Universidade Federal de Pernambuco

Centro de Tecnologia e Geociências

Departamento de Eletrônica e Sistemas
Disciplina: Eletrônica 3

Caderno de resolução de exercı́cios

1a unidade

por
Hercı́lio Menezes Cavalcanti

Recife, 12 de março de 2010

Conteúdo
1 Distorção 1
1.1 Estimativa da distorção do ponto de vista do usuário . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2 Distorção no emissor comum . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.3 Distorção no fonte comum com MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.4 Distorção no coletor comum . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.5 Distorção no amp-op malha fechada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.6 Distorção no par diferencial com TBJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.7 Distorção no par diferencial com MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.8 Distorção no par diferencial com JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.9 Cálculo da distorção em malha fechada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1.10 Distorção no emissor comum degenerado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.10.1 Determinação dos parâmetros . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
1.10.2 Cálculo da distorção . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
1.11 Distorção no cascode com TBJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
1.12 Distorção no fonte comum com JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

2 Ruı́do 27
2.1 Projeto de polarização + cálculo de ruı́do . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.2 Questão teórica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

3 Casamento de impedância 27
3.1 Casamento de impedância questão 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.2 Casamento de impedância questão 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.3 Casamento de impedância questão 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

4 Blindagem e aterramento 27
4.1 Questão teórica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

5 Girador 27
5.1 Girador tipo I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
5.2 Girador tipo II . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
5.3 Girador tipo III . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
5.4 Girador tipo IV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

6 Estimativa de banda 27
6.1 Estimativa de banda no Cascode MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
6.2 Estimativa de banda no cascode TBJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

7 Circuitos com transformadores 27

1a UNIDADE
1 Distorção
1.1 Estimativa da distorção do ponto de vista do usuário
Questão de prova (2005.2)
Com intuito de se obter uma estimativa da não-linearidade de um amplificador de áudio, foram
realizadas medidas do sinal de saı́da, aplicando-se três amplitudes diferentes na entrada com uma
frequência de 1kHz. Os resultados estão na tabela abaixo. Calcule DH2 , DH3 para Ven = 0, 1V.
ii - O que se pode dizer da função de transferência deste amplificador? É o esperado?

Ven (V) Vsa (V)

0,5 6,0625
1 12,5000
1,5 19,6875

Para estimar a não-linearidade, pode-se usar uma tabela, representando a série de Taylor, para
cada amplitude
 de
 entrada diferente, conforme
  e segue.
2 3

Vsa,1 Ven,1 Ven,1 Ven,1 a1
 Vsa,2  =  Ven,2 Ven,2 2 3
Ven,2   ae2 
Vsa,3 2
Ven,3 Ven,3 3
Ven,3 ae3

Substituindo os valores, obtém-se

    e 
6, 0625 0, 5 0, 25 0, 125 a1
 12, 5  =  1 1 1   ae2 
19, 6875 1, 5 2, 25 3, 375 ae3
Portanto, pode-se obter os valores de ae1 , ae2 e ae3 , resolvendo o seguinte sistema de equações
lineares algébricas.

 0, 5ae1 + 0, 25ae2 + 0, 125ae3 = 6, 0625
ae1 + ae2 + ae3 = 12, 5 (1)

1, 5ae1 + 2, 25ae2 + 3, 375ae3 = 19, 6875
Resolvendo o sistema, obtém-se os valores estimados para os coeficientes da série de taylor da
função que descreve o amplificador de áudio.

 a1 = 12
a2 = 0 (2)

a3 = 0, 5
Como

1
 |bn | |an | Ven,A n−1
DHn = = .( ) (3)
|b1 | |a1 | 2
Então



a1 = 12

 a2 Ven,a
DH2 = =0
a1 2 (4)

 2 2

 DH3 = a3 Ven,a = 0, 5 0, 1 = ∼ 0, 01042%
a1 4 12 4
ii - A função de transferência do amplificador é dada por

vsa = 12ven + 0, 5v3en (5)

Ela é ı́mpar com relação ao sinal (f(Ven ) = −f(−Ven )). Isto já era esperado, pois DH2 = 0.

1.2 Distorção no emissor comum

Figura 1: Amplificador emissor comum

Utilizando-se a Lei de Kirchoff das Tensões, pode-se obter

Vsa = Vcc − Ic Rc (6)

A corrente no coletor de um TBJ é dada por

Vbe
Ic = Is e VT (7)
A função exponencial possui a seguinte expansão em série de Taylor em torno da origem

2
 x2 x3 x4
ex = 1 + x + + + + ... (8)
2! 3! 4!
Como Vbe = VBE + vbe então, pode-se expandir a equação (7) em série de taylor e obter

Ic vbe v2 v3
= [1 + + be + be + ...] (9)
IC VT 2!VT 3!VT
Considerando-se que o sinal de entrada seja de pequena amplitude, vale a aproximação

|bn | |an | Ven,A n−1

DHn = = .( ) (10)
|b1 | |a1 | 2
de (9), são obtidos os an0 s
1 1 1 1 1
a1 = , a2 = 2
, a3 = 3
, , a4 = 4
, , a5 = ,
VvT 2!VT 3!VT 4!VT 5!VT5
uX
u 5
DHT=t DH2 n
i=2

v
u 1 1 1 1
u VT Ven,A 2−1 2 V Ven,A 3−1 2 V Ven,A 4−1 2 V Ven,A 5−1 2
DHT = t( 1
( ) ) + ( 1T ( ) ) + ( 1T ( ) ) + ( 1T ( ) )
2!VT2
2 3!V 3
2 4!V 4
2 5!V 5
2
T T T

(11)

1.3 Distorção no fonte comum com MOSFET

Figura 2: Fonte comum com MOSFET

A caracterı́stica que relaciona entrada (em tensão) com a saı́da do transistor MOSFET é dada
por
v1
ID = ISS [1 + ] (12)
VGG − Vt

3
 ID f(ven )
Tomando-se então a série de Taylor de = , tem-se
ISS ISS
ID f(ven ) 2ven v2en
= = a0 + a1 v1 + a2 v2 = 1 + +
ISS ISS VGG − Vt (VGG − Vt )2
Como a função que relaciona tensão de entrada com corrente de saı́da do transistor MOSFET
é quadrática, sua série de taylor possui termos de ordem 3 ou maior todos identicamente nulos.
Logo, tem-se que
2 1
a0 = 1 , a 1 = , a2 = (13)
VGG − Vt (VGG − Vt )2
Portanto

1
! 
(VGG −Vt )2 Ven,A
DH2 = 2
VGG −Vt
2
Ven,A
DH2 = (14)
4(VGG − Vt )

Neste caso, DHT=DH2 pois DH3 = DH4 = DH5 = 0, devido à caracterı́stica quadrática do
MOSFET.

4
1.4 Distorção no coletor comum

Figura 3: Coletor Comum (estágio de saı́da)

A saı́da deste estágio pode ser obtida aplicando-se a LKT.

Vsa = Ven − Vbe

 
Ic
Vsa = = Ven − VT ln (15)
IS
Também, aplicando-se a LKC, sobre o nó do emissor é possı́vel obter-se

Vsa
+ IP = Ic + Ib
Rcarga
 
Ic
Vsa = Rcarga (Ic + Ib − IP ) = Rcarga Ic + − IP
β
 
β Vsa + Rcarga IP
Ic = (16)
β+1 Rcarga
Aplicando-se (16) em (15), é possı́vel obter a seguinte expressão
 
β Vsa + Rcarga IP
Ven = Vsa + VT ln . (17)
β+1 Rcarga IS
Derivando-se esta expressão com relação à Vsa , obtém-se

dVen VT . (β+1)Rβcarga IP
= 1 + β Vsa +Rcarga IP
dVsa . Rcarga IS
β+1
dVen VT
= 1+ (18)
dVsa Vsa + Rcarga IP

5
 Portanto

dVsa 1 1
= VT
= VT
dVen 1+ Vsa +Rcarga IP
1+ (β+1)
Rcarga . β .Ic −Rcarga IP +Rcarga IP

 

dVsa 1
= (19)
dVen 1 + Ie .RVcarga
T

A expressão algébrica que descreve a tensão de saı́da Vsa pode ser expandida em série de Taylor,
conforme segue

2 3
Vsa = a0 + a1 Ven + a2 Ven + a3 Ven + ... (20)
Agora, a partir da derivada desta expressão, define-se


dVsa  2
a, = a1 + 2a2 Ven + 3a3 Ven + ... = a1 (21)
dVen ven =0

+ dVsa  2
a , = a1 + 2a2 Ven,A + 3a3 Ven,A + ... (22)
dVen ven =Ven,A

− dVsa  2
a , = a1 − 2a2 Ven,A + 3a3 Ven,A − ... (23)
dVen ven =−Ven,A

Daı́, segue que

a+ + a− = 2a1 + 6a3 Ven,A
2

a+ − a− = 4a2 Ven,A

Portanto, para calcular-se DH2 e DH3 , deconsiderando termos de mais alta ordem, basta
obter-se

|a+ + a− − 2a1 | 2
∼ a3 Ven,A = DH3
= (24)
24a1 a1 4
a+ − a− ∼ a2 Ven,A = DH2
= (25)
8a1 a1 2
Como exemplo numérico, considere um circuito em coletor comum, com alimentação em ±15V,
resistência de carga Rcarga = 10kΩ e que no ponto quiescente, possui VSA = 0V, VEN = 0, 8V,
para uma corrente de polarização de IP = 2, 86mA.
No ponto quiescente, tem-se que Ie = IP e, portanto, de (19), é possı́vel obter o ganho a1 de
pequenos sinais
1 ∼ 0.99912
a1 = 0.025 =
1 + 2,86.10 −3 .10000
Para calcular a+ , primeiro é obtido o valor de Ie

6
 10V
Ie = 2, 86.10−3 + = 3, 86mA
10kΩ
Agora, substituindo Ie em (19), obtém-se
1 ∼ 0.99935
a+ = 0.025 =
1 + 3,86.10 −3 .10000

De forma semelhante, para a− , segue que

10V
Ie = 2, 86.10−3 − = 1, 86mA
10kΩ
1 ∼ 0.99865
a− = 0.025 =
1 + 1,86.10 −3 .10000
Logo

a+ − a− ∼ a2 Ven,A 0.99935 − 0.99865

DH2 = = = = 0, 0087% (26)
8a1 a1 2 8.0, 99912
|a+ + a− − 2a1 | ∼ a3 Ven,A
2
0.99935 + 0.99865 − 2.0, 99912
DH3 = = = = 0, 0010% (27)
24a1 a1 4 24.0, 99912

1.5 Distorção no amp-op malha fechada

Questão 2009.1
Considerando um amplificador operacional bipolar realimentado, apresente uma estratégia
para cálculo da distorção harmônica total e faça uma estimativa usando os seguintes parâmetros:
Av,ma = Av,pd Av,ec = 50 x 200 = 100000(100dB), Vsa,A ≈ 20V.

Figura 4: Esquema do amp-op com dois estágios de ganho

Na entrada do par diferencial, tem-se uma tensão dada por

20V
Ven,A(pd) = = 200µV (28)
100000
Como Ven,A(pd) << VT , então Ven(pd) é um pequeno sinal e portanto o par diferencial não
gera distorção. A distorção total do amp-op será dada pela distorção do emissor comum com uma
entrada de

Ven,A(ec) = 200µV.50 = 10mV (29)

Pois esta amplitude possui a mesma ordem de grandeza de VT .
Para o emissor comum, sabe-se que

7
 Ic vbe v2 v3
f(ven = vbe ) = = [1 + + be + be + ...] (30)
IC VT 2!VT 3!VT
Portanto
1 1 1 1 1
a1 = , a2 = 2
, a3 = 3
, , a4 = 4
, , a5 = ,
VT 2!VT 3!VT 4!VT 5!VT5
Então

Ven,A(ec)
DH2 = (31)
4VT
2
Ven,A(ec)
DH3 = (32)
24VT2
3
Ven,A(ec)
DH4 = (33)
192VT3
4
Ven,A(ec)
DH5 = (34)
1536VT4

r
1 10mV 2 1 10mV 2 2 1 10mV 3 2 1 10mV 4 2
DHT = ( ( )) + ( ( ) ) +( ( ) ) +( ( ) )
4 25mV 24 25mV 192 25mV 1536 25mV

∼ 10%
DHT = (35)

8
1.6 Distorção no par diferencial com TBJ

Figura 5: Par diferencial com TBJ

Para um Transistor Bipolar de Junção (TBJ), vale a relação

Vbe1 Vbe2
Ic1 = Is e Vt
, Ic2 = Is e Vt
(36)
Isolando-se a tensão base-emissor, para cada transistor, obtém-se
Ic1 Ic2
Vbe1 = Vt ln( ) , Vbe2 = Vt ln( ) (37)
Is Is
Para o par diferencial, define-se a tensão de entrada diferencial como sendo
Ic1 Ven,d Ic1
Ven,d = Vbe1 − Vbe2 = Vt ln( ) ⇒ e Vt = (38)
Ic2 Ic2
Portanto
Ven,d
Ic1 = Ic2 e Vt
(39)
Aplicando-se a Lei de Kirchoff das Correntes sobre o nó que une os emissores dos transistores,
obtém-se
Ic1 Ic2
+ = IEE ⇒ Ic1 + Ic2 = αIEE (40)
α α
Aplicando-se a equação (39) na equação (40), obtém-se
Ven,d αIEE
Ic2 (1 + e Vt ) = αIEE → Ic2 = Ven,d
1 + e Vt
de forma análoga obtém-se também Ic1 e portanto, tem-se que

9
 αIEE αIEE
Ic2 = Ven,d , Ic1 = −Ven,d (41)
1+e Vt
1+e Vt

Pode-se reescrever a equação anterior da seguinte forma1

αIEE Ven,d
Ic2 = [1 − tanh( )] (42)
2 2Vt
De forma análoga, tem-se que
αIEE Ven,d
Ic1 = [1 + tanh( )] (43)
2 2Vt
Como Vsa,1 = Vcc − RC IC1 e Vsa,2 = Vcc − RC IC1 , a saı́da de tensão diferencial, definida como
sendo

Vsa,d , Vsa,1 − Vsa,2 (44)

Portanto

Vsa,d = −RC IC1 + RC IC2 = RC (IC2 − IC1 )

αIEE Ven,d
Vsa,d = RC [− .2.tanh( )]
2 Vt
Ven,d
Vsa,d = −α.IEE .RC .tanh( ) (45)
Vt
Para calcular a distorção harmônica, considerando a saı́da diferencial, deve-se utilizar a ex-
pressão anterior. No entanto, a análise a seguir será feita considerando-se a saı́da como sendo
apenas a corrente Ic2 .
Ic2 1 Ven,d
f(Ven,d ) = = (1 + tanh( )) (46)
αIEE 2 Vt
1
Reescrevendo a expressão 1-tanh(x), obtém-se
senh(x) ex − e−x x
e
 + e−x − (ex
− e−x ) 2e−x 2
1 − tanh(x) = 1 − =1− x −x
= x −x
= x −x
=
cosh(x) e +e e +e e +e 1 + e2x
Ven,d
Fazendo-se 2x = na equação (41), obtém-se que
Vt
αIEE αIEE αIEE Ven,d
−Ven,d = −Ven,d Ven,d −Ven,d = [1 − tanh( )]
1 + e Vt e 2Vt (e 2Vt + e 2Vt ) 2 2Vt

10
 Para obter-se os 5 primeiros termos da série de taylor de ( 46), deriva-se esta expressão cinco
vezes, como segue.2

df(Ven,d ) 1 Ven,d
= sech2 ( ) (47)
dVen,d 2Vt 2Vt
d2 f(Ven,d ) 1 Ven,d Ven,d
2
= 2
sech2 ( )tanh( ) (48)
dVen,d 2Vt 2Vt 2Vt
d3 f(Ven,d ) 1 Ven,d Ven,d 1 Ven,d
3
= 3
sech2 ( )tanh2 ( )+ 3
sech4 ( ) (49)
dVen,d 2Vt 2Vt 2Vt 4Vt 2Vt
d4 f(Ven,d ) 1 Ven,d Ven,d 1 Ven,d Ven,d
4
= 4
sech2 ( )tanh3 ( )+ 4
sech4 ( )tanh( )+ (50)
dVen,d 2Vt 2Vt 2Vt 2Vt 2Vt 2Vt
1 Ven,d Ven,d
+ 4 sech4 ( )tanh( )
2Vt 2Vt 2Vt
d5 f(Ven,d ) 1 Ven,d Ven,d 3 Ven,d Ven,d
5
= 5
sech2 ( )tanh4 ( )+ 5
sech4 ( )tanh2 ( )+ (51)
dVen,d 2Vt 2Vt 2Vt 4Vt 2Vt 2Vt
1 Ven,d Ven,d 1 Ven,d
+ 5 sech4 ( )tanh2 ( )+ 5
sech6 ( )+
Vt 2Vt 2Vt 4Vt 2Vt
1 Ven,d Ven,d 1 Ven,d
+ 5 sech4 ( )tanh( )+ 5
sech6 ( )
Vt 2Vt 2Vt 4Vt 2Vt
(52)

A série de taylor de f(Ven,d ) é dada por

2
Ven,d V3 V4 V5
f(Ven,d ) = a0 + a1 Ven,d + a2 + a3 en,d + a4 en,d + a5 en,d (53)
2! 3! 4! 5!
onde

1 dfn (Ven,d ) 

an = n
(54)
n! dVen,d 
Ven.d =0

Obtém-se então
1 1 1
a0 = 0 , a 1 = , a 2 = 0 , a3 = 3
, a 4 = 0 , a5 = (55)
4Vt 48Vt 480Vt5
como

|bn | |an | Ven,A n−1

DHn = = .( ) (56)
|b1 | |a1 | 2
então
2
Lembrando que
d d
tanh(x) = sech2 (x) , sech(x) = sech(x)tanh(x)
dx dx

11
 1 1
DH3 = V2
2 en,A
, DH5 = V4
4 en,A
(57)
48V 1920Vt
s t
1 1
DHT = ( V 2 )2 + (
2 en,A
V 4 )2 (58)
48Vt 1920Vt4 en,A

1.7 Distorção no par diferencial com MOSFET

Figura 6: Par diferencial com MOSFET

De forma semelhante ao caso do par diferencial com TBJ, tem-se que

Id1 + Id2 = ISS (59)

Ven,d = Vgs1 − Vgs2 = Ven,1 − Ven,2 (60)

A equação caracterı́stica, desconsiderando-se o efeito early, do transistor MOSFET é dada por

βMOS
Id = (Vgs − Vt )2 (61)
2
µn ox W
Onde βMOS =
tox L
Assim, s
2Id
Vgs − Vt =
βMOS
s
2Id
Vgs = Vt +
βMOS
Portanto

12
 s
2Id1
Vgs1 = Vt + (62)
βMOS
s
2Id2
Vgs2 = Vt + (63)
βMOS
(64)
Aplicando-se
s (62) e (63)
s em (60), obtém-se
2Id1 2Id2
Ven,d = −
βMOS βMOS
Elevando-se ambos os membros ao quadrado, tem-se que
2 2Id1 4 p
Ven,d = − Id1 Id2
βMOS βMOS
A partir da equação (59), segue que
2
p ISS βMOS Ven,d
Id1 Id2 = −
 2 4
2
2
ISS βMOS Ven,d
Id1 Id2 = −
2 4
Como Id1 = Id2 − ISS , então
 2
2
ISS βMOS Ven,d
Id2 (ISS − Id2 ) = −
2 4
 2
2
2 ISS βMOS Ven,d
Id2 − ISS Id2 + − =0
2 4
Esta é uma equação do segundo grau na variável Id2 . Suas duas soluções fornecem os valores
de Id2 e Id1 . Isso decorre devido à simetria do par diferencial.
Calculando-se o ∆ desta equação, obtém-se

 2
2
ISS βMOS Ven,d
∆ = I2SS −4 −
2 4
2 !
I2SS βMOS ISS 2 2

βMOS Ven,d
∆ = I2SS − 4 − Ven,d +
4 2 4
2 β2MOS Ven,d
4
∆ = βMOS ISS Ven,d − (65)
4
Daı́ segue que


r
2 2

 Id1 = SS + en,d βMOS ISS − βMOS Ven,d
I V
2 2 r 4 (66)

 2 2
 Id2 = ISS − Ven,d βMOS ISS − βMOS Ven,d
2 2 4

13
 Tomando-se a saı́dasem Id2 e rearrumando-se a sua equação, obtém-se
2
ISS Ven,d βMOS Ven,d
Id2 = − βMOS ISS (1 − )
2 2 4ISS
r s
2
ISS βMOS βMOS Ven,d
Id2 = (1 − Ven,d 1− )
2 ISS 4ISS
r
βMOS
Agora, aplicando-se a substituição z = Ven,d , a seguinte expressão é obtida
ISS
r !
ISS  z 2
Id2 = 1−z 1− (67)
2 2

Agora, tomando-se apenas a parte alternada, pode-se obter f(Ven,d , conforme segue.3

−Id2 z z3 z5
f(ven,d ) = = − − − ... (68)
ISS 2 16 256
Agora substituindo z, obtém-se
q  q 3  q 5
−Id2 Ven,d βMOS
ISS
Ven,d βIMOS
SS
Ven,d βMOS
ISS
f(ven,d ) = = − − − ... (69)
ISS 2 16 256
Logo


 DH2 = DH4 = 0

 1 βMOS 32 

2
 ( ) 2
 DH3 = 16 ISS 1 Ven,A =
βMOS Ven,A
1 βMOS 2 2 32ISS
( ISS ) (70)


2
 1 β 5
 ( IMOS ) 2 Ven,A 4 β2MOS Ven,A
4
 

 DH =
256 SS
=
 5 1 βMOS 12 2 2048I2SS
2
( ISS )

3
Para isso, foi usada a seguinte série de Taylor
√ 1 1 1
1 − x = 1 − x − x2 − x3 − ...
2 8 16

14
1.8 Distorção no par diferencial com JFET

Figura 7: Par diferencial com JFET

De forma semelhante ao par diferencial com MOSFET, tem-se que

Id1 + Id2 = IP (71)

Ven,d = Vgs1 − Vgs2 = Ven,1 − Ven,2 (72)

Desconsiderando-se o efeito early, a equação caracterı́stica do transistor JFET é dada por

Vgs 2
Id = Idss (1 − ) (73)
VP
Portanto

Vgs1 2 Vgs2 2
Id1 = IDSS (1 − ) , Id2 = IDSS (1 − ) (74)
VP VP
r r
Id1 Id2
Vgs1 = VP [1 − ] , Vgs2 = VP [1 − ] (75)
IDSS IDSS
Substituindo a equação (75) na (72), obtém-se

r r
Ven,d Id1 Id1
= −
VP I IDSS
2
 DSS  
Ven,d Id1 2 p Id1
= − Id1 Id2 + (76)
VP2 IDSS IDSS IDSS
(77)

Substituindo agora (71) em (76), segue que

15
 2
Ven,d IP 2 p
= − Id1 Id2
VP2 IDSS IDSS
2
Ven,d IP 2 p
2
− = − Id1 Id2
VP IDSS IDSS
2
p IP IDSS Ven,d
Id1 Id2 = − (78)
2 VP2
Como, de (71), Id1 = IP − Id2 então, elevando ao quadrado a expressão (78) é obtido o seguinte
resultado.

 2
2
IP IDSS Ven,d
(IP − Id2 ).Id2 = −
2 VP2
 2
2
IP IDSS Ven,d
I2d2 − IP Id2 + − = 0 (79)
2 VP2
Esta é uma equação quadrática em Id2 . Devido à topologia simétrica do par diferencial, as
raı́zes desta equação fornecem as correntes Id2 e Id1 . O discriminante desta equação é dado por

 2
2
IP IDSS Ven,d
∆ = I2P −4 −
2 VP2
2
 2
2
2 IP IDSS Ven,d
2 IDSS Ven,d
∆ = − + I
P I
P +
  2VP2 VP2
2
 2
 2
IP IDSS Ven,d IDSS Ven,d
∆ = + (80)
2VP2 VP2
Agora, pode-se obter, após algumas simplificações, as correntes de dreno dos transistores.


s

 2


IP Ven,d 2 Ven,d
 Id2 = − 2IP IDSS − IDSS
2 2VP s VP
(81)


 2

 IP V en,d V en,d
 Id1 = + 2IP IDSS − I2DSS
2 2VP VP
Rearrumando a equação de Id2 , obtém-se
 s 
 2
IP  Ven,d p IDSS Ven,d 
Id2 = 1− 2IP IDSS . 1 − (82)
2 VP I P 2IP VP
r
Ven,d 2IDSS
Aplicando-se a substituição z = , na equação (82), segue que
VP IP

16
 r !
IP  z 2
Id2 = 1−z 1− (83)
2 2
Agora, pode-se expandir esta função em série de taylor, para obter-se a distorção harmônica.

−2Id2 z2 z4
f(Ven,d ) = = z(1 − − − ...)
IP 4 128
z3 z5
f(Ven,d ) = z − − − ...
4 128
 q 3  q 5
r Ven,d 2IDSS Ven,d 2IDSS
Ven,d 2IDSS VP IP VP IP
f(Ven,d ) = − − − ...
VP IP 4 128
(84)

Agora, pode-se aplicar a seguinte expressão para o cálculo da distorção Harmônica

|bn | |an | Ven,A n−1

DHn = = .( ) (85)
|b1 | |a1 | 2
Portanto

DH2 = DH4 = 0 (86)

   32
1 2IDSS 2 2

4VP3 IP Ven,A Idss Ven,A
DH3 =  12 = (87)

1

2IDSS 2 8VP2 IP
VP IP
   52
1 2IDSS 4
I2dss Ven,A
4

128VP5 IP Ven,A
DH5 =  12 = (88)

1

2IDSS 2 512VP4 I2P
VP IP

17
1.9 Cálculo da distorção em malha fechada
Obtenha uma expressão para DH3 de um amplificador realimentado e mostre que no limite
apropriado

Figura 8: Amplificador realimentado

DH3 |sem realim.

DH3 =
(1 + a1 βr )3
Considerando-se o circuito completo, incluindo a realimentação, a tensão de saı́da pode ser
descrita em série de Taylor através da expressão

Vsa = a00 + a10 Ven + a20 Ven

2
+ a30 Ven
3
+ ... (89)
Calculando-se a derivada desta expressão, nas condições em que as tensões de saı́da e entrada
são nulas, obtém-se


dVsa 
= a10 (90)
dVen Vsa =0,Ven =0
d2 Vsa 

2 
= 2a20 (91)
dVen
3
Vsa =0,Ven =0
d Vsa 
3
= 6a30 (92)
dVen Vsa =0,Ven =0


Agora, olhando-se para o amplificador, como um circuito em malha aberta, pode-se também
descrever-se a saı́da de tensão deste circuito, considerando-se a entrada do amplificador como sendo
Vd = Ven − βr Vsa .

Vsa = a0 + a1 Vd + a2 Vd2 + a3 Vd3 + ... (93)

Vsa = a0 + a1 (Ven − βr Vsa ) + a2 (Ven − βr Vsa )2 + a3 (Ven − βr Vsa )3 + ... (94)
Ao derivar (94), segue que

     
dVsa dVsa dVsa 2 dVsa
= a1 1 − βr +2a2 (Ven −βr Vsa ) 1 − βr +3a3 (Ven −βr Vsa ) 1 − βr +...
dVen dVen dVen dVen
(95)

18
Substituindo (90) em (95) vê-se que


dVsa 
= a1 (1 − βr a10 ) = a10
dVen Vsa =0,Ven =0
a1 = a10 + βr a10

a1
a10 = (96)
1 + β r a1
Agora, derivando (94) é obtida a seguinte expressão

2
d2 Vsa d2 Vsa

dVsa
2
= −a1 βr 2
+ 2a2 1 − βr +
dVen dVen dVen
2
d2 Vsa
  
dVsa
+ 2a2 (Ven − βr Vsa ) −βr 2
+ 6a3 (Ven − βr Vsa ) 1 − βr
dVen dVen
2
 
d Vsa
+ +3a3 (Ven − βr Vsa ) −βr 2
... (97)
dVen

portanto, de (90), (91) e (96) , segue que

2
d2 Vsa  d2 Vsa
 
0 dVsa
2 
= 2a2 = −a1 βr 2
+ 2a2 1 − βr
dVen Vsa =0,Ven =0 dVen dVen
2a20 = −a1 βr .2a2 + 2a2 (1 − a1 βr )2
a20 = −a1 βr a2 + a2 (1 − a1 βr )2
a20 (1 + a1 βr ) = a2 (1 − a1 βr )2
a1 βr
0 a2 (1 − a1 βr )2 a2 (1 − 1+a 1 βr
)2
a2 = =
1 + a1 βr 1 + a1 βr
1 2
a2 ( 1+a1 βr )
a20 =
1 + a1 βr

a2
a20 = (98)
(1 + a1 βr )3
Portanto

 
2−1  a2 
|a20 | |a2 | Ven,A
  (1+a1 βr )3   Ven,A 
Ven,A 1
DH20 = =  = . ( )
|a10 | (1 + βr a1 ) |a1 |

2 a1  2 2 2
 1+βr a1 

19
 DH2
DH20 = (99)
(1 + βr a1 )2
Agora, a fim de obter-se DH3 , deriva-se (94), então é obtida a seguinte expressão

d3 Vsa d3 Vsa d2 Vsa d2 Vsa

     
dVsa dVsa
3
= −a1 βr 3
+ 4a2 1 − βr −βr 2
+ 2a2 1 − βr −βr 2
dVen dVen dVen dVen dVen dVen
3
d3 Vsa
  
dVsa
+2a2 −βr 3
(Ven − βr Vsa ) + 6a3 1 − βr
dVen dVen
2
  
2 dVsa d Vsa
+12a3 (Ven − βr Vsa ) 1 − βr −βr 2
dVen dVen
d2 Vsa
  
2 dVsa
−6a3 (Ven − βr Vsa ) 1 − βr βr 2
dVen dVen
d3 Vsa
 
−3a3 (Ven − βr Vsa )2 −βr 3
(100)
dVen
Logo, de (92), (91) e (96), segue que

d2 Vsa 

2 
= 6a30
dVen Vsa =0,Ven =0
d3 Vsa d2 Vsa d2 Vsa
     
dVsa dVsa
6a30 = −a1 βr 3
+ 4a2 1 − βr −βr 2
+ 2a2 1 − βr −βr 2
dVen dVen dVen dVen dVen
3
d3 Vsa
   
dVsa
+2a2 −βr 3
(V en − β V
r sa ) + 6a3 1 − β r
dVen dVen
6a30 = 0 0
−a1 βr 6a3 + 6a2 (1 − βr a1 )(−βr 2a2 ) + 6a3 (1 − βr a10 )3
0
   3
βr a1 βr .2a2 βr a1
a30 (1 + βr ) = −a2 1 − . + a3 1 −
1 + βr a1 (1 + βr a1 )3 1 + βr a1
2
−2βr a2 a3
a30 (1 + βr ) = 4
+
(1 + a1 βr ) (1 + a1 βr )3
2βr a22
a3 − (1+a1 βr )
a30 (1 + βr ) =
(1 + a1 βr )63
2βr a22
a3 − (1+a1 βr )
a30 =
(1 + a1 βr )63
(101)

2βr a22
(1 − a3 (1+a1 βr )
)
a30 = a3 (102)
(1 + a1 βr )4

20
 E, portanto
2βr a2
2
(1− a )
3−1 3 (1+a1 βr )
|a30 | a3 2

Ven,A (1+a1 βr )4 Ven,a
DH30 = =
|a10 | 2 a1
1+a1 βr
4
E, portanto, de fato, como desejado

∼ DH3
DH30 = (103)
(1 + a1 βr )3

1.10 Distorção no emissor comum degenerado

Figura 9: Amplificador emissor comum degenerado

O amplificador emissor comum degenerado é basicamente um emissor comum, com uma re-
sistência no emissor, gerando uma realimentação do tipo série-série. A análise deste circuito será
feita usando-se quadriplo com parâmetros Z.

Figura 10: Modelo do quadripólo usando parâmetros Z

Para este modelo do quadripólo, vale a relação

Ven = V1 = Z11 i1 + Z12 i2 (104)

Vsa = V2 = Z12 i1 + Z22 i2 (105)

21
 A seguir, expande-se o modelo Z para o circuito total do amplificador emissor comum degen-
erado

Figura 11: Emissor comum degenerado usando modelo Z

O amplificador emissor comum é composto de 2 blocos, sendo um o amplificador (transistor) e

outro o resistor. Nota-se que neste circuito, os dois blocos estão conectados em série, o que leva a
uma facilidade nos cálculos da impedância total quando se utiliza modelo Z, pois

ZTij = ZA R
ij + Zij (106)
Sendo assim, o circuito pode ser simplificado, conforme segue

Figura 12: Modelo Z simplificado do emissor comum degenerado

Agora, pode-se obter a função de transferência do circuito. Aplicando-se a LKT nas malhas de
saı́da e entrada (um divisor de tensão simples), obtém-se
Para a malha de entrada

Ven − Rfonte i1 − ZT11 i1 − ZT12 i2 = 0

Ven − ZT12 i2
i1 = (107)
Rfonte + ZT11

Para a malha de saı́da

22
 ZT21 i1 + ZT22 i2 + Rcarga i2 = 0
−ZT21 .i1
i2 = (108)
ZT22 + Rcarga

Substituindo (107) em (108), pode-se achar uma expressão para i2 , tal que

−ZT21 Ven − ZT12 i2

 
i2 = .
ZT22 + Rcarga Rfonte + ZT11
ZT12 ZT21 −ZT21 Ven
 
i2 1 − =
(Rfonte + ZT11 )(Rcarga + ZT22 ) ZT22 + Rcarga
−ZT21
i2 ZT22 +Rcarga
=   (109)
Ven ZT12 ZT21
1− (Rfonte +ZT11 )(Rcarga +ZT22 )

aY
A equação (109) representa a função de transferência do circuito e está na forma =
1 + βaY
aY
, onde ay refere-se a uma transcondutância e β é o fator de realimentação. aL é o ganho
1 + aL
de malha do circuito realimentado. Por comparação, obtém-se

−ZT21 .ZT12
aL = (110)
(Rfonte + ZT11 )(Rcarga + ZT22 )

1.10.1 Determinação dos parâmetros

Transistor
Para o transistor, usa-se o modelo π-hı́brido a fim de obter os parâmetros Z.

Figura 13: Modelo π-hı́brido para o transistor

23
 vA


2 
ZA
21 = A
i1 i2 =0
ZA
21 .i1 = −gm v1 rsa
−gm v1 rsa
ZA 21 =
i1
A
Z21 = −gm rπ rsa (111)
ZA 11 = = rπ (112)

Considerações

ZT21 ≈ ZT21 A transmissão direta é muito maior no transistor que no resistor

ZT12 ≈ ZR12 A transmissão reversa é muito maior no resistor que no transistor

Resistor de realimentação

V1R  V2R 
 
ZR11 = R = RE ZR22 = R = RE
i1 i2 =0 i2 i1 =0
V1R 

ZR12 = R = RE
i 2 i1 =0
(113)

1.10.2 Cálculo da distorção

Agora, substituindo os valores calculados na equação (??), decorre que

−(−gm rπ rsa ).RE gm RE rsa 1

aL = = .  
(Rfonte + RE + rπ )(rsa + RE + Rcarga ) (1 + Rfonte +RE
(r
sa + RE + RC )

rπ
)
gm RE βRE
aL = Rfonte +RE
= (114)
1+ rπ
r π + R fonte + R E

A distorção em malha aberta deste circuito, é a mesma do emissor comum. Este cálculo já foi
feito anteriormente.
Para DH2 , obtém-se
Ven,A
DH2 =
4VT
No entanto, para um amplificador realimentado, pode-se calcular a distorção harmônica através
da fórmula
DHn,MA
DHn,MF =
(1 + a1β)

24
 Logo, pode-se calcular o DH2 para o amplificador emissor comum degenerado, conforme segue
Ven,A
4VT
DH2,MF = βRE
(1 + rπ +Rfonte +RE
)
 
Ven,A rπ + Rfonte + RE
DH2,MF = (115)
4VT rπ + Rfonte + (β + 1)RE

1.11 Distorção no cascode com TBJ

O cascode é um amplificador com dois estágios, sendo um, emissor comum e um, base comum.
Devido à caracterı́stica do base comum de ser um buffer de corrente, e sua expressão Isa =
β
Ien , a distorção neste estágio é desprezı́vel, pois depende tão somente da não linearidade
β+1
da curva βxIe . Portanto, calcular a distorção para um amplificador cascode é essencialmente a
mesma coisa que calcular a distorção para o estágio emissor comum, puramente. Isto já foi feito
anteriormente.

1.12 Distorção no fonte comum com JFET

Figura 14: Amplificador fonte comum com JFET

A equação caracterı́stica do JFET é dada por

 2
Vgs
Id = IDSS 1− (116)
VP
Portanto
2
Vgs
   
Ven Vgs 2 3 2
ID = f =f = a0 + a1 Ven + a2 Ven + a3 Ven + ... = 1 − Ven + 2
IDSS IDSS VP VP
Por comparação, obtém-se

25
 −2 1
a1 = a2 = a3 = a4 = a5 = ... = 0 (117)
VP VP2
Logo, DH3 = DH4 = DH5 = 0. E o DH2 pode ser obtido de

|a2 | Ven,A | V12 | Ven,A

DH2 = = −2P . (118)
|a1 | 2 | VP | 2

Ven,A
DH2 = (119)
4VP

26
2 Ruı́do
2.1 Projeto de polarização + cálculo de ruı́do
2.2 Questão teórica

3 Casamento de impedância
3.1 Casamento de impedância questão 1
3.2 Casamento de impedância questão 2
3.3 Casamento de impedância questão 3

4 Blindagem e aterramento
4.1 Questão teórica

5 Girador
5.1 Girador tipo I
5.2 Girador tipo II
5.3 Girador tipo III
5.4 Girador tipo IV

6 Estimativa de banda
6.1 Estimativa de banda no Cascode MOSFET
6.2 Estimativa de banda no cascode TBJ

7 Circuitos com transformadores

27