TRANSISTORES UNIPOLARES

Existen 2 tipos de transistores, los bipolares y los unipolares, estos ltimos que
se basan en el movimiento de un solo tipo de cargas, electrones o huecos, por
ello el prefijo uni-. En este tipo de transistor, las uniones PN se polarizan
siempre en inverso. El funcionamiento de estos transistores es
significativamente diferente a los bipolares.
Los transistores unipolares se dividen en dos grupos, los transistores de unin
de efecto de campo, JFET o FET, que a su vez se dividen en transistores de
canal N y transistores de canal P, y los transistores metal-xido-semiconductor
de efecto de campo o MOSFET. Dentro de este grupo se distinguen dos
subgrupos, MOSFET de enriquecimiento y MOSFET de empobrecimiento, que se
dividen al igual que los FET en canal N y canal P. La figura a continuacin
muestra la simbologa para los diferentes tipos de transistores.

Transistores JFET
Este transistor est formado por una pastilla de semiconductor tipo N, en la
cual se difunden dos zonas de semiconductor tipo P. La difusin puede hacerse
utilizando una sola cara, o bien, utilizando ambas. En la figura siguiente se
observa la estructura esquemtica de este transistor. Si en lugar de utilizar una

pastilla de semiconductor tipo N se utiliza una de P y se difunden dos zonas N,

se obtiene un
transistor FET de
canal P.

Esquema de un transistor de efecto de campo.

Este transistor posee, al igual que el bipolar, 3 terminales, que se

denominan fuente (source), drenaje (drain) y puerta (gate).
Drenaje y fuente: Son los terminales que estn unidos a la pastilla de
semiconductor (N o P). Los portadores mayoritarios salen por el drenaje y
entran por la fuente. Se denominan por las letras D y S respectivamente. La
conduccin entre estos dos terminales se comporta como la de una resistencia
cuyo valor est controlado por la tensin de puerta.
Puerta: Se corresponde con las zonas difundidas. Se comporta como la de un
diodo polarizado en inverso, por lo tanto presenta una alta resistencia de
entrada y casi no circula corriente por ella. Si estn las dos unidas
interiormente y se tiene accesible un solo terminal, se tiene un FET de una
puerta, y si estn separadas, un transistor FET de dos puertas. La puerta se
representa por la letra G del ingls gate.
Los transistores FET tienen un comportamiento muy similar a las vlvulas de
vaco; se suele decir que son dispositivos de transconductancia en los que la
corriente est controlada por la tensin de puerta. Los componentes discretos
se emplean en etapas de entrada de amplificadores operacionales por su alta
impedancia de entrada, linealidad y bajo ruido. Los dispositivos de potencia se
usan ventajosamente para sustituir transistores convencionales en las etapas
de potencia ya que son mas rpidos, mas robustos y carentes de fenmenos de
embalamiento trmico. Se emplean en conmutacin de potencia debido a sus
bajas resistencias internas de conduccin.
Transistores MOSFET

La construccin y estructura de estos dispositivos es muy similar al FET e

igualmente sus electrodos se denominan puerta, drenaje y fuente. La
diferencia se encuentra en que la puerta est aislada del canal mediante una
capa de xido de silicio (SiO2). Estos transistores reciben, tambin, el nombre
de IGFET (del ingls insulated gate, puerta aislada).
MOSFET de empobrecimiento. La estructura de este tipo de MOSFET est
representada en la siguiente figura. En una pastilla de material N, se difunde
una zona p denominada sustrato. En este caso se tiene un MOSFET canal P, si
se hace a la inversa se obtendr un MOSFET canal N. Este tipo de transistor
apenas se utiliza, pero su importancia radica en que fue el primer paso para el
MOSFET de enriquecimiento, de gran importancia en electrnica digital y en los
ordenadores.

Mosfet de empobrecimiento.

MOSFET de enriquecimiento. La diferencia con el transistor de

empobrecimiento est en que en la pastilla de semiconductor N se difunden
dos zonas tipo P, para el transistor de canal P.

Corte
esquemtico

de un
transistor Mosfet.

Los transistores MOSFET, se emplean ventajosamente en etapas amplificadoras

y mezcladoras de radiofrecuencia. Dispositivos construidos con arseniuro de
galio como material base se emplean en amplificadores de potencia en
radiofrecuencia hasta frecuencias de ms de 35 Ghz. Los pares
complementarios CMOS constituyen el elemento bsico de los circuitos
integrados digitales de las familias lgicas CMOS. Con esta tecnologa se
fabrican actualmente la mayora de los circuitos digitales de los ordenadores
personales.

Simbologa de los transistores unipolares

Modelo hbrido {H} de un transistor bipolar

Conversin de parmetros hbridos

Modelo o
Giacoletto

de

El modelo hbrido es un modelo emprico obtenido a travs de la teora de

redes bipuerta. El transistor es tratado como caja caja negra y se modela a
travs de cuatro parmetros obtenidos experimentalmente al aplicar

componentes de pequea seal y analizando su comportamiento. El modelo

o de Giacoletto simplificado, mostrado en la figura 2.16, es un modelo analtico
ms relacionado con la fsica del funcionamiento de los transistores y se
obtiene a partir de sus ecuaciones analticas. Este modelo de pequea seal es
utilizado por SPICE. Ambos modelos son muy similares y su principal diferencia
se encuentra en el origen de su definicin. La relacin entre los parmetros de
modelo hbrido y se indican en las ecuaciones de la figura 2.16. Los
condensadores C y C, que limitan la frecuencia mxima de operacin del
transistor, nicamente tienen efecto a alta frecuencia y a frecuencias medias y
bajas se desprecian.