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Fundamentos de Semiconductores
1 Introduccin
La electrnica es una rama de la fsica y una especializacin de la ingeniera, que
estudia y emplea sistemas cuyo funcionamiento se basa en la conduccin y el control del
flujo microscpico de los electrones u otras partculas cargadas elctricamente.
Esta rama utiliza una gran variedad de conocimientos, materiales y dispositivos, como
los son los semiconductores, y es precisamente de estos materiales que trata el siguiente
trabajo.
El diseo y la construccin de circuitos electrnicos, como todo lo inventado por el
hombre, se utilizan para resolver problemas o realizar tareas cotidianas de manera ms
practica y sencilla. El estudio de los materiales semiconductores se suele considerar una
rama de la fsica, y de forma ms concreta en la ingeniera de materiales (rama de la
ingeniera).
Como es bien sabido la electrnica busca manejar el flujo de electrones de tal manera
que realicen una funcin especfica, para ello es necesario conocer las principales caractersticas de los diferentes materiales, as como realizar un anlisis sobre los efectos que
tienen dichas propiedades bajo ciertas circunstancias y as poder utilizar tales materiales
y efectos para realizar alguna tarea determinada.
La base de este estudio es conocer su estructura de los semiconductores y el comportamiento que los rige bajo ciertas condiciones, acerca de dicho estudio existe la teora
atmica, que trata sobre de la naturaleza de la materia, el precepto bsico en que se
fundamente consiste en la aseveracin de que la materia est esta compuesta por pequeas partculas llamadas tomos, la teora atmica comenz hace miles de aos basada en
conceptos filosficos. Con el paso del tiempo se han desarrollando diversas teoras acerca de la naturaleza de la materia, histricamente se presentaron descubrimientos sobre
las partculas subatmicas que promovieron la creacin de diferentes modelos sobre la
estructura atmica de todo aquello que existe en la naturaleza.
EL presente trabajo pretender ser accesible para todo aquel estudiante que haya cursado alguna materia de qumica y est prximo a tomar algn curso sobre materiles
semiconductores, se presenta la informacin de la manera ms sencilla posible mientras
se cubrenr algunos puntos bsicos sobre el fundamento de semiconductores.
El slido cristalino
(a) Monocristal.
(b) Policristal.
Los vrtices de las celdas unitarios representan un tomo, ion o molcula y se denominan puntos reticulares. En muchos cristales este punto en realidad no contiene tal
partcula; en su lugar, puede haber varios tomos, iones o molculas distribuidos en forma
idntica alrededor de cada punto reticular. Estas partculas se representan como esferas
dentro de la estructura cristalina. Las longitudes de los lados de las celdas unitarias y
los ngulos entre estos lados son conocidos como parametros de la red, descritos por la
geometra de la celda.
La celda unitaria ms simple es la cbica ya que todos sus lados y ngulos son iguales.
Cualesquiera de las celdas unitarias que se repitan en el espacio tridimensional forman
una estructura reticular caracterstica de un slido cristalino.
En ocasiones resulta ms sencillo construir otro tipo de celdas que, sin ser unitarias,
describen mejor la estructura de la red que tratamos. Este tipo de celdas se denominan
celdas convencionales. stas tienen, a su vez, sus propios parmetros de red y un volumen
determinado. Todas estas celdas se consideran celdas primitivas ya que son capaces de
cubrir todo el espacio mediante traslaciones sin que queden huecos ni solapamientos.
Para determinar completamente la estructura cristalina elemental de un solido, adems
de definir la forma geomtrica, es necesario establecer las posiciones en la celda de los
tomos o molculas que forman el solido cristalino (puntos reticulares), los tipos de
posiciones son:
Celda primitiva o simple en la que los puntos reticulares son slo los vrtices del
paraleleppedo.
Celda centrada en las caras, que tiene puntos reticulares en las caras, adems de
tenerlos en los vrtices.
Celda centrada en el cuerpo que tiene un punto reticular en el centro de la celda,
adems de tenerlos en los vrtices.
Celda primitiva doblemente centrada en las caras.
Si bien en muchos casos existen distintas formas para las celdas unitarias de una
determinada red, el volumen de toda celda unitaria es siempre el mismo.
Una red cristalina es una matriz de puntos que describe la disposicin de las unidades
que componen un cristal.
Los elementos geomtricos de los cristales son las caras planas, las aristas rectas y los
vrtices angulares, estos elementos se relacionan segn la ecuaci+on siguiente ecuacin:
c+v =a+2
(2.1)
Donde:
c es el nmero de caras;
v es el nmero de vrtices;
a es el nmero de aristas.
Los ngulos entre las correspondientes caras de los cristales de un mismo compuesto
qumico son constantes.
Al estudiar las propiedades fsicas de un cristal, generalmente resulta que tienen diferentes valores segn las distintas direcciones, es decir que son anistropos. Por ejemplo,
las magnitudes que caracterizan la dureza, conductibilidad trmica, elasticidad y otras
propiedades de los cristales varan segn la direccin en que se observan.
2.2.
2.2.1.
Cristales inicos
El cristal est formado por iones positivos y negativos unidos entre si mediante fuerzas
de naturaleza electrosttica Hay que decir que este tipo de cristal son malos conductores
del calor y de la electricidad ya que carecen de electrones libres. Pero cuando el cristal
es sometido a una temperatura elevada los iones adquieren movilidad y aumenta su
conductividad elctrica. Un ejemplo de este tipo de cristal es el cloruro de sodio (NaCl)
comnmente conodio como sal de mesa.
Cristales covalentes
Los tomos de los cristales covalentes se mantienen unidos en una red tridimensional
nicamente por enlaces covalentes. Est tipo de cristal son extremadamente duros y
difciles de deformar, y son malos conductores del calor y por lo tanto de la electricidad
(ya que sabemos que el calor y la conductividad tienen una relacin directa) ya que no
existen electrones libres que trasladen energa de un punto a otro. Ejemplo de un cristal
covalente es el cuarzo.
2.2.2.
Cristales moleculares
2.2.3.
Cristales metlicos
La estructura de los cristales metlicos es ms simple porque cada punto reticular del
cristal est ocupado por un tomo del mismo metal. Se caracterizan por tener pocos
electrones dbilmente ligados a sus capas ms externas. Estn cargados positivamente.
Su conductividad es Excelente tanto trmica como elctrica debido a sus electrones libres.
2.3.
Crecimiento cristalino
Los cristales surgen en los cambios de estados, es decir, cuando un cuerpo pasa de un
estado (o fase) a otro (u otra).
Se pueden indicar las siguientes mutaciones fundamentales que originan la sustancia
cristalina:
1. Paso del estado lquido al slido: cristalizacin por fusin o por disolucin.
2. Paso del estado gaseoso al slido: cristalizacin por sublemacin.
3. Paso de una slida a otra, acompaada de un cambio de forma de la estructura
cristalina. Este fenmeno se denomina recristalizacin.
El crecimiento cristalino es la etapa principal de el proceso de cristalizacin. La cristalizacin es el proceso mediante el cual se forma un slido cristalino, ya sea a partir de
un gas, un lquido o una disolucin, en este proceso los iones, tomos o molculas que
constituyen la red cristalina crean enlaces hasta formar cristales.
El crecimiento de cristales en semiconductores es muy frecuente debido a que existe una
gran aplicacin de materiales cristalinos en la industria electrnica, ya que la utilizacin
de diversas tcnicas de crecimiento de cristales en semiconductores son utilizadas de
manera extensa en la fabricacin de dispositivos electrnicos.
3 Materiales semiconductores
3.1.
Desde el punto de vista el elctrico, los materiales suelen dividirse en tres categoras
atendiendo su nivel conductivo, es decir su capacidad para permitir el paso de partculas
cargadas a travs de el, debido a esta propiedad se clasifican en conductores, semiconductores y aislantes, la conductividad es una de las magnitudes que admite mayor espectro de
variacin esto indica que los diferentes tipos de materiales presenten fenmenos elctricos
muy diversos.
Los conductores elctricos son aquellos materiales que, puestos en contacto con un cuerpo cargado
de electricidad, transmiten sta a todo los puntos
de su superficie. Los mejores conductores elctricos
son los metales y sus aleaciones. Existen otros materiales, no metlicos que tambin poseen la propiedad de conducir la electricidad, como son el grafito,
las soluciones salinas y cualquier material en estado
de plasma.
Los dielctricos, tambin conocidos como aislanFigura 3.1: Alambre de cobre
tes, son los materiales que no conducen la electricidad, algunos ejemplos de estos materiales son el
vidrio, cermica, plsticos, goma, mica, cera, papel, madera seca, porcelana, por mencionar algunos. Aunque no existen materiales absolutamente aislantes o conductores, sino
mejores o peores conductores, son materiales muy utilizados para evitar cortocircuitos.
Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante
dependiendo de diversos factores, por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin,
la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.
3.2.
3 Materiales semiconductores
El grupo de materiales semiconductores presenta un comportamiento intermedio entre
conductores y aislantes, los semiconductores en estado puro y a temperaturas bajas
presentan una conductividad relativamente baja por lo que sus propiedades se asemejan
a las de los aislantes. Sin embargo, la conductividad de estos materiales es una funcin
creciente con la temperatura de forma que a la temperatura ambiente la mayora de
los semiconductores presentan una conductividad apreciable, aun que siempre es menor
que la de un metal. Incluso a una temperatura dada, es posible variar a voluntad la
conductividad de estos materiales si se les aade una cantidad controlada de impurezas de
determinates elementos qumicos. Es precisamente esta caracterstica la que ha permitido
desarollar una gran variedad de componentes y dispositivos electrnicos basados en los
materiales semiconductores.
Como se sabe los materiales se clasifican por sus propiedades electrostticas, la ms
simple clasificacin de este tipo hace referencia a la resistividad, en los metales esta
magnitud oscila entre 106 y 104 ohmioscm, el grupo de sustancias de resistividad entre
1004 y 1010 ohmioscm pertenecen a los semiconductores (por ejemplo, la resistividad del
sulfuro de cadmio CdS, a la temperatura ambiente y segn la tecnologa de su elaboracin,
se encuentra entre los lmites desde 103 hasta los 1012 ohmios cm, mientras que la del
germanio desde 5 104 hasta 47ohmios cm). Por ltimo, las sustancias de resistividad
mayor a al orden de 1010 ohmios cm corresponde al grupo de los dielctricos.
En los semiconductores la relacin de la temperatura y la resistividad se representa
mediante una formula matemtica:
= 0 e T
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3 Materiales semiconductores
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3 Materiales semiconductores
(a)
(b)
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4.1.
4.1.1.
En la mayora de los enlaces covalentes, los tomos tienen diferentes niveles de electronegatividad, y como resultado, un tomo tiene mayor fuerza de atraccin por el par de
electrones compartidos que el otro tomo. Generalizando cuando se unen dos tomos no
metlicos diferentes, los electrones se comparten en forma desigual, en un enlace covalente en el que los electrones se comparten de forma desigual se denomina enlace covalente
polar.
El termino polar indica que existen separacin de cargas, un lado del enlace covalente
es ms negativo que el otro, esta atraccin desigual produce un dipolo en la molcula.
4.1.2.
Cuando el enlace lo forman tomos del mismo elemento, la diferencia de electronegatividad es cero, entonces se forma un enlace covalente no polar. El enlace covalente no polar
se presenta entre tomos del mismo elemento o entre tomos con muy poca diferencia de
electronegatividad
En los elementos como el silicio y el germanio los electrones estn compartidos entre
los tomos, enlace covalente, la formacin de este tipo de enlaces en estos elementos
posibilita el comportamiento semiconductor por medio del dopaje o adicin de impurezas
los elementos.
Nota: La electronegatividad hace referencia a la capacidad de un tomo para atraer
hacia s los electrones de un enlace qumico.
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Material intrnseco
Los materiales intrnsecos, son aquellos semiconductores que se han refinado cuidadosamente con el objeto de reducir las impurezas hasta un nivel muy bajo, tan puros como
sea posible mediante la utilizacin de tecnologa moderna. Estos carecen de impurezas o
de agitacin trmica, un cristal semiconductor no conduce electricidad debido a que sus
electrones, los de las capas completas y los que participan en los enlaces, estn localizados
alrededor de sus propios tomos, en condiciones de temperatura cercana al cero absoluto.
Un semiconductor intrnseco contiene cierto nmero de portadores por unidades de
volumen, ya sean electrones o huecos, adems de la concentracin de portadores existe
otra relacin entre el numero portadores y la temperatura del semiconductor llamada
concentracin intrnseca.
Como se puede observar en la grfica la concentracin intrnseca de un semiconductor
vara directamente proporcional a la temperatura, es decir a mayor temperatura mayor
concentracin intrnseca.
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= q (nn + )
De donde:
q representa la carga del electrn (1.602 1019 C).
n y p es la movilidad de electrones y de huecos, respectivamente.
La movilidad de portadores se refiere a la velocidad v de estos por unidad de campo
elctrico aplicado.
5.2.
Material extrnseco
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5.2.1.
Semiconductor tipo n
18
5.2.2.
Semiconductor tipo p
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La representacin de la energa de los electrones en los distintos puntos del semiconductor se denomina modelo de bandas de energa. Cuando en lugar de dos tomos, son
muchos ms los que interactan, como en el caso de un cristal, el nivel original de energa
se debe subdividir en tantos niveles como tomos interacten. Aparecen as intervalos
de energa en los cuales hay una gran densidad de niveles permitidos, y da la impresin
de que hay continuidad de energas permitidas. Se dice entonces que ese intervalo constituye una banda de energa permitida. Cuando en un intervalo de energas no hay nivel
permitido, se le denomina banda prohibida.
Las energas de los electrones de la banda de valencia se agrupan en un intervalo que
se denomina banda de valencia. Las energas que pueden tener los electrones que se han
desligado de los enlaces covalentes se agrupan tambin en un intervalo, denominado banda
de conduccin. Entre las dos bandas antes mencionadas se extiende la banda prohibida,
donde ningn electrn puede tener una energa de ese margen.
Cuanto mayor es el valor de la banda prohibida ms fuerte es el enlace covalente y
menos electrones lo pueden romper, por lo cual el semiconductor es ms aislante.
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7.1.
f (E) =
1+e
De donde:
e base de lo logaritmos neperianos
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(EEf )
KT
7.2.
Segn la fsica clsica todas las partculas son distinguibles y pueden ocupar el mismo estado. Esta consideracin conduce a una distribucin de ocupacin conocida como
funcin de distribucin de Maxwell-Boltzmann. El comportamiento de las molculas de
un gas en un recipiente s un ejemplo de esta distribucin, extrapolando la funcin que
rige esta distribucin podemos tener un aproximado de las portadores de carga en ciertos
niveles energticos
E
f (E) = Ae KT
De donde:
f (E) es la funcin de distribucin
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25
8.1.
El nivel de Fermi depende de la energa del tope de la banda de valencia, del fondo de la
banda de conduccin y de la densidad de estados en las bandas de valencia y conduccin,
y se expresa matemticamente de la siguiente manera:
Ei =
kT Nv
Ec Ev
+
ln
2
2
Nc
26
Eg
3kT mh
ln
2
4
me
De donde:
Ei es el Nivel de Fermi Intrnseco.
Ev es el nivel energtico en el tope de la banda de valencia.
Ec es el nivel energtico del fondo de la banda de conductividad.
Eg es el valor de la banda prohibida.
k es la constante de Boltzmann.
T es la temperatura.
mh y me son la masa de los portadores de carga (huecos y electrones respectivamente).
8.2.
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8.2.1.
8.2.2.
p
ni
En los materiales tipo N el dopado se forma a partir de elementos que cuenten con
cinco electrones en su banda de valencia, es decir un material pentavalente, debido a
este tipo de dopado la concentracin de portadores mayoritario se debe a los electrones,
de la formula de la seccin 8.2 se puede deducir que al aumentar la concentracin de
electrones aumenta el valor de la funcin de distribucin de Fermi-Dirac por lo tanto
la grfica de la funcin sufre un cambio con respecto a la de los materiales intrnsecos,
y por lo tanto el nivel de Fermi tambin vara, en la Figura?? se puede observar ese
cambio. Como se puede apreciar el nivel de Fermi en este tipo de materiales se acerca a
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n
ni
Movilidad
Gracias a la energa trmica los portadores libres se mueven por el cristal. En una sustancia real siempre existen alteraciones de la estructura cristalina, determinadas por las
oscilaciones trmicas de los tomos del cristal, con la presencia de distintos tipos de defectos e impurezas. Por eso, el portador de carga libre chocar con las heterogeneidades
(defectos) de la red cristalina al desplazarse por el cristal, debido a la cual se modifica la direccin de su movimiento. Como consecuencia, el movimiento termal (agitacin
trmica) del portador de carga libre es desordenado.
dv
dt
F
m
dv =
F
m dt
30
qE
m[p,n]
De donde:
es la velocidad para los portadores.
a es la aceleracin.
q es la carga del portador(+q para los huecos y q para los electrones).
E representa el campo elctrico.
m[p,n] es la masa de los portadores de carga (huecos y electrones respectivamente).
Pero la velocidad se modifica entre colisiones, entonces es necesario conocer la velocidad
media de los portadores:
=
qc
E
2m[n,p]
qc
movilidad[cm2/Vs]
2m[n,p]
9.2.
Conductividad
9.3.
Conductividad intrnseca
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9.4.
Conduccin extrnseca
9.5.
Proceso de conduccin
9.5.1.
Corriente de arrastre
La presencia de de un campo elctrico aplicado a un solido es responsable del movimiento de portadores de carga negativos en sentido contrario al campo, con una ganancia
de velocidad debido al campo, la consecuencia es la aparicin de una corriente elctrica,
denominada corriente de arrastre producida por la diferencia de potencial entre puntos
del slido. Debido a que existen dos tipo de portadores de carga en el solido se producirn entonces dos corriente de arrastre, una debido a los electrones y otra debido a los
huecos. Una forma de establecer los niveles de conduccin es con la densidad de corriente
elctrica, que esta definida como la medida de la corriente por unidad de superficie. ya
que existen dos tipos de portadores habr entonces dos tipos de densidad de corriente:
densidad de corriente de electrones y densidad de corriente de huecos.
Jnarr = qnn = qnn E
Jparr = qnp = qpp E
La densidad de corriente total de arrastre esta dada por:
J arr = Jparr + Jnarr qnn E + qpp E = q(nn + pp )E
Tomando en cuenta que J = E = E/por o que se puede decir que:
= q(nn + pp ) =
Donde:
es la conductividad.
es la resistividad.
32
1
q(nn + pp )
9.6.
Difusin
En trminos generales la difusin es un fenmeno fsico en el que las partculas materiales se introducen en un medio que inicialmente estaba ausente. El proceso de difusin son
muy frecuentes en los semiconductores y ocurren cuando, por cualquier circunstancia, se
produce una variacin en la distribucin de portadores de un punto a otro en el interior
del material. La variacin de la concentracin de portadores de un punto a otro genera
el movimiento de portadores de carga de una zona a otra, de zonas de mayor concentracin a zonas de menor concentracin, este proceso tiende a igualar la concentracin en
todos los puntos del cristal. El fenmeno de difusin tiene su origen en el movimiento
aleatorio de los electrones dentro del semiconductor durante el cual estn continuamente
intercambiando su energa.
Ya que el proceso de difusin lleva consigo el movimiento de portadores, entonces
tambin va ligado a la formacin de una corriente y asociado a una densidad de corriente
respectiva:
Jh = qDh
dp
dx
dn
dx
dn
dx
dp
dx
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Bibliografa
[1] Electromagnetismo y semiconductores; J. Llinares Galiana, A. Page.
[2] Circuitos y dispositivos electrnicos; Fundamentos Electronicos, Llus Prat Vias.
[3] Electrotecnia ciclos formaticos; Peter Bastian.
[4] Fsica y qumica aplicadas a la informtica; Susana Martines Riachi, Margsarita Adela
Freites.
[5] La qumica hacia la conquista del sol; Magdalena Ruis de Rieopen.
[6] Electrotecnia curso elemental; Heinrich Hbscher.
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