UNIVERSIDADE FEDERAL RURAL DO SEMIARIDO-UFERSA

CAMPUS-CARABAS

Prof.: Brito Filho

Aluno: Deusdedith Antonio de O. Junior
Disciplina:Projeto de Microeletronica

RESPOSTA DO QUESTIONRIO

1) O setor eletrnico altamente dinmico e inovador, permeando um vasto nmero

de atividades produtivas. Nesse sentido, o adensamento da sua cadeia produtiva
uma varivel crucial no processo de desenvolvimento da indstria de
microeletrnicos. O Brasil possui uma das maiores jazidas de quartzo do mundo,
mineral de onde retirado o silcio. O quartzo transformado em silcio metlico,
depois purificado at tornar-se cristalmas ainda no est pronto para ser
trabalhado. Esse cristal de silcio deve ter todos os tomos em seus devidos lugares
para que no haja nenhuma imperfeio no material e para que a corrente eltrica
que circula pelo chip no sofra alteraes. Portanto, ele fundido em torno de
uma "semente, ou ncleo monocristalino, sobre o qual vo se depositando, j
ento corretamente ordenados os tomos de silcio. As bolachas, so as finssimas
fatias de silcio de 3 polegadas de dimetro, so lapidadas ou polidas como barras
de ao de uma usina siderrgica. Essas lminas so ento divididas em centenas
de chips, cujos circuitos, numa etapa posterior, sero gravados segundo um
mtodo semelhante ao da fotografia. Para que os circuitos sejam gravados na
chapa de silcio, ela aquecida temperatura de 1 200 graus centgrados, at que
se forme uma finssima camada protetora de xido, com uma grande resistncia
eltrica. Em seguida, se cobre o wafer com material fotogrfico, sobre o qual se
colocam as mscaras que se parecem s antigas chapas de vidro usadas em
fotografias onde os circuitos foram fotografados.
Ao submeter o conjunto a radiao ultravioleta, as reas ocultas pelas mscaras
ficam intactas, enquanto a luz atinge o material fotogrfico, que se dissolve,
deixando livre a camada de xido de silcio. Esse processo repetido vrias vezes,
de acordo com o nmero de mscaras que forem necessrias. Em seguida, pode
comear o processo de dopagem. O mtodo o mesmo usado na gravao das
mscaras, mas neste caso as reas livres so bombardeadas ou dopadas com boro,
fsforo ou arsnio, as chamadas "impurezas" que vo permitir a condutividade
eltrica. Independente do material de que so feitos silcio ou arseneto de glio,
no final de todas as etapas de fabricao os chips ainda esto ligados s centenas

num nico wafer. Esse wafer ento serrado e os chips, enfim libertos, so
soldados aos seus suportes mecnicos, os chamados lead-frames. um trabalho
que no Brasil ainda mecnico na sua maior parte, alm de ser executado. So
operrias que vo manusear, interligar, soldar os chips e depois implantar
minsculos fios de ouro que os mantero presos aos equipamentos eletrnicos.
Encapsulado num invlucro de epxi, o chip deixa de ter esse nome. Da em
diante, o retngulo milimtrico de silcio passa a ser conhecido como circuito
integrado.
3) No futuro, prev-se que os chips sero confeccionados com materiais
supercondutores que, por no oferecerem resistncia eletricidade, podem
transmitir sinais ainda mais velozes do que se sonha com os circuitos atuais. Alis,
a preocupao dos fabricantes conseguir chips que processem informaes cada
vez mais rapidamente. Para isso, j est sendo usado o arseneto de glio como
material semicondutor. O arseneto conduz eltrons at seis vezes mais depressa
do que o silcio, alm de operar em temperaturas mais elevadas, reduzindo a
necessidade de resfriar os computadores e outros sistemas eletrnicos. Como
muito caro, s utilizado em pesquisas, ou em supercomputadores militares
americanos ou ainda na fabricao de circuitos para comunicaes por
microondas.
5) O processo de dopagem quando so adicionadas impurezas a um semicondutor
puro (intrnseco), este passa a ser um semicondutor extrnseco. As impurezas
usadas na dopagem de um semicondutor intrnseco podem ser de dois tipos:
impurezas ou tomos dadores e impurezas ou tomos aceitadores. tomos
dadores tm cinco eltrons de valncia (so pentavalentes): Arsnio (AS), Fsforo
(P) ou Antimnio (Sb). tomos aceitadores tm trs eltrons de valncia (so
trivalentes): ndio (In), Glio (Ga), Boro (B) ou Alumnio (Al).
Semicondutor Tipo N
um semicondutor que recebeu tomos pentavalentes, ou seja, tomos que
possuem cinco eltrons na camada de valncia. Como exemplos de substncias
pentavalentes podemos citar o arsnio, antimnio e fsforo. Quando os tomos de
impurezas se associam com os outros tomos, um dos eltrons da camada de
valncia, sobe para a banda de conduo, porque ele s precisa de quatro eltrons
na camada de valncia para estabelecer a ligao covalente. Para cada tomo de
impureza introduzido no cristal, aparecer um eltron livre. Se forem
introduzidos, por exemplo, 20 milhes de tomos de impurezas, o cristal ter 20
milhes de eltrons livres, sem contar os eltrons livres produzidos termicamente
por causa da quebra de ligaes covalentes. Num semicondutor tipo N, os eltrons
livres so chamados de portadores majoritrios porque existe em maior
quantidade, enquanto que as lacunas so chamadas de portadores minoritrios por
se encontrarem em menor quantidade.
Semicondutor Tipo P
Um semicondutor tipo P obtido atravs da injeo de tomos trivalentes no
cristal puro. Como exemplos de impurezas trivalentes podemos citar o alumnio,
boro e glio. Como um tomo trivalente possui trs eltrons na camada de
valncia, uma lacuna ser criada quando o mesmo for se associar com os tomos
vizinhos atravs da ligao covalente. Para cada tomo de impureza, aparecera

uma lacuna. Um cristal dopado com tomos trivalentes um semicondutor tipo P.

Ele possui uma grande quantidade de lacunas e alguns eltrons livres produzidos
termicamente, devido quebra de ligaes covalentes. Neste caso, as lacunas so
os portadores majoritrios e os eltrons livres so os portadores minoritrios.
7) o resultado da associao de um semicondutor do tipo p com semicondutor
sendo do tipo n. Possuem a propriedade de s permitirem a passagem de
corrente em um nico sentido. So, portanto, utilizados como diodos e
transistores. Quando a d.d.p. aplicada apresenta a mesma orientao do
semicondutor, isto , quando a parte negativa do semicondutor est ligada ao plo
negativo da bateria e a parte positiva ao plo positivo da bateria, a corrente flui
normalmente pelo circuito. Porm, quando a orientao da d.d.p. e a do
semicondutor so contrrias, no h fluxo de corrente no circuito.
9) Os componentes ativos so capazes de gerar energia e exercer uma funo de
controle sobre uma energia adicional de um outro componente. Fazem parte desse
grupo diodos, transistores, circuitos integrados, dispositivos optoeletrnicos e
fontes de energia. J os componentes passivos no aumentam a intensidade de
uma corrente ou tenso. Eles tem como caracterstica interagir com a energia do
circuito, dissipando-a em outras formas como, por exemplo, em calor. Como
exemplos de componentes passivos podemos citar resistores, capacitores,
indutores, sensores e antenas.
13) Aporta inversora CMOS composta por transistores nMOS e pMOS em srie. O
terminal de entrada ligado s duas portas, de forma que uma tenso positiva
coloca em conduo o transistor nMOS e corta o pMOS, produzindo uma tenso
zero na sada. Uma tenso zero aplicada ao terminal de entrada produz um efeito
complementar, produzindo uma tenso na sada igual tenso de alimentao
VDD.
Devido ao emprego dos dois tipos de transistores complementares, a tecnologia
foi chamada de CMOS. Para tanto necessita-se de regies de substrato tipo n e
outro tipo p. Isto possvel pela implementao de uma regio delimitada com
dopagem de tipo oposto ao do substrato e que se chama ilha ou de poo (em ingls,
chamado de well ou tub). Uma caracterstica fundamental de portas CMOS
que elas no consomem corrente (POTNCIA) durante um estado esttico.
Apenas durante a transio de um estado a outro temos consumo de corrente 2
(potncia).
15) O princpio do transstor poder controlar a corrente. Ele montado numa
estrutura de cristais semicondutores, de modo a formar duas camadas de cristais
do mesmo tipo intercaladas por uma camada de cristal do tipo oposto, que controla
a passagem de corrente entre as outras duas. Cada uma dessas camadas recebe um
nome em relao sua funo na operao do transstor, As extremidades so
chamadas de emissor e coletor, e a camada central chamada de base. Os aspectos
construtivos simplificados e os smbolos eltricos dos transstores so mostrados
na figura 1 abaixo. Observe que h duas possibilidade de implementao.

Figure 1: O transstor da esquerda chamado de NPN e o outro de PNP.

O emissor fortemente dopado, com grande nmero de portadores de carga. O

nome emissor vem da propriedade de emitir portadores de carga. A base tem uma
dopagem mdia e muito fina, no conseguindo absorver todos os portadores
emitidos pelo emissor. O coletor tem uma dopagem leve e a maior das camadas,
sendo o responsvel pela coleta dos portadores vindos do emissor. Da mesma
forma que nos diodos, so formadas barreiras de potencial nas junes das
camadas P e N. O comportamento bsico dos transstores em circuitos eletrnicos
fazer o controle da passagem de corrente entre o emissor e o coletor atravs da
base. Para isto necessrio polarizar corretamente as junes do transstor.
17) Um dispositivo de potncia MOSFET projetado para alcanar o melhor
desempenho em termos de eficincia e confiabilidade em aplicaes de clientes.
Os principais parmetros podem ser resumidas da seguinte forma: em Rdson
estado de resistncia, tenso de limiar Vth, tenso de ruptura BVdss, carga porto
Qg, reverter parmetros de recuperao e queda de baixa tenso durante a
operao do diodo dreno. Alm disso, o dispositivo tem de ser fivel em termos
de:
- Gesto de temperatura
- Tempo de vida
Quando o MOSFET poder funciona em modo linear, as principais caractersticas
so limitadas apenas ao gerenciamento de temperatura e robustez no que
conhecido como instabilidade trmica ou trmica pista. A operao no modo
linear caracterizado na escolha Ids corrente e queda de tenso Vds por uma
tenso Vgs selecionado pelo motorista controle de feedback (quase sempre o sinal
de controle definido para se juntar a um valor corrente especfica). Nesta
condio, o dispositivo de dissipao de energia torna-se elevada e a temperatura
mdia de juno aumenta o seu valor. Durante esta fase, a estabilidade de trabalho
do dispositivo depende das caractersticas de estrutura intrnseca do sistema de
aquecimento e de cmbio.
A temperatura um fator importante, uma vez que se a classificao mximo
excedido, o dispositivo de falha. Quando o dispositivo est no estado de equilbrio
trmico, a corrente limitada pela temperatura, porque os Rdson aumenta com ele
e, consequentemente, a corrente forada para uma limitao automtica. No
entanto, no modo linear de outros fatores que podem contribuir para trazer o
dispositivo para exceder a temperatura mxima. Estes fatores so:
- Dissipao de energia no uniforme;
- Ponto tempo Zero;

- Caractersticas Tecnologia.
A dissipao de energia atinge valores elevados quando o dispositivo funciona em
modo linear, porque o dispositivo trabalha com elevada queda de tenso e corrente
elevada, de modo que os aumentos de temperatura intrnseca rpida. Isto significa
que total de juno-ambiente Rthj-a resistncia trmica (dispositivo + dissipador
de calor) tem de ser escolhido em um bom caminho para dissipar o montante total
de calor no ambiente externo. Alm disso, na superfcie da fonte, as reas ao lado
da fonte do fio de ligao tornam-se pontos quentes, devido administrao de
alta potncia, por conseguinte, a temperatura local pode exceder o ndice mx.
Zero tempo define uma caracterstica especfica do dispositivo de alimentao
MOSFET a uma determinada temperatura.
19) Os simuladores baseados no SPICE permitem que o usurio faa a escolha de
modelos para o MOSFET. Dentre os parmetros do modelo SPICE temos um
chamado LEVEL (nvel), que seleciona o modelo a ser empregado pelo
simulador, quando o LEVEL=1 corresponde ao modelo mais simples de primeira
ordem, o mesmo est baseado nas equaes da lei quadrtica para o MOSFET.
Parmetros bsicos do modelo
LEVEL, TOX, COX, UO, KP e LAMBDA
Parmetros da tenso de limiar
VTO, GAMMA, NSUB e PHI
Parmetros de diodo do mosfet
JS, CJ, MJ, CJSW, MJSW e PB
Parmetros de dimenso do mosfet
LD e WD
Parmetros da capacitncia de porta MOS
CGBO, CGDO e CGSO