se 25mV, 50mVpp com uma componente CC de 2,5V (ver figura 3-14).

72

1,5
Para 50A
1

Para 25A
Para 12,5A

1
12
23
34
45
56
67
78
89
100
111
122
133
144

0,5

Figura 3-14 Grfico de converso de corrente - tenso para vrias configuraes do sensor
(eixo de ordenadas ampere, eixo de coordenadas volt)

3.3.5.4. Fonte de alimentao

Tem por funo alimentar as placas de circuito impresso. Estabeleceu-se que as tenses
necessrias seriam apenas 15Vcc simtricos, sendo colocados reguladores de tenso adicionais em cada placa com necessidade de alimentao diferenciada, ou necessidade de estabilizao reforada.
As placas com alimentao diferenciada na prpria placa so:

Placa do microprocessador (+5Vcc)


Placa dos drivers (+12Vcc)

As placas com necessidade de estabilizao reforada (devido a possveis indues das comutaes dos IGBTs) so:

Todas as placas sensoras de corrente (+15Vcc)

3.3.5.5. Placa do microcontrolador

composta pelo microcontrolador, circuito de reset, circuito de oscilao externo a cristal, porta
srie (no utilizada neste trabalho) e portos de perifricos. A placa tem por funo adquirir,
interpretar e aplicar sinais de modo a controlar a comutao dos andares de potncia. Adicionalmente pode gerar interfaces de comunicao com o operador.

73

Os principais sinais so:

Sinais da placa de adaptao de sinais de entrada (Vs_ab, Vs_bc, Vs_ca)

Sinais da placa das correntes de entrada (Ia, Ib, Ic)

Sinais de programao para Pickit2

Sinais para HMI (Human Machine Interface)

74

Captulo 4
Resultados
Neste captulo ser feito um resumo dos resultados encontrados em simulao e experimentais. As medidas laboratoriais foram retiradas com o osciloscpio Yokogawa DLM2024 e com o
analisador de energia Fluke 43. As simulaes foram elaboradas com o programa Matlab e a
biblioteca SimPower. As medidas do analisador foram efetuadas apenas numa das fases.

4.1. Simulao de MATLAB

A simulao de MATLAB constituda por vrios blocos, sendo alguns de programao, de


forma a atingir os objetivos desejados por cada um. Poderemos dividir a simulao em vrias
partes conforme pode ser visualizado na figura 4-1:
a)
b)
c)
d)

Rede (alimentao do sistema, cor azul)


Filtros (de entrada e sada LC, cor cinzenta)
Retificador (cor laranja)
Bloco de controlo (transformadas e controlo do retificador, cor magenta)

Figura 4-1 Esquema MATLAB do conversor

Iremos apenas fazer a explicao dos blocos de controlo, visto que os restantes tm paralelismo com os componentes fsicos.

75

4.1.1. Bloco de controlo

O bloco de controlo (figura 4.2) recebe as diversas amostragens da rede de alimentao (correntes de entrada e tenses de entrada). Os sinais de corrente so mudados de referencial abc
para dq0 pela transformada inversa da transformada de Park no bloco Iabc. Para isso necessita da velocidade angular que fornecida pelo bloco teta1.

Figura 4-2 Bloco de controlo

O controlo do retificador faz a gesto destes sinais recebendo corrente Iq e Id, as amostragens
das tenses e a referncia para a corrente Id (figura 4-3).

Figura 4-3 Sub-bloco controlo do retificador

76

O sub-bloco zona de tenso elabora as zonas tendo em conta as tenses de entrada. O subbloco modo de deslizamento recebe as amostragens das correntes de entrada em referencial
dq0 as referncias e as histereses. Como sada tem-se dois sinais que podem assumir valor 1
ou menos 1, caso o o valor tenha que subir ou descer (se estiver dentro da superfcie continua
a colocar o vetor que aplicou na ltima amostragem).

A amarelo temos os diversos blocos de programao que fazem a aplicao dos vetores
mediante a zona de tenso atual. Fizeram-se trs blocos distintos:

Um para controlo independente de Iq (vetores prioridade q)


Um para controlo independente de Id (vetores prioridade d)
Um ltimo para conjugar os outros dois (vetores prioridade dq)

O sub-bloco convert, apenas converte os sinais de programao em sinais de atuao (virtualmente eltricos) para acionar os semicondutores

4.1.2. Simulao com prioridade a Iq (quadratura)

Colocou-se a rotina de prioridade componente em quadratura da corrente de entrada Iq. Foi


colocada uma resistncia de 100 de carga no retificador, aplicando a referncia de Iq a 0 e a
referncia de Id a um valor muito elevado, sendo retiradas as formas de onda da figura 4-4
(corrente em Ampere na parte superior e tenso na carga em Volt na inferior). No eixo das
ordenadas encontra-se o tempo em segundos em todos os grficos. Note-se que para melhor
visualizao foi removido o condensador de filtragem na sada.

Figura 4-4 Sada na carga controlo independente Iq


77

Na figura 4-5 consegue-se observar que o valor de desfasamento entre as correntes e tenses
de entrada mnimo, no entanto existem espaos em que o controlo tem dificuldade em estabilizar, nas mudanas de zona de tenso par para impar. Correntes trifsicas (Ia-azul, Ib-verde e
Ic- vermelho) na parte superior em Ampere e tenso Va em Volt (azul), na parte inferior.

Figura 4-5 Correntes de entrada e tenso Va controlo independente Iq

Da observao da figura 4-6 (corrente de entrada no referencial dq0) depreende-se que est a
fazer o controlo de Iq. Temos a corrente Iq prxima do valor de 0, e a corrente Id a encontrar
um ponto de estabilizao em torno de 6A (como o valor de referncia de Id foi colocado em
100A, no se encontra a ser controlado). A figura representa na parte superior id e na parte
inferior iq, encontrando-se as duas escalas em Ampere.

Figura 4-6 Correntes direta e em quadratura controlo independente Iq

78

Na figura 4-7 so explicitas as zonas de tenso e os correspondentes vetores que foram aplicados. Na parte superior as zonas de tenso, numeradas de 1 a 12 em deslocamento no tempo, aps serem detectadas e na parte inferior os vectores escolhidos para serem aplicados a
cada zona, numerados de zero a seis.

Figura 4-7 Zonas de tenso e vetores controlo independente Iq

4.1.3. Simulao com prioridade a Id (direta)

Colocou-se a rotina de prioridade componente direta da corrente de entrada Id. Mantendo os


mesmos valores foi colocado a referncia de Id em 3A e a referncia de Iq em 100A. Na figura
4-8 consegue-se observar a tenso e corrente na carga (corrente em Ampere na parte superior
e tenso na carga em Volt na inferior, no eixo das ordenadas o tempo em segundos). O valor
mdio da tenso da carga estabelecido pela razo cclica do controlo.

79

Figura 4-8 Sada na carga controlo independente Id


Na figura 4-9 constata-se que as formas de onda da corrente de entrada so limitadas em
amplitude, encontram-se desfasadas em relao s ondas de tenso (nomeadamente Va/Ia).
Correntes trifsicas (Ia-azul, Ib-verde e Ic- vermelho) na parte superior em Ampere e tenso Va
em Volt (azul), na parte inferior.

Figura 4-9 Correntes de entrada e tenso Va controlo independente Id

A figura 4-10 demonstra que a corrente Id encontra-se a ser totalmente controlada em torno do
valor da referncia de 3A. J a corrente Iq no se encontra a ser controlada. A figura representa na parte superior id e na parte inferior iq, encontrando-se as duas escalas em Ampere.

Figura 4-10 Correntes direta e em quadratura controlo independente Iq

Na figura 4-11 explicita a predominncia do vetor nulo, alternando com apenas um por cada
80

zona de tenso. Na parte superior as zonas de tenso, numeradas de 1 a 12 em deslocamento


no tempo, aps serem detectadas e na parte inferior os vectores escolhidos para serem aplicados a cada zona, numerados de zero a seis.

Figura 4-11 Zonas de tenso e vetores controlo independente Iq

4.1.4. Simulao com prioridade a Id e Iq

Colocou-se a rotina de prioridade dq. Colocou-se de novo a referncia de Iq a zero, e a referncia de Id com 3A. Na figura 4-12 consegue-se observar que o retificador tenta controlar as
duas variveis, mas que nem sempre possvel fazer o controlo simultneamente. (corrente
em Ampere na parte superior e tenso na carga em Volt na inferior).

Figura 4-12 Sada na carga controlo dq

81

Na figura 4-13 constata-se que a forma de onda de corrente Ia tenta seguir a forma de onda
Va. Correntes trifsicas (Ia-azul, Ib-verde e Ic- vermelho) na parte superior em Ampere e tenso Va em Volt (azul), na parte inferior.

Figura 4-13 Correntes de entrada e tenso Va controlo dq

A figura 4-14 demonstra que a as duas componentes da corrente encontram-se a ser controladas em torno dos valores de referncia. A figura representa na parte superior id e na parte inferior iq, encontrando-se as duas escalas em Ampere.

Figura 4-14 Correntes direta e em quadratura controlo dq

82

Na figura 4-15 explicito que j no existe um padro de comutao totalmente percetvel, a


aplicao do vetor depende da zona de tenso atual e da superfcie de deslizamento. Na parte
superior as zonas de tenso, numeradas de 1 a 12 em deslocamento no tempo, aps serem
detectadas e na parte inferior os vectores escolhidos para serem aplicados a cada zona, numerados de zero a seis.

Figura 4-15 Zonas de tenso e vetores controlo dq

4.1.5. Vetores prioridade dq em plena carga

Mudou-se a carga de 100 para 2 e colocou-se a referncia de Id a 13A (a referncia de Iq


continua igual a zero), providenciando a potncia de 5kW na sada. Na figura 4-16 observa-se
que o retificador est a fornecer uma corrente de carga de de 50A com uma tenso de 100 V
(corrente em Ampere na parte superior e tenso na carga em Volt na inferior, no eixo das ordenadas o tempo em segundos).

83

Figura 4-16 Sada na carga controlo dq plena carga


Na figura 4-17 constata-se que a forma de onda de corrente Ia segue a forma de onda Va, com
ligeira diferena quando da comutao de zona par para impar. Correntes trifsicas (Ia-azul, Ibverde e Ic- vermelho) na parte superior em Ampere e tenso Va em Volt (azul), na parte inferior.

Figura 4-17 Correntes de entrada e tenso Va controlo dq plena carga

A figura 4-18 mostra que o controlo das duas variveis efetuado. A figura representa na parte
superior id e na parte inferior iq, encontrando-se as duas escalas em Ampere.

Figura 4-18 Correntes direta e em quadratura controlo dq plena carga

Na figura 4-19 mostra que o nmero de comutaes maior e diverso em todas as zonas e a
aplicao do vetor depende da zona de tenso atual e da superfcie de deslizamento. Na parte
84

superior as zonas de tenso, numeradas de 1 a 12 em deslocamento no tempo, aps serem


detectadas e na parte inferior os vectores escolhidos para serem aplicados a cada zona, numerados de zero a seis.

Figura 4-19 Zonas de tenso e vetores controlo dq plena carga

85

4.2. Ensaios Laboratoriais

Foi elaborado um prottipo recorrendo aos clculos efetuados no captulo 3. Os esquemas


eletrnicos encontram-se no anexo A. O prottipo foi testado a diversos regimes com e sem
condensador no filtro de sada, de forma a que verificar o seu desempenho.

Diodo
de saida
Cs

Lin A Lin B Lin C

Fonte de
+5V +/12V

Fan

Fan

Sap

Diodo
de saida

D IGBT

Fan
San
D IGBT

Bobina de
saida

Lem A Lem B Lem C


C
1

C
1

C
1

Figura 4-20 Esquema de posicionamento dos componentes do prottipo

A figura 4-20 estabelece o posicionamento inicial dos diversos componentes do prottipo onde
dois andares foram construdos de forma a alojarem as placas de controlo e os semicondutores
de potncia. As placas de controlo foram desenhadas no programa National Instruments Multisim e posteriormente feitas as placas de circuito impresso em Utiboard. Foram feitas trs placas que se podem observar na figura 4-21. Da esquerda para a direita: placa de adaptao de
sinais de tenso, placa do microcontrolador e placa dos drivers.

Figura 4-21Placas de controlo

86

A placa do microcontrolador foi construda de forma a ser utilizada em outros projetos, disponibilizando para o exterior praticamente todos os sinais dos pinos do microcontrolador.

O encaminhamento de sinais no conversor encontra-se explicita na figura 4-22. Pode-se observar a tenso trifsica de entrada a castanho a ir ao disjuntor de entrada, seguindo depois em
trs linhas independentes que do uma amostragem placa de adaptao de sinais e posteriormente so entregues ao filtro de entrada. Essas linhas so entregues, aps passarem no
filtro aos conjuntos dodos/IGBTs.

Fan

Fan

Fan

Diodo de saida
Sap

Fonte de +5V +/-12V

Diodo de saida

San

Cs
D IGBT

Lin A

Lin B

D IGBT

Lin C
Bobina de saida

Lem A

Lem B

Lem C

C1

Vca
Vbc
Vab
GND

V entrada
I entrada
I&V sada

Pwm1L

Pwm1L
C1

Pwm1H
Pwm1L

C1

Pwm2L
Pwm2H
Pwm3L
Pwm3H

Figura 4-22 Encaminhamento de sinais no conversor

As setas a cinzento representam os sinais de baixo nvel que so absorvidos na placa do


microcontrolador, sendo gerados por esta, sinais de comando para os IGBTs. Antes de serem
entregues sofrem uma adaptao de nvel e isolamento galvnico por meio da placa dos drivers.

As linhas grossas a vermelho e azul representam a sada do conversor que entregue ao filtro
de sada. O dodo que se encontra na sada do conversor destina-se a proteger o mesmo de
ligaes que provoquem corrente inversa, no tem influncia para o estudo agora feito com
carga resistiva.

87

O conversor foi submetido a um banco de testes para testar a sua prestao. Foram feitos de
forma a poderem ser comparados com as simulaes em Matlab. O banco de testes foi estabelecido a diversas condies de carga (equao 4.1):

(4.1)

Tendo em conta que os picos de tenso atingem os 560V na sada, estabeleceram-se os regimes de carga de teste da tabela 4-1.

Tabela 4-1 Resistncias de carga e potncia de sada associada


VCARGA(V) PTOTAL(W) %PTOTAL PCARGA(W) RCARGA ()
560
5000
20%
1000
160
560
5000
15%
750
213
560
5000
10%
500
320
560
5000
5%
250
640

De modo a testar o controlo de potncia na carga, foi variado o valor da componente direta da
corrente de entrada Id, para cada resistncia de carga Rc.
Nas figuras deste subcaptulo foram utilizadas as seguintes escalas:

Tenso: 100V/div
Corrente: 2 A/div
Tempo: 5ms/div

As tenses dos grficos dos diversos ensaios encontram-se a azul e as correntes a magenta.

4.2.1. Ensaio com prioridade a Iq (quadratura)

Colocou-se o conversor com o programa de comutao mediante os vetores de prioridade a Iq


(i.e. controla somente Iq). Foram aplicados vrios valores de resistncia de carga, conservando
a referncia de Iq nula.

Parametrizou-se o conversor da seguinte forma:

Iq(referncia)=0
Histerese(Iq)=50
Id(referncia)=30000
Histerese(Id)=100

88

Na figura 4-23 possvel observar o desfasamento entre a corrente de entrada Ia (magenta) e


a tenso simples Va (azul) com uma carga de 20% e de 10% do seu valor total.

Figura 4-23 Comparao corrente e tenso de entrada carga a 20% e 10% controlo Iq

Constata-se na figura 4-23 que o desfasamento melhora, sendo quase nulo. Tal fato verifica-se
principalmente devido histerese ser fixa, logo quanto maior for o valor da corrente melhor o
controlo. Por outro lado, para correntes de entrada reduzidas a influncia da corrente do filtro
de entrada grande, logo introduz um desfasamento adicional percetvel. Mesmo com todos os
igbts ao corte existe corrente a circular no filtro.
Na figura 4-24 faz-se a comparao dos dois regimes quanto tenso e corrente de sada.
visvel o aumento da comutao com o aumento da carga para um valor de histerese de Iq fixo.

Figura 4-24 Comparao corrente e tenso de sada carga a 20% e 10% controlo Iq

Na figura 4-25 estabelece-se a comparao entre as correntes trifsicas de entrada. Encontram-se desfasadas de 120, mas como j foi constatado a comutao aumenta e a forma de
onda aproxima-se mais da sinusoidal quando a corrente maior.
89

Figura 4-25 Comparao correntes trifsicas de entrada carga a 20% e 10% controlo Iq

4.2.2. Ensaio com prioridade a Id e Iq

Foi colocada a rotina de prioridade aos vetores dq no programa. O objetivo variar Id de forma
a controlar a potncia (mantendo, de acordo com a equao 3.38, a componente Iq nula). De
acordo com a equao 4.1, e aplicando uma resistncia de carga de 85, a potncia do conversor ficar limitado a cerca de 37% da potncia total (equaes 4.2, 4.3 e 4.4).
Utilizando a tenso composta eficaz como sada do conversor, ou seja, sem condensador aplicado:

(4.2)

(4.3)

Por sua vez:

(4.4)

90

Parametrizou-se o conversor da seguinte forma:

Iq(setpoint)=0
Histerese(Iq)=50
Id(setpoint)=varivel
Histerese(Id)=100

Aps programar o valor de referncia de Id para 6000 no microcontrolador foi medida uma corrente de sada de 4,5A (valor eficaz). Depois foi programado o valor de referncia de Id para
3000, tendo sido observada a corrente de sada de 3,5 A, portanto mais baixa.
Nota-se na figura 4-26 que a corrente de entrada desce, quando se diminui o valor de Id na
programao. A corrente de entrada encontra-se em fase com a tenso de entrada (a referncia de Iq tem um valor nulo).

Figura 4-26 Comparao corrente e tenso de entrada Id=6000 e Id=3000 controlo Iq e Id

Na figura 4-27 nota-se perfeitamente que existe mudana nos valores de corrente da carga. O
aumento da comutao quando se reduz Id prende-se com o fato de se estar a aumentar a
diferena entre o valor em cadeia aberta e o valor que se quer impor, logo o controlador tem de
trabalhar mais para compensar. No caso de Id com o valor de 6000, aproxima-se do valor natural (4,68 A) o conversor tende a fazer a maioria das comutaes apenas para compensar Iq.

91

Figura 4-27 Comparao corrente e tenso de sada Id=6000 e Id=3000 controlo Iq e Id

Na figura 4-28 explcito esse fato - a comutao aumenta com Id a 3000, sendo que o valor
mdio da corrente de entrada diminui.

Figura 4-28 Comparao correntes trifsicas de entrada Id=6000 e Id=3000 controlo Iq e Id

Tabela 4-2 Valores de corrente de sada controlo dq


R=85
Id

Io (A)

6000

4,5

5000

4,3

4000

3000

3,5

2000

Na tabela 4-2 Encontra-se explicito que ao variar-se id a corrente de sada tambm varia.

92

4.2.2.1. Variao da histerese da corrente Id

O objetivo deste teste prende-se com o fato de se saber se ao diminuir o valor de histerese o
conversor responde com mais comutao e aproximao ao valor estabelecido como referncia. Foi com este mtodo que foram estabelecidos os seguintes parmetros no conversor:

Iq(setpoint=0)
Histerese(iq)=50
Id(setpoint)=4000
Histerese(id)=varivel

Na figura 4-29 perfeitamente visvel que ao diminuir o valor de histerese Id o conversor comuta mais, tentando acertar a corrente nos valores estabelecidos.

Figura 4-29 Comparao corrente e tenso de entrada histId 1000 e 50 controlo Iq e Id

4.2.2.2. Variao da histerese da corrente Iq

De igual forma foi elaborado para histerese de Iq, sendo que para este teste foram introduzidos
na programao os seguintes parmetros:

Iqsetpoint=0
Histereseiq=varivel
Idsetpoint=4000
Histereseid=100

Na figura 4-30 pode-se observar que ao diminuir o valor da histerese de Iq o conversor trabalha
mais comutando mais vezes para compensar o desfasamento da onda de corrente em relao
de tenso.

93

Figura 4-30 Comparao corrente e tenso de entrada histIq 1000 e 10 controlo Iq e Id

94

4.3. Comparao entre simulao Matlab e experincia


laboratorial

De seguida iremos fazer uma comparao entre o que foi simulado e os resultados da experincia elaborada com o nosso conversor experimental.
As escalas das figuras apresentadas so definidas da seguinte forma:

Matlab:
o Tenso: 100 V/div
o Corrente: 1 A/div
o Tempo: 5 ms/div
Laboratrio:
o Tenso: 100 V/div
o Corrente: 2 A/div
o Tempo: 5 ms/div

As figuras tm na sua parte da direita as simulaes de MATLAB e na esquerda os resultados


observados no laboratrio.

4.3.1. Controlo com prioridade corrente Iq

Das ondas resultantes deste tipo de controlo depreende-se que existem ondas tpicas que
devem ser observadas no barramento de sada. As ondas de comparao esto explicitas na
figura 4-31. Na figura correspondente ao observado laboratorialmente (direita), encontra-se a
tenso de sada a azul e a corrente de sada a magenta.

Figura 4-31 Comparao Matlab e Laboratrio controlo q

As ondas correspondem ao esperado, sendo ntida a semelhana das formas de onda.

95

4.3.2. Controlo com prioridade s correntes Id e Iq

Nos vetores de prioridade dq tem de se fazer a comparao entre as ondas de sada e o aspeto das ondas de entrada, para saber se o controlo corresponde s expetativas. Na figura correspondente ao observado laboratorialmente (direita), encontra-se a tenso de sada a azul e a
corrente de sada a magenta.

Figura 4-32 Comparao ondas de sada Matlab e Laboratrio controlo dq

As ondas de sada correspondem, na parte de simulao esto em dois grficos distintos, nas
laboratoriais a onda de tenso e a de corrente encontram-se sobrepostas, mas tm igual formato da simulao, uma parte controla Iq (desfasamento) e outra controla Id (a que vem at
ao valor nulo).

Figura 4-33 Comparao ondas trifsicas de entrada Matlab e Laboratrio controlo dq

As ondas trifsicas da corrente de entrada encontram-se desfasadas de 120 graus, mas a


amplitude dos picos observados no laboratrio no ajuda observao desse fenmeno. No

96

entanto na figura 4-34 consegue-se ver que o desfasamento quase nulo, no entanto a forma
de onda no permite que aproxime do fator de potncia unitrio.
A figura 4-33 e 4-34 tm a mesma representao na sua parte esquerda (MATLAB), sendo que
as correntes trifsicas (Ia-azul, Ib-verde e Ic- vermelho) encontram-se na parte superior em
Ampere e tenso Va em Volt (azul), encontra-se na parte inferior. Na figura 4.34, direita temse Ia a magenta e Va a azul.

Figura 4-34 Comparao ondas corrente e tenso de entrada Matlab e Laboratrio controlo dq

4.4. Resultados com condensador na sada e aumento


da bobina

Foi introduzido um condensador na sada de 470F, aumentou-se a bobina de sada para 10H
introduziu-se a rotina de controlo dq, com os seguintes parmetros:

Iqsetpoint=0
Histereseiq=10
Idsetpoint=2000
Histereseid=100

Como se pode observar na figura 4-35 o controlo est a ser realmente feito, com Id fixo (controlando a corrente de entrada) tem-se na sada potncia constante. de notar que ao aumentar
a carga aplicada o conversor fornece a mesma potncia, reduzindo a tenso (a azul) e aumentando a corrente (a magenta).

97

Figura 4-35 Comparao sada 20% e sada 10% de carga


Dados do analisador de energia Fluke 43 (colocado numa das fases de entrada medindo tenso simples e corrente de linha) para 20% de carga:

Tabela 4-7 Aumento da carga S e PF


%
20%

Rc()
160

S(kVA)
0,24

Fator Pot.
0,64

10%

213

0,20

0,61

Do quadro acima assinalado constata-se que ao existir uma duplicao da carga a mudana de
consumo do conversor no a acompanha, pois encontra-se limitado pelo controlo do conversor.
Quanto ao fator de potncia, com o aumento de carga, melhora, pois o conversor acaba por
comutar mais, podendo assim acertar a onda de corrente de acordo com a onda de tenso
correspondente.

98

Captulo 5
Concluses
A tese baseia-se no controlo de um retificador com controlo de modo de deslizamento em corrente com o objetivo de se aproximar do fator de potncia unitrio. O controlo depende de seis
amostragens, apenas da entrada, trs de corrente de linha e as restantes das tenses compostas trifsicas. Dos estudos elaborados conclui-se que esse controlo possvel na prtica.

Foi apresentado um estado da arte da tecnologia de baterias e controlo de carregadores mais


em voga neste momento. Sempre que possvel com algum enquadramento histrico.

Foi elaborado um prottipo para testar a teoria simulada previamente com o programa matlab.
Para isso foram feitos os dimensionamentos, feitos os esquemas em multisim, as placas de
circuito impresso em ultiboard e a programao em linguagem C, com auxlio de rotinas em
assembler no programa Mplab IDE da Microchip. Todos os documentos so apresentados em
anexo a esta tese para complementar a leitura aos leitores mais criteriosos.

Dos testes elaborados no captulo 4 depreende-se o seguinte:

O conversor reage em termos gerais da mesma forma que a simulao

O retificador com controlo independente de cada uma das variveis (Iq ou Id) bastante eficaz

Quando se coloca controlo dq, a eficcia do controlo de Iq diminui (controlador a tentar


controlar duas variveis distintas, quando controla uma, deixa a outra sem controlo)

Atingem-se melhores resultados quando se aumenta a frequncia de comutao (ao


diminuir-se a histerese diminuio da superfcie de deslizamento), no entanto os
resultados deste item no so totalmente conclusivos devido velocidade do microcontrolador poder estar a ser limitada com os clculos complexos a que est obrigado.

Ao controlar-se Id consegue-se controlar a potncia entregue carga

Muito mais haveria a fazer, ficando aqui como propostas para estudos futuros quanto a este
tema:

Elaborar um HMI para o conversor

Elaborar estudos de rendimento do conversor

Estabelecer os regimes de carga por programao

99

Estabelecer relaes entre os dados da converso do PIC, variveis de controlo e a


sada

Testes de Interferncia eletromagntica

Testes de carga em elevados regimes

Aumentar a frequncia a que o conversor trabalha (PIC com maior velocidade, rotinas
mais rpidas, agilizando o clculo)

Foi um projeto completo com parte terica bastante aprofundada de forma a adquirir um carter
pedaggico. A linguagem acessvel e os temas so expostos de forma a que mesmo os leitores menos especializados consigam seguir os princpios de funcionamento do conversor.

100

Bibliografia
1. [Online] http://www.autoshop101.com/forms/h8.pdf.
2. [Online] http://www.abve.org.br/PF/ExibePF.asp?codigo=0003.
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http://www.autosil.pt/abrir/tabela_geral_de_aplicacoes.
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MULTI-PULSE TRANSFORMER. Blacksburg, Virginia : s.n., Agosto de 2003.
9. Swati Devabhaktuni, S.V.Jayaram Kumar. Control Theory and Informatics. Jawaharlal
Nehru Technological Univeristy,Hyderabad,Andhra Pradesh,India : ISSN 2225-0492, 2012.
10. Robert W. Erickson, Dragan Maksimovic. Fundamentals of Power Eletronics. University
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11. Analysis and Comparative Evaluation of a Three-Phase Three-Level Unity Power Fator YRetifier. Kolar, J. W., Drofenik, U., e Zach, F. C. Zurich, Suia : ETH Zurich, Power Eletronic
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12. Evaluation of a Delta Connetion of Three Single-Phase Unity Power Fator Retifier Systems
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Nuremberga, Alemanha : European Power Quality Conference, 2001.
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101

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https://batteryworkshop.msfc.nasa.gov/presentations/LiIronPhos_Appl_Space_Pwr_Batt_MWix
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24. J. Fernando, A. Silva. Input LC filters for power converters. Lisboa : IST, 2010.
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28. F. Silva, V.Pires, Three-Phase Single-Stage Step-Up/Down Current Rectifiers With Sliding
Mode PWM Current Controller and Low Sensitivity Voltage Regulator, IEEE 2001

102

Anexo A.
Esquemas Eletrnicos
Neste anexo constam os diversos esquemas eltricos que constituem o carregador. Os
esquemas foram elaborados em Multisim, tendo sido previamente simulados por partes separadas no mesmo programa. O esquema do microcontrolador foi desenvolvido de forma a poder
ser utilizado noutros projetos, com todos os pinos do micro disponveis na sada e interface
para comunicao digital RS232.

Figura A-1 Adaptao sinais de tenso

HDR1X2

HDR1X2
U13

HDR1X2
U14

HDR1X4
U15

U16
U5

R6

0.5_AMP

0.5_AMP
U4

50k
50%
Key=A

16

U10
100nF

13

12

13

12

13

12

Vc

-12V

10k

23 R15

VEE

TL074CN

14

U3D

12V

VEE

11

10k

14 R11

TL074CN

14

VEE

VCC

VCC

-12V

VEE

11

U2D

12V

VEE

12V

10k

R5

VCC

TL074CN

14

U1D

VEE

VCC

VCC

-12V

8
VEE

11

12V
VCC

VCC

U11
U12
100nF
100nF
18
VEE
Va
Vb

VCC

R2

R13

2.7M

R10

2.7M

R8

2.7M

R4

2.7M

R16

D9
1N4148

R18
0

D2
1N4148

11

D10
1N4148

13

D6
1N4148

560

R17

560

D1
1N4148

19

20

D5
1N4148

U17

2.7M

2.7M

-12V

U18

R1

12V

17

R9

1k

R14

1k

TL074CN

U3A

VCC

VCC

11

-12V
VEE

10k
VEE

R12

12V

12

R3
1k

TL074CN

U2A

VCC

VCC

11

-12V
VEE

10k
VEE

R7

12V

TL074CN

U1A

VCC

VCC

11

-12V
VEE

10k
VEE

D7
02DZ4.7

D4
02DZ4.7

D11
02DZ4.7

D12
02DZ4.7

15

D8
02DZ4.7

10

D3
02DZ4.7

Vab

Vca

Vbc

HDR2X4

J2

Figura A-2 Circuito do microcontrolador

GND

GND

GND

GND

C4 8
1uF

J2

24
Ln9
23
Ln8
22
Ln7

HDR1X2

J5

GND

HDR2X4

HDR2X4
J4
18
18
Ln3
Ln3
17
17
Ln2
Ln2
16
16
Ln1
Ln1

HDR2X4
J3
21
21
Ln6
Ln6
BUS1
20
20
Ln5
Ln5
19
19
Ln4
Ln4
GND

24
Ln9
23
Ln8
22
Ln7

C3
1uF

34

0.5_AMP

U5

Tenso e corrente
de sada

Correntes de entrada
BUS1

C5
1uF

3
1uF
4
5
6

U3

1uF

C2

15

32
C10
4.7uF
VREG

GND

COMMON

LINE
VOLTAGE

U4
MC7805CT

GND

GND

C7
22pF HC-49/US_20MHz

14

MAX232ECPE

U2

GND

C1

Se utilizar Max232A, trocar todos


os condensadores por 100nF

GND

GND

GND

GND

T1IN
T2IN
R1OUT
R2OUT

R1IN
R2IN

VCC C1+
C1C2+
C2-

T1OUT
T2OUT

V+

V-

5V

Tenses de entrada

Entrada dos sinais dos


sensores

DSUB9F

J1

Comunicao
srie

VDD

VDD

GND

C9
4.7uF

C8
22pF

GND
10

VDD
C11
4.7uF

5V

R2
220

35

VDD
X2
LED

Ln924
Ln823
Ln722
Ln621
Ln520
Ln419
Ln318
Ln217
Ln116

5V

BUS3
VDD

BUS1

GND

C12
100nF

VDD

GND

GND

Key = Space

5V

Ln9

HDR2X4

J7

Ln9

OC1
Ln6
OC2
Ln7
OC3
Ln8
OC4

BUS3 BUS3

VDD
5V

OC2
OC4

Ln5

11
VDD
Ln2
GND
Ln3
13
Ln4
31
Ln1

HDR2X5

J8

Ln5

11
Ln1
VDD
Ln2
GND
Ln3
13
Ln4
31

Ficha de programao

RE8

AVDD40
AVSS39
PWM1L/RE038
PWM1H/RE137
PWM2L/RE236
PWM2H/RE335
PWM3L/RE434
PWM3H/RE533
VDD32
VSS31
C1RX/RF030
C1TX/RF129
U2RX/CN17/RF428
U2TX/CN18/RF527
PGC/EMUC/U1RX/SDI1/SDA/RF226
PGD/EMUD/U1TX/SDO1/SCL/RF325
SCK1/RF624
EMUC2/OC1/IC1/INT1/RD023
OC3/RD222
VDD21

DSPIC30F4011

Ficha de sinais para anlise


OC1
Ln6
OC2
Ln7
OC3
Ln8
OC4

U1

DSPIC30F4011

1VPP/MCLR
2EMUD3/AN0/VREF+/CN2/RB0
3EMUC3/AN1/VREF-/CN3/RB1
4AN2/SS1/CN4/RB2
5AN3/INDX/CN5/RB3
6AN4/QEA/IC7/CN6/RB4
7AN5/QEB/IC8/CN7/RB5
8AN6/OCFA/RB6
9AN7/RB7
10AN8/RB8
11VDD
12VSS
13OSC1/CLKIN
14OSC2/CLKO/RC15
15EMUD1/SOSCI/T2CK/U1ATX/CN1/RC13
16EMUC1/SOSCO/T1CK/U1ARX/CN0/RC14
17FLTA/INT0/RE8
18EMUD2/OC2/IC2/INT2/RD1
19OC4/RD3
20VSS

J10

11

R1
1k

VDD

VDD

VDD

Ln1
Ln2
Ln3
Ln4
Ln5
Ln6

BUS3
BUS4

31

GND
HDR2X8

J9

Ficha IHM

Ln6

Ln1
Ln2
Ln3
Ln4
Ln5
Ln6
Ln7
Ln8
Ln9

VDD

VDD
5V

BUS4

BUS3

BUS4

RF0
Ln1
RF1
Ln2
RF4
Ln3
RF5
Ln4
RF6
Ln5
RE8

Ln1
Ln2
Ln3
Ln4
Ln5
Ln6

Ln3

5V
VDD

VDD

GND

RF0
Ln1
RF1
Ln2
RF4
Ln3
RF5
Ln4
RF6
Ln5
RE8
Ln6

RF6

BUS2

GND

13
OC1
OC3

C14
100nF

HDR2X8

RF0
RF1
RF4
RF5

25
26
27
28
29
30

C13
4.7uF
GND

Ln3

Saida de sinais para a


placa de potncia
J6
25
25
Ln1
Ln1
26
26
Ln2
Ln2
27
27
Ln3
Ln3
BUS2
BUS2
28
28
Ln4
Ln4
29
29
Ln5
Ln5
30
30
Ln6
Ln6
VDD
VDD
Ln2
Ln2
BUS3
BUS3
GND
GND

Figura A-3 Drivers

31

HDR1X2

J1

GND

U15

GND

GND

C1
4.7uF

23
PWM1L
24
PWM1H
25
PWM2L
26
PWM2H
27
PWM3L
28
PWM3H
15
VDD5V
GND

13

HDR2X8

23
PWM1L
24
PWM1H
25
PWM2L
26
BUS1
PWM2H
27
PWM3L
28
PWM3H
15
VDD5V
GND

0.5_AMP

U1

BUS1

GND
GND

COMMON

VREG

U2
LM7812CT
LINE
VOLTAGE

C2
4.7uF

VCC

R1
560

22

LED1

VCC
12V

PWM3H
GND

PWM3L
GND

PWM2H
GND

BUS1

PWM2L
GND

PWM1H
GND

PWM1L
GND

12V

12V

12V

12V

12V

28
GND

VCC

27
GND

VCC

26
GND

VCC

25
GND

VCC

24
GND

VCC

GND

GND
VCC

GND

GND
VCC

GND

GND
VCC

GND

GND
VCC

GND

GND
VCC

GND

12V
GND
VCC

23
GND

VCC

15V4
0V3

15V4
0V3

15V4
0V3

15V4
0V3

15V4
0V3

HCPL3120

VCC8
2A OUT7
3K OUT6
VEE5

NME1215S
U13

1GND
212V

U14

HCPL3120

VCC8
2A OUT7
3K OUT6
VEE5

NME1215S
U11

1GND
212V

U12

HCPL3120

VCC8
2A OUT7
3K OUT6
VEE5

NME1215S
U9

1GND
212V

U10

HCPL3120

VCC8
2A OUT7
3K OUT6
VEE5

NME1215S
U7

1GND
212V

U8

HCPL3120

VCC8
2A OUT7
3K OUT6
VEE5

NME1215S
U5

1GND
212V

U6

HCPL3120

VCC8
2A OUT7
3K OUT6
VEE5

NME1215S
U4

15V4
0V3

U3
1GND
212V

2
C4
100uF
6

C6
100uF
33

C9
100uF
39

C12
100uF
43

C15
100uF
47

48

C18
100uF
51

C19
100uF

44

C16
100uF

40

C13
100uF

36

C10
100uF

16

C7
100uF

C3
100uF

50

C20
100nF

46

C17
100nF

42

C14
100nF

38

C11
100nF

32

C8
100nF

C5
100nF
R2

10

R12

10

R10

10

R8

10

R6

10

R4

10

PWM1L_OUT

D6
BZX55C18

PWM3H_OUT

D5
BZX55C18

PWM3L_OUT

D4
BZX55C18

PWM2H_OUT

D3
BZX55C18

PWM2L_OUT

D2
BZX55C18

PWM1H_OUT

D1
BZX55C18

R13
10k

R11
10k

R9
10k

R7
10k

R5
10k

R3
10k

HDR1X2

J7

HDR1X2

J6

HDR1X2

J5

HDR1X2

J4

HDR1X2

J3

HDR1X2

J2

Figura A-4 Esquema de potncia

400V 50Hz

3PH

V1

Sensores
de
corrente

L4

R4

L3

R3

L2

R2

C2

C1

C4

S5
IRG4PH50KPBF

D5
60cpf12

D4
60cpf12

D2
60cpf12

S2
IRG4PH50KPBF

S4
IRG4PH50KPBF

D1
60cpf12

S1
IRG4PH50KPBF

D6
60cpf12

S6
IRG4PH50KPBF

D3
60cpf12

S3
IRG4PH50KPBF

D7
60cpf12

L1

C3
Carga

Figura A-5 Circuito eltrico por fase, esquema de ligaes implementado e esquemas de ligao possveis

Anexo B.
Placas de circuito impresso
Neste anexo so apresentadas as diversas placas de circuito impresso elaboradas em Ultiboard e as suas simulaes 3D.

Figura B-1 Placa sinais de tenso

Figura B-2 Placa sinais de tenso 2D

Figura B-3 Placa microcontrolador

Figura B-4 Placa microcontrolador 2D

Figura B-5 Placa drivers

Figura B-6 Placa drivers 2D

Anexo C.
Fotografias do prottipo
Neste anexo so apresentadas algumas fotografias do prottipo construdo para executar os
testes.

Figura C-1 Dissipadores

Figura C-2 Montagem da ponte de IGBTs

Figura C-3 Placas de controlo

Figura C-4 Prottipo em testes