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Sumrio

Introduo

Configuraes do transistor

Curvas caractersticas

Parmetros das curvas caractersticas

Curvas caractersticas na configurao emissor comum


Curvas caractersticas de sada
Utilizao das curvas caractersticas de sada

9
10
12

Curva de dissipao mxima

17

Limitao da dissipao de potncia sobre a reta de carga 19


Apndice

21

Questionrio

21

Bibliografia

22

Espao SENAI

Misso do Sistema SENAI


Contribuir para o fortalecimento da indstria e o desenvolvimento
pleno e sustentvel do Pas, promovendo a educao para o trabalho e a
cidadania, a assistncia tcnica e tecnolgica, a produo e disseminao
de informao e a adequao, gerao e difuso de tecnologia.

Srie de Eletrnica

Introduo
O comportamento de componentes eletrnicos fabricados com materiais
semicondutores geralmente expresso por curvas caractersticas, que so
fornecidas pelo fabricante. Essas curvas caractersticas permitem obter a tenso
entre terminais, dada a corrente atravs do componente ou vice-versa. Esse o
caso, por exemplo, da curva caracterstica VI de um diodo semicondutor, que
um componente de dois terminais.
Sendo o transistor um componente de trs terminais, e estando a ele
associadas trs correntes e tenses, a situao se torna um pouco mais complexa
pois o nmero de curvas caractersticas aumenta, havendo portanto para cada par
de terminais uma relao entre tenso e corrente que depende dos parmetros
eltricos impostos ao terceiro terminal.
O objetivo deste fascculo apresentar ao leitor as curvas caractersticas
do transistor e mostrar como essas curvas devem ser utilizadas para obteno
das condies de operao de circuitos transistorizados.

Para a boa compreenso do contedo e desenvolvimento das


atividades contidas neste fascculo, o leitor dever estar
familiarizado com os conceitos relativos a:

Transistor bipolar: princpio de operao.


Transistor bipolar: relao entre parmetros de circuito.

Transistor bipolar: ponto de operao

Configuraes do
transistor
Existem trs possibilidades de configurar um transistor em um circuito. O
nome dado a cada configurao definido com base no terminal do transistor
que comum s duas malhas do circuito. Dessa forma, trs configuraes so
possveis:

Configurao emissor comum: o terminal do emissor comum s duas


malhas do circuito, como mostrado na Fig.1a.

Configurao base comum: o terminal da base do transistor comum s


duas malhas do circuito, como ilustrado na Fig.1b.

Configurao coletor comum: o terminal do coletor comum s duas


malhas do circuito, como na Fig.1c.

Fig.1 Configuraes de um transistor em um circuito.

Srie de Eletrnica

Curvas caractersticas
O comportamento de um componente eletrnico pode ser obtido
aplicando-se uma tenso entre seus terminais, e medindo-se a corrente atravs
do componente. Dessa forma geram-se pares de valores de corrente e de tenso
que podem ser representados graficamente atravs da curva caracterstica do
dispositivo.
No diodo semicondutor, por exemplo, a corrente depende do valor e da
polaridade da tenso aplicada aos seus terminais, conforme mostrado na Fig.2
I d(mA)
150

100

50

V d(V)
0
-1

-0.8 -0.6 -0.4 -0.2

0.2

0.4

0.6

0.8

-50

-100

I d(A)

Fig.2 Curva caracterstica de um diodo semicondutor.


7

Transistor bipolar: ponto de operao

O comportamento do transistor tambm expresso atravs de curvas


caractersticas. Estas so obtidas atravs de medidas eltricas sob condies
controladas de tenso e de corrente.
O emprego das curvas caractersticas do transistor de grande
importncia no projeto de circuitos, pois permite obter o comportamento do
componente em uma ampla faixa de condies de operao.

PARMETROS DAS CURVAS


CARACTERSTICAS
Nos componentes semicondutores com apenas dois terminais, a tenso
entre terminais e a corrente atravs do componente so utilizados na
representao grfica da curva caracterstica.
Como o transistor um componente de trs terminais, cada par de
terminais est associado a uma corrente e uma tenso. Dessa forma, podem-se
em princpio utilizar os seis parmetros definidos a seguir para representar as
propriedades do transistor:

IB
IC
IE
VCB
VCE
VBE

=
=
=
=
=
=

corrente de base.
corrente de coletor.
corrente de emissor.
tenso coletor-base.
tenso coletor-emissor.
tenso base-emissor.

Os seis parmetros representativos do transistor esto mostrados na Fig.3.


Alguns desses parmetros juntamente com outros no eltricos, tais como
temperatura, podem ser utilizados em uma srie de curvas caractersticas que
expressam o comportamento do transistor nas mais diversas condies de
operao.

Srie de Eletrnica

Fig.3 Parmetros eltricos representativos do transistor.

CURVAS CARACTERSTICAS NA
CONFIGURAO EMISSOR COMUM
O tipo de ligao mais utilizado em circuitos transistorizados a
configurao emissor comum, mostrada na Fig.4. As curvas caractersticas dos
transistores, fornecidas pelos fabricantes, geralmente se referem a esse tipo de
configurao.

Fig.4 Configurao emissor comum.


Analisando a Fig.4, verifica-se que, na configurao emissor comum,
apenas quatro parmetros so suficientes para descrever o comportamento do
transistor. Uma escolha possvel corresponde aos parmetros, VBE, IB, VCE e IC.
Uma vez conhecidos esses quatro parmetros os dois restantes podem ser
obtidos utilizando as leis de Kirchhoff.
Com essa escolha, os parmetros VBE e IB so denominados de
parmetros de entrada com VCE e IC representando os parmetros de sada.
Portanto, para representar graficamente o comportamento do transistor na
configurao emissor comum so necessrios dois conjuntos de curvas
caractersticas:
Uma curva que expressa a relao entre os parmetros de entrada,
denominada de curva caracterstica de entrada.
Um conjunto de curvas que expressam as relaes entre os parmetros de
sada, denominadas de curvas caractersticas de sada.
9

Transistor bipolar: ponto de operao

CURVAS CARACTERSTICAS DE SADA


A influncia da corrente de base na corrente de emissor torna maior a
importncia das curvas caractersticas de sada na representao das
propriedades eltricas do transistor. Essas curvas caractersticas so tambm
denominadas de curvas caractersticas do coletor.
Sabendo que para cada valor do parmetro VCE a corrente IC dependente
do valor da corrente IB, cada curva caracterstica de sada construda de forma
a representar graficamente a relao entre IC e VCE para um determinado valor de
IB. A Fig.5 mostra as curvas caractersticas de sada tpicas de um transistor npn.

100

Caracterstica de sada
IC = f(VCE) , IB = parmetro
BC547

I C(mA)
0.8

0.7

0.6
0.5

0.4

80
0.3

60
0.2

40
I B(mA)=0.1

20

0
0

10

20
30
V CE(V)

40

50

Fig.5 Curvas caractersticas de sada de um transistor npn.


Cada curva representada na Fig.5 mostra a dependncia da corrente de
coletor IC com a tenso coletor-emissor VCE, para um determinado valor fixo da
10

Srie de Eletrnica

corrente de base. Em folhetos de especificaes tcnicas, o topo do grfico


indica que IC uma funo de VCE para cada valor fixo de IB, atravs da
representao:
IC=f(VCE) , IB = parmetro
Deve-se observar que, de acordo
IC
com a conveno adotada para
representao das correntes e tenses em
I B
um transistor, nos transistores pnp os
VC E
parmetros IB, IC e VCE so negativos pois
em condies normais de operao, o
coletor polarizado negativamente em
relao ao emissor e as correntes de
coletor e de base fluem dos terminais do
transistor para as malhas do circuito,
conforme mostrado na Fig.6.
Fig.6 Polarizaes e sentidos reais
das correntes em um
transistor pnp.
Dessa forma, as curvas
caractersticas de sada para
transistores pnp so representaes
grficas de (IC) (VCE) para cada
valor de (IB), como mostrado na
Fig.7.

I C(mA)
100

Transistor pnp
0.8

0.7

0.6
0.5

0.4

80
0.3

60
Outro aspecto de importncia
no que se refere s curvas
0.2
caractersticas fornecidas pelos
40
fabricantes que essas curvas
representam
o
comportamento
I (mA)=0.1
mdio de um grande nmero de
20
transistores de mesma especificao.
Isso significa que, na prtica, as
propriedades
eltricas
do
0
componente podem
apresentar
0
10
20
30
40
50
V CE(V)
pequenos desvios em relao ao
comportamento
previsto
pelas Fig.7 Curvas caractersticas de sada de
curvas caractersticas.
um transistor pnp.
B

11

Transistor bipolar: ponto de operao

As curvas caractersticas fornecidas pelo fabricante


representam o comportamento mdio de um grupo de componentes
de mesma especificao.
UTILIZAO DAS CURVAS CARACTERSTICAS DE
SADA
Com o uso das curvas caractersticas possvel determinar as condies
de operao de um transistor em um circuito. Isso feito utilizando-se o
conceito de reta de carga, examinado a seguir.

Reta de carga
Para o caso de um transistor npn conectado ao circuito mostrado na Fig.8,
aplicando-se a 2 a. Lei de Kirchhoff malha de coletor tem-se que
VCC VCE RC I C

VCE VCC RC I C

ou alternativamente

Para valores fixos dos parmetros VCC e RC, a Eq.(2) representa uma
relao linear entre a tenso coletor-emissor VCE e a corrente de coletor IC.

Fig.8 Circuito com transistor npn na configurao emissor comum.

12

Srie de Eletrnica

A relao entre VCE e IC expressa pela Eq.(2) representada graficamente


por um segmento de reta em um diagrama ICVCE. Esse segmento de reta,
denominado de reta de carga, pode ser traado conhecendo-se apenas dois de
seus pontos. Estes so obtidos diretamente da Eq.(2), observando-se que:
Interseo com o eixo horizontal IC = 0 VCE = VCC .
V

CC
Interseo com o eixo vertical VCE = 0 I C R .
C

A Fig.9 mostra a representao grfica da reta de carga prevista pela Eq.


(2), e que corresponde linha traada entre os pontos de interseo com os dois
eixos do grfico.
IC
100
ponto de saturao

V80
CC
RC
60

reta de carga
40
ponto de
corte

20
0
0

10

20

V CC
30
40 V CE
50

Fig.9 Reta de carga representada no diagrama IC VCE.


Para o circuito da Fig.8, duas condies de operao definem os pontos de
interseo da reta de carga com os eixos na Fig.9:
Condio de corte.
Condio de saturao.
Condio de corte
A condio de corte ocorre quando a corrente de base no transistor nula.
A partir da relao entre correntes j derivada anteriormente,
I C I B 1 I CBO

3
13

Transistor bipolar: ponto de operao

Desprezando-se a corrente de fuga no coletor, a condio IB=0 fornece


IC=0 que define o ponto de corte mostrado na Fig.9.
Condio de saturao
A condio de saturao ocorre quando a corrente de base
suficientemente alta de forma a anular a tenso coletor-emissor. Dessa forma,
V

CC
impondo VCE = 0 na Eq.(2) resulta I C R , que corresponde ao ponto de
C
saturao mostrado na Fig.9. Essa situao equivale existncia de um curto
entre os terminais do coletor e do emissor no circuito da Fig.8, de forma que
toda a tenso da fonte de alimentao se transfere diretamente para o resistor de
coletor.

Ponto de operao
Uma vez traada a reta de carga pode-se determinar graficamente os
valores de VCE e de IC, para um dado valor da corrente de base IB na
configurao emissor comum.
O procedimento grfico pode ser descrito com base no circuito mostrado
na Fig.10a, onde admite-se que a corrente de base esteja estabelecida em um
valor IB = IBQ. A Fig.10b mostra as curvas caractersticas de sada que incluem
aquela referente ao valor IB = IBQ.
(a)

(b)

100
IC
80

I B=I BQ

60
40
20
0
0

10 20

30 40V CE
50

Fig.10 Circuito e curvas caractersticas de sada de um circuito transistorizado


na configurao emissor comum.
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Srie de Eletrnica

Como se pode verificar na Fig.10b, qualquer ponto sobre a curva


caracterstica pode ser utilizado para representar os valores da corrente de
coletor e da tenso coletor-emissor no circuito da Fig.10a. A questo portanto a
se considerar a seguinte:
Conhecidos os valores de VCC e RC no circuito da Fig.10a, quais so os
valores resultantes da corrente de coletor e da tenso coletor-emissor?
A resposta a essa questo s pode ser obtida se for utilizada mais uma
informao. Esta informao adicional fornecida pela reta de carga do circuito,
incorporada ao grfico das caractersticas de sada, conforme ilustrado na
Fig.11.
Ou seja, da mesma forma que os valores de corrente e tenso para o
circuito definem algum ponto na curva caracterstica, a soluo deve tambm
estar em algum ponto da reta de carga. S existe portanto um ponto que pode
existir simultaneamente na reta de carga e na curva caracterstica correspondente
a uma corrente de base IBQ. Esse ponto, mostrado na Fig.11, o ponto de
operao ou ponto quiescente Q.
100

IC

80

I BQ

V CC
RC
60
Q

I CQ
40

20

00
0

10

V CEQ 20

30

V CC

40

V CE
50

Fig.11 Determinao grfica do ponto quiescente de um circuito transistorizado.


Determinado o ponto quiescente do circuito, obtm-se diretamente do
grfico os valores quiescentes da corrente de coletor e da tenso coletor-emissor,
15

Transistor bipolar: ponto de operao

representados pelos parmetros ICQ e VCEQ, respectivamente. A queda de tenso


sobre o resistor de coletor no ponto quiescente fica assim determinada pela
expresso

V RcQ VCC VCEQ

O exemplo seguinte ilustra o clculo numrico do ponto quiescente de um


circuito transistorizado.
Exemplo1: O circuito mostrado na Fig.12 utiliza um transistor BC146. Para
uma corrente de base de 100A determinar os parmetros IC, VCE e VRc.
As curvas caractersticas do transistor BC146 esto representadas no
grfico da Fig.12(b), juntamente com a reta de carga do circuito. A interseo
da reta de carga com a curva correspondente a uma corrente de base de 100 A
ocorre no ponto quiescente Q. Como pode ser a observado, os valores de
corrente e tenso so,
I CQ 22 mA , VCEQ 3,4 V

A tenso no resistor de coletor obtida da Eq.(4), resultando em


V RcQ 6 3,4 2 ,6 V

(a)

(b)
I C(mA)
60

BC146

I B(A)=200
40
150
22 mA

100

20
50
25
0
0

3,4 V

5
V CE(V)

10

Fig.12 (a) Circuito transistorizado referente ao Exemplo 1. (b) Curvas


caractersticas do transistor BC146 e reta de carga do circuito.

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Srie de Eletrnica

CURVA DE DISSIPAO MXIMA


Utilizando o valor da potncia de dissipao mxima do transistor, podese definir, no diagrama das curvas caractersticas de sada, as faixas de valores
de corrente de coletor e de tenso coletor-emissor que assegurem a operao do
transistor dentro de seus limites de dissipao de potncia.
Como j discutido no fascculo anterior, a potncia de dissipao mxima
do transistor dada aproximadamente pela expresso
PC, mx VCE I C

A relao dada pela Eq.(5) pode tambm ser escrita na forma


IC =

PC,mx
VCE

A Eq.(6) estabelece a dependncia da corrente de coletor com a tenso


coletor-emissor para um dado valor da potncia de dissipao mxima. Dessa
forma, conhecido o valor de PC,mx, fornecido pelo fabricante, e atribuindo-se
valores ao parmetro VCE, os valores correspondentes de IC podem ser calculados
da Eq.(6).
Por exemplo, considerando o caso do transistor BC547 com a
especificao PC,mx = 500mW a 25C, tem-se
IC =

0 ,5 W
VCE

Utilizando o conjunto de valores de VCE listados na 2a. coluna da Tabela 1,


obtm-se os valores de IC da 3a. coluna daquela tabela.
Tabela 1 Alguns valores de VCE e IC correspondentes dissipao mxima de
500 mW no transistor BC547.
Ponto
VCE
IC
1
5V
0,1A = 100 mA
2
10 V
0,05 A = 50 mA
3
20 V
0,025 A = 25 mA
4
40 V
0,0125 A = 12,5 mA

17

Transistor bipolar: ponto de operao

Representando-se os quatro
pontos no diagrama IC VCE, obtm-se
o grfico mostrado na Fig.13. A curva
que passa pelos quatro pontos a
representao grfica da relao entre
os parmetros IC e VCE, definida pela
Eq.(7).

I C(mA)

100

80
60
2

40

A curva de dissipao mxima


3
do transistor define o limite entre duas
20
4
regies, indicadas na Fig.14. A regio
localizada acima da curva de
0
dissipao mxima representa a regio
0
10 20 30 40 50
de dissipao excessiva do transistor,
V CE(V)
pois os valores de VCE e IC naquela
regio fornecem uma potncia de Fig.13 Representao grfica da Eq.
(7) para o transistor BC547.
dissipao superior potncia de
dissipao mxima do componente.

A regio abaixo da curva


representa
a
regio
de
funcionamento normal
do
componente, pois valores de VCE
e IC no interior dessa regio
correspondem a uma potncia de
dissipao inferior potncia de
dissipao mxima do transistor.
Para
operao
do
componente
a temperaturas
diferentes de 25 C, deve-se
utilizar a potncia de dissipao
mxima na temperatura de
trabalho para ento calcular a
curva de dissipao mxima a
partir da Eq.(6).

100

I C(mA)

BC547
curva de dissipao
mxima

80

regio de dissipao
excessiva

60

40

20

regio de
funcionamento
normal

0
0

10

20
30
V CE(V)

40

50

Fig.14 Regies definindo o regime de


operao do transistor BC547.
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Srie de Eletrnica

LIMITAO DA DISSIPAO DE POTNCIA


SOBRE A RETA DE CARGA
A reta de carga expressa todas as possibilidades de funcionamento de um
transistor para um determinado valor do resistor de coletor e da tenso de
alimentao. Como a curva de dissipao mxima estabelece o limite da regio
de funcionamento normal do transistor, faz-se necessrio que a reta de carga
esteja sempre situada abaixo daquela curva.
A Fig.15a representa o trecho de um circuito alimentando um transistor
npn BC547 na configurao emissor comum. Na Fig.15b est traada a curva de
dissipao mxima de 500 mW referente a uma temperatura de 25C. No mesmo
grfico esto representadas as retas de carga obtidas atribuindo-se para VCC os
valores de 40 V e 30 V, respectivamente, com RC fixado em 500 em ambos os
casos.
(a)

(b)
100

BC547

I C(mA)

curva de dissipao
mxima

80

P1
60
40
P2

20
0
0

10

20 30
V CE(V)

40

50

Fig.15 (a)Transistor na configurao emissor comum. (b)Curva de dissipao


mxima e retas de carga: A(VCC=40 V, RC=500 ), B (VCC=30 V, RC=500
).
Observa-se na Fig.15b que a reta de carga B est situada totalmente
abaixo da curva de dissipao mxima do transistor. Dessa forma, qualquer
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Transistor bipolar: ponto de operao

valor de corrente de base pode ser utilizado no circuito da Fig.15a sem que a
potncia de dissipao mxima do componente seja superada.
Por outro lado, examinando-se a reta de carga A da Fig.15b, observa-se
que sobre o trecho entre os pontos P1 e P2 a potncia dissipada supera o valor
mximo definido pela curva de dissipao mxima do componente. Dessa
forma, os parmetros de circuito referentes curva A no possibilitariam a
operao segura do componente para um valor arbitrrio da corrente de base.

Para evitar a possibilidade de dissipao excessiva de um


transistor, os parmetros de circuito devem ser escolhidos de forma
que a reta de carga correspondente esteja situada totalmente abaixo
da curva de dissipao mxima do componente.

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Srie de Eletrnica

Apndice
QUESTIONRIO
1. Cite as configuraes de um transistor em um circuito, caracterizando-as.
2. Para um transistor na configurao emissor comum, quais so os parmetros
de entrada e sada?
3. Para um transistor na configurao emissor comum, como so representadas
as curvas caractersticas de sada?
4. O que a reta de carga de um circuito transistorizado na configurao
emissor comum?
5. Qual a denominao dos pontos de interseo da reta de carga com os eixos
vertical e horizontal do diagrama IC VCE?
6. Para as condies estabelecidas no Exemplo 1, utilize o grfico da Fig.12b
para determinar:
(a) IC no ponto de saturao.
(b) VCE no ponto de corte.
7. Para operao segura de um transistor, qual deve ser a disposio da reta de
carga com respeito curva de dissipao mxima do transistor?

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Transistor bipolar: ponto de operao

BIBLIOGRAFIA
CIPELLI, Antnio Marco Vicari & SANDRINI, Waldir Joo. Teoria e
desenvolvimento de projetor de circuitos eletrnicos. 7ed. So Paulo, Erica,
1983. 580p.
ELETRNICA MODULAR PANTEC. O transistor; princpios bsicos. s.n.t.
(curso bsico, 4).
SENAI/DN. Transistores, por Antnio Abel Correia Vilela. Rio de Janeiro;
Diviso de Recursos Humanos, 1977. 81p. (Publicaes Tcnicas, 7).
MILLMAN, Jacob e HALKIAS, Christos C., Integrated electronics: analog and
digital circuits and systems, So Paulo, McGraw-Hill, 1972.

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