En el presente trabajo, el auto ensamblaje de Co2 + y Fe3 + dopado nanopartculas de SnO2 (Co y Fe = 5% en moles de cada uno) en nanovarillas por la co-dopaje de iones CE3 (4 mol%) se estudia. Las nano varillas son preparadas por una ruta qumica usando alcohol polivinlico como surfactante con el Sn0.91Co0.05Ce0.04O2 composicin (SCC 54) y Sn0.91Fe0.05Ce0.04O2 (SFC54). La difraccin de rayos X (XRD), microscopa electrnica de transmisin (TEM), las mediciones magnticas y elctricas se utilizan para caracterizar estos nanovarillas. El patrn de difraccin de rayos X muestra el rutilo tetragonal y de naturaleza poli cristalino de nanovarillas SnO2 que tambin es confirmado por TEM. La exposicin de imgenes de TEM que el dimetro de SCC 54 nanovarillas esta en el intervalo del 15-20 nm, longitud de 100-200 nm ~ mientras que para la muestra de SFC 54, ~ 5 a 15 nm de dimetro y la longitud de 50-100 ~ nm. En nuestro trabajo anterior, se han fabricado Co y Fe (3 y 5% en moles de cada uno) dopado con nanopartculas de SnO2 que presentaban alta ferromagnetismo. Se observa que en Ce3 + co-dopaje, las nanopartculas se juntaron en la barra como las estructuras y los valores de magnetizacin de saturacin y las propiedades dielctricas han mejorado an ms. As, la naturaleza y la concentracin de dopantes se encuentran para jugar un papel crucial en la sintona de las propiedades morfologa, magnticas y elctricas de nanoestructuras. Los valores de magnetizacin de saturacion (Ms) son 1,14 y 0,14 emu / g y campo coercitivo son 112 y 42 Oe, en SCC 54 y SFC 54 muestras, respectivamente, a temperatura ambiente. La variacin en el comportamiento dielctrico se atribuye debido a la polarizacin de la interfaz. Sin embargo, en rgimen de frecuencia ms baja, la tendencia decreciente de la permitividad dielctrica con una frecuencia creciente se explica por la teora de Maxwell-Wagner y modelo de Koops ', mientras que, en la regin de frecuencia ms alta, el comportamiento de resonancia se observa debido al efecto de tamao nano. INTRODUCCION El ferromagnetismo de los semiconductores magnticos diluidos (SGD) producidos se incrementa significativamente debido a sus potenciales aplicaciones tecnolgicas en el campo de la espintrnica, nanoelectrnica, nanofotnica, magnetoelectrnica y dispositivos de microondas [1-4]. En la bsqueda de este tipo de materiales con alto ferromagnetismo temperaturas de Curie junto con propiedades precisas de spin controlables, SGD a base de xido brecha de banda amplia como TiO2, ZnO, SnO2, y HfO2 dopados con metal de transicin (TM) iones (Co, Mn, Ni, Fe, Cr, etc.) han atrado una atencin considerable que resulta de gran sp-d interaccin de intercambio entre los iones magnticos y los electrones de la banda. Entre estos xidos, SnO2 es un importante semiconductor de tipo n con el material de amplia brecha energtica (Eg = 3,62 eV a 300 K) y presenta propiedades especiales, tales como la transparencia o la notable qumica y estabilidades trmicas, con aplicaciones directas para fotodetectores, catalizadores para la oxidacin y la hidrogenacin, clulas solares, semiconductores sensores de gas, pantallas de cristal lquido, revestimientos de proteccin, etc. [5]. Muchas obras informaron propiedades ferromagnticas de SnO2 pelculas y nanopartculas finas TM dopado. Ogale et al. [6] inform ferromagnetismo a temperatura ambiente en pulsos lser SnO2 depositado: Co (5 y el 27%) de pelculas delgadas.
Ms recientemente, Fitzgerald et al. [7] encontrado ferromagnetismo en Co-SnO2 dopados pelculas
delgadas para los contenidos de Co que van desde 0,1 a 15%. Por otro lado ferromagnetismo en Sn0.95Fe0.05O2 de cermica con momento magntico de 0,95 B / Fe, aproximadamente el 85% del hierro estar en un alto espn magnticamente ordenada Fe3 + y la temperatura Curie de alrededor de 360 K fueron reportados por Fitzgerald et al. [8] En Por otro lado, Punnoose et al. [9] reportaron una paramagntico comportamiento en la muestra de polvo sintetizado qumicamente Sn0.95Fe0.05O2 preparado anteriormente 600o C y Adhikari et al. [10] observ un comportamiento antiferromagntico de 5% Fedoped SnO2 nanopartculas sintetiz por un coprecipitacin qumica mtodo. En general, el origen de ferromagnetismo en TM dopado con sistema SnO2 es controversial y ms Se requieren investigaciones detalladas. El tamao nano mtrico tiene gran influencia en el rendimiento de varios sistemas de materiales y puede afectar diversas propiedades fsicas no slo el anfitrin los semiconductores, sino tambin de los materiales derivados de DMS de ellos. Por ejemplo, cuando el tamao de los cristalitos de algunas de los materiales de DMS se reduce hasta por debajo de 30 nm, que son encontrado exhiben mejores propiedades ferromagnticas cuando en comparacin con los que tienen partculas microcristalinas (> 100 nm). Aparte de esto, DMS xido nanocristalina materiales pueden ser explotados para una variedad de aplicaciones tales como dispositivos de espintrnica, aplicaciones biomdicas, dispositivos de almacenamiento magntico, ferrofluidos, etc. Por lo tanto, es importante estudiar la influencia de nano tamao mtrico en diversas propiedades fsicas del oxido basado en semiconductores magnticos diluidos . Entre los materiales a base de xido de DMS, SnO2 exhibe un comportamiento notable debido vacantes de oxgeno nativa , alta densidad de portadores y la transparencia, estabilidad trmicas y alta qumicas. Algunos estudios [5,8,10] en nanocristalina Co y Fe dopado Polvos de SnO2 con resultados contradictorios sobre todo en la existencia de ferromagnetismo temperatura ambiente fuera reportado. En vista de esto, es evidente que la aplicacin de las condiciones de crecimiento apropiadas seran un factor crucial en para obtener el ferromagnetismo temperatura ambiente. Por otra parte, muchos trabajos de investigacin se han reportado en propiedades dielctricas de SnO2 dopado con metal de transicin. El mecanismo de conduccin en SnO2 se han estudiado a fondo por Ogawa et al. [11] utilizando mediciones. Varios mtodos utilizados por los investigadores a preparar SnO2 DMS son qumica co-precipitacin, xido mixto convencional, solgel, procesamiento hidrotermal etc [12]. Por lo tanto, el esfuerzo se ha hecho por el autore de la presente investigacin para poner a prueba si el ferromagnetismo a temperatura ambiente es posible con Co y Fe-dopados y Ce co-dopados nanovarillas SnO2. Por otra parte, la estructural, microestructura y propiedades elctrica y el co-dopaje de iones Ce3 + en la fabricacin de nanovarillas Tambin se han estudiado. Experimento SCC 54 y SFC 54 nanovarillas se prepararon mediante un producto qumico de ruta utilizando PVA como agente tensioactivo. Las soluciones precursoras se prepararon a partir cloruro estnnico pentahidratado (SnCl4.5H2O), cloruro frrico (FeCl3), cloruro de cobalto (CoCl2.6H2O) y cloruro de cerio (CeCl3.7H2O) La procedimiento experimental detallado se presenta en otro lugar [13] .La estructura cristalina fue analizado por X-ray difraccin (DRX) con X-Pert sistema PRO y
microestructura en los microscopios electrnicos de transmisin (TEM) de Hitachi H-7500. Las
mediciones magnticas se realizaron a temperatura ambiente usando un vibratorio magnetmetro (VSM-735) y las mediciones elctricas se realizaron a temperatura ambiente usando un analizador de impedancia (4200 semiconductor unidad de carcter, Mdulo de CVU). Para las mediciones elctricas, el recocido en polvo se prens en pellets de 0,5 mm de espesor por ~ mtodo de prensado en fro isotctico con una presin de 5 bar durante 5 min y luego sinterizado. RESULTADOS Y DISCUSION Fig. 1 muestra los patrones de difraccin de rayos X de SCC54 y SFC54 nanovarillas se recocieron a 700C / 2h. Todos los picos de difraccin puede ser bien indexados a la estructura de rutilo tetragonal de SnO2 padre, que pertenecen al grupo espacial P42 de / mnm y muestra que el dopaje con Co, Fe y co-dopaje con Ce, se observa un patrn similar, sin ningn pico extra de difraccin de Co, Fe, Ce u otras impurezas. La morfologa de la superficie por las imgenes TEM de SCC 54 y SFC 54 nanovarillas se ilustra en la Fig. 2. Se muestra el cristalito y el comportamiento nano de cada espcimen. Los dimetro de las nanovarillas SCC54 se encuentra en el intervalo del 15-20 nm y la longitud de de 150-200 nm, mientras que consisten de SFC54 dos morfologas, nanoesferas y nanovarillas (promedio de tamaode granos 11 nm); nanovarillas de dimetro es 5-15 nm y longitud de 50-100 nm. Un mecanismo propuesto de crecimiento co-dopado de nanovarillas SnO2 cerio pueden explicarse en trminos de las reacciones qumicas y el crecimiento de cristales. Desde el punto de vista de cristalizacin, la sntesis de un xido durante una reaccin solucin acuosa se espera que experimente proceso de nucleacin-crecimiento [5].
Fig. 3 muestra el ferromagnetismo temperatura ambiente de ambos especmenes SCC54 y SFC54.
Los valores de magnetizacin saturado (Ms) son 1,14 y 0,14 emu / gy campo coercitivo son 112 y 42 Oe, respectivamente, observada en SCC 54 y SFC 54 specimens.The insercin de la figura. 3 muestra la variacin de la constante dielctrica () y prdida (tan) con frecuencia a la temperatura ambiente. El disminuye rpidamente en rgimen de frecuencia ms baja debido a la contribucin de carga espacial. Sin embargo, en el rango de frecuencias de 100 kHz - 7 MHz en SCC54 y de 100 kHz - 9 MHz en SFC54, muestra la respuesta dielctrica dispersionless. Un cambio rpido en con mayor frecuencia se produce debido al efecto de resonancia. En 1MHz, los valores de son 39 y 28, respectivamente, para los especmenes SCC54 y SFC54.
Como se muestra en la Fig. 3, el comportamiento dielctrico observada es dependiente de la
frecuencia, que tambin se puede explicar sobre la base del modelo de Maxwell-Wagner [3]. De acuerdo con este modelo, se asume un medio dielctrico estar hecha de granos as conductoras que estn separados por mal conductor (o resistiva) lmites de grano. Bajo la aplicacin de un campo elctrico externo, los portadores de carga pueden migrar fcilmente en los granos, pero se acumulan en los lmites de grano. Este proceso puede producir grandes polarizacin y alta constante dielctrica. La pequea conductividad del lmite de grano contribuye al alto valor de la constante dielctrica a baja frecuencia. El valor ms alto de la constante dielctrica tambin puede explicarse sobre la base de interfacial / espacio de carga de polarizacin debido a la estructura dielctrica no homognea. La falta de homogeneidad presente en el sistema puede ser debido a la porosidad o estructura de grano. La polarizacin disminuye con el aumento de la frecuencia y luego alcanza un valor constante que es debido al hecho de que ms all de una cierta frecuencia de campo externo, el salto entre diferentes iones metlicos (Sn4 +, Co2 + o Fe3 + y Ce3 +) no puede seguir el campo alterno. Tambin se ha observado que el valor de constante dielctrica se ha aumentado con la incorporacin de dopantes [13]. Puede ser debido a la alta polarizabilidad dielctrica de cobalto y los iones de hierro y de muy alta polarizabilidad de iones de cerio en comparacin con estao. Por lo tanto, como la concentracin de dopante aumenta ms iones de estao sern sustituidos por los iones dopantes y, con ello, el aumento de la polarizacin dielctrica, que a su vez aumenta la constante dielctrica.
Tangente de prdidas o factor de prdida (tan) representa la disipacin de energa en el sistema
dielctrico. El factor de prdida de SCC54 y SFC54 nanoestructuras disminuye en el rango de frecuencia hasta 10 kHz (Fig. 3 recuadro) y aumenta en las frecuencias por encima de 10 kHz, y alcanza los valores mximos a una frecuencia de 10 MHz. Segn el modelo de Koops '[4], la disminucin de la tan se explica por el hecho de que a frecuencias ms bajas, donde la resistividad es alta y el efecto del lmite de grano es dominante, se requiere por lo tanto ms energa para el intercambio de electrones entre el metal iones y iones dopantes situados en los lmites de grano, es decir, la prdida de energa (tan) es alta, mientras que, a altas frecuencias, la resistividad es comparativamente ms bajos y los granos mismos juegan un papel dominante, se requiere por lo tanto muy pequea cantidad de energa para el salto de electrones entre el iones situados en un grano, y por lo tanto, tan es tambin pequea. Se observa el valor mximo de la tangente de prdidas cuando salto de frecuencia corresponde a la frecuencia del campo externo. CONCLUSIONES SCC 54 y SFC 54 nanovarillas se preparan con xito por Ce co-dopaje en Sn0.95Co0.05O2 y composicin Sn0.95Fe0.05O2 por el mtodo sol-gel. Patrones de XRD muestran la fase de rutilo tetragonal de estos nanovarillas. La mediciones TEM exposen que el dimetro de nanovarillas SCC54 se encuentra en el intervalo del 15-20 nm y la longitud de 150-200 nm y nanovarillas SFC54 de dimetro es de 5-15 nm y la longitud de 50-100 nm. Maxwell-Wagner cargo teora y espacio de polarizacin se utiliza para explicar la frecuencia constante dielctrica dependiente. La
prdida tangente se explica por el modelo de Koops '. Los valores de la Sra son 1,14 y 0,14 emu / gy campo coercitivo son 112 y 42 Oe, por especmenes respectivamente SCC54 y SFC54.