UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA. GUERRERO-SNCHEZ-RAMIREZ.

AMPLIFICADORES DE PEQUEA SEAL

Amplificadores de Pequea Seal

Guerrero Anderson D., Snchez Oscar L., Ramirez Juan D.
adguerreroc@unal.edu.co
olsanchezco@unal.edu.co
Universidad Nacional de Colombia Sede Bogot

I. I NTRODUCCIN
El transistor Bipolar BJT, es un dispositivo semiconductor
de tres terminales empleado en muchas aplicaciones en diferentes ramas de la electrnica. Entre una de las tantas aplicaciones de este dispositivo est el desarrollo de amplificadores
para seales pequeas, este documento centra su enfoque al
anlisis y diseo de estos amplificadores al utilizar el transistor
en las tres configuraciones bsicas.
II. M ARCO TERICO
El diseo de un amplificador utilizando transistores BJT
se basa en el principio de pequeas seales, este principio
se aplica debido que el transistor tiene un comportamiento
no lineal entre la corriente y voltaje. Con el principio de
pequeas seales es trabaja en una pequea franja sobre
la curva donde esta se puede aproximar que presenta un
comportamiento lineal.

Para realizar el diseo se debe partir de las condiciones que

se impongan y resolver el circuito para determinar las variables
que cumplan con las restricciones. Para lograr amplificacin
el transistor debe estar polarizado de tal manera que la curva
de la relacin entre voltaje y corriente est en la regin activa
(VB <VC ), para ello se hace un analis DC para encontrar
algunas variables que posteriormente se requieren en el anlisis
AC al sustituir el transistor por su respectivo modelo en
pequeas seales, tal como se muestra en la Figura 1.

ro =

TT
IE
vo
Av =
vin
re =

rpi =

VT
VT
=
IB
IC

IE = IC (1 + )

(2)

gm =

IC
VT

(3)

(5)
(6)
(7)

Osciloscopio
Fuente DC
Un Generador de seales
Un Multmetro Digital
Tres Sondas
Resistencias
Condensadores
Transistor
IV. D ISEO

A. Emisor comn
Se realiz el diseo de la Figura 2, con el fin de obtener
una ganancia Av < 200V /V , un ancho de banda BWm >
1M Hz polarizando con una seal de tensin VCC < 20V .
Se realizaron los respectivos del anlisis en DC y en AC para
determinar los diferentes valores tericos.

A. Ecuaciones de diseo
(1)

(4)

III. M ATERIALES E I NSTRUMENTOS R EQUERIDOS

Figura 1. Modelo en pequea seal

IC = IB

VA
IC

Figura 2. Diseo del emisor comn

Av = 45.7 V /V
Rin = 10.7 k
Rout = 555.5
Ic = 1 mA

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B. Colector comn
La figura 3 muestra el circuito planteado para la configuracion de colector comn.

Figura 3. Diseo del colector comn

C. Base comn
El diseo del amplificador en configuracin base comn
es mostrada en la Figura 4, la idea es obtener una ganancia
superior a 20 V /V , con una tensin de polarizacin inferior a
15 V. gm = 11.4 mA/V

Figura 4. Diseo base comn

Av = 3.36 V /V
Rout = 262.5
Rin = 138.6
R EFERENCIAS
[1] J. R. Martnez, "Elementos de importancia en los circuitos elctricos", in
Fsica y qumica, Ed: Mad, S.L, Sevilla, 2003, pp. 147.