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FACULDADE FANOR DeVryBrasil

Curso de Engenharia
Disciplina: Cincia dos Materiais

UNIDADE IV
Imperfeies em slidos

Fortaleza 2015

INTRODUO

Conhecer as imperfeies nos arranjos


cristalinos;

Tipos de imperfeies ;

Importncia

dos

importncia

nas

materiais.

defeitos

sua

propriedades

dos

Materiais para Construo Mecnica

Imperfeies em Slidos Cristalinos

4.1 Introduo ao defeitos cristalinos


DEFEITOS EM SLIDOS CRISTALINOS so desvios em relao estrutura de
um cristal perfeito, descontinuidades ou irregularidades da rede cristalina.
Estas irregularidades podem ser:
NA POSIO DOS TOMOS.

NO TIPO DE TOMOS.

O tipo e o nmero de defeitos dependem do material, do meio ambiente e


das condies de processamento do material.
De acordo com a geometria (dimensionalidade), so classificados em:

PONTUAIS (dimenso zero).


LINEARES (unidimensionais).
INTERFACIAIS (bidimensionais).
VOLUMTRICOS (tridimensionais).
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4.2 Defeitos Pontuais Vacncia e Auto-intersticiais


Os defeitos pontuais normalmente encontrados nos metais so:
LACUNA OU VACNCIA: posio vazia na rede cristalina;
Formam-se durante a solidificao ou como resultado do deslocamento dos
tomos de suas posies normais (VIBRAES ATMICAS).
O nmero de lacunas existentes em um material aumenta
exponencialmente com a temperatura segundo a expresso:

Qv
N v N exp

k
T

Onde:
Nv: nmero de lacunas.
N: nmero total de posies na rede.
Qv: energia necessria para se criar uma lacuna.
T: temperatura absoluta [K].
k: constante de Boltzmann (1,38x10-23 J/tomoK ou
8,62x10-5 eV/tomoK).
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4.2 Defeitos Pontuais Vacncia e Auto-intersticiais

AUTO-INTERSTICIAL: tomo da prpria rede ocupando


um interstcio. Ocorre em freqncia muito menor do
que a lacuna por gerar maiores deformaes na rede
cristalina do material.

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4.2 Defeitos Pontuais Vacncia e Auto-intersticiais

tomo de impureza
substitucional
Lacuna

tomo de impureza
intersticial

Auto-intersticial

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4.2 Defeitos Pontuais Vacncia e Auto-intersticiais

Calcule o nmero de lacunas em equilbrio/m3 de cobre a 1000 C. A energia para a


formao de uma lacuna 0,9 eV/tomo. O peso atmico e a densidade (a 1000 C)
para o cobre so 63,5 g/mol e 8,4 g/cm3, respectivamente.

SOLUO: inicialmente, determina-se o nmero N de stios


atmicos em
V = 1 m3 = (1 m)3 = (102 cm)3 = 106 cm3:

NV
NA
N
A
VN
A

6,023 10
N 8,4 g/cm
A

23

tomos/mol 106 cm 3
N 8,0 10 28 tomos/cm 3
63,5 g/mol

Ento, para T = 1000 C = 1000 + 273 K = 1273 K:

0,9 eV
Qv
Nv/N =282,2 1025/ 8,03 1028
N v N exp N v 8,0 10 tomos/cm exp

-5 VAZIOS.
N
/N
~
0,0275%
dos
stios
atmicos
ESTO
v

k
T
8,62

10
eV/K
1273
K

N v 2,2 10 25 lacunas/cm3
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4.3 Impurezas em slidos

Impurezas ou tomos estranhos estaro SEMPRE presentes nos materiais de uma forma
geral.

IMPOSSVEL obter um METAL PURO constitudo por apenas um tipo de tomo. Com
pureza de 99,9999%, h ~ 1022 a 1023 tomos/m3.

Nas LIGAS, os tomos de impurezas so adicionados para se conferir caractersticas


especficas aos materiais: aumentar a resistncia mecnica, corroso, a condutividade
eltrica. Exemplo: liga DURALUMNIO (96% Al + 4% Cu) 10 VEZES MAIS RESISTENTE
MECANICAMENTE do que o alumnio puro, sendo empregada na indstria aeronutica.

A adio de tomos de impureza a um metal pode resultar em uma SOLUO SLIDA e/ou
em uma NOVA FASE. No primeiro caso, fala-se em SOLVENTE (elemento em maior
concentrao) e SOLUTO (elemento em menor concentrao).
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4.3 Impurezas em slidos

Soluo slida: ao com


0,06%p de C

Duas fases:ao com


1,4%p de C

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4.3 Impurezas em slidos Soluo slida


Podem ser de dois tipos:

SUBSTITUCIONAIS: os tomos do soluto (impureza) tomam o lugar dos tomos do

solvente (TOMOS HOSPEDEIROS). Exemplo: Cu + Zn.


INTERSTICIAIS: os tomos de impureza ocupam os interstcios entre os tomos do
solvente. O raio atmico do soluto deve ser substancialmente menor do que o do

solvente. Concentrao mxima: <10%. Exemplo: Fe- + C (FERRITA).

Ferro
Carbono

Zinco
Cobre

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Exemplo
O raio do interstcio existente no centro de cada face da clula CCC pode ser
determinado como se segue. Dados: raio atmico do ferro e do carbono, RFe =
0,124 nm = 1,24 e RC = 0,071 nm = 0,71 . Das figuras abaixo, segue-se:

a
rint RFe
2

Plano (200)

Para a clula CCC, a

4RFe
, logo:
3

2 3 RFe
2RFe
rint
RFe
3
3

RFe

2 3 1,24 A 0,19 A

rint

rint

Rc/rint = 0,71/0,19 = 3,7, o que explica a baixssima solubilidade do


C no Fe- (mxima de 0,022%p a 727C)

a/2
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4.3 Impurezas em slidos Hume-Rothery

Grau de mistura entre soluto e solvente, depende:


1. TAMANHOS SEMELHANTES: raios atmicos no podem diferir em
mais do que 14-15%.
2. MESMA ESTRUTURA CRISTALINA.
3. ELETRONEGATIVIDADE SEMELHANTE.
4. MESMO NMERO DE VALNCIA.

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4.3 Impurezas em slidos Especificao
da
composio

Especifica a composio pelas formas a seguir:


% em peso (%p) (kg do componente/kg da mistura):

m1
C1
100
m1 m 2
Onde m1 e m2 representam, respectivamente, o peso (ou massa)dos
elementos 1 e 2.
% molar/atmica (n de moles do componente/n de moles da mistura):

n m1

m'1
A1

n m1
C'1
100
n m1 n m2

Onde nm1 e nm2 representam, respectivament, o n de moles dos elementos


1 e 2.

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4.3 Impurezas em slidos Composies de ligas


binrias: converses

Porcentagem em peso PARA porcentagem atmica:


C1 A 2
C'1
100
C1 A 2 C2 A1

C'2

C2 A1

C1 A 2 C2 A1

100

Porcentagem atmica PARA porcentagem em peso:


C'1A 2

C1
100
C'1A 2 C'2 A1

C2

C'2 A1

C'1A 2 C'2 A1

100
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4.3 Impurezas em slidos Composies
de ligas
binrias por volume de material

Porcentagem em peso PARA massa por unidade de volume (kg/m3):

C
"
1
103
C1
C1 C2

1
2

C
2
103
C"2
C1 C2

1
2

Onde C a massa do componente/volume da mistura, a densidade do


componente (em kg/m3).
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4.3 Impurezas em slidos Determinao
de densidade
e peso a partir da composies de ligas binrias

DENSIDADE

med

med

100
C1 C2

1 2

A med

C1' A1 C'2 A 2
C1' A1 C'2 A 2

PESO ATMICO

Amed

100
C1 C2

A1 A 2

C1' A1 C'2 A 2

100

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4.4 Discordncias Defeitos lineares

DISCORDNCIA: defeito unidimensional em torno do qual h um


desalinhamento de tomos.
ORIGEM: solidificao, deformao plstica, tenses trmicas (resfriamento
rpido).
Responsveis pela deformao plstica de slidos cristalinos
(especialmente metais).
TIPOS DE DISCORDNCIAS
Aresta.

Espiral.
Mista.
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4.4 Discordncias tipo Aresta


Corresponde aresta de um semiplano adicional de tomos.
representada pelo smbolo .
Gera tenses de trao/compresso na rede.

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4.4 Discordncias tipo espiral

Os tomos formam uma trajetria helicoidal em torno


da linha da discordncia.

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4.4 Discordncias tipo mista espiral +aresta

Apresenta caractersticas de discordncias aresta e espiral.

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4.4 Discordncias Vetor de Burgers

Em um cristal perfeito, os pontos inicial de final de um circuito de mxn distncias


atmicas coincidem.
O VETOR DE BURGERS o vetor necessrio para se fechar um circuito traado em
torno de uma discordncia, ligando o ponto final ao inicial.
4 5 4

Cristal perfeito

5
4
4

Cristal com discordncia em


aresta
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4.4 Discordncias Vetor de Burgers

O vetor de Burgers constante. Sua magnitude igual distncia interatmica.

Caracteriza a natureza da discordncia (aresta, hlice ou mista):


ARESTA: o vetor perpendicular linha de discordncia.
ESPIRAL: o vetor paralelo linha de discordncia.

MISTA: o vetor no perpendicular, nem paralelo linha de discordncia.

(a)

(b)

(c)
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Tecnologia dos Materiais

Defeitos em Slidos Cristalinos

Observaes das discordncias


Deformao plstica refere-se a mudana irreversvel de forma, que
permanece mesmo aps a remoo que causou a deformao;

Deformao elstica mudana temporria de forma, relacionada ao


estiramento das ligaes atmicas;
Deformao plstica movimento das discordncias;
Deslizamento realizado pelas discordncias proporciona ductilidade do
material;

O aumento das discordncias dificulta seu movimento, aumentando a


resistncia do material;
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4.5 Defeitos Interfaciais


So contornos que possuem duas dimenses e, normalmente,
separam regies dos materiais de DIFERENTES ESTRUTURAS

CRISTALINAS e/ou ORIENTAES CRISTALOGRFICAS.


Essas imperfeies incluem, entre outros:
Superfcie externa.
Contorno de gro.
Contorno de macla.

Falhas de empilhamento.
Fronteiras entre fases.
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4.5 Defeitos Interfaciais Superfcies externas

o tipo de contorno (defeito planar) mais bvio, ao longo do qual termina a


estrutura do cristal.
Na superfcie, os tomos no esto ligados ao nmero mximo de vizinhos mais
prximos. Isto implica que esto em um estado energtico maior do que o dos
tomos do interior do cristal.
Esta energia adicional gera uma ENERGIA DE SUPERFCIE (J/m2).

tomo normal
tomo com maior energia
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4.5 Defeitos Interfaciais Contornos de gro

Materiais POLICRISTALINOS so formados por um grande nmero de cristais com


diferentes orientaes cristalogrficas (GROS). Cada cristal formado por inmeras
clulas unitrias.
GRO = CRISTAL

CONTORNO DE GRO: superfcie que separa dois cristais adjacentes. Essa fronteira
um defeito bidimensional.

No interior do gro todos os tomos esto arranjados segundo um NICO MODELO e


NICA ORIENTAO, caracterizada pela clula unitria.

De modo semelhante superfcie, os tomos do contorno de gro possuem um estado


energtico mais elevado do que os tomos do interior do gro. Por isso eles so MAIS
QUIMICAMENTE REATIVOS.

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4.5 Defeitos Interfaciais Contornos de gro

Mudanas de fase e segregao de tomos de impureza ocorrem


preferencialmente ao longo do contorno de gro.
GROS GRANDES MENOR REA DO CONTORNO DE GRO MENOR
ENERGIA SUPERFICIAL.

GROS PEQUENOS MAIOR REA DE CONTORNO DE GRO MAIOR


ENERGIA INTERFACIAL.

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4.5 Defeitos Interfaciais Contornos de gro

um tipo especial de contorno de gro, onde existe uma simetria em


ESPELHO da rede cristalina: Os tomos de um lado do contorno so
IMAGENS dos tomos do outro lado do contorno.
A macla ocorre num plano definido e numa direo especfica, conforme a
estrutura cristalina.
Plano de macla (twin
plane)

Formam-se pela aplicao de tenso


mecnica (MACLAS DE DEFORMAO)
ou em tratamentos trmicos de recozimento
(MACLAS DE RECOZIMENTO).

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4.5 Defeitos Interfaciais Contornos de gro

FALHA DE EMPILHAMENTO: erro na seqncia ABCABC... de


metais CFC.
CONTORNOS DE FASE: descontinuidade das propriedades
fsicas/qumicas.

Duas fases:perlita
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4.6 Defeitos Volumtricos ou de massa

So normalmente introduzidos durante o


processamento e a fabricao do material.
Tipos:
POROS.
TRINCAS.
OUTRAS FASES.
INCLUSES.
Incluses de xido de cobre (Cu2O) em
cobre de alta pureza (99,26%)

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4.7 Vibraes atmicas


Os tomos de todo material slido a uma temperatura acima de 0 K
no esto em repouso, mas sim VIBRANDO em torno de posies

mdias.
A uma dada temperatura, nem todos os tomos esto vibrando com
a mesma freqncia e amplitude.
FREQNCIA TPICA TEMPERATURA AMBIENTE: 1013 vibraes/s,
com amplitude de poucos milsimos de nanmetro

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4.9 Microscopia microscopia tica


Preparao: lixamento, polimento, ataque;

Imagem no
microscpio

Microscpio

Superfcie
polida e
atacada

Ranhura
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4.8 Vibraes atmicas


MICROSCOPIA ELETRNICA: utiliza feixe de eltrons ao invs de
radiao luminosa.
MICROSCOPIA ELETRNICA DE TRANSMISSO (MET)
Ampliaes de at 1.000.000X

MICROSCPIO ELETRNICO DE VARREDURA (MEV)


Ampliaes de 10 a mais de 50.000X

MICROSCPIO COM SONDA DE VARREDURA (MSV)


Gera imagens tridimensionais
Ampliaes de at 109X

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4.10 Determinao do tamanho de gro


Determinao do dimetro do gro (MTODO DOS INTERCEPTOS)
d

Onde:

L
n A

d: dimetro mdio do gro.


L: comprimento da linha.
n: nmero de gros interceptados pela linha.
A: ampliao linear da imagem.

Tamanho do gro (MTODO ASTM): define o NMERO DE TAMANHO DE


GRO n como:
N = 2n-1

Onde:
N: nmero de gros por POLEGADA QUADRADA em uma superfcie do
material, polida e contrastada, observada com uma ampliao de 100x.
n: nmero designado NMERO ASTM DE TAMANHO DE GRO.
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4.10 Determinao do tamanho de gro

N de tamanho de gro (n)

Nmero de gros por mm2 com 1x

15,5

31,0

62,0

124

248

496

992

1980

3970

10

7940
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4.10 Determinao do tamanho de gro

TG ASTM 1: 15,5 gros/ mm2


d 0,287 mm

TG ASTM 8: 1980 gros/ mm2


d 0,0127 mm

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Importncia dos defeitos


Os defeitos dos materiais , tais como discordncias, defeitos pontuais e contornos de
gro, atuam como barreiras para discordncias, 03 mecanismos de endurecimento
baseia-se nas trs categorias de defeitos;
Endurecimento por deformao (encruamento): Aumentando o n de
discordncias aumenta a tenso necessria para seu movimento, material fica mais
resistente;
Endurecimento por soluo slida: tomos ou ons esto completamente
solubilizados pela estrutura cristalina da matriz, necessitando de tenses maiores
para movimento das discordncias;
Endurecimento por tamanho de gro: Aumentar o nmero de gros, reduz o
tamanho do gro, dificultando a movimentao das discordncias, aumentando
resistncia;
Efeitos nas propriedades eltricas, pticas e magnticas: Incorporao adequada de
dopantes permite controlar de modo preciso as propriedades eltricas dos
semicondutores.

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