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Fsica de Semiconductores

Fundamentos de Semiconductores

ramrez andrade ana hiza

1 Introduccin
La electrnica es una rama de la fsica y una especializacin de la ingeniera, que
estudia y emplea sistemas cuyo funcionamiento se basa en la conduccin y el control del
flujo microscpico de los electrones u otras partculas cargadas elctricamente.
Esta rama utiliza una gran variedad de conocimientos, materiales y dispositivos, como
los son los semiconductores, y es precisamente de estos materiales que trata el siguiente
trabajo.
El diseo y la construccin de circuitos electrnicos, como todo lo inventado por el
hombre, se utilizan para resolver problemas o realizar tareas cotidianas de manera ms
practica y sencilla. El estudio de los materiales semiconductores se suele considerar una
rama de la fsica, y de forma ms concreta en la ingeniera de materiales (rama de la
ingeniera).
Como es bien sabido la electrnica busca manejar el flujo de electrones de tal manera
que realicen una funcin especfica, para ello es necesario conocer las principales caractersticas de los diferentes materiales, as como realizar un anlisis sobre los efectos que
tienen dichas propiedades bajo ciertas circunstancias y as poder utilizar tales materiales
y efectos para realizar alguna tarea determinada.
La base de este estudio es conocer su estructura de los semiconductores y el comportamiento que los rige bajo ciertas condiciones, acerca de dicho estudio existe la teora
atmica, que trata sobre de la naturaleza de la materia, el precepto bsico en que se
fundamente consiste en la aseveracin de que la materia est esta compuesta por pequeas partculas llamadas tomos, la teora atmica comenz hace miles de aos basada en
conceptos filosficos. Con el paso del tiempo se han desarrollando diversas teoras acerca de la naturaleza de la materia, histricamente se presentaron descubrimientos sobre
las partculas subatmicas que promovieron la creacin de diferentes modelos sobre la
estructura atmica de todo aquello que existe en la naturaleza.
EL presente trabajo pretender ser accesible para todo aquel estudiante que haya cursado alguna materia de qumica y est prximo a tomar algn curso sobre materiles
semiconductores, se presenta la informacin de la manera ms sencilla posible mientras
se cubrenr algunos puntos bsicos sobre el fundamento de semiconductores.

2 El estado cristalino, redes cristalinas y


crecimiento de cristales en
Semiconductores
2.1.

El slido cristalino

En fsica y qumica se observa que, para cualquier sustancia o elemento material,


dependiendo de las condiciones de temperatura o presin, pueden obtenerse distintos
estados o fases, tambin denominados estados de agregacin de la materia; estos estados
dependen de las fuerzas de unin de las partculas (molculas, tomos o iones) que lo
constituyen. En la naturaleza pueden encontrarse cuatro tipos: slido, lquido, gas y
plasma, y, aunque existen otros estados observables bajo condiciones extremas de presin
y temperatura.
Dentro de los estados de agregacin de la materia encontramos el cuerpo slido, el cual
se caracteriza por oponer resistencia a cambios de forma y de volumen. Las molculas
de un estado slido tienen una gran cohesin y adoptan formas bien definidas, compactas y precisas, proporcionando la capacidad de soportar fuerzas que acten sin generar
deformaciones aparentes.
Los cuerpos solidos se dividen en cristalinos y amorfos.
Los solidos cristalinos poseen un ordenamiento estricto, es decir sus tomos, molculas
o iones ocupan posiciones especficas. Debido a la distribucin de estas partculas en el
slido cristalino, las fuerzas netas de atraccin intermolecular son mximas. Las fuerzas
que mantienen la estabilidad del cristal pueden ser inicas, covalentes, intermoleculares
y de enlace metlico.

(a) Vidrio (slido amorfo). (b) Cuarzo (slido cristalino).

Figura 2.1: Tipos de slidos.

2 El estado cristalino, redes cristalinas y crecimiento de cristales en Semiconductores


La estructura de los slidos cristalinos no se aprecia en muchos casos a simple vista, en
algunos casos estn formadas por un conjunto de microcristales orientados de diferentes
maneras formando una estructura policristalina, aparentemente amorfa.
Un solido monocristalino presenta la misma estructura cristalina en toda la extensin
del material sin interrupciones, en cambio, un slido policristalino est integrado por
varios tipos de cristales, o del mismo tipo pero orientados de diferente manera; a las
regiones quee separan los cristales en diferentes orientaciones se les conoce como lmites
de grano.

(a) Monocristal.

(b) Policristal.

Figura 2.2: Slido cristalino.

La unidad de los slidos cristalinos se denomina celda unitaria, la cual es la unidad


estructural repetida de un slido cristalino, cada slido cristalino se representa con uno
de los siete tipos de celdas unitarias, diferenciadas entre s por la longitud de sus lados y
por los ngulos formados por stos.

Figura 2.3: Los siete tipos de celdas unitarias.

2 El estado cristalino, redes cristalinas y crecimiento de cristales en Semiconductores

Los vrtices de las celdas unitarios representan un tomo, ion o molcula y se denominan puntos reticulares. En muchos cristales este punto en realidad no contiene tal
partcula; en su lugar, puede haber varios tomos, iones o molculas distribuidos en forma
idntica alrededor de cada punto reticular. Estas partculas se representan como esferas
dentro de la estructura cristalina. Las longitudes de los lados de las celdas unitarias y
los ngulos entre estos lados son conocidos como parametros de la red, descritos por la
geometra de la celda.
La celda unitaria ms simple es la cbica ya que todos sus lados y ngulos son iguales.
Cualesquiera de las celdas unitarias que se repitan en el espacio tridimensional forman
una estructura reticular caracterstica de un slido cristalino.
En ocasiones resulta ms sencillo construir otro tipo de celdas que, sin ser unitarias,
describen mejor la estructura de la red que tratamos. Este tipo de celdas se denominan
celdas convencionales. stas tienen, a su vez, sus propios parmetros de red y un volumen
determinado. Todas estas celdas se consideran celdas primitivas ya que son capaces de
cubrir todo el espacio mediante traslaciones sin que queden huecos ni solapamientos.
Para determinar completamente la estructura cristalina elemental de un solido, adems
de definir la forma geomtrica, es necesario establecer las posiciones en la celda de los
tomos o molculas que forman el solido cristalino (puntos reticulares), los tipos de
posiciones son:
Celda primitiva o simple en la que los puntos reticulares son slo los vrtices del
paraleleppedo.
Celda centrada en las caras, que tiene puntos reticulares en las caras, adems de
tenerlos en los vrtices.
Celda centrada en el cuerpo que tiene un punto reticular en el centro de la celda,
adems de tenerlos en los vrtices.
Celda primitiva doblemente centrada en las caras.

Figura 2.4: Los catorce tipos de redes cristalinas.

2 El estado cristalino, redes cristalinas y crecimiento de cristales en Semiconductores

Si bien en muchos casos existen distintas formas para las celdas unitarias de una
determinada red, el volumen de toda celda unitaria es siempre el mismo.
Una red cristalina es una matriz de puntos que describe la disposicin de las unidades
que componen un cristal.
Los elementos geomtricos de los cristales son las caras planas, las aristas rectas y los
vrtices angulares, estos elementos se relacionan segn la ecuaci+on siguiente ecuacin:
c+v =a+2

(2.1)

Donde:
c es el nmero de caras;
v es el nmero de vrtices;
a es el nmero de aristas.
Los ngulos entre las correspondientes caras de los cristales de un mismo compuesto
qumico son constantes.
Al estudiar las propiedades fsicas de un cristal, generalmente resulta que tienen diferentes valores segn las distintas direcciones, es decir que son anistropos. Por ejemplo,
las magnitudes que caracterizan la dureza, conductibilidad trmica, elasticidad y otras
propiedades de los cristales varan segn la direccin en que se observan.

2.2.

Tipos de slidos cristalinos

Las estructuras y propiedades de los cristales, como el punto de fusin, densidad y


dureza, estn determinadas por el tipo de fuerzas que mantienen unidas a las partculas.
Cualquier cristal es susceptible de clasificarse como uno de cuatro tipos:
Ionico
Covalente
Molecular (fuerzas intermoleculares de tipo van der Waals)
Metlico

2.2.1.

Cristales inicos

El cristal est formado por iones positivos y negativos unidos entre si mediante fuerzas
de naturaleza electrosttica Hay que decir que este tipo de cristal son malos conductores
del calor y de la electricidad ya que carecen de electrones libres. Pero cuando el cristal
es sometido a una temperatura elevada los iones adquieren movilidad y aumenta su
conductividad elctrica. Un ejemplo de este tipo de cristal es el cloruro de sodio (NaCl)
comnmente conodio como sal de mesa.

2 El estado cristalino, redes cristalinas y crecimiento de cristales en Semiconductores


2.2.1.1.

Cristales covalentes

Los tomos de los cristales covalentes se mantienen unidos en una red tridimensional
nicamente por enlaces covalentes. Est tipo de cristal son extremadamente duros y
difciles de deformar, y son malos conductores del calor y por lo tanto de la electricidad
(ya que sabemos que el calor y la conductividad tienen una relacin directa) ya que no
existen electrones libres que trasladen energa de un punto a otro. Ejemplo de un cristal
covalente es el cuarzo.

2.2.2.

Cristales moleculares

Son sustancias cuyas molculas son no polares, la caracterstica fundamental de este


tipo de cristal es que las molculas estn unidas por las denominadas fuerzas de Van der
Waals; estas fuerzas son muy dbiles y correspondes a fuerzas de dipolos elctricos. Su
conductividad es nula; es decir no son conductores ni del calor y la electricidad y son
bastante deformables. Los cristales de I2 , P4 y S8 son ejemplos de cristales moleculares.

2.2.3.

Cristales metlicos

La estructura de los cristales metlicos es ms simple porque cada punto reticular del
cristal est ocupado por un tomo del mismo metal. Se caracterizan por tener pocos
electrones dbilmente ligados a sus capas ms externas. Estn cargados positivamente.
Su conductividad es Excelente tanto trmica como elctrica debido a sus electrones libres.

2.3.

Crecimiento cristalino

Los cristales surgen en los cambios de estados, es decir, cuando un cuerpo pasa de un
estado (o fase) a otro (u otra).
Se pueden indicar las siguientes mutaciones fundamentales que originan la sustancia
cristalina:
1. Paso del estado lquido al slido: cristalizacin por fusin o por disolucin.
2. Paso del estado gaseoso al slido: cristalizacin por sublemacin.
3. Paso de una slida a otra, acompaada de un cambio de forma de la estructura
cristalina. Este fenmeno se denomina recristalizacin.
El crecimiento cristalino es la etapa principal de el proceso de cristalizacin. La cristalizacin es el proceso mediante el cual se forma un slido cristalino, ya sea a partir de
un gas, un lquido o una disolucin, en este proceso los iones, tomos o molculas que
constituyen la red cristalina crean enlaces hasta formar cristales.
El crecimiento de cristales en semiconductores es muy frecuente debido a que existe una
gran aplicacin de materiales cristalinos en la industria electrnica, ya que la utilizacin
de diversas tcnicas de crecimiento de cristales en semiconductores son utilizadas de
manera extensa en la fabricacin de dispositivos electrnicos.

2 El estado cristalino, redes cristalinas y crecimiento de cristales en Semiconductores


Debido a que el material semiconductor mas utilizado hoy en da, el silicio, no se
encuentra de forma pura en la naturaleza se debe recurrir a diferentes tcnicas de crecimiento de cristales que ayuden a la obtencin de este material en forma ideal para su
utilizacin.
Tcnicas de crecimiento de volumen de un cristal semiconductor(Silicio):
Proceso de Czochralski
Tcnica de Bridgman-Stockbarger

3 Materiales semiconductores
3.1.

Clasificacin elctrica de materiales

Desde el punto de vista el elctrico, los materiales suelen dividirse en tres categoras
atendiendo su nivel conductivo, es decir su capacidad para permitir el paso de partculas
cargadas a travs de el, debido a esta propiedad se clasifican en conductores, semiconductores y aislantes, la conductividad es una de las magnitudes que admite mayor espectro de
variacin esto indica que los diferentes tipos de materiales presenten fenmenos elctricos
muy diversos.
Los conductores elctricos son aquellos materiales que, puestos en contacto con un cuerpo cargado
de electricidad, transmiten sta a todo los puntos
de su superficie. Los mejores conductores elctricos
son los metales y sus aleaciones. Existen otros materiales, no metlicos que tambin poseen la propiedad de conducir la electricidad, como son el grafito,
las soluciones salinas y cualquier material en estado
de plasma.
Los dielctricos, tambin conocidos como aislanFigura 3.1: Alambre de cobre
tes, son los materiales que no conducen la electricidad, algunos ejemplos de estos materiales son el
vidrio, cermica, plsticos, goma, mica, cera, papel, madera seca, porcelana, por mencionar algunos. Aunque no existen materiales absolutamente aislantes o conductores, sino
mejores o peores conductores, son materiales muy utilizados para evitar cortocircuitos.
Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante
dependiendo de diversos factores, por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin,
la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.

3.2.

Propiedades de los semiconductores

Los semiconductores ocupan un lugar prominente en el conjunto de los materiales,


esto debido al alto grado de desarrollo que se ha alcanzado en el conocimiento de sus
propiedades bsicas as como tambin en el de sus aplicaciones. Se puede decir que hoy en
da los materiales semiconductores son piezas bsicas en toda la tecnologa electrnica, la
cual en los ltimos aos ha mostrado un crecimiento espectacular, abarcando el campo
de los procesadores, la comunicaciones, la robtica, etc.

3 Materiales semiconductores
El grupo de materiales semiconductores presenta un comportamiento intermedio entre
conductores y aislantes, los semiconductores en estado puro y a temperaturas bajas
presentan una conductividad relativamente baja por lo que sus propiedades se asemejan
a las de los aislantes. Sin embargo, la conductividad de estos materiales es una funcin
creciente con la temperatura de forma que a la temperatura ambiente la mayora de
los semiconductores presentan una conductividad apreciable, aun que siempre es menor
que la de un metal. Incluso a una temperatura dada, es posible variar a voluntad la
conductividad de estos materiales si se les aade una cantidad controlada de impurezas de
determinates elementos qumicos. Es precisamente esta caracterstica la que ha permitido
desarollar una gran variedad de componentes y dispositivos electrnicos basados en los
materiales semiconductores.
Como se sabe los materiales se clasifican por sus propiedades electrostticas, la ms
simple clasificacin de este tipo hace referencia a la resistividad, en los metales esta
magnitud oscila entre 106 y 104 ohmioscm, el grupo de sustancias de resistividad entre
1004 y 1010 ohmioscm pertenecen a los semiconductores (por ejemplo, la resistividad del
sulfuro de cadmio CdS, a la temperatura ambiente y segn la tecnologa de su elaboracin,
se encuentra entre los lmites desde 103 hasta los 1012 ohmios cm, mientras que la del
germanio desde 5 104 hasta 47ohmios cm). Por ltimo, las sustancias de resistividad
mayor a al orden de 1010 ohmios cm corresponde al grupo de los dielctricos.
En los semiconductores la relacin de la temperatura y la resistividad se representa
mediante una formula matemtica:

= 0 e T

De donde 0 es la resistividad del semiconductor a 0o C


coeficiente positivo de temperatura,
T es la temperatura, en o K.

Figura 3.2: Dependencia de la conductividad respecto de la temperatura en semiconductor

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3 Materiales semiconductores

En el Germanio (Ge) el valor de la resistividad es de 50 cm y del Silicio (Si) 50


103 cm.
En los semiconductores la conductancia disminuye al reducirse la temperatura, y cuando la temperatura se aproxima al cero absoluto, en determinadas condiciones los semiconductores se comportan como dielctricos. Por consiguiente, para formar en el semiconductor portadores de carga libre hay que comunicarle energa. En este caso, al aumentar
la temperatura de calentamiento del semiconductor crece rpidamente el nmero de portadores de carga.
Dentro de los materiales semiconductores encontramos al Silicio (Si) y al Germanio
(Ge), que son los elementos semiconductores ms utilizados dentro de la industria de
la electrnica, la caracterstica comn a todos ellos es que son tetravalentes, lo que significa que contienen cuatro electrones en su ultimo orbital, esto es lo que los hace ser
semiconductores.
Es natural que, para crear en un semiconductor portadores de carga libres, a ste se le
puede comunicar energa no slo por calentamiento, sino tambin por otros mtodos. Los
portadores de carga libres aparecen cuando sobre el semiconductor actan diferentes tipos
de radiaciones (luz, radiacin nuclear, etc.), intensos campos elctricos y magnticos, etc.
La distribucin de los electrones por los estados, en el tomo de silicio y de germanio
es:
Si(14) (1s2 2p2 2p6 3s2 3p6 );
Ge(32) (1s2 2s2 2p2 3s2 3p6 3d10 4s2 4p2 )
Sus valencias mximas son iguales a cuatro. Al formarse el estado slido los electrones
3s y 3p de los tomos del silicio (4s y 4p de los tomos del germanio) tienen espines no
apareados, los que precisamente intervienen en la formacin del enlace covalente.
Los electrones de valencia, que forman un enlace par se muestran a continuacin en la
Figura 3.3:

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3 Materiales semiconductores

(a)

(b)

Figura 3.3: Representacin bidimensional red de silicio

El sistema representado en la Figura 3.3a es elctricamente neutro, si se le coloca en un


campo elctrico, puesto que todos los enlaces de la red estn llenos y no hay portadores
de carga libres. 5
Por accin de una perturbacin cualquiera se rompe el enlace de valencia, debido a
este se forma un no saturado, y en ese lugar parece concentrarse una carga positiva. Tal
enlace de valencia incompleto se ha llamado hueco.[Vase la Figura 3.3b, los electrones
y los huecos estn representados, respectivamente, por puntos negros y claros] El enlace
de valencia incompleto puede ser llamado por un electrn que pasa a ste desde el enlace
saturado contiguo, y, por lo tanto, el mismo se desplazara por el cristal a consecuencia del
intercambio de electrones entre tomos. Sin embargo, en conjunto el sistema permanece
elctricamente neutro, ya que a cada carga positiva formada en el enlace, es decir, al
hueco le corresponde un electrn libre.
El semiconductor, en el que a causa de la ruptura de los enlaces de valencia se forma
una cantidad igual de electrones libres y de enlaces incompletos, o sea, huecos, se llama
intrnseco. Ms adelante se dar ms informacin acerca de los materiales intrnsecos.
A la temperatura ambiente la concentracin de electrones libres y de huecos en el
germanio es del orden 1013 cm3 , y en el silicio aproximadamente de 1010 cm3 . Naturalmente, el aumento de la temperatura da lugar al incremento del nmero de enlaces de
valencia rotos, y, por consiguiente, al aumento de la concetracin de portadores de carga
libres en el semiconductor.
Gracias a la energa trmica los portadores libres se mueven por el cristal. Pero en una
sustancia real existen siempre alteraciones de la estructura cristalina, determinadas por
las oscilaciones trmicas de los tomos del cristal, con la presencia de distintos tipos de
defectos, impurezas y dislocaciones, debido a esto el portador de carga libre chocar con
las heterogeneidades (defectos) de la red cristalina al desplazarse por el cristal, modificando as la direccin de su movimiento, a consecuencia de esto, el movimiento termal
(agitacin trmica) del portador de carga libre es desordenado.

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4 Modelo de Enlace Covalente


Un enlace es un proceso fsico responsable de las interacciones entre tomos y molculas, y que confieren estabilidad a los compuestos qumicos. Un enlace est asociado con la
comparticin o transferencia de electrones entre los tomos participantes. Las molculas,
cristales, y gases,o sea la mayor parte del ambiente fsico que nos rodea, est unido por
enlaces qumicos, los cuales determinan la estructura de la materia.
Un enlace covalente se realiza a partir de materiales no metales, de los cuales ninguno
quiere ceder electrones, ya que ambos necesitan electrones para completar su ltimo
orbital la solucin es compartir algunos electrones.
Un enlace covalente se produce por comparticin de electrones entre dos o ms tomos.
Este tipo de enlace se produce debido a la existencia de electronegatividad, pero la
diferencia en los niveles de electronegatividad entre los tomos no es suficientemente
grande como para que se efecte la transferencia de electrones, de esta manera los tomos
comparten uno o ms pares electrnicos en un nuevo tipo de orbital, denominado orbital
molecular. El orbital molecular se debe a un solapamiento de los orbitales atmicos
involucrados en la formacin de la molcula.
Los tomos de elementos con electronegatividades parecidas tienden a formar entre
ellos enlaces covalentes. En el enlace qumico covalente, los electrones de enlace son compartidos por ambos tomos. Entre los dos tomos puede compartirse uno, dos o tres
electrones, lo cual da lugar a la formacin de un enlace simple, doble o triple respectivamente.
Los enlaces mltiples son ms cortos que los enlaces covalentes sencillos. La longitud
de enlace se define como la distancia entre el ncleo de dos tomos unidos por un enlace
covalente en una molcula, adems los enlaces mltiples ms cortos son ms estables
que los sencillos. Los electrones que se compraten en este tipo de enlaces siempre se
hace en pares, cada uno proveniente de los tomos que forman el enlace, el nmero de
electrones que se prestan (y al mismo tiempo se reciben) se denomina valencia covalente,
y coincide con el nmero de electrones que le falten a la capa de valencia para completar
ocho electrones (regla del octeto).Un tomo puede satisfacer sus necesidades de electrones
unindose a otros tomos, el nmero de tomos depende del nmero de electrones que
necesite para completar el octeto, a ese nmero se le denomina covalencia.
Existen unas pocas sustancias covalentes con propiedades muy distintas, porque sus
tomos estn ordenados en una red cristalina. No hay molculas en ellos, sino que los
tomos estn unidos entre s por enlaces covalente. En los elementos como el silicio y el
germanio los electrones estn compartidos entre los tomos, enlace covalente, la formacin
de este tipo de enlaces en estos elementos posibilita el comportamiento semiconductor
por medio del dopaje o adicin de impurezas los elementos.

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4 Modelo de Enlace Covalente

4.1.

Tipos de enlaces covalentes

4.1.1.

Enlace covalente polar

En la mayora de los enlaces covalentes, los tomos tienen diferentes niveles de electronegatividad, y como resultado, un tomo tiene mayor fuerza de atraccin por el par de
electrones compartidos que el otro tomo. Generalizando cuando se unen dos tomos no
metlicos diferentes, los electrones se comparten en forma desigual, en un enlace covalente en el que los electrones se comparten de forma desigual se denomina enlace covalente
polar.
El termino polar indica que existen separacin de cargas, un lado del enlace covalente
es ms negativo que el otro, esta atraccin desigual produce un dipolo en la molcula.

Figura 4.1: Enlaces covalentes

4.1.2.

Enlace covalente no polar

Cuando el enlace lo forman tomos del mismo elemento, la diferencia de electronegatividad es cero, entonces se forma un enlace covalente no polar. El enlace covalente no polar
se presenta entre tomos del mismo elemento o entre tomos con muy poca diferencia de
electronegatividad
En los elementos como el silicio y el germanio los electrones estn compartidos entre
los tomos, enlace covalente, la formacin de este tipo de enlaces en estos elementos
posibilita el comportamiento semiconductor por medio del dopaje o adicin de impurezas
los elementos.
Nota: La electronegatividad hace referencia a la capacidad de un tomo para atraer
hacia s los electrones de un enlace qumico.

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4 Modelo de Enlace Covalente

Figura 4.2: Electronegatividad de los elementos

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5 Materiales intrnsecos y extrnsecos


5.1.

Material intrnseco

Los materiales intrnsecos, son aquellos semiconductores que se han refinado cuidadosamente con el objeto de reducir las impurezas hasta un nivel muy bajo, tan puros como
sea posible mediante la utilizacin de tecnologa moderna. Estos carecen de impurezas o
de agitacin trmica, un cristal semiconductor no conduce electricidad debido a que sus
electrones, los de las capas completas y los que participan en los enlaces, estn localizados
alrededor de sus propios tomos, en condiciones de temperatura cercana al cero absoluto.
Un semiconductor intrnseco contiene cierto nmero de portadores por unidades de
volumen, ya sean electrones o huecos, adems de la concentracin de portadores existe
otra relacin entre el numero portadores y la temperatura del semiconductor llamada
concentracin intrnseca.
Como se puede observar en la grfica la concentracin intrnseca de un semiconductor
vara directamente proporcional a la temperatura, es decir a mayor temperatura mayor
concentracin intrnseca.

Figura 5.1: Concentracin intrnseca de Si y Ge

La concentracin de portadores esta dada por n y p, concentracin de electrones y


concentracin de huecos respectivamente. El conocer lo valores de esta variables es posible
conocer la conductividad del material semiconductor, ya que esta se rige por la siguiente
formula:

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5 Materiales intrnsecos y extrnsecos

= q (nn + )
De donde:
q representa la carga del electrn (1.602 1019 C).
n y p es la movilidad de electrones y de huecos, respectivamente.
La movilidad de portadores se refiere a la velocidad v de estos por unidad de campo
elctrico aplicado.

Figura 5.2: Estructura de Lewis para el Si intrnseco

5.2.

Material extrnseco

En la produccin de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de


agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (intrnseco) con el fin
de cambiar sus propiedades elctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de
semiconductor a dopar. Semiconductores con dopajes ligeros y moderados se les conoce
como extrnsecos. Un semiconductor altamente dopado que acta ms como un conductor
que como un semiconductor es llamado degenerado.
Para obtener semiconductores de este tipo se introduce en un cristal semiconductor
cierto nmero de impurezas cuyos tomos tengan una concentracin diferente que la del
constituyente bsico. La importancia del dopado de semiconductores intrnsecos radica
en disponer de semiconductores en los que la conduccin est determinada por un solo
tipo de portadores, bien sea electrones o huecos, esto depende del tipo semiconductor
generado por el dopado, en la produccin de semiconductores es necesario controlar la
concentracin de portadores, de esta manera modificar las propiedades elctricas (conductividad). El dopado es un procedimiento que sirve para obtener valores relativamente
constantes del nmero de portadores de un semiconductor a temperatura ambiente.

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5 Materiales intrnsecos y extrnsecos

Figura 5.3: Temperatura vs

5.2.1.

Semiconductor tipo n

Un semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo


cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores
de carga libre (en este caso electrones). El propsito del dopaje tipo n es el de producir
abundancia de electrones portadores en el material. La produccin de portadores de carga
negativo sobre el semiconductor se realiza mediante la introduccin de materiales pentavalentes, es decir materiales que cuentan con cinco electrones de valencia. Los tomos de
este tipo se llaman donantes ya que donan o entregan electrones. De esta manera no se
ha desbalanceado la neutralidad elctrica, ya que el tomo introducido al semiconductor
es neutro, pero a diferencia de los tomos que conforman la estructura original, posee
un electrn no ligado (no forma parte del enlace covalente de la estructura), por ello la
energa necesaria para separarlo del tomo ser menor que la necesaria para romper una
ligadura en el cristal del semiconductor base. Como resultado tendremos ms electrones
que huecos lo que aumenta la conductividad debida a electrones.

Figura 5.4: Semiconductor dopado con tomos pentavalentes

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5 Materiales intrnsecos y extrnsecos

Debido a que se aumenta el nmero de portadores de carga negativa n >> p (la


concentracin de electrones es mucho mayor que la concentracin de hueco), y como
resultado existe mayor conductividad del material, la Figura ?? muestra la relacin entre
la temperatura y la conductividad en materiales intrnsecos y extrnsecos.

5.2.2.

Semiconductor tipo p

Un semiconductor tipo p se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado donde los


tomos que se agregan aumente el numero de portadores de cargas libres positivas (huecos), el propsito de este tipo de dopaje es crear en abundancia este tipo de portadores
de carga. El agente dopante es conocido como material aceptador.
El material tipo p se forma mediante el dopado de un cristal puro con tomos de
impurezas que cuentan con tres electrones de valencia. Los elementos que se utilizan de
forma ms frecuentemente para este propsito son: el boro, el galio y el indio.

Figura 5.5: Semiconductor dopado con tomos trivalentes

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6 Modelo de Bandas de energa


En el modelo atmico surgido tras la aplicacin de la mecnica cuntica a la descripcin de los electrones en los tomos, presentan orbitales atmicos mediante una funcin
de onda que describe una regin en el espacio en torno al ncleo atmico en la que la
probabilidad de encontrar al electrn es elevada. Esta funcin impone una serie de restricciones en el conjunto de soluciones, estas restricciones se representan con una serie de
nmeros conocidos como nmeros cunticos.
A los nmeros cunticos se les asignaron las siguientes letras n,l,m y s, los cuales
indican la posicin y la energa del electrn. Estos nmeros representan la configuracin
electrnica, que representan la estructura de tomos, molculas o en otra estructura
fsica, de acuerdo con el modelo de capas electrnico, cualquier conjunto de electrones
debe cumplir el principio de exclusin de Pauli, es decir en el momento en que un estado
cuntico es ocupado por un electrn, el siguiente electrn debe ocupar un estado cuntico
diferente.
Los tomos aislados poseen niveles de energa discretos donde pueden residir los electrones, al formarse estructuras cristalinas, hay interaccin entre los campos elctricos de
los tomos vecinos, y debido al principio de exclusin de Pauli, los niveles de energa cambia ligeramente del cristal, dentro del cristal se encuentran diferentes tomos del mismo
elemento que tienen la misma configuracin electrnica, por lo que los niveles energticos varan ligeramente entre los tomos adjuntos que pertenezcan a los electrones de
la misma rbita. Como existen una gran cantidad de tomos aparecen muchos niveles
energticos con una separacin muy pequea.
Cuando dos tomos se aproximan uno a otro hasta que el orbital de uno de ellos
comparte cierta amplitud con el orbital del otro, se dice que ambos orbitales solapan.
El solapamiento de un gran nmero de orbitales atmicos conduce a un conjunto de
orbitales moleculares que se encuentran muy prximos en cuanto a niveles de energa y
que forman virtualmente lo que se conoce como una banda.
La Figura ?? representa el solapamiento de los niveles energticos de los tomos que
conforman un cristal desde el punto de visto del modelo atmico y de la teora de bandas.

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6 Modelo de Bandas de energa

(a) Modelo atomico

(b) Modelo de bandas

Figura 6.1: Solapamiento de niveles energticos

La representacin de la energa de los electrones en los distintos puntos del semiconductor se denomina modelo de bandas de energa. Cuando en lugar de dos tomos, son
muchos ms los que interactan, como en el caso de un cristal, el nivel original de energa
se debe subdividir en tantos niveles como tomos interacten. Aparecen as intervalos
de energa en los cuales hay una gran densidad de niveles permitidos, y da la impresin
de que hay continuidad de energas permitidas. Se dice entonces que ese intervalo constituye una banda de energa permitida. Cuando en un intervalo de energas no hay nivel
permitido, se le denomina banda prohibida.
Las energas de los electrones de la banda de valencia se agrupan en un intervalo que
se denomina banda de valencia. Las energas que pueden tener los electrones que se han
desligado de los enlaces covalentes se agrupan tambin en un intervalo, denominado banda
de conduccin. Entre las dos bandas antes mencionadas se extiende la banda prohibida,
donde ningn electrn puede tener una energa de ese margen.
Cuanto mayor es el valor de la banda prohibida ms fuerte es el enlace covalente y
menos electrones lo pueden romper, por lo cual el semiconductor es ms aislante.

Figura 6.2: Bandas de energa

21

6 Modelo de Bandas de energa


En la Figura ?? podemos ver como se comporta las bandas de energa en los diferentes
materiales elctricos (asilantes, semiconductores y metales), de la figura se deduce que
Eg aislantes > Eg semiconductores > Eg metales .

22

7 Distribucin de Fermi Dirac y


distribucin de Maxwell- Boltzman
Dentro de la fsica se encuentra un rea encargada de determinar el comportamiento de
un sistema formado por muchas partculas, denominada fsica estadstica. El objetivo de
la mecnica estadstica es analizar el comportamiento de un gran numero de partculas
o sistemas idnticos, de forma estadstica y probabilistica encontrando los valores de
estas propiedades del conjunto sin examinar en detalle los valores ms probables de las
propiedades del conjunto sin examinar en detalle los valores de estas propiedades para una
partcula dada en un determinado momento. Por ejemplo las caractersticas elctricas de
un cristal pueden determinarse por el comportamiento estadstico de un gran nmero de
electrones. Como interesa calcular las propiedades promedio de un conjunto de partculas
se necesita conocer la forma en que dichas partculas se distribuyen respecto a la energa.
Este conocimiento se logra a partir de la funcin de distribucin, la cual da la probabilidad
de que un estado de energa se encuentre ocupado. Existen tres tipos de distribuciones
que determinan la distribucin de partculas sobre estados de energa permitidos:
Funcin de distribucin de Fermi-Dirac
Funcin de distribucin de Maxwell-Boltzmann
Funcin de distribucin Bose-Einstein
Y todas ellas hacen referencia a la probabilidad de que un nivel energtico se encuentre
ocupado por un portador de carga.

7.1.

Funcin de distribucin de Fermi-Dirac

La tarea de determinar la concentracin de portadores de carga en las bandas de


energa puede ser abordada a travs de la funcin de distribucin de Fermi-Dirac, en
base a la fsica estadstica y al Principio de exclusin de Pauli, la cual habla acerca de
la probabilidad de que un cierto nivel de energa est ocupado a una cierta temperatura,
esta determina la fraccin de estados disponibles con una cierta energa E que estn
ocupadas por electrones, la funcin tiene la siguiente forma:
1

f (E) =
1+e
De donde:
e base de lo logaritmos neperianos

23

(EEf )
KT

7 Distribucin de Fermi Dirac y distribucin de Maxwell- Boltzman


Ef representa el nivel de Fermi para el material en cuestin.
k es la constante de Boltzmann (1.36 1023 j/k)
E es el valor de energa numrico evaluado
T es la temperatura en K
0 f (E) 1
Al ser un valor de probabilidad su recorrido es el intervalo [0, 1]

Figura 7.1: Distribucin de Fermi-Dirac para electrones de Si

En T = 0K, f (E) = 1, si E < Ef ; f (E) : 0, si E > Ef , es decir todos los estados


permitidos de energas E < Ef estn ocupados y los de energas E > Ef se hallan vacos.
Y toma la posicin de una funcin escaln.
Cuando se habla de semiconductores extrnsecos, la funcin de distribucin de FermiDirac experimenta cambios notables as como la ubicacin del nivel de Fermi.

7.2.

Funcin de distribucin de Maxwell-Bolzmann

Segn la fsica clsica todas las partculas son distinguibles y pueden ocupar el mismo estado. Esta consideracin conduce a una distribucin de ocupacin conocida como
funcin de distribucin de Maxwell-Boltzmann. El comportamiento de las molculas de
un gas en un recipiente s un ejemplo de esta distribucin, extrapolando la funcin que
rige esta distribucin podemos tener un aproximado de las portadores de carga en ciertos
niveles energticos
E

f (E) = Ae KT
De donde:
f (E) es la funcin de distribucin

24

7 Distribucin de Fermi Dirac y distribucin de Maxwell- Boltzman


A es una densidad de referencia (propia de cada material)
E nivel energtico a evaluar
J
K constante de Bolztmann (1.3611023 K
)
T es la temperatura en Kelvin.

25

8 Nivel de Fermi en materiales


intrnsecos y extrnsecos
La funcin de distribucin de Fermi-Dirac, que gobierna la distribucin de electrones
entre los estados energticos disponibles en un sistema dinmico, contiene un parametro
constante el cual es el nivel de Fermi.
El nivel de Fermi tiene la propiedad de que para E = Ef , f (Ef ) = 0.5. Es decir el
nivel de Fermi es aquel estado enrgico en el cual la probabilidad de que se encuentre
ocupado por un electrn es de un medio.

8.1.

Nivel de Fermi en materiales intrnsecos

En un material semiconductor libre de impuresas, el nivel de Fermi se encuentra en la


regin central de la banda prohibida, como lo muestra la Figura ??. A la temperatura
T=0K, f (E) es nula para E > Ef y vale 1 para Ef > E, es decir se crea una funcin
escaln por lo tanto la probabilidad de encontrar un estado ocupado en la banda de
conduccin es nula y la de hallar un nivel vaco (hueco) en la de valencia tambin lo es.
No hay portadores libres.

Figura 8.1: Nivel de Fermi intrnseco Ei

El nivel de Fermi depende de la energa del tope de la banda de valencia, del fondo de la
banda de conduccin y de la densidad de estados en las bandas de valencia y conduccin,
y se expresa matemticamente de la siguiente manera:
Ei =

kT Nv
Ec Ev
+
ln
2
2
Nc

26

8 Nivel de Fermi en materiales intrnsecos y extrnsecos


Donde Nv y Nc estn dadas por la siguientes formulas:
3

kT /2
Nv = 2 2me 2
h

3
kT /2
Nc = 2 2mh 2
h
Entonces:
3/2

3
3

2 2me kT
me /2
Ec Ev kT
Ec Ev 3kT me
Nv
me /2
2
h
=
=
Ei =
Ei =
+
ln
+
ln

3/2
kT
Nc
mh
2
2
mh
2
4
mh
2 2mh h2 c
Tambin se puede describir de la siguiente forma:
Ei = Ev +

Eg
3kT mh

ln
2
4
me

De donde:
Ei es el Nivel de Fermi Intrnseco.
Ev es el nivel energtico en el tope de la banda de valencia.
Ec es el nivel energtico del fondo de la banda de conductividad.
Eg es el valor de la banda prohibida.
k es la constante de Boltzmann.
T es la temperatura.
mh y me son la masa de los portadores de carga (huecos y electrones respectivamente).

8.2.

Nivel de Fermi en materiales extrnsecos

Dentro de un material extrnseco el cual se formo por haber agregado impurezas a un


material base, dopado, el nivel de los portadores de carga negativa (e ) vara, como se
vio en la seccin 7.1 la concentracin de portadores de carga en las bandas de energa
puede ser abordada a travs de la funcin de distribucin de Fermi-Dirac, y existe una
relacin entre ellos que se expresa matemticamente de la siguiente manera:
n = f (E)N[c,v]
Es decir la concentracin de portadores de carga en la banda de conduccin o de
valencia es directamente proporcional a la funcin de distribucin de Fermi-Dirac y a la
densidad de estados en las bandas de conduccin o valencia (Nc y Nv respectivamente).
De esta relacin se desprende la idea de que si vara la concentracin de portadores
de carga negativa entonces vara la funcin de distribucin de Fermi as como el nivel de
Fermi, es decir en un material extrnseco el nivel de Fermi vara con respecto al de un
material intrnseco por lo que en este tipo de material este nivel ya no se encontrara en
el medio de Eg (banda prohibida).

27

8 Nivel de Fermi en materiales intrnsecos y extrnsecos

8.2.1.

Nivel de Fermi en materiales tipo P

En un material tipo P, donde el dopado es a travs de elementos trivalentes los cuales


comparten tres electrones por tomo, y se forma un hueco por no estar completo el octeto,
al formar el enlace covalente es necesario un electrn ms para completar el octeto de
ambos elementos, el nivel de concentracin de portadores positivos aumenta por lo que los
portados de carga negativos disminuye es decir n y entonces la funcin de distribucin
de Fermi-Dirac tambin sufre de un decrecimiento.
Debido ha que existen menos portadores de carga negativos la probabilidad de encontrarlos en cierto nivel energtico disminuye por lo tanto la funcin de distribucin sufre
un cambio y por lo tanto el nivel energtico donde un portador de carga lo ocupe tiene
una probabilidad de 0.5 de sera menor que en un material intrnseco. Entonces este nivel
disminuye acercndose a la banda de valencia como lo muestra la Figura??

(a) Visto desde el modelo atmico

(b) Visto desde el modelos de bandas

Figura 8.2: Nivel de Fermi en material tipo P

Para semiconductores tipo P :


Ei Ef = kT ln

8.2.2.

p
ni

Nivel de Fermi en mareriales tipo N

En los materiales tipo N el dopado se forma a partir de elementos que cuenten con
cinco electrones en su banda de valencia, es decir un material pentavalente, debido a
este tipo de dopado la concentracin de portadores mayoritario se debe a los electrones,
de la formula de la seccin 8.2 se puede deducir que al aumentar la concentracin de
electrones aumenta el valor de la funcin de distribucin de Fermi-Dirac por lo tanto
la grfica de la funcin sufre un cambio con respecto a la de los materiales intrnsecos,
y por lo tanto el nivel de Fermi tambin vara, en la Figura?? se puede observar ese
cambio. Como se puede apreciar el nivel de Fermi en este tipo de materiales se acerca a

28

8 Nivel de Fermi en materiales intrnsecos y extrnsecos


la banda de conductividad. Si se realiza un anlisis a partir de la formula para calcular
la concentracin de electrones vemos que la cuando la probabilidad de encontrar a un
electrn en cierto estado energtico es de 0.5 dicho nivel energtico se eleva con respecto
al de los materiales intrnsecos, entonces este nivel esta sercano a la banda de conduccin.

(a) Visto desde el modelo atmico

(b) Visto desde el modelo de


bandas

Figura 8.3: Nivel de Fermi en material tipo N

Para semiconductores tipo N:


Ef Ei = kT ln

29

n
ni

9 Conductividad, movilidad, proceso de


difusin
9.1.

Movilidad

Gracias a la energa trmica los portadores libres se mueven por el cristal. En una sustancia real siempre existen alteraciones de la estructura cristalina, determinadas por las
oscilaciones trmicas de los tomos del cristal, con la presencia de distintos tipos de defectos e impurezas. Por eso, el portador de carga libre chocar con las heterogeneidades
(defectos) de la red cristalina al desplazarse por el cristal, debido a la cual se modifica la direccin de su movimiento. Como consecuencia, el movimiento termal (agitacin
trmica) del portador de carga libre es desordenado.

Figura 9.1: Movimiento errtico

Debido al movimiento probocado por la agitacin termina los portadores adquieren


cierta velocidad entre colisiones. Esa velocidad esta dada por:
T =

De la expresin anterior tenemos que T es la velocidad trmica, es el espacio entre


colisiones y c es el tiempo que transcurre entre dichas colisiones.
Otra manera en la cual se genera movilidad en los portadores de carga dentro del
semiconductor es aplicando un campo elctrico, el cual hace que se provoque una fuerza
sobre los portadores:
F = qE
Adems: F = ma; a =

dv
dt

F
m

dv =

F
m dt

30

9 Conductividad, movilidad, proceso de difusin


Entre colisin y colisin los portadores de carga se aceleran de acuerdo a la direccin
del campo, conforme a esto adquieren una velocidad:
=at =

qE
m[p,n]

De donde:
es la velocidad para los portadores.
a es la aceleracin.
q es la carga del portador(+q para los huecos y q para los electrones).
E representa el campo elctrico.
m[p,n] es la masa de los portadores de carga (huecos y electrones respectivamente).
Pero la velocidad se modifica entre colisiones, entonces es necesario conocer la velocidad
media de los portadores:
=

qc
E
2m[n,p]

La formula presentada representa la velocidad de arrastre de los portadores por efecto


del campo elctrico.
La movilidad de de losportadores se refiere a la capacidad que estos poseen de ser
acelerados por accin de un campo elctrico, y es una proporcionalidad entre el campo
elctrico y la velocidad que adquieren estos portadores:
[n,p] =

qc
movilidad[cm2/Vs]
2m[n,p]

Una de las variables que afecta la movilidad de los portadores es la temperatura, el


efecto de las variaciones trmicas en el material semiconductor altera la velocidad entre
colisiones, a mayor temperatura mayor colisiones en un intervalo de tiempo determinado,
al decrecer el tiempo entre colisiones la movilidad tambin decrece.

9.2.

Conductividad

La conductividad de un material hace referencia a la capacidad de los cuerpos para


conducir electricidad, es decir, para permitir el paso a travs de l de partculas cargadas.

9.3.

Conductividad intrnseca

La conductividad intrnseca es aquella propiedad de los materiales semiconductores de


aumentar su conductividad por efectos de la temperatura.
A temperaturas muy bajas apenas hay portadores de carga libres en el cristal. La temperatura ambiente da lugar a que los tomos de la red cristalina oscilen desordenadamente
(movimiento errtico) alrededor de su posicin de reposo (movimiento trmico). Debido
a esto se rompen algunos enlaces atmicos. Distintos electrones exteriores se separan de
sus tomos y se mueven libremente en el interior del cristal (electrones de conduccin) .

31

9 Conductividad, movilidad, proceso de difusin

9.4.

Conduccin extrnseca

Si a la masa fundida en un material semiconductor puro se le aade una cantidad de


una sustancia ajena, aumenta de forma considerable la conduccin elctrica del cristal
semiconductor, la concentracin de electrones de conduccin depender de la porporcin de tomos de impurezas agregados al semiconductor, por lo que que la conduccin
extrnseca puede ser controlada.

9.5.

Proceso de conduccin

El movimiento dirigido de los portadores de carga produce la aparicin de corrientes


dentro del slido, favoreciendo el proceso de conduccin. Si la causa es la aplicacin de un
campo elctrico, da lugar a la corriente elctrica denominada corriente de desplazamiento
o arrastre. Si la causa es la distribucin no uniforme de portadores de carga por la
heterogeneidad de concentracin se genera la llamada corriente de difusin.

9.5.1.

Corriente de arrastre

La presencia de de un campo elctrico aplicado a un solido es responsable del movimiento de portadores de carga negativos en sentido contrario al campo, con una ganancia
de velocidad debido al campo, la consecuencia es la aparicin de una corriente elctrica,
denominada corriente de arrastre producida por la diferencia de potencial entre puntos
del slido. Debido a que existen dos tipo de portadores de carga en el solido se producirn entonces dos corriente de arrastre, una debido a los electrones y otra debido a los
huecos. Una forma de establecer los niveles de conduccin es con la densidad de corriente
elctrica, que esta definida como la medida de la corriente por unidad de superficie. ya
que existen dos tipos de portadores habr entonces dos tipos de densidad de corriente:
densidad de corriente de electrones y densidad de corriente de huecos.
Jnarr = qnn = qnn E
Jparr = qnp = qpp E
La densidad de corriente total de arrastre esta dada por:
J arr = Jparr + Jnarr qnn E + qpp E = q(nn + pp )E
Tomando en cuenta que J = E = E/por o que se puede decir que:
= q(nn + pp ) =
Donde:
es la conductividad.
es la resistividad.

32

1
q(nn + pp )

9 Conductividad, movilidad, proceso de difusin

9.6.

Difusin

En trminos generales la difusin es un fenmeno fsico en el que las partculas materiales se introducen en un medio que inicialmente estaba ausente. El proceso de difusin son
muy frecuentes en los semiconductores y ocurren cuando, por cualquier circunstancia, se
produce una variacin en la distribucin de portadores de un punto a otro en el interior
del material. La variacin de la concentracin de portadores de un punto a otro genera
el movimiento de portadores de carga de una zona a otra, de zonas de mayor concentracin a zonas de menor concentracin, este proceso tiende a igualar la concentracin en
todos los puntos del cristal. El fenmeno de difusin tiene su origen en el movimiento
aleatorio de los electrones dentro del semiconductor durante el cual estn continuamente
intercambiando su energa.
Ya que el proceso de difusin lleva consigo el movimiento de portadores, entonces
tambin va ligado a la formacin de una corriente y asociado a una densidad de corriente
respectiva:
Jh = qDh

dp
dx

para los huecos y:


Je = qDe

dn
dx

para los electrones.


Donde:
Dh y De son constantes caractersticas del material, y se conocen como los coeficientes
de difusin para los huecos y electrones, respectivamente. Debido a que los portadores
e mueven en la direccin de los puntos de mayor a menor concentracin, la corriente de
difusin en el caso de los huecos tiene signo opuesto al de la derivada. Cuando existe
difusin de electrones y huecos en presencia de un campo elctrico E aplicado en la
direccin del eje x, la corriente ser en cada caso:
Jed = qne E + qDe

dn
dx

Jhd = qnh E qDh

dp
dx

para los electrones, y:

La densidad total dentro de un semiconductor es:


Jtotal = Jn + Jp
Donde Jn = Jnarr + Jed y Jp = Jhd + Jparr .

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Bibliografa
[1] Electromagnetismo y semiconductores; J. Llinares Galiana, A. Page.
[2] Circuitos y dispositivos electrnicos; Fundamentos Electronicos, Llus Prat Vias.
[3] Electrotecnia ciclos formaticos; Peter Bastian.
[4] Fsica y qumica aplicadas a la informtica; Susana Martines Riachi, Margsarita Adela
Freites.
[5] La qumica hacia la conquista del sol; Magdalena Ruis de Rieopen.
[6] Electrotecnia curso elemental; Heinrich Hbscher.

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