Diapositiva 1

El transistor como resistencia controlada por tensin

transistor bipolar NPN
colector
base

llave de control

corriente
de salida
emisor

2N2222
ebc
6.071 Transistores bipolares

corriente de entrada
1

Diapositiva 2
El diodo

I(A)

0.6V

V (voltios)

Como ya se ha descrito, pero se enciende a 0.6V (para un diodo Si).

6.071 Transistores bipolares

Diapositiva 3

toma

Propiedades del transistor

base

emisor
IC = I B
I E = IC + I B = (1 + )I B
VBE = VB VE = +0.6V

Normalmente apagado (toma/emisor

~ 100, pero cambia con
polarizado en inverso), una corriente la temperatura y con V
CE
de salida pequea y tensin relativa
al emisor lo activan, conmutando y
amplificando
6.071 Transistores bipolares

Diapositiva 4

VCC

R
on
off
10 k

6.071 Transistores bipolares

Transistor conmutador
La corriente del colector depende
de la cada de tensin a travs de
la bombilla.

IC I B
Dado que el estado del transistor
depende de la corriente de la base,
V V si se la deja en circuito abierto, el
IB = CC BE transistor podra acabar desconecR
tndose, pero esto sera un descuido.
4

Diapositiva 5

Transistor conmutador

IB

VCC

VCC = IR + VBE

IB =
VBE

VCC VBE
R

IC =

VCC VBE

VBE = 0.6V

6.071 Transistores bipolares

Diapositiva 6

Seguidor de emisor como fuente de corriente n. 1

+10V

+10V

Vin

Vin

carga

1k
-10V

1k

-10V
Qu es Vout?

Vout = Vin - 0.6V

Si la polarizacin de la base/emisor es directa

6.071 Transistores bipolares

Diapositiva 7

Seguidor de emisor como fuente de corriente n. 2

Qu es Vout con el transistor apagado?

+10V

+10V

alta
impedancia

Vin
1k
-10V

6.071 Transistoresbipolares

1k

-5V

1k
-10V

1k

1k

1k

-10V

Diapositiva 8

Seguidor de emisor como fuente de corriente n. 3

A qu tensin de la base se desconecta?
+10V

VBE = 0.6V
Vin = 4.4V

Vin
1k
-10V

6.071 Transistores bipolares

1k

Diapositiva 9

Seguidor de emisor como fuente de corriente n. 4

+10V

+10V

Vin

Vin

-10V

1k
-10V

1k

Vout

Vin

V 0.6V; Vin 4.4V

Vout = in
5V; Vin < 4.4V

6.071 Transistores bipolares

Diapositiva 10
Polarizacin 1
A menudo las seales se acoplan entre fases del amplificador como se ales AC (o sin componente continua, utilizando un condensador). N tese que una tensinn unipolar no puede amplificar las entradas negativas.

Vin

+VCC
Vin
R

Vout

VB
6.071 Transistores bipolares

Vout
10

Diapositiva 11
Polarizacin 2
Solucinese aadiendo un CC a la base para desplazar la seal de
modo que no haya recorte ni CA acoplando la salida.

VCC
determinar VCC = 15V

R1

se quiere R1 || R2 << RE

Vin
R2

RE

Vout R || R es la impedancia del generador

1
2

Regla: que la impedancia de

la fuente sea pequea
en comparacin con la
carga que conduce.
6.071 Transistores bipolares

de corriente utilizado para conducir

el transistor, RE es la impedancia
efectiva de la base del transistor.

11

Diapositiva 12
Polarizacin 3
V CC=15V, R1|| R2<<RE
la salida debe oscilar 7.5V
determinar RE. RE = 7.5k.
corriente de reposo a base = 1mA.
V E @ (= 0) = 7.5V (permite Vout
7.5V) por tanto VB = VE + 0.6V = 8.1V

VCC
R1

Vin
R2

RE

Vout

8.1V
R2
=
R1 + R2 15V

or

R1
1
=
R2 1.17

R1|| R2<<RE<<100 7.5k.

R1 = 130k, R2 = 150k.

6.071 Transistores bipolares

12

Diapositiva 13
Demo: seguidor de emisor BJT n. 1
generador para dos diferencias de potencial
oscilador
Amplitud de
frecuencia

12V
33k

Vin

1k
Entrada n. 1
Vin

Vout

Entrada n. 2

Vout
tiempo

disparador

6.071 Transistores bipolares

tiempo
visualizacin base de tiempo
del osciloscopio
13

Diapositiva 14
Demo: seguidor de emisor BJT n. 2
generador para dos diferencias de potencial
oscilador
Amplitud de
frecuencia

12V
Vin

33k
1k

Entrada n. 1

Vout

Entrada n. 2

Vout
Vin
visualizacin x, y
del osciloscopio
6.071 Transistores bipolares

14

Diapositiva 15
Seguidor de emisor
VCC
VB

La tensin de salida es casi igual a la

tensin de la base, con un corte de 0.6 V.
Ntese el cambio en la impedancia.

Vout = VB 0.6V
Rin = Rcarga

6.071 Transistores bipolares

Rcarga

15

Diapositiva 16
El seguidor de emisor tiene ganancia de tensin unitaria.
Tiene utilidad?

+VCC

Vin = Vout

Vin

Nota: I E =

Vout

y I B =

VCC
P = IV

Pin =

Vout Vin
=
R
R

I E
Vin
=
1 + R(1 + )

Vin2
V2
;Pout = in
R(1 + )
R

Hay ganancia en Potencia de .

La resistencia efectiva de la base es R.
6.071 Transistores bipolares

16

Diapositiva 17
No disear con

VCC

RE
Vin
RE

6.071 Transistores bipolares

Vout

Aqu el punto de reposo se ha elegido

purgando una cantidad pequea de
corriente a la base. Ahora, el punto
de funcionamiento depende de manera
crtica de , que vara tremendamente
de un dispositivo a otro y con la
temperatura.

17

Diapositiva 18

Problema: observe como vara de 100 a

200 en el ltimo circuito.

6.071 Transistores bipolares

18

Diapositiva 19
Generador de corriente

VCC

Rcarga

VB
VE
R

6.071 Transistores bipolares

La tensin de la base controla la

corriente a travs de la carga
hasta el lmite de VCC.

VE = VB 0.6V
V
IE = E
R
VB 0.6V
R
IC I E , para grande
Icarga = IC =

19

Diapositiva 20
Emisor comn n. 1
VCC
R1

RC
VC

Vin

La configuracion del emisor com n produce

una ganancia (negativa) de tensi n. (1)
Establezca una corriente estatica tal que:
VC = VCC/2 Necesite ca da de tensi n de
VC sobre RC.

IC = Iq =
R2

RE

IB =

6.071 Transistores bipolares

VC Vout
=
;
RC RC

Vin
I
= C
RE

Vout RC
=
Vin
RE
20

Diapositiva 21
Emisor comn
VCC
R1

So RC = VCC/(2 Iq).
RC

Ganancia = -RC/RE
VC RE es necesario para la estabilidad, de lo
contrario hay una peque a resistencia
rtr ~ 0.026V/IE, pero es muy sensible a la
temperatura.

Vin

R2

6.071 Transistores bipolares

RE

21

Diapositiva 22
Regla para el control robusto

generador

carga

Si la impedancia de salida del generador es mucho m s baj a que

la impedancia de entrada de la carga, el rendimiento del
circuito no depender de la variacin de la carga.
Por lo tanto, en un dispositivo secuencial, si usamos un TEC
como bloques de construcci n de la carga, la impedancia de
entrada de la carga ser alta y tendremos un circuito robusto.

6.071 Transistores bipolares

22

Diapositiva 23
Transferencia de diferencias de potencial

Rth

VL =
RL

Vth

RL
Vth
RL + Rth

so if VL~Vth
Rth << RL

Para que la transferencia de voltaj e sea eficiente, la impedancia de la

carga se debe mantener por encima de la impedancia del generador.
Dos excepciones:
Cicuitos de radiofrecuencia, Zfuente=Zcarga
(ofrece m xima transferencia de voltaj e)
Corrientes acopladas, m s que voltaj es.
6.071 Transistores bipolares

23

Diapositiva 24
Transferencia de corriente
IL
IN

RN

RL

IL =

RN
I
RL + RN N

so if IL~IN
RN >> RL

Para lograr una transferencia de corriente eficiente, la impedancia de la

carga debe mantenerse peque a en relaci n con la del generador.

6.071 Transistores bipolares

24

Diapositiva 25
Transferencia de potencia n. 1
Rth

VL =
RL

Vth

PL = VL I =

I=

RL
V
RL + Rth th

Vth
( RL + Rth )

RL Vth2
Vth
RL
=
Vth
(RL + Rth ) (RL + Rth ) (RL + Rth )2
PL

6.071 Transistores bipolares

Rth

RL

25

Diapositiva 26
Transferencia de potencia n. 2
IL
IN

RN

IL =

RL

RN
I
R L + RN N

PL = I L2 RL =

RN2 I N2 RL

(RL + RN )2

PL

RN
6.071 Transistores bipolares

RL
26

Diapositiva 27
Divisor de fase de ganancia unitaria
Obj etivo: a partir de una se al CA, generar una copia y su inversa.
20V
150k

4.7k

Vin (+)
56k

Vout
= Vin (+)
+
= Vin (+)
Vout

4.7k

+
Vout
seguidor de emisor

ganancia unitaria

Vout
emisor com n

con R C=RE, ganancia=-1

6.071 Transistores bipolares

27

Diapositiva 28
Polarizacin de divisor de fase de ganancia unitaria

20V
150k
56k 5.6V

6.071 Transistores bipolares

4.7k
15V
5V
4.7k

determinar VE = 5V
VB = 5.6V
como I C ? IE, hay una ca da
de 5V en las dos resistencias
de 4.7k ?XX

28

Diapositiva 29
Circuito Darlington

1 2

1
2

Es til para aplicaciones de alta corriente

y elevada impedancia de entrada, pero es
lento. La caida de tensi n base-emisor es
1.2 V.
6.071 Transistores bipolares

29

Diapositiva 30
Transistor puerta Y
6V
Transistores de la base
de puertas l gicas, y
circuitos integrados.

Ain

Bin
salida

6.071 Transistores bipolares

Ain
baj a
baj a
alta
alta

Bin
baj a
alta
baj a
alta

salida
baj a
baja
baj a
alta
30

Diapositiva 31
Transistor puerta O
6V
Ain

Bin

Ain
baj a
baj a
alta
alta

Bin
baj a
alta
baj a
alta

salida
baj a
alta
alta
alta

salida

6.071 Transistores bipolares

31

Diapositiva 32
Propiedades de los transistores bipolares
(ganancia de corriente) no es un par metro, var a por
cualquier cosa.
IC,max - m ximo tensi n colector
BVCBO - m xima tensi n colector-emisor.
BVCEO - m xima tensi n colector-generador.
VEBO - tensi n ruptura emiso-base.
PD - m xima disipacin de potencia.

6.071 Transistores bipolares

32

Diapositiva 33
Ficha tcnica de 2N2222 (1 de 3)

6.071 Transistores bipolares

33

Diapositiva 34
Ficha tcnica de 2N2222 (2 de 3)

6.071 Transistores bipolares

34

Diapositiva 35
Ficha tcnica de 2N2222 (3 de 3)

6.071 Transistores bipolares

35

Diapositiva 36

Zener
real

Zener
ideal

Regulador de tensin
Los diodos Zener tienen resistencia
I
variable. Concretamente, tienen
una salida de corriente constante
en todo un rango de voltaj es
V de entrada. As , al proporcionar
corriente constante a un circuito,
se pueden usar como reguladores
de tensi n.

Un regulador de tensi n sencillo.

RE

Vout = Vzener

Por su probre supresi n de

Vin
fluctuaciones, necesita un zener
con una gran potencia de salida,
y variaciones con impedancia de carga.
6.071 Transistores bipolares

36

Diapositiva 37
Regulador de tensin
Vin

Vout = Vzener-0.6 V
R

Rcarga
Vzener
Configuraci n de seguidor de emisor.
La corriente de la base es s lo 1/
de la corriente de alimentaci n.
El filtro RC reduce las fluctuaciones.

6.071 Transistores bipolares

37

Diapositiva 38
Conmutacin de cargas inductivas

La punta repentina de tensi n producida

al interrumpir el fluj o de corriente en
una bobina de inductancia produce una
descarga disruptiva en el transistor.
El problema se soluciona con un diodo
inverso en la carga inductiva.

6.071 Transistores bipolares

38

Diapositiva 39

VCC
R1

Amplificador colector comn

Un amplificador con una ganancia de corriente
(sin ganancia de tensi n) y offset para evitar
el recorte de entradas negativas.

VB
C2

C1
R2

6.071 Transistores bipolares

RE

Rcarga

R1 y R2 proporcionan el
offset CC y C 1 act a como
filtro de modo que las
entradas no perturben el
punto de reposo).

39

Diapositiva 40

VCC
R1
VB

Amplificador colector comn

1. determinar una corriente de reposo, 1 mA
2. VE = Vcc/2
(permite la mayor entrada sim trica posible)

C2

C1
R2

6.071 Transistores bipolares

RE

RE =

VCC 2 VCC 2
=
IQ
1mA

Rcarga

40

Diapositiva 41

VCC

Amplificador colector comn

3. Establecer corriente de reposo v a R1 & R2.

R1

R1 VCC VB VCC VE 0.6V

=
=
VE + 0.6V
R2
VB
C2

C1
R2

RE

Recuerde:

VE = VCC 2

Luego, olvidar 0.6V y R1 = R2

Rcarga N tese que R = R ,
base
E
luego R 1||R2<< RE

Evita que el punto de reposo se desplace con la carga.

6.071 Transistores bipolares

41

Diapositiva 42

VCC
R1

Amplificador colector comn

4. Elegir condensadores de acoplamiento
La resistencia de entrada CA efectiva

Rin = R1 R2 (RE Rcarga)

VB
C2

C1

C1 y Rin forman un filtro de paso alto

C1 =

R2

RE

carga
RRcarga

3dB Rin

C 2 y Rcarga tambi n forman un filtro de paso alto C2 =

6.071 Transistores bipolares

3 dB Rload
42

Diapositiva 43
Amplificador colector comn
VCC
voltaj e de la base

R1
VB

C2

C1
R2

6.071 Transistores bipolares

RE

Rcarga

salida

respuesta en
frecuencia

43