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APLICACIONES DEL LED, OTROS TIPOS DE

DIODOS (ZENER Y TNEL) Y EL
TRANSISTOR DE POTENCIA
Universidad de San Carlos
Facultad de Ingeniera
Escuela de Mecnica Elctrica
Electrnica 1
Henry Isaias Ajquejay Ichaj
200715097
Seccin N

Tarea Examen Final

ResumenExisten numerosas aplicaciones para cada tipo de

diodo, el diodo LED es un tipo de diodo con caractersticas
especiales que lo hacen nico dentro de la gama de dispositivos
diodos, dada sus caractersticas constructivas diferentes a las
dems, y la hacen especial dado que no solo funcionan como
diodos iluminadores de luz sino que tambin tienen la capacidad
de absorber el espectro de luz visible a la que fueron diseados,
funcionando como sensores o bien como indicadores de luz,
son extensamente utilizados para un sinnmero de aplicaciones
dentro de la electrnica digital o analgica como en dispositivos
electrnicos. Otras de las maravillas de los diodos son los Zener;
estos cumplen con la funcin de regular la tensin dado el
cambio de la corriente de carga, en las salidas de los circuitos
de puentes rectificadores de onda completa son ampliamente
utilizados debido a que es en esta parte donde se termina de
rectificar y regular la tensin en muchos casos tales como los
UPS. El diodo tnel utiliza el principio de la mecnica cuntica
descrito por la ecuacin de Schrdinger en donde la probabilidad
de que un electrn atraviese una barrera de potencial es muy
alta y su aplicacin esta muy bien dirigida a interruptores de
muy alta velocidad, dado que el envo del electrn se produce a
la velocidad de la luz. Por ultimo existen tres tipos bsicos de
transistores de potencia, el BJT, el FET y el IGBT, el primero el
principio de funcionamiento es el mismo que del que comnmente
conocemos y la corriente de colector(de salida) es controlada por
la corriente de base(entrada), el segundo difiere del primero en
que el control se realiza con la aplicacin de un voltaje entre la
puerta y la fuente (VGS ) que controla la salida D(Drenaje), el
ultimo combina las ventajas de los BJT y los MOSFET.

I-B.

Reconocer el uso de los diferentes diodos en la electrnica digital o analgica y sus aplicaciones.
Reconocer que el diodo LED no solo es un dispositivo
indicador de luz, sino que ademas de ello provee suficiente luz que puede ser aprovechado para la iluminacin de
una manera eficiente y econmica.
Reconocer que el diodo LED no solo es un dispositivo
indicador de luz, sino que ademas de ello tiene la
capacidad de absorber su espectro de luz al ser conectado
de forma inversa para poder ser utilizado como un sensor
de color.
Reconocer que transistores podemos utilizar en la electrnica de potencia, sus usos, diferencias y aplicaciones.

II.

II-A.
I.
I-A.

OBJETIVOS

GENERALES
Conocer las aplicaciones de los diodos led y su principio
de funcionamiento.
Conocer el funcionamiento del diodo Zener y el diodo
tnel.
Conocer que transistores podemos utilizar en la electrnica de potencia.

ESPECFICOS

APLICACIONES DEL LED

QUE ES EL LED?

Un led (del acrnimo ingls LED, light-emitting diode: diodo emisor de luz; el plural aceptado por la RAE es ledes) es
un componente opto-electrnico pasivo y, ms concretamente,
un diodo que emite luz.
Tipo: pasivo opto-electrnico
Principio de funcionamiento: electro-luminiscencia
Invencin: Nick Holonyak (1962)
Configuracin: nodo y ctodo

utilizando el mismo cable. Sin embargo en los inicios de la

fibra ptica eran usados por su escaso coste, ya que suponan
una gran ventaja frente al coaxial (an sin focalizar la emisin
de luz).

Figura 1. Ledes de 5 mm, de color rojo, verde y azul..

Figura 4. Seales de luz emitidas por LED a travs de fibra ptica.

Figura 2. Smbolo electrnico.

II-B.

II-B3. INDICADORES
ON-OFF
(APAGADO/ENCENDIDO): Los ledes se emplean con profusin en
todo tipo de indicadores de estado (encendido/apagado).

APLICACIONES

II-B1. DISPLAY DE SEGMENTOS: Una de las aplicaciones mas populares de los LEDs es la de sealizacin. Quizs
la mas utilizada sea la de 7 LEDs colocadas en forma de
ocho tal y como se indica en la figura 9. Aunque externamente
su forma difiere considerablemente de un diodo LED tpico,
internamente estn constituidos por una serie de diodos LED
con unas determinadas conexiones internas. En la figura 9 se
indica el esquema elctrico de las conexiones del interior de
un indicador luminoso de 7 segmentos.

Figura 5. encendido/apagado.

II-B4. DISPOSITIVOS DE SEALIZACION: En dispositivos de sealizacin (de trnsito, de emergencia, etc.) como
son los semforos.
Figura 3. Display de 7 segmentos. A la izquierda aparecen las dos posibles
formas de construir el circuito.

II-B2. EMISIN DE SEALES DE LUZ QUE SE TRANSMITEN A TRAVS DE FIBRA PTICA: Tambin se utilizan
en la emisin de seales de luz que se trasmiten a travs de
fibra ptica. Sin embargo esta aplicacin est en desuso ya
que actualmente se opta por tecnologa lser que focaliza ms
las seales de luz y permite un mayor alcance de la misma

Figura 6. Semforo LED.

II-B5. EN UN SINNMERO DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS: Tambin se emplean en el alumbrado de pantallas de cristal lquido de telfonos mviles, calculadoras,
agendas electrnicas, etc.

Figura 8. Luminaria Hubbell Outdoor modelo Magnuliter MLED.

Figura 7. Celular LED.

II-B6. ILUMINACIN (LED LIGHTING): Los ledes en

la actualidad se pueden acondicionar o incorporarse en un
porcentaje mayor al 90 % a todas las tecnologas de iluminacin actuales. El uso de ledes en el mbito de la iluminacin (incluyendo la sealizacin de trfico e iluminacin
de viales) est alcanzando cotas de crecimiento de hasta un
300 % anual, comenzando en el ao 2007, en que se instal
iluminacin LED en una va pblica por primera vez en
Europa, en el paseo martimo de Barbate (Cdiz) por un
fabricante local. Sus prestaciones son superiores a las de
la lmpara incandescente y la lmpara fluorescente, desde
diversos puntos de vista. La iluminacin con ledes presenta
indudables ventajas: fiabilidad, mayor eficiencia energtica,
mayor resistencia a las vibraciones, mejor visin ante diversas
circunstancias de iluminacin, menor disipacin de energa,
menor riesgo para el medio ambiente, capacidad para operar
de forma intermitente de modo continuo, respuesta rpida, etc.
Asimismo, con ledes se pueden producir luces de diferentes
colores con un rendimiento luminoso elevado, a diferencia de
muchas de las lmparas utilizadas hasta ahora que tienen filtros
para lograr un efecto similar (lo que supone una reduccin de
su eficiencia energtica).

Las temperaturas de color ms destacadas que encontramos

en los LED son:
Blanco fro: es un tono de luz fuerte que tira a azulado.
Aporta una luz parecida a la de los fluorescentes.
Blanco clido: el tono de luz tira hacia amarillo como
los halgenos.
Blanco neutro o natural: aporta una luz totalmente blanca,
como la luz de da.
RGB: el LED est permitiendo en muchos productos
conseguir diferentes colores. Quedan muy luminosos ya
que es el propio LED el que cambia de color, no se
usan filtros. Cabe destacar tambin que diversas pruebas
realizadas por importantes empresas y organismos han
concluido que el ahorro energtico vara entre el 70 y el
80 % respecto a la iluminacin tradicional que se utiliza
hasta ahora.9 Todo ello pone de manifiesto las numerosas
ventajas que los ledes ofrecen en relacin al alumbrado
pblico.
Los ledes de luz blanca son uno de los desarrollos ms
recientes y pueden considerarse como un intento muy bien
fundamentado para sustituir los focos o bombillas actuales (lmparas incandescentes) por dispositivos mucho ms
ventajosos. En la actualidad se dispone de tecnologa que
consume el 92 % menos que las lmparas incandescentes de
uso domstico comn y el 30 % menos que la mayora de
las lmparas fluorescentes; adems, estos ledes pueden durar
hasta 20 aos.10 Estas caractersticas convierten a los ledes
de luz blanca en una alternativa muy prometedora para la
iluminacin.
II-B7. PANTALLAS DE LEDES: Las pantallas de vdeo
con tecnologa de LED, son la solucin perfecta para instalaciones de pantallas en los centros comerciales, casinos,
aeropuertos, centros comerciales, as como sealizacin digital
y vallas publicitarias. Estos sistemas de instalacin fija se
caracterizan por la fcil instalacin y mantenimiento, peso
ligero, y los perfiles ultra-slim. Tambin se puede personalizar
el tamao y la forma de paneles fijos de instalacin segn
los requisitos del proyecto. La informacin que se reproduce
en las pantallas se genera con un sistema de control con

procesadores de back-end y software que proporcionan a los

usuarios el control total sobre el vdeo que se muestra en las
pantallas, logrando simplificar y mejorar el control del usuario
a travs de una fcil conectividad, soporte de alta resolucin
y de gran alcance, todo en una herramienta de ajuste. Esto es
importante para controlar la uniformidad de brillo y color de
la reproduccin de una apariencia de color ms natural y vivo
en la pantalla.

Figura 9. Pantalla LED.

III.

Figura 11. Smbolo electrnico.

En la figura 12 se indica la forma de empleo caracterstica.

La fuente V y la resistencia R se seleccionan de tal manera
que , inicialmente, el diodo pueda funcionar en la regin de
avalancha. Aqu, la tensin del diodo es VZ , que tambin es la
diferencia de potencial de la carga, como se ve en la figura 12.
La corriente del diodo es IZ . El diodo regular la tensin de
la carga oponindose a las variaciones de la corriente y de la
tensin de alimentacin V , ya que, en la regin de avalancha,
grandes cambios de la corriente del diodo solo producen
pequeos cambios en su tensin. As, en cuanto la corriente
de la carga o la tensin de la alimentacin varen, la corriente
del diodo se ajusta por si misma a estos cambios manteniendo
prcticamente constante la tensin de la carga. El diodo seguir
regulando hasta que el circuito funcin con una corriente que
haga que la intensidad por el diodo est por debajo de Izk
en las inmediaciones del codo de la curva tensin-corriente.
El limite superior de la corriente lo determina la potencia de
disipacin mxima del diodo.

DIODO ZENER

Los diodos diseados con capacidad adecuada de disipacin

de potencia para trabajar en la zona de ruptura, pueden ser
empleados como dispositivos de tensin de referencia o de
tensin constante. Estos diodos se conocen con el nombre de
diodos Zener, de avalancha o de ruptura.
Tipo: Semiconductor
Principio de funcionamiento: se polariza inversamente,
con respecto al diodo convencional.
Invencin: Dr. Clarence Melvin Zener
Configuracin: Anodo y ctodo

Figura 12. Caracterstica tensin-corriente de un diodo de avalancha, o Zener.

Figura 13. Circuito en el que el diodo se emplea para regular la tensin en

RL evitando los cambios debidos a las variaciones de la corriente de carga
y de la tensin de la fuente de alimentacin.

IV.

Figura 10. Pequeo diodo Zener.

DIODO TNEL

Un diodo de unin p-n tiene una concentracin de impurezas

de aproximadamente 1 parte por 108 . Con este drogado, la
anchura de la capa de desviacin, que constituye una barrera
de potencial de la unin, es del orden de una miera. Esta

barrera de potencial restringe la fluencia de portadores desde

el lado de la unin en el que constituyen portadores mayoritarios al lado en que constituyen portadores minoritarios.
Si la concentracin de impurezas de los tomos se aumenta
extraordinariamente, digamos, 1 parte por 103 (correspondiente
a una densidad en exceso de 1019 cm3 ), la caracterstica de
los elementos cambia por completo. Este nuevo diodo fue
anunciado en 1958 por Esaki, quien dio tambin la correcta
explicacin terica de su caracterstica tensin-corriente.

IV-A.

Efecto-tnel

La anchura de la barrera de la unin varia inversamente

con la raz cuadrada de la concentracin de impurezas y
6 cm). Esta
en nuestro caso se reduce a menos de 100A(10
anchura es de solo un cincuentavo de la longitud de onda de
la luz visible. En el caso general, una partcula debe tener una
energa por lo menos igual a la altura de la barrera de la energa
potencial, si es que se quiere moverla de un lado de la barrera
al otro. No obstante, para barreras cuya anchura es la que se
estima en el diodo de Esaki, la ecuacin de Schrdinger indica
que hay una gran probabilidad de que un electrn penetre
a travs de la barrera de potencial. Este comportamiento de
mecnica cuntica se conoce con el nombre de efecto tnel
, y los sistemas cuya unin p-n tenga una alta densidad
de impurezas se denominan diodos tnel. La relacin entre
tensin y corriente aparece dibujada en la figura 14.

Figura 14. Caracterstica tensin-corriente de un diodo tnel.

El smbolo normalizado del diodo tnel viene dado en la

figura 15. En la figura 16 se indica el modelo o circuito
equivalente para pequea seal que trabaja en la regin de
resistencia negativa.

Figura 15. Smbolo de diodo tnel.

Figura 16. Circuito equivalente diodo tnel en pequea seal.

Una de las aplicaciones interesantes de los diodos tnel

consiste en aprovecharlo como conmutador de alta velocidad.
Puesto que el efecto tnel tiene lugar a la velocidad de la
luz, la respuesta transitoria est limitada solamente por la
capacidad total en paralelo (la de la unin mas las parsitas de
las conexiones) y por la corriente de pico de conduccin. El
tiempo de conmutacin es del orden de algunos nanosegundos,
y cabe obtener incluso valores de 50pseg. Otra aplicacin del
diodo tnel es su empleo para oscilador de alta frecuencia
(microondas).
Los diodos tnel mas asequibles comercialmente son de
germanio o de arseniuro de galio.
V.

TRANSISTOR DE POTENCIA

El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los transistores normales, teniendo como
caractersticas especiales las altas tensiones e intensidades que
tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.
Existen bsicamente tres tipos de transistores de potencia:
bipolar.
unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
IGBT.
El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS,
ms la capacidad de carga en corriente de los transistores
bipolares:
Trabaja con tensin.
Tiempos de conmutacin bajos (alta frecuencia de funcionamiento)
Margen de potencia en conduccin mucho mayor (como
los bipolares).
Nos interesa, como siempre que tratamos con dispositivos
semiconductores de potencia que el transistor se parezca, lo
ms posible, a un elemento ideal:
Pequeas fugas.
Alta potencia.
Bajos tiempos de respuesta (ton , tof f ), para conseguir
una alta frecuencia de funcionamiento.
Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado
Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ).
Una limitacin importante de todos los dispositivos de
potencia y concretamente de los transistores bipolares, es que
el paso de bloqueo a conduccin y viceversa no se hace
instantneamente, sino que siempre hay un retardo (ton ,
tof f ). Las causas fundamentales de estos retardos son las
capacidades asociadas a las uniones colector - base y base
- emisor y los tiempos de difusin y recombinacin de los
portadores.

V-A.

PRINCIPIOS DE FUNCIONAMIENTO

La diferencia ms notable entre un transistor bipolar y un

transistor unipolar o FET es el modo de actuacin sobre el
terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectar
una corriente de base para regular la corriente de colector,
mientras que en el FET el control se hace mediante la aplicacin de una tensin entre puerta y fuente. Esta diferencia viene
determinada por la estructura interna de ambos dispositivos,
que son sustancialmente distintas. Es una caracterstica comn,
sin embargo, el hecho de que la potencia que consume el
terminal de control (base o puerta) es siempre ms pequea
que la potencia manejada en los otros dos terminales. En
resumen, destacamos tres cosas fundamentales:
En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC .
En un FET, la tensin VGS controla la corriente ID .
En ambos casos, con una potencia pequea puede controlarse otra bastante mayor.

V-B.

TRANSISTOR BJT

Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo del sentido o signo de los voltajes de polarizacin en
cada una de las uniones del transistor pueden ser:

Figura 17. Regiones de polarizaciones del transistor BJT.

Regin activa directa: Corresponde a una polarizacin

directa de la unin emisor - base y a una polarizacin inversa
de la unin colector - base. Esta es la regin de operacin
normal del transistor para amplificacin.
Regin activa inversa: Corresponde a una polarizacin
inversa de la unin emisor - base y a una polarizacin directa
de la unin colector - base. Esta regin es usada raramente.
Regin de corte: Corresponde a una polarizacin inversa
de ambas uniones. La operacin en esta regin corresponde
a aplicaciones de conmutacin en el modo apagado, pues el
transistor acta como un interruptor abierto (IC = 0).
Regin de saturacin: Corresponde a una polarizacin directa de ambas uniones. La operacin en esta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo encendido, pues
el transistor acta como un interruptor cerra- do (VCE = 0).
En la siguiente figura, se muestra la curva V-I tpica del
transistor bipolar:

Figura 18. Caracterstica tensin-corriente del transistor BJT.

V-C.

TRANSISTOR MOSFET

El nombre de MOSFET, viene dado por las iniciales de los

elementos que los componen; una fina pelcula metlica (Metal
-M); oxido de silicio (xido - O); regin semiconductora
(Semiconductor- S).

Figura 19. Esquema de la estructura fsica de un MOSFET.

Figura 20. Smbolo electrnico.

La curva caracterstica nos da informacin acerca de como

vara la intensidad del drenado (id ) para una tensin fija (vds ),
y variando la tensin aplicada entre la puerta y el surtidor
(vgs ). En particular, en la siguiente figura se apreciar la curva
caracterstica de un MOSFET de enriquecimiento.

Figura 21. Regiones de trabajo del MOSFET.

V-D.

TRANSISTOR IGBT

El IGBT (Insulate Gate Bipolar Transistor) combina las

ventajas de los BJT y los Mosfet. Tiene una impedancia
de entrada elevada, como los Mosfet y bajas perdidas en
conmutacin, como los BJT, pero sin el problema de segunda
ruptura, por lo que puede trabajar a elevada frecuencia y con
grandes intensidades.
Los IBGT fueron inventados hace poco tiempo, pero su evolucin ha sido rpida debido a que han demostrado tener una
resistencia en conduccin muy baja y una elevada velocidad
de conmutacin (la transicin desde el estado de conduccin
al de bloqueo se puede considerar de unos dos microsegundos,
y la frecuencia puede estar en el rango de los 50KHz), adems
de una elevada tensin de ruptura. Los IGBT se fabrican desde
una tensin de 1400V y una corriente de 300A, a una tensin
de 600V y una corriente de 50A.
El control por tensin hace que el IGBT sea ms rpido
que el BJT, pero ms lento que el Mosfet. La energa aplicada
a la puerta que activa el dispositivo es pequea con una
corriente del orden de los nanoamperios, esta pequea potencia
necesaria para conmutar el dispositivo, hace que pueda ser
controlado por circuitos integrados.
VI.

CONCLUSIONES

1. Las variantes del diodo como el diodo Led, el diodo

tnel, el diodo Zener, entre otros, permite construir un
sinnmero de aplicaciones, gracias a sus muy diversas
construcciones, y estos se debe ya sea a su forma de
utilizacin o bien en la cantidad de dopaje de cada
material presente en el diodo.
2. El diodo Zener permite construir dispositivos reguladores de tensin como el UPS, debido a su estabilidad en
su salida de tensin, como otro elemento en la salida
del puente rectificador de onda completa en el puente
de diodos.
3. El diodo tnel utiliza el efecto tnel de la mecnica
cuntica descrito muy bien por la ecuacin de Schdinger, en donde la probabilidad de que un electrn
atraviese una barrera de potencial es muy alta y su
aplicacin esta muy bien dirigida a interruptores de muy

alta velocidad, dado que el envo del electrn se produce

a la velocidad de la luz.
4. El mecanismo de funcionamiento de un transistor BJT
comn y otro del mismo tipo solo que de potencia son
idnticos, ste ltimo construido de forma robusta, dado
que soporta altas tensiones e intensidades, por tanto,
altas potencias que disipar.
5. La diferencia entre el mecanismo de funcionamiento
de un transistor BJT y un FET(Transistor de Efecto
de Campo) es que en el primero hay que inyectar una
corriente de base para regular la corriente de colector,
mientras que en el FET el control se hace mediante la
aplicacin de una tensin entre puerta y fuente (VGS ).
Esta diferencia viene determinada por la estructura interna de ambos dispositivos, que son sustancialmente
distintas.
6. El IGBT (Insulate Gate Bipolar Transistor) combina las
ventajas de los BJT y los Mosfet. Tiene una impedancia
de entrada elevada, como los Mosfet y bajas perdidas
en conmutacin, como los BJT, pero sin el problema de
segunda ruptura, por lo que pue- de trabajar a elevada
frecuencia y con grandes intensidades.
R EFERENCIAS
[Boylestad]

Introduccin al anlisis de circuitos. Boylestad. Decimosegunda edicin. Editorial

Pearson.
[Millman y Christos C. Halkias] Electrnica Integrada. Circuitos y sistemas
analgicos y digitales. Jacob Millman y
Christos C. Halkias. Segunda Edicin. Editorial Hispano Europea. Barcelona (Espaa)
[Documento]
Introduccin a los transistores de potencia.
Apartado 3.2. Electrnica Industrial (Sin
fuente oficial).
[e-grafa]
Wikipedia
https://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_Zener?
oldid=86221980https://es.wikipedia.org/
wiki/Transistor?oldid=86289366https:
//es.wikipedia.org/wiki/Led