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1. El transistor
En el ao 1951, cuando Shockley invent el transistor de unin, empez
una verdadera revolucin electrnica que ha superado a lo largo de los aos
todas las previsiones iniciales.
Con el transistor se consigui la miniaturizacin de los componentes y
se lleg al descubrimiento de los circuitos integrados formados por miles de
transistores.
La sustitucin en los montajes electrnicos de las vlvulas de vaco
para los transistores reduce al mximo las prdidas de calor de los equipos y
hace posible la construccin de fuentes de alimentacin muy ajustadas a los
consumos reales.
Esencialmente, un transistor es un componente que posibilita dos
funciones muy importantes: por una parte, permite, de forma esttica, dejar
pasar o cortar las seales elctricas a partir de una pequea seal de mando;
por otra parte, funciona como un elemento amplificador de seales.
Un transistor consta de tres cristales de silicio (pueden ser PNP o NPN)
que realizan las mismas funciones y slo se diferencian por su forma de
alimentacin. De todas maneras, se utilizan preferentemente los NPN porque
son ms fciles de fabricar.
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Para que la ilustracin anterior sea ms clara, slo se han dibujado los
electrones y los huecos en los cristales y se han omitido los tomos de silicio y
los iones de impurezas.
3. Polarizacin del transistor
Se entiende por polarizacin del transistor las conexiones adecuadas
que hay que realizar con corriente continua para que pueda funcionar
correctamente.
Si conectamos dos pilas, como se ve en la figura siguiente, con el diodo
base-emisor, polarizado directamente y el diodo base-colector, polarizado
inversamente, vemos que sucede lo siguiente:
Como el diodo base-emisor est polarizado directamente, siempre que
la tensin supere la barrera de potencia (0, 7 V para el silicio) habr una gran
corriente de electrones del emisor. Esta corriente pasa al colector
prcticamente en su totalidad y va a parar al nodo de la pila que la alimenta.
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base comn
colector comn
emisor comn
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IB=
U BB U BE
RB
En la figura anterior vemos como para una intensidad de base dada, por
ejemplo10 A., y variando R C , se obtienen diferentes valores de IC y U CE ,
componiendo la grfica.
Hay que distinguir una zona, llamada de saturacin, en la que para
U CE =0 V.; hasta aproximadamente UCE =1V., la intensidad del colector sube
rpidamente.
Para valores superiores de I C , la curva es horizontal, correspondiendo a
la llamada zona lineal o activa.
Finalmente, si se supera un cierto valor se llega a la zona de ruptura, en
la que se destruye la unin.
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